JPH11120563A - 光ディスクの記録補償方法及び光ディスク記録装置 - Google Patents
光ディスクの記録補償方法及び光ディスク記録装置Info
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- JPH11120563A JPH11120563A JP9285898A JP28589897A JPH11120563A JP H11120563 A JPH11120563 A JP H11120563A JP 9285898 A JP9285898 A JP 9285898A JP 28589897 A JP28589897 A JP 28589897A JP H11120563 A JPH11120563 A JP H11120563A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 対物レンズの高開口数化、或いは、光源の短
波長化によって実現される大容量、高密度相変化型光デ
ィスクにおいても、ＤＶＤ−ＲＡＭで用いられているＧ
ｅＳｂＴｅ系の記録メディアのままオーバーライト動作
を可能にした光ディスクの記録補償方法及び光ディスク
記録装置を提供する。 【解決手段】 記録媒体の線速（ＬＶ：ｍ／ｓｅｃ）、
光学ヘッドの対物レンズ開口数（ＮＡ）、記録レーザ光
の波長（λ：μｍ）、並びに、信号ビット長（ＢＬ：μ
ｍ）によって表される関数Ｆ＝ＬＶ・ＮＡ／（λ・Ｂ
Ｌ）をＦ≧２０として、相変化型記録媒体を用いた情報
の書換え可能な光ディスクに情報を記録する光ディスク
記録装置において、記録時の照射パルスを少なくとも３
レベルからなるマルチパルスとし、終端の発光パルスを
他のいずれの照射パルスよりも長い時間幅に設定して、
情報の書換え可能な相変化型記録媒体を用いた光ディス
クに対する記録補償を記録レーザ光の発光制御により行
う。
波長化によって実現される大容量、高密度相変化型光デ
ィスクにおいても、ＤＶＤ−ＲＡＭで用いられているＧ
ｅＳｂＴｅ系の記録メディアのままオーバーライト動作
を可能にした光ディスクの記録補償方法及び光ディスク
記録装置を提供する。 【解決手段】 記録媒体の線速（ＬＶ：ｍ／ｓｅｃ）、
光学ヘッドの対物レンズ開口数（ＮＡ）、記録レーザ光
の波長（λ：μｍ）、並びに、信号ビット長（ＢＬ：μ
ｍ）によって表される関数Ｆ＝ＬＶ・ＮＡ／（λ・Ｂ
Ｌ）をＦ≧２０として、相変化型記録媒体を用いた情報
の書換え可能な光ディスクに情報を記録する光ディスク
記録装置において、記録時の照射パルスを少なくとも３
レベルからなるマルチパルスとし、終端の発光パルスを
他のいずれの照射パルスよりも長い時間幅に設定して、
情報の書換え可能な相変化型記録媒体を用いた光ディス
クに対する記録補償を記録レーザ光の発光制御により行
う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、相変化型記録媒体
を用いた情報の書換え可能な光ディスクの記録補償方法
及び光ディスク記録装置に関する。
を用いた情報の書換え可能な光ディスクの記録補償方法
及び光ディスク記録装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】相変化型記録媒体を用いた情報の書換え
可能な光ディスクの代表例としては、ＤＶＤ−ＲＡＭが
挙げられる。ＤＶＤ−ＲＡＭにおいては、信号変調方式
としてＥＦＭ（Eight-to-Fourteen Modulation）変調が
用いられ、３Ｔ〜１１Ｔの各マークに対して半導体レー
ザの発光パルスをマルチパルス化することにより記録波
形を生成する。ＤＶＤ−ＲＡＭにおける記録波形の例を
図９に示す。この図９に示す通り、３Ｔマークは単一の
発光パルスで、また、１１Ｔマークは９つのマルチパル
スによって記録されている。また、各々のパルスの直後
には消去パワーに相当するＢｉａｓ Ｐｏｗｅｒ１より
も低い値に設定されたＢｉａｓ Ｐｏｗｅｒ２の部分を
持たせ、相変化記録媒体の結晶化速度を制御している。
更に、先頭パルス、並びに、終端パルスは、共に１Ｔ程
度の長さとし、それぞれの照射開始位置は、クロックに
対して一定量（図９中、ＴSFP ，ＴSLP ）遅らせる構成
としている。
可能な光ディスクの代表例としては、ＤＶＤ−ＲＡＭが
挙げられる。ＤＶＤ−ＲＡＭにおいては、信号変調方式
としてＥＦＭ（Eight-to-Fourteen Modulation）変調が
用いられ、３Ｔ〜１１Ｔの各マークに対して半導体レー
ザの発光パルスをマルチパルス化することにより記録波
形を生成する。ＤＶＤ−ＲＡＭにおける記録波形の例を
図９に示す。この図９に示す通り、３Ｔマークは単一の
発光パルスで、また、１１Ｔマークは９つのマルチパル
スによって記録されている。また、各々のパルスの直後
には消去パワーに相当するＢｉａｓ Ｐｏｗｅｒ１より
も低い値に設定されたＢｉａｓ Ｐｏｗｅｒ２の部分を
持たせ、相変化記録媒体の結晶化速度を制御している。
更に、先頭パルス、並びに、終端パルスは、共に１Ｔ程
度の長さとし、それぞれの照射開始位置は、クロックに
対して一定量（図９中、ＴSFP ，ＴSLP ）遅らせる構成
としている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ＤＶＤ−ＲＡＭを超え
る大容量の高密度相変化型光ディスクを実現するための
手法として、スポットサイズを小さくする方法が知られ
ている。記録媒体上でのスポットサイズは、概ねλ／Ｎ
Ａで与えられ、ＧａＮやＺｎＳｅといった短波長半導体
レーザ光源を用いる手法や、ソリッド・イマージョン・
レンズ（SIL:Solid Immersion Lens）に代表される２群
レンズ等によって、対物レンズの開口数（NA:Numerical
Aperture）を大きくする手法によって小さくすること
ができる。
る大容量の高密度相変化型光ディスクを実現するための
手法として、スポットサイズを小さくする方法が知られ
ている。記録媒体上でのスポットサイズは、概ねλ／Ｎ
Ａで与えられ、ＧａＮやＺｎＳｅといった短波長半導体
レーザ光源を用いる手法や、ソリッド・イマージョン・
レンズ（SIL:Solid Immersion Lens）に代表される２群
レンズ等によって、対物レンズの開口数（NA:Numerical
Aperture）を大きくする手法によって小さくすること
ができる。
【０００４】例えば、λ＝６４０ｎｍ、ＮＡ＝０．８５
とすると、スポットの直径は、媒体上で約０．７５μｍ
となり、例えば、（１，７）変調を用いて信号を記録再
生すると、０．２１μｍ／ｂｉｔ程度の記録線密度を達
成できる。この場合のスポット形状とＤＶＤ−ＲＡＭに
おけるスポット形状との比較結果を図１０に示す。
とすると、スポットの直径は、媒体上で約０．７５μｍ
となり、例えば、（１，７）変調を用いて信号を記録再
生すると、０．２１μｍ／ｂｉｔ程度の記録線密度を達
成できる。この場合のスポット形状とＤＶＤ−ＲＡＭに
おけるスポット形状との比較結果を図１０に示す。
【０００５】ここで、（１，７）変調では、基本データ
長がｍビットであるデータを可変長符号（ｄ，ｋ；，
ｍ，ｎ；ｒ）に変換するに当たり、例えば、基本データ
長ｍが２ビットであるデータを、ＲＬＬ（１，７）符号
のチャンネルビット列の０の最小ランｄが所定回数続く
のを制限するコードを含む変換テーブルで、０の最小ラ
ンｄを１ビット、０の最大ランｋを７ビット、基本デー
タ長ｍを２ビット、基本符号長ｎを３ビット、最大拘束
長ｒを３とした可変長符号号（１，７；２，３；３）に
変換する。この（１，７）変調には、例えば、次のよう
な変換テーブルが用いられる。
長がｍビットであるデータを可変長符号（ｄ，ｋ；，
ｍ，ｎ；ｒ）に変換するに当たり、例えば、基本データ
長ｍが２ビットであるデータを、ＲＬＬ（１，７）符号
のチャンネルビット列の０の最小ランｄが所定回数続く
のを制限するコードを含む変換テーブルで、０の最小ラ
ンｄを１ビット、０の最大ランｋを７ビット、基本デー
タ長ｍを２ビット、基本符号長ｎを３ビット、最大拘束
長ｒを３とした可変長符号号（１，７；２，３；３）に
変換する。この（１，７）変調には、例えば、次のよう
な変換テーブルが用いられる。
【０００６】 また、それぞれのスポットによってＤＶＤ−ＲＡＭにお
ける８Ｔマークを記録した際の、媒体上の温度分布（計
算値）を図１１に示す。なお、比較のため、同一線速条
件としている。これらの結果から、高開口数対物レンズ
を用い、高密度記録を行うと、従来のＤＶＤ−ＲＡＭに
比べて、昇温冷却速度が高くなってしまうことが分か
る。これは、転送レートを向上させるため、記録信号の
チャンネルクロックを高くし、それに比例してメディア
線速を高めた場合と等価である。光源である半導体レー
ザの波長が短くなった場合にも同様となる。相変化記録
においてオーバーライトを実現する場合、記録マークが
書かれている部分（アモルファス状態）と書かれていな
い部分（結晶状態）との間で、昇温冷却速度に違いのな
いことが望ましい。しかしながら、このように本質的に
急峻な昇温冷却速度特性を示す場合、比較的低線速での
使用を前提としたＤＶＤ−ＲＡＭの記録パルスでは、ア
モルファス状態と結晶状態とで熱吸収率が異なることを
記録補償によって補正しきれず、両者でマークの後端エ
ッジが別々の位置に生じてしまう。この影響は、記録媒
体上に一定の位置ずれとして観察されるため、記録密度
を高めるにつれて影響が大きくなる。
ける８Ｔマークを記録した際の、媒体上の温度分布（計
算値）を図１１に示す。なお、比較のため、同一線速条
件としている。これらの結果から、高開口数対物レンズ
を用い、高密度記録を行うと、従来のＤＶＤ−ＲＡＭに
比べて、昇温冷却速度が高くなってしまうことが分か
る。これは、転送レートを向上させるため、記録信号の
チャンネルクロックを高くし、それに比例してメディア
線速を高めた場合と等価である。光源である半導体レー
ザの波長が短くなった場合にも同様となる。相変化記録
においてオーバーライトを実現する場合、記録マークが
書かれている部分（アモルファス状態）と書かれていな
い部分（結晶状態）との間で、昇温冷却速度に違いのな
いことが望ましい。しかしながら、このように本質的に
急峻な昇温冷却速度特性を示す場合、比較的低線速での
使用を前提としたＤＶＤ−ＲＡＭの記録パルスでは、ア
モルファス状態と結晶状態とで熱吸収率が異なることを
記録補償によって補正しきれず、両者でマークの後端エ
ッジが別々の位置に生じてしまう。この影響は、記録媒
体上に一定の位置ずれとして観察されるため、記録密度
を高めるにつれて影響が大きくなる。
【０００７】これらの要素を考慮して関数化すると、記
録媒体の線速（ＬＶ：ｍ／ｓｅｃ）、光学ヘッドの対物
レンズ開口数（ＮＡ）、記録レーザ光の波長（λ：μ
ｍ）、並びに、信号ビット長（ＢＬ：μｍ）によって表
される次のような関数Ｆとなる。
録媒体の線速（ＬＶ：ｍ／ｓｅｃ）、光学ヘッドの対物
レンズ開口数（ＮＡ）、記録レーザ光の波長（λ：μ
ｍ）、並びに、信号ビット長（ＢＬ：μｍ）によって表
される次のような関数Ｆとなる。
【０００８】Ｆ＝ＬＶ・ＮＡ／（λ・ＢＬ） 上記関数Ｆは、スポットサイズが小さくなり、線速度が
増し、記録密度が高くなるにつれてその値が大きくな
る。ちなみに、転送レートとしてＤＶＤと同等の３０Ｍ
ｂｐｓを想定すると、この場合におけるＦの値は約２７
となり、ＤＶＤ−ＲＡＭにおける値１３を大きく上回
る。
増し、記録密度が高くなるにつれてその値が大きくな
る。ちなみに、転送レートとしてＤＶＤと同等の３０Ｍ
ｂｐｓを想定すると、この場合におけるＦの値は約２７
となり、ＤＶＤ−ＲＡＭにおける値１３を大きく上回
る。
【０００９】このように、対物レンズの開口数（NA：Nu
merical Aperture）を大きくすることにより、スポット
サイズが小さくなると、スポット中心部の温度が上昇
し、温度上昇・下降に要する時間が短くなる。また、記
録媒体の寿命を延ばすため、一般に、アルミ反射膜の厚
さを増す等の方法で、熱はけを向上させる工夫が施され
る。すなわち、高密度化を図ることにより、記録媒体は
急冷構造となり、従来の記録補償パルスのままでは、オ
ーバーライトが困難となる。
merical Aperture）を大きくすることにより、スポット
サイズが小さくなると、スポット中心部の温度が上昇
し、温度上昇・下降に要する時間が短くなる。また、記
録媒体の寿命を延ばすため、一般に、アルミ反射膜の厚
さを増す等の方法で、熱はけを向上させる工夫が施され
る。すなわち、高密度化を図ることにより、記録媒体は
急冷構造となり、従来の記録補償パルスのままでは、オ
ーバーライトが困難となる。
【００１０】この問題を解決するには、例えば、蓄熱を
可能とする記録補償により、結晶化速度を制御すればよ
い。
可能とする記録補償により、結晶化速度を制御すればよ
い。
【００１１】そこで、本発明の目的は、上述の如き従来
の実状に鑑み、対物レンズの高開口数化、或いは、光源
の短波長化によって実現される大容量、高密度相変化型
光ディスクにおいても、ＤＶＤ−ＲＡＭで用いられてい
るＧｅＳｂＴｅ系の記録メディアのままオーバーライト
動作を可能にした光ディスクの記録補償方法及び光ディ
スク記録装置を提供することにある。
の実状に鑑み、対物レンズの高開口数化、或いは、光源
の短波長化によって実現される大容量、高密度相変化型
光ディスクにおいても、ＤＶＤ−ＲＡＭで用いられてい
るＧｅＳｂＴｅ系の記録メディアのままオーバーライト
動作を可能にした光ディスクの記録補償方法及び光ディ
スク記録装置を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、記録媒体の線
速（ＬＶ：ｍ／ｓｅｃ）、光学ヘッドの対物レンズ開口
数（ＮＡ）、記録レーザ光の波長（λ：μｍ）、並び
に、信号ビット長（ＢＬ：μｍ）によって表される関数
Ｆ Ｆ＝ＬＶ・ＮＡ／（λ・ＢＬ） をＦ≧２０として、相変化型記録媒体を用いた情報の書
換え可能な光ディスクに情報を記録する光ディスク記録
装置における光ディスクの記録補償方法であって、記録
時の照射パルスを少なくとも３レベルからなるマルチパ
ルスとし、終端の発光パルスを他のいずれの照射パルス
よりも長い時間幅に設定して、情報の書換え可能な相変
化型記録媒体を用いた光ディスクに対する記録補償を記
録レーザ光の発光制御により行うことを特徴とする。
速（ＬＶ：ｍ／ｓｅｃ）、光学ヘッドの対物レンズ開口
数（ＮＡ）、記録レーザ光の波長（λ：μｍ）、並び
に、信号ビット長（ＢＬ：μｍ）によって表される関数
Ｆ Ｆ＝ＬＶ・ＮＡ／（λ・ＢＬ） をＦ≧２０として、相変化型記録媒体を用いた情報の書
換え可能な光ディスクに情報を記録する光ディスク記録
装置における光ディスクの記録補償方法であって、記録
時の照射パルスを少なくとも３レベルからなるマルチパ
ルスとし、終端の発光パルスを他のいずれの照射パルス
よりも長い時間幅に設定して、情報の書換え可能な相変
化型記録媒体を用いた光ディスクに対する記録補償を記
録レーザ光の発光制御により行うことを特徴とする。
【００１３】本発明に係る光ディスクの記録補償方法で
は、例えば、終端の発光パルスを照射した後は、直ち
に、消去パワーレベルにする。
は、例えば、終端の発光パルスを照射した後は、直ち
に、消去パワーレベルにする。
【００１４】また、本発明に係る光ディスクの記録補償
方法では、例えば、先頭の発光パルスの照射開始位置及
びその発光パルス幅、並びに、終端の発光パルスの照射
開始位置及びその発光パルス幅を、各記録マーク長に応
じて、任意に設定可能にしてもよく、さらに、先頭及び
終端の発光パルス以外のパルストレイン部においても、
その発光パルス幅を任意に設定可能にしてもよい。
方法では、例えば、先頭の発光パルスの照射開始位置及
びその発光パルス幅、並びに、終端の発光パルスの照射
開始位置及びその発光パルス幅を、各記録マーク長に応
じて、任意に設定可能にしてもよく、さらに、先頭及び
終端の発光パルス以外のパルストレイン部においても、
その発光パルス幅を任意に設定可能にしてもよい。
【００１５】さらに、本発明に係る光ディスクの記録補
償方法では、例えば、記録マークがＮＴ（Ｎ：整数、
Ｔ：チャンネルクロック幅）の際、照射されるマルチパ
ルスの数をＮ−１とする。
償方法では、例えば、記録マークがＮＴ（Ｎ：整数、
Ｔ：チャンネルクロック幅）の際、照射されるマルチパ
ルスの数をＮ−１とする。
【００１６】本発明は、記録媒体の線速（ＬＶ：ｍ／ｓ
ｅｃ）、光学ヘッドの対物レンズ開口数（ＮＡ）、記録
レーザ光の波長（λ：μｍ）、並びに、信号ビット長
（ＢＬ：μｍ）によって表される関数Ｆ Ｆ＝ＬＶ・ＮＡ／（λ・ＢＬ） をＦ≧２０として、相変化型記録媒体を用いた情報の書
換え可能な光ディスクに情報を記録する光ディスク記録
装置であって、上記記録レーザ光を発光するレーザ光源
に対して、記録時の照射パルスを少なくとも３レベルか
らなるマルチパルスとし、終端の発光パルスを他のいず
れの照射パルスよりも長い時間幅に設定した発光制御を
行う発光制御手段を備えることを特徴とする。
ｅｃ）、光学ヘッドの対物レンズ開口数（ＮＡ）、記録
レーザ光の波長（λ：μｍ）、並びに、信号ビット長
（ＢＬ：μｍ）によって表される関数Ｆ Ｆ＝ＬＶ・ＮＡ／（λ・ＢＬ） をＦ≧２０として、相変化型記録媒体を用いた情報の書
換え可能な光ディスクに情報を記録する光ディスク記録
装置であって、上記記録レーザ光を発光するレーザ光源
に対して、記録時の照射パルスを少なくとも３レベルか
らなるマルチパルスとし、終端の発光パルスを他のいず
れの照射パルスよりも長い時間幅に設定した発光制御を
行う発光制御手段を備えることを特徴とする。
【００１７】本発明に係る光ディスク記録装置では、例
えば、上記発光制御手段により、終端の発光パルスの照
射後、直ちに、消去パワーレベルにするように上記レー
ザ光源の発光制御を行う。
えば、上記発光制御手段により、終端の発光パルスの照
射後、直ちに、消去パワーレベルにするように上記レー
ザ光源の発光制御を行う。
【００１８】本発明に係る光ディスク記録装置におい
て、上記発光制御手段は、先頭の発光パルスの照射開始
位置及びその発光パルス幅、並びに、終端の発光パルス
の照射開始位置及びその発光パルス幅を、各記録マーク
長に応じて、任意に設定可能にしてもよい。また、上記
発光制御手段は、さらに、先頭及び終端の発光パルス以
外のパルストレイン部においても、その発光パルス幅を
任意に設定可能にしてもよい。
て、上記発光制御手段は、先頭の発光パルスの照射開始
位置及びその発光パルス幅、並びに、終端の発光パルス
の照射開始位置及びその発光パルス幅を、各記録マーク
長に応じて、任意に設定可能にしてもよい。また、上記
発光制御手段は、さらに、先頭及び終端の発光パルス以
外のパルストレイン部においても、その発光パルス幅を
任意に設定可能にしてもよい。
【００１９】さらに、本発明に係る光ディスク記録装置
において、上記発光制御手段は、例えば、記録マークが
ＮＴ（Ｎ：整数、Ｔ：チャンネルクロック幅）の際に、
照射するマルチパルスの数をＮ−１とするように上記レ
ーザ光源の発光制御を行う。
において、上記発光制御手段は、例えば、記録マークが
ＮＴ（Ｎ：整数、Ｔ：チャンネルクロック幅）の際に、
照射するマルチパルスの数をＮ−１とするように上記レ
ーザ光源の発光制御を行う。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。
て図面を参照して詳細に説明する。
【００２１】本発明は、例えば、高開口数２群対物レン
ズを用いた情報の書換え可能な相変化型光ディスク記録
／再生装置に適用される。
ズを用いた情報の書換え可能な相変化型光ディスク記録
／再生装置に適用される。
【００２２】この相変化型光ディスク記録／再生装置
は、図１に示すような構成の光学ヘッド１０を備え、光
ディスク１をスピンドルモータ２により例えば角速度一
定で回転駆動しながら、上記光ディスク１の情報記録面
を光学ヘッド１０によりレーザ光で走査して、（１，
７）変調で情報の記録／再生を光学的に行う。
は、図１に示すような構成の光学ヘッド１０を備え、光
ディスク１をスピンドルモータ２により例えば角速度一
定で回転駆動しながら、上記光ディスク１の情報記録面
を光学ヘッド１０によりレーザ光で走査して、（１，
７）変調で情報の記録／再生を光学的に行う。
【００２３】この光学ヘッド１０は、光ディスク１に照
射する記録／再生用のレーザ光を放射する光源として半
導体レーザ（ＬＤ）３を備える。この半導体レーザ３か
らの出射光は、コリメータレンズ４で平行光とされ、サ
イドスポット生成用の回折格子５を通過した後、ビーム
スプリッタ６及び１／４波長板７を介して非球面２群対
物レンズユニット２０に入射され、この非球面２群対物
レンズユニット２０により光ディスク１の情報記録面上
に集光される。上記半導体レーザ３からの出射光の一部
は、ビームスプリッタ６によって反射され集光レンズ８
を介して発光パワーモニター用ディテクタ９へ導かれ、
情報記録面上でのレーザパワーを制御する自動光量制御
（APC：Automatic Power Control）に用いられる。光デ
ィスク１からの反射光（すなわち再生信号）は、ビーム
スプリッタ６で反射されて検出光路へ導かれ、その一部
はビームスプリッタ１１によって反射され集光レンズ１
２及びシリンドリカルレンズ１３を介してサーボ信号用
ディテクタ１４に入射されて光電変換され、残りはレン
ズ１５，１６を介してＲＦ信号用ディテクタ１７に入射
されて光電変換される。この光学ヘッド１０において
は、非点収差法を用いてフォーカス誤差信号を生成し、
また、差動プッシュプル法を用いてトラッキング誤差信
号を生成している。ここでは、２つの信号検出ディテク
タ１４，１７によってサーボ誤差信号と再生ＲＦ信号を
検出しているが、１つの検出器でまかなうことも可能で
ある。
射する記録／再生用のレーザ光を放射する光源として半
導体レーザ（ＬＤ）３を備える。この半導体レーザ３か
らの出射光は、コリメータレンズ４で平行光とされ、サ
イドスポット生成用の回折格子５を通過した後、ビーム
スプリッタ６及び１／４波長板７を介して非球面２群対
物レンズユニット２０に入射され、この非球面２群対物
レンズユニット２０により光ディスク１の情報記録面上
に集光される。上記半導体レーザ３からの出射光の一部
は、ビームスプリッタ６によって反射され集光レンズ８
を介して発光パワーモニター用ディテクタ９へ導かれ、
情報記録面上でのレーザパワーを制御する自動光量制御
（APC：Automatic Power Control）に用いられる。光デ
ィスク１からの反射光（すなわち再生信号）は、ビーム
スプリッタ６で反射されて検出光路へ導かれ、その一部
はビームスプリッタ１１によって反射され集光レンズ１
２及びシリンドリカルレンズ１３を介してサーボ信号用
ディテクタ１４に入射されて光電変換され、残りはレン
ズ１５，１６を介してＲＦ信号用ディテクタ１７に入射
されて光電変換される。この光学ヘッド１０において
は、非点収差法を用いてフォーカス誤差信号を生成し、
また、差動プッシュプル法を用いてトラッキング誤差信
号を生成している。ここでは、２つの信号検出ディテク
タ１４，１７によってサーボ誤差信号と再生ＲＦ信号を
検出しているが、１つの検出器でまかなうことも可能で
ある。
【００２４】上記非球面２群対物レンズユニット２０
は、例えば図２に示すように、第１のレンズ２１を駆動
する第１の電磁アクチュエータ２２と、第２のレンズ２
３を駆動する第２のアクチュエータ２４を備える。第２
のレンズ２３は、光軸方向及びトラック方向に可動な第
２の電磁アクチュエータ２４上に搭載され、その開口数
が約０．５となっている。また、第１のレンズ２１は、
第２のレンズ２３の上方において、第２の電磁アクチュ
エータ２４とは別の第１の電磁アクチュエータ２２上に
搭載され、光軸上の任意の位置に制御可能な構成になっ
ている。
は、例えば図２に示すように、第１のレンズ２１を駆動
する第１の電磁アクチュエータ２２と、第２のレンズ２
３を駆動する第２のアクチュエータ２４を備える。第２
のレンズ２３は、光軸方向及びトラック方向に可動な第
２の電磁アクチュエータ２４上に搭載され、その開口数
が約０．５となっている。また、第１のレンズ２１は、
第２のレンズ２３の上方において、第２の電磁アクチュ
エータ２４とは別の第１の電磁アクチュエータ２２上に
搭載され、光軸上の任意の位置に制御可能な構成になっ
ている。
【００２５】なお、第１のレンズ２１は、トラック方向
に関して第２のレンズ２３と一体で動き、トラッキング
サーボに追従する。そして、半導体レーザ３からの光ビ
ームがこれら２つの対物レンズ２３，２１を通過するこ
とによって光ディスク１の相変化型情報記録面上に集光
される。この際、２群レンズ２３，２１の実効的な対物
レンズ開口数は約０．８５となる。
に関して第２のレンズ２３と一体で動き、トラッキング
サーボに追従する。そして、半導体レーザ３からの光ビ
ームがこれら２つの対物レンズ２３，２１を通過するこ
とによって光ディスク１の相変化型情報記録面上に集光
される。この際、２群レンズ２３，２１の実効的な対物
レンズ開口数は約０．８５となる。
【００２６】ここで、対物レンズの開口数が大きくなる
と、一般に光ディスク記録再生装置におけるスキュート
レランスが減少する。ディスクスキュー（Ｘ方向）によ
る波面収差をザイデルの多項式で表すと Ｗ（ｘ，ｙ）＝Ｗ22ｘ2＋Ｗ31ｘ（ｘ2＋ｙ2）＋Ｗ51ｘ
（ｘ2＋ｙ2）2 となる。ここで Ｗ22は非点収差、Ｗ31は３次のコマ収
差、Ｗ51は５次のコマ収差である。このうち、支配的で
ある３次のコマ収差Ｗ31は、ｎをディスク基板の屈折率
として、次式で与えられ、スキュー角θが１度以下の小
さな場合には、概ね開口数ＮＡの３乗とディスク基板厚
ｔに比例する。
と、一般に光ディスク記録再生装置におけるスキュート
レランスが減少する。ディスクスキュー（Ｘ方向）によ
る波面収差をザイデルの多項式で表すと Ｗ（ｘ，ｙ）＝Ｗ22ｘ2＋Ｗ31ｘ（ｘ2＋ｙ2）＋Ｗ51ｘ
（ｘ2＋ｙ2）2 となる。ここで Ｗ22は非点収差、Ｗ31は３次のコマ収
差、Ｗ51は５次のコマ収差である。このうち、支配的で
ある３次のコマ収差Ｗ31は、ｎをディスク基板の屈折率
として、次式で与えられ、スキュー角θが１度以下の小
さな場合には、概ね開口数ＮＡの３乗とディスク基板厚
ｔに比例する。
【００２７】Ｗ31＝（ｎ2−１）ｎ2sinθcosθ／２（ｎ
2−sin2θ）2/5・ｔＮＡ3／λ したがって、非球面２群レンズを用い、その開口数の値
を０．８５まで高めた光ディスク記録／再生装置におい
て、ＤＶＤ−ＲＡＭと同等のスキュートレランスを確保
するためには、基板厚さを０．１ｍｍ程度まで薄くする
必要が生じる。
2−sin2θ）2/5・ｔＮＡ3／λ したがって、非球面２群レンズを用い、その開口数の値
を０．８５まで高めた光ディスク記録／再生装置におい
て、ＤＶＤ−ＲＡＭと同等のスキュートレランスを確保
するためには、基板厚さを０．１ｍｍ程度まで薄くする
必要が生じる。
【００２８】一方、ディスク基板に相変化型記録媒体を
成膜する際、通常は第１誘電体膜（ＺｎＳ−Ｓｉ
Ｏ2）、記録膜（Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5）、第２誘電体膜（Ｚ
ｎＳ−ＳｉＯ2 ）、アルミ合金反射膜の順に膜付けを行
うが、厚さ０．１ｍｍの基板にアドレスやセクターマー
ク等のプリフォーマットをエンボス加工によって施し、
上記手順に従い成膜を行うことは工程上困難であるの
で、この光ディスク記録／再生装置で使用する光ディス
ク１は、図３に示すように、プリフォーマットされた厚
さ１．２ｍｍのディスク基板１Ａに、通常とは逆に、ア
ルミ合金反射膜１Ｂ、第２誘電体膜（ＺｎＳ−Ｓｉ
Ｏ2）１Ｃ、記録膜（Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5）１Ｄ、第１誘電
体膜（ＺｎＳ−ＳｉＯ2 ）１Ｅの手順に膜付けを行い、
最後に厚さ０．１ｍｍのディスク保護膜１Ｆを付加して
なる。
成膜する際、通常は第１誘電体膜（ＺｎＳ−Ｓｉ
Ｏ2）、記録膜（Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5）、第２誘電体膜（Ｚ
ｎＳ−ＳｉＯ2 ）、アルミ合金反射膜の順に膜付けを行
うが、厚さ０．１ｍｍの基板にアドレスやセクターマー
ク等のプリフォーマットをエンボス加工によって施し、
上記手順に従い成膜を行うことは工程上困難であるの
で、この光ディスク記録／再生装置で使用する光ディス
ク１は、図３に示すように、プリフォーマットされた厚
さ１．２ｍｍのディスク基板１Ａに、通常とは逆に、ア
ルミ合金反射膜１Ｂ、第２誘電体膜（ＺｎＳ−Ｓｉ
Ｏ2）１Ｃ、記録膜（Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5）１Ｄ、第１誘電
体膜（ＺｎＳ−ＳｉＯ2 ）１Ｅの手順に膜付けを行い、
最後に厚さ０．１ｍｍのディスク保護膜１Ｆを付加して
なる。
【００２９】そして、この実施の形態における相変化型
光ディスク記録／再生装置では、上記光学ヘッド１０の
半導体レーザ３を例えば図４に示すような構成の半導体
レーザ駆動回路３０により駆動して、少なくとも３値の
記録パワーを制御し、各記録マークに応じたマルチパル
スを発光させることにより情報の記録を行う。また、
（１，７）変調の２Ｔから８Ｔのマーク長に対し、それ
ぞれ１から７つの発光パルスで構成されるマルチパルス
を作り出し記録を行う。すなわち、図５に示すように、
ＮＴ（Ｎ：２から８までの整数、Ｔ：チャンネルクロッ
ク幅）の記録マークに対してＮ−１の発光パルストレイ
ンを生成する。ＤＶＤ−ＲＡＭにおけるＮ−２の発光パ
ルスに比べて、照射パワーのピーク値を下げる効果があ
り、これにより、相変化型記録媒体の耐久性（オーバー
ライト回数）が向上する。
光ディスク記録／再生装置では、上記光学ヘッド１０の
半導体レーザ３を例えば図４に示すような構成の半導体
レーザ駆動回路３０により駆動して、少なくとも３値の
記録パワーを制御し、各記録マークに応じたマルチパル
スを発光させることにより情報の記録を行う。また、
（１，７）変調の２Ｔから８Ｔのマーク長に対し、それ
ぞれ１から７つの発光パルスで構成されるマルチパルス
を作り出し記録を行う。すなわち、図５に示すように、
ＮＴ（Ｎ：２から８までの整数、Ｔ：チャンネルクロッ
ク幅）の記録マークに対してＮ−１の発光パルストレイ
ンを生成する。ＤＶＤ−ＲＡＭにおけるＮ−２の発光パ
ルスに比べて、照射パワーのピーク値を下げる効果があ
り、これにより、相変化型記録媒体の耐久性（オーバー
ライト回数）が向上する。
【００３０】図４に示した半導体レーザ駆動回路３０
は、半導体レーザ３に駆動電流を流す３つの電流源３
１，３２，３３を備え、３種類の記録信号Ｄａｔａ１，
Ｄａｔａ２，Ｄａｔａ３、及び、対応するＬＤ電流制御
信号ＬＤＣ１，ＬＤＣ２，ＬＤＣ３に応じて、各電流源
３１，３２，３３が選択的に動作制御されることによ
り、半導体レーザ３の発光波形が形成されるようになっ
ている。すなわち、ＬＤ電流制御信号ＬＤＣ１は、信号
再生時の再生パワー（図５における Ｒｅａｄ Ｐｏｗ
ｅｒ）、並びに、記録時の消去パワー（図５におけるＢ
ｉａｓ Ｐｏｗｅｒ１）を指示する信号であって、第１
の電流源３１の動作制御を行う。また、ＬＤ電流制御信
号ＬＤＣ２は、記録時の冷却パワー（図５におけるＢｉ
ａｓ Ｐｏｗｅｒ２）を指示する信号であって、第２の
電流源３２の動作制御を行う。さらに、ＬＤ電流制御信
号ＬＤＣ３は、記録時のピークパワー（図５におけるＰ
ｅａｋＰｏｗｅｒ）を指定する信号であって、第３の電
流源３３から半導体レーザ３の動作制御を行う。そし
て、各電流源３１，３２，３３からの駆動電流による発
光パルスは、上記３種類の記録信号Ｄａｔａ１、Ｄａｔ
ａ２、Ｄａｔａ３に応じて生成される。
は、半導体レーザ３に駆動電流を流す３つの電流源３
１，３２，３３を備え、３種類の記録信号Ｄａｔａ１，
Ｄａｔａ２，Ｄａｔａ３、及び、対応するＬＤ電流制御
信号ＬＤＣ１，ＬＤＣ２，ＬＤＣ３に応じて、各電流源
３１，３２，３３が選択的に動作制御されることによ
り、半導体レーザ３の発光波形が形成されるようになっ
ている。すなわち、ＬＤ電流制御信号ＬＤＣ１は、信号
再生時の再生パワー（図５における Ｒｅａｄ Ｐｏｗ
ｅｒ）、並びに、記録時の消去パワー（図５におけるＢ
ｉａｓ Ｐｏｗｅｒ１）を指示する信号であって、第１
の電流源３１の動作制御を行う。また、ＬＤ電流制御信
号ＬＤＣ２は、記録時の冷却パワー（図５におけるＢｉ
ａｓ Ｐｏｗｅｒ２）を指示する信号であって、第２の
電流源３２の動作制御を行う。さらに、ＬＤ電流制御信
号ＬＤＣ３は、記録時のピークパワー（図５におけるＰ
ｅａｋＰｏｗｅｒ）を指定する信号であって、第３の電
流源３３から半導体レーザ３の動作制御を行う。そし
て、各電流源３１，３２，３３からの駆動電流による発
光パルスは、上記３種類の記録信号Ｄａｔａ１、Ｄａｔ
ａ２、Ｄａｔａ３に応じて生成される。
【００３１】また、上記３種類の記録信号Ｄａｔａ１，
Ｄａｔａ２，Ｄａｔａ３は、図６に示すような構成の記
録パルス発生回路４０により、以下の手法により生成さ
れて、上記半導体レーザ駆動回路３０に与えられる。
Ｄａｔａ２，Ｄａｔａ３は、図６に示すような構成の記
録パルス発生回路４０により、以下の手法により生成さ
れて、上記半導体レーザ駆動回路３０に与えられる。
【００３２】この図６に示す記録パルス発生回路４０
は、記録データがＮＲＺＩ（NoReturnto Zero Invers
e）信号として入力されるパターン検出回路４１を備
え、このパターン検出回路４１でチャンネルクロックに
同期してパターン検出を行うことにより、記録マーク長
を判定する。
は、記録データがＮＲＺＩ（NoReturnto Zero Invers
e）信号として入力されるパターン検出回路４１を備
え、このパターン検出回路４１でチャンネルクロックに
同期してパターン検出を行うことにより、記録マーク長
を判定する。
【００３３】この実施の形態では、Ｎ−１のパルスを発
生するため、例えば、２Ｔを検出した場合には先頭パル
スのみを生成し、３Ｔを検出した場合には、先頭パルス
と、終端パルスの２つのパルスを生成すればよい。４Ｔ
以上の場合には、先頭パルスと終端パルスとの間にパル
ストレインを挿入する。また、各発光パルスの間は、消
去パワーレベルよりも低いパワー（Ｂｉａｓ Ｐｏｗｅ
ｒ２）まで、出力を低下させる。
生するため、例えば、２Ｔを検出した場合には先頭パル
スのみを生成し、３Ｔを検出した場合には、先頭パルス
と、終端パルスの２つのパルスを生成すればよい。４Ｔ
以上の場合には、先頭パルスと終端パルスとの間にパル
ストレインを挿入する。また、各発光パルスの間は、消
去パワーレベルよりも低いパワー（Ｂｉａｓ Ｐｏｗｅ
ｒ２）まで、出力を低下させる。
【００３４】上記パターン検出回路４１での判定結果
は、記録信号発生回路４２に与えられ、その判定結果に
基づいて各記録信号Ｄａｔａ１，Ｄａｔａ２，Ｄａｔａ
３が生成される。
は、記録信号発生回路４２に与えられ、その判定結果に
基づいて各記録信号Ｄａｔａ１，Ｄａｔａ２，Ｄａｔａ
３が生成される。
【００３５】第１の記録信号Ｄａｔａ１は、再生時に
「ＨＩＧＨ」、マルチパルス発光部分では「ＬＯＷ」、
それ以外では「ＨＩＧＨ」となるロジック信号である。
また、第２の記録Ｄａｔａ２は 第１の記録信号Ｄａｔ
ａ１の反転信号となっている。第３の記録信号Ｄａｔａ
３は、ピークパルスであり、上述の先頭パルス、終端パ
ルス及びパルストレインからなる。
「ＨＩＧＨ」、マルチパルス発光部分では「ＬＯＷ」、
それ以外では「ＨＩＧＨ」となるロジック信号である。
また、第２の記録Ｄａｔａ２は 第１の記録信号Ｄａｔ
ａ１の反転信号となっている。第３の記録信号Ｄａｔａ
３は、ピークパルスであり、上述の先頭パルス、終端パ
ルス及びパルストレインからなる。
【００３６】すなわち、記録信号発生回路４２は、上記
パターン検出回路４１により検出されたパターンに応じ
て、第１及び第２の記録信号Ｄａｔａ１，Ｄａｔａ２を
出力するとともに、先頭パルスＥｎａｂｌｅ信号、パル
ストレインＥｎａｂｌｅ信号、終端パルスＥｎａｂｌｅ
信号及びクロック信号を出力する。
パターン検出回路４１により検出されたパターンに応じ
て、第１及び第２の記録信号Ｄａｔａ１，Ｄａｔａ２を
出力するとともに、先頭パルスＥｎａｂｌｅ信号、パル
ストレインＥｎａｂｌｅ信号、終端パルスＥｎａｂｌｅ
信号及びクロック信号を出力する。
【００３７】この記録信号発生回路４２により得られる
第１及び第２の記録信号Ｄａｔａ１，Ｄａｔａ２は、そ
れぞれ可変遅延素子４３，４４によって任意の遅延量が
与えられて、上記半導体レーザ駆動回路３０に供給され
る。
第１及び第２の記録信号Ｄａｔａ１，Ｄａｔａ２は、そ
れぞれ可変遅延素子４３，４４によって任意の遅延量が
与えられて、上記半導体レーザ駆動回路３０に供給され
る。
【００３８】また、第３の記録信号Ｄａｔａ３を構成す
る先頭パルス、パルストレイン及び終端パルスは、次の
ようにして生成される。
る先頭パルス、パルストレイン及び終端パルスは、次の
ようにして生成される。
【００３９】すなわち、先頭パルスは、記録信号発生回
路４２の出力のうちの先頭パルスＥｎａｂｌｅ信号及び
クロック信号により、Ｄフリップフロップ４５において
生成される。上記先頭パルスＥｎａｂｌｅ信号は、可変
遅延素子４６によって任意の遅延量が与えられ、先頭パ
ルスのクリア信号としても用いられる。この先頭パルス
のパルス幅は、検出されたマーク長に応じて、上記可変
遅延素子４６の遅延量を変化させることで設定される。
そして、上記Ｄフリップフロップ４５において生成され
た先頭パルスは、上記マーク長に応じて、発光開始位置
をチャンネルクロックに対し任意の位置に設定できるよ
うに、可変遅延素子４７を介してＯＲ回路４８へ出力さ
れる。
路４２の出力のうちの先頭パルスＥｎａｂｌｅ信号及び
クロック信号により、Ｄフリップフロップ４５において
生成される。上記先頭パルスＥｎａｂｌｅ信号は、可変
遅延素子４６によって任意の遅延量が与えられ、先頭パ
ルスのクリア信号としても用いられる。この先頭パルス
のパルス幅は、検出されたマーク長に応じて、上記可変
遅延素子４６の遅延量を変化させることで設定される。
そして、上記Ｄフリップフロップ４５において生成され
た先頭パルスは、上記マーク長に応じて、発光開始位置
をチャンネルクロックに対し任意の位置に設定できるよ
うに、可変遅延素子４７を介してＯＲ回路４８へ出力さ
れる。
【００４０】また、パルストレインは、記録信号発生回
路４２の出力のうち、パルストレインＥｎａｂｌｅ信号
及びクロック信号により、Ｄフリップフロップ４９にお
いて生成されて、上記ＯＲ回路４８へ出力される。クロ
ック信号は、可変遅延素子５０によって任意の遅延量が
与えられ、パルストレインのクリア信号としても用いら
れる。このクリア信号により、パルストレインのパルス
幅を自由に変化させられる。
路４２の出力のうち、パルストレインＥｎａｂｌｅ信号
及びクロック信号により、Ｄフリップフロップ４９にお
いて生成されて、上記ＯＲ回路４８へ出力される。クロ
ック信号は、可変遅延素子５０によって任意の遅延量が
与えられ、パルストレインのクリア信号としても用いら
れる。このクリア信号により、パルストレインのパルス
幅を自由に変化させられる。
【００４１】さらに、終端パルスは、記録信号発生回路
４２の出力のうちの終端パルスＥｎａｂｌｅ信号及びク
ロック信号により、Ｄフリップフロップ５１において生
成される。上記終端パルスＥｎａｂｌｅ信号は、可変遅
延素子５２によって任意の遅延量が与えられ、終端パル
スのクリア信号としても用いられる。終端パルスのパル
ス幅は、検出されたマーク長に応じて、上記可変遅延素
子５２の遅延量を変化させることで設定される。そし
て、上記Ｄフリップフロップ５１において生成された終
端パルスは、上記マーク長に応じて、発光開始位置をチ
ャンネルクロックに対し任意の位置に設定できるよう、
可変遅延素子５３を介してＯＲ回路４８へ出力される。
４２の出力のうちの終端パルスＥｎａｂｌｅ信号及びク
ロック信号により、Ｄフリップフロップ５１において生
成される。上記終端パルスＥｎａｂｌｅ信号は、可変遅
延素子５２によって任意の遅延量が与えられ、終端パル
スのクリア信号としても用いられる。終端パルスのパル
ス幅は、検出されたマーク長に応じて、上記可変遅延素
子５２の遅延量を変化させることで設定される。そし
て、上記Ｄフリップフロップ５１において生成された終
端パルスは、上記マーク長に応じて、発光開始位置をチ
ャンネルクロックに対し任意の位置に設定できるよう、
可変遅延素子５３を介してＯＲ回路４８へ出力される。
【００４２】ＯＲ回路４８は、これら３つの信号を論理
ＯＲで合成することにより第３の記録信号Ｄａｔａ３を
出力する。
ＯＲで合成することにより第３の記録信号Ｄａｔａ３を
出力する。
【００４３】第１乃至第３の記録信号Ｄａｔａ１，Ｄａ
ｔａ２，Ｄａｔａ３の同期をとるために、第１の記録信
号Ｄａｔａ１及び第２の記録信号Ｄａｔａ２も可変遅延
素子４３，４４を介して出力される。
ｔａ２，Ｄａｔａ３の同期をとるために、第１の記録信
号Ｄａｔａ１及び第２の記録信号Ｄａｔａ２も可変遅延
素子４３，４４を介して出力される。
【００４４】以上３種類の信号波形を図５に示してあ
る。図５中、２ＴLPS ，３ＴLPS ，８ＴLPS は各マーク
長における先頭パルス照射開始位置（チャンネルクロッ
クからの遅延量）、２ＴLPW 、３ＴLPW 、８ＴLPW は同
じく先頭パルス幅、ＴPTW はパルストレイン幅、３Ｔ
TPS 、８ＴTPS は各マーク長における終端パルス照射開
始位置（チャンネルクロックからの遅延量、±方向あ
り）、３ＴTPW ，８ＴTPW は同じく終端パルス幅を表
す。
る。図５中、２ＴLPS ，３ＴLPS ，８ＴLPS は各マーク
長における先頭パルス照射開始位置（チャンネルクロッ
クからの遅延量）、２ＴLPW 、３ＴLPW 、８ＴLPW は同
じく先頭パルス幅、ＴPTW はパルストレイン幅、３Ｔ
TPS 、８ＴTPS は各マーク長における終端パルス照射開
始位置（チャンネルクロックからの遅延量、±方向あ
り）、３ＴTPW ，８ＴTPW は同じく終端パルス幅を表
す。
【００４５】このように、この実施の形態における相変
化型光ディスク記録／再生装置では、終端パルス幅を先
頭パルス及びパルストレインのパルス幅よりも長く設定
する。また、終端パルス照射後は、速やかにＢｉａｓ
Ｐｏｗｅｒ１（消去パワーレベル）へと戻るようにす
る。これにより、アモルファス部と結晶部とで、オーバ
ーライト時に記録マーク後端エッジがずれるのを防ぐこ
とができる。
化型光ディスク記録／再生装置では、終端パルス幅を先
頭パルス及びパルストレインのパルス幅よりも長く設定
する。また、終端パルス照射後は、速やかにＢｉａｓ
Ｐｏｗｅｒ１（消去パワーレベル）へと戻るようにす
る。これにより、アモルファス部と結晶部とで、オーバ
ーライト時に記録マーク後端エッジがずれるのを防ぐこ
とができる。
【００４６】図３に示した相変化型光ディスク１に、波
長＝６４０ｎｍ、ＮＡ＝０．８５、チャンネルクロック
＝４０ＭＨｚ、線速＝５．６ｍ／ｓの条件（記録線密度
は０．２１μｍ／ｂｉｔに相当）で、（１，７）変調の
５Ｔマークを記録した場合の、ＤＶＤ−ＲＡＭにおける
記録補償と本発明における記録補償との、記録媒体上に
おける温度変化の違い（計算結果）を図７に示す。この
計算結果より、本発明に係る記録補償方法を用いること
で、ビームスポットが小さくなり、本質的に昇温冷却速
度が高くなる場合においても、蓄熱を可能とし、結晶化
速度を補正できる。すなわち、本発明方法により、対物
レンズの開口数が大きい場合、或いは、半導体レーザ光
源が短波長化された場合においても、相変化記録媒体へ
のオーバーライトが可能となる。更に、２Ｔから８Ｔま
での各記録マークに応じて、マルチパルスの照射パルス
幅、並びに、照射開始位置を適応的に変化させること
で、立ち上がり、立ち下がりエッジを正確に制御するこ
とが容易となり、高密度記録再生における、再生信号ジ
ッター値の改善を実現できる。
長＝６４０ｎｍ、ＮＡ＝０．８５、チャンネルクロック
＝４０ＭＨｚ、線速＝５．６ｍ／ｓの条件（記録線密度
は０．２１μｍ／ｂｉｔに相当）で、（１，７）変調の
５Ｔマークを記録した場合の、ＤＶＤ−ＲＡＭにおける
記録補償と本発明における記録補償との、記録媒体上に
おける温度変化の違い（計算結果）を図７に示す。この
計算結果より、本発明に係る記録補償方法を用いること
で、ビームスポットが小さくなり、本質的に昇温冷却速
度が高くなる場合においても、蓄熱を可能とし、結晶化
速度を補正できる。すなわち、本発明方法により、対物
レンズの開口数が大きい場合、或いは、半導体レーザ光
源が短波長化された場合においても、相変化記録媒体へ
のオーバーライトが可能となる。更に、２Ｔから８Ｔま
での各記録マークに応じて、マルチパルスの照射パルス
幅、並びに、照射開始位置を適応的に変化させること
で、立ち上がり、立ち下がりエッジを正確に制御するこ
とが容易となり、高密度記録再生における、再生信号ジ
ッター値の改善を実現できる。
【００４７】さらに、ＤＶＤ−ＲＡＭにおける記録補償
と本発明における記録補償とを比較するために、線速
（ＬＶ）＝２．８ｍ／ｓ、線速（ＬＶ）＝４．２ｍ／
ｓ、線速（ＬＶ）＝５．６ｍ／ｓの３種類の線速に
て、相変化型光ディスクのオーバーライト特性を次のよ
うにして測定した。
と本発明における記録補償とを比較するために、線速
（ＬＶ）＝２．８ｍ／ｓ、線速（ＬＶ）＝４．２ｍ／
ｓ、線速（ＬＶ）＝５．６ｍ／ｓの３種類の線速に
て、相変化型光ディスクのオーバーライト特性を次のよ
うにして測定した。
【００４８】すなわち、ＤＶＤ−ＲＡＭにおける信号フ
ォーマットはＥＦＭ−plusであるが、本発明との比較の
ために（１，７）変調を用いて測定を行った。すなわ
ち、記録マークがＮＴの場合、合計Ｎ−１のマルチパル
スを照射し、ＤＶＤ−ＲＡＭ方式の場合には、終端パル
ス照射後、一定時間Ｂｉａｓ Ｐｏｗｅｒ２としてか
ら、消去パワーであるＢｉａｓ Ｐｏｗｅｒ１へ変化さ
せることにより、図９に示すＤＶＤ−ＲＡＭ方式に準拠
した記録補償とし、本発明では、終端パルス照射後、直
ちにＢｉａｓ Ｐｏｗｅｒ１へ変化させることにより記
録補償を行った。何れの場合にも、波長（λ）＝６４０
ｎｍ、対物レンズ開口数（ＮＡ）＝０．８５、記録線密
度（ＢＬ）＝０．２１μｍ／ｂｉｔの条件は、共通であ
る。これらの値を Ｆ＝ＬＶ・ＮＡ／（λ・ＢＬ） に代入することにより得られるＦの値は、１７．７、
２６．６、３５．４であり、それぞれの条件で
（１，７）変調信号を記録再生した際のオーバーライト
１０回後における再生ジッター値を測定した。その測定
結果を図８に示す。この測定結果からも明らかなよう
に、本発明における記録補償では、ＤＶＤ−ＲＡＭの記
録補償方式と比較して、特にＦの値が２０を越えた領域
で、オーバーライト時のジッター値を軽減する効果が得
られる。
ォーマットはＥＦＭ−plusであるが、本発明との比較の
ために（１，７）変調を用いて測定を行った。すなわ
ち、記録マークがＮＴの場合、合計Ｎ−１のマルチパル
スを照射し、ＤＶＤ−ＲＡＭ方式の場合には、終端パル
ス照射後、一定時間Ｂｉａｓ Ｐｏｗｅｒ２としてか
ら、消去パワーであるＢｉａｓ Ｐｏｗｅｒ１へ変化さ
せることにより、図９に示すＤＶＤ−ＲＡＭ方式に準拠
した記録補償とし、本発明では、終端パルス照射後、直
ちにＢｉａｓ Ｐｏｗｅｒ１へ変化させることにより記
録補償を行った。何れの場合にも、波長（λ）＝６４０
ｎｍ、対物レンズ開口数（ＮＡ）＝０．８５、記録線密
度（ＢＬ）＝０．２１μｍ／ｂｉｔの条件は、共通であ
る。これらの値を Ｆ＝ＬＶ・ＮＡ／（λ・ＢＬ） に代入することにより得られるＦの値は、１７．７、
２６．６、３５．４であり、それぞれの条件で
（１，７）変調信号を記録再生した際のオーバーライト
１０回後における再生ジッター値を測定した。その測定
結果を図８に示す。この測定結果からも明らかなよう
に、本発明における記録補償では、ＤＶＤ−ＲＡＭの記
録補償方式と比較して、特にＦの値が２０を越えた領域
で、オーバーライト時のジッター値を軽減する効果が得
られる。
【００４９】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、対物レ
ンズの高開口数化、或いは、光源の短波長化によって実
現される大容量、高密度相変化型光ディスクにおいて
も、ＤＶＤ−ＲＡＭで用いられているＧｅＳｂＴｅ系の
記録メディアのまま、オーバーライト動作が可能とな
る。また、本発明は、相変化型光ディスク記録装置の転
送レート向上を図る場合にも有効である。一方、Ｎ−１
方式の記録補償を用いることで、記録メディアへの投入
パワーを減らす効果があり、これが、相変化型光ディス
クの寿命（Cyclability ）を伸ばす働きを持つ。更に、
マルチパルスを記録マークに応じて変化させることで、
立ち上がり、立ち下がりエッジを正確に制御することが
容易となり、高密度記録再生における、再生信号ジッタ
ー値の改善を実現できる。
ンズの高開口数化、或いは、光源の短波長化によって実
現される大容量、高密度相変化型光ディスクにおいて
も、ＤＶＤ−ＲＡＭで用いられているＧｅＳｂＴｅ系の
記録メディアのまま、オーバーライト動作が可能とな
る。また、本発明は、相変化型光ディスク記録装置の転
送レート向上を図る場合にも有効である。一方、Ｎ−１
方式の記録補償を用いることで、記録メディアへの投入
パワーを減らす効果があり、これが、相変化型光ディス
クの寿命（Cyclability ）を伸ばす働きを持つ。更に、
マルチパルスを記録マークに応じて変化させることで、
立ち上がり、立ち下がりエッジを正確に制御することが
容易となり、高密度記録再生における、再生信号ジッタ
ー値の改善を実現できる。
【図１】本発明を適用した相変化型光ディスク記録／再
生装置における光学ヘッドの構成を模式的に示す図であ
る。
生装置における光学ヘッドの構成を模式的に示す図であ
る。
【図２】上記光学ヘッドに備えられた非球面２群対物レ
ンズユニットの構造を模式的に示す要部断面図である。
ンズユニットの構造を模式的に示す要部断面図である。
【図３】上記光ディスク記録／再生装置で使用する光デ
ィスクの構造を模式的に示す要部図である。
ィスクの構造を模式的に示す要部図である。
【図４】上記相変化型光ディスク記録／再生装置におけ
る半導体レーザ駆動回路の構成を示す回路図である。
る半導体レーザ駆動回路の構成を示す回路図である。
【図５】上記相変化型光ディスク記録／再生装置におけ
る記録補償動作を説明するための波形図である。
る記録補償動作を説明するための波形図である。
【図６】上記相変化型光ディスク記録／再生装置におけ
る記録パルス発生回路の構成を示す回路図である。
る記録パルス発生回路の構成を示す回路図である。
【図７】ＤＶＤ−ＲＡＭにおける記録補償と本発明にお
ける記録補償との、記録媒体上における温度変化の違い
（計算結果）を示す特性線図である。
ける記録補償との、記録媒体上における温度変化の違い
（計算結果）を示す特性線図である。
【図８】ＤＶＤ−ＲＡＭにおける記録補償と本発明にお
ける記録補償とを比較するために、３種類の線速にて相
変化型光ディスクのオーバーライト特性を測定した結果
を示す図である。
ける記録補償とを比較するために、３種類の線速にて相
変化型光ディスクのオーバーライト特性を測定した結果
を示す図である。
【図９】ＤＶＤ−ＲＡＭにおける記録波形の例を示す波
形図である。
形図である。
【図１０】ＮＡ＝０．８５とＮＡ＝０．６の各対物レン
ズによる光強度特性を示す特性線図である。
ズによる光強度特性を示す特性線図である。
【図１１】ＮＡ＝０．８５とＮＡ＝０．６の各対物レン
ズを用いた場合に媒体上の温度分布（計算値）を示す特
性線図である。
ズを用いた場合に媒体上の温度分布（計算値）を示す特
性線図である。
１ 光ディスク、３ 半導体レーザ、１０ 光学ヘッ
ド、２０ 非球面２群対物レンズユニット、３０ 半導
体レーザ駆動回路、４０ 記録パルス発生回路
ド、２０ 非球面２群対物レンズユニット、３０ 半導
体レーザ駆動回路、４０ 記録パルス発生回路
Claims (10)
- 【請求項１】 記録媒体の線速（ＬＶ：ｍ／ｓｅｃ）、
光学ヘッドの対物レンズ開口数（ＮＡ）、記録レーザ光
の波長（λ：μｍ）、並びに、信号ビット長（ＢＬ：μ
ｍ）によって表される関数Ｆ Ｆ＝ＬＶ・ＮＡ／（λ・ＢＬ） をＦ≧２０として、相変化型記録媒体を用いた情報の書
換え可能な光ディスクに情報を記録する光ディスク記録
装置における光ディスクの記録補償方法であって、 記録時の照射パルスを少なくとも３レベルからなるマル
チパルスとし、 終端の発光パルスを他のいずれの照射パルスよりも長い
時間幅に設定して、 情報の書換え可能な相変化型記録媒体を用いた光ディス
クに対する記録補償を記録レーザ光の発光制御により行
うことを特徴とする光ディスクの記録補償方法。 - 【請求項２】 終端の発光パルスを照射した後は、直ち
に、消去パワーレベルにすることを特徴とする請求項１
記載の光ディスクの記録補償方法。 - 【請求項３】 先頭の発光パルスの照射開始位置及びそ
の発光パルス幅、並びに、終端の発光パルスの照射開始
位置及びその発光パルス幅を、各記録マーク長に応じ
て、任意に設定可能としたことを特徴とする請求項１記
載の光ディスクの記録補償方法。 - 【請求項４】 先頭及び終端の発光パルス以外のパルス
トレイン部においても、その発光パルス幅を任意に設定
可能としたことを特徴とする請求項３記載の光ディスク
の記録補償方法。 - 【請求項５】 記録マークがＮＴ（Ｎ：整数、Ｔ：チャ
ンネルクロック幅）の際、照射されるマルチパルスの数
がＮ−１であることを特徴とする請求項１記載の光ディ
スクの記録補償方法。 - 【請求項６】 記録媒体の線速（ＬＶ：ｍ／ｓｅｃ）、
光学ヘッドの対物レンズ開口数（ＮＡ）、記録レーザ光
の波長（λ：μｍ）、並びに、信号ビット長（ＢＬ：μ
ｍ）によって表される関数Ｆ Ｆ＝ＬＶ・ＮＡ／（λ・ＢＬ） をＦ≧２０として、相変化型記録媒体を用いた情報の書
換え可能な光ディスクに情報を記録する光ディスク記録
装置であって、 上記記録レーザ光を発光するレーザ光源に対して、記録
時の照射パルスを少なくとも３レベルからなるマルチパ
ルスとし、終端の発光パルスを他のいずれの照射パルス
よりも長い時間幅に設定した発光制御を行う発光制御手
段を備えることを特徴とする光ディスク記録装置 - 【請求項７】 上記発光制御手段は、終端の発光パルス
の照射後、直ちに、消去パワーレベルにするように上記
レーザ光源の発光制御を行うことを特徴とする請求項６
記載の光ディスク記録装置。 - 【請求項８】 上記発光制御手段は、先頭の発光パルス
の照射開始位置及びその発光パルス幅、並びに、終端の
発光パルスの照射開始位置及びその発光パルス幅を、各
記録マーク長に応じて、任意に設定可能としたことを特
徴とする請求項７記載の光ディスク記録装置。 - 【請求項９】 上記発光制御手段は、先頭及び終端の発
光パルス以外のパルストレイン部においても、その発光
パルス幅を任意に設定可能としたことを特徴とする請求
項６記載の光ディスク記録装置。 - 【請求項１０】 上記発光制御手段は、記録マークがＮ
Ｔ（Ｎ：整数、Ｔ：チャンネルクロック幅）の際に、照
射するマルチパルスの数をＮ−１とするように上記レー
ザ光源の発光制御を行うことを特徴とする請求項６記載
の光ディスク記録装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9285898A JPH11120563A (ja) | 1997-10-17 | 1997-10-17 | 光ディスクの記録補償方法及び光ディスク記録装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9285898A JPH11120563A (ja) | 1997-10-17 | 1997-10-17 | 光ディスクの記録補償方法及び光ディスク記録装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11120563A true JPH11120563A (ja) | 1999-04-30 |
Family
ID=17697458
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9285898A Withdrawn JPH11120563A (ja) | 1997-10-17 | 1997-10-17 | 光ディスクの記録補償方法及び光ディスク記録装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11120563A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100381391B1 (ko) * | 2000-09-26 | 2003-04-23 | 엘지전자 주식회사 | 재기록 가능 광디스크의 데이터 갱신 기록장치 및 방법 |
| US6762986B1 (en) | 1999-06-03 | 2004-07-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of generating write pulse control signals for various types of optical recording media and recording apparatus adopting the same |
| KR100713549B1 (ko) * | 1999-12-15 | 2007-04-30 | 엘지전자 주식회사 | 광 데이터 기록장치 및 방법 그리고 기록매체 |
| EP1720159A3 (en) * | 2005-04-27 | 2008-06-11 | TDK Corporation | Method for recording information on optical recording medium |
-
1997
- 1997-10-17 JP JP9285898A patent/JPH11120563A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6762986B1 (en) | 1999-06-03 | 2004-07-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of generating write pulse control signals for various types of optical recording media and recording apparatus adopting the same |
| KR100713549B1 (ko) * | 1999-12-15 | 2007-04-30 | 엘지전자 주식회사 | 광 데이터 기록장치 및 방법 그리고 기록매체 |
| KR100381391B1 (ko) * | 2000-09-26 | 2003-04-23 | 엘지전자 주식회사 | 재기록 가능 광디스크의 데이터 갱신 기록장치 및 방법 |
| EP1720159A3 (en) * | 2005-04-27 | 2008-06-11 | TDK Corporation | Method for recording information on optical recording medium |
| US7680010B2 (en) | 2005-04-27 | 2010-03-16 | Tdk Corporation | Method for recording information on optical recording medium |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050104 |