JPH11125924A

JPH11125924A - 光受容部材の形成装置及び形成方法

Info

Publication number: JPH11125924A
Application number: JP30786997A
Authority: JP
Inventors: Yoshio Seki; 好雄瀬木; Yasuyoshi Takai; 康好高井; Hiroyuki Katagiri; 宏之片桐; Hideaki Matsuoka; 秀彰松岡
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1997-10-22
Filing date: 1997-10-22
Publication date: 1999-05-11

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明は、光受容部材、特に電子写真用光受容
部材ににおいて、常時安定した品質の光受容部材を連続
的に形成することのできる光受容部材の形成装置及び形
成方法を提供することを目的としている。【解決手段】本発明は、反応容器内に基体を支持する基
体ホルダーを備え、該基体ホルダーに装着される基体の
表面に減圧気相成長法によってシリコン原子を母材とす
る非晶質材料からなる光受容部材を形成させる光受容部
材の形成装置または方法であって、該基体ホルダーが金
属を母体とし、少なくとも基体と相対する外側のある特
定部分の表面が黒化処理されてなることを特徴とするも
のである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光（ここでは広義
の光で、紫外線、可視光線、赤外線、Ｘ線、γ線等を示
す。）の様な電磁波に感受性のある光受容部材を連続し
て安定に形成する光受容部材の形成装置及び形成方法に
関する。

【０００２】

【従来の技術】固体撮像装置、あるいは像形成分野にお
ける電子写真用光受容部材や原稿読みとり装置における
光導電層を形成する材料として、高感度でＳＮ比［光電
流（Ｉｐ）／（Ｉｄ）］が高く、照射する電磁波のスペ
クトル特性にマッチングした吸収スペクトル特性を有す
ること、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有するこ
と、使用時において人体に無公害であること、さらには
固体撮像装置においては、残像を所定時間内に容易に処
理することができる等の特性が要求される。特に事務機
としてオフィスで使用される電子写真用光受容部材の場
合には、上記の使用時における無公害性は重要な点であ
る。この様な観点に立脚して注目されている材料に、水
素やハロゲン原子等の一価の元素でダングリングボンド
が修飾されたアモルファスシリコン（以後、「ａ−Ｓ
ｉ」と表記する）があり、例えば特開昭５４−８６３４
１号公報には電子写真用光受容部材への応用が記載され
ている。

【０００３】従来、円筒状基体上にａ−Ｓｉからなる光
受容部材を形成するに形成方法として、スパッタリング
法、熱により原料ガスを分解する方法（熱ＣＶＤ法）、
光により原料ガスを分解する方法（光ＣＶＤ法）、プラ
ズマにより原料ガスを分解する方法（プラズマＣＶＤ
法）等、多数知られている。なかでもプラズマＣＶＤ
法、すなわち、原料ガスを直流または高周波、マイクロ
波グロー放電等によって分解し、円筒状基体上に堆積膜
を形成する方法は電子写真用光受容部材の形成方法等、
現在実用化が非常に進んでいる。図６は、典型的なプラ
ズマＣＶＤ装置の断面略図である。図中、（６１００）
は真空反応容器全体を示し、（６１１１）は真空反応容
器の側壁を兼ねたカソード電極であり、（６１２３）は
真空反応容器の上壁となるゲート、（６１２１）は真空
反応容器の底壁である。前記カソード電極（６１１１）
と、上壁（６１２３）及び底壁（６１２１）とは、夫
々、碍子（６１２２）で絶縁されている。（６１１２）
はアルミニウム等の金属製の基体ホルダー（６１１３）
に装着され真空反応容器内に設置された基体であり、該
基体（６１１２）は接地されてアノード電極となるもの
である。基体ホルダー（６１１３）の中には、基体加熱
用ヒーター（６１１４）が設置されており、成膜前に基
体を所定の温度に加熱したり、成膜中に基体を所定の温
度に維持したり、あるいは成膜後基体をアニール処理し
たりするのに用いる。（６１１５）は堆積膜形成用原料
ガス導入管であって、真空反応空間内に該原料ガスを放
出するためのガス放出孔（図示せず）が多数設けられて
おり、該原料ガス導入管（６１１５）の他端は、バルブ
（６２６０）を介して堆積膜形成用原料ガス供給系（６
２００）に連通している。（６１２４）は、真空反応容
器内を真空排気するための排気管であり、排気バルブ
（６１１９）を介して真空排気装置（図示せず）に連通
している。（６１１６）は、カソード電極（６１１１）
ヘの電圧印加手段である。

【０００４】こうしたプラズマＣＶＤ法による堆積膜形
成装置の操作方法は次のようにして行なわれる。即ち、
真空反応容器内のガスを、排気管（６１２４）を介して
真空排気すると共に、加熱用ヒーター（６１１４）によ
り基体（６１１２）を所定温度に加熱、保持する。次に
原料ガス導入管（６１１５）を介して、例えばａ−Ｓｉ
Ｈ堆積膜を形成する場合であれば、シラン等の原料ガス
を真空反応容器内に導入し、該原料ガスは、ガス導入管
の原料ガス放出孔（図示せず）から真空反応容器内に放
出される。これと同時併行的に、電圧印加手段（６１１
６）から、例えば高周波をカソード電極（６１１１）と
基体（アノード電極）（６１１２）間に印加しプラズマ
放電を発生せしめる。かくして、真空反応容器内の原料
ガスは励起され励起種化し、Ｓｉ＊、ＳｉＨ＊等（＊は
励起状態を表わす。）のラジカル粒子、電子、イオン粒
子等が生成され、これらの粒子間または、これらの粒子
と基体表面との化学的相互作用により、基体表面上に堆
積膜を形成する。このような、例えばａ−Ｓｉからなる
電子写真用光受容部材を形成する場合、円筒状基体を真
空反応容器内に運搬ならびに保持する必要があることか
ら、円筒状基体内部に基体ホルダーを挿入することが行
われる。また例えば特開昭６０−８６２７６号公報など
に開示されているように、その特性を均一なものにする
目的で、基体上下に補助基体を設ける必要があること等
の理由からも円筒状基体内部に基体ホルダーを挿入する
ことが、一般に行われている。更に、例えば、特開平７
−１８１７００号公報によれば、画像欠陥を防ぎ、且つ
電子写真特性の向上を図り、更に均一な高品位の画像を
得る目的で、基体ホルダーの母材は、基体に相対する部
分は熱伝導度の大きな材料を用い、基体ホルダー上部又
は／及び下部は熱膨張係数及び熱伝導度の小さい材料で
構成する技術が開示されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】このような従来の光受
容部材形成方法により、ある程度実用的な特性と均一性
を持つ光受容部材を得ることが可能になった。また真空
反応容器内の清掃を厳格に行えばある程度欠陥の少ない
光受容部材を得ることは可能である。しかし、これら従
来の光受容部材形成方法では、例えば電子写真用光受容
部材のように大面積で比較的厚い堆積膜が要求される製
品については、均一膜質で光学的及び電気的諸特性の要
求を満足し、かつ電子写真プロセスにより画像形成時に
画像欠陥の少ない堆積膜を高収率で得るのは難しいとい
う解決すべき問題が残存している。さらに現在、電子写
真装置はさらに高画質、高速、高耐久性が望まれてい
る。その結果、電子写真用光受容部材においては、光学
的特性や電気的特性の更なる向上とともに、高帯電能、
高感度を維持しつつあらゆる環境下で耐久性をのばすこ
とが求められている。

【０００６】また、近年、電子写真装置の画像特性向上
のために電子写真装置内の光学露光系、現像装置、転写
装置等の改良がなされた結果、電子写真用光受容部材に
おいても、従来以上の画像特性の向上が求められるよう
になった。特に、電子写真感光体の１周前の残像が画像
に生じる光メモリーの更なる改善が求められるようにな
ってきた。さらに、電子写真装置の高速化に対応し、複
写プロセスのスピードアップも成されている。そのた
め、光受容部材の特性の場所的バラツキといった問題点
は、従来のスピードの複写システムにあっては必ずしも
痛切ではなく場合によっては無視することもできたが、
レーザー等の可干渉光光源を使用する高速の複写システ
ム、ファクシミリシステム、プリンターシステム等の高
速連続画像形成システム、特にデジタル高速連続画像シ
ステム、さらには近年普及してきたフルカラー画像シス
テムにおいては、視覚的に明らかなものとなるため、重
大な問題であり、解決の要求されるところのものであ
る。このようなことから、光受容部材そのものの特性改
良が図られる一方で、上記のような問題が解決されれよ
うに、層構成、各層の化学的組成および作製法など総合
的な観点からの改良を図ることが必要とされている。

【０００７】そこで、本発明は、上記した従来の光受容
部材における諸課題を解決し、光受容部材、特に電子写
真用光受容部材ににおいて、常時安定した品質の光受容
部材を連続的に形成することのできる光受容部材の形成
装置及び形成方法を提供することを目的としている。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するため、光受容部材の形成装置及び形成方法をつぎ
のように構成したことを特徴とするものである。すなわ
ち、本発明の光受容部材の形成装置は、反応容器内に基
体を支持する基体ホルダーを備え、該基体ホルダーに装
着される基体の表面に減圧気相成長法によってシリコン
原子を母材とする非晶質材料からなる光受容部材を形成
させる光受容部材の形成装置であって、該基体ホルダー
が金属を母体とし、少なくとも基体と相対する外側のあ
る特定部分の表面が黒化処理されてなることを特徴とし
ている。また、本発明の光受容部材の形成方法は、基体
を基体ホルダーに装着させ減圧気相成長法により、該基
体の表面にシリコン原子を母材とする非晶質材料からな
る光受容部材を形成させる光受容部材の形成方法であっ
て、該基体ホルダーが金属を母体とし、少なくとも基体
と相対する外側のある特定部分の表面を黒化処理して光
受容部材を形成することを特徴としている。また、本発
明の光受容部材の形成装置及び方法は、前記黒化処理さ
れる特定部分が、基体の温度が低くなってしまう部分に
相対する部分であることを特徴としている。また、本発
明の光受容部材の形成装置及び方法は、前記黒化処理
が、セラミックにより処理されていることを特徴として
いる。また、本発明の光受容部材の形成装置及び方法
は、前記セラミックが、Ａｌ₂Ｏ₃とＣｒ₂Ｏ₃の混在系で
あることを特徴としている。また、本発明の光受容部材
の形成装置及び方法は、前記基体ホルダーの外面の表面
粗さが、Ｒｚで１０〜９０μｍであることを特徴として
いる。また、本発明の光受容部材の形成装置及び方法
は、前記基体ホルダーの母体となる金属が、前記基体と
同種類の金属を含むことを特徴としている。また、本発
明の光受容部材の形成装置及び方法は、前記基体ホルダ
ーの内側の表面がセラミックで構成されていることを特
徴としている。また、本発明の光受容部材の形成装置及
び方法は、前記基体ホルダー内側の表面のセラミック
が、耐酸性に優れた材料、または熱輻射を受け易い材料
の少なくとも一つの材料によって構成されていることを
特徴としている。また、本発明の光受容部材の形成装置
及び方法は、前記基体ホルダー内側の表面のセラミック
が、Ａｌ₂Ｏ₃とＣｒ₂Ｏ₃の混在系であることを特徴とし
ている。

【０００９】

【発明の実施の形態】本発明の上記構成は、本発明者ら
の、前述した従来の光受容部材における前述の問題を克
服して、本発明の目的を達成すべく鋭意研究を重ねたつ
ぎのような検討の結果、完成に到ったものである。すな
わち、本発明者らは、基体ホルダーに装着された基体の
表面にシリコン原子を母材とする非晶質材料からなる光
受容部材を形成するに際して、該基体ホルダーの少なく
とも基体と相対する外面のある特定部分の表面を黒化処
理し、減圧気相成長法により、前記基体ホルダーに装着
された基体の表面に光受容部材を形成することを検討
し、これにより光受容層の長手方向での電気特性のバラ
ツキ、または画像特性のバラツキを極端に減少させるこ
とができるということを見い出した。これにより、電気
特性面では、温度特性のむらが長手方向で改善されたこ
とで、画像濃度むらが良化し、更には、濃度安定性やウ
ェイトアップ時間の短縮の効果も得られた。また画像特
性面では、電子写真感光体の１周前の残像が画像に生じ
る光メモリーのむらによる画像欠陥が改善された。

【００１０】これらは、つぎのような原因に基づくもの
と推測される。プラズマＣＶＤ法により例えばアモルフ
ァスシリコン堆積膜を基体上に形成する場合、反応は、
気相に於ける原料ガスの分解過程、放電空間から基体表
面までの活性種の輸送過程、基体表面での表面反応過程
の３つに分けて考えることができる。中でも、表面反応
過程は完成した堆積膜の構造の決定に非常に大きな役割
を果たしている。そして、これらの表面反応は、基体表
面の温度、材質、形状、吸着物質などに大きな影響を受
けるのである。この基体上での成長過程を水素を含むア
モルファスシリコンを例にしてもう少し詳細に説明する
と以下のようになる。プラズマ中で分解して輸送されて
きた分解種は基体上に付着してアモルファスシリコン膜
のネットワークを形成するが、まだ３次元的にネットワ
ークが完成されていないアモルファスシリコンの成長面
では水素原子の脱離、ダングリングボンドヘの水素原子
や珪素原子の結合、エネルギー的に高い結合を持つ原子
の再配置などにより、構造欠陥の少なく、エネルギー的
に安定な方向への化学的反応（緩和過程）が起こる。こ
れらの結果、堆積膜としてはダングリングボンドの減
少、ギャップ準位密度の低下、Ｓｉ−Ｈ₂結合が減少し
てＳｉ−Ｈ結合が主となる等の減少が観察される。これ
らの反応は基体の熱エネルギーにより制御されるため、
堆積膜形成中の基体温度が非常に重要となる。

【００１１】該基体の加熱方法は、赤外線などを用いて
気相成長面を直接加熱する手段もあるが、気相成長側に
加熱手段を設けることが実装上困難であるため、通常
は、基体ホルダーの内側に加熱手段が設けられる。した
がって、基体を所定の温度に加熱するためには、基体ホ
ルダーの内面で受けた熱を間接的に基体に伝達するよう
にする。そして、特に連続製造においては、基体と基体
ホルダーからなる基体部材は、運搬工程を経て固定部材
である加熱手段とドッキングさせる必要があること、ま
たさらに、特性の均一化を図るために該基体部材を回転
させる等の理由から、基体部材と加熱手段は非接触状態
にすることが望ましい。その場合、熱の伝達は主として
加熱手段から基体ホルダーヘの熱輻射により行われ、そ
の後基体ホルダーから基体への熱輻射及び、または、熱
伝導で行われる。

【００１２】この際、基体ホルダーの基体と相対する面
の表面温度は、加熱手段の用いるヒーターの形状や、反
応炉の構成により、大きく影響される事があり、更に
は、加熱された基体及び基体ホルダーを運搬工程を経て
反応炉へ移送する際、基体ホルダーの上部のチャッキン
グ部を、搬送手段である搬送機のチャッキング部とをド
ッキングさせ基体ホルダーを移送させるため、搬送機の
チャッキング部は金属製であり、常温状態であることか
ら、基体上部はその際に生じる放熱作用により部分的に
温度が下がってしまう。また、基体ホルダー下部は、基
体及び基体ホルダーがアノード電極となるため、反応炉
の下部の金属部分に接触しているため、基体の下部はそ
の放熱作用により部分的に温度が低下してしまう。その
ため、加熱時や堆積膜形成時に、基体温度が基体長手方
向で、上下部の温度が低く、中央の温度が高いというば
らつきが生じてしまう。このような、基体温度のばらつ
きに対しては、巻き付けヒーターの巻き数を基体温度の
低い部分に相対する部分を多く巻く事である程度は改善
できるが、ヒーターの電力容量が大きくなる事、更に
は、ヒーターの巻き数が多い部分については、他の場所
に比べてヒーターの変色等による劣化がより進行しやす
いため、逆に基体の温度むらを発生させたりするため、
連続生産における基体温度の安定化という点で問題とな
ってしまう。

【００１３】本発明の、基体ホルダーの少なくとも基体
と相対する外面のある特定部分の表面を黒化処理する手
法によれば、外側のある特定部分、すなわち前述のよう
な基体の温度が低くなってしまう部分に相対する部分の
表面が黒化処理されているため、その部分は、黒化処理
されていない部分に比べて、基体に対する熱伝導及び、
輻射熱を効率よく行う事ができる。また、基体ホルダー
は堆積膜形成後は、毎回、ガラスビーズを用いた液体ホ
ーニングによりブラスト処理され、更新されるが、黒化
処理されている部分については、変色等の問題が発生し
ないため、毎回表面を更新する必要がなく、常に同一状
態である事から、熱伝導及び、輻射熱を安定させる事が
できる。この結果、基体温度を均一にすることができ、
そのため温度特性のむらが改善され、更には、光メモリ
ーのむらの改善により画像特性を向上する事ができるも
のである。また、本発明のように、基体の温度が低くな
ってしまう部分に相対する部分の表面を黒化処理するこ
とで、ヒーターの巻き数増加による電力容量アップの問
題が無くなり、また、ヒーターの巻き数を生産機種、生
産条件、基体の大きさ等によって都度変更する必要が無
く、同一ヒーター形状においても、基体ホルダーの黒化
処理部分を設定するだけですむ事から、装置稼働率が上
がり、その結果生産性が向上する。さらに、黒化処理を
セラミックで行うことで、耐熱性が向上する為温度によ
る表面の変質が抑制され、また硬度が高いため、黒化処
理部の面粗さのバラツキも低減することが可能となる。
また、本発明のこの様な構成は、前記にも述べたが、運
搬工程を要する、例えば図５に示すような、各処理毎に
専用の真空容器を備えた光受容部材の形成装置において
も効果的である。

【００１４】図５の装置について説明すると、図５は堆
積膜形成装置全体の配置図であり、（５１０）は清浄な
雰囲気で基体を、金属を母体とし外面が黒化処理された
基体ホルダーに装着し、真空にするための真空投入容器
である。（５１１）は基体を所定の温度に加熱、保持す
るための真空加熱容器、（５１２）は堆積膜を形成する
ための真空反応容器、（５１３）は堆積膜形成後の基体
等を冷却し、取り出すための真空冷却容器である。（５
３４）は基体ホルダーを各処理容器（５１０）、（５１
１）、（５１２）、（５１３）の各位置に移動するため
の真空搬送容器である。（５１４）、（５１５）、（５
１６）、（５１７）は各処理容器を真空にするための排
気装置、（５１８）、（５１９）、（５２０）、（５２
１）は真空搬送容器（５３４）が各真空処理容器（５１
０）、（５１１）、（５１２）、（５１３）に接続され
たときゲートバルブ（５３５）とゲートバルブ（５２
２）、（５２３）、（５２４）、（５２５）の空間を真
空にするための排気装置である。即ち、例えば真空反応
容器（５１２）への基体ホルダーの出し入れは、真空搬
送容器（５３４）のゲートバルブ（５３５）を真空加熱
容器（５１１）のゲートバルブ（５２３）上に密着さ
せ、ゲートバルブ（５３５）とゲートバルブ（５２３）
の空間を排気装置（５１９）により真空にする。次いで
ゲートバルブ（５２３）、（５３５）を開き、真空搬送
容器（５３４）内に設けられた上下移動機構（図示せ
ず）により真空加熱容器（５１１）内より加熱された基
体ホルダーを搬出し、同様の操作で次に真空反応容器
（５１２）内に基体ホルダーを搬入する。移送時間は、
通常３〜１０分程である。その後は、前述のように真空
反応容器（５１２）内で、基体上に堆積膜を形成する。
そして最後に真空冷却容器（５１３）へ基体ホルダーを
搬入し、真空冷却容器（５１３）内で基体は冷却された
後、真空冷却容器（５１３）内を大気圧にし、基体を取
り出す。

【００１５】このような各処理毎に専用の真空容器を備
えた光受容部材の形成装置においても効果的である理由
は、真空加熱容器（５１１）で加熱された基体ホルダー
は、基体ホルダーの上部のチャッキング部を、真空搬送
容器（５３４）内にある搬送機のチャッキング部とをド
ッキングさせ基体ホルダーを移送させるため、搬送機の
チャッキング部は金属製であり、且つ常温状態であるこ
とから、基体上部はその際に生じる放熱作用により部分
的に温度が下がってしまう。このように堆積膜形成前に
加熱された基体ホルダーを移動すると、移送時間中に基
体上部の温度が低下してしまう。この点に対しても本発
明は有効であり、基体ホルダー上部を黒化処理する事
で、加熱段階で、基体上部の温度がやや高くなり、移送
時間中に温度が低下しても、真空反応容器（５１２）に
投入され、堆積膜が形成される頃には、基体温度は均一
になっている。

【００１６】以下、図面にしたがって本発明の光受容部
材の形成方法について具体例を挙げて詳細に説明する。
図１は、本発明の光受容部材の形成方法を説明するため
の基体部材の典型的な例を模式的に示した構成図であ
る。（１０１）が基体ホルダーであり、該基体ホルダー
（１０１）は、該基体ホルダー外面（１０２）の、図中
太線で示した部分は、相対する基体表面（１０８）の温
度が低いため、黒化処理を施してある。基体ホルダー
（１０１）は、加熱手段（１０５）からの輻射熱を直接
受ける。熱は基体ホルダー（１０１）内部を熱伝導で伝
わり、さらには、基体ホルダー（１０１）の外面（１０
２）に伝わり、最終的に装着された基体（１０７）の表
面（１０８）に伝えられる。この際に起こる熱伝導、輻
射熱は、基体ホルダー（１０１）の外面（１０２）の黒
化処理の効果により、基体（１０７）に均一に伝えられ
る。

【００１７】図１は、代表的な構成例であり、図示の補
助基体部分（１０３）は必要に応じて省略しても良い。
また置き台部分（１０６）については、これに換えてヒ
ーターを支柱と兼用させるようにし用いることも出来
る。また、基体（１０７）と基体ホルダー（１０１）
は、熱伝導を良くするために接触させるのが望ましい
が、許容し得る程度の間隔があってもよい。また、図１
（Ｂ）に示す様に、基体ホルダー（１０１）の内面（１
０９）の表面をセラミックで構成してもよい。

【００１８】基体ホルダー（１０１）の外面（１０２）
の黒化処理に用いる材料としては、処理後表面が黒色、
紫黒色、青黒色、灰黒色、緑黒色等になれば、特に制限
はないが、例えば、Ｔａ等の金属、Ｃ等の無機材料、Ｗ
Ｃ、Ｔｉ₂Ｏ₃、ＴａＮ、ＴａＣ、ＮｂＮ、ＮｂＣ、Ｎｂ
Ｏ、Ｃｒ₂Ｏ₃、等のセラミック材料が、挙げられる。特
にセラミック材料は、均一性の向上、及び画像欠陥の減
少に効果的であるため、より好ましい。さらに、例え
ば、耐酸性の優れたＡｌ₂Ｏ₃とＣｒ₂Ｏ₃の混合系は、ａ
−Ｓｉからなる光受容部材の製造工程において使用する
例えばハロゲン原子を含む化合物ガス（Ｆ₂，ＣｌＦ₃，
ＳｉＦ４ｅｔｃ）等に対する耐食性の面からより好ま
しい。混合材料を用いる場合その混合比は、両者の機能
を得るために、耐酸性の優れた材料をａ（ｇ）、黒化処
理用材料をｂ（ｇ）として、ａ：ｂが１：９９〜９９：
１が好ましく、１０：９０〜９０：１０がより好まし
い。

【００１９】基体ホルダー（１０１）の外面（１０２）
の黒化処理の方法としては、特に制限はないが、例え
ば、Ｔａ等の金属で（１０２）を形成してもよいし、Ｔ
ａ等の金属、Ｃ等の無機材料、ＷＣ、Ｔｉ₂Ｏ₃、Ｔａ
Ｎ、ＴａＣ、ＮｂＮ、ＮｂＣ、ＮｂＯ、Ｃｒ₂Ｏ₃、等の
セラミック材料からなる円筒を、金属製の基体ホルダー
（１０１）の外面に密着するように装着してもよい。さ
らに、上記材料をＣＶＤ法、メッキあるいは溶射手段等
の表面コーテイング法により、基体ホルダー（１０１）
の外面（１０２）にコーティングしてもよい。なかで
も、コーティング法における溶射手段は、コスト面から
あるいはコーティング対象物の大きさ形状の制限を受け
にくいためより好ましく、特にプラズマ溶射法は、セラ
ミック材料のコーティングにおいて気孔率が低く密着性
も良好なためより好ましい。また、基体ホルダー（１０
１）の外面（１０２）をセラミック材料で黒化処理する
場合は、気孔率は耐熱性の向上や、水分等の吸着防止の
ために１〜２０％が好ましく、１〜１５％がより好まし
い。

【００２０】基体ホルダー（１０１）の外面（１０２）
をセラミック材料で黒化処理する場合には、表面を清浄
に処理した後セラミックを上記手段により金属表面に形
成するが、密着性を増すために、セラミックと金属表面
の間に例えばＡｌとＴｉの混合材等の下引き層を設ける
方が好ましい。

【００２１】基体ホルダー（１０１）の外面（１０２）
の表面性に関しては、表面積を増し輻射熱を効率的に行
うためは、表面は粗い方がよい。一方であまり表面性を
粗くし表面積を増加させると、ダストの付着量が増加
し、また発塵しやすくなる。よって、表面性は十点平均
粗さ（Ｒｚ）で、５〜２００μｍが好ましく、１０〜９
０μｍがより好ましい。また、表面性は、内面全面にお
いて均一であることが好ましいが、面内における最大値
と最小値の差が１００μｍ以内であれば実用上問題な
い。また、基体ホルダー（１０１）の外面（１０２）の
黒化処理される厚さは特に制限はないが、耐久性及び均
一性を増すために、また伝熱性及び製造コストの面から
１０〜１００００μｍが好ましく、２０〜５０００μｍ
がより好ましい。

【００２２】基体ホルダー（１０１）の母体となる金属
の材質としては、例えば、Ａｌ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ａｕ，Ｉ
ｎ，Ｎｂ，Ｔｅ，Ｖ，Ｔｉ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｆｅ等の金
属、およびこれらの合金、例えばステンレス等挙げられ
る。また、基体と同種類の材料を含有したほうが、熱膨
張による体積変化が等しくなり、基体との密着性あるい
は基体と間隔が安定して保たれるため、均一性の面から
好ましい。基体ホルダー（１０１）の厚さ（肉厚）は基
体を保持している間に変形することがなければ特に制限
はない。しかし、現実的な、コスト、取り扱い性、強
度、加熱時間、加熱温度などを考慮すると好ましくは、
０．５〜３０ｍｍ、より好ましくは１〜２０ｍｍとする
のが望ましい。

【００２３】基体ホルダー（１０１）は、少なくとも基
体（１０７）と相対する部分に形成されていればよい
が、基体（１０７）よりも長く形成されている方が形成
される膜の均一性や取り扱いの面から好ましい。基体ホ
ルダー（１０１）の長さは取りつける装置によるもので
一概には言えるものではないが、コスト等を鑑みると一
つの基体ホルダーに一つの基体を配置する場合には、基
体の長さを１００とすると好ましくは１００〜２００、
より好ましくは１１０〜１７０とするのが望ましい。一
つの基体ホルダーに複数の基体を配する場合には、複数
の基体の堆積膜形成面の長さの合計が上述した関係とさ
れればよい。基体ホルダー（１０１）には、基体ホルダ
ーの運搬や基体の搬送のために図１に示されているよう
な運搬用チャッキング部（１０４）を形成することが望
ましい。尚、運搬のためのチャッキングが正確で確実に
行われるのであれば、凸形状、凹形状等の様々な形状と
することが可能である。

【００２４】本発明において、基体ホルダー（１０１）
の内面（１０９）を、セラミックで構成することによ
り、さらに、均一性の向上および、画像欠陥の低減に効
果的である。基体ホルダー（１０１）の内面（１０９）
を構成するセラミック材料としては、特に制限はなく、
例えば、Ａｌ ₂Ｏ₃、Ｃｒ₂Ｏ₃、ＭｇＯ、ＴｉＯ₂、Ｓｉ
Ｏ₂等が挙げられるが、Ａｌ₂Ｏ₃、ＴｉＯ₂、ＳｉＯ₂等
の耐酸性の優れた材料がヽａ−Ｓｉからなる光受容部材
の製造工程において使用する例えばハロゲン原子を含む
化合物ガス（Ｆ₂、ＣｌＦ₃、ＳｉＦ４ｅｔｃ）等に対
する耐食性の面から好ましい。また、ＷＣ、ＴａＮ、Ｃ
ｒ₂Ｏ₃等の輻射熱を受け易い材料も、多少表面の変質が
生じても、その影響をほとんど受けないため好ましい。
さらに、耐酸性の優れた材料と輻射熱を受け易い材料の
混在材料がより好ましい。混合材料を用いる場合その混
合比は、両者の機能を得るために、耐酸性の優れた材料
をａ（ｇ）、輻射熱を受け易い材料をｂ（ｇ）として、
ａ：ｂが１：９９〜９９：１が好ましく、１０：９０〜
９０：１０がより好ましい。基体ホルダー（１０１）の
内面（１０９）を構成するセラミック材料の気孔率は耐
熱性の向上や、水分等の吸着防止のために１〜２０％が
好ましく、１〜１５％がより好ましい。

【００２５】基体ホルダー（１０１）の内面（１０９）
を構成するセラミックの表面性に関しては、表面積を増
し輻射熱を効率的に得るためは、表面は粗い方がよい。
一方であまり表面性を粗くし表面積を増加させると、ダ
ストが増加し、また発塵しやすくなる。よって、表面性
は十点平均粗さ（Ｒｚ）で、５〜２００μｍが好まし
く、１０〜９０μｍがより好ましい。また、表面性は、
内面全面において均一であることが好ましいが、面内に
おける最大値と最小値の差が１００μｍ以内であれば実
用上問題ない。基体ホルダー（１０１）の内面（１０
９）をセラミック材料で形成する手段としては特に制限
はないが、ＣＶＤ法、メッキあるいは溶射手段等の表面
コーティング法が挙げられる。なかでも溶射手段がコス
ト面からあるいはコーティング対象物の大きさ形状の制
限を受けにくいためより好ましく、特にプラズマ溶射法
は、気孔率が低く密着性も良好なためより好ましい。ま
た例えばセラミック材料からなる円筒を、金属製の基体
ホルダーの内面に密着するように装着してもよい。基体
ホルダー（１０１）の内面（１０９）をセラミック材料
で形成する際には、内面を清浄に処理した後セラミック
を上記手段により金属表面に形成するが、密着性を増す
ために、セラミックと金属表面の間に例えばＡｌとＴｉ
の混合材等の下引き層を設ける方が好ましい。セラミッ
ク材料は基体ホルダー（１０１）の内面の全面を覆うこ
とが好ましいが、基体ホルダーの接地等のために覆われ
ない部分が一部存在してもよい。基体ホルダー（１０
１）の内面（１０９）を構成するセラミック材料の厚さ
は特に制限はないが、耐久性及び均一性を増すために、
また伝熱性及び製造コストの面から１０〜１００００μ
ｍが好ましく、２０〜５０００μｍがより好ましい。

【００２６】本発明において使用される基体（１０７）
としては、例えば、Ａｌ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ａｕ，Ｉｎ，Ｎ
ｂ，Ｔｅ，Ｖ，Ｔｉ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｆｅ等の金属、およ
びこれらの合金、例えばステンレス等挙げられる。ま
た、ポリエステル、ポリエチレン、ポリカーボネート、
セルロースアセテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニ
ル、ポリスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム
またはシート、ガラス、セラミック等の電気絶縁性支持
体の少なくとも光受容層を形成する側の表面を導電処理
した基体も用いることができる。さらに、光導電層を形
成する側とは反対側の表面も導電処理することがより好
ましい。基体の形状は平滑表面あるいは凹凸表面である
ことができ、その厚さは、所望通りの光受容部材を形成
し得るように適宜決定するが、光受容部材としての可撓
性が要求される場合には、基体としての機能が充分発揮
できる範囲内で可能な限り薄くすることができる。しか
しながら、基体に製造上および取り扱い上、機械的強度
等の点から通常は１００μｍ以上とされる。特にレーザ
ー光などの可干渉性光を用いて像記録を行う場合には、
可視画像において現われる、いわゆる干渉縞模様による
画像不良を解消するために、基体表面に凹凸を設けても
よい。

【００２７】基体表面に設けられる凹凸は、特開昭６０
−１６８１５６号公報、同６０−１７８４５７号公報、
同６０−２２５８５４号公報等に記載された公知の方法
により作成される。又、レーザー光などの可干渉光を用
いた場合の干渉縞模様による画像不良を解消する別の方
法として、基体表面に複数の球状痕跡窪みによる凹凸形
状を設けてもよい。即ち、基体の表面が光受容部材に要
求される解像力よりも微少な凹凸を有し、しかも該凹凸
は、複数の球状痕跡窪みによるものである。基体表面に
設けられる複数の球場痕跡窪みによる凹凸は、特開昭６
１−２３１５６１号公報に記載された公知の方法により
作成される。

【００２８】本発明の光受容部材のａ−Ｓｉからなる光
受容部層中に含有されるシリコン原子、水素原子、ハロ
ゲン原子以外に、フェルミ準位や禁止帯幅等を調整する
成分としてホウ素、ガリウム等のIII族原子、窒素、リ
ン、ヒ素等のＶ族原子、酸素原子、炭素原子、ゲルマニ
ウム原子等を単独もしくは適宜組み合わせて含有させて
もよい。また、光受容部層として、基体との密着性の向
上あるいは電荷受容能の調整等の目的で電荷注入阻止層
や、表面の保護あるいは表面からの電荷の注入の防止等
の目的で表面層を設けるなどの多層構成としてもよい。
本発明において、光受容部層を形成するには、スパッタ
リング法、熱ＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法
等、真空堆積法が適用される。

【００２９】以下、高周波プラズマＣＶＤ法、マイクロ
波プラズマＣＶＤ法およびＶＨＦプラズマＣＶＤ法によ
って堆積膜を形成するための装置及び形成方法について
詳述する。図２は高周波プラズマＣＶＤ（以下「ＲＦ−
ＰＣＶＤ」と表記する）法による電子写真用光受容部材
の製造装置の一例を示す模式的な構成図である。図２に
示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による堆積膜の製造装置の構成は
以下の通りである。この装置は大別すると、堆積装置
（２１００）、原料ガスの供給装置（２２００）、反応
容器（２１１１）内を減圧にするための排気装置（図示
せず）から構成されている。堆積装置（２１００）中の
反応容器（２１１１）内には、金属を母体とし基体と相
対するある特定の部分の外面が黒化処理された基体ホル
ダー（２１１３）に装着された導電性円筒状基体（２１
１２）、基体加熱用ヒーター（２１１４）、原料ガス導
入管（２１１５）が設置され、更に高周波マッチングボ
ックス（２１１６）が接続されている。原料ガス供給装
置（２２００）は、ＳｉＨ₄、Ｈ₂、ＣＨ₄、ＮＯ、Ｂ₂Ｈ
₆、ＧｅＨ₄等の原料ガスのボンベ（２２２１〜２２２
６）とバルブ（２２３１〜２２３６、２２４１〜２２４
６、２２５１〜２２５６）およびマスフローコントロー
ラー（２２１１〜２２１６）から構成され、各原料ガス
のボンベはバルブ（２２６０）を介して反応容器（２１
１１）内のガス導入管（２１１５）に接続されている。

【００３０】この装置を用いた堆積膜の形成は、例えば
以下のように行なうことができる。まず、反応容器（２
１１１）内に金属を母体とし、ある特定の部分の外面が
黒化処理された基体ホルダー（２１１３）に装着された
円筒状基体（２１１２）を設置し、不図示の排気装置
（例えば真空ポンプ）により反応容器（２１１１）内を
排気する。続いて、基体加熱用ヒーター（２１１４）を
ＯＮする。すると、基体ホルダー（２１１３）の内面が
基体加熱用ヒーター（２１１４）からの輻射熱を直接受
ける。内面で受けられた熱は基体ホルダー（２１１３）
の母体の金属内部を熱伝導で伝わり、更に基体ホルダー
（２１１３）の表面に伝わり、最終的に装着された円筒
状基体（２１１２）の表面に伝えられる。この際に起こ
る熱伝導、輻射熱は、基体ホルダー（２１１３）の外面
の黒化処理の効果により、円筒状基体（２１１２）に均
一に伝えられ、温度を５０℃〜５００℃の所定の温度に
制御する。堆積膜形成用の原料ガスを反応容器（２１１
１）に流入させるには、ガスボンベのバルブ（２２３１
〜２２３６）、反応容器のリークバルブ（２１１８）が
閉じられていることを確認し、また、流入バルブ（２２
４１〜２２４６）、流出バルブ（２２５１〜２２５
６）、補助バルブ（２２６０）が開かれていることを確
認して、まずメインバルブ（２１１９）を開いて反応容
器（２１１１）およびガス配管内（２１１７）を排気す
る。次に真空計（２１２０）の読みが約６．７×１０^-4
Ｐａになった時点で補助バルブ（２２６０）、流出バ
ルブ（２２５１〜２２５６）を閉じる。その後、ガスボ
ンベ（２２２１〜２２２６）より各ガスをバルブ（２２
３１〜２２３６）を開いて導入し、圧力調整器（２２６
１〜２２６６）により各ガス圧を（例えば２Ｋｇ／ｃｍ
²）調整する。次に、流入バルブ（２２４１〜２２４
６）を徐々に開けて、各ガスをマスフローコントローラ
ー（２２１１〜２２１６）内に導入する。

【００３１】以上のようにして成膜の準備が完了した
後、円筒状基体（２１１２）上に例えば電荷注入阻止
層、感光層、表面層等の各層の形成を行う。円筒状基体
（２１１２）が所定の温度になったところで流出バルブ
（２２５１〜２２５６）のうちの必要なものおよび補助
バルブ（２２６０）を徐々に開き、ガスボンベ（２２２
１〜２２２６）から所定のガスをガス導入管（２１１
５）を介して反応容器（２１１１）内に導入する。次に
マスフローコントローラー（２２１１〜２２１６）によ
って各原料ガスが所定の流量になるように調整する。そ
の際、反応容器（２１１１）内の圧力が１３３Ｐａ以下
の所定の圧力になるように真空計（２１２０）を見なが
らメインバルブ（２１１９）の開口を調整する。内圧が
安定したところで、ＲＦ電源（図示せず）を所望の電力
に設定して、高周波マッチングボックス（２１１６）を
通じて反応容器（２１１１）内にＲＦ電力を導入し、Ｒ
Ｆグロー放電を生起させる。この放電エネルギーによっ
て反応容器内に導入された原料ガスが分解され、円筒状
基体（２１１２）上に所定のシリコンを主成分とする堆
積膜が形成されるところとなる。所望の膜厚の形成が行
われた後、ＲＦ電力の供給を止め、流出バルブを閉じて
反応容器へのガスの流入を止め、堆積膜の形成を終え
る。

【００３２】同様の操作を複数回繰り返すことによっ
て、所望の多層構造の光受容層が形成される。それぞれ
の層を形成する際には必要なガス以外の流出バルブはす
べて閉じられていることは言うまでもなく、また、それ
ぞれのガスが反応容器（２１１１）内、流出バルブ（２
２５１〜２２５６）から反応容器（２１１１）に至る配
管内に残留することを避けるために、流出バルブ（２２
５１〜２２５６）を閉じ、補助バルブ（２２６０）を開
き、さらにメインバルブ（２１１９）を全開にして系内
を一旦高真空に排気する操作を必要に応じて行う。ま
た、膜形成の均一化を図る場合は、膜形成を行なってい
る間は、円筒状基体（２１１２）を駆動装置（図示せ
ず）によって所定の速度で回転させる。上述のガス種お
よびバルブ操作は各々の層の作成条件にしたがって変更
が加えられることは言うまでもない。円筒状基体（２１
１２）の加熱方法は、真空仕様である発熱体であればよ
く、より具体的にはシース状ヒーターの巻き付けヒータ
ー、板状ヒーター、セラミックヒーター等の電気抵抗発
熱体、ハロゲンランプ、赤外線ランプ等の熱放射ランプ
発熱体、液体、気体等を温媒とし熱交換手段による発熱
体等が挙げられる。加熱手段の表面材質は、ステンレ
ス、ニッケル、アルミニウム、銅等の金属類、セラミッ
クス、耐熱性高分子樹脂等を使用することができる。ま
た、それ以外にも、例えば図５に示す装置構成のよう
に、反応容器（２１１１）以外に加熱専用の容器を設
け、円簡状基体（２１１２）を加熱した後、反応容器
（２１１１）内に真空中で円筒状基体（２１１２）を搬
送する等の方法が用いられる。

【００３３】次に、マイクロ波プラズマＣＶＤ（以下
「μＷ−ＰＣＶＤ」と表記する）法によって形成される
電子写真用光受容部材の製造方法について説明する。図
２に示した製造装置におけるＲＦ−ＰＣＶＤ法による堆
積装置（２１００）を、図３（Ａ）、（Ｂ）に示す堆積
装置（３１００）に交換して原料ガス供給装置（２２０
０）と接続することにより、μＷ−ＰＣＶＤ法による電
子写真用光受容部材製造装置を得ることができる。この
装置は、真空気密化構造を成した減圧にし得る反応容器
（３１１１）、原料ガスの供給装置（２２００）、およ
び反応容器内を減圧にするための排気装置（図示せず）
から構成されている。反応容器（３１１１）内にはマイ
クロ波電力を反応容器内に効率よく透過し、かつ、真空
気密を保持し得るような材料（例えば石英ガラス、アル
ミナセラミックス等）で形成されたマイクロ波導入窓
（３１１２）、スタブチューナー（図示せず）およびア
イソレーター（図示せず）を介してマイクロ波電源（図
示せず）に接続されているマイクロ波の導波管（３１１
３）、金属を母体と基体と相対するある特定の部分の外
面が黒化処理された基体ホルダー（３１１４）に装着さ
れた堆積膜を形成すべき円筒状基体（３１１５）、基体
加熱用ヒーター（３１１６）、原料ガス導入と、プラズ
マ電位を制御するための外部電気バイアスを与えるため
の電極を兼ねた原料ガス導入管（３１１７）が設置され
ており、反応容器（３１１１）内は排気管（３１２１）
を通じて不図示の例えば拡散ポンプに接続されている。
原料ガス供給装置（２２００）は、ＳｉＨ₄、Ｈ₂、ＣＨ
₄、ＮＯ、Ｂ₂Ｈ₆、ＳｉＦ₄等の原料ガスのボンベ（２２
２１〜２２２６）とバルブ（２２３１〜２２３６、２２
４１〜２２４６、２２５１〜２２５６）およびマスフロ
ーコントローラー（２２１１〜２２１６）から構成さ
れ、各原料ガスのボンベはバルブ（２２６０）を介して
反応容器内のガス導入管（３１１７）に接続されてい
る。また、円筒状基体（３１１５）によって取り囲まれ
た空間（３１３０）が放電空間を形成している。

【００３４】μＷ−ＰＣＶＤ法によるこの装置での堆積
膜の形成は、以下のように行なうことができる。まず、
反応容器（３１１１）内に金属を母体とし少なくとも基
体と相対するある特定の部分の外面が黒化処理された基
体ホルダー（３１１４）に装着された円筒状基体（３１
１５）を設置し、駆動装置（３１２０）によって基体
（３１１５）を回転し、不図示の排気装置（例えば拡散
ポンプ）により反応容器（３１１１）内を排気管（３１
２１）を介して排気し、反応容器（３１１１）内の圧力
を１×１０^-6Ｔｏｒｒ以下に調整する。続いて、基体加
熱用ヒーター（３１１６）をＯＮする。すると、基体ホ
ルダー（３１１４）の内面が基体加熱用ヒーター（３１
１６）からの輻射熱を直接受ける。内面で受けられた熱
は基体ホルダー（３１１４）の母体の金属内部を熱伝導
で伝わり、更に基体ホルダー（３１１４）の表面に伝わ
り、最終的に装着された円筒状基体（３１１５）の表面
に伝えられる。この際に起こる熱伝導、輻射熱は、基体
ホルダー（２１１３）の外面の黒化処理の効果により、
円筒状基体（２１１２）に均一に伝えられ、温度を５０
℃〜５００℃の所定の温度に制御する。

【００３５】堆積膜形成用の原科ガスを反応容器（３１
１１）に流入させるには、ガスボンベのバルブ（２２３
１〜２２３６）、反応容器のリークバルブ（図示せず）
が閉じられていることを確認し、また、流入バルブ（２
２４１〜２２４６）、流出バルブ（２２５１〜２２５
６）、補助バルブ（２２６０）が開かれていることを確
認して、まずメインバルブ（図示せず）を開いて反応容
器（３１１１）およびガス配管（図示せず）内を排気す
る。次に真空計（図示せず）の読みが約６．７×１０^-4
Ｐａになった時点で補助バルブ（２２６０）、流出バル
ブ（２２５１〜２２５６）を閉じる。その後、ガスボン
ベ（２２２１〜２２２６）より各ガスをバルブ（２２３
１〜２２３６）を開いて導入し、圧力調整器（２２６１
〜２２６６）により各ガス圧を（例えば２Ｋｇ／ｃ
ｍ²）調整する。次に、流入バルブ（２２４１〜２２４
６）を徐々に開けて、各ガスをマスフローコントローラ
ー（２２１１〜２２１６）内に導入する。以上のように
して成膜の準備が完了した後、円筒状基体（３１１５）
上に電荷注入阻止層、感光層、表面層の各層の形成を行
う。

【００３６】円筒状基体（３１１５）が所定の温度にな
ったところで流出バルブ（２２５１〜２２５６）のうち
の必要なものおよび補助バルブ（２２６０）を徐々に開
き、ガスボンベ（２２２１〜２２２６）から所定のガス
をガス導入管（３１１７）を介して反応容器（３１１
１）内の放電空間（３１３０）に導入する。次にマスフ
ローコントローラー（２２１１〜２２１６）によって各
原料ガスが所定の流量になるように調整する。その際、
放電空間（３１３０）内の圧力が１３３Ｐａ以下の所定
の圧力になるように真空計（図示せず）を見ながらメイ
ンバルブ（図示せず）の開口を調整する。圧力が安定し
た後、マイクロ波電源（図示せず）により周波数５００
ＭＨｚ以上の、好ましくは２．４５ＧＨｚのマイクロ波
を発生させ、マイクロ波電源（図示せず）を所望の電力
に設定し、導波管（３１１３）、マイクロ波導入窓（３
１１２）を介して放電空間（３１３０）にμＷエネルギ
ーを導入して、μＷグロー放電を生起させる。それと同
時併行的に、電源（３１１８）から電極兼ガス導入管
（３１１７）に例えば直流等の電気バイアスを印加す
る。かくして基体（３１１５）により取り囲まれた放電
空間（３１３０）において、導入された原料ガスは、マ
イクロ波のエネルギーにより励起されて解離し、円筒状
基体（３１１５）上に所定の堆積膜が形成される。この
時、層形成の均一化を図るため基体回転用モーター（３
１２０）によって、所望の回転速度で回転させる。所望
の膜厚の形成が行われた後、μＷ電力の供給を止め、流
出バルブを閉じて反応容器へのガスの流入を止め、堆積
膜の形成を終える。

【００３７】同様の操作を複数回繰り返すことによっ
て、所望の多層構造の光受容層が形成される。それぞれ
の層を形成する際には必要なガス以外の流出バルブはす
べて閉じられていることは言うまでもなく、また、それ
ぞれのガスが反応容器（３１１１）内、流出バルブ（２
２５１〜２２５６）から反応容器（３１１１）に至る配
管内に残留することを避けるために、流出バルブ（２２
５１〜２２５６）を閉じ、補助バルブ（２２６０）を開
き、さらにメインバルブ（図示せず）を全開にして系内
を一旦高真空に排気する操作を必要に応じて行う。上述
のガス種およびバルブ操作は各々の層の作成条件にした
がって変更が加えられることは言うまでもない。円筒状
基体（３１１５）の加熱方法は、真空仕様である発熱体
であればよく、より具体的にはシース状ヒーターの巻き
付けヒーター、板状ヒーター、セラミックヒーター等の
電気抵抗発熱体、ハロゲンランプ、赤外線ランプ等の熱
放射ランプ発熱体、液体、気体等を温媒とし熱交換手段
による発熱体等が挙げられる。加熱手段の表面材質は、
ステンレス、ニッケル、アルミニウム、銅等の金属類、
セラミックス、耐熱性高分子樹脂等を使用することがで
きる。また、それ以外にも、反応容器（３１１１）以外
に加熱専用の容器を設け、円筒状基体（３１１５）を加
熱した後、反応容器（３１１１）内に真空中で円筒状基
体（３１１５）を搬送する等の方法が用いられる。

【００３８】μＷ−ＰＣＶＤ法においては、放電空間内
の圧力としては、好ましくは１×１０^-1Ｐａ以上１３．
３Ｐａ以下、より好ましくは４×１０^-1Ｐａ以上６．７
Ｐａ以下、最も好ましくは６．７×１０^-1Ｐａ以上４Ｐ
ａ以下に設定することが望ましい。放電空間外の圧力
は、放電空間内の圧力よりも低ければよいが、放電空間
内の圧力が１３．３Ｐａ以下では、又、特に顕著には
６．７Ｐａ以下では、放電空間内の圧力が放電空間外の
圧力の３倍以上の時、特に堆積膜特性向上の効果が大き
い。マイクロ波の反応炉までの導入方法としては導波管
による方法が挙げられ、反応炉内ヘの導入は、１つまた
は複数の誘電体窓から導入する方法が挙げられる。この
時、炉内へのマイクロ波の導入窓の材質としてはアルミ
ナ（Ａｌ₂Ｏ₃）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ボ
ロン（ＢＮ）、窒化珪素（ＳｉＮ）、炭化珪素（Ｓｉ
Ｃ）、酸化珪素（ＳｉＯ₂）、酸化ベリリウム（Ｂｅ
Ｏ）、テフロン、ポリスチレン等マイクロ波の損失の少
ない材料が通常使用される。

【００３９】電極兼ガス導入管（３１１７）と円筒状基
体（３１１５）間に発生させる電界は直流電界が好まし
く、又、電界の向きは電極兼ガス導入管（３１１７）か
ら円筒状基体（３１１５）に向けるのがより好ましい。
電界を発生させるために電極兼ガス導入管（３１１７）
に印加する直流電圧の平均の大きさは、１５Ｖ以上３０
０Ｖ以下、好ましくは３０Ｖ以上２００Ｖ以下が適す
る。直流電圧波形としては、特に制限はなく、種々の波
形のものが本発明では有効である。つまり、時間によっ
て電圧の向きが変化しなければいずれの場合でもよく、
例えば、時間に対して大きさの変化しない定電圧はもち
ろん、パルス状の電圧、及び整流機により整流された時
間によって大きさが変化する脈動電圧でも有効である。

【００４０】また、交流電圧を印加することも有効であ
る。交流の周波数は、いずれの周波数でも問題はなく、
実用的には低周波では５０Ｈｚまたは６０Ｈｚ、高周波
では１３．５６ＭＨｚが適する。交流の波形としてはサ
イン波でも矩形波でも、他のいずれの波形でもよいが、
実用的には、サイン波が適する。但し、この時電圧はい
ずれの場合も実効値を言う。電極兼ガス導入管（３１１
７）の大きさ及び形状は、放電を乱さないならばいずれ
のものでも良いが、実用上は直径０．１ｃｍ以上５ｃｍ
以下の円筒状の形状が好ましい。この時、電極兼ガス導
入管（３１１７）の長さも、基体に電界が均一にかかる
長さであれば任意に設定できる。電極兼ガス導入管（３
１１７）の材質としては、表面が導電性となるものなら
ばいずれのものでも良く、例えば、ステンレス，Ａｌ，
Ｃｒ，Ｍｏ，Ａｕ，Ｉｎ，Ｎｂ，Ｔｅ，Ｖ，Ｔｉ，Ｐ
ｔ，Ｐｄ，Ｆｅ等の金属、これらの合金または表面を導
電処理したガラス、セラミック、プラスチック等が通常
使用される。

【００４１】次に、ＶＨＦ帯の周波数を用いた高周波プ
ラズマＣＶＤ（以後「ＶＨＦ−ＰＣＶＤ」と略記する）
法によって形成される電子写真用光受容部材の製造方法
について説明する図２に示した製造装置におけるＲＦ−ＰＣＶＤ法による
堆積装置（２１００）を、図４に示す堆積装置（４１０
０）に交換して原料ガス供給装置（２２００）と接続す
ることにより、ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法による電子写真用光
受容部材製造装置を得ることができる。この装置は大別
すると、真空気密化構造を成した減圧にし得る反応容器
（４１１１）、原料ガスの供給装置（２２００）、およ
び反応容器内を減圧にするための排気装置（図示せず）
から構成されている。反応容器（４１１１）内には金属
を母体と基体と相対するある特定の部分の外面が黒化処
理された基体ホルダー（４１１３）に装着された堆積膜
を形成すべき円筒状基体（４１１２）、支持体加熱用ヒ
ーター（４１１４）、原料ガス導入管（図示せず）、電
極（４１１５）が設置され、電極には更に高周波マッチ
ングボックス（４１１６）が接続されている。また、反
応容器（４１１１）内は排気管（４１２１）を通じて不
図示の拡散ポンプに接続されている。原料ガス供給装置
（２２００）は、ＳｉＨ₄、ＧｅＨ₄、Ｈ₂、ＣＨ₄、Ｂ₂
Ｈ₆、ＰＨ₃等の原料ガスのボンベ（２２２１〜２２２
６）とバルブ（２２３１〜２２３６、２２４１〜２２４
６、２２５１〜２２５６）およびマスフローコントロー
ラー（２２１１〜２２１６）から構成され、各原料ガス
のボンベはバルブ（２２６０）を介して反応容器（４１
１１）内のガス導入管（図示せず）に接続されている。
また、円筒状支持体（４１１２）によって取り囲まれた
空間（４１３０）が放電空間を形成している。

【００４２】ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法によるこの装置での堆
積膜の形成は、以下のように行なうことができる。ま
ず、反応容器（４１１１）内に、円筒状基体（４１１
２）を設置し、駆動装置（４１２０）によって円筒状基
体（４１１２）を回転し、不図示の排気装置（例えば拡
散ポンプ）により反応容器（４１１１）内を排気管（４
１２１）を介して排気し、反応容器（４１１１）内の圧
力を１×１０^-7Ｔｏｒｒ以下に調整する。続いて、支持
体加熱用ヒーター（４１１４）により円筒状基体（４１
１２）の温度を２００℃乃至３５０℃の所定の温度に加
熱保持する。堆積膜形成用の原料ガスを反応容器（４１
１１）に流入させるには、ガスボンベのバルブ（２２３
１〜２２３６）、反応容器のリークバルブ（不図示）が
閉じられていることを確認し、又、流入バルブ（２２４
１〜２２４６）、流出バルブ（２２５１〜２２５６）、
補助バルブ（２２６０）が開かれていることを確認し
て、まずメインバルブ（図示せず）を開いて反応容器
（４１１１）およびガス配管内を排気する。次に真空計
（図示せず）の読みが約６．７×１０^-4Ｐａになった時
点で補助バルブ（２２６０）、流出バルブ（２２５１〜
２２５６）を閉じる。その後、ガスボンベ（２２２１〜
２２２６）より各ガスをバルブ（２２３１〜２２３６）
を開いて導入し、圧力調整器（２２６１〜２２６６）に
より各ガス圧を２Ｋｇ／ｃｍ²に調整する。次に、流入
バルブ（２２４１〜２２４６）を徐々に開けて、各ガス
をマスフローコントローラー（２２１１〜２２１６）内
に導入する。

【００４３】以上のようにして成膜の準備が完了した
後、以下のようにして円筒状支持体（４１１２）上に各
層の形成を行う。円筒状支持体（４１１２）が所定の温
度になったところで流出バルブ（２２５１〜２２５６）
のうちの必要なものおよび補助バルブ（２２６０）を徐
々に開き、ガスボンベ（２２１１〜２２２６）から所定
のガスをガス導入管（図示せず）を介して反応容器（４
１１１）内の放電空間（４１３０）に導入する。次にマ
スフローコントローラー（２２１１〜２２１６）によっ
て各原料ガスが所定の流量になるように調整する。その
際、放電空間（４１３０）内の圧力が１３３Ｐａ以下の
所定の圧力になるように真空計（図示せず）を見ながら
メインバルブ（図示せず）の開口を調整する。圧力が安
定したところで、例えば周波数１０５ＭＨｚのＶＨＦ電
源（図示せず）を所望の電力に設定して、マッチングボ
ックス（４１１６）を通じて放電空間（４１３０）にＶ
ＨＦ電力を導入し、グロー放電を生起させる。かくして
支持体（４１１２）により取り囲まれた放電空間（４１
３０）において、導入された原料ガスは、放電エネルギ
ーにより励起されて解離し、支持体（４１１２）上に所
定の堆積膜が形成される。この時、層形成の均一化を図
るため支持体回転用モーター（４１２０）によって、所
望の回転速度で回転させる。所望の膜厚の形成が行われ
た後、ＶＨＦ電力の供給を止め、流出バルブを閉じて反
応容器へのガスの流入を止め、堆積膜の形成を終える。

【００４４】同様の操作を複数回繰り返すことによっ
て、所望の多層構造の光受容層が形成される。それぞれ
の層を形成する際には必要なガス以外の流出バルブはす
べて閉じられていることは言うまでもなく、また、それ
ぞれのガスが反応容器（４１１１）内、流出バルブ（２
２５１〜２２５６）から反応容器（４１１１）に至る配
管内に残留することを避けるために、流出バルブ（２２
５１〜２２５６）を閉じ、補助バルブ（２２６０）を開
き、さらにメインバルブ（不図示）を全開にして系内を
一旦高真空に排気する操作を必要に応じて行う。上述の
ガス種およびバルブ操作は各々の層の作成条件にしたが
って変更が加えられることは言うまでもない。

【００４５】いずれの方法においても、堆積膜形成時の
支持体温度は、特に２００℃以上３５０℃以下、好まし
くは２３０℃以上３３０℃以下、より好ましくは２５０
℃以上３００℃以下が好ましい。支持体の加熱方法は、
真空仕様である発熱体であればよく、より具体的にはシ
ース状ヒーターの巻き付けヒーター、板状ヒーター、セ
ラミックヒーター等の電気抵抗発熱体、ハロゲンラン
プ、赤外線ランプ等の熱放射ランプ発熱体、液体、気体
等を温媒とし熱交換手段による発熱体等が挙げられる。
加熱手段の表面材質は、ステンレス、ニッケル、アルミ
ニウム、銅等の金属類、セラミックス、耐熱性高分子樹
脂等を使用することができる。それ以外にも、反応容器
以外に加熱専用の容器を設け、加熱した後、反応容器内
に真空中で支持体を搬送する等の方法が用いられる。ま
た、特にＶＨＦ−ＰＣＶＤ法における放電空間の圧力と
して、好ましくは１×１０^-1Ｐａ以上６７Ｐａ以下、よ
り好ましくは４×１０^-1Ｐａ以上４０Ｐａ以下、最も好
ましくは６．７×１０^-1Ｐａ以上１３．３Ｐａ以下に設
定することが望ましい。

【００４６】ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法において放電空間に設
けられる電極の大きさ及び形状は、放電を乱さないなら
ばいずれのものでも良いが、実用上は直径１ｍｍ以上１
０ｃｍ以下の円筒状が好ましい。この時、電極の長さ
も、支持体に電界が均一にかかる長さであれば任意に設
定できる。電極の材質としては、表面が導電性となるも
のならばいずれのものでも良く、例えば、ステンレス，
Ａｌ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ａｕ，Ｉｎ，Ｎｂ，Ｔｅ，Ｖ，Ｔ
ｉ，Ｐｔ，Ｐｂ，Ｆｅ等の金属、これらの合金または表
面を導電処理したガラス、セラミック等が通常使用され
る。本発明においては、堆積膜を形成するための支持体
温度、ガス圧の望ましい数値範囲として前記した範囲が
挙げられるが、これらの条件は通常は独立的に別々に決
められるものではなく、所望の特性を有する電子写真用
感光体を形成すべく相互的且つ有機的関連性に基づいて
最適値を決めるのが望ましい。

【００４７】

【実施例】以下、本発明における実験例、実施例につい
て説明するが、本発明はこれらによって何ら限定される
ものではない。（実験例１）図２に示す電子写真用光受容部材の製造装
置を用い、アルミニウムよりなる直径８０ｍｍ，長さ３
５８ｍｍ，肉厚５ｍｍの円筒状導電性基体上に、さきに
詳述した手順にしたがって、ＲＦグロー放電法により表
１に示す作製条件で電子写真用光受容部材を作製した。
この時、基体ホルダーは、表２の寸法形状のものを使用
し、基体表面温度測定のため、熱電対を基体長手方向に
取り付け、基体表面温度測定を行った。その結果を図７
に示す。図７（ａ）〜（ｄ）において、温度むらを、基
体設定温度を１００とした時の相対値で示す。

【００４８】

【表１】

【００４９】

【表２】図７の結果より、基体上部及び基体下部は、中央部に比
べ温度が低く、温度差は中央部と比較して、上部で１０
°、下部で１０〜１５°であった。

【００５０】［実施例１］図２に示す電子写真用光受容
部材の製造装置を用い、アルミニウムよりなる直径８０
ｍｍ，長さ３５８ｍｍ，肉厚５ｍｍの円筒状導電性基体
上に、さきに詳述した手順にしたがって、ＲＦグロー放
電法により表１に示す作製条件で電子写真用光受容部材
を作製した。この時、基体ホルダーは、表３の寸法形状
のものを使用し、基体表面温度測定のため、熱電対を基
体長手方向に取り付け、基体表面温度測定を行った。そ
の結果を図８に示す。図８（ａ）〜（ｄ）において、温
度むらを、基体設定温度を１００とした時の相対値で示
す。

【００５１】（比較例１）基体ホルダーを、表２の寸法
形状としたこと以外は、実施例１と同様の手段にて行っ
た。

【００５２】

【表３】図８の結果より、基体表面温度の低いところに相対する
基体ホルダー外面を黒化処理する事で、基体表面温度差
が５°以下となり、均一となる良好な結果が得られた。
すなわち、基体表面温度の低いところに相対する外側の
ある特定部分の表面を黒化処理することで、基体表面温
度が均一となる良好な結果が得られた。また、実施例
１、比較例１で作成した電子写真用光受容部材をキヤノ
ン製複写機ＮＰ−９３３０を高速対応に改造した電子写
真装置に設置し、温度特性、光メモリー等の電子写真特
性について下記の評価を行なった。［温度特性］電子写真用光受容部材を、電子写真装置に
設置し、常温時（２５℃）の帯電能と、高温時（４０
℃）の帯電能を長手方向６個所について測定し、その差
を評価した。その際の１℃あたりの温度変化に対する帯
電能変化量を温度特性として評価した。長手方向での温
度特性のむらが、２Ｖ／ｄｅｇ以下のものを◎、２Ｖ／
ｄｅｇを越え４Ｖ／ｄｅｇ以下のものを○、４Ｖ／ｄｅ
ｇを越え６Ｖ／ｄｅｇ以下のものを△、６Ｖ／ｄｅｇを
超えるものを×とした、４段階評価を行った。［光メモリー（ゴーストメモリー）］キヤノン製ゴース
トメモリーチャート（部品番号：ＦＹ９−９０４０）に
反射濃度１．１、φ５ｍｍの黒丸を貼り付けたものを原
稿台の画像先端部に置き、その上にキヤノン製中間調チ
ャート（部品番号：ＦＹ９−９０４２）を重ねて置いた
際のコピー画像において中間コピー上に認められるゴー
ストチャー卜のφ５ｍｍの反射濃度と中間調部分の反射
濃度の差を長手方向６個所について測定し、その差を評
価した。尚、ゴーストメモリー評価は、通紙耐久を１５
０万枚行った後にも同様の評価を行った。 ◎は「特に良好」〇は「良好」 △は「実用上問題無し」 ×は「実用上問題有り」これらの結果を表４に示す。

【００５３】

【表４】表４から明らかなように、本発明の光受容部材形成方法
により、電子写真用光受容部材の長手方向で温度特性む
らが良好となり、また、ゴーストメモリーが通紙耐久前
後でも長手方向でのむらが改善された、良好な画像の光
受容部材を作製することができることがわかった。ま
た、特性の均一性も非常に良好である。

【００５４】［実施例２］図２に示す電子写真用光受容
部材の製造装置を用い、アルミニウムよりなる直径８０
ｍｍ，長さ３５８ｍｍ，肉厚５ｍｍの円筒状導電性基体
上に、さきに詳述した手順にしたがって、ＲＦグロー放
電法により表１に示す作製条件で電子写真用光受容部材
を作製した。この時、基体ホルダーは、表５の寸法形状
のものを使用して行い、実施例１と同様の温度特性、光
メモリーについて評価した。それらの結果を比較例２と
共に、表６に示す。（比較例２）基体ホルダーを、表２の寸法形状としたこ
と以外は、実施例２と同様の手段にて行った。

【００５５】

【表５】表６の結果より、黒化処理にセラミックの材料を用いた
場合、何れも良好な結果が得られたが、特に、耐酸性の
材料と黒化処理用材料の混合系は非常に良好な結果が得
られた。また、基体表面温度は何れの場合も実施例１と
同等の結果が得られた。すなわち、基体表面温度の低い
ところに相対する外側のある特定部分の表面を黒化処理
することで、基体表面温度が均一となる良好な結果が得
られ、その結果、温度特性むら、光メモリーが改善され
た、均一で高画質な電子写真用光受容部材を得る事がで
きた。

【００５６】

【表６】［実施例３］図２に示す電子写真用光受容部材の製造装
置を用い、アルミニウムよりなる直径８０ｍｍ，長さ３
５８ｍｍ，肉厚５ｍｍの円筒状導電性基体上に、さきに
詳述した手順にしたがって、ＲＦグロー放電法により表
１に示す作製条件で電子写真用光受容部材を作製した。
この時、基体ホルダーは、実験例１の形状のものとし、
基体ホルダー外面の処理を表７の条件にて行い、実施例
１と同様の温度特性、光メモリーについて評価した。そ
の結果、黒化処理部分の厚さいずれの場合も良好な結果
が得られたが、耐久性及び均一性を増すために、また伝
熱性及び製造コストの面から１０〜１００００μｍが好
ましく、２０〜５０００μｍがより好ましい範囲であ
る。

【００５７】

【表７】［実施例４］図２に示す電子写真用光受容部材の製造装
置を用い、アルミニウムよりなる直径８０ｍｍ，長さ３
５８ｍｍ，肉厚３ｍｍの円筒状導電性基体上に、さきに
詳述した手順にしたがって、ＲＦグロー放電法により表
８に示す作製条件で電子写真用光受容部材を作製した。
この時、基体ホルダーは表９の寸法形状のものを用いて
行い、実施例１と同様、温度特性、光メモリーについて
評価した。その結果を比較例３と共に、表１０に示す。

【００５８】

【表８】

【００５９】

【表９】表１０の結果より、基体ホルダー内面をセラミックで構
成した場合においても、同様に良好な結果が得られた。

【００６０】

【表１０】［実施例５］図２に示す電子写真用光受容部材の製造装
置を用い、アルミニウムよりなる直径８０ｍｍ，長さ３
５８ｍｍ，肉厚３ｍｍの円筒状導電性基体上に、さきに
詳述した手順にしたがって、ＲＦグロー放電法により表
１に示す作製条件で電子写真用光受容部材を作製した。
この時、基体ホルダーは実施例４の条件ａと同じ寸法形
状ものを用いて行った。この時、基体ホルダーの外面の
表面粗さ（Ｒｚ）を変化させた。

【００６１】作製した電子写真用光受容部材をキヤノン
製複写機ＮＰ−６４５０を実験用に改造した電子写真装
置に設置し、光メモリーの電子写真特性について評価を
行なった。また、作製した電子写真用光受容部材をキヤ
ノン製複写機ＮＰ−６４５０を実験用に改造した電子写
真装置に設置し、１００万枚の通紙耐久試験を行った。
そして、光メモリー（ゴーストメモリー）の電子写真特
性について実施例１と同様に評価を行なった。

【００６２】また、基体ホルダーの黒化処理の耐久性を
評価のため、黒化処理されていない部分は、ガラスビー
ズを用いた液体ホーニング処理を行い更新し、黒か処理
部はそのままの状態とし、連続１００回繰り返し使用し
た。その時の、溶射部分の剥がれ状態を目視にて評価し
た。溶射部の剥がれが全く無く良好なものを◎、やや剥
がれがあるものを〇、剥がれがあるが実用上問題無いも
のを△、実用上問題のあるものを×とした４段階評価を
行った。

【００６３】その結果を表１１に示す。表１１から明ら
かなように、本発明の光受容部材形成方法において、基
体ホルダーの外面の表面粗さを５〜２００μｍにするこ
とで、溶射の密着性が良好で、画像特性面で光メモリー
の良好な光受容部材を作製することができることがわっ
かた。また、表面粗さを１０〜９０μｍにすることで、
更に、溶射の密着性を良くすることができることがわっ
かた。

【００６４】

【表１１】［実施例６］図３に示す電子写真用光受容部材の製造装
置を用い、アルミニウムよりなる直径１０８ｍｍ，長さ
３５８ｍｍ，肉厚５ｍｍの円筒状導電性基体上に、さき
に詳述した手順にしたがって、マイクロ波グロー放電法
により表１２に示す作製条件で電子写真用光受容部材を
作製した。この時、基体ホルダーはＪＩＳ５０００系ア
ルミ合金を母材とした。基体ホルダー外面は、実施例２
と同様の処理を施した。作製した電子写真用感光体を、
実施例２と同様、温度特性、光メモリーについて評価し
たところ、実施例２と同様非常に良好な結果であった。

【００６５】

【表１２】［実施例７］図４に示す電子写真用光受容部材の製造装
置を用い、アルミニウムよりなる直径８０ｍｍ，長さ３
５８ｍｍ，肉厚５ｍｍの円筒状導電性基体上に、さきに
詳述した手順にしたがって、ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法により
表１３に示す作製条件で電子写真用光受容部材を作製し
た。この時、基体ホルダーはＪＩＳ５０００系アルミ合
金を母材とし、基体と相対する外面は、Ｃｒ₂Ｏ₃を３０
μｍプラズマ溶射法にてコーティングした（黒化処
理）。作製した電子写真用感光体を、実施例２と同様、
温度特性、光メモリーについて評価したところ、実施例
２と同様非常に良好な結果であった。

【００６６】

【表１３】

【００６７】

【発明の効果】本発明は、以上のように基体ホルダーが
金属を母体とし、少なくとも基体と相対する外側のある
特定部分の表面を黒化処理して構成することにより、温
度特性むら、及び光メモリーが改善され、常時安定した
優れた品質の光受容部材を連続的に形成することがで
き、特に極めて優れた電気的特性、光学的特性、光導電
特性、画像特性、耐久性および使用環境特性を有する光
受容部材を形成することができる。また、本発明は、基
体の温度が低くなってしまう部分に相対する部分の表面
を黒化処理する構成を採ることにより、ヒーターの巻き
数増加による電力容量アップの問題や、ヒーターの巻き
数を生産機種、生産条件、基体の大きさ等によって変更
する必要がなくなり、省電力化、及び装置稼働率の面で
の改善が可能となり、生産性の向上を図ることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による光受容部材の形成方法の好適な実
施態様例の構成を説明するための模式的構成図である。

【図２】本発明における電子写真用光受容部材を形成す
るための装置の一例を示すものであり、ＲＦグロー放電
法による電子写真用光受容部材の製造装置の模式的説明
図である。

【図３】本発明における電子写真用光受容部材を形成す
るための装置の一例を示すものであり、μＷグロー放電
法による電子写真用光受容部材の製造装置の模式的説明
図である。（Ａ）は、装置の側断面図であり、（Ｂ）
は、Ｘ−Ｘ’における横断面図である。

【図４】本発明における電子写真用光受容部材を形成す
るための装置の一例を示すものであり、ＶＨＦグロー放
電法による電子写真用光受容部材の製造装置の模式的説
明図である。

【図５】電子写真用光受容部材を形成するための装置の
一例を示すものである。

【図６】電子写真用光受容部材を形成するための装置の
一例を示すものである。

【符号の説明】

１０１：基体ホルダー１０２：基体ホルダー外面１０３：補助基体１０４：運搬用取っ手１０５：加熱手段１０６：置き台１０７：基体１０８：基体表面１０９：基体ホルダー内面２１００：ＲＦグロー放電法による堆積膜形成装置２１１１：反応容器２１１２：円筒状基体２１１３：基体ホルダー２１１４：基体加熱用ヒーター２１１５：原料ガス導入管２１１６：マッチングボックス２１１７：原料ガス配管２１１８：反応容器リークバルブ２１１９：メイン排気バルブ２１２０：真空計２１２１：底壁２１２２：碍子２１２３：ゲート２１２４：排気管２２００：原料ガス供給装置２２１１〜２２１６：マスフローコントローラー２２２１〜２２２６：原料ガスボンベ２２４１〜２２４６：ガス流入バルブ２２５１〜２２５６：ガス流出バルブ２２６１〜２２６６：圧力調整器３１００：μＷグロー放電法による堆積膜形成装置３１１１：反応容器３１１２：マイクロ波導入窓３１１３：導波管３１１４：基体ホルダー３１１５：円筒状基体３１１６：基体加熱用ヒーター３１１７：原料ガス導入管兼バイアス電極３１１８：バイアス電源３１２０：基体回転用モーター３１２１：排気管３１３０：放電空間４１００：ＶＨＦグロー放電法による堆積膜形成装置４１１１：反応容器４１１２：円筒状基体４１１３：基体ホルダー４１１４：基体加熱用ヒーター４１１５：電極４１１６：マッチングボックス４１２１：排気管４１３０：放電空間５１０：真空投入容器５１１：真空加熱容器５１２：真空反応容器５１３：真空冷却容器５１４〜５１７：排気装置５１８〜５２１：真空排気装置５２２〜５２５：ゲート５２６〜５２９：真空バルブ５３０〜５３３：排気バルブ５３４：真空搬送容器５３５：ゲート６１００：ＲＦグロー放電法による堆積膜形成装置６１１１：反応容器６１１２：円筒状基体６１１３：基体ホルダー６１１４：基体加熱用ヒーター６１１５：原料ガス導入管６１１６：マッチングボックス６１１７：原料ガス配管６１１８：反応容器リークバルブ６１１９：メイン排気バルブ６１２０：真空計６１２１：底壁６１２２：碍子６１２３：ゲート６１２４：排気管６２００：原料ガス供給装置６２１１〜６２１６：マスフローコントローラー６２２１〜６２２６：原料ガスボンベ６２４１〜６２４６：ガス流入バルブ６２５１〜６２５６：ガス流出バルブ６２６１〜６２６６：圧力調整器

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成９年１２月２４日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】図面の簡単な説明

【補正方法】変更

【補正内容】

【図面の簡単な説明】

【図７】実験例１において、基体表面温度測定を行った
結果を示すものである。

【図８】実施例１において、基体表面温度測定を行った
結果を示すものである。

【符号の説明】１０１：基体ホルダー１０２：基体ホルダー外面１０３：補助基体１０４：運搬用取っ手１０５：加熱手段１０６：置き台１０７：基体１０８：基体表面１０９：基体ホルダー内面２１００：ＲＦグロー放電法による堆積膜形成装置２１１１：反応容器２１１２：円筒状基体２１１３：基体ホルダー２１１４：基体加熱用ヒーター２１１５：原料ガス導入管２１１６：マッチングボックス２１１７：原料ガス配管２１１８：反応容器リークバルブ２１１９：メイン排気バルブ２１２０：真空計２１２１：底壁２１２２：碍子２１２３：ゲート２１２４：排気管２２００：原料ガス供給装置２２１１〜２２１６：マスフローコントローラー２２２１〜２２２６：原料ガスボンベ２２４１〜２２４６：ガス流入バルブ２２５１〜２２５６：ガス流出バルブ２２６１〜２２６６：圧力調整器３１００：μＷグロー放電法による堆積膜形成装置３１１１：反応容器３１１２：マイクロ波導入窓３１１３：導波管３１１４：基体ホルダー３１１５：円筒状基体３１１６：基体加熱用ヒーター３１１７：原料ガス導入管兼バイアス電極３１１８：バイアス電源３１２０：基体回転用モーター３１２１：排気管３１３０：放電空間４１００：ＶＨＦグロー放電法による堆積膜形成装置４１１１：反応容器４１１２：円筒状基体４１１３：基体ホルダー４１１４：基体加熱用ヒーター４１１５：電極４１１６：マッチングボックス４１２１：排気管４１３０：放電空間５１０：真空投入容器５１１：真空加熱容器５１２：真空反応容器５１３：真空冷却容器５１４〜５１７：排気装置５１８〜５２１：真空排気装置５２２〜５２５：ゲート５２６〜５２９：真空バルブ５３０〜５３３：排気バルブ５３４：真空搬送容器５３５：ゲート６１００：ＲＦグロー放電法による堆積膜形成装置６１１１：反応容器６１１２：円筒状基体６１１３：基体ホルダー６１１４：基体加熱用ヒーター６１１５：原料ガス導入管６１１６：マッチングボックス６１１７：原料ガス配管６１１８：反応容器リークバルブ６１１９：メイン排気バルブ６１２０：真空計６１２１：底壁６１２２：碍子６１２３：ゲート６１２４：排気管６２００：原料ガス供給装置６２１１〜６２１６：マスフローコントローラー６２２１〜６２２６：原料ガスボンベ６２４１〜６２４６：ガス流入バルブ６２５１〜６２５６：ガス流出バルブ６２６１〜６２６６：圧力調整器

フロントページの続き (72)発明者松岡秀彰東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】反応容器内に基体を支持する基体ホルダー
を備え、該基体ホルダーに装着される基体の表面に減圧
気相成長法によってシリコン原子を母材とする非晶質材
料からなる光受容部材を形成させる光受容部材の形成装
置であって、該基体ホルダーが金属を母体とし、少なくとも基体と相
対する外側のある特定部分の表面が黒化処理されてなる
ことを特徴とする光受容部材の形成装置。
【請求項２】前記黒化処理される特定部分が、基体の温
度が低くなってしまう部分に相対する部分であることを
特徴とする請求項１に記載の光受容部材の形成装置。
【請求項３】前記黒化処理が、セラミックにより処理さ
れていることを特徴とする請求項１または請求項２に記
載の光受容部材の形成装置。
【請求項４】前記セラミックが、Ａｌ₂Ｏ₃とＣｒ₂Ｏ₃の
混在系であることを特徴とする請求項３に記載の光受容
部材の形成装置。
【請求項５】前記基体ホルダーは、外面の表面粗さがＲ
ｚで、１０〜９０μｍであることを特徴とする請求項１
〜請求項４のいずれか１項に記載の光受容部材の形成装
置。
【請求項６】前記基体ホルダーの母体となる金属が、前
記基体と同種類の金属を含むことを特徴とする請求項１
〜請求項５のいずれか１項に記載の光受容部材の形成装
置。
【請求項７】前記基体ホルダーは、該基体ホルダーの内
側の表面がセラミックで構成されていることを特徴とす
る請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の光受容部
材の形成装置。
【請求項８】前記基体ホルダー内側の表面のセラミック
は、耐酸性に優れた材料、または熱輻射を受け易い材料
の少なくとも一つの材料によって構成されていることを
特徴とする請求項７に記載の光受容部材の形成装置。
【請求項９】前記基体ホルダー内側の表面のセラミック
は、Ａｌ₂Ｏ₃とＣｒ₂Ｏ₃の混在系であることを特徴とす
る請求項７または請求項８に記載の光受容部材の形成装
置。
【請求項１０】基体を基体ホルダーに装着させ減圧気相
成長法により、該基体の表面にシリコン原子を母材とす
る非晶質材料からなる光受容部材を形成させる光受容部
材の形成方法であって、該基体ホルダーが金属を母体と
し、少なくとも基体と相対する外側のある特定部分の表
面を黒化処理して光受容部材を形成することを特徴とす
る光受容部材の形成方法。
【請求項１１】前記黒化処理される特定部分が、基体の
温度が低くなってしまう部分に相対する部分であること
を特徴とする請求項１０に記載の光受容部材の形成方
法。
【請求項１２】前記黒化処理が、セラミックにより処理
されていることを特徴とする請求項１０または請求項１
１に記載の光受容部材の形成方法。
【請求項１３】前記セラミックが、Ａｌ₂Ｏ₃とＣｒ₂Ｏ₃
の混在系であることを特徴とする請求項１２に記載の光
受容部材の形成方法。
【請求項１４】前記基体ホルダーは、外面の表面粗さが
Ｒｚで、１０〜９０μｍであることを特徴とする請求項
１０〜請求項１３のいずれか１項に記載の光受容部材の
形成方法。
【請求項１５】前記基体ホルダーの母体となる金属が、
前記基体と同種類の金属を含むことを特徴とする請求項
１０〜請求項１４のいずれか１項に記載の光受容部材の
形成方法。
【請求項１６】前記基体ホルダーは、該基体ホルダーの
内側の表面がセラミックで構成されていることを特徴と
する請求項１０〜請求項１５のいずれか１項に記載の光
受容部材の形成方法。
【請求項１７】前記基体ホルダー内側の表面のセラミッ
クは、耐酸性に優れた材料、または熱輻射を受け易い材
料の少なくとも一つの材料から構成されていることを特
徴とする請求項１６に記載の光受容部材の形成方法。
【請求項１８】前記基体ホルダー内側の表面のセラミッ
クは、Ａｌ₂Ｏ₃とＣｒ₂Ｏ₃の混在系であることを特徴と
する請求項１６または請求項１７に記載の光受容部材の
形成方法。