JPH11116228A - シリコン溶解用ルツボおよびその製造方法 - Google Patents
シリコン溶解用ルツボおよびその製造方法Info
- Publication number
- JPH11116228A JPH11116228A JP27893497A JP27893497A JPH11116228A JP H11116228 A JPH11116228 A JP H11116228A JP 27893497 A JP27893497 A JP 27893497A JP 27893497 A JP27893497 A JP 27893497A JP H11116228 A JPH11116228 A JP H11116228A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- purity
- layer
- crucible
- slurry
- silica
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Molds, Cores, And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ルツボの内側が高純度シリカ層からなり、ル
ツボの外側が低純度シリカ層からなる積層構造を有する
シリコン溶解用ルツボおよびその製造方法を提供する。 【解決手段】 ルツボの内側空間と同じ形状を有する蝋
型１の表面に高純度シリカ層２を形成し、前記高純度シ
リカ層２の上に低純度シリカ層３を形成し、次いで、前
記蝋型１を溶融除去する。
ツボの外側が低純度シリカ層からなる積層構造を有する
シリコン溶解用ルツボおよびその製造方法を提供する。 【解決手段】 ルツボの内側空間と同じ形状を有する蝋
型１の表面に高純度シリカ層２を形成し、前記高純度シ
リカ層２の上に低純度シリカ層３を形成し、次いで、前
記蝋型１を溶融除去する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ルツボの内側が
高純度シリカ層からなり、ルツボの外側が低純度シリカ
層からなる積層構造を有するシリコン溶解用ルツボおよ
びその製造方法に関するものであり、特に規格外の形状
を有するシリコン溶解用ルツボ、例えばルツボの内側空
間が立方体または直方体形状を有するシリコン溶解用ル
ツボおよびその製造方法に関するものである。
高純度シリカ層からなり、ルツボの外側が低純度シリカ
層からなる積層構造を有するシリコン溶解用ルツボおよ
びその製造方法に関するものであり、特に規格外の形状
を有するシリコン溶解用ルツボ、例えばルツボの内側空
間が立方体または直方体形状を有するシリコン溶解用ル
ツボおよびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、シリコン溶解用ルツボとして高純
度石英ルツボまたは高純度黒鉛ルツボが使用されてい
た。しかし高純度黒鉛ルツボで作製したシリコンインゴ
ットは十分な純度が得られないところから、高純度のシ
リコンインゴットを製造するにはどうしても高純度石英
ルツボを使用しなければならなかった。この高純度石英
ルツボを製造するには、純度：９９．９％以上の高純度
溶融シリカ粉末を用意し、この高純度溶融シリカ粉末
を、ルツボの形状をしたキャビティを有する内型と外型
からなる黒鉛型の前記キャビティに充填し、ついで内型
を取り除いて外型の内面側壁に張り付いている高純度溶
融シリカ粉末にアーク炎を当てながら外型を回転し、シ
リカ粉末を溶融しながらルツボに成形することにより作
製していた。
度石英ルツボまたは高純度黒鉛ルツボが使用されてい
た。しかし高純度黒鉛ルツボで作製したシリコンインゴ
ットは十分な純度が得られないところから、高純度のシ
リコンインゴットを製造するにはどうしても高純度石英
ルツボを使用しなければならなかった。この高純度石英
ルツボを製造するには、純度：９９．９％以上の高純度
溶融シリカ粉末を用意し、この高純度溶融シリカ粉末
を、ルツボの形状をしたキャビティを有する内型と外型
からなる黒鉛型の前記キャビティに充填し、ついで内型
を取り除いて外型の内面側壁に張り付いている高純度溶
融シリカ粉末にアーク炎を当てながら外型を回転し、シ
リカ粉末を溶融しながらルツボに成形することにより作
製していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、高純度石英ル
ツボを製造するための原料である高純度溶融シリカ粉末
は高価であり、近年のシリコンインゴットのコストダウ
ンに対する要求に十分答えることができず、さらにバー
ナーを使用するために内径が小さい小径の高純度石英ル
ツボを製造することができない。また、黒鉛型を使用し
て作るために、例えばルツボの内側空間が立方体または
直方体形状を有する高純度石英ルツボのように規格寸法
から外れた高純度石英ルツボを製造するには価格が高く
なることは避けられなかった。
ツボを製造するための原料である高純度溶融シリカ粉末
は高価であり、近年のシリコンインゴットのコストダウ
ンに対する要求に十分答えることができず、さらにバー
ナーを使用するために内径が小さい小径の高純度石英ル
ツボを製造することができない。また、黒鉛型を使用し
て作るために、例えばルツボの内側空間が立方体または
直方体形状を有する高純度石英ルツボのように規格寸法
から外れた高純度石英ルツボを製造するには価格が高く
なることは避けられなかった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者らは、
工業上使用するシリコン溶解用ルツボはもちろんのこ
と、規格から外れた形状の高純度石英ルツボであっても
安価にかつ簡単に製造すべく研究を行なった結果、ルツ
ボの内側空間と同じ任意の寸法および形状を有する蝋型
を、純度：９９．９％以上の高純度溶融シリカ粉末とコ
ロイダルシリカからなるスラリーに浸漬した後引き上げ
て蝋型の表面にスラリー層を形成し、このスラリー層の
表面に純度：９９．９％以上の高純度溶融シリカ砂を散
布してスタッコ層を形成することにより高純度シリカ層
を形成し、この表面に前記高純度シリカ層を形成した蝋
型を、純度：９９．９％未満の低純度溶融シリカ粉末と
コロイダルシリカからなるスラリーに浸漬した後引き上
げて蝋型の表面にスラリー層を形成し、このスラリー層
の表面に純度：９９．９％未満の低純度溶融シリカ砂を
散布してスタッコ層を形成することにより低純度シリカ
層を形成すると、ルツボの内側が高純度シリカ層からな
り、ルツボの外側が低純度シリカ層からなる積層構造を
有するシリコン溶解用ルツボが得られ、このシリコン溶
解用ルツボは高価な純度：９９．９％以上の高純度溶融
シリカ粉末の使用量を大幅に少なくすることができ、し
かも、蝋型の形状を変えることにより形の自由なシリコ
ン溶解用ルツボを製造することができるという知見を得
たのである。
工業上使用するシリコン溶解用ルツボはもちろんのこ
と、規格から外れた形状の高純度石英ルツボであっても
安価にかつ簡単に製造すべく研究を行なった結果、ルツ
ボの内側空間と同じ任意の寸法および形状を有する蝋型
を、純度：９９．９％以上の高純度溶融シリカ粉末とコ
ロイダルシリカからなるスラリーに浸漬した後引き上げ
て蝋型の表面にスラリー層を形成し、このスラリー層の
表面に純度：９９．９％以上の高純度溶融シリカ砂を散
布してスタッコ層を形成することにより高純度シリカ層
を形成し、この表面に前記高純度シリカ層を形成した蝋
型を、純度：９９．９％未満の低純度溶融シリカ粉末と
コロイダルシリカからなるスラリーに浸漬した後引き上
げて蝋型の表面にスラリー層を形成し、このスラリー層
の表面に純度：９９．９％未満の低純度溶融シリカ砂を
散布してスタッコ層を形成することにより低純度シリカ
層を形成すると、ルツボの内側が高純度シリカ層からな
り、ルツボの外側が低純度シリカ層からなる積層構造を
有するシリコン溶解用ルツボが得られ、このシリコン溶
解用ルツボは高価な純度：９９．９％以上の高純度溶融
シリカ粉末の使用量を大幅に少なくすることができ、し
かも、蝋型の形状を変えることにより形の自由なシリコ
ン溶解用ルツボを製造することができるという知見を得
たのである。
【０００５】この発明は、かかる知見に基づいて成され
たものであって、（１）内層が高純度シリカ層からな
り、外層が低純度シリカ層からなる積層構造を有するシ
リコン溶解用ルツボ、（２）ルツボの内側空間と同じ形
状を有する蝋型を、純度：９９．９％以上の高純度溶融
シリカ粉末とコロイダルシリカからなるスラリーに浸漬
した後引き上げて蝋型の表面にスラリー層を形成し、こ
のスラリー層の表面に純度：９９．９％以上の高純度溶
融シリカ砂を散布してスタッコ層を形成することにより
高純度シリカ層を形成し、この表面に前記高純度シリカ
層を形成した蝋型をさらに純度：９９．９％未満の溶融
シリカ粉末とコロイダルシリカからなるスラリーに浸漬
した後引き上げて蝋型の表面にスラリー層を形成し、こ
のスラリー層の表面に純度：９９．９％未満の溶融シリ
カ砂を散布してスタッコ層を形成することにより、内側
の高純度シリカ層および外側の低純度シリカ層からなる
積層構造を有するシリコン溶解用ルツボの製造方法、に
特徴を有するものである。
たものであって、（１）内層が高純度シリカ層からな
り、外層が低純度シリカ層からなる積層構造を有するシ
リコン溶解用ルツボ、（２）ルツボの内側空間と同じ形
状を有する蝋型を、純度：９９．９％以上の高純度溶融
シリカ粉末とコロイダルシリカからなるスラリーに浸漬
した後引き上げて蝋型の表面にスラリー層を形成し、こ
のスラリー層の表面に純度：９９．９％以上の高純度溶
融シリカ砂を散布してスタッコ層を形成することにより
高純度シリカ層を形成し、この表面に前記高純度シリカ
層を形成した蝋型をさらに純度：９９．９％未満の溶融
シリカ粉末とコロイダルシリカからなるスラリーに浸漬
した後引き上げて蝋型の表面にスラリー層を形成し、こ
のスラリー層の表面に純度：９９．９％未満の溶融シリ
カ砂を散布してスタッコ層を形成することにより、内側
の高純度シリカ層および外側の低純度シリカ層からなる
積層構造を有するシリコン溶解用ルツボの製造方法、に
特徴を有するものである。
【０００６】この発明のシリコン溶解用ルツボを構成す
る内層の高純度シリカ層は、純度：９９．９％以上の高
純度溶融シリカ粉末とコロイダルシリカからなるスラリ
ーに浸漬した後引き上げて蝋型の表面にスラリー層を形
成し、このスラリー層の表面に純度：９９．９％以上の
高純度溶融シリカ砂を散布してスタッコ層を形成する操
作を複数繰り返すことにより成形することができる。
る内層の高純度シリカ層は、純度：９９．９％以上の高
純度溶融シリカ粉末とコロイダルシリカからなるスラリ
ーに浸漬した後引き上げて蝋型の表面にスラリー層を形
成し、このスラリー層の表面に純度：９９．９％以上の
高純度溶融シリカ砂を散布してスタッコ層を形成する操
作を複数繰り返すことにより成形することができる。
【０００７】またこの発明のシリコン溶解用ルツボを構
成する外層の低純度シリカ層は、前記内層の高純度シリ
カ層を有する蝋型を、純度：９９．９％未満の低純度溶
融シリカ粉末とコロイダルシリカからなるスラリーに浸
漬した後引き上げることによりスラリー層を形成し、こ
のスラリー層の表面に純度：９９．９％未満の低純度溶
融シリカ砂を散布してスタッコ層を形成する操作を複数
回繰り返すことにより成形することができる。
成する外層の低純度シリカ層は、前記内層の高純度シリ
カ層を有する蝋型を、純度：９９．９％未満の低純度溶
融シリカ粉末とコロイダルシリカからなるスラリーに浸
漬した後引き上げることによりスラリー層を形成し、こ
のスラリー層の表面に純度：９９．９％未満の低純度溶
融シリカ砂を散布してスタッコ層を形成する操作を複数
回繰り返すことにより成形することができる。
【０００８】さらにこの発明のシリコン溶解用ルツボ
は、ルツボの内側空間が任意の寸法および形状を有する
空間（例えば、立方体または直方体空間）を有すること
ができる。このルツボの内側空間の形状が立方体または
直方体形状の空間を有するシリコン溶解用ルツボは、立
方体または直方体形状の蝋型を使用し、この蝋型を純
度：９９．９％以上の高純度溶融シリカ粉末とコロイダ
ルシリカからなるスラリーに浸漬した後引き上げて蝋型
の表面にスラリー層を形成し、このスラリー層の表面に
純度：９９．９％以上の高純度溶融シリカ砂を散布して
スタッコ層を形成することにより高純度シリカ層を形成
し、さらにこの高純度シリカ層を形成した立方体または
直方体形状の蝋型を純度：９９．９％未満の低純度溶融
シリカ粉末とコロイダルシリカからなるスラリーに浸漬
した後引き上げて蝋型の表面にスラリー層を形成し、こ
のスラリー層の表面に純度：９９．９％未満の低純度溶
融シリカ砂を散布してスタッコ層を形成し低純度シリカ
層を形成することにより製造することができる。
は、ルツボの内側空間が任意の寸法および形状を有する
空間（例えば、立方体または直方体空間）を有すること
ができる。このルツボの内側空間の形状が立方体または
直方体形状の空間を有するシリコン溶解用ルツボは、立
方体または直方体形状の蝋型を使用し、この蝋型を純
度：９９．９％以上の高純度溶融シリカ粉末とコロイダ
ルシリカからなるスラリーに浸漬した後引き上げて蝋型
の表面にスラリー層を形成し、このスラリー層の表面に
純度：９９．９％以上の高純度溶融シリカ砂を散布して
スタッコ層を形成することにより高純度シリカ層を形成
し、さらにこの高純度シリカ層を形成した立方体または
直方体形状の蝋型を純度：９９．９％未満の低純度溶融
シリカ粉末とコロイダルシリカからなるスラリーに浸漬
した後引き上げて蝋型の表面にスラリー層を形成し、こ
のスラリー層の表面に純度：９９．９％未満の低純度溶
融シリカ砂を散布してスタッコ層を形成し低純度シリカ
層を形成することにより製造することができる。
【０００９】従って、この発明は、（３）ルツボの内側
空間が立方体または直方体形状を有するシリコン溶解用
ルツボ、（４）立方体または直方体形状の蝋型を、純
度：９９．９％以上の高純度溶融シリカ粉末とコロイダ
ルシリカからなるスラリーに浸漬した後引き上げて蝋型
の表面にスラリー層を形成し、このスラリー層の表面に
純度：９９．９％以上の高純度溶融シリカ砂を散布して
スタッコ層を形成することにより高純度シリカ層を形成
し、さらに、表面に高純度シリカ層を形成した立方体ま
たは直方体形状の蝋型を、純度：９９．９％未満の溶融
シリカ粉末とコロイダルシリカからなるスラリーに浸漬
した後引き上げて蝋型の表面にスラリー層を形成し、こ
のスラリー層の表面に純度：９９．９％未満の溶融シリ
カ砂を散布してスタッコ層を形成することにより純度：
９９．９％未満の低純度シリカ層を形成するルツボの内
側空間が立方体または直方体形状を有するシリコン溶解
用ルツボの製造方法、に特徴を有するものである。
空間が立方体または直方体形状を有するシリコン溶解用
ルツボ、（４）立方体または直方体形状の蝋型を、純
度：９９．９％以上の高純度溶融シリカ粉末とコロイダ
ルシリカからなるスラリーに浸漬した後引き上げて蝋型
の表面にスラリー層を形成し、このスラリー層の表面に
純度：９９．９％以上の高純度溶融シリカ砂を散布して
スタッコ層を形成することにより高純度シリカ層を形成
し、さらに、表面に高純度シリカ層を形成した立方体ま
たは直方体形状の蝋型を、純度：９９．９％未満の溶融
シリカ粉末とコロイダルシリカからなるスラリーに浸漬
した後引き上げて蝋型の表面にスラリー層を形成し、こ
のスラリー層の表面に純度：９９．９％未満の溶融シリ
カ砂を散布してスタッコ層を形成することにより純度：
９９．９％未満の低純度シリカ層を形成するルツボの内
側空間が立方体または直方体形状を有するシリコン溶解
用ルツボの製造方法、に特徴を有するものである。
【００１０】この発明の内側空間が立方体または直方体
形状を有するシリコン溶解用ルツボを使用すると、断面
が正方形または長方形を有するシリコンインゴットが得
られる。この断面が正方形または長方形を有するシリコ
ンインゴットは、特に太陽光発電用電池のシリコン基板
のような正方形または長方形を有するシリコン基板の製
造に用いると、高価なシリコンインゴットを最も有効に
活用することができる。
形状を有するシリコン溶解用ルツボを使用すると、断面
が正方形または長方形を有するシリコンインゴットが得
られる。この断面が正方形または長方形を有するシリコ
ンインゴットは、特に太陽光発電用電池のシリコン基板
のような正方形または長方形を有するシリコン基板の製
造に用いると、高価なシリコンインゴットを最も有効に
活用することができる。
【００１１】すなわち、従来の丸棒形状のシリコンイン
ゴットから正方形または長方形の太陽光発電用電池シリ
コン基板を作るには、丸棒形状のシリコンインゴットを
スライスして図４の平面図に示されるシリコン円板６を
作製し、このシリコン円板６の隅を切り落として図４の
平面図に示されるように正方形または長方形の太陽光発
電用電池シリコン基板７を作製する。この時、切り落と
した切除部分５が無駄となる。しかし、シリコンインゴ
ットが角型形状であり、スライスしてえられたシリコン
板が正方形または長方形であるならば、正方形または長
方形の太陽光発電用電池シリコン基板を作るには、図３
の平面図に示されるように切除部分５が極めて少なくす
ることができ、従って、コストを下げることができる。
ゴットから正方形または長方形の太陽光発電用電池シリ
コン基板を作るには、丸棒形状のシリコンインゴットを
スライスして図４の平面図に示されるシリコン円板６を
作製し、このシリコン円板６の隅を切り落として図４の
平面図に示されるように正方形または長方形の太陽光発
電用電池シリコン基板７を作製する。この時、切り落と
した切除部分５が無駄となる。しかし、シリコンインゴ
ットが角型形状であり、スライスしてえられたシリコン
板が正方形または長方形であるならば、正方形または長
方形の太陽光発電用電池シリコン基板を作るには、図３
の平面図に示されるように切除部分５が極めて少なくす
ることができ、従って、コストを下げることができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】この発明の実施の形態を図面に基
づいて一層具体的に説明する。図１はこの発明のシリコ
ン溶解用ルツボの製造方法を示す断面説明図である。
縦：３２０ｍｍ、横：３２０ｍｍ、高さ：４００ｍｍの
寸法を有する図１（ａ）に示される直方体蝋型１用意
し、この蝋型１を、市販の純度：９９．９９％、平均粒
径：４４μｍ以下の高純度溶融シリカ粉末：６５％をコ
ロイダルシリカに添加してなるスラリーに浸漬し、スラ
リーから引き上げて蝋型の表面にスラリー層を形成し、
このスラリー層の表面に純度：９９．９９％、最大粒
径：１５０メッシュの高純度溶融シリカ砂を散布してス
タッコ層を形成することにより蝋型の表面に高純度シリ
カ層を形成し、この操作を３回繰り返して蝋型１の表面
に３層からなる合計厚さ：３ｍｍの図１（ｂ）に示され
る高純度シリカ層２を形成した。
づいて一層具体的に説明する。図１はこの発明のシリコ
ン溶解用ルツボの製造方法を示す断面説明図である。
縦：３２０ｍｍ、横：３２０ｍｍ、高さ：４００ｍｍの
寸法を有する図１（ａ）に示される直方体蝋型１用意
し、この蝋型１を、市販の純度：９９．９９％、平均粒
径：４４μｍ以下の高純度溶融シリカ粉末：６５％をコ
ロイダルシリカに添加してなるスラリーに浸漬し、スラ
リーから引き上げて蝋型の表面にスラリー層を形成し、
このスラリー層の表面に純度：９９．９９％、最大粒
径：１５０メッシュの高純度溶融シリカ砂を散布してス
タッコ層を形成することにより蝋型の表面に高純度シリ
カ層を形成し、この操作を３回繰り返して蝋型１の表面
に３層からなる合計厚さ：３ｍｍの図１（ｂ）に示され
る高純度シリカ層２を形成した。
【００１３】この表面に高純度シリカ層２を有する蝋型
１を、さらに市販の純度：９９％、平均粒径：４４μｍ
以下の低純度溶融シリカ粉末：６８％をコロイダルシリ
カに添加してなるスラリーに浸漬し、スラリーから引き
上げて蝋型の表面にスラリー層を形成し、このスラリー
層の表面に純度：９９％、最大粒径：１５０メッシュの
低純度溶融シリカ砂を散布してスタッコ層を形成するこ
とにより蝋型の表面に低純度シリカ層を形成し、この操
作を７回繰り返して蝋型の表面に７層からなる合計厚
さ：１０ｍｍの図１（ｃ）に示される低純度シリカ層３
を形成した。
１を、さらに市販の純度：９９％、平均粒径：４４μｍ
以下の低純度溶融シリカ粉末：６８％をコロイダルシリ
カに添加してなるスラリーに浸漬し、スラリーから引き
上げて蝋型の表面にスラリー層を形成し、このスラリー
層の表面に純度：９９％、最大粒径：１５０メッシュの
低純度溶融シリカ砂を散布してスタッコ層を形成するこ
とにより蝋型の表面に低純度シリカ層を形成し、この操
作を７回繰り返して蝋型の表面に７層からなる合計厚
さ：１０ｍｍの図１（ｃ）に示される低純度シリカ層３
を形成した。
【００１４】次に、蝋型１の表面に高純度シリカ層２お
よび低純度シリカ層３を形成した図１（ｃ）に示される
蝋型被覆体を温度：１００℃に加熱して蝋型１を溶解除
去し、得られた高純度シリカ層２および低純度シリカ層
３からなる積層体を温度：８００℃で８時間加熱保持す
ることにより焼成し、図２の斜視図に示されるような本
発明ルツボ４を製造した。
よび低純度シリカ層３を形成した図１（ｃ）に示される
蝋型被覆体を温度：１００℃に加熱して蝋型１を溶解除
去し、得られた高純度シリカ層２および低純度シリカ層
３からなる積層体を温度：８００℃で８時間加熱保持す
ることにより焼成し、図２の斜視図に示されるような本
発明ルツボ４を製造した。
【００１５】この本発明ルツボを使用して縦：３２０ｍ
ｍ、横：３２０ｍｍ、高さ：３００ｍｍの寸法を有する
シリコンインゴットを製造し、このシリコンインゴット
から縦：１５０ｍｍ、横：１５０ｍｍ、厚さ：４００μ
ｍの寸法を有する角型シリコン板を作製し、このシリコ
ン板の端部を切除して太陽光発電用電池シリコン基板７
を製造したところ、図３の平面図に示されるように切除
部分５が極めて少なくすることができ、２１％の切除で
太陽光発電用電池シリコン基板７を製造することができ
た。
ｍ、横：３２０ｍｍ、高さ：３００ｍｍの寸法を有する
シリコンインゴットを製造し、このシリコンインゴット
から縦：１５０ｍｍ、横：１５０ｍｍ、厚さ：４００μ
ｍの寸法を有する角型シリコン板を作製し、このシリコ
ン板の端部を切除して太陽光発電用電池シリコン基板７
を製造したところ、図３の平面図に示されるように切除
部分５が極めて少なくすることができ、２１％の切除で
太陽光発電用電池シリコン基板７を製造することができ
た。
【００１６】一方、比較のために、外径：１５０ｍｍの
丸棒状シリコンインゴットを用意し、このインゴットを
スライスして図４の平面図に示される直径：１５０ｍｍ
のシリコン円板６を作製し、このシリコン円板６の端部
を切除して縦：１００ｍｍ、横：１００ｍｍ、厚さ：４
００μｍの寸法を有する太陽光発電用電池シリコン基板
７を製造したところ、図４の平面図に示される切除部分
５は４３％に達した。
丸棒状シリコンインゴットを用意し、このインゴットを
スライスして図４の平面図に示される直径：１５０ｍｍ
のシリコン円板６を作製し、このシリコン円板６の端部
を切除して縦：１００ｍｍ、横：１００ｍｍ、厚さ：４
００μｍの寸法を有する太陽光発電用電池シリコン基板
７を製造したところ、図４の平面図に示される切除部分
５は４３％に達した。
【００１７】
【発明の効果】上述のように、この発明は、（１）ルツ
ボの内側が高純度シリカ層からなりルツボの外側が低純
度シリカ層からなる積層構造を有するのでシリコン溶解
用ルツボ自体の製造コストを下げることができる、
（２）従来のような黒鉛型を使用しないので規格外の形
状を有するシリコン溶解用ルツボ、例えばルツボの内側
空間が立方体または直方体形状を有するシリコン溶解用
ルツボを安価に製造することができる、（３）このルツ
ボを使用して角型シリコンインゴットを製造し、この角
型シリコンインゴットを使用して太陽光発電用電池シリ
コン基板などの正方形または長方形のシリコン基板を無
駄なく製造することができるなど、大量生産とコストダ
ウンに優れた効果を有するものである。
ボの内側が高純度シリカ層からなりルツボの外側が低純
度シリカ層からなる積層構造を有するのでシリコン溶解
用ルツボ自体の製造コストを下げることができる、
（２）従来のような黒鉛型を使用しないので規格外の形
状を有するシリコン溶解用ルツボ、例えばルツボの内側
空間が立方体または直方体形状を有するシリコン溶解用
ルツボを安価に製造することができる、（３）このルツ
ボを使用して角型シリコンインゴットを製造し、この角
型シリコンインゴットを使用して太陽光発電用電池シリ
コン基板などの正方形または長方形のシリコン基板を無
駄なく製造することができるなど、大量生産とコストダ
ウンに優れた効果を有するものである。
【図１】この発明のルツボの製造方法を説明するための
断面説明図である。
断面説明図である。
【図２】この発明のルツボの製造方法で得られた内側空
間が立方体または直方体形状を有するシリコン溶解用ル
ツボの斜視説明図である。
間が立方体または直方体形状を有するシリコン溶解用ル
ツボの斜視説明図である。
【図３】この発明のルツボを使用して作製した角型シリ
コンインゴットのスライス板から太陽光発電用電池シリ
コン基板を切り出す方法を説明するための平面図であ
る。
コンインゴットのスライス板から太陽光発電用電池シリ
コン基板を切り出す方法を説明するための平面図であ
る。
【図４】従来の丸棒シリコンインゴットのスライス板か
ら太陽光発電用電池シリコン基板を切り出す方法を説明
するための平面図である。
ら太陽光発電用電池シリコン基板を切り出す方法を説明
するための平面図である。
１ 蝋型 ２ 高純度シリカ層 ３ 低純度シリカ層 ４ 本発明ルツボ ５ 切除部分 ６ シリコン円板 ７ 太陽光発電用電池シリコン基板
Claims (6)
- 【請求項１】 内層が高純度シリカ層からなり、外層が
低純度シリカ層からなる積層構造を有することを特徴と
するシリコン溶解用ルツボ。 - 【請求項２】 ルツボの内側空間が任意の寸法および形
状を有する空間であることを特徴とするシリコン溶解用
ルツボ。 - 【請求項３】 ルツボの内側空間が任意の寸法および形
状を有する立方体または直方体空間であることを特徴と
するシリコン溶解用ルツボ。 - 【請求項４】 内層が高純度シリカ層からなり、外層が
低純度シリカ層からなる積層構造を有することを特徴と
する請求項２または３記載のシリコン溶解用ルツボ。 - 【請求項５】 ルツボの内側空間と同じ形状を有する蝋
型を、純度：９９．９％以上の高純度溶融シリカ粉末と
コロイダルシリカからなるスラリーに浸漬した後引き上
げて前記蝋型の表面にスラリー層を形成し、このスラリ
ー層の表面に純度：９９．９％以上の高純度溶融シリカ
砂を散布してスタッコ層を形成することにより前記ルツ
ボの内側空間と同じ形状を有する蝋型の表面に高純度シ
リカ層を形成し、 この表面に前記高純度シリカ層を形成した蝋型を、さら
に純度：９９．９％未満の低純度溶融シリカ粉末とコロ
イダルシリカからなるスラリーに浸漬した後引き上げて
前記高純度シリカ層の表面にスラリー層を形成し、この
スラリー層の表面に純度：９９．９％未満の低純度溶融
シリカ砂を散布してスタッコ層を形成することにより前
記高純度シリカ層の上に低純度シリカ層を形成し、 次いで、前記ルツボの形状を有する蝋型を溶融除去する
ことを特徴とするシリコン溶解用ルツボの製造方法。 - 【請求項６】 前記高純度シリカ層を形成する操作を複
数回繰り返し、さらに前記低純度シリカ層を形成する操
作を複数回繰り返すことにより形成することを特徴とす
る請求項５記載のシリコン溶解用ルツボの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27893497A JP3528540B2 (ja) | 1997-10-13 | 1997-10-13 | シリコン溶解用ルツボの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27893497A JP3528540B2 (ja) | 1997-10-13 | 1997-10-13 | シリコン溶解用ルツボの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11116228A true JPH11116228A (ja) | 1999-04-27 |
| JP3528540B2 JP3528540B2 (ja) | 2004-05-17 |
Family
ID=17604118
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27893497A Expired - Lifetime JP3528540B2 (ja) | 1997-10-13 | 1997-10-13 | シリコン溶解用ルツボの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3528540B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008214189A (ja) * | 2008-06-16 | 2008-09-18 | Mitsubishi Materials Corp | シリコン溶融用ルツボ及びシリコン単結晶引上装置 |
| JP2008266137A (ja) * | 2008-06-16 | 2008-11-06 | Mitsubishi Materials Corp | シリコン溶融用ルツボ及びシリコン単結晶引上装置 |
| CN107032771A (zh) * | 2017-03-17 | 2017-08-11 | 邹亚静 | 一种石英陶瓷坩埚的制造方法 |
-
1997
- 1997-10-13 JP JP27893497A patent/JP3528540B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008214189A (ja) * | 2008-06-16 | 2008-09-18 | Mitsubishi Materials Corp | シリコン溶融用ルツボ及びシリコン単結晶引上装置 |
| JP2008266137A (ja) * | 2008-06-16 | 2008-11-06 | Mitsubishi Materials Corp | シリコン溶融用ルツボ及びシリコン単結晶引上装置 |
| CN107032771A (zh) * | 2017-03-17 | 2017-08-11 | 邹亚静 | 一种石英陶瓷坩埚的制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3528540B2 (ja) | 2004-05-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0949358B1 (en) | Mold for producing silicon ingot and method for fabricating the same | |
| JP5452709B2 (ja) | シリコンインゴット鋳造用積層ルツボ及びその製造方法 | |
| KR20120055592A (ko) | 복합 도가니, 그 제조 방법, 및 실리콘 결정의 제조 방법 | |
| JP3931322B2 (ja) | シリコンインゴット鋳造用鋳型およびその製造方法 | |
| JPH11236291A (ja) | 一方向凝固多結晶組織を有するシリコンインゴット製造用ルツボ | |
| JP7145763B2 (ja) | パターン形成された突起構造層を有するシリコンインゴット成長用のるつぼ | |
| WO1987005287A1 (fr) | Procede de fabrication de verre | |
| US20190078231A1 (en) | Hybrid crucible assembly for czochralski crystal growth | |
| JP3206540B2 (ja) | シリコンインゴット製造用積層ルツボおよびその製造方法 | |
| JPH11116228A (ja) | シリコン溶解用ルツボおよびその製造方法 | |
| CN103003209A (zh) | 具有多边形开口的玻璃状石英坩埚和其制备方法 | |
| JPH11244988A (ja) | シリコンインゴット鋳造用鋳型およびその製造方法 | |
| JP2005271058A (ja) | 離型層を有するシリコン溶融用容器の製造方法及びシリコン溶融用容器 | |
| JP5793036B2 (ja) | シリコンインゴット鋳造用積層ルツボ及びその製造方法 | |
| JP2006335582A (ja) | 結晶シリコン製造装置とその製造方法 | |
| JP4693932B1 (ja) | 筒状シリコン結晶体製造方法及びその製造方法で製造される筒状シリコン結晶体 | |
| JP5793035B2 (ja) | シリコンインゴット鋳造用積層ルツボ及びその製造方法 | |
| KR101431457B1 (ko) | 도가니 보호막 제조 방법 | |
| JP4985553B2 (ja) | シリコン溶融用ルツボ及びシリコン単結晶引上装置 | |
| JP2000351688A (ja) | 結晶シリコン製造用ルツボ及びその製造方法 | |
| JP2006327912A (ja) | シリコンインゴット形成用鋳型およびシリコンインゴットの製造方法 | |
| JPS6165422A (ja) | 太陽電池用シリコン結晶体の製法 | |
| JPH05170430A (ja) | マグネシア単結晶の製造方法 | |
| JP2013056798A (ja) | シリコンインゴット鋳造用積層ルツボ及びその製造方法 | |
| JPS61215212A (ja) | 多結晶シリコンウエハの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20031225 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040203 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040216 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090305 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100305 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100305 Year of fee payment: 6 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100305 Year of fee payment: 6 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110305 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110305 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120305 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130305 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140305 Year of fee payment: 10 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |