JPH11119512A - バイアス帯電可能ポリイミド構成部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 フッ素化炭素充填ポリイミド層を有するバイ
アス帯電可能部材を提供する。 【解決手段】 バイアス帯電器１２（バイアス帯電可能
部材１２）は、ベルト、シート、またはフィルムの形式
であり、導電性粒子６（フッ素化炭素フィラー６）を充
填された導電層５（ポリイミド５）よりなる。また、フ
ッ素化炭素充填ポリイミドのひとつ以上の層が存在する
場合がある。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ディジタルを含む
静電複写装置に使用するためのバイアス帯電可能システ
ムフィルムに関する。バイアス帯電可能システムフィル
ムは、バイアス帯電フィルム、シート、ベルトなど、ま
たはバイアス転写フィルム、シート、ベルトなどとして
有用である。バイアス帯電可能システムフィルムはポリ
イミド層を含み、ポリイミド層は、導電性フィラー、好
適にはフッ素化炭素を充填されまたは含む。本発明によ
って、優れた電気的特性および機械的特性を有するバイ
アス帯電可能システムフィルムが提供され、電気的特性
は所望の抵抗率範囲に制御された導電性を含み、機械的
特性は改良された機械的強度、デュロメータ強度、引っ
張り強度、伸び、およびじん性を含む。さらに、実施形
態において、フィルムは、温度および湿度の変化、強い
連続コロナ露光、腐食性の環境、溶媒処理、動作時間ま
たは高電界および背面電界に対する反復暴露によって導
電性が統計上影響を受けないような優れた特性も示す。
また、実施形態においては、これらの層を使用すること
によって、光導電体のような他の電子写真構成要素の汚
損を減少させることができる。

【０００２】

【従来の技術】一般に、電子写真複写機による複写処理
は、原稿の光画像を本質上一様に帯電された感光性部材
に露光することによって開始される。感光性部材を光画
像に感光させることによって、原稿の非画像領域に対応
する感光性部材の表面の領域は放電されるが、一方、画
像領域の電荷は保持されるので、原稿の静電潜像が感光
性部材上に生成される。次に、この潜像は、現像剤が感
光性部材の帯電領域に引きつけられるように、トナーの
ような帯電現像剤を感光性部材に被着させることによっ
て現像されて可視像となる。その後、現像剤、さらに詳
しくいえばトナーが、感光性部材から複写シートまたは
他の画像支持基板に転写され画像を生成し、画像は画像
支持部材に恒久的に固定可能であり、その結果、原稿の
電子写真再生が提供される。処理の最終ステップにおい
て、感光性部材の光導電性表面はクリーニングされ、感
光性部材の表面に残留することがある残留現像剤を除去
し、次の画像化サイクルの準備を行う。

【０００３】バイアス帯電可能部材は、バイアス転写部
材およびバイアス帯電部材の両者を含む。トナー材料
は、電気的にバイアスをかけられた部材によって生成さ
れる静電界の影響下において、第１の画像支持表面（す
なわち、感光体）から第２の画像支持基板（すなわち、
複写シート）を有する付着機構に転写することができ
る。この場合、電荷は、たとえば、バイアス転写部材に
よってまたは基板の背面に電荷を浴びせることによっ
て、第２画像支持基板に被着される。

【０００４】転写処理の重要な態様は、再生されている
原始静電潜像と同じ静電界のパターンおよび強度を保持
し、現像剤材料の散乱またはスメアリングを惹起するこ
となく転写を誘導することに集約される。この重要で困
難な基準は、静電界の注意深い制御によって満足され、
静電界は、必要により、トナー転写を実行するに十分な
程度に高く、一方、所望位置以外においてアーク発生ま
たは過剰イオン化を惹起しない程度に十分に低いことが
望ましい。これらの電界分布は、トナー転写の妨害また
は非制御転写の誘導によって複写または印刷欠陥を生成
することがあり、これらの欠陥は、現像剤の散乱または
スメアリングを引き起こし易い。

【０００５】接触帯電部材またはバイアス帯電部材は、
電荷受容部材（光導電性部材）に電圧をかけることによ
って機能する。このようなバイアス帯電部材は、帯電部
材全体の抵抗率が所望の範囲内にあることを必要とす
る。特に、低すぎる抵抗率を有する材料は、感光体に対
する短絡および／または許容できない高電流を引き起こ
すことがある。高すぎる抵抗率を有する材料は、許容で
きない高電圧を必要とする。抵抗率が必要とされる範囲
内にない場合は、別の問題が生じることがあり、すなわ
ち、低帯電電位および一様でない帯電が生じることがあ
り、このため、劣悪な画像品質となることがある。

【０００６】したがって、バイアス帯電可能材料におい
ては、抵抗率が所望の範囲内に調整されることおよび抵
抗率がこの所望の範囲内に保持されることが重要であ
る。それ故、抵抗率が、温度、比較湿度、動作時間の変
化、および感光体に対する汚損物の除去によって影響を
受けないこと、または事実上影響を受けないことが望ま
しい。

【０００７】バイアス転写部材に関する許容転写電界を
保持するために従来は、たとえば、バイアス転写部材の
エラストマー層にイオン添加剤を添加し抵抗率を制御す
ることが試みられていた。シーナ（Ｓｅａｎｏｒ）らに
よる米国特許第３，９５９，５７３号および３，９５
９，５７４号には、相対湿度の変化による抵抗率の変化
を制御するために、疎水性および親水性エラストマーポ
リウレタン層のそれぞれに添加剤を添加することが開示
されている。同様に、すべてシュルータ（Ｓｃｈｌｕｅ
ｔｅｒ Ｊｒ．）らによる米国特許第５，２８６，５７
０号、第２，２５９，９９０号、第２，５８６，５６６
号および第２，２５９，９８９号には、ポリウレタンエ
ラストマーに非対称イオン性第４級アンモニウム塩を添
加し、ポリウレタンエラストマーの有用な電気的寿命を
延長することが開示されている。

【０００８】バイアス帯電材料に関する抵抗率を制御し
ようとする試みは、エラストマー層に対するイオン性添
加剤の添加を含んでいる。欧州特許出願第０ ５９６
４７７ Ａ２号には、少なくとも、エピクロールヒドリ
ンゴムを含むエラストマー層およびその上に被着される
表面層を含む帯電部材が開示されており、この表面層
は、少なくとも、半導体樹脂および半導体樹脂に含有さ
れる絶縁金属酸化物を含む。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかし、このような添
加剤の使用に関しては問題がある。特に、未溶解粒子が
ポリマーの表面に出現または拡散し、ポリマーに欠陥を
生じさせることが頻繁にある。このため、抵抗率が一様
でなくなり、次にこれによって、表面特性および機械的
強度が劣悪となる。表面上のイオン性添加剤は、トナー
解離を阻害することができる。さらに、気泡が導電性ポ
リマーに出現することがあり、その一部は顕微鏡によっ
てしかみることができず、他は肉眼で観察できるほど大
きい。これらの気泡によって、ポリマー中の未溶解粒子
と同様な困難がもたらされ、すなわち、電気特性が劣悪
または不均一となり、機械特性が劣悪となる。

【００１０】さらに、イオン性添加剤自体は、温度、湿
度、および動作時間の変化に反応し易い。これらの反応
性によって、多くの場合、抵抗率範囲が限定される。た
とえば、湿度が相対湿度として２０％から８０％まで増
加するとき、抵抗率は、通常、２桁以上までの範囲で減
少する。この効果によって、動作または処理の許容範囲
が限定される。

【００１１】さらに、これらのシステムにおいては、イ
オン転写が発生することもある。イオン転写によって、
電荷交換および不十分な転写が生起し、次に、これらに
よって、低画像解像度および画像劣化が引き起こされる
ので、複写品質は悪影響を受ける。カラーシステムにお
いては、さらに、色移動および色劣化が悪影響の結果と
して生じる。イオン転写によって、反復使用後のポリマ
ー部材の抵抗率も増加される。これによって、処理およ
び動作許容範囲が限定され、イオン充填ポリマー部材
は、事実上、有用でなくなる。

【００１２】カーボンブラックのような導電性粒子フィ
ラーも、抵抗率を制御する試みにおいて使用されてき
た。

【００１３】オクヌキ（Ｏｋｕｎｕｋｉ）らによる米国
特許第５，１１２，７０８号には、フッ素化炭素を充填
することができるＮ−アルコキシメチル化ナイロンより
形成される表面層を含む帯電部材が開示されている。

【００１４】コローチ（Ｋｏｌｏｕｃｈ）による米国特
許第５，０００，８７５号によれば、導電性カーボンブ
ラックまたはグラファイト繊維を含むテトラフルオロエ
チレンコポリマー組成物が開示されており、この組成物
はテトラフルオロエチレンコポリマーがフッ素化剤によ
って処理されるとき導電性を増加させる。

【００１５】カーボンブラック粒子は、特定の悪影響を
与えることもある。このような炭素分散は、炭素のゲル
化のために、調製が困難であり、結果として得られる層
はゼラチン形成のために変形されることがある。さら
に、必要とされる範囲の抵抗率を実現するために必要と
されるフィラー充填の許容度は、非常に狭い。このこ
と、およびバッチごとの大きな変動のために、極端に厳
密な抵抗率制御が必要になる。その上、炭素充填ポリマ
ー表面は、通常、絶縁耐力が非常に劣悪であり、重要な
抵抗率が印加される電界によって変わる場合がある。こ
のため、電気特性の変動性によって中心線抵抗率の選択
が妥協となり、これによって、次に、最終的に性能が弱
体化される。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明による実施形態に
おいて、フッ素化炭素充填ポリイミドフィルムを含むバ
イアス帯電可能フィルムが提供され、このフィルムは電
気伝導性である。

【００１７】さらに、本発明による実施形態は、電気バ
イアスを受け入れることが可能でありバイアス帯電可能
部材を有する静電複写機を含み、バイアス帯電可能部材
はフッ素化炭素充填ポリイミドフィルムを含み、このフ
ィルムは電気伝導性である。

【００１８】本発明をさらによく理解するために、添付
図面を参照されたい。

【００１９】

【発明の実施の形態】本発明は、バイアス帯電可能部
材、好適な実施形態においては、充填ポリイミド層、好
適にはフッ素化炭素充填ポリイミド層を含むバイアス帯
電可能フィルムに関する。

【００２０】図１に示す通常の静電複写再生装置におい
ては、複写すべき原稿の光画像は、静電潜像の形式で感
光性部材に記憶され、次に、潜像は、通常トナーと呼ば
れる検電性熱可塑性樹脂粒子を塗布することによって可
視化される。特に、感光体１０は、電源１１によって電
圧を印加された帯電器１２によって表面に帯電される。
感光体は、次に、レーザ放射ダイオードおよび光ダイオ
ードのような光学システムすなわち画像入力装置１３か
らの光に画像位置を露光され、感光体上に静電潜像を形
成する。一般に、静電潜像は、現像器１４からの現像剤
混合物を静電潜像と接触させることによって現像され
る。現像は、磁気ブラシ、パウダークラウド、または他
の公知の現像処理によって実行することもできる。

【００２１】トナー粒子は、感光体表面に被着された
後、画像構成の状態で、転写手段１５によって複写シー
ト１６に転写され、転写手段は圧力転写または静電転写
とすることができる。代替方法としては、現像画像を中
間転写部材に転写し、次に、複写シートに転写すること
ができる。

【００２２】現像画像の転写の完了後、複写シート１６
は図１に定着および加圧ロールとして示される定着器１
９に送られ、定着器において、複写シート１６が定着部
材２０と加圧部材２１との間を通過することによって、
現像画像は複写シートに定着され、永久画像が形成され
る。感光体１０は、転写後、クリーニング装置１７に送
られ、クリーニング装置１７において、ブレード２２
（図１に示す）、ブラシ、または他のクリーニング装置
によって感光体１０上に残存するトナーが除去される。

【００２３】図２は、バイアス帯電器１２Ａを備える本
発明の実施形態を示す図であり、バイアス帯電器１２Ａ
は、光導電性ドラム１０として具体化される画像搬送体
と接触して保持される帯電ベルト２Ａを有する。しか
し、本発明を使用し、誘電受容体または帯電されるべき
他の適切な部材を帯電することもできる。光導電性部材
は、ドラムまたはベルトまたは他の公知の光導電性部材
とすることができる。直流電圧および任意の交流電流が
電源９から帯電ベルト２Ａに印加され、帯電ベルト２Ａ
によって感光性部材１０が帯電される。電力は、直接に
帯電ベルト２Ａに供給されるか、またはバイアス供給部
材７を経由して帯電ベルト２Ａに供給される。帯電ベル
ト２Ａは、ポリイミドのような導電層５、および、導電
層５に分散される、たとえば、フッ素化炭素のような導
電性粒子６を有する。

【００２４】図３は、バイアス帯電器１２Ｂを備える本
発明の実施形態を示す図であり、バイアス帯電器１２Ｂ
は、光導電性ドラム１０として具体化される画像搬送体
と接触して保持されるバイアス転写ベルト２Ｂを有す
る。光導電性部材は、ドラムまたはベルトまたは他の公
知の光導電性部材とすることができる。直流電圧および
任意の交流電流が電源９から帯電ベルト２Ｂに印加さ
れ、帯電ベルト２Ｂによって複写基板１６の背面が帯電
され、その結果、トナー４が感光体１０から複写基板１
６に引き寄せられる。電力は、直接、バイアス転写ベル
ト２Ｂに供給されるか、またはバイアス供給部材７を経
由してバイアス転写ベルト２Ｂに供給される。バイアス
転写ベルト２Ｂは、ポリイミドのような導電性層５、お
よび導電層５に分散される、たとえば、フッ素化炭素の
ような導電性粒子６を有する。

【００２５】図４は、本発明による実施形態のバイアス
帯電可能部材１２の断面を示す図であり、バイアス帯電
可能部材１２は、ベルト、シート、またはフィルムの形
式であり、フッ素化炭素フィラー６を充填されたポリイ
ミド５よりなる。図４に示すように、本実施形態におい
ては、フッ素化炭素充填ポリイミドのひとつ以上の層が
存在する場合がある。

【００２６】図５は、２層構成を有する本発明の実施形
態を示す断面図であり、バイアス帯電可能フィルム１２
は、フッ素化炭素６充填ポリイミド基板５、および基板
５上のフルオロエラストマー層３２を有する。好適に
は、フルオロエラストマーは、フッ素化炭素フィラー６
が充填されている。

【００２７】図６は、バイアス帯電可能フィルム１２の
３層構成を有する本発明の実施形態を示す断面図であ
り、バイアス帯電可能フィルム１２は、フッ素化炭素６
充填ポリイミド基板５、金属中間層３３、およびポリイ
ミド外層３２を有し、好適には、ポリイミド外層３２
は、フッ素化炭素が好適である導電性フィラー６を充填
されたフルオロエラストマー層である。

【００２８】バイアス帯電可能部材を所望の抵抗率に調
整することは、部材に所望の機能を付与する上で重要で
ある。抵抗率は、本明細書において述べるような適切な
硬化剤、硬化時間、および硬化温度を使用することによ
ってのみでなく、特定のフッ素化炭素、または種々の形
式のフッ素化炭素の混合物を選択すること、および特定
のフッ素化炭素充填量を選択することによっても、選択
することができる。フッ素化炭素中のフッ素の百分率
も、そのフッ素化炭素と混合されたときのポリマーの抵
抗率に影響を与える。

【００２９】フッ素化炭素がポリイミド層に分散されて
いることが好ましい。フッ素化炭素は、フッ化グラファ
イトまたはフッ化炭素と呼ばれることがあり、炭素を元
素状態のフッ素を用いてフッ素化することによって得ら
れる固形材料である。炭素原子当たりのフッ素原子の数
は、フッ素化条件によって変わる。フッ素化炭素のフッ
素原子対炭素原子の化学量論比を変化させることによっ
て、フッ素化炭素の電気抵抗率特性の系統的で一定な変
化が得られる。

【００３０】フッ素化炭素とは、特定の類の組成物を指
し、フッ素をひとつ以上の多数の形式の固形炭素と反応
させて調製される。さらに、特定の所望抵抗率を生成す
るために、フッ素の量を変化させることができる。フル
オロカーボンは、脂肪族または芳香族有機化合物であ
り、ひとつ以上のフッ素原子がひとつ以上の炭素原子に
結合され、単一の鮮明な融点および沸点を有する明確な
化合物を形成する。フルオロポリマーは、単一種の同一
分子が連鎖されたものであり、共有結合によって結合さ
れる長鎖結合を含む。さらに、フルオロエラストマー
は、特定の形式のフルオロポリマーである。したがっ
て、技術上、いくらか混同の可能性があるが、フッ素化
炭素は、フルオロカーボンでも、フルオロポリマーでも
なく、また、本明細書においては、用語はこの意味で使
用する。

【００３１】フッ素化炭素は、本明細書において述べる
ようなフッ素化炭素材料を含む。フッ素化炭素の調製方
法は、公知であり、米国特許第２，７８６，８７４号、
第３，９２５，４９２号、第３，９２５，２６３号、第
３，８７２，０３２号、および第４，２４７，６０８号
のような文献に開示されている。本質上、フッ素化炭素
は、無定形炭素、コークス、木炭、カーボンブラック、
またはグラファイトのような炭素源を、１５０℃〜６０
０℃のような高温下において、元素状態のフッ素と共に
加熱することによって生成される。窒素のような希釈剤
が事前にフッ素に混合されることが好ましい。フッ素化
炭素の性状および特性は、特定の炭素源、反応条件、お
よび得られる最終生成物のフッ素化の程度によって変わ
る。最終生成物のフッ素化の程度は、処理反応条件、主
として温度および時間を変更することによって、変更す
ることができる。一般に、温度が高いほど、反応時間が
長いほど、フッ素含量が高い。

【００３２】種々の炭素源および種々のフッ素源より得
られるフッ素化炭素は、幾つかの供給源から市場におい
て入手できる。好適な炭素源は、カーボンブラック、結
晶グラファイト、および石油コークスである。本発明に
よる使用に適するフッ素化炭素の一形態は、ポリカーボ
ンモノフルオライドであり、通常、略してＣＦ_Xと記さ
れ、ｘはフッ素元素の数を表し、通常、約１．５までで
あり、好適には、約０．０１から約１．５までであり、
特に好適には、約０．０４から約１．４までである。式
ＣＦ_Xは、縮合６炭素環の層よりなるラメラ構造を有
し、縮合６炭素環の炭素にはフッ素原子が結合され炭素
原子の面の上下に位置する。ＣＦ_X型フッ素化炭素の調
製は、たとえば、前述した米国特許第２，７８６，８７
４号および第３，９２５，４９２号に開示されている。
一般に、この形式のフッ素化炭素の形成は、触媒を用い
て元素状態の炭素をＦ₂と反応させることを含む。この
形式のフッ素化炭素は、多数の供給業者から市場で入手
可能であり、たとえば、Ａｌｌｉｅｄ Ｓｉｇｎａｌ
（Ｍｏｒｒｉｓｔｏｗｎ、Ｎｅｗ Ｊｅｒｓｅｙ）、Ｃ
ｅｎｔｒａｌ Ｇｌａｓｓ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａ
ｌ，Ｉｎｃ．（Ｗｈｉｔｅ Ｐｌａｉｎｓ、Ｎｅｗ Ｙ
ｏｒｋ）、Ｄｉａｋｉｎ Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ，Ｉｎ
ｃ．（Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ，Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ）、および
ＡｄｖａｎｃｅＲｅｓｅａｒｃｈ Ｃｈｅｍｉｃａｌ
ｓ，Ｉｎｃ．（Ｃａｔｏｏｓａ、Ｏｋｌａｈｏｍａ）か
ら入手できる。

【００３３】本発明による使用に適する他の形式のフッ
素化炭素は、ワタナベ ノブアツ（Ｎｏｂｕａｔｓｕ
Ｗａｔａｎａｂｅ）によって、ポリ（ジカーボンモノフ
ルオライド）として主張されたフッ素化炭素であり、通
常、略して（Ｃ₂Ｆ）_nと記される。（Ｃ₂Ｆ）_n型フッ素
化炭素の調製は、たとえば、前述した米国特許第４，２
４７，６０８号、およびワタナベらによる“Ｐｒｅｐａ
ｒａｔｉｏｎ ｏｆＰｏｌｙ（ｄｉｃａｒｂｏｎ ｍｏ
ｎｏｆｌｕｏｒｉｄｅ） ｆｒｏｍ Ｐｅｔｒｏｌｅｕ
ｍ Ｃｏｋｅ”Ｂｕｌｌ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｊａｐａ
ｎ、５５、３１９７〜３１９９（１９８２）に開示され
ている。

【００３４】さらに、選択される好適なフッ素化炭素
は、ルーリー（Ｌｕｌｙ）らによる米国特許第４，５２
４，１１９号に開示されているフッ素化炭素を含み、本
特許の内容は本願に引用して援用する。これらのフッ素
化炭素は、商品名ＡＣＣＵＦＬＵＯＲ（ＡＣＣＵＦＬＵ
ＯＲは、Ａｌｌｉｅｄ Ｓｉｇｎａｌ（Ｍｏｒｒｉｓｔ
ｏｗｎ，Ｎｅｗ Ｊｅｒｓｅｙ）の登録商標である）を
有し、たとえば、ＡＣＣＵＦＬＵＯＲ ２０２８、ＡＣ
ＣＵＦＬＵＯＲ ２０６５、ＡＣＣＵＦＬＵＯＲ１００
０、およびＡＣＣＵＦＬＵＯＲ ２０１０である。ＡＣ
ＣＵＦＬＵＯＲ２０２８およびＡＣＣＵＦＬＵＯＲ ２
０１０は、それぞれ、フッ素化炭素の重量を基準として
２８および１１重量％のフッ素を有する。ＡＣＣＵＦＬ
ＵＯＲ１０００およびＡＣＣＵＦＬＵＯＲ ２０６５
は、それぞれ、フッ素化炭素の重量を基準として６２お
よび６５重量％のフッ素を有する。また、ＡＣＣＵＦＬ
ＵＯＲ １０００はカーボンコークスを含むが、一方、
ＡＣＣＵＦＬＵＯＲ ２０６５、２０２８、および２０
１０は導電性カーボンブラックを含む。これらのフッ素
化炭素は、式ＣＦ_Xを有し、Ｃ＋Ｆ₂＝ＣＦ_Xの反応によ
って形成される。

【００３５】下記の表１は、本発明によるフッ素化炭素
の幾つかの特性を示す表である。

【００３６】

【表１】 前述したように、本発明の重要な長所は、フッ素化炭素
のフッ素含量を変更することによって、ポリイミド層の
抵抗率特性の系統的で一様な変化を実行できる性能であ
る。好適なフッ素含量は、特に、使用される装置、装置
設定、所望の抵抗率および選択される特定のフルオロエ
ラストマーによって変わる。フッ素化炭素の好適なフッ
素含量は、フッ素化炭素の重量を基準として約１重量％
から約７０重量％までであり（約９９％から約３０％ま
での炭素含量）、好適には、約５％から約６５％までで
あり（約９５％から約３５％までの炭素含量）、特に好
適には、約１０％から約３０％までである（約９０％か
ら約７０％までの炭素含量）。

【００３７】フッ素化炭素の粒子サイズ中央値は、１ミ
クロン未満から１０ミクロンまでとすることが可能であ
り、好適には、１ミクロン未満であり、約０．００１ミ
クロンから約１ミクロンまでが好適であり、特に好適に
は、約０．５ミクロンから約０．９ミクロンまでであ
る。表面積は、好適には、約１００ｍ²／ｇから約４０
０ｍ²／ｇまでであり、約１１０ｍ²／ｇから約３４０ｍ
²／ｇまでが好適であり、特に好適には、約１３０ｍ²／
ｇから１７０ｍ²／ｇまでである。フッ素化炭素の密度
は、約１．５ｇ／ｃｃから約３ｇ／ｃｃまでであり、好
適には、約１．９ｇ／ｃｃから約２．７ｇ／ｃｃまでで
ある。

【００３８】ポリイミド層のフッ素化炭素の含量は、好
適には、約１０⁴オーム／方形（ｏｈｍ／ｓｑ）から約
１０¹⁴オーム／方形までの表面抵抗率、または、約１０
²オーム−ｃｍから約１０¹²オーム−ｃｍまでの体積抵
抗率を与える量である。バイアス帯電可能帯電部材の場
合、所望の表面抵抗率は、約１０⁴オーム／方形から約
１０¹³オーム／方形まで、好適には、約１０⁶オーム／
方形から約１０¹⁰オーム／方形までであり、また、所望
の体積抵抗率は、約１０²オーム−ｃｍから約１０¹¹オ
ーム−ｃｍまで、好適には、約１０⁵オーム−ｃｍから
約１０⁸オーム−ｃｍまでである。バイアス帯電可能転
写部材の場合、所望の表面抵抗率は、約１０⁷オーム／
方形から約１０¹⁴オーム／方形まで、好適には、約１０
⁸オーム／方形から約１０¹²オーム／方形までであり、
また、所望の体積抵抗率は、約１０⁵オーム−ｃｍから
約１０¹²オーム−ｃｍまで、好適には、約１０⁷オーム
−ｃｍから約１０¹⁰オーム−ｃｍまでである。好適に
は、フッ素化炭素の量は、全固形分重量を基準として、
約１重量％から約５０重量％まで、好適には、約３重量
％から約３０重量％まで、特に好適には、約３重量％か
ら約２８重量％までである。全固形分とは、本明細書に
おいては、ポリイミド、添加剤、他のフィラー、および
何か他の何らかの固体材料の量を指す。

【００３９】異なる形式のフッ素化炭素を混合し、機械
的特性および電気的特性を調整することは好ましい。異
なる種類のフッ素化炭素の混合物を使用し、良好な抵抗
率を実現し、同時に、良好な機械的特性および表面特性
を実現することが、望ましい。また、異なる種類のフッ
素化炭素の使用によって、意外に広い調合許容度および
制御された予測できる抵抗率を得ることができる。たと
えば、約０．１重量％から約４０重量％まで、好適に
は、約１重量％から約４０重量％まで、特に好適には、
約５重量％から約３５重量％までのＡＣＣＵＦＬＵＯＲ
（商品名、以下注記を略す） ２０１０は、約０．１重
量％から約４０重量％まで、好適には、約１重量％から
約４０重量％まで、特に好適には、約５重量％から約３
５重量％までの量のＡＣＣＵＦＬＵＯＲ ２０２８、さ
らに、特に好適には、約６重量％から約２５重量％まで
の量のＡＣＣＵＦＬＵＯＲ ２０２８と混合することが
できる。他の形式のフッ素化炭素を混合することも可能
である。別の例では、約０．１％から約４０％まで、好
適には、約１％から約４０％まで、特に好適には、約５
％から約３８％までの量のＡＣＣＵＦＬＵＯＲ １００
０が、約０．１％から約４０％まで、好適には、約１％
から約４０％まで、特に好適には、約１％から約３５％
までの量のＡＣＣＵＦＬＵＯＲ ２０６５と混合され
る。異なる形式のＡＣＣＵＦＬＵＯＲのその他のすべて
の組み合わせの混合が、可能である。好適な混合物は、
約０．１％から約１５％までのＡＣＣＵＦＬＵＯＲ ２
０２８を、約２％から約３．５％までのＡＣＣＵＦＬＵ
ＯＲ ２０１０と混合して得られる。別の好適な混合物
は、約０．５％から約１０％までのＡＣＣＵＦＬＵＯＲ
２０２８を、約２．０％から約３．０％までのＡＣＣ
ＵＦＬＵＯＲ ２０１０と混合して得られる。特に好適
な混合物は、約１％から約３％までのＡＣＣＵＦＬＵＯ
Ｒ ２０２８を、約２．５％から約３％までのＡＣＣＵ
ＦＬＵＯＲ ２０１０と混合して得られ、さらに特に好
適な混合物は、約３％のＡＣＣＵＦＬＵＯＲ２０１０と
約２％のＡＣＣＵＦＬＵＯＲ ２０２８との混合物であ
る。前述した百分率は、すべて重量％である。

【００４０】フッ素化炭素充填ポリイミド層は、適切な
高張力モジュールを有するポリイミドを含むことが可能
であり、好適には、ポリイミドは電気導電性粒子が添加
されると導電性フィルムとなることができるポリイミド
である。ポリイミドは、必ず、高い機械的強度を示すこ
とが可能であり、柔軟であり、また抵抗を示す。高張力
モジュールを有するポリイミドが好適であり、それは、
高張力モジュールによって、フィルム延伸位置合わせが
最適化されるためである。本発明において使用されるポ
リイミドは、繰り返し曲げ寿命および画像位置合わせが
改良され、所望の範囲内の一様な抵抗率を含む電気特性
が改良されているという長所を有する。

【００４１】フッ素化炭素充填ポリイミド層として有用
である適切なポリイミドの特定の例は、ＰＡＩ（ポリア
ミドイミド）、ＰＩ（ポリイミド）、ポリアラミド、ポ
リフタルアミド、フッ素化ポリイミド、ポリイミドスル
ホン、ポリイミドエーテル、などである。特定の例は、
米国特許第５，０３７，５８７号に開示されており、そ
の全開示内容を本願に引用して援用する。

【００４２】ポリイミドは、ポリアミド酸またはポリア
ミド酸のエステルのようなプレポリマー溶液によって、
あるいは二無水物（ｄｉａｎｈｙｄｒｉｄｅ）とジアミ
ンとの反応によって、合成することができる。好適なポ
リアミド酸は、Ｅ．Ｉ．ＤｕＰｏｎｔから購入すること
ができる。

【００４３】適切な二無水物には、芳香族二無水物およ
び芳香族テトラカルボン酸二無水物が含まれる。たとえ
ば、９，９−ビス（トリフルオロメチル）キサンテン−
２，３，６，７−テトラカルボン酸二無水物、２，２−
ビス−（３，４−ジカルボキシフェニル）−ヘキサフル
オロプロパン二無水物、２，２−ビス（（３，４−ジカ
ルボキシフェノキシ）フェニル）−ヘキサフルオロプロ
パン二無水物、４，４′−ビス（３，４−ジカルボキシ
−２，５，６−トリフルオロフェノキシ）オクタフルオ
ロビフェニル二無水物、３，３′，４，４′−テトラカ
ルボキシビフェニル二無水物、３，３′，４，４′−テ
トラカルボキシベンゾフェノン二無水物、ジ−（４−
（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル）−エー
テル二無水物、ジ−（４−（３，４−ジカルボキシフェ
ノキシ）フェニル）−スルフィド二無水物、ジ−（３，
４−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ジ−
（３，４−ジカルボキシフェニル）−エーテル二無水
物、１，２，４，５−テトラカルボキシベンゼン二無水
物、１，２，４−トリカルボキシベンゼン二無水物、ブ
タンテトラカルボン酸二無水物、シクロペンタンテトラ
カルボン酸二無水物、ピロメリト酸二無水物、１，２，
３，４−ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、２，３，
６，７−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，
４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、
１，２，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸二無水
物、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸二無
水物、２，３，６，７−アントラセンテトラカルボン酸
二無水物、１，２，７，８−フェナントレンテトラカル
ボン酸二無水物、３，３′，４，４′−ビフェニルテト
ラカルボン酸二無水物、２，２′，３，３′−ビフェニ
ルテトラカルボン酸二無水物、３，３′，４，４′−ベ
ンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，２′，
３，３′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、
２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパ
ン二無水物、２，２−ビス（２，３−ジカルボキシフェ
ニル）−プロパン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキ
シフェニル）エーテル二無水物、ビス（２，３−ジカル
ボキシフェニル）エーテル二無水物、ビス（３，４−ジ
カルボキシフェニル）スルホン二無水物、ビス（２，３
−ジカルボキシフェニル）スルホン２，２−ビス（３，
４−ジカルボキシフェニル）−１，１，１，３，３，３
−ヘキサフルオロプロパン二無水物、２，２−ビス
（３，４−ジカルボキシフェニル）−１，１，１，３，
３，３−ヘキサクロロプロパン二無水物、１，１−ビス
（２，３−ジカルボキシフェニル）エタン二無水物、
１，１−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エタン
二無水物、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）メタ
ン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メ
タン二無水物、４，４′−（ｐ−フェニレンジオキシ）
−ジフタル酸二無水物、４，４′−（ｍ−フェニレンジ
オキシ）ジフタル酸二無水物、４，４′−ジフェニルス
ルフィドジオキシビス（４−フタル酸）二無水物、４，
４′−ジフェニルスルホンジオキシビス（４−フタル
酸）二無水物、メチレンビス（４−フェニレンオキシ−
４−フタル酸）二無水物、エチリデンビス（４−フェニ
レンオキシ−４−フタル酸）二無水物、イソプロピリデ
ンビス−（４−フェニレンオキシ−４−フタル酸）二無
水物、ヘキサフルオロイソプロピリデンビス−（４−フ
ェニレンオキシ−４−フタル酸）二無水物、などであ
る。

【００４４】ポリイミドの調製において使用に適するジ
アミンの例は、芳香族ジアミンを含み、たとえば、４，
４′−ビス−（ｍ−アミノフェノキシ）−ビフェニル、
４，４′−ビス−（ｍ−アミノフェノキシ）−ジフェニ
ルスルフィド、４，４′−ビス−（ｍ−アミノフェノキ
シ）−ジフェニルスルホン、４，４′−ビス−（ｐ−ア
ミノフェノキシ）−ベンゾフェノン、４，４′−ビス−
（ｐ−アイミノフェノキシ）−ジフェニルスルフィド、
４，４′−ビス−（ｐ−アミノフェノキシ）−ジフェニ
ルスルホン、４，４′−ジアミノ−アゾベンゼン、４，
４′−ジアミノビフェニル、４，４′−ジアミノジフェ
ニルスルホン、４，４′−ジアミノ−ｐ−ターフェニ
ル、１，３−ビス−（γ−アミノプロピル）−テトラメ
チル−ジシロキサン、１，６−ジアミノヘキサン、４，
４′−ジアミノジフェニルメタン、３，３′−ジアミノ
ジフェニルメタン、１，３−ジアミノベンゼン、４，
４′−ジアミノジフェニルエーテル、２，４′−ジアミ
ノジフェニルエーテル、３，３′−ジアミノジフェニル
エーテル、３，４′−ジアミノジフェニルエーテル、
１，４−ジアミノベンゼン、４，４′−ジアミノ−２，
２′，３，３′，５，５′，６，６′−オクタフルオロ
−ビフェニル、４，４′−ジアミノ−２，２′，３，
３′，５，５′，６，６′−オクタフルオロジフェニル
エーテル、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）−フェ
ニル］スルフィド、ビス［４−（３−アミノフェノキ
シ）フェニル］スルホン、ビス［４−（３−アミノフェ
ノキシ）フェニル］ケトン、４，４′−ビス（３−アミ
ノフェノキシ）ビフェニル、２，２−ビス［４−（３−
アミノフェノキシ）フェニル］−プロパン、２，２−ビ
ス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］−１，
１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン、４，
４′−ジアミノジフェニルスルフィド、４，４′−ジア
ミノジフェニルエーテル、４，４′−ジアミノジフェニ
ルスルホン、４，４′−ジアミノジフェニルメタン、
１，１−ジ（ｐ−アミノフェニル）エタン、２，２−ジ
（ｐ−アミノフェニル）プロパン、および２，２−ジ
（ｐ−アミノフェニル）−１，１，１，３，３，３−ヘ
キサフルオロプロパンである。

【００４５】二無水物およびジアミンは、好適には、二
無水物対ジアミンの重量比で約２０：８０から約８０：
２０までの範囲、特に好適には約５０；５０の重量比で
使用される。前述した芳香族二無水物（好適には、芳香
族テトラカルボン酸二無水物）およびジアミン（好適に
は、芳香族ジアミン）は、それぞれ、単独で、または混
合物として使用される。ポリイミドは、公知の方法によ
って、二無水物とジアミンとから調製することができ
る。たとえば、二無水物およびジアミンを、混合物とし
てまたは別々に、有機溶媒中に懸濁または溶解させるこ
とが可能であり、また反応させてポリアミド酸を形成さ
せることが可能であり、ポリアミド酸は熱的または化学
的に脱水され、生成物は分離され精製される。ポリイミ
ドは、公知の押出機によって加熱溶融されスリットノズ
ルを有するダイからフィルムの形態で射出され、静電荷
がフィルムに印加され、フィルムは、冷却ローラによっ
て冷却され固化され、冷却ローラはガラス転移温度を
（Ｔｇ）で示すと、（Ｔｇ）−５０℃から（Ｔｇ）−１
５℃までの範囲の表面温度を有し、フィルムは張力をか
けられローラと接触することなく搬送され、同時にさら
に室温まで冷却され、巻き取られまたは次のステップに
送られる。

【００４６】本発明の好適な実施形態においては、フッ
素化炭素が、ポリアミド酸のようなポリイミドプレポリ
マーの溶液に添加され、次に、層、シート、フィルム、
などに形成される。次に、プレポリマー／フッ素化炭素
溶液は、ロールおよび／またはボールミルリング、乾
燥、および硬化のような公知の手順によって処理するこ
とができる。ポリイミドプレポリマーからポリイミド／
フッ素化炭素溶液を調製する処理は、米国特許第５，５
９１，２８５号および第５，５７１，８５２号に開示さ
れている。

【００４７】ポリイミド基板を生成する好適な手順とし
て、ポリアミド酸溶液（すなわちプレポリマー溶液）
は、オキシジアニリンのようなジアミンを、乾燥不活性
雰囲気下において、Ｎ−メチルピロリジン（ＮＭＰ）ま
たはＮ，Ｎ−ジメチルアセタミドのような溶媒中で、ヒ
ドロメリト酸二無水物またはベンゾフェノンテトラカル
ボン酸二無水物のようなテトラカルボン酸二無水物と反
応させることによって調製できる。混合物は、通常、一
夜（約８時間）撹拌、または必要により加熱し還流さ
せ、ポリアミド酸溶液を形成させる。固形分含量は、約
１０重量％から約２０重量％までの範囲である。次に、
フッ素化炭素が添加される。ペイントシェーカまたはロ
ールミルを使用し、分散処理を促進することができる。
基板は、最初に、フッ素化炭素／ポリアミド酸分散液か
らフィルムを作り、次に、フィルムを硬化し前駆体ポリ
マーを完全にイミド化することによって調製できる。フ
ィルムを塗布するために使用される処理は、当業者には
公知であり、スピン塗布、溶液流延、押し出し、ホット
モールド（hot-mold）、および他の公知の方法を含む。
塗布されたフィルムは、約１時間から２時間、１００℃
に加熱して溶媒を除去し、次に、２００℃において、約
２時間から約３時間で硬化させることができる。次に、
フィルムは、約３５０℃において、約１時間から約２時
間でイミド化することができる。ポリイミド／フッ素化
炭素フィルムは、次に、層またはエンドレスシームレス
ベルトに成形することができる。

【００４８】完全にイミド化されたポリマーとして調製
することができる別のポリイミドがあり、このポリイミ
ドは、「アミド」酸を全く含有せず、また、アミド酸を
イミド形態に変換するための高温硬化を必要としない。
この形式の代表的なポリイミドは、ジ−（２，３−ジカ
ルボキシフェニル）−エーテル二無水物を、５−アミノ
−１−（ｐ−アミノフェニル）−１，３，３−トリメチ
ルインダンと反応させて調製することができる。このポ
リマーは、Ｃｉｂａ−Ｇｅｉｇｙ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉ
ｏｎ（Ａｒｄｓｌｅｙ、Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ）が販売して
いるポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）ＸＵ ２１８と
して入手できる。入手できる別の完全イミド化ポリイミ
ドは、Ｌｅｎｚｉｎｇ，ＵＳＡ ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏ
ｎ（Ｄａｌｌａｓ、Ｔｅｘａｓ）が販売しているＬｅｎ
ｚｉｎｇ Ｐ ８３ポリイミドおよびＭｉｔｓｕｉ Ｔ
ｏａｔｓｕ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ（Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ、
Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ）が販売しているＬａｒｃ−ＴＰＩで
ある。これらの完全イミド化ポリイミドは、最初に、ジ
メチルホルムアミド、ジメチルピロリドン、ジメチルア
セタミドのような溶媒に溶解し、次に、前述したような
フッ素化炭素と結合させ、層、シート、フィルムなどを
形成する。溶媒の蒸発によって、フィルム、シート、ま
たは層が生成され、通常、アミド酸をイミドポリマー構
造に変換するために必要とされる高温は不要である。

【００４９】ポリイミドは、フッ素化炭素充填ポリイミ
ド基板中に、全固形分の重量を基準として、約５０％か
ら約９９％まで、好適には、約６０％から約９９％ま
で、特に好適には、全固形分重量の約３０％から約９５
％までの量で存在する。全固形分は、ポリイミド、フッ
素化炭素、添加フィラーおよび層内の添加剤の全重量百
分率（１００％に等しい）を包含する。

【００５０】図５に実施形態を示す２層構成において
は、外層は、好適には、フッ素化炭素層である。好適に
は、フッ素化炭素はフルオロエラストマーである。特定
の好適な実施形態においては、フッ素化炭素はフィラ
ー、好適にはフッ素化炭素フィラーを充填される。

【００５１】フルオロエラストマーの例は、米国特許第
５，１６６，０３１号、第５，２８１，５０６号、第
５，３６６，７７２号、および第５，３７０，９３１
号、ならびに米国特許第４，２５７，６９９号、第５，
０１７，４３２号、および第５，０６１，９６５号に詳
細に開示されているフルオロエラストマーを含む。これ
らの特許に記載されているように、これらのフルオロエ
ラストマー、特に、フッ化ビニリデン、ヘキサフルオロ
プロピレンおよびテトラフルオロエチレンよりなるコポ
リマーおよびターポリマーの類から得られるフルオロエ
ラストマーは、市場において種々の名称で知られてい
る。たとえば、ＶＩＴＯＮ Ａ、ＶＩＴＯＮＥ、ＶＩＴ
ＯＮ Ｅ６０Ｃ、ＶＩＴＯＮ Ｅ４３０、ＶＩＴＯＮ
９１０、ＶＩＴＯＮ ＧＨ、ＶＩＴＯＮ Ｂ５０、ＶＩ
ＴＯＮ Ｅ４５、およびＶＩＴＯＮＧＦである（以上、
いずれも商品名）。ＶＩＴＯＮ（商品名）の名称は、
Ｅ．Ｉ．Ｄｕ Ｐｏｎｔ ｄｅ Ｎｅｍｏｕｒｓ，Ｉｎ
ｃ．の登録商標である。市場で入手できる別の材料は、
ＦＬＵＯＲＥＬ ２１７０、ＦＬＵＯＲＥＬ ２１７
４、ＦＬＵＯＲＥＬ ２１７６、ＦＬＵＯＲＥＬ ２１
７７、およびＦＬＵＯＲＥＬ ＬＶＳ ７６（以上、い
ずれも商品名）であり、ＦＬＵＯＲＥＬ（商品名）は３
Ｍ Ｃｏｍｐａｎｙの登録商標である。さらに、市場で
入手できる材料には、ポリ（プロピレン−テトラフルオ
ロエチレン）であるＡＦＬＡＳ（商品名）およびポリ
（プロピレン−テトラフルオロエチレンビニリデンフル
オライド）であるＦＬＵＯＲＥＬ II（商品名）（ＬII
９００）があり、両者共、３Ｍ Ｃｏｍｐａｎｙから入
手できる。同様に、ＦＯＲ−６０ＫＩＲ、ＦＯＲ−ＬＨ
Ｆ、ＮＭＦＯＲ−ＴＨＦ、ＦＯＲ−ＴＦＳ、ＴＨ、ＴＮ
５０５（以上、いずれも商品名）、として識別されるテ
クノフロン（Ｔｅｃｎｏｆｌｏｎｓ）は、Ｍｏｎｔｅｄ
ｉｓｏｎ Ｓｐｅｃｉａｌｉｔｙ Ｃｈｅｍｉｃａｌ
Ｃｏｍｐａｎｙから入手できる。

【００５２】好適なフルオロエラストマーは、ヘキサフ
ルオロプロピレンおよびテトラフルオロエチレンをコモ
ノマーとして含むフルオロエラストマーである。好適な
公知の二つのフルオロエラストマーは、（１）市場にお
いてＶＩＴＯＮ Ａ（商品名）として知られている、フ
ッ化ビニリデンとヘキサフルオロプロピレンとのコポリ
マーの類、および（２）市場においてＶＩＴＯＮ Ｂ
（商品名）として知られている、フッ化ビニリデン、ヘ
キサフルオロプロピレン、およびテトラフルオロエチレ
ンのターポリマーの類である。

【００５３】他の好適な実施形態においては、フルオロ
エラストマーは、ＶＩＴＯＮ ＧＦ（商品名、以下注記
を略す）の場合のように、比較的少量のフッ化ビニリデ
ンを有するものである。ＶＩＴＯＮ ＧＦは、３５モル
％のフッ化ビニリデン、３４モル％のヘキサフルオロプ
ロピレン、および２９モル％のテトラフルオロエチレン
ならびに２％の硬化部位モノマーを含むテトラポリマー
である。硬化部位モノマーの例は、４−ブロモパーフル
オロブテン−１、１，１−ジヒドロ−４−ブロモパーフ
ルオロブテン−１、３−ブロモパーフルオロプロピレン
−１、１，１−ジヒドロ−３−ブロモパーフルオロプロ
ペン−１、および、たとえば、Ｄｕ Ｐｏｎｔから市場
で入手できる硬化部位モノマーである。

【００５４】本発明において適合層として使用に適する
フルオロエラストマーの例は、前述した形式のエラスト
マーならびに体積グラフトエラストマーを含む。体積グ
ラフトエラストマーは、ヒドロフルオロエラストマーの
特定の形式であり、フルオロエラストマーおよびポリオ
ルガノシロキサンのハイブリッド組成物の事実上一様な
一体構造相互浸透網である。体積グラフトは、求核脱フ
ッ化水素試薬によるフルオロエラストマーの脱フッ化水
素を実施後、アルケンまたはアルキンによって機能的に
末端処理されたポリオルガノシロキサンおよび重合防止
剤を添加して付加重合を行うことによって形成された。
特定の体積グラフトエラストマーの例は、米国特許第
５，１６６，０３１号、第５，２８１，５０６号、第
５，３６６，７７２号、および第５，３７０，９３１号
に開示されている。

【００５５】実施形態においては、体積グラフトとは、
ハイブリッド組成物の事実上一様な一体構造相互浸透網
を指し、体積グラフトにおいては、バイアス帯電可能部
材の異なる切片によって採取したとき、フルオロエラス
トマーおよびポリオルガノシロキサンの構造および組成
は、事実上、一様である。体積グラフトエラストマー
は、フルオロエラストマーおよびポリオルガノシロキサ
ンのハイブリッド組成物であり、求核脱フッ化水素試薬
による脱フッ化水素を実施後、アルケンまたはアルキン
によって機能的に末端処理されたポリオルガノシロキサ
ンを添加して付加重合を行うことによって形成される。

【００５６】実施形態においては、相互浸透網とは、フ
ルオロエラストマーおよびポリオルガノシロキサンのポ
リマーストランドが相互に絡み合った付加重合マトリッ
クスを指す。

【００５７】実施形態においては、ハイブリッド組成物
とは、無作為に配列されたフルオロエラストマーおよび
ポリオルガノシロキサンブロックよりなる体積グラフト
組成物を指す。

【００５８】一般に、本発明による体積グラフト反応
は、２段階で実行され、第１ステップは、好適にはアミ
ンを使用するフルオロエラストマーの脱フッ化水素を含
む。このステップ中に、フッ化水素酸が除去され、その
結果、フルオロエラストマーに不飽和、すなわち炭素対
炭素の二重結合が生成される。第２ステップは、アルケ
ンまたはアルキンによって末端処理されたポリオルガノ
シロキサンとフルオロエラストマーの炭素対炭素二重結
合との付加重合であり、フリーラジカルによって引き起
こされる。

【００５９】実施形態においては、本発明による機能を
有するポリオルガノシロキサンは、下記の式を有する。

【００６０】

【化１】 ここで、Ｒはおよそ１からおよそ２４までの炭素を有す
るアルキル、あるいは、およそ２からおよそ２４までの
炭素を有するアルケニル、あるいは、およそ６からおよ
そ１８までの炭素を有する置換または非置換アリールで
あり；Ａは、およそ６からおよそ２４までの炭素を有す
るアリール、およそ２からおよそ８までの炭素を有する
置換または非置換アルケン、あるいは、およそ２からお
よそ８までの炭素を有する置換または非置換アルキンで
あり；ｎは、セグメントの数を表し、実施形態において
は、たとえば、およそ２からおよそ４００まで、好適に
は、およそ１０からおよそ２００までである。

【００６１】好適な実施形態においては、Ｒは、アルキ
ル、アルケニルまたはアリールであり；アルキルは、お
よそ１からおよそ２４まで、好適には、およそ１からお
よそ１２までの炭素を有し；アルケニルは、およそ２か
らおよそ２４まで、好適には、およそ２からおよそ１２
までの炭素を有し；また、アリールは、およそ６からお
よそ２４まで、好適には、およそ６からおよそ１８まで
の炭素を有する。Ｒは、置換アリール基でもよく、その
場合は、アリール基はアミノ基、水酸基、メルカプト基
によって置換、または、たとえば、およそ１からおよそ
２４まで、好適には、およそ１からおよそ１２までの炭
素を有するアルキル基によって置換、または、たとえ
ば、およそ２から２４まで、好適には、およそ２からお
よそ１２までの炭素を有するアルケニル基によって置換
することができる。好適な実施形態においては、Ｒは、
メチル、エチル、およびフェニルから独立して選択され
る。官能基Ａは、およそ２から８まで、好適には、およ
そ２からおよそ４までの炭素原子を有するアルケンまた
はアルキン基とすることが可能であり、たとえば、およ
そ１からおよそ１２まで、好適には、およそ１からおよ
そ１２までの炭素を有するアルキル基、または、たとえ
ば、およそ６から２４まで、好適には、およそ６から１
８までの炭素を有するアリール基で任意に置換すること
ができる。官能基Ａは、各アルコキシ基におよそ１から
およそ１０まで、好適には、およそ１からおよそ６まで
の炭素、水酸基、またはハロゲンを有するモノ−、ジ
−、またはトリアルコキシシランとすることもできる。
好適なアルコキシ基は、メトキシ、エトキシ、などを含
む。好適なハロゲンは、塩素、臭素、およびフッ素を含
む。Ａは、およそ２からおよそ８までの炭素を有するア
ルキンであって、およそ１からおよそ２４までの炭素を
有するアルキルまたはおよそ６からおよそ２４までの炭
素を有するアリールによって任意に置換されるアルキル
とすることも可能である。セグメント数ｎは、およそ２
からおよそ４００まで、実施形態においては、およそ２
からおよそ３５０まで、好適には、およそ５からおよそ
１００までである。さらに、好適な実施形態において
は、ｎは、およそ６０からおよそ８０までであり、十分
な数の反応性基がフルオロエラストマーに提供されグラ
フトされる。前述した式においては、典型的なＲ基は、
メチル、エチル、プロピル、オクチル、ビニル、アリル
化クロトニル、フェニル、ナフチルおよびフェナントリ
ルを含み、また、典型的な置換アリール基は、オルソ、
メタ、およびパラ位置を、およそ１からおよそ１５まで
の炭素原子を有する低級アルキル基によって置換され
る。典型的なアルケンおよびアルケニル官能基は、ビニ
ル、アクリル、クロトン、およびアセテニルを含み、こ
れらは典型的には、メチル、プロピル、ブチル、ベンジ
ル、トルイル基などによって置換することができる。

【００６２】本発明による表面層を提供するために使用
されるフルオロエラストマーの量は、表面材料よりなる
所望の厚さのひとつ以上の層を形成するために必要とさ
れる量によって変わる。特に、フルオロエラストマー
は、全固形分重量を基準として、約５０％から約９９％
まで、好適には、約７０％から約９９％までの量で添加
される。好適には、たとえば、フッ素化炭素のような導
電性フィラーが、外層に、全固形分の重量を基準とし
て、約１重量％から約５０重量％まで、好適には、約１
重量％から約３０重量％までの量で存在する。

【００６３】図５に示すような外側適合層３２は、約２
５．４μｍ（１ミル）から約２５４μｍ（１０ミル）ま
で、好適には、約５０．８μｍ（２ミル）から約１２７
μｍ（５ミル）までの厚さを有する。適合外層の硬さ
は、約３０から約８０ショア（Ｓｈｏｒｅ）Ａ、好適に
は、約３５から約７５ショアＡである。弛緩可能な適合
外層は、フッ素化炭素充填ポリイミド基板の抵抗率に匹
敵する抵抗率を有することが好ましい。

【００６４】本発明による好適な実施形態においては、
適合層は、カーボンブラック、グラファイト、前述した
ようなフッ素化炭素、金属粉末、酸化スズのような金属
酸化物、またはそれらの混合物を含有する。好適なフィ
ラーは、前述したようなフッ素化炭素を含む。

【００６５】図６に示す実施形態においては、中間層３
３として好適な金属は、ステンレススチール、アルミニ
ウム、銅、鉄、ニッケル、およびそれらの合金を含む。
好適な金属は、アルミニウムである。この構成において
は、電界は、静電転写を促進できる金属層にバイアスを
かけることによって生成される。

【００６６】図６の実施形態に示す３層構成の外側の適
合層として好適なポリマーは、前述したフルオロポリマ
ーおよび２層構成において外側適合層として使用される
と述べた体積グラフト材料、ならびに図４に示す１層構
成において基板として使用されると記載されたポリイミ
ドである。

【００６７】３層構成の基板５は、任意の機械的に強い
基板であればよく、ポリイミドに限定されない。基板
は、ポリイミド、ポリスルホン、ポリエステル、ポリア
ミド、ポリエーテルイミド、ポリアクリレート、ナイロ
ン、ポリカーボネート、ポリフタルアミド、などとする
ことができる。

【００６８】２層および３層の実施形態においては、ひ
とつ以上の外層が、適切な公知の方法によって基板を塗
布している。強化部材上にこのような材料を塗布する代
表的な技術は、液体および乾粉噴霧塗布、浸せき塗布、
巻線ロッド塗布、流動層塗布、粉末塗布、静電噴霧、音
波噴霧、ブレード塗布、流し塗りを含む。これらは、代
理人整理番号Ｄ／９６０３５、米国特許出願第０８／６
６９，７６１号、１９９６年６月２６日出願、発明の名
称“Ｌｅｖｅｌｉｎｇ Ｂｌａｄｅ ｆｏｒＦｌｏｗ
Ｃｏａｔｉｎｇ Ｐｒｏｃｅｓｓ ｆｏｒ Ｍａｎｕｆ
ａｃｔｕｒｅｏｆ Ｐｏｌｙｍｅｒｉｃ Ｐｒｉｎｔｅ
ｒ Ｒｏｌｌ ａｎｄ ＢｅｌｔＣｏｍｐｏｎｅｎｔ
ｓ”、代理人整理番号Ｄ／９６０３６、米国特許出願第
０８／６７２，４９３号、１９９６年６月２６日出願、
発明の名称“ＣｏａｔｉｎｇＰｒｏｃｅｓｓ ｆｏｒ
Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｅ ｏｆ Ｐｏｌｙｍｅｒｉｃ
Ｐｒｉｎｔｅｒ Ｒｏｌｌ ａｎｄ Ｂｅｌｔ Ｃｏｍ
ｐｏｎｅｎｔｓ”、および代理人整理番号Ｄ／９６４１
２、米国特許出願第０８／８２２，５２１号、１９９７
年３月２７日出願、発明の名称“Ｆｌｏｗ Ｃｏａｔｉ
ｎｇ Ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ ａｎｄ Ｆｕｓｅｒ Ｍｅ
ｍｂｅｒ Ｌａｙｅｒｓ Ｐｒｅｐａｒｅｄ Ｔｈｅｒ
ｅｗｉｔｈ”などに開示されている。外装材料を、噴霧
塗布または流し塗りまたはロール塗布することが好まし
い。

【００６９】図６に示す実施形態においては、金属層は
他の層の上に形成され、金属層は、好適には、真空蒸着
技術によって被着される。

【００７０】開示される実施形態のいずれにおいても、
いずれかの層間に、ひとつ以上の、適切な接着層または
別の適切な導電性層が存在してもよい。

【００７１】本発明に使用されるバイアス帯電可能部材
は、任意の適切な構成とすることができる。適切な構成
の例は、シート、フィルム、ウエブ、フォイル、ストリ
ップ、コイル、シリンダ、ドラム、エンドレスストリッ
プ、円形ディスク、エンドレスベルトを含むベルト、エ
ンドレス継ぎ合わせフレキシブルベルト、エンドレスシ
ームレスフレキシブルベルト、パズルカットシーム(puz
zle cut seam)を有するエンドレスベルト、などを含
む。基板は、エンドレス継ぎ合わせフレキシブルベルト
または継ぎ合わせフレキシブルベルトであることが好ま
しく、ベルトはパズルカットシームを含んでも含まなく
てもよい。このようなベルトの例は、米国特許第５，４
８７，７０７号、第５，５１４，４３６号、および米国
特許出願第０８／２９７，２０３号、１９９４年８月２
９日出願に開示されており、各明細書の開示全体は、本
願に引用して援用する。強化シームレスベルトの製法
は、米国特許第５，４０９，５５７号に開示されてお
り、その全内容は、本願に引用して援用する。

【００７２】バイアスは、種々の方法によって、バイア
ス帯電可能部材にかけることができる。バイアスは、バ
イアス帯電可能供給部材（たとえば、図２および３の要
素７）のような別のバイアス帯電可能部材によって、バ
イアス帯電可能部材にかけることも可能であり、バイア
ス帯電可能供給部材は、電気バイアス供給源からバイア
スを受け取る機能を有する。電気バイアス供給源は、バ
イアス供給部材に接続され、バイアス供給部材に電流を
振り向ける、すなわち供給する。バイアス供給部材は、
バイアス帯電部材またはバイアス転写部材に電荷を転写
または供給する。バイアス帯電可能供給部材は、前記バ
イアス帯電可能転写部材またはバイアス帯電可能帯電部
材と、直接接触または帯電接触することができるので、
バイアス帯電可能帯電部材またはバイアス帯電可能転写
部材は、電荷を受け取り、感光体または複写シートのよ
うな基板に、電荷を転写または放出することができる。
代替の実施形態においては、バイアスは、バイアス帯電
部材またはバイアス転写部材に、直接に供給することが
できる。

【００７３】好適な実施形態においては、バイアス帯電
可能部材は、ベルト、シートまたはフィルムの形式であ
り、バイアスは、軸、たとえば、ステンレススチール軸
を経由して供給される。ベルト実施形態を使用するひと
つの長所は、比較的大きなニップ前およびニップ後の領
域を工作できることである。ＡＣ／ＤＣ動作の場合、Ｄ
Ｃバイアスが一定の限界を超えたとき、マイクロコロナ
がニップ前およびニップ後の両領域において生成するこ
とがあり、マイクロコロナによって、結果として、感光
体が帯電されることがある。比較的大きなニップ前およ
びニップ後の領域によって、受光帯電の効率が向上され
る。したがって、バイアス帯電可能部材に対しては、ベ
ルト構成が好ましい。

【００７４】バイアスは、典型的には、ＤＣ電位の使用
によって制御され、ＡＣ電位は、典型的には、ＤＣ制御
電位と共に使用され、帯電制御を支援する。ＡＣを使用
する利点は、表面汚損抵抗率が減少することであり、こ
れによって、帯電が一様であることが保証される。ＡＣ
は、装置のニップ前および後の領域においてコロナを生
成するので、ニップにおいて電荷注入に関係する帯電構
成要素は、比較的重要でない。ＡＣバイアスシステム
は、処理速度と均整がとれている。このため、低速度機
に対するバイアス装置の適用が制約される場合がある。
ＤＣに加えてＡＣを使用することによって、システムの
費用が増加する。したがって、ＤＣのみを使用すること
が好ましい。しかし、ＤＣバイアスのみを使用するため
には、通常、安定した最適抵抗率を有する材料が必要と
される。もしそうでなければ、単独のＤＣバイアスの使
用は、結果として、帯電の不均一性およびニップ前ブレ
ークダウンとなる。

【００７５】実施形態においては、前述したように、本
発明による表面は、安定した最適抵抗率を考慮するの
で、本発明によるバイアス帯電可能部材は、ＤＣバイア
ス帯電システムのみを備えることが可能であり、ＡＣバ
イアスを必要としない。さらに、本発明は、電極機能履
行基板による電極機能履行電界調整と共に、または、電
極なしに２重バイアス電界調整と共に、使用することが
できる。これらの後者の二つの手法は、静止フィルム帯
電システムまたはバイアス転写フィルムに関して有用で
ある。

【００７６】また、実施形態においては、本発明は、電
極機能履行および／または電極機能不履行ローラまたは
フィルム帯電器のような２重バイアスシステムに使用す
ることができる。本発明の使用により、ニップ後ブレー
クダウンに対するシステムの選択的調整を考慮するの
で、電荷不均一性が改良される。ニップ後ブレークダウ
ンは、ニップ前ブレークダウンより均一である。バイア
ス帯電可能部材の外層に対して前述したような特定の材
料を選択することによって、抵抗率は、所望の範囲内に
設定できるので、ニップ後ブレークダウンのみが発生す
る。さらに、ニップ後およびニップ前に別々にバイアス
をかけることによって、ニップ後放電を実行することが
できる。ニップ後に選択的にバイアスをかけるというこ
とは技術上の用語では、電界調整と呼ばれる。

【００７７】

【実施例】

実施例１．フッ素化炭素ＡＣＣＵＦＬＯＵＲ（商品名、
以下注記を略す） ２０２８を含む抵抗性フッ素化ポリ
イミド層試作品を、以下の方法によって調製した。約
０．８ｇのＡＣＣＵＦＬＯＵＲ ２０２８を１０ｇのＮ
−メチルピロリジン（ＮＭＰ）中で、超音波によって１
０分間分散させた。次に、４オンス瓶内で、この分散液
を５０ｇのポリアミド酸溶液（ＰＩ−２５６６、１６．
９％固形分含有、Ｅ．Ｉ．Ｄｕ Ｐｏｎｔ製）と混合
し、混合物をペイントシェーカによって、約４５分間、
均質化した。試作品のポリイミド抵抗層は、次に、０．
２５４μｍ（０．０１ミル）ドローバー（ｄｒａｗ ｂ
ａｒ）を有するＧａｒｄｎｅｒ Ｌａｂｏｒａｔｏｒｙ
Ｃｏａｔｅｒを用いて、前述した分散液をＫＡＰＴＯ
Ｎ（商品名、以下注記を略す）上に塗布加工することに
よって塗布される。次に、塗布層は、８０℃で、約１時
間乾燥後、２３５℃で約３時間から４時間、約３５０℃
で約０．５時間硬化し、その結果、２５．４μｍ（１ミ
ル）の厚さのフッ素化ポリイミド層が得られた。層内の
フッ素化炭素充填材は、全固形分の約８．６重量％であ
ると測定された。

【００７８】フッ素化ポリイミド層の表面抵抗率は、Ｘ
ｅｒｏｘ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎの試験装置を用いて
測定した。この試験装置は、電源（Ｔｒｅｋ６０１Ｃ
Ｃｏｒａｔｒｏｌ）、Ｋｅｉｔｈｙ電位計（モデル６１
０Ｂ）および２点適合保護電極プローブ（２電極の間隔
１５ｍｍ）よりなる。測定のために印加された電界は１
５００Ｖ／ｃｍであり、測定電流はプローブの幾何学的
配列にに基づいて表面抵抗率に変換した。層の表面抵抗
率の測定値は、約１．７×１０¹¹オーム／方形であっ
た。

【００７９】層の体積抵抗率は、標準ＡＣ導電率法によ
って測定した。この例においては、層はステンレススチ
ール基板上に塗布された。蒸着アルミニウム薄膜（３０
０オングストローム）を、対向電極として使用した。体
積抵抗率は、１５００Ｖ／ｃｍの電界において約５×１
０⁹オーム−ｃｍであると認められた。驚いたことに、
抵抗率は、約２０℃から約１５０℃までの範囲の温度変
化、約２０％から約８０％までの相対湿度変化、および
印加電界の強度（５，０００Ｖ／ｃｍまで）によって、
事実上、影響を受けないことが分かった。さらに、層に
高電界（＞１０⁴Ｖ／ｃｍ）を繰り返しかけた後で、ヒ
ステリシス（記憶）効果は全く認められなかった。

【００８０】実施例２．多数のフッ素化ポリイミド抵抗
層を、前述した実施例１の方法を用いて調製した。ＡＣ
ＣＵＦＬＵＯＲ充填材の含量を変化させて、種々の抵抗
率を得た。結果を、下記の表２に示す。

【００８１】

【表２】 実施例３．多数のポリイミド抵抗層を、前述した実施例
１の方法を用いて調製し、評価した。ただし、ポリアミ
ド酸溶液ＰＩ２８０８（Ｅ．Ｉ．Ｄｕ Ｐｏｎｔ製）
を、ＰＩ２５６６の代わりに使用した。表面抵抗率の結
果を、下記の表３に示す。

【００８２】

【表３】 実施例４．フルオロポリイミド中にフッ素化炭素を含む
バイアス帯電ベルトは、以下の方法によって製作でき
る。ＡＣＣＵＦＬＵＯＲ ２０２８とフルオロポリイミ
ドとを約１対約９．４の重量比で含む塗布分散液は、実
施例１．において概説した方法に従って調製することが
できる。約７５μｍ（３ミル）の厚さのＡＣＣＵＦＬＵ
ＯＲ ２０２８／ポリイミド抵抗層は、分散液をロール
基板上にスピン塗布することによって調製できる。抵抗
層は、実施例１．に記載のように硬化した後、表面抵抗
率を測定した結果、約７．６×１０⁷オーム／方形であ
った。

【００８３】実施例５．フルオロポリイミド中に分散さ
れたフッ素化炭素を含むバイアス転写ベルトは、実施例
４．に従って製作することができる。ただし、フッ素化
炭素とフルオロポリイミドの比は、およそ１：１０であ
る。ベルトの表面抵抗率の測定結果は、約３．８×１０
¹⁰オーム／方形である。

【００８４】実施例６．適合抵抗外層および実施例５の
抵抗基板層を含む２層バイアス転写ベルトは、以下の方
法によって調製することができる。

【００８５】最初に、ＡＣＣＵＦＬＵＯＲ ２０２８、
ＡＣＣＵＦＬＵＯＲ ２０１０、およびＶＩＴＯＮ（商
品名、以下注記を略す）ＧＦを、およそ２：３：９５の
重量比で含む塗布分散液を調製した。塗布分散液の調製
は、まず、溶媒（２００ｇのメチルエチルケトン）、鋼
粒（steel shot）（２，３００ｇ）、０．９５ｇのＡＣ
ＣＵＦＬＵＯＲ ２０２８および１．４２ｇのＡＣＣＵ
ＦＬＵＯＲ ２０１０を、小型卓上型アトライタ（attr
itor）（モデル０１Ａ）に入れた。混合物を約１分間撹
拌し、フッ素化炭素を湿らせた。次に、ポリマーバイン
ダとしてＶＩＴＯＮ ＧＦ（４５ｇ）を添加し、得られ
た混合物を３０分アトライタにかけた。次に、硬化剤パ
ッケージ（２．２５ｇのＶＣ−５０、０．９ｇのＭａｇ
ｌｉｔｅ−Ｄ、および０．２ｇのＣａ(０Ｈ)₂）および
安定化溶媒（１０ｇメタノール）を添加し、得られた混
合物を、さらに、１５分間混合した。金網で鋼粒を濾別
後、分散液をポリプロピレン瓶に集めた。次に、得られ
た分散液を、約２時間から４時間以内に、Ｇａｒｄｎｅ
ｒ Ｌａｂｏｒａｔｏｒｙ Ｃｏａｔｅｒを使用してＫ
ＡＰＴＯＮ基板に塗布した。塗布層は、約２時間、空気
乾燥後、クログラマブルオーブンで段階的に加熱して硬
化させた。加熱順序は、次の通りである。（１）６５℃
で４時間、（２）９３℃で２時間、（３）１４４℃で２
時間、（４）１７７℃で２時間、（５）２０４℃で２時
間、および（６）２３２℃で１６時間。この結果、約３
０重量％のＡＣＣＵＦＬＵＯＲ ２０２８を含むＶＩＴ
ＯＮＧＦ層が得られた。この層の乾燥厚さは、約７５μ
ｍ（約３ミル）であると測定された。この層の硬さは、
約６５ショアＡであると評価され、表面抵抗率は、約１
×１０¹⁰オーム／方形であった。

【００８６】実施例７．適合抵抗外層および実施例４の
抵抗層を含む２層バイアス帯電ベルトは、以下に概説す
る方法によって調製することができる。

【００８７】最初に、ＡＣＣＵＦＬＵＯＲ ２０１０お
よびＶＩＴＯＮ ＧＦをおよそ３：９７の重量比で含む
塗布分散液を調製した。塗布分散液は、最初に、溶媒
（２００ｇのメチルエチルケトン）、鋼粒（２，３００
ｇ）、および１．３９ｇのＡＣＣＵＦＬＵＯＲ ２０１
０を、小型卓上型アトライタ（モデル０１Ａ）に入れ
た。混合物を約１分間撹拌し、フッ素化炭素を湿らせ
た。次に、ポリマーバインダとしてＶＩＴＯＮ ＧＦ
（４５ｇ）を添加し、得られた混合物を３０分間アトラ
イタにかけた。次に、硬化剤パッケージ（２．２５ｇの
ＶＣ−５０、０．９ｇのＭａｇｌｉｔｅ−Ｄ、および
０．２ｇのＣａ(０Ｈ)₂）および安定化溶媒（１０ｇの
メタノール）を添加し、得られた混合物を、さらに１５
分間混合した。金網で鋼粒を濾別後、分散液をポリプロ
ピレン瓶に集めた。次に、得られた分散液を、約２時間
から４時間以内に、Ｇａｒｄｎｅｒ Ｌａｂｏｒａｔｏ
ｒｙ Ｃｏａｔｅｒを使用してＫＡＰＴＯＮ基板に塗布
した。塗布層は、約２時間、空気乾燥後、プログラマブ
ルオーブンで段階的に加熱して硬化させた。加熱順序
は、次の通りである。（１）６５℃で４時間、（２）９
３℃で２時間、（３）１４４℃で２時間、（４）１７７
℃で２時間、（５）２０４℃で２時間、および（６）２
３２℃で１６時間。この結果、約３重量％のＡＣＣＵＦ
ＬＵＯＲ ２０１０を含むＶＩＴＯＮ ＧＦ層が得られ
た。この層の乾燥厚さは、約７５μｍ（約３ミル）であ
ると測定された。この層の硬さは、約６３ショアＡであ
ると評価され、表面抵抗率は、約１．７×１０⁸オーム
／方形であった。

【図面の簡単な説明】

【図１】 一般の静電複写装置の概略を示す図である。

【図２】 バイアス帯電部材を含む画像現像システムを
示す概略図である。

【図３】 バイアス転写部材を含む画像現像システムを
示す概略図である。

【図４】 フッ素化炭素充填基板を含むバイアス帯電可
能フィルムを有する本発明の実施形態を示す断面図であ
る。

【図５】 フッ素化炭素充填基板を含むバイアス帯電可
能フィルム、およびその上にフッ素化炭素充填フルオロ
エラストマーを有する本発明の実施形態を示す断面図で
ある。

【図６】 フッ素化炭素充填基板を含むバイアス帯電可
能フィルム、金属中間層、およびフッ素化炭素充填フル
オロエラストマー外層を有する本発明の実施形態を示す
断面図である。

【符号の説明】

２Ａ 帯電ベルト，２Ｂ バイアス転写ベルト、４ ト
ナー、５ 導電層、６導電性粒子、７ バイアス供給部
材、９，１１ 電源、１０ 感光体、１２帯電器、１２
Ａ，１２Ｂ バイアス帯電器、１３ 画像入力装置、１
４ 現像器、１５ 転写手段、１６ 複写シート（複写
基板）、１７ クリーニング器、１９ 定着器、２０
定着部材、２１ 加圧部材、２２ ブレード、３２ フ
ルオロエラストマー層、３３ 金属中間層。

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成１０年１０月１６日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００６１

【補正方法】変更

【補正内容】

【００６１】好適な実施形態においては、Ｒは、アルキ
ル、アルケニルまたはアリールであり；アルキルは、お
よそ１からおよそ２４まで、好適には、およそ１からお
よそ１２までの炭素を有し；アルケニルは、およそ２か
らおよそ２４まで、好適には、およそ２からおよそ１２
までの炭素を有し；また、アリールは、およそ６からお
よそ２４まで、好適には、およそ６からおよそ１８まで
の炭素を有する。Ｒは、置換アリール基でもよく、その
場合は、アリール基はアミノ基、水酸基、メルカプト基
によって置換、または、たとえば、およそ１からおよそ
２４までの炭素を有するアルキル基によって置換、また
は、たとえば、およそ２から２４まで、好適には、およ
そ２からおよそ１２までの炭素を有するアルケニル基に
よって置換することができる。好適な実施形態において
は、Ｒは、メチル、エチル、およびフェニルから独立し
て選択される。官能基Ａは、およそ２から８まで、好適
には、およそ２からおよそ４までの炭素原子を有するア
ルケンまたはアルキン基とすることが可能であり、たと
えば、およそ１からおよそ１２まで、好適には、およそ
１からおよそ１２までの炭素を有するアルキル基、また
は、たとえば、およそ６から２４まで、好適には、およ
そ６から１８までの炭素を有するアリール基で任意に置
換することができる。官能基Ａは、各アルコキシ基にお
よそ１からおよそ１０まで、好適には、およそ１からお
よそ６までの炭素、水酸基、またはハロゲンを有するモ
ノ−、ジ−、またはトリアルコキシシランとすることも
できる。好適なアルコキシ基は、メトキシ、エトキシ、
などを含む。好適なハロゲンは、塩素、臭素、およびフ
ッ素を含む。Ａは、およそ２からおよそ８までの炭素を
有するアルキンであって、およそ１からおよそ２４まで
の炭素を有するアルキルまたはおよそ６からおよそ２４
までの炭素を有するアリールによって任意に置換される
アルキルとすることも可能である。セグメント数ｎは、
およそ２からおよそ４００まで、実施形態においては、
およそ２からおよそ３５０まで、好適には、およそ５か
らおよそ１００までである。さらに、好適な実施形態に
おいては、ｎは、およそ６０からおよそ８０までであ
り、十分な数の反応性基がフルオロエラストマーに提供
されグラフトされる。前述した式においては、典型的な
Ｒ基は、メチル、エチル、プロピル、オクチル、ビニ
ル、アリル化クロトニル、フェニル、ナフチルおよびフ
ェナントリルを含み、また、典型的な置換アリール基
は、オルソ、メタ、およびパラ位置を、およそ１からお
よそ１５までの炭素原子を有する低級アルキル基によっ
て置換される。典型的なアルケンおよびアルケニル官能
基は、ビニル、アクリル、クロトン、およびアセテニル
を含み、これらは典型的には、メチル、プロピル、ブチ
ル、ベンジル、トルイル基などによって置換することが
できる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 アイホー ダブリュ ターナウスキー アメリカ合衆国 ニューヨーク州 ウェブ スター ブルー クリーク ドライブ 753 (72)発明者 ジョゼフ マンミノ アメリカ合衆国 ニューヨーク州 ペンフ ィールド ベラ ドライブ 59 (72)発明者 マーチン エイ アブコーウィズ アメリカ合衆国 ニューヨーク州 ウェブ スター ゲートストーン サークル 1198 (72)発明者 フレデリック イー ナイヤー ジュニア アメリカ合衆国 ニューヨーク州 ウォル コット グレイブ ポイント ロード 8358

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 フッ素化炭素充填ポリイミドフィルムを
   含むバイアス帯電可能フィルムであって、前記フィルム
   は電気伝導性であることを特徴とするバイアス帯電可能
   フィルム。
2. 【請求項２】 請求項１に記載のバイアス帯電可能フィ
   ルムにおいて、前記フッ素化炭素の化学式はＣＦ_Xであ
   り、ここでｘはフッ素原子の数を表し、およそ０．０１
   からおよそ１．５までの数であることを特徴とするバイ
   アス帯電可能フィルム。
3. 【請求項３】 請求項１に記載のバイアス帯電可能フィ
   ルムにおいて、前記フッ素化炭素は、フッ素化炭素の重
   量を基準として、約６２重量％のフッ素含量を有するフ
   ッ素化炭素、約１１重量％のフッ素含量を有するフッ素
   化炭素、約２８重量％のフッ素含量を有するフッ素化炭
   素、および約６５重量％のフッ素含量を有するフッ素化
   炭素よりなる群から選択されることを特徴とするバイア
   ス帯電可能フィルム。