JPH11115312A

JPH11115312A - 光記録媒体

Info

Publication number: JPH11115312A
Application number: JP9285785A
Authority: JP
Inventors: Kazuhiro Kaneko; 和弘金子; Tomohiko Onda; 智彦恩田
Original assignee: Kao Corp
Current assignee: Kao Corp
Priority date: 1997-10-17
Filing date: 1997-10-17
Publication date: 1999-04-27

Abstract

(57)【要約】【課題】光ビームに対する記録層の記録消去時の相対速
度が５〜７m/s で使用される光記録媒体の、Ｃ／Ｎ、消
去比、変調度、記録感度、及び繰り返し記録消去特性を
改善する。【解決手段】それぞれα、β、γ、及びδで表され
る、Au、In、Sb、及びTeの組成比率が、０原子％＜α≦
17原子％、３原子％≦β＜８原子％、51原子％≦γ≦67
原子％、26原子％≦δ≦33原子％、ただし、99原子％≦
α＋β＋γ＋δ≦100 原子％、であるカルコパイライト
型化合物で、光記録媒体１の記録層４を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、相変化型記録材料
からなる記録層を有する光記録媒体に関し、特に、光ビ
ームに対する記録層の記録消去時の相対速度が５〜７m/
s で使用される光記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、高密度記録が可能で、しかも記録
情報を消去して書き換えることが可能な光記録媒体が注
目されている。書き換え可能型の光記録媒体のうち相変
化型の光記録媒体は、レーザー光を照射することにより
記録層の結晶状態を変化させ、このような状態変化に伴
う記録層の反射率変化を検出するものである。相変化型
の光記録媒体は単一の光ビームによるオーバーライトが
可能であり、また、駆動装置の光学系が光磁気記録媒体
のそれに比べて単純である点で優れている。

【０００３】相変化型光記録媒体の記録層の材料として
は、結晶状態と非晶質状態とで反射率の差が大きく、非
晶質状態の安定度が比較的高い、Ge-Te 系材料が用いら
れることが多い。その代表的な材料例として、米国特許
第 3,530,441号に開示されているように、Ge-Te 、Ge-T
e-Sb-S、Ge-Te-S 、Ge-Se-S 、Ge-Se-Sb、Ge-As-Se、In
-Te 、Se-Te 、Se-As 等のいわゆるカルコゲン系合金材
料があげられる。

【０００４】また、安定性、高速結晶化等の向上を目的
にGe-Te 系にAu（特開昭61-219692号公報）、Sn及びAu
（特開昭61-270190 号公報）、Pd（特開昭62-19490号公
報）等を添加した材料の提案や、記録／消去の繰り返し
性能向上を目的に Ge-Te-Se-Sbの組成比を特定した材料
（特開昭62-73438号公報）の提案等もなされている。し
かしながら、上述した組成のいずれもが相変化型書き換
え可能光記録媒体の記録層として要求される諸特性のす
べてを満足し得るものとはいえない。特に、記録感度、
消去感度の向上、オーバーライト時の消し残りによる消
去比低下の防止、並びに記録部、未記録部の繰り返し記
録消去特性の長寿命化が最も重要な課題となっている。

【０００５】これに対し、最近、カルコパイライトと呼
ばれる化合物を応用することが提案されている。カルコ
パイライト型化合物は化合物半導体材料として広く研究
され、太陽電池等にも応用されている。カルコパイライ
ト型化合物は、化学周期律表を用いるとＩb-IIIb-VIb₂
やIIb-IVb-Vb₂で表される組成であり、ダイヤモンド構
造を２つ積み重ねた構造を有する。

【０００６】これらカルコパイライト型化合物の中で特
にAgInTe₂は、SbやBiを用いて希釈することにより、線
速度７m/s 前後の光記録媒体の記録層材料として使用で
きることが知られている（特開平3-240590号公報、特開
平3-99884 号公報、特開平3-82593 号公報、特開平3-73
384 号公報等）。このようなカルコパイライト型化合物
を用いた相変化型光記録媒体の他、特開平4-267192号公
報や特開平4-232779号公報、特開平6-166268号公報に
は、記録層が結晶化する際にAgSbTe₂相が生成する相変
化型光記録媒体が開示されている。これらの記録材料を
用いた光記録媒体は優れたＣ／Ｎ、消去比、変調度、記
録感度を有する。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た組成のカルコパイライト型化合物の記録層は、繰り返
し記録消去の寿命が数千回程度しかなく、光磁気ディス
クの繰り返し記録消去の寿命が十万回であることと比べ
ると、必ずしも十分ではないという問題点があった。

【０００８】本発明はこのような従来の問題点に鑑み、
Ｃ／Ｎ、消去比、変調度、記録感度が高く、更に、繰り
返し記録消去特性の優れた光記録媒体を提供することを
目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】このため、請求項１に係
る発明の光記録媒体は、光ビームに対する記録層の記録
消去時の相対速度が、５〜７m/s で使用される光記録媒
体において、それぞれα、β、γ、及びδで表される、
Au、In、Sb、及びTeの組成比率が、０原子％＜α≦17原
子％、３原子％≦β＜８原子％、51原子％≦γ≦67原子
％、26原子％≦δ≦33原子％、ただし、99原子％≦α＋
β＋γ＋δ≦100 原子％、である記録層を有することを
特徴とする。このうち、１原子％≦α≦13原子％、４原
子％≦β＜８原子％、51原子％≦γ≦64原子％、27原子
％≦δ≦30原子％の組成範囲が特に好ましい。

【００１０】このような構成の光記録媒体では、Ｃ／
Ｎ、消去比、変調度、及び記録感度に加え、繰り返し記
録消去特性も改善される。記録層が、Au、In、Sb、Teを
含有する可能性のある技術については、例えば、特開昭
60-177446 号公報、特開平1-307034号公報、特開平1-30
3643号公報、特開平1-241340号公報等に見ることができ
る。

【００１１】しかしながら、特開昭60-177446 号公報、
特開平1-307034号公報、特開平1-303643号公報には、記
録層を構成する元素が多数羅列されているが、それらの
元素の多様な組み合わせの中で、Au、In、Sb、Teの組み
合わせも理論的には可能であることを伺わせる程度にと
どまり、本願発明のように、上記特定の元素を特定の比
率で含有する記録層についての記載や示唆は全く存在し
ない。

【００１２】一方、特開平1-241340号公報には、Au、I
n、Sb、Teの４元素の構成比率を広範囲に規定した記録
層が開示されている。具体的には、Auは０〜30原子％、
Inは５〜80原子％、Sbは10〜90原子％、Teは０〜50原子
％までの範囲で可変であると思われ、本願発明に係る上
記４元素の構成比率が包含される可能性もある。しかし
ながら、特開平1-241340号公報では、AuとInとは０原子
％でもよい（つまりAuとInは必須構成要件ではない）と
認識されており、本願発明とは各元素の構成比率におい
て一致しておらず、本願発明が目的とする記録層の諸特
性（Ｃ／Ｎ、消去比、変調度、記録感度、繰り返し消去
特性等）の改善についての記載や示唆は全く存在しな
い。

【００１３】本願発明の光記録媒体では、Auの組成比率
αの範囲を０原子％＜α≦17原子％、Inの組成比率βの
範囲を３原子％≦β＜８原子％、Sbの組成比率γの範囲
を51原子％≦γ≦67原子％、Teの組成比率δの範囲を26
原子％≦δ≦33原子％とする。より好ましい組成の範囲
は、１原子％≦α≦13原子％、４原子％≦β＜８原子
％、51原子％≦γ≦64原子％、27原子％≦δ≦30原子％
である。

【００１４】β、γ、δが上記組成範囲にある時、αが
０原子％になると、結晶転移速度が遅くなり、消去比が
低下する。また、繰り返し記録消去寿命が低下する。α
が17原子％を越えると、結晶転移速度が速くなり過ぎ
て、十分な記録が難しくなる。βの組成範囲について
は、検討した組成範囲３原子％≦β＜８原子％において
すべて良好な記録消去特性が得られている。

【００１５】αとβが上記組成範囲にある時、γが51原
子％未満となると、結晶転移速度が遅くなり、消去が困
難になる。また、検討したγ＝67原子％までの組成範囲
においてすべて良好な記録消去特性が得られている。α
とβが上記組成範囲にある時、δが33原子％を越える
と、結晶転移速度が遅くなり、消去が困難になる。同時
に、吸収係数が増加して誘電体層での多重反射による光
学干渉効果が減少し、Ｃ／Ｎが低下する。また、検討し
たδ＝26原子％までの組成範囲においてすべて良好な記
録消去特性が得られている。

【００１６】記録層中には、上述したAu、In、Sb、Te各
元素に加え、例えば微量不純物として、Cu、Ag、Ni、Z
n、Fe、Ge、Se、S 、Sn、Pd、V 、As、C 、N 、O 等の
他の元素が含まれていてもよいが、これらの元素の合計
含有量は原子比で１％以下であることが好ましい。上記
記載の組成を持つ記録層は、光ビームに対する記録層の
記録消去時の相対速度が５〜７m/s の時、良好な記録消
去特性を示す。

【００１７】光記録媒体の具体的な構造としては、請求
項２に係る発明のように、基板上に、下部誘電体層、前
記記録層、上部誘電体層、反射層、及び保護層をこの順
で積層した片面記録用のものが簡便である。また、請求
項３に係る発明のように、少なくとも下部誘電体層、前
記記録層、上部誘電体層、及び反射層を、この順で基板
上にそれぞれ積層した２枚の光記録媒体を、前記反射層
側を対向させ、接着層を介して接合した、両面記録が可
能なものとしてもよい。

【００１８】さらに、請求項４に係る発明のように、基
板上に、少なくとも下部誘電体層、前記記録層、上部誘
電体層、反射層、接着層、及び上部基板をこの順で積層
し、機械的強度を高めた構成としてもよい。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。図１〜図３は、本発明の光記録媒
体の好ましい構成例を示す断面図である。図１に示した
光記録媒体１は、基板２上に、下部誘電体層３、記録層
４、上部誘電体層５、反射層６、及び保護層７をこの順
で積層した構造を有する、片面記録用の光記録媒体であ
る。

【００２０】また、図２に示した光記録媒体１は、基板
２上に、下部誘電体層３、記録層４、上部誘電体層５、
反射層６、保護層７、接着層８、及び上部基板９をこの
順で積層し、機械的強度を高めた片面記録用の光記録媒
体である。また、図３に示した光記録媒体１は、２枚の
基板２の上に、それぞれ下部誘電体層３、記録層４、上
部誘電体層５、反射層６、及び保護層７をこの順で積層
し、この２枚の光記録媒体を、保護層７側を対向させ
て、接着層８を介して接合した、両面記録用の光記録媒
体である。

【００２１】図２及び図３に示した光記録媒体では、保
護層７を省くこともできる。基板２は、用いる光ビーム
に対して透明である材質、例えば、樹脂やガラス等から
構成することが好ましく、特に、取り扱いが容易で安価
であることから、樹脂が好ましい。樹脂として具体的に
は例えば、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポ
キシ樹脂、ＡＢＳ樹脂等を用いることができる。基板の
形状及び寸法は特に限定されないが、通常、ディスク状
であり、その厚さは、通常、0.5 〜３mm程度、直径は40
〜360 mm程度である。また、基板の表面には、トラッキ
ング用やアドレス用等のために、グルーブ等の所定のパ
ターンが必要に応じて設けられる。

【００２２】下部誘電体層３及び上部誘電体層５は、記
録層４の結晶状態の変化に伴う反射率の変化を、下部誘
電体層３と上部誘電体層５との間での多重反射によって
拡大し、変調度（結晶状態と非晶質状態との反射率の
差）を高める作用、並びに、記録時に、記録層４に残っ
た熱を熱伝導により適度な速度で放出する作用を有す
る。

【００２３】下部誘電体層３及び上部誘電体層５に用い
る誘電体は、用いる光ビームに対して略透明である無機
物が好ましい。更に、その無機物の融点は記録層４を構
成する材料の融点よりも高いことが好ましい。具体的な
誘電体材料の例としては、例えば、SiO 、SiO₂、ZnO 、
Al₂O₃、TiO₂、SnO₂、In₂O₃、MgO 、ZrO₂等の金属酸化
物、Si₃N₄、AlN 、BN、TiN 、ZrN 等の窒化物、ZnS 、
In₂S₃、TaS₄等の硫化物、SiC 、TaC 、WC、TiC 、ZrC
、B₄C 等の炭化物やダイヤモンド状カーボン或いはそ
れらの混合物があげられる。これらの材料は単体で用い
ることもできるし、２つ以上の材料を混合して用いるこ
ともできる。また、必要に応じて不純物を含んでいても
よい。誘電体層はスパッタ法や真空蒸着法、プラズマCV
D 法、光CVD 法、電子ビーム蒸着法等の気相成長法によ
り形成できる。

【００２４】光学特性の観点から言うと、下部誘電体層
３の厚さを50〜300 nm程度とし、上部誘電体層５の厚さ
を10〜60nm又は100 〜250 nmとすることにより、光の多
重反射の効果を有効に利用した高い変調度が得られる。
一方、熱的には、上部誘電体層５の厚さが薄いと、記録
層４と反射層６の間を断熱する効果が小さくなり、記録
時に記録層４に蓄熱された熱は、高い放熱作用を持つ金
属の反射層６に速やかに散逸する。従って、10〜60nm程
度の薄い上部誘電体層５をもつ光記録媒体で記録並びに
消去を実現するためには、記録材料がレーザー光による
加熱に対し高い感度をもつ必要がある。

【００２５】従来、Ge-Sb-Te等のカルコゲン系記録材料
を用いた光記録媒体では、記録材料が十分な感度をもっ
ていないために、上部誘電体層５の厚さを100 〜250 nm
とした構造をとっていた。一方、Ag-In-Sb-Te 系合金並
びに本発明であるAu-In-Sb-Te 系合金の記録材料は、レ
ーザー光による加熱に対し高い感度をもつため、それら
を記録層４に用いた光記録媒体においては、上部誘電体
層５の厚さを10〜60nmとすることができる。この構造で
は、記録時の記録層４の冷却速度が速くなる急冷型とな
るため、記録ピットのエッジが明瞭となってジッターが
低くなるという利点がある。しかも、膜厚が薄いので上
部誘電体層５をスパッタ等によって作製する時間を短縮
でき、生産性の向上につながる。

【００２６】記録層４は、Au、In、Sb、及びTeの組成比
率をそれぞれα、β、γ、及びδで表すと、０原子％＜
α≦17原子％、３原子％≦β＜８原子％、51原子％≦γ
≦67原子％、26原子％≦δ≦33原子％（ただし、99原子
％≦α＋β＋γ＋δ≦100 原子％）であるカルコパイラ
イト型化合物で形成される。記録層４の厚さは特に限定
されないが、高反射率と高変調度（記録状態と未記録状
態との反射率の差が大きいこと）を実現するために、通
常、10〜200 nm、特に15〜150 nmとすることが好まし
い。

【００２７】また、記録層４の形成方法は特に限定され
ないが、スパッタ法や真空蒸着法、プラズマCVD 法、光
CVD 法、電子ビーム蒸着法等の気相成長法により形成す
ることが好ましい。形成された記録層４の組成は、Ｘ線
マイクロアナライザーにより測定するのが簡便である。
その他にも蛍光Ｘ線、ラザフォード後方散乱、オージェ
電子分光、発光分析等の分析法が考えられるが、それら
を用いる場合には、Ｘ線マイクロアナライザーで得られ
る値との校正をする必要がある。

【００２８】また、記録層４中に含まれる物質の結晶状
態の判定には、Ｘ線回折又は電子線回折等が適してい
る。例えば、電子線回折像でスポット状やデバイリング
状のパターンが観測される場合には結晶状態、リング状
のパターンやハローパターンが観測される場合には非晶
質状態と判定することができる。反射層６の材質は特に
限定されないが、通常、Al、Au、Ag、Pt、Cu等の単体或
いはこれらの１種以上を含む合金等の高反射率金属から
構成すればよい。反射層６の厚さは、30〜300 nmとする
ことが好ましい。厚さが30nm未満であると十分な反射率
が得難くなるし、記録時に、記録層４に残った熱を放出
する効果が低減する。また、300 nmを越えても反射率や
熱放出効果の顕著な向上は見られない。反射層はスパッ
タ法や蒸着法等の気相成長法により形成することが好ま
しい。

【００２９】保護層７は、耐擦傷性や耐腐食性の向上の
ために設けられる。この保護層７は種々の有機系の物質
から構成されることが好ましいが、特に、放射線硬化型
化合物やその組成物を、電子線、紫外線等の放射線によ
り硬化させた物質から構成されることが好ましい。保護
層７の厚さは、通常、0.1 〜100 μm 程度であり、スピ
ンコート、グラビア塗布、スプレーコート等、通常の方
法により形成すればよい。

【００３０】接着層８は、種々の有機系の物質から構成
されることが望ましいが、熱可塑性物質、粘着性物質、
放射線硬化型化合物やその組成物を電子線や放射線によ
り硬化させた物質から構成されることが好ましい。接着
層８の厚さは、通常、0.1 〜100μm 程度であり、接着
層８を構成する物質により選ばれる最適な方法、例え
ば、スピンコート、グラビア塗布、スプレーコート、ロ
ールコート等により形成すればよい。

【００３１】また、上部基板９は、上述した基板２と同
様の樹脂で構成することができる。一般に、相変化型光
記録媒体の作製時には、記録層４は非晶質状態であり、
オーバーライト可能な光記録媒体とするためには何らか
の方法で記録層４を結晶化（初期化）する必要が生じ
る。光記録媒体１の初期化方法としては、半導体レーザ
ーによる方法、Arレーザーによる方法、フラッシュラン
プによる方法等種々の方法を用いることができる。特
に、大出力の半導体レーザーにより初期化を行う方法
は、記録層４を形成する膜の初期化後の均質性、光記録
媒体１の信号特性、生産性の点で優れている。そのビー
ム径は、幅0.5 〜５μm 、長さ10〜300 μmが適してい
る。パワーは100 〜3000mW、線速は１〜20m/s の範囲が
適している。

【００３２】本発明の光記録媒体１では、記録及び再生
は以下のようにして行われる。光記録媒体１は、初期化
された状態では記録層４全面が結晶化している。結晶化
状態の記録層４に記録用光ビーム（レーザー光ビーム）
を照射すると、照射された部位は光ビームのエネルギー
により融解する。そして、融解した部位の温度は記録用
光ビーム通過後に急速に下がるため、この部位が非晶質
化して信号記録部となる。

【００３３】また、記録情報を書き換えるときには、新
たに信号を書き込む記録部位に記録用光ビームを照射
し、その他の部位に消去用光ビームを照射する。その
際、消去用光ビームのパワーは記録用光ビームのパワー
よりも弱く、消去用光ビームの照射部位を記録層４の結
晶化温度（或いはガラス転移温度）以上融点以下に加熱
できるように調整する。

【００３４】記録用光ビームが照射された部位は、照射
前に結晶であったか非晶質であったかに関わらず融解
し、ビーム通過後の急冷によって非晶質化する。一方、
消去用ビームが照射された部位は、その部位が結晶の場
合には変わらず、その部位が非晶質の場合には結晶化温
度以上（融点以下）に加熱されるため結晶化する。従っ
て、書き換えの際には、ビーム照射前の状態が結晶質で
あっても非晶質であっても、記録層４の記録用光ビーム
照射部位は全て非晶質の信号記録部となり、また、消去
用光ビーム照射部位は全て結晶質となり、オーバーライ
ト記録が可能となる。

【００３５】尚、記録用光ビーム及び消去用光ビーム
は、単一の光ビームの強度を変調して用いることによ
り、１つの光源で供給することができる。記録用光ビー
ムは、図４に示すように、マルチパルス状に照射するこ
とが好ましい。１つの信号を少なくとも２回のパルス光
照射で記録することにより記録部位の蓄熱が抑制され、
記録部位後端部の膨れ（ティアドロップ現象）を抑える
ことができるので、Ｃ／Ｎやジッターが向上する。記録
用光ビームのパワーPwと消去用光ビームのパワーPeの具
体的な値は、使用する光ビームの波長に応じて実験的に
決定することができる。尚、図中、Pbはボトムパワーを
示す。

【００３６】再生用光ビームは、記録層４をその結晶化
温度以上に加熱することがなく、記録層４の結晶状態及
び非晶質状態に影響を与えない程度の低パワーのビーム
であり、使用する光ビームの波長に応じて決定すること
ができる。本発明の光記録媒体では、上記記録用並びに
消去用光ビームに対する記録層の相対速度を５〜７m/s
として使用する。

【００３７】［実施例］次に、本発明の具体的実施例を
示し、本発明をさらに詳細に説明するが、これらの実施
例は本発明を何ら制限するものではない。直径120 mm、
厚さ0.6 mmのランド／グルーブを有する、２枚のポリカ
ーボネート基板２の上に、それぞれ下部誘電体層３、記
録層４、上部誘電体層５、反射層６、及び保護層７をこ
の順で積層し、この２枚の光記録媒体を、保護層７側を
対向させて、接着層８を介して接合し、図３の構成を有
する光記録媒体１とした。基板２のランド／グルーブ
は、トラックピッチ0.74μm 、深さ70nmとした。

【００３８】下部誘電体層３は、ZnS-SiO₂（SiO₂：20 m
ol％）をターゲットとし、ＲＦスパッタ法により作製し
た。下部誘電体層３の厚さは140 nmとした。記録層４
は、In-Sb-Teターゲット上にAu、In、Sb、Te、Agの各チ
ップを載せて組成を変化させ、ＤＣスパッタ法により作
製した。記録層４の厚さは22nmとした。

【００３９】記録層４の組成は、フィリップス社製ＥＤ
ＡＸ装置システムを用い、Ｘ線マイクロアナライザーに
より測定した。即ち、ポリカーボネート平板上に層厚が
約50nmの記録層４をスパッタ法により作製後、Ｘ線マイ
クロアナライザーにより試料のエネルギースペクトルを
検出した。検出されたエネルギースペクトルからポリカ
ーボネート平板等のバックグラウンドを除去し、記録層
４のみのエネルギースペクトルを導出した。このエネル
ギースペクトルから記録層４の構成元素の定量を行い、
記録層４の組成とした。

【００４０】上部誘電体層５は、下部誘電体層３と同様
にして形成した。上部誘電体層５の厚さは25nmとした。
反射層６は、Alをターゲットとし、ＤＣスパッタ法によ
り作製した。厚さは100 nmとした。保護層７は、紫外線
硬化型樹脂をスピンコート法により塗布した後、紫外線
照射により硬化して形成した。硬化後の保護層７の厚み
は10μm であった。

【００４１】接着層８は、紫外線硬化型樹脂をスクリー
ンコート法により塗布した後、紫外線照射により硬化し
て形成した。硬化後の接着層８の厚みは30〜50μm であ
った。光記録媒体１作製後の記録層４は非晶質であっ
た。このため、波長 810 nm の大出力半導体レーザー光
により記録層４を十分に結晶化させ初期化状態とした。

【００４２】光記録媒体１の評価は、波長635 nmの半導
体レーザー光をNA＝0.6 の対物レンズを通して基板２側
から照射し、記録層４の表面で直径約１μm のスポット
径に絞り込むことにより行った。記録時には、照射する
レーザーパルスをマルチパルス化して記録を行った。デ
ィスク特性としては、Ｃ／Ｎ、消去比、変調度、及び繰
り返し記録消去の寿命の４つを次のような方法で測定し
た。

【００４３】即ち、Ｃ／Ｎは、線速6.0m/sで、記録周波
数 4.86MHz（８／１６変調方式の3T）の信号を記録し、
それを線速6.0m/sで再生したときの再生信号のＣ／Ｎを
測定した。消去比は、記録周波数 4.86MHz（８／１６変
調方式の3T）の信号を線速6.0m/sで記録した上に、記録
周波数1.32MHz （８／１６変調方式の11T)の信号をオー
バーライトした時の、線速6.0m/s、周波数4.86MHz での
キャリアレベルの差（Ｃ２−Ｃ１）から求めた。ただ
し、Ｃ１は3T記録後の線速6.0 m/s 、周波数4.86MHzで
のキャリアレベル、Ｃ２は11T オーバーライト後の線速
6.0m/s、周波数4.86MHz での残留キャリアレベルであ
る。

【００４４】変調度は、線速6.0m/sで、記録周波数1.32
MHz （８／１６変調方式の11T)の信号を記録した時の、
再生信号から得られる未記録部と記録部の反射率レベル
の差｛（Ｒ１−Ｒ２）／Ｒ１｝から求めた。ただし、Ｒ
１は未記録部の再生信号レベル、Ｒ２は記録部の再生信
号レベルである。繰り返し記録消去特性は、線速6.0m/s
で８／１６変調方式のランダム信号を繰り返しオーバー
ライトし、500 回のオーバーライト毎に線速6.0m/sで再
生を行い、ランダム信号のジッターを測定した。ジッタ
ーが、基準クロック（29.18MHz）の１５％を越える回数
を繰り返し記録消去の寿命とした。

【００４５】（実施例１）記録層４に、Au：7.7 、In：
6.6 、Sb：56.6、Te：29.1の組成を用い、２枚のポリカ
ーボネート基板(0.6mm) 上に、それぞれ、ZnS-SiO₂(140
nm)/Au-In-Sb-Te(22nm)/ZnS-SiO₂(25nm)/Al(100nm)/ 紫
外線硬化樹脂 (10μm)をこの順で積層し、この２枚の光
記録媒体を、保護層７側を対向させて、接着層８を介し
て接合した光記録媒体１を作製した。

【００４６】記録パワーを変え、消去パワー 6mW、マル
チパルスのボトムパワー１mW、再生パワー１mWの条件
で、前述の方法により光記録媒体としての評価を行っ
た。この結果を表１に示す。

【００４７】

【表１】

【００４８】低い記録パワーでも十分なＣ／Ｎ、消去
比、変調度が得られた。（実施例２〜10、比較例１〜６）２枚のポリカーボネー
ト基板(0.6mm) 上に、それぞそれ、ZnS-SiO₂(140nm)/Au
-In-Sb-Te(22nm)/ZnS-SiO₂(25nm)/Al(100nm)/ 紫外線硬
化樹脂 (10μm)をこの順で積層し、この２枚の光記録媒
体を、保護層７側を対向させて、接着層８を介して接合
した光記録媒体１の構成を有し、記録層４の組成の異な
る光記録媒体を作製して、前述の方法により光記録媒体
としての評価を行った。

【００４９】記録パワーは12mW、消去パワー 6mW、マル
チパルスのボトムパワー１mW、再生パワー１mWとした。
ディスク特性として、Ｃ／Ｎ、繰り返し記録消去特性の
結果を表２に示す。尚、繰り返し記録消去特性について
は、上述した実験方法でジッターが基準クロックの１５
％を越えるまでのオーバーライトの回数を、例えば「1,
000 〜10,000」等のように一定の範囲で示した。これ
は、製造条件及び評価条件により、表示した範囲内で特
性が変わり得ることを示す。

【００５０】

【表２】

【００５１】Auの組成比率αが０原子％＜α≦17原子
％、Inの組成比率βが３原子％≦β＜８原子％、Sbの組
成比率γが51原子％≦γ≦67原子％、Teの組成比率δが
26原子％≦δ≦33原子％（ただし、99原子％≦α＋β＋
γ＋δ≦100 原子％）の範囲内の組成の記録層を有する
実施例２〜10の光記録媒体は、前記範囲外の組成の記録
層を有する比較例１〜６の光記録媒体に比較して良好な
ディスク特性を示すことがわかる。

【００５２】特に、１原子％≦α≦13原子％、４原子％
≦β＜８原子％、51原子％≦γ≦64原子％、27原子％≦
δ≦30原子％（ただし、99原子％≦α＋β＋γ＋δ≦10
0 原子％）の範囲内の組成の記録層を有する実施例２、
実施例７、実施例８、実施例９、実施例10の光記録媒体
は特性が優れている。更に、異なる元素を含む記録層と
の比較のために、以下の実験を行った。

【００５３】（比較例７）記録層４にAg-In-Sb-Te を用
いた以外は、実施例２〜10と同様の層構成を有する光記
録媒体を作製し、実施例２〜10と同様の条件で、Ｃ／
Ｎ、及び繰り返し記録消去特性を評価した。結果を表３
に示す。

【００５４】

【表３】

【００５５】実施例２〜10では、1,000 〜10,000回以上
の繰り返し記録消去回数が得られ、異なる元素を含む組
成の記録層を有する比較例７に比べ、優れたディスク特
性を示した。

【００５６】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１に係る発
明によれば、光ビームに対する記録層の記録消去時の相
対速度が５〜７m/s で使用される光記録媒体において、
Ｃ／Ｎ、消去比、変調度、記録感度が高く、繰り返し記
録消去特性の向上した光記録媒体を得られるという効果
がある。

【００５７】また、請求項２に係る発明によれば、簡便
な層構成で優れた特性を有する片面記録用の光記録媒体
が得られるという効果がある。また、請求項３に係る発
明によれば、優れた特性を有する両面記録用光記録媒体
が得られるという効果がある。また、請求項４に係る発
明によれば、機械的強度及び耐久性が高く、優れた特性
を有する光記録媒体が得られるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光記録媒体の層構成の一例を示す断
面図

【図２】本発明の光記録媒体の層構成の他の例を示す
断面図

【図３】本発明の光記録媒体の層構成の更に他の例を
示す断面図

【図４】オーバーライト時のパルスストラテジの一例
を示す図

【符号の説明】

１光記録媒体２基板３下部誘電体層４記録層５上部誘電体層６反射層７保護層８接着層９上部基板 Pw 記録パワー Pe 消去パワー Pb ボトムパワー

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】光ビームに対する記録層の記録消去時の
相対速度が、５〜７m/s で使用される光記録媒体におい
て、それぞれα、β、γ、及びδで表される、Au、In、
Sb、及びTeの組成比率が、０原子％＜α≦17原子％、３原子％≦β＜８原子％、 51原子％≦γ≦67原子％、 26原子％≦δ≦33原子％、ただし、99原子％≦α＋β＋γ＋δ≦100 原子％、である記録層を有することを特徴とする光記録媒体。
【請求項２】基板上に、下部誘電体層、前記記録層、
上部誘電体層、反射層、及び保護層をこの順で積層した
請求項１に記載の光記録媒体。
【請求項３】少なくとも下部誘電体層、前記記録層、
上部誘電体層、及び反射層を、この順で基板上にそれぞ
れ積層した２枚の光記録媒体を、前記反射層側を対向さ
せ、接着層を介して接合した請求項１に記載の光記録媒
体。
【請求項４】基板上に、少なくとも下部誘電体層、前
記記録層、上部誘電体層、反射層、接着層、及び上部基
板をこの順で積層した請求項１に記載の光記録媒体。