JPH11120512A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH11120512A JPH11120512A JP27863097A JP27863097A JPH11120512A JP H11120512 A JPH11120512 A JP H11120512A JP 27863097 A JP27863097 A JP 27863097A JP 27863097 A JP27863097 A JP 27863097A JP H11120512 A JPH11120512 A JP H11120512A
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高記録密度化に伴い、トラック幅Ｔｗが小さ
くなると、下部コア層と上部コア層との間で発生する漏
れ磁界が、前記トラック幅Ｔｗ内に収まらず、ライトフ
リンジングが発生するといった問題が生じていた。 【解決手段】 下部コア層１の上面からギャップ層２お
よび上部コア層３の先端部３ａにかけて例えばＣｕなど
の非磁性導電層４が成膜されている。従って、下部コア
層１と上部コア層３との間で発生する漏れ磁界のうち、
トラック幅Ｔｗからはみ出る前記漏れ磁界は表皮効果に
より抑え込まれ、ライトフリンジングの発生を抑制する
ことが可能であり、しかも漏れ磁界強度の低下を極力抑
えることができる。なおライトフリンジング量をより小
さくするには、比抵抗の低い非磁性導電材料を使用する
ことと、記録周波数を高くすることである。
くなると、下部コア層と上部コア層との間で発生する漏
れ磁界が、前記トラック幅Ｔｗ内に収まらず、ライトフ
リンジングが発生するといった問題が生じていた。 【解決手段】 下部コア層１の上面からギャップ層２お
よび上部コア層３の先端部３ａにかけて例えばＣｕなど
の非磁性導電層４が成膜されている。従って、下部コア
層１と上部コア層３との間で発生する漏れ磁界のうち、
トラック幅Ｔｗからはみ出る前記漏れ磁界は表皮効果に
より抑え込まれ、ライトフリンジングの発生を抑制する
ことが可能であり、しかも漏れ磁界強度の低下を極力抑
えることができる。なおライトフリンジング量をより小
さくするには、比抵抗の低い非磁性導電材料を使用する
ことと、記録周波数を高くすることである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば浮上式磁気
ヘッドなどに使用されるインダクティブ型の薄膜磁気ヘ
ッドに係り、特にライトフリンジングの発生を抑制でき
るようにした薄膜磁気ヘッドに関する。
ヘッドなどに使用されるインダクティブ型の薄膜磁気ヘ
ッドに係り、特にライトフリンジングの発生を抑制でき
るようにした薄膜磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】図６（ａ）は、従来の薄膜ヘッドを記録
媒体の対向部側から示した部分正面図である。図６
（ａ）に示す薄膜磁気ヘッドは、浮上式ヘッドを構成す
るスライダのトレーリング側端部に形成されたものであ
り、読み出しヘッドと記録用のインダクティブヘッドと
が積層されたものとなっている。符号１は、ＮｉＦｅ系
合金（パーマロイ）またはセンダストなどの高透磁率の
磁性材料で形成された下部コア層である。磁気抵抗効果
素子を利用した読出しヘッドにインダクティブヘッドが
連続して積層された複合型薄膜磁気ヘッドでは、前記下
部コア層１が、インダクティブヘッドのコア層として機
能するだけでなく、読出しヘッドの上部シールド層とし
ても機能している。
媒体の対向部側から示した部分正面図である。図６
（ａ）に示す薄膜磁気ヘッドは、浮上式ヘッドを構成す
るスライダのトレーリング側端部に形成されたものであ
り、読み出しヘッドと記録用のインダクティブヘッドと
が積層されたものとなっている。符号１は、ＮｉＦｅ系
合金（パーマロイ）またはセンダストなどの高透磁率の
磁性材料で形成された下部コア層である。磁気抵抗効果
素子を利用した読出しヘッドにインダクティブヘッドが
連続して積層された複合型薄膜磁気ヘッドでは、前記下
部コア層１が、インダクティブヘッドのコア層として機
能するだけでなく、読出しヘッドの上部シールド層とし
ても機能している。
【０００３】下部コア層１の上には、Ａｌ2Ｏ3（アルミ
ナ）などの非磁性材料で形成されたギャップ層１０が設
けられている。ギャップ層１０の上には、例えばレジス
ト材料や他の有機材料で形成された絶縁層（図示しな
い）が形成されている。前記絶縁層の上には、Ｃｕなど
の電気抵抗の低い導電材料によりコイル層（図示しな
い）が螺旋状に形成されている。
ナ）などの非磁性材料で形成されたギャップ層１０が設
けられている。ギャップ層１０の上には、例えばレジス
ト材料や他の有機材料で形成された絶縁層（図示しな
い）が形成されている。前記絶縁層の上には、Ｃｕなど
の電気抵抗の低い導電材料によりコイル層（図示しな
い）が螺旋状に形成されている。
【０００４】前記コイルの上には、有機樹脂材料などの
絶縁層（図示しない）が形成され、前記絶縁層の上に、
磁性材料の上部コア層６が形成されている。前記上部コ
ア層６の先端部６ａは、図６（ａ）に示すように、下部
コア層１の上にギャップ層１０を介して接合され、ギャ
ップ長Ｇｌの記録用磁気ギャップが形成されている。な
お前記先端部６ａの幅寸法は、トラック幅Ｔｗとほぼ同
じ幅寸法にて形成されている。
絶縁層（図示しない）が形成され、前記絶縁層の上に、
磁性材料の上部コア層６が形成されている。前記上部コ
ア層６の先端部６ａは、図６（ａ）に示すように、下部
コア層１の上にギャップ層１０を介して接合され、ギャ
ップ長Ｇｌの記録用磁気ギャップが形成されている。な
お前記先端部６ａの幅寸法は、トラック幅Ｔｗとほぼ同
じ幅寸法にて形成されている。
【０００５】この記録用のインダクティブヘッドでは、
コイル層に記録電流が与えられると、下部コア層１およ
び上部コア層６に記録磁界が誘導され、下部コア層１と
上部コア層６の先端部６ａとの磁気ギャップ部分からの
漏れ磁界により、ハードディスクなどの記録媒体に記録
信号が記録される。インダクティブヘッドの下に形成さ
れている読出しヘッドは、図に示すように、下部シール
ド層１１の上に下部ギャップ層１２ａを介して磁気抵抗
効果素子層１３が設けられ、さらにこの磁気抵抗効果素
子層１３の上に上部ギャップ層１２ｂを介して前記下部
コア層１が形成されている。前述したように、読出しヘ
ッドでは、前記下部コア層１は上部シールド層として機
能している。
コイル層に記録電流が与えられると、下部コア層１およ
び上部コア層６に記録磁界が誘導され、下部コア層１と
上部コア層６の先端部６ａとの磁気ギャップ部分からの
漏れ磁界により、ハードディスクなどの記録媒体に記録
信号が記録される。インダクティブヘッドの下に形成さ
れている読出しヘッドは、図に示すように、下部シール
ド層１１の上に下部ギャップ層１２ａを介して磁気抵抗
効果素子層１３が設けられ、さらにこの磁気抵抗効果素
子層１３の上に上部ギャップ層１２ｂを介して前記下部
コア層１が形成されている。前述したように、読出しヘ
ッドでは、前記下部コア層１は上部シールド層として機
能している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】最近では、高密度記録
化に伴いトラック幅Ｔｗが小さくなる傾向にあるが、ト
ラック幅Ｔｗを小さくすると、下部コア層１と上部コア
層６の先端部６ａとの間で発生するトラック幅Ｔｗ内で
の漏れ磁界強度が低下するといった問題が発生してしま
う。図７は、トラック幅Ｔｗと漏れ磁界強度との関係を
示すグラフであるが、図に示すように、トラック幅Ｔｗ
が約３μｍ以下になると、漏れ磁界強度が急激に低下す
るのがわかる。このようにトラック幅Ｔｗの狭小化に伴
い、前記トラック幅Ｔｗ内における漏れ磁界強度（記録
磁界強度）が低下してしまうのは、下部コア層１と上部
コア層６間の漏れ磁界が前記トラック幅Ｔｗ内のみに収
まらず、トラック幅Ｔｗ外に漏れやすくなるからであ
る。
化に伴いトラック幅Ｔｗが小さくなる傾向にあるが、ト
ラック幅Ｔｗを小さくすると、下部コア層１と上部コア
層６の先端部６ａとの間で発生するトラック幅Ｔｗ内で
の漏れ磁界強度が低下するといった問題が発生してしま
う。図７は、トラック幅Ｔｗと漏れ磁界強度との関係を
示すグラフであるが、図に示すように、トラック幅Ｔｗ
が約３μｍ以下になると、漏れ磁界強度が急激に低下す
るのがわかる。このようにトラック幅Ｔｗの狭小化に伴
い、前記トラック幅Ｔｗ内における漏れ磁界強度（記録
磁界強度）が低下してしまうのは、下部コア層１と上部
コア層６間の漏れ磁界が前記トラック幅Ｔｗ内のみに収
まらず、トラック幅Ｔｗ外に漏れやすくなるからであ
る。
【０００７】図６（ｂ）は、図６（ａ）に示したインダ
クティブヘッドを用いて記録媒体に磁気データを記録し
たときの記録パターン１４を示している。トラック幅Ｔ
ｗが小さくなると、前記記録パターン１４の両側部に、
本来のトラック幅Ｔｗからはみ出るライトフリンジング
（書込み滲み）が発生しやすくなり、その結果、前記の
ようにトラック幅Ｔｗ内での漏れ磁界強度が低下し、且
つ記録媒体に書込まれた記録パターン１４の実質的な幅
Ｔｆが、前記トラック幅Ｔｗよりも広くなる。ライトフ
リンジングが発生すると、書込まれた記録媒体でのトラ
ック位置検出を正確に行うことができず、トラッキング
サーボエラーを引き起こしやすくなる。
クティブヘッドを用いて記録媒体に磁気データを記録し
たときの記録パターン１４を示している。トラック幅Ｔ
ｗが小さくなると、前記記録パターン１４の両側部に、
本来のトラック幅Ｔｗからはみ出るライトフリンジング
（書込み滲み）が発生しやすくなり、その結果、前記の
ようにトラック幅Ｔｗ内での漏れ磁界強度が低下し、且
つ記録媒体に書込まれた記録パターン１４の実質的な幅
Ｔｆが、前記トラック幅Ｔｗよりも広くなる。ライトフ
リンジングが発生すると、書込まれた記録媒体でのトラ
ック位置検出を正確に行うことができず、トラッキング
サーボエラーを引き起こしやすくなる。
【０００８】本発明は上記従来の課題を解決するための
ものであり、表皮効果によりライトフリンジングを十分
に抑制できるようにし、しかも漏れ磁界強度の低下を極
力抑えることができるようにした薄膜磁気ヘッドを提供
することを目的としている。
ものであり、表皮効果によりライトフリンジングを十分
に抑制できるようにし、しかも漏れ磁界強度の低下を極
力抑えることができるようにした薄膜磁気ヘッドを提供
することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、磁性材料の下
部コア層と、所定の幅Ｔｗを有する上部コア層との間
に、非磁性材料のギャップ層が形成され、さらに前記下
部コア層及び上部コア層に記録磁界を誘導する磁気発生
手段が設けられて成る薄膜磁気ヘッドにおいて、前記ギ
ャップ層のトラック幅方向の両側を覆い、且つ下部コア
層から上部コア層にかけて形成された非磁性導電層が設
けられていることを特徴とするものである。
部コア層と、所定の幅Ｔｗを有する上部コア層との間
に、非磁性材料のギャップ層が形成され、さらに前記下
部コア層及び上部コア層に記録磁界を誘導する磁気発生
手段が設けられて成る薄膜磁気ヘッドにおいて、前記ギ
ャップ層のトラック幅方向の両側を覆い、且つ下部コア
層から上部コア層にかけて形成された非磁性導電層が設
けられていることを特徴とするものである。
【００１０】上記において、前記ギャップ層が、上部コ
ア層と同じ幅寸法Ｔｗで形成され、前記非磁性導電層
が、下部コア層の上面から前記ギャップ層および上部コ
ア層の両側面にかけて形成されているものであってもよ
い。
ア層と同じ幅寸法Ｔｗで形成され、前記非磁性導電層
が、下部コア層の上面から前記ギャップ層および上部コ
ア層の両側面にかけて形成されているものであってもよ
い。
【００１１】また前記ギャップ層が上部コア層と同じ幅
寸法Ｔｗで形成され、さらに前記下部コア層には、前記
ギャップ層と接する部分に、前記幅寸法Ｔｗとほぼ同じ
幅寸法Ｔ2を有する隆起部が設けられており、前記非磁
性導電層が、前記下部コア層の上面から前記隆起部、前
記ギャップ層、および上部コア層の両側面にかけて形成
されているものであってもよい。
寸法Ｔｗで形成され、さらに前記下部コア層には、前記
ギャップ層と接する部分に、前記幅寸法Ｔｗとほぼ同じ
幅寸法Ｔ2を有する隆起部が設けられており、前記非磁
性導電層が、前記下部コア層の上面から前記隆起部、前
記ギャップ層、および上部コア層の両側面にかけて形成
されているものであってもよい。
【００１２】また本発明は、磁性材料の下部コア層と、
所定の幅Ｔｗを有する上部コア層との間に、非磁性材料
のギャップ層が形成され、さらに前記下部コア層及び上
部コア層に記録磁界を誘導する磁気発生手段が設けられ
て成る薄膜磁気ヘッドにおいて、前記ギャップ層が、ギ
ャップ深さＧｄとほぼ同じ長さで形成され、前記非磁性
導電層が、下部コア層からギャップ層および上部コア層
の裏面にかけて形成されていることを特徴とするもので
ある。
所定の幅Ｔｗを有する上部コア層との間に、非磁性材料
のギャップ層が形成され、さらに前記下部コア層及び上
部コア層に記録磁界を誘導する磁気発生手段が設けられ
て成る薄膜磁気ヘッドにおいて、前記ギャップ層が、ギ
ャップ深さＧｄとほぼ同じ長さで形成され、前記非磁性
導電層が、下部コア層からギャップ層および上部コア層
の裏面にかけて形成されていることを特徴とするもので
ある。
【００１３】このように本発明では、前記非磁性導電層
が、下部コア層から上部コア層の両側面にかけて形成さ
れているだけでなく、下部コア層から上部コア層の裏面
にかけて形成されていてもよい。
が、下部コア層から上部コア層の両側面にかけて形成さ
れているだけでなく、下部コア層から上部コア層の裏面
にかけて形成されていてもよい。
【００１４】本発明では、前記非磁性導電層の膜厚は、
０．３〜２．０μｍの範囲内であり、しかも少なくとも
薄膜磁気ヘッド駆動時の記録周波数における表皮厚さＳ
（Ｓは数１の通り）以上で形成されていることが好まし
い。なお、μは透磁率、ｆは記録周波数、ρは比抵抗で
ある。
０．３〜２．０μｍの範囲内であり、しかも少なくとも
薄膜磁気ヘッド駆動時の記録周波数における表皮厚さＳ
（Ｓは数１の通り）以上で形成されていることが好まし
い。なお、μは透磁率、ｆは記録周波数、ρは比抵抗で
ある。
【００１５】また本発明では、前記非磁性導電層が、Ａ
ｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｐｔのいずれか１種または２種以上の
元素により形成されていることが好ましい。
ｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｐｔのいずれか１種または２種以上の
元素により形成されていることが好ましい。
【００１６】本発明では、前記非磁性導電層が、Ａｕま
たはＣｕで形成され、記録周波数が５０ＭＨｚ以上であ
る場合、前記非磁性導電層の膜厚は、約０．９〜２．０
μｍの範囲内であることが好ましい。
たはＣｕで形成され、記録周波数が５０ＭＨｚ以上であ
る場合、前記非磁性導電層の膜厚は、約０．９〜２．０
μｍの範囲内であることが好ましい。
【００１７】また、前記非磁性導電層が、ＡｕまたはＣ
ｕで形成され、記録周波数が１００ＭＨｚ以上である場
合、前記非磁性導電層の膜厚は約０．６〜２．０μｍの
範囲内であることが好ましい。
ｕで形成され、記録周波数が１００ＭＨｚ以上である場
合、前記非磁性導電層の膜厚は約０．６〜２．０μｍの
範囲内であることが好ましい。
【００１８】さらに、前記非磁性導電層が、Ａｕまたは
Ｃｕで形成され、記録周波数が５００ＭＨｚ以上である
場合、前記非磁性導電層の膜厚は約０．３〜２．０μｍ
の範囲内であることが好ましい。
Ｃｕで形成され、記録周波数が５００ＭＨｚ以上である
場合、前記非磁性導電層の膜厚は約０．３〜２．０μｍ
の範囲内であることが好ましい。
【００１９】また、前記非磁性導電層がＡｇで形成さ
れ、記録周波数が、５０ＭＨｚ以上である場合、前記非
磁性導電層の膜厚は、約１．０〜２．０μｍの範囲内で
あることが好ましい。
れ、記録周波数が、５０ＭＨｚ以上である場合、前記非
磁性導電層の膜厚は、約１．０〜２．０μｍの範囲内で
あることが好ましい。
【００２０】また、前記非磁性導電層がＡｇで形成さ
れ、記録周波数が、１００ＭＨｚ以上である場合、前記
非磁性導電層の膜厚は、０．７〜２．０μｍの範囲内で
あることが好ましい。
れ、記録周波数が、１００ＭＨｚ以上である場合、前記
非磁性導電層の膜厚は、０．７〜２．０μｍの範囲内で
あることが好ましい。
【００２１】さらに、前記非磁性導電層が、Ａｇで形成
され、記録周波数が５００ＭＨｚ以上である場合、前記
非磁性導電層の膜厚は、約０．３〜２．０μｍの範囲内
であることが好ましい。
され、記録周波数が５００ＭＨｚ以上である場合、前記
非磁性導電層の膜厚は、約０．３〜２．０μｍの範囲内
であることが好ましい。
【００２２】また前記非磁性導電層が、Ｐｔで形成さ
れ、記録周波数が１００ＭＨｚ以上である場合、前記非
磁性導電層の膜厚は、約１．８〜２．０μｍの範囲内で
あることが好ましい。
れ、記録周波数が１００ＭＨｚ以上である場合、前記非
磁性導電層の膜厚は、約１．８〜２．０μｍの範囲内で
あることが好ましい。
【００２３】本発明では、下部コア層の上面から上部コ
ア層の両側面にかけて比抵抗の低い非磁性導電層を成膜
し、表皮効果により、トラック幅Ｔｗから滲み出る漏れ
磁界を抑え込み、ライトフリンジングを抑制すると同時
に漏れ磁界強度の低下を極力抑えるものである。
ア層の両側面にかけて比抵抗の低い非磁性導電層を成膜
し、表皮効果により、トラック幅Ｔｗから滲み出る漏れ
磁界を抑え込み、ライトフリンジングを抑制すると同時
に漏れ磁界強度の低下を極力抑えるものである。
【００２４】ここで表皮効果とは、高周波電流や電磁波
が導体の表面層に局限されて内部に入らない現象をい
う。
が導体の表面層に局限されて内部に入らない現象をい
う。
【００２５】つまり本発明でいうならば、例えば図１に
示す下部コア層１と上部コア層６との間で発生する漏れ
磁界のうち、トラック幅Ｔｗ内に収まらない漏れ磁界
が、表皮効果により非磁性導電層７の表面層しか伝わら
ず、従って従来に比べて十分にライトフリンジングを抑
制することができ、しかも漏れ磁界強度も従来に比べて
低下しない。
示す下部コア層１と上部コア層６との間で発生する漏れ
磁界のうち、トラック幅Ｔｗ内に収まらない漏れ磁界
が、表皮効果により非磁性導電層７の表面層しか伝わら
ず、従って従来に比べて十分にライトフリンジングを抑
制することができ、しかも漏れ磁界強度も従来に比べて
低下しない。
【００２６】なお前記非磁性導電層７の厚さ寸法Ｔ1
は、表皮厚さ（skin depth）と同じかあるいはそれ以上
の寸法で決められている。
は、表皮厚さ（skin depth）と同じかあるいはそれ以上
の寸法で決められている。
【００２７】ここで表皮厚さとは、磁界の強さが表面の
１／ｅの強さになる厚さをいう。前記表皮厚さＳは、数
１の関係式で求めることができるが、表皮厚さはできる
限り薄い方が、ライトフリンジング量をより小さくする
ことができる点で好ましい。なお前述した式からわかる
ように、表皮厚さをできる限り薄くするには、比抵抗ρ
の小さい材料を選択することが必要であり、また使用す
る磁界の周波数ｆが高いほど効果があることがわかる。
１／ｅの強さになる厚さをいう。前記表皮厚さＳは、数
１の関係式で求めることができるが、表皮厚さはできる
限り薄い方が、ライトフリンジング量をより小さくする
ことができる点で好ましい。なお前述した式からわかる
ように、表皮厚さをできる限り薄くするには、比抵抗ρ
の小さい材料を選択することが必要であり、また使用す
る磁界の周波数ｆが高いほど効果があることがわかる。
【００２８】つまり本発明によれば、記録周波数がより
高周波数帯域になるほど、より表皮効果を発揮すること
ができ、ライトフリンジング量を小さく抑えることがで
きる。
高周波数帯域になるほど、より表皮効果を発揮すること
ができ、ライトフリンジング量を小さく抑えることがで
きる。
【００２９】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の第１実施形態の
薄膜磁気ヘッドの構造を示す部分正面図、図２は、図１
に示す薄膜磁気ヘッドの縦断面図、図３は本発明の第２
実施形態の薄膜磁気ヘッドの構造を示す部分正面図であ
る。図１、図３に示す薄膜磁気ヘッドは、書込み用のい
わゆるインダクティブヘッドであり、このインダクティ
ブヘッドの下には、図６に示す磁気抵抗効果素子層１３
と下部シールド層１１とを有する読出しヘッドが設けら
れている。
薄膜磁気ヘッドの構造を示す部分正面図、図２は、図１
に示す薄膜磁気ヘッドの縦断面図、図３は本発明の第２
実施形態の薄膜磁気ヘッドの構造を示す部分正面図であ
る。図１、図３に示す薄膜磁気ヘッドは、書込み用のい
わゆるインダクティブヘッドであり、このインダクティ
ブヘッドの下には、図６に示す磁気抵抗効果素子層１３
と下部シールド層１１とを有する読出しヘッドが設けら
れている。
【００３０】図１に示す符号１は、ＮｉＦｅ系合金（パ
ーマロイ）などの高透磁率の軟磁性材料で形成された下
部コア層１である。この下部コア層１は、前述した読出
しヘッドの上部シールド層としても機能している。前記
下部コア層１の上には、絶縁材料で形成されたギャップ
層２が形成されている。このギャップ層２の幅寸法は、
後述する上部コア層６の幅寸法（＝トラック幅Ｔｗ）と
ほぼ同じ幅寸法にて形成されている。
ーマロイ）などの高透磁率の軟磁性材料で形成された下
部コア層１である。この下部コア層１は、前述した読出
しヘッドの上部シールド層としても機能している。前記
下部コア層１の上には、絶縁材料で形成されたギャップ
層２が形成されている。このギャップ層２の幅寸法は、
後述する上部コア層６の幅寸法（＝トラック幅Ｔｗ）と
ほぼ同じ幅寸法にて形成されている。
【００３１】また図２に示すように、前記ギャップ層２
の長さ寸法は、磁気ギャップ深さＧｄとほぼ同じ長さ寸
法になっている。さらに図２に示すように前記下部コア
層１上には、有機樹脂材料例えばレジスト材料の絶縁層
３が形成されており、この絶縁層の上に、Ｃｕなどの電
気抵抗の小さい導電性材料により螺旋状のコイル層４が
形成されている。さらに前記コイル層４の上には、有機
樹脂材料の絶縁層５が形成されている。
の長さ寸法は、磁気ギャップ深さＧｄとほぼ同じ長さ寸
法になっている。さらに図２に示すように前記下部コア
層１上には、有機樹脂材料例えばレジスト材料の絶縁層
３が形成されており、この絶縁層の上に、Ｃｕなどの電
気抵抗の小さい導電性材料により螺旋状のコイル層４が
形成されている。さらに前記コイル層４の上には、有機
樹脂材料の絶縁層５が形成されている。
【００３２】そして、前記絶縁層５の上には、パーマロ
イなどの磁性材料製の上部コア層６が形成されている。
前記上部コア層６の先端部６ａは、図１に示すように、
下部コア層１の対向面上に、ギャップ層２を介して接合
され、ギャップ長Ｇｌの磁気ギャップが形成されてい
る。また前記上部コア層６の先端部６ａの幅寸法は、ト
ラック幅Ｔｗと同じ寸法で決められている。図１に示す
ように、下部コア層１の上面から、ギャップ層２および
上部コア層６の両側面、および上部コア層６の上面にか
けて非磁性導電層７が成膜されている。
イなどの磁性材料製の上部コア層６が形成されている。
前記上部コア層６の先端部６ａは、図１に示すように、
下部コア層１の対向面上に、ギャップ層２を介して接合
され、ギャップ長Ｇｌの磁気ギャップが形成されてい
る。また前記上部コア層６の先端部６ａの幅寸法は、ト
ラック幅Ｔｗと同じ寸法で決められている。図１に示す
ように、下部コア層１の上面から、ギャップ層２および
上部コア層６の両側面、および上部コア層６の上面にか
けて非磁性導電層７が成膜されている。
【００３３】本発明では、前記非磁性導電層７の膜厚Ｔ
1は、０．３〜２．０μｍの範囲内であることが好まし
い。前記非磁性導電層７の膜厚Ｔ1が、２．０μｍ以上
になると、膜応力により、前記非磁性導電層７が膜剥が
れを起こす可能性が高くなるので好ましくない。また前
記非磁性導電層７の膜厚Ｔ1が、０．３μｍ以下になる
と、特に図１に示すギャップ層２の両側面に前記非磁性
導電層７が成膜されにくく、ライトフリンジングを適性
に抑制することができなくなり好ましくない。
1は、０．３〜２．０μｍの範囲内であることが好まし
い。前記非磁性導電層７の膜厚Ｔ1が、２．０μｍ以上
になると、膜応力により、前記非磁性導電層７が膜剥が
れを起こす可能性が高くなるので好ましくない。また前
記非磁性導電層７の膜厚Ｔ1が、０．３μｍ以下になる
と、特に図１に示すギャップ層２の両側面に前記非磁性
導電層７が成膜されにくく、ライトフリンジングを適性
に抑制することができなくなり好ましくない。
【００３４】なお本発明で、前記非磁性導電層７の膜厚
Ｔ1の下限を０．３μｍとしたのは、ギャップ長Ｇｌが
約０．３μｍであるからである。つまり前記ギャップ長
Ｇｌがさらに小さくなれば、それに併せて、前記非磁性
導電層７の膜厚Ｔ1の下限を小さくすることが可能であ
る。さらに本発明では、前記非磁性導電層７の膜厚Ｔ1
は、薄膜磁気ヘッド駆動時の記録周波数における表皮厚
さ以上で形成されている必要がある。表皮厚さＳは数１
の関係式により求めることができる。この表皮厚さＳ
は、非磁性導電層７とギャップ層２と境界面を非磁性導
電層７の表面７ａとしたときに、非磁性導電層７内にお
いて磁界の強さが表面７ａの強さの１／ｅになる位置の
前記表面７ａからの深さを意味する。なおｅは自然対数
の底である。
Ｔ1の下限を０．３μｍとしたのは、ギャップ長Ｇｌが
約０．３μｍであるからである。つまり前記ギャップ長
Ｇｌがさらに小さくなれば、それに併せて、前記非磁性
導電層７の膜厚Ｔ1の下限を小さくすることが可能であ
る。さらに本発明では、前記非磁性導電層７の膜厚Ｔ1
は、薄膜磁気ヘッド駆動時の記録周波数における表皮厚
さ以上で形成されている必要がある。表皮厚さＳは数１
の関係式により求めることができる。この表皮厚さＳ
は、非磁性導電層７とギャップ層２と境界面を非磁性導
電層７の表面７ａとしたときに、非磁性導電層７内にお
いて磁界の強さが表面７ａの強さの１／ｅになる位置の
前記表面７ａからの深さを意味する。なおｅは自然対数
の底である。
【００３５】少なくとも前記非磁性導電層７の膜厚Ｔ1
が、表皮厚さＳ以上で形成されていないと、トラック幅
Ｔｗからはみ出る漏れ磁界を抑え込み、十分にライトフ
リンジングの発生を抑制する効果を期待できない。前述
の式を見てわかるように、できる限り比抵抗ρの小さい
材質を使用し、記録周波数ｆが高い領域で使用すること
で、前記表皮厚さを薄くすることができ、よりライトフ
リンジング量を小さくすることができる。なお透磁率μ
はほぼ１である。
が、表皮厚さＳ以上で形成されていないと、トラック幅
Ｔｗからはみ出る漏れ磁界を抑え込み、十分にライトフ
リンジングの発生を抑制する効果を期待できない。前述
の式を見てわかるように、できる限り比抵抗ρの小さい
材質を使用し、記録周波数ｆが高い領域で使用すること
で、前記表皮厚さを薄くすることができ、よりライトフ
リンジング量を小さくすることができる。なお透磁率μ
はほぼ１である。
【００３６】また本発明では、図２に示すように、前記
非磁性導電層７が、下部コア層１上面からギャップ層２
および上部コア層６の裏面にかけて形成されていてもよ
い。なおこの場合の前記非磁性導電層７の膜厚Ｔ1も、
０．３〜２．０μｍの範囲内で形成され、且つ前記膜厚
Ｔ1は、少なくとも表皮厚さＳ以上で形成されている必
要がある。
非磁性導電層７が、下部コア層１上面からギャップ層２
および上部コア層６の裏面にかけて形成されていてもよ
い。なおこの場合の前記非磁性導電層７の膜厚Ｔ1も、
０．３〜２．０μｍの範囲内で形成され、且つ前記膜厚
Ｔ1は、少なくとも表皮厚さＳ以上で形成されている必
要がある。
【００３７】下部コア層１上面から上部コア層６の裏面
にかけて非磁性導電層７を成膜する方法は、まずギャッ
プ層２が形成される下部コア層１上に、長さ寸法が磁気
ギャップ深さＧｄと同程度のレジスト層を形成し、前記
レジスト層の後側に、非磁性導電層７を成膜する。なお
前記非磁性導電層７の高さ寸法ｈ1は、ギャップ長Ｇｌ
よりも大きくなるようにしておく必要がある。さらに、
前記非磁性導電層７の上面、および前記非磁性導電層７
の後側の下部コア層１の上面にかけて絶縁層３を形成
し、前記絶縁層３の上に、コイル層４、および絶縁層５
を成膜する。
にかけて非磁性導電層７を成膜する方法は、まずギャッ
プ層２が形成される下部コア層１上に、長さ寸法が磁気
ギャップ深さＧｄと同程度のレジスト層を形成し、前記
レジスト層の後側に、非磁性導電層７を成膜する。なお
前記非磁性導電層７の高さ寸法ｈ1は、ギャップ長Ｇｌ
よりも大きくなるようにしておく必要がある。さらに、
前記非磁性導電層７の上面、および前記非磁性導電層７
の後側の下部コア層１の上面にかけて絶縁層３を形成
し、前記絶縁層３の上に、コイル層４、および絶縁層５
を成膜する。
【００３８】そして、前記レジスト層を除去し、前記レ
ジスト層を除去した部分に、ギャップ層２を形成し、さ
らに前記ギャップ層２上から絶縁層５上面にかけて上部
コア層６を形成する。以上のように、下部コア層１上面
から上部コア層６の裏面にかけて前記非磁性導電層７が
形成されることで、裏側から漏れる記録磁界を抑え込む
ことができ、漏れ磁界強度をより強くすることが可能に
なる。
ジスト層を除去した部分に、ギャップ層２を形成し、さ
らに前記ギャップ層２上から絶縁層５上面にかけて上部
コア層６を形成する。以上のように、下部コア層１上面
から上部コア層６の裏面にかけて前記非磁性導電層７が
形成されることで、裏側から漏れる記録磁界を抑え込む
ことができ、漏れ磁界強度をより強くすることが可能に
なる。
【００３９】本発明では、前記非磁性導電層７を構成す
る材質としてＡｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｐｔを提示することが
できる。ただし本発明では、これらの材質に限定するも
のではなく、非磁性の導電材料でしかも比抵抗がある程
度低い材料であれば前記非磁性導電層７として使用する
ことができる。本発明では、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｐｔを
用いて、周波数と各元素における表皮厚さ（skin dept
h）との関係について調べた。その結果を図４に示す。
る材質としてＡｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｐｔを提示することが
できる。ただし本発明では、これらの材質に限定するも
のではなく、非磁性の導電材料でしかも比抵抗がある程
度低い材料であれば前記非磁性導電層７として使用する
ことができる。本発明では、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｐｔを
用いて、周波数と各元素における表皮厚さ（skin dept
h）との関係について調べた。その結果を図４に示す。
【００４０】図４に示すように、周波数が高くなるほ
ど、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｐｔの表皮厚さは小さくなって
いることがわかる。また４つの元素のうち最も表皮厚さ
が厚くなるのは、Ｐｔであるが、これはＰｔがＡｕ，Ａ
ｇ，Ｃｕに比べて高い比抵抗ρを有しているからであ
る。例えば、前記非磁性導電層７としてＡｕあるいはＣ
ｕを使用し、記録周波数が５０ＭＨｚ以上である場合、
前記非磁性導電層７の表皮厚さＳは、約０．９μｍ以下
となる。よって、前記非磁性導電層７の膜厚Ｔ1を０．
９μｍ以上にすると、表皮厚さＳ以上に保つことがで
き、表皮効果によりライトフリンジングを十分に抑制す
る効果を有効に発揮できる。前記のように、非磁性導電
層７の膜厚Ｔ1の上限は、膜剥がれを防止するために
２．０μｍ以下であることが好ましい。よって記録周波
数が５０ＭＨｚ以上である場合、前記膜厚Ｔ1の好まし
い範囲は、０．９〜２．０μｍである。
ど、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｐｔの表皮厚さは小さくなって
いることがわかる。また４つの元素のうち最も表皮厚さ
が厚くなるのは、Ｐｔであるが、これはＰｔがＡｕ，Ａ
ｇ，Ｃｕに比べて高い比抵抗ρを有しているからであ
る。例えば、前記非磁性導電層７としてＡｕあるいはＣ
ｕを使用し、記録周波数が５０ＭＨｚ以上である場合、
前記非磁性導電層７の表皮厚さＳは、約０．９μｍ以下
となる。よって、前記非磁性導電層７の膜厚Ｔ1を０．
９μｍ以上にすると、表皮厚さＳ以上に保つことがで
き、表皮効果によりライトフリンジングを十分に抑制す
る効果を有効に発揮できる。前記のように、非磁性導電
層７の膜厚Ｔ1の上限は、膜剥がれを防止するために
２．０μｍ以下であることが好ましい。よって記録周波
数が５０ＭＨｚ以上である場合、前記膜厚Ｔ1の好まし
い範囲は、０．９〜２．０μｍである。
【００４１】また前記非磁性導電層７としてＡｕまたは
Ｃｕを使用し、記録周波数が１００ＭＨｚ以上である場
合、１００ＭＨｚにおける表皮厚さＳは約０．６μｍ以
下であるので、前記非磁性導電層の膜厚Ｔ1は約０．６
〜２．０μｍの範囲内であることが好ましい。すなわち
前記非磁性導電層７の膜厚Ｔ1は、表皮厚さＳ以上に形
成されれば、十分にライトフリンジングを抑制すること
が可能である。同様に前記非磁性導電層７をＡｕまたは
Ｃｕで形成し、記録周波数帯域が５００ＭＨｚ以上であ
る場合、前記非磁性導電層７の膜厚Ｔ1は約０．３〜
２．０μｍの範囲内であれば、前記非磁性導電層７の膜
厚Ｔ1は確実に表皮厚さ以上を保つことができるので、
表皮効果によりライトフリンジングを十分に抑制するこ
とが可能である。
Ｃｕを使用し、記録周波数が１００ＭＨｚ以上である場
合、１００ＭＨｚにおける表皮厚さＳは約０．６μｍ以
下であるので、前記非磁性導電層の膜厚Ｔ1は約０．６
〜２．０μｍの範囲内であることが好ましい。すなわち
前記非磁性導電層７の膜厚Ｔ1は、表皮厚さＳ以上に形
成されれば、十分にライトフリンジングを抑制すること
が可能である。同様に前記非磁性導電層７をＡｕまたは
Ｃｕで形成し、記録周波数帯域が５００ＭＨｚ以上であ
る場合、前記非磁性導電層７の膜厚Ｔ1は約０．３〜
２．０μｍの範囲内であれば、前記非磁性導電層７の膜
厚Ｔ1は確実に表皮厚さ以上を保つことができるので、
表皮効果によりライトフリンジングを十分に抑制するこ
とが可能である。
【００４２】次に前記非磁性導電層７をＡｇで形成し、
記録周波数帯域が、５０ＭＨｚ以上である場合、前記非
磁性導電層７の膜厚Ｔ1の好ましい範囲は、約１．０〜
２．０μｍである。また前記非磁性導電層７をＡｇで形
成し、記録周波数が、１００ＭＨｚ以上である場合、前
記非磁性導電層７の膜厚Ｔ1の好ましい範囲は、０．７
〜２．０μｍの範囲内である。
記録周波数帯域が、５０ＭＨｚ以上である場合、前記非
磁性導電層７の膜厚Ｔ1の好ましい範囲は、約１．０〜
２．０μｍである。また前記非磁性導電層７をＡｇで形
成し、記録周波数が、１００ＭＨｚ以上である場合、前
記非磁性導電層７の膜厚Ｔ1の好ましい範囲は、０．７
〜２．０μｍの範囲内である。
【００４３】さらに、前記非磁性導電層７をＡｇで形成
し、記録周波数が５００ＭＨｚ以上である場合、前記非
磁性導電層７の膜厚Ｔ1の好ましい範囲は、約０．３〜
２．０μｍである。また前記非磁性導電層７をＰｔで形
成し、記録周波数が１００ＭＨｚ以上である場合、前記
非磁性導電層７の膜厚Ｔ1の好ましい範囲は、約１．８
〜２．０μｍである。
し、記録周波数が５００ＭＨｚ以上である場合、前記非
磁性導電層７の膜厚Ｔ1の好ましい範囲は、約０．３〜
２．０μｍである。また前記非磁性導電層７をＰｔで形
成し、記録周波数が１００ＭＨｚ以上である場合、前記
非磁性導電層７の膜厚Ｔ1の好ましい範囲は、約１．８
〜２．０μｍである。
【００４４】図５は、表皮厚さを０．３μｍとした場合
の、周波数と比抵抗との関係を示すグラフである。例え
ば記録周波数が５０ＭＨｚである場合、非磁性導電材料
に必要な比抵抗は約０．００３（μΩ・ｃｍ）以下であ
ることがわかる。また例えば記録周波数が１００ＭＨｚ
とした場合、非磁性導電性材料に必要な比抵抗は約０．
００６（μΩ・ｃｍ）以下であることがわかる。
の、周波数と比抵抗との関係を示すグラフである。例え
ば記録周波数が５０ＭＨｚである場合、非磁性導電材料
に必要な比抵抗は約０．００３（μΩ・ｃｍ）以下であ
ることがわかる。また例えば記録周波数が１００ＭＨｚ
とした場合、非磁性導電性材料に必要な比抵抗は約０．
００６（μΩ・ｃｍ）以下であることがわかる。
【００４５】逆に言えば、非磁性導電層７に比抵抗が
０．００６（μΩ・ｃｍ）以上の非磁性導電材料を使用
し、前記非磁性導電層７の膜厚Ｔ1を０．３μｍとした
場合、記録周波数が１００ＭＨｚ以下であると、前記非
磁性導電層７の膜厚は表皮厚さを確保することができ
ず、十分にライトフリンジングの発生を抑制することが
できないという問題が生じる。逆に、比抵抗が０．００
３（μΩ・ｃｍ）以下で、膜厚Ｔ1が０．３μｍ以上で
あれば、５０ＭＨｚ以上の記録周波数において使用で
き、比抵抗が０．００６（μΩ・ｃｍ）以下で、膜厚Ｔ
1が０．３μｍ以上であれば、１００ＭＨｚ以上の記録
周波数において使用することができる。
０．００６（μΩ・ｃｍ）以上の非磁性導電材料を使用
し、前記非磁性導電層７の膜厚Ｔ1を０．３μｍとした
場合、記録周波数が１００ＭＨｚ以下であると、前記非
磁性導電層７の膜厚は表皮厚さを確保することができ
ず、十分にライトフリンジングの発生を抑制することが
できないという問題が生じる。逆に、比抵抗が０．００
３（μΩ・ｃｍ）以下で、膜厚Ｔ1が０．３μｍ以上で
あれば、５０ＭＨｚ以上の記録周波数において使用で
き、比抵抗が０．００６（μΩ・ｃｍ）以下で、膜厚Ｔ
1が０．３μｍ以上であれば、１００ＭＨｚ以上の記録
周波数において使用することができる。
【００４６】以上のように本発明では、下部コア層１の
上面から上部コア層６の両側面にかけて非磁性導電層７
を成膜し、前記非磁性導電層７の膜厚Ｔ1を、少なくと
もその記録周波数における表皮厚さ以上で形成している
ので、トラック幅Ｔｗから滲み出る漏れ磁界を表皮効果
により抑え込み、十分にライトフリンジングの発生を抑
制することが可能となる。また最近では高記録密度化に
対応するために、トラック幅Ｔｗを小さくすると同時
に、記録周波数を高める傾向にあるが、特に本発明で
は、高周波数帯域になるほど、表皮厚さを薄くすること
ができるので、よりライトフリンジング量を小さくする
ことが可能となる。
上面から上部コア層６の両側面にかけて非磁性導電層７
を成膜し、前記非磁性導電層７の膜厚Ｔ1を、少なくと
もその記録周波数における表皮厚さ以上で形成している
ので、トラック幅Ｔｗから滲み出る漏れ磁界を表皮効果
により抑え込み、十分にライトフリンジングの発生を抑
制することが可能となる。また最近では高記録密度化に
対応するために、トラック幅Ｔｗを小さくすると同時
に、記録周波数を高める傾向にあるが、特に本発明で
は、高周波数帯域になるほど、表皮厚さを薄くすること
ができるので、よりライトフリンジング量を小さくする
ことが可能となる。
【００４７】また前述したように、トラック幅Ｔｗから
滲み出る漏れ磁界を表皮効果により抑え込んでいるの
で、漏れ磁界強度の低下を極力抑えることが可能であ
る。さらに本発明では、下部コア層１上面から上部コア
層６の裏面にかけて非磁性導電層７を成膜してもよく、
裏側に非磁性導電層７を成膜することで、より漏れ磁界
強度を強めることが可能になる。
滲み出る漏れ磁界を表皮効果により抑え込んでいるの
で、漏れ磁界強度の低下を極力抑えることが可能であ
る。さらに本発明では、下部コア層１上面から上部コア
層６の裏面にかけて非磁性導電層７を成膜してもよく、
裏側に非磁性導電層７を成膜することで、より漏れ磁界
強度を強めることが可能になる。
【００４８】図３に示す薄膜磁気ヘッドは、図１に示す
薄膜磁気ヘッドと比較すると、下部コア層１の形状が異
なっているだけで、それ以外の部分の形状は全く同じと
なっている。図２に示すように下部コア層１には、ギャ
ップ層２と接する部分に、幅寸法Ｔ2を有する隆起部１
ａが形成されている。なおこの隆起部１ａは前記下部コ
ア層１と一体となって形成されていてもよいし、あるい
は前記下部コア層１の上に積層されたものであってもよ
い。
薄膜磁気ヘッドと比較すると、下部コア層１の形状が異
なっているだけで、それ以外の部分の形状は全く同じと
なっている。図２に示すように下部コア層１には、ギャ
ップ層２と接する部分に、幅寸法Ｔ2を有する隆起部１
ａが形成されている。なおこの隆起部１ａは前記下部コ
ア層１と一体となって形成されていてもよいし、あるい
は前記下部コア層１の上に積層されたものであってもよ
い。
【００４９】またこの隆起部１ａの幅寸法Ｔ2は、上部
コア層６の先端部６ａおよびギャップ層２の幅寸法とほ
ぼ同じトラック幅Ｔｗ寸法で形成されている。そして、
非磁性導電層７が、下部コア層１の上面から、隆起部１
ａ、ギャップ層２、および先端部６ａの両側面、および
前記先端部６ａの上面にかけて成膜されている。この非
磁性導電層７の幅寸法Ｔ1は、前述したように、０．３
〜２．０μｍの範囲内で形成され、しかも少なくとも薄
膜磁気ヘッド駆動時の記録周波数における表皮厚さ以上
で形成されている。従って表皮効果により、十分にライ
トフリンジングの発生を抑制することができる。
コア層６の先端部６ａおよびギャップ層２の幅寸法とほ
ぼ同じトラック幅Ｔｗ寸法で形成されている。そして、
非磁性導電層７が、下部コア層１の上面から、隆起部１
ａ、ギャップ層２、および先端部６ａの両側面、および
前記先端部６ａの上面にかけて成膜されている。この非
磁性導電層７の幅寸法Ｔ1は、前述したように、０．３
〜２．０μｍの範囲内で形成され、しかも少なくとも薄
膜磁気ヘッド駆動時の記録周波数における表皮厚さ以上
で形成されている。従って表皮効果により、十分にライ
トフリンジングの発生を抑制することができる。
【００５０】なお図３に示す薄膜磁気ヘッドでは、ほぼ
トラック幅Ｔｗと同じ幅寸法Ｔ2を有する隆起部１ａと
上部コア層６の先端部６ａとの間で漏れ磁界が発生する
ので、元々、非磁性導電層７が成膜されなくても、フリ
ンジング量は、図１に示す薄膜磁気ヘッドに比べて小さ
いものと推測されるが、図３に示すように前記非磁性導
電層７を成膜することで、よりライトフリンジング量の
小さい薄膜磁気ヘッドを製造することが可能となってい
る。
トラック幅Ｔｗと同じ幅寸法Ｔ2を有する隆起部１ａと
上部コア層６の先端部６ａとの間で漏れ磁界が発生する
ので、元々、非磁性導電層７が成膜されなくても、フリ
ンジング量は、図１に示す薄膜磁気ヘッドに比べて小さ
いものと推測されるが、図３に示すように前記非磁性導
電層７を成膜することで、よりライトフリンジング量の
小さい薄膜磁気ヘッドを製造することが可能となってい
る。
【００５１】また本発明では、下部コア層１上面から隆
起部１ａ、ギャップ層２、上部コア層６の裏面に前記非
磁性導電層７を成膜してもよく、これにより、漏れ磁界
強度をより強くすることが可能になる。さらに本発明で
は、図６に示す薄膜磁気ヘッドの下部コア層１の上面か
ら上部コア層６の先端部６ａの両側面、および前記先端
部６ａの上面にかけて非磁性導電層７を成膜してもよ
く、これにより、ライトフリンジングの発生を抑制する
ことが可能である。
起部１ａ、ギャップ層２、上部コア層６の裏面に前記非
磁性導電層７を成膜してもよく、これにより、漏れ磁界
強度をより強くすることが可能になる。さらに本発明で
は、図６に示す薄膜磁気ヘッドの下部コア層１の上面か
ら上部コア層６の先端部６ａの両側面、および前記先端
部６ａの上面にかけて非磁性導電層７を成膜してもよ
く、これにより、ライトフリンジングの発生を抑制する
ことが可能である。
【００５２】
【発明の効果】以上詳述した本発明によれば、下部コア
層の上面から上部コア層の両側面にかけて非磁性導電層
を成膜することで、トラック幅から滲み出る漏れ磁界を
表皮効果により抑え込み、ライトフリンジングの発生を
抑制することが可能となり、同時に漏れ磁界強度の低下
を極力抑えることができる。
層の上面から上部コア層の両側面にかけて非磁性導電層
を成膜することで、トラック幅から滲み出る漏れ磁界を
表皮効果により抑え込み、ライトフリンジングの発生を
抑制することが可能となり、同時に漏れ磁界強度の低下
を極力抑えることができる。
【００５３】特に本発明では、よりライトフリンジング
の発生を抑制するために、表皮厚さを薄くすることが好
ましく、そのために、前記非磁性導電層として、できる
限り比抵抗の低い非磁性導電材料を使用し、しかも記録
周波数を高くすることが好ましい。
の発生を抑制するために、表皮厚さを薄くすることが好
ましく、そのために、前記非磁性導電層として、できる
限り比抵抗の低い非磁性導電材料を使用し、しかも記録
周波数を高くすることが好ましい。
【００５４】また本発明では、下部コア層上面から上部
コア層の裏面にかけて前記非磁性導電層を成膜してもよ
く、これにより、より漏れ磁界強度を強めることが可能
になる。
コア層の裏面にかけて前記非磁性導電層を成膜してもよ
く、これにより、より漏れ磁界強度を強めることが可能
になる。
【図１】本発明の第１実施形態の薄膜磁気ヘッドの構造
を示す正面図、
を示す正面図、
【図２】図１に示す薄膜磁気ヘッドの縦断面図、
【図３】本発明の第２実施形態の薄膜磁気ヘッドの構造
を示す正面図、
を示す正面図、
【図４】Ａｕ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｐｔにおける周波数と表皮
厚さとの関係を示すグラフ、
厚さとの関係を示すグラフ、
【図５】表皮厚さを０．３μｍとした場合の、周波数と
比抵抗との関係を示すグラフ、
比抵抗との関係を示すグラフ、
【図６】従来の薄膜磁気ヘッドの構造を示す正面図、
【図７】トラック幅Ｔｗと漏れ磁界強度との関係を示す
グラフ、
グラフ、
１ 下部コア層 １ａ 隆起部 ２ ギャップ層 ３、５ 絶縁層 ４ コイル層 ６ 上部コア層 ６ａ 先端部 ７ 非磁性導電層 Ｔ1 （非磁性導電層の）膜厚
Claims (14)
- 【請求項１】 磁性材料の下部コア層と、所定の幅Ｔｗ
を有する上部コア層との間に、非磁性材料のギャップ層
が形成され、さらに前記下部コア層及び上部コア層に記
録磁界を誘導する磁気発生手段が設けられて成る薄膜磁
気ヘッドにおいて、前記ギャップ層のトラック幅方向の
両側を覆い、且つ下部コア層から上部コア層にかけて形
成された非磁性導電層が設けられていることを特徴とす
る薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 前記ギャップ層が、上部コア層と同じ幅
寸法Ｔｗで形成され、前記非磁性導電層が、下部コア層
の上面から前記ギャップ層および上部コア層の両側面に
かけて形成されている請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項３】 前記ギャップ層が上部コア層と同じ幅寸
法Ｔｗで形成され、さらに前記下部コア層には、前記ギ
ャップ層と接する部分に、前記幅寸法Ｔｗとほぼ同じ幅
寸法Ｔ2を有する隆起部が設けられており、前記非磁性
導電層が、前記下部コア層の上面から前記隆起部、前記
ギャップ層、および上部コア層の両側面にかけて形成さ
れている請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項４】 磁性材料の下部コア層と、所定の幅Ｔｗ
を有する上部コア層との間に、非磁性材料のギャップ層
が形成され、さらに前記下部コア層及び上部コア層に記
録磁界を誘導する磁気発生手段が設けられて成る薄膜磁
気ヘッドにおいて、前記ギャップ層が、ギャップ深さＧ
ｄとほぼ同じ長さで形成され、前記非磁性導電層が、下
部コア層からギャップ層および上部コア層の裏面にかけ
て形成されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項５】 前記非磁性導電層の膜厚は、０．３〜
２．０μｍの範囲内である請求項１ないし請求項４のい
ずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項６】 前記非磁性導電層の膜厚は、少なくとも
薄膜磁気ヘッド駆動時の記録周波数における表皮厚さＳ
以上で形成されている請求項５記載の薄膜磁気ヘッド。
ただし前記Ｓは以下の数１の通り。また、μは透磁率、
ｆは記録周波数、ρは比抵抗である。 【数１】 - 【請求項７】 前記非磁性導電層が、Ａｕ，Ａｇ，Ｃ
ｕ，Ｐｔのいずれか１種または２種以上の元素により形
成されている請求項１ないし請求項６のいずれかに記載
の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項８】 前記非磁性導電層が、ＡｕまたはＣｕで
形成され、記録周波数が５０ＭＨｚ以上である場合、前
記非磁性導電層の膜厚は、約０．９〜２．０μｍの範囲
内である請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の薄
膜磁気ヘッド。 - 【請求項９】 前記非磁性導電層が、ＡｕまたはＣｕで
形成され、記録周波数が１００ＭＨｚ以上である場合、
前記非磁性導電層の膜厚は約０．６〜２．０μｍの範囲
内である請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の薄
膜磁気ヘッド。 - 【請求項１０】 前記非磁性導電層が、ＡｕまたはＣｕ
で形成され、記録周波数が５００ＭＨｚ以上である場
合、前記非磁性導電層の膜厚は約０．３〜２．０μｍの
範囲内である請求項１ないし請求項７のいずれかに記載
の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項１１】 前記非磁性導電層がＡｇで形成され、
記録周波数が、５０ＭＨｚ以上である場合、前記非磁性
導電層の膜厚は、約１．０〜２．０μｍの範囲内である
請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の薄膜磁気ヘ
ッド。 - 【請求項１２】 前記非磁性導電層がＡｇで形成され、
記録周波数が、１００ＭＨｚ以上である場合、前記非磁
性導電層の膜厚は、０．７〜２．０μｍの範囲内である
請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の薄膜磁気ヘ
ッド。 - 【請求項１３】 前記非磁性導電層が、Ａｇで形成さ
れ、記録周波数が５００ＭＨｚ以上である場合、前記非
磁性導電層の膜厚は、約０．３〜２．０μｍの範囲内で
ある請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の薄膜磁
気ヘッド。 - 【請求項１４】 前記非磁性導電層が、Ｐｔで形成さ
れ、記録周波数が１００ＭＨｚ以上である場合、前記非
磁性導電層の膜厚は、約１．８〜２．０μｍの範囲内で
ある請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の薄膜磁
気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27863097A JP3428877B2 (ja) | 1997-10-13 | 1997-10-13 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27863097A JP3428877B2 (ja) | 1997-10-13 | 1997-10-13 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11120512A true JPH11120512A (ja) | 1999-04-30 |
| JP3428877B2 JP3428877B2 (ja) | 2003-07-22 |
Family
ID=17599961
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27863097A Expired - Fee Related JP3428877B2 (ja) | 1997-10-13 | 1997-10-13 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3428877B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7538977B2 (en) | 2004-04-30 | 2009-05-26 | Hitachi Global Storage Technologies B.V. | Method and apparatus for providing diamagnetic flux focusing in a storage device |
-
1997
- 1997-10-13 JP JP27863097A patent/JP3428877B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7538977B2 (en) | 2004-04-30 | 2009-05-26 | Hitachi Global Storage Technologies B.V. | Method and apparatus for providing diamagnetic flux focusing in a storage device |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3428877B2 (ja) | 2003-07-22 |
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