JPH1112325A - 新規なモノマー及びこれを用いて得られるポリマー - Google Patents

新規なモノマー及びこれを用いて得られるポリマー

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JPH1112325A
JPH1112325A JP10136128A JP13612898A JPH1112325A JP H1112325 A JPH1112325 A JP H1112325A JP 10136128 A JP10136128 A JP 10136128A JP 13612898 A JP13612898 A JP 13612898A JP H1112325 A JPH1112325 A JP H1112325A
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polymer
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JP10136128A
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English (en)
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Motoshige Sumino
元重 角野
Kazuhito Fukazawa
和仁 深沢
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Fujifilm Wako Pure Chemical Corp
Original Assignee
Wako Pure Chemical Industries Ltd
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Publication date
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  • Heterocyclic Compounds That Contain Two Or More Ring Oxygen Atoms (AREA)
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 220nm以下の遠紫外光、特にArFエキシマ
レーザ光等に対し高い透過性を有し、これを例えばレジ
スト組成物用のポリマーとして使用した場合には、エッ
チング耐性等に優れたレジスト膜が得られる新規なポリ
マーと該ポリマーの原料モノマーと成り得る新規なモノ
マーの提供。 【解決手段】 一般式[1] 【化1】 (式中、R5,R6及びR7は夫々独立して水素原子、ア
ルキル基、シアノ基、アルキルオキシカルボニル基又は
カルバモイル基を表し、Zはスペーサー又は結合手を表
し、Rは末端の水酸基が保護されたヒドロキシアルキル
基を表す。)で示されるモノマー、及び該モノマー由来
のセグメントを構成単位として含んで成るポリマー。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子等の製
造に於いて使用されるレジスト組成物等に有用な新規な
ポリマー及び該ポリマーの原料と成り得る新規なモノマ
ーに関する。
【0002】
【従来の技術】従来、アルカリ可溶性の樹脂として、ノ
ボラック樹脂やアクリル酸、メタクリル酸を構成成分と
するポリマーが知られており、写真製版や、レジスト材
料等の電子工業用材料として用いられ、数多くのポリマ
ーが実用化されている。特にリソグラフィ技術の分野で
は、露光光源としてg線(波長436nm),i線(波長365
nm)の紫外光、また最近ではエキシマレーザー(KrF
エキシマレーザー;波長248nm、ArFエキシマレーザ
ー;波長193nm)が使用されている。これらの光源に対
応したレジスト材料のベースポリマーには、g線,i線
用レジストではノボラック樹脂、KrFレジストではフ
ェノール樹脂が主として用いられており、その何れにお
いてもアルカリ現像液で現像可能な官能基としてフェノ
ール性水酸基(pKa 約12)を有している。
【0003】一方、現在開発途上にあるArFレジスト
材料で用いるベースポリマーとしては、アクリル酸誘導
体又はメタクリル酸誘導体樹脂が主流である(例えば、
特開平7-199467号公報、特開平8-82925号公報、特開平7
-234511号公報等)。その理由として、従来用いてきた
芳香環を有する樹脂では遠紫外領域での透明性が低く、
ArFエキシマレーザー光波長である193nmでは全く不
透明となるためである。
【0004】しかしながら、このアクリル酸又はメタク
リル酸樹脂をベースに用いたレジスト材料は、カルボン
酸基を可溶性基とするために酸性度が高く(pKa 約
5)、従来のフェノール性水酸基を可溶性基とするポリ
マーに比べてアルカリ現像時の溶解速度が非常に速いた
め、既存のアルカリ現像液である2.38%テトラメチルア
ンモニウムヒドロキシド(TMAH)水溶液では、希釈
しないで用いると微細パターン形成時に膜剥がれが生じ
たり、また未露光部まで溶解するため、良好なパターン
が得られないという欠点が生じる。
【0005】しかも、半導体装置の実製造ラインで現在
採用されているアルカリ現像液は、前述した2.38%TM
AHが主流であり、i線レジストとKrFレジストまた
はKrFレジストとArFレジストのように各世代のレ
ジスト材料が混在した製造ラインでは、現像液を希釈し
て用いることは非常に困難な状況である。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記した如き
状況に鑑みなされたもので、220nm以下の遠紫外光、特
にArFエキシマレーザ光等に対し高い透過性を有し、
これを例えばレジスト組成物用のポリマーとして使用し
た場合には、エッチング耐性等に優れたレジスト膜が得
られる新規なポリマーと該ポリマーの原料モノマーと成
り得る新規なモノマーであるアクリル酸及びメタクリル
酸誘導体を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、一般式[1]
【0008】
【化21】
【0009】(式中、R5,R6及びR7は夫々独立して
水素原子、アルキル基、シアノ基、アルキルオキシカル
ボニル基又はカルバモイル基を表し、Zはスペーサー又
は結合手を表し、Rは末端の水酸基が保護されたヒドロ
キシアルキル基を表す。)で示されるモノマー、の発明
である。
【0010】また、本発明は、一般式[1a]
【0011】
【化22】
【0012】(式中、R5,R6,R7,Z及びRは前記
に同じ。)で示されるモノマー単位を構成単位として含
んで成るポリマー、の発明である。
【0013】即ち、本発明者らは上記目的を達成すべく
鋭意研究を重ねた結果、220nm以下の波長領域での光透
過性が高く、これをレジスト材料として用いた場合には
エッチング耐性の高いレジスト膜が得られる、上記一般
式[1a]で示されるモノマー単位を構成単位として含
んで成る新規なポリマーを見い出し、本発明を完成する
に到った。
【0014】一般式[1]及び[1a]に於いて、
R5,R6及びR7で示されるアルキル基としては、直鎖
状でも分枝状でもよく、例えば炭素数1〜12、好まし
くは炭素数1〜8のアルキル基が挙げられ、具体的には
メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル
基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、sec-
ブチル基、n-ペンチル基、イソペンチル基、ネオペン
チル基、tert-ペンチル基、3,3-ジメチルブチル基、1,1
-ジメチルブチル基、1-メチルペンチル基、n-ヘキシル
基、イソヘキシル基、n-ヘプチル基、イソヘプチル
基、n-オクチル基、イソオクチル基、2-エチルヘキシ
ル基等が挙げられる。
【0015】アルキルオキシカルボニル基としては、直
鎖状でも分枝状でも或いは環状でもよく、例えば炭素数
2〜19のアルキルオキシカルボニル基が挙げられる。
環状のアルキルオキシカルボニル基は単環でも多環でも
よく、例えば炭素数6〜14の脂環状のものが挙げられ
る。アルキルオキシカルボニル基の具体例としては、メ
チルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、
プロピルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル
基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘキシルオキシカル
ボニル基、ヘプチルオキシカルボニル基、オクチルオキ
シカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基、オクタ
デシルオキシカルボニル基、tert-ブチルオキシカルボ
ニル基、2-エチルヘキシルオキシカルボニル基、シクロ
ヘキシルオキシカルボニル基、トリシクロデシルオキシ
カルボニル基、トリシクロウンデシルオキシカルボニル
基、トリシクロドデシルオキシカルボニル基、トリシク
ロテトラデシルオキシカルボニル基、テトラヒドロピラ
ニルオキシカルボニル基、アダマンチルオキシカルボニ
ル基、2-メチル-2-アダマンチルオキシカルボニル基、
ノルボルニルオキシカルボニル基、ビシクロ[3.2.1]オ
クテニルオキシカルボニル基、ビシクロ[2.2.2]オクチ
ルオキシカルボニル基、メンチルオキシカルボニル基、
イソボルニルオキシカルボニル基等が挙げられる。
【0016】Zで示されるスペーサーとしては、例えば
下記一般式[4]で示される基等が挙げられる。
【0017】
【化23】
【0018】(式中、A2は酸素原子を有していてもよ
い二価の炭化水素基を表し、A1及びA3は夫々独立して
低級アルキレン基を表し、mは0又は1を表し、p,q
及びrは夫々独立して、0又は1を表す。但し、mが1
のときqは1を表す。)
【0019】一般式[4]に於いてA2で示される酸素
原子を有していてもよい二価の炭化水素基に於ける二価
の炭化水素基としては、例えば炭素数1〜20、好まし
くは1〜10のアルキレン基、二価の芳香族基等が挙げ
られる。アルキレン基としては、直鎖状でも分枝状でも
或いは環状でもよく、具体的には、例えばメチレン基、
エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、2-メチルプロ
ピレン基、ペンチレン基、2,2-ジメチルプロピレン基、
2-エチルプロピレン基、ヘキシレン基、ヘプチレン基、
オクチレン基、2-エチルヘキシレン基、ノニレン基、デ
シレン基、シクロプロピレン基、シクロペンチレン基、
シクロヘキシレン基、アダマンタンジイル基、トリシク
ロ[5.2.1.02.6]デカンジイル基、ノルボルナンジイル
基、メチルノルボルナンジイル基、イソボルナンジイル
基、デカリンジイル基等が挙げられる。二価の芳香族基
としては、例えばo-フェニレン基、m-フェニレン基、p-
フェニレン基、ジフェニレン基、p-キシレン-α,α'-ジ
イル基、-CH2-C6H4-等が挙げられる。
【0020】また、酸素原子を有している場合には、上
記二価の炭化水素基の鎖中に酸素原子を1個以上、好ま
しくは1〜3個有しているものが挙げられ、その具体例
としては、メトキシエチルエチレン基、エトキシエチル
エチレン基、ボルニルオキシエチルエチレン基、ノルボ
ルニルオキシエチルエチレン基、メンチルオキシエチル
エチレン基、アダマンチルオキシエチルエチレン基、メ
トキシエトキシエチルエチレン基、エトキシエトキシエ
チルエチレン基、ボルニルオキシエトキシエチルエチレ
ン基、メンチルオキシエトキシエチルエチレン基、-CH2
-O-CH2-、-CH2CH2-O-CH2-、-CH2CH2-O-CH2CH2-、-CH2CH
2-O-CH2CH2-O-CH2CH2-、-CH2-O-C6H4-等が挙げられる。
【0021】A1及びA3で示される低級アルキレン基と
しては、直鎖状でも分枝状でもよく、例えば炭素数1〜
6のアルキレン基が挙げられ、具体的にはメチレン基、
エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、2-メチルプロ
ピレン基、ペンチレン基、2,2-ジメチルプロピレン基、
2-エチルプロピレン基、ヘキシレン基等が挙げられる。
【0022】また、Rで示される末端の水酸基が保護さ
れたヒドロキシアルキル基としては、直鎖状でも分枝状
でも或いは環状でもよく、また二重結合を有していても
よく、例えば下記一般式[2]又は一般式[3]で示さ
れる基等が挙げられる。
【0023】
【化24】
【0024】(式中、R1及びR2は夫々独立して水素原
子、置換基を有していてもよいアルキル基又は脂環式炭
化水素基を表し、また、R1とR2とで脂肪族環を形成し
ていてもよく、R3はアルキル基、アルケニル基、ヒド
ロキシアルキル基、アルキルオキシカルボニル基又はア
ルキルシリル基を表す。)
【0025】
【化25】
【0026】(式中、R4はアルキル基を表し、R1,R
2及びR3は前記に同じ。尚、R3とR4とで脂肪族環を形
成していてもよい。)
【0027】一般式[2]及び[3]に於いて、R1及
びR2で示されるアルキル基としては、直鎖状でも分枝
状でも或いは環状でもよく、例えば炭素数1〜12、好
ましくは炭素数1〜8のアルキル基が挙げられ、具体的
にはメチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピ
ル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、se
c-ブチル基、n-ペンチル基、イソペンチル基、ネオペ
ンチル基、tert-ペンチル基、3,3-ジメチルブチル基、
1,1-ジメチルブチル基、1-メチルペンチル基、n-ヘキ
シル基、イソヘキシル基、n-ヘプチル基、イソヘプチ
ル基、n-オクチル基、イソオクチル基、2-エチルヘキ
シル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロ
ヘキシル基、2-シクロヘキシルエチル基等が挙げられ
る。
【0028】また、置換基を有するアルキル基として
は、上記アルキル基の水素原子の通常1〜17個、好ま
しくは1〜10個が例えばシアノ基、水酸基、例えばフ
ッ素,塩素,臭素,沃素等のハロゲン原子、例えばメト
キシ基,エトキシ基,プロポキシ基,2-プロポキシ基,
ブトキシ基,tert-ブトキシ基,ペンチルオキシ基,ヘ
キシルオキシ基等の炭素数1〜6の低級アルコキシ基等
で置換されたものが挙げられ、具体的には、例えばシア
ノメチル基,シアノエチル基,シアノプロピル基,シア
ノブチル基,シアノペンチル基,シアノヘキシル基,シ
アノヘプチル基等の含シアノアルキル基、例えばヒドロ
キシメチル基,ヒドロキシエチル基,ヒドロキシプロピ
ル基,ヒドロキシブチル基,ヒドロキシペンチル基,ヒ
ドロキシヘキシル基,ヒドロキシヘプチル基,ヒドロキ
シオクチル基等のヒドロキシアルキル基、例えばクロロ
メチル基,ブロモメチル基,トリフルオロメチル基,2-
クロロエチル基,3-クロロプロピル基,3-ブロモプロピ
ル基,3,3,3-トリフルオロプロピル基,パーフルオロオ
クチル基等のハロアルキル基、例えばメトキシメチル
基,メトキシエチル基,エトキシメチル基,エトキシエ
チル基,プロポキシメチル基,2-プロポキシメチル基,
プロポキシエチル基,ブトキシメチル基,tert-ブトキ
シメチル基等のアルコキシアルキル基等が挙げられる。
【0029】脂環式炭化水素基としては、例えば炭素数
3〜30、好ましくは5〜12の脂環式炭化水素基が挙
げられ、具体的にはトリシクロ[5.2.1.02.6]デカニル
基、ジシクロペンテニル基、アダマンチル基、ノルボル
ニル基、イソボルニル基、2-メチル-2-アダマンチル
基、メンチル基等が挙げられる。
【0030】また、R1とR2とで形成されている脂肪族
環は、環は単環でも多環でもよく、例えば炭素数3〜1
0のアルキレン鎖で環を形成しているもの等が挙げら
れ、その環の具体例としては、2-ノルボルナン環、シク
ロペンタン環、シクロヘキサン環、シクロオクタン環、
シクロデカン環、2-ノルボルネン環、シクロペンテン
環、シクロヘキセン環、シクロオクテン環、シクロデセ
ン環等が挙げられる。
【0031】R3で示されるアルキル基としては、直鎖
状でも分枝状でもよく、例えば炭素数1〜12、好まし
くは炭素数1〜8のアルキル基が挙げられ、具体的には
メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル
基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、sec-
ブチル基、n-ペンチル基、イソペンチル基、ネオペン
チル基、tert-ペンチル基、3,3-ジメチルブチル基、1,1
-ジメチルブチル基、1-メチルペンチル基、n-ヘキシル
基、イソヘキシル基、n-ヘプチル基、イソヘプチル
基、n-オクチル基、イソオクチル基、2-エチルヘキシ
ル基等が挙げられる。
【0032】アルケニル基としては、直鎖状でも分枝状
でもよく、例えば炭素数2〜12、好ましくは炭素数2
〜8のアルケニル基が挙げられ、具体的にはエテニル
基、プロペニル基、イソプロペニル基、ブテニル基、イ
ソブテニル基、ペンテニル基、イソペンテニル基、ヘキ
セニル基、イソヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニ
ル基等が挙げられる。ヒドロキシアルキル基としては、
直鎖状でも分枝状でもよく、例えば炭素数1〜12、好
ましくは炭素数2〜8のヒドロキシアルキル基が挙げら
れ、具体的にはヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピ
ル基、ヒドロキシブチル基、ヒドロキシペンチル基、ヒ
ドロキシヘキシル基、ヒドロキシヘプチル基、ヒドロキ
シオクチル基等が挙げられる。
【0033】アルキルオキシカルボニル基としては、直
鎖状でも分枝状でも或いは環状でもよく、例えば炭素数
2〜19のアルキルオキシカルボニル基が挙げられ、具
体的には、例えばエチルオキシカルボニル基、プロピル
オキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、ペン
チルオキシカルボニル基、ヘキシルオキシカルボニル
基、ヘプチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカル
ボニル基、ドデシルオキシカルボニル基、オクタデシル
オキシカルボニル基、tert-ブチルオキシカルボニル
基、2-エチルヘキシルオキシカルボニル基、シクロヘキ
シルオキシカルボニル基等が挙げられる。
【0034】アルキルシリル基のアルキル基としては、
直鎖状でも分枝状でもよく、例えば炭素数1〜6のアル
キル基が挙げられ、具体的にはメチル基、エチル基、n
-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチ
ル基、tert-ブチル基、sec-ブチル基、ペンチル基、イ
ソペンチル基、ネオペンチル基、tert-ペンチル基、3,3
-ジメチルブチル基、1,1-ジメチルブチル基、1-メチル
ペンチル基、n-ヘキシル基、イソヘキシル基等が挙げ
られる。アルキルシリル基としては、例えば炭素数1〜
18、好ましくは1〜9のものが挙げられ、具体例とし
ては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリ
n-プロピルシリル基、トリイソプロピルシリル基、ト
リn-ブチルシリル基、トリペンチルシリル基、トリn-
ヘキシルシリル基、tert-ブチルジメチルシリル基等の
トリアルキルシリル基等が挙げられる。
【0035】一般式[3]に於いて、R4で示されるア
ルキル基としては、直鎖状でも分枝状でもよく、例えば
炭素数1〜12、好ましくは炭素数1〜8のアルキル基
が挙げられ、具体的にはメチル基、エチル基、n-プロ
ピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル
基、tert-ブチル基、sec-ブチル基、n-ペンチル基、イ
ソペンチル基、ネオペンチル基、tert-ペンチル基、3,3
-ジメチルブチル基、1,1-ジメチルブチル基、1-メチル
ペンチル基、n-ヘキシル基、イソヘキシル基、n-ヘプ
チル基、イソヘプチル基、n-オクチル基、イソオクチ
ル基、2-エチルヘキシル基等が挙げられる。
【0036】また、R3とR4とで脂肪族環を形成してい
る場合には、環は単環でも多環でもよく、炭素数2〜1
0、好ましくは2〜4のアルキレン鎖で環を形成してい
るものが挙げられる。該アルキレン鎖は、直鎖状でも分
枝状でもよく、ヒドロキシル基を有していてもよい。ま
た、鎖中の任意の位置に−O−基及び/又は二重結合を
有していてもよい。これらの具体例としては、エチレン
基、プロピレン基、イソプロピレン基、イソプロピリデ
ン基、ブチレン基、2-メチルプロピレン基、ペンチレン
基、2,2-ジメチルプロピレン基、2-エチルプロピレン
基、へキシレン基、2-ブチル-2-エチルプロピレン基、
エテニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基、ビニリ
デン基、-CH2C(=CH2)CH2-、1-ヒドロキシエチレン基、2
-ヒドロキシプロピレン基、2-ヒドロキシブチレン基、2
-ヒドロキシペンチレン基、3-ヒドロキシペンチレン
基、2-ヒドロキシへキシレン基、3-ヒドロキシへキシレ
ン基、-CH2-O-CH2-、-CH2CH2-O-CH2-、-CH2CH2-O-CH2CH
2-等が挙げられる。
【0037】本発明のポリマーに含まれる上記一般式
[1a]で示されるモノマー単位は、上記一般式[1]
で示されるモノマーから誘導されるものであり、該モノ
マーとしては例えば下記一般式[1]-1、[1]-2、
[1]-3及び[1]-4で示されるもの等が挙げられる。
【0038】
【化26】
【0039】
【化27】
【0040】
【化28】
【0041】
【化29】
【0042】(式中、Qは酸素原子を有していてもよい
二価の炭化水素基を表し、Eは低級アルキル基を表し、
Xはアルキル基を表し、Gは低級アルキレン基を表し、
tは0〜6の整数を示す。また、E1,E2は水素原子を
示すか、或いはE1とE2とで脂肪族環を形成していても
よい。)
【0043】上記一般式[1]-1及び[1]-2に於い
て、Qで示される酸素原子を有していてもよい二価の炭
化水素基の二価の炭化水素基としては、例えば炭素数1
〜20、好ましくは1〜10のアルキレン基及び二価の
芳香族基等が挙げられる。アルキレン基としては、直鎖
状でも分枝状でも或いは環状でもよく、具体的には、例
えばメチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン
基、2-メチルプロピレン基、ペンチレン基、2,2-ジメチ
ルプロピレン基、2-エチルプロピレン基、ヘキシレン
基、ヘプチレン基、オクチレン基、2-エチルヘキシレン
基、ノニレン基、デシレン基、シクロプロピレン基、シ
クロペンチレン基、シクロヘキシレン基、アダマンタン
ジイル基、トリシクロ[5.2.1.02.6]デカンジイル基、ノ
ルボルナンジイル基、メチルノルボルナンジイル基、イ
ソボルナンジイル基、デカリンジイル基等が挙げられ
る。
【0044】二価の芳香族基としては、例えばo-フェニ
レン基、m-フェニレン基、p-フェニレン基、ジフェニレ
ン基、p-キシレン-α,α'-ジイル基、-CH2-C6H4-等が挙
げられる。二価の炭化水素基に酸素原子を有している場
合には、上記アルキレン基を形成する鎖中に−O−基を
1〜3個含むものが挙げられ、具体的には例えば-CH2-O
-CH2-、-CH2CH2-O-CH2-、-CH2-O-CH2CH2-、-CH2CH2-O-C
H2CH2-、-CH2-O-CH2-O-CH2-、-CH2CH2-O-CH2-O-CH2CH
2-、-CH2-O-CH2-O-CH2-O-CH2-、-CH2CH2-O-CH2-O-CH2CH
2-O-CH2CH2-、-CH2-O-CH(CH2CH3)-CH2-、-CH2CH2-O-CH
(CH3)-O-CH2-、
【0045】
【化30】
【0046】
【化31】
【0047】等が挙げられる。上記一般式[1]-1及び
[1]-3に於いて、Eで示される低級アルキル基として
は、直鎖状でも分枝状でもよく、例えば炭素数1〜6の
アルキル基が挙げられ、具体的にはメチル基、エチル
基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イ
ソブチル基、tert-ブチル基、sec-ブチル基、ペンチル
基、イソペンチル基、ネオペンチル基、tert-ペンチル
基、3,3-ジメチルブチル基、1,1-ジメチルブチル基、1-
メチルペンチル基、n-ヘキシル基、イソヘキシル基等
が挙げられる。
【0048】上記一般式[1]-3及び[1]-4に於い
て、Xで示されるアルキル基としては、直鎖状でも分枝
状でも環状でもよく、例えば炭素数1〜20、好ましく
は1〜15のアルキル基が挙げられる。また、環状のア
ルキル基は、単環でも多環でもよい。該アルキル基の具
体例としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、
イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブ
チル基、sec-ブチル基、n-ペンチル基、イソペンチル
基、ネオペンチル基、tert-ペンチル基、3,3-ジメチル
ブチル基、1,1-ジメチルブチル基、1-メチルペンチル
基、n-ヘキシル基、イソヘキシル基、n-ヘプチル基、
イソヘプチル基、n-オクチル基、イソオクチル基、2-
エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル
基、ドデシル基、ヘキサデシル基、オクタデシル基、ノ
ナデシル基、イコシル基、シクロプロピル基、シクロペ
ンチル基、シクロヘキシル基、2-シクロヘキシルエチル
基、ノルボルニル基、イソボルニル基、アダマンチル
基、2-メチル-2-アダマンチル基、テトラヒドロピラニ
ル基、トリシクロウンデシル基、トリシクロデシル基、
トリシクロドデシル基、トリシクロテトラデシル基、メ
ンチル基、ビシクロ[3.2.1]オクチル基、ビシクロ
[2.2.2]オクチル基等が挙げられる。
【0049】上記一般式[1]-2及び[1]-4に於い
て、Gで示される低級アルキレン基としては、直鎖状で
も分枝状でもよく、炭素数1〜6のアルキレン基が挙げ
られ、具体的にはメチレン基、エチレン基、プロピレン
基、ブチレン基、2-メチルプロピレン基、ペンチレン
基、2,2-ジメチルプロピレン基、2-エチルプロピレン
基、ヘキシレン基等が挙げられる。
【0050】上記一般式[1]-1〜[1]-4に於いて、
E1とE2とで形成される脂肪族環としては、環は単環で
も多環でもよく、炭素数2〜10、好ましくは2〜4の
アルキレン鎖で環を形成しているものが挙げられる。該
アルキレン鎖は、直鎖状でも分枝状でもよく、二重結合
を有していてもよい。これらの具体例としては、エチレ
ン基、プロピレン基、イソプロピレン基、イソプロピリ
デン基、ブチレン基、2-メチルプロピレン基、ペンチレ
ン基、2,2-ジメチルプロピレン基、2-エチルプロピレン
基、へキシレン基、2-ブチル-2-エチルプロピレン基、
エテニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基、ビニリ
デン基、-CH2C(=CH2)CH2-等が挙げられる。
【0051】一般式[1]-1の具体例としては、例え
ば、
【0052】
【化32】
【0053】
【化33】
【0054】
【化34】
【0055】
【化35】
【0056】
【化36】
【0057】等が挙げられ、一般式[1]-2の具体例と
しては、例えば、
【0058】
【化37】
【0059】
【化38】
【0060】
【化39】
【0061】
【化40】
【0062】等が挙げられ、一般式[1]-3の具体例と
しては、例えば、
【0063】
【化41】
【0064】
【化42】
【0065】等が挙げられ、一般式[1]-4の具体例と
しては、例えば、
【0066】
【化43】
【0067】
【化44】
【0068】等が挙げられる。
【0069】本発明の一般式[1]で示されるモノマー
は、例えば一般式[5]
【0070】
【化45】
【0071】(式中、R1,R2,R5,R6,R7及びZ
は前記と同じ。)で示される化合物とオルトカルボン酸
エステル類及び要すればアルコール類とを要すれば適当
な溶媒中、酸触媒の存在下で反応させることにより得る
ことができる。
【0072】このオルトカルボン酸エステル類として
は、例えばオルトぎ酸トリメチル、オルトぎ酸トリエチ
ル、オルト酢酸トリメチル、オルト酢酸トリエチル等が
挙げられる。オルトカルボン酸エステル類の使用量は、
一般式[5]で示される化合物に対して通常1〜30倍モ
ル、好ましくは3〜10倍モルである。
【0073】アルコール類としては、例えば炭素数1〜
12、好ましくは炭素数1〜8のアルコール類が挙げら
れ、具体的にはメタノール,エタノール,n-プロパノ
ール,イソプロパノール,n-ブタノール,イソブタノ
ール,tert-ブタノール,sec-ブタノール,n-ペンタノ
ール,イソペンタノール,ネオペンタノール,tert-ペ
ンタノール,3,3-ジメチルブタノール,1,1-ジメチルブ
タノール,1-メチルペンタノール,n-ヘキサノール,
イソヘキサノール,n-ヘプタノール,イソヘプタノー
ル,n-オクタノール,イソオクタノール,2-エチルヘ
キサノール等の飽和アルコール類、アリルアルコール,
3-ブテン-1-オール,3-ブテン-2-オール,クロチルアル
コール,2-メチル-2-プロペン-1-オール,2-メチル-3-
ブテン-1-オール,4-ペンテン-1-オール,4-ペンテン-2
-オール,3-ペンテン-2-オール,1-ヘキセ ン-3-オー
ル,3-ヘキセン-1-オール,3-メチル-1-ペンテン-3-オ
ール,1-ヘプテン-3-オール,1-オクテン-3-オール,6-
メチル-5-ヘプテン-2-オール等の不飽和アルコール類が
挙げられる。アルコール類の使用量は、一般式[5]で
示される化合物に対して通常1〜30倍モル、好ましくは
1〜10倍モルである。
【0074】酸触媒としては、例えばカンファースルホ
ン酸,p-トルエンスルホン酸,p-トルエンスルホン酸
ピリジニウム,シュウ酸,塩化ピリジニウム等の有機酸
(或いはその塩)、例えば塩酸,硫酸,硝酸等の無機
酸、例えば塩化アルミニウム,三ふっ化ホウ素ジエチル
エーテル錯体(BF3・Et20)等のルイス酸等が挙げ
られる。酸触媒の使用量は、一般式[5]で示される化
合物に対して通常0.1〜20モル%、好ましくは1〜10モ
ル%となる量である。
【0075】必要に応じて用いられる反応溶媒として
は、例えばトルエン,キシレン,ベンゼン,シクロヘキ
サン,n-ヘキサン,n-オクタン等の炭化水素類、例え
ば塩化メチレン,ジクロロエタン,トリクロロエチレン
等のハロゲン化炭化水素類、例えば酢酸メチル,酢酸エ
チル,酢酸n-ブチル,プロピオン酸メチル等のエステ
ル類、例えばメタノール,エタノール,n-プロパノー
ル,イソプロパノール,n-ブタノール,イソブタノー
ル,tert-ブタノール等のアルコール類、例えばジメチ
ルエーテル,ジエチルエーテル,ジイソプロピルエーテ
ル,ジメトキシエタン,テトラヒドロフラン,ジオキサ
ン等のエーテル類、N-メチルピロリドン、N,N-ジメチ
ルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、ジメチル
スルホキシド等が挙げられる。これらは夫々単独で用い
ても、二種以上組み合わせて用いてもよい。
【0076】反応温度は、通常0〜150℃、好ましくは2
0〜80℃である。反応時間は、反応させる化合物の種類
や濃度等により異なるが、通常0.5〜10時間である。
【0077】また、本発明の一般式[1]で示されるモ
ノマーは、例えば前記一般式[5]で示される化合物と
ジオール類とを、要すれば適当な溶媒中、酸触媒の存在
下で反応させることによっても得られる。
【0078】このジオール類としては、例えばエチレン
グリコール、プロピレングリコール、2,2-ジメチルプロ
パンジオール、1,3-ブタンジオール、1,4-ブタンジオー
ル、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、
ネオペンチルグリコール、1,6-ヘキサンジオール、2,2,
4-トリメチル-1,6-ヘキサンジオール、トリエチレング
リコール等が挙げられる。ジオール類の使用量は、一般
式[5]で示される化合物に対して通常1〜20倍モル、
好ましくは3〜10倍モルである。
【0079】酸触媒としては、例えばカンファースルホ
ン酸,p-トルエンスルホン酸,p-トルエンスルホン酸
ピリジニウム,シュウ酸,塩化ピリジニウム等の有機酸
(或いはその塩)、例えば塩酸,硫酸,硝酸等の無機
酸、例えば塩化アルミニウム,三ふっ化ホウ素ジエチル
エーテル錯体(BF3・Et20)等のルイス酸等が挙げ
られる。酸触媒の使用量は、一般式[5]で示される化
合物に対して通常0.1〜20モル%、好ましくは1〜10モ
ル%となる量である。
【0080】必要に応じて用いられる反応溶媒として
は、例えばトルエン,キシレン,ベンゼン,シクロヘキ
サン,n-ヘキサン,n-オクタン等の炭化水素類、例え
ば塩化メチレン,ジクロロエタン,トリクロロエチレン
等のハロゲン化炭化水素類、例えば酢酸メチル,酢酸エ
チル,酢酸n-ブチル,プロピオン酸メチル等のエステ
ル類、例えばジメチルエーテル,ジエチルエーテル,ジ
イソプロピルエーテル,ジメトキシエタン,テトラヒド
ロフラン,ジオキサン等のエーテル類、N-メチルピロ
リドン、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセ
トアミド、ジメチルスルホキシド等が挙げられる。これ
らは夫々単独で用いても、二種以上組み合わせて用いて
もよい。尚、これら反応溶媒は、水と共沸混合物を形成
し、反応系から水を除去できる溶媒が好ましい。
【0081】反応温度は、通常0〜150℃、好ましくは2
0〜130℃である。反応時間は、反応させる化合物等の種
類や濃度等により異なるが、通常0.5〜48時間である。
【0082】上述した何れの方法に於いても、得られた
一般式[1]で示されるモノマーは精製及び/又は単離
することなく、そのまま重合反応に付してもよく(即
ち、未反応の、一般式[5]で示される化合物が共存し
ている状態であってもよい。)、また一旦抽出、再結晶
等の任意の操作で精製及び/又は単離した後、次の反応
に付してもよい。上記以外の反応の操作及び後処理等
は、通常行われる同種反応のそれに準じて行えばよい。
尚、一般式[5]で示される化合物は、市販品を用いて
も或いは常法により製造したものを用いてもよい。
【0083】また、本発明に於けるアルキルシリル基を
有するモノマーは、上記何れかの製造法により得られた
本発明のモノマーとアルキルシリルハライドとを、要す
れば適当な溶媒中、塩基性触媒の存在下で反応させるこ
とにより得ることができる。
【0084】アルキルシリルハライドとしては、例えば
クロロトリメチルシラン、クロロトリエチルシラン、ク
ロロジメチルエチルシラン、クロロトリプロピルシラ
ン、クロロトリイソプロピルシラン、クロロトリブチル
シラン、クロロトリヘキシルシラン、ブチルクロロジメ
チルシラン等が挙げられる。アルキルシリルハライドの
使用量は、一般式[5]で示される化合物に対して通常
1〜20倍モル、好ましくは1〜5倍モルである。
【0085】塩基性触媒としては、例えばトリエチルア
ミン、ジイソプロピルエチルアミン、N,N-ジメチルアニ
リン、ピペリジン、ピリジン、4-ジメチルアミノピリジ
ン、1,5-ジアザビシクロ[4.3.0]ノナ-5-エン、1,8-ジア
ザビシクロ[5.4.0]ウンデカ-7-エン、トリ-n-ブチルア
ミン、N-メチルモルホリン等の有機アミン類、例えば
水素化ナトリウム等の金属水素化物類、例えばn-ブチ
ルリチウム、tert-ブチルリチウム等の塩基性アルカリ
金属化合物類等が挙げられる。塩基性触媒の使用量は、
一般式[5]で示される化合物に対して通常0.1〜20倍
モル、好ましくは1〜5倍モルである。
【0086】必要に応じて用いられる反応溶媒として
は、例えばトルエン、キシレン、ベンゼン、シクロヘキ
サン、n-ヘキサン、n-オクタン等の炭化水素類、例え
ば塩化メチレン、ジクロロエタン、トリクロロエチレン
等のハロゲン化炭化水素類、例えば酢酸メチル、酢酸エ
チル、酢酸n-ブチル、プロピオン酸メチル等のエステ
ル類、例えばジメチルエーテル、ジエチルエーテル、ジ
イソプロピルエーテル、ジメトキシエタン、テトラヒド
ロフラン、ジオキサン等のエーテル類、N-メチルピロ
リドン、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセ
トアミド、ジメチルスルホキシド等が挙げられる。これ
らは夫々単独で用いても、二種以上組み合わせて用いて
もよい。
【0087】反応温度は、通常0〜150℃、好ましくは2
0〜80℃である。反応時間は、反応させる一般式[5]
で示される化合物等の種類や濃度等の反応条件により異
なるが、通常0.5〜48時間である。
【0088】得られた一般式[1]で示されるモノマー
は、精製及び/又は単離することなくそのまま重合反応
に付してもよく(即ち、未反応の、一般式[5]で示さ
れる化合物が共存している状態であってもよい。)、ま
た一旦抽出、再結晶等の任意の操作で精製及び/又は単
離した後、次の反応に付してもよい。上記以外の反応の
操作及び後処理等は、通常行われる同種反応のそれに準
じて行えばよい。
【0089】本発明に係る前記一般式[1a]で示され
るモノマー単位を構成単位として含んで成る本発明のポ
リマーとしては、一般式[1a]で示されるモノマー単
位を構成単位として成るホモポリマー、一般式[1a]
で示されるモノマー単位2種以上を構成単位として成る
コポリマー、一般式[1a]で示されるモノマー単位1
種以上と一般式[1b]
【0090】
【化46】
【0091】(式中、R5'、R6'、R7'及びZ’は夫々
一般式[1a]に於けるR5,R6,R7及びZの定義と
同意義を有し、R’はヒドロキシアルキル基を示す。)
で示されるモノマー単位1種以上とを構成単位として含
んで成るコポリマー、及び一般式[1a]で示されるモ
ノマー単位1種以上と一般式[6a]
【0092】
【化47】
【0093】(式中、R9は水素原子、低級アルキル基
又はハロゲン原子を表し、R10は水素原子、低級アルキ
ル基、ハロゲン原子、カルボキシル基、アルキルオキシ
カルボニル基又はホルミル基を表し、R11は水素原子、
低級アルキル基、カルボキシル基、アルキルオキシカル
ボニル基又はハロゲン原子を表し、R12は二重結合を有
していてもよいアルキレン基又は結合手を表し、R13は
水素原子、アルキル基、ハロアルキル基、アリール基、
脂肪族ヘテロ環基、芳香族ヘテロ環基、ハロゲン原子、
アルキルオキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボ
ニル基、ヒドロキシアルキルオキシカルボニル基、アリ
ールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、シアノ基、
カルボキシル基、ホルミル基、アミノ基、スルホン酸
基、カルバモイル基又はヒドロキシル基を表す。尚、R
10とR13とが結合して−CO−O−CO−又は−CO−
NH−CO−を形成していてもよい。)で示されるモノ
マー単位1種以上とを構成単位として含んで成るポリマ
ー等が挙げられる。
【0094】一般式[1b]に於いて、R’で示される
ヒドロキシアルキル基としては、例えば下記一般式[2
a]で示されるものが挙げられる。
【0095】
【化48】
【0096】(式中、R1'、R2'は夫々R1,R2に於け
る定義と同意義を有する。)
【0097】R1'、R2'、R5'、R6'、R7'及びZ’の
具体例としては、夫々前記したR1、R2、R5、R6、R
7及びZに於けるそれと同様なものが挙げられる。
【0098】一般式[6a]に於いて、R9,R10及び
R11で示される低級アルキル基としては、直鎖状でも分
枝状でもよく、例えば炭素数1〜6のアルキル基が挙げ
られ、具体的にはメチル基、エチル基、n-プロピル
基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、ter
t-ブチル基、sec-ブチル基、ペンチル基、イソペンチル
基、ネオペンチル基、tert-ペンチル基、3,3-ジメチル
ブチル基、1,1-ジメチルブチル基、1-メチルペンチル
基、n-ヘキシル基、イソヘキシル基等が挙げられる。
R9,R10,R11及びR13で示されるハロゲン原子と
しては、フッ素、塩素、臭素、沃素等が挙げられる。
【0099】R10,R11及びR13で示されるアルキルオ
キシカルボニル基としては、直鎖状でも分枝状でも或い
は環状でもよく、また、1〜3個の二重結合を有してい
てもよく、例えば炭素数2〜19のアルキルオキシカル
ボニル基が挙げられ、また、環状の場合の環は、単環で
も多環でもよく、例えば炭素数6〜14のものが挙げられ
る。アルキルオキシカルボニル基の具体例としては、メ
チルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、
プロピルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル
基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘキシルオキシカル
ボニル基、ヘプチルオキシカルボニル基、オクチルオキ
シカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基、オクタ
デシルオキシカルボニル基、エテニルオキシカルボニル
基、プロペニルオキシカルボニル基、ブテニルオキシカ
ルボニル基、tert-ブチルオキシカルボニル基、2-エチ
ルヘキシルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシ
カルボニル基、トリシクロデカニルオキシカルボニル
基、アダマンチルオキシカルボニル基、ノルボルニルオ
キシカルボニル基、ビシクロ[3.2.1]オクテニルオキシ
カルボニル基、ビシクロ[2.2.2]オクチルオキシカルボ
ニル基、メンチルオキシカルボニル基、イソボルニルオ
キシカルボニル基等が挙げられる。
【0100】R13で示されるアルキル基としては、直鎖
状でも分枝状でも或いは環状でもよく、また、二重結合
を有していてもよく、例えば炭素数1〜20のアルキル
基が挙げられ、具体的にはメチル基、エチル基、n-プ
ロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル
基、tert-ブチル基、sec-ブチル基、ペンチル基、イソ
ペンチル基、ネオペンチル基、tert-ペンチル基、3,3-
ジメチルブチル基、1,1-ジメチルブチル基、1-メチルペ
ンチル基、n-ヘキシル基、イソヘキシル基、ヘプチル
基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、
ドデシル基、ヘキサデシル基、オクタデシル基、シクロ
プロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、エ
テニル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、
ヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基等が挙げら
れる。また、ハロアルキル基としては、例えば上記アル
キル基がハロゲン化(例えばフッ素化、塩素化、臭素
化、沃素化等。)された炭素数1〜20のハロアルキル
基が挙げられ、具体的にはクロロメチル基、ブロモメチ
ル基、トリフルオロメチル基、2-クロロエチル基、3-ク
ロロプロピル基、3-ブロモプロピル基、3,3,3-トリフル
オロプロピル基、2-パーフルオロオクチルエチル基、パ
ーフルオロオクチル基、1-クロロデシル基、1-クロロオ
クタデシル基等が挙げられる。
【0101】アリール基としては、例えばフェニル基、
トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、4-
エチルフェニル基、4-メトキシフェニル基、4-ビニルフ
ェニル基、4-クロロフェニル基等が挙げられる。脂肪族
ヘテロ環基としては、例えば5員環又は6員環の脂肪族
ヘテロ環基が好ましく、異性原子として1〜3個の例え
ば窒素原子、酸素原子、硫黄原子等のヘテロ原子を含ん
でいるものが挙げられ、その具体例としては、例えばピ
ロリジル-2-オン基、ピペリジノ基、モルホリノ基等が
挙げられる。芳香族ヘテロ環基としては、例えば5員環
又は6員環の芳香族ヘテロ環基が好ましく、異性原子と
して1〜3個の例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子等
のヘテロ原子を含んでいるものが挙げられ、その具体例
としては、例えばピリジル基、イミダゾリル基、チアゾ
リル基、フラニル基、ピラニル基等が挙げられる。
【0102】アラルキルオキシカルボニル基としては、
例えば炭素数8〜20のアラルキルオキシカルボニル基
が挙げられ、具体的にはベンジルオキシカルボニル基、
フェネチルオキシカルボニル基等が挙げられる。アシル
オキシ基としては、カルボン酸由来の例えば炭素数2〜
18のアシルオキシ基が好ましく、具体的にはアセチル
オキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、
ペンタノイルオキシ基、ヘキサノイルオキシ基、ヘプタ
ノイルオキシ基、オクタノイルオキシ基、ラウロイルオ
キシ基、ステアロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基等
が挙げられる。
【0103】ヒドロキシアルキルオキシカルボニル基と
しては、上記したアルキルオキシカルボニル基の水素原
子がヒドロキシル基に置換された炭素数2〜18のヒド
ロキシアルキルオキシカルボニル基が挙げられ、具体的
にはヒドロキシメチルオキシカルボニル基、ヒドロキシ
エチルオキシカルボニル基、ヒドロキシプロピルオキシ
カルボニル基、ヒドロキシブチルオキシカルボニル基、
ヒドロキシペンチルオキシカルボニル基、ヒドロキシヘ
キシルオキシカルボニル基、ヒドロキシヘプチルオキシ
カルボニル基、ヒドロキシオクチルオキシカルボニル
基、ヒドロキシドデシルオキシカルボニル基、ヒドロキ
シオクタデシルオキシカルボニル基等が挙げられる。ア
リールオキシカルボニル基としては、例えば炭素数7〜
15のアリールオキシカルボニル基が好ましく、具体的
にはフェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカル
ボニル基等が挙げられる。
【0104】R12で示される二重結合を有していてもよ
いアルキレン基としては、直鎖状でも分枝状でもよく、
例えば炭素数1〜10のアルキレン基が挙げられ、ま
た、二重結合を有している場合は、該アルキレン基の鎖
中の任意の位置に二重結合を1個以上、好ましくは1〜
5個、より好ましくは1〜3個有しているものが挙げら
れ、具体的にはメチレン基、エチレン基、プロピレン
基、ブチレン基、2-メチルプロピレン基、ペンチレン
基、2,2-ジメチルプロピレン基、2-エチルプロピレン
基、ヘキシレン基、ヘプチレン基、オクチレン基、2-エ
チルヘキシレン基、ノニレン基、デシレン基、エテニレ
ン基、プロペニレン基、ブテニレン基、ペンテニレン
基、ヘキセニレン基、ブタジエニレン基等が挙げられ
る。
【0105】一般式[6a]で示されるモノマー単位
は、一般式[6]
【0106】
【化49】
【0107】(式中、R9〜R13は前記に同じ。)で示
されるモノマーから誘導されるものである。該モノマー
の具体例としては、例えばスチレン,4-メチルスチレ
ン,4-エチルスチレン,4-メトキシスチレン,ジビニル
ベンゼン等の炭素数8〜20のエチレン性不飽和芳香族炭
化水素類、例えばギ酸ビニル,酢酸ビニル,プロピオン
酸ビニル,酢酸イソプロペニル等の炭素数3〜20のアル
ケニルエステル類、例えば塩化ビニル,塩化ビニリデ
ン,フッ化ビニリデン,テトラフルオロエチレン,テト
ラクロロエチレン等の炭素数2〜20の含ハロゲンエチレ
ン性不飽和化合物類、例えばアクリル酸,メタクリル
酸,イタコン酸,マレイン酸,フマル酸,クロトン酸,
シトラコン酸,メサコン酸,ビニル酢酸,アリル酢酸,
ビニル安息香酸等の炭素数3〜20のエチレン性不飽和カ
ルボン酸類(これら酸類は、例えばナトリウム,カリウ
ム等のアルカリ金属塩やアンモニウム塩等、塩の形にな
っているものでもよい。)、例えばメタクリル酸メチ
ル,メタクリル酸エチル,メタクリル酸プロピル,メタ
クリル酸ブチル,メタクリル酸2-エチルヘキシル,メタ
クリル酸ラウリル,メタクリル酸ステアリル,メタクリ
ル酸ビニル,メタクリル酸アリル,メタクリル酸フェニ
ル,メタクリル酸ベンジル,メタクリル酸アダマンチ
ル,メタクリル酸トリシクロデカニル,メタクリル酸メ
ンチル,メタクリル酸ノルボルニル,メタクリル酸イソ
ボルニル,アクリル酸メチル,アクリル酸エチル,アク
リル酸ブチル,アクリル酸2-エチルヘキシル,アクリル
酸ラウリル,アクリル酸ステアリル,アクリル酸ビニ
ル,アクリル酸アダマンチル,アクリル酸トリシクロデ
カニル,アクリル酸メンチル,アクリル酸ノルボルニ
ル,アクリル酸イソボルニル,イタコン酸ジメチル,イ
タコン酸ジエチル,マレイン酸ジメチル,マレイン酸ジ
エチル,フマル酸ジメチル,フマル酸ジエチル,クロト
ン酸メチル,クロトン酸エチル,クロトン酸ビニル,シ
トラコン酸ジメチル,シトラコン酸ジエチル,メサコン
酸ジメチル,メサコン酸ジエチル,3-ブテン酸メチル,
メタクリル酸2-ヒドロキシエチル,メタクリル酸3-ヒド
ロキシプロピル,メタクリル酸2-ヒドロキシプロピル,
アクリル酸2-ヒドロキシエチル,アクリル酸3-ヒドロキ
シプロピル,アクリル酸2-ヒドロキシプロピル等の炭素
数4〜20のエチレン性不飽和カルボン酸エステル類、例
えばアクリロニトリル,メタクリロニトリル,シアン化
アリル等の炭素数3〜20の含シアノエチレン性不飽和化
合物類、例えばアクリルアミド,メタクリルアミド,マ
レイミド等の炭素数3〜20のエチレン性不飽和アミド化
合物類、例えばアクロレイン,クロトンアルデヒド等の
炭素数3〜20のエチレン性不飽和アルデヒド類、例えば
ビニルスルホン酸,4-ビニルベンゼンスルホン酸等の炭
素数2〜20のエチレン性不飽和スルホン酸類(これら酸
類は、例えばナトリウム,カリウム等のアルカリ金属塩
等、塩の形になっているものでもよい。)、例えばビニ
ルアミン,アリルアミン等の炭素数2〜20のエチレン性
不飽和脂肪族アミン類、例えばビニルアニリン等の炭素
数8〜20のエチレン性不飽和芳香族アミン類、例えばN
-ビニルピロリドン,ビニルピペリジン等の炭素数5〜2
0のエチレン性不飽和脂肪族ヘテロ環状アミン類、例え
ばビニルピリジン,1-ビニルイミダゾール等の炭素数5
〜20のエチレン性不飽和芳香族ヘテロ環状アミン類、例
えばアリルアルコール,クロチルアルコール等の炭素数
3〜20のエチレン性不飽和アルコール類、例えば4-ビニ
ルフェノール等の炭素数8〜20のエチレン性不飽和フェ
ノール類、例えばブタジエン,イソプレン等の炭素数4
〜20のジエン系化合物類等が挙げられる。
【0108】尚、本発明のポリマーをレジスト材料とし
て使用する場合、一般式[1a]と一般式[1b]とを
構成単位として成るコポリマーであって、一般式[1
b]で示されるその他のモノマー単位のR5'、R6'、R
7'及びZ’が夫々一般式[1a]に於けるR5,R6,R
7及びZと同じである2元コポリマー、及び一般式[1
a]、[1b]及び[6a]を構成単位として成るコポ
リマーであって、一般式[1b]で示されるその他のモ
ノマー単位のR5'、R6'、R7'及びZ’が夫々一般式
[1a]に於けるR5,R6,R7及びZと同じであり、
且つ一般式[6a]で示されるモノマー単位1種又は2
種を含む3元又は4元のコポリマーが特に好ましい。
【0109】尚、本発明のポリマーをArF用レジスト
材料として用いる場合には、本発明のモノマーと組み合
わせて重合する本発明のモノマー以外のモノマーは芳香
族基を含まないものが好ましい。本発明のポリマーの具
体例としては、例えば下記に示すセグメントの組み合わ
せを有するポリマー等が挙げられる。
【0110】
【化50】
【0111】
【化51】
【0112】
【化52】
【0113】
【化53】
【0114】
【化54】
【0115】
【化55】
【0116】
【化56】
【0117】
【化57】
【0118】
【化58】
【0119】
【化59】
【0120】
【化60】
【0121】
【化61】
【0122】
【化62】
【0123】
【化63】
【0124】
【化64】
【0125】本発明のポリマーは、例えば下記(a)及
び(b)に示す何れかの方法によりに得ることができ
る。
【0126】(a)方法−1 本発明のモノマーと、要すればその他のモノマーとを適
当な溶媒中、触媒量のラジカル重合開始剤の存在下、要
すれば不活性ガス雰囲気下で、20〜150℃で0.5〜20時間
常法に従って重合反応を行う。反応後は高分子取得法の
常法に従って後処理を行うことにより、一般式[1a]
で示されるモノマー単位を構成単位として含んで成る目
的のポリマーを得ることができる。
【0127】ラジカル重合開始剤としては、例えばアゾ
ビスイソブチロニトリル,2,2'-アゾビス(2,4-ジメチル
バレロニトリル),2,2'-アゾビス(2-メチルプロピオン
酸メチル),2,2'-アゾビス(2-メチルブチロニトリル),
2,2'-アゾビス(2,4-ジメチル-4-メトキシバレロニトリ
ル)等のアゾ系重合開始剤、例えばラウロイルパーオキ
シド,ベンゾイルパーオキシド,ビス(4-tert-ブチルシ
クロヘキシル)パーオキシジカーボネート,tert-ブチル
パーオキシ-2-エチルヘキサノエート等の過酸化物系重
合開始剤等が挙げられる。
【0128】反応溶媒としては、例えばベンゼン,トル
エン,キシレン等の炭化水素類、例えば酢酸エチル,酢
酸n-ブチル等のエステル類、例えばエチルエーテル,
1,2-ジメトキシエタン,テトラヒドロフラン,1,4-ジオ
キサン,1,3-ジオキソラン等のエーテル類、例えばエタ
ノール,n-プロパノール,イソプロパノール,n-ブタノ
ール,sec-ブタノール,イソブタノール,tert-ブタノ
ール等のアルコール類、例えばメチルエチルケトン,メ
チルイソブチルケトン等のケトン類等の有機溶剤が挙げ
られる。また、重合反応を不活性ガス雰囲気下で行う場
合に用いられる、不活性ガスとしては、例えば窒素ガ
ス、アルゴンガス等が挙げられる。
【0129】(b)方法−2 本発明のモノマーと要すればその他のモノマーとを適当
な有機溶剤中、触媒量の有機金属触媒の存在下、要すれ
ば不活性ガス雰囲気下で、−78〜0℃で0.5〜20時間常
法に従って重合反応を行う。反応後は高分子取得法の常
法に従って後処理を行うことにより、一般式[1a]で
示されるモノマー単位を構成単位として含んで成る目的
のポリマーを得ることができる。
【0130】有機金属触媒としては、例えばn-ブチルリ
チウム,sec-ブチルリチウム,tert-ブチルリチウム,
ナフタレンナトリウム,ナフタレンカリウム,クミルカ
リウム等の有機アルカリ金属化合物等が挙げられる。
【0131】有機溶剤としては、例えばエチルエーテ
ル,1,2-ジメトキシエタン,テトラヒドロフラン,1,4-
ジオキサン,1,3-ジオキソラン等のエーテル類、例えば
メチルエチルケトン,メチルイソブチルケトン,アセト
ン等のケトン類、例えば酢酸エチル,酢酸n-ブチル等
のエステル類、例えばベンゼン,トルエン,キシレン等
の炭化水素類等が挙げられ、これら有機溶剤は乾燥した
ものを用いることが好ましい。また、重合反応を不活性
ガス雰囲気下で行う場合に用いられる、不活性ガスとし
ては、例えば窒素ガス、アルゴンガス等が挙げられる。
【0132】本発明のモノマー及びその他のモノマーの
重合反応時の濃度は、方法−1及び方法−2何れの場合
も、両者の合計が、溶媒に対して通常5〜95重量%、好
ましくは10〜90重量%である。
【0133】本発明に係る、一般式[1a]で示される
モノマー単位を構成単位として含んで成るポリマーの分
子量は、特に限定されないが、重量平均分子量として通
常1,000〜300,000、好ましくは3,000〜50,000、より好
ましくは5,000〜30,000のものが挙げられる。また、そ
の重合度は、特に限定されないが通常3〜1500、好まし
くは6〜250である。
【0134】本発明のモノマーとその他のモノマーとを
重合反応させることにより得られる本発明のポリマーに
於いて、本発明の一般式[1a]で示されるモノマー単
位とその他のモノマー単位との構成比は、特に限定され
るものではないが、得られたポリマーをレジスト材料と
して使用する場合には、一般式[1a]及び[1b]で
示されるモノマー単位1種ずつから成る2元コポリマー
では、一般式[1a]で示されるモノマー単位の占める
割合が10〜95モル%好ましくは20〜80モル%で
あり、一般式[1a]、[1b]及び[6a]で示され
るモノマー単位各1種以上から成る3元又は4元のコポ
リマーでは、一般式[1a]で示されるモノマー単位と
一般式[6a]で示されるモノマー単位との合計が全体
の10〜95モル%、好ましくは20〜70モル%であ
り、且つ一般式[6a]で示されるモノマー単位の占め
る割合が全体の1〜25モル%、好ましくは2〜20モ
ル%である。
【0135】このようにして得られた本発明のポリマー
は、分子内に例えば一般式[2]又は[3]で示される
保護されたヒドロキシアルキル基を有することが特徴で
ある。
【0136】即ち、本発明のポリマーをレジスト材料と
して用いた場合には、該ポリマー中の一般式[2]又は
[3]で示される、保護されたヒドロキシアルキル基の
保護基が、露光により発生した酸によって脱保護される
ことにより、従来用いられてきたノボラック樹脂やフェ
ノール樹脂の可溶性基であるフェノール性水酸基と同等
のpKa(12〜13)を示す基となる。従って、一般式
[2]又は[3]で示される、保護されたヒドロキシア
ルキル基を有する本発明のポリマーを使用することによ
り、露光後の現像処理に於いて既存のアルカリ現像液で
ある2.38%TMAH水溶液が使用することができ、アル
カリ現像時における溶解速度の制御が容易で、且つ溶解
特性の優れたレジスト材料を提供することが可能となっ
た。
【0137】前記本発明のポリマーと、露光により酸を
発生する感光性化合物と、これらを溶解することができ
る溶剤とを含んで成るレジスト組成物は次世代露光技術
として有力なArFエキシマレーザ用レジスト材料とし
て極めて有効である。
【0138】本発明のポリマーをレジスト組成物として
用いる場合に、これと組み合わせて用いる露光により酸
を発生する感光性化合物(以下、酸発生剤と略記す
る。)としては、レジストパターン形成に悪影響を及ぼ
さないものであればよいが、中でも193nm付近の光透過
性が良好でレジスト組成物の高透明性を維持出来るか、
又は露光により193nm付近の光透過性が高められレジス
ト組成物の高透明性を維持出来る酸発生剤がより好まし
い。
【0139】この様な本発明に於いて特に好ましい酸発
生剤としては、例えば市販のトリメチルスルホニウム・
トリフルオロメタンスルホネート,トリフェニルスルホ
ニウム・トリフルオロメタンスルホネート,シクロヘキ
シルメチル(2-オキソシクロヘキシル)スルホニウム・ト
リフルオロメタンスルホネート,シクロペンチルメチル
(2-オキソシクロヘキシル)スルホニウム・トリフルオロ
メタンスルホネート,2-オキソシクロヘキシルメチル(2
-ノルボルニル)スルホニウム・トリフルオロメタンスル
ホネート等のスルホニウム塩類、トリフルオロメチルス
ルホニルオキシ-7-オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エ
ン-2,3-ジカルボキシイミド,トリフルオロメチルスル
ホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-カル
ボキシイミド,トリフルオロメチルスルホニルオキシス
クシンイミド等のスルホン酸イミド化合物類、1-シクロ
ヘキシルスルホニル-1-(1,1-ジメチルエチルスルホニ
ル)ジアゾメタン,ビス(1,1-ジメチルエチルスルホニ
ル)ジアゾメタン,ビス(1-メチルエチルスルホニル)ジ
アゾメタン,ビス(シクロヘキシルスルホニル)ジアゾメ
タン,ビス(イソプロピルスルホニル)ジアゾメタン,ビ
ス(tert-ブチルスルホニル)ジアゾメタン,tert-ブチル
スルホニルメチルスルホニルジアゾメタン,シクロヘキ
シルスルホニルエチルスルホニルジアゾメタン等のジア
ゾジスルホン化合物類等が挙げられる。
【0140】また、本発明のポリマーをレジスト組成物
として使用する場合に用いられる溶剤としては、本発明
のポリマーと酸発生剤とを溶解可能なものであればよい
が、通常は成膜性が良好で、且つ190〜400nm付近に吸収
を有しないものがより好ましく挙げられる。具体的には
メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテ
ート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテ
ート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテ
ート、乳酸メチル、乳酸エチル、酢酸2-エトキシエチ
ル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、3-メトキシ
プロピオン酸メチル、3-メトキシプロピオン酸エチル、
N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミ
ド、N-メチル-2-ピロリドン、シクロヘキサノン、メチ
ルエチルケトン、2-ヘプタノン、1,4-ジオキサン、ジエ
チレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリ
コールジメチルエーテル、エチレングリコールモノイソ
プロピルエーテル等が挙げられる。
【0141】本発明のポリマーを含んで成るレジスト組
成物は、通常前記の3成分(本発明のポリマー、酸発生
剤及び溶剤)を主たる構成成分とするが、必要に応じて
紫外線吸収剤を添加してもよい。紫外線吸収剤の具体例
としては、9-ジアゾフルオレン及びその誘導体、1-ジア
ゾ-2-テトラロン、2-ジアゾ-1-テトラロン、9-ジアゾ-1
0-フェナントロン、ベンゾフェノン、9-(2-メトキシエ
トキシ)メチルアントラセン、9-(2-エトキシエトキシ)
メチルアントラセン、9-(4-メトキシブトキシ)メチルア
ントラセン、酢酸9-アントラセンメチル等が挙げられ
る。
【0142】更にまた、通常この分野で使用される感度
調製剤、可塑剤、有機酸及び界面活性剤等を必要に応じ
1種以上本発明のポリマーを含んで成るレジスト組成物
に添加してもよい。感度調整剤としては、例えば、ポリ
ビニルピリジン、ポリ(ビニルピリジン/メタクリル酸
メチル)、ピリジン、ピペリジン、トリエチルアミン、
トリ-n-プロピルアミン、トリ-n-ブチルアミン、トリオ
クチルアミン、トリベンジルアミン、ジシクロヘキシル
アミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、テトラメチル
アンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウム
ヒドロキシド、テトラ-n-ブチルアンモニウムヒドロキ
シド、N-メチル-2-ピロリドン等が挙げられる。
【0143】可塑剤としては、例えば、フタル酸ジエチ
ル、フタル酸ジブチル、フタル酸ジプロピル等が挙げら
れる。有機酸としては、例えば、サリチル酸、乳酸、2-
ヒドロキシナフタレン-3-カルボン酸、2-ニトロ安息香
酸、フタル酸、コハク酸、マロン酸等が挙げられる。
【0144】界面活性剤としては、例えば、市販の各種
ノニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤、アニオ
ン系界面活性剤や各種フッ素系界面活性剤{例えば、フ
ロラード(住友3M(株)商品名)、エフトップ(トーケ
ムプロダクツ(株)商品名)、サーフロン(旭硝子(株)商
品名)、フタージェント(ネオス(株)商品名)、メガフ
ァック(大日本インキ(株)商品名)、ユニダイン(ダイ
キン工業(株)商品名)等の商品名で市販されている。}
等が挙げられる。
【0145】本発明のポリマーを含むレジスト組成物を
用いたパターン形成は、例えば以下のように行われる。
即ち、本発明のポリマーを含んで成るレジスト組成物
を、例えばシリコンウェハー等の半導体基板上に厚みが
0.3〜2.0μm程度となるように塗布(3層の上層として
用いる場合には0.1〜0.5μm程度)し、これをオーブン
中、70〜130℃で10〜30分間、若しくはホットプレート
上、60〜150℃、好ましくは60〜110℃で60〜180秒間プ
リベークする。
【0146】次いで、目的のパターンを形成するための
マスクを上記の如くして得たレジスト膜上にかざし、例
えば220nm以下の遠紫外光を露光量1〜100mJ/cm2程度
となるように照射した後、ホットプレート上で60〜150
℃、好ましくは60〜110℃で60〜180秒間ベークする。更
に、0.1〜5%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド
(TMAH)水溶液等の現像液を用い、0.5〜3分程度、浸
漬(dip)法、パドル(puddle)法、スプレー(spray)
法等の常法により現像する。この一連の操作により、基
板上に目的のパターンを形成することができる。
【0147】レジスト組成物に於ける、本発明のポリマ
ーと酸発生剤との混合比は、ポリマー100重量部に対し
て酸発生剤が1〜30重量部、好ましくは1〜20重量部で
ある。 また、本発明に係るレジスト組成物中の溶剤の
量は、本発明のポリマーと酸発生剤とを溶解した結果得
られるポジ型レジスト材料を基板上に塗布する際に支障
をきたさない量であればよいが、ポリマー1重量に対し
て通常1〜20重量、好ましくは1.5〜10重量である。
【0148】上記した如き各種現像液を用いるパターン
形成方法に於いて用いられる現像液としては、レジスト
材料の溶解性に応じて、露光部と未露光部との溶解度差
を大きくさせ得る様な適当な濃度のアルカリ水溶液が挙
げられ、その濃度は通常0.01〜20%である。上記アルカ
リ水溶液としては、例えばテトラメチルアンモニウムヒ
ドロキシド(TMAH),テトラエチルアンモニウムヒドロ
キシド,テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド,テ
トラブチルアンモニウムヒドロキシド,コリン,トリエ
タノールアミン,モルホリン,1-メチルモルホリン等の
有機アミン類、例えば水酸化ナトリウム,水酸化カリウ
ム等の無機アルカリ化合物類等を含む水溶液が挙げられ
る。
【0149】また、半導体基板としては、例えばシリコ
ンウェハー、ポリシリコン、TiN基板、BPSG基板
等が挙げられる。尚、これら半導体基板は、ヘキサメチ
ルジシラザン(HMDS)等の基板処理剤で処理してお
くことが好ましい。
【0150】上述した如く本発明のポリマーを含んで成
るレジスト組成物は、該ポリマー中の一般式[2]又は
[3]で示される、保護されたヒドロキシアルキル基の
保護基が、露光により発生した酸によって脱保護される
ことによりβ−ケトエステル基となって、その互変異性
により、従来用いられてきたノボラック樹脂やフェノー
ル樹脂の可溶性基であるフェノール性水酸基と同等のp
Ka(12〜13)を有するエノール性水酸基を生成するの
で、露光後の現像処理に於いて既存のアルカリ現像液で
ある2.38%TMAH水溶液が使用することができ、アル
カリ現像時における溶解速度の制御が可能となった。即
ち、本発明のポリマーを含んで成るレジスト組成物を使
用することにより、良好なレジストパターンが得られる
ため、より集積度の高い半導体集積回路等の半導体装置
の製造が可能となるのである。
【0151】また、本発明のポリマーを含んで成るレジ
スト組成物は、遠紫外光、KrFエキシマレーザ光及び
電子線や軟X線照射でも酸が発生し、化学増幅作用され
る事が確認されている。従って、本発明のレジスト組成
物は化学増幅作用を利用して低露光量の遠紫外光、Kr
Fエキシマレーザ光及び電子線或いは軟X線照射法によ
ってもパターン形成可能なレジスト材料である。
【0152】本発明のポリマーを含んで成るレジスト材
料について具体例で説明すると、220nm以下の波長の遠
紫外線光、例えばArFエキシマレーザ光(λ=193n
m)等で露光された部位は、例えば下記[式1],[式
2],又は[式3]で示される光反応に従って酸が発生
する。
【0153】
【式1】
【0154】
【式2】
【0155】
【式3】
【0156】露光工程に続いて加熱処理すると下記[式
4]及び[式5]の反応に従って本発明に係るポリマー
の特定の官能基が酸により脱保護し、アルカリ可溶性と
なって現像の際、現像液に溶出してくる。
【0157】
【式4】
【0158】
【式5】
【0159】他方、未露光部は酸が発生しない為、加熱
処理しても化学変化は起こらない。このように本発明の
ポリマーを含んで成るレジスト組成物を用いてパターン
形成を行った場合には、露光部と未露光部との間でアル
カリ現像液に対して溶解度差を生じ、その結果、良好な
コントラストを有したポジ型のパターンが形成される。
【0160】以下に実施例及び応用例を挙げて本発明を
更に詳細に説明するが、本発明はこれ等により何等制約
を受けるものではない。尚、応用例で使用される酸発生
剤については、例えば特開平7-25846号公報,T.M.Chapm
an等、Synthesis,1971,591頁,T.M.Chapman等、J.Org,C
hem.,38巻、3908(1973).等に記載の方法で合成した。
【0161】
【実施例】
実施例1. 2-(メタクリロイルオキシ)エチル 3-メトキ
シ-2-ブタノエートの合成 2-(メタクリロイルオキシ)
エチルアセトアセテート 32.1g(150mmol)及びオルト
ぎ酸メチル 49ml(450mmol)を混合し、これにカンファ
ースルホン酸 1.74g(7.5mmol)を添加した後、室温で
5時間攪拌反応させた。反応終了後、反応液をトルエン
100mlで希釈した後、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液 5
0mlで2回、水50ml、飽和食塩水 50mlで順次洗浄し、無
水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧留去し、得
られた粗生成物をカラムクロマトグラフィ[充填剤:ワ
コーゲル C-200(和光純薬工業(株)商品名);溶離液:
n-ヘキサン/酢酸エチル=4/1]により精製して、目
的とする微黄色油状の2-(メタクリロイルオキシ)エチル
3-メトキシ-2-ブタノエート
【0162】
【化65】
【0163】13.7g(収率 40.0%)を得た。1 H-NMR δppm(CDCl3,270MHz):1.96(s,3H),
2.29(s,3H),3.64(s,3H),4.33-4.39(m,4H),5.0
4(s,1H),5.59(s,1H),6.14(s,1H)。
【0164】実施例2. 2-(メタクリロイルオキシ)エ
チル 3,3-エチレンジオキシブタノエートの合成 2-(メタクリロイルオキシ)エチル アセトアセテート 2
1.4g(100mmol)及びエチレングリコール 18.62g(30
0mmol)をトルエン 100ml に溶解し、これにp-トルエン
スルホン酸・1水和物 0.19g(1mmol)を投入して、分水
器で副生する水分を除去しながら、2時間還流反応させ
た。反応終了後、反応液を飽和重曹水 50ml、水 50ml×
2、飽和食塩水 50mlで順次洗浄し、無水硫酸マグネシウ
ムで乾燥した。溶媒留去後、得られた粗生成物をカラム
クロマトグラフィ[充填剤:ワコーゲルC-200(和光純
薬工業(株)商品名);溶離液:n-ヘキサン/酢酸エチル
=3/2]により精製して、目的とする微黄色油状の2-
(メタクリロイルオキシ)エチル3,3-エチレンジオキシブ
タノエート
【0165】
【化66】
【0166】19.44g(収率 75.3%)を得た。1 H-NMR δppm(CDCl3,270MHz):1.51(s,3H),
1.95(s,3H),2.71(s,2H),3.98(s,4H),4.36(s,
4H),5.59(s,1H),6.14(s,1H)。
【0167】実施例3. 2-(メタクリロイルオキシ)エ
チル 3,3-(2',2'-ジメチルプロピレンジオキシ)ブタ
ノエートの合成 2-(メタクリロイルオキシ)エチル アセトアセテート 2
1.4g(100mmol)及び2,2-ジメチルプロピレングリコー
ル 31.25g(300mmol)をトルエン 100ml に溶解し、こ
れにp-トルエンスルホン酸・1水和物 0.19g(1mmol)及
びフェノチアジン 0.5gを投入して、分水器で副生する
水分を除去しながら、2時間還流反応させた。反応終了
後、反応液を飽和重曹水 50ml、水 50ml×2、飽和食塩
水 50mlで順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し
た。溶媒留去後、得られた粗生成物を減圧蒸留して、目
的とする微黄色オイルの2-(メタクリロイルオキシ)エチ
ル 3,3-(2',2'-ジメチルプロピレンジオキシ)ブタノ
エート
【0168】
【化67】
【0169】20.69g(収率 68.9%)を得た。 沸点:151-156℃/4mmHg。1 H-NMR δppm(CDCl3,270MHz):0.94 ,0.98
(s,3H×2),1.54(s,3H),1.95(s,3H),2.82(s,2
H),3.98(s,4H),4.36(s,4H),5.59(s,1H),6.1
3(s,1H)。
【0170】実施例4. 4-(3-メトキシ-2-ブテノイル
オキシメチル)-8-(メタクリロイルオキシメチル)トリシ
クロ[5.2.1.02,6]デカンの合成 (1)トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン-4,8-ジメタノ
ール 98.15g(0.50mol)及び、ピリジン 41.53g(525
mmol)を無水テトラヒドロフラン 600mlに溶解し、5℃
以下に冷却し、メタクリル酸クロリド 52.27g(0.50mo
l)を1時間かけて滴下する。同温度でさらに1時間攪
拌した後、室温で6時間攪拌する。生じたピリジニウム
塩をろ去し、母液を減圧濃縮する。得られた残渣を塩化
メチレン1lに溶解し、2%塩酸、飽和食塩水、各500ml
で順次洗浄する。無水硫酸マグネシウムで乾燥した。
溶媒留去後、得られた粗生成物をカラムクロマトグラフ
ィ[充填剤:ワコーゲルC-200(和光純薬工業(株)商品
名);溶離液:n-ヘキサン/酢酸エチル=3/2]によ
り精製して、目的とする微黄色油状の8-(メタクリロイ
ルオキシメチル)トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン-4-メ
タノール 52.73g(収率 39.9%)を得た。1 H-NMR δppm(CDCl3,270MHz):0.83-1.04(m,1
H),1.20-1.88(m,7H),1.95(s,3H),2.01-2.22
(m,4H),2.32-2.58(m,2H),3.36-3.52(m,2H),3.
89-4.02(m,2H),5.55(s,1H),6.10(s,1H)。
【0171】(2)(1)で得られた8-(メタクリロイ
ルオキシメチル)トリシクロ[5.2.1.02 ,6]デカン-4-メ
タノール 50.23g(0.19mol)及びトリエチルアミン 0.
05gをトルエン 100mlに溶解し、ジケテン 16.3g(193.
8mmol)を30℃で1時間かけて滴下した後、同温で4時間
攪拌反応させた。一夜放置後、反応液を1N-H2SO41
00ml、水 100mlで4回、飽和食塩水 100mlで順次洗浄
し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒留去して、
目的とする微黄色油状の4-アセトアセトキシメチル-8-
(メタクリロイルオキシメチル)トリシクロ[5.2.1.
02,6]デカン
【0172】
【化68】
【0173】66.0g(収率 100%)を得た。1 H-NMR δppm(CDCl3,270MHz):0.87-1.05(m,1
H),1.21-1.88(m,7H),1.94(s,3H),1.99-2.24
(m,4H),2.27(s,3H),2.30-2.56(m,2H),3.45
(s,2H),3.86-4.05(m,4H),5.55(s,1H),6.10
(s,1H)。 (3)(2)で得られた4-アセトアセトキシメチル-8-
(メタクリロイルオキシメチル)トリシクロ[5.2.1.
02,6]デカン 34.84g(100mmol)をオルトギ酸メチル 33
ml(300mmol)に溶解し、これにカンファースルホン酸 1.
16g(5mmol)を投入した後、室温で8時間攪拌反応させ
た。一夜放置後、反応液をトルエン 120mlで希釈し、飽
和重曹水 50ml×2、水 50ml、飽和食塩水50mlで順次洗
浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒留去後、
得られた粗生成物をカラムクロマトグラフィ[充填剤:
ワコーゲルC-200(和光純薬工業(株)商品名);溶離
液:n-ヘキサン/酢酸エチル=4/1]により精製し
て、目的とする微黄色油状の4-(3-メトキシ-2-ブテノイ
ルオキシメチル)-8-(メタクリロイルオキシメチル)トリ
シクロ[5.2.1.02,6]デカン
【0174】
【化69】
【0175】10.79g(収率 29.8%)を得た。1 H-NMR δppm(CDCl3,270MHz):0.92-1.08(m,1
H),1.21-1.90(m,7H),1.94(s,3H),2.01-2.24
(m,4H),2.29(s,3H),2.30-2.58(m,2H),3.64
(s,3H),3.84-4.03(m,4H),5.02(s,1H),5.55
(s,1H),6.10(s,1H)。
【0176】実施例5. 3-(メタクリロイルオキシ)メ
ンタン-8-イル 3-メトキシ-2-ブテノエートの合成 (1)メンタン-3,8-ジオール 50.0g(290mmol)及
び、ピリジン 24.11g(305mmol)を無水テトラヒドロ
フラン 350mlに溶解し、5℃以下に冷却し、メタクリル
酸クロリド 30.34g(290mmol)を1時間かけて滴下す
る。同温度でさらに1時間攪拌した後、室温で6時間攪
拌する。生じたピリジニウム塩をろ去し、母液を減圧濃
縮する。得られた残渣を塩化メチレン 600mlに溶解し、
2%塩酸、飽和食塩水、各300mlで順次洗浄して、無水
硫酸マグネシウムで乾燥した。 溶媒留去して、目的と
する微黄色油状の3-(メタクリロイルオキシ)メンタン-8
-オール 69.0g(収率 99%)を得た。1 H-NMR δppm(CDCl3,270MHz):0.88(d,3H,J=
6.59Hz),1.15(s,3H),1.20(s,3H),0.92-1.13
(m,2H),1.41-1.48(m,1H),1.61-1.88(m,4H),1.
96(s,3H),1.94-2.09(m,1H),5.30(s,1H),5.59
(s,1H),6.12(s,1H)。
【0177】(2)(1)で得られた3-(メタクリロイ
ルオキシ)メンタン-8-オール 67.01g(280mmol)及び
トリエチルアミン 0.57gをトルエン 140mlに溶解し、
ジケテン24.7g(294mmol)を30℃で30分かけて滴下した
後、同温で4時間攪拌反応させた。 一夜放置後、反応
液を1N-H2SO4 150ml、水 150mlで4回、飽和食塩
水150mlで順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し
た。溶媒留去後、得られた粗生成物をカラムクロマトグ
ラフィ[充填剤:ワコーゲルC-200(和光純薬工業(株)
商品名);溶離液:n-ヘキサン/酢酸エチル=3/2]
により精製して、目的とする微黄色油状の3-(メタクリ
ロイルオキシ)メンタン-8-イル アセトアセテート
【0178】
【化70】
【0179】66.5g(収率 73.4%)を得た。1 H-NMR δppm(CDCl3,270MHz):0.87(d,3H,J=
6.6Hz),0.98-1.19(m,2H),1.46(s,6H),1.43-1.5
1(m,1H),1.60-1.68(m,3H),1.71-1.90(m,1H),
1.95(s,3H),2.11-2.17(m,1H),2.24(s,3H),3.3
7(s,2H),5.36(s,1H),5.58(s,1H),6.11(s,1
H)。 (3)(2)で得られた3-(メタクリロイルオキシ)メン
タン-8-イル アセトアセテート 32.34g(100mmol)をオ
ルトギ酸メチル 66ml(600mmol)に溶解し、これにカンフ
ァースルホン酸 1.16g(5mmol)を投入した後、室温で8
時間攪拌反応させた。一夜放置後、反応液をトルエン 1
20mlで希釈し、飽和重曹水 50ml×2、水50ml、飽和食
塩水50mlで順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し
た。溶媒留去後、得られた粗生成物をカラムクロマトグ
ラフィ[充填剤:ワコーゲルC-200(和光純薬工業(株)
商品名);溶離液:n-ヘキサン/酢酸エチル=3/2]
により精製して、目的とする微黄色油状の3-(メタクリ
ロイルオキシ)メンタン-8-イル 3-メトキシ-2-ブテノエ
ート
【0180】
【化71】
【0181】6.75g(収率 20.0%)を得た。1 H-NMR δppm(CDCl3,270MHz):0.87(d,3H,J=
6.23Hz),1.06-1.19(m,2H),1.45(s,6H),1.43-1.
51(m,3H),1.64-1.74(m,1H),1.92-1.99(m,1H),
2.17(s,3H),2.18-2.30(m,1H),2.23(s,3H),3.6
0(s,3H),4.93(s,1H),5.36(s,1H),5.56(s,1
H),6.12(s,1H)。
【0182】実施例6. ポリマーの合成 メチルメタクリレート 4.0g(40mmol)、実施例1で得
られた2-(メタクリロイルオキシ)エチル 3-メトキシ-2-
ブテノエート 11.4g(50mmol)、2-(メタクリロイルオ
キシ)エチルアセトアセテート 2.14g(10mmol)及び乾
燥テトラヒドロフラン(THF) 60mlを混合し、これ
を65℃に加熱した後、アゾビスイソブチロニトリル 1.9
7g(12mmol)を加えて、窒素雰囲気下、同温度で5時
間重合反応させた。反応終了後、反応液をn-ヘキサン 6
50ml中に注いでポリマーを析出させた。これを濾取し、
乾燥して目的物 14.6g(収率 83%)を得た。得られた
ポリマーのメチルメタクリレート単位と2-(メタクリロ
イルオキシ)エチル 3-メトキシ-2-ブテノエート単位及
び2-(メタクリロイルオキシ)エチルアセトアセテート単
位の構成比率は1H-NMR測定より約0.47:0.47:0.06
であった。また、ポリスチレンを標準としたGPC(ゲ
ルパーミエーションクロマトグラフィ,溶媒:テトラヒ
ドロフラン)測定から重量平均分子量(Mw)は12,700、
分散度は2.11であった。
【0183】実施例7. ポリマーの合成 実施例4の(2)で得られた4-アセトアセトキシメチル
-8-(メタクリロイルオキシメチル)トリシクロ[5.2.1.0
2,6]デカン 7.67g(22mmol)、実施例1で得られた2-
(メタクリロイルオキシ)エチル 3-メトキシ-2-ブテノエ
ート 4.11g(18mmol)及び乾燥テトラヒドロフラン
(THF) 25mlを混合し、これを65℃に加熱した後、
アゾビスイソブチロニトリル 0.79g(4.8mmol)を加え
て、窒素気流中、同温度で5時間重合反応させた。反応
終了後、反応液をn-ヘキサン 300ml中に注いでポリマー
を析出させた。これを濾取し、乾燥して目的物 9.04g
(収率76%)を得た。得られたポリマーの4-アセトアセ
トキシメチル-8-(メタクリロイルオキシメチル)トリシ
クロ[5.2.1.02,6]デカン単位及び2-(メタクリロイル
オキシ)エチル 3-メトキシ-2-ブテノエート単位の構成
比率は1H-NMR測定より約0.46:0.54であった。ま
た、ポリスチレンを標準としたGPC(溶媒:テトラヒ
ドロフラン)測定から重量平均分子量(Mw)は42200、
分散度は2.96であった。
【0184】実施例8. ポリマーの合成 実施例5の(2)で得られた3-(メタクリロイルオキシ)
メンタン-8-イル アセトアセテート 9.06g(28mmo
l)、実施例5で得られた3-(メタクリロイルオキシ)メ
ンタン-8-イル 3-メトキシ-2-ブテノエート 4.05g(12
mmol)及び乾燥テトラヒドロフラン(THF) 27mlを
混合し、これを65℃に加熱した後、アゾビスイソブチロ
ニトリル 0.79g(4.8mmol)を加えて、窒素雰囲気下、
同温度で5時間重合反応させた。反応終了後、反応液を
n-ヘキサン 300ml中に注いでポリマーを析出させた。こ
れを濾取し、乾燥して目的物 6.03g(収率 46%)を得
た。得られたポリマーの3-(メタクリロイルオキシ)メン
タン-8-イル アセトアセテート単位及び3-(メタクリロ
イルオキシ)メンタン-8-イル 3-メトキシ-2-ブテノエー
ト単位の構成比率は1H-NMR測定より約0.62:0.38で
あった。また、ポリスチレンを標準としたGPC(溶
媒:テトラヒドロフラン)測定から重量平均分子量(M
w)は12,700、分散度は2.11であった。
【0185】応用例1.下記の組成から成るレジスト組
成物を調製した。 (a)実施例6で得られたポリマー 4.0g (b)酸発生剤 80mg (トリフェニルスルホニウム トリフルオロメタンスル
ホネート) (c)エチレングリコールジメチルエーテル 15.6g
【0186】上記組成から成るレジスト組成物を0.1μm
のテフロン(商品名)フィルターで濾過し、得られた濾液
をシリコンウェハー上にスピンコートした後、90℃で60
秒間ホットプレート上でベーキングを行い、膜厚が0.5
μmのレジスト膜を得た。次いで、窒素で充分にパージ
された密着型露光実験機中に成膜したウェハーを静置
し、パターンを描いたマスクを該レジスト膜上に密着さ
せた後、マスクを有してArFエキシマレーザ光(λ=1
93nm;NA 0.55)16mJ/cm2を露光した。露光後60℃で60
秒間ホットプレート上で加熱し、現像液[2.38%TMA
H水溶液。液温23℃。]を用いてパドル法で60秒間、現
像した後、60秒間超純水でリンス処理を行い、0.25μm
(露光量約14mJ/cm2)のライン アンド スペースパ
ターンが得られた。
【0187】応用例2.応用例1の(a)、(b)及び
(c)で調製したレジスト組成物を0.1μmのテフロン
(商品名)フィルターで濾過し、得られた濾液をシリコン
ウェハー上にスピンコートした後、90℃で60秒間ホット
プレート上でベーキングを行い、膜厚が0.5μmのレジス
ト膜を得た。次いで、窒素で充分にパージされた密着型
露光実験機中に成膜したウェハーを静置し、パターンを
描いたマスクを該レジスト膜上に密着させた後、マスク
を有してArFエキシマレーザ光(λ=193nm;NA 0.5
5)16mJ/cm2を露光した。露光後60℃で60秒間ホットプ
レート上で加熱し、現像液[2.38%TMAH水溶液。液
温23℃。]を用いて浸漬法で60秒間現像した後、60秒間
超純水でリンス処理を行い、0.18μm(露光量約17mJ/c
m2)のライン アンド スペースパターンが得られた。
【0188】応用例3.下記の組成から成るレジスト組
成物を調製した。 (a)実施例7で得られたポリマー 1.0g (b)酸発生剤 20mg (トリフェニルスルホニウム トリフルオロメタンスル
ホネート) (c)エチレングリコールジメチルエーテル 4.0g
【0189】上記組成から成るレジスト組成物を0.1μm
のテフロン(商品名)フィルターで濾過し、得られた濾液
をシリコンウェハー上にスピンコートした後、90℃で60
秒間ホットプレート上でベーキングを行い、膜厚が0.5
μmのレジスト膜を得た。次いで、窒素で充分にパージ
された密着型露光実験機中に成膜したウェハーを静置
し、パターンを描いたマスクを該レジスト膜上に密着さ
せた後、マスクを有してArFエキシマレーザ光(λ=1
93nm;NA 0.55)16mJ/cm2を露光した。露光後90℃で60
秒間ホットプレート上で加熱し、現像液[2.38%TMA
H水溶液。液温23℃。]を用いてパドル法で60秒間現像
した後、60秒間超純水でリンス処理を行い、0.25μm
(露光量約14mJ/cm2)のライン アンド スペースパ
ターンが得られた。
【0190】応用例4.下記の組成から成るレジスト組
成物を調製した。 (a)実施例8で得られたポリマー 1.0g (b)酸発生剤 20mg (トリフェニルスルホニウム トリフルオロメタンスル
ホネート) (c)エチレングリコールジメチルエーテル 4.0g
【0191】上記組成から成るレジスト組成物を0.1μm
のテフロン(商品名)フィルターで濾過し、得られた濾液
をシリコンウェハー上にスピンコートした後、90℃で60
秒間ホットプレート上でベーキングを行い、膜厚が0.5
μmのレジスト膜を得た。次いで、窒素で充分にパージ
された密着型露光実験機中に成膜したウェハーを静置
し、パターンを描いたマスクを該レジスト膜上に密着さ
せた後、マスクを有してArFエキシマレーザ光(λ=1
93nm;NA 0.55)16mJ/cm2を露光した。露光後110℃で6
0秒間ホットプレート上で加熱し、現像液[2.38%TM
AH水溶液。液温23℃。]を用いてパドル法で60秒間現
像した後、60秒間超純水でリンス処理を行い、0.25μm
(露光量約25mJ/cm2)のライン アンド スペースパ
ターンが得られた。
【0192】
【発明の効果】以上述べたように、本発明は、半導体素
子等の製造に於いて使用されるレジスト組成物等に有用
な新規なポリマー及び該ポリマーの原料となり得る新規
なモノマーを提供するものであり、本発明のポリマーを
利用したレジスト組成物は、次世代露光技術として有力
なArFエキシマレーザ用レジスト材料として極めて有
効に使用し得る。従って本発明は、例えば半導体産業等
に於ける微細パターンの形成にとって大きな価値を有す
るものである。また、本発明のポリマーは、キレート能
を有していることから、分析、分離用機能性樹脂とし
て、分析化学、金属の分離精製等の用途に用いることが
できる。
【化7】
【化7】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI C07D 319/06 C07D 319/06 319/08 319/08 G03F 7/033 G03F 7/033 7/039 501 7/039 501

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一般式[1] 【化1】 (式中、R5,R6及びR7は夫々独立して水素原子、ア
    ルキル基、シアノ基、アルキルオキシカルボニル基又は
    カルバモイル基を表し、Zはスペーサー又は結合手を表
    し、Rは末端の水酸基が保護されたヒドロキシアルキル
    基を表す。)で示されるモノマー。
  2. 【請求項2】 一般式[1]に於いて、Rで示される、
    末端の水酸基が保護されたヒドロキシアルキル基が一般
    式[2] 【化2】 (式中、R1及びR2は夫々独立して水素原子、置換基を
    有していてもよいアルキル基又は脂環式炭化水素基を表
    し、また、R1とR2とで脂肪族環を形成していてもよ
    く、R3はアルキル基、アルケニル基、ヒドロキシアル
    キル基、アルキルオキシカルボニル基又はアルキルシリ
    ル基を表す。)又は一般式[3] 【化3】 (式中、R4はアルキル基を表し、R1、R2及びR3は前
    記に同じ。また、R3とR4とで脂肪族環を形成していて
    もよい。)で示される基である、請求項1に記載のモノ
    マー。
  3. 【請求項3】 スペーサーが一般式[4] 【化4】 (式中、A2は酸素原子を有していてもよい二価の炭化
    水素基を表し、A1及びA3は夫々独立して低級アルキレ
    ン基を表し、mは0又は1を表し、p,q及びrは夫々
    独立して、0又は1を表す。但し、mが1のときqは1
    を表す。)で示される基である、請求項1に記載のモノ
    マー。
  4. 【請求項4】 一般式[1]に於いて、Rで示される、
    末端の水酸基が保護されたヒドロキシアルキル基が一般
    式[2] 【化5】 (式中、R1及びR2は夫々独立して水素原子、置換基を
    有していてもよいアルキル基又は脂環式炭化水素基を表
    し、また、R1とR2とで脂肪族環を形成していてもよ
    く、R3はアルキル基、アルケニル基、ヒドロキシアル
    キル基、アルキルオキシカルボニル基又はアルキルシリ
    ル基を表す。)又は一般式[3] 【化6】 (式中、R4はアルキル基を表し、R1、R2及びR3は前
    記に同じ。また、R3とR4とで脂肪族環を形成していて
    もよい。)で示される基であり、スペーサーが一般式
    [4] 【化7】(式中、A2は酸素原子を有していてもよい二
    価の炭化水素基を表し、A1及びA3は夫々独立して低級
    アルキレン基を表し、mは0又は1を表し、p,q及び
    rは夫々独立して、0又は1を表す。但し、mが1のと
    きqは1を表す。)で示される基である、請求項1に記
    載のモノマー。
  5. 【請求項5】 一般式[1a] 【化8】 (式中、R5,R6及びR7は夫々独立して水素原子、ア
    ルキル基、シアノ基、アルキルオキシカルボニル基又は
    カルバモイル基を表し、Zはスペーサー又は結合手を表
    し、Rは末端の水酸基が保護されたヒドロキシアルキル
    基を表す。)で示されるモノマー単位を構成単位として
    含んで成るポリマー。
  6. 【請求項6】 一般式[1a]に於いて、Rで示され
    る、末端が保護されたヒドロキシアルキル基が一般式
    [2] 【化9】 (式中、R1及びR2は夫々独立して水素原子、置換基を
    有していてもよいアルキル基又は脂環式炭化水素基を表
    し、また、R1とR2とで脂肪族環を形成していてもよ
    く、R3はアルキル基、アルケニル基、ヒドロキシアル
    キル基、アルキルオキシカルボニル基又はアルキルシリ
    ル基を表す。)又は一般式[3] 【化10】 (式中、R4はアルキル基を表し、R1、R2及びR3は前
    記に同じ。また、R3とR4とで脂肪族環を形成していて
    もよい。)で示される基である、請求項5に記載のポリ
    マー。
  7. 【請求項7】 スペーサーが一般式[4] 【化11】 (式中、A2は酸素原子を有していてもよい二価の炭化
    水素基を表し、A1及びA3は夫々独立して低級アルキレ
    ン基を表し、mは0又は1を表し、p,q及びrは夫々
    独立して、0又は1を表す。但し、mが1のときqは1
    を表す。)で示される基である、請求項5に記載のポリ
    マー。
  8. 【請求項8】 一般式[1a]に於いて、Rで示され
    る、末端の水酸基が保護されたヒドロキシアルキル基が
    一般式[2] 【化12】 (式中、R1及びR2は夫々独立して水素原子、置換基を
    有していてもよいアルキル基又は脂環式炭化水素基を表
    し、また、R1とR2とで脂肪族環を形成していてもよ
    く、R3はアルキル基、アルケニル基、ヒドロキシアル
    キル基、アルキルオキシカルボニル基又はアルキルシリ
    ル基を表す。)又は一般式[3] 【化13】 (式中、R4はアルキル基を表し、R1、R2及びR3は前
    記に同じ。また、R3とR4とで脂肪族環を形成していて
    もよい。)で示される基であり、スペーサーが一般式
    [4] 【化14】 (式中、A2は酸素原子を有していてもよい二価の炭化
    水素基を表し、A1及びA3は夫々独立して低級アルキレ
    ン基を表し、mは0又は1を表し、p,q及びrは夫々
    独立して、0又は1を表す。但し、mが1のときqは1
    を表す。)で示される基である、請求項5に記載のポリ
    マー。
  9. 【請求項9】 ポリマーが一般式[1a]で示されるモ
    ノマー単位を構成単位として成るホモポリマーである請
    求項5に記載のポリマー。
  10. 【請求項10】 ポリマーが一般式[1a]で示される
    モノマー単位2種以上を構成単位として成るコポリマー
    である請求項5に記載のポリマー。
  11. 【請求項11】 ポリマーが一般式[1a]で示される
    モノマー単位1種以上と一般式[1b] 【化15】 (式中、R5',R6'及びR7'は夫々独立して水素原子、
    アルキル基、シアノ基、アルキルオキシカルボニル基又
    はカルバモイル基を表し、Z’はスペーサー又は結合手
    を表し、R’はヒドロキシアルキル基を表す。)で示さ
    れるモノマー1種以上とを構成単位として含んで成るコ
    ポリマーである請求項5に記載のポリマー。
  12. 【請求項12】 ポリマーが一般式[1a]で示される
    モノマー単位1種以上と一般式[6a] 【化16】 (式中、R9は水素原子、低級アルキル基又はハロゲン
    原子を表し、R10は水素原子、低級アルキル基、ハロゲ
    ン原子、カルボキシル基、アルキルオキシカルボニル基
    又はホルミル基を表し、R11は水素原子、低級アルキル
    基、カルボキシル基、アルキルオキシカルボニル基又は
    ハロゲン原子を表し、R12は二重結合を有していてもよ
    いアルキレン基又は結合手を表し、R13は水素原子、ア
    ルキル基、ハロアルキル基、アリール基、脂肪族ヘテロ
    環基、芳香族ヘテロ環基、ハロゲン原子、アルキルオキ
    シカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、ヒド
    ロキシアルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカ
    ルボニル基、アシルオキシ基、シアノ基、カルボキシル
    基、ホルミル基、アミノ基、スルホン酸基、カルバモイ
    ル基又はヒドロキシル基を表す。尚、R10とR13とが結
    合して−CO−O−CO−又は−CO−NH−CO−を
    形成していてもよい。)で示されるモノマー単位1種以
    上とを構成単位として含んで成る請求項5に記載のポリ
    マー。
  13. 【請求項13】 一般式[1]で示されるモノマーが、
    一般式[1]-1 【化17】 (式中、Qは酸素原子を有していてもよい二価の炭化水
    素基を表し、Eは低級アルキル基を表し、E1,E2は水
    素を表すか、或いはE1とE2とで脂肪族環を形成してい
    てもよい。)又は一般式[1]-2 【化18】 (式中、Qは酸素原子を有していてもよい二価の炭化水
    素基を表し、Gは低級アルキレン基を表し、E1,E2は
    水素を表すか、或いはE1とE2とで脂肪族環を形成して
    いてもよい。)で示されるモノマーである請求項1に記
    載のモノマー。
  14. 【請求項14】 一般式[1]で示されるモノマーが、
    一般式[1]-3 【化19】 (式中、Xはアルキル基を表し、Eは低級アルキル基を
    表し、E1,E2は水素を表すか、或いはE1とE2とで脂
    肪族環を形成していてもよい。)又は一般式[1]-4 【化20】 (式中、Xはアルキル基を表し、Gは低級アルキレン基
    を表し、E1,E2は水素を表すか、或いはE1とE2とで
    脂肪族環を形成していてもよい。)で示されるモノマー
    である請求項1に記載のモノマー。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012033138A1 (ja) * 2010-09-09 2012-03-15 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物、重合体及び化合物
JP2014505038A (ja) * 2010-12-15 2014-02-27 イーストマン ケミカル カンパニー 置換3−オキソペンタノエート及びコーティング組成物におけるその使用
JP2015052115A (ja) * 2010-09-29 2015-03-19 Jsr株式会社 重合体

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012033138A1 (ja) * 2010-09-09 2012-03-15 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物、重合体及び化合物
US8609321B2 (en) 2010-09-09 2013-12-17 Jsp Corporation Radiation-sensitive resin composition, polymer and compound
JPWO2012033138A1 (ja) * 2010-09-09 2014-01-20 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物、重合体及び化合物
TWI480263B (zh) * 2010-09-09 2015-04-11 Jsr Corp Sense of radiation linear resin compositions, polymers and compounds
JP2015052115A (ja) * 2010-09-29 2015-03-19 Jsr株式会社 重合体
US9540535B2 (en) 2010-09-29 2017-01-10 Jsr Corporation Composition for forming liquid immersion upper layer film, and polymer
US9926462B2 (en) 2010-09-29 2018-03-27 Jsr Corporation Composition for forming liquid immersion upper layer film, and polymer
JP2014505038A (ja) * 2010-12-15 2014-02-27 イーストマン ケミカル カンパニー 置換3−オキソペンタノエート及びコーティング組成物におけるその使用

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