JPH11116380A - 分子線エピタキシ装置 - Google Patents
分子線エピタキシ装置Info
- Publication number
- JPH11116380A JPH11116380A JP28825397A JP28825397A JPH11116380A JP H11116380 A JPH11116380 A JP H11116380A JP 28825397 A JP28825397 A JP 28825397A JP 28825397 A JP28825397 A JP 28825397A JP H11116380 A JPH11116380 A JP H11116380A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- molecular beam
- main body
- body chamber
- exhaust passage
- beam epitaxy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 バルブド・クラッキングセルを用いた分子線
エピタキシ装置において、本体チャンバの真空吸引やガ
ス出し作業を効率よく行い、作業時間を短縮する。 【解決手段】 バルブド・クラッキングセル２０は、本
体チャンバ１０に接続され、原材料３０を貯蔵する貯蔵
部２２と、原材料３０からの分子線を分解して本体チャ
ンバ１０に供給するクラッキング部２４と、貯蔵部２２
とクラッキング部２４との間を区切る分子線量制御バル
ブ２６と、貯蔵部２２と本体チャンバ１０とをつなぐ排
気通路を構成する排気管２８を具備する。また、排気管
２８には、貯蔵部２２と本体チャンバ１０との排気通路
を開閉する排気通路開閉バルブ１２を設ける。吸引排気
の際には、排気通路開閉バルブ１２及び分子線量制御バ
ルブ２６を開成し、大きい排気容量により迅速な作業を
得る。
エピタキシ装置において、本体チャンバの真空吸引やガ
ス出し作業を効率よく行い、作業時間を短縮する。 【解決手段】 バルブド・クラッキングセル２０は、本
体チャンバ１０に接続され、原材料３０を貯蔵する貯蔵
部２２と、原材料３０からの分子線を分解して本体チャ
ンバ１０に供給するクラッキング部２４と、貯蔵部２２
とクラッキング部２４との間を区切る分子線量制御バル
ブ２６と、貯蔵部２２と本体チャンバ１０とをつなぐ排
気通路を構成する排気管２８を具備する。また、排気管
２８には、貯蔵部２２と本体チャンバ１０との排気通路
を開閉する排気通路開閉バルブ１２を設ける。吸引排気
の際には、排気通路開閉バルブ１２及び分子線量制御バ
ルブ２６を開成し、大きい排気容量により迅速な作業を
得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、超高真空に保持さ
れた本体チャンバ内に分子線を供給し、前記本体チャン
バ内に配置された基体上に半導体等の結晶を成長させる
分子線エピタキシ装置に関する。
れた本体チャンバ内に分子線を供給し、前記本体チャン
バ内に配置された基体上に半導体等の結晶を成長させる
分子線エピタキシ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、半導体結晶の成長方法の１つ
として、超高真空チャンバ内で分子線により半導体結晶
を成長させるようにした分子線エピタキシ（ＭＢＥ）装
置が知られている。この分子線エピタキシ装置では、通
常分子線を得るための蒸着源セルとしては、クヌーセン
型セル（Ｋセル）を用いている。これはまず、原材料を
充填する例えばＢＮ（窒化ボロン）製のルツボを、例え
ばタンタル線により抵抗加熱法で加熱することにより、
所望の蒸気圧を得る。そして、この蒸気圧を、成長する
基板方向に分子線として飛散させることにより、基板上
に結晶の成長を得るようになっている。
として、超高真空チャンバ内で分子線により半導体結晶
を成長させるようにした分子線エピタキシ（ＭＢＥ）装
置が知られている。この分子線エピタキシ装置では、通
常分子線を得るための蒸着源セルとしては、クヌーセン
型セル（Ｋセル）を用いている。これはまず、原材料を
充填する例えばＢＮ（窒化ボロン）製のルツボを、例え
ばタンタル線により抵抗加熱法で加熱することにより、
所望の蒸気圧を得る。そして、この蒸気圧を、成長する
基板方向に分子線として飛散させることにより、基板上
に結晶の成長を得るようになっている。
【０００３】しかしながら、蒸気圧が比較的高い、砒素
（Ａｓ）、隣（Ｐ）、アンチモン（Ｓｂ）などのＶ族元
素用や、イオウ（Ｓ）、セレン（Ｓｅ）などのＶＩ族元
素用としては上記のＫセルではなく、クラッキングゾー
ンを設けたクラッキングセルが用いられることが多い。
すなわち、上述のような元素は、通常のＫセルで加熱す
ると、例えばＡｓはＡｓ4 という多重原子分子という形
で分子線ビームとなり、成長基板まで飛散して、成長に
係わることになるが、この多重分子原子は結晶面への付
着係数が低いために、原材料としての効率が悪い。この
結果、原材料の充填のためのメンテナンスがそれだけ余
計に必要となるので、超高真空を利用したＭＢＥでは稼
働効率が悪化してしまうからである。また、このような
原材料の浪費は、そのまま真空度の悪化につながり、さ
らには成長膜への不純物の混入の原因にもなるからであ
る。
（Ａｓ）、隣（Ｐ）、アンチモン（Ｓｂ）などのＶ族元
素用や、イオウ（Ｓ）、セレン（Ｓｅ）などのＶＩ族元
素用としては上記のＫセルではなく、クラッキングゾー
ンを設けたクラッキングセルが用いられることが多い。
すなわち、上述のような元素は、通常のＫセルで加熱す
ると、例えばＡｓはＡｓ4 という多重原子分子という形
で分子線ビームとなり、成長基板まで飛散して、成長に
係わることになるが、この多重分子原子は結晶面への付
着係数が低いために、原材料としての効率が悪い。この
結果、原材料の充填のためのメンテナンスがそれだけ余
計に必要となるので、超高真空を利用したＭＢＥでは稼
働効率が悪化してしまうからである。また、このような
原材料の浪費は、そのまま真空度の悪化につながり、さ
らには成長膜への不純物の混入の原因にもなるからであ
る。
【０００４】そこで、たとえばＡｓ4 をＡｓ2 に分解す
るクラッキングを行えるようにしたのがクラッキングセ
ルである。なお、クラッキングセルは、上述のＡｓだけ
でなく、Ｐ、Ｓｂ、Ｓ、Ｓｅなどでも使用できる。ま
た、このようなクラッキングセルを設けた構成に加え、
さらに、クラッキング領域の温度による蒸気圧のコント
ロールより、分子線ビーム量をより高精度に制御できる
ようにしたバルブド・クラッキングセルが用いられるこ
とも多い。
るクラッキングを行えるようにしたのがクラッキングセ
ルである。なお、クラッキングセルは、上述のＡｓだけ
でなく、Ｐ、Ｓｂ、Ｓ、Ｓｅなどでも使用できる。ま
た、このようなクラッキングセルを設けた構成に加え、
さらに、クラッキング領域の温度による蒸気圧のコント
ロールより、分子線ビーム量をより高精度に制御できる
ようにしたバルブド・クラッキングセルが用いられるこ
とも多い。
【０００５】図２は、従来のバルブド・クラッキングセ
ルを用いた分子線エピタキシ装置の構成を簡単に示す断
面図である。この図２において、バルブド・クラッキン
グセル５０は、上述した成長基体（図示せず）を配置し
た本体チャンバ４０に接続されており、原材料６０を貯
蔵する貯蔵部５２と、この貯蔵部５２に貯蔵された原材
料６０からの分子線を分解して本体チャンバ４０に供給
するクラッキング（分解）部５４と、貯蔵部５２とクラ
ッキング部５４との間を区切る分子線量制御バルブ５６
を具備している。
ルを用いた分子線エピタキシ装置の構成を簡単に示す断
面図である。この図２において、バルブド・クラッキン
グセル５０は、上述した成長基体（図示せず）を配置し
た本体チャンバ４０に接続されており、原材料６０を貯
蔵する貯蔵部５２と、この貯蔵部５２に貯蔵された原材
料６０からの分子線を分解して本体チャンバ４０に供給
するクラッキング（分解）部５４と、貯蔵部５２とクラ
ッキング部５４との間を区切る分子線量制御バルブ５６
を具備している。
【０００６】例えば貯蔵部５２にＳを入れて１２０℃に
加熱し、クラッキング部５４を２６０°Ｃに加熱するこ
とにより、Ｓを含んだ化合物半導体である、例えばＺｎ
ＳＳｅやＺｎＭｇＳＳｅが、組成の制御性、再現性よく
成長することができる。また、バルブド・クラッキング
セル５０の分子線量制御バルブ５６は、マイクロメータ
が付加されたものであり、非常に正確な分子線量の調整
を行えることが特徴となっている。
加熱し、クラッキング部５４を２６０°Ｃに加熱するこ
とにより、Ｓを含んだ化合物半導体である、例えばＺｎ
ＳＳｅやＺｎＭｇＳＳｅが、組成の制御性、再現性よく
成長することができる。また、バルブド・クラッキング
セル５０の分子線量制御バルブ５６は、マイクロメータ
が付加されたものであり、非常に正確な分子線量の調整
を行えることが特徴となっている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のよう
な構成の分子線エピタキシ装置において、チャンバ内の
超高真空を得る必要がある。これは、貯蔵部５２側に設
けた吸引装置（図示せず）により、貯蔵部５２、分子線
量制御バルブ５６、クラッキング部５４を介して本体チ
ャンバ４０内の真空吸引を行ったり、原材料表面やチャ
ンバ内壁からの不純物ガスの脱離を促進するガス出し作
業等を行うことによって実現できる。
な構成の分子線エピタキシ装置において、チャンバ内の
超高真空を得る必要がある。これは、貯蔵部５２側に設
けた吸引装置（図示せず）により、貯蔵部５２、分子線
量制御バルブ５６、クラッキング部５４を介して本体チ
ャンバ４０内の真空吸引を行ったり、原材料表面やチャ
ンバ内壁からの不純物ガスの脱離を促進するガス出し作
業等を行うことによって実現できる。
【０００８】しかしながら、分子線量制御バルブ５６
は、分子線量を正確に制御することが本来の役割である
ため、開口径はかなり小さく、排気容量の小さいもので
ある。このため、上述した真空吸引やガス出しを、分子
線量制御バルブ５６を介して行うと、排気効率が極めて
悪いため、作業時間が長くなり、装置の稼働効率がかな
り悪化するという問題がある。
は、分子線量を正確に制御することが本来の役割である
ため、開口径はかなり小さく、排気容量の小さいもので
ある。このため、上述した真空吸引やガス出しを、分子
線量制御バルブ５６を介して行うと、排気効率が極めて
悪いため、作業時間が長くなり、装置の稼働効率がかな
り悪化するという問題がある。
【０００９】そこで本発明の目的は、バルブド・クラッ
キングセルを用いた分子線エピタキシ装置において、本
体チャンバの真空吸引やガス出し作業を効率よく行え、
作業時間の短縮と装置の稼働率の改善を図ることを目的
とする。
キングセルを用いた分子線エピタキシ装置において、本
体チャンバの真空吸引やガス出し作業を効率よく行え、
作業時間の短縮と装置の稼働率の改善を図ることを目的
とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は前記目的を達成
するため、分子線によって結晶を成長させるための基体
を配置する本体チャンバと、前記本体チャンバに接続さ
れ、前記本体チャンバ内に分子線を供給する分子線源セ
ルと、前記分子線源セルを通して前記本体チャンバ内の
吸引を行う吸引装置とを有し、前記分子線源セルが、原
材料を貯蔵する貯蔵部と、前記貯蔵部に貯蔵された原材
料からの分子線を分解して前記本体チャンバに供給する
分解部と、前記貯蔵部と前記分解部との間を区切る分子
線量制御バルブとを具備したバルブド・クラッキングセ
ルより構成される分子線エピタキシ装置において、前記
貯蔵部と前記本体チャンバとをつなぐ排気通路を設け、
前記吸引装置により、前記貯蔵部及び前記排気通路を通
して前記本体チャンバを直接吸引排気するようにしたこ
とを特徴とする。
するため、分子線によって結晶を成長させるための基体
を配置する本体チャンバと、前記本体チャンバに接続さ
れ、前記本体チャンバ内に分子線を供給する分子線源セ
ルと、前記分子線源セルを通して前記本体チャンバ内の
吸引を行う吸引装置とを有し、前記分子線源セルが、原
材料を貯蔵する貯蔵部と、前記貯蔵部に貯蔵された原材
料からの分子線を分解して前記本体チャンバに供給する
分解部と、前記貯蔵部と前記分解部との間を区切る分子
線量制御バルブとを具備したバルブド・クラッキングセ
ルより構成される分子線エピタキシ装置において、前記
貯蔵部と前記本体チャンバとをつなぐ排気通路を設け、
前記吸引装置により、前記貯蔵部及び前記排気通路を通
して前記本体チャンバを直接吸引排気するようにしたこ
とを特徴とする。
【００１１】本発明の分子線エピタキシ装置では、本体
チャンバの吸引排気作業時には、貯蔵部、分子線量制御
バルブ、分解部を通る従来の排気経路に加えて、貯蔵部
と本体チャンバを直接つなぐ排気通路を設けたことで、
排気容量が大幅に拡大することになる。よって、大きな
排気容量により、効率よく吸引排気を行うことができる
ので、真空吸引やガス出し作業を行う場合に、所望の真
空状態を得るための時間を大幅に短縮でき、装置の稼働
率も改善できる。特に、真空吸引およびガス出し作業
は、一連の作業工程の中で最も時間がかかる工程である
が、上述のような貯蔵部と本体チャンバとを直接つなぐ
排気専用の通路を設けることで、工程時問が大幅に短縮
できる。
チャンバの吸引排気作業時には、貯蔵部、分子線量制御
バルブ、分解部を通る従来の排気経路に加えて、貯蔵部
と本体チャンバを直接つなぐ排気通路を設けたことで、
排気容量が大幅に拡大することになる。よって、大きな
排気容量により、効率よく吸引排気を行うことができる
ので、真空吸引やガス出し作業を行う場合に、所望の真
空状態を得るための時間を大幅に短縮でき、装置の稼働
率も改善できる。特に、真空吸引およびガス出し作業
は、一連の作業工程の中で最も時間がかかる工程である
が、上述のような貯蔵部と本体チャンバとを直接つなぐ
排気専用の通路を設けることで、工程時問が大幅に短縮
できる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明による分子線エピタ
キシ装置の実施の形態について説明する。なお、以下に
述ベる実施の形態は、本発明の好適な具体例であり、技
術構成上好ましい種々の限定が付されているが、本発明
の範囲は、以下の説明において、本発明を限定する旨の
記載がない限り、これらの形態に限られるものではな
い。
キシ装置の実施の形態について説明する。なお、以下に
述ベる実施の形態は、本発明の好適な具体例であり、技
術構成上好ましい種々の限定が付されているが、本発明
の範囲は、以下の説明において、本発明を限定する旨の
記載がない限り、これらの形態に限られるものではな
い。
【００１３】図１は、本発明のバルブド・クラッキング
セルを用いた分子線エピタキシ装置の構成例を簡単に示
す断面図である。この図１において、バルブド・クラッ
キングセル２０は、上述した成長基体（図示せず）を配
置した本体チャンバ１０に接続されており、原材料３０
を貯蔵する貯蔵部２２と、この貯蔵部２２に貯蔵された
原材料３０からの分子線を分解して本体チャンバ１０に
供給するクラッキング（分解）部２４と、貯蔵部２２と
クラッキング部２４との間を区切る分子線量制御バルブ
２６と、貯蔵部２２と本体チャンバ１０とをつなぐ排気
通路を構成する排気管２８を具備している。
セルを用いた分子線エピタキシ装置の構成例を簡単に示
す断面図である。この図１において、バルブド・クラッ
キングセル２０は、上述した成長基体（図示せず）を配
置した本体チャンバ１０に接続されており、原材料３０
を貯蔵する貯蔵部２２と、この貯蔵部２２に貯蔵された
原材料３０からの分子線を分解して本体チャンバ１０に
供給するクラッキング（分解）部２４と、貯蔵部２２と
クラッキング部２４との間を区切る分子線量制御バルブ
２６と、貯蔵部２２と本体チャンバ１０とをつなぐ排気
通路を構成する排気管２８を具備している。
【００１４】また、排気管２８には、貯蔵部２２と本体
チャンバ１０とをつなぐ排気通路を開閉する排気通路開
閉バルブ１２が設けられている。この排気通路開閉バル
ブ１２は、例えば、電磁式のゲートバルブ等であり、超
高真空のチャンバ間を分割するような、内通リークに強
いバルブが採用されている。一方、貯蔵部２２とクラッ
キング部２４との間を区切る分子線量制御バルブ２６
は、マイクロメータ付きで分子線量を正確にコントロー
ルするためのバルブであり、排気容量の小さいものとな
っている。
チャンバ１０とをつなぐ排気通路を開閉する排気通路開
閉バルブ１２が設けられている。この排気通路開閉バル
ブ１２は、例えば、電磁式のゲートバルブ等であり、超
高真空のチャンバ間を分割するような、内通リークに強
いバルブが採用されている。一方、貯蔵部２２とクラッ
キング部２４との間を区切る分子線量制御バルブ２６
は、マイクロメータ付きで分子線量を正確にコントロー
ルするためのバルブであり、排気容量の小さいものとな
っている。
【００１５】図３は、本例において、原材料３０を貯蔵
部２２に充填した後の吸引排気工程における各バルブ１
２、２６の開閉状態を示す説明図である。まず、原材料
３０を充填後に、バルブ１２、２６を両方開けて、速や
かに真空引きを行う。分子線量制御バルブ２６に加え
て、排気通路開閉バルブ１２を開放して吸気を行うこと
により、短時間で例えば１０-7Ｔｏｒｒの超高真空を得
ることができる。
部２２に充填した後の吸引排気工程における各バルブ１
２、２６の開閉状態を示す説明図である。まず、原材料
３０を充填後に、バルブ１２、２６を両方開けて、速や
かに真空引きを行う。分子線量制御バルブ２６に加え
て、排気通路開閉バルブ１２を開放して吸気を行うこと
により、短時間で例えば１０-7Ｔｏｒｒの超高真空を得
ることができる。
【００１６】次に、ベーキングを行う。これは空気中に
露出したチャンバの内壁に付着した不純物、例えば、
水、酸素、炭素に関連した不純物を、例えば１５０°Ｃ
でチヤンバ全体を加熱しながら真空引きする工程であ
る。例えば、４８時間のベーキングによって、１０-9Ｔ
ｏｒｒの超高真空を得ることができる。排気通路開閉バ
ルブ１２を具備した排気管２８を設けたことで、より短
時間で目的の超高真空を得ることが可能である。次に、
ベ−キングを停止して、液体窒素などで冷却してチヤン
バの内壁に不純物を付着させることにより、例えば１０
-10 Ｔｏｒｒの超高真空が得ることができる。排気通路
開閉バルブ１２を具備した排気管２８を設けたことで、
より短時間で目的の超高真空を得ることが可能である。
露出したチャンバの内壁に付着した不純物、例えば、
水、酸素、炭素に関連した不純物を、例えば１５０°Ｃ
でチヤンバ全体を加熱しながら真空引きする工程であ
る。例えば、４８時間のベーキングによって、１０-9Ｔ
ｏｒｒの超高真空を得ることができる。排気通路開閉バ
ルブ１２を具備した排気管２８を設けたことで、より短
時間で目的の超高真空を得ることが可能である。次に、
ベ−キングを停止して、液体窒素などで冷却してチヤン
バの内壁に不純物を付着させることにより、例えば１０
-10 Ｔｏｒｒの超高真空が得ることができる。排気通路
開閉バルブ１２を具備した排気管２８を設けたことで、
より短時間で目的の超高真空を得ることが可能である。
【００１７】次に、原材料のガス出しを行う。これは本
発明による最大の効果を得ることができる工程である。
例えば、貯蔵部及びクラッキング部の温度を、通常の成
長に用いる場合の温度より２０°Ｃ高い温度までゆっく
りと上昇させる。例えばＳでは、貯蔵部２２を１４０°
Ｃまで温度を上げ、クラッキング部２４は２８０°Ｃま
で温度を上げる。
発明による最大の効果を得ることができる工程である。
例えば、貯蔵部及びクラッキング部の温度を、通常の成
長に用いる場合の温度より２０°Ｃ高い温度までゆっく
りと上昇させる。例えばＳでは、貯蔵部２２を１４０°
Ｃまで温度を上げ、クラッキング部２４は２８０°Ｃま
で温度を上げる。
【００１８】この際、従来の分子線量制御バルブ２６だ
けでは、最大に開いていても、不純物ガスの排気の効率
が悪いので、作業時間が例えば２４時間もかかるが、排
気通路開閉バルブ１２を具備した排気管２８を設けたこ
とで、排気通路開閉バルブ１２を開いた状態で同じ工程
を行うと、６時問程度で、原材料３０からの分子線を飛
散した状態で、１０-10 Ｔｏｒｒの超高真空を維持する
ことができる。
けでは、最大に開いていても、不純物ガスの排気の効率
が悪いので、作業時間が例えば２４時間もかかるが、排
気通路開閉バルブ１２を具備した排気管２８を設けたこ
とで、排気通路開閉バルブ１２を開いた状態で同じ工程
を行うと、６時問程度で、原材料３０からの分子線を飛
散した状態で、１０-10 Ｔｏｒｒの超高真空を維持する
ことができる。
【００１９】また、この時、ＱＭＡ（４重極質量分析
計、Ｑｕａｄｒａｐｏｌｅ ＭａｓｓＡｎａｌｙｚｅ
ｒ）によると、残留不純物である、水（１８）や酸素
（３２）や二酸化炭素（４４）などは、ほとんど検出さ
れず、水素（２）だけが、なお残留していることがわか
る。この後、通常の結晶成長工程では、排気通路開閉バ
ルブ１２を閉じて作業を行う。
計、Ｑｕａｄｒａｐｏｌｅ ＭａｓｓＡｎａｌｙｚｅ
ｒ）によると、残留不純物である、水（１８）や酸素
（３２）や二酸化炭素（４４）などは、ほとんど検出さ
れず、水素（２）だけが、なお残留していることがわか
る。この後、通常の結晶成長工程では、排気通路開閉バ
ルブ１２を閉じて作業を行う。
【００２０】以上のように、特に時間のかかる真空吸引
およびガス出し作業において、上述のような貯蔵部２２
と本体チャンバ１０とを直接つなぐ排気専用の通路を設
けることで、工程時問を大幅に短縮できる。以上、本発
明の実施の形態について具体的に説明したが、本発明
は、上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発
明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。例え
ば、上述した実施の形態に挙げた数値や構造は、あくま
でも一例に過ぎず、必要に応じて、これと異なる数値や
構造などを用いてもよい。例えば、ベーキングの温度や
到達真空度の数値については、あくまでも一例に過ぎな
い。
およびガス出し作業において、上述のような貯蔵部２２
と本体チャンバ１０とを直接つなぐ排気専用の通路を設
けることで、工程時問を大幅に短縮できる。以上、本発
明の実施の形態について具体的に説明したが、本発明
は、上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発
明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。例え
ば、上述した実施の形態に挙げた数値や構造は、あくま
でも一例に過ぎず、必要に応じて、これと異なる数値や
構造などを用いてもよい。例えば、ベーキングの温度や
到達真空度の数値については、あくまでも一例に過ぎな
い。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように本発明の分子線エピ
タキシ装置では、バルブド・クラッキングセルにおい
て、貯蔵部と本体チャンバとをつなぐ排気通路を設け、
吸引装置により、貯蔵部及び排気通路を通して本体チャ
ンバを直接吸引排気するようにした。したがって、本体
チャンバの真空排気作業時に排気容量の大きい排気通路
を用いることができ、例えば真空引き及びガス出し工程
において大幅な工程時間の短縮を実現できる。
タキシ装置では、バルブド・クラッキングセルにおい
て、貯蔵部と本体チャンバとをつなぐ排気通路を設け、
吸引装置により、貯蔵部及び排気通路を通して本体チャ
ンバを直接吸引排気するようにした。したがって、本体
チャンバの真空排気作業時に排気容量の大きい排気通路
を用いることができ、例えば真空引き及びガス出し工程
において大幅な工程時間の短縮を実現できる。
【図１】本発明の一実施例によるバルブド・クラッキン
グセルを用いた分子線エピタキシ装置の構成例を簡単に
示す断面図である。
グセルを用いた分子線エピタキシ装置の構成例を簡単に
示す断面図である。
【図２】従来のバルブド・クラッキングセルを用いた分
子線エピタキシ装置の構成例を簡単に示す断面図であ
る。
子線エピタキシ装置の構成例を簡単に示す断面図であ
る。
【図３】図１に示す分子線エピタキシ装置の吸引排気工
程における各バルブの開閉状態を示す説明図である。
程における各バルブの開閉状態を示す説明図である。
１０……本体チャンバ、１２……排気通路開閉バルブ、
２０……バルブド・クラッキングセル、２２……貯蔵
部、２４……クラッキング部、２６……分子線量制御バ
ルブ、２８……排気管、３０……原材料。
２０……バルブド・クラッキングセル、２２……貯蔵
部、２４……クラッキング部、２６……分子線量制御バ
ルブ、２８……排気管、３０……原材料。
Claims (7)
- 【請求項１】 分子線によって結晶を成長させるための
基体を配置する本体チャンバと、前記本体チャンバに接
続され、前記本体チャンバ内に分子線を供給する分子線
源セルと、前記分子線源セルを通して前記本体チャンバ
内の吸引を行う吸引装置とを有し、 前記分子線源セルが、原材料を貯蔵する貯蔵部と、前記
貯蔵部に貯蔵された原材料からの分子線を分解して前記
本体チャンバに供給する分解部と、前記貯蔵部と前記分
解部との間を区切る分子線量制御バルブとを具備したバ
ルブド・クラッキングセルより構成される分子線エピタ
キシ装置において、 前記貯蔵部と前記本体チャンバとをつなぐ排気通路を設
け、前記吸引装置により、前記貯蔵部及び前記排気通路
を通して前記本体チャンバを直接吸引排気するようにし
た、 ことを特徴とする分子線エピタキシ装置。 - 【請求項２】 前記排気通路を開閉する排気通路開閉バ
ルブを設けたことを特徴とする請求項１記載の分子線エ
ピタキシ装置。 - 【請求項３】 前記排気通路開閉バルブは電磁式ゲート
バルブであることを特徴とする請求項２記載の分子線エ
ピタキシ装置。 - 【請求項４】 前記排気通路開閉バルブは前記本体チャ
ンバの吸引排気作業時及び真空解除時に開き、結晶成長
工程においては閉じるようにしたことを特徴とする請求
項２記載の分子線エピタキシ装置。 - 【請求項５】 前記分子線量制御バルブはマイクロメー
タ付きバルブであることを特徴とする請求項１記載の分
子線エピタキシ装置。 - 【請求項６】 前記本体チャンバの吸引排気作業時に
は、前記排気通路開閉バルブと分子線量制御バルブの両
方を開いて吸引排気作業を行うことを特徴とする請求項
２記載の分子線エピタキシ装置。 - 【請求項７】 前記本体チャンバの吸引排気作業には、
前記本体チャンバを常温で吸引排気する第１の工程と、
前記本体チャンバを加熱して吸引排気する第２の工程
と、加熱した本体チャンバを冷却する第３の工程と、前
記原材料のガス出しを行いながら前記本体チャンバを吸
引排気する第４の工程とを含むことを特徴とする請求項
１記載の分子線エピタキシ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28825397A JP3952556B2 (ja) | 1997-10-21 | 1997-10-21 | 分子線エピタキシ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28825397A JP3952556B2 (ja) | 1997-10-21 | 1997-10-21 | 分子線エピタキシ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11116380A true JPH11116380A (ja) | 1999-04-27 |
| JP3952556B2 JP3952556B2 (ja) | 2007-08-01 |
Family
ID=17727815
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28825397A Expired - Fee Related JP3952556B2 (ja) | 1997-10-21 | 1997-10-21 | 分子線エピタキシ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3952556B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012233531A (ja) * | 2011-04-28 | 2012-11-29 | Toshiba Corp | 圧力制御装置 |
| JP2013080761A (ja) * | 2011-10-03 | 2013-05-02 | Toshiba Corp | 圧力制御装置 |
| US9027588B2 (en) | 2011-04-28 | 2015-05-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Pressure control device |
-
1997
- 1997-10-21 JP JP28825397A patent/JP3952556B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012233531A (ja) * | 2011-04-28 | 2012-11-29 | Toshiba Corp | 圧力制御装置 |
| US9027588B2 (en) | 2011-04-28 | 2015-05-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Pressure control device |
| JP2013080761A (ja) * | 2011-10-03 | 2013-05-02 | Toshiba Corp | 圧力制御装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3952556B2 (ja) | 2007-08-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100271758B1 (ko) | 반도체장치 제조설비 및 이의 구동방법 | |
| JP2009124156A (ja) | Ｍｂｅ装置及び操作方法 | |
| US4786616A (en) | Method for heteroepitaxial growth using multiple MBE chambers | |
| JPS61107720A (ja) | 分子線エピタキシ装置 | |
| JP2003529212A (ja) | 半導体ウエハ処理システムのウエハのロードロックにおける汚染を減少するための装置及び方法 | |
| US6206969B1 (en) | Method and apparatus for fabricating semiconductor | |
| WO2020100554A1 (ja) | 半導体製造装置部品の洗浄装置、半導体製造装置部品の洗浄方法、及び半導体製造装置部品の洗浄システム | |
| JPH11116380A (ja) | 分子線エピタキシ装置 | |
| JP2003222574A (ja) | 試料処理装置 | |
| JP3895410B2 (ja) | Ｉｉｉ−ｖ族窒化物結晶膜を備えた素子、およびその製造方法 | |
| JP4918221B2 (ja) | 差動真空ポンピングを行う材料蒸発室 | |
| US20060207680A1 (en) | Device manufacturing apparatus and method of controlling same | |
| JP4324418B2 (ja) | 基板処理装置および半導体デバイスの製造方法 | |
| JPH0377274B2 (ja) | ||
| JP2662695B2 (ja) | 気相結晶成長装置 | |
| JP3058655B2 (ja) | ウェーハ拡散処理方法及びウェーハ熱処理方法 | |
| JP2817356B2 (ja) | 分子線結晶成長装置およびそれを用いる結晶成長方法 | |
| JPH0693427A (ja) | 真空成膜方法 | |
| JPS6293923A (ja) | 排気装置 | |
| KR970003595Y1 (ko) | 역류방지장치가 구비된 플라즈마 화학기상증착장비 | |
| JPS63270389A (ja) | 分子線結晶成長装置の処理方法 | |
| JPH02107775A (ja) | 処理装置及びその排気方法 | |
| JPH05160242A (ja) | 高清浄試料運搬装置及び試料運搬方法 | |
| JPH0536618A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH04219391A (ja) | 分子線結晶成長装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040423 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20040423 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070111 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20070116 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070305 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070410 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070423 |
|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20070305 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 3 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100511 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110511 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 5 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120511 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |