JPH11119177A

JPH11119177A - 光時間多重変調送信器モジュール

Info

Publication number: JPH11119177A
Application number: JP9278921A
Authority: JP
Inventors: Hiromi Yamada; 弘美山田
Original assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Current assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date: 1997-10-13
Filing date: 1997-10-13
Publication date: 1999-04-30
Also published as: US6330089B1

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】小型化モジュール構成の実現を図る。【解決手段】光送信器は、光信号生成器、光サーキュ
レータ、光カプラ、反射型電界吸収型光変調器、光遅延
回路および光増幅器を具えている。パルス光の光信号を
生成する光信号生成器は、ＤＦＢレーザダイオードとＥ
Ａ変調器とを具えている。光増幅器としてＥＤＦＡを具
えている。光カプラは、光サーキュレータから出力する
光信号を２方向に分岐させて反射型電界吸収型光変調器
にそれぞれ導き、変調を施して、光カプラおよび光サー
キュレータの側に反射させる。光遅延回路は、反射型電
界吸収型光変調器に入力する光信号との間に遅延を与え
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、光通信の分野で
用いられる光時間多重変調方式を実現するのに好適な装
置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の光時間多重変調方式の一例が文献
１「Ｐｒｏｃ．２１ｓｔＥｕｒ．Ｃｏｎｆ．ｏｎＯ
ｐｔ．Ｃｏｍｍ．（ＥＣＯＣ’９５−Ｂｒｕｓｓｅｌ
ｓ）Ｔｈ．Ａ．３．５，ｐｐ．９８３−９８６」に開示
されている。この文献１に開示されている光送信器は、
レーザおよび電界吸収型光変調器（以下、ＥＡ変調器と
略称する。）で構成された１０Ｇｂｉｔ／ｓのパルス光
を生成する光信号（クロック）生成部を具えている。ま
た、この光信号生成部で生成された光信号を２系統に分
岐する光カプラ、分岐された各々の光信号に個別のデー
タ変調を施す２台のＬｉＮｂＯ₃ 変調器、データ変調を
施した光信号を合成して２０Ｇｂｉｔ／ｓの光信号を出
力する光カプラ、および合成した光信号のパワーを増幅
するための光増幅器を具えている。このような構成が光
時間多重変調方式を実現するための構成として一般的に
用いられている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記文
献１に開示されている従来構成では、光信号生成部で得
られる基準信号光を分離して、各々の分離光に変調を加
えて、一方の信号光に光遅延を与えてから合成するとい
った動作を行う。そして、この動作を実現するための装
置を構成する個々の部品が比較的大きいために、チャネ
ル数の増加に伴い規模の大きな構成となってしまう。特
に、これらの系をＰＬＣ（Ｐｌａｎａｒ−Ｌｉｇｈｔｗ
ａｖｅ−Ｃｉｒｃｕｉｔ；平面光波回路）基板を用いた
実装を行って小型化しようとする場合、ＬｉＮｂＯ₃ 変
調器のようなサイズの大きな変調器を用いると、それだ
けでモジュールのサイズが大きくなってしまう。

【０００４】そこで、ＬｉＮｂＯ₃ 変調器の代わりにＥ
Ａ変調器のような小型の変調器を用いる方式が考えられ
る。しかしながら、この場合でも、ＥＡ変調器の入出力
両側を他の構成要素とファイバで接続していくと、トー
タルの規模をそれほど小さくすることができない。

【０００５】さらに、これらのマルチタップモジュール
化を図るには、チップとＰＬＣ基板との間の光学系の実
装を行う。このとき、光軸を合わせる箇所は２つのＥＡ
変調器の入力および出力の両方をＰＬＣ基板と合わせな
ければならず、その光学系の合わせは非常に困難である
という問題が生じる。

【０００６】従って、モジュールサイズの小型化が可能
であり、モジュールを構成する光学部品の光軸合わせが
容易な構成の光送信器の出現が望まれていた。

【０００７】

【課題を解決するための手段】そこで、この発明の光時
間多重変調送信器モジュールの構成によれば、光信号生
成器、光サーキュレータ、光カプラ、第１の反射型電界
吸収型光変調器、第２の反射型電界吸収型光変調器、光
遅延回路および光増幅器を具えており、光信号生成器
は、パルス光の光信号を生成するものであり、光サーキ
ュレータは、第１、第２および第３ポートを具えてい
て、この第１ポートに光信号生成器により生成された光
信号が入力し、この第１ポートに入力する光信号は第２
ポートに出力され、この第２ポートに入力する光信号を
第３ポートに出力するものであり、光カプラは、第２ポ
ートから出力する光信号を２方向に分岐させて第１およ
び第２の反射型電界吸収型光変調器にそれぞれ導くもの
であり、第１および第２の反射型電界吸収型光変調器
は、光カプラにより導かれた光信号に変調を施して、こ
の光信号を光カプラおよび光サーキュレータの側に反射
させ、この光信号を光サーキュレータの第２ポートに入
力させるものであり、光遅延回路は、第１の反射型電界
吸収型光変調器に入力する光信号と第２の反射型電界吸
収型光変調器に入力する光信号との間に遅延を与えるも
のであり、第３ポートから出力する光信号を光増幅器に
より増幅して出力する構成としてあることを特徴とす
る。

【０００８】このように、従来構成のＬｉＮｂＯ₃ 変調
器の代わりに反射型電界吸収型光変調器（以下、反射型
ＥＡ変調器と略称する。）を用いている。この反射型Ｅ
Ａ変調器は、入力される光信号に所定の変調を施して、
変調を施した光信号を入射方向に反射させる。光サーキ
ュレータは、これら反射型ＥＡ変調器に光信号を導入す
る。このような構成により、変調器のサイズを従来に比
べて小さいものとすることができ、モジュール規模の小
型化が図れる。

【０００９】また、この発明の構成では、１台の光カプ
ラを用いるだけでよい。従って、モジュールの規模を小
型化することができる。さらに、光カプラとＥＡ変調器
との間の光軸合わせが容易になる。

【００１０】また、この発明の光時間多重変調送信器モ
ジュールにおいて、好ましくは、第１および第２の反射
型電界吸収型光変調器にバイアス電圧を印加するために
これら第１および第２の反射型電界吸収型光変調器にそ
れぞれ設けられたボンディングパッドをバイアス電圧供
給部の側に近接させて配置してあるのが良い。

【００１１】このように構成してあるので、ボンディン
グパッドとバイアス電圧供給部の電極ラインとの間を接
続するためのボンディングワイヤの長さが比較的短くな
る。従って、熱等に起因して生じるワイヤのたわみなど
が少なくなる。また、配線の容量やインダクタンス等は
ボンディングワイヤの容量やインダクタンスに比べて安
定なので、高周波数動作が期待できる。

【００１２】また、この発明の光時間多重変調送信器モ
ジュールにおいて、好ましくは、複数組の第１および第
２の反射型電界吸収型光変調器を具え、光カプラをこれ
ら第１および第２の反射型電界吸収型光変調器の各々に
光信号を導く構造とするとき、これら第１および第２の
反射型電界吸収型光変調器を一列に配列させたアレイ構
造としてあるのが良い。

【００１３】このように構成してあると、光カプラと反
射型ＥＡ変調器との間の光軸合わせを、個々の反射型Ｅ
Ａ変調器について行う必要がなくなる。従って、光学系
の実装が容易になる。

【００１４】また、この発明の光時間多重変調送信器モ
ジュールにおいて、好ましくは、複数組の第１および第
２の反射型電界吸収型光変調器を具え、光カプラをこれ
ら第１および第２の反射型電界吸収型光変調器の各々に
光信号を導く構造とし、第１および第２の反射型電界吸
収型光変調器に入力する光信号を集光させるための複数
個の集光レンズをこれら第１および第２の反射型電界吸
収型光変調器と光カプラとの間に設けてあるとき、これ
ら集光レンズを一列に配列させたアレイ構造としてある
のが良い。

【００１５】このように構成してあると、光カプラと集
光レンズとの間の光軸合わせや、反射型ＥＡ変調器と集
光レンズとの間の光軸合わせを、個々の集光レンズにつ
いて行う必要がなくなる。従って、光学系の実装が容易
になる。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、図を参照して、この発明の
実施の形態につき説明する。尚、図は、この発明が理解
できる程度に構成、配置関係および大きさが概略的に示
してあるに過ぎない。また、以下に記載する数値等の条
件は単なる一例に過ぎない。従って、この発明は、この
実施の形態に何ら限定されることがない。

【００１７】［第１の実施の形態］この実施の形態で
は、光時間多重変調送信器モジュールの第１構成につき
説明する。図１は、第１構成を示すブロック図である。
この第１構成の光送信器１０は、光信号生成器１２、光
サーキュレータ１４、光カプラ１６、第１の反射型電界
吸収型光変調器２０、第２の反射型電界吸収型光変調器
２２、光遅延回路１８および光増幅器２４を具えてい
る。光信号生成器１２は、ＤＦＢレーザダイオード２６
とＥＡ変調器２８とを具えている。また、光増幅器２４
としてＥＤＦＡ（Ｅｒｂｉｕｍ−ｄｏｐｅｄＦｉｂｅ
ｒＡｍｐｌｉｆｉｅｒ）２４を具えている。光信号生
成器１２で生成された光信号は、先ず、光サーキュレー
タ１４の第１ポートａに入力する。この光信号は光サー
キュレータ１４の第２ポートｂから出力され、続いて、
光カプラ１４により２方向に分岐される。一方の光信号
は第１の反射型ＥＡ変調器２０に入力する。また、他方
の光信号は光遅延回路１８を通った後に第２の反射型Ｅ
Ａ変調器２２に入力する。第１および第２の反射型ＥＡ
変調器２０および２２で変調された光信号はそれぞれ入
射方向の側に反射されて、再び、光サーキュレータ１４
の第２ポートｂに入力する。そして、この光信号は光サ
ーキュレータ１４の第３ポートｃに導かれてＥＤＦＡ２
４を通り外部に出力される。

【００１８】以下、各構成成分につき順次に説明する。
先ず、上述の光信号生成器１２は、パルス光の光信号を
生成するものである。上述したように、光信号生成器１
２は、ＤＦＢレーザダイオード２６とＥＡ変調器２８と
を具えている。このＤＦＢレーザダイオード２６により
レーザ光を発生させ、発生したレーザ光をＥＡ変調器２
８により変調して、所定の繰り返し周期でパワーが振動
するパルス光を発生させる。ＥＡ変調器２８には、外部
からクロック信号ＣＫが入力して、このクロック信号Ｃ
Ｋの繰り返し周期（例えば１０ＧＨｚ）に同期したパル
ス光が得られる。

【００１９】次に、光サーキュレータ１４は、第１ポー
トａ、第２ポートｂおよび第３ポートｃを具えている。
この第１ポートａに光信号生成器１２により生成された
光信号が入力し、この第１ポートａに入力する光信号は
第２ポートｂに出力される。また、この第２ポートｂに
入力する光信号は第３ポートｃに出力される。このよう
な光サーキュレータ１４を設けてあるので、反射型ＥＡ
変調器２０、２２への光の導入および変調した光信号の
外部への送信などが可能である。

【００２０】また、光カプラ１６は、光サーキュレータ
１４の第２ポートｂから出力する光信号を２方向に分岐
させて第１および第２の反射型電界吸収型光変調器２０
および２２にそれぞれ導くものである。また、第１およ
び第２の反射型ＥＡ変調器２０および２２に反射された
光信号を光サーキュレータ１４の第２ポートｂに導く役
割も果たす。後述するように、この光カプラ１６はＰＬ
Ｃ基板を用いた構成とするのが好適である。

【００２１】また、第１および第２の反射型電界吸収型
光変調器２０および２２は、光カプラ１６により導かれ
た光信号に変調を施して、この光信号を光カプラ１６お
よび光サーキュレータ１４の側に反射させる。そして、
この光信号は光サーキュレータ１４の第２ポートｂに入
力される。これら反射型ＥＡ変調器２０および２２に対
しては、外部よりそれぞれＱ１およびＱ２なる電気信号
（例えば、両者共に１０Ｇｂｉｔ／ｓのパルス信号とす
る。）が入力される。これら電気信号に同期して光信号
の強度変調が行われる構成となっている。

【００２２】また、光遅延回路１８は、第１の反射型電
界吸収型光変調器２０に入力する光信号と第２の反射型
電界吸収型光変調器２２に入力する光信号との間に遅延
（位相差）を与えるものである。後述するように、この
光遅延回路１８は、光カプラ１６を構成する光導波路に
組み込ませた構成としても良い。

【００２３】そして、この構成例の光送信器１０では、
光サーキュレータ１４の第３ポートｃから出力する光信
号を光増幅器（ＥＤＦＡ）２４により増幅して出力する
構成としてある。この例では、２０Ｇｂｉｔ／ｓの光信
号が外部に出力される。外部に出力された光信号は所定
の光伝送手段により光受信器などに伝送される。

【００２４】次に、図２を参照して、光送信器１０の具
体的構成について説明する。図２は、ＰＬＣ基板を用い
た場合の構成例を示す要部平面図である。図中の左側か
ら順次に光カプラ１６、集光レンズ３４および反射型Ｅ
Ａ変調器２０および２２が配置されている。この図２に
示すように、光カプラ１６はＰＬＣ基板３０を用いる構
成とする。すなわち、シリコンの基板上にガラスを堆積
させて光導波路（コア）３２を形成してある。この図２
では、この光カプラ１６をＹ分岐型の光導波路として構
成してある。図中の左側に光サーキュレータ１４の第２
ポートｂが位置しており、このポートから出力された光
信号はこの光カプラ１６によりＹ分岐される。従って、
光信号は、２方向に分離して、個別の反射型ＥＡ変調器
２０および２２にそれぞれ入力する。尚、図２には、光
遅延回路１８の構成の図示を省略して示してある。

【００２５】また、各反射型ＥＡ変調器２０および２２
と光カプラ１６との間に２つの集光レンズ３４を設けて
ある。これら集光レンズ３４は、各光信号をそれぞれ対
応した反射型ＥＡ変調器２０および２２に集光するもの
である。反射型ＥＡ変調器２０および２２と、光カプラ
１６と、集光レンズ３４とは、光軸３６が合わさった状
態に配置されている。尚、反射型ＥＡ変調器２０および
２２の詳細な構成については省略してある。図２に示す
ように、これら反射型ＥＡ変調器２０および２２は、光
カプラ１６と同じように光導波路３２の構造を具えてい
て、この光導波路３２の上側に電極ラインを設けてあ
り、この電極ラインに配線で結合されたボンディング用
のパッド３８が設けられている。

【００２６】以上説明したように、この構成例の光送信
器１０は、データ変調を行うための変調器として反射型
ＥＡ変調器を用いているので、従来構成に比べるとモジ
ュールの規模が小型化される。また、反射型ＥＡ変調器
を用いた結果、光学系の実装作業なども簡略化される。
次に、比較のための従来構成を参照して、この光送信器
１０の利点につきさらに説明する。

【００２７】図３は、従来構成の光送信器の構成（ＰＬ
Ｃ基板を用いた従来構成）を示す要部平面図である。従
来構成では、反射型ＥＡ変調器２０および２２の代わり
に透過型の光変調器（例えばＬｉＮｂＯ₃ 変調器やＥＡ
変調器）５０が用いられる。また、光信号を分離して２
台の光変調器５０の各々に光信号を導入するための光カ
プラ１６の他に、各光変調器５０から出力する光信号を
合波させるための光カプラ１７を具えている。図３の図
中左側から、光カプラ１６としてのＰＬＣ基板３０、２
台の光変調器５０、および光カプラ１７としてのＰＬＣ
基板３０を順次に配設させてある。

【００２８】また、光変調器５０と光カプラ１６との
間、および光変調器５０と光カプラ１７との間のそれぞ
れに集光レンズ３４を設けてある。集光レンズ３４は、
各光変調器５０の入力側および出力側にそれぞれ配置さ
れており、従って合計４個の集光レンズ３４が用いられ
ている。

【００２９】また、各光変調器５０に近接させて、バイ
アス電圧を供給するためのＤＣライン用基板４２が設け
てある。光変調器５０のパッド３８と、ＤＣライン用基
板４２のバイアスライン４４とはボンディングワイヤ４
０により結合してある。このように、光変調器５０の入
力側および出力側のそれぞれには光カプラ１６および１
７を配設してあるので、これらＤＣ基板ライン用基板４
２は光変調器５０の側部すなわち図中の上側および下側
にそれぞれ設けられる。

【００３０】このように、従来構成では、２つの光カプ
ラを用いる必要がある。これに対して、この発明の光送
信器１０では、１台の光カプラ１６を従来構成の入力側
および出力側に配置された２台の光カプラとして兼用さ
せることができる。また、従来構成では、集光レンズな
どの光学部品の個数も多くなる。これに対して、光送信
器１０では、従来構成に比べるとこのような光学部品の
個数が減少している。従って、光学部品を実装する際に
必要な光軸合わせの作業も少なくすることができるの
で、作成が容易になる。さらに、図２および図３には省
略してある光遅延回路１８であるが、光送信器１０の場
合、従来構成に比べると光遅延回路１８を構成する遅延
線路の長さを半分で済ますことが可能となる。

【００３１】このように、第１の実施の形態によれば、
光時間多重変調方式におけるデータ変調を反射型ＥＡ変
調器により行わせる構成としており、この結果、個々の
モジュールのサイズが小さくなる。また、図２に示すよ
うに、反射型ＥＡ変調器２０および２２の片側のみを例
えばファイバなどにより接続すれば済む。このため、モ
ジュールの規模を小型化することができる。さらに、光
ファイバケーブルの接続部の数を減らすことができるの
で、接合部での損失を減らすことができる。

【００３２】このように、第１構成によれば、光マルチ
タップモジュールを構成する際に、モジュールの規模を
小さくすることができる。従って、光軸合わせの作業が
半減し、作業効率が高まる。つまり、反射型ＥＡ変調器
２０および２２と光カプラ１６との間の光軸合わせだけ
を行えばよい。また、この発明の構成では、反射型ＥＡ
変調器２０および２２の光カプラ１６とは反対側の領域
が空く。従って、この領域に、例えば上述したＤＣライ
ン用基板４２などを配置させると好適である。この結
果、複数のデータ系列（反射型ＥＡ変調器の個数に相当
する。）に分岐させてデータ変調を行う場合、通常は電
気的なバイアスラインを取り出す部分が込み合うが、こ
の構成の場合にはこれらバイアスラインを配置するため
の十分な領域が確保できる。

【００３３】［第２の実施の形態］次に、光送信器（光
時間多重変調送信器モジュール）の第２構成につき説明
する。この第２構成では、第１および第２の反射型電界
吸収型光変調器にバイアス電圧を印加するためにこれら
第１および第２の反射型電界吸収型光変調器にそれぞれ
設けられたボンディングパッドをバイアス電圧供給部の
側に近接させて配置してある。

【００３４】図４は、第２構成を示す要部平面図であ
る。図２を参照して説明した第１構成と比べると分かる
ように、第２構成では、反射型ＥＡ変調器２０および２
２に設けられているパッド３８の配置位置に特色があ
る。図４に示すように、この発明の光送信器の場合に
は、反射型ＥＡ変調器２０および２２の光カプラ１６と
は反対の側に、ＤＣライン用基板（ＤＣバイアス用のパ
ッケージ側に搭載される基板）４２を具えることができ
る。この結果、従来構成のように、複雑な形状のＤＣラ
イン用基板を用意する必要がなくなる。そして、さら
に、この第２構成では、反射型ＥＡ変調器２０および２
２のパッド３８とＤＣライン用基板４２に設けられたバ
イアスライン４４との結合を容易にするために、パッド
３８をＤＣライン用基板４２の側に近接させて設けてあ
る。この結果、パッド３８とバイアスライン４４とを結
合するためのボンディングワイヤ４２の長さは、第１構
成の場合に比べると短くすることが可能になる。

【００３５】逆に、第１構成の場合には、比較的ワイヤ
を長くする必要が生じる。この場合には、各ワイヤを均
一な長さに作成することが困難である。また、動作時の
熱等でたわみが生じた場合には、高周波動作時では、そ
のワイヤ部分の容量成分（Ｃ）が変わってしまい、オン
およびオフに対する素子の応答が変わってしまう。これ
に対して、第２構成の場合は、パッド３８を含む配線長
が大きくなってしまうが、配線の容量やインダクタンス
はワイヤに比べると変化しにくく、計算によって推定で
き、安定である。

【００３６】以上説明したように、第２の実施の形態例
では、光軸を合わせる方向と反対の側（パッケージ側）
に電気的なバイアスラインを取り出す部分を配置させ、
反射型ＥＡ変調器のパッドを中央から伸ばしてパッケー
ジ側に近接させてある。従って、上述した理由から、高
周波動作が期待できる。

【００３７】［第３の実施の形態］次に、光送信器の第
３構成につき説明する。この第３構成では、複数組の第
１および第２の反射型電界吸収型光変調器を具えてい
て、光カプラをこれら第１および第２の反射型電界吸収
型光変調器の各々に光信号を導く構造とする。そして、
これら第１および第２の反射型電界吸収型光変調器を一
列に配列させたアレイ構造としてある。

【００３８】図５は、第３構成を示す要部平面図であ
る。この構成例は、４つの反射型ＥＡ変調器を具えてお
り、４系列の光時間多重変調器を構成している。そし
て、これら４つの反射型ＥＡ変調器をアレイ状に配列さ
せて、ひとまとめのユニットとして構成してある。この
反射型ＥＡ変調器アレイ４６は、個々の光変調器を構成
する光導波路３２が平行となるように構成してある。こ
の反射型ＥＡ変調器アレイ４６の構成に対応させて、光
カプラ１６の構造も変えてある。図５に示すように、こ
の構成例では、光カプラ１６として遅延付きＰＬＣ基板
３０ａを用いている。この光カプラは、光サーキュレー
タ１４の第２ポートｂから出力した光信号を最終的に４
つに分離させる。そして、この光カプラを構成する光導
波路には、各経路を進んで個別のＥＡ変調器に伝播され
る光信号の間に遅延差を与えるために、遅延経路を組み
込んである。このように、光カプラに光遅延回路を組み
込ませた構成としてある。

【００３９】また、第２構成と同様に、反射型ＥＡ変調
器アレイ４６を構成する反射型ＥＡ変調器要素にバイア
ス電圧を供給するためのパッド３８は、ＤＣライン用基
板４２の側に近接させた配置としてある。さらに、各反
射型ＥＡ変調器要素に対応した個数だけの集光レンズ３
４を具えている。これら集光レンズ３４は、遅延付きＰ
ＬＣ基板３０ａと反射型ＥＡ変調器アレイ４６との間に
設けられている。

【００４０】反射型ＥＡ変調器アレイ４６とＰＬＣ基板
３０ａとの光軸は、各々を作成するときの誤差精度の範
囲内で各軸とも合っている。従って、例えば両端の２軸
が合えば他の光軸も自動的に合わせられる。このよう
に、ある程度の精度範囲内で光軸を合わせた後は、集光
レンズ３４により微調整することができる。よって、こ
の第３構成では、光軸合わせの作業工程数を減らすこと
ができるので、作業効率が高まる。

【００４１】［第４の実施の形態］次に、光送信器の第
４構成につき説明する。この第４構成では、複数組の第
１および第２の反射型電界吸収型光変調器を具え、光カ
プラをこれら第１および第２の反射型電界吸収型光変調
器の各々に光信号を導く構造としてある。また、第１お
よび第２の反射型電界吸収型光変調器に入力する光信号
を集光させるための複数個の集光レンズをこれら第１お
よび第２の反射型電界吸収型光変調器と光カプラとの間
に設けてあり、これら集光レンズを一列に配列させたア
レイ構造としてある。

【００４２】図６は、第４構成を示す要部平面図であ
る。尚、この４構成は、第３構成に対して、集光レンズ
３４をまとめてレンズアレイ４８を構成してある点が異
なるだけであるので、その他の重複する説明は省略す
る。レンズアレイ４８は、４つのレンズの集光特性が、
この系において平行になるように調整されている。そし
て、各レンズの中心は、反射型ＥＡ変調器アレイ４６か
らの距離とＰＬＣ基板３０ａとの間の距離とが等しくな
るような位置に配置されている。

【００４３】反射型ＥＡ変調器アレイ４６、ＰＬＣ基板
３０ａおよびレンズアレイ４８の光軸は、各々を作成す
るときの誤差精度の範囲内で各軸とも理想的に合ってい
る。従って、両端の２軸が合えば他の光軸は合う。この
ように、光軸の合わせ作業を簡略化することができる。

【００４４】第３構成では、反射型ＥＡ変調器アレイ４
６とＰＬＣ基板３０ａとの間の光学系の微調整のために
個々のレンズを合わせる作業が必要となる。レンズは小
さなものではなく、さらに動かす必要があるので、アレ
イの間隔を大幅に広げなければならない。これに対し
て、第４構成のようにレンズアレイを用いると、両端の
光軸のみの合わせで理想的にすべての光軸合わせが完了
する。従って、ＰＬＣ基板３０ａおよび反射型ＥＡ変調
器アレイ４６の両者の光軸の間隔を狭められ、モジュー
ルサイズの小型化が可能となる。

【００４５】

【発明の効果】この発明の光時間多重変調送信器モジュ
ールによれば、データ変調を行うための変調器として、
従来構成のＬｉＮｂＯ₃ 変調器の代わりに反射型電界吸
収型光変調器を用いている。この反射型ＥＡ変調器は、
入力される光信号に所定の変調を施して、変調を施した
光信号を入射方向に反射させる。光サーキュレータは、
これら反射型ＥＡ変調器に光信号を導入する。従って、
変調器のサイズを従来に比べて小さいものとすることが
でき、モジュール規模の小型化が図れる。また、この発
明の構成では、１台の光カプラを用いるだけでよい。従
って、モジュールの規模を小型化することができる。さ
らに、光カプラとＥＡ変調器との間の光軸合わせが容易
になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】光送信器の第１構成を示す図である。

【図２】ＰＬＣ基板を用いた場合の構成例を示す図であ
る。

【図３】ＰＬＣ基板を用いた従来構成を示す図である。

【図４】光送信器の第２構成を示す図である。

【図５】光送信器の第３構成を示す図である。

【図６】光送信器の第４構成を示す図である。

【符号の説明】

１０：光送信器１２：光信号生成器１４：光サーキュレータ１６：光カプラ１８：光遅延回路２０、２２：反射型ＥＡ変調器２４：光増幅器（ＥＤＦＡ）２６：ＤＦＢレーザダイオード２８：ＥＡ変調器３０：ＰＬＣ基板３２：光導波路３４：集光レンズ３６：光軸３８：パッド４０：ボンディングワイヤ４２：ＤＣライン用基板４４：バイアスライン３０ａ：遅延付きＰＬＣ基板４６：反射型ＥＡ変調器アレイ４８：レンズアレイ５０：光変調器

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】光信号生成器、光サーキュレータ、光カ
プラ、第１の反射型電界吸収型光変調器、第２の反射型
電界吸収型光変調器、光遅延回路および光増幅器を具え
ており、前記光信号生成器は、パルス光の光信号を生成するもの
であり、前記光サーキュレータは、第１、第２および第３ポート
を具えていて、該第１ポートに前記光信号生成器により
生成された光信号が入力し、該第１ポートに入力する光
信号は前記第２ポートに出力され、該第２ポートに入力
する光信号を前記第３ポートに出力するものであり、前記光カプラは、前記第２ポートから出力する光信号を
２方向に分岐させて前記第１および第２の反射型電界吸
収型光変調器にそれぞれ導くものであり、前記第１および第２の反射型電界吸収型光変調器は、前
記光カプラにより導かれた光信号に変調を施して、この
光信号を前記光カプラおよび光サーキュレータの側に反
射させ、この光信号を前記光サーキュレータの第２ポー
トに入力させるものであり、前記光遅延回路は、前記第１の反射型電界吸収型光変調
器に入力する光信号と前記第２の反射型電界吸収型光変
調器に入力する光信号との間に遅延を与えるものであ
り、前記第３ポートから出力する光信号を前記光増幅器によ
り増幅して出力する構成としてあることを特徴とする光
時間多重変調送信器モジュール。
【請求項２】請求項１に記載の光時間多重変調送信器
モジュールにおいて、前記第１および第２の反射型電界吸収型光変調器にバイ
アス電圧を印加するためにこれら第１および第２の反射
型電界吸収型光変調器にそれぞれ設けられたボンディン
グパッドをバイアス電圧供給部の側に近接させて配置し
てあることを特徴とする光時間多重変調送信器モジュー
ル。
【請求項３】請求項１に記載の光時間多重変調送信器
モジュールにおいて、複数組の前記第１および第２の反射型電界吸収型光変調
器を具え、前記光カプラをこれら第１および第２の反射
型電界吸収型光変調器の各々に光信号を導く構造とする
とき、これら第１および第２の反射型電界吸収型光変調
器を一列に配列させたアレイ構造としてあることを特徴
とする光時間多重変調送信器モジュール。
【請求項４】請求項１に記載の光時間多重変調送信器
モジュールにおいて、複数組の前記第１および第２の反射型電界吸収型光変調
器を具え、前記光カプラをこれら第１および第２の反射
型電界吸収型光変調器の各々に光信号を導く構造とし、
前記第１および第２の反射型電界吸収型光変調器に入力
する光信号を集光させるための複数個の集光レンズをこ
れら第１および第２の反射型電界吸収型光変調器と前記
光カプラとの間に設けてあるとき、これら集光レンズを
一列に配列させたアレイ構造としてあることを特徴とす
る光時間多重変調送信器モジュール。