JPH11116219A - 水素貯蔵体とその製法 - Google Patents

水素貯蔵体とその製法

Info

Publication number
JPH11116219A
JPH11116219A JP9282321A JP28232197A JPH11116219A JP H11116219 A JPH11116219 A JP H11116219A JP 9282321 A JP9282321 A JP 9282321A JP 28232197 A JP28232197 A JP 28232197A JP H11116219 A JPH11116219 A JP H11116219A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
metal
graphite
hydrogen storage
closed
hydrogen
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP9282321A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4043562B2 (ja
Inventor
Yoshimasa Oki
木 芳 正 大
Soji Tsuchiya
屋 宗 次 土
Motoaki Tao
尾 本 昭 田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Japan Science and Technology Agency
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Japan Science and Technology Corp
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Japan Science and Technology Corp, Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Japan Science and Technology Corp
Priority to JP28232197A priority Critical patent/JP4043562B2/ja
Publication of JPH11116219A publication Critical patent/JPH11116219A/ja
Priority to US09/575,366 priority patent/US6510672B1/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4043562B2 publication Critical patent/JP4043562B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B3/00—Hydrogen; Gaseous mixtures containing hydrogen; Separation of hydrogen from mixtures containing it; Purification of hydrogen; Reversible storage of hydrogen
    • C01B3/0005—Reversible storage of hydrogen, e.g. by hydrogen getters or electrodes
    • C01B3/001—Reversible storage of hydrogen, e.g. by hydrogen getters or electrodes characterised by the uptaking media; Treatment thereof
    • C01B3/0018—Inorganic elements or compounds, e.g. oxides, nitrides, borohydrides or zeolites; Solutions thereof
    • C01B3/0021—Elemental carbon, e.g. active carbon, carbon nanotubes or fullerenes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/15—Nano-sized carbon materials
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/30—Hydrogen technology
    • Y02E60/32—Hydrogen storage
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/70—Nanostructure
    • Y10S977/734—Fullerenes, i.e. graphene-based structures, such as nanohorns, nanococoons, nanoscrolls or fullerene-like structures, e.g. WS2 or MoS2 chalcogenide nanotubes, planar C3N4, etc.
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/70—Nanostructure
    • Y10S977/734—Fullerenes, i.e. graphene-based structures, such as nanohorns, nanococoons, nanoscrolls or fullerene-like structures, e.g. WS2 or MoS2 chalcogenide nanotubes, planar C3N4, etc.
    • Y10S977/742—Carbon nanotubes, CNTs
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
    • Y10S977/841—Environmental containment or disposal of nanostructure material
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
    • Y10S977/88—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure with arrangement, process, or apparatus for testing
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
    • Y10S977/89—Deposition of materials, e.g. coating, cvd, or ald
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
    • Y10S977/89—Deposition of materials, e.g. coating, cvd, or ald
    • Y10S977/891—Vapor phase deposition
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
    • Y10S977/90—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure having step or means utilizing mechanical or thermal property, e.g. pressure, heat
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/902—Specified use of nanostructure
    • Y10S977/932—Specified use of nanostructure for electronic or optoelectronic application
    • Y10S977/948—Energy storage/generating using nanostructure, e.g. fuel cell, battery

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Hydrogen, Water And Hydrids (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 軽量かつ低圧力で貯蔵が可能な水素吸蔵体と
その製法を提供する。 【解決手段】 鉄、ニッケル、コバルトまたはパラジウ
ム、またはその合金を含んだ有機化合物を原料とした化
学的気相成長法によって生成したチューブ状グラファイ
トを水素吸蔵体として用いる。チューブ状グラファイト
の一端はグラファイトによって閉じられ、他端は遊離し
た金属により蓋をされている。チューブ状グラファイト
の内部は、遊離した金属微粒子により複数の空間に仕切
られているので、チューブを粉砕することで両端部が金
属微粒子により蓋をされたチューブ状グラファイトを得
ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、水素ガスを貯蔵するた
めの材料、特に軽量な材料である炭素を主とした複合物
質からなる水素貯蔵体とその製法に関する。
【0002】
【従来の技術】水素ガスは、燃やしても水蒸気になるだ
けで、酸化窒素や炭酸ガス等の有害あるいは温室効果を
持つような物質を生成しないことから、クリーンエネル
ギーのホープとされている。また、電気エネルギーは、
貯蔵が大変難しいことから、夜間等の大量の余剰電気エ
ネルギーを使って水の電気分解を行い、水素の形でエネ
ルギーを貯蔵することが行われている。このように、水
素ガスは、エネルギーサイクルの中で重要な位置を占め
る物質として大きな期待がかけられている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな水素ガスを貯蔵するためにはいま一段の工夫が必要
である。従来の水素ガスの貯蔵には、水素を丈夫な金属
容器中に例えば150気圧といった高圧をかけて詰め込
む方法と、マイナス260℃以下の低温にして液体状態
にして貯蔵する方法とが多く用いられてきている。この
うち高圧にして貯蔵する方法は、丈夫な容器が必要なた
め、必然的に重い金属容器を使わざるを得ず、そのため
運搬には大変不便であるが、低温装置がいらないことか
ら現在殆どこの方法で運搬・供給が行われている。一
方、低温で液化して貯蔵する方法は、内部を十分断熱で
きる容器と冷却のための大がかりな装置が必要であるた
め、持ち運びや移動が極めて困難である。
【0004】圧力のことだけを考えるならば、最近研究
が進んでいる水素吸蔵合金によって圧力を高くすること
なく、水素ガスを貯蔵することができるが、水素吸蔵合
金自体、鉄や遷移金属からなる、かなり重い合金であっ
て、圧力が低くなったからといって全体で軽くなるとは
言えない。安全にかつ軽量な水素貯蔵法が開発されれ
ば、水素燃料自動車など大きな技術的飛躍が期待でき
る。
【0005】本発明は、このような従来の課題を解決す
るものであり、できるだけ大量の水素ガスを、軽量で運
搬しやすく、かつ低圧力で貯蔵することのできる水素貯
蔵体とその製法を提供することを目的とする。圧力が高
くなければ、容器の強度を小さくすることができ、結果
として軽量な容器が使用できることになる。
【0006】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明は、炭素原子の6員環が網状につながったグ
ラファイトシートが円筒状に巻いてでき、端部が5員環
によりまたは金属微粒子により閉じられた微細なチュー
ブ状の物質を水素貯蔵体として用いるものである。近年
では、グラファイトナノチューブと呼ばれる物質が、炭
素を電極としたアーク放電等で形成されることが知られ
ている。この物質はグラファイトのシートが円筒状に丸
まって閉じた形をしており、その両端が、炭素原子5員
環を含む構造によって閉じられた籠状分子である。生成
過程でこの籠の中に金属微粒子を取り込んだものも実際
に見いだされている。すなわち籠の中の空間は容器とな
りうることが分かる。さらに最近では、籠の中にアルゴ
ンガスを閉じこめたという結果が報告されている(サイ
エンス277巻1997年8月15日号933ペー
ジ)。このようなグラファイトチューブの少なくとも一
端を水素の通りやすい物質で閉じてやれば、可逆的にチ
ューブ内に水素を閉じこめることができる。そのための
蓋として用いる物質として、鉄、コバルト、ニッケル、
パラジウムまたはその合金が用いられる。このような金
属で端を閉じたグラファイトチューブを作るためには化
学的気相成長法が適している。
【0007】
【発明の実施の形態】本発明の請求項1に記載の発明
は、微細なチューブ状グラファイトであって、そのチュ
ーブの両端が金属で閉じられているか、または片側が金
属で他の片側がグラファイトによって閉じられた内部空
間を有する水素貯蔵体であり、大量の水素ガスを、軽量
で運搬しやすく、かつ低圧力で貯蔵することができる。
【0008】本発明の請求項2に記載の発明は、内部空
間が、金属の微粒子によって複数の空間に仕切られてい
ることを特徴とする請求項1記載の水素貯蔵体であり、
大量の水素ガスを、軽量で運搬しやすく、かつ低圧力で
貯蔵することができる。
【0009】本発明の請求項3に記載の発明は、内部空
間が、直径が0.2nm以上100nm以下で、長さが
100nm以上100μm以下であることを特徴とする
請求項1または2記載の水素貯蔵体であり、できるだけ
大量の水素ガスを、軽量で運搬しやすく、かつ比較的低
い圧力で貯蔵することができる。
【0010】本発明の請求項4に記載の発明は、金属
が、ニッケル、コバルト、鉄、パラジウムまたはこれら
金属の合金であることを特徴とする請求項1または2ま
たは3記載の水素貯蔵体であり、水素が比較的通りやす
く、かつチューブを構成している炭素と強固に固着して
チューブの蓋として機能することができる。
【0011】本発明の請求項5に記載の発明は、金属を
含む有機化合物を原料とし、化学的気相成長法(気相堆
積法)によって、両端が金属で閉じられているか、また
は片側が金属で他の片側がグラファイトで閉じられた微
細なチューブ状グラファイトからなる水素貯蔵体を製造
するための製法であり、両端が閉じられた微細なチュー
ブ状グラファイトを比較的容易に製造することができ
る。
【0012】本発明の請求項6に記載の発明は、ニッケ
ル、コバルト、鉄およびパラジウムの中から選ばれた1
つまたは複数の金属を含む有機化合物を、蒸気として5
50℃から950℃の間の選ばれた温度で熱分解反応さ
せることにより、両端が金属で閉じられているか、また
は片側が金属で他の片側がグラファイトで閉じられた微
細なチューブ状グラファイトからなる水素貯蔵体を製造
するための製法であり、金属を含む有機化合物の熱分解
反応を効率的に行うことができ、両端が閉じられた微細
なチューブ状グラファイトを比較的容易に製造すること
ができる。
【0013】本発明の請求項7に記載の発明は、金属を
含む有機化合物の熱分解反応を真空中において行うこと
を特徴とする請求項5または6記載の水素貯蔵体を製造
するための製法であり、金属を含む有機化合物の熱分解
反応を簡便に効率的に行うことができ、両端が閉じられ
た微細なチューブ状グラファイトを比較的容易に製造す
ることができる。
【0014】本発明の請求項8に記載の発明は、生成し
たチューブ状グラファイトをさらに機械的に砕くことを
特徴とする請求項5または6または7記載の水素貯蔵体
を製造するための製法であり、チューブ状グラファイト
の内部が複数の空間に仕切られている場合に、1本のチ
ューブ状グラファイトを機械的に砕くことにより、両端
が閉じられた複数の微細なチューブ状グラファイトを製
造することができる。
【0015】以下、本発明の実施の形態を図面を参照し
て説明する。
【0016】(実施の形態1)図1は本発明の水素貯蔵
体の製造方法を示す模式図である。図1において、まず
原料であるニッケルフタロシアニン粉末1を石英ボート
2に入れ、これを一端を閉じた十分長い石英反応管3の
中に収容する。この石英反応管3の他方の端を封板によ
り封じてそこに真空排気装置6を取り付け、石英反応管
3の内部を真空にする。次に、石英反応管3の内部を真
空引きしながら、原料加熱用電気炉4および熱分解用電
気炉5によって石英反応管3を加熱する。まず、石英反
応管3の中央部を熱分解用電気炉5によって800℃ま
で加熱し、この温度が安定した後、原料加熱用電気炉4
により原料のニッケルフタロシアニン1を400℃に加
熱する。原料が加熱されると、蒸気となって石英反応管
3の中央に拡散していく。石英反応管3の中央部は、熱
分解用電気炉5により800℃に加熱されて十分高い温
度になっているので、原料の蒸気は熱分解を始める。こ
の熱分解の詳細な過程は明確ではないが、金属(この場
合にはニッケル)が遊離し微粒子を作る。このニッケル
微粒子は、炭素がチューブ状グラファイトとなる触媒の
役割をする。1時間の反応で直径が0.3μm、長さ1
00μm程度のファイバ状のものが石英反応管3の内壁
に成長堆積した。この物質は、ラマン散乱測定、エック
ス線回折測定、電子顕微鏡観察などの方法で調べたとこ
ろ、ニッケル微粒子を内包したチューブ状グラファイト
10であることが分かった。
【0017】図2はこのようにして生成されたチューブ
状グラファイト10の断面構造を模式的に示している。
図2において、11は一端が閉じられた多層に積層され
たグラファイトシートである。12はニッケル微粒子
で、12aは生成したチューブ状グラファイトの根元に
ある円錐状のもので、この微粒子がチューブの他端の蓋
になっている。12bはチューブ状グラファイトの中間
に内包されたもので、実際の形は所々くびれた棒状ない
しは楕円体状であり、このような複数の微粒子が点在し
てチューブ内部を複数の空間に仕切っている。
【0018】このようにして生成されたチューブ状グラ
ファイトを集め、水素吸蔵量測定装置を用いて実際に水
素がチューブ内に入るかどうかを調べた。その結果、室
温でははっきりしないが、200℃では水素が吸蔵され
ることが分かった。すなわち体積の分かった容器中で試
料を200℃で10気圧の水素雰囲気で1000秒保持
した後、圧力を保ったまま室温まで温度を下げた。次い
で雰囲気の水素を排気し、容器を真空に封じて温度を2
00℃に上げたところ、容器内の圧力が上昇した。この
気体は質量分析から水素であることが知られた。容器自
体からの気体放出はほとんどないことから、この圧力上
昇はチューブ状グラファイトの中から出てきたものとし
か考えられない。容器の圧力上昇から推定したチューブ
状グラファイトの中に閉じこめられた水素の圧力は約3
気圧相当と見積もられた。
【0019】以上のように、本実施の形態1によれば、
原料としてニッケルフタロシアニン粉末を用い、真空雰
囲気中において加熱蒸発させて、800℃で熱分解反応
させて、一端がグラファイトで閉じられ、他端がニッケ
ルで閉じられたチューブ状グラファイトからなる水素貯
蔵体を製造することができる。
【0020】なお、チューブ状グラファイトの構造は、
内部空間が、直径が0.2nm以上100nm以下で、
長さが100nm以上100μm以下の範囲が良好な水
素貯蔵効果が得られた。
【0021】(実施の形態2)実施の形態1に準じて各
種の金属を含む有機化合物を用いて、チューブ状グラフ
ァイトの生成を試みた結果、ニッケルの他、鉄、コバル
トおよびパラジウムの有機化合物を用いたときにチュー
ブ状グラファイトの生成が見られた。これら金属の熱分
解反応温度は、550℃から950℃の間で、より好ま
しくは、鉄では550℃から750℃、ニッケルでは6
00℃から850℃、コバルトでは650℃から950
℃、パラジウムでは600℃から900℃の選ばれた温
度の領域で分解反応させることによりチューブ状グラフ
ァイトを生成することができる。この反応の際の雰囲気
は真空、不活性ガスまたは還元性のガスのいずれでも可
能であるが、真空が簡便であり好ましい。
【0022】これらの物質を用いて水素吸蔵の効果を調
べたところ、いずれにおいてもニッケルと同様に水素吸
蔵効果が観測されたが、コバルトではその量が少なく、
また吸蔵が観測される温度が高いことが分かった。一
方、パラジウムでは吸蔵量も多く、また吸蔵が観測され
る温度も低いことが分かった。パラジウムとニッケルの
有機物を混合して用いた場合、合金微粒子を含んだチュ
ーブ状グラファイトが生成され、これは吸蔵特性がニッ
ケル、パラジウムそれぞれ単独の場合の中間的な性質を
示した。すなわち合金でも可能なことを示している。
【0023】(実施の形態3)実施の形態1に示した方
法によって生成したチューブ状グラファイトを乳鉢で軽
く粉砕した後、同じく実施の形態1で行ったと同様にし
て水素吸蔵の測定を行った。その結果、推定された吸蔵
量は約3気圧程度とほぼ同様であったが、吸蔵に要する
時間は600秒程度であった。これは、途中に複数のニ
ッケル微粒子が点在する長いチューブでは、内部全体に
水素が吸蔵されるには何箇所かの金属を通り抜ける必要
があるため、平衡圧力に至るまでの時間が長くなるのに
対して、粉砕によって短くなったチューブでは、水素が
通り抜けなければならない金属微粒子の数が少なくなっ
たためである。すなわち、生成したチューブ状グラファ
イトをさらに機械的に砕くことによって、最初1本のチ
ューブであったものをいくつかに分割することができ、
中間に金属微粒子を内包したチューブが、あたかも両端
に金属の蓋をもったチューブのようになる。これによっ
て水素の吸蔵速度を大きくすることができる。
【0024】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、炭素と
いう軽量な材料を用い、一端が金属で他端がグラファイ
トで閉じられた、または両端が金属で閉じられた微細な
チューブ状グラファイトを水素吸蔵体として利用するの
で、水素の貯蔵・運搬・供給に便利なシステム構築が可
能となるとともに、水素利用の応用範囲を広げることに
大きく寄与することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態における水素吸蔵体の製造
方法を示す模式図
【図2】本発明の実施の形態における水素吸蔵体の断面
模式図
【符号の説明】
1 ニッケルフタロシアニン(原料) 2 石英ボート 3 石英反応管 4 原料加熱用電気炉 5 熱分解用電気炉 6 真空排気装置 10 チューブ状グラファイト 11 グラファイトシート 12 ニッケル(金属)微粒子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田 尾 本 昭 神奈川県川崎市多摩区東三田3丁目10番1 号 松下技研株式会社内

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 微細なチューブ状グラファイトであっ
    て、そのチューブの両端が金属で閉じられているか、ま
    たは片側が金属で他の片側がグラファイトによって閉じ
    られた内部空間を有する水素貯蔵体。
  2. 【請求項2】 内部空間が、金属の微粒子によって複数
    の空間に仕切られていることを特徴とする請求項1記載
    の水素貯蔵体。
  3. 【請求項3】 内部空間が、直径が0.2nm以上10
    0nm以下で、長さが100nm以上100μm以下で
    あることを特徴とする請求項1または2記載の水素貯蔵
    体。
  4. 【請求項4】 金属が、ニッケル、コバルト、鉄、パラ
    ジウムまたはこれら金属の合金であることを特徴とする
    請求項1または2または3記載の水素貯蔵体。
  5. 【請求項5】 金属を含む有機化合物を原料とし、化学
    的気相成長法によって、両端が金属で閉じられている
    か、または片側が金属で他の片側がグラファイトで閉じ
    られた微細なチューブ状グラファイトからなる水素貯蔵
    体を製造するための製法。
  6. 【請求項6】 ニッケル、コバルト、鉄およびパラジウ
    ムの中から選ばれた1つまたは複数の金属を含む有機化
    合物を、蒸気として550℃から950℃の間の選ばれ
    た温度で熱分解反応させることにより、両端が金属で閉
    じられているか、または片側が金属で他の片側がグラフ
    ァイトで閉じられた微細なチューブ状グラファイトから
    なる水素貯蔵体を製造するための製法。
  7. 【請求項7】 金属を含む有機化合物の熱分解反応を真
    空中において行うことを特徴とする請求項5または6記
    載の水素貯蔵体を製造するための製法。
  8. 【請求項8】 生成したチューブ状グラファイトをさら
    に機械的に砕くことを特徴とする請求項5または6また
    は7記載の水素貯蔵体を製造するための製法。
JP28232197A 1997-10-15 1997-10-15 水素貯蔵体とその製法 Expired - Fee Related JP4043562B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP28232197A JP4043562B2 (ja) 1997-10-15 1997-10-15 水素貯蔵体とその製法
US09/575,366 US6510672B1 (en) 1997-10-15 2000-05-22 Tubular graphite body capable of storing hydrogen gas and its manufacturing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP28232197A JP4043562B2 (ja) 1997-10-15 1997-10-15 水素貯蔵体とその製法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH11116219A true JPH11116219A (ja) 1999-04-27
JP4043562B2 JP4043562B2 (ja) 2008-02-06

Family

ID=17650897

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP28232197A Expired - Fee Related JP4043562B2 (ja) 1997-10-15 1997-10-15 水素貯蔵体とその製法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6510672B1 (ja)
JP (1) JP4043562B2 (ja)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999056870A1 (en) * 1998-05-01 1999-11-11 Osaka Gas Company Limited Gas-occluding material and method for occluding gas
JP2001089116A (ja) * 1999-09-16 2001-04-03 Osaka Gas Co Ltd 金属内包炭素複合体およびその製造方法
JP2001302224A (ja) * 2000-04-21 2001-10-31 Japan Science & Technology Corp 水素貯蔵体とその製造方法
JP2002228097A (ja) * 2000-11-22 2002-08-14 Air Products & Chemicals Inc 水素ガスの可逆的収着方法及び貯蔵方法
JP2004261739A (ja) * 2003-03-03 2004-09-24 Toyota Motor Corp 水素吸蔵複合材料
JP2005306729A (ja) * 2001-03-27 2005-11-04 Canon Inc 複数のカーボンファイバーの製造方法、これを用いた電子放出素子、電子源、画像形成装置の製造方法、及び、2次電池の負極と水素吸蔵体
JP2006008425A (ja) * 2004-06-22 2006-01-12 Osaka Gas Co Ltd 先端ドーム形状の鉄成分内包ナノスケールカーボンチューブ、それを含む炭素質材料、その製造法、及び該炭素質材料を含む電子放出材料
JP2007145713A (ja) * 2001-10-01 2007-06-14 Rosseter Holdings Ltd 短尺ナノチューブ
JP2011190172A (ja) * 2003-09-03 2011-09-29 Honda Motor Co Ltd 一次元炭素ナノ構造体の製造方法
JP2016510300A (ja) * 2013-01-22 2016-04-07 エムセデ テクノロジーズ ソシエテ ア レスポンサビリテ リミティー カーボンナノ構造を生成する方法および装置
JP2019006674A (ja) * 2018-08-23 2019-01-17 エムセデ テクノロジーズ ソシエテ ア レスポンサビリテ リミティー カーボンナノ構造を生成する方法および装置

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100376477C (zh) * 2005-03-18 2008-03-26 清华大学 一种碳纳米管阵列生长装置及多壁碳纳米管阵列的生长方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1391996A (en) * 1918-11-14 1921-09-27 Gen Electric Control for electric furnaces and the like
US4020273A (en) * 1975-11-26 1977-04-26 Celanese Corporation Vertical pyrolysis furnace for use in the production of carbon fibers

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999056870A1 (en) * 1998-05-01 1999-11-11 Osaka Gas Company Limited Gas-occluding material and method for occluding gas
JP2001089116A (ja) * 1999-09-16 2001-04-03 Osaka Gas Co Ltd 金属内包炭素複合体およびその製造方法
JP2001302224A (ja) * 2000-04-21 2001-10-31 Japan Science & Technology Corp 水素貯蔵体とその製造方法
JP2002228097A (ja) * 2000-11-22 2002-08-14 Air Products & Chemicals Inc 水素ガスの可逆的収着方法及び貯蔵方法
JP2005306729A (ja) * 2001-03-27 2005-11-04 Canon Inc 複数のカーボンファイバーの製造方法、これを用いた電子放出素子、電子源、画像形成装置の製造方法、及び、2次電池の負極と水素吸蔵体
JP2007145713A (ja) * 2001-10-01 2007-06-14 Rosseter Holdings Ltd 短尺ナノチューブ
JP2004261739A (ja) * 2003-03-03 2004-09-24 Toyota Motor Corp 水素吸蔵複合材料
JP2011190172A (ja) * 2003-09-03 2011-09-29 Honda Motor Co Ltd 一次元炭素ナノ構造体の製造方法
JP2006008425A (ja) * 2004-06-22 2006-01-12 Osaka Gas Co Ltd 先端ドーム形状の鉄成分内包ナノスケールカーボンチューブ、それを含む炭素質材料、その製造法、及び該炭素質材料を含む電子放出材料
JP2016510300A (ja) * 2013-01-22 2016-04-07 エムセデ テクノロジーズ ソシエテ ア レスポンサビリテ リミティー カーボンナノ構造を生成する方法および装置
JP2019006674A (ja) * 2018-08-23 2019-01-17 エムセデ テクノロジーズ ソシエテ ア レスポンサビリテ リミティー カーボンナノ構造を生成する方法および装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP4043562B2 (ja) 2008-02-06
US6510672B1 (en) 2003-01-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Dillon et al. Carbon nanotube materials for hydrogen storage
Hirscher et al. Hydrogen storage in sonicated carbon materials
Brown et al. Quantum rotation of hydrogen in single-wall carbon nanotubes
US7468097B2 (en) Method and apparatus for hydrogen production from greenhouse gas saturated carbon nanotubes and synthesis of carbon nanostructures therefrom
Kuznetsov et al. Effect of explosion conditions on the structure of detonation soots: Ultradisperse diamond and onion carbon
Ding et al. Recent advances in the preparation and utilization of carbon nanotubes for hydrogen storage
Saito et al. Extrusion of single-wall carbon nanotubes via formation of small particles condensed near an arc evaporation source
US20010016283A1 (en) Carbonaceous material for hydrogen storage, production method thereof, and electrochemical device and fuel cell using the same
Laplaze et al. Carbon nanotubes: dynamics of synthesis processes
JP4043562B2 (ja) 水素貯蔵体とその製法
KR20020042673A (ko) 수소 흡장용 탄소질 재료와 그 제조 방법 및, 전지, 연료전지
Bera et al. In situ synthesis of carbon nanotubes decorated with palladium nanoparticles using arc-discharge in solution method
Zhao et al. A flexible chemical vapor deposition method to synthesize copper@ carbon core–shell structured nanowires and the study of their structural electrical properties
JP2005502572A (ja) ナノ粒子及びナノチューブの生成装置及び生成方法、並びにガス貯蔵のためのこれらの使用
JP2002097010A (ja) ハイブリッド単層カーボンナノチューブの作製方法
Motaung et al. In situ optical emission study on the role of C2 in the synthesis of single-walled carbon nanotubes
US20040101466A1 (en) Metal-doped single-walled carbon nanotubes and production thereof
JP2005113361A (ja) フッ素化アモルファスナノ炭素繊維およびその製造方法、フッ素化アモルファスナノ炭素繊維からなる水素吸蔵材料、水素貯蔵装置および燃料電池システム
JP2001039706A (ja) 水素吸臓材料の製造方法
JP2004261739A (ja) 水素吸蔵複合材料
JP2004175618A (ja) 水素吸蔵用窒化ホウ素ナノチューブの製造方法
Sankaran et al. Nitrogen-containing carbon nanotubes as a possible hydrogen storage medium
JP4456712B2 (ja) 水素ガス貯蔵材料及び貯蔵方法
EP1594821A4 (en) METHOD AND DEVICE FOR THE MICROWAVE DISCHARGE OF CARBON NANOTIC ELEMENTS OR SPECIES
Золотаренко et al. Synthesis of carbon nanostructures using cheap grades of graphite

Legal Events

Date Code Title Description
RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20040210

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040630

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20070222

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070522

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070723

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20071113

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20071114

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101122

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111122

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111122

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121122

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121122

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131122

Year of fee payment: 6

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees