JPH11122007A - デュプレクサ - Google Patents
デュプレクサInfo
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- JPH11122007A JPH11122007A JP29933697A JP29933697A JPH11122007A JP H11122007 A JPH11122007 A JP H11122007A JP 29933697 A JP29933697 A JP 29933697A JP 29933697 A JP29933697 A JP 29933697A JP H11122007 A JPH11122007 A JP H11122007A
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- Japan
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- circuit
- parallel resonance
- filter
- resonance circuit
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- Pending
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- Filters And Equalizers (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 急峻な減衰を確保でき、しかも積層ＬＣフィ
ルタの適用を可能として、減衰特性及び量産性に優れる
デュプレクサを提供する。 【解決手段】入出力線路Ｍの各結合素子間に、可変容量
コンデンサＶＣを備えたＬＣ並列共振回路を夫々接続
し、このＬＣ並列共振回路１に、可変直流電圧発生器Ｄ
Ｃからの指定電圧を印加し、これにより、各ＬＣ並列共
振回路の可変容量コンデンサＶＣの容量を変化させて、
ＬＣ並列共振回路に所要の共振周波数を生成し得るよう
にして、通過帯域幅を実質的に広くするようにしたもの
であるから、該帯域幅をフィルタの特性に依存しないで
設定することができ、Ｑ値の低い積層ＬＣフィルタの適
用が可能となる。また、送波フィルタ回路Ｔｘ及び受波
フィルタ回路Ｒｘに夫々極形成回路Ｚ1 ，Ｚ2 を形成し
たから、波形先鋭度を高めることができ、送波フィルタ
回路Ｔｘ，受波フィルタ回路Ｒｘ相互の信号の漏れが防
止され得る。
ルタの適用を可能として、減衰特性及び量産性に優れる
デュプレクサを提供する。 【解決手段】入出力線路Ｍの各結合素子間に、可変容量
コンデンサＶＣを備えたＬＣ並列共振回路を夫々接続
し、このＬＣ並列共振回路１に、可変直流電圧発生器Ｄ
Ｃからの指定電圧を印加し、これにより、各ＬＣ並列共
振回路の可変容量コンデンサＶＣの容量を変化させて、
ＬＣ並列共振回路に所要の共振周波数を生成し得るよう
にして、通過帯域幅を実質的に広くするようにしたもの
であるから、該帯域幅をフィルタの特性に依存しないで
設定することができ、Ｑ値の低い積層ＬＣフィルタの適
用が可能となる。また、送波フィルタ回路Ｔｘ及び受波
フィルタ回路Ｒｘに夫々極形成回路Ｚ1 ，Ｚ2 を形成し
たから、波形先鋭度を高めることができ、送波フィルタ
回路Ｔｘ，受波フィルタ回路Ｒｘ相互の信号の漏れが防
止され得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、自動車電話、携帯
電話等の移動体通信機器に用いられるデュプレクサに関
する。
電話等の移動体通信機器に用いられるデュプレクサに関
する。
【０００２】
【従来の技術】デュプレクサは入出力線路と、該入出力
線路に接続されるアンテナとを共有する送波フィルタ回
路Ｔｘと受波フィルタ回路Ｒｘとを備えてなり、移動体
通信機器に用いられる。ところで、このようなデュプレ
クサを構成するフィルタとして、急峻な減衰を必要とす
る場合には、一般に誘電体フィルタが用いられている。
一方、製造が容易で、量産性に優れたフィルタとして、
ガラスセラミック，ガラスと誘電体セラミック材料の複
合材料、あるいは低融点酸化物等の誘電体セラミック材
料からなる誘電体層を積層してなる積層ＬＣフィルタも
提案されている。
線路に接続されるアンテナとを共有する送波フィルタ回
路Ｔｘと受波フィルタ回路Ｒｘとを備えてなり、移動体
通信機器に用いられる。ところで、このようなデュプレ
クサを構成するフィルタとして、急峻な減衰を必要とす
る場合には、一般に誘電体フィルタが用いられている。
一方、製造が容易で、量産性に優れたフィルタとして、
ガラスセラミック，ガラスと誘電体セラミック材料の複
合材料、あるいは低融点酸化物等の誘電体セラミック材
料からなる誘電体層を積層してなる積層ＬＣフィルタも
提案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】フィルタを携帯電話等
に適用する場合には、多チャンネル化のため中心周波数
の帯域幅は広い範囲幅を要し、これをいくつかに分割し
てチャンネル数を確保するようにしており、このため広
い帯域幅を有する出力波形を備えるものが求められる。
に適用する場合には、多チャンネル化のため中心周波数
の帯域幅は広い範囲幅を要し、これをいくつかに分割し
てチャンネル数を確保するようにしており、このため広
い帯域幅を有する出力波形を備えるものが求められる。
【０００４】ところで、誘電体フィルタは、周波数帯域
幅を広くとることができ、しかも急峻な減衰を確保でき
る利点があるものの、形状が大きく、量産性が乏しく、
製造コストがかかるという問題点がある。
幅を広くとることができ、しかも急峻な減衰を確保でき
る利点があるものの、形状が大きく、量産性が乏しく、
製造コストがかかるという問題点がある。
【０００５】一方、積層ＬＣフィルタは、小型で、量産
性に優れるものの、Ｑ値が低いため、通過帯域を広く取
るためには帯域外の減衰が鈍くなって、Ｓ／Ｎ比が低下
する等の問題点を生じる。
性に優れるものの、Ｑ値が低いため、通過帯域を広く取
るためには帯域外の減衰が鈍くなって、Ｓ／Ｎ比が低下
する等の問題点を生じる。
【０００６】本発明は、かかる構成にあって、急峻な減
衰を確保でき、しかも積層ＬＣフィルタの適用を可能と
して、減衰特性及び量産性に優れるデュプレクサを提供
することを目的とするものである。
衰を確保でき、しかも積層ＬＣフィルタの適用を可能と
して、減衰特性及び量産性に優れるデュプレクサを提供
することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、入出力線路の
アンテナから入力側に挿入された複数の結合素子Ｃ1 ，
Ｃ2 ，Ｃ1 の間に、可変容量コンデンサＶＣを備えるＬ
Ｃ並列共振回路を夫々接続して送波フィルタ回路Ｔｘを
構成し、前記入出力線路のアンテナから出力側に挿入さ
れた複数の結合素子Ｃ7 , Ｃ8 ，Ｃ7 の間に、可変容量
コンデンサＶＣを備えるＬＣ並列共振回路を夫々接続し
て受波フィルタ回路Ｒｘを構成すると共に、電圧制御装
置により可変直流電圧発生器から発生する電圧を指定制
御して、該指定電圧を各ＬＣ並列共振回路に印加するこ
とにより各ＬＣ並列共振回路の可変容量コンデンサＶＣ
の容量値を制御して、各ＬＣ並列共振回路から所要の共
振周波数が生成されるようにしたことを特徴とするデュ
プレクサである。ここで、可変容量コンデンサは、ｐｎ
接合ダイオードを電圧依存性のあるコンデンサとして利
用したもの（電圧可変容量ダイオード）等が提案され
る。
アンテナから入力側に挿入された複数の結合素子Ｃ1 ，
Ｃ2 ，Ｃ1 の間に、可変容量コンデンサＶＣを備えるＬ
Ｃ並列共振回路を夫々接続して送波フィルタ回路Ｔｘを
構成し、前記入出力線路のアンテナから出力側に挿入さ
れた複数の結合素子Ｃ7 , Ｃ8 ，Ｃ7 の間に、可変容量
コンデンサＶＣを備えるＬＣ並列共振回路を夫々接続し
て受波フィルタ回路Ｒｘを構成すると共に、電圧制御装
置により可変直流電圧発生器から発生する電圧を指定制
御して、該指定電圧を各ＬＣ並列共振回路に印加するこ
とにより各ＬＣ並列共振回路の可変容量コンデンサＶＣ
の容量値を制御して、各ＬＣ並列共振回路から所要の共
振周波数が生成されるようにしたことを特徴とするデュ
プレクサである。ここで、可変容量コンデンサは、ｐｎ
接合ダイオードを電圧依存性のあるコンデンサとして利
用したもの（電圧可変容量ダイオード）等が提案され
る。
【０００８】前記可変直流電圧発生器としては、携帯電
話等に内蔵されている増幅器等を用いることができ、中
央制御装置ＣＰＵ等からなる電圧制御装置により所要電
圧が可変直流電圧発生器から発生するように指定制御さ
れる。
話等に内蔵されている増幅器等を用いることができ、中
央制御装置ＣＰＵ等からなる電圧制御装置により所要電
圧が可変直流電圧発生器から発生するように指定制御さ
れる。
【０００９】ここで、可変容量コンデンサは、印加電圧
により容量値が変化し、該印加電圧の値が上昇すると容
量値が低下する。そして、容量値が変化すると、図６で
示すように、ＬＣ並列共振回路の共振周波数が変化し、
これに伴って、フィルタの低域側周波数の減衰極ｆN1を
維持したまま、高域側周波数の減衰極ｆN2が変化するこ
ととなる。このため、中心周波数は、可変直流電圧発生
器の指定電圧の変化に伴って変化することとなり、指定
電圧に対応した波形の周波数を随意に生成することが可
能となり、広い帯域幅をカバーすることができ、携帯電
話等の多チャンネル化に対応することができる。尚、可
変容量コンデンサを備える直線路をＬ成分として用いる
ことにより、フィルタの高域側周波数の減衰極ｆN2を維
持したまま、低域側周波数の減衰極ｆN1を変化させるこ
ともできる。
により容量値が変化し、該印加電圧の値が上昇すると容
量値が低下する。そして、容量値が変化すると、図６で
示すように、ＬＣ並列共振回路の共振周波数が変化し、
これに伴って、フィルタの低域側周波数の減衰極ｆN1を
維持したまま、高域側周波数の減衰極ｆN2が変化するこ
ととなる。このため、中心周波数は、可変直流電圧発生
器の指定電圧の変化に伴って変化することとなり、指定
電圧に対応した波形の周波数を随意に生成することが可
能となり、広い帯域幅をカバーすることができ、携帯電
話等の多チャンネル化に対応することができる。尚、可
変容量コンデンサを備える直線路をＬ成分として用いる
ことにより、フィルタの高域側周波数の減衰極ｆN2を維
持したまま、低域側周波数の減衰極ｆN1を変化させるこ
ともできる。
【００１０】而して、フィルタ回路自体に広い帯域幅の
周波数特性を備えることを要しないから、デュプレクサ
の送波フィルタ回路Ｔｘ及び／又は受波フィルタ回路Ｒ
ｘとして、Ｑ値が低く、周波数帯域幅が狭い積層ＬＣフ
ィルタを適用した場合にも、図５で示すように、広い周
波数帯域Ｗをカバーすることができ、多チャンネル化に
対応し得ることとなる。
周波数特性を備えることを要しないから、デュプレクサ
の送波フィルタ回路Ｔｘ及び／又は受波フィルタ回路Ｒ
ｘとして、Ｑ値が低く、周波数帯域幅が狭い積層ＬＣフ
ィルタを適用した場合にも、図５で示すように、広い周
波数帯域Ｗをカバーすることができ、多チャンネル化に
対応し得ることとなる。
【００１１】ところで、上述の基本構成にあって、減衰
極ｆN1，ｆN2が生成されるが、これらの減衰極ｆN1，ｆ
N2は、図８から解るように、例えば中心周波数から±10
00MHZ の位置にある。このため、これを移動体通信器と
して用いた場合に、送波フィルタ回路Ｔｘと送波フィル
タ回路Ｔｘの中心周波数が近いと、共通のアンテナを用
いていることより、送波フィルタ回路Ｔｘを通った信号
がアンテナから発信されずに送波フィルタ回路Ｔｘを通
って内部に戻ってくるおそれがあり、逆に受信した信号
が送波フィルタ回路Ｔｘ側に漏れるおそれもある。しか
るに、ＬＣ並列共振回路のＣ成分で形成される高域側減
衰極ｆN2を、中心周波数に近接させるには限界がある。
極ｆN1，ｆN2が生成されるが、これらの減衰極ｆN1，ｆ
N2は、図８から解るように、例えば中心周波数から±10
00MHZ の位置にある。このため、これを移動体通信器と
して用いた場合に、送波フィルタ回路Ｔｘと送波フィル
タ回路Ｔｘの中心周波数が近いと、共通のアンテナを用
いていることより、送波フィルタ回路Ｔｘを通った信号
がアンテナから発信されずに送波フィルタ回路Ｔｘを通
って内部に戻ってくるおそれがあり、逆に受信した信号
が送波フィルタ回路Ｔｘ側に漏れるおそれもある。しか
るに、ＬＣ並列共振回路のＣ成分で形成される高域側減
衰極ｆN2を、中心周波数に近接させるには限界がある。
【００１２】そこで、送波フィルタ回路Ｔｘに、ＬＣ並
列共振回路にインダクタＬ4 を直列接続してなり、送波
中心周波数ｆ01よりも高域側に減衰極ｆN3を生ずる極形
成回路Ｚ1 を入出力線路に接続して設け、受波フィルタ
回路Ｒｘに、ＬＣ並列共振回路にインダクタＬ8 を直列
接続してなり、送波中心周波数ｆ02よりも低域側に減衰
極ｆN4を生ずる極形成回路Ｚ2 を入出力線路に接続して
設けてなる構成が提案される。
列共振回路にインダクタＬ4 を直列接続してなり、送波
中心周波数ｆ01よりも高域側に減衰極ｆN3を生ずる極形
成回路Ｚ1 を入出力線路に接続して設け、受波フィルタ
回路Ｒｘに、ＬＣ並列共振回路にインダクタＬ8 を直列
接続してなり、送波中心周波数ｆ02よりも低域側に減衰
極ｆN4を生ずる極形成回路Ｚ2 を入出力線路に接続して
設けてなる構成が提案される。
【００１３】ここで、送波中心周波数ｆ01よりも高域側
に減衰極ｆN3を生ずる極形成回路Ｚ1 は、送波中心周波
数ｆ01を生成するＬＣ並列共振回路にインダクタＬ4 を
直列接続することにより構成したところ、図７で示すよ
うに、中心周波数1850MHZ から＋80MHの位置に新たな極
ｆN3が良好に形成され、受波フィルタ回路Ｒｘ側への漏
れが防止され得る。ここで、図８は、極形成回路Ｚ1 を
用いない場合の波形を示す。
に減衰極ｆN3を生ずる極形成回路Ｚ1 は、送波中心周波
数ｆ01を生成するＬＣ並列共振回路にインダクタＬ4 を
直列接続することにより構成したところ、図７で示すよ
うに、中心周波数1850MHZ から＋80MHの位置に新たな極
ｆN3が良好に形成され、受波フィルタ回路Ｒｘ側への漏
れが防止され得る。ここで、図８は、極形成回路Ｚ1 を
用いない場合の波形を示す。
【００１４】尚、かかる極形成の手段として、ｆN3の位
置で共振するインダクタＬとコンデンサＣを直列接続し
てなる直列共振器を用いることが通常考えられるが、か
かる構成とすると、中心周波数自体が極ｆN3の影響を受
けて、ダレを生じ、かえって波形先鋭度が低下し、特性
が悪くなることが実験により認められた。即ち、この極
形成にあっては、中心周波数の波形を崩すことなく中心
周波数に近接して形成する必要があり、かかる課題に対
応して、種々実験を試みた結果、中心周波数を形成する
ために用いた可変容量コンデンサＶＣを備えるＬＣ並列
共振回路と同じＬＣ並列共振回路とインダクタＬ4 を直
列接続して、その全体として直列共振器を構成する極形
成回路を用いることが有効であると確認されたものであ
る。
置で共振するインダクタＬとコンデンサＣを直列接続し
てなる直列共振器を用いることが通常考えられるが、か
かる構成とすると、中心周波数自体が極ｆN3の影響を受
けて、ダレを生じ、かえって波形先鋭度が低下し、特性
が悪くなることが実験により認められた。即ち、この極
形成にあっては、中心周波数の波形を崩すことなく中心
周波数に近接して形成する必要があり、かかる課題に対
応して、種々実験を試みた結果、中心周波数を形成する
ために用いた可変容量コンデンサＶＣを備えるＬＣ並列
共振回路と同じＬＣ並列共振回路とインダクタＬ4 を直
列接続して、その全体として直列共振器を構成する極形
成回路を用いることが有効であると確認されたものであ
る。
【００１５】一方、受波フィルタ回路Ｒｘにあっては、
送波フィルタ回路Ｔｘ側への漏れを防止するために、低
域側に減衰極ｆN4を生ずる極形成回路Ｚ2 を設けてい
る。この極形成回路Ｚ2 は、ＬＣ並列共振回路の共振周
波数ｆ02’を所要の受波中心周波数ｆ02よりも低くし、
さらにインダクタＬ8 を直列接続して、直列共振器を構
成し、これにより、ｆ02’＜ｆN4＜ｆ02の関係となる、
極ｆN4を形成するようにしている。これらの極ｆN3，ｆ
N4は、周波数ｆ01，ｆ02，ｆ02’が可変直流電圧発生器
の指定電圧の変化に伴って変化するのに伴って、変化す
ることとなる。
送波フィルタ回路Ｔｘ側への漏れを防止するために、低
域側に減衰極ｆN4を生ずる極形成回路Ｚ2 を設けてい
る。この極形成回路Ｚ2 は、ＬＣ並列共振回路の共振周
波数ｆ02’を所要の受波中心周波数ｆ02よりも低くし、
さらにインダクタＬ8 を直列接続して、直列共振器を構
成し、これにより、ｆ02’＜ｆN4＜ｆ02の関係となる、
極ｆN4を形成するようにしている。これらの極ｆN3，ｆ
N4は、周波数ｆ01，ｆ02，ｆ02’が可変直流電圧発生器
の指定電圧の変化に伴って変化するのに伴って、変化す
ることとなる。
【００１６】かかる構成にあって、前記送波フィルタ回
路Ｔｘ及び／又は受波フィルタ回路Ｒｘ中の、可変容量
コンデンサＶＣを備えるＬＣ並列共振回路を少なくとも
備えた回路部を、誘電体層を複数枚積層してなる積層Ｌ
Ｃフィルタにより構成することができる。
路Ｔｘ及び／又は受波フィルタ回路Ｒｘ中の、可変容量
コンデンサＶＣを備えるＬＣ並列共振回路を少なくとも
備えた回路部を、誘電体層を複数枚積層してなる積層Ｌ
Ｃフィルタにより構成することができる。
【００１７】また、送波フィルタ回路Ｔｘの、入出力線
路に直列配置される複数の結合素子Ｃ1 ，Ｃ2 ，Ｃ1
と、各結合素子Ｃ1 ，Ｃ2 ，Ｃ1 間に接続されるＬＣ並
列共振回路とを備えた回路部分を、誘電体層を複数枚積
層してなる第一の積層ＬＣフィルタにより構成し、極形
成回路を第二の積層ＬＣフィルタにより構成し、受波フ
ィルタ回路Ｒｘの、入出力線路に直列配置される複数の
結合素子Ｃ7 ，Ｃ8 ，Ｃ7 と、各結合素子Ｃ7 ，Ｃ8 ，
Ｃ7 間に接続されるＬＣ並列共振回路とを備えた回路部
分を、誘電体層を複数枚積層してなる第三の積層ＬＣフ
ィルタにより構成し、極形成回路を第四の積層ＬＣフィ
ルタにより構成することができる。
路に直列配置される複数の結合素子Ｃ1 ，Ｃ2 ，Ｃ1
と、各結合素子Ｃ1 ，Ｃ2 ，Ｃ1 間に接続されるＬＣ並
列共振回路とを備えた回路部分を、誘電体層を複数枚積
層してなる第一の積層ＬＣフィルタにより構成し、極形
成回路を第二の積層ＬＣフィルタにより構成し、受波フ
ィルタ回路Ｒｘの、入出力線路に直列配置される複数の
結合素子Ｃ7 ，Ｃ8 ，Ｃ7 と、各結合素子Ｃ7 ，Ｃ8 ，
Ｃ7 間に接続されるＬＣ並列共振回路とを備えた回路部
分を、誘電体層を複数枚積層してなる第三の積層ＬＣフ
ィルタにより構成し、極形成回路を第四の積層ＬＣフィ
ルタにより構成することができる。
【００１８】尚、本発明は、積層ＬＣフィルタの適用を
可能とするものではあるが、可変直流電圧発生器の指定
電圧を変化させるだけで、所要の周波数帯域幅Ｗを生じ
得るデュプレクサであり、積層ＬＣフィルタを適用しな
い構成にあっても、帯域幅の制御を容易とするものとし
て種々応用が期待される。
可能とするものではあるが、可変直流電圧発生器の指定
電圧を変化させるだけで、所要の周波数帯域幅Ｗを生じ
得るデュプレクサであり、積層ＬＣフィルタを適用しな
い構成にあっても、帯域幅の制御を容易とするものとし
て種々応用が期待される。
【００１９】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の一実施例を示す
デュプレクサの等価回路図である。ここで、高周波電圧
が印加される入出力線路ＭにはアンテナＡＴから入力側
に複数の結合素子Ｃ6 ，Ｃ1 ，Ｃ2 ，Ｃ1 が挿入され、
アンテナＡＴから出力側に複数の結合素子Ｃ7 ，Ｃ8 ，
Ｃ7 ，Ｃ11が挿入される。そして、各結合コンデンサＣ
1 ，Ｃ2 及び結合コンデンサＣ2 ，Ｃ3 間に、ＬＣ並列
共振回路１ａが接続されるとともに、結合コンデンサＣ
5 ，Ｃ1 間に、ＬＣ並列共振回路１ａと同一特性のＬＣ
並列共振回路１ａ’にインダクタＬ4 を直列接続してな
る極形成回路Ｚ1 を接続し、これにより送波フィルタ回
路Ｔｘを構成している。
デュプレクサの等価回路図である。ここで、高周波電圧
が印加される入出力線路ＭにはアンテナＡＴから入力側
に複数の結合素子Ｃ6 ，Ｃ1 ，Ｃ2 ，Ｃ1 が挿入され、
アンテナＡＴから出力側に複数の結合素子Ｃ7 ，Ｃ8 ，
Ｃ7 ，Ｃ11が挿入される。そして、各結合コンデンサＣ
1 ，Ｃ2 及び結合コンデンサＣ2 ，Ｃ3 間に、ＬＣ並列
共振回路１ａが接続されるとともに、結合コンデンサＣ
5 ，Ｃ1 間に、ＬＣ並列共振回路１ａと同一特性のＬＣ
並列共振回路１ａ’にインダクタＬ4 を直列接続してな
る極形成回路Ｚ1 を接続し、これにより送波フィルタ回
路Ｔｘを構成している。
【００２０】また、各結合コンデンサＣ7 ，Ｃ8 及び結
合コンデンサＣ8 ，Ｃ7 間に、ＬＣ並列共振回路１ｂが
接続されるとともに、結合コンデンサＣ7 ，Ｃ11間に、
ＬＣ並列共振回路１ｂの受波中心周波数ｆ02よりも中心
周波数ｆ02’を低くしたＬＣ並列共振回路１ｂ’にイン
ダクタＬ8 を直列接続してなる極形成回路Ｚ2 を接続
し、これにより受波フィルタ回路Ｒｘを構成している。
合コンデンサＣ8 ，Ｃ7 間に、ＬＣ並列共振回路１ｂが
接続されるとともに、結合コンデンサＣ7 ，Ｃ11間に、
ＬＣ並列共振回路１ｂの受波中心周波数ｆ02よりも中心
周波数ｆ02’を低くしたＬＣ並列共振回路１ｂ’にイン
ダクタＬ8 を直列接続してなる極形成回路Ｚ2 を接続
し、これにより受波フィルタ回路Ｒｘを構成している。
【００２１】前記ＬＣ並列共振回路１ａ，１ａ’は、可
変容量コンデンサＶＣ及びそのリードインダクタＬ3 と
からなる直列線路と、コンデンサＣ3 及びインダクタＬ
1 とからなる直列線路とを並列接続してなるものであ
る。また、前記ＬＣ並列共振回路１ｂは、可変容量コン
デンサＶＣ及びそのリードインダクタＬ8 とからなる直
列線路と、コンデンサＣ9 及びインダクタＬ4 とからな
る直列線路とを並列接続してなるものである。さらには
ＬＣ並列共振回路１ｂ’は、可変容量コンデンサＶＣ及
びそのリードインダクタＬ9 とからなる直列線路と、コ
ンデンサＣ10及びインダクタＬ7 とからなる直列線路と
を並列接続してなるものである。
変容量コンデンサＶＣ及びそのリードインダクタＬ3 と
からなる直列線路と、コンデンサＣ3 及びインダクタＬ
1 とからなる直列線路とを並列接続してなるものであ
る。また、前記ＬＣ並列共振回路１ｂは、可変容量コン
デンサＶＣ及びそのリードインダクタＬ8 とからなる直
列線路と、コンデンサＣ9 及びインダクタＬ4 とからな
る直列線路とを並列接続してなるものである。さらには
ＬＣ並列共振回路１ｂ’は、可変容量コンデンサＶＣ及
びそのリードインダクタＬ9 とからなる直列線路と、コ
ンデンサＣ10及びインダクタＬ7 とからなる直列線路と
を並列接続してなるものである。
【００２２】ここで、この可変容量コンデンサＶＣとし
ては、ｐｎ接合ダイオードを電圧依存性のあるコンデン
サとして利用したもの（電圧可変容量ダイオード）等が
提案される。
ては、ｐｎ接合ダイオードを電圧依存性のあるコンデン
サとして利用したもの（電圧可変容量ダイオード）等が
提案される。
【００２３】一方、各ＬＣ並列共振回路１ａ，１ａ’、
１ｂ，１ｂ’には、整流器等からなる可変直流電圧発生
器ＤＣが、インダクタＬ2 を介して接続される。この可
変直流電圧発生器ＤＣは、中央制御装置ＣＰＵ等からな
る電圧制御装置により所要指定電圧が発生するように指
定制御される。またインダクタＬ2 は、交流阻止用のチ
ョークコイルであり、大きなインダクタンスを要するた
めチップインダクタが適用され、入出力線路Ｍから高周
波電圧が可変直流電圧発生器ＤＣ側へ流れ込まないよう
にしている。さらに、コンデンサＣ4 が可変直流電圧発
生器ＤＣと並列接続され、高周波電圧がインダクタＬ2
から漏入した場合に、コンデンサＣ4 側へ流れ込むよう
にしている。
１ｂ，１ｂ’には、整流器等からなる可変直流電圧発生
器ＤＣが、インダクタＬ2 を介して接続される。この可
変直流電圧発生器ＤＣは、中央制御装置ＣＰＵ等からな
る電圧制御装置により所要指定電圧が発生するように指
定制御される。またインダクタＬ2 は、交流阻止用のチ
ョークコイルであり、大きなインダクタンスを要するた
めチップインダクタが適用され、入出力線路Ｍから高周
波電圧が可変直流電圧発生器ＤＣ側へ流れ込まないよう
にしている。さらに、コンデンサＣ4 が可変直流電圧発
生器ＤＣと並列接続され、高周波電圧がインダクタＬ2
から漏入した場合に、コンデンサＣ4 側へ流れ込むよう
にしている。
【００２４】そして、可変直流電圧発生器ＤＣから発生
した指定電圧が、各ＬＣ並列共振回路１ａ，１ａ’、１
ｂ，１ｂ’に印加される。これにより、各ＬＣ並列共振
回路１ａ，１ａ’、１ｂ，１ｂ’中の、可変容量コンデ
ンサＶＣの容量値が、印加電圧の値が上昇すると容量値
が低下する関係により変化し、後述するように、夫々の
ＬＣ並列共振回路１ａ，１ａ’、１ｂ，１ｂ’が、前記
指定電圧で制御される所定中心周波数を生成することと
なる。
した指定電圧が、各ＬＣ並列共振回路１ａ，１ａ’、１
ｂ，１ｂ’に印加される。これにより、各ＬＣ並列共振
回路１ａ，１ａ’、１ｂ，１ｂ’中の、可変容量コンデ
ンサＶＣの容量値が、印加電圧の値が上昇すると容量値
が低下する関係により変化し、後述するように、夫々の
ＬＣ並列共振回路１ａ，１ａ’、１ｂ，１ｂ’が、前記
指定電圧で制御される所定中心周波数を生成することと
なる。
【００２５】かかる構成にあって、前記可変直流電圧発
生器ＤＣから発生する使用電圧範囲（0 〜0.3V等）で、
送波中心周波数ｆ01が、受波中心周波数ｆ02よりも80MH
Z 程度低い周波数となるように、あらかじめ前記ＬＣ並
列共振回路１ａ，１ａ’、１ｂの各構成の静電容量及び
インダクタンスを定める。そして、使用チャンネルに対
応して、中央制御装置（電圧制御装置）ＣＰＵが指定電
圧値を割り出し、可変直流電圧発生器ＤＣが当該指定電
圧を発生するように制御する。これにより、各ＬＣ並列
共振回路１ａ，１ａ’，１ｂ，１ｂ’に指定電圧が印加
され、印加電圧の値が上昇すると容量値が低下する関係
により、可変容量コンデンサＶＣの容量値が変化する。
そして、これにともない、ＬＣ並列共振回路１ａを例に
とれば、図６の波形図で示すように、低域側減衰極ｆN1
を維持したまま、高域側減衰極ｆ N2が変化する。このた
め、所要の中心周波数ｆ0 を生成することが可能とな
る。
生器ＤＣから発生する使用電圧範囲（0 〜0.3V等）で、
送波中心周波数ｆ01が、受波中心周波数ｆ02よりも80MH
Z 程度低い周波数となるように、あらかじめ前記ＬＣ並
列共振回路１ａ，１ａ’、１ｂの各構成の静電容量及び
インダクタンスを定める。そして、使用チャンネルに対
応して、中央制御装置（電圧制御装置）ＣＰＵが指定電
圧値を割り出し、可変直流電圧発生器ＤＣが当該指定電
圧を発生するように制御する。これにより、各ＬＣ並列
共振回路１ａ，１ａ’，１ｂ，１ｂ’に指定電圧が印加
され、印加電圧の値が上昇すると容量値が低下する関係
により、可変容量コンデンサＶＣの容量値が変化する。
そして、これにともない、ＬＣ並列共振回路１ａを例に
とれば、図６の波形図で示すように、低域側減衰極ｆN1
を維持したまま、高域側減衰極ｆ N2が変化する。このた
め、所要の中心周波数ｆ0 を生成することが可能とな
る。
【００２６】ところで、上述の構成にあって、減衰極ｆ
N1，ｆN2が生成されるが、これらの減衰極ｆN1，ｆ
N2は、図７，８から解るように、中心周波数から±1000
MHZ の位置にある。しかるに、これを移動体通信器とし
て用いた場合に、送波フィルタ回路Ｔｘと送波フィルタ
回路Ｔｘの中心周波数ｆ01，ｆ02が近いと、共通のアン
テナＡＴを用いていることより、送波フィルタ回路Ｔｘ
を通った信号がアンテナＡＴから発信されずに受波フィ
ルタ回路Ｒｘを通って内部に戻ってくるおそれがあり、
逆に受信した信号が送波フィルタ回路Ｔｘ側に漏れるお
それもある。
N1，ｆN2が生成されるが、これらの減衰極ｆN1，ｆ
N2は、図７，８から解るように、中心周波数から±1000
MHZ の位置にある。しかるに、これを移動体通信器とし
て用いた場合に、送波フィルタ回路Ｔｘと送波フィルタ
回路Ｔｘの中心周波数ｆ01，ｆ02が近いと、共通のアン
テナＡＴを用いていることより、送波フィルタ回路Ｔｘ
を通った信号がアンテナＡＴから発信されずに受波フィ
ルタ回路Ｒｘを通って内部に戻ってくるおそれがあり、
逆に受信した信号が送波フィルタ回路Ｔｘ側に漏れるお
それもある。
【００２７】しかるに、送波フィルタ回路Ｔｘにあっ
て、ＬＣ並列共振回路のＣ成分で形成される高域側減衰
極ｆN2を、中心周波数に近接させるには限界がある。そ
こで、上述のように、受波フィルタ回路Ｒｘ中に、送波
中心周波数ｆ01よりも高域側に減衰極ｆN3を生ずる極形
成回路Ｚ1 が設けられ、送波フィルタ回路Ｔｘ中に、送
波中心周波数ｆ02よりも低域側に減衰極ｆN4を生ずる極
形成回路Ｚ2を入出力線路に接続して設けられている。
て、ＬＣ並列共振回路のＣ成分で形成される高域側減衰
極ｆN2を、中心周波数に近接させるには限界がある。そ
こで、上述のように、受波フィルタ回路Ｒｘ中に、送波
中心周波数ｆ01よりも高域側に減衰極ｆN3を生ずる極形
成回路Ｚ1 が設けられ、送波フィルタ回路Ｔｘ中に、送
波中心周波数ｆ02よりも低域側に減衰極ｆN4を生ずる極
形成回路Ｚ2を入出力線路に接続して設けられている。
【００２８】ここで送波フィルタ回路Ｔｘの極形成回路
Ｚ1 は、ＬＣ並列共振回路１ａ’とインダクタＬ4 を直
列接続してなり、図７で示すように、中心周波数1850MH
Z から＋80MHの位置に新たな極ｆN3が良好に形成され
る。この極形成回路Ｚ1 は図１にあっては、初段に配設
しているが後段に配設することもできる。ただし、でき
るだけアンテナから離間させるほうが良く、実施例のよ
うに、極形成回路Ｚ1 を段に設けることが望ましい。
Ｚ1 は、ＬＣ並列共振回路１ａ’とインダクタＬ4 を直
列接続してなり、図７で示すように、中心周波数1850MH
Z から＋80MHの位置に新たな極ｆN3が良好に形成され
る。この極形成回路Ｚ1 は図１にあっては、初段に配設
しているが後段に配設することもできる。ただし、でき
るだけアンテナから離間させるほうが良く、実施例のよ
うに、極形成回路Ｚ1 を段に設けることが望ましい。
【００２９】かかる構成の極形成回路Ｚ1 にあって、そ
の全体としては、直列共振器とみなすことができ、その
共振周波数が極ｆN3となる。
の全体としては、直列共振器とみなすことができ、その
共振周波数が極ｆN3となる。
【００３０】ここで、可変容量コンデンサＶＣ及びその
リードインダクタＬ4 とからなる直列線路をコンデンサ
Ｃ0 と等価とし、コンデンサＣ3 及びインダクタＬ1 と
からなる直列線路をインダクタＬ0 とすると、図１０で
示す、基本構成のものとすることができ、ＬＣ並列共振
回路１ａ’のインピーダンスは、ＬＣ並列共振回路１
ａ’の角速度をωとすると、 ｊωＬ0 ／（１−ω2 Ｌ0 Ｃ0 ） となり、極形成回路Ｚ全体としては、 ｊωＬ4 ＋ｊωＬ0 ／（１−ω2 Ｌ0 Ｃ0 ） となり、直列共振周波数（ｆN3）にあっては、このイン
ピーダンスがゼロとなるから、これを整理すると、 Ｌ4 ＝−Ｌ0 ／（１−ω2 Ｌ0 Ｃ0 ） となる。ここで、ＬＣ並列共振回路１ａ’の角速度をω
0 とすると、 Ｌ0 Ｃ0 ＝１／ω0 2 であり、 Ｌ4 ＝−Ｌ0 ／（１−ω2 ／ω0 2） となる。従って、Ｌ3 は決まってくる。
リードインダクタＬ4 とからなる直列線路をコンデンサ
Ｃ0 と等価とし、コンデンサＣ3 及びインダクタＬ1 と
からなる直列線路をインダクタＬ0 とすると、図１０で
示す、基本構成のものとすることができ、ＬＣ並列共振
回路１ａ’のインピーダンスは、ＬＣ並列共振回路１
ａ’の角速度をωとすると、 ｊωＬ0 ／（１−ω2 Ｌ0 Ｃ0 ） となり、極形成回路Ｚ全体としては、 ｊωＬ4 ＋ｊωＬ0 ／（１−ω2 Ｌ0 Ｃ0 ） となり、直列共振周波数（ｆN3）にあっては、このイン
ピーダンスがゼロとなるから、これを整理すると、 Ｌ4 ＝−Ｌ0 ／（１−ω2 Ｌ0 Ｃ0 ） となる。ここで、ＬＣ並列共振回路１ａ’の角速度をω
0 とすると、 Ｌ0 Ｃ0 ＝１／ω0 2 であり、 Ｌ4 ＝−Ｌ0 ／（１−ω2 ／ω0 2） となる。従って、Ｌ3 は決まってくる。
【００３１】換言すれば、インダクタＬ3 のインダクタ
ンス値を定めることにより所要の極ｆN3を生成すること
が可能となる。そして、これにより図７の波形を生成で
き、中心周波数ｆ01の先鋭度を向上することができて、
送波フィルタ回路Ｔｘとして有用となる。
ンス値を定めることにより所要の極ｆN3を生成すること
が可能となる。そして、これにより図７の波形を生成で
き、中心周波数ｆ01の先鋭度を向上することができて、
送波フィルタ回路Ｔｘとして有用となる。
【００３２】一方、受波フィルタ回路Ｒｘの極形成回路
Ｚ2 は、送波フィルタ回路Ｔｘ側への漏れを防止するた
めに、図９で示すように、低域側に減衰極ｆN4を生ず
る。この極形成回路Ｚ2 は、ＬＣ並列共振回路の共振周
波数ｆ02’（図示せず）を所要の受波中心周波数ｆ02よ
りも低くし、さらにインダクタＬ8 を直列接続して直列
共振器を構成し、これにより、ｆ02’＜ｆN4＜ｆ02の関
係となる、極ｆN4を形成するようにしている。
Ｚ2 は、送波フィルタ回路Ｔｘ側への漏れを防止するた
めに、図９で示すように、低域側に減衰極ｆN4を生ず
る。この極形成回路Ｚ2 は、ＬＣ並列共振回路の共振周
波数ｆ02’（図示せず）を所要の受波中心周波数ｆ02よ
りも低くし、さらにインダクタＬ8 を直列接続して直列
共振器を構成し、これにより、ｆ02’＜ｆN4＜ｆ02の関
係となる、極ｆN4を形成するようにしている。
【００３３】すなわち、前記減衰極ｆN4は、ＬＣ並列共
振回路により生成される共振周波数ｆ02’よりも高域側
に発生する。そこで、あらかじめ共振周波数ｆ02’を受
波中心周波数ｆ02よりも低域側に発生するようにして、
該共振周波数ｆ02’の減衰極ｆN4が受波中心周波数ｆ02
よりも80MHZ 低い位置で発生するようにし、これにより
受波中心周波数ｆ02の波形尖鋭度を高めるようにしてい
る。
振回路により生成される共振周波数ｆ02’よりも高域側
に発生する。そこで、あらかじめ共振周波数ｆ02’を受
波中心周波数ｆ02よりも低域側に発生するようにして、
該共振周波数ｆ02’の減衰極ｆN4が受波中心周波数ｆ02
よりも80MHZ 低い位置で発生するようにし、これにより
受波中心周波数ｆ02の波形尖鋭度を高めるようにしてい
る。
【００３４】而して、送波フィルタ回路Ｔｘ及び受波フ
ィルタ回路Ｒｘは、広い周波数帯域幅Ｗをカバーするこ
とができ、実質的に周波数帯域幅が広がる。このため、
携帯電話等に適用する場合には、多チャンネル化のため
中心周波数の帯域幅は60MHZ程度等の広帯域を要すると
されるが、この条件を結果的に充足し得ることとなる。
また、そのカバー帯域の設定は、可変直流電圧発生器Ｄ
Ｃの電圧変化幅を設定することにより、容易に対応する
ことができる。
ィルタ回路Ｒｘは、広い周波数帯域幅Ｗをカバーするこ
とができ、実質的に周波数帯域幅が広がる。このため、
携帯電話等に適用する場合には、多チャンネル化のため
中心周波数の帯域幅は60MHZ程度等の広帯域を要すると
されるが、この条件を結果的に充足し得ることとなる。
また、そのカバー帯域の設定は、可変直流電圧発生器Ｄ
Ｃの電圧変化幅を設定することにより、容易に対応する
ことができる。
【００３５】さらには、上述した極形成回路Ｚ1 ，Ｚ2
により、図７，９で示すように、送波中心周波数ｆ01よ
りも80MHZ 程度高い位置に極ｆN3が、受波中心周波数ｆ
02よりも80MHZ 程度低い位置に極ｆN4が夫々形成される
こととなる。そして各極ｆN3，ｆN4は、中心周波数
ｆ01，ｆ02が可変直流電圧発生器の指定電圧の変化に伴
って変化するのに伴って、変化することとなる。
により、図７，９で示すように、送波中心周波数ｆ01よ
りも80MHZ 程度高い位置に極ｆN3が、受波中心周波数ｆ
02よりも80MHZ 程度低い位置に極ｆN4が夫々形成される
こととなる。そして各極ｆN3，ｆN4は、中心周波数
ｆ01，ｆ02が可変直流電圧発生器の指定電圧の変化に伴
って変化するのに伴って、変化することとなる。
【００３６】図２はデュプレクサの回路Ｘ1 を構成する
第一の積層ＬＣフィルタＦ1 を示すものである。ここ
で、積層ＬＣフィルタＦ1 は、図中６枚の方形状の誘電
体層１０ａ〜１０ｆを積層してなるものであり、それぞ
れの誘電体層１０ａ〜１０ｆの積層面に後述する導電層
１１，直線電路１３，１３，各種コンデンサ電極などの
電極パターンをスクリーン印刷などにより形成し、これ
を一体焼結して、１チップ構造とすることにより構成さ
れる。また、これら各誘電体層１０ａ〜１０ｆはベース
層２５上に積層される。
第一の積層ＬＣフィルタＦ1 を示すものである。ここ
で、積層ＬＣフィルタＦ1 は、図中６枚の方形状の誘電
体層１０ａ〜１０ｆを積層してなるものであり、それぞ
れの誘電体層１０ａ〜１０ｆの積層面に後述する導電層
１１，直線電路１３，１３，各種コンデンサ電極などの
電極パターンをスクリーン印刷などにより形成し、これ
を一体焼結して、１チップ構造とすることにより構成さ
れる。また、これら各誘電体層１０ａ〜１０ｆはベース
層２５上に積層される。
【００３７】この各誘電体層１０ａ〜１０ｆは、ガラス
セラミック，ガラスと誘電体セラミック材料の複合材
料、あるいは低融点酸化物等の誘電体セラミック材料か
らなる。
セラミック，ガラスと誘電体セラミック材料の複合材
料、あるいは低融点酸化物等の誘電体セラミック材料か
らなる。
【００３８】ここで、誘電体層１０ａは、その表面に、
ほぼ全体を覆うようにして、導電層１１が形成され、外
部のアース電路と接続する接続端１２が端縁に延出され
ている。
ほぼ全体を覆うようにして、導電層１１が形成され、外
部のアース電路と接続する接続端１２が端縁に延出され
ている。
【００３９】誘電体層１０ｂは、その左右両側に、アー
ス電路と接続する端縁から内方へ直線電路１３，１３が
延成され、該直線電路１３，１３によりインダクタＬ
1 ，Ｌ1 を構成している。
ス電路と接続する端縁から内方へ直線電路１３，１３が
延成され、該直線電路１３，１３によりインダクタＬ
1 ，Ｌ1 を構成している。
【００４０】誘電体層１０ｃは、左右領域に、方形状の
コンデンサ電極層１４，１４が夫々形成され、ビア１
５，１５を介して前記直線電路１３，１３と接続してい
る。
コンデンサ電極層１４，１４が夫々形成され、ビア１
５，１５を介して前記直線電路１３，１３と接続してい
る。
【００４１】誘電体層１０ｄの左右領域にも方形状のコ
ンデンサ電極層１６，１６が形成され、該誘電体層１０
ｄの厚みを介してコンデンサ電極層１４，１６、１４，
１６が上下で対峙し、これにより、コンデンサＣ3 ，Ｃ
3 を構成している。このコンデンサ電極層１６，１６
は、誘電体層１０ｄの端縁に接続端縁１７，１７を延出
しており、該端縁１７，１７に外付けのチップインダク
タＬ2 ，Ｌ2 ，Ｌ2 ，指定電圧発生器ＤＣ及びコンデン
サＣ4 さらにはコンデンサＣ5 からなる回路部分Ｙが接
続される。
ンデンサ電極層１６，１６が形成され、該誘電体層１０
ｄの厚みを介してコンデンサ電極層１４，１６、１４，
１６が上下で対峙し、これにより、コンデンサＣ3 ，Ｃ
3 を構成している。このコンデンサ電極層１６，１６
は、誘電体層１０ｄの端縁に接続端縁１７，１７を延出
しており、該端縁１７，１７に外付けのチップインダク
タＬ2 ，Ｌ2 ，Ｌ2 ，指定電圧発生器ＤＣ及びコンデン
サＣ4 さらにはコンデンサＣ5 からなる回路部分Ｙが接
続される。
【００４２】また、上下で対峙するコンデンサ電極層１
６，１８、１６，１８により、結合コンデンサＣ1 ，Ｃ
1 が形成され、コンデンサ電極層１８，１９，１８がそ
れぞれ面方向で対峙して結合コンデンサＣ2 が形成され
る。
６，１８、１６，１８により、結合コンデンサＣ1 ，Ｃ
1 が形成され、コンデンサ電極層１８，１９，１８がそ
れぞれ面方向で対峙して結合コンデンサＣ2 が形成され
る。
【００４３】さらに誘電体層１０ｆ上には、左右両側で
可変容量コンデンサＶＣ，ＶＣが前後方向に沿って配設
される。この可変容量コンデンサＶＣ，ＶＣは前後に形
成した導電路に接続し、この接続部で、リードインダク
タＬ3 ，Ｌ3 を形成している。この導電路の接続前端２
２には、アース電路が接続され、接続後端２３に端縁１
７，１７が接続される。
可変容量コンデンサＶＣ，ＶＣが前後方向に沿って配設
される。この可変容量コンデンサＶＣ，ＶＣは前後に形
成した導電路に接続し、この接続部で、リードインダク
タＬ3 ，Ｌ3 を形成している。この導電路の接続前端２
２には、アース電路が接続され、接続後端２３に端縁１
７，１７が接続される。
【００４４】しかして、上述したように回路部分Ｘ1 が
構成され、端縁１７，１７を介して、外部線路からなる
回路部分Ｙが回路部分Ｘ1 と接続されることとなる。
構成され、端縁１７，１７を介して、外部線路からなる
回路部分Ｙが回路部分Ｘ1 と接続されることとなる。
【００４５】上述の構成にあって、入出力線路Ｍに直列
配置される複数の結合素子Ｃ1 ，Ｃ2 ，Ｃ1 と、ＬＣ並
列共振回路１ａとを備えた回路部分Ｘ1 を、誘電体層１
０ａ〜１０ｆを複数枚積層してなる積層ＬＣフィルタＦ
1 により構成したものであるが、図１の等価回路中の少
なくともＬＣ並列共振回路１ａを含む適宜の回路部分を
積層ＬＣフィルタＦ1 により構成することができる。
配置される複数の結合素子Ｃ1 ，Ｃ2 ，Ｃ1 と、ＬＣ並
列共振回路１ａとを備えた回路部分Ｘ1 を、誘電体層１
０ａ〜１０ｆを複数枚積層してなる積層ＬＣフィルタＦ
1 により構成したものであるが、図１の等価回路中の少
なくともＬＣ並列共振回路１ａを含む適宜の回路部分を
積層ＬＣフィルタＦ1 により構成することができる。
【００４６】図３は極形成回路Ｚを構成する第二の積層
ＬＣフィルタＦ2 を示すものである。この積層ＬＣフィ
ルタＦ2 も、ガラスセラミック，ガラスと誘電体セラミ
ック材料の複合材料、あるいは低融点酸化物等の誘電体
セラミック材料等からなる図中７枚の方形状の誘電体層
３０ａ〜３０ｇを積層してなるものであり、それぞれの
誘電体層３０ａ〜３０ｇの積層面に後述する導電層，直
線電路，コンデンサ電極などの電極パターンをスクリー
ン印刷などにより形成し、これを一体焼結して、１チッ
プ構造とすることにより構成される。
ＬＣフィルタＦ2 を示すものである。この積層ＬＣフィ
ルタＦ2 も、ガラスセラミック，ガラスと誘電体セラミ
ック材料の複合材料、あるいは低融点酸化物等の誘電体
セラミック材料等からなる図中７枚の方形状の誘電体層
３０ａ〜３０ｇを積層してなるものであり、それぞれの
誘電体層３０ａ〜３０ｇの積層面に後述する導電層，直
線電路，コンデンサ電極などの電極パターンをスクリー
ン印刷などにより形成し、これを一体焼結して、１チッ
プ構造とすることにより構成される。
【００４７】ここで、誘電体層３０ａは、その表面に、
ほぼ全体を覆うようにして、導電層３１が形成され、外
部のアース電路と接続する接続端３２が端縁に延出され
ている。
ほぼ全体を覆うようにして、導電層３１が形成され、外
部のアース電路と接続する接続端３２が端縁に延出され
ている。
【００４８】誘電体層３０ｂは、アース電路と接続する
端縁から内方へ直線電路３３が延成される。
端縁から内方へ直線電路３３が延成される。
【００４９】誘電体層３０ｃは、中心から巻回して前縁
３５に至る巻回電路３４が延成され、その中心をビア３
６を介して誘電体層３０ｂの直線電路３３の端縁と接続
し、該直線電路３３及び巻回電路３４でインダクタＬ4
を構成している。
３５に至る巻回電路３４が延成され、その中心をビア３
６を介して誘電体層３０ｂの直線電路３３の端縁と接続
し、該直線電路３３及び巻回電路３４でインダクタＬ4
を構成している。
【００５０】誘電体層３０ｄは、中心に至る直線電路３
７が形成され、その前縁３８を前記巻回電路３４の前縁
３５と接続して、インダクタＬ1 を構成している。
７が形成され、その前縁３８を前記巻回電路３４の前縁
３５と接続して、インダクタＬ1 を構成している。
【００５１】誘電体層３０ｅは、方形状のコンデンサ電
極層４１が形成され、ビア４０を介して前記直線電路３
７と接続している。
極層４１が形成され、ビア４０を介して前記直線電路３
７と接続している。
【００５２】また誘電体層３０ｆも、方形状のコンデン
サ電極層４２が形成され、誘電体層３０ｆの肉厚を介し
て前記コンデンサ電極層４１と上下で対峙し、これによ
り、コンデンサＣ3 を形成している。このコンデンサ電
極層３７は、周縁に接続端縁４３，４４，４５を延出し
ており、該端縁４３に外付けのチップインダクタＬ2を
介して指定電圧発生器ＤＣ及びコンデンサＣ4 を接続
し、一方の接続端縁４４に同じく外付けのコンデンサＣ
5 を接続し、さらに他方の接続端縁４５に、第一の積層
ＬＣフィルタＦ1 の入出力端２０が接続される。
サ電極層４２が形成され、誘電体層３０ｆの肉厚を介し
て前記コンデンサ電極層４１と上下で対峙し、これによ
り、コンデンサＣ3 を形成している。このコンデンサ電
極層３７は、周縁に接続端縁４３，４４，４５を延出し
ており、該端縁４３に外付けのチップインダクタＬ2を
介して指定電圧発生器ＤＣ及びコンデンサＣ4 を接続
し、一方の接続端縁４４に同じく外付けのコンデンサＣ
5 を接続し、さらに他方の接続端縁４５に、第一の積層
ＬＣフィルタＦ1 の入出力端２０が接続される。
【００５３】さらに誘電体層３０ｇ上には、可変容量コ
ンデンサＶＣが前後方向に沿って配設される。この可変
容量コンデンサＶＣは前後に形成した導電路に接続し、
この接続部で、リードインダクタＬ3 を形成している。
この導電路の接続前端４６には、巻回電路３４の前縁３
５を介してインダクタＬ4 と接続される。
ンデンサＶＣが前後方向に沿って配設される。この可変
容量コンデンサＶＣは前後に形成した導電路に接続し、
この接続部で、リードインダクタＬ3 を形成している。
この導電路の接続前端４６には、巻回電路３４の前縁３
５を介してインダクタＬ4 と接続される。
【００５４】図４は受波フィルタ回路Ｒｘの一部を構成
するデュプレクサの回路Ｘ2 を構成する第三の積層ＬＣ
フィルタＦ3 を示すものである。この第三の積層ＬＣフ
ィルタＦ3 は、第三の積層ＬＣフィルタＦ1 と同一構成
であり、同一符号を付して、説明を簡略化する。
するデュプレクサの回路Ｘ2 を構成する第三の積層ＬＣ
フィルタＦ3 を示すものである。この第三の積層ＬＣフ
ィルタＦ3 は、第三の積層ＬＣフィルタＦ1 と同一構成
であり、同一符号を付して、説明を簡略化する。
【００５５】ここで、誘電体層１０ｂの左右両側に形成
された直線電路１３，１３によりインダクタＬ5 ，Ｌ5
を構成している。また誘電体層１０ｄの厚みを介して上
下で対峙するコンデンサ電極層１４，１６、１４，１６
により、コンデンサＣ9 ，Ｃ9 を構成している。
された直線電路１３，１３によりインダクタＬ5 ，Ｌ5
を構成している。また誘電体層１０ｄの厚みを介して上
下で対峙するコンデンサ電極層１４，１６、１４，１６
により、コンデンサＣ9 ，Ｃ9 を構成している。
【００５６】また、上下で対峙するコンデンサ電極層１
６，１８、１６，１８により、結合コンデンサＣ7 ，Ｃ
7 が形成され、コンデンサ電極層１８，１９，１８がそ
れぞれ面方向で対峙して結合コンデンサＣ8 を構成して
いる。さらに誘電体層１０ｆ上に、配設された可変容量
コンデンサＶＣ，ＶＣの接続部で、リードインダクタＬ
6 ，Ｌ6 を形成している。
６，１８、１６，１８により、結合コンデンサＣ7 ，Ｃ
7 が形成され、コンデンサ電極層１８，１９，１８がそ
れぞれ面方向で対峙して結合コンデンサＣ8 を構成して
いる。さらに誘電体層１０ｆ上に、配設された可変容量
コンデンサＶＣ，ＶＣの接続部で、リードインダクタＬ
6 ，Ｌ6 を形成している。
【００５７】しかして、上述したように回路部分Ｘ2 が
構成され、端縁１７，１７を介して、外部線路からなる
回路部分Ｙが回路部分Ｘ2 と接続されることとなる。
構成され、端縁１７，１７を介して、外部線路からなる
回路部分Ｙが回路部分Ｘ2 と接続されることとなる。
【００５８】図５は極形成回路Ｚ2 を構成する第四の積
層ＬＣフィルタＦ4 を示すものである。この積層ＬＣフ
ィルタＦ4 は積層ＬＣフィルタＦ2 と同一構成であり、
同一符号を付して、その説明を簡略とする。
層ＬＣフィルタＦ4 を示すものである。この積層ＬＣフ
ィルタＦ4 は積層ＬＣフィルタＦ2 と同一構成であり、
同一符号を付して、その説明を簡略とする。
【００５９】ここで誘電体層３０ｃに形成された巻回電
路３４でインダクタＬ8 を構成している。また誘電体層
３０ｄの中心に至る直線電路３７によりインダクタＬ7
を構成している。
路３４でインダクタＬ8 を構成している。また誘電体層
３０ｄの中心に至る直線電路３７によりインダクタＬ7
を構成している。
【００６０】また誘電体層３０ｆのコンデンサ電極層４
２と、コンデンサ電極層４１とでコンデンサＣ10を形成
している。さらに誘電体層３０ｇ上には、可変容量コン
デンサＶＣが前後方向に沿って配設され、その接続部
で、リードインダクタＬ9 を形成している。この導電路
の接続前端４６には、巻回電路３４の前縁３５を介して
インダクタＬ8 と接続される。
２と、コンデンサ電極層４１とでコンデンサＣ10を形成
している。さらに誘電体層３０ｇ上には、可変容量コン
デンサＶＣが前後方向に沿って配設され、その接続部
で、リードインダクタＬ9 を形成している。この導電路
の接続前端４６には、巻回電路３４の前縁３５を介して
インダクタＬ8 と接続される。
【００６１】しかして、上述したように極形成回路Ｚ4
が構成され、コンデンサ電極層４２の各接続端縁４３，
４４，４５を介して、第三の積層ＬＣフィルタＦ3 （回
路部分Ｘ2 ）及び外部の回路部分Ｙと接続されることと
なる。
が構成され、コンデンサ電極層４２の各接続端縁４３，
４４，４５を介して、第三の積層ＬＣフィルタＦ3 （回
路部分Ｘ2 ）及び外部の回路部分Ｙと接続されることと
なる。
【００６２】上述の各誘電体層上の電極パターンはスク
リーン印刷などの手段により、容易にできるから、量産
性が向上する。
リーン印刷などの手段により、容易にできるから、量産
性が向上する。
【００６３】また、上述の構成にあって、各回路部分Ｘ
1 ，Ｘ2 を、誘電体層１０ａ〜１０ｆを複数枚積層して
なる積層ＬＣフィルタＦ1 ，Ｆ2 により構成したもので
あるが、図１の等価回路中の少なくともＬＣ並列共振回
路１ａ，１ｂを含む適宜の回路部分を積層ＬＣフィルタ
Ｆ1 ，Ｆ2 により構成することができる。
1 ，Ｘ2 を、誘電体層１０ａ〜１０ｆを複数枚積層して
なる積層ＬＣフィルタＦ1 ，Ｆ2 により構成したもので
あるが、図１の等価回路中の少なくともＬＣ並列共振回
路１ａ，１ｂを含む適宜の回路部分を積層ＬＣフィルタ
Ｆ1 ，Ｆ2 により構成することができる。
【００６４】
【発明の効果】本発明は、上述のように、入出力線路Ｍ
の各結合素子間に、可変容量コンデンサＶＣを備えたＬ
Ｃ並列共振回路を夫々接続し、このＬＣ並列共振回路
に、可変直流電圧発生器ＤＣからの指定電圧を印加し、
これにより、各ＬＣ並列共振回路の可変容量コンデンサ
ＶＣの容量を変化させて、ＬＣ並列共振回路に所要の共
振周波数を生成し得るようにして、通過帯域幅を実質的
に広くするようにしたものであるから、該帯域幅をフィ
ルタの特性に依存しないで設定することができる優れた
効果がある。
の各結合素子間に、可変容量コンデンサＶＣを備えたＬ
Ｃ並列共振回路を夫々接続し、このＬＣ並列共振回路
に、可変直流電圧発生器ＤＣからの指定電圧を印加し、
これにより、各ＬＣ並列共振回路の可変容量コンデンサ
ＶＣの容量を変化させて、ＬＣ並列共振回路に所要の共
振周波数を生成し得るようにして、通過帯域幅を実質的
に広くするようにしたものであるから、該帯域幅をフィ
ルタの特性に依存しないで設定することができる優れた
効果がある。
【００６５】また、上述のように、送波フィルタ回路Ｔ
ｘ及び受波フィルタ回路Ｒｘに夫々極形成回路を形成し
たものであるから、波形先鋭度を高めることができ、フ
ィルタ回路Ｔｘ，Ｒｘ相互の信号漏れが防止され得る。
ｘ及び受波フィルタ回路Ｒｘに夫々極形成回路を形成し
たものであるから、波形先鋭度を高めることができ、フ
ィルタ回路Ｔｘ，Ｒｘ相互の信号漏れが防止され得る。
【００６６】また、Ｑ値の低い誘電体層１０ａ〜１０
ｆ，３０ａ〜３０ｇを積層してなる積層ＬＣフィルタＬ
1 ，Ｌ2 を適用した場合にも、広い周波数帯域Ｗを確保
することができて、多チャンネル化に対応し得るととも
に、該積層ＬＣフィルタ1 ，Ｌ2 の適用により、次のよ
うな利点を生じる。 1) その全体を整一な単純形状とすることができ、小型
化が可能となって、省スペース化することができる。ま
た、単純な積層体の一体焼結によるものであるから、機
械的強度が向上する。 2) 回路部分Ｘ1 ，Ｘ2 及び極形成回路Ｚ1 ，Ｚ2 が誘
電体層内に閉じ込められた構造となるため、外部雰囲気
と遮断され、湿度やメカニカルショック等の外部の影響
が受けにくくなり、特性上安定する。 3) 誘電体層の積層面に電極パターンを形成し、該電極
パターンの接続により、回路部分Ｘ1 ，Ｘ2 及び極形成
回路Ｚ1 ，Ｚ2 を構成するものであるから、パターン設
定のみで任意の回路定数のものを容易に構成することが
でき、フィルタの設計に自由度が与えられる。 4) 各誘電体層を同一材料で、シート状に形成し、夫々
に、所要導電層を形成して積層した後、一体的に焼結す
ることにより製造できるから、製造容易であり、量産性
に富む。
ｆ，３０ａ〜３０ｇを積層してなる積層ＬＣフィルタＬ
1 ，Ｌ2 を適用した場合にも、広い周波数帯域Ｗを確保
することができて、多チャンネル化に対応し得るととも
に、該積層ＬＣフィルタ1 ，Ｌ2 の適用により、次のよ
うな利点を生じる。 1) その全体を整一な単純形状とすることができ、小型
化が可能となって、省スペース化することができる。ま
た、単純な積層体の一体焼結によるものであるから、機
械的強度が向上する。 2) 回路部分Ｘ1 ，Ｘ2 及び極形成回路Ｚ1 ，Ｚ2 が誘
電体層内に閉じ込められた構造となるため、外部雰囲気
と遮断され、湿度やメカニカルショック等の外部の影響
が受けにくくなり、特性上安定する。 3) 誘電体層の積層面に電極パターンを形成し、該電極
パターンの接続により、回路部分Ｘ1 ，Ｘ2 及び極形成
回路Ｚ1 ，Ｚ2 を構成するものであるから、パターン設
定のみで任意の回路定数のものを容易に構成することが
でき、フィルタの設計に自由度が与えられる。 4) 各誘電体層を同一材料で、シート状に形成し、夫々
に、所要導電層を形成して積層した後、一体的に焼結す
ることにより製造できるから、製造容易であり、量産性
に富む。
【図１】本発明の一実施例を示す等価回路図である。
【図２】本発明の回路部分Ｘ1 を構成する積層ＬＣフィ
ルタＦ1 の分離斜視図である。
ルタＦ1 の分離斜視図である。
【図３】本発明の極形成回路Ｚ1 を構成する積層ＬＣフ
ィルタＦ2 の分離斜視図である。
ィルタＦ2 の分離斜視図である。
【図４】本発明の回路部分Ｘ2 を構成する積層ＬＣフィ
ルタＦ3 の分離斜視図である。
ルタＦ3 の分離斜視図である。
【図５】本発明の極形成回路Ｚ2 を構成する積層ＬＣフ
ィルタＦ4 の分離斜視図である。
ィルタＦ4 の分離斜視図である。
【図６】フィルタの出力波形の変化を示す波形図であ
る。
る。
【図７】極形成回路Ｚ1 により形成される極ｆN3を示す
波形図である。
波形図である。
【図８】極形成回路Ｚ1 が無い場合の波形図である。
【図９】極形成回路Ｚ2 により形成される極ｆN4を示す
波形図である。
波形図である。
【図１０】ＬＣ並列共振回路の基本構成を示す回路図で
ある。
ある。
１ａ，１ａ’ ＬＣ並列共振回路 １ｂ，１ｂ’ ＬＣ並列共振回路 １０ａ〜１０ｇ 誘電体層 Ｃ1 〜Ｃ10 コンデンサ Ｌ1 〜Ｌ9 インダクタ Ｍ 入出力線路 ＤＣ 可変直流電圧発生器 ＶＣ 可変容量コンデンサ Ｘ1 ，Ｘ2 ，Ｙ 回路部分 Ｚ1 ，Ｚ2 極形成回路 Ｆ1 〜Ｆ4 積層ＬＣフィルタ
Claims (4)
- 【請求項１】入出力線路と、該入出力線路に接続される
アンテナとを共有する送波フィルタ回路Ｔｘと受波フィ
ルタ回路Ｒｘとを備えたデュプレクサにおいて、 前記入出力線路のアンテナから入力側に挿入された複数
の結合素子Ｃ1 ，Ｃ2，Ｃ1 の間に、可変容量コンデン
サＶＣを備えるＬＣ並列共振回路を夫々接続して送波フ
ィルタ回路Ｔｘを構成し、前記入出力線路のアンテナか
ら出力側に挿入された複数の結合素子Ｃ7 , Ｃ8 ，Ｃ7
の間に、可変容量コンデンサＶＣを備えるＬＣ並列共振
回路を夫々接続して受波フィルタ回路Ｒｘを構成すると
共に、電圧制御装置により可変直流電圧発生器から発生
する電圧を指定制御して、該指定電圧を各ＬＣ並列共振
回路に印加することにより各ＬＣ並列共振回路の可変容
量コンデンサＶＣの容量値を制御して、各ＬＣ並列共振
回路から所要の共振周波数が生成されるようにしたこと
を特徴とするデュプレクサ。 - 【請求項２】前記入出力線路のアンテナから入力側に挿
入された複数の結合素子Ｃ1 ，Ｃ2，Ｃ1 ，Ｃ6 の間
に、可変容量コンデンサＶＣを備えるＬＣ並列共振回路
を夫々接続し、さらにはＬＣ並列共振回路にインダクタ
Ｌ4 を直列接続してなり、受波中心周波数ｆ01よりも高
域側に減衰極を生ずる極形成回路を入出力線路に接続し
て送波フィルタ回路Ｔｘを構成し、前記入出力線路のア
ンテナから出力側に挿入された複数の結合素子Ｃ7 , Ｃ
8 ，Ｃ7 ，Ｃ11の間に、可変容量コンデンサＶＣを備え
るＬＣ並列共振回路を夫々接続し、さらにはＬＣ並列共
振回路にインダクタＬ8 を直列接続してなり、受波中心
周波数ｆ02よりも低域側に減衰極を生ずる極形成回路を
入出力線路に接続して受波フィルタ回路Ｒｘを構成する
ようにし、電圧制御装置により可変直流電圧発生器から
発生する電圧を指定制御して、該指定電圧を各ＬＣ並列
共振回路に印加することにより各ＬＣ並列共振回路の可
変容量コンデンサＶＣの容量値を制御して、ＬＣ並列共
振回路から所要の共振周波数が生成されるようにしたこ
とを特徴とする請求項１記載のデュプレクサ。 - 【請求項３】前記送波フィルタ回路Ｔｘ及び／又は受波
フィルタ回路Ｒｘ中の、可変容量コンデンサＶＣを備え
るＬＣ並列共振回路を少なくとも備えた回路部を、誘電
体層を複数枚積層してなる積層ＬＣフィルタにより構成
したことを特徴とする請求項１又は請求項２記載のデュ
プレクサ。 - 【請求項４】送波フィルタ回路Ｔｘの、入出力線路に直
列配置される複数の結合素子Ｃ1 ，Ｃ2 ，Ｃ1 と、各結
合素子Ｃ1 ，Ｃ2 ，Ｃ1 間に接続されるＬＣ並列共振回
路とを備えた回路部分を、誘電体層を複数枚積層してな
る第一の積層ＬＣフィルタにより構成し、極形成回路を
第二の積層ＬＣフィルタにより構成し、 受波フィルタ回路Ｒｘの、入出力線路に直列配置される
複数の結合素子Ｃ7 ，Ｃ8 ，Ｃ7 と、各結合素子Ｃ7 ，
Ｃ8 ，Ｃ7 間に接続されるＬＣ並列共振回路とを備えた
回路部分を、誘電体層を複数枚積層してなる第三の積層
ＬＣフィルタにより構成し、極形成回路を第四の積層Ｌ
Ｃフィルタにより構成したことを特徴とする請求項３記
載のデュプレクサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29933697A JPH11122007A (ja) | 1997-10-14 | 1997-10-14 | デュプレクサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29933697A JPH11122007A (ja) | 1997-10-14 | 1997-10-14 | デュプレクサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11122007A true JPH11122007A (ja) | 1999-04-30 |
Family
ID=17871244
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29933697A Pending JPH11122007A (ja) | 1997-10-14 | 1997-10-14 | デュプレクサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11122007A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100362878B1 (ko) * | 2000-09-19 | 2002-11-29 | 엘지이노텍 주식회사 | 무선트랜시이버용 듀플렉서 |
| KR20030086159A (ko) * | 2002-05-03 | 2003-11-07 | 에스케이 텔레콤주식회사 | 이동통신 시스템용 무선 가변대역통과 여파기 |
| EP1825528A4 (en) * | 2004-12-09 | 2009-11-11 | Wispry Inc | POL ZERO ELEMENTS AND RELATED SYSTEMS AND METHODS |
-
1997
- 1997-10-14 JP JP29933697A patent/JPH11122007A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100362878B1 (ko) * | 2000-09-19 | 2002-11-29 | 엘지이노텍 주식회사 | 무선트랜시이버용 듀플렉서 |
| KR20030086159A (ko) * | 2002-05-03 | 2003-11-07 | 에스케이 텔레콤주식회사 | 이동통신 시스템용 무선 가변대역통과 여파기 |
| EP1825528A4 (en) * | 2004-12-09 | 2009-11-11 | Wispry Inc | POL ZERO ELEMENTS AND RELATED SYSTEMS AND METHODS |
| EP2445107A3 (en) * | 2004-12-09 | 2012-09-12 | Wispry, Inc. | Pole-zero elements and related systems and methods |
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