JPH11121495A

JPH11121495A - 半導体装置製造方法

Info

Publication number: JPH11121495A
Application number: JP9299475A
Authority: JP
Inventors: Shinji Tezuka; 伸治手塚; Tsutomu Sakatsu; 務坂津; Toshiaki Iwabuchi; 寿章岩渕; Hideaki Okura; 秀章大倉
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 1997-10-16
Filing date: 1997-10-16
Publication date: 1999-04-30

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明は半導体素子の電極に微細なハンダバン
プを接続信頼性を向上させつつ製造する半導体装置製造
方法を提供する。【解決手段】半導体素子１は、基板２表面にＡｌ等によ
り電極３が形成され、電極３表面には酸化膜が自然形成
されている。電極３上にハンダバンプを形成するには、
電極３上にハンダ粒子６を配置し、先端に凹部７ａの形
成された接合ツール７により、例えば、接合ツール７に
超音波振動子を取り付ける等により所定の超音波振動を
付与しつつ、ハンダ粒子６を電極３方向に加圧する。ハ
ンダ粒子６は、接合ツール７に加圧されることにより押
し潰されて、電極３との接触面積が広がるとともに、ハ
ンダ粒子６に付与された超音波振動により電極３表面及
びハンダ粒子６表面の酸化膜が破壊され、電極３とハン
ダ粒子６は、その新生面が接触して接合される。その
後、半導体素子１をリフローすると、半球状のバンプを
形成することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置製造方
法に関し、詳細には、半導体素子の電極上に効率的に、
かつ、確実にハンダバンプを形成する半導体装置製造方
法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体素子の電極は、一般に、Ａ
ｌあるいはＡｌを主体とする合金からなっている。これ
らのＡｌを用いた電極表面には、非常に安定な自然酸化
膜が形成されており、この酸化膜は、溶接ハンダとの濡
れ性が悪いため、酸化膜が形成されている状態では、バ
ンプ形成を行うことができない。

【０００３】そこで、従来から、半導体素子作製工程中
に電極表面にバリア層として異種金属層を形成すること
が行われている。

【０００４】ところが、バリア層を半導体素子作製工程
中に形成するためには、成膜やパターニング工程を追加
する必要があり、半導体素子作製工程全体の工程が長く
なり、コストの上昇をまねく。また、半導体素子を購入
して、各自で半導体装置化を行う機器メーカーには、半
導体素子自体に上記バリア層形成処理が施されていない
ときには、バリア層を形成することは、事実上不可能で
ある。

【０００５】このような問題を解決するために、従来、
電子マイクロ回路の接点領域上に突出接点部を形成する
に当り、金属ワイヤをキャピラリに通し、このワイヤの
先端に熱エネルギーによってボールを形成し、このボー
ルをキャピラリの下端面によって電子マイクロ回路の接
点領域に押圧して該接点領域にくっつけ、次いでこのキ
ャピラリをワイヤと相対的に動かし、このキャピラリの
下端面によりワイヤのボールに近接した位置に切欠部を
付与し、次いでワイヤをこの切欠部で引き切ることによ
りワイヤをボールから切り離すことを特徴とする突出接
点部形成方法が提案されている（特公平４−４１５１９
号公報参照）。

【０００６】すなわち、この突出接点部形成方法は、金
等の金属ワイヤ先端に熱エネルギーを加えて球状にし、
このボールをワイヤがつながった状態で電極上に押圧振
動を加えることで、接合した後に、ワイヤとボールを切
断してバンプを形成している。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来のものにあっては、金等の金属ワイヤを使用し
ているため、コストが高くなるととも、微細なバンプ形
成を行う上で問題があった。すなわち、従来技術で使用
している金等の金属は、比較的高価であり、半導体装置
が高価なものとなるとともに、金属ワイヤーは、その径
をあまり細くできないため、得られるバンプ径を微細に
することが困難で、バンプを微細ピッチで形成すること
ができないという問題があった。

【０００８】そこで、請求項１記載の発明は、半導体素
子の電極上にハンダバンプを形成するために、電極上に
ハンダ粒子を配置して、ハンダ粒子を電極に加圧し、ハ
ンダ粒子を電極に接合するのに際して、ハンダ粒子に所
定の超音波振動を付与しつつ、ハンダ粒子を電極に加圧
・接合することにより、半導体素子形成工程と完全に独
立してバンプ形成工程を設けるとともに、入手容易な微
細で粒径の整ったハンダ粒子を使用して、ハンダバンプ
を形成し、電極ピッチを微細化することができ、かつ、
ハンダバンプ形状が整って接続信頼性の良好な半導体装
置を製造することのできる半導体装置製造方法を提供す
ることを目的としている。

【０００９】請求項２記載の発明は、半導体素子の複数
の電極の形成された面の周囲を所定の囲い部材で囲んで
当該半導体素子上に複数のハンダ粒子を配置し、ハンダ
粒子が電極上に位置しているか否かを所定のモニター手
段で監視して、囲い部材内の半導体素子上のハンダ粒子
を所定の移動方法で移動させて、モニター手段が電極上
にハンダ粒子が位置していることを確認すると、ハンダ
粒子に超音波振動を付与しつつ、ハンダ粒子を電極に加
圧・接合することにより、電極上へハンダ粒子を確実に
配置して、ハンダ粒子を電極に接合し、容易にかつ確実
にハンダバンプを形成することができるとともに、どの
ような電極パターンに対しても接続信頼性の良好な半導
体装置を製造することのできる半導体装置製造方法を提
供することを目的としている。

【００１０】請求項３記載の発明は、囲い部材を、電極
の形成された半導体素子表面上で移動して、電極上にハ
ンダ粒子を配置させることにより、簡単な構成で、か
つ、確実に電極上にハンダ粒子を配置し、容易かつ確実
にハンダバンプを形成することができるとともに、どの
ような電極パターンに対しても接続信頼性の良好な半導
体装置を安価に製造することのできる半導体装置製造方
法を提供することを目的としている。

【００１１】請求項４記載の発明は、半導体素子の電極
上にハンダバンプを形成するために、電極上にハンダ粒
子を配置して、ハンダ粒子を電極に加圧し、ハンダ粒子
を電極に接合するのに際して、半導体素子の電極位置に
対応する位置に当該電極に対応する大きさの開口の形成
された所定のマスクを被せ、当該マスクの開口にハンダ
粒子を配列して、ハンダ粒子に超音波振動を付与しつ
つ、ハンダ粒子を電極に加圧・接合し、上記開口へのハ
ンダ粒子の配列とハンダ粒子の電極への接合を順次行っ
て、全ての電極にハンダ粒子を接合した後、マスクを除
去することにより、ハンダ粒子の配列を確実に行い、ま
た、超音波振動で未接合のハンダ粒子の配列が乱れるこ
とをマスクで固定して防止した状態で１点ずつハンダ粒
子を電極に接合し、ハンダ粒子を電極に確実に接合し
て、どのような電極パターンに対しても、より一層接続
信頼性の良好な半導体装置を製造することのできる半導
体装置製造方法を提供することを目的としている。

【００１２】請求項５記載の発明は、半導体素子の電極
上にハンダバンプを形成するために、電極上にハンダ粒
子を配置して、ハンダ粒子を電極に加圧し、ハンダ粒子
を電極に接合するのに際して、半導体素子の電極位置に
対応する位置に当該電極に対応する大きさの開口の形成
された所定のマスクを被せ、当該マスクの全ての開口に
ハンダ粒子を配列して、当該全てのハンダ粒子に超音波
振動を付与しつつ、全てのハンダ粒子を電極に同時に加
圧して接合させた後、マスクを除去することにより、ハ
ンダ粒子の電極上への配列を確実に行うとともに、全て
のハンダ粒子を一括して電極に接合して、接合時間を短
縮し、ハンダ粒子を電極に確実に接合して、より一層接
続信頼性の良好な半導体装置を短時間に製造することの
できる半導体装置製造方法を提供することを目的として
いる。

【００１３】請求項６記載の発明は、半導体素子の電極
上にハンダバンプを形成するために、電極上にハンダ粒
子を配置して、ハンダ粒子を電極に加圧し、ハンダ粒子
を電極に接合するのに際して、紫外光の照射等の所定の
エネルギーの付与により粘着性を除去可能なシート状の
粘着部材の電極に対応する位置以外の部分の粘着性を除
去して、当該粘着部材の電極位置に対応する粘着部にハ
ンダ粒子を接着させ、当該ハンダ粒子を接着させた粘着
部材をハンダ粒子が電極に接触する状態で半導体素子表
面に重ね、ハンダ粒子に所定の超音波振動を付与しつ
つ、ハンダ粒子を１個ずつ電極に加圧して、ハンダ粒子
を電極に接合し、全てのハンダ粒子を電極に接合する
と、所定のエネルギーを粘着部材に付与して粘着部材の
粘着性を除去した後、粘着部材を半導体素子から除去す
ることにより、ハンダ粒子の配列を確実に行い、また、
超音波振動で未接合のハンダ粒子の配列が乱れることを
粘着部材で固定して防止した状態で１点ずつハンダ粒子
を電極に接合し、ハンダ粒子を電極に確実に接合して、
どのような電極パターンに対しても、より一層接続信頼
性の良好な半導体装置を製造することのできる半導体装
置製造方法を提供することを目的としている。

【００１４】請求項７記載の発明は、半導体素子の電極
上にハンダバンプを形成するために、電極上にハンダ粒
子を配置して、ハンダ粒子を電極に加圧し、ハンダ粒子
を電極に接合するのに際して、紫外光の照射等の所定の
エネルギーの付与により粘着性を除去可能なシート状の
粘着部材の電極に対応する位置以外の部分の粘着性を除
去して、当該粘着部材の電極位置に対応する粘着部にハ
ンダ粒子を接着させ、当該ハンダ粒子を接着させた粘着
部材をハンダ粒子が電極に接触する状態で半導体素子表
面に重ねて、各電極上にハンダ粒子を位置させ、所定の
エネルギーを粘着部材に付与して粘着部材の粘着性を除
去して、粘着部材を半導体素子から除去した後、全ての
ハンダ粒子に所定の超音波振動を付与しつつ、全てのハ
ンダ粒子を電極に同時に加圧して、ハンダ粒子を一括し
て電極に接合することにより、ハンダ粒子の電極上への
配列を確実に行うとともに、全てのハンダ粒子を一括し
て電極に接合して、接合時間を短縮し、ハンダ粒子を電
極に確実に接合して、より一層接続信頼性の良好な半導
体装置を短時間に製造することのできる半導体装置製造
方法を提供することを目的としている。

【００１５】請求項８記載の発明は、半導体素子の電極
上にハンダバンプを形成するために、電極上にハンダ粒
子を配置して、ハンダ粒子を電極に加圧し、ハンダ粒子
を電極に接合するのに際して、所定の粘着性を有すると
ともに、所定の微細な研磨材を含有する粘着材を、電極
の形成された半導体素子の表面に塗布し、当該粘着材の
塗布された表面に、半導体素子の電極位置に対応する位
置に当該電極に対応する大きさの開口の形成された所定
のマスクを被せ、当該マスクの開口にハンダ粒子を配列
した後、マスクを除去し、ハンダ粒子に超音波振動を付
与しつつ、ハンダ粒子を電極に加圧・接合することによ
り、超音波振動で未接合のハンダ粒子の配列が乱れるこ
とを粘着材で固定して防止した状態でハンダ粒子を電極
に接合するとともに、ハンダ粒子に付与される超音波振
動で粘着材中の研磨材により確実に電極上の酸化膜を破
壊し、より一層確実にかつ容易にハンダ粒子を電極に接
合して、より一層接続信頼性の良好な半導体装置を短時
間に製造することのできる半導体装置製造方法を提供す
ることを目的としている。

【００１６】請求項９記載の発明は、半導体素子の電極
上にハンダバンプを形成するために、電極上にハンダ粒
子を配置して、ハンダ粒子を電極に加圧し、ハンダ粒子
を電極に接合するのに際して、所定の粘着性を有すると
ともに、所定の微細な研磨材を含有する粘着材を、半導
体素子の電極表面のみに塗布し、当該粘着材の塗布され
た電極表面にハンダ粒子を配列した後、ハンダ粒子に超
音波振動を付与しつつ、ハンダ粒子を電極に加圧・接合
することにより、容易にハンダ粒子を電極上に配列・固
定するとともに、超音波振動で未接合のハンダ粒子の配
列が乱れることを粘着材で固定して防止した状態でハン
ダ粒子を電極に接合しつつ、粘着材中の研磨材によりハ
ンダ粒子に与えられる超音波振動で確実に電極上の酸化
膜を破壊し、より一層確実にかつ容易にハンダ粒子を電
極に接合して、より一層接続信頼性の良好な半導体装置
を短時間に製造することのできる半導体装置製造方法を
提供することを目的としている。

【００１７】請求項１０記載の発明は、粘着材として、
フラックスを使用することにより、通常のプロセスで、
接続信頼性に悪影響を与えることなく、粘着材を洗浄・
除去し、接続信頼性の良好な半導体装置を容易に製造す
ることのできる半導体装置製造方法を提供することを目
的としている。

【００１８】請求項１１記載の発明は、加圧手段を、ハ
ンダ粒子を少なくとも１個吸着する吸着機構を備えたも
のとし、当該吸着機構によりハンダ粒子を吸着してハン
ダ粒子を電極上に位置させた後、ハンダ粒子に超音波振
動を付与しつつ加圧して、ハンダ粒子を電極に接合する
ことにより、加圧手段によりハンダ粒子を配置するとと
もに、超音波振動を付与しつつ加圧・接合し、製造工程
及び製造設備を簡略化して、接続信頼性の良好な半導体
装置を安価に製造することのできる半導体装置製造方法
を提供することを目的としている。

【００１９】請求項１２記載の発明は、加圧手段を、半
導体素子の全ての電極の位置に対応する位置にハンダ粒
子を吸着する吸着機構を備えたものとし、当該吸着機構
により全ての電極位置に対応する位置にハンダ粒子を吸
着して当該ハンダ粒子を電極上に位置させた後、ハンダ
粒子に超音波振動を付与しつつ加圧して、ハンダ粒子を
全ての電極に一括して接合することにより、半導体素子
全面に一括してバンプ形成を行い、接合時間を短縮し
て、接続信頼性の良好な半導体装置を短時間に製造する
ことのできる半導体装置製造方法を提供することを目的
としている。

【００２０】請求項１３記載の発明は、加圧手段を、ハ
ンダ粒子を加圧する部分が、ハンダ粒子の表面形状に対
応して窪んだ凹部形状に形成されたものとすることによ
り、加圧手段によりハンダ粒子を確実に保持して、高い
位置精度でバンプ形成を行い、より一層接続信頼性の良
好な半導体装置を製造することのできる半導体装置製造
方法を提供することを目的としている。

【００２１】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明の半
導体装置製造方法は、半導体素子の電極上に所定粒径の
ハンダ粒子を配置して、所定の加圧手段により前記ハン
ダ粒子を前記電極に加圧し、前記ハンダ粒子を前記電極
に接合して、前記電極上にハンダバンプを形成する半導
体装置製造方法であって、前記ハンダ粒子を前記電極に
加圧するに際して、前記ハンダ粒子に所定の超音波振動
を付与しつつ、前記加圧手段により前記ハンダ粒子を前
記電極に加圧して接合することにより、上記目的を達成
している。

【００２２】上記構成によれば、半導体素子の電極上に
ハンダバンプを形成するために、電極上にハンダ粒子を
配置して、ハンダ粒子を電極に加圧し、ハンダ粒子を電
極に接合するのに際して、ハンダ粒子に所定の超音波振
動を付与しつつ、ハンダ粒子を電極に加圧・接合してい
るので、半導体素子形成工程と完全に独立してバンプ形
成工程を設けることができるとともに、入手容易な微細
で粒径の整ったハンダ粒子を使用して、ハンダバンプを
形成することができ、電極ピッチを微細化することがで
き、かつ、バンプ形状が整って接続信頼性の良好な半導
体装置を製造することができる。

【００２３】この場合、例えば、請求項２に記載するよ
うに、前記半導体素子の複数の前記電極の形成された面
の周囲を所定の囲い部材で囲んで当該半導体素子上に複
数の前記ハンダ粒子を配置し、前記ハンダ粒子が前記電
極上に位置しているか否かを所定のモニター手段で監視
して、前記囲い部材内の前記半導体素子上の前記ハンダ
粒子を所定の移動方法で移動させて、前記モニター手段
が前記電極上に前記ハンダ粒子が位置していることを確
認すると、前記ハンダ粒子に前記超音波振動を付与しつ
つ、前記加圧手段により前記ハンダ粒子を前記電極に加
圧して接合してもよい。

【００２４】上記構成によれば、半導体素子の複数の電
極の形成された面の周囲を所定の囲い部材で囲んで当該
半導体素子上に複数のハンダ粒子を配置し、ハンダ粒子
が電極上に位置しているか否かを所定のモニター手段で
監視して、囲い部材内の半導体素子上のハンダ粒子を所
定の移動方法で移動させて、モニター手段が電極上にハ
ンダ粒子が位置していることを確認すると、ハンダ粒子
に超音波振動を付与しつつ、ハンダ粒子を電極に加圧・
接合しているので、電極上へハンダ粒子を確実に配置し
て、ハンダ粒子を電極に接合することができ、容易にか
つ確実にハンダバンプを形成することができるととも
に、どのような電極パターンに対しても接続信頼性の良
好な半導体装置を製造することができる。

【００２５】また、例えば、請求項３に記載するよう
に、前記囲い部材は、前記電極の形成された前記半導体
素子表面上で移動し、前記電極上に前記ハンダ粒子を配
置させるものであってもよい。

【００２６】上記構成によれば、囲い部材を、電極の形
成された半導体素子表面上で移動して、電極上にハンダ
粒子を配置しているので、簡単な構成で、かつ、確実に
電極上にハンダ粒子を配置することができ、容易かつ確
実にハンダバンプを形成することができるとともに、ど
のような電極パターンに対しても接続信頼性の良好な半
導体装置を安価に製造することができる。

【００２７】請求項４記載の発明の半導体装置製造方法
は、半導体素子の電極上に所定粒径のハンダ粒子を配置
して、所定の加圧手段により前記ハンダ粒子を前記電極
に加圧し、前記ハンダ粒子を前記電極に接合して、前記
電極上にハンダバンプを形成する半導体装置製造方法で
あって、前記半導体素子の前記電極位置に対応する位置
に当該電極に対応する大きさの開口の形成された所定の
マスクを被せ、当該マスクの前記開口に前記ハンダ粒子
を配列して、前記ハンダ粒子に前記超音波振動を付与し
つつ、前記加圧手段により前記ハンダ粒子を前記電極に
加圧して接合し、上記開口への前記ハンダ粒子の配列と
前記ハンダ粒子の前記電極への接合を順次行って、全て
の前記電極に前記ハンダ粒子を接合した後、前記マスク
を除去することにより、上記目的を達成している。

【００２８】上記構成によれば、半導体素子の電極上に
ハンダバンプを形成するために、電極上にハンダ粒子を
配置して、ハンダ粒子を電極に加圧し、ハンダ粒子を電
極に接合するのに際して、半導体素子の電極位置に対応
する位置に当該電極に対応する大きさの開口の形成され
た所定のマスクを被せ、当該マスクの開口にハンダ粒子
を配列して、ハンダ粒子に超音波振動を付与しつつ、ハ
ンダ粒子を電極に加圧・接合し、上記開口へのハンダ粒
子の配列とハンダ粒子の電極への接合を順次行って、全
ての電極にハンダ粒子を接合した後、マスクを除去して
いるので、ハンダ粒子の配列を確実に行おこなうことが
でき、また、超音波振動で未接合のハンダ粒子の配列が
乱れることをマスクで固定して防止した状態で１点ずつ
ハンダ粒子を電極に接合することができ、ハンダ粒子を
電極に確実に接合して、どのような電極パターンに対し
ても、より一層接続信頼性の良好な半導体装置を製造す
ることができる。

【００２９】請求項５記載の発明の半導体装置製造方法
は、半導体素子の電極上に所定粒径のハンダ粒子を配置
して、所定の加圧手段により前記ハンダ粒子を前記電極
に加圧し、前記ハンダ粒子を前記電極に接合して、前記
電極上にハンダバンプを形成する半導体装置製造方法で
あって、前記半導体素子の前記電極位置に対応する位置
に当該電極に対応する大きさの開口の形成された所定の
マスクを被せ、当該マスクの全ての前記開口に前記ハン
ダ粒子を配列して、当該全てのハンダ粒子に前記超音波
振動を付与しつつ、前記加圧手段により全ての前記ハン
ダ粒子を前記電極に同時に加圧して接合させた後、前記
マスクを除去することにより、上記目的を達成してい
る。

【００３０】上記構成によれば、半導体素子の電極上に
ハンダバンプを形成するために、電極上にハンダ粒子を
配置して、ハンダ粒子を電極に加圧し、ハンダ粒子を電
極に接合するのに際して、半導体素子の電極位置に対応
する位置に当該電極に対応する大きさの開口の形成され
た所定のマスクを被せ、当該マスクの全ての開口にハン
ダ粒子を配列して、当該全てのハンダ粒子に超音波振動
を付与しつつ、全てのハンダ粒子を電極に同時に加圧し
て接合させた後、マスクを除去しているので、ハンダ粒
子の電極上への配列を確実に行うことができるととも
に、全てのハンダ粒子を一括して電極に接合して、接合
時間を短縮することができ、ハンダ粒子を電極に確実に
接合して、より一層接続信頼性の良好な半導体装置を短
時間に製造することができる。

【００３１】請求項６記載の発明の半導体装置製造方法
は、半導体素子の電極上に所定粒径のハンダ粒子を配置
して、所定の加圧手段により前記ハンダ粒子を前記電極
に加圧し、前記ハンダ粒子を前記電極に接合して、前記
電極上にハンダバンプを形成する半導体装置製造方法で
あって、紫外光の照射等の所定のエネルギーの付与によ
り粘着性を除去可能なシート状の粘着部材の前記電極に
対応する位置以外の部分の粘着性を除去して、当該粘着
部材の前記電極位置に対応する粘着部に前記ハンダ粒子
を接着させ、当該ハンダ粒子を接着させた前記粘着部材
を前記ハンダ粒子が前記電極に接触する状態で前記半導
体素子表面に重ね、前記ハンダ粒子に所定の超音波振動
を付与しつつ、前記加圧手段により前記ハンダ粒子を１
個ずつ前記電極に加圧して、前記ハンダ粒子を前記電極
に接合し、全ての前記ハンダ粒子を前記電極に接合する
と、前記所定のエネルギーを前記粘着部材に付与して前
記粘着部材の粘着性を除去した後、前記粘着部材を前記
半導体素子から除去することにより、上記目的を達成し
ている。

【００３２】上記構成によれば、半導体素子の電極上に
ハンダバンプを形成するために、電極上にハンダ粒子を
配置して、ハンダ粒子を電極に加圧し、ハンダ粒子を電
極に接合するのに際して、紫外光の照射等の所定のエネ
ルギーの付与により粘着性を除去可能なシート状の粘着
部材の電極に対応する位置以外の部分の粘着性を除去し
て、当該粘着部材の電極位置に対応する粘着部にハンダ
粒子を接着させ、当該ハンダ粒子を接着させた粘着部材
をハンダ粒子が電極に接触する状態で半導体素子表面に
重ね、ハンダ粒子に所定の超音波振動を付与しつつ、ハ
ンダ粒子を１個ずつ電極に加圧して、ハンダ粒子を電極
に接合し、全てのハンダ粒子を電極に接合すると、所定
のエネルギーを粘着部材に付与して粘着部材の粘着性を
除去した後、粘着部材を半導体素子から除去しているの
で、ハンダ粒子の配列を確実に行うことができ、また、
超音波振動で未接合のハンダ粒子の配列が乱れることを
粘着部材で固定して防止した状態で１点ずつハンダ粒子
を電極に接合することができ、ハンダ粒子を電極に確実
に接合して、どのような電極パターンに対しても、より
一層接続信頼性の良好な半導体装置を製造することがで
きる。

【００３３】請求項７記載の発明の半導体装置製造方法
は、半導体素子の複数の電極上に所定粒径のハンダ粒子
を配置して、所定の加圧手段により前記ハンダ粒子を前
記電極に加圧し、前記ハンダ粒子を前記電極に接合し
て、前記電極上にハンダバンプを形成する半導体装置製
造方法であって、紫外光の照射等の所定のエネルギーの
付与により粘着性を除去可能なシート状の粘着部材の前
記電極に対応する位置以外の部分の粘着性を除去して、
当該粘着部材の前記電極位置に対応する粘着部に前記ハ
ンダ粒子を接着させ、当該ハンダ粒子を接着させた前記
粘着部材を前記ハンダ粒子が前記電極に接触する状態で
前記半導体素子表面に重ねて、前記各電極上に前記ハン
ダ粒子を位置させ、前記所定のエネルギーを前記粘着部
材に付与して前記粘着部材の粘着性を除去して、前記粘
着部材を前記半導体素子から除去した後、全ての前記ハ
ンダ粒子に所定の超音波振動を付与しつつ、前記加圧手
段により全ての前記ハンダ粒子を前記電極に同時に加圧
して、前記ハンダ粒子を一括して前記電極に接合するこ
とにより、上記目的を達成している。

【００３４】上記構成によれば、半導体素子の電極上に
ハンダバンプを形成するために、電極上にハンダ粒子を
配置して、ハンダ粒子を電極に加圧し、ハンダ粒子を電
極に接合するのに際して、紫外光の照射等の所定のエネ
ルギーの付与により粘着性を除去可能なシート状の粘着
部材の電極に対応する位置以外の部分の粘着性を除去し
て、当該粘着部材の電極位置に対応する粘着部にハンダ
粒子を接着させ、当該ハンダ粒子を接着させた粘着部材
をハンダ粒子が電極に接触する状態で半導体素子表面に
重ねて、各電極上にハンダ粒子を位置させ、所定のエネ
ルギーを粘着部材に付与して粘着部材の粘着性を除去し
て、粘着部材を半導体素子から除去した後、全てのハン
ダ粒子に所定の超音波振動を付与しつつ、全てのハンダ
粒子を電極に同時に加圧して、ハンダ粒子を一括して電
極に接合しているので、ハンダ粒子の電極上への配列を
確実に行うことができるとともに、全てのハンダ粒子を
一括して電極に接合して、接合時間を短縮することがで
き、ハンダ粒子を電極に確実に接合して、より一層接続
信頼性の良好な半導体装置を短時間に製造することがで
きる。

【００３５】請求項８記載の発明の半導体装置製造方法
は、半導体素子の複数の電極上に所定粒径のハンダ粒子
を配置して、所定の加圧手段により前記ハンダ粒子を前
記電極に加圧し、前記ハンダ粒子を前記電極に接合し
て、前記電極上にハンダバンプを形成する半導体装置製
造方法であって、所定の粘着性を有するとともに、所定
の微細な研磨材を含有する粘着材を、前記電極の形成さ
れた前記半導体素子の表面に塗布し、当該粘着材の塗布
された表面に、前記半導体素子の前記電極位置に対応す
る位置に当該電極に対応する大きさの開口の形成された
所定のマスクを被せ、当該マスクの前記開口に前記ハン
ダ粒子を配列した後、前記マスクを除去し、前記ハンダ
粒子に前記超音波振動を付与しつつ、前記加圧手段によ
り前記ハンダ粒子を前記電極に加圧して接合することに
より、上記目的を達成している。

【００３６】上記構成によれば、半導体素子の電極上に
ハンダバンプを形成するために、電極上にハンダ粒子を
配置して、ハンダ粒子を電極に加圧し、ハンダ粒子を電
極に接合するのに際して、所定の粘着性を有するととも
に、所定の微細な研磨材を含有する粘着材を、電極の形
成された半導体素子の表面に塗布し、当該粘着材の塗布
された表面に、半導体素子の電極位置に対応する位置に
当該電極に対応する大きさの開口の形成された所定のマ
スクを被せ、当該マスクの開口にハンダ粒子を配列した
後、マスクを除去し、ハンダ粒子に超音波振動を付与し
つつ、ハンダ粒子を電極に加圧・接合しているので、超
音波振動で未接合のハンダ粒子の配列が乱れることを粘
着材で固定して防止した状態でハンダ粒子を電極に接合
することができるとともに、ハンダ粒子に付与される超
音波振動で粘着材中の研磨材により確実に電極上の酸化
膜を破壊することができ、より一層確実にかつ容易に全
てのハンダ粒子を一括して電極に接合して、より一層接
続信頼性の良好な半導体装置を短時間に製造することが
できる。

【００３７】請求項９記載の発明の半導体装置製造方法
は、半導体素子の複数の電極上に所定粒径のハンダ粒子
を配置して、所定の加圧手段により前記ハンダ粒子を前
記電極に加圧し、前記ハンダ粒子を前記電極に接合し
て、前記電極上にハンダバンプを形成する半導体装置製
造方法であって、所定の粘着性を有するとともに、所定
の微細な研磨材を含有する粘着材を、前記半導体素子の
前記電極表面のみに塗布し、当該粘着材の塗布された前
記電極表面に前記ハンダ粒子を配列した後、前記ハンダ
粒子に前記超音波振動を付与しつつ、前記加圧手段によ
り前記ハンダ粒子を前記電極に加圧して接合することに
より、上記目的を達成している。

【００３８】上記構成によれば、半導体素子の電極上に
ハンダバンプを形成するために、電極上にハンダ粒子を
配置して、ハンダ粒子を電極に加圧し、ハンダ粒子を電
極に接合するのに際して、所定の粘着性を有するととも
に、所定の微細な研磨材を含有する粘着材を、半導体素
子の電極表面のみに塗布し、当該粘着材の塗布された電
極表面にハンダ粒子を配列した後、ハンダ粒子に超音波
振動を付与しつつ、ハンダ粒子を電極に加圧・接合して
いるので、容易にハンダ粒子を電極上に配列・固定する
ことができるとともに、超音波振動で未接合のハンダ粒
子の配列が乱れることを粘着材で固定して防止した状態
でハンダ粒子を電極に接合しつつ、粘着材中の研磨材に
よりハンダ粒子に与えられる超音波振動で確実に電極上
の酸化膜を破壊することができ、より一層確実にかつ容
易にハンダ粒子を電極に接合して、より一層接続信頼性
の良好な半導体装置を短時間に製造することができる。

【００３９】この場合、例えば、請求項１０に記載する
ように、前記粘着材は、フラックスであってもよい。

【００４０】上記構成によれば、粘着材として、フラッ
クスを使用しているので、通常のプロセスで、接続信頼
性に悪影響を与えることなく、粘着材を洗浄・除去する
ことができ、接続信頼性の良好な半導体装置を容易に製
造することができる。

【００４１】また、例えば、請求項１１に記載するよう
に、前記加圧手段は、前記ハンダ粒子を少なくとも１個
吸着する吸着機構を備え、当該吸着機構により前記ハン
ダ粒子を吸着して当該ハンダ粒子を前記電極上に位置さ
せた後、前記ハンダ粒子に前記超音波振動を付与しつつ
加圧して、前記ハンダ粒子を前記電極に接合するもので
あってもよい。

【００４２】上記構成によれば、加圧手段を、ハンダ粒
子を少なくとも１個吸着する吸着機構を備えたものと
し、当該吸着機構によりハンダ粒子を吸着してハンダ粒
子を電極上に位置させた後、ハンダ粒子に超音波振動を
付与しつつ加圧して、ハンダ粒子を電極に接合している
ので、加圧手段によりハンダ粒子を配置することができ
るとともに、超音波振動を付与しつつ加圧・接合するこ
とができ、製造工程及び製造設備を簡略化して、接続信
頼性の良好な半導体装置を安価に製造することができ
る。

【００４３】さらに、例えば、請求項１２に記載するよ
うに、前記加圧手段は、前記半導体素子の全ての前記電
極の位置に対応する位置に前記ハンダ粒子を吸着する吸
着機構を備え、当該吸着機構により前記全ての電極に対
応する位置に前記ハンダ粒子を吸着して当該ハンダ粒子
を前記電極上に位置させた後、前記ハンダ粒子に前記超
音波振動を付与しつつ加圧して、前記ハンダ粒子を前記
全ての電極に一括して接合するものであってもよい。

【００４４】上記構成によれば、加圧手段を、半導体素
子の全ての電極の位置に対応する位置にハンダ粒子を吸
着する吸着機構を備えたものとし、当該吸着機構により
全ての電極位置に対応する位置にハンダ粒子を吸着して
当該ハンダ粒子を電極上に位置させた後、ハンダ粒子に
超音波振動を付与しつつ加圧して、ハンダ粒子を全ての
電極に一括して接合しているので、半導体素子全面に一
括してバンプ形成を行うことができ、接合時間を短縮し
て、接続信頼性の良好な半導体装置を短時間に製造する
ことができる。

【００４５】また、例えば、請求項１３に記載するよう
に、前記加圧手段は、前記ハンダ粒子を加圧する部分
が、前記ハンダ粒子の表面形状に対応して窪んだ凹部形
状に形成されていてもよい。

【００４６】上記構成によれば、加圧手段を、ハンダ粒
子を加圧する部分が、ハンダ粒子の表面形状に対応して
窪んだ凹部形状に形成されたものとしているので、加圧
手段によりハンダ粒子を確実に保持して、高い位置精度
でバンプ形成を行うことができ、より一層接続信頼性の
良好な半導体装置を製造することができる。

【００４７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
を添付図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下に述
べる実施の形態は、本発明の好適な実施の形態であるか
ら、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本
発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定す
る旨の記載がない限り、これらの態様に限られるもので
はない。

【００４８】図１〜図４は、本発明の半導体装置製造方
法の第１の実施の形態を示す図であり、図１は、本実施
の形態の半導体装置製造方法の適用される半導体素子１
の電極部分の正面拡大断面図である。

【００４９】図１において、半導体素子１は、基板２の
表面に電極３が形成され、電極３部分以外の表面が保護
膜４により覆われている。電極３は、Ａｌ（アルミニウ
ム）あるいはＡｌを主体とする合金で形成されており、
電極３の表面は、安定なＡｌの自然の酸化膜５で被覆さ
れている。

【００５０】この半導体素子１の電極３にハンダバンプ
を形成するには、図１に示すように、電極３上に所定粒
径のハンダ粒子６を配置し、図２に示すように、接合ツ
ール（加圧手段）７によりハンダ粒子６を電極３方向に
加圧して、ハンダ粒子６を電極３に接合する。

【００５１】ところが、単にハンダ粒子６を電極３に加
圧しても、電極３表面に酸化膜５が形成されており、自
然酸化膜５とハンダ粒子６との濡れ性が悪いため、適切
に接合が行われず、接触不良等が発生する。

【００５２】そこで、本実施の形態の半導体装置製造方
法においては、図２に鉤型の矢印で示すように、接合ツ
ール７でハンダ粒子６を電極３に加圧するに際して、所
定周波数の超音波振動をハンダ粒子６を付与しつつ、ハ
ンダ粒子６を電極３に加圧する。

【００５３】この超音波振動のハンダ粒子６への付与
は、例えば、接合ツール７に超音波振動子を取り付け、
ハンダ粒子６を電極３に加圧する際に、この超音波振動
子を振動させ、接合ツール７を超音波振動させて、ハン
ダ粒子６に超音波振動を付与する。

【００５４】このように、ハンダ粒子６を電極３に加圧
する際に、ハンダ粒子６に超音波振動を付与すると、図
２に示すように、ハンダ粒子６は、接合ツール７に加圧
されることにより、押し潰されて、電極３との接触面積
が広がるとともに、ハンダ粒子６に付与された超音波振
動により電極３表面の酸化膜５及びハンダ粒子６表面の
酸化膜が破壊され、電極３とハンダ粒子６は、その新生
面が接触して、接合される。

【００５５】そして、接合ツール７の押圧面には、所定
形状の凹部７ａが形成されており、ハンダ粒子６は、こ
の凹部７ａの形状に応じて、その接合ツール７により押
し付けられる面の形状が変化し、また、押し潰されたと
きの半径の大きさが決定される。したがって、接合ツー
ル７のハンダ粒子６の押圧面の凹部７ａの形状を変化さ
せることにより、ハンダ粒子６の押しつけ時の上面の形
状と半径の大きさを変化させることができる。

【００５６】次に、図３に示すように、半導体素子１を
リフローすると、リフロー時の熱によりハンダ粒子６が
軟化して、図４に示すように、半球状のハンダバンプ８
を形成することができる。

【００５７】上記半導体装置の製造方法において、半導
体素子１の電極３上に配置するハンダ粒子６の粒径を変
化させると、当該ハンダ粒子２６の粒径に対応した大き
さのハンダバンプ８を形成することができる。

【００５８】このように、本実施の形態によれば、ハン
ダ粒子６を電極３に加圧して、ハンダ粒子６を電極３に
接合するに際して、ハンダ粒子６に所定の超音波振動を
付与しつつ、ハンダ粒子６を電極３に加圧・接合してい
る。したがって、半導体素子１の形成工程と完全に独立
してバンプ形成工程を設けることができるとともに、入
手容易な微細で粒径の整ったハンダ粒子６を使用して、
ハンダバンプ８を形成することができ、電極３のピッチ
を微細化することができ、かつ、バンプ形状が整って接
続信頼性の良好な半導体装置を製造することができる。

【００５９】また、接合ツール７のハンダ粒子６を加圧
する部分に、ハンダ粒子６の表面形状に対応して窪んだ
凹部７ａを形成しているので、接合ツール７によりハン
ダ粒子６を確実に保持して、高い位置精度でバンプ形成
を行うことができ、より一層接続信頼性の良好な半導体
装置を製造することができる。

【００６０】図５〜図８は、本発明の半導体装置製造方
法の第２の実施の形態を示す図であり、図５は、本実施
の形態の半導体装置製造方法の適用される半導体素子１
０の要部正面拡大断面図である。

【００６１】図５において、半導体素子１０は、基板１
１の表面に複数の電極１２が形成され、電極１２部分以
外の表面が保護膜１３より覆われている。電極１２は、
ＡｌあるいはＡｌを主体とする合金で形成されており、
電極１２の表面は、安定なＡｌの自然の酸化膜１４で被
覆されている。半導体素子１０は、その下部及び側面に
密着するとともに、電極１２の形成された表面の周囲が
囲い部材１５で囲まれており、囲い部材１５は、電極１
２の形成された面から所定高さにわたって配設されて、
基板１１上に載置されるハンダ粒子１６が基板１１表面
からこぼれ落ちるのを防止する。

【００６２】この半導体素子１０の電極１２にハンダバ
ンプを形成するには、図５に示すように、少なくとも半
導体素子１０の電極１２の形成された表面の周囲を囲い
部材１５で囲み、この囲い部材１５で囲まれた基板１１
上に電極１２の数以上のハンダ粒子１６を載せる。この
とき、基板１１の周囲が囲い部材１５で囲まれているた
め、基板１１上のハンダ粒子１６は、基板１１上からこ
ぼれ落ちることが防止され、適宜電極１２上に配置され
る。この基板１１上の様子を、図示しないモニター機構
（モニター手段）、例えば、ＣＣＤ（Charge Coupled D
evice ）を用いたカメラ機構等により観察して、電極１
２上にハンダ粒子１６が配置されているか確認する。

【００６３】電極１２上に配置されているハンダ粒子１
６があると、当該ハンダ粒子１６を、図５に示す接合ツ
ール（加圧手段）１７により所定の超音波振動を付与し
つつ、電極１２に加圧し、電極１２とハンダ粒子１６を
接合させる。接合ツール１７の先端の押圧面には、凹部
１７ａが形成されており、この凹部１７ａの形状を変化
させることにより、ハンダ粒子１６の押圧時に、ハンダ
粒子１６の上面に形成される形状と半径の大きさを変化
させることができる。

【００６４】この超音波振動のハンダ粒子１６への付与
は、例えば、接合ツール１７に超音波振動子を取り付
け、接合ツール１７でハンダ粒子１６を電極１２に加圧
する際に、この超音波振動子を振動させ、接合ツール１
７を超音波振動させて、ハンダ粒子１６に超音波振動を
付与する。

【００６５】ハンダ粒子１６を電極１２に加圧する際
に、ハンダ粒子１６に超音波振動を付与すると、図６に
示すように、ハンダ粒子１６は、接合ツール１７に加圧
されることにより、押し潰されて、電極１２との接触面
積が広がるとともに、ハンダ粒子１６に付与された超音
波振動により電極１２の酸化膜１４及びハンダ粒子１６
の表面の酸化膜が破壊され、電極３とハンダ粒子６は、
その新生面が接触して、接合される。

【００６６】電極１２上に配置されているハンダ粒子１
６が無くなると、所定の移動方法、例えば、図６に両矢
印で示すように、基板１１を囲い部材１５とともに水平
方向に移動（振動）させることにより、基板１１上のハ
ンダ粒子１６を移動させて、電極１２上にハンダ粒子１
６を配置させる。

【００６７】電極１２上にハンダ粒子１６が配置される
と、上記同様に、ハンダ粒子１６を接合ツール１７によ
り超音波振動させつつ、電極１２に加圧し、ハンダ粒子
１６と電極１２を接合させる。

【００６８】上記処理を順次行うことにより、複数の全
ての電極１２上にハンダ粒子１６を接合させると、囲い
部材１５を取り除いて、リフローすることにより、図７
に示すように、半球状のハンダバンプ１８を形成するこ
とができる。

【００６９】すなわち、図８に示すように、半導体装置
の製造においては、半導体素子１０を囲い部材１５上に
設置し（ステップＳ１）、半導体素子１０の電極形成面
の周囲を囲い部材１５で囲うと、半導体素子１０の電極
１２形成面上にハンダ粒子１６を散布する（ステップＳ
２）。次に、モニター機構により電極１２上にハンダ粒
子１６があるかどうかチェックし（ステップＳ３）、電
極１２上にハンダ粒子１６があると、接合ツール１７に
より当該電極１２上に位置するハンダ粒子１６を超音波
振動を付与しつつ電極１２に加圧して、接合する（ステ
ップＳ４）。１個のハンダ粒子１６の電極１２への接合
を行うと、全ての電極１２へのハンダ粒子１６の接合が
完了したかチェックし（ステップＳ５）、完了していな
いときには、ステップＳ３に戻って、電極１２上に位置
するハンダ粒子１６があるかチックする（ステップＳ
３）。ステップＳ３で、電極１２上に位置するハンダ粒
子１６があるときには、当該ハンダ粒子１６の電極１２
への接合を行って（ステップＳ４）、全ての電極１２へ
のハンダ粒子１６の接合が完了したかチェックし（ステ
ップＳ５）、完了していないときには、ステップＳ３に
戻って、上記同様に、電極１２上に位置するハンダ粒子
１６があるかチェックする（ステップＳ３）。

【００７０】ステップＳ３で、ハンダ粒子１６の配置さ
れた電極１２が無いときには、囲い部材１５とともに半
導体素子１０を振動させて、ハンダ粒子１６を半導体素
子１０表面上で移動させ（ステップＳ６）、再度、ステ
ップＳ３に戻って、電極１２上に位置するハンダ粒子１
６があるかチェックする（ステップＳ３）。ステップＳ
３で、電極１２上に位置するハンダ粒子１６があるとき
には、当該ハンダ粒子１６の電極１２への接合を行って
（ステップＳ４）、全ての電極１２へのハンダ粒子１６
の接合が完了したかチェックする（ステップＳ５）。

【００７１】上記処理を順次行って、ステップＳ５で、
全ての電極１２上にハンダ粒子１６を接合すると、囲い
部材１２を除去して、半導体素子１０をリフローし、図
７に示したように、全ての電極１２上にハンダバンプ１
８を形成して、処理を終了する（ステップＳ７）。

【００７２】このように、本実施の形態によれば、半導
体素子１０の複数の電極１２の形成された面の周囲を所
定の囲い部材１５で囲んで当該半導体素子１０上に複数
のハンダ粒子１６を配置し、ハンダ粒子１６が電極１２
上に位置しているか否かを所定のモニター機構で監視し
て、囲い部材１５内の半導体素子１０上のハンダ粒子１
６を移動させて、モニター機構が電極１２上にハンダ粒
子１６が位置していることを確認すると、ハンダ粒子１
６に超音波振動を付与しつつ、ハンダ粒子１６を電極１
２に加圧・接合している。したがって、電極１２上にハ
ンダ粒子１６を確実に配置して、ハンダ粒子１６を電極
１２に接合することができ、容易にかつ確実にハンダバ
ンプ１８を形成することができるとともに、どのような
電極パターンに対しても接続信頼性の良好な半導体装置
を製造することができる。

【００７３】図９〜図１１は、本発明の半導体装置製造
方法の第３の実施の形態を示す図であり、図９は、本実
施の形態の半導体装置製造方法の適用される半導体素子
２０の要部正面拡大断面図である。

【００７４】図９において、半導体素子２０は、基板２
１の表面に複数の電極２２が形成され、電極２２部分以
外の表面が保護膜２３より覆われている。電極２２は、
ＡｌあるいはＡｌを主体とする合金で形成されており、
電極２２の表面は、安定なＡｌの自然の酸化膜２４で被
覆されている。半導体素子２０は、電極２２の形成され
た表面上には、当該表面と所定間隔空けて半導体素子２
０の表面の所定領域を囲う囲い部材２５が配設され、囲
い部材２５は、基板２１上に置かれるハンダ粒子２６の
粒径よりも小さい間隔を基板２１の表面と空けた状態で
配設されて、基板２１表面からハンダ粒子２６がこぼれ
落ちるのを防止するとともに、少なくとも基板２１表面
上で当該間隔を開けた状態で移動可能に配設されて、基
板２１上におかれたハンダ粒子２６を当該基板２１上で
移動させる。

【００７５】この半導体素子２０の電極２２にハンダバ
ンプを形成するには、図９に示すように、少なくとも半
導体素子２０の電極２２の形成された表面の所定領域を
囲う囲い部材２５で囲み、この囲い部材２５で囲まれた
基板２１上に電極２２の数以上のハンダ粒子２６を載せ
る。このとき、基板２１上のハンダ粒子２６は、囲い部
材２５で囲まれているため、基板２１上からこぼれ落ち
ることが防止され、適宜電極２２上に配置される。この
基板２１上の様子を、図示しないモニター機構（モニタ
ー手段）、例えば、ＣＣＤ（Charge Coupled Device ）
を用いたカメラ機構等により観察して、電極２２上にハ
ンダ粒子２６が配置されているか確認する。

【００７６】電極２２上に配置されているハンダ粒子２
６があると、当該ハンダ粒子２６を図９に示す接合ツー
ル（加圧手段）２７により所定の超音波振動を付与しつ
つ、電極２２に加圧し、電極２２とハンダ粒子２６を接
合させる。接合ツール２７の先端の押圧面には、凹部２
７ａが形成されており、この凹部２７ａの形状を変化さ
せることにより、ハンダ粒子２６の押圧時に、ハンダ粒
子２６の上面に形成される形状と半径の大きさを変化さ
せることができる。

【００７７】この超音波振動のハンダ粒子２６への付与
は、例えば、接合ツール２７に超音波振動子を取り付
け、接合ツール２７でハンダ粒子２６を電極２２に加圧
する際に、この超音波振動子を振動させ、接合ツール２
７を超音波振動させて、ハンダ粒子２６に超音波振動を
付与する。

【００７８】ハンダ粒子２６を電極２２に加圧する際
に、ハンダ粒子２６に超音波振動を付与すると、ハンダ
粒子２６は、接合ツール２７に加圧されることにより、
押し潰されて、電極２２との接触面積が広がるととも
に、ハンダ粒子２６に付与された超音波振動により電極
２２の酸化膜２４及びハンダ粒子２６の表面の酸化膜が
破壊され、電極２２とハンダ粒子２６は、その新生面が
接触して、接合される。

【００７９】電極２２上に配置されているハンダ粒子２
６が無くなると、図１０に矢印で示すように、囲い部材
２５を基板２１表面と所定間隔を開けた状態で水平方向
に移動させることにより、基板２１上のハンダ粒子２６
を移動させて、電極２２上にハンダ粒子２６を配置させ
る。

【００８０】電極２２上にハンダ粒子２６が配置される
と、上記同様に、ハンダ粒子２６を接合ツール２７によ
り超音波振動させつつ、電極２２に加圧し、ハンダ粒子
２６と電極２２を接合させる。

【００８１】上記処理を順次行うことにより、複数の全
ての電極２２上にハンダ粒子２６を接合させると、囲い
部材２５を取り除いて、リフローすることにより、図１
１に示すように、半球状のハンダバンプ２８を形成する
ことができる。

【００８２】このように、本実施の形態によれば、囲い
部材２５を、電極２２の形成された半導体素子２０の表
面上で移動して、電極２２上にハンダ粒子２６を配置し
ている。したがって、簡単な構成で、かつ、確実に電極
２２上にハンダ粒子２６を配置することができ、容易か
つ確実にハンダバンプを形成することができるととも
に、どのような電極パターンに対しても接続信頼性の良
好な半導体装置を安価に製造することができる。

【００８３】なお、本実施の形態においては、電極２２
上に位置するハンダ粒子２６があると、当該ハンダ粒子
２６を１個ずつ電極２２に接合させているが、接合方法
は、上記方法に限るものではなく、例えば、囲い部材２
５を基板２１上で移動させて全ての電極２２上にハンダ
粒子２６を配置させ、余剰のハンダ粒子２６を基板２１
上から除去した後、電極２２上のハンダ粒子２６を全て
一括して超音波振動を付与しつつ、加圧して、接合させ
てもよい。

【００８４】図１２及び図１３は、本発明の半導体装置
製造方法の第４の実施の形態を示す図であり、図１２
は、本実施の形態の半導体装置製造方法の適用される半
導体素子３０の要部正面拡大断面図である。

【００８５】図１２において、半導体素子３０は、基板
３１の表面に複数の電極３２が形成され、電極３２部分
以外の表面が保護膜３３より覆われている。電極３２
は、ＡｌあるいはＡｌを主体とする合金で形成されてお
り、電極３２の表面は、安定なＡｌの自然の酸化膜３４
で被覆されている。

【００８６】この半導体素子３０の電極３２にハンダバ
ンプを形成するには、図１２に示すように、電極３２の
形成された基板３１の表面上に、電極３２の位置と対応
する位置に開口３５の形成されたマスク３６を被せ、こ
のマスク３６の各開口３５にハンダ粒子３７を入れて、
ハンダ粒子３７を各電極３２上に配列する。

【００８７】全ての電極３２上にハンダ粒子３７が配置
されると、ハンダ粒子３７を、１個ずつ、図１３に示す
接合ツール（加圧手段）３８により所定の超音波振動を
付与しつつ、電極３２に加圧し、電極３２とハンダ粒子
３７を接合させる。なお、この場合、ハンダ粒子３７を
基板３１の表面を被覆するマスク３６により保持してい
るので、複数のハンダ粒子３７を同時に超音波振動を付
与しつつ、電極３２に加圧して、複数のハンダ粒子３７
を同時に電極３２に接合しても、ハンダ粒子３７が移動
することを防止しつつ、適切に複数のハンダ粒子３７を
同時に電極３２に接合することができる。また、接合ツ
ール３８の先端の押圧面には、凹部３８ａが形成されて
おり、この凹部３８ａの形状を変化させることにより、
ハンダ粒子３７の押圧時に、ハンダ粒子３７の上面に形
成される形状と半径の大きさを変化させることができ
る。

【００８８】この超音波振動のハンダ粒子３７への付与
は、例えば、接合ツール３８に超音波振動子を取り付
け、接合ツール３８でハンダ粒子３７を電極３２に加圧
する際に、この超音波振動子を振動させ、接合ツール３
８を超音波振動させて、ハンダ粒子３７に超音波振動を
付与する。

【００８９】ハンダ粒子３７を電極３２に加圧する際
に、ハンダ粒子３７に超音波振動を付与すると、ハンダ
粒子３７は、接合ツール３８に加圧されることにより、
押し潰されて、電極３２との接触面積が広がるととも
に、ハンダ粒子３７に付与された超音波振動により電極
３２の酸化膜３４及びハンダ粒子３７の表面の酸化膜が
破壊され、図１３に示すように、電極３２とハンダ粒子
３７は、その新生面が接触して、接合される。

【００９０】上記ハンダ粒子３７の電極３２への接合処
理を順次行って、電極３２上に配置されている全てのハ
ンダ粒子３７を電極３２に接合させると、マスク３６を
取り除いて、リフローすることにより、半球状のハンダ
バンプを形成することができる。

【００９１】このように、本実施の形態によれば、半導
体素子３０の電極３２位置に対応する位置に当該電極３
２に対応する大きさの開口３５の形成されたマスク３６
を被せ、当該マスク３６の開口３５にハンダ粒子３７を
配列して、ハンダ粒子３７に超音波振動を付与しつつ、
ハンダ粒子３７を電極３２に加圧・接合し、上記開口３
５へのハンダ粒子３７の配列とハンダ粒子３７の電極３
２への接合を順次行って、全ての電極３２にハンダ粒子
３７を接合した後、マスク３６を除去している。したが
って、ハンダ粒子３７の配列を確実に行おこなうことが
でき、また、超音波振動で未接合のハンダ粒子３７の配
列が乱れることをマスク３６で固定して防止した状態で
１点ずつハンダ粒子３７を電極３２に接合することがで
き、ハンダ粒子３７を電極３２に確実に接合して、どの
ような電極パターンに対しても、より一層接続信頼性の
良好な半導体装置を製造することができる。

【００９２】なお、本実施の形態においては、電極３２
上にハンダ粒子３７を配列した後、、ハンダ粒子２６を
１個ずつ電極３２に接合させているが、接合方法は、上
記方法に限るものではなく、例えば、図１４及び図１５
に示すように、一括接合してもよい。すなわち、図１４
に示すように、電極３２に対応する位置に開口３５を有
するマスク３６を、当該開口３５を電極３２にあわせ
て、基板３１の電極３２の形成された面に被せ、マスク
３６上にハンダ粒子３７を散布して、マスク３６の全て
の開口３５にハンダ粒子３７を入れて、電極３２上にハ
ンダ粒子３７を配置する。

【００９３】全ての電極３２上にハンダ粒子３７を配置
させると、図１５に示すように、マスク３６を基板３１
上から取り除き、全てのハンダ粒子３７を同時に加圧可
能な接合ツール３９により全てのハンダ粒子３７に超音
波振動を付与しつつ、電極３２に加圧して、全てのハン
ダ粒子３７をそれぞれ配置されている電極３２に接合す
る。この接合ツール３９は、その押圧面に、基板３１の
各電極３２に対応する位置にハンダ粒子３７の形状に対
応して窪んだ凹部３９ａが形成されている。

【００９４】このようにすると、全てのハンダ粒子３７
を一括して同時に電極３２に接合することができ、半導
体装置の製造を速やかに行うことができる。

【００９５】図１６及び図１７は、本発明の半導体装置
製造方法の第５の実施の形態を示す図であり、図１６
は、本実施の形態の半導体装置製造方法の適用される半
導体素子４０の要部正面拡大断面図である。

【００９６】図１６において、半導体素子４０は、基板
４１の表面に複数の電極４２が形成され、電極４２部分
以外の表面が保護膜４３より覆われている。電極４２
は、ＡｌあるいはＡｌを主体とする合金で形成されてお
り、電極４２の表面は、安定なＡｌの自然の酸化膜４４
で被覆されている。

【００９７】この半導体素子４０の電極４２にハンダバ
ンプを形成するには、図１６に示すように、電極４２の
形成された基板４１の少なくとも電極４２部分を含む表
面上に、所定の粘着性を有するとともに、微細な研磨材
を含有する粘着材４５を塗布し、当該粘着材４５表面と
所定の微小間隔空けて、電極４２の位置と対応する位置
に開口４６の形成されたマスク４７を被せ、このマスク
４７の各開口４６にハンダ粒子４８を入れて、ハンダ粒
子４８を各電極４２上に配列する。

【００９８】全てのマスク４７の開口４６にハンダ粒子
４８を挿入して、全ての電極４２上にハンダ粒子４８を
配置すると、図１７に示すように、マスク４７を基板４
１上から除去した後、ハンダ粒子４８を、１個ずつ、接
合ツール（加圧手段）４９により所定の超音波振動を付
与しつつ、電極４２に加圧し、電極４２とハンダ粒子４
８を接合させる。なお、接合ツール４９の先端の押圧面
には、凹部４９ａが形成されており、この凹部４９ａの
形状を変化させることにより、ハンダ粒子４８の押圧時
に、ハンダ粒子４８の上面に形成される形状と半径の大
きさを変化させることができる。

【００９９】この超音波振動のハンダ粒子４８への付与
は、例えば、接合ツール４９に超音波振動子を取り付
け、接合ツール４９でハンダ粒子４８を電極４２に加圧
する際に、この超音波振動子を振動させ、接合ツール４
９を超音波振動させて、ハンダ粒子４８に超音波振動を
付与する。

【０１００】このとき、基板４１上に粘着材４５が塗布
されているため、マスク４７が除去されても、ハンダ粒
子４８は、電極４２上に粘着材４５で粘着された状態と
なっており、接合ツール４９で加圧されると、電極４２
に押し付けられる。また、ハンダ粒子４８が、超音波振
動が付与されつつ、接合ツール４９で電極４２に加圧さ
れると、ハンダ粒子４８は、粘着材４５で粘着されて電
極４２上から移動することなく、適切に電極４２に押し
付けられるとともに、粘着材４５に微細な研磨材が含有
されているので、ハンダ粒子４８に付与される超音波振
動により電極４２表面の酸化膜４４及びハンダ粒子４８
の表面の酸化膜が破壊され、図１７に示すように、電極
４２とハンダ粒子４８は、その新生面が接触して、確実
に接合される。

【０１０１】上記ハンダ粒子４８の電極４２への接合処
理を順次行って、電極４２上に配置されている全てのハ
ンダ粒子４８を電極４２に接合させると、リフローする
ことにより、半球状のハンダバンプを形成することがで
きる。

【０１０２】このように、本実施の形態によれば、所定
の粘着性を有するとともに、所定の微細な研磨材を含有
する粘着材４５を、電極４２の形成された半導体素子４
０の表面に塗布し、当該粘着材４５の塗布された表面
に、半導体素子４０の電極４２位置に対応する位置に当
該電極４２に対応する大きさの開口４６の形成された所
定のマスク４７を被せ、当該マスク４７の開口４６にハ
ンダ粒子４８を配列した後、マスク４７を除去し、ハン
ダ粒子４８に超音波振動を付与しつつ、ハンダ粒子４８
を電極４２に加圧・接合している。したがって、超音波
振動で未接合のハンダ粒子４８の配列が乱れることを粘
着材４５で固定して防止した状態でハンダ粒子４８を電
極４２に接合することができるとともに、ハンダ粒子４
８に付与される超音波振動で粘着材４５中の研磨材によ
り確実に電極４２上の酸化膜４４を破壊することがで
き、より一層確実にかつ容易にハンダ粒子４８を電極４
２に接合して、どのような電極パターンに対しても、よ
り一層接続信頼性の良好な半導体装置を短時間に製造す
ることができる。

【０１０３】なお、上記実施の形態においては、ハンダ
粒子４８を接合ツール４９で１個ずつ電極４２に接合さ
せているが、全てのハンダ粒子４８を一括して電極４２
に接合させてもよい。

【０１０４】また、上記実施の形態においては、電極４
２を含む基板４１の表面全面に粘着材４５を塗布してい
るが、粘着材４５の塗布は、基板４１の表面全面に塗布
するものに限るものではなく、例えば、図１８に示すよ
うに、フラックス転写等により基板４１表面の電極４２
上にのみ粘着材４５を塗布してもよい。この場合、図１
９に示すように、当該粘着材４５の塗布された電極４２
上に、ハンダ粒子４８を配列し、図２０に示すように、
接合ツール４９でハンダ粒子４８を１個ずつ電極４２に
接合する。なお、この場合も、全てのハンダ粒子４８を
一括して電極４２に接合させてもよい。

【０１０５】図２１〜図２４は、本発明の半導体装置製
造方法の第６の実施の形態を示す図であり、図２１は、
本実施の形態の半導体装置製造方法の適用される半導体
素子５０の要部正面拡大断面図である。

【０１０６】図２１において、半導体素子５０は、基板
５１の表面に複数の電極５２が形成され、電極５２部分
以外の表面が保護膜５３より覆われている。電極５２
は、ＡｌあるいはＡｌを主体とする合金で形成されてお
り、電極５２の表面は、安定なＡｌの自然の酸化膜５４
で被覆されている。

【０１０７】この半導体素子５０の電極５２にハンダバ
ンプを形成するには、図２２に示すように、所定の粘着
性を有するが、所定のエネルギー付与により当該エネル
ギー付与された部分のみを選択的に粘着性を消失するシ
ート状の粘着材料５５、例えば、例えば、シリコンウエ
ハーをチップ状に切断する際に使用されるダイシングテ
ープのように、所定の粘着性を有するが、紫外線（Ｕ
Ｖ）照射されると、当該紫外線照射された部分のみが硬
化して粘着性を消失するものを使用し、基板５１上の電
極５２に対応する位置以外の部分のみにエネルギー、例
えば、紫外線を照射して、粘着性を消失させて、電極５
２に対応する部分のみに粘着性を有する粘着部５５ａを
形成する。この粘着材料５５の粘着部５５ａにハンダ粒
子５６を接着固定し、ハンダ粒子５６を接着固定した粘
着材料５５を、図２１に示すように、そのハンダ粒子５
６の接着固定された面を基板５１側に向けて、各電極５
２にハンダ粒子５６を対応させて、各電極５２にハンダ
粒子５６を配列させる。

【０１０８】その後、図２１に示すように、粘着材料５
５のハンダ粒子５６の接着された側と反対側から接合ツ
ール（加圧手段）５７により、ハンダ粒子５６を所定の
超音波振動を付与しつつ、電極５２に加圧し、電極５２
とハンダ粒子５６を接合させる。

【０１０９】この超音波振動のハンダ粒子５６への付与
は、例えば、接合ツール５７に超音波振動子を取り付
け、接合ツール５７でハンダ粒子５６を電極５２に加圧
する際に、この超音波振動子を振動させ、接合ツール５
７を超音波振動させて、ハンダ粒子５６に超音波振動を
付与する。また、接合ツール５７の先端の押圧面には、
凹部５７ａが形成されており、この凹部５７ａの形状を
変化させることにより、ハンダ粒子５６の押圧時に、ハ
ンダ粒子５６の上面に形成される形状と半径の大きさを
変化させることができる。

【０１１０】このとき、ハンダ粒子５６は、粘着材料５
５の粘着部５５ａに接着固定されているため、接合ツー
ル５７を介して超音波振動が付与されても、電極５２部
分から外れることなく、適切に接合ツール５７により電
極５２に加圧されるとともに、ハンダ粒子５６に付与さ
れる超音波振動により電極５２表面の酸化膜５４及びハ
ンダ粒子５６の表面の酸化膜が破壊され、電極５２とハ
ンダ粒子５６は、その新生面が接触して、確実に接合さ
れる。

【０１１１】上記ハンダ粒子５６の電極５２への接合処
理を順次行って、全ての電極５２にハンダ粒子５６を接
合すると、図２３に示すように、粘着材料５５全体に粘
着材料５５の粘着性を消失させるエネルギー、例えば、
紫外線（ＵＶ）を照射し、粘着材料５５の粘着部５５ａ
の粘着性を消失させる。

【０１１２】粘着材料５５の粘着性を消失させると、粘
着材料５５を容易に、かつ、ハンダ粒子５６と電極５２
との接合を乖離させることなく、粘着材料５５をハンダ
粒子５６から剥離・除去でき、粘着材料５５を除去する
と、半導体素子５０をリフローして、図２４に示すよう
に、半球状のハンダバンプ５８を形成する。

【０１１３】このように、本実施の形態によれば、紫外
光の照射等の所定のエネルギーの付与により粘着性を除
去可能なシート状の粘着部材５５の電極５２に対応する
位置以外の部分の粘着性を除去して、当該粘着部材５５
の電極５２位置に対応する粘着部５５ａにハンダ粒子５
６を接着させ、当該ハンダ粒子５６を接着させた粘着部
材５５をハンダ粒子５６が電極５２に接触する状態で半
導体素子５０表面に重ね、ハンダ粒子５６に所定の超音
波振動を付与しつつ、ハンダ粒子５６を１個ずつ電極５
２に加圧して、ハンダ粒子５６を電極５２に接合し、全
てのハンダ粒子５６を電極５２に接合すると、所定のエ
ネルギーを粘着部材５５に付与して粘着部材５５の粘着
性を除去した後、粘着部材５５を半導体素子５０から除
去している。したがって、ハンダ粒子５６の配列を確実
に行うことができ、また、超音波振動で未接合のハンダ
粒子５６の配列が乱れることを粘着部材５５で固定して
防止した状態で１点ずつハンダ粒子５６を電極５２に接
合することができ、ハンダ粒子５６を電極５２に確実に
接合して、どのような電極パターンに対しても、より一
層接続信頼性の良好な半導体装置を製造することができ
る。

【０１１４】なお、本実施の形態においては、粘着材料
５５にハンダ粒子５６を接着固定した状態で電極５２上
にハンダ粒子５６を配列した後、粘着材料５５を介して
ハンダ粒子５６を１個ずつあるいは複数個同時に電極５
２に接合させているが、接合方法は、上記方法に限るも
のではなく、例えば、図２５〜図２８に示すように、電
極５２上のハンダ粒子５６を一括して接合してもよい。

【０１１５】すなわち、図２５に示すように、シート状
の粘着材料５５に、基板５１上の電極５２に対応する位
置以外の部分のみにエネルギー、例えば、紫外線を照射
して、粘着性を消失させて、電極５２に対応する部分の
みに粘着性を有する粘着部５５ａを形成し、この粘着材
料５５の粘着部５５ａにハンダ粒子５６を接着固定し
て、ハンダ粒子５６を接着固定した粘着材料５５を、そ
のハンダ粒子５６の接着固定された面を基板５１側に向
けて、各電極５２にハンダ粒子５６を対応させて、各電
極５２にハンダ粒子５６を配列させる。

【０１１６】その後、図２６に示すように、粘着材料５
５全体に粘着材料５５の粘着性を消失させるエネルギ
ー、例えば、紫外線（ＵＶ）を照射し、粘着材料５５の
粘着部５５ａの粘着性を消失させる。

【０１１７】粘着材料５５の粘着性を消失させると、図
２７に示すように、粘着材料５５のハンダ粒子５６の接
着された側と反対側から、全てのハンダ粒子５６を同時
に加圧可能な接合ツール（加圧手段）５９により、ハン
ダ粒子５６を所定の超音波振動を付与しつつ、電極５２
に加圧し、全ての電極５２に全てのハンダ粒子５６を一
括して接合させる。接合ツール５９の先端の押圧面に
は、電極５２に対応する位置に、凹部５９ａが形成され
ており、この凹部５９ａの形状を変化させることによ
り、ハンダ粒子５６の押圧時に、ハンダ粒子５６の上面
に形成される形状と半径の大きさを変化させることがで
きる。

【０１１８】この超音波振動のハンダ粒子５６への付与
は、例えば、接合ツール５９に超音波振動子を取り付
け、接合ツール５９でハンダ粒子５６を電極５２に加圧
する際に、この超音波振動子を振動させ、接合ツール５
９を超音波振動させて、ハンダ粒子５６に超音波振動を
付与する。そして、接合ツール５９の加圧面には、ハン
ダ粒子５６を押し付ける押圧面には、電極５２の位置に
各ハンダ粒子５６を保持・加圧する凹部５９ａが形成さ
れている。したがって、粘着材料５５の粘着部５５ａの
粘着性を消失させた後、接合ツール５９により超音波振
動を付与しつつ、全てのハンダ粒子５６を一括して電極
５２に接合させても、ハンダ粒子５６が電極５２部分か
ら外れることなく、接合ツール５９により適切に電極５
２に加圧されるとともに、ハンダ粒子５６に付与される
超音波振動により電極５２表面の酸化膜５４及びハンダ
粒子５６の表面の酸化膜が破壊され、電極５２とハンダ
粒子５６は、その新生面が接触して、確実に接合され
る。

【０１１９】上記接合処理を行うと、半導体素子５０を
リフローして、図２８に示すように、半球状のハンダバ
ンプ５８を形成する。

【０１２０】このようにすると、全てのハンダ粒子５６
を一括して同時に電極５２に接合することができ、半導
体装置の製造を短時間に行うことができる。

【０１２１】図２９及び図３０は、本発明の半導体装置
製造方法の第７の実施の形態を示す図であり、図２９
は、本実施の形態の半導体装置製造方法の適用される半
導体素子６０の要部正面拡大断面図である。

【０１２２】図２９において、半導体素子６０は、基板
６１の表面に複数の電極６２が形成され、電極６２部分
以外の表面が保護膜６３より覆われている。電極６２
は、ＡｌあるいはＡｌを主体とする合金で形成されてお
り、電極６２の表面は、安定なＡｌの自然の酸化膜６４
で被覆されている。

【０１２３】この半導体素子６０の電極６２にハンダバ
ンプを形成するには、図３０に示すように、接合ツール
（加圧手段）６５によりハンダ粒子６６を吸着して、図
２９に示すように、基板６１の電極６２上に移動し、ハ
ンダ粒子６６を所定の超音波振動を付与しつつ、電極６
２に加圧して、電極６２とハンダ粒子６６を接合させ
る。

【０１２４】すなわち、接合ツール６５には、その先端
部の押圧面にハンダ粒子６６を保持・加圧する凹部６５
ａが形成されているとともに、その軸方向に凹部６５ａ
に連通する吸引通路６５ｂが形成されており、吸引通路
６５ｂには、図示しない吸気ポンプ等が接続されてい
る。接合ツール６５は、図３０に示すように、半導体素
子６０の近くに設置されてハンダ粒子６６の配置されて
いるハンダ粒子載置台６７上から吸引通路６５ｂを通し
て吸引空気によりハンダ粒子６６を凹部６５ａに吸着
し、図２９に示すように、ハンダ粒子６６を凹部６５ａ
に吸着した状態で基板６１の電極６２上に移動して、超
音波振動をハンダ粒子６６に付与しつつ、ハンダ粒子６
６を電極６２に加圧して、ハンダ粒子６６と電極６２と
を接合する。

【０１２５】この超音波振動のハンダ粒子６６への付与
は、例えば、接合ツール６５に超音波振動子を取り付
け、接合ツール６５でハンダ粒子６６を電極６２に加圧
する際に、この超音波振動子を振動させ、接合ツール６
５を超音波振動させて、ハンダ粒子６６に超音波振動を
付与する。

【０１２６】このとき、ハンダ粒子６６は、接合ツール
６５の凹部６５ａに保持されるとともに、吸引空気によ
り凹部６５ａに吸着されているため、接合ツール６５を
介して超音波振動が付与されても、電極６２部分から外
れることなく、適切に接合ツール６５により電極６２に
加圧されるとともに、図２９に示すように、ハンダ粒子
６６に付与される超音波振動により電極６２表面の酸化
膜６４及びハンダ粒子６６の表面の酸化膜が破壊され、
電極６２とハンダ粒子６６は、その新生面が接触して、
確実に接合される。

【０１２７】上記ハンダ粒子６６の電極６２への接合処
理の途中で吸引通路６５ｂを介しての空気の吸引を停止
し、ハンダ粒子６６の電極６２への加圧・接合をさらに
行って、接合を完了すると、上記同様のハンダ粒子６６
の吸着、移動及び接合を順次行って、全ての電極６２に
ハンダ粒子６６を接合すると、半導体素子６０をリフロ
ーして、半球状のハンダバンプを形成する。

【０１２８】このように、本実施の形態によれば、接合
ツール６５にハンダ粒子６６を１個吸着する吸引通路６
５ｂを形成し、当該吸引通路６５ｂによりハンダ粒子６
６を吸着してハンダ粒子６６を電極６２上に位置させた
後、ハンダ粒子６６に超音波振動を付与しつつ加圧し
て、ハンダ粒子６６を電極６２に接合している。したが
って、接合ツール６５によりハンダ粒子６６を配置する
ことができるとともに、超音波振動を付与しつつ加圧・
接合することができ、製造工程及び製造設備を簡略化し
て、接続信頼性の良好な半導体装置を安価に製造するこ
とができる。

【０１２９】また、１個ずつ接合ツール６５でハンダ粒
子６６を吸着して、電極６２上に移動して、超音波振動
を付与しつつハンダ粒子６６を電極６２に接合させてい
るため、電極６２のパターンの如何に関わらず、適切に
ハンダ粒子６６を電極６２に接合させることができる。

【０１３０】なお、本実施の形態においては、ハンダ粒
子６６を１個ずつ接合ツール６５に吸着させて電極６２
上に移動させて、ハンダ粒子６６を１個ずつ電極６２に
接合させているが、接合方法は、上記方法に限るもので
はなく、例えば、図３１及び図３２に示すように、全て
の電極６２にハンダ粒子６６を一括して接合してもよ
い。

【０１３１】すなわち、図３１に示すように、半導体素
子６０の基板６１と同程度の大きさを有する板状の接合
ツール６８を用意し、当該接合ツール６８は、基板６１
上の電極６２に対応する位置に吸引口６８ａが形成され
ている。この接合ツール６８の各吸引口６８ａにハンダ
粒子６６を吸着させ、図３２に示すように、ハンダ粒子
６６を吸着した接合ツール６８上から半導体素子６０の
基板６１を、各電極６２とハンダ粒子６６との位置をあ
わせて、移動・配置させる。この基板６１の接合ツール
６８上への移動・配置は、例えば、所定の保持・加圧部
材で基板６１を保持し、保持・加圧部材で基板６１を保
持手段状態で接合ツール６８上に移動させて、各電極６
２とハンダ粒子６６との位置調整することにより行い、
その後、保持・加圧部材により基板６１を接合ツール６
８方向に加圧することにより電極６２とハンダ粒子６６
を接合する。

【０１３２】このハンダ粒子６６と電極６２との接合に
おいては、保持・加圧部材を介して、あるいは、接合ツ
ール６８を介して、電極６２あるいはハンダ粒子６６に
所定の超音波振動を付与しつつ、電極６２とハンダ粒子
６６を加圧・接合する。

【０１３３】この超音波振動の電極６２あるいはハンダ
粒子６６への付与は、例えば、保持・加圧部材あるいは
接合ツール６８に超音波振動子を取り付け、保持・加圧
部材と接合ツール６８でハンダ粒子６６と電極６２を加
圧する際に、この超音波振動子を振動させ、保持・加圧
部材あるいは接合ツール６８を超音波振動させて、電極
６２あるいはハンダ粒子６６に超音波振動を付与する。

【０１３４】上記接合処理を行うと、半導体素子６０を
リフローして、半球状のハンダバンプ５８を形成する。

【０１３５】このようにすると、全てのハンダ粒子６６
を一括して同時に電極６２に接合することができ、半導
体装置の製造を速やかに行うことができる。

【０１３６】以上、本発明者によってなされた発明を好
適な実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
上記のものに限定されるものではなく、その要旨を逸脱
しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもな
い。

【０１３７】

【発明の効果】請求項１記載の発明の半導体装置製造方
法によれば、半導体素子の電極上にハンダバンプを形成
するために、電極上にハンダ粒子を配置して、ハンダ粒
子を電極に加圧し、ハンダ粒子を電極に接合するのに際
して、ハンダ粒子に所定の超音波振動を付与しつつ、ハ
ンダ粒子を電極に加圧・接合しているので、半導体素子
形成工程と完全に独立してバンプ形成工程を設けること
ができるとともに、入手容易な微細で粒径の整ったハン
ダ粒子を使用して、ハンダバンプを形成することがで
き、電極ピッチを微細化することができ、かつ、バンプ
形状が整って接続信頼性の良好な半導体装置を製造する
ことができる。

【０１３８】請求項２記載の発明の半導体装置製造方法
によれば、半導体素子の複数の電極の形成された面の周
囲を所定の囲い部材で囲んで当該半導体素子上に複数の
ハンダ粒子を配置し、ハンダ粒子が電極上に位置してい
るか否かを所定のモニター手段で監視して、囲い部材内
の半導体素子上のハンダ粒子を所定の移動方法で移動さ
せて、モニター手段が電極上にハンダ粒子が位置してい
ることを確認すると、ハンダ粒子に超音波振動を付与し
つつ、ハンダ粒子を電極に加圧・接合しているので、電
極上へハンダ粒子を確実に配置して、ハンダ粒子を電極
に接合することができ、容易にかつ確実にハンダバンプ
を形成することができるとともに、どのような電極パタ
ーンに対しても接続信頼性の良好な半導体装置を製造す
ることができる。

【０１３９】請求項３記載の発明の半導体装置製造方法
によれば、囲い部材を、電極の形成された半導体素子表
面上で移動して、電極上にハンダ粒子を配置しているの
で、簡単な構成で、かつ、確実に電極上にハンダ粒子を
配置することができ、容易かつ確実にハンダバンプを形
成することができるとともに、どのような電極パターン
に対しても接続信頼性の良好な半導体装置を安価に製造
することができる。

【０１４０】請求項４記載の発明の半導体装置製造方法
によれば、半導体素子の電極上にハンダバンプを形成す
るために、電極上にハンダ粒子を配置して、ハンダ粒子
を電極に加圧し、ハンダ粒子を電極に接合するのに際し
て、半導体素子の電極位置に対応する位置に当該電極に
対応する大きさの開口の形成された所定のマスクを被
せ、当該マスクの開口にハンダ粒子を配列して、ハンダ
粒子に超音波振動を付与しつつ、ハンダ粒子を電極に加
圧・接合し、上記開口へのハンダ粒子の配列とハンダ粒
子の電極への接合を順次行って、全ての電極にハンダ粒
子を接合した後、マスクを除去しているので、ハンダ粒
子の配列を確実に行おこなうことができ、また、超音波
振動で未接合のハンダ粒子の配列が乱れることをマスク
で固定して防止した状態で１点ずつハンダ粒子を電極に
接合することができ、ハンダ粒子を電極に確実に接合し
て、どのような電極パターンに対しても、より一層接続
信頼性の良好な半導体装置を製造することができる。

【０１４１】請求項５記載の発明の半導体装置製造方法
によれば、半導体素子の電極上にハンダバンプを形成す
るために、電極上にハンダ粒子を配置して、ハンダ粒子
を電極に加圧し、ハンダ粒子を電極に接合するのに際し
て、半導体素子の電極位置に対応する位置に当該電極に
対応する大きさの開口の形成された所定のマスクを被
せ、当該マスクの全ての開口にハンダ粒子を配列して、
当該全てのハンダ粒子に超音波振動を付与しつつ、全て
のハンダ粒子を電極に同時に加圧して接合させた後、マ
スクを除去しているので、ハンダ粒子の電極上への配列
を確実に行うことができるとともに、全てのハンダ粒子
を一括して電極に接合して、接合時間を短縮することが
でき、ハンダ粒子を電極に確実に接合して、より一層接
続信頼性の良好な半導体装置を短時間に製造することが
できる。

【０１４２】請求項６記載の発明の半導体装置製造方法
によれば、半導体素子の電極上にハンダバンプを形成す
るために、電極上にハンダ粒子を配置して、ハンダ粒子
を電極に加圧し、ハンダ粒子を電極に接合するのに際し
て、紫外光の照射等の所定のエネルギーの付与により粘
着性を除去可能なシート状の粘着部材の電極に対応する
位置以外の部分の粘着性を除去して、当該粘着部材の電
極位置に対応する粘着部にハンダ粒子を接着させ、当該
ハンダ粒子を接着させた粘着部材をハンダ粒子が電極に
接触する状態で半導体素子表面に重ね、ハンダ粒子に所
定の超音波振動を付与しつつ、ハンダ粒子を１個ずつ電
極に加圧して、ハンダ粒子を電極に接合し、全てのハン
ダ粒子を電極に接合すると、所定のエネルギーを粘着部
材に付与して粘着部材の粘着性を除去した後、粘着部材
を半導体素子から除去しているので、ハンダ粒子の配列
を確実に行うことができ、また、超音波振動で未接合の
ハンダ粒子の配列が乱れることを粘着部材で固定して防
止した状態で１点ずつハンダ粒子を電極に接合すること
ができ、ハンダ粒子を電極に確実に接合して、どのよう
な電極パターンに対しても、より一層接続信頼性の良好
な半導体装置を製造することができる。

【０１４３】請求項７記載の発明の半導体装置製造方法
によれば、半導体素子の電極上にハンダバンプを形成す
るために、電極上にハンダ粒子を配置して、ハンダ粒子
を電極に加圧し、ハンダ粒子を電極に接合するのに際し
て、紫外光の照射等の所定のエネルギーの付与により粘
着性を除去可能なシート状の粘着部材の電極に対応する
位置以外の部分の粘着性を除去して、当該粘着部材の電
極位置に対応する粘着部にハンダ粒子を接着させ、当該
ハンダ粒子を接着させた粘着部材をハンダ粒子が電極に
接触する状態で半導体素子表面に重ねて、各電極上にハ
ンダ粒子を位置させ、所定のエネルギーを粘着部材に付
与して粘着部材の粘着性を除去して、粘着部材を半導体
素子から除去した後、全てのハンダ粒子に所定の超音波
振動を付与しつつ、全てのハンダ粒子を電極に同時に加
圧して、ハンダ粒子を一括して電極に接合しているの
で、ハンダ粒子の電極上への配列を確実に行うことがで
きるとともに、全てのハンダ粒子を一括して電極に接合
して、接合時間を短縮することができ、ハンダ粒子を電
極に確実に接合して、より一層接続信頼性の良好な半導
体装置を短時間に製造することができる。

【０１４４】請求項８記載の発明の半導体装置製造方法
によれば、半導体素子の電極上にハンダバンプを形成す
るために、電極上にハンダ粒子を配置して、ハンダ粒子
を電極に加圧し、ハンダ粒子を電極に接合するのに際し
て、所定の粘着性を有するとともに、所定の微細な研磨
材を含有する粘着材を、電極の形成された半導体素子の
表面に塗布し、当該粘着材の塗布された表面に、半導体
素子の電極位置に対応する位置に当該電極に対応する大
きさの開口の形成された所定のマスクを被せ、当該マス
クの開口にハンダ粒子を配列した後、マスクを除去し、
ハンダ粒子に超音波振動を付与しつつ、ハンダ粒子を電
極に加圧・接合しているので、超音波振動で未接合のハ
ンダ粒子の配列が乱れることを粘着材で固定して防止し
た状態でハンダ粒子を電極に接合することができるとと
もに、ハンダ粒子に付与される超音波振動で粘着材中の
研磨材により確実に電極上の酸化膜を破壊することがで
き、より一層確実にかつ容易に全てのハンダ粒子を一括
して電極に接合して、より一層接続信頼性の良好な半導
体装置を短時間に製造することができる。

【０１４５】請求項９記載の発明の半導体装置製造方法
によれば、半導体素子の電極上にハンダバンプを形成す
るために、電極上にハンダ粒子を配置して、ハンダ粒子
を電極に加圧し、ハンダ粒子を電極に接合するのに際し
て、所定の粘着性を有するとともに、所定の微細な研磨
材を含有する粘着材を、半導体素子の電極表面のみに塗
布し、当該粘着材の塗布された電極表面にハンダ粒子を
配列した後、ハンダ粒子に超音波振動を付与しつつ、ハ
ンダ粒子を電極に加圧・接合しているので、容易にハン
ダ粒子を電極上に配列・固定することができるととも
に、超音波振動で未接合のハンダ粒子の配列が乱れるこ
とを粘着材で固定して防止した状態でハンダ粒子を電極
に接合しつつ、粘着材中の研磨材によりハンダ粒子に与
えられる超音波振動で確実に電極上の酸化膜を破壊する
ことができ、より一層確実にかつ容易にハンダ粒子を電
極に接合して、より一層接続信頼性の良好な半導体装置
を短時間に製造することができる。

【０１４６】請求項１０記載の発明の半導体装置製造方
法によれば、粘着材として、フラックスを使用している
ので、通常のプロセスで、接続信頼性に悪影響を与える
ことなく、粘着材を洗浄・除去することができ、接続信
頼性の良好な半導体装置を容易に製造することができ
る。

【０１４７】請求項１１記載の発明の半導体装置製造方
法によれば、加圧手段を、ハンダ粒子を少なくとも１個
吸着する吸着機構を備えたものとし、当該吸着機構によ
りハンダ粒子を吸着してハンダ粒子を電極上に位置させ
た後、ハンダ粒子に超音波振動を付与しつつ加圧して、
ハンダ粒子を電極に接合しているので、加圧手段により
ハンダ粒子を配置することができるとともに、超音波振
動を付与しつつ加圧・接合することができ、製造工程及
び製造設備を簡略化して、接続信頼性の良好な半導体装
置を安価に製造することができる。

【０１４８】請求項１２記載の発明の半導体装置製造方
法によれば、加圧手段を、半導体素子の全ての電極の位
置に対応する位置にハンダ粒子を吸着する吸着機構を備
えたものとし、当該吸着機構により全ての電極位置に対
応する位置にハンダ粒子を吸着して当該ハンダ粒子を電
極上に位置させた後、ハンダ粒子に超音波振動を付与し
つつ加圧して、ハンダ粒子を全ての電極に一括して接合
しているので、半導体素子全面に一括してバンプ形成を
行うことができ、接合時間を短縮して、接続信頼性の良
好な半導体装置を短時間に製造することができる。

【０１４９】請求項１３記載の発明の半導体装置製造方
法によれば、加圧手段を、ハンダ粒子を加圧する部分
が、ハンダ粒子の表面形状に対応して窪んだ凹部形状に
形成されたものとしているので、加圧手段によりハンダ
粒子を確実に保持して、高い位置精度でバンプ形成を行
うことができ、より一層接続信頼性の良好な半導体装置
を製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の半導体装置製造方法の第１の実施の形
態を適用した半導体素子の電極部分の正面拡大断面図。

【図２】図１の半導体素子の電極にハンダ粒子を接合ツ
ールで加圧・接合している状態の正面拡大断面図。

【図３】図２の半導体素子の電極にハンダ粒子を接合し
た後、リフローしている状態の正面拡大断面図。

【図４】図３のリフローにより半導体素子の電極にハン
ダバンプの形成された状態の正面拡大断面図。

【図５】本発明の半導体装置製造方法の第２の実施の形
態を適用した半導体素子の電極部分の正面拡大断面図。

【図６】図５の半導体素子を振動させてハンダ粒子を電
極上に配列している状態の正面拡大断面図。

【図７】図５の半導体素子の電極上にハンダ粒子を接合
した後、半導体素子をリフローしてハンダバンプを形成
した状態の正面拡大断面図。

【図８】図５の半導体素子の電極上にハンダ粒子を接合
してハンダバンプを形成する半導体装置製造処理工程を
示すフローチャート。

【図９】本発明の半導体装置製造方法の第３の実施の形
態を適用した半導体素子の電極部分の正面拡大断面図。

【図１０】図９の半導体素子上の囲い部材を移動させて
電極上にハンダ粒子を配列している状態の正面拡大断面
図。

【図１１】図９の半導体素子の電極上にハンダ粒子を接
合した後、半導体素子をリフローしてハンダバンプを形
成した状態の正面拡大断面図。

【図１２】本発明の半導体装置製造方法の第４の実施の
形態を適用した半導体素子の電極部分の正面拡大断面
図。

【図１３】図１２の半導体素子の電極上にハンダ粒子を
接合ツールで接合している状態の正面拡大断面図。

【図１４】図１２の半導体装置製造方法の他の例を適用
した半導体素子の電極部分の正面拡大断面図。

【図１５】図１４の半導体素子の電極上のハンダ粒子を
一括して加圧・接合している状態の正面拡大断面図。

【図１６】本発明の半導体装置製造方法の第５の実施の
形態を適用した半導体素子の電極部分の正面拡大断面
図。

【図１７】図１６の半導体素子の電極上にハンダ粒子を
接合ツールで接合している状態の正面拡大断面図。

【図１８】図１６の半導体装置製造方法の他の例を適用
した半導体素子の電極部分の正面拡大断面図。

【図１９】図１８の半導体素子の電極上にハンダ粒子を
配列した状態の正面拡大断面図。

【図２０】図１９の半導体素子の電極上にハンダ粒子を
接合ツールで接合している状態の正面拡大断面図。

【図２１】本発明の半導体装置製造方法の第６の実施の
形態を適用した半導体素子の電極部分の正面拡大断面
図。

【図２２】図２１の半導体素子の電極に配列するハンダ
粒子を電極位置に対応する粘着部のみに粘着性を有した
粘着材料にハンダ粒子を接着固定した状態の正面拡大断
面図。

【図２３】図２１の半導体素子の電極にハンダ粒子を接
合後に粘着材料に紫外線を照射して粘着材料全体の粘着
性を除去している状態の正面拡大断面図。

【図２４】図２３の半導体素子の電極上にハンダ粒子を
接合した後、半導体素子をリフローしてハンダバンプを
形成した状態の正面拡大断面図。

【図２５】図２１の半導体装置製造方法の他の例を適用
した半導体素子の電極上に粘着材料に接着されたハンダ
粒子を配列している状態の正面拡大断面図。

【図２６】図２５の半導体素子の電極上にハンダ粒子を
配列後に粘着材料に紫外線を照射して粘着材料全体の粘
着性を除去している状態の正面拡大断面図。

【図２７】図２６の半導体素子の電極上にハンダ粒子を
接合ツールで接合している状態の正面拡大断面図。

【図２８】図２７のハンダ粒子の接合された半導体素子
をリフローして電極上にハンダバンプを形成した状態の
正面拡大断面図。

【図２９】本発明の半導体装置製造方法の第７の実施の
形態を適用した半導体素子の電極部分の正面拡大断面
図。

【図３０】図２９の半導体素子の電極上へのハンダ粒子
の配列を行う接合ツールのハンダ粒子を吸着している状
態の正面断面図。

【図３１】図２９の半導体装置製造方法の他の例を適用
した半導体素子の電極にハンダ粒子を配列するために接
合ツールにハンダ粒子を吸着している状態の正面拡大断
面図。

【図３２】図３１のハンダ粒子を吸着した接合ツール上
に半導体素子を配置して電極にハンダ粒子を配列して加
圧・接合を行っている状態の正面拡大断面図。

【符号の説明】

１半導体素子２基板３電極４保護膜５酸化膜６ハンダ粒子７接合ツール７ａ凹部８ハンダバンプ１０半導体素子１１基板１２電極１３保護膜１４酸化膜１５囲い部材１６ハンダ粒子１７接合ツール１７ａ凹部１８ハンダバンプ２０半導体素子２１基板２２電極２３保護膜２４酸化膜２５囲い部材２６ハンダ粒子２７接合ツール２８ハンダバンプ３０半導体素子３１基板３２電極３３保護膜３４酸化膜３５開口３６マスク３７ハンダ粒子３８接合ツール３８ａ凹部３９接合ツール３９ａ凹部４０半導体素子４１基板４２電極４３保護膜４４酸化膜４５粘着材４６開口４７マスク４８ハンダ粒子４９接合ツール４９ａ凹部５０半導体素子５１基板５２電極５３保護膜５４酸化膜５５粘着材料５５ａ粘着部５６ハンダ粒子５７接合ツール５７ａ凹部５８ハンダバンプ５９接合ツール５９ａ凹部６０半導体素子６１基板６２電極６３保護膜６４酸化膜６５接合ツール６５ａ凹部６５ｂ吸引通路６６ハンダ粒子６７ハンダ粒子載置台６８接合ツール６８ａ吸引口

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者大倉秀章東京都大田区中馬込１丁目３番６号株式会社リコー内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体素子の電極上に所定粒径のハンダ粒
子を配置して、所定の加圧手段により前記ハンダ粒子を
前記電極に加圧し、前記ハンダ粒子を前記電極に接合し
て、前記電極上にハンダバンプを形成する半導体装置製
造方法であって、前記ハンダ粒子を前記電極に加圧する
に際して、前記ハンダ粒子に所定の超音波振動を付与し
つつ、前記加圧手段により前記ハンダ粒子を前記電極に
加圧して接合することを特徴とする半導体装置製造方
法。
【請求項２】前記半導体素子の複数の前記電極の形成さ
れた面の周囲を所定の囲い部材で囲んで当該半導体素子
上に複数の前記ハンダ粒子を配置し、前記ハンダ粒子が
前記電極上に位置しているか否かを所定のモニター手段
で監視して、前記囲い部材内の前記半導体素子上の前記
ハンダ粒子を所定の移動方法で移動させて、前記モニタ
ー手段が前記電極上に前記ハンダ粒子が位置しているこ
とを確認すると、前記ハンダ粒子に前記超音波振動を付
与しつつ、前記加圧手段により前記ハンダ粒子を前記電
極に加圧して接合することを特徴とする請求項１記載の
半導体装置製造方法。
【請求項３】前記囲い部材は、前記電極の形成された前
記半導体素子表面上で移動し、前記電極上に前記ハンダ
粒子を配置させることを特徴とする請求項２記載の半導
体装置製造方法。
【請求項４】半導体素子の電極上に所定粒径のハンダ粒
子を配置して、所定の加圧手段により前記ハンダ粒子を
前記電極に加圧し、前記ハンダ粒子を前記電極に接合し
て、前記電極上にハンダバンプを形成する半導体装置製
造方法であって、前記半導体素子の前記電極位置に対応
する位置に当該電極に対応する大きさの開口の形成され
た所定のマスクを被せ、当該マスクの前記開口に前記ハ
ンダ粒子を配列して、前記ハンダ粒子に前記超音波振動
を付与しつつ、前記加圧手段により前記ハンダ粒子を前
記電極に加圧して接合し、上記開口への前記ハンダ粒子
の配列と前記ハンダ粒子の前記電極への接合を順次行っ
て、全ての前記電極に前記ハンダ粒子を接合した後、前
記マスクを除去することを特徴とする半導体装置製造方
法。
【請求項５】半導体素子の電極上に所定粒径のハンダ粒
子を配置して、所定の加圧手段により前記ハンダ粒子を
前記電極に加圧し、前記ハンダ粒子を前記電極に接合し
て、前記電極上にハンダバンプを形成する半導体装置製
造方法であって、前記半導体素子の前記電極位置に対応
する位置に当該電極に対応する大きさの開口の形成され
た所定のマスクを被せ、当該マスクの全ての前記開口に
前記ハンダ粒子を配列して、当該全てのハンダ粒子に前
記超音波振動を付与しつつ、前記加圧手段により全ての
前記ハンダ粒子を前記電極に同時に加圧して接合させた
後、前記マスクを除去すること特徴とする半導体装置製
造方法。
【請求項６】半導体素子の電極上に所定粒径のハンダ粒
子を配置して、所定の加圧手段により前記ハンダ粒子を
前記電極に加圧し、前記ハンダ粒子を前記電極に接合し
て、前記電極上にハンダバンプを形成する半導体装置製
造方法であって、紫外光の照射等の所定のエネルギーの
付与により粘着性を除去可能なシート状の粘着部材の前
記電極に対応する位置以外の部分の粘着性を除去して、
当該粘着部材の前記電極位置に対応する粘着部に前記ハ
ンダ粒子を接着させ、当該ハンダ粒子を接着させた前記
粘着部材を前記ハンダ粒子が前記電極に接触する状態で
前記半導体素子表面に重ね、前記ハンダ粒子に所定の超
音波振動を付与しつつ、前記加圧手段により前記ハンダ
粒子を１個ずつ前記電極に加圧して、前記ハンダ粒子を
前記電極に接合し、全ての前記ハンダ粒子を前記電極に
接合すると、前記所定のエネルギーを前記粘着部材に付
与して前記粘着部材の粘着性を除去した後、前記粘着部
材を前記半導体素子から除去することを特徴とする半導
体装置製造方法。
【請求項７】半導体素子の複数の電極上に所定粒径のハ
ンダ粒子を配置して、所定の加圧手段により前記ハンダ
粒子を前記電極に加圧し、前記ハンダ粒子を前記電極に
接合して、前記電極上にハンダバンプを形成する半導体
装置製造方法であって、紫外光の照射等の所定のエネル
ギーの付与により粘着性を除去可能なシート状の粘着部
材の前記電極に対応する位置以外の部分の粘着性を除去
して、当該粘着部材の前記電極位置に対応する粘着部に
前記ハンダ粒子を接着させ、当該ハンダ粒子を接着させ
た前記粘着部材を前記ハンダ粒子が前記電極に接触する
状態で前記半導体素子表面に重ねて、前記各電極上に前
記ハンダ粒子を位置させ、前記所定のエネルギーを前記
粘着部材に付与して前記粘着部材の粘着性を除去して、
前記粘着部材を前記半導体素子から除去した後、全ての
前記ハンダ粒子に所定の超音波振動を付与しつつ、前記
加圧手段により全ての前記ハンダ粒子を前記電極に同時
に加圧して、前記ハンダ粒子を一括して前記電極に接合
することを特徴とする半導体装置製造方法。
【請求項８】半導体素子の複数の電極上に所定粒径のハ
ンダ粒子を配置して、所定の加圧手段により前記ハンダ
粒子を前記電極に加圧し、前記ハンダ粒子を前記電極に
接合して、前記電極上にハンダバンプを形成する半導体
装置製造方法であって、所定の粘着性を有するととも
に、所定の微細な研磨材を含有する粘着材を、前記電極
の形成された前記半導体素子の表面に塗布し、当該粘着
材の塗布された表面に、前記半導体素子の前記電極位置
に対応する位置に当該電極に対応する大きさの開口の形
成された所定のマスクを被せ、当該マスクの前記開口に
前記ハンダ粒子を配列した後、前記マスクを除去し、前
記ハンダ粒子に前記超音波振動を付与しつつ、前記加圧
手段により前記ハンダ粒子を前記電極に加圧して接合す
ること特徴とする半導体装置製造方法。
【請求項９】半導体素子の複数の電極上に所定粒径のハ
ンダ粒子を配置して、所定の加圧手段により前記ハンダ
粒子を前記電極に加圧し、前記ハンダ粒子を前記電極に
接合して、前記電極上にハンダバンプを形成する半導体
装置製造方法であって、所定の粘着性を有するととも
に、所定の微細な研磨材を含有する粘着材を、前記半導
体素子の前記電極表面のみに塗布し、当該粘着材の塗布
された前記電極表面に前記ハンダ粒子を配列した後、前
記ハンダ粒子に前記超音波振動を付与しつつ、前記加圧
手段により前記ハンダ粒子を前記電極に加圧して接合す
ること特徴とする半導体装置製造方法。
【請求項１０】前記粘着材は、フラックスであることを
特徴とする請求項８または請求項９記載の半導体装置製
造方法。
【請求項１１】前記加圧手段は、前記ハンダ粒子を少な
くとも１個吸着する吸着機構を備え、当該吸着機構によ
り前記ハンダ粒子を吸着して当該ハンダ粒子を前記電極
上に位置させた後、前記ハンダ粒子に前記超音波振動を
付与しつつ加圧して、前記ハンダ粒子を前記電極に接合
することを特徴とする請求項１記載の半導体装置製造方
法。
【請求項１２】前記加圧手段は、前記半導体素子の全て
の前記電極の位置に対応する位置に前記ハンダ粒子を吸
着する吸着機構を備え、当該吸着機構により前記全ての
電極に対応する位置に前記ハンダ粒子を吸着して当該ハ
ンダ粒子を前記電極上に位置させた後、前記ハンダ粒子
に前記超音波振動を付与しつつ加圧して、前記ハンダ粒
子を前記全ての電極に一括して接合することを特徴とす
る請求項１記載の半導体装置製造方法。
【請求項１３】前記加圧手段は、前記ハンダ粒子を加圧
する部分が、前記ハンダ粒子の表面形状に対応して窪ん
だ凹部形状に形成されていることを特徴とする請求項１
から請求項１２のいずれかに記載の半導体装置製造方
法。