JPH11135483A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造装置Info
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- JPH11135483A JPH11135483A JP29823097A JP29823097A JPH11135483A JP H11135483 A JPH11135483 A JP H11135483A JP 29823097 A JP29823097 A JP 29823097A JP 29823097 A JP29823097 A JP 29823097A JP H11135483 A JPH11135483 A JP H11135483A
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ドライエッチング、CVDなどの半導体装置の
製造工程において、半導体基板を支持台上に安定かつ十
分に静電吸着させ、また処理終了後、正確かつ速やかに
搬送する。 【解決手段】 直流電源７により半導体基板４を静電的
に吸着させ、反応室５内に設置した電圧測定用端子１２
と接地電位間の電圧を直流電圧計１３で測定し、その結
果を制御装置１０にフィードバックして直流電源７を制
御し、吸着力を安定化させる。
製造工程において、半導体基板を支持台上に安定かつ十
分に静電吸着させ、また処理終了後、正確かつ速やかに
搬送する。 【解決手段】 直流電源７により半導体基板４を静電的
に吸着させ、反応室５内に設置した電圧測定用端子１２
と接地電位間の電圧を直流電圧計１３で測定し、その結
果を制御装置１０にフィードバックして直流電源７を制
御し、吸着力を安定化させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマを用いた
半導体装置の製造装置に関するものである。
半導体装置の製造装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の微細化、高集積化が進んで
おり、ドライエッチングでは、半導体基板の温度制御が
加工精度に大きく影響する。従来は、この半導体基板を
支持する方法として平板の上への設置や、半導体基板の
周辺部を機械的におさえる方法（クランプ方式）が用い
られてきた。
おり、ドライエッチングでは、半導体基板の温度制御が
加工精度に大きく影響する。従来は、この半導体基板を
支持する方法として平板の上への設置や、半導体基板の
周辺部を機械的におさえる方法（クランプ方式）が用い
られてきた。
【０００３】近年、より確実に半導体基板を支持、固定
する方法として、半導体基板を支持する板と半導体基板
間に電界を作用させることによって静電力を生じさせ、
半導体基板を吸着させる静電チャック（ESC）方式が用
いられるようになってきた。静電チャックは、その装置
部に片側の電極のみが設置され、半導体基板が対向電極
となる単極型と、半導体基板支持装置部に両極の電極を
設置している双極型に分けられる。以下、単極型静電チ
ャック方式を用いた半導体装置の製造装置の一例につい
て説明する。図７はドライエッチング装置の場合の従来
の半導体装置の製造装置の略図である。１は上部電極、
２は下部電極、３は表面絶縁層、４は半導体基板、５は
反応室、６は高周波電源、７は直流電源、８はブロッキ
ングコンデンサ、９はHeガス配管である。ドライエッチ
ング装置では、接地した上部電極１と下部電極２との間
に高周波電源６によって高周波電力を印加してプラズマ
を発生させ、下部電極部に設置された半導体基板４に所
望の加工を施す。ドライエッチング装置の場合の半導体
基板支持装置は、下部電極２と表面絶縁層３で構成され
る。さらに、下部電極２を直流電源７によって一定の直
流電圧を印加することで、静電吸着力を発生させ、半導
体基板４を固定している。また、ガス配管９を通して、
半導体基板４と半導体基板支持装置の間にHeガスを導入
することにより、半導体基板４の温度制御性を高めてい
る。
する方法として、半導体基板を支持する板と半導体基板
間に電界を作用させることによって静電力を生じさせ、
半導体基板を吸着させる静電チャック（ESC）方式が用
いられるようになってきた。静電チャックは、その装置
部に片側の電極のみが設置され、半導体基板が対向電極
となる単極型と、半導体基板支持装置部に両極の電極を
設置している双極型に分けられる。以下、単極型静電チ
ャック方式を用いた半導体装置の製造装置の一例につい
て説明する。図７はドライエッチング装置の場合の従来
の半導体装置の製造装置の略図である。１は上部電極、
２は下部電極、３は表面絶縁層、４は半導体基板、５は
反応室、６は高周波電源、７は直流電源、８はブロッキ
ングコンデンサ、９はHeガス配管である。ドライエッチ
ング装置では、接地した上部電極１と下部電極２との間
に高周波電源６によって高周波電力を印加してプラズマ
を発生させ、下部電極部に設置された半導体基板４に所
望の加工を施す。ドライエッチング装置の場合の半導体
基板支持装置は、下部電極２と表面絶縁層３で構成され
る。さらに、下部電極２を直流電源７によって一定の直
流電圧を印加することで、静電吸着力を発生させ、半導
体基板４を固定している。また、ガス配管９を通して、
半導体基板４と半導体基板支持装置の間にHeガスを導入
することにより、半導体基板４の温度制御性を高めてい
る。
【０００４】また、半導体装置の製造工程のうち、反応
性イオンエッチングを行う工程では、能動的に電界を作
用させなくても、自己バイアス（セルフバイアス）によ
って電界が発生し、半導体基板がその支持台に吸着す
る。
性イオンエッチングを行う工程では、能動的に電界を作
用させなくても、自己バイアス（セルフバイアス）によ
って電界が発生し、半導体基板がその支持台に吸着す
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の半導体装置の製造装置では、静電吸着力を得るため
の直流電源７の出力設定値が一定であるため、工程処理
中に発生する電界の影響で吸着力が変動しやすく、処理
中に発生する電界が直流電源７による電界を相殺する場
合は、吸着力が低下し、半導体基板が跳ね上がったり、
充分な温度制御が不可能になる。また、処理中に発生す
る電界が直流電源７による電界と同方向の場合は、処理
が終了しても大きな残留吸着力が残り、半導体基板を搬
送するのに時間を要したり、残留吸着力以上の力を加え
て半導体基板をはがすことによって半導体基板が跳ね上
がり、半導体装置の製造装置に故障を生じさせるという
問題があった。
来の半導体装置の製造装置では、静電吸着力を得るため
の直流電源７の出力設定値が一定であるため、工程処理
中に発生する電界の影響で吸着力が変動しやすく、処理
中に発生する電界が直流電源７による電界を相殺する場
合は、吸着力が低下し、半導体基板が跳ね上がったり、
充分な温度制御が不可能になる。また、処理中に発生す
る電界が直流電源７による電界と同方向の場合は、処理
が終了しても大きな残留吸着力が残り、半導体基板を搬
送するのに時間を要したり、残留吸着力以上の力を加え
て半導体基板をはがすことによって半導体基板が跳ね上
がり、半導体装置の製造装置に故障を生じさせるという
問題があった。
【０００６】また、半導体基板の裏面の状態が一定では
ないため、多数の半導体基板を処理する際に、その裏面
の状態によっても、上記記載の異常が発生し、安定して
半導体装置を製造することができないという問題があっ
た。特に、プラズマ放電開始、終了時や、プラズマエッ
チングでオーバーエッチングステップに入る時などは、
プラズマによる電界が変動しやすく、工程処理中に異常
が発生するという問題があった。
ないため、多数の半導体基板を処理する際に、その裏面
の状態によっても、上記記載の異常が発生し、安定して
半導体装置を製造することができないという問題があっ
た。特に、プラズマ放電開始、終了時や、プラズマエッ
チングでオーバーエッチングステップに入る時などは、
プラズマによる電界が変動しやすく、工程処理中に異常
が発生するという問題があった。
【０００７】この発明の目的は、プラズマを用いた半導
体装置の製造装置において、静電力によって半導体基板
を固定する際、所望の処理中は安定した吸着力を発生さ
せ、処理終了後は、速やかに半導体基板を搬送する機能
を有した半導体装置の製造装置を提供することである。
体装置の製造装置において、静電力によって半導体基板
を固定する際、所望の処理中は安定した吸着力を発生さ
せ、処理終了後は、速やかに半導体基板を搬送する機能
を有した半導体装置の製造装置を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、請求項１記載の半導体装置の製造装置は、反応室内
に設けた半導体基板を支持する台と、反応室外に設けた
交流電源、前記支持台に接続した直流電源、および直流
電源制御装置を備え、かつ反応室内に直流電圧測定装置
を備えることで、この測定装置の直流電圧測定値を前記
反応室外に設けた直流電源制御装置にフィードバックす
る特徴を有している。
に、請求項１記載の半導体装置の製造装置は、反応室内
に設けた半導体基板を支持する台と、反応室外に設けた
交流電源、前記支持台に接続した直流電源、および直流
電源制御装置を備え、かつ反応室内に直流電圧測定装置
を備えることで、この測定装置の直流電圧測定値を前記
反応室外に設けた直流電源制御装置にフィードバックす
る特徴を有している。
【０００９】請求項２記載の半導体装置の製造装置は、
反応室内に設けた半導体基板を支持する台と、反応室外
に設けた交流電源、前記支持台に接続した直流電源、お
よび直流電源制御装置を備え、かつ交流電圧測定装置を
備えることで、この測定装置の交流電圧測定値を前記反
応室外に設けた直流電源制御装置にフィードバックする
特徴を有している。
反応室内に設けた半導体基板を支持する台と、反応室外
に設けた交流電源、前記支持台に接続した直流電源、お
よび直流電源制御装置を備え、かつ交流電圧測定装置を
備えることで、この測定装置の交流電圧測定値を前記反
応室外に設けた直流電源制御装置にフィードバックする
特徴を有している。
【００１０】請求項３記載の半導体装置の製造装置は、
反応室内に設けた半導体基板を支持する台と、反応室外
に設けた交流電源、前記支持台に接続した直流電源、お
よび直流電源制御装置を備え、かつ直流電流測定装置を
備えることで、この測定装置の直流電流測定値を前記反
応室外に設けた直流電源制御装置にフィードバックする
特徴を有している。
反応室内に設けた半導体基板を支持する台と、反応室外
に設けた交流電源、前記支持台に接続した直流電源、お
よび直流電源制御装置を備え、かつ直流電流測定装置を
備えることで、この測定装置の直流電流測定値を前記反
応室外に設けた直流電源制御装置にフィードバックする
特徴を有している。
【００１１】直流電源を用いて静電吸着力によって半導
体基板を支持台に固定する場合、その吸着力は、半導体
基板とその支持台間の電位差に依存する。この電位差
は、直流電源によって支持台に印加される電位と、プラ
ズマ放電によって生じる自己バイアスによる電位との和
となる。ここで、自己バイアスによる電位は処理条件や
処理中の雰囲気で変動する。また、半導体基板とその支
持台間の電位差は、半導体基板の裏面の状態や、半導体
基板と支持台との接触方法によっても変化する。
体基板を支持台に固定する場合、その吸着力は、半導体
基板とその支持台間の電位差に依存する。この電位差
は、直流電源によって支持台に印加される電位と、プラ
ズマ放電によって生じる自己バイアスによる電位との和
となる。ここで、自己バイアスによる電位は処理条件や
処理中の雰囲気で変動する。また、半導体基板とその支
持台間の電位差は、半導体基板の裏面の状態や、半導体
基板と支持台との接触方法によっても変化する。
【００１２】本発明の構成によれば、直接測定すること
が困難な半導体基板とその支持台間の電位差に代わり、
この電位差と相関がある値を測定し、その値をフィード
バックし、処理中に必要な吸着力が得られる電位差を確
保できるように直流電源の出力を制御することができる
ため、所望の処理中に安定した吸着力を得ることができ
る。また、処理終了後は、この電位差が０になるように
直流電源の出力を制御することによって、残留吸着力な
く、速やかに半導体基板を搬送することができる。
が困難な半導体基板とその支持台間の電位差に代わり、
この電位差と相関がある値を測定し、その値をフィード
バックし、処理中に必要な吸着力が得られる電位差を確
保できるように直流電源の出力を制御することができる
ため、所望の処理中に安定した吸着力を得ることができ
る。また、処理終了後は、この電位差が０になるように
直流電源の出力を制御することによって、残留吸着力な
く、速やかに半導体基板を搬送することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて、図面を参照しながら説明する。なお、以下の説明
では、半導体装置の製造装置としてドライエッチング装
置を用いる。
いて、図面を参照しながら説明する。なお、以下の説明
では、半導体装置の製造装置としてドライエッチング装
置を用いる。
【００１４】図１は、本発明の一実施の形態におけるド
ライエッチング装置の略図である。１は上部電極、２は
下部電極、３は表面絶縁層、４は半導体基板、５は反応
室、６は高周波電源、７は直流電源、８はブロッキング
コンデンサ、９はガス配管、１０は制御装置、１１は信
号線、１２は電圧測定用端子、１３は直流電圧計であ
る。
ライエッチング装置の略図である。１は上部電極、２は
下部電極、３は表面絶縁層、４は半導体基板、５は反応
室、６は高周波電源、７は直流電源、８はブロッキング
コンデンサ、９はガス配管、１０は制御装置、１１は信
号線、１２は電圧測定用端子、１３は直流電圧計であ
る。
【００１５】半導体基板４を図１のように半導体基板支
持装置上に設置する。その後、所望のドライエッチング
処理を行うために、エッチングガスを反応室５内に導入
し所定の圧力、流量に調節し、高周波電源６によって高
周波電力を印加し、プラズマ放電させる。本実施の形態
では、圧力：5Pa、高周波電力：1000W、導入ガス：CHF3
=50cc、CF4=10ccの条件で、シリコン酸化膜をエッチン
グする。この状態で、半導体基板４上および、電圧測定
用端子１２にプラズマシースが形成され、自己バイアス
が生じる。静電吸着力が発生した後、ガス配管９から冷
却ガスを半導体基板支持装置と半導体基板４の間に導入
する。本実施の形態では、Heガスを2KPaの圧力で導入す
る。吸着力は、プラズマ放電によって発生する自己バイ
アスおよび直流電源７による電界からのクーロン力と、
半導体基板４の裏面を冷却するためのガス圧力の和で決
定される。直流電源７の出力値および、裏面冷却用ガス
圧力は処理条件として一定の値に設定されるが、自己バ
イアスによるクーロン力はプラズマの状態によって変動
する。
持装置上に設置する。その後、所望のドライエッチング
処理を行うために、エッチングガスを反応室５内に導入
し所定の圧力、流量に調節し、高周波電源６によって高
周波電力を印加し、プラズマ放電させる。本実施の形態
では、圧力：5Pa、高周波電力：1000W、導入ガス：CHF3
=50cc、CF4=10ccの条件で、シリコン酸化膜をエッチン
グする。この状態で、半導体基板４上および、電圧測定
用端子１２にプラズマシースが形成され、自己バイアス
が生じる。静電吸着力が発生した後、ガス配管９から冷
却ガスを半導体基板支持装置と半導体基板４の間に導入
する。本実施の形態では、Heガスを2KPaの圧力で導入す
る。吸着力は、プラズマ放電によって発生する自己バイ
アスおよび直流電源７による電界からのクーロン力と、
半導体基板４の裏面を冷却するためのガス圧力の和で決
定される。直流電源７の出力値および、裏面冷却用ガス
圧力は処理条件として一定の値に設定されるが、自己バ
イアスによるクーロン力はプラズマの状態によって変動
する。
【００１６】図２は、各裏面冷却ガス圧力値で測定され
たVdcに対するウェハ吸着力が０になる直流電源７の出
力値をプロットしたものである。図２から、冷却ガス圧
力を設定すれば、測定されたVdcに対する吸着力が０と
なる直流電源７の出力値がわかる。そこで、測定された
Vdcに対して、吸着力が０とならないように常に直流電
源７の出力値を制御する。このように直流電源７を制御
することによって、安定かつ十分な吸着力が得られる。
また、必要以上に直流電源７によって電圧を印加すると
過剰な残留吸着力が残ったり、チャージアップ現象によ
るゲート酸化膜破壊を発生することがあるが、必要最低
限の直流電源７の出力値に制御することが可能であるこ
とから、これらの問題も防げるという利点もある。
たVdcに対するウェハ吸着力が０になる直流電源７の出
力値をプロットしたものである。図２から、冷却ガス圧
力を設定すれば、測定されたVdcに対する吸着力が０と
なる直流電源７の出力値がわかる。そこで、測定された
Vdcに対して、吸着力が０とならないように常に直流電
源７の出力値を制御する。このように直流電源７を制御
することによって、安定かつ十分な吸着力が得られる。
また、必要以上に直流電源７によって電圧を印加すると
過剰な残留吸着力が残ったり、チャージアップ現象によ
るゲート酸化膜破壊を発生することがあるが、必要最低
限の直流電源７の出力値に制御することが可能であるこ
とから、これらの問題も防げるという利点もある。
【００１７】また同様に図２から、冷却ガス圧力０KPa
のときのVdcと吸着力が０となる直流電源７の出力値が
わかる。そこで、処理終了直前に、吸着力が０となるよ
うに直流電源７を制御することで、処理終了時に残留吸
着力を無くすことができる。
のときのVdcと吸着力が０となる直流電源７の出力値が
わかる。そこで、処理終了直前に、吸着力が０となるよ
うに直流電源７を制御することで、処理終了時に残留吸
着力を無くすことができる。
【００１８】図３は、本発明の第２の実施の形態におけ
るドライエッチング装置の略図である。１は上部電極、
２は下部電極、３は表面絶縁層、４は半導体基板、５は
反応室、６は高周波電源、７は直流電源、８はブロッキ
ングコンデンサ、９はガス配管、１０は制御装置、１１
は信号線、１４は交流電圧ピーク値測定装置である。
るドライエッチング装置の略図である。１は上部電極、
２は下部電極、３は表面絶縁層、４は半導体基板、５は
反応室、６は高周波電源、７は直流電源、８はブロッキ
ングコンデンサ、９はガス配管、１０は制御装置、１１
は信号線、１４は交流電圧ピーク値測定装置である。
【００１９】半導体基板４を図３のように半導体基板支
持装置上に設置する。その後、所望のドライエッチング
処理を行うために、エッチングガスを反応室５内に導入
し所定の圧力、流量に調節し、高周波電源６によって高
周波電力を印加し、プラズマ放電させる。次に、圧力：
5Pa、高周波電力：1000W、導入ガス：CHF3=50cc、CF4=1
0ccの条件で、シリコン酸化膜をエッチングする。静電
吸着力が発生した後、ガス配管９から冷却ガスを半導体
基板支持装置と半導体基板４の間に導入する。本実施の
形態では、Heガスを2KPaの圧力で導入する。
持装置上に設置する。その後、所望のドライエッチング
処理を行うために、エッチングガスを反応室５内に導入
し所定の圧力、流量に調節し、高周波電源６によって高
周波電力を印加し、プラズマ放電させる。次に、圧力：
5Pa、高周波電力：1000W、導入ガス：CHF3=50cc、CF4=1
0ccの条件で、シリコン酸化膜をエッチングする。静電
吸着力が発生した後、ガス配管９から冷却ガスを半導体
基板支持装置と半導体基板４の間に導入する。本実施の
形態では、Heガスを2KPaの圧力で導入する。
【００２０】図４は、各裏面冷却ガス圧力値で測定され
たVppに対するウェハ吸着力が０になる直流電源７の出
力値をプロットしたものである。図４から、冷却ガス圧
力を設定すれば、測定されたVppに対する吸着力が０と
なる直流電源７の出力値がわかる。そこで、測定された
Vppに対して、吸着力が０とならないように常に直流電
源７の出力値を制御する。このように直流電源７を制御
することによって、安定かつ十分な吸着力が得られる。
また、必要以上に直流電源７によって電圧を印加すると
過剰な残留吸着力が残ったり、チャージアップ現象によ
るゲート酸化膜破壊を発生することがあるが、本実施の
形態によると、必要最低限の直流電源７の出力値に制御
することが可能であることから、これらの問題も防げる
という利点もある。
たVppに対するウェハ吸着力が０になる直流電源７の出
力値をプロットしたものである。図４から、冷却ガス圧
力を設定すれば、測定されたVppに対する吸着力が０と
なる直流電源７の出力値がわかる。そこで、測定された
Vppに対して、吸着力が０とならないように常に直流電
源７の出力値を制御する。このように直流電源７を制御
することによって、安定かつ十分な吸着力が得られる。
また、必要以上に直流電源７によって電圧を印加すると
過剰な残留吸着力が残ったり、チャージアップ現象によ
るゲート酸化膜破壊を発生することがあるが、本実施の
形態によると、必要最低限の直流電源７の出力値に制御
することが可能であることから、これらの問題も防げる
という利点もある。
【００２１】また同様に図４から、冷却ガス圧力０KPa
のときのVppと吸着力が０となる直流電源７の出力値が
わかる。そこで、処理終了直前に、吸着力が０となるよ
うに直流電源７を制御することで、処理終了時に残留吸
着力を無くすことができる。
のときのVppと吸着力が０となる直流電源７の出力値が
わかる。そこで、処理終了直前に、吸着力が０となるよ
うに直流電源７を制御することで、処理終了時に残留吸
着力を無くすことができる。
【００２２】また、反応室５内に測定用の端子をいれる
必要が無いという利点がある。図５は、本発明の第３の
実施の形態におけるドライエッチング装置の略図であ
る。１は上部電極、２は下部電極、３は表面絶縁層、４
は半導体基板、５は反応室、６は高周波電源、７は直流
電源、８はブロッキングコンデンサ、９はガス配管、１
０は制御装置、１１は信号線、１５は直流電流計であ
る。
必要が無いという利点がある。図５は、本発明の第３の
実施の形態におけるドライエッチング装置の略図であ
る。１は上部電極、２は下部電極、３は表面絶縁層、４
は半導体基板、５は反応室、６は高周波電源、７は直流
電源、８はブロッキングコンデンサ、９はガス配管、１
０は制御装置、１１は信号線、１５は直流電流計であ
る。
【００２３】半導体基板４を図５のように半導体基板支
持装置上に設置する。その後、所望のドライエッチング
処理を行うために、エッチングガスを反応室５内に導入
し所定の圧力、流量に調節し、高周波電源６によって高
周波電力を印加し、プラズマ放電させる。本実施の形態
では、圧力：5Pa、高周波電力：1000W、導入ガス：CHF3
=50cc、CF4=10ccの条件で、シリコン酸化膜をエッチン
グする。静電吸着力が発生した後、ガス配管９から冷却
ガスを半導体基板支持装置と半導体基板４の間に導入す
る。本実施の形態では、Heガスを2KPaの圧力で導入す
る。図６は、本実施の形態における各裏面冷却ガス圧力
値で測定されたIdcに対するウェハ吸着力が０になる直
流電源７の出力値をプロットしたものである。図６か
ら、冷却ガス圧力を設定すれば、測定されたIdcに対す
る吸着力が０となる直流電源７の出力値がわかる。そこ
で、測定されたIdcに対して、吸着力が０とならないよ
うに、常に直流電源７の出力値を制御する。このように
直流電源７を制御することによって、安定かつ十分な吸
着力が得られる。また、必要以上に直流電源７によって
電圧を印加すると過剰な残留吸着力が残ったり、チャー
ジアップ現象によるゲート酸化膜破壊を発生することが
あるが、本実施の形態によると、必要最低限の直流電源
７の出力値に制御することが可能であることから、これ
らの問題も防げるという利点もある。
持装置上に設置する。その後、所望のドライエッチング
処理を行うために、エッチングガスを反応室５内に導入
し所定の圧力、流量に調節し、高周波電源６によって高
周波電力を印加し、プラズマ放電させる。本実施の形態
では、圧力：5Pa、高周波電力：1000W、導入ガス：CHF3
=50cc、CF4=10ccの条件で、シリコン酸化膜をエッチン
グする。静電吸着力が発生した後、ガス配管９から冷却
ガスを半導体基板支持装置と半導体基板４の間に導入す
る。本実施の形態では、Heガスを2KPaの圧力で導入す
る。図６は、本実施の形態における各裏面冷却ガス圧力
値で測定されたIdcに対するウェハ吸着力が０になる直
流電源７の出力値をプロットしたものである。図６か
ら、冷却ガス圧力を設定すれば、測定されたIdcに対す
る吸着力が０となる直流電源７の出力値がわかる。そこ
で、測定されたIdcに対して、吸着力が０とならないよ
うに、常に直流電源７の出力値を制御する。このように
直流電源７を制御することによって、安定かつ十分な吸
着力が得られる。また、必要以上に直流電源７によって
電圧を印加すると過剰な残留吸着力が残ったり、チャー
ジアップ現象によるゲート酸化膜破壊を発生することが
あるが、本実施の形態によると、必要最低限の直流電源
７の出力値に制御することが可能であることから、これ
らの問題も防げるという利点もある。
【００２４】また同様に図６から、冷却ガス圧力０KPa
のときのIdcと吸着力が０となる直流電源７の出力値が
わかる。そこで、処理終了直前に、吸着力が０となるよ
うに直流電源７を制御することで、処理終了時に残留吸
着力を無くすことができる。
のときのIdcと吸着力が０となる直流電源７の出力値が
わかる。そこで、処理終了直前に、吸着力が０となるよ
うに直流電源７を制御することで、処理終了時に残留吸
着力を無くすことができる。
【００２５】また、半導体基板支持方式として、単極型
静電チャック方式の半導体基板支持装置を用いるが、双
極型静電チャック方式の半導体基板支持装置にも、同様
な効果が得られることは言うまでもない。
静電チャック方式の半導体基板支持装置を用いるが、双
極型静電チャック方式の半導体基板支持装置にも、同様
な効果が得られることは言うまでもない。
【００２６】
【発明の効果】この発明によれば、反応室内に設けた半
導体基板を支持する台と、反応室外に設けた交流電源、
前記支持台に接続した直流電源、および直流電源制御装
置を備え、かつ半導体基板と半導体基板を支持する台と
の間の電位差と相関のある電気特性を測定する装置を備
え、この測定装置の測定値を前記反応室外に設けた直流
電源制御装置にフィードバックする機構を備えることに
よって、所望の処理中は、半導体基板に安定かつ十分な
吸着力を発生し、処理終了後も少ない残留吸着力で速や
かに搬送することができる優れた半導体装置の製造装置
を実現するものである。
導体基板を支持する台と、反応室外に設けた交流電源、
前記支持台に接続した直流電源、および直流電源制御装
置を備え、かつ半導体基板と半導体基板を支持する台と
の間の電位差と相関のある電気特性を測定する装置を備
え、この測定装置の測定値を前記反応室外に設けた直流
電源制御装置にフィードバックする機構を備えることに
よって、所望の処理中は、半導体基板に安定かつ十分な
吸着力を発生し、処理終了後も少ない残留吸着力で速や
かに搬送することができる優れた半導体装置の製造装置
を実現するものである。
【図１】本発明の第１の実施の形態におけるドライエッ
チング装置に用いられた場合の半導体装置の製造装置の
略図
チング装置に用いられた場合の半導体装置の製造装置の
略図
【図２】本発明の第１の実施の形態における各冷却ガス
圧力での、直流電圧測定値に対する吸着力が０となる直
流電源電圧のグラフ
圧力での、直流電圧測定値に対する吸着力が０となる直
流電源電圧のグラフ
【図３】本発明の第２の実施の形態におけるドライエッ
チング装置に用いられた場合の半導体装置の製造装置の
略図
チング装置に用いられた場合の半導体装置の製造装置の
略図
【図４】本発明の第２の実施の形態における各冷却ガス
圧力での、交流電圧測定値に対する吸着力が０となる直
流電源電圧のグラフ
圧力での、交流電圧測定値に対する吸着力が０となる直
流電源電圧のグラフ
【図５】本発明の第３の実施の形態におけるドライエッ
チング装置に用いられた場合の半導体装置の製造装置の
略図
チング装置に用いられた場合の半導体装置の製造装置の
略図
【図６】本発明の第３の実施の形態における各冷却ガス
圧力での、直流電流測定値に対する吸着力が０となる直
流電源電圧のグラフ
圧力での、直流電流測定値に対する吸着力が０となる直
流電源電圧のグラフ
【図７】従来技術におけるドライエッチング装置に用い
られた場合の半導体装置の製造装置の略図
られた場合の半導体装置の製造装置の略図
１ 上部電極 ２ 下部電極 ３ 表面絶縁層 ４ 半導体基板 ５ 反応室 ６ 高周波電源 ７ 直流電源 ８ ブロッキングコンデンサ ９ ガス配管 １０ 制御装置 １１ 信号線 １２ 電圧測定用端子 １３ 直流電圧計 １４ 交流電圧ピーク値測定装置 １５ 直流電流計
Claims (3)
- 【請求項１】 反応室内に設けた半導体基板を支持する
支持台と、反応室外に設けた交流電源と、前記支持台に
接続した直流電源と、直流電源制御装置と、反応室内に
直流電圧測定装置とを備え、直流電圧測定値を前記反応
室外に設けた直流電源制御装置にフィードバックするこ
とを特徴とする半導体装置の製造装置。 - 【請求項２】 反応室内に設けた半導体基板を支持する
支持台と、反応室外に設けた交流電源と、前記支持台に
接続した直流電源と、直流電源制御装置と、交流電圧測
定装置とを備え、交流電圧測定値を前記反応室外に設け
た直流電源制御装置にフィードバックすることを特徴と
する半導体装置の製造装置。 - 【請求項３】 反応室内に設けた半導体基板を支持する
支持台と、反応室外に設けた交流電源と、前記支持台に
接続した直流電源と、直流電源制御装置と、直流電流測
定装置とを備え、直流電流測定値を前記反応室外に設け
た直流電源制御装置にフィードバックすることを特徴と
する半導体装置の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29823097A JP3792865B2 (ja) | 1997-10-30 | 1997-10-30 | 半導体装置の製造装置およびドライエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29823097A JP3792865B2 (ja) | 1997-10-30 | 1997-10-30 | 半導体装置の製造装置およびドライエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11135483A true JPH11135483A (ja) | 1999-05-21 |
| JP3792865B2 JP3792865B2 (ja) | 2006-07-05 |
Family
ID=17856926
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29823097A Expired - Fee Related JP3792865B2 (ja) | 1997-10-30 | 1997-10-30 | 半導体装置の製造装置およびドライエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3792865B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003009363A1 (fr) * | 2001-07-10 | 2003-01-30 | Tokyo Electron Limited | Processeur a plasma et procede de traitement au plasma |
| JP2007234869A (ja) * | 2006-03-01 | 2007-09-13 | Hitachi High-Technologies Corp | エッチング処理装置および自己バイアス電圧測定方法ならびにエッチング処理装置の監視方法 |
| JP2014186994A (ja) * | 2013-02-20 | 2014-10-02 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| JP2016032096A (ja) * | 2014-07-25 | 2016-03-07 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
| JP2019186334A (ja) * | 2018-04-06 | 2019-10-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
-
1997
- 1997-10-30 JP JP29823097A patent/JP3792865B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003009363A1 (fr) * | 2001-07-10 | 2003-01-30 | Tokyo Electron Limited | Processeur a plasma et procede de traitement au plasma |
| US8056503B2 (en) | 2001-07-10 | 2011-11-15 | Tokyo Electron Limited | Plasma procesor and plasma processing method |
| US8387562B2 (en) | 2001-07-10 | 2013-03-05 | Tokyo Electron Limited | Plasma processor and plasma processing method |
| US8904957B2 (en) | 2001-07-10 | 2014-12-09 | Tokyo Electron Limited | Plasma processor and plasma processing method |
| US9437402B2 (en) | 2001-07-10 | 2016-09-06 | Tokyo Electron Limited | Plasma processor and plasma processing method |
| US9728381B2 (en) | 2001-07-10 | 2017-08-08 | Tokyo Electron Limited | Plasma processor and plasma processing method |
| JP2007234869A (ja) * | 2006-03-01 | 2007-09-13 | Hitachi High-Technologies Corp | エッチング処理装置および自己バイアス電圧測定方法ならびにエッチング処理装置の監視方法 |
| JP2014186994A (ja) * | 2013-02-20 | 2014-10-02 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
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| JP2019186334A (ja) * | 2018-04-06 | 2019-10-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| US11875977B2 (en) | 2018-04-06 | 2024-01-16 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3792865B2 (ja) | 2006-07-05 |
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