JPH11126384A - 光磁気記録媒体及びその記録再生方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 光磁気記録媒体の高密度な記録及び高容量の
記録のために、微小化記録磁区を低パワーの外部磁界に
よって高い記録感度を得る必要があり、及び光磁気ヘッ
ド形状の小型化のために低い強度の記録磁界で記録する
方法が必要である。 【解決手段】 光磁気記録媒体の光磁気記録層に記録用
補助磁化のキャッピング層を設けて、キャッピング層の
材料に室温以上の温度で強磁化に転移し、転移の際低い
パワーの記録磁界によって記録磁化される飽和磁化の大
きい磁性材料を用い、キャッピング層の記録磁化の交換
結合力によって光磁気記録層を記録磁化する記録の方法
を用いることのできる光磁気記録媒体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光磁気記録媒体及
びその記録方法に関し、更に詳しくは、磁気ヘッドの記
録磁界出力を低減し、光磁気記録媒体の両面に記録する
ことを可能にし、記録磁区をより微小化して高い記録容
量の光磁気記録媒体とその記録方法を提供することに関
する。

【０００２】

【従来の技術】光磁気ヘッドはレーザビームを光磁気記
録媒体に集束照射する対物レンズを保持する光ヘッドと
磁界を印加する電磁コイルとから構成される。従来、対
物レンズとコイルとを光磁気ディスクを間にはさんでこ
の両側に配してなる構成の光磁気ヘッドであった。この
構成の光磁気ヘッドでは光磁気ディスクの片面にのみ記
録する方式であるので、一枚の光磁気ディスクの記録密
度を向上させる多くの提案がされている。

【０００３】図１はこの種の従来の光磁気デイスク記録
再生装置の回路を示す。光磁気ディスク１の片面上部側
に磁気ヘッド４０が配置され、他面下部側に光ヘッドの
プレート４３、対物レンズ４２が配置される。光ヘッド
は例えば図２の４１で示すもので対物レンズ４２、対物
レンズホルダー４２１、フオカシングアクチュエーター
４２２、トラッキングアクチュエーター４２３等から構
成される。光ヘッド４１と磁気ヘッド４０とは同一中心
線上に配置されて可動する。図１で示すように、光、磁
気各ヘッドは半導体レーザ６７からのレーザビームがＡ
Ｏ変調器６８によって変調され、光磁気ディスクの片面
から記録層へフオカシング照射して記録層を加熱し、同
時に光磁気ディスクの反対側面から磁界変調記録信号が
磁気ヘッド４０から加えられて加熱した記録層に記録磁
区が形成される。

【０００４】上記従来の光磁気ヘッドでは光磁気ディス
クの片面しか利用できず、一枚の光磁気ディスクに記録
できる記録容量が制限されている。そこで、光磁気ディ
スクの両面を記録面として利用できるようにするための
光磁気ヘッドが提案されている。その例として図３に示
すように、光磁気ヘッド４１１には光ヘッドに磁気ヘッ
ドコイル４０が組み込まれており、光磁気ディスクの単
面で記録再生が可能になる。

【０００５】一方、光磁気記録媒体及びレーザビームを
利用する磁気ハードデイスク等は記録情報の書き換えが
可能であり、情報の記録密度を飛躍的に大きくできる可
能性があり、光ヘッドにＳＩＬ（ソリッドイマージョン
レンズ）を用いる提案が行われている。この種のヘッド
には光ヘッドと磁気ヘッドとが、それらの間に光磁気デ
イスクを挟んで、その光磁気デイスクの両側に配して用
いる構成の記録再生装置と、光磁気デイスクの片面に光
磁気ヘッドを配置して、光磁気デイスクの両面に記録再
生が可能な記録再生装置とがある。この種の光ヘッド、
或いは光磁気ヘッドはＳＩＬを組み合わせて用いられ
る。

【０００６】一方装置のコンパクト化が高スピードで進
展しており、その中でより一層の高密度記録と再生技
術、及び高記録容量化には、微小化記録ピットを低い外
部磁界によって高い記録感度が得られる記録手段が問題
になり、さらに記録磁区信号の状態については、高い解
像度の再生信号が得られる記録特性についての問題があ
る。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところで、光磁気ディ
スクの両面を記録面として利用するための光磁気ヘッド
では中心部にレーザビームの光路空隙と対物レンズ等の
光ヘッド部を配置し、その外周部に磁気ヘッドコイル等
を配置する構成である。このため光磁気記録膜のレーザ
ビームスポット照射点に加える磁界の磁束密度が小さく
なるのでこれを高めるためには強度の大きな磁界を用い
る必要がある。しかし形状を極限まで小型化する必要の
ある光磁気ヘッドによって磁界の強度をより大きくする
ことが困難である。

【０００８】一方、光磁気ディスクの記録再生装置のコ
ンパクト化が高スピードで進展して、高密度記録と再生
及び高容量の記録のために、記録ピット或いは記録磁区
が微小化しており、この微小化記録磁区を低い外部磁界
によって高い記録感度で優れた記録特性を得るための記
録手段が課題である。

【０００９】さらに記録された微小記録磁区から、高い
解像度の再生信号を得る再生手段についても課題があ
る。さらにまた、書き換えが可能な光磁気記録媒体及び
レーザビームを利用する磁気ハードデイスク等の記録密
度を飛躍的に大きくするために提案されている、ＳＩＬ
（ソリッドイマージョンレンズ）を光磁気ヘッド、或い
は光ヘッドに組み込んで用いる場合に、実用可能なヘッ
ドにするための構造と構成を改良しなければならない課
題があり、この光磁気ヘッド、或いは光ヘッドによって
高密度及び高容量の記録再生を行うためには、光磁気デ
イスクの構造と記録膜構成と膜材料について改良が課題
である。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は図２に示すよう
に、光ヘッド４１と磁気ヘッド４０を各々別体で光磁気
記録媒体１１１を挟んで配置して記録再生する片面記録
方式の光磁気デイスク及び記録再生装置において要請さ
れている、記録再生レーザビームと記録磁界の低パワー
化に応えることが可能な新規な光磁気デイスク及び磁気
デイスクに関する。

【００１１】本発明はまた、図３に例示されるような、
光ヘッドに磁気ヘッドコイル４０１を組み込んで一体化
した光磁気ヘッド４１３によって記録媒体の両面に記録
再生を行うことを可能にするための光磁気デイスク１１
１として、低出力の記録再生レーザービーム及び低出力
の記録磁界である光磁気ヘッド４１３によって両面の記
録再生が可能になる新規な光磁気デイスク或いは磁気デ
イスクに関する。

【００１２】本発明はさらにまた，図４で例示するよう
な、光ヘッド４１０と磁気ヘッド４０との間に記録媒体
を挟んで記録再生を行う方式の記録再生装置に、光ヘッ
ド４１０にＳＩＬ４１２を組み込んだものを用い、且つ
該光ヘッド４１０の記録レーザービーム或いは／及び前
記磁気ヘッド４０の記録磁界が低出力であるために従来
の光磁気デイスク１１１、或いは磁気デイスクでは記録
再生することができない装置を用いて記録再生が行える
新規な光磁気デイスク或いは磁気デイスクに関する。

【００１３】本発明はさらにまた、図５に例示されるよ
うな、光ヘッドに磁気ヘッドコイル４２４及びＳＩＬ４
１２を組み込んだ光磁気ヘッド４１４によって記録媒体
の両面に記録再生を行うことのできる新規な光磁気デイ
スク或いは磁気デイスクに関する。

【００１４】本発明の第１は、本発明の新規な光磁気デ
イスク、或いは磁気デイスクは光磁気記録膜或いは磁気
記録膜に情報ビットの記録磁区信号を記録するために必
要な記録磁界の強度について外部磁界（磁気ヘッドから
の低い記録磁界）を補う働きをする記録用補助磁化膜
（キャッピング膜またはキャッピング層と略記する）
を、前記光磁気記録膜或いは磁気記録膜の表裏両面の少
なくとも片方の面に形成することに特徴がある。

【００１５】本発明の第２は、さらに、本発明の新規な
光磁気デイスク、或いは磁気デイスクに用いる前記記録
磁界補助磁化膜（キャッピング膜またはキャッピング層
と略記する）の磁性材料に常温では面内磁化であり、記
録用レーザビームによって臨界温度Ｔcr以上に加熱され
ると垂直磁化に転移する磁性材料を用いることに特徴が
ある。

【００１６】本発明の第３は、本発明の新規な光磁気デ
イスク、或いは磁気デイスクに用いる前記キャッピング
膜の磁性材料に常温では反強磁性であり、記録用レーザ
ビームによって転移温度Ｔat以上に加熱されると強磁性
の垂直磁化に転移する反強磁性強磁性遷移磁性材料を用
いることに特徴がある。

【００１７】本発明の第４は、本発明の新規な光磁気デ
イスク、或いは磁気デイスクに用いる前記キャッピング
膜が光磁気記録膜或いは磁気記録膜の記録用レーザビー
ム入射側面とは反対側の面に形成することに特徴があ
る。

【００１８】本発明の第５は、本発明の新規な光磁気デ
イスク、或いは磁気デイスクに用いる前記キャッピング
膜を光磁気記録膜或いは磁気記録膜の記録用レーザビー
ム入射側面に形成することに特徴がある。

【００１９】本発明の第６は、本発明の新規な光磁気デ
イスク、或いは磁気デイスクに用いる前記キャッピング
膜が光磁気記録膜或いは磁気記録膜の表裏両面に形成す
ることに特徴がある。

【００２０】本発明の第７は、本発明の新規な光磁気デ
イスク、或いは磁気デイスクが、光磁気記録膜或いは磁
気記録膜の表裏両面の少なくとも片方の面にキャッピン
グ膜を形成すると共に前記光磁気記録膜或いは前記磁気
記録膜の記録用レーザビーム入射側に他の補助磁化膜と
して少なくとも再生用磁性膜を形成することに特徴があ
る。

【００２１】本発明の第８は、本発明の新規な光磁気デ
イスク、或いは磁気デイスクが、記録用レーザビームの
照射によって光磁気記録膜或いは磁気記録膜に記録磁区
信号を記録すると共に前記光磁気デイスク、或いは磁気
デイスクに形成される他の補助磁化膜の少なくとも再生
用磁性膜に前記光磁気記録膜或いは磁気記録膜の記録磁
区信号が転写される、そのような磁性材料を他の補助磁
化膜に用いることに特徴がある。

【００２２】本発明の第２及び第３に用いられるキャッ
ピング膜は記録用レーザビームの照射と外部の記録磁界
を受けて転移温度以上に達した部分において記録磁化し
た転移強磁性に関する飽和磁化の磁界を生成して、光磁
気記録膜或いは磁気記録膜に記録信号を記録させる記録
磁界透過の窓口を形成することに特徴がある。

【００２３】さらに本発明の第２及び第３に用いられる
キャッピング膜は記録用レーザビームの照射と外部の記
録磁界を受けて転移温度以上に達した部分以外の部分に
おいては光磁気記録膜或いは磁気記録膜に対する外部磁
界の影響を遮断することに特徴がある。

【００２４】さらに本発明の第２及び第３のキャッピン
グ膜に用いられる磁性材料は常温以上の温度で、好まし
くは５０℃以上の温度で強磁性垂直磁化に転移し、５５
℃以上の温度で、好ましくは８０℃以上の温度で光磁気
記録膜或いは磁気記録膜の保磁力（Ｏe）よりも強い自
発磁化を発生する磁性材料からなる膜層を光磁気記録膜
層或いは磁気記録膜層と組み合わせて用いることに特徴
がある。

【００２５】さらに本発明の第２及び第３のキャッピン
グ膜に用いられる磁性材料は記録用レーザビームの照射
による加熱温度で強磁性垂直磁化に転移し、光磁気記録
膜或いは磁気記録膜のキュリー温度（Ｔc）近傍で光磁
気記録膜或いは磁気記録膜の保磁力（Ｏe）よりも強い
磁界を及ぼす飽和磁化を保持する磁性材料からなる膜層
を光磁気記録膜層或いは磁気記録膜層と組み合わせて用
いることに特徴がある。

【００２６】本発明の第７及び第８に用いられる他の補
助磁化膜として少なくとも再生用磁性膜には、記録用レ
ーザビームの照射による加熱温度によって光磁気記録膜
或いは磁気記録膜に記録磁区信号が記録される際に同時
に記録磁区信号が転写される磁性材料を光磁気記録膜層
或いは磁気記録膜層と組み合わせて用いることに特徴が
ある。

【００２７】本発明の第９は、少なくとも光磁気記録層
を有する光磁気記録媒体において、反強磁性強磁性遷移
磁性材料からなる記録用補助磁性膜を積層構成し、前記
光磁気記録媒体に記録用レーザ光を照射することによっ
て前記記録用補助磁性膜を転移温度以上に加熱されて反
強磁性強磁性遷移磁性材料を反強磁性から強磁性へ転移
し、記録磁界下で記録磁化し、ついで前記光磁気記録層
に記録磁化を生成させることによって記録されることに
特徴がある。

【００２８】本発明の第１０は、少なくとも光磁気記録
層を有する光磁気記録媒体において、常温以上の温度で
垂直磁化に転移する磁性材料からなる記録用補助磁性膜
を積層構成し、前記光磁気記録媒体に記録用レーザ光を
照射することによって前記記録用補助磁性膜を転移温度
以上に加熱して垂直磁化に転移し、記録磁界下で記録磁
化し、ついで前記光磁気記録層に記録磁化を生成させる
ことによって記録されることに特徴がある。

【００２９】本発明の第１１は、少なくとも光磁気記録
膜を有する光磁気記録媒体において、該光磁気記録膜の
両面の少なくとも片方の面側に反強磁性強磁性遷移磁性
材料からなる記録用補助磁性膜を積層構成し、前記光磁
気記録媒体に記録用レーザ光を照射することによって前
記記録用補助磁性膜が転移温度以上に加熱されて反強磁
性強磁性遷移磁性材料を反強磁性から強磁性へ転移し、
記録磁界下で記録磁化し、ついで前記光磁気記録層に記
録磁化を生成させることによって記録されることに特徴
がある。

【００３０】本発明の第１２は、少なくとも光磁気記録
層を有する光磁気記録媒体において、該光磁気記録膜の
両面の少なくとも片方の面側に常温以上の温度で垂直磁
化に転移する磁性材料からなる記録用補助磁性膜を設
け、前記光磁気記録媒体に記録用レーザ光を照射するこ
とによって前記記録用補助磁性膜を転移温度以上に加熱
して垂直磁化に転移し、記録磁界下で記録磁化し、つい
で前記光磁気記録層に記録磁化を生成させることによっ
て記録されることに特徴がある。

【００３１】本発明の第１３は、少なくとも光磁気記録
層を有する光磁気記録媒体において、レーザ光の照射に
よって垂直磁化へ転移する磁性材料からなる、再生用磁
性膜と記録用補助磁性膜とを備えることに特徴がある。

【００３２】本発明の第１４は、少なくとも光磁気記録
層を有する光磁気記録媒体において、前記光磁気記録層
の記録用レーザ光入射側に常温で面内磁化を示すが臨界
温度Ｔcr1以上で垂直磁化へ転移する材料からなる再生
用磁性膜と転移温度以上で垂直磁化し、記録磁界下で記
録磁化し、ついで前記光磁気記録層に記録磁化を生成さ
せるる記録用補助磁性膜とを備えることに特徴がある。

【００３３】本発明の第１５は、基板上に少なくとも記
録用磁化膜と再生用磁化膜を備え、記録用レーザ光を照
射することによって記録される光磁気記録媒体おいて、
前記記録用磁化膜の近傍に、記録用レーザ光の照射によ
って加熱されて垂直磁化に転移する記録用補助磁化膜が
形成されることに特徴がある。

【００３４】本発明の第１６は、基板上に少なくとも記
録用磁化膜と再生用磁化膜を備え、記録用レーザ光を記
録用磁化膜に照射することによって記録する光磁気記録
媒体おいて、前記記録用磁化膜の近傍に副格子磁化の方
向が常温で膜面に対して垂直である反強磁性強磁性遷移
磁性材料からなる記録用補助磁化膜を形成することに特
徴がある。

【００３５】本発明の第１７は、基板上に少なくとも記
録用磁化膜と再生用磁化膜を備え、記録用レーザ光を記
録用磁性膜に照射することによって記録する光磁気記録
媒体おいて、前記記録用磁化膜の近傍に副格子磁化の方
向が常温で膜面に対して平行である反強磁性強磁性遷移
磁性材料からなる記録用補助磁化膜を形成することに特
徴がある。

【００３６】上記記録用磁化膜と記録用補助磁化膜とは
直接接触しても、前記記録用磁化膜と前記記録用補助磁
化膜との間に非磁性層が介在させてもよい。さらに、光
磁気記録媒体は、レーザ光の照射によって転移温度以上
に加熱されると垂直磁化に転移する補助磁性膜が前記再
生用磁化膜に接触して形成してもよい。

【００３７】またさらに、光磁気記録媒体には、レーザ
光の照射によって転移温度以上に加熱されると垂直磁化
に転移する補助磁性膜が形成されており、該補助磁性膜
は前記再生用磁化膜との間に非磁性層を介在させて用い
てもよい。

【００３８】またさらに、光磁気記録媒体は記録用磁化
膜と再生用磁化膜との間に、レーザ光の照射によって転
移温度以上に加熱されると垂直磁化に転移する補助磁性
膜を形成して用いてもよい。

【００３９】さらに、非磁性層には光磁気記録媒体に用
いられる光反射膜、断熱性膜、誘電体膜、透明保護膜、
基板材料等の材料から選択して用いてもよい。

【００４０】本発明の第１８は、基板上に少なくとも記
録用磁性膜と再生用磁性膜を備え、記録用レーザ光を該
記録用磁性膜に照射することによって記録する光磁気記
録媒体おいて、記録用補助磁性膜、記録用磁性膜、非磁
性材料膜、室温では面内磁化で臨界温度以上で垂直磁化
に転移する第１の補助磁性膜、非磁性材料膜、反強磁性
強磁性遷移磁性材料からなる補助磁性膜、室温では面内
磁化で臨界温度以上で垂直磁化に転移する再生用磁性膜
として機能する第２の補助磁性膜等の膜層を備えると共
に、この順に積層構成されることが特徴である。

【００４１】本発明の第１９は、基板上に少なくとも記
録用磁性膜と再生用磁性膜を備え、記録用レーザ光を記
録用磁性膜に照射することによって記録する光磁気記録
媒体おいて、前記記録用磁性膜、非磁性材料膜、室温で
は面内磁化で臨界温度以上で垂直磁化に転移する第１の
補助磁性膜、非磁性材料膜、副格子磁化の方向が常温で
膜面に対して平行であり，再生光の照射によって膜面に
垂直な磁化へ転移する反強磁性強磁性遷移磁性材料から
なる補助磁性膜、室温では面内磁化で臨界温度以上で垂
直磁化に転移する再生用磁性膜として機能する第２の補
助磁性膜等の膜層を備えると共に、この順に積層構成さ
れることが特徴である。

【００４２】次に本発明の記録原理について説明する。
本発明のキャッピング層３０に用いる反強磁性強磁性遷
移磁性材料からなる磁性膜の強磁性垂直磁化転移温度Ｔ
at以上、或いは磁化膜の垂直磁化転移臨界温度Ｔcr1以
上の温度における飽和磁化曲線Ａ，Ｂは、光磁気記録膜
の保磁力の温度変化曲線Ｃとの組み合わせの例によって
図６に示す磁性特性から説明する。反強磁性強磁性遷移
磁性材料からなる磁性膜の曲線Ａは強磁性に転移した後
わずかな温度上昇で飽和磁化に伴う自発磁化の強さが急
激に光磁気記録膜の保磁力を越える強さに変化する。従
ってキャッピング層３０が記録磁界の向きに磁化された
自発磁化の磁界が外部磁気ヘッドの記録磁界と一緒にな
って、記録用レーザビームスポットによる温度が低い、
低パワーの記録用レーザビームで光磁気記録膜に記録情
報信号を記録することができる。

【００４３】磁化膜からなる曲線Ｂは垂直磁化に転移し
た後飽和磁化に伴う自発磁化の強さが、温度の上昇によ
って光磁気記録膜の保磁力を越える強さに変化し、キャ
ッピング層３０が記録磁界の向きに磁化された自発磁化
の磁界が外部磁気ヘッドの記録磁界と一緒になって、光
磁気記録膜の保磁力が零になる温度Ｔc0近傍よりも低い
温度の低パワー記録用レーザビームによって、光磁気記
録膜に情報信号を記録する。キャッピング層３０の磁性
材料のキュリー温度が光磁気記録膜のキュリー温度より
低くても用いることのできる材料もあるが、特にキュリ
ー温度が光磁気記録膜のキュリー温度Ｔc0よりも高いキ
ャッピング層３０の材料では記録用レーザビームの出力
を大きく低減できる。

【００４４】図１０は光磁気記録層１０の保護膜７側面
に反強磁性強磁性遷移磁性材料のキャッピング層３０を
設けた膜構成の光磁気記録媒体に光ヘッドの対物レンズ
３０１から記録用レーザービームスポットと磁気ヘッド
４０から記録外部磁界を加えた場合に生成する媒体内積
層膜の温度分布状態についての模式図である。記録用レ
ーザービームのフオカシング部分の中心部分が最も高温
になり、記録用レーザービーム光スポットの外側方向に
低い温度分布であり、記録用レーザービーム光スポット
の最小部分の温度勾配が最も大きくなる。記録用レーザ
ービーム光スポットがフオカシングされる積層膜の再生
用磁性層２４、第１補助磁性層２５、非磁性層２９、反
射層８、光磁気記録層１０、及び反強磁性強磁性遷移磁
性材料のキャッピング層３０等の膜は厚みが極めて薄い
ために、ほぼ同じ温度分布にあり、加熱された各磁性膜
はそれぞれの膜特有の磁気特性に変化する。記録用レー
ザービーム光スポットの中心部分では、光磁気記録層１
０の保磁力が記録情報ビットが形成され程度以下に低下
する温度領域５０２があり、再生用磁性層２４の面内磁
化から垂直磁界へ転移する臨界温度Ｔcr2以上の温度領
域があり、反強磁性強磁性遷移磁性材料のキャッピング
層３０の反強磁性が強磁性に転移して記録情報の磁化信
号を形成すると同時に光磁気記録層１０に対して記録磁
界を発生する飽和磁化を形成する温度領域がある。

【００４５】図１１は光磁気記録媒体記録トラックのラ
ンド部５４とグルーブ部５３に情報記録ビット５２を記
録する記録用レーザービームスポットと記録磁界を加え
て記録用レーザービームスポットの移動後の加熱領域６
０と、移動した記録用レーザービーム光スポットの新し
い照射領域６１と、該新しい照射領域６１に至る間の連
続加熱によって温度が最高まで上昇する領域６２とを示
す図１１（ａ）に対応させて、前記光磁気記録媒体記録
トラック上の６０、６２、及び６１の各領域におけるキ
ャッピング層３０、光磁気記録層１０、及び再生用磁性
層２４各々の磁化状態を図１１（ｂ）で表したものであ
る。図１１では反強磁性強磁性遷移磁性材料に常温では
副格子磁化の方向が膜面に対して垂直である材料を用
い、再生用磁性層２４の磁性材料に常温で垂直磁化の材
料を用いた。キャッピング層３０の転移温度が最も低い
ので記録用レーザービーム光スポット新しい照射領域６
１で強磁性に転移し、磁化の向きが３６１で示すように
記録磁界の向きに磁化される。キャッピング層３０の既
に磁化された３６２では光磁気記録層１０の温度が上が
り保磁力が低下したので記録信号が記録されて、さらに
再生用磁性層２４へ記録磁区２２２が転写される。キャ
ッピング層３０の既に磁化された後温度が常温まで低下
した領域３５９では元の副格子磁化の方向が膜面に対し
て垂直な反強磁性に戻っているが、記録層１０及び再生
層２４には記録磁化が保磁される。

【００４６】反強磁性強磁性遷移磁性材料に常温では副
格子磁化の方向が膜面に対して平行である材料を用い、
再生用磁性層２４の磁性材料に常温では面内磁化である
が臨界温度Ｔcr2以上では垂直磁化に転移する磁性材料
を用い，さらに常温では面内磁化であるが臨界温度Ｔcr
1以上では垂直磁化に転移すると共に臨界温度Ｔcr1がキ
ャッピング層３０の転移温度（Ｔat）及び再生用磁性層
２４の臨界温度Ｔcr2よりも高い磁性材料からなる第１
補助磁性層２５を用いた場合について図１２に示した。
キャッピング層３０の記録用レーザービームスポットの
新しい照射領域６１で強磁性に転移し、記録磁界の向き
３６１に磁化される。キャッピング層３０の既に磁化さ
れた３６２では光磁気記録層１０の温度が上がり保磁力
が低下したので記録信号が記録されて、さらに第１補助
磁性層２５の臨界温度がＴcr1以上になったので再生用
磁性層２４へ光磁気記録層１０の記録磁区が転写磁区２
３１のように転写拡大される。キャッピング層３０の既
に磁化された後温度が常温まで低下した領域３５９では
副格子磁化の方向が膜面に対して垂直な元の状態の反強
磁性に戻り、さらに第１補助磁性層２５及び再生用磁性
層２４も面内磁化の元の状態に戻るが、記録層１０では
記録磁化が保磁される。

【００４７】次に、本発明の再生原理を説明する。本発
明の光磁気記録媒体に用いる垂直磁化の光磁気記録膜及
び再生用磁性膜は磁性膜の温度が上昇するに伴って保磁
力Ｈｔが低下してキュリ−温度Ｔｃ以上で保磁力が零に
なる性質を有する。反強磁性強磁性遷移材料からなる補
助磁性膜は積層される隣接の磁性層と交換結合して、隣
接の磁性層の磁化向きを強力に固定する。反強磁性から
強磁性に転移する転移温度Ｔatを越えると、反強磁性強
磁性遷移材料からなる補助磁性膜は強磁性化して、隣接
の磁性層との新たな交換結合を生ずる。

【００４８】本発明の光磁気記録媒体では、光磁気記録
層に記録された記録磁区を再生する手段として、光磁気
記録媒体に積層形成される再生用磁性膜及び／或いは反
強磁性強磁性遷移材料からなる補助磁性膜に記録磁区を
転写させ、拡大させて、この拡大された再生用磁性膜及
び／或いは反強磁性強磁性遷移材料からなる補助磁性膜
の転写記録磁区から得られる再生用レーザ光の偏光カー
回転角を検出することによって読みとり再生する。とこ
ろで、Ｓ／Ｎ比の大きい再生信号を得るためには、光磁
気記録層の記録磁区を光磁気記録層から再生用磁性膜及
び／或いは反強磁性強磁性遷移材料からなる補助磁性膜
へ転写させ、さらに拡大させる段階で、記録磁区信号磁
界に記録磁区信号以外の外部磁化、洩れ磁界等のノイズ
を限りなく零に低減しなければならない。ノイズを低減
し明瞭に転写拡大された記録磁区を得るために、光磁気
記録層からの限りなく純粋な記録磁区信号磁界に限定す
るために、他のノイズ磁界をシャットアウトする、効率
のよいノイズ遮蔽、或いはノイズ遮断を行う手段とし
て、本発明の反強磁性強磁性遷移材料からなる補助磁性
膜を光磁気記録層の積層膜に用いることは極めて有効で
ある。

【００４９】本発明の再生用磁性層に用いる反強磁性強
磁性遷移材料からなる補助磁性膜は、常温で副格子磁化
の方向が膜面に対して平行或いは垂直な反強磁性であ
り，再生光の照射によって転移温度Ｔatを越えると膜面
に垂直な強磁性磁化へ転移する。面内磁化の反強磁性強
磁性遷移材料からなる補助磁性膜は隣接する磁性膜の面
内磁化と交換結合して、磁化向きをそのままに強力に固
定する。また副格子磁化の方向が膜面に対して垂直であ
る反強磁性強磁性遷移材料では補助磁性膜に隣接する垂
直磁化の磁性膜の磁化の向きを状態のままに強力に固定
する。上記磁性膜に転写される記録磁界信号ができるだ
け純粋なものにするためには、磁性膜の保磁力に近い転
写磁界強度で、磁性膜の保磁力が高い温度で、且つ限ら
れた温度範囲の微小時間に転写を済ませる必要があり、
転写後は外部磁界の影響なく拡大させる必要がある。

【００５０】反強磁性強磁性遷移材料からなる補助磁性
膜が保持する反強磁性から強磁性に或いは強磁性から反
強磁性に転移する転移温度Ｔatは、磁性膜の保磁力の大
きい温度で、且つ限られた温度の範囲の微小時間で転写
を済ませるために効果的なシャッターとして機能する。
即ち、再生用レーザ光によって、磁性膜と反強磁性強磁
性遷移材料からなる記録用補助磁性膜（キャッピング
層）３０との積層間に働く強い交換結合力を一時的に弱
めるか或いは解消して、磁化の向きが記録磁区の転写磁
界の向に追随できるように、反強磁性強磁性遷移材料か
らなる補助磁性膜を機能させる。即ち反強磁性強磁性遷
移材料からなる補助磁性膜によって純粋な記録磁区の磁
界だけを透過させて再生用磁性膜へ加えることができる
ようにすること、及び記録磁区が再生用磁性膜に転写さ
れる瞬間だけ交換結合力を弱めるか或いは反強磁性強磁
性遷移材料の補助磁性膜を強磁性化すること、等が反強
磁性強磁性遷移材料を用いた補助磁性膜の重要な機能で
ある。

【００５１】再生用磁性膜の材料は臨界温度Ｔcr2近傍
の温度で光磁気記録層の記録磁区信号の磁界よりも小さ
い保磁力になる材料を用いることが好ましい。再生用磁
性膜に転写した記録磁区のカ−回転角が再生レーザ光に
よって読みとられ、記録情報が再生される。このように
してＳ／Ｎ比の高い再生信号が得られる。本発明では、
再生用磁性膜及び補助磁性膜は臨界温度Ｔcr2と反強磁
性から強磁性に或いは強磁性から反強磁性に転移する転
移温度Ｔatが、 Ｔcr2＜Ｔat となるように再生用磁性
膜及び補助磁性膜の材料を選定して用いるため、再生用
磁性膜の垂直磁化状態となりうる領域は、再生光が照射
された再生光スポット領域内の温度がＴcr2以上に達し
た領域である。即ち再生用磁性膜の臨界温度Ｔcr2以上
に達した領域内では、面内磁区で存在することができな
いので、この臨界温度Ｔcr2以上に達した領域では転写
された記録磁区の拡大が進行する。

【００５２】この光磁気記録媒体に、磁性膜の加熱温度
の最高温度が所望の温度になるように、適当なパワーの
再生光を照射すると、再生用磁性膜中にＴcr2以上とな
り垂直磁化状態となりうる領域が発生する。その温度の
領域が光磁気記録膜に記録されている記録磁区Ｍの径以
上、好ましくは再生光スポット径以上となるような臨界
温度Ｔcr2を保持する磁性材料を選択して再生用磁性膜
に用いるか、或いは再生光のパワーを設定して用いる。

【００５３】光磁気記録媒体に、再生レーザ光を照射し
て再生用磁性膜中に、Ｔcr2以上となり垂直磁化状態が
発生した時点において再生層補助磁性膜の転写磁区（ド
メイン）は拡大するが、再生光が読み取れる大きさ、例
えば再生光スポットの径よりも大きく拡大する。再生用
磁性膜にはＧｄuＦｅvＣｏw合金について元素比u v wの
最適な値の材料を選択して用いる。

【００５４】光磁気記録膜はＴcr2以上の領域内の温度
分布に対応する磁化の分布を有し、最高到達温度となる
領域及びその近傍でその値が充分大きくなるような磁気
特性を有している。各磁性膜の磁気特性を上記のように
設定したため、光磁気記録膜中の温度が高く且つ磁化が
充分大きい領域の磁区Ｍのみが、磁区Ｍの領域で作用す
る光磁気記録膜と補助磁性膜間の交換結合力、及び光磁
気記録膜或いは補助磁性膜と再生用磁性膜間の大きな静
磁結合力によって、再生用磁性膜中の温度が高く且つ保
磁力が充分小さい領域に転写される。これにより、まず
充分な再生分解能が得られる。

【００５５】次いで、再生用磁性膜に転写された磁区
は、Ｔcr2以上の領域内の垂直磁気異方性と転写された
磁区からの交換結合力により、図12に示したように拡大
すると考えられる。再生後、即ち再生レーザー光が移動
した後、読み出し部はＴcr2以下に冷却され、再生用磁
性膜は面内磁化膜となり元の状態に戻る。

【００５６】再生用磁性膜の磁区拡大の効果は、再生用
磁性膜中の転写磁区が再生光スポット径以上に拡大され
たときに最大になる。この状態では、光磁気記録膜中に
記録された磁区の大きさや形状に関係しない、再生用磁
性膜の性能指数と再生ビーム光のみによって決まる極め
て大きい再生出力が得られる。以上のような再生動作時
の温度においても、光磁気記録膜の保磁力は充分大きい
ために、磁化として記録された情報は完全に保持されて
いる。

【００５７】補助磁性膜に転写された磁区は再生用磁性
膜に転写される。本発明では、補助磁性膜及び再生用磁
性膜はそれぞれの臨界温度がＴcr1 ＞Ｔcr2 となるよう
に設定されているため、図２の媒体内の温度プロファイ
ルに示すように、再生用磁性膜中の垂直磁化状態となり
うる領域は、補助磁性膜２８中のそれよりも径が大きく
なる。このため、図１２に示すように、再生用磁性膜中
の転写磁区２３１は再生用磁性膜中の垂直磁化状態とな
りうる領域内の垂直磁気異方性によって拡大される。

【００５８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の光磁気記録媒体及
びその再生方法の実施の形態及び実施例を図面を参照し
ながら説明する。本発明の実施例における反強磁性強磁
性遷移材料は記録用磁性層の記録用補助磁性膜としてキ
ャッピング層に限定して用いるものではなく、記録情報
を再生する再生層の再生手段の材料として用いることが
できる。従って同一の媒体の記録用補助磁性層のキャッ
ピング層と再生用磁性層の補助磁性層の２カ所に用いる
こともできる。

【００５９】また反強磁性強磁性遷移材料を記録用磁性
層の補助磁性膜として記録用磁性膜の両面に形成して用
いることができる。図７、図８、及び図９は一般に用い
られてよく知られている光磁気記録媒体のＴｂＦｅＣｏ
合金からなる光磁気記録再生膜層５１０に反強磁性強磁
性遷移材料からなる記録用補助磁性膜（キャッピング
層）３０及び３００を組み合わせて積層を行って構成し
た光磁気記録媒体であり、情報記録信号の記録際に記録
用レーザビームスポットのパワーを低減する効果が得ら
れる。このために、磁気ヘッド用コイルを光ヘッドに組
み込んで光ヘッドと磁気ヘッドとを一体に構成した光磁
気ヘッド４１４を用いることが可能になり、光磁気デイ
スクの両面記録再生を可能にする効果が得られる。

【００６０】反強磁性強磁性遷移材料の強磁性化に伴う
飽和磁化の温度特性と光磁気記録再生層磁性材料の保磁
力の温度特性との相互関係は、ＦｅＲｈ合金の反強磁性
強磁性遷移材料とＴｂＦｅＣｏ合金の光磁気記録再生層
材料の例で図２６に示すような状態になる。

【００６１】

【実施例１】図１３（ａ）の模式図で示す光磁気記録媒
体は一般的な光磁気ヘッドを用いて記録再生が行える記
録媒体で、基板１の上に、第１誘電体膜３、再生用磁性
膜２４、非磁性層２９、光磁気記録膜１０、反強磁性強
磁性遷移材料からなる記録用補助磁性膜（キャッピング
層）３０、第２誘電体膜３１、反射膜８、保護膜７がこ
の順に積層する。第１誘電体膜３、第２誘電体膜３１、
及び非磁性層２９には窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）、酸化ア
ルミ（Ａｌ２Ｏ３）、窒化アルミ（ＡｌＮ）等の材料か
ら選択して用いる。基板１にはポリカーボネイト樹脂を
用いる。反射膜８にはＡｌ金属、ＡｌＴｉ合金等から選
択して用い、その外側に紫外線硬化性樹脂塗布し、硬化
して保護膜７を積層形成する。基板１の片面にはプリフ
オマッテイング２を形成し、このプリフオマッテイング
２形成面側に誘電体膜３を配置積層する。光磁気記録膜
１０にはＴbＦｅＣｏの合金、或いは必要ならばＴbＦｅ
Ｃｏの合金にＮｂ，Ｃｒ等から選択して添加した合金を
用いる。

【００６２】再生用補助磁性膜２４にはＧｄＦｅＣｏ、
ＧｄＴbＦｅＣｏ等の合金から選択して用いる。反強磁
性強磁性遷移材料からなる記録用補助磁性膜（キャッピ
ング層）３０にはＭｎＯ、Ｃｒ２Ｏ３、ＦｅＳ、ＦｅＣ
ｌ２、ＭｎＡｓ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ合金、Ｄｙ合
金、Ｈｏ合金、Ｅｒ合金、ＦｅＲｈ合金、ＭｎＺｎ合
金、ＳｍＺｎ合金、ＧｄＺｎ合金、ＴｂＺｎ合金、Ｄｙ
Ｚｎ合金、ＨｏＺｎ合金、ＥｒＺｎ合金、ＺｒＦｅ２合
金，ＨｆＦｅ２合金，ＺｒＺｎ２合金，ＦｅＢｅ２合
金，ＳｃＦｅ２合金，ＹＦｅ２合金，ＣｅＦｅ２合金，
ＳｍＦｅ２合金，ＧｄＦｅ２合金、ＤｙＦｅ２合金，Ｈ
ｏＦｅ２合金，ＥｒＦｅ２合金，ＴｍＦｅ２合金，Ｐｒ
Ｃｏ２合金，ＮｄＣｏ２合金，ＳｍＣｏ２合金，ＧｄＣ
ｏ２合金，ＴｂＣｏ２合金，ＤｙＣｏ２合金，ＨｏＣｏ
２合金，ＥｒＣｏ２合金，ＵＦｅ２合金，ＮｐＦｅ２合
金，ＡｇＦｅ２合金、ＡｕＦｅ２合金、ＡｌＦｅ２合
金、ＧａＦｅ２合金、ＩｎＦｅ２合金、ＴｌＦｅ２合金
等の化合物、元素、或いは合金から選択して用いる。反
強磁性強磁性遷移材料からなる記録用補助磁性膜（キャ
ッピング層）３０は常温で反強磁性状態では結晶の隣り
合った磁性原子の磁気モーメントが負の交換相互作用を
もつために磁性が反平行に並んで打ち消し合う。反強磁
性強磁性遷移材料からなる記録用補助磁性膜（キャッピ
ング層）３０の温度が上昇すると磁化率が上昇するが、
反強磁性から強磁性に転移する転移温度Ｔat以上では強
磁性となる。

【００６３】本発明の光磁気記録媒体は規格化されてい
る全てに適用可能であるが、特に外径が１２０ｍｍ以下
の大きさのもので、記録媒体の厚みが０．６ｍｍ，０．
４ｍｍ，０．８ｍｍ等１．０ｍｍよりも薄いもので１Ｇ
Ｂ（ギガバイト）／平方インチ（スケアインチ）以上の
高密度記録を行うものに好適である。

【００６４】図１３（ａ）に記載する本発明の光磁気記
録媒体の積層体構造は、通常の対物レンズ３０１を保持
する光ヘッドを用いた記録再生装置よって記録再生を行
う方式で、リターゼーション等の小さい光学的特性に優
れた透明な基板１１から再生レーザ光を入射するように
構成されている。しかし、対物レンズ３０１とＳＩＬ
（別名：個体浸漬レンズ、個体イマージョンレンズ、ソ
リッドイマージョンレンズ等）３０２とを併用する光ヘ
ッドが用いられる記録再生装置に対しては図１３（ｂ）
の積層膜構造の光磁気デイスクを用いなければならな
い。図１３（ｂ）の光磁気デイスクでは第１誘電体膜３
を大気に露出させるか、または第１誘電体膜３の外側に
高硬度の透明薄膜の保護膜を形成して、記録用レーザ光
のＳＩＬからのフオカシング距離１００〜５００ｎｍ以
内に、透明な誘電体膜３或いは透明な保護膜と誘電体膜
３との積層膜と再生用磁性膜２４とを形成して用いなけ
ればならない。プリフオマッテイング２を行った基板１
は光磁気記録膜１０の反強磁性強磁性遷移材料からなる
記録用補助磁性膜（キャッピング層）３０側に形成し、
保護膜として用いる。

【００６５】図１４は各磁性膜層の温度特性図であり、
曲線Ａは光磁気記録膜１０の磁界の温度曲線であり、曲
線Ｂは再生用磁性膜２４の臨界温度Ｔcr2以上の飽和磁
化特性であり、曲線Ｃは反強磁性強磁性遷移材料からな
る記録用記録用補助磁性膜（キャッピング層）３０の温
度Ｔat以上の強磁性転移に伴う飽和磁化特性である。光
磁気記録膜１０の保磁力の温度変化は曲線Ｅで示す。記
録用レーザービームの照射による加熱温度で光磁気記録
膜１０の保磁力が低下するのに対して、キャッピング層
の反強磁性強磁性遷移材料からなる記録用記録用補助磁
性膜（キャッピング層）３０は転移温度Ｔat以上で磁気
ヘッドからの記録磁界の向きに磁化し、急激に大きな飽
和磁化に変化して磁界を発生し、温度Ｔ2の位置Ｇ2以上
で光磁気記録膜１０には交換結合によって記録信号が記
録される。この記録温度Ｔ2は従来の記録温度Ｔ1のＧ1
位置より低い温度であり、記録用レーザビームのパワー
を従来より小さくできる効果が得られる。

【００６６】本実施例では光磁気記録膜１０のキュリー
温度Ｔｃ０より高いキュリー温度Ｔcaからなるキャッピ
ング層と、Ｔｃ０より高いキュリー温度Ｔｃ１の再生用
磁性膜２４を用いているので、レーザ光の照射によって
記録磁区を再生用磁性膜２４に転写させる温度はＴｃ０
以下に設定しなければならない。再生用磁性膜２４は臨
界温度Ｔcr2までは面内磁化でありＴcr2以上で垂直磁化
へ転移するので、再生用磁性膜２４に転写された記録磁
区は温度がＴcr2以下になると消滅する。記録磁区の再
生はＴcr2以上の温度まで加熱するレーザ光によって再
生用磁性膜２４から再生することができる。

【００６７】図１３（ａ）及び図１３（ｂ）の反強磁性
強磁性遷移材料からなる記録記録用補助磁性膜（キャッ
ピング層）３０に、常温で副格子磁化の方向が膜面に対
して垂直な反強磁性強磁性遷移材料を用いた光磁気デイ
スクについて、記録情報信号を記録する行程は図１５に
示す。図１５（ａ）は光磁気記録膜１０と反強磁性強磁
性遷移材料からなる記録用補助磁性膜（キャッピング
層）３０と再生用磁性膜２４の組み合わせ順ついての模
式図である。再生用磁性膜２４側から記録レーザ光を照
射させると、図１５（ｂ）に示すように、反強磁性強磁
性遷移材料からなる記録記録用補助磁性膜（キャッピン
グ層）３０の転移温度Ｔat以上に達した斜線部分２２０
は膜面に垂直な強磁性へ転移する。その部分２２０に隣
接する光磁気記録膜１０には交換結合磁化による記録磁
区或いは記録ビット２２が記録される。再生用磁性膜２
４には転写記録磁区が形成され、ついで転写記録磁区の
磁壁部分では交換結合の影響を受けてＴcr2以上の領域
で図１５（ｂ）の２３１で示すように転写記録磁区が拡
大する。常温の状態では光磁気記録膜１０と反強磁性強
磁性遷移材料からなる記録記録用補助磁性膜（キャッピ
ング層）３０との間で交換結合されて図１５（ｃ）の状
態になる。図１５の臨界温度Ｔcr2と反強磁性から強磁
性へ転移する温度ＴatはＴcr2＜Ｔatの関係にある。

【００６８】

【実施例２】記録用記録用補助磁性膜（キャッピング
層）３０に常温で副格子磁化の方向が膜面に対して平行
な反強磁性強磁性遷移材料を用いる。この光磁気デイス
クの記録について図１６に模式図で示す。図１６（ａ）
は光磁気記録膜１０と常温で副格子磁化の方向が膜面に
対して平行な反強磁性強磁性遷移材料からなる記録記録
用補助磁性膜（キャッピング層）３０と非磁性膜２５と
常温で垂直磁化の再生用磁性膜２４等の膜構成ついての
模式図である。再生用磁性膜２４側から記録用レーザ光
を照射されると、図１６（ｂ）に示すように、反強磁性
強磁性遷移材料からなる記録記録用補助磁性膜（キャッ
ピング層）３０の転移温度Ｔat以上に達した部分は膜面
に垂直な強磁性に転移すると同時に磁気ヘッド４０の記
録磁界を受けて磁化２２０を生成し、記録温度Ｔ1以上
では光磁気記録層１０に交換結合によって記録磁区２２
が記録される。光磁気記録層１０の記録磁区２２の発生
時に光磁気記録層１０より保磁力の小さい垂直磁化の再
生用磁性膜２４に転写磁区２２２が生成する。その他は
実施例１と同じである。

【００６９】

【実施例３】本発明の実施例３で用いる光磁気デイスク
の積層膜構成について図１７に模式図で示す。この積層
膜構成は光磁気記録層１０と再生用記録層２４との間に
常温で面内磁化臨界温度Ｔcr1以上で垂直磁化の第１補
助磁性層２５を形成する。記録用補助磁性膜（キャッピ
ング層）３０には反強磁性強磁性遷移磁性材料を用い
る。光磁気記録層１０の外面には紫外線硬化性樹脂の保
護膜を形成する。その他は図１３（ａ）と同じである。

【００７０】図１７に記載する光磁気記録媒体の積層膜
の中で上記第１補助磁性層２５と光磁気記録層１０との
間に窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）の非磁性層２９を挿入し、
光磁気記録層１０と記録用補助磁性膜（キャッピング
層）３０との間にＡｌＴｉ合金の反射膜８を形成した図
１８に記載する積層膜構成の光磁気記録媒体では、図１
７或いは図１３の光磁気記録媒体よりも記録用レーザビ
ームの照射と記録磁界によって記録される記録感度が高
くなり、よい記録特性が得られ、且つ再生用レーザビー
ムによる再生用記録層２４への記録磁区の転写感度がよ
く、転写記録磁区の再生信号特性はＳ／Ｎ比が大きくな
る。

【００７１】図１７及び図１８の記録媒体の各磁性膜の
飽和磁化温度特性と光磁気記録層１０のＥ保持力及びＡ
磁界の温度変化について図１９に記載する。記録用補助
磁性膜（キャッピング層）３０はＣ反強磁性強磁性遷移
磁性層飽和磁化曲線のようであり、再生用記録層２４の
飽和磁化はＢ曲線のようであり、第１補助磁性層２５の
飽和磁化はＤ曲線のようである。光磁気記録層１０の記
録は温度Ｔ2のＧ２以上で行われる。従って従来の記録
温度Ｔ1のＧ1位置に比較すると記録温度が低減されるか
ら記録用レーザビームのパワーを小さくできる効果が得
られる。転移温度の関係はＴat＜Ｔcr2＜Ｔcr1の関係に
ある。その他は実施例１と同じである。

【００７２】

【実施例４】図２０に光磁気記録層１０のキャッピング
層に常温で副格子磁化の方向が膜面に対して垂直な反強
磁性強磁性遷移磁性材料からなる記録用補助磁性膜３０
用い、さらに常温で副格子磁化の方向が膜面に対して平
行な反強磁性強磁性遷移磁性材料を再生用補助磁性膜３
００に用いる光磁気記録媒体について積層膜構成の模式
図を示す。光磁気記録層１０の片面に反強磁性強磁性遷
移磁性材料からなる記録用補助磁性膜（キャッピング
層）３０を接触して積層し、光磁気記録層１０の反対面
に反強磁性強磁性遷移磁性材料からなる再生用補助磁性
膜３００を接触積層する。キャッピング層３０の外側に
は第２誘電体層３１、反射層８、紫外線硬化樹脂の保護
膜７をこの順に積層し、再生用補助磁性膜３００の再生
レーザ光入射側に第１誘電体層３、基板１を配置形成す
る。基板１の記録層側面にプリフオマッテング２を形成
する。

【００７３】図２０（ａ）に記載する本発明の光磁気記
録媒体の積層体構造は、対物レンズ３０１を保持する通
常の光ヘッドを用いた記録再生装置よって記録再生を行
う方式で、リターゼーション等の小さい光学的特性に優
れた透明な基板１１から記録用レーザ光を照射するよう
に構成されている。記録用レーザビームスポットを照射
して加熱温度が発生すると図２０（ｂ）で模式的に示す
が、反強磁性強磁性遷移磁性材料からなる記録用補助磁
性膜（キャッピング層）３０及び反強磁性強磁性遷移磁
性材料からなる再生用補助磁性膜３００の記録用レーザ
ビームスポット加熱部分が転移温度Ｔat1、Ｔat2になる
と強磁性垂直磁化に転移して、記録磁気ヘッド４０から
の記録磁界によって記録磁化２２に磁化される。光磁気
記録層１０には記録用補助磁性膜（キャッピング層）３
０の転移記録磁化の交換結合力が働き、記録磁区２２０
が記録される。一方反強磁性強磁性遷移磁性材料からな
る再生用補助磁性膜３００の強磁性垂直磁化転移部分に
は記録磁化が転写拡大した磁区２３１が生成する。記録
後冷却した磁性層では図２０（ｃ）の模式図のように光
磁気記録層１０の記録磁区以外は元の状態に戻る。

【００７４】図２０の光磁気デイスクの反強磁性強磁性
遷移磁性材料からなる再生用補助磁性膜３００と光磁気
記録層１０との間に窒化珪素の非磁性層を介在させた媒
体について図２１に記載する。記録及び記録磁化の転写
拡大のメカニズムに変わりはなく、記録特性及び記録磁
化の転写拡大特性も図２０の光磁気記録媒体と同じであ
る結果が得られる。

【００７５】

【実施例５】図１７の光磁気記録媒体における第１補助
磁性膜２５の磁性材料の換わりに常温では垂直磁化であ
るが臨界温度Ｔcr3以上で面内磁化に転移する再生用第
３補助磁性材料１２５を用い、光磁気記録層１０に接触
するキャッピング層には常温で副格子磁化の方向が膜面
に対して垂直な反強磁性を示す反強磁性強磁性遷移磁性
材料からなる記録用補助磁性膜３０を用いた光磁気記録
媒体の模式図を図２２に示す。

【００７６】光磁気記録層１０、常温垂直磁化で面内磁
化転移の臨界温度Ｔcr3を持つ再生用第３補助磁性材料
１２５、常温反強磁性で強磁性転移温度Ｔatを持ち常温
で副格子磁化の方向が膜面に対して垂直な反強磁性強磁
性遷移磁性材料からなる記録用補助磁性膜（キャッピン
グ層）３０、及び常温面内磁化で垂直磁化転移臨界温度
Ｔcr2を持つ再生用磁性膜２４等について磁性膜の保磁
力−温度特性曲線について図２３に示す。各磁性膜のキ
ュリー温度はＴc0＜Ｔc2＜Ｔcaのように材料を設定され
る。この際の磁化転移温度はＴat＜Ｔcr2＜Ｔcr3であ
る。予め再生用第３補助磁性材料の臨界温度Ｔcr3以上
の温度になるようにパワーを制御した記録用レーザビー
ムを照射し、磁気ヘッドから外部記録磁界Ｈexを加え、
記録用補助磁性膜３０の強磁性転移温度Ｔat以上に達し
た部分を記録磁化する。さらにキャッピング層記録用補
助磁性膜３０の記録磁化と光磁気記録層１０の磁化を交
換結合させて記録磁区２２を記録させる。

【００７７】次に光磁気記録層１０の記録磁区２２は再
生用第３補助磁性材料の臨界温度Ｔcr3以下の温度の部
分で再生用磁性膜２４に転写されるが、第３補助磁性材
料の臨界温度Ｔcr3以上の温度に達した部分では第３補
助磁性膜１２５によって磁界が遮断され、安定した転写
記録磁化が再生される。その他は実施例１と同じであ
る。

【００７８】

【実施例６】本発明の実施例６で用いる光磁気デイスク
の積層膜構成について図２４に模式図で示す。この積層
膜構成は光磁気記録層１０と再生用記録層２４との間に
常温で面内磁化臨界温度Ｔcr1以上で垂直磁化の第１補
助磁性層２５を形成する。記録用補助磁性膜（キャッピ
ング層）３０には常温で副格子磁化の方向が膜面に対し
て垂直な反強磁性強磁性遷移磁性材料を用いる。光磁気
記録層１０の外面には紫外線硬化性樹脂の保護膜を形成
する。さらに記録用補助磁性膜（キャッピング層）３０
と光磁気記録層１０との間に非磁性層２９０を介在させ
直接接触させないようにし、第１補助磁性層２５と再生
用記録層２４との間に非磁性層２９を介在させて直接接
触させないようにする膜構成である。従って常温では光
磁気記録層１０と記録用補助磁性膜（キャッピング層）
３０とは静磁結合の状態にある。図２４に記載する積層
膜の非磁性層２９及び非磁性層２９０には窒化珪素（Ｓ
ｉ３Ｎ４）、酸化アルミニウム、酸化硅素、ＡｌＴｉ合
金等から選択して用いる。第１補助磁性層２５と光磁気
記録層１０とは直接接触させて積層する。各磁性層の転
移温度の関係はＴat＜Ｔcr2＜Ｔcr1の関係にある。

【００７９】記録用補助磁性膜（キャッピング層）３０
の記録用レーザビームスポット照射と、磁気ヘッドから
記録磁界とが及んだ部分２２０が強磁性に転移し記録磁
界の向きに垂直磁化し、記録用補助磁性膜３０の垂直磁
化とで静磁結合が発生した光磁気記録層１０に記録磁化
２２が生成する。次に第１補助磁性層２５の臨界温度Ｔ
cr1に加熱した部分での垂直磁化転移部分は光磁気記録
層１０の記録磁化２２との交換結合力を受けて磁化し、
さらに臨界温度Ｔcr2の低い再生用記録層２４では記録
磁区の転写と転写垂直磁化による交換結合が働いて転写
垂直磁化２３１が拡大する。上記過程は極微小時間に進
行し、図２４（b）で現される状態を経過する。記録動
作が進行して常温になった部分は光磁気記録層１０の記
録磁化２２以外は元の状態に戻る。その他は実施例１及
び図１３（ａ）と同じである。

【００８０】

【実施例７】図２４（ａ）に示す積層膜構造の光磁気記
録媒体の基板１、１２、及び樹脂材料保護膜７、７１の
外表面に酸化硅素（ＳｉＯ２）の保護膜を形成した２枚
の光磁気記録媒体について、樹脂材料保護膜７、７１の
外表面の酸化硅素（ＳｉＯ２）保護膜同志をエポッキシ
樹脂系接着剤１００で張り合わせて、図２５に示す構成
の両面記録型光磁気デイスクを作製した。光磁気記録媒
体単板は図２４（ａ）と同じである。この光磁気デイス
ク単板は厚みが０．６０ｍｍであるが、張り合わせた両
面記録型光磁気デイスクは１．３０ｍｍの厚さであっ
た。光ヘッドと磁気ヘッドコイル４２４を一体にした光
磁気ヘッド４２４によって光磁気デイスクの両面に別々
に情報を記録することができる。記録した情報について
再生用レーザビームを照射して再生を行った。得られた
再生信号は図２４（ａ）単板で得られた高いＳ／Ｎ比と
ほぼ同じｄＢの再生信号を得ることができた。その他は
実施例６と同じである。

【００８１】上記実施例１から実施例７までの実施にお
いて用いた材料、製造方法、稼働手段、測定方法、環境
条件、及びその他については以下に記載するように行っ
た。

【００８２】本発明の光磁気記録媒体に用いられる、透
明基板１としては、例えばポリカーボネートやアモルフ
ァスポレオレフィンなどの透明樹脂材料を所望の形状に
成形したものや、所望の形状に形成されたガラス板の片
面に所望のプリフォーマットパターン２が転写された透
明樹脂膜を密着したものなど光透過性のある任意の基板
を用いることができる。誘電体膜３は、膜内で再生用光
ビームを多重干渉させ、見かけ上のカー回転角を増加す
るために設けられるものであって、透明基板１よりも屈
折率が大きい、例えばＳｉ３Ｎ４からなる無機誘電体に
て形成することができる。保護膜は、基板と保護膜との
間に積層される膜体を腐食等の化学的な悪影響から保護
するためのものであって、例えば、Ｓｉ３Ｎ４膜よりな
る。光磁気記録膜１０は室温以上の温度で垂直磁気異方
性を示す垂直磁化膜であり、例えば、ＦｅＣｏ、ＤｙＦ
ｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏなどの希土類と遷移金属の非晶質
合金が最も好ましいが、Ｐｔ膜とＣｏ膜の交互積層体や
ガーネット系酸化物磁性体などの他の知られた光磁気記
録材料を用いることもできる。

【００８３】補助磁性膜２８及び再生用磁性膜２４は、
室温（Ｒ．Ｔ．）から室温以上のある臨界温度（Ｔcr
2）までは面内磁化膜であり、Ｔcr2以上では垂直磁化膜
に転移する磁気特性を有する。なお、本明細書において
室温とは光磁気記録媒体が通常使用される雰囲気温度を
示し、使用場所に応じて異なり、特に特定の温度に限定
されるものではない。

【００８４】膜面に垂直な方向に外部磁界を印加した場
合のカー効果のヒステリシスループから求めたθKR／θ
KS（θKR：残留カー回転角、θKS：飽和カー回転角）の
温度依存性を調べてみると、補助磁性膜の材料として
は、例えばＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＦｅ、ＧｄＦｅＣｏ、Ｇ
ｄＤｙＦｅＣｏなどの希土類と遷移金属の非晶質合金が
最も好ましい。

【００８５】誘電体膜３、再生用磁性膜２４、補助磁性
膜２８、光磁気記録膜１０及び保護膜７は、例えば、マ
グネトロンスパッタ装置による連続スパッタリング等の
ドライプロセスにより形成することができる。

【００８６】光磁気記録媒体、即ち光磁気ディスクの補
助磁性膜２８を示す。サンプルは、プリフォーマットパ
ターンを有するガラス基板上に、ＳｉＮ膜よりなる誘電
体膜と、Ｇｄ25Ｆｅ56Ｃｏ19膜(II)よりなる再生用磁性
膜と、Ｇｄ28Ｆｅ53Ｃｏ19(Ｉ）膜よりなる補助磁性膜
と 、21Ｆｅ66Ｃｏ13膜よりなる光磁気記録膜と、Ｓｉ
Ｎ膜よりなる保護膜とを順次スパッタリング法により被
着形成して作製した。この場合の各補助磁性膜及び光磁
気記録膜の厚さ並びに磁気特性を表１に示す。表中のＴ
c はキュリー温度を表し、Ｔcrは、再生用磁性膜の面内
磁化膜が垂直磁化膜に変化する、或いは垂直磁化膜が面
内磁化膜に変化する臨界温度を表わす。

【００８７】

【表１】 材料 膜厚 ＴC ＴCR （ｎｍ） （℃） （℃） 光磁気記録膜 ＦｅＣｏ ５０ ２７０ − 補助磁性膜 ＧｄＦｅＣｏ(I) ７０ ＞４００ １５０ 再生用磁性膜 ＧｄＦｅＣｏ(II) ６０ ＞４００ ９０ 上記のように作製したディスクのデータ記録領域に、レ
ーザービームを一定周期のパルス状に照射しながら外部
磁界を記録信号に応じて変調させて記録を行う光磁界変
調方式を用いて、テスト信号を記録した。記録光パルス
のデューティー比は５０％であった。種々の記録マーク
長の記録マークが形成されるようにテスト信号を与え
た。次いで、対物レンズの開口数ＮＡ＝０．５５、レー
ザー波長３４０、６４０、７８０ｎｍ等のピックアップ
を用い、線速度７．５ｍ／ｓｅｃ、再生パワー２．５ｍ
Ｗ、再生時外部印加磁界をゼロとして種々の長さの記録
マークを再生した。再生ＣＮ比（Ｃ：キャリアレベル、
Ｎ：ノイズレベル）を測定した。

【００８８】本実施例に係るサンプルディスク（データ
は実線）では、記録マーク長０．２μｍにおいても、著
しく高い再生Ｃ／Ｎが得られることがわかった。従っ
て、本発明を用いれば、従来の再生限界を超えた極めて
微小な記録マークの再生が可能となり、記録密度を向上
させることができる。

【００８９】記録及び再生用の光源として、波長６８０
ｎｍ、レンズ開口数０．５５の光ヘッドを用いた。光磁
気ディスクへの記録は光パルス強度変調法を用いた。記
録は、線速度が５ｍ／ｓ、記録周期３２０ｎｓ、記録レ
−ザ−パワ−７．５ｍＷ、パルス幅５３．３ｎｓ、記録
磁界５００Ｏｅの条件で行った。０．８μｍの記録磁区
は１と０等のデ−タに対応して０．８μｍ間隔で記録さ
れた。

【００９０】この記録磁区を、次の再生条件で再生し
た。線速度を５．０ｍ／ｓとし、再生レーザーパワーは
磁区拡大のための低パワーＰr1として１．５ｍＷ、磁区
縮小（または消滅）のための高パワーＰr2として３．５
ｍＷの二つのパワ−レベルに変調した。再生パワーの変
調周期は１６０ｎｓであり、低パワーＰr1で１５０ｎｓ
照射し、高パワーＰr2で１０ｎｓ照射した。再生磁界は
一定の直流磁界を用い、記録方向へ約８０Ｏｅ印加し
た。この磁界は、対物レンズ・アクチュエータ−からの
漏洩磁界によっても代用が可能である。

【００９１】再生波形から、記録磁区が存在している部
分だけで信号が上昇して、記録磁区が存在しないところ
では信号は上昇していないことがわかった。このこと
は、再生光が記録トッラクの記録磁区が存在している部
分を走査しているときだけ、再生層において記録磁区が
転写、拡大していることを意味する。さらに、再生信号
は、磁気超解像モ−ド、すなわち、磁区転写された磁区
が拡大されずに再生された場合の再生信号の約１．５倍
の大きさに増幅されていた。この再生信号の増幅効果は
さらに微細な記録磁区において顕著に効果を現し、０．
４μｍ以下の微小磁区を記録した場合においても飽和振
幅（再生層の全ての磁化が下向きの場合の再生信号と再
生層の全ての磁化が上向きの場合の再生信号との差）に
対して８０％（対飽和振幅比）の再生信号出力を得るこ
とができた。

【００９２】上記実施例の再生条件は、次のように説明
することができる。すなわち、パワー変調した再生光の
低パワーＰr1で磁区転写及び磁区拡大が起こる温度領
域、即ち、Ｔcr2＝１７５℃〜Tc0mp＝２４０℃にまで再
生層が加熱され、高パワーＰr2で磁区消滅が起こる温度
領域（エリアｃ）即ち、Ｔcomp（２４０℃）を超える温
度からTc0＝２７０℃までに加熱されている。また、記
録方向へ印加した直流磁界約８０Ｏｅは、磁気温度曲線
Ａ及びＢを図に記載のような関係に位置させている。す
なわち、この実施例で用いた光磁気ディスクの磁気温度
特性と印加した直流磁界との関係は、以下の要件(3) 及
び(4) を満足している。以下に、この実施例で説明した
再生方法に必要な要件を列挙する。なお、この実施例で
用いた光磁気記録媒体の再生層と記録層自体の磁気特性
は、前述のように以下の(1) 及び(2)の要件を満足して
いる。

【００９３】（１）少なくとも室温で膜面方向に磁化さ
れる再生層が、垂直方向へ磁化する臨界温度Ｔcr2とキ
ュリ−温度Tc0の間に補償温度Tc0mpを有すること。

【００９４】（２）記録層のキュリ−温度Ｔcが再生層
の補償温度Tc0mpと再生層のキュリ−温度Tc0との間の温
度にあること。

【００９５】この実施例では前記特定の材料を用いて光
磁気ディスクを構成し、ＤＣ磁界＝８０Ｏｅを記録方向
に印加することにより上記要件（１）〜（２）を満足さ
せたが、この要件（１）〜（２）を満足させることがで
きる材料及び積層構造を有する光磁気記録媒体並びに再
生時に印加する外部磁界の大きさであれば、任意のもの
を用いることができる。再生時に印加するＤＣ磁界は記
録方向のみならず、消去方向であってもよい。

【００９６】本発明の再生方法においては、ＤＣ磁界の
下で、再生光パワー強度を変調することによって、
（ａ) 磁区転写、（ｂ）磁区拡大及び（ｃ）転写磁区の
消滅のプロセスを実行している。これらのプロセスが行
われる時間は、記録層、補助磁化層、再生層の磁気特性
のみならず、記録層、補助磁化層、再生層、非磁性層、
誘電体層、保護層、及びその他の積層可能な磁性層また
は非磁性層、基板等の温度上昇速度や各層間の伝熱速度
にも依存する。これらの速度は、それらの層を構成する
材料の熱伝導性、厚み、積層構造等を適宜変更すること
によって調節することができ、それによって所望の再生
アクセス速度に対応させることができる。

【００９７】再生層に隣接する誘電体層及び非磁性層は
適度な断熱性を持つことが好ましいが、その断熱性の程
度は、記録再生のアクセス速度、或いは記録媒体におけ
る記録再生の線速度の大きさ、再生層及び記録層の熱伝
導性とを組み合わせた熱特性との関係で適宜調整するこ
とができる。

【００９８】上記実施例では光磁気記録媒体の再生層が
誘電体層と非磁性層によって挟まれている構造を示した
が、上記再生層磁性層に接して面内方向の磁気異方性を
有する磁性体を積層してもよい。この磁性体は、そのキ
ュリー温度まで面内方向の磁気異方性が優勢で、そのキ
ュリー温度は再生層のキュリー温度とほぼ等しいことが
望ましい。かかる磁性体を再生層に接して積層すること
により、再生時の転写磁区におけるブロッホラインの発
生を抑制し、その抑制作用により再生時のノイズを低減
することができる。かかる磁性体の材料としては、ＰTc
0合金、例えば、Ｃｏを２５原子％含むＰTc0合金やＧｄ
ＦｅＣｏ合金等を用いることができる。なお、かかる磁
性体は再生層の上側あるいは下側のいずれの側に接して
積層してもよい。

【００９９】パルス光を照射しながら記録信号に応じて
印加磁界の極性を変調する光磁界変調方式や、ＤＣ磁界
を印加しながら記録信号に応じて光強度を変調する光変
調方式を用いてそれぞれ記録を行ったが、通常のＤＣ光
を用いた磁界変調記録方式、光変調記録方式並びに光磁
界変調方式のいずれの方式を用いてもかまわない。

【０１００】また、上記各実施例に用いた光磁気記録媒
体は、各実施例に記載した積層膜構成の光磁気記録媒体
に限定されるものではなく、各図に記載した各光磁気記
録媒体の何れを各実施例に用いてもかまわない。

【０１０１】

【発明の効果】本発明では、光磁気記録膜に記録用補助
磁性膜（キャッピング膜）を形成する構成の光磁気記録
媒体ついて、記録用補助磁性膜の材料に常温では反強磁
性で転移温度以上で強磁性に転移する反強磁性強磁性遷
移磁性材料を用いることによって、或いは常温では面内
磁化で臨界温度以上で垂直磁性に転移する磁性材料を用
いることによって記録用レーザビームの照射によって記
録用補助磁性膜を垂直磁化に転移させる過程で記録磁化
向きに磁化し、この記録磁化の交換結合力によって光磁
気記録膜に記録磁化を記録することによって、従来の記
録用レーザビームパワーよりも低いパワーで記録する効
果が得られる。光磁気記録膜の記録磁化を再生用磁性膜
に転写し、さらに転写磁化を拡大させて再生する方式を
上記記録方式とに組み合わせて用いることのできる光磁
気記録媒体が得られる。これによって低パワーのレーザ
ビームによって再生が可能な高密度記録のための超微細
な記録磁区を記録することができる。また転写して拡大
する記録磁化のノイズになるような外部磁場、洩れ磁界
等の磁気ノイズの影響を抑制して、Ｓ／Ｎ比の高い、或
いはＣ／Ｎ比が大幅に向上した記録特性と再生信号を得
ることを可能にした。

【０１０２】さらに、再生光スポット径に比べて極めて
微小なために従来再生できなかった記録マークについて
も独立して再生することができるため、光磁気記録媒体
の記録密度を著しく向上させることができる。また、再
生時に印加する磁界はＤＣ磁界でよく交番磁界を用いる
必要がないため、安価で簡単な構造の再生装置を用いて
再生操作を行うことができる。

【０１０３】この光磁気記録媒体を用いることにより、
再生光スポットより小さな微小磁区を記録信号として記
録した後、かかる微小磁区を他の磁区と区別して且つ増
幅された再生信号で検出することができる。それゆえ、
本発明の光磁気記録媒体は、高密度光磁気記録媒体とし
て極めて有用である。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、本発明の光磁気記録媒体に用いる記録
再生装置の回路図である。

【図２】図２は、本発明の光磁気記録媒体に適用する光
ヘッドと磁気ヘッドの構成についての概念図である。

【図３】図３は、本発明の光磁気記録媒体に適用する光
磁気ヘッドの構成についての概念図である。

【図４】図４は、本発明の光磁気記録媒体に適用する光
ヘッドと磁気ヘッドの構成についての概念図である。

【図５】図５は、本発明の光磁気記録媒体に適用する光
磁気ヘッドの構成についての概念図である。

【図６】図６は、本発明の光磁気記録媒体に適用する磁
性膜層の磁性の温度特性を示すグラフである。

【図７】図７は、本発明の光磁気記録媒体の積層膜構成
を示す概念図である。

【図８】図８は、本発明の光磁気記録媒体の積層膜構成
を示す概念図である。

【図９】図９は、本発明の光磁気記録媒体の積層膜構成
を示す概念図である。

【図１０】図１０は、本発明の光磁気記録媒体の積層膜
構成に再生用レーザ光スポットを照射した際の各磁性膜
の温度分布の推定を表した図である。

【図１１】図１１は、本発明の光磁気記録媒体の記録ピ
ットに照射したレーザ光スポットによって発生する熱挙
動と各磁性層の磁化状態との関係を示す概念図である。

【図１２】図１２は、本発明の光磁気記録媒体の記録ピ
ットに照射したレーザ光スポットによって発生する熱挙
動と各磁性層の磁化状態との関係を示す概念図である。

【図１３】図１３は、（ａ）（ｂ）共に本発明の光磁気
記録媒体の積層構造を概念的に示す断面図である。

【図１４】図１４は、本発明の光磁気記録媒体の光磁気
記録層と記録用補助磁性膜と再生用磁性層の磁気温度特
性を示す図である。

【図１５】図１５は、本発明の光磁気記録媒体の積層構
造を概念的に示す断面図（ａ）、光磁気記録媒体の各磁
性膜層の磁化状態を示す概念図（ｂ）（ｃ）である。

【図１６】図１６は、本発明の光磁気記録媒体の積層構
造を概念的に示す断面図（ａ）、光磁気記録媒体の各磁
性膜層の磁化状態を示す概念図（ｂ）（ｃ）である。

【図１７】図１７は、本発明の光磁気記録媒体の積層膜
構成を概念的に示す断面図である。

【図１８】図１８は、本発明の光磁気記録媒体の積層膜
構成を概念的に示す断面図である。

【図１９】図１９は、本発明の光磁気記録媒体の光磁気
記録層と再生用補助磁化膜と再生用磁性層と記録用補助
磁化膜の磁気温度特性を示す図である。

【図２０】図２０は、本発明の光磁気記録媒体の積層構
造を概念的に示す断面図（ａ）、光磁気記録媒体の各磁
性膜層の磁化状態を示す概念図（ｂ）（ｃ）である。

【図２１】図２１は、本発明の光磁気記録媒体の積層構
造を概念的に示す断面図（ａ）、光磁気記録媒体の各磁
性膜層の磁化状態を示す概念図（ｂ）（ｃ）である。

【図２２】図２２は、本発明の光磁気記録媒体の積層構
造を概念的に示す断面図である。

【図２３】図２３は、本発明の光磁気記録媒体の光磁気
記録層と再生用補助磁化膜と再生用磁性層と記録用補助
磁化膜の磁気温度特性を示す図である。

【図２４】図２４は、本発明の光磁気記録媒体の積層構
造を概念的に示す断面図（ａ）、光磁気記録媒体の各磁
性膜層の磁化状態を示す概念図（ｂ）（ｃ）である。

【図２５】図２５は、本発明の両面記録型光磁気記録媒
体の積層構造を概念的に示す断面図である。

【図２６】図２６は、本発明の光磁気記録媒体の光磁気
記録層の保磁力と反強磁性強磁性遷移磁性材料の磁気温
度特性を示す図である。

【符号の説明】

１、１１、１２ 基板 ３、３１ 誘電体膜 ２４、１２４、２４０ 再生用磁性膜 ４、１０、５１０ 光磁気記録膜 ２５、１２５、３００ 再生用補助磁化膜 ３０、１３０、３０１、３３０ 記録用補助磁化膜 ２９ 非磁性層

Claims (17)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 少なくとも光磁気記録層を有する光磁気
   記録媒体において、反強磁性強磁性遷移磁性材料からな
   る記録用補助磁性膜を積層構成し、前記光磁気記録媒体
   に記録用レーザ光を照射することによって前記記録用補
   助磁性膜を転移温度以上に加熱されて反強磁性強磁性遷
   移磁性材料を反強磁性から強磁性へ転移し、記録磁界下
   で記録磁化し、ついで前記光磁気記録層に記録磁化を生
   成させることによって記録されることを特徴とする光磁
   気記録媒体。
2. 【請求項２】 少なくとも光磁気記録層を有する光磁気
   記録媒体において、常温以上の温度で垂直磁化に転移す
   る磁性材料からなる記録用補助磁性膜を積層構成し、前
   記光磁気記録媒体に記録用レーザ光を照射することによ
   って前記記録用補助磁性膜を転移温度以上に加熱して垂
   直磁化に転移し、記録磁界下で記録磁化し、ついで前記
   光磁気記録層に記録磁化を生成させることによって記録
   されることを特徴とする光磁気記録媒体。
3. 【請求項３】 少なくとも光磁気記録膜を有する光磁気
   記録媒体において、該光磁気記録膜の両面の少なくとも
   片方の面側に反強磁性強磁性遷移磁性材料からなる記録
   用補助磁性膜を積層構成し、前記光磁気記録媒体に記録
   用レーザ光を照射することによって前記記録用補助磁性
   膜が転移温度以上に加熱されて反強磁性強磁性遷移磁性
   材料を反強磁性から強磁性へ転移し、記録磁界下で記録
   磁化し、ついで前記光磁気記録層に記録磁化を生成させ
   ることによって記録されることを特徴とする光磁気記録
   媒体。
4. 【請求項４】 少なくとも光磁気記録層を有する光磁気
   記録媒体において、該光磁気記録膜の両面の少なくとも
   片方の面側に常温以上の温度で垂直磁化に転移する磁性
   材料からなる記録用補助磁性膜を設け、前記光磁気記録
   媒体に記録用レーザ光を照射することによって前記記録
   用補助磁性膜を転移温度以上に加熱して垂直磁化に転移
   し、記録磁界下で記録磁化し、ついで前記光磁気記録層
   に記録磁化を生成させることによって記録されることを
   特徴とする光磁気記録媒体。
5. 【請求項５】 少なくとも光磁気記録層を有する光磁気
   記録媒体において、レーザ光の照射によって垂直磁化へ
   転移する磁性材料からなる、再生用磁性膜と記録用補助
   磁性膜とを備えることを特徴とする光磁気記録媒体。
6. 【請求項６】 少なくとも光磁気記録層を有する光磁気
   記録媒体において、前記光磁気記録層の記録用レーザ光
   入射側に常温で面内磁化を示すが臨界温度Ｔcr1以上で
   垂直磁化へ転移する材料からなる再生用磁性膜と転移温
   度以上で垂直磁化し、記録磁界下で記録磁化し、ついで
   前記光磁気記録層に記録磁化を生成させるる記録用補助
   磁性膜とを備えることを特徴とする光磁気記録媒体。
7. 【請求項７】 基板上に少なくとも記録用磁化膜と再生
   用磁化膜を備え、記録用レーザ光を照射することによっ
   て記録される光磁気記録媒体おいて、前記記録用磁化膜
   の近傍に、記録用レーザ光の照射によって加熱されて垂
   直磁化に転移する記録用補助磁化膜が形成されることを
   特徴とする光磁気記録媒体。
8. 【請求項８】 基板上に少なくとも記録用磁化膜と再生
   用磁化膜を備え、記録用レーザ光を記録用磁化膜に照射
   することによって記録する光磁気記録媒体おいて、前記
   記録用磁化膜の近傍に副格子磁化の方向が常温で膜面に
   対して垂直である反強磁性強磁性遷移磁性材料からなる
   記録用補助磁化膜を形成することを特徴とする光磁気記
   録媒体。
9. 【請求項９】 基板上に少なくとも記録用磁化膜と再生
   用磁化膜を備え、記録用レーザ光を記録用磁性膜に照射
   することによって記録する光磁気記録媒体おいて、前記
   記録用磁化膜の近傍に副格子磁化の方向が常温で膜面に
   対して平行である反強磁性強磁性遷移磁性材料からなる
   記録用補助磁化膜を形成することを特徴とする光磁気記
   録媒体。
10. 【請求項１０】 請求項５、６、７、８、及び９におい
    て、前記記録用磁化膜と前記記録用補助磁化膜とは直接
    接触することを特徴とする光磁気記録媒体。
11. 【請求項１１】 請求項５、６、７、８、及び９におい
    て、前記記録用磁化膜と前記記録用補助磁化膜との間に
    非磁性層が介在することを特徴とする光磁気記録媒体。
12. 【請求項１２】 請求項５、６、７、８、及び９におい
    て、前記光磁気記録媒体は、レーザ光の照射によって転
    移温度以上に加熱されると垂直磁化に転移する補助磁性
    膜が前記再生用磁化膜に接触して形成されることを特徴
    とする光磁気記録媒体。
13. 【請求項１３】 請求項５、６、７、８、及び９におい
    て、前記光磁気記録媒体には、レーザ光の照射によって
    転移温度以上に加熱されると垂直磁化に転移する補助磁
    性膜が形成されており、該補助磁性膜は前記再生用磁化
    膜との間に非磁性層が介在されることを特徴とする光磁
    気記録媒体。
14. 【請求項１４】 請求項５、６、７、８、及び９におい
    て、前記光磁気記録媒体は前記記録用磁化膜と前記再生
    用磁化膜との間に、レーザ光の照射によって転移温度以
    上に加熱されると垂直磁化に転移する補助磁性膜が形成
    されておることを特徴とする光磁気記録媒体。
15. 【請求項１５】 請求項１１において、前記非磁性層に
    は光磁気記録媒体において光反射膜、断熱性膜、誘電体
    膜、透明保護膜、基板材料等の用いられる材料から選択
    される材料を用いることを特徴とする光磁気記録媒体。
16. 【請求項１６】 基板上に少なくとも記録用磁性膜と再
    生用磁性膜を備え、記録用レーザ光を該記録用磁性膜に
    照射することによって記録する光磁気記録媒体おいて、
    記録用補助磁性膜、記録用磁性膜、非磁性材料膜、室温
    では面内磁化で臨界温度以上で垂直磁化に転移する第１
    の補助磁性膜、非磁性材料膜、反強磁性強磁性遷移磁性
    材料からなる補助磁性膜、室温では面内磁化で臨界温度
    以上で垂直磁化に転移する再生用磁性膜として機能する
    第２の補助磁性膜等の膜層を備えると共に、この順に積
    層構成されることを特徴とする光磁気記録媒体。
17. 【請求項１７】 基板上に少なくとも記録用磁性膜と再
    生用磁性膜を備え、記録用レーザ光を記録用磁性膜に照
    射することによって記録する光磁気記録媒体おいて、前
    記記録用磁性膜、非磁性材料膜、室温では面内磁化で臨
    界温度以上で垂直磁化に転移する第１の補助磁性膜、非
    磁性材料膜、副格子磁化の方向が常温で膜面に対して平
    行であり，再生光の照射によって膜面に垂直な磁化へ転
    移する反強磁性強磁性遷移磁性材料からなる補助磁性
    膜、室温では面内磁化で臨界温度以上で垂直磁化に転移
    する再生用磁性膜として機能する第２の補助磁性膜等の
    膜層を備えると共に、この順に積層構成されることを特
    徴とする光磁気記録媒体。