JPH11120522A

JPH11120522A - Ｍｒ複合薄膜磁気ヘッド

Info

Publication number: JPH11120522A
Application number: JP28521697A
Authority: JP
Inventors: Moichi Otomo; 茂一大友; Shuji Sudo; 修二須藤; Kuniaki Yoshimura; 邦明吉村; Hideji Takahashi; 秀治高橋; Yuji Ueda; 裕司上田
Original assignee: Hitachi Metals Ltd
Current assignee: Proterial Ltd
Priority date: 1997-10-17
Filing date: 1997-10-17
Publication date: 1999-04-30

Abstract

(57)【要約】【課題】線記録密度の増加に伴う記録媒体の保磁力増
大により、ＭＲ複合薄膜磁気ヘッドのオーバーライトお
よび非線形磁化遷移点シフトの特性が劣化する。【解決手段】ＭＲ複合薄膜磁気ヘッドにおいて、上部
磁極を少なくとも２層以上の磁性膜で構成し、ギャップ
面近傍の層に飽和磁束密度が１．２Ｔ以上２．４Ｔ以下
の高Ｂｓメッキ膜を使用し、かつ下部磁極および中部樹
極に比抵抗が８０μΩｃｍ以上１５００μΩｃｍ以下の
高比抵抗スパッタ膜を使用することで、オーバーライト
および非線形磁化遷移点シフトの特性を改善する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は薄膜磁気ヘッドに係
り、特に高密度高周波ディジタル記録に用いたときに非
線形磁化遷移点シフトが小さく、高密度高周波記録が可
能な磁気ヘッドに関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、磁気記録装置の記録密度の向上は
著しく、計算機用磁気ディスク装置の分野では、年率６
０％の早さで記録密度の増加が進んでいる。記録密度の
増加を実現するために、磁気記録媒体の改良に加えて、
記録再生特性に優れた磁気ヘッドの開発が進んでいる。
１平方インチ当たり１Ｇｂ以上の高記録密度を達成する
ために、再生ヘッドとして、従来のインダクティブ型よ
りも格段に再生出力の高いＭＲ（磁気抵抗効果型）ヘッ
ドが開発され使用されている。一方、記録ヘッドには従
来の電磁誘導を利用したインダクティブ型の薄膜磁気ヘ
ッドが用いられている。現実には、再生ヘッドと記録ヘ
ッドを一体に形成した、インダクティブ記録・ＭＲ再生
の複合ヘッドが用いられている。以下、本ヘッドをＭＲ
複合薄膜磁気ヘッドと称する。

【０００３】図２は、現在用いられているＭＲ複合薄膜
磁気ヘッドの構造を示している。図２（ａ）は本ＭＲ複
合薄膜磁気ヘッドの上面図を、図２（ｂ）は、図２
（ａ）のＡ−Ａ’断面の浮上面近傍を示している。ま
た、図２（ｃ）は図２（ａ）の浮上面Ｂ−Ｂ’を示して
いる。本ＭＲ複合薄膜磁気ヘッドは、基板３０の上に、
下部磁極３１、絶縁層３２、中部磁極３３が形成され、
下部磁極と中部磁極の間に、ＭＲ素子からなる再生部３
４が構成されている。中部磁極の上に、記録ギャップ材
３５が形成され、さらにコイル３６が形成されている。
コイルを絶縁するために、絶縁層３７が形成され、さら
に上部磁極３８が形成され、最上層にこれらを保護する
ための保護層３９が形成されている。本薄膜磁気ヘッド
は、コイル３６に記録電流を印加して上部磁極３８と中
部磁極３３に記録磁束を誘起せしめ、記録ギャップ近傍
で上部磁極と中部磁極から漏洩する磁界により、浮上面
４０の近傍に設置した記録媒体に信号磁化を記録する。
再生時には、記録媒体の信号磁化から発生する磁界をＭ
Ｒ再生素子で検出する。本磁気ヘッドでは、図２（ｃ）
のように、下部および中部磁極の幅に比較して上部磁極
の幅を大幅に狭く形成しており、この上部磁極の幅によ
り記録トラック幅Ｔｗを規定している。

【０００４】

【本発明が解決しようとする課題】計算機用磁気ディス
ク装置では、線記録密度の増加に伴って、オーバーライ
ト（Ｏ／Ｗ）および非線形磁化遷移点シフト（Ｎｏｎ
ＬｉｎｅａｒＴｒａｎｓｉｔｉｏｎＳｈｉｆｔ；以下
省略してＮＬＴＳと称す）の特性不足が問題となり、今
後の記録密度の増加を実現するためにはＯ／ＷおよびＮ
ＬＴＳの改善が課題になっている。ＮＬＴＳとは、ディ
ジタル信号の記録において、記録された信号が、本来記
録すべき位置からずれてしまう現象である。また、Ｏ／
Ｗとは長波長の信号を記録した後に、短波長の信号を重
ね書きした場合に、先に記録した長波長信号が消去され
ずに残ってしまう現象である。Ｏ／Ｗは特に高保磁力の
記録媒体に対して、記録磁界強度および記録磁界勾配が
不足している時に問題となる。またＮＬＴＳは、高周
波、高密度記録時に、磁極の高周波特性が不足し、記録
磁界の変化が遅れることに起因すると考えられる。

【０００５】従来、薄膜磁気ヘッド用の記録磁極として
は、主に、８３Ｎｉ−１７Ｆｅ（ｗｔ％）合金のメッキ
膜が使用されていた。この材料は、軟磁気特性に優れて
おり、またメッキ法により作製できるため狭トラック幅
を有する薄膜ヘッドの磁極材料として好適であった。し
かし、記録の高密度化、高周波化が進むにつれ、以下の
ような問題が生ずるようになった。すなわち、記録密度
を増加するためには、記録媒体の保磁力を増加すること
により、記録磁化の反磁界による減磁をふせぎ、磁化遷
移領域を減少して、高記録密度での出力を増加する必要
がある。しかし、媒体の保磁力が高い場合には、これに
十分信号磁化を記録するための、強い記録磁界強度が必
要である。上記の８３Ｎｉ−１７Ｆｅ（ｗｔ％）合金は
飽和磁束密度が約１Ｔであり、近年使用されるようにな
った、保磁力が１．９×１０Ｅ５Ａ／ｍ以上の媒体に対
しては、磁極飽和の問題を生じ、記録磁界強度が不足す
るという問題を生じた。記録磁界強度の不足は、特にＯ
／Ｗ特性の劣化として現れ、必要となる−３０ｄＢ以下
のＯ／Ｗ特性が−２６ｄＢ以上となる問題があった。

【０００６】一方、記録の高密度化と同時に高周波化も
進展しており、直径３．５インチのディスクを用いる磁
気ディスク装置では、最高使用周波数は８０ＭＨｚを越
えるものが開発されるようになっている。このように使
用周波数が高くなった場合には、必要な記録信号の変化
速度に、磁極の磁束変化が追随できず、記録磁界の変化
に遅れを生じて、前述のＮＬＴＳ特性が劣化してしまう
という問題を生ずるようになった。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明では、上記のよう
な問題を解決し、高密度、高周波記録を実現するために
ＭＲ複合薄膜磁気ヘッドのＯ／ＷおよびＮＬＴＳを改善
することを目的としたものである。

【０００８】本発明では、上記の目的を達成するために
以下のような手段を用いる。（１）まず、上部磁極を少なくとも２層以上の磁性膜で
構成し、ギャップ面近傍の層に飽和磁束密度が１．２Ｔ
以上、２．４Ｔ以下の高Ｂｓメッキ膜を使用する。より
好ましくは１．４Ｔ以上、２．４Ｔ以下の高Ｂｓメッキ
膜を使用する。また、下部磁極および中部磁極に比抵抗
が８０μΩｃｍ以上、１５００μΩｃｍ以下の高比抵抗
スパッタ膜を使用する。より好ましくは１００μΩｃｍ
以上、１５００μΩｃｍ以下の高比抵抗スパッタ膜を使
用する。

【０００９】（２）また、上記（１）において、前記高
Ｂｓメッキ膜としてＮｉ濃度が４０ｗｔ％以上５０ｗｔ
％以下のＮｉ−Ｆｅ合金メッキ膜を使用する。

【００１０】（３）また、上記（２）において、前記高
比抵抗スパッタ膜としてＣｏ系非晶質合金スパッタ膜を
使用する。

【００１１】（４）また、上記（３）において、前記高
比抵抗スパッタ膜としてＣｏが８２ａｔ％以上９４ａｔ
％以下、Ｔａが３ａｔ％以上、Ｚｒが２ａｔ％以上の組
成を有する非晶質合金スパッタ膜を使用する。

【００１２】（５）また、上記（１）ないし（４）にお
いて、前記上部磁極のギャップ面近傍の層の厚さを０．
３μｍ以上、１．５μｍ以下とする。

【００１３】（６）また、上記（１）ないし（５）にお
いて、記録ギャップ長が０．２５μｍ以上０．４５μｍ
以下となるように構成する。

【００１４】上記のように、上部磁極を少なくとも２層
以上の磁性膜で構成し、ギャップ面近傍の層に８３Ｎｉ
−１７Ｆｅ（ｗｔ％）合金メッキ膜よりも飽和磁束密度
Ｂｓの高い、Ｂｓ１．２Ｔ以上、２．４Ｔ以下の高Ｂｓ
メッキ膜を使用することにより、Ｏ／Ｗ特性を改善し、
−３０ｄＢ以下のＯ／Ｗを得ることが出来る。より好ま
しくは１．４Ｔ以上、２．４Ｔ以下の高Ｂｓメッキ膜を
使用することにより、より顕著にＯ／Ｗ特性を向上する
ことが出来る。

【００１５】本発明において、上部磁極にメッキ膜を使
用する理由は、以下の通りである。すなわち、本発明の
ＭＲ複合薄膜磁気ヘッドにおいては、図１（ｂ）のよう
に上部磁極１８によりトラック幅Ｔｗを規定するため、
約２μｍあるいはそれ以下のトラック幅に上部磁極の浮
上面形状を精度良く形成する必要がある。メッキ法によ
れば、レジストを露光、現像して、レジストにトラック
幅に相当する矩形状の凹部を形成し、この凹部にメッキ
膜を形成することにより、幅に対して膜厚が大きい矩形
状の上部磁極を精度良く形成することが出来る。一方、
スパッタ膜を使用する場合には、一旦スパッタ膜を形成
した後、レジスト等をマスクとしてイオンミリング、化
学エッチング等により所望のトラック幅を得る。しか
し、一般に膜の下部の幅が上部の幅より大きい台形状と
なり、メッキ膜のように矩形状の上部磁極形状が得られ
ないという問題がある。

【００１６】前記の高Ｂｓメッキ膜として、たとえば、
Ｎｉ濃度が４２ｗｔ％以上５０ｗｔ％以下のＮｉ−Ｆｅ
合金メッキ膜は１．５Ｔ以上、１．７Ｔまでの高い飽和
磁束密度を有し、保磁力Ｈｃも１２０Ａ／ｍ以下であり
記録用磁性膜として好適である。また比抵抗も８３Ｎｉ
−１７Ｆｅ（ｗｔ％）合金メッキ膜の約２２μΩｃｍに
対して約５５μΩｃｍと高いため、Ｏ／ＷおよびＮＬＴ
Ｓ特性を向上することが出来る。

【００１７】本発明において、高Ｂｓメッキ膜を使用す
るギャップ面近傍の層の膜厚を０．３μｍ以上、１．５
μｍ以下とする理由は以下のとおりである。すなわち、
一般に高Ｂｓの膜は従来の８３Ｎｉ−１７Ｆｅ（ｗｔ
％）合金メッキ膜に比較して軟磁気特性が劣る場合が多
い。上記の４５Ｎｉ−５５Ｆｅ（ｗｔ％）合金メッキ膜
の場合もＨｃは８３Ｎｉ−１７Ｆｅ（ｗｔ％）膜の２４
Ａ／ｍよりは大きい。また磁歪定数が大きいという難点
がある。このため、高Ｂｓメッキ膜を使用する下層の膜
厚が１．５μｍ以上の場合には記録効率が低下し、記録
電流に対する記録磁界の立ち上がりが遅くなり、ＮＬＴ
Ｓが劣化する恐れがある。また、下層の膜厚が０．３μ
ｍ以下の場合には記録磁界の向上が十分でなく、Ｏ／Ｗ
特性の改善が目標とする−３０ｄＢ以下に満たなくな
る。なお、上部磁極をメッキ法により形成する場合に
は、メッキ電流を通すためのシード膜を約０．１μｍ形
成する。このシード膜は４５Ｎｉ−５５Ｆｅ（ｗｔ％）
合金スパッタ膜のように１．２Ｔ以上の高Ｂｓであるこ
とが望ましい。しかし、シード膜として従来の８３Ｎｉ
−１７Ｆｅ（ｗｔ％）合金スパッタ膜を用いた場合で
も、膜厚が薄いため本発明の効果は維持される。

【００１８】上記のように、本発明では下部磁極および
中部磁極に比抵抗が８０μΩｃｍ以上、１５００μΩｃ
ｍ以下の高比抵抗スパッタ膜を使用する。より好ましく
は１００μΩｃｍ以上、１５００μΩｃｍ以下の高比抵
抗スパッタ膜を使用する。これにより高周波特性を向上
し、ＮＬＴＳ特性を改善することが出来る。前記のよう
に、本発明のＭＲ複合薄膜磁気ヘッドでは上部磁極はト
ラック幅を規定するために精度良く狭い幅に形成する必
要があるが、下部および中部磁極の幅は、上部磁極の少
なくとも５倍以上、実際には約５０倍と大きく、幅につ
いては高い精度を必要としない。従って、メッキ膜のみ
ならずスパッタ膜が使用できる。下部および中部磁極の
飽和磁束密度は高いほうが好ましいが、上部磁極に比較
して幅が広いため上部磁極よりも飽和磁束密度が低くて
もよい。一方、高周波でのＮＬＴＳを低減するために
は、軟磁気特性が優れるとともに比抵抗が高く、渦電流
損失を防止できる材料が好ましい。一般に、軟磁気特性
を有するメッキ膜で高比抵抗を得ることは困難である。
一方、スパッタ膜では軟磁気特性および高比抵抗を共に
満足する材料を得ることができる。軟磁気特性にすぐれ
飽和磁束密度が高く、比抵抗の高いスパッタ膜として
は、たとえばＣｏ系の非晶合金膜があげられる。また、
これらの合金は従来のＮｉ−Ｆｅ系メッキ膜に比較して
硬度が高く、浮上面の加工による段差の発生を防ぎ平坦
性を改良する上で効果がある。

【００１９】高抵抗スパッタ膜の具体的な組成としては
例えばＣｏが８２ａｔ％以上９４ａｔ％以下、Ｔａが３
ａｔ％以上、Ｚｒが２ａｔ％以上の非晶質合金スパッタ
膜が挙げられる。これらのうちＣｏ濃度が９４ａｔ％と
高い膜は、比抵抗が８０μΩｃｍと非晶質合金スパッタ
膜の中では低めの値であるが、飽和磁束密度が約１．５
Ｔと高く、優れたＯ／Ｗ特性を得る上で効果がある。ま
た、Ｃｏ濃度が８２ａｔ％と低い膜は、飽和磁束密度が
約０．８Ｔと低いが、比抵抗が約１５０μΩｃｍと極め
て高く、高周波でのＮＬＴＳ低減に効果がある。

【００２０】上記に加えて、本発明では記録ギャップ長
が０．２５μｍ以上０．４５μｍ以下となるように構成
する。記録ギャップ長を０．２５μｍ未満とした場合に
はＯ／Ｗ特性およびＮＬＴＳ特性が低下し、記録ギャッ
プ長が０．４５μｍを越える場合にはＮＬＴＳ特性が低
下するという問題を生ずる。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、本発明を実施例により詳細
に説明する。図１（ａ）および（ｂ）に、本発明の実施
例のＭＲ複合薄膜磁気ヘッドの断面図を示す。図２
（ａ）は本発明および従来のＭＲ複合薄膜磁気ヘッドの
平面図である。ここで、図１（ａ）は図２（ａ）のＡ−
Ａ’における断面に相当し、図１（ｂ）は図２（ａ）の
Ｂ−Ｂ’における断面に相当する。従来の磁気ヘッドで
は、中部磁極３３および上部磁極３８に８３Ｎｉ−１７
Ｆｅ（ｗｔ％）の組成を中心とする合金メッキ膜が使用
されていた。本実施例では、図１（ａ）のように上部磁
極を２層の磁性膜で構成し、ギャップ近傍の下層２１に
１．２Ｔ以上の高Ｂｓメッキ膜を使用する。中部磁極１
３には高比抵抗スパッタ膜を使用する。具体的には、高
比抵抗スパッタ膜としてはＣｏＴａＺｒ系非晶質合金ス
パッタ膜、高Ｂｓメッキ膜としては４５Ｎｉ−５５Ｆｅ
（ｗｔ％）の組成を中心とする合金メッキ膜を使用す
る。また、下部磁極１１としては中部磁極と同様に高比
抵抗スパッタ膜、具体的にはＣｏＴａＺｒ系非晶質合金
スパッタ膜を使用した。

【００２２】本発明のＭＲ複合薄膜磁気ヘッドの製造方
法の一例を以下に記載する。図１において、基板１０と
してＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣを用い、この上に下部磁極とな
るＣｏ８３Ｔａ２２Ｚｒ４．８（ａｔ％）の組成を有す
る非晶質合金スパッタ膜をマグネトロンスパッタ装置を
用いて形成した。この膜のＢｓは０．９Ｔ、比抵抗は１
４５μΩｃｍだった。次に、下部磁極として残すべき部
分をレジストで保護し、化学エッチングにより不要部を
除去した。化学エッチングには硝酸、硫酸コバルトおよ
びフッ酸の混合液を用いた。化学エッチングを行った場
合、下部磁極の磁性膜の端部は、図１（ｂ）に示すよう
に基板に対して傾斜するごとくエッチングされる。この
磁性膜端面と基板との傾斜角度は約４５度から２０度と
なった。次に、再生ギャップとなる絶縁層１２およびＭ
Ｒ素子および電極、バイアス膜などからなる再生素子１
４を形成した。次に、下部磁極と同様の方法でＣｏＴａ
Ｚｒ非晶質合金スパッタ膜からなる中部磁極１３を形成
した。組成はＣｏ８８Ｔａ８Ｚｒ４（ａｔ％）とした。
この膜のＢｓは１．３Ｔ、比抵抗は１２０μΩｃｍだっ
た。次に、記録ギャップとなる絶縁材１５、コイル１
６、およびコイルの絶縁材１７を形成した。絶縁材１７
としてはレジストを用いた。次に、上部磁極のメッキ膜
を形成するためメッキ電流を流すための下地膜として、
８３Ｎｉ−１７Ｆｅ（ｗｔ％）合金膜をスパッタリング
法により形成した。膜厚は０．１μｍとした。この上
に、上部磁極の形状の周囲を囲むが如くフレーム状のレ
ジストを形成した。次いで、上部磁極下層２１として、
４５Ｎｉ−５５Ｆｅ（ｗｔ％）合金膜をメッキ法により
形成した。膜厚ｔ’を０．５μｍとした。この膜のＢｓ
は１．６５Ｔ、比抵抗は５５μΩｃｍだった。さらに、
８３Ｎｉ−１７Ｆｅ（ｗｔ％）合金膜をメッキ法により
形成した。膜厚を３．５μｍとした。以上のメッキ工程
により、レジストフレーム内部および外部にメッキ膜が
形成され、不要な下地膜およびメッキ膜をイオンミリン
グおよび化学エッチングにより除去することにより、所
望の形状の上部磁極を得た。さらに、Ａｌ２Ｏ３からな
る保護材１９をマグネトロンスパッタ法により形成し、
所定の形状に加工することによりＭＲ複合薄膜磁気ヘッ
ドを作製した。

【００２３】上記のように作製した本発明のＭＲ複合薄
膜磁気ヘッドの記録特性を従来のＭＲ複合薄膜磁気ヘッ
ドと比較した結果を表１に記載する。記録特性の測定に
は、３．５インチの磁気ディスクを用い、５４００ｒ．
ｐ．ｍ．の回転数で中周および外周の測定を行った。中
周での記録密度は１７５ｋＦＣＩ、外周での記録密度は
１６０ｋＦＣＩである。磁気ディスクは保磁力１．９×
１０Ｅ５Ａ／ｍであり、浮上量を約４５ｎｍとした。Ｏ
／Ｗは、ＬＦで記録した時の再生出力に対する、ＬＦで
記録した後ＨＦで記録した時のＬＦの残留出力の比を測
定した。ＮＬＴＳは５次高調波抽出法で測定した。中周
のＬＦは１３ＭＨｚ、ＨＦは６５ＭＨｚ、外周のＬＦは
１６ＭＨｚ、ＨＦは８０ＭＨｚである。記録電流は３０
ｍＡｏｐとした。

【００２４】比較例１として、中部磁極を８３Ｎｉ−１
７Ｆｅ（ｗｔ％）合金メッキ膜とし、上部磁極も８３Ｎ
ｉ−１７Ｆｅ（ｗｔ％）合金メッキ膜としたヘッドを用
いた。上部磁極の膜厚ｔを４．５μｍ、記録ギャップ長
を０．４μｍとした。また、下部磁極はＣｏ８３Ｔａ１
２．２Ｚｒ４．８（ａｔ％）非晶質合金膜とした。中部
磁極の膜厚は３μｍ、下部磁極の膜厚は２μｍとした。
図２（ｂ）における浮上面近傍の上部磁極曲面の接線と
ギャップ面のなす角を６０度とした。比較例２のヘッド
として、上部磁極全体を４５Ｎｉ−５５Ｆｅ（ｗｔ％）
合金メッキ膜で構成し、上部磁極膜厚を３．５μｍとし
たヘッドを用いた。その他の構造は比較例１と同様とし
た。比較例３のヘッドとして、上部磁極下層を４５Ｎｉ
−５５Ｆｅ（ｗｔ％）合金メッキ膜で構成し、上部磁極
上層を８３Ｎｉ−１７Ｆｅ（ｗｔ％）合金メッキ膜で構
成し、上部磁極上層膜厚を４．０μｍ、上部磁極下層膜
厚を０．５μｍとしたヘッドを用いた。その他の構造は
比較例１と同様にした。.本発明１のヘッドとして、比
較例３のヘッドにおいて、中部磁極をＣｏＴａＺｒ非晶
質合金スパッタ膜で構成したヘッドを用いた。本発明２
および３のヘッドとして、本発明１のヘッドの記録ギャ
ップ長を０．３５μｍおよび０．３μｍに低減したヘッ
ドを用いた。

【００２５】

【表１】

【００２６】表１のように、上部および中部磁極とも８
３Ｎｉ−１７Ｆｅ合金メッキ膜を使用した比較例１は、
内周および外周ともＯ／Ｗが−３０ｄＢ以上で大きく、
また、外周のＮＬＴＳも３０％以上の大きな値になって
いる。これは、８３Ｎｉ−１７Ｆｅ合金メッキ膜がＢｓ
が約１Ｔと低く、記録磁界が十分でないためにＬＦの消
去残りが生じ、Ｏ／Ｗの値が大きくなってしまうためで
ある。上部磁極全体を高Ｂｓを有する４５Ｎｉ−５５Ｆ
ｅメッキ膜で構成した比較例２のヘッドは、上部磁極膜
厚ｔを３．５μｍに減少しているが、上部磁極膜のＢｓ
が大幅に増加したためにＯ／Ｗ特性が大幅に向上し、−
３０ｄＢ以下になった。しかし、ＮＬＴＳが比較例１の
ヘッドより増加し、４０〜５０％の大きな値となった。
これは４５Ｎｉ−５５Ｆｅメッキ膜の磁歪が大きく、内
部応力の影響で磁気特性が劣化し、記録電流に対する磁
界の立ち上がりが遅くなったためと考えられる。上部磁
極を２層とした比較例３のヘッドでは、上部磁極の下層
をＢｓの大きい４５Ｎｉ−５５Ｆｅとしたために、Ｏ／
Ｗが改善され、また、ＮＬＴＳも比較例１よりも改善さ
れた。しかし、高周波の外周条件においてまだＮＬＴＳ
が大きく、またＯ／Ｗ特性も−３０ｄＢに近い値であ
り、十分な特性とはいえなかった。そこで、中部磁極を
ＣｏＴａＺｒスパッタ膜で構成した本発明１のヘッドで
は、Ｏ／Ｗ特性がさらに向上し、また特に外周条件での
ＮＬＴＳが低下した。これは、中部磁極に用いたＣｏＴ
ａＺｒ膜のＢｓが１．３Ｔと、比較例１および比較例２
で用いた８３Ｎｉ−１７Ｆｅ合金より大きいこと、ま
た、比抵抗が１２０μΩｃｍと高いために高周波での渦
電流損失が低減されたためと考えられる。記録ギャップ
長を０．３５μｍおよび０．３μｍと低減した本発明２
および３のヘッドでは、Ｏ／Ｗが若干増加したが、ＮＬ
ＴＳがさらに低減し、必要とされる３０％以下のＮＬＴ
Ｓが得られた。

【発明の効果】以上のように、本発明のヘッドにおい
て、上部磁極を少なくとも２層以上で構成し、ギャップ
面近傍の下層に高Ｂｓのメッキ膜を使用し、さらに中部
磁極に高比抵抗を有するスパッタ膜を使用することによ
り、高記録密度高周波においてＯ／ＷおよびＮＬＴＳ特
性に優れたＭＲ複合薄膜磁気ヘッドを得ることができ
た。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１（ａ）は本発明のＭＲ複合薄膜磁気ヘッド
の断面図、図１（ｂ）は本発明のＭＲ複合薄膜磁気ヘッ
ドの浮上面側から見た断面図。

【図２】図２（ａ）は本発明および従来のＭＲ複合薄膜
磁気ヘッドの平面図、図２（ｂ）は従来のＭＲ複合薄膜
磁気ヘッドの断面図、図２（ｃ）は従来のＭＲ複合薄膜
磁気ヘッドの浮上面側から見た断面図。

【符号の説明】

１０基板、１１下部磁極、１２絶縁層、１３中
部磁極、１４再生素子、１５絶縁材、１６コイ
ル、１７コイルの絶縁材、１８上部磁極上層、１９
保護材、２０浮上面、２１上部磁極下層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者高橋秀治栃木県真岡市松山町18番地日立金属株式会社電子部品工場内 (72)発明者上田裕司栃木県真岡市松山町18番地日立金属株式会社電子部品工場内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】再生にＭＲ素子を用い、記録にインダク
ティブ薄膜磁気ヘッドを用い、下部磁極と中部磁極の間
にＭＲ素子を有し、中部磁極と上部磁極の間に記録用コ
イルを配し、下部および中部磁極のトラック幅方向への
幅がトラック幅の５倍以上であり、上部磁極の幅が記録
トラック幅にほぼ等しい記録再生兼用ＭＲ複合型薄膜磁
気ヘッドにおいて、上部磁極を少なくとも２層以上の磁
性膜で構成し、ギャップ面近傍の層に飽和磁束密度が
１．２Ｔ以上２．４Ｔ以下の高Ｂｓメッキ膜を使用し、
かつ下部磁極および中部磁極に比抵抗が８０μΩｃｍ以
上１５００μΩｃｍ以下の高比抵抗スパッタ膜を使用す
ることを特徴とするＭＲ複合薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】請求項１のＭＲ複合薄膜磁気ヘッドにお
いて、前記高Ｂｓメッキ膜としてＮｉ濃度が４０ｗｔ％
以上５０ｗｔ％以下のＮｉ−Ｆｅ合金メッキ膜を使用す
ることを特徴としたＭＲ複合薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】請求項１のＭＲ複合薄膜磁気ヘッドにお
いて、前記高比抵抗スパッタ膜としてＣｏ系非晶質合金
スパッタ膜を使用することを特徴としたＭＲ複合薄膜磁
気ヘッド。
【請求項４】請求項３のＭＲ複合薄膜磁気ヘッドにお
いて、前記高比抵抗スパッタ膜として、Ｃｏが８２ａｔ
％以上９４ａｔ％以下、Ｔａが３ａｔ％以上、Ｚｒが２
ａｔ％以上の組成を有する非晶質合金スパッタ膜を使用
することを特徴としたＭＲ複合薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】請求項１ないし４のＭＲ複合薄膜磁気ヘ
ッドにおいて、前記上部磁極のギャップ面近傍の層の厚
さを０．３μｍ以上、１．５μｍ以下とすることを特徴
としたＭＲ複合薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】請求項１ないし５のＭＲ複合薄膜磁気ヘ
ッドにおいて、記録ギャップ長が０．２５μｍ以上０．
４５μｍ以下であることを特徴とするＭＲ複合薄膜磁気
ヘッド。