JPH11130451A - 半導体熱処理装置用石英ガラス治具 - Google Patents
半導体熱処理装置用石英ガラス治具Info
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- JPH11130451A JPH11130451A JP31457797A JP31457797A JPH11130451A JP H11130451 A JPH11130451 A JP H11130451A JP 31457797 A JP31457797 A JP 31457797A JP 31457797 A JP31457797 A JP 31457797A JP H11130451 A JPH11130451 A JP H11130451A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C15/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by etching
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2204/00—Glasses, glazes or enamels with special properties
- C03C2204/08—Glass having a rough surface
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- Organic Chemistry (AREA)
- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】マイクロクラックがなく表面に微細な凹凸を有
する半導体熱処理装置用石英ガラス治具を提供するこ
と。 【解決手段】石英ガラスからなる治具であって、その表
面が平均表面粗さＲa０．１〜２μｍ、最大粗さＲmax１
〜１０μｍにフロスト加工され、かつマイクロクラック
がなく、５％弗酸溶液で洗浄したときの平均表面粗さの
変化量が０．１μｍ／時間以下、最大粗さＲmaxの変化
量が１μｍ／時間以下、表面積増加率が１００％以下で
あることを特徴とする半導体熱処理装置用石英ガラス治
具．
する半導体熱処理装置用石英ガラス治具を提供するこ
と。 【解決手段】石英ガラスからなる治具であって、その表
面が平均表面粗さＲa０．１〜２μｍ、最大粗さＲmax１
〜１０μｍにフロスト加工され、かつマイクロクラック
がなく、５％弗酸溶液で洗浄したときの平均表面粗さの
変化量が０．１μｍ／時間以下、最大粗さＲmaxの変化
量が１μｍ／時間以下、表面積増加率が１００％以下で
あることを特徴とする半導体熱処理装置用石英ガラス治
具．
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体熱処理装置用石
英ガラス治具、さらに詳しくはＣＶＤ装置や熱拡散装置
等の半導体熱処理装置に用いる石英ガラス製反応管や石
英ガラス製ウェーハボート、石英ガラスダミーウェーハ
等の石英ガラス治具に関する。
英ガラス治具、さらに詳しくはＣＶＤ装置や熱拡散装置
等の半導体熱処理装置に用いる石英ガラス製反応管や石
英ガラス製ウェーハボート、石英ガラスダミーウェーハ
等の石英ガラス治具に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、シリコンウェーハのような半導体
素子を熱処理する工程で、熱処理用石英ガラス治具が使
用されてきた。前記石英ガラス治具を用いてＳｉウェー
ハ上にＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐ
ｏｓｉｔｉｏｎ）法等でポリシリコン膜を形成したり、
或はドープ材を熱拡散すると、治具表面にもポリシリコ
ンやドープ材が堆積し、それが半導体素子の熱処理時に
剥離し半導体素子を汚染することが起った。前記ポリシ
リコンやドープ材は治具表面が平滑であるとその剥離が
容易でないところから、表面を粗面化した治具が例えば
特開平１ー１７００１９号公報等で提案されている。治
具表面の粗面化には、結晶質二酸化珪素粉等の無機粒子
を吹き付け機械的に削り取る、いわゆるサンドブラスト
法を用いるのが一般的であるが、サンドブラスト法で形
成した表面の凹凸の下にマイクロクラック層が発生し、
それがその後のクリーン化等のエッチング処理で選択的
にエッチングされ治具の表面積を大きくする上に、機械
的強度を低下する問題があった。前記表面積が大きくな
った石英ガラス治具を用いてガス反応を行わせると反応
に大きな影響が与えられ、例えばガラス製反応管の場
合、ガスやその反応生成物が表面の凹凸部に付着し、反
応管内のガス流を乱し、供給ガス量を一定にしても反応
を一定にすることができない等の問題があった。
素子を熱処理する工程で、熱処理用石英ガラス治具が使
用されてきた。前記石英ガラス治具を用いてＳｉウェー
ハ上にＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐ
ｏｓｉｔｉｏｎ）法等でポリシリコン膜を形成したり、
或はドープ材を熱拡散すると、治具表面にもポリシリコ
ンやドープ材が堆積し、それが半導体素子の熱処理時に
剥離し半導体素子を汚染することが起った。前記ポリシ
リコンやドープ材は治具表面が平滑であるとその剥離が
容易でないところから、表面を粗面化した治具が例えば
特開平１ー１７００１９号公報等で提案されている。治
具表面の粗面化には、結晶質二酸化珪素粉等の無機粒子
を吹き付け機械的に削り取る、いわゆるサンドブラスト
法を用いるのが一般的であるが、サンドブラスト法で形
成した表面の凹凸の下にマイクロクラック層が発生し、
それがその後のクリーン化等のエッチング処理で選択的
にエッチングされ治具の表面積を大きくする上に、機械
的強度を低下する問題があった。前記表面積が大きくな
った石英ガラス治具を用いてガス反応を行わせると反応
に大きな影響が与えられ、例えばガラス製反応管の場
合、ガスやその反応生成物が表面の凹凸部に付着し、反
応管内のガス流を乱し、供給ガス量を一定にしても反応
を一定にすることができない等の問題があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】こうした現状に鑑み本
発明者等は鋭意研究を重ねた結果、治具表面を平均表面
粗さＲa０．１〜２μｍ、最大粗さＲmax１〜１０μｍの
凹凸にマイクロクラックの発生のないフロスト加工をす
ると、５％弗酸溶液で洗浄しても平均表面粗さの変化量
が０．１μｍ／時間以下、最大粗さＲmaxの変化量が１
μｍ／時間以下、表面積増加率が１００％以下となり、
上記問題点が解決することを見出し、本発明を完成した
ものである。すなわち
発明者等は鋭意研究を重ねた結果、治具表面を平均表面
粗さＲa０．１〜２μｍ、最大粗さＲmax１〜１０μｍの
凹凸にマイクロクラックの発生のないフロスト加工をす
ると、５％弗酸溶液で洗浄しても平均表面粗さの変化量
が０．１μｍ／時間以下、最大粗さＲmaxの変化量が１
μｍ／時間以下、表面積増加率が１００％以下となり、
上記問題点が解決することを見出し、本発明を完成した
ものである。すなわち
【０００４】本発明は、マイクロクラックの発生のない
微細な凹凸を表面に有する石英ガラス治具を提供するこ
とを目的とする。
微細な凹凸を表面に有する石英ガラス治具を提供するこ
とを目的とする。
【０００５】また、本発明は、ガス反応を安定に行うこ
とのできる石英ガラス治具を提供することを目的とす
る。
とのできる石英ガラス治具を提供することを目的とす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明は、石英ガラスからなる治具であって、その表面が平
均表面粗さＲa０．１〜２μｍ、最大粗さＲmax１〜１０
μｍにフロスト加工され、かつマイクロクラックがな
く、５％弗酸溶液で洗浄したときの平均表面粗さの変化
量が０．１μｍ／時間以下、最大粗さＲmaxの変化量が
１μｍ／時間以下、表面積増加率が１００％以下である
ことを特徴とする半導体熱処理装置用石英ガラス治具に
係る。
明は、石英ガラスからなる治具であって、その表面が平
均表面粗さＲa０．１〜２μｍ、最大粗さＲmax１〜１０
μｍにフロスト加工され、かつマイクロクラックがな
く、５％弗酸溶液で洗浄したときの平均表面粗さの変化
量が０．１μｍ／時間以下、最大粗さＲmaxの変化量が
１μｍ／時間以下、表面積増加率が１００％以下である
ことを特徴とする半導体熱処理装置用石英ガラス治具に
係る。
【０００７】上記本発明の石英ガラス治具は、例えばＳ
ｉウェーハの表面に酸化膜や多結晶珪素膜をガス反応で
形成するＣＶＤ装置や熱拡散装置等に使用する治具であ
って、その表面がフロスト加工で凹凸が形成され、平均
表面粗さＲaが０．１〜２μｍ、最大表面粗さＲmaxが１
〜１０μｍでマイクロクラックの発生がなく、５％弗酸
溶液で洗浄したときの平均表面粗さ変化量が０．１μｍ
／時間以下、最大粗さＲmax変化量が１μｍ／時間以下
で、５％弗酸溶液で１０時間洗浄しても表面積増加率が
１００％以下の石英ガラス治具である。前記範囲の凹凸
を有することによりＳｉＨ4ガス等を用いたＣＶＤ工程
においてガス反応がガラス表面状態によって乱されるこ
とがなく、供給原料ガスに応じ反応を一定にすることが
できる。前記フロスト加工とは化学試薬を用いて石英ガ
ラス表面に凹凸を形成する加工をいう。石英ガラス治具
の平均表面粗さＲaが０．１μｍ未満では、表面が平滑
な状態になってしまいガスを使用した工程で用いた場
合、ガスまたは／およびその反応生成物の治具表面に付
着しにくく、最初に石英ガラス表面にガスまたは／およ
びその反応生成物を付着する必要があり、工程が煩雑で
コスト高となる。一方、平均表面粗さＲaが２μｍを超
えると、ガス若しくはその反応生成物が異常に付着し、
例えば反応炉内のガス反応に乱れが生じＳｉウェーハ上
の反応生成物の蒸着量のコントロールが困難となる。ま
た、最大粗さＲmaxについても前述と同様に１μｍ未満
では、ガスまたは／およびその反応生成物の予めの付着
が必要となり、最大粗さＲmaxが１０μｍを超えるとＳ
ｉウェーハ上の反応生成物の蒸着量のコントロールが困
難となる。さらに、本発明の石英ガラス治具は、顕微鏡
による目視でマイクロクラックの存在が確認できない。
そのため５％弗酸溶液で洗浄したときの平均表面粗さ変
化量が０．１μｍ／時間以下、最大粗さＲmax変化量が
１μｍ／時間以下で、５％弗酸溶液で１０時間洗浄して
も表面積増加率が１００％以下となる。このように本発
明の石英ガラス治具はマイクロクラックがないところか
らエッチング処理による表面積の増大がなく、ガス反応
を一定にコントロールすることができる。前記表面積増
加率が１００％とは、表面積が２倍になることを意味す
る。特に、表面積が大きな面の石英ガラス治具ではガス
反応に対する影響が大きく、また、Ｓｉウェーハ近傍で
使用したとき表面積の変化がＳｉウェーハ表面への反応
生成物の蒸着量を敏感に左右することになる。
ｉウェーハの表面に酸化膜や多結晶珪素膜をガス反応で
形成するＣＶＤ装置や熱拡散装置等に使用する治具であ
って、その表面がフロスト加工で凹凸が形成され、平均
表面粗さＲaが０．１〜２μｍ、最大表面粗さＲmaxが１
〜１０μｍでマイクロクラックの発生がなく、５％弗酸
溶液で洗浄したときの平均表面粗さ変化量が０．１μｍ
／時間以下、最大粗さＲmax変化量が１μｍ／時間以下
で、５％弗酸溶液で１０時間洗浄しても表面積増加率が
１００％以下の石英ガラス治具である。前記範囲の凹凸
を有することによりＳｉＨ4ガス等を用いたＣＶＤ工程
においてガス反応がガラス表面状態によって乱されるこ
とがなく、供給原料ガスに応じ反応を一定にすることが
できる。前記フロスト加工とは化学試薬を用いて石英ガ
ラス表面に凹凸を形成する加工をいう。石英ガラス治具
の平均表面粗さＲaが０．１μｍ未満では、表面が平滑
な状態になってしまいガスを使用した工程で用いた場
合、ガスまたは／およびその反応生成物の治具表面に付
着しにくく、最初に石英ガラス表面にガスまたは／およ
びその反応生成物を付着する必要があり、工程が煩雑で
コスト高となる。一方、平均表面粗さＲaが２μｍを超
えると、ガス若しくはその反応生成物が異常に付着し、
例えば反応炉内のガス反応に乱れが生じＳｉウェーハ上
の反応生成物の蒸着量のコントロールが困難となる。ま
た、最大粗さＲmaxについても前述と同様に１μｍ未満
では、ガスまたは／およびその反応生成物の予めの付着
が必要となり、最大粗さＲmaxが１０μｍを超えるとＳ
ｉウェーハ上の反応生成物の蒸着量のコントロールが困
難となる。さらに、本発明の石英ガラス治具は、顕微鏡
による目視でマイクロクラックの存在が確認できない。
そのため５％弗酸溶液で洗浄したときの平均表面粗さ変
化量が０．１μｍ／時間以下、最大粗さＲmax変化量が
１μｍ／時間以下で、５％弗酸溶液で１０時間洗浄して
も表面積増加率が１００％以下となる。このように本発
明の石英ガラス治具はマイクロクラックがないところか
らエッチング処理による表面積の増大がなく、ガス反応
を一定にコントロールすることができる。前記表面積増
加率が１００％とは、表面積が２倍になることを意味す
る。特に、表面積が大きな面の石英ガラス治具ではガス
反応に対する影響が大きく、また、Ｓｉウェーハ近傍で
使用したとき表面積の変化がＳｉウェーハ表面への反応
生成物の蒸着量を敏感に左右することになる。
【０００８】上記例は、Ｓｉウェーハ上にｐｏｌｙ−Ｓ
ｉ膜を形成する工程について説明したが、本発明の石英
ガラス治具は前記例にとどまらず、その他のＣＶＤ工
程、例えばナイトライド膜を形成する工程、酸化膜を形
成する工程でも有効に使用できる。
ｉ膜を形成する工程について説明したが、本発明の石英
ガラス治具は前記例にとどまらず、その他のＣＶＤ工
程、例えばナイトライド膜を形成する工程、酸化膜を形
成する工程でも有効に使用できる。
【０００９】上記石英ガラス治具は、本発明者等が先に
提案した石英ガラス表面に石鹸、シリコーンオイル等の
有機化合物を約１０〜５０μｍの薄膜に塗布したのち、
ＨＦ溶液でエッチング処理する方法、または特開平７−
２６７６７９号公報に記載の弗化水素、フッ化アンモニ
ウム、水及び酢酸を含有する表面処理液で処理する方法
等で製造できる。前記フロスト加工法では有機化合物の
薄膜の厚さ、または弗化水素、フッ化アンモニウム、水
及び酢酸を含有する表面処理液の組成比を変えることで
任意の大きさの凹凸を容易に形成することができる。後
者の表面処理液の組成比はフッ化水素とフッ化アンモニ
ウムの合計含有量が１０重量％以上２５重量％未満、そ
のモル比がフッ化水素：フッ化アンモニウム＝０．５：
１ないし２：１、酢酸の含有量が４０重量％ないし７５
重量％からなる。この表面処理液の調製にあってはフッ
化水素、フッ化アンモニウム及び水を含有する主液と酢
酸からなる補助液を使用直前で混合するのがよい。これ
れにより調製時に液温の上昇がなく成分の揮発による処
理液組成の変動が抑えられ、安定した処理液が得られ
る。また、主液と補助液の比率が、処理によって得られ
る表面粗さにほぼ比例するという性質があるところか
ら、治具の粗面の程度に応じて処理主液と補助液を混ぜ
合わせればよく、粗面の程度を容易にコントロールでき
る。その上、処理液として使用するのに冷却を待つ必要
がなく直ちに使用ができる利点もある。前記補助液の酢
酸は９８％以上が好ましく、これによってＮＨ4ＦやＨ
Ｆの含有量を低減しても処理能力が低下することがな
い。
提案した石英ガラス表面に石鹸、シリコーンオイル等の
有機化合物を約１０〜５０μｍの薄膜に塗布したのち、
ＨＦ溶液でエッチング処理する方法、または特開平７−
２６７６７９号公報に記載の弗化水素、フッ化アンモニ
ウム、水及び酢酸を含有する表面処理液で処理する方法
等で製造できる。前記フロスト加工法では有機化合物の
薄膜の厚さ、または弗化水素、フッ化アンモニウム、水
及び酢酸を含有する表面処理液の組成比を変えることで
任意の大きさの凹凸を容易に形成することができる。後
者の表面処理液の組成比はフッ化水素とフッ化アンモニ
ウムの合計含有量が１０重量％以上２５重量％未満、そ
のモル比がフッ化水素：フッ化アンモニウム＝０．５：
１ないし２：１、酢酸の含有量が４０重量％ないし７５
重量％からなる。この表面処理液の調製にあってはフッ
化水素、フッ化アンモニウム及び水を含有する主液と酢
酸からなる補助液を使用直前で混合するのがよい。これ
れにより調製時に液温の上昇がなく成分の揮発による処
理液組成の変動が抑えられ、安定した処理液が得られ
る。また、主液と補助液の比率が、処理によって得られ
る表面粗さにほぼ比例するという性質があるところか
ら、治具の粗面の程度に応じて処理主液と補助液を混ぜ
合わせればよく、粗面の程度を容易にコントロールでき
る。その上、処理液として使用するのに冷却を待つ必要
がなく直ちに使用ができる利点もある。前記補助液の酢
酸は９８％以上が好ましく、これによってＮＨ4ＦやＨ
Ｆの含有量を低減しても処理能力が低下することがな
い。
【００１０】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施例について述べ
るがこれによって本発明はなんら限定されるものではな
い。なお、実施例および比較例の平均粗さＲaおよび最
大粗さＲmaxは、Ｓｕｒｆ−Ｃｏｍ３００Ｂ（東京精密
製）を用いて測定した結果をプロファイルカーブに描き
その中心線を基準として求めた値である。さらに、表面
積の変化量は比表面積測定器（ガス吸着法）で求めた値
である。
るがこれによって本発明はなんら限定されるものではな
い。なお、実施例および比較例の平均粗さＲaおよび最
大粗さＲmaxは、Ｓｕｒｆ−Ｃｏｍ３００Ｂ（東京精密
製）を用いて測定した結果をプロファイルカーブに描き
その中心線を基準として求めた値である。さらに、表面
積の変化量は比表面積測定器（ガス吸着法）で求めた値
である。
【００１１】
実施例１ シリコーンオイルを石英ガラスチューブ表面に刷毛で塗
布したのち高速で回転して、余分のシリコーンオイルを
吹き飛ばし膜厚５μｍのシリコーンオイル膜を形成し
た。この石英ガラスチューブを２５％ＨＦ溶液で６０分
のエッチング処理し、図１（ａ）に示すような表面に凹
凸を有する石英ガラスチューブを得た。前記チューブの
プロファイルカーブは図１（ｂ）に示すとおりであっ
た。このプロファイルカーブから求めた平均表面粗さＲ
aは０．５μｍ、最大粗さＲmaxは２μｍであった。同チ
ューブを顕微鏡で観察したがマイクロクラックの存在が
確認できなかった。前記石英ガラスチューブを５％ＨＦ
で１０時間エッチング処理したのち走査電子顕微鏡で観
察したところ、図２（ａ）に示す表面凹凸であり、その
プロファイルカーブは図２（ｂ）に示すとおりであっ
た。前記プロファイルカーブから平均表面粗さＲaおよ
び最大粗さＲmaxを求めたところ、それぞれＲaは０．８
μｍ、Ｒmaxは４μｍであり、表面積の変化率は約１０
％であった。この石英ガラスチューブを用いてＳｉウェ
ーハ上にＳｉＨ4を原料とし、６００℃のＣＶＤ工程で
ｐｏｌｙＳｉ膜を１０μｍ蒸着し、それを弗化水素酸と
硝酸との混合液でエッチングしたが、表面積には大きな
変化がなかった。そこで、さらにＳｉＨ4を原料とする
ＣＶＤ工程でＰｏｌｙＳｉ膜をＳｉウェーハ上に形成し
たところ、蒸着速度に変化がみられなかった。なお、前
記ＰｏｌｙＳｉ膜の蒸着膜厚はエリプソメーターで測定
した。
布したのち高速で回転して、余分のシリコーンオイルを
吹き飛ばし膜厚５μｍのシリコーンオイル膜を形成し
た。この石英ガラスチューブを２５％ＨＦ溶液で６０分
のエッチング処理し、図１（ａ）に示すような表面に凹
凸を有する石英ガラスチューブを得た。前記チューブの
プロファイルカーブは図１（ｂ）に示すとおりであっ
た。このプロファイルカーブから求めた平均表面粗さＲ
aは０．５μｍ、最大粗さＲmaxは２μｍであった。同チ
ューブを顕微鏡で観察したがマイクロクラックの存在が
確認できなかった。前記石英ガラスチューブを５％ＨＦ
で１０時間エッチング処理したのち走査電子顕微鏡で観
察したところ、図２（ａ）に示す表面凹凸であり、その
プロファイルカーブは図２（ｂ）に示すとおりであっ
た。前記プロファイルカーブから平均表面粗さＲaおよ
び最大粗さＲmaxを求めたところ、それぞれＲaは０．８
μｍ、Ｒmaxは４μｍであり、表面積の変化率は約１０
％であった。この石英ガラスチューブを用いてＳｉウェ
ーハ上にＳｉＨ4を原料とし、６００℃のＣＶＤ工程で
ｐｏｌｙＳｉ膜を１０μｍ蒸着し、それを弗化水素酸と
硝酸との混合液でエッチングしたが、表面積には大きな
変化がなかった。そこで、さらにＳｉＨ4を原料とする
ＣＶＤ工程でＰｏｌｙＳｉ膜をＳｉウェーハ上に形成し
たところ、蒸着速度に変化がみられなかった。なお、前
記ＰｏｌｙＳｉ膜の蒸着膜厚はエリプソメーターで測定
した。
【００１２】比較例１ 石英ガラスチューブ表面に粒径２５０μｍのグリーンカ
ーボン粒子を吹き付け石英ガラスチューブ表面を凹凸を
形成した。得られた石英ガラスチューブの表面は図３
（ａ）のとおりであり、そのプロファイルカーブは図３
（ｂ）に示すとおりであった。そして前記図３（ｂ）か
ら求めた平均表面粗さＲaは２μｍ、最大粗さＲmaxは１
０μｍであった。顕微鏡による観察ではマイクロクラッ
クが多数確認された。前記石英ガラスチューブを５％Ｈ
Ｆで１０時間エッチング処理したところ、石英ガラスチ
ューブの表面は図４（ａ）のとおり大きな凹凸に変化
し、表面積の変化率は約３００％であることが確認され
た。また、そのプロファイルカーブは図４（ｂ）に示す
とおりであり、それから求めた平均粗さＲaは５μｍ、
最大粗さＲmaxは５０μｍであった。この石英ガラスチ
ューブを用いてＳｉウェーハ上にＳｉＨ4を原料とし
て、６００℃のＣＶＤ工程でｐｏｌｙＳｉ膜を１０μｍ
蒸着したのち、弗化水素酸と硝酸との混合液でエッチン
グしたところ、表面積が大きく変化していた。さらにＳ
ｉＨ4を原料として、６００℃のＣＶＤ工程でＰｏｌｙ
Ｓｉ膜をＳｉウェーハ上に形成したところ、ＰｏｌｙＳ
ｉ膜の蒸着速度は遅く、かつ石英ガラスチューブ表面に
異常にＰｏｌｙＳｉ膜が付着していた。
ーボン粒子を吹き付け石英ガラスチューブ表面を凹凸を
形成した。得られた石英ガラスチューブの表面は図３
（ａ）のとおりであり、そのプロファイルカーブは図３
（ｂ）に示すとおりであった。そして前記図３（ｂ）か
ら求めた平均表面粗さＲaは２μｍ、最大粗さＲmaxは１
０μｍであった。顕微鏡による観察ではマイクロクラッ
クが多数確認された。前記石英ガラスチューブを５％Ｈ
Ｆで１０時間エッチング処理したところ、石英ガラスチ
ューブの表面は図４（ａ）のとおり大きな凹凸に変化
し、表面積の変化率は約３００％であることが確認され
た。また、そのプロファイルカーブは図４（ｂ）に示す
とおりであり、それから求めた平均粗さＲaは５μｍ、
最大粗さＲmaxは５０μｍであった。この石英ガラスチ
ューブを用いてＳｉウェーハ上にＳｉＨ4を原料とし
て、６００℃のＣＶＤ工程でｐｏｌｙＳｉ膜を１０μｍ
蒸着したのち、弗化水素酸と硝酸との混合液でエッチン
グしたところ、表面積が大きく変化していた。さらにＳ
ｉＨ4を原料として、６００℃のＣＶＤ工程でＰｏｌｙ
Ｓｉ膜をＳｉウェーハ上に形成したところ、ＰｏｌｙＳ
ｉ膜の蒸着速度は遅く、かつ石英ガラスチューブ表面に
異常にＰｏｌｙＳｉ膜が付着していた。
【００１３】
【発明の効果】本発明の半導体熱処理装置用石英ガラス
治具は、表面に微細な凹凸を有し、しかもマイクロクラ
ックに基づく表面積の増加がなく、半導体素子上のｐｏ
ｌｙＳｉ膜の形成やドープ材の熱拡散等のガス反応を安
定に行うことができる石英ガラス治具である。前記石英
ガラス治具を用いることで、高品質のＳｉウェーハ等の
製造を容易にする。
治具は、表面に微細な凹凸を有し、しかもマイクロクラ
ックに基づく表面積の増加がなく、半導体素子上のｐｏ
ｌｙＳｉ膜の形成やドープ材の熱拡散等のガス反応を安
定に行うことができる石英ガラス治具である。前記石英
ガラス治具を用いることで、高品質のＳｉウェーハ等の
製造を容易にする。
【図１】本発明の石英ガラス治具表面のエッチング処理
前の走査電子顕微鏡写真（ａ）およびそのプロフィルカ
ーブ（ｂ）である。
前の走査電子顕微鏡写真（ａ）およびそのプロフィルカ
ーブ（ｂ）である。
【図２】本発明の石英ガラス治具表面のエッチング処理
後の走査電子顕微鏡写真（ａ）およびそのプロフィルカ
ーブ（ｂ）である。
後の走査電子顕微鏡写真（ａ）およびそのプロフィルカ
ーブ（ｂ）である。
【図３】サンドブラスト処理した石英ガラス治具表面の
エッチング処理前の走査電子顕微鏡写真（ａ）およびそ
のプロフィルカーブ（ｂ）である。
エッチング処理前の走査電子顕微鏡写真（ａ）およびそ
のプロフィルカーブ（ｂ）である。
【図４】サンドブラスト処理した石英ガラス治具表面の
エッチング処理後の走査電子顕微鏡写真（ａ）およびそ
の表面のプロフィルカーブ（ｂ）である。
エッチング処理後の走査電子顕微鏡写真（ａ）およびそ
の表面のプロフィルカーブ（ｂ）である。
Claims (3)
- 【請求項１】石英ガラスからなる治具であって、その表
面が平均表面粗さＲa０．１〜２μｍ、最大粗さＲmax１
〜１０μｍにフロスト加工され、かつマイクロクラック
がなく、５％弗酸溶液で洗浄したときの平均表面粗さの
変化量が０．１μｍ／時間以下、最大粗さＲmaxの変化
量が１μｍ／時間以下、表面積増加率が１００％以下で
あることを特徴とする半導体熱処理装置用石英ガラス治
具。 - 【請求項２】ガス原料を反応させるこことにより薄膜を
形成する雰囲気中で使用することを特徴とする請求項１
記載の半導体熱処理装置用石英ガラス治具。 - 【請求項３】ガス反応がｐｏｌｙ−Ｓｉ膜形成反応であ
ることを特徴とする請求項２記載の半導体熱処理装置用
石英ガラス治具。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31457797A JPH11130451A (ja) | 1997-10-31 | 1997-10-31 | 半導体熱処理装置用石英ガラス治具 |
| TW086118251A TW438731B (en) | 1997-09-30 | 1997-12-04 | Quartz glass jig for semiconductor heat treatment apparatus and a method of producing thereof |
| KR1019970071442A KR100304338B1 (ko) | 1997-09-30 | 1997-12-20 | 반도체열처리장치용석영글라스지그및그제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31457797A JPH11130451A (ja) | 1997-10-31 | 1997-10-31 | 半導体熱処理装置用石英ガラス治具 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11130451A true JPH11130451A (ja) | 1999-05-18 |
Family
ID=18054974
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31457797A Pending JPH11130451A (ja) | 1997-09-30 | 1997-10-31 | 半導体熱処理装置用石英ガラス治具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11130451A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1193327A1 (en) * | 2000-09-28 | 2002-04-03 | Heraeus Quarzglas GmbH & Co. KG | Silica glass apparatus for semiconductor industry and method for producing the same |
| JP2002104843A (ja) * | 2000-09-28 | 2002-04-10 | Shinetsu Quartz Prod Co Ltd | 半導体工業用シリカガラス治具およびその製造方法 |
| US6706205B2 (en) * | 1999-06-28 | 2004-03-16 | General Electric Company | Semiconductor processing article |
| WO2004051724A1 (ja) * | 2002-12-03 | 2004-06-17 | Shin-Etsu Quartz Products Co., Ltd. | 半導体を製造する工程で使用するシリカガラス治具およびその製造方法 |
| JP2009260061A (ja) * | 2008-04-17 | 2009-11-05 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 石英窓の製造方法および熱処理装置 |
| CN111606573A (zh) * | 2019-02-26 | 2020-09-01 | Ａｇｃ株式会社 | 带有凹凸形状的玻璃基体及其制造方法 |
-
1997
- 1997-10-31 JP JP31457797A patent/JPH11130451A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6706205B2 (en) * | 1999-06-28 | 2004-03-16 | General Electric Company | Semiconductor processing article |
| EP1193327A1 (en) * | 2000-09-28 | 2002-04-03 | Heraeus Quarzglas GmbH & Co. KG | Silica glass apparatus for semiconductor industry and method for producing the same |
| JP2002104843A (ja) * | 2000-09-28 | 2002-04-10 | Shinetsu Quartz Prod Co Ltd | 半導体工業用シリカガラス治具およびその製造方法 |
| WO2004051724A1 (ja) * | 2002-12-03 | 2004-06-17 | Shin-Etsu Quartz Products Co., Ltd. | 半導体を製造する工程で使用するシリカガラス治具およびその製造方法 |
| JP2009260061A (ja) * | 2008-04-17 | 2009-11-05 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 石英窓の製造方法および熱処理装置 |
| CN111606573A (zh) * | 2019-02-26 | 2020-09-01 | Ａｇｃ株式会社 | 带有凹凸形状的玻璃基体及其制造方法 |
| CN111606573B (zh) * | 2019-02-26 | 2023-11-10 | Ａｇｃ株式会社 | 带有凹凸形状的玻璃基体及其制造方法 |
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