JPH1112032A - 誘電体磁器組成物および積層体 - Google Patents
誘電体磁器組成物および積層体Info
- Publication number
- JPH1112032A JPH1112032A JP9168639A JP16863997A JPH1112032A JP H1112032 A JPH1112032 A JP H1112032A JP 9168639 A JP9168639 A JP 9168639A JP 16863997 A JP16863997 A JP 16863997A JP H1112032 A JPH1112032 A JP H1112032A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- containing compound
- weight
- parts
- dielectric
- terms
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】ＡｇやＣｕを主成分とする導体と同時焼成した
場合でも反りや歪みのない磁器を得ることができる誘電
体磁器組成物および積層体を提供する。 【解決手段】金属元素としてＭｇ、Ｃａ、Ｔｉを含有す
る複合酸化物であって、これらの金属元素酸化物の重量
比による組成式を、ａＭｇＯ・ｂＣａＯ・ｃＴｉＯ2 と
表した時、ａ、ｂ、ｃが２５．０≦ａ≦３５．０、０．
３≦ｂ≦７．０、６０．０≦ｃ≦７０．０、ａ＋ｂ＋ｃ
＝１００を満足する主成分１００重量部に対して、硼素
含有化合物をＢ2 Ｏ3 換算で３〜２０重量部、アルカリ
金属含有化合物をアルカリ金属炭酸塩換算で１〜１０重
量部、ＳｒＣＯ3 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＷＯ3 およ
びＹ2 Ｏ3 のうち少なくとも１種を０．２〜６重量部含
有してなるものである。
場合でも反りや歪みのない磁器を得ることができる誘電
体磁器組成物および積層体を提供する。 【解決手段】金属元素としてＭｇ、Ｃａ、Ｔｉを含有す
る複合酸化物であって、これらの金属元素酸化物の重量
比による組成式を、ａＭｇＯ・ｂＣａＯ・ｃＴｉＯ2 と
表した時、ａ、ｂ、ｃが２５．０≦ａ≦３５．０、０．
３≦ｂ≦７．０、６０．０≦ｃ≦７０．０、ａ＋ｂ＋ｃ
＝１００を満足する主成分１００重量部に対して、硼素
含有化合物をＢ2 Ｏ3 換算で３〜２０重量部、アルカリ
金属含有化合物をアルカリ金属炭酸塩換算で１〜１０重
量部、ＳｒＣＯ3 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＷＯ3 およ
びＹ2 Ｏ3 のうち少なくとも１種を０．２〜６重量部含
有してなるものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波領域で使用
する電子回路基板や電子部品等に適用される、低温焼成
可能な誘電体磁器組成物および、例えば、共振器、コン
デンサ、フィルタ等を内蔵した基板、電子部品等の導体
を有する積層体に関するものである。
する電子回路基板や電子部品等に適用される、低温焼成
可能な誘電体磁器組成物および、例えば、共振器、コン
デンサ、フィルタ等を内蔵した基板、電子部品等の導体
を有する積層体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、誘電体材料として各種誘電体セラ
ミックスが、共振器、コンデンサ、フィルタ等の電子部
品に使用されている。そして、近年においては、携帯電
話をはじめとする移動体通信等の発達および普及に伴
い、電子回路基板や電子部品の材料として、誘電体セラ
ミックスの需要が増大しつつある。
ミックスが、共振器、コンデンサ、フィルタ等の電子部
品に使用されている。そして、近年においては、携帯電
話をはじめとする移動体通信等の発達および普及に伴
い、電子回路基板や電子部品の材料として、誘電体セラ
ミックスの需要が増大しつつある。
【０００３】電子回路や電子部品において、誘電体セラ
ミックスと内部導体を同時焼成するに際しては、従来の
誘電体セラミックスの焼成温度が１１００℃以上という
高温であったため、導体材料としては、比較的高融点で
あるＰｔ、Ｐｄ、Ｗ、Ｍｏ等が使用されていた。これら
高融点の導体材料は導通抵抗が大きいため、従来の電子
回路基板において、共振回路やインダクタンスのＱ値が
小さくなってしまい、導体線路の伝送損失が大きくなる
等の問題があった。
ミックスと内部導体を同時焼成するに際しては、従来の
誘電体セラミックスの焼成温度が１１００℃以上という
高温であったため、導体材料としては、比較的高融点で
あるＰｔ、Ｐｄ、Ｗ、Ｍｏ等が使用されていた。これら
高融点の導体材料は導通抵抗が大きいため、従来の電子
回路基板において、共振回路やインダクタンスのＱ値が
小さくなってしまい、導体線路の伝送損失が大きくなる
等の問題があった。
【０００４】そこで、係る問題点を解決すべく、導通抵
抗の小さいＡｇ、Ｃｕ等と同時焼成可能な、低温焼成の
誘電体セラミックスが提案されている。例えば、本出願
人が先に出願した特開平８−２０８３３０号公報に開示
された誘電体磁器組成物は、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＴｉＯ2
とＢ2 Ｏ3 、Ｌｉ2 ＣＯ3 からなるものであり、９００
〜１０５０℃の比較的低温でＡｇやＣｕ等の内部導体と
同時に焼成でき、誘電体磁器の比誘電率εｒが１８以
上、測定周波数７ＧＨｚでのＱ値が２０００以上、かつ
共振周波数の温度係数τｆが±４０以内の優れた特性を
有し、高周波電子部品の小型化と高性能化を実現できる
ものであった。
抗の小さいＡｇ、Ｃｕ等と同時焼成可能な、低温焼成の
誘電体セラミックスが提案されている。例えば、本出願
人が先に出願した特開平８−２０８３３０号公報に開示
された誘電体磁器組成物は、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＴｉＯ2
とＢ2 Ｏ3 、Ｌｉ2 ＣＯ3 からなるものであり、９００
〜１０５０℃の比較的低温でＡｇやＣｕ等の内部導体と
同時に焼成でき、誘電体磁器の比誘電率εｒが１８以
上、測定周波数７ＧＨｚでのＱ値が２０００以上、かつ
共振周波数の温度係数τｆが±４０以内の優れた特性を
有し、高周波電子部品の小型化と高性能化を実現できる
ものであった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
８−２０８３３０号公報に開示された誘電体磁器組成物
は、焼結における収縮開始温度が８４５〜９６０℃と高
温であるため、収縮開始温度が低温であるＡｇやＣｕを
主成分とする導体材料との収縮挙動のマッチングが悪
く、焼成された基板が反る、歪む等の問題があった。
８−２０８３３０号公報に開示された誘電体磁器組成物
は、焼結における収縮開始温度が８４５〜９６０℃と高
温であるため、収縮開始温度が低温であるＡｇやＣｕを
主成分とする導体材料との収縮挙動のマッチングが悪
く、焼成された基板が反る、歪む等の問題があった。
【０００６】即ち、導体としては、Ａｇおよび／または
Ｃｕを主成分とするもの、例えば、Ａｇ、Ｃｕ、あるい
はＡｇ、Ｃｕに対してガラス成分やセラミック成分、Ｐ
ｔ、Ｐｄ等の金属を添加したものがあるが、これらの導
体は、焼成時における収縮開始温度が高くとも６５０℃
程度であるため、上記誘電体磁器組成物の収縮開始温度
との差が大きく、これにより、基板が変形する等の問題
があった。
Ｃｕを主成分とするもの、例えば、Ａｇ、Ｃｕ、あるい
はＡｇ、Ｃｕに対してガラス成分やセラミック成分、Ｐ
ｔ、Ｐｄ等の金属を添加したものがあるが、これらの導
体は、焼成時における収縮開始温度が高くとも６５０℃
程度であるため、上記誘電体磁器組成物の収縮開始温度
との差が大きく、これにより、基板が変形する等の問題
があった。
【０００７】本発明は上記課題に鑑みなされたもので、
誘電体磁器組成物の収縮開始温度を低くして、導体の収
縮開始温度に近づけることができ、ＡｇやＣｕを主成分
とする導体と同時焼成した場合でも反りや歪みのない磁
器を得ることができる誘電体磁器組成物および積層体を
提供することを目的とする。
誘電体磁器組成物の収縮開始温度を低くして、導体の収
縮開始温度に近づけることができ、ＡｇやＣｕを主成分
とする導体と同時焼成した場合でも反りや歪みのない磁
器を得ることができる誘電体磁器組成物および積層体を
提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の誘電体磁器組成
物は、金属元素としてＭｇ、Ｃａ、Ｔｉを含有する複合
酸化物であって、これらの金属元素酸化物の重量比によ
る組成式を、ａＭｇＯ・ｂＣａＯ・ｃＴｉＯ2 と表した
時、ａ、ｂ、ｃが２５．０≦ａ≦３５．０、０．３≦ｂ
≦７．０、６０．０≦ｃ≦７０．０、ａ＋ｂ＋ｃ＝１０
０を満足する主成分と、該主成分１００重量部に対し
て、硼素含有化合物をＢ2 Ｏ3 換算で３〜２０重量部、
アルカリ金属含有化合物をアルカリ金属炭酸塩換算で１
〜１０重量部、Ｓｒ含有化合物、Ａｌ含有化合物、Ｓｉ
含有化合物、Ｗ含有化合物およびＹ含有化合物のうち少
なくとも１種をそれぞれＳｒＣＯ3 、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｓｉ
Ｏ2、ＷＯ3 、Ｙ2 Ｏ3 換算で合計０．２〜６重量部含
有してなるものである。
物は、金属元素としてＭｇ、Ｃａ、Ｔｉを含有する複合
酸化物であって、これらの金属元素酸化物の重量比によ
る組成式を、ａＭｇＯ・ｂＣａＯ・ｃＴｉＯ2 と表した
時、ａ、ｂ、ｃが２５．０≦ａ≦３５．０、０．３≦ｂ
≦７．０、６０．０≦ｃ≦７０．０、ａ＋ｂ＋ｃ＝１０
０を満足する主成分と、該主成分１００重量部に対し
て、硼素含有化合物をＢ2 Ｏ3 換算で３〜２０重量部、
アルカリ金属含有化合物をアルカリ金属炭酸塩換算で１
〜１０重量部、Ｓｒ含有化合物、Ａｌ含有化合物、Ｓｉ
含有化合物、Ｗ含有化合物およびＹ含有化合物のうち少
なくとも１種をそれぞれＳｒＣＯ3 、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｓｉ
Ｏ2、ＷＯ3 、Ｙ2 Ｏ3 換算で合計０．２〜６重量部含
有してなるものである。
【０００９】また、金属元素としてＭｇ、Ｃａ、Ｔｉを
含有する複合酸化物であって、その組成式が（１００−
ｘ）ＭｇＴｉＯ3 −ｘＣａＴｉＯ3 （但し、式中ｘは重
量比を表し、１≦ｘ≦１５）で表される主成分と、該主
成分１００重量部に対して、硼素含有化合物をＢ2 Ｏ3
換算で３〜２０重量部、アルカリ金属含有化合物をアル
カリ金属炭酸塩換算で１〜１０重量部、Ｓｒ含有化合
物、Ａｌ含有化合物、Ｓｉ含有化合物、Ｗ含有化合物お
よびＹ含有化合物のうち少なくとも１種をそれぞれＳｒ
ＣＯ3 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＷＯ3 、Ｙ2 Ｏ3 換算
で合計０．２〜６重量部含有してなるものである。
含有する複合酸化物であって、その組成式が（１００−
ｘ）ＭｇＴｉＯ3 −ｘＣａＴｉＯ3 （但し、式中ｘは重
量比を表し、１≦ｘ≦１５）で表される主成分と、該主
成分１００重量部に対して、硼素含有化合物をＢ2 Ｏ3
換算で３〜２０重量部、アルカリ金属含有化合物をアル
カリ金属炭酸塩換算で１〜１０重量部、Ｓｒ含有化合
物、Ａｌ含有化合物、Ｓｉ含有化合物、Ｗ含有化合物お
よびＹ含有化合物のうち少なくとも１種をそれぞれＳｒ
ＣＯ3 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＷＯ3 、Ｙ2 Ｏ3 換算
で合計０．２〜６重量部含有してなるものである。
【００１０】本発明の積層体は、誘電体層を複数積層し
てなる誘電基体の内部および／または表面に、Ａｇおよ
び／またはＣｕを主成分とする導体を有する積層体であ
って、前記誘電体層が、上記誘電体磁器組成物からなる
ものである。
てなる誘電基体の内部および／または表面に、Ａｇおよ
び／またはＣｕを主成分とする導体を有する積層体であ
って、前記誘電体層が、上記誘電体磁器組成物からなる
ものである。
【００１１】
【作用】本発明の誘電体磁器組成物では、９００〜１０
５０℃の比較的低温で焼成できるとともに、比誘電率ε
ｒやＱ値が高く、かつ共振周波数の温度係数τｆを比較
的小さくすることができ、積層体（高周波電子回路基板
や電子部品）の小型化と高性能化を実現できる。
５０℃の比較的低温で焼成できるとともに、比誘電率ε
ｒやＱ値が高く、かつ共振周波数の温度係数τｆを比較
的小さくすることができ、積層体（高周波電子回路基板
や電子部品）の小型化と高性能化を実現できる。
【００１２】そして、本発明の誘電体磁器組成物では、
Ｓｒ含有化合物、Ａｌ含有化合物、Ｓｉ含有化合物、Ｗ
含有化合物およびＹ含有化合物のうち少なくとも１種を
それぞれＳｒＣＯ3 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＷＯ3 、
Ｙ2 Ｏ3 換算で合計０．２〜６重量部含有せしめたの
で、焼結過程における収縮開始温度を８１５℃以下に低
下させることができ、導体の収縮開始温度に近づけるこ
とができ、基板や電子部品において、Ａｇ、Ｃｕを主成
分とする導体と同時焼成した場合でも基板等の反り、歪
み等の発生を抑制することができる。
Ｓｒ含有化合物、Ａｌ含有化合物、Ｓｉ含有化合物、Ｗ
含有化合物およびＹ含有化合物のうち少なくとも１種を
それぞれＳｒＣＯ3 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＷＯ3 、
Ｙ2 Ｏ3 換算で合計０．２〜６重量部含有せしめたの
で、焼結過程における収縮開始温度を８１５℃以下に低
下させることができ、導体の収縮開始温度に近づけるこ
とができ、基板や電子部品において、Ａｇ、Ｃｕを主成
分とする導体と同時焼成した場合でも基板等の反り、歪
み等の発生を抑制することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明の誘電体磁器組成物は、金
属元素としてＭｇ、Ｃａ、Ｔｉを含有する複合酸化物で
あって、これらの金属元素酸化物の重量比による組成式
をａＭｇＯ・ｂＣａＯ・ｃＴｉＯ2 と表した時、ａ、
ｂ、ｃが２５．０≦ａ≦３５．０、０．３≦ｂ≦ ７．
０、６０．０≦ｃ≦７０．０、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００で表
される主成分１００重量部に対して、硼素含有化合物を
Ｂ2 Ｏ3 換算で３〜２０重量部、アルカリ金属含有化合
物をアルカリ金属炭酸塩換算で１〜１０重量部、Ｓｒ含
有化合物、Ａｌ含有化合物、Ｓｉ含有化合物、Ｗ含有化
合物およびＹ含有化合物のうち少なくとも１種をそれぞ
れＳｒＣＯ3 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＷＯ3 、Ｙ2 Ｏ
3 換算で合計０．２〜６重量部含有してなるものであ
る。
属元素としてＭｇ、Ｃａ、Ｔｉを含有する複合酸化物で
あって、これらの金属元素酸化物の重量比による組成式
をａＭｇＯ・ｂＣａＯ・ｃＴｉＯ2 と表した時、ａ、
ｂ、ｃが２５．０≦ａ≦３５．０、０．３≦ｂ≦ ７．
０、６０．０≦ｃ≦７０．０、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００で表
される主成分１００重量部に対して、硼素含有化合物を
Ｂ2 Ｏ3 換算で３〜２０重量部、アルカリ金属含有化合
物をアルカリ金属炭酸塩換算で１〜１０重量部、Ｓｒ含
有化合物、Ａｌ含有化合物、Ｓｉ含有化合物、Ｗ含有化
合物およびＹ含有化合物のうち少なくとも１種をそれぞ
れＳｒＣＯ3 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＷＯ3 、Ｙ2 Ｏ
3 換算で合計０．２〜６重量部含有してなるものであ
る。
【００１４】本発明において、組成式におけるＭｇＯの
重量比ａを２５≦ａ≦３５、ＣａＯの重量比ｂを、０．
３≦ｂ≦７としたのは、ＭｇＯの重量比ａが２５重量％
未満の場合やＣａＯの重量比ｂが７重量％を越える場合
には、共振周波数の温度係数τｆが正に大きくなりすぎ
てしまうからである。逆に、ＭｇＯの重量比ａが３５重
量％を越える場合やＣａＯの重量比ｂが０．３重量％未
満の場合には、共振周波数の温度係数τｆが負に大きく
なりすぎてしまうからである。よって、ＭｇＯの重量比
ａとＣａＯの重量比ｂは、２５．０≦ａ≦３５．０、
０．３≦ｂ≦７．０に特定され、とりわけ誘電体磁器の
共振周波数の温度係数τｆの観点からは２８．０≦ａ≦
３４．０、０．４≦ｂ≦６．５が好ましい。
重量比ａを２５≦ａ≦３５、ＣａＯの重量比ｂを、０．
３≦ｂ≦７としたのは、ＭｇＯの重量比ａが２５重量％
未満の場合やＣａＯの重量比ｂが７重量％を越える場合
には、共振周波数の温度係数τｆが正に大きくなりすぎ
てしまうからである。逆に、ＭｇＯの重量比ａが３５重
量％を越える場合やＣａＯの重量比ｂが０．３重量％未
満の場合には、共振周波数の温度係数τｆが負に大きく
なりすぎてしまうからである。よって、ＭｇＯの重量比
ａとＣａＯの重量比ｂは、２５．０≦ａ≦３５．０、
０．３≦ｂ≦７．０に特定され、とりわけ誘電体磁器の
共振周波数の温度係数τｆの観点からは２８．０≦ａ≦
３４．０、０．４≦ｂ≦６．５が好ましい。
【００１５】さらに、ＴｉＯ2 の重量比ｃを６０≦ｃ≦
７０としたのは、ＴｉＯ2 の重量比ｃが６０重量％未満
あるいは７０重量％を越える場合にはＱ値が低下するか
らである。よって、ＴｉＯ2 の重量比ｃは６０≦ｃ≦７
０に特定され、とりわけ誘電体磁器のＱ値の観点から６
４≦ｃ≦６８が好ましい。
７０としたのは、ＴｉＯ2 の重量比ｃが６０重量％未満
あるいは７０重量％を越える場合にはＱ値が低下するか
らである。よって、ＴｉＯ2 の重量比ｃは６０≦ｃ≦７
０に特定され、とりわけ誘電体磁器のＱ値の観点から６
４≦ｃ≦６８が好ましい。
【００１６】また、出発原料をＭｇＴｉＯ3 とＣａＴｉ
Ｏ3 にすることにより、さらにＱ値を向上させ、温度係
数の制御が容易となる。つまり、（１００−ｘ）ＭｇＴ
ｉＯ3 −ｘＣａＴｉＯ3 （但し、式中ｘは重量比を表
し、１≦ｘ≦１５）で表される主成分１００重量部に対
して、硼素含有化合物をＢ2 Ｏ3 換算で３〜２０重量
部、アルカリ金属含有化合物をアルカリ金属炭酸塩換算
で１〜１０重量部、Ｓｒ含有化合物、Ａｌ含有化合物、
Ｓｉ含有化合物、Ｗ含有化合物およびＹ含有化合物のう
ち少なくとも１種をそれぞれＳｒＣＯ3 、Ａｌ2 Ｏ3 、
ＳｉＯ2 、ＷＯ3 、Ｙ2 Ｏ3 換算で合計０．２〜６重量
部含有した場合である。
Ｏ3 にすることにより、さらにＱ値を向上させ、温度係
数の制御が容易となる。つまり、（１００−ｘ）ＭｇＴ
ｉＯ3 −ｘＣａＴｉＯ3 （但し、式中ｘは重量比を表
し、１≦ｘ≦１５）で表される主成分１００重量部に対
して、硼素含有化合物をＢ2 Ｏ3 換算で３〜２０重量
部、アルカリ金属含有化合物をアルカリ金属炭酸塩換算
で１〜１０重量部、Ｓｒ含有化合物、Ａｌ含有化合物、
Ｓｉ含有化合物、Ｗ含有化合物およびＹ含有化合物のう
ち少なくとも１種をそれぞれＳｒＣＯ3 、Ａｌ2 Ｏ3 、
ＳｉＯ2 、ＷＯ3 、Ｙ2 Ｏ3 換算で合計０．２〜６重量
部含有した場合である。
【００１７】ここで、主成分中のＣａＴｉＯ3 の重量比
を１≦ｘ≦１５としたのは、ＣａＴｉＯ3 の重量比が１
重量％未満の場合には、共振周波数の温度係数τｆがマ
イナス側に大きくずれ、また、前記重量比が１５重量％
を越える場合には共振周波数の温度係数τｆがプラス側
に大きくずれるからである。よって、ＣａＴｉＯ3 の重
量比ｘは１〜１５重量％に特定され、とりわけ、誘電体
磁器の共振周波数の温度係数τｆの観点からは１〜１０
重量％が好ましい。
を１≦ｘ≦１５としたのは、ＣａＴｉＯ3 の重量比が１
重量％未満の場合には、共振周波数の温度係数τｆがマ
イナス側に大きくずれ、また、前記重量比が１５重量％
を越える場合には共振周波数の温度係数τｆがプラス側
に大きくずれるからである。よって、ＣａＴｉＯ3 の重
量比ｘは１〜１５重量％に特定され、とりわけ、誘電体
磁器の共振周波数の温度係数τｆの観点からは１〜１０
重量％が好ましい。
【００１８】また、本発明では、上記主成分１００重量
部に対して、硼素含有化合物をＢ2Ｏ3 換算で３〜２０
重量部、アルカリ金属含有化合物を該アルカリ金属炭酸
塩換算で１〜１０重量部、Ｓｒ含有化合物、Ａｌ含有化
合物、Ｓｉ含有化合物、Ｗ含有化合物およびＹ含有化合
物のうち少なくとも１種をそれぞれＳｒＣＯ3 、Ａｌ2
Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＷＯ3 、Ｙ2 Ｏ3 換算で合計０．２〜
６重量部含有するものである。
部に対して、硼素含有化合物をＢ2Ｏ3 換算で３〜２０
重量部、アルカリ金属含有化合物を該アルカリ金属炭酸
塩換算で１〜１０重量部、Ｓｒ含有化合物、Ａｌ含有化
合物、Ｓｉ含有化合物、Ｗ含有化合物およびＹ含有化合
物のうち少なくとも１種をそれぞれＳｒＣＯ3 、Ａｌ2
Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＷＯ3 、Ｙ2 Ｏ3 換算で合計０．２〜
６重量部含有するものである。
【００１９】このように主成分１００重量部に対して、
硼素含有化合物をＢ2 Ｏ3 換算で３〜２０重量部添加し
たのは、Ｂ2 Ｏ3 の添加量が３重量部未満の場合には１
１００℃でも焼結せず、ＡｇまたはＣｕとの同時焼成が
できなくなり、逆に２０重量部を越える場合には結晶相
が変化し、Ｑ値が低下するからである。よって硼素含有
化合物の添加量は、主成分に対してＢ2 Ｏ3 換算で３〜
２０重量部に特定され、とりわけ誘電体磁器のＱ値の観
点からは３〜９重量部が望ましい。硼素含有化合物とし
ては、金属硼素、Ｂ2 Ｏ3 、コレマナイト、ＣａＢ2 Ｏ
4 等がある。
硼素含有化合物をＢ2 Ｏ3 換算で３〜２０重量部添加し
たのは、Ｂ2 Ｏ3 の添加量が３重量部未満の場合には１
１００℃でも焼結せず、ＡｇまたはＣｕとの同時焼成が
できなくなり、逆に２０重量部を越える場合には結晶相
が変化し、Ｑ値が低下するからである。よって硼素含有
化合物の添加量は、主成分に対してＢ2 Ｏ3 換算で３〜
２０重量部に特定され、とりわけ誘電体磁器のＱ値の観
点からは３〜９重量部が望ましい。硼素含有化合物とし
ては、金属硼素、Ｂ2 Ｏ3 、コレマナイト、ＣａＢ2 Ｏ
4 等がある。
【００２０】また、アルカリ金属含有化合物を該アルカ
リ金属炭酸塩換算で１〜１０重量部添加したのは、アル
カリ金属含有化合物、例えばリチウム含有化合物の添加
量が１重量部未満の場合には１１００℃でも焼結せず、
ＡｇまたはＣｕとの同時焼成ができなくなり、逆に、１
０重量部を越える場合には結晶相が変化し、Ｑ値が低下
するからである。よって、アルカリ金属含有化合物の添
加量は、主成分１００重量部に対してアルカリ金属炭酸
塩換算、例えばＬｉ2 ＣＯ3 換算で１〜１０重量部に特
定され、とりわけ誘電体磁器のＱ値の観点からは３〜７
重量部が望ましい。
リ金属炭酸塩換算で１〜１０重量部添加したのは、アル
カリ金属含有化合物、例えばリチウム含有化合物の添加
量が１重量部未満の場合には１１００℃でも焼結せず、
ＡｇまたはＣｕとの同時焼成ができなくなり、逆に、１
０重量部を越える場合には結晶相が変化し、Ｑ値が低下
するからである。よって、アルカリ金属含有化合物の添
加量は、主成分１００重量部に対してアルカリ金属炭酸
塩換算、例えばＬｉ2 ＣＯ3 換算で１〜１０重量部に特
定され、とりわけ誘電体磁器のＱ値の観点からは３〜７
重量部が望ましい。
【００２１】アルカリ金属としては、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋを
例示することができ、この中でもＬｉが特に望ましい。
アルカリ金属含有化合物としては、上記アルカリ金属の
炭酸塩、酸化物等を例示することができる。
例示することができ、この中でもＬｉが特に望ましい。
アルカリ金属含有化合物としては、上記アルカリ金属の
炭酸塩、酸化物等を例示することができる。
【００２２】本発明の誘電体磁器組成物では、主成分１
００重量部に対して、さらにＳｒ含有化合物、Ａｌ含有
化合物、Ｓｉ含有化合物、Ｗ含有化合物およびＹ含有化
合物のうち少なくとも１種をそれぞれＳｒＣＯ3 、Ａｌ
2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＷＯ3 、Ｙ2 Ｏ3 換算で合計０．２
〜６重量部含有するものである。これらが０．２重量部
未満の場合には、誘電体磁器の焼結過程における収縮開
始温度が約８４０℃程度と高く、添加の効果が得られな
いからである。一方、該添加物が６重量部を超えると、
誘電体磁器の比誘電率εｒあるいはＱ値が低下するから
である。誘電体磁器の比誘電率εｒあるいはＱ値の観点
からは、合計０．７〜４重量部が望ましい。
００重量部に対して、さらにＳｒ含有化合物、Ａｌ含有
化合物、Ｓｉ含有化合物、Ｗ含有化合物およびＹ含有化
合物のうち少なくとも１種をそれぞれＳｒＣＯ3 、Ａｌ
2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＷＯ3 、Ｙ2 Ｏ3 換算で合計０．２
〜６重量部含有するものである。これらが０．２重量部
未満の場合には、誘電体磁器の焼結過程における収縮開
始温度が約８４０℃程度と高く、添加の効果が得られな
いからである。一方、該添加物が６重量部を超えると、
誘電体磁器の比誘電率εｒあるいはＱ値が低下するから
である。誘電体磁器の比誘電率εｒあるいはＱ値の観点
からは、合計０．７〜４重量部が望ましい。
【００２３】尚、本発明においては、誘電特性に悪影響
を及ぼさない範囲でＳｉ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｚｒ等の酸化物
を添加含有しても良く、この場合さらに低温焼成が可能
となる。
を及ぼさない範囲でＳｉ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｚｒ等の酸化物
を添加含有しても良く、この場合さらに低温焼成が可能
となる。
【００２４】本発明の誘電体磁器組成物は、例えば、Ｍ
ｇＣＯ3 、ＣａＣＯ3 、ＴｉＯ2 の各原料粉末を所定量
となるように秤量し、混合粉砕し、これを１１００〜１
３００℃の温度で大気中で１〜３時間仮焼する。得られ
た仮焼物に、例えばＢ2 Ｏ3とＬｉ2 ＣＯ3 の各粉末、
およびＳｒＣＯ3 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＷＯ3 、Ｙ
2 Ｏ3 のうち少なくとも１種の粉末を所定量となるよう
に秤量し、混合粉砕し、プレス成形やドクターブレード
法等の周知の方法により所定形状に成形した後、大気中
等の酸化性雰囲気または窒素雰囲気中等の非酸化性雰囲
気において、９００〜１０５０℃において０．５〜２．
０時間焼成することにより得られる。
ｇＣＯ3 、ＣａＣＯ3 、ＴｉＯ2 の各原料粉末を所定量
となるように秤量し、混合粉砕し、これを１１００〜１
３００℃の温度で大気中で１〜３時間仮焼する。得られ
た仮焼物に、例えばＢ2 Ｏ3とＬｉ2 ＣＯ3 の各粉末、
およびＳｒＣＯ3 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＷＯ3 、Ｙ
2 Ｏ3 のうち少なくとも１種の粉末を所定量となるよう
に秤量し、混合粉砕し、プレス成形やドクターブレード
法等の周知の方法により所定形状に成形した後、大気中
等の酸化性雰囲気または窒素雰囲気中等の非酸化性雰囲
気において、９００〜１０５０℃において０．５〜２．
０時間焼成することにより得られる。
【００２５】また、本発明の積層体は、誘電体層を複数
積層してなる誘電基体の内部および／または表面に、Ａ
ｇおよび／またはＣｕを主成分とする導体を有するもの
であり、誘電体層として、上記した誘電体磁器組成物を
用いたものである。
積層してなる誘電基体の内部および／または表面に、Ａ
ｇおよび／またはＣｕを主成分とする導体を有するもの
であり、誘電体層として、上記した誘電体磁器組成物を
用いたものである。
【００２６】導体としては、Ａｇおよび／またはＣｕを
主成分とするもの、例えば、Ａｇ、Ｃｕ、あるいはＡ
ｇ、Ｃｕに対してガラス成分やセラミック成分、Ｐｔ、
Ｐｄ等の金属を添加したものも含まれる。これらの金属
に対してガラス成分やセラミック成分を添加した導体は
内部導体として、また、Ｐｔを添加した導体は表面導体
として好適に用いられる。このような導体は、焼成時に
おける収縮開始温度は高くとも６５０℃程度である。
主成分とするもの、例えば、Ａｇ、Ｃｕ、あるいはＡ
ｇ、Ｃｕに対してガラス成分やセラミック成分、Ｐｔ、
Ｐｄ等の金属を添加したものも含まれる。これらの金属
に対してガラス成分やセラミック成分を添加した導体は
内部導体として、また、Ｐｔを添加した導体は表面導体
として好適に用いられる。このような導体は、焼成時に
おける収縮開始温度は高くとも６５０℃程度である。
【００２７】本発明の誘電体磁器組成物は、Ｓｒ含有化
合物、Ａｌ含有化合物、Ｓｉ含有化合物、Ｗ含有化合物
およびＹ含有化合物のうち少なくとも１種をそれぞれＳ
ｒＣＯ3 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＷＯ3 、Ｙ2 Ｏ3 換
算で合計０．２〜６重量部含有することにより、収縮開
始温度を８１５℃以下にすることができるため、導体の
収縮開始温度に近づけることができる。
合物、Ａｌ含有化合物、Ｓｉ含有化合物、Ｗ含有化合物
およびＹ含有化合物のうち少なくとも１種をそれぞれＳ
ｒＣＯ3 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＷＯ3 、Ｙ2 Ｏ3 換
算で合計０．２〜６重量部含有することにより、収縮開
始温度を８１５℃以下にすることができるため、導体の
収縮開始温度に近づけることができる。
【００２８】
実施例１ 先ず、純度９９％以上のＭｇＣＯ3 、ＣａＣＯ3 、Ｔｉ
Ｏ2 の各原料粉末を表１〜３に示す量となるように秤量
し、該原料粉末に媒体として純水を加えて２４時間、Ｚ
ｒＯ2 ボールを用いたボールミルにて混合した後、該混
合物を乾燥し、次いで該乾燥物を大気中において１２０
０℃の温度で１時間仮焼した。
Ｏ2 の各原料粉末を表１〜３に示す量となるように秤量
し、該原料粉末に媒体として純水を加えて２４時間、Ｚ
ｒＯ2 ボールを用いたボールミルにて混合した後、該混
合物を乾燥し、次いで該乾燥物を大気中において１２０
０℃の温度で１時間仮焼した。
【００２９】得られた仮焼物にＢ2 Ｏ3 、Ｌｉ2 Ｃ
Ｏ3 、ＳｒＣＯ3 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＷＯ3 、Ｙ
2 Ｏ3 の粉末を表１〜３に示す割合となるように秤量
し、上記ボールミルにて２４時間、混合した後、バイン
ダーとしてポリビニルアルコールを１重量％加えてから
造粒し、該造粒物を約１ｔ／ｃｍ2 の加圧力でプレス成
形して直径約１２ｍｍ、高さ１０ｍｍの円柱状の成形体
を作製した。
Ｏ3 、ＳｒＣＯ3 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＷＯ3 、Ｙ
2 Ｏ3 の粉末を表１〜３に示す割合となるように秤量
し、上記ボールミルにて２４時間、混合した後、バイン
ダーとしてポリビニルアルコールを１重量％加えてから
造粒し、該造粒物を約１ｔ／ｃｍ2 の加圧力でプレス成
形して直径約１２ｍｍ、高さ１０ｍｍの円柱状の成形体
を作製した。
【００３０】
【表１】
【００３１】
【表２】
【００３２】
【表３】
【００３３】その後、前記成形体を大気中、４００℃の
温度で４時間加熱して脱バインダー処理し、引き続き大
気中において表４〜６に示す各温度で６０分間焼成し
た。得られた円柱体の両端面を平面研磨し、誘電体特性
評価用試料を作製した。
温度で４時間加熱して脱バインダー処理し、引き続き大
気中において表４〜６に示す各温度で６０分間焼成し
た。得られた円柱体の両端面を平面研磨し、誘電体特性
評価用試料を作製した。
【００３４】誘電体特性の評価は、前記評価用試料を用
いて誘電体円柱共振器法により、共振周波数を６〜８Ｇ
Ｈｚに設定して各試料の比誘電率εｒと７ＧＨｚにおけ
る１／ｔａｎδ、即ちＱ値を測定するとともに、−４０
〜＋８５℃の温度範囲における共振周波数の温度係数τ
ｆを測定した。
いて誘電体円柱共振器法により、共振周波数を６〜８Ｇ
Ｈｚに設定して各試料の比誘電率εｒと７ＧＨｚにおけ
る１／ｔａｎδ、即ちＱ値を測定するとともに、−４０
〜＋８５℃の温度範囲における共振周波数の温度係数τ
ｆを測定した。
【００３５】
【表４】
【００３６】
【表５】
【００３７】
【表６】
【００３８】表４〜６によれば、本発明の誘電体磁器組
成物では、焼結過程における収縮の開始温度が８１５℃
以下、焼成温度が９００〜１０５０℃と比較的低温であ
り、さらに、比誘電率εｒが１８以上、７ＧＨｚにおけ
るＱ値が２０００以上、かつ共振周波数の温度係数τｆ
が±４０以内の優れた特性を有することができることが
わかる。尚、試料Ｎo.１５、１６はＬｉ2 ＣＯ3 の代わ
りにＮａ2 ＣＯ3 を用いた。
成物では、焼結過程における収縮の開始温度が８１５℃
以下、焼成温度が９００〜１０５０℃と比較的低温であ
り、さらに、比誘電率εｒが１８以上、７ＧＨｚにおけ
るＱ値が２０００以上、かつ共振周波数の温度係数τｆ
が±４０以内の優れた特性を有することができることが
わかる。尚、試料Ｎo.１５、１６はＬｉ2 ＣＯ3 の代わ
りにＮａ2 ＣＯ3 を用いた。
【００３９】実施例２ 先ず、純度９９％以上のＭｇＴｉＯ3 、ＣａＴｉＯ3 の
各原料粉末を表７、８に示す量となるように秤量し、該
原料粉末に媒体として純水を加えて２４時間、ＺｒＯ2
ボールを用いたボールミルにて混合した後、該混合物を
乾燥し、次いで該乾燥物を大気中１２００℃の温度で１
時間仮焼した。
各原料粉末を表７、８に示す量となるように秤量し、該
原料粉末に媒体として純水を加えて２４時間、ＺｒＯ2
ボールを用いたボールミルにて混合した後、該混合物を
乾燥し、次いで該乾燥物を大気中１２００℃の温度で１
時間仮焼した。
【００４０】得られた仮焼物にＢ2 Ｏ3 、Ｌｉ2 Ｃ
Ｏ3 、ＳｒＣＯ3 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＷＯ3 、Ｙ
2 Ｏ3 の粉末を表７、８に示す割合となるように秤量
し、上記ボールミルにて２４時間、混合した後、バイン
ダーとしてポリビニルアルコールを１重量％加えてから
造粒し、該造粒物を約１ｔ／ｃｍ2 の加圧力でプレス成
形して直径約１２ｍｍ、高さ１０ｍｍの円柱状の成形体
を作製した。
Ｏ3 、ＳｒＣＯ3 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＷＯ3 、Ｙ
2 Ｏ3 の粉末を表７、８に示す割合となるように秤量
し、上記ボールミルにて２４時間、混合した後、バイン
ダーとしてポリビニルアルコールを１重量％加えてから
造粒し、該造粒物を約１ｔ／ｃｍ2 の加圧力でプレス成
形して直径約１２ｍｍ、高さ１０ｍｍの円柱状の成形体
を作製した。
【００４１】
【表７】
【００４２】
【表８】
【００４３】その後、前記成形体を大気中、４００℃の
温度で４時間加熱して脱バインダー処理し、引き続き表
９、１０に示す各温度で大気中６０分間焼成した。かく
して得られた円柱体の両端面を平面研磨し、誘電体特性
評価用試料を作製した。誘電体特性の評価は、上記と同
様にして求め、その結果を表９、１０に記載した。
温度で４時間加熱して脱バインダー処理し、引き続き表
９、１０に示す各温度で大気中６０分間焼成した。かく
して得られた円柱体の両端面を平面研磨し、誘電体特性
評価用試料を作製した。誘電体特性の評価は、上記と同
様にして求め、その結果を表９、１０に記載した。
【００４４】
【表９】
【００４５】
【表１０】
【００４６】この表９、１０によれば、本発明の誘電体
磁器組成物では、焼結過程における収縮の開始温度が８
１５℃以下、焼成温度が１０５０℃以下と比較的低温で
あり、さらに、比誘電率εｒが１８以上、Ｑ値が３００
０以上、かつ共振周波数の温度係数τｆが±３０以内の
優れた特性を有することがわかる。
磁器組成物では、焼結過程における収縮の開始温度が８
１５℃以下、焼成温度が１０５０℃以下と比較的低温で
あり、さらに、比誘電率εｒが１８以上、Ｑ値が３００
０以上、かつ共振周波数の温度係数τｆが±３０以内の
優れた特性を有することがわかる。
【００４７】
【発明の効果】本発明の誘電体磁器組成物では、焼結過
程における収縮の開始温度を８１５℃以下と導体の収縮
開始温度に近づけることができ、また、焼成温度も１０
５０℃以下と比較的低温であるため、ＡｇやＣｕ等と同
時に焼成でき、かつ、同時焼成したとしても反りや歪み
のない積層体（基板や電子部品）を得ることができる。
程における収縮の開始温度を８１５℃以下と導体の収縮
開始温度に近づけることができ、また、焼成温度も１０
５０℃以下と比較的低温であるため、ＡｇやＣｕ等と同
時に焼成でき、かつ、同時焼成したとしても反りや歪み
のない積層体（基板や電子部品）を得ることができる。
【００４８】さらに、高周波領域において高い比誘電率
（１８以上）を有するとともに、Ｑ値（２０００以上）
も高く、かつ共振周波数の温度特性（±４０以内）にも
優れ、高周波電子回路基板や電子部品のより一層の小型
化と高性能化が実現できる。
（１８以上）を有するとともに、Ｑ値（２０００以上）
も高く、かつ共振周波数の温度特性（±４０以内）にも
優れ、高周波電子回路基板や電子部品のより一層の小型
化と高性能化が実現できる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 久和 登代美 鹿児島県国分市山下町１番４号 京セラ株 式会社総合研究所内
Claims (4)
- 【請求項１】金属元素としてＭｇ、Ｃａ、Ｔｉを含有す
る複合酸化物であって、これらの金属元素酸化物の重量
比による組成式を ａＭｇＯ・ｂＣａＯ・ｃＴｉＯ2 と表した時、前記ａ、ｂ、ｃが ２５．０≦ａ≦３５．０ ０．３≦ｂ≦ ７．０ ６０．０≦ｃ≦７０．０ ａ＋ｂ＋ｃ＝１００ を満足する主成分と、該主成分１００重量部に対して、
硼素含有化合物をＢ2 Ｏ3 換算で３〜２０重量部、アル
カリ金属含有化合物をアルカリ金属炭酸塩換算で１〜１
０重量部、Ｓｒ含有化合物、Ａｌ含有化合物、Ｓｉ含有
化合物、Ｗ含有化合物およびＹ含有化合物のうち少なく
とも１種をそれぞれＳｒＣＯ3 、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｓｉ
Ｏ2 、ＷＯ3 、Ｙ2 Ｏ3 換算で合計０．２〜６重量部含
有してなることを特徴とする誘電体磁器組成物。 - 【請求項２】金属元素としてＭｇ、Ｃａ、Ｔｉを含有す
る複合酸化物であって、その組成式が（１００−ｘ）Ｍ
ｇＴｉＯ3 −ｘＣａＴｉＯ3 （但し、式中ｘは重量比を
表し、１≦ｘ≦１５）で表される主成分と、該主成分１
００重量部に対して、硼素含有化合物をＢ2 Ｏ3 換算で
３〜２０重量部、アルカリ金属含有化合物をアルカリ金
属炭酸塩換算で１〜１０重量部、Ｓｒ含有化合物、Ａｌ
含有化合物、Ｓｉ含有化合物、Ｗ含有化合物およびＹ含
有化合物のうち少なくとも１種をそれぞれＳｒＣＯ3 、
Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＷＯ3 、Ｙ2 Ｏ3 換算で合計
０．２〜６重量部含有してなることを特徴とする誘電体
磁器組成物。 - 【請求項３】誘電体層を複数積層してなる誘電基体の内
部および／または表面に、Ａｇおよび／またはＣｕを主
成分とする導体を有する積層体であって、前記誘電体層
が、請求項１記載の誘電体磁器組成物からなることを特
徴とする積層体。 - 【請求項４】誘電体層を複数積層してなる誘電基体の内
部および／または表面に、Ａｇおよび／またはＣｕを主
成分とする導体を有する積層体であって、前記誘電体層
が、請求項２記載の誘電体磁器組成物からなることを特
徴とする積層体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16863997A JP3631589B2 (ja) | 1997-06-25 | 1997-06-25 | 誘電体磁器組成物および積層体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16863997A JP3631589B2 (ja) | 1997-06-25 | 1997-06-25 | 誘電体磁器組成物および積層体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1112032A true JPH1112032A (ja) | 1999-01-19 |
| JP3631589B2 JP3631589B2 (ja) | 2005-03-23 |
Family
ID=15871776
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16863997A Expired - Fee Related JP3631589B2 (ja) | 1997-06-25 | 1997-06-25 | 誘電体磁器組成物および積層体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3631589B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002193662A (ja) * | 2000-12-27 | 2002-07-10 | Kyocera Corp | 誘電体磁器及びその製造方法 |
| JP2002338333A (ja) * | 2001-05-17 | 2002-11-27 | Tdk Corp | 焼結助剤 |
-
1997
- 1997-06-25 JP JP16863997A patent/JP3631589B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002193662A (ja) * | 2000-12-27 | 2002-07-10 | Kyocera Corp | 誘電体磁器及びその製造方法 |
| JP2002338333A (ja) * | 2001-05-17 | 2002-11-27 | Tdk Corp | 焼結助剤 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3631589B2 (ja) | 2005-03-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2002104870A (ja) | 誘電体磁器および積層体 | |
| JP4632534B2 (ja) | 誘電体磁器及びその製造方法 | |
| JP4482939B2 (ja) | 誘電体磁器組成物、誘電体磁器およびこれを用いた積層セラミック部品 | |
| JP3860687B2 (ja) | 誘電体磁器および積層体 | |
| US5858893A (en) | Ceramic composition with low dielectric constant and method of making same | |
| US6258462B1 (en) | Dielectric ceramic composition and device for communication apparatus using the same | |
| JP3631589B2 (ja) | 誘電体磁器組成物および積層体 | |
| JP3793549B2 (ja) | 誘電体磁器組成物および積層体 | |
| JP2000239061A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP3793550B2 (ja) | 誘電体磁器および積層体 | |
| JP3631607B2 (ja) | 高周波用誘電体磁器および積層体 | |
| JP4249690B2 (ja) | 高周波用誘電体磁器および積層体 | |
| JP3085625B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP2003146752A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP3420430B2 (ja) | 誘電体磁器組成物及び電子部品 | |
| JP3839868B2 (ja) | 誘電体磁器組成物及び電子部品 | |
| JP3754827B2 (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物および積層体 | |
| JP4618856B2 (ja) | 低温焼成磁器 | |
| JP3215012B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP3411190B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP3439959B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP3404220B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP3215004B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP3085635B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH11278925A (ja) | 誘電体磁器組成物および積層体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040831 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041101 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20041207 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20041217 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081224 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091224 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101224 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101224 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111224 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111224 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121224 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121224 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131224 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |