JPH1112442A - 封止用樹脂組成物および半導体封止装置 - Google Patents
封止用樹脂組成物および半導体封止装置Info
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Abstract
グフレームと、樹脂組成物との接着力を向上させ、半導
体封止装置の耐リフロー性を向上させ、リフロー後の耐
湿劣化を防止し、信頼性の高い半導体封止装置を提供す
る。 【解決手段】(A)エポキシ樹脂、(B)ノボラック型
フェノール樹脂、(C)4,4-ジチオジモルホリンおよび
(D)無機質充填剤を必須成分とし、樹脂組成物に対し
て、前記(C)の4,4-ジチオジモルホリンを0.001 〜0.
1 重量%、また前記(D)の無機質充填剤を25〜95重量
%の割合で含有してなる封止用樹脂組成物であり、ま
た、該組成物によって封止された、PdやPd−Au等
のプレプレーティングフレームを用いた半導体封止装置
である。
Description
等のプレプレーティングを施したフレームを用いた半導
体パッケージにおいて耐リフロークラック性等の信頼性
に優れたエポキシ樹脂組成物および半導体封止装置に関
する。
えて、PdやPd−Au等のプレプレーティングを施し
たフレームを採用した半導体パッケージが増加してい
る。
ール樹脂及び無機質充填剤からなる樹脂組成物によって
封止したPdやPd−Au等のプレプレーティングフレ
ームを採用した半導体装置は、インサートと封止樹脂の
接着性が著しく悪いという欠点があった。特に吸湿した
その半導体装置を表面実装すると、封止樹脂とリードフ
レーム、あるいは封止樹脂と半導体チップとの間の剥が
れが生じて著しい耐湿劣化を起こし、電極の腐食による
断線や水分によるリーク電流を生じ、その結果、半導体
装置は、長期間の信頼性を保証することができないとい
う欠点があった。このため、耐リフロー性に優れ、耐湿
性の影響が少なく、耐湿劣化の少ない成形性のよい材料
の開発が強く要望されていた。
を解消し、上記要望に応えるためになされたもので、P
dやPd−Au等のプレプレーティングフレームとの接
着性が高く、特に耐リフロー性とリフロー後の信頼性に
優れた、成形性のよい、封止用樹脂組成物および半導体
封止装置を提供しようとするものである。
を達成しようと鋭意研究を重ねた結果、樹脂組成物に4,
4-ジチオジモルホリンを配合することによって、Pdや
Pd−Au等のプレプレーティングフレームとの接着性
を大幅に向上し、上記目的が達成されることを見いだ
し、本発明を完成したものである。
(B)ノボラック型フェノール樹脂、(C)4,4-ジチオ
ジモルホリンおよび(D)無機質充填剤を必須成分と
し、樹脂組成物に対して、前記(C)の4,4-ジチオジモ
ルホリンを0.001 〜0.1 重量%、また前記(D)の無機
質充填剤を25〜95重量%の割合で含有してなることを特
徴とする封止用樹脂組成物であり、またこの封止用樹脂
組成物の硬化物によって、Pd若しくはPd−Auのプ
レプレーティングを施したフレームに搭載された半導体
チップを封止してなることを特徴とする半導体封止装置
である。
は、その分子中にエポキシ基を少なくとも2 個有する化
合物である限り、分子構造、分子量など特に制限はな
く、一般に封止用材料として使用されているものを広く
包含することができる。例えば、ビフェニル型、ビスフ
ェノール型の芳香族系、シクロヘキサン誘導体等脂肪族
系、また、次の一般式で示されるエポキシノボラック系
のエポキシ樹脂等が挙げられる。
キル基を、R2 は水素原子又はアルキル基を、nは1 以
上の整数をそれぞれ表す)これらのエポキシ樹脂は、単
独もしくは2 種以上混合して用いることができる。本発
明に用いる(B)ノボラック型フェノール樹脂として
は、フェノール、アルキルフェノール等のフェノール類
とホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド等のアルデ
ヒド類とを反応させて得られるノボラック型フェノール
樹脂およびこれらの変性樹脂、例えばエポキシ化もしく
はブチル化したノボラック型フェノール樹脂等が挙げら
れ、これらの樹脂は、単独もしくは2 種以上混合して用
いる。ノボラック型フェノール樹脂の配合割合は、前述
したエポキシ樹脂のエポキシ基(a)とノボラック型フ
ェノール樹脂のフェノール性水酸基(b)との当量比
[(a)/(b)]が0.1 〜10の範囲内であることが望
ましい。当量比が0.1 未満もしくは10を超えると、耐熱
性、耐湿性、成形作業性および硬化物の電気特性が悪く
なり、いずれの場合も好ましくない。従って上記の範囲
内に限定するのが良い。
リンは、次の構造式に示されるものである。
体の樹脂組成物に対して0.001 〜0.1 重量%含有するこ
とが望ましい。この割合が0.001 重量%未満では、Pd
やPd−Au等のプレプレーティングフレームとの接着
力の向上に効果なく、また、0.1 重量%を超えると、封
止樹脂の硬化等に悪影響を与え、実用に適さず好ましく
ない。
は、シリカ粉末、アルミナ粉末、三酸化アンチモン、タ
ルク、炭酸カルシウム、チタンホワイト、クレー、マイ
カ、ベンガラ、ガラス繊維等が挙げられ、これらは単独
又は2 種以上混合して使用することができる。これらの
中でも特にシリカ粉末とアルミナ粉末が好ましく、よく
使用される。無機質充填剤の配合割合は、全体の樹脂組
成物に対して25〜95重量%の割合で含有することが望ま
しい。その割合が25重量%未満では、耐熱性、耐湿性、
半田耐熱性、機械的特性および成形性が悪くなり、ま
た、95重量%を超えるとカサバリが大きくなり、成形性
に劣り実用に適さない。
脂、ノボラック型フェノール樹脂、4,4-ジチオジモルホ
リンおよび無機質充填剤を必須成分とするが、本発明の
目的に反しない限度において、また必要に応じて、例え
ば天然ワックス類、合成ワックス類、直鎖脂肪酸の金属
塩、酸アミド類、エステル類、パラフィン類等の離型
剤、塩素化パラフィン、ブロム化トルエン、ヘキサブロ
ムベンゼン、三酸化アンチモン等の難燃剤、カーボンブ
ラック、ベンガラ等の着色剤、種々の硬化促進剤等を適
宜、添加配合することができる。
て調製する場合の一般的な方法としては、エポキシ樹
脂、ノボラック型フェノール樹脂、4,4-ジチオジモルホ
リン、無機質充填剤およびその他の成分を配合し、ミキ
サー等によって十分均一に混合した後、さらに熱ロール
による溶融混合処理又はニーダ等による混合処理を行
い、次いで冷却固化させ、適当な大きさに粉砕して成形
材料とすることができる。こうして得られた成形材料
は、半導体装置をはじめとする電子部品あるいは電気部
品の封止、被覆、絶縁等に適用すれば、優れた特性と信
頼性を付与させることができる。
して得られた封止用樹脂を用いて、半導体チップを封止
することにより容易に製造することができる。封止の最
も一般的な方法としては、低圧トランスファー成形法が
あるが、射出成形、圧縮成形、注型等による封止も可能
である。封止用樹脂組成物を封止の際に加熱して硬化さ
せ、最終的にはこの組成物の硬化物によって封止された
半導体封止装置が得られる。加熱による硬化は、150 ℃
以上に加熱して硬化させることが望ましい。封止を行う
半導体装置としては、例えば集積回路、大規模集積回
路、トランジスタ、サイリスタ、ダイオード等で特に限
定されるものではない。
置は、樹脂成分として4,4-ジチオジモルホリンを用いた
ことによって、目的とする特性が得られるものである。
即ち、PdやPd−Au等のプレプレーティングフレー
ムとの接着力を向上させ、表面実装後のインサートと封
止樹脂との接着性の劣化を防止することができ、長期の
信頼性を保証することができた。
するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるも
のではない。以下の実施例及び比較例において「%」と
は「重量%」を意味する。
)12.5%に、ノボラック型フェノール樹脂(フェノー
ル当量104 )6.7 %、次の化3に示した4,4-ジチオジモ
ルホリン0.01%、
化促進剤0.19%およびシランカップリング剤0.4 %を常
温で混合し、さらに90〜95℃で混練してこれを冷却粉砕
して成形材料を製造した。この成形材料を170 ℃に加熱
した金型内にトランスファー注入し、硬化させて成形品
(封止品)をつくった。この成形品について耐湿性等の
特性を試験したので、その結果を表1に示した。特に耐
湿性において本発明の顕著な効果が認められた。
に、フェノールアラルキル樹脂(フェノール当量175 )
4.15%、前記した化3の4,4-ジチオジモルホリン0.01
%、シリカ粉末90%、エステル系ワックス類 0.2%、硬
化触媒0.14%およびシランカップリング剤0.5 %を実施
例1と同様に混合、混練、粉砕して成形材料を製造し
た。また、実施例1と同様にして成形品をつくり、耐湿
性等の特性試験を行ったのでその結果を表1に示した。
特に耐湿性において本発明の顕著な効果が認められた。
に、フェノールアラルキル樹脂(フェノール当量175 )
4.15%、前記した化3の4,4-ジチオジモルホリン0.005
%、硬化触媒0.14%、シランカップリング剤0.5 %、シ
リカ粉末90%およびエステル系ワックス0.2 %を実施例
1と同様に混合、混練、粉砕して成形材料を製造した。
また、実施例1と同様にして成形品をつくり、耐湿性等
の特性試験を行ったのでその結果を表1に示した。特に
耐湿性において本発明の顕著な効果が認められた。
5 )12.5%に、ノボラック型フェノール樹脂(フェノー
ル当量104 ) 6.7%、シリカ粉末80%、硬化促進剤0.19
%、エステル系ワックス類 0.2%およびシラン系カップ
リング剤 0.4%を混合し、実施例1と同様にして成形材
料を製造した。この成形材料を用いて成形品とし、成形
品の諸特性について実施例1と同様にして試験を行い、
その結果を表1に示した。
成形品をつくり、これを175 ℃,8 時間の後硬化を行
い、剪断接着力を求めた。 *2 :トランスファー成形によって成形品をつくり、こ
れを175 ℃,8 時間の後硬化を行い、熱機器分析装置を
用いて測定した。 *3 :成形材料を用いて、2 本以上のアルミニウム配線
を有するシリコン製チップ(テスト用素子)をPdプレ
プレーティングフレームに接着し、175 ℃で2 分間トラ
ンスファー成形して、QFP−208P,2.8 mmt の
成形品をつくり、これを175 ℃,8 時間の後硬化を行っ
た。こうして得た成形品を予め、85℃,40%RH,168
時間の吸湿処理した後、Max240 ℃のIRリフロー炉
を4 回通した。その後、127 ℃,2.5 気圧の飽和水蒸気
中でPCTを行い、アルミニウムの腐食による断線を不
良として評価した。
に、本発明の封止用樹脂組成物および半導体封止装置
は、Pd、Pd−Auメッキのインサートとの接着性に
優れ、IRリフロー後においても剥離することなく、耐
湿性に優れ、その結果、電極の腐食による断線や水分に
よるリーク電流の発生等を著しく低減することができ、
しかも長期間にわたって信頼性を保証することができ
る。
Claims (2)
- 【請求項1】 (A)エポキシ樹脂、(B)ノボラック
型フェノール樹脂、(C)4,4-ジチオジモルホリンおよ
び(D)無機質充填剤を必須成分とし、樹脂組成物に対
して、前記(C)の4,4-ジチオジモルホリンを0.001 〜
0.1 重量%、また前記(D)の無機質充填剤を25〜95重
量%の割合で含有してなることを特徴とする封止用樹脂
組成物。 - 【請求項2】 (A)エポキシ樹脂、(B)ノボラック
型フェノール樹脂、(C)4,4-ジチオジモルホリンおよ
び(D)無機質充填剤を必須成分とし、樹脂組成物に対
して、前記(C)の4,4-ジチオジモルホリンを0.001 〜
0.1 重量%、また前記(D)の無機質充填剤を25〜95重
量%の割合で含有した封止用樹脂組成物の硬化物によっ
て、Pd若しくはPd−Auのプレプレーティングを施
したフレームに搭載された半導体チップを封止してなる
ことを特徴とする半導体封止装置。
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| JP18184797A JP3440449B2 (ja) | 1997-06-24 | 1997-06-24 | 封止用樹脂組成物および半導体封止装置 |
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| JP18184797A JP3440449B2 (ja) | 1997-06-24 | 1997-06-24 | 封止用樹脂組成物および半導体封止装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1112442A true JPH1112442A (ja) | 1999-01-19 |
| JP3440449B2 JP3440449B2 (ja) | 2003-08-25 |
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|---|---|---|---|
| JP18184797A Expired - Fee Related JP3440449B2 (ja) | 1997-06-24 | 1997-06-24 | 封止用樹脂組成物および半導体封止装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3440449B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003073556A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-03-12 | Kyocera Chemical Corp | 封止用樹脂組成物および半導体装置 |
| JP2008239983A (ja) * | 2007-02-28 | 2008-10-09 | Hitachi Chem Co Ltd | 封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 |
| KR101340545B1 (ko) * | 2010-12-27 | 2013-12-11 | 제일모직주식회사 | 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 반도체 장치 |
| KR20180136494A (ko) | 2016-04-28 | 2018-12-24 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | 에폭시 수지 조성물 및 전자 부품 장치 |
-
1997
- 1997-06-24 JP JP18184797A patent/JP3440449B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP2003073556A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-03-12 | Kyocera Chemical Corp | 封止用樹脂組成物および半導体装置 |
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| KR101340545B1 (ko) * | 2010-12-27 | 2013-12-11 | 제일모직주식회사 | 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 반도체 장치 |
| KR20180136494A (ko) | 2016-04-28 | 2018-12-24 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | 에폭시 수지 조성물 및 전자 부품 장치 |
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