JPH11125809A - プラズマアドレス情報表示素子 - Google Patents
プラズマアドレス情報表示素子Info
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- JPH11125809A JPH11125809A JP9291376A JP29137697A JPH11125809A JP H11125809 A JPH11125809 A JP H11125809A JP 9291376 A JP9291376 A JP 9291376A JP 29137697 A JP29137697 A JP 29137697A JP H11125809 A JPH11125809 A JP H11125809A
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- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/13334—Plasma addressed liquid crystal cells [PALC]
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- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01J17/20—Selection of substances for gas fillings; Specified operating pressures or temperatures
-
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J17/00—Gas-filled discharge tubes with solid cathode
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- H01J17/48—Cold-cathode tubes with more than one cathode or anode, e.g. sequence-discharge tube, counting tube, dekatron
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 透過率の低下とカラーミキシングとの発生を
防止する。 【解決手段】 透明基板２ｂ、隔壁８、透明薄板基板７
とで囲まれたプラズマ空間１１には、不活性ガスとして
Ｈｅ＋Ｎｅが分圧２７００Ｐａ、活性ガスとしてＮ2が
分圧３００Ｐａのガス圧で封入されている。
防止する。 【解決手段】 透明基板２ｂ、隔壁８、透明薄板基板７
とで囲まれたプラズマ空間１１には、不活性ガスとして
Ｈｅ＋Ｎｅが分圧２７００Ｐａ、活性ガスとしてＮ2が
分圧３００Ｐａのガス圧で封入されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、表示装置などに用
いられるプラズマアドレス情報表示素子に関するもので
ある。
いられるプラズマアドレス情報表示素子に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】フラットパネルディスプレイに代表され
る情報表示素子の開発は、小型化、単色化、２値表示化
の初期段階を既に脱し、大型化、カラー化、中間調化、
動画表示化に進展して年毎に性能の向上を見せている。
る情報表示素子の開発は、小型化、単色化、２値表示化
の初期段階を既に脱し、大型化、カラー化、中間調化、
動画表示化に進展して年毎に性能の向上を見せている。
【０００３】ここで、情報表示素子の一つとしてプラズ
マアドレス情報表示素子の構造について図５に基づいて
簡単に説明すると次のようになる。
マアドレス情報表示素子の構造について図５に基づいて
簡単に説明すると次のようになる。
【０００４】プラズマアドレス情報表示素子は、図５に
示すように、カラー部３０Ａとプラズマアドレス部３０
Ｂとの間に、液晶材料を注入してなる液晶層２６が設け
られ、さらにプラズマアドレス部３０Ｂの液晶層２６と
は反対側にバックライト３０が組み合わされた構造とな
っている。
示すように、カラー部３０Ａとプラズマアドレス部３０
Ｂとの間に、液晶材料を注入してなる液晶層２６が設け
られ、さらにプラズマアドレス部３０Ｂの液晶層２６と
は反対側にバックライト３０が組み合わされた構造とな
っている。
【０００５】カラー部３０Ａは、偏光板２１ａ、透明基
板２２ａ、カラーフィルター２３、透明電極線２４およ
び配向膜２５ａからなり、プラズマアドレス部３０Ｂ
は、偏光板２１ｂ、透明基板２２ｂ、隔壁２８、電極線
としてのアノード２９Ａとカソード２９Ｃ、透明薄板基
板２７、配向膜２５ｂからなっている。
板２２ａ、カラーフィルター２３、透明電極線２４およ
び配向膜２５ａからなり、プラズマアドレス部３０Ｂ
は、偏光板２１ｂ、透明基板２２ｂ、隔壁２８、電極線
としてのアノード２９Ａとカソード２９Ｃ、透明薄板基
板２７、配向膜２５ｂからなっている。
【０００６】プラズマアドレス部３０Ｂにおける、透明
基板２２ｂ、隔壁２８、透明薄板基板２７とで囲まれた
プラズマ空間３１には、Ｈｅ、Ｎｅ、ＡｒまたはＸｅ等
の希ガスが１０Ｐａ〜１０4Ｐａ、好ましくは１０2Ｐａ
〜５×１０3Ｐａのガス圧で封入されている。
基板２２ｂ、隔壁２８、透明薄板基板２７とで囲まれた
プラズマ空間３１には、Ｈｅ、Ｎｅ、ＡｒまたはＸｅ等
の希ガスが１０Ｐａ〜１０4Ｐａ、好ましくは１０2Ｐａ
〜５×１０3Ｐａのガス圧で封入されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来構造のプラズマアドレス情報表示素子において
は、“ＩＤＷ‘９６、ＬＡ１−３、ｐ４２３”にも開示
されているように、電極線としてのアノード２９Ａおよ
びカソード２９Ｃを構成する金属のスパッタが透明薄板
基板２７上に付着することに起因する透過率の低下と、
金属のスパッタが付着することによる透明薄板基板２７
の導体化に起因するカラーミキシング等の問題点を有し
ている。
た従来構造のプラズマアドレス情報表示素子において
は、“ＩＤＷ‘９６、ＬＡ１−３、ｐ４２３”にも開示
されているように、電極線としてのアノード２９Ａおよ
びカソード２９Ｃを構成する金属のスパッタが透明薄板
基板２７上に付着することに起因する透過率の低下と、
金属のスパッタが付着することによる透明薄板基板２７
の導体化に起因するカラーミキシング等の問題点を有し
ている。
【０００８】本発明は、このような従来技術の課題を解
決すべくなされたものであり、上述した透過率の低下と
カラーミキシングとの発生を防止することができるプラ
ズマアドレス情報表示素子を提供することを目的とす
る。
決すべくなされたものであり、上述した透過率の低下と
カラーミキシングとの発生を防止することができるプラ
ズマアドレス情報表示素子を提供することを目的とす
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１のプラ
ズマアドレス情報表示素子は、離隔配設した透明基板と
透明薄板基板との間に、該透明基板側に電極線が形成さ
れていると共に、両基板間にわたって絶縁体からなる隔
壁が形成され、両基板と該隔壁とで囲まれたプラズマ空
間に不活性ガスと活性ガスとの混合ガスが封入され、そ
のことにより上記目的が達成される。
ズマアドレス情報表示素子は、離隔配設した透明基板と
透明薄板基板との間に、該透明基板側に電極線が形成さ
れていると共に、両基板間にわたって絶縁体からなる隔
壁が形成され、両基板と該隔壁とで囲まれたプラズマ空
間に不活性ガスと活性ガスとの混合ガスが封入され、そ
のことにより上記目的が達成される。
【００１０】本発明の請求項２のプラズマアドレス情報
表示素子は、前記不活性ガスが、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒおよ
びＸｅの中から選ばれた１種以上のガスであり、前記活
性ガスが、Ｎ2およびＯ2の中から選ばれた１種以上のガ
スである構成とすることを特徴とする。
表示素子は、前記不活性ガスが、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒおよ
びＸｅの中から選ばれた１種以上のガスであり、前記活
性ガスが、Ｎ2およびＯ2の中から選ばれた１種以上のガ
スである構成とすることを特徴とする。
【００１１】本発明の請求項３のプラズマアドレス情報
表示素子は、前記混合ガスのガス圧が１０Ｐａ〜１０4
Ｐａである構成とすることを特徴とする。
表示素子は、前記混合ガスのガス圧が１０Ｐａ〜１０4
Ｐａである構成とすることを特徴とする。
【００１２】本発明の請求項４のプラズマアドレス情報
表示素子は、前記電極線がアノード及びカソードから構
成され、カソードには放電のために必要な電圧が印加さ
れる構成とすることを特徴とする。
表示素子は、前記電極線がアノード及びカソードから構
成され、カソードには放電のために必要な電圧が印加さ
れる構成とすることを特徴とする。
【００１３】本発明の請求項５のプラズマアドレス情報
表示素子は、前記透明薄板基板の前記透明基板とは反対
側にカラーフィルターと透明電極線とが形成され、該透
明電極線にデータ書き込みに必要なデータ電圧が印加さ
れる構成とすることを特徴とする。
表示素子は、前記透明薄板基板の前記透明基板とは反対
側にカラーフィルターと透明電極線とが形成され、該透
明電極線にデータ書き込みに必要なデータ電圧が印加さ
れる構成とすることを特徴とする。
【００１４】本発明の請求項６のプラズマアドレス情報
表示素子は、前記プラズマ空間と前記透明電極線とが
「ねじれの位置」の関係であり、両者の空間的に重なっ
た部分が前記カラーフィルターの各絵素に対応している
構成とすることを特徴とする。
表示素子は、前記プラズマ空間と前記透明電極線とが
「ねじれの位置」の関係であり、両者の空間的に重なっ
た部分が前記カラーフィルターの各絵素に対応している
構成とすることを特徴とする。
【００１５】以下に、本発明の作用につき説明する。
【００１６】本発明のプラズマアドレス情報表示素子に
あっては、透明基板と透明薄板基板と両基板間に設けら
れた絶縁体からなる隔壁とで囲まれたプラズマ空間に、
不活性ガスと活性ガスの混合ガスが封入されている構成
であるので、透明基板上に形成されている電極線のスパ
ッタが、その金属状態のまま透明薄板基板に付着せず
に、その金属状態の金属粒子が前記空間内に存在する活
性ガスと反応した状態で透明薄板基板に付着することと
なる。
あっては、透明基板と透明薄板基板と両基板間に設けら
れた絶縁体からなる隔壁とで囲まれたプラズマ空間に、
不活性ガスと活性ガスの混合ガスが封入されている構成
であるので、透明基板上に形成されている電極線のスパ
ッタが、その金属状態のまま透明薄板基板に付着せず
に、その金属状態の金属粒子が前記空間内に存在する活
性ガスと反応した状態で透明薄板基板に付着することと
なる。
【００１７】このとき、活性ガスにＮ2やＯ2を用いるこ
とにより、電極線のスパッタである金属粒子がその活性
ガスと反応して窒化物や酸化物などの誘電体になるの
で、透明薄板基板を導体化することがなく、それ故に透
過率の低下及びカラーミキシングの発生を防止できる。
また、活性ガスにＮ2やＯ2を用いると、プラズマ空間内
に発生するプラズマ状態に悪影響を与えない。
とにより、電極線のスパッタである金属粒子がその活性
ガスと反応して窒化物や酸化物などの誘電体になるの
で、透明薄板基板を導体化することがなく、それ故に透
過率の低下及びカラーミキシングの発生を防止できる。
また、活性ガスにＮ2やＯ2を用いると、プラズマ空間内
に発生するプラズマ状態に悪影響を与えない。
【００１８】また、混合ガスのガス圧を１０Ｐａ〜１０
4Ｐａとした場合には、安定したプラズマ状態を得られ
る。
4Ｐａとした場合には、安定したプラズマ状態を得られ
る。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を具体
的に説明する。
的に説明する。
【００２０】（実施の形態１）本発明のプラズマアドレ
ス情報表示素子の実施の形態１について、図１〜図３に
基づいて説明すれば、以下の通りである。
ス情報表示素子の実施の形態１について、図１〜図３に
基づいて説明すれば、以下の通りである。
【００２１】このプラズマアドレス情報表示素子は、図
１に示すように、カラー部１０Ａとプラズマアドレス部
１０Ｂとの間に、液晶材料の注入されてなる液晶層６が
設けられ、さらにプラズマアドレス部１０Ｂの液晶層６
とは反対側にバックライト１０が組み合わされた構造と
なっている。
１に示すように、カラー部１０Ａとプラズマアドレス部
１０Ｂとの間に、液晶材料の注入されてなる液晶層６が
設けられ、さらにプラズマアドレス部１０Ｂの液晶層６
とは反対側にバックライト１０が組み合わされた構造と
なっている。
【００２２】カラー部１０Ａは、偏光板１ａと、板厚
０．５ｍｍ〜２．０ｍｍのガラスからなる透明基板２ａ
と、カラーフィルター３と、ＩＴＯ、ＳｎＯ2またはＩ
ＴＯ＋ＳｎＯ2等からなる透明電極線４と、高分子膜か
らなる配向膜５ａとからなる。一方、プラズマアドレス
部１０Ｂは、偏光板１ｂと、板厚０．５ｍｍ〜３．０ｍ
ｍのガラスからなる透明基板２ｂ、ＳｉＯ2等からなる
隔壁８と、Ｎｉ等の金属からなる電極線としてのアノー
ド９Ａおよびカソード９Ｃと、板厚１０μｍ〜１００μ
ｍのガラスからなる透明薄板基板７と、高分子膜からな
る配向膜５ｂとからなっている。隔壁８の幅は１００μ
ｍ程度、隣合う隔壁８間の距離は７００μｍ程度、電極
線の太さが１５０μｍ程度である。
０．５ｍｍ〜２．０ｍｍのガラスからなる透明基板２ａ
と、カラーフィルター３と、ＩＴＯ、ＳｎＯ2またはＩ
ＴＯ＋ＳｎＯ2等からなる透明電極線４と、高分子膜か
らなる配向膜５ａとからなる。一方、プラズマアドレス
部１０Ｂは、偏光板１ｂと、板厚０．５ｍｍ〜３．０ｍ
ｍのガラスからなる透明基板２ｂ、ＳｉＯ2等からなる
隔壁８と、Ｎｉ等の金属からなる電極線としてのアノー
ド９Ａおよびカソード９Ｃと、板厚１０μｍ〜１００μ
ｍのガラスからなる透明薄板基板７と、高分子膜からな
る配向膜５ｂとからなっている。隔壁８の幅は１００μ
ｍ程度、隣合う隔壁８間の距離は７００μｍ程度、電極
線の太さが１５０μｍ程度である。
【００２３】プラズマアドレス部１０Ｂにおいては、透
明基板２ｂ、隔壁８、透明薄板基板７とで囲まれたプラ
ズマ空間１１には、不活性ガスとしてＨｅ＋Ｎｅが分圧
２７００Ｐａ、活性ガスとしてＮ2が分圧３００Ｐａの
ガス圧で封入されている。そのプラズマ空間１１と前記
カラー部１０Ａの透明電極線４とは、図２に示すよう
に、例えば偏光板１ａ側から見て交差などの「ねじれの
位置」の関係となるように配設され、両者の空間的に重
なった部分がカラーフィルター３の各絵素に対応してい
る。
明基板２ｂ、隔壁８、透明薄板基板７とで囲まれたプラ
ズマ空間１１には、不活性ガスとしてＨｅ＋Ｎｅが分圧
２７００Ｐａ、活性ガスとしてＮ2が分圧３００Ｐａの
ガス圧で封入されている。そのプラズマ空間１１と前記
カラー部１０Ａの透明電極線４とは、図２に示すよう
に、例えば偏光板１ａ側から見て交差などの「ねじれの
位置」の関係となるように配設され、両者の空間的に重
なった部分がカラーフィルター３の各絵素に対応してい
る。
【００２４】このように構成されたプラズマアドレス情
報表示素子における情報の書き込み、保持は、図３Ａま
たは図３Ｂに示すように行われる。
報表示素子における情報の書き込み、保持は、図３Ａま
たは図３Ｂに示すように行われる。
【００２５】まず、図３Ａ（ａ）に示すようにアノード
９Ａとカソード９Ｃとの間に１００Ｖ〜５００Ｖの電圧
を印加、即ちカソード９Ｃに、例えば−３００Ｖ〜−４
５０Ｖの電圧Ｅｐを印加し放電を起こす。図において
は、マイナス帯電している粒子を黒丸（●）、プラス帯
電している粒子を白丸（○）で示している。
９Ａとカソード９Ｃとの間に１００Ｖ〜５００Ｖの電圧
を印加、即ちカソード９Ｃに、例えば−３００Ｖ〜−４
５０Ｖの電圧Ｅｐを印加し放電を起こす。図において
は、マイナス帯電している粒子を黒丸（●）、プラス帯
電している粒子を白丸（○）で示している。
【００２６】次に、図３Ａ（ｂ）に示すようにカラー部
の透明電極線４に＋５０Ｖ〜＋１００Ｖの電圧Ｅｄを印
加することにより情報を書き込み、図３Ａ（ｃ）に示す
ように放電を止めることにより、薄板薄板基板７界面を
マイナスに帯電させることにより情報の保持を行う。
の透明電極線４に＋５０Ｖ〜＋１００Ｖの電圧Ｅｄを印
加することにより情報を書き込み、図３Ａ（ｃ）に示す
ように放電を止めることにより、薄板薄板基板７界面を
マイナスに帯電させることにより情報の保持を行う。
【００２７】また、プラスに帯電させたい場合には、図
３Ｂ（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）に示すように、カラー部の
透明電極線４に−５０Ｖ〜−１００Ｖの電圧Ｅｄを印加
する。尚、実際には、アノード９Ａには０Ｖと＋５０Ｖ
〜＋１００Ｖの交流電圧を印加することにより、液晶へ
の直流成分重畳を防止している。
３Ｂ（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）に示すように、カラー部の
透明電極線４に−５０Ｖ〜−１００Ｖの電圧Ｅｄを印加
する。尚、実際には、アノード９Ａには０Ｖと＋５０Ｖ
〜＋１００Ｖの交流電圧を印加することにより、液晶へ
の直流成分重畳を防止している。
【００２８】図４は、不活性ガス（Ｈｅ＋Ｎｅ）と活性
ガス（Ｎ2）との混合ガスを用いた実施の形態１におけ
る操作時間と透過率の関係、及び不活性ガスのみを用い
た比較例（従来例）における操作時間と透過率の関係を
示している。
ガス（Ｎ2）との混合ガスを用いた実施の形態１におけ
る操作時間と透過率の関係、及び不活性ガスのみを用い
た比較例（従来例）における操作時間と透過率の関係を
示している。
【００２９】この図より理解されるように、実施の形態
１では１００００時間経過しても透過率が変化していな
いのに対し、比較例では４０００時間を経過する時点以
降において経過時間に伴って透過率が減少している。
１では１００００時間経過しても透過率が変化していな
いのに対し、比較例では４０００時間を経過する時点以
降において経過時間に伴って透過率が減少している。
【００３０】その理由は、比較例の場合は、電極線のス
パッタ、つまり金属粒子が透明薄板基板上に金属として
付着するのに対し、実施の形態１では電極線のスパッタ
である金属粒子が、プラズマ空間１１内の窒素と反応し
て透明もしくは透明に近い窒化物として透明薄板基板上
に付着することが原因と考えられる。また、窒化物は誘
電体であるため透明薄板基板を導体化することはなくカ
ラーミキシングも起こさない。また、活性ガスとしてＮ
2を選択することによりプラズマ状態に悪影響を与えな
い。
パッタ、つまり金属粒子が透明薄板基板上に金属として
付着するのに対し、実施の形態１では電極線のスパッタ
である金属粒子が、プラズマ空間１１内の窒素と反応し
て透明もしくは透明に近い窒化物として透明薄板基板上
に付着することが原因と考えられる。また、窒化物は誘
電体であるため透明薄板基板を導体化することはなくカ
ラーミキシングも起こさない。また、活性ガスとしてＮ
2を選択することによりプラズマ状態に悪影響を与えな
い。
【００３１】（実施の形態２）本発明のプラズマアドレ
ス情報表示素子の実施の形態２について、図１〜図４に
基づいて説明すれば、以下の通りである。
ス情報表示素子の実施の形態２について、図１〜図４に
基づいて説明すれば、以下の通りである。
【００３２】このプラズマアドレス情報表示素子の構造
および動作原理は、図１、図２および図３に示すよう
に、実施の形態１と同じである。
および動作原理は、図１、図２および図３に示すよう
に、実施の形態１と同じである。
【００３３】プラズマアドレス部１０Ｂにおいて、透明
基板２ｂ、隔壁８、透明薄板基板７とで囲まれたプラズ
マ空間１１には、不活性ガスとしてＡｒが分圧２８００
Ｐａ、活性ガスとしてＮ2が分圧２００Ｐａのガス圧で
封入、もしくは不活性ガスとしてＸｅが分圧２８００Ｐ
ａ、活性ガスとしてＮ2が分圧２００Ｐａのガス圧で封
入されている。
基板２ｂ、隔壁８、透明薄板基板７とで囲まれたプラズ
マ空間１１には、不活性ガスとしてＡｒが分圧２８００
Ｐａ、活性ガスとしてＮ2が分圧２００Ｐａのガス圧で
封入、もしくは不活性ガスとしてＸｅが分圧２８００Ｐ
ａ、活性ガスとしてＮ2が分圧２００Ｐａのガス圧で封
入されている。
【００３４】図４に、不活性ガス（ＡｒまたはＸｅ）と
活性ガス（Ｎ2）の混合ガスを用いた実施の形態２の操
作時間と透過率の関係、及び不活性ガスのみを用いた比
較例（従来例）の操作時間と透過率の関係を示してい
る。
活性ガス（Ｎ2）の混合ガスを用いた実施の形態２の操
作時間と透過率の関係、及び不活性ガスのみを用いた比
較例（従来例）の操作時間と透過率の関係を示してい
る。
【００３５】実施の形態２では１００００時間経過して
も透過率が変化していないのに対し、比較例では４００
０時間を経過した時点以降でその経過時間に伴って透過
率が減少している。
も透過率が変化していないのに対し、比較例では４００
０時間を経過した時点以降でその経過時間に伴って透過
率が減少している。
【００３６】その理由は、比較例では電極線のスパッタ
である金属粒子が透明薄板基板上に金属として付着する
のに対し、実施の形態２では電極線のスパッタである金
属粒子が窒素と反応して透明もしくは透明に近い窒化物
として透明薄板基板上に付着することが原因と考えられ
る。また、窒化物は誘電体であるため、透明薄板基板を
導体化することはなくカラーミキシングも起こさない。
である金属粒子が透明薄板基板上に金属として付着する
のに対し、実施の形態２では電極線のスパッタである金
属粒子が窒素と反応して透明もしくは透明に近い窒化物
として透明薄板基板上に付着することが原因と考えられ
る。また、窒化物は誘電体であるため、透明薄板基板を
導体化することはなくカラーミキシングも起こさない。
【００３７】（実施の形態３）本発明のプラズマアドレ
ス情報表示素子の実施の形態３について、図１〜図４に
基づいて説明すれば、以下の通りである。
ス情報表示素子の実施の形態３について、図１〜図４に
基づいて説明すれば、以下の通りである。
【００３８】このプラズマアドレス情報表示素子の構造
および動作原理は、図１、図２および図３に示すよう
に、実施の形態１と同じである。
および動作原理は、図１、図２および図３に示すよう
に、実施の形態１と同じである。
【００３９】プラズマアドレス部１０Ｂにおいて、透明
基板２ｂ、隔壁８、透明薄板基板７とで囲まれたプラズ
マ空間１１には、不活性ガスとしてＸｅが分圧２９５０
Ｐａ、活性ガスとしてＯ2が分圧５０Ｐａのガス圧で封
入、もしくは不活性ガスとしてＸｅが分圧２９５０Ｐ
ａ、活性ガスとしてＮ2＋Ｏ2が分圧５０Ｐａのガス圧で
封入されている。
基板２ｂ、隔壁８、透明薄板基板７とで囲まれたプラズ
マ空間１１には、不活性ガスとしてＸｅが分圧２９５０
Ｐａ、活性ガスとしてＯ2が分圧５０Ｐａのガス圧で封
入、もしくは不活性ガスとしてＸｅが分圧２９５０Ｐ
ａ、活性ガスとしてＮ2＋Ｏ2が分圧５０Ｐａのガス圧で
封入されている。
【００４０】図４に、不活性ガス（Ｘｅ）と活性ガス
（Ｏ2またはＮ2＋Ｏ2）との混合ガスを用いた実施の形
態３の操作時間と透過率の関係、及び不活性ガスのみを
用いた比較例（従来例）の操作時間と透過率の関係を示
している。
（Ｏ2またはＮ2＋Ｏ2）との混合ガスを用いた実施の形
態３の操作時間と透過率の関係、及び不活性ガスのみを
用いた比較例（従来例）の操作時間と透過率の関係を示
している。
【００４１】実施の形態３では１００００時間経過して
も透過率が変化していないのに対し、比較例では４００
００時間経過した時点以降で経過時間に伴って透過率が
減少している。
も透過率が変化していないのに対し、比較例では４００
００時間経過した時点以降で経過時間に伴って透過率が
減少している。
【００４２】その理由は、比較例では電極線のスパッタ
により発生した金属粒子が透明薄板基板上に金属として
付着するのに対し、実施の形態３では電極線スパッタに
より発生した金属粒子が酸素と反応して透明もしくは透
明に近い酸化物として透明薄板基板上に付着することが
原因と考えられる。また、酸化物は誘電体であるため、
透明薄板基板を導体化することはなくカラーミキシング
も起こさない。また、活性ガスとしてＯ2もしくはＮ2＋
Ｏ2を選択することによりプラズマ状態に悪影響を与え
ない。
により発生した金属粒子が透明薄板基板上に金属として
付着するのに対し、実施の形態３では電極線スパッタに
より発生した金属粒子が酸素と反応して透明もしくは透
明に近い酸化物として透明薄板基板上に付着することが
原因と考えられる。また、酸化物は誘電体であるため、
透明薄板基板を導体化することはなくカラーミキシング
も起こさない。また、活性ガスとしてＯ2もしくはＮ2＋
Ｏ2を選択することによりプラズマ状態に悪影響を与え
ない。
【００４３】本実施の形態は、板厚０．５ｍｍ〜３．０
ｍｍのガラスからなる透明基板２ｂにＮｉ等の金属から
なる、電極線としてのアノード９Ａとカソード９Ｃが直
接形成されているが、界面との接合性を向上させるため
に、例えばＳｉＯ2等からなる下地膜を形成してもよ
い。
ｍｍのガラスからなる透明基板２ｂにＮｉ等の金属から
なる、電極線としてのアノード９Ａとカソード９Ｃが直
接形成されているが、界面との接合性を向上させるため
に、例えばＳｉＯ2等からなる下地膜を形成してもよ
い。
【００４４】さらに、隔壁８、電極線としてのアノード
９Ａとカソード９Ｃの形成には、印刷法やサンドブラス
ト法等が用いられるが、上述の機能を満たしていれば、
この限りではなく、他の形成方法を用いることができ
る。また、活性ガス分圧も０．５％〜１０％を示した
が、この限りではない。
９Ａとカソード９Ｃの形成には、印刷法やサンドブラス
ト法等が用いられるが、上述の機能を満たしていれば、
この限りではなく、他の形成方法を用いることができ
る。また、活性ガス分圧も０．５％〜１０％を示した
が、この限りではない。
【００４５】
【発明の効果】以上のように、本発明のプラズマアドレ
ス情報表示素子による場合には、透明基板と透明薄板基
板と両基板間に設けられた絶縁体からなる隔壁とで囲ま
れたプラズマ空間に、不活性ガスと活性ガスの混合ガス
が封入されている構成であるので、透明基板上に形成さ
れている電極線のスパッタが、その金属状態のまま透明
薄板基板に付着せずに、その金属状態の金属粒子が前記
プラズマ空間内に存在する活性ガスと反応した状態で透
明薄板基板に付着することとなる。このとき、活性ガス
にＮ2やＯ2を用いることにより、電極線のスパッタであ
る金属粒子がその活性ガスと反応して窒化物や酸化物な
どの誘電体になるので、透明薄板基板を導体化すること
がなく、それ故に透過率の低下及びカラーミキシングの
発生を防止できる。また、活性ガスにＮ2やＯ2を用いる
と、プラズマ空間内に発生するプラズマ状態に悪影響を
与えない。
ス情報表示素子による場合には、透明基板と透明薄板基
板と両基板間に設けられた絶縁体からなる隔壁とで囲ま
れたプラズマ空間に、不活性ガスと活性ガスの混合ガス
が封入されている構成であるので、透明基板上に形成さ
れている電極線のスパッタが、その金属状態のまま透明
薄板基板に付着せずに、その金属状態の金属粒子が前記
プラズマ空間内に存在する活性ガスと反応した状態で透
明薄板基板に付着することとなる。このとき、活性ガス
にＮ2やＯ2を用いることにより、電極線のスパッタであ
る金属粒子がその活性ガスと反応して窒化物や酸化物な
どの誘電体になるので、透明薄板基板を導体化すること
がなく、それ故に透過率の低下及びカラーミキシングの
発生を防止できる。また、活性ガスにＮ2やＯ2を用いる
と、プラズマ空間内に発生するプラズマ状態に悪影響を
与えない。
【図１】本発明の実施の形態１、実施の形態２および実
施の形態３のプラズマアドレス情報表示素子の断面構造
を示す断面図である。
施の形態３のプラズマアドレス情報表示素子の断面構造
を示す断面図である。
【図２】本発明の実施の形態１、実施の形態２および実
施の形態３のプラズマアドレス情報表示素子におけるプ
ラズマ空間と透明電極線との構成を示す斜視図である。
施の形態３のプラズマアドレス情報表示素子におけるプ
ラズマ空間と透明電極線との構成を示す斜視図である。
【図３Ａ】本発明の実施の形態１、実施の形態２および
実施の形態３のプラズマアドレス部の動作を示す説明図
である。
実施の形態３のプラズマアドレス部の動作を示す説明図
である。
【図３Ｂ】本発明の実施の形態１、実施の形態２および
実施の形態３のプラズマアドレス部の動作を示す説明図
である。
実施の形態３のプラズマアドレス部の動作を示す説明図
である。
【図４】本発明の実施の形態１、実施の形態２、実施の
形態３および比較例の各々における操作時間と透過率と
の関係を示す図である。
形態３および比較例の各々における操作時間と透過率と
の関係を示す図である。
【図５】従来のプラズマアドレス情報表示素子の断面構
造を示す断面図である。
造を示す断面図である。
１ａ、１ｂ、２１ａ、２１ｂ 偏光板 ２ａ、２ｂ、２２ａ、２２ｂ 透明基板 ３、２３ カラーフィルター ４、２４ 透明電極線 ５ａ、５ｂ、２５ａ、２５ｂ 配向膜 ６、２６ 液晶材料 ７、２７ 透明薄板基板 ８、２８ 隔壁 ９Ａ、２９Ａ アノード ９Ｃ、２９Ｃ カソード １０、３０ バックライト １０Ａ、３０Ａ カラー部 １０Ｂ、３０Ｂ プラズマアドレス部 １１、３１ プラズマ空間
Claims (6)
- 【請求項１】 離隔配設した透明基板と透明薄板基板と
の間に、該透明基板側に電極線が形成されていると共
に、両基板間にわたって絶縁体からなる隔壁が形成さ
れ、両基板と該隔壁とで囲まれたプラズマ空間に不活性
ガスと活性ガスとの混合ガスが封入されているプラズマ
アドレス情報表示素子。 - 【請求項２】 前記不活性ガスが、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒお
よびＸｅの中から選ばれた１種以上のガスであり、前記
活性ガスが、Ｎ2およびＯ2の中から選ばれた１種以上の
ガスである請求項１記載のプラズマアドレス情報表示素
子。 - 【請求項３】 前記混合ガスのガス圧が１０Ｐａ〜１０
4Ｐａである請求項１記載のプラズマアドレス情報表示
素子。 - 【請求項４】 前記電極線がアノード及びカソードから
構成され、カソードには放電のために必要な電圧が印加
される請求項１記載のプラズマアドレス情報表示素子。 - 【請求項５】 前記透明薄板基板の前記透明基板とは反
対側にカラーフィルターと透明電極線とが形成され、該
透明電極線にデータ書き込みに必要なデータ電圧が印加
される請求項１記載のプラズマアドレス情報表示素子。 - 【請求項６】 前記プラズマ空間と前記透明電極線とが
「ねじれの位置」の関係であり、両者の空間的に重なっ
た部分が前記カラーフィルターの各絵素に対応している
請求項５記載のプラズマアドレス情報表示素子。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9291376A JPH11125809A (ja) | 1997-10-23 | 1997-10-23 | プラズマアドレス情報表示素子 |
| KR1019980044261A KR100334851B1 (ko) | 1997-10-23 | 1998-10-22 | 플라즈마어드레스정보표시소자 |
| US09/176,901 US6177762B1 (en) | 1997-10-23 | 1998-10-22 | Plasma display panel having mixed gases to counteract sputtering effects |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9291376A JPH11125809A (ja) | 1997-10-23 | 1997-10-23 | プラズマアドレス情報表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11125809A true JPH11125809A (ja) | 1999-05-11 |
Family
ID=17768125
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9291376A Pending JPH11125809A (ja) | 1997-10-23 | 1997-10-23 | プラズマアドレス情報表示素子 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6177762B1 (ja) |
| JP (1) | JPH11125809A (ja) |
| KR (1) | KR100334851B1 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11218745A (ja) * | 1998-01-30 | 1999-08-10 | Sony Corp | プラズマ発光装置及び表示装置 |
| US7215303B2 (en) | 1999-12-14 | 2007-05-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | AC-type plasma display panel capable of high definition and high brightness image display, and a method of driving the same |
| TWI292166B (en) * | 2001-06-01 | 2008-01-01 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Gas discharge panel and manufacturing method for the same |
| US7948180B2 (en) * | 2005-07-08 | 2011-05-24 | Panasonic Corporation | Plasma display panel and plasma display panel device with reduced driving voltage |
| RU2531530C1 (ru) * | 2013-07-26 | 2014-10-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Уральский государственный университет" (национальный исследовательский университет) (ФГБОУ ВПО "ЮУрГУ" (НИУ)) | Адаптивное интегрирующее устройство синхронизации |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3716742A (en) * | 1970-03-03 | 1973-02-13 | Fujitsu Ltd | Display device utilization gas discharge |
| US3944875A (en) * | 1971-08-10 | 1976-03-16 | Fujitsu Limited | Gas discharge device having a function of shifting discharge spots |
| DE2265577C2 (de) * | 1971-10-15 | 1983-11-10 | Fujitsu Ltd., Kawasaki, Kanagawa | Gasentladungs-Anzeigevorrichtung |
| JPS5248765B2 (ja) * | 1971-10-18 | 1977-12-12 | ||
| US4147958A (en) * | 1977-06-30 | 1979-04-03 | International Business Machines Corporation | Multicolor gas discharge display memory panel |
| JP3307161B2 (ja) * | 1995-05-12 | 2002-07-24 | ソニー株式会社 | プラズマアドレス表示パネル |
-
1997
- 1997-10-23 JP JP9291376A patent/JPH11125809A/ja active Pending
-
1998
- 1998-10-22 KR KR1019980044261A patent/KR100334851B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1998-10-22 US US09/176,901 patent/US6177762B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR19990037289A (ko) | 1999-05-25 |
| KR100334851B1 (ko) | 2002-08-28 |
| US6177762B1 (en) | 2001-01-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020730 |