JPH11135544A - ワイヤボンディングツール - Google Patents
ワイヤボンディングツールInfo
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- JPH11135544A JPH11135544A JP29918597A JP29918597A JPH11135544A JP H11135544 A JPH11135544 A JP H11135544A JP 29918597 A JP29918597 A JP 29918597A JP 29918597 A JP29918597 A JP 29918597A JP H11135544 A JPH11135544 A JP H11135544A
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- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】ワイヤの圧着を繰り返してもビルトアップが少
なく、また、適度な速度で静電気を逃がすことができる
とともに、ワイヤボンディングツールの先端面への溝加
工時やワイヤの圧着時において、溝のエッジ部に欠けや
割れのないワイヤボンディングツールを提供することに
ある。 【解決手段】ワイヤボンディングツール１の少なくとも
先端部２を、導電性付与剤としてＦｅ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃ
ｏの酸化物のうち一種以上を１０〜３５重量％の範囲で
含有するとともに、残部が実質的にＹ2 Ｏ3 、ＣａＯ、
ＭｇＯ、ＣｅＯ2等の安定化剤により部分安定化された
ジルコニアからなり、その焼結体の破壊靱性値が５．５
ＭＰａｍ1/2 以上でかつ表面抵抗値が１０6 〜１０9 Ω
・ｃｍである部分安定化ジルコニアセラミックスにより
形成する。
なく、また、適度な速度で静電気を逃がすことができる
とともに、ワイヤボンディングツールの先端面への溝加
工時やワイヤの圧着時において、溝のエッジ部に欠けや
割れのないワイヤボンディングツールを提供することに
ある。 【解決手段】ワイヤボンディングツール１の少なくとも
先端部２を、導電性付与剤としてＦｅ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃ
ｏの酸化物のうち一種以上を１０〜３５重量％の範囲で
含有するとともに、残部が実質的にＹ2 Ｏ3 、ＣａＯ、
ＭｇＯ、ＣｅＯ2等の安定化剤により部分安定化された
ジルコニアからなり、その焼結体の破壊靱性値が５．５
ＭＰａｍ1/2 以上でかつ表面抵抗値が１０6 〜１０9 Ω
・ｃｍである部分安定化ジルコニアセラミックスにより
形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ワイヤを所定の接
合位置に圧着させるためのワイヤボンディングツールに
関するものであり、特に、磁気ディスク装置の製造工程
において、ＭＲヘッドやＧＭＲヘッド等の磁気ヘッドと
磁気ヘッド支持体間におけるワイヤのアッセンブリ、磁
気ヘッド支持体と信号処理部間におけるワイヤのアッセ
ンブリ、あるいは磁気ヘッドの厚み加工におけるヘッド
と測定器をつなぐワイヤのアッセンブリ等に好適なもの
である。
合位置に圧着させるためのワイヤボンディングツールに
関するものであり、特に、磁気ディスク装置の製造工程
において、ＭＲヘッドやＧＭＲヘッド等の磁気ヘッドと
磁気ヘッド支持体間におけるワイヤのアッセンブリ、磁
気ヘッド支持体と信号処理部間におけるワイヤのアッセ
ンブリ、あるいは磁気ヘッドの厚み加工におけるヘッド
と測定器をつなぐワイヤのアッセンブリ等に好適なもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来、磁気ディスク装置の製造工程にお
いて、磁気ヘッドと磁気ヘッド支持体間におけるワイヤ
のアッセンブリ、磁気ヘッド支持体と信号処理部間にお
けるワイヤのアッセンブリ、あるいは磁気ヘッドの厚み
加工におけるヘッドと測定器をつなぐワイヤのアッセン
ブリ等において、ウェッジと呼ばれるワイヤボンディン
グツール（以下、ボンディングツールと称す。）が使用
されている。
いて、磁気ヘッドと磁気ヘッド支持体間におけるワイヤ
のアッセンブリ、磁気ヘッド支持体と信号処理部間にお
けるワイヤのアッセンブリ、あるいは磁気ヘッドの厚み
加工におけるヘッドと測定器をつなぐワイヤのアッセン
ブリ等において、ウェッジと呼ばれるワイヤボンディン
グツール（以下、ボンディングツールと称す。）が使用
されている。
【０００３】図１に一般的なボンディングツール１の形
状を示すように、長手方向に対して平面的に切りかいた
略円柱状の本体部５と、該本体部５から先細り状に絞ら
れた先端部２とからなり、図２に示すように上記先端部
２の先端面３には金属ワイヤの圧着時における押圧力を
高めるための溝４が刻設されていた。
状を示すように、長手方向に対して平面的に切りかいた
略円柱状の本体部５と、該本体部５から先細り状に絞ら
れた先端部２とからなり、図２に示すように上記先端部
２の先端面３には金属ワイヤの圧着時における押圧力を
高めるための溝４が刻設されていた。
【０００４】そして、このボンディングツール１によ
り、ワイヤを圧着させるには、まず、図４（ａ）のよう
に、ボンディングツール１でもってワイヤＷを所定の接
合位置まで案内し、図４（ｂ）のように所定の接合位置
にワイヤＷを押し付けたあと、ボンディングツール１で
もってワイヤＷに押圧力を加えながら、超音波振動を付
加することにより、図４（ｃ）のようにワイヤＷを所定
の接合位置に圧着させるようになっていた。
り、ワイヤを圧着させるには、まず、図４（ａ）のよう
に、ボンディングツール１でもってワイヤＷを所定の接
合位置まで案内し、図４（ｂ）のように所定の接合位置
にワイヤＷを押し付けたあと、ボンディングツール１で
もってワイヤＷに押圧力を加えながら、超音波振動を付
加することにより、図４（ｃ）のようにワイヤＷを所定
の接合位置に圧着させるようになっていた。
【０００５】また、従来よりこの種のボンディングツー
ル１は超硬合金により形成されていた。
ル１は超硬合金により形成されていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、超硬合金か
らなるボンディングツール１を用いて、ワイヤＷの圧着
を繰り返すと、溝４の表面にワイヤＷが付着する、所謂
ビルトアップが発生するために、ワイヤＷを圧着させる
ことができなくなるといった不都合があった。
らなるボンディングツール１を用いて、ワイヤＷの圧着
を繰り返すと、溝４の表面にワイヤＷが付着する、所謂
ビルトアップが発生するために、ワイヤＷを圧着させる
ことができなくなるといった不都合があった。
【０００７】そこで、ビルトアップが少なく、かつ導電
性を有するボンディングツール１として、チタン及びジ
ルコニウムから選択される少なくとも１種の元素の炭化
物、窒化物、硼化物からなる導電性付与剤を含有してな
るジルコニアセラミックスによって形成することが提案
されている（特開昭６４−４１２３２号公報）。
性を有するボンディングツール１として、チタン及びジ
ルコニウムから選択される少なくとも１種の元素の炭化
物、窒化物、硼化物からなる導電性付与剤を含有してな
るジルコニアセラミックスによって形成することが提案
されている（特開昭６４−４１２３２号公報）。
【０００８】このジルコニアセラミック製のボンディン
グツール１は、半導体装置の製造工程において、半導体
素子へのワイヤを圧着させるために提案されたものであ
り、静電気の発生に伴う塵埃の付着を防止するようにな
っていた。その為、体積固有抵抗値が１０-3〜１０-5Ω
・ｃｍと非常に小さいものであった。
グツール１は、半導体装置の製造工程において、半導体
素子へのワイヤを圧着させるために提案されたものであ
り、静電気の発生に伴う塵埃の付着を防止するようにな
っていた。その為、体積固有抵抗値が１０-3〜１０-5Ω
・ｃｍと非常に小さいものであった。
【０００９】しかしながら、このボンディングツール１
を磁気ディスク装置の製造工程におけるワイヤＷのアッ
センブリに使用することは難しかった。
を磁気ディスク装置の製造工程におけるワイヤＷのアッ
センブリに使用することは難しかった。
【００１０】即ち、近年、高密度記録のために、磁気ヘ
ッドとして磁気抵抗素子を用いたＭＲヘッドやＧＭＲヘ
ッドが主流となりつつあった。このヘッドは磁界による
抵抗の変化を利用するもので、磁気抵抗素子に微小な電
流を流し、磁界の変化とともに変化する電気抵抗を検出
することによって読み取りを行うもので、上記ジルコニ
アセラミック製のボンディングツール１をＭＲヘッドや
ＧＭＲヘッドを備えた磁気ディスク装置の製造工程に使
用すると、ボンディングツール１の抵抗値が低すぎるた
めに静電気が一気に除去される結果、大気摩擦による超
高電圧の放電が発生する恐れがあり、圧着させるワイヤ
Ｗを介してヘッドに大電流が流れて磁気抵抗素子を破壊
してしまうといった課題があった。
ッドとして磁気抵抗素子を用いたＭＲヘッドやＧＭＲヘ
ッドが主流となりつつあった。このヘッドは磁界による
抵抗の変化を利用するもので、磁気抵抗素子に微小な電
流を流し、磁界の変化とともに変化する電気抵抗を検出
することによって読み取りを行うもので、上記ジルコニ
アセラミック製のボンディングツール１をＭＲヘッドや
ＧＭＲヘッドを備えた磁気ディスク装置の製造工程に使
用すると、ボンディングツール１の抵抗値が低すぎるた
めに静電気が一気に除去される結果、大気摩擦による超
高電圧の放電が発生する恐れがあり、圧着させるワイヤ
Ｗを介してヘッドに大電流が流れて磁気抵抗素子を破壊
してしまうといった課題があった。
【００１１】また、ジルコニアセラミックスは一般的に
他のセラミックスと比較して破壊靱性値や強度が高いも
のの、導電性付与剤を多量に添加するとジルコニアセラ
ミックスの破壊靱性値や強度が低下するために、ボンデ
ィングツール１の先端面３への溝４の加工時（例えば、
ダイシング装置による研削加工）、あるいはワイヤＷの
圧着時において、溝４のエッジ部に欠けや割れを生じる
恐れがあった。そして、溝４のエッジ部に欠けや割れが
あると、ワイヤＷに加える押圧力を高めることができな
いためにワイヤＷの密着強度が低下し、ワイヤＷが剥離
し易かった。
他のセラミックスと比較して破壊靱性値や強度が高いも
のの、導電性付与剤を多量に添加するとジルコニアセラ
ミックスの破壊靱性値や強度が低下するために、ボンデ
ィングツール１の先端面３への溝４の加工時（例えば、
ダイシング装置による研削加工）、あるいはワイヤＷの
圧着時において、溝４のエッジ部に欠けや割れを生じる
恐れがあった。そして、溝４のエッジ部に欠けや割れが
あると、ワイヤＷに加える押圧力を高めることができな
いためにワイヤＷの密着強度が低下し、ワイヤＷが剥離
し易かった。
【００１２】また、ワイヤＷの圧着部には溝４パターン
が転写されるのであるが、溝４のエッジ部に欠けや割れ
があると仕上がりあとの美観を損なうといった不都合も
あった。
が転写されるのであるが、溝４のエッジ部に欠けや割れ
があると仕上がりあとの美観を損なうといった不都合も
あった。
【００１３】さらに、上記ジルコニアセラミックスは、
導電性付与剤にチタンやジルコニウムの炭化物、窒化
物、硼化物を用いていることから、非酸化雰囲気中にて
焼成しなければならず、特殊な装置が必要になるととも
に、上記導電性付与剤は原料自体が高価であることから
製造コストが高くなるといった課題もあった。
導電性付与剤にチタンやジルコニウムの炭化物、窒化
物、硼化物を用いていることから、非酸化雰囲気中にて
焼成しなければならず、特殊な装置が必要になるととも
に、上記導電性付与剤は原料自体が高価であることから
製造コストが高くなるといった課題もあった。
【００１４】本発明はかかる事情に鑑みて成されたもの
であり、ワイヤのビルトアップが少なく、適度な導電性
を有するとともに、酸化雰囲気中での焼成が可能で安価
に製造できる高靱性の部分安定化ジルコニアセラミック
スによりワイヤボンディングツールを製作することで、
ＭＲヘッドやＧＭＲヘッドを備えた磁気ディスク装置の
製造工程において使用しても、ヘッドの磁気抵抗素子に
悪影響を与えることがなく、ワイヤＷを強固に圧着させ
ることができるとともに、長期間にわたって使えるよう
にすることにある。
であり、ワイヤのビルトアップが少なく、適度な導電性
を有するとともに、酸化雰囲気中での焼成が可能で安価
に製造できる高靱性の部分安定化ジルコニアセラミック
スによりワイヤボンディングツールを製作することで、
ＭＲヘッドやＧＭＲヘッドを備えた磁気ディスク装置の
製造工程において使用しても、ヘッドの磁気抵抗素子に
悪影響を与えることがなく、ワイヤＷを強固に圧着させ
ることができるとともに、長期間にわたって使えるよう
にすることにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、先端部
が先細り状をなし、その先端面にてワイヤを押圧して圧
着させるためのワイヤボンディングツールにおいて、少
なくとも先端部が、導電性付与剤としてＦｅ、Ｃｒ、Ｎ
ｉ、Ｃｏの酸化物のうち一種以上を１０〜３５重量％の
範囲で含有するとともに、残部が実質的にＹ2 Ｏ3 、Ｃ
ａＯ、ＭｇＯ、ＣｅＯ2 等の安定化剤により部分安定化
されたジルコニアからなり、その焼結体の破壊靱性値が
５．５ＭＰａｍ1/2 以上でかつ表面抵抗値が１０6 〜１
０9 Ω・ｃｍである部分安定化ジルコニアセラミックス
により形成したことを特徴とする。
が先細り状をなし、その先端面にてワイヤを押圧して圧
着させるためのワイヤボンディングツールにおいて、少
なくとも先端部が、導電性付与剤としてＦｅ、Ｃｒ、Ｎ
ｉ、Ｃｏの酸化物のうち一種以上を１０〜３５重量％の
範囲で含有するとともに、残部が実質的にＹ2 Ｏ3 、Ｃ
ａＯ、ＭｇＯ、ＣｅＯ2 等の安定化剤により部分安定化
されたジルコニアからなり、その焼結体の破壊靱性値が
５．５ＭＰａｍ1/2 以上でかつ表面抵抗値が１０6 〜１
０9 Ω・ｃｍである部分安定化ジルコニアセラミックス
により形成したことを特徴とする。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を説明す
る。
る。
【００１７】図１は本発明に係るワイヤボンディングツ
ール１の一実施形態を示す図で、（ａ）は正面図、
（ｂ）は側面図であり、図２はワイヤボンディングツー
ル１の先端部２を拡大した図で、（ａ）は正面図、
（ｂ）は側面図である。
ール１の一実施形態を示す図で、（ａ）は正面図、
（ｂ）は側面図であり、図２はワイヤボンディングツー
ル１の先端部２を拡大した図で、（ａ）は正面図、
（ｂ）は側面図である。
【００１８】このワイヤボンディングツール１（以下、
ボンディングツールと称す。）は、長手方向に対して平
面的に切りかいた略円柱状の本体部５と、該本体部５か
ら先細り状に絞られた先端部２とからなり、該先端部２
の先端面３には一方の側面から他方の側面まで貫通する
半円状の溝４を刻設してあり、ワイヤＷの圧着時におけ
る押圧力を高めるようになっている。なお、溝４のパタ
ーンとしてはざまざまなものがあり、例えば、図３
（ａ）のように二本の溝４を平行に刻設したものや、図
３（ｂ）のように溝４を碁盤目状に刻設したものなど、
ワイヤＷの圧着時における押圧力を高めるために少なく
とも一つの溝４を備えていれば良い。
ボンディングツールと称す。）は、長手方向に対して平
面的に切りかいた略円柱状の本体部５と、該本体部５か
ら先細り状に絞られた先端部２とからなり、該先端部２
の先端面３には一方の側面から他方の側面まで貫通する
半円状の溝４を刻設してあり、ワイヤＷの圧着時におけ
る押圧力を高めるようになっている。なお、溝４のパタ
ーンとしてはざまざまなものがあり、例えば、図３
（ａ）のように二本の溝４を平行に刻設したものや、図
３（ｂ）のように溝４を碁盤目状に刻設したものなど、
ワイヤＷの圧着時における押圧力を高めるために少なく
とも一つの溝４を備えていれば良い。
【００１９】そして、このボンディングツール１により
ワイヤＷを圧着させるには、まず、図４（ａ）のよう
に、ボンディングツール１でもってワイヤＷを所定の接
合位置まで案内し、図４（ｂ）のように所定の接合位置
にワイヤＷを押し付けたあと、ボンディングツール１で
もってワイヤＷに押圧力を加えながら、超音波振動を付
加することにより、図４（ｃ）のようにワイヤＷを所定
の接合位置に強固に圧着させるようになっている。
ワイヤＷを圧着させるには、まず、図４（ａ）のよう
に、ボンディングツール１でもってワイヤＷを所定の接
合位置まで案内し、図４（ｂ）のように所定の接合位置
にワイヤＷを押し付けたあと、ボンディングツール１で
もってワイヤＷに押圧力を加えながら、超音波振動を付
加することにより、図４（ｃ）のようにワイヤＷを所定
の接合位置に強固に圧着させるようになっている。
【００２０】また、このボンディングツール１は全体
を、導電性付与剤としてＦｅ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｏの酸化
物のうち一種以上を含有してなり、焼結体の破壊靱性値
が５．５ＭＰａｍ1/2 以上でかつ表面抵抗値が１０6 〜
１０9 Ω・ｃｍである部分安定化ジルコニアセラミック
スにより形成してある。
を、導電性付与剤としてＦｅ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｏの酸化
物のうち一種以上を含有してなり、焼結体の破壊靱性値
が５．５ＭＰａｍ1/2 以上でかつ表面抵抗値が１０6 〜
１０9 Ω・ｃｍである部分安定化ジルコニアセラミック
スにより形成してある。
【００２１】部分安定化ジルコニアセラミックスの破壊
靱性値が５．５ＭＰａｍ1/2 未満であると、ボンディン
グツール１の先端面３への溝４の加工時（例えば、ダイ
シング装置による研削加工）あるいはワイヤＷの圧着時
において、溝４のエッジ部に欠けや割れが発生するため
に、そのようなボンディングツール１を用いてワイヤＷ
を圧着させても大きな押圧力を加えることができないた
めに密着強度が低くなり、ワイヤＷが剥がれ易くなると
ともに、ワイヤＷの圧着部には溝４パターンが転写され
るのであるが、溝４のエッジ部に欠けや割れがあると仕
上がりあとの美観を損なうからである。
靱性値が５．５ＭＰａｍ1/2 未満であると、ボンディン
グツール１の先端面３への溝４の加工時（例えば、ダイ
シング装置による研削加工）あるいはワイヤＷの圧着時
において、溝４のエッジ部に欠けや割れが発生するため
に、そのようなボンディングツール１を用いてワイヤＷ
を圧着させても大きな押圧力を加えることができないた
めに密着強度が低くなり、ワイヤＷが剥がれ易くなると
ともに、ワイヤＷの圧着部には溝４パターンが転写され
るのであるが、溝４のエッジ部に欠けや割れがあると仕
上がりあとの美観を損なうからである。
【００２２】また、部分安定化ジルコニアセラミックス
の表面抵抗値を１０6 〜１０9 Ω・ｃｍするのは、１０
9 Ω・ｃｍより大きくなると、絶縁性が高すぎるために
静電気の除去効果が得られないからであり、逆に、１０
6 Ω・ｃｍより小さくなると、先端部２に溜まった静電
気が一気に逃げ易くなるため、大気摩擦による放電が発
生し易くなるからである。
の表面抵抗値を１０6 〜１０9 Ω・ｃｍするのは、１０
9 Ω・ｃｍより大きくなると、絶縁性が高すぎるために
静電気の除去効果が得られないからであり、逆に、１０
6 Ω・ｃｍより小さくなると、先端部２に溜まった静電
気が一気に逃げ易くなるため、大気摩擦による放電が発
生し易くなるからである。
【００２３】なお、より好ましい部分安定化ジルコニア
セラミックスの特性としては、破壊靱性値が６．０ＭＰ
ａｍ1/2 以上でかつ表面抵抗値が１０7 〜１０9 Ω・ｃ
ｍの範囲にあるものが良い。
セラミックスの特性としては、破壊靱性値が６．０ＭＰ
ａｍ1/2 以上でかつ表面抵抗値が１０7 〜１０9 Ω・ｃ
ｍの範囲にあるものが良い。
【００２４】このような特性を持たせるためには、上記
導電性付与剤を１０〜３５重量％、好ましくは１０〜２
５重量％の範囲で含有するとともに、残部が実質的にＹ
2 Ｏ3 、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＣｅＯ2 等の安定化剤によっ
て部分安定化されたジルコニアから構成されていること
が必要で、その焼結体中の全ジルコニア量に対する単斜
晶以外のジルコニア量が９０％以上、好ましくは９５％
以上であるものが良い。
導電性付与剤を１０〜３５重量％、好ましくは１０〜２
５重量％の範囲で含有するとともに、残部が実質的にＹ
2 Ｏ3 、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＣｅＯ2 等の安定化剤によっ
て部分安定化されたジルコニアから構成されていること
が必要で、その焼結体中の全ジルコニア量に対する単斜
晶以外のジルコニア量が９０％以上、好ましくは９５％
以上であるものが良い。
【００２５】即ち、導電性付与剤の含有量が１０重量％
未満では抵抗値を下げる効果が小さく、表面抵抗値を１
０9 Ω・ｃｍ以下とすることができないからであり、逆
に、３５重量％より多くなると、焼結体の破壊靱性値を
５．５ＭＰａｍ1/2 以上とすることができず、溝４の加
工時やワイヤＷの圧着時において溝４のエッジ部に欠け
や割れが発生し易くなるとともに、表面抵抗値が１０6
Ω・ｃｍ未満にまで低下して大気摩擦による放電が発生
し易くなるからである。しかも、上記導電性付与剤は鉄
系金属の酸化物であるため、多量に含有させると磁気を
帯び易くなるといった不都合もあった。
未満では抵抗値を下げる効果が小さく、表面抵抗値を１
０9 Ω・ｃｍ以下とすることができないからであり、逆
に、３５重量％より多くなると、焼結体の破壊靱性値を
５．５ＭＰａｍ1/2 以上とすることができず、溝４の加
工時やワイヤＷの圧着時において溝４のエッジ部に欠け
や割れが発生し易くなるとともに、表面抵抗値が１０6
Ω・ｃｍ未満にまで低下して大気摩擦による放電が発生
し易くなるからである。しかも、上記導電性付与剤は鉄
系金属の酸化物であるため、多量に含有させると磁気を
帯び易くなるといった不都合もあった。
【００２６】一方、ジルコニアの結晶状態には立方晶、
正方晶、単斜晶の３つの状態があり、特に正方晶ジルコ
ニアは外部応力に対し、応力誘軌変態を受けて単斜晶ジ
ルコニアに相変態し、この時に生じる体積膨張によって
単斜晶ジルコニアの周囲に微小なマイクロクラックを形
成して外部応力の進行を阻止できるため、ジルコニアセ
ラミックスの破壊靱性値や強度等の機械的特性を高める
ことができる。そして、焼結体中における全ジルコニア
量に対する単斜晶以外のジルコニア量を９０％以上とす
れば、導電性付与剤を含有していることによる破壊靱性
値や曲げ強度等の劣化を抑えることができる。
正方晶、単斜晶の３つの状態があり、特に正方晶ジルコ
ニアは外部応力に対し、応力誘軌変態を受けて単斜晶ジ
ルコニアに相変態し、この時に生じる体積膨張によって
単斜晶ジルコニアの周囲に微小なマイクロクラックを形
成して外部応力の進行を阻止できるため、ジルコニアセ
ラミックスの破壊靱性値や強度等の機械的特性を高める
ことができる。そして、焼結体中における全ジルコニア
量に対する単斜晶以外のジルコニア量を９０％以上とす
れば、導電性付与剤を含有していることによる破壊靱性
値や曲げ強度等の劣化を抑えることができる。
【００２７】なお、ジルコニアセラミックス中の全ジル
コニア量に対する単斜晶以外のジルコニア量を算出する
には、Ｘ線回折により単斜晶ジルコニアのＸ線回折強度
と、単斜晶ジルコニア以外のジルコニア（正方晶ジルコ
ニアと立方晶ジルコニア）のＸ線回折強度をそれぞれ測
定し、数１により算出することができる。
コニア量に対する単斜晶以外のジルコニア量を算出する
には、Ｘ線回折により単斜晶ジルコニアのＸ線回折強度
と、単斜晶ジルコニア以外のジルコニア（正方晶ジルコ
ニアと立方晶ジルコニア）のＸ線回折強度をそれぞれ測
定し、数１により算出することができる。
【００２８】
【数１】
【００２９】さらに、上記ジルコニアセラミックスに
は、焼成温度抑制剤としてＣａ、Ｋ、Ｎａ、Ｍｇ、Ｚ
ｎ、Ｓｃなどの酸化物を３重量％以下の範囲で含有する
こともできる。これらの焼成温度抑制剤は、低温での焼
結を可能とするためジルコニア及び導電性付与剤の粒成
長を抑えることができ、破壊靱性値は勿論のこと、曲げ
強度や硬度等の機械的特性を高めることができる。
は、焼成温度抑制剤としてＣａ、Ｋ、Ｎａ、Ｍｇ、Ｚ
ｎ、Ｓｃなどの酸化物を３重量％以下の範囲で含有する
こともできる。これらの焼成温度抑制剤は、低温での焼
結を可能とするためジルコニア及び導電性付与剤の粒成
長を抑えることができ、破壊靱性値は勿論のこと、曲げ
強度や硬度等の機械的特性を高めることができる。
【００３０】なお、残部が実質的にジルコニアからなる
とは、上記導電性付与剤以外の他の成分は殆どがジルコ
ニアからなり、他の成分を含んでいたとしても不可避不
純物と焼成温度抑制剤を３重量％以下の範囲で含む以外
は他の成分を積極的に添加していないことを指す。
とは、上記導電性付与剤以外の他の成分は殆どがジルコ
ニアからなり、他の成分を含んでいたとしても不可避不
純物と焼成温度抑制剤を３重量％以下の範囲で含む以外
は他の成分を積極的に添加していないことを指す。
【００３１】また、圧着時におけるワイヤＷのビルトア
ップを抑えるとともに、焼結体の機械的特性を高め、溝
４のエッジ部における欠けや割れを防ぐためには、ジル
コニアの平均結晶粒子径を０．２〜０．５μｍとするこ
とが良い。これはジルコニアの平均結晶粒子径が０．５
μｍより大きくなると、破壊靱性値や硬度等の機械的特
性が大きく低下するとともに、溝４の加工後における面
粗さが粗くなり過ぎるためにワイヤＷのビルトアップが
発生し易くなるからである。なお、下限値を０．２μｍ
未満としたのは、０．２μｍとすることは製造上難しい
からである。
ップを抑えるとともに、焼結体の機械的特性を高め、溝
４のエッジ部における欠けや割れを防ぐためには、ジル
コニアの平均結晶粒子径を０．２〜０．５μｍとするこ
とが良い。これはジルコニアの平均結晶粒子径が０．５
μｍより大きくなると、破壊靱性値や硬度等の機械的特
性が大きく低下するとともに、溝４の加工後における面
粗さが粗くなり過ぎるためにワイヤＷのビルトアップが
発生し易くなるからである。なお、下限値を０．２μｍ
未満としたのは、０．２μｍとすることは製造上難しい
からである。
【００３２】さらに導電性付与剤の平均結晶粒子径が大
き過ぎても部分安定化ジルコニアセラミックスの破壊靱
性値や曲げ強度等の機械的特性を低下させるため、５μ
ｍ以下、好ましくは３μｍ以下とすることが良い。
き過ぎても部分安定化ジルコニアセラミックスの破壊靱
性値や曲げ強度等の機械的特性を低下させるため、５μ
ｍ以下、好ましくは３μｍ以下とすることが良い。
【００３３】かくして本発明のボンディングツール１
は、先端面３への溝４の加工時あるいは圧着の繰り返し
において溝４のエッジ部に欠けや割れを生じることがな
く、また、ワイヤＷのビルトアップも少ないために、長
期使用が可能であるとともに、静電気が発生したとして
も徐々に逃がすことができるため、大気摩擦による放電
の発生がなく、導通短絡による取り扱い不良事故を防ぐ
ことができ、さらには非磁性であることから磁気を帯び
ることもない。
は、先端面３への溝４の加工時あるいは圧着の繰り返し
において溝４のエッジ部に欠けや割れを生じることがな
く、また、ワイヤＷのビルトアップも少ないために、長
期使用が可能であるとともに、静電気が発生したとして
も徐々に逃がすことができるため、大気摩擦による放電
の発生がなく、導通短絡による取り扱い不良事故を防ぐ
ことができ、さらには非磁性であることから磁気を帯び
ることもない。
【００３４】その為、本発明のボンディングツール１を
ＭＲヘッドやＧＭＲヘッドを備えた磁気ディスク装置の
製造工程に用いても、ヘッドの磁気抵抗素子に悪影響を
及ぼすことなく、ワイヤＷを所定の接合位置に強固に圧
着させることができるとともに、ワイヤＷの圧着面には
ボンディングツール１の溝パターンが転写され、見た目
にも美しい仕上げ面とすることができる。
ＭＲヘッドやＧＭＲヘッドを備えた磁気ディスク装置の
製造工程に用いても、ヘッドの磁気抵抗素子に悪影響を
及ぼすことなく、ワイヤＷを所定の接合位置に強固に圧
着させることができるとともに、ワイヤＷの圧着面には
ボンディングツール１の溝パターンが転写され、見た目
にも美しい仕上げ面とすることができる。
【００３５】次に、図１に示すボンディングツール１の
製造方法について説明する。
製造方法について説明する。
【００３６】まず、ＺｒＯ2 粉末に対し、安定化剤とし
てＹ2 Ｏ3 、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＣｅＯ2 を所定の範囲で
添加する。例えば、Ｙ2 Ｏ3 についてはＺｒＯ2 に対し
３〜９ｍｏｌ％の範囲で、ＣａＯについてはＺｒＯ2 に
対し８〜１２ｍｏｌ％の範囲で、ＭｇＯについてはＺｒ
Ｏ2 に対し１６〜２６ｍｏｌ％の範囲で、ＣｅＯ2 につ
いては１０〜１６ｍｏｌ％の範囲でそれぞれ添加すれば
良く、これらの範囲で添加すればジルコニアを部分安定
化することができる。なお、安定化剤は粉末の状態で添
加する以外に、予め共沈法などによりＺｒＯ2 粉末中に
所定の範囲で固溶させても良い。
てＹ2 Ｏ3 、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＣｅＯ2 を所定の範囲で
添加する。例えば、Ｙ2 Ｏ3 についてはＺｒＯ2 に対し
３〜９ｍｏｌ％の範囲で、ＣａＯについてはＺｒＯ2 に
対し８〜１２ｍｏｌ％の範囲で、ＭｇＯについてはＺｒ
Ｏ2 に対し１６〜２６ｍｏｌ％の範囲で、ＣｅＯ2 につ
いては１０〜１６ｍｏｌ％の範囲でそれぞれ添加すれば
良く、これらの範囲で添加すればジルコニアを部分安定
化することができる。なお、安定化剤は粉末の状態で添
加する以外に、予め共沈法などによりＺｒＯ2 粉末中に
所定の範囲で固溶させても良い。
【００３７】また、導電性付与剤としては、Ｆｅ
2 Ｏ3 、Ｃｒ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、Ｃｏ3 Ｏ4のうち一種以
上を１０〜３５重量％添加する。なお、焼成温度を下げ
るためにＣａ、Ｋ、Ｎａ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｓｃなどの酸化
物を３重量％以下の範囲で添加しても良い。
2 Ｏ3 、Ｃｒ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、Ｃｏ3 Ｏ4のうち一種以
上を１０〜３５重量％添加する。なお、焼成温度を下げ
るためにＣａ、Ｋ、Ｎａ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｓｃなどの酸化
物を３重量％以下の範囲で添加しても良い。
【００３８】そして、これらの粉末を調合し、粉末プレ
ス成形法や射出成形法等の公知のセラミック成形手段に
て所定の形状に成形したあと、得られた成形体を焼成す
るのであるが、導電性付与剤が酸化物であることから酸
化雰囲気中で焼成することができる。
ス成形法や射出成形法等の公知のセラミック成形手段に
て所定の形状に成形したあと、得られた成形体を焼成す
るのであるが、導電性付与剤が酸化物であることから酸
化雰囲気中で焼成することができる。
【００３９】具体的には酸化雰囲気中にて１４５０〜１
５５０℃の温度で１〜数時間焼成すれば良く、焼成温度
抑制剤を添加したものにおいては、酸化雰囲気中にて１
３５０〜１４５０℃の温度で１〜数時間焼成すれば良
い。
５５０℃の温度で１〜数時間焼成すれば良く、焼成温度
抑制剤を添加したものにおいては、酸化雰囲気中にて１
３５０〜１４５０℃の温度で１〜数時間焼成すれば良
い。
【００４０】このような条件にて焼成すれば、焼結体中
における全ジルコニア量に対する単斜晶以外のジルコニ
ア量を９０％以上とすることができ、破壊靱性値５．５
ＭＰａｍ1/2 以上、曲げ強度７００ＭＰａ以上を有する
部分安定化ジルコニアセラミックスを得ることができ
る。
における全ジルコニア量に対する単斜晶以外のジルコニ
ア量を９０％以上とすることができ、破壊靱性値５．５
ＭＰａｍ1/2 以上、曲げ強度７００ＭＰａ以上を有する
部分安定化ジルコニアセラミックスを得ることができ
る。
【００４１】なお、得られた部分安定化ジルコニアセラ
ミックスにＨＩＰ処理を施してさらに機械的特性を高め
ても良い。
ミックスにＨＩＰ処理を施してさらに機械的特性を高め
ても良い。
【００４２】しかるのち、得られたジルコニアセラミッ
クスを必要に応じて適宜研削や研磨加工を施したあと、
ダイシング装置によって先端面３の一方の側面から他方
の側面に貫通する溝４を形成することより、図１に示す
ボンディングツール１を得ることができる。
クスを必要に応じて適宜研削や研磨加工を施したあと、
ダイシング装置によって先端面３の一方の側面から他方
の側面に貫通する溝４を形成することより、図１に示す
ボンディングツール１を得ることができる。
【００４３】なお、図１にはボンディングツール１の全
体を部分安定化ジルコニアセラミックスにより形成した
例を示したが、例えば、ボンディングツール１の先端部
２を部分安定化ジルコニアセラミックスにより形成し、
本体部５をステンレス、アルミニウム合金、黄銅といっ
た金属や樹脂により形成し、両者を接合したものであっ
ても良いことは言うまでもない。また、図１においては
ウェッジと呼ばれるボンディングツール１を示しが、こ
れ以外に、先端部が先細り状をなし、ワイヤを挿通させ
る貫通孔を具備してなるキャピラリと呼ばれるボンディ
ングツールに適用することもできる。
体を部分安定化ジルコニアセラミックスにより形成した
例を示したが、例えば、ボンディングツール１の先端部
２を部分安定化ジルコニアセラミックスにより形成し、
本体部５をステンレス、アルミニウム合金、黄銅といっ
た金属や樹脂により形成し、両者を接合したものであっ
ても良いことは言うまでもない。また、図１においては
ウェッジと呼ばれるボンディングツール１を示しが、こ
れ以外に、先端部が先細り状をなし、ワイヤを挿通させ
る貫通孔を具備してなるキャピラリと呼ばれるボンディ
ングツールに適用することもできる。
【００４４】（実施例）ここで、導電性付与剤の材質及
び含有量を変えて、破壊靱性値、曲げ強度、ビッカース
硬度、表面抵抗値、磁性の有無等を異ならせた部分安定
化ジルコニアセラミックスによりボンディングツール１
を試作し、先端面３への溝４の加工時における破損（欠
けや割れ）の有無、静電気の除去度合いを測定した。
び含有量を変えて、破壊靱性値、曲げ強度、ビッカース
硬度、表面抵抗値、磁性の有無等を異ならせた部分安定
化ジルコニアセラミックスによりボンディングツール１
を試作し、先端面３への溝４の加工時における破損（欠
けや割れ）の有無、静電気の除去度合いを測定した。
【００４５】本実験では、破壊靱性値をＪＩＳ Ｒ１６
０７に基づいて測定し、曲げ強度については別に用意し
た各試料片を用いてＪＩＳ Ｒ１６０１に基づいて測定
した。ただし、曲げ強度において、ＪＩＳで規定する寸
法の試験片が得られない時は、ワイブル係数と有効体積
を加味した公知の手法によりＪＩＳに規定する試験片で
の曲げ強度に換算すれば良い。
０７に基づいて測定し、曲げ強度については別に用意し
た各試料片を用いてＪＩＳ Ｒ１６０１に基づいて測定
した。ただし、曲げ強度において、ＪＩＳで規定する寸
法の試験片が得られない時は、ワイブル係数と有効体積
を加味した公知の手法によりＪＩＳに規定する試験片で
の曲げ強度に換算すれば良い。
【００４６】また、ジルコニア焼結体中の全ジルコニア
量に対する単斜晶以外のジルコニア量は、Ｘ線回折によ
り各ジルコニアのＸ線回折強度を求め、前述の数１によ
り算出し、表面抵抗値については、シシド静電気製簡易
表面抵抗計（メガレスタＨＴ−３０１）によって測定す
るとともに、磁性の有無については、振動試料型磁力計
により残留磁束密度を測定し、１４ガウス以下であった
ものを「磁性なし」、１４ガウスより高かったものを
「磁性有り」として評価した。
量に対する単斜晶以外のジルコニア量は、Ｘ線回折によ
り各ジルコニアのＸ線回折強度を求め、前述の数１によ
り算出し、表面抵抗値については、シシド静電気製簡易
表面抵抗計（メガレスタＨＴ−３０１）によって測定す
るとともに、磁性の有無については、振動試料型磁力計
により残留磁束密度を測定し、１４ガウス以下であった
ものを「磁性なし」、１４ガウスより高かったものを
「磁性有り」として評価した。
【００４７】さらに、破損の有無については、０．３ｍ
ｍ×０．３ｍｍの先端面３に、０．０５ｍｍの幅を有す
る半円状の溝４をダイシング装置によって形成した２０
本のボンディングツール１のうち、溝４のエッジ部に欠
けや割れがなかったものの割合が８５％未満であったも
のを×、８５％以上であったものを○として評価し、静
電気の除去度合いについては、ボンディングツール１に
１０００Ｖの電圧を印加し、その先端より３ｃｍ離れた
部位での電圧とその降下時間を測定し、その測定部位で
の電圧値が１００Ｖとなるまでの降下時間が０．１〜２
０秒の間にあるものを○、それ以外のものを×として評
価した。
ｍ×０．３ｍｍの先端面３に、０．０５ｍｍの幅を有す
る半円状の溝４をダイシング装置によって形成した２０
本のボンディングツール１のうち、溝４のエッジ部に欠
けや割れがなかったものの割合が８５％未満であったも
のを×、８５％以上であったものを○として評価し、静
電気の除去度合いについては、ボンディングツール１に
１０００Ｖの電圧を印加し、その先端より３ｃｍ離れた
部位での電圧とその降下時間を測定し、その測定部位で
の電圧値が１００Ｖとなるまでの降下時間が０．１〜２
０秒の間にあるものを○、それ以外のものを×として評
価した。
【００４８】各ジルコニアセラミックスの組成と特性及
び結果は表１にそれぞれ示す通りである。
び結果は表１にそれぞれ示す通りである。
【００４９】なお、本実験に用いた部分安定化ジルコニ
アセラミックスは、いずれもＺｒＯ2 に対しＹ2 Ｏ3 を
３ｍｏｌ％添加して部分安定化したもので、導電性付与
剤として、Ｆｅ2 Ｏ3 、Ｃｒ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、Ｃｏ3 Ｏ
4 のうちいずれか一種を添加した。
アセラミックスは、いずれもＺｒＯ2 に対しＹ2 Ｏ3 を
３ｍｏｌ％添加して部分安定化したもので、導電性付与
剤として、Ｆｅ2 Ｏ3 、Ｃｒ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、Ｃｏ3 Ｏ
4 のうちいずれか一種を添加した。
【００５０】
【表１】
【００５１】この結果、Ｆｅ2 Ｏ3 の含有量が１０重量
％未満である試料Ｎｏ．１，２は、優れた機械的特性
（曲げ強度、破壊靱性値、ビッカース硬度）を有したい
たものの、表面抵抗値が１０9 Ω・ｃｍより高いために
静電気の除去効果が得られなかった。
％未満である試料Ｎｏ．１，２は、優れた機械的特性
（曲げ強度、破壊靱性値、ビッカース硬度）を有したい
たものの、表面抵抗値が１０9 Ω・ｃｍより高いために
静電気の除去効果が得られなかった。
【００５２】また、Ｆｅ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、Ｃｏ3 Ｏ4 、
Ｃｒ2 Ｏ3 の含有量が３５重量％より多い試料Ｎｏ．６
〜８，10,12,14は、導電性付与剤の添加量が多すぎるた
めに機械的特性が大きく低下し、中でも破壊靱性値が
５．５ＭＰａｍ1/2 未満にまで低下した。その為、ボン
ディングツール１への溝４加工時おいて、破損が激しか
った。しかも、表面抵抗値が１０6 Ω・ｃｍ未満と低い
ために、静電気が一気に逃げてしまうといった問題もあ
った。
Ｃｒ2 Ｏ3 の含有量が３５重量％より多い試料Ｎｏ．６
〜８，10,12,14は、導電性付与剤の添加量が多すぎるた
めに機械的特性が大きく低下し、中でも破壊靱性値が
５．５ＭＰａｍ1/2 未満にまで低下した。その為、ボン
ディングツール１への溝４加工時おいて、破損が激しか
った。しかも、表面抵抗値が１０6 Ω・ｃｍ未満と低い
ために、静電気が一気に逃げてしまうといった問題もあ
った。
【００５３】これに対し、Ｆｅ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、Ｃｏ3
Ｏ4 、Ｃｒ2 Ｏ3 の含有量が１０〜３５重量％の範囲に
ある試料Ｎｏ．３〜５，９, 11,13 は、いずれも破壊靱
性値が５．５ＭＰａｍ1/2 以上であるため、ボンディン
グツール１への溝４加工時おいて、殆ど破損が見られな
かった。しかも、各材質は非磁性であり、表面抵抗値が
１０6 〜１０9 Ω・ｃｍの範囲にあるため、静電気を適
度な速度で逃がすことができ、優れた静電気除去効果も
有していた。
Ｏ4 、Ｃｒ2 Ｏ3 の含有量が１０〜３５重量％の範囲に
ある試料Ｎｏ．３〜５，９, 11,13 は、いずれも破壊靱
性値が５．５ＭＰａｍ1/2 以上であるため、ボンディン
グツール１への溝４加工時おいて、殆ど破損が見られな
かった。しかも、各材質は非磁性であり、表面抵抗値が
１０6 〜１０9 Ω・ｃｍの範囲にあるため、静電気を適
度な速度で逃がすことができ、優れた静電気除去効果も
有していた。
【００５４】この結果、導電性付与剤としてＦｅ、Ｎ
ｉ、Ｃｏ、Ｃｒの酸化物のうち一種以上を１０〜３５重
量％の範囲で含有するとともに、残部がＹ2 Ｏ3 により
部分安定化されたジルコニアからなり、その焼結体の破
壊靱性値が５．５ＭＰａｍ1/2以上でかつ表面抵抗値が
１０6 〜１０9 Ω・ｃｍである部分安定化ジルコニアセ
ラミックスによりボンディングツール１を製作すれば、
先端面３における溝４のエッジ部に破損がなく、かつ適
度なスピードで静電気を除去できることが判った。
ｉ、Ｃｏ、Ｃｒの酸化物のうち一種以上を１０〜３５重
量％の範囲で含有するとともに、残部がＹ2 Ｏ3 により
部分安定化されたジルコニアからなり、その焼結体の破
壊靱性値が５．５ＭＰａｍ1/2以上でかつ表面抵抗値が
１０6 〜１０9 Ω・ｃｍである部分安定化ジルコニアセ
ラミックスによりボンディングツール１を製作すれば、
先端面３における溝４のエッジ部に破損がなく、かつ適
度なスピードで静電気を除去できることが判った。
【００５５】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、先端部
が先細り状をなし、その先端面にてワイヤを押圧して圧
着させるためのワイヤボンディングツールにおいて、少
なくとも先端部を、導電性付与剤としてＦｅ、Ｃｒ、Ｎ
ｉ、Ｃｏの酸化物のうち一種以上を１０〜３５重量％の
範囲で含有するとともに、残部が実質的にＹ2 Ｏ3 、Ｃ
ａＯ、ＭｇＯ、ＣｅＯ2 等の安定化剤により部分安定化
されたジルコニアからなり、その焼結体の破壊靱性値が
５．５ＭＰａｍ1/2 以上でかつ表面抵抗値が１０6 〜１
０9 Ω・ｃｍである部分安定化ジルコニアセラミックス
により形成したことから、圧着の繰り返しにおいて静電
気が発生したとしても徐々に逃がすことができるため、
導通短絡による取り扱い不良事故を生じることがなく、
また、非磁性であることから磁気を帯びることもない。
が先細り状をなし、その先端面にてワイヤを押圧して圧
着させるためのワイヤボンディングツールにおいて、少
なくとも先端部を、導電性付与剤としてＦｅ、Ｃｒ、Ｎ
ｉ、Ｃｏの酸化物のうち一種以上を１０〜３５重量％の
範囲で含有するとともに、残部が実質的にＹ2 Ｏ3 、Ｃ
ａＯ、ＭｇＯ、ＣｅＯ2 等の安定化剤により部分安定化
されたジルコニアからなり、その焼結体の破壊靱性値が
５．５ＭＰａｍ1/2 以上でかつ表面抵抗値が１０6 〜１
０9 Ω・ｃｍである部分安定化ジルコニアセラミックス
により形成したことから、圧着の繰り返しにおいて静電
気が発生したとしても徐々に逃がすことができるため、
導通短絡による取り扱い不良事故を生じることがなく、
また、非磁性であることから磁気を帯びることもない。
【００５６】しかも、ワイヤのビルトアップが少なく、
また、ボンディングツールの先端面への溝の加工時ある
いはワイヤの圧着時に溝のエッジ部に欠けや割れを生じ
ることがないため、長期間にわたって使用することがで
きる。
また、ボンディングツールの先端面への溝の加工時ある
いはワイヤの圧着時に溝のエッジ部に欠けや割れを生じ
ることがないため、長期間にわたって使用することがで
きる。
【００５７】その為、本発明のボンディングツールをＭ
ＲヘッドやＧＭＲヘッドを備えた磁気ディスク装置の製
造工程に用いても、ヘッドの磁気抵抗素子に悪影響を及
ぼすことなく、ワイヤを所定の接合位置に強固に圧着さ
せることができるとともに、ワイヤの圧着面にはボンデ
ィングツールの溝パターンが転写され、見た目にも美し
い仕上げ面とすることができる。
ＲヘッドやＧＭＲヘッドを備えた磁気ディスク装置の製
造工程に用いても、ヘッドの磁気抵抗素子に悪影響を及
ぼすことなく、ワイヤを所定の接合位置に強固に圧着さ
せることができるとともに、ワイヤの圧着面にはボンデ
ィングツールの溝パターンが転写され、見た目にも美し
い仕上げ面とすることができる。
【図１】本発明に係るワイヤボンディングツールの一実
施形態を示す図であり、（ａ）は正面図、（ｂ）は側面
図である。
施形態を示す図であり、（ａ）は正面図、（ｂ）は側面
図である。
【図２】本発明に係るワイヤボンディングツールの先端
部を拡大した図であり、（ａ）は正面図、（ｂ）は側面
図である。
部を拡大した図であり、（ａ）は正面図、（ｂ）は側面
図である。
【図３】（ａ）（ｂ）はワイヤボンディングツールの先
端面におけるさまざまな溝パターンを示す図である。
端面におけるさまざまな溝パターンを示す図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）はワイヤボンディングツールに
よるワイヤの圧着工程を示す説明図である。
よるワイヤの圧着工程を示す説明図である。
１・・・ワイヤボンディングツール ２・・・先端部
３・・・先端面 ４・・・溝 ５・・・本体部 Ｗ・・・ワイヤ
３・・・先端面 ４・・・溝 ５・・・本体部 Ｗ・・・ワイヤ
Claims (1)
- 【請求項１】先端部が先細り状をなし、その先端面にて
ワイヤを押圧して圧着させるためのワイヤボンディング
ツールにおいて、少なくとも上記先端部が、導電性付与
剤としてＦｅ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｏの酸化物のうち一種以
上を１０〜３５重量％の範囲で含有するとともに、残部
が実質的にＹ2 Ｏ3 、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＣｅＯ2 等の安
定化剤により部分安定化されたジルコニアからなり、そ
の焼結体の破壊靱性値が５．５ＭＰａｍ1/2 以上でかつ
表面抵抗値が１０6 〜１０9 Ω・ｃｍである部分安定化
ジルコニアセラミックスにより形成したことを特徴とす
るワイヤボンディングツール。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29918597A JP3450166B2 (ja) | 1997-10-30 | 1997-10-30 | ワイヤボンディングツール |
| US09/214,049 US6274524B1 (en) | 1997-04-25 | 1998-04-22 | Semiconductive zirconia sintering body and electrostatic removing member constructed by semiconductive zirconia sintering body |
| PCT/JP1998/001882 WO1998049121A1 (en) | 1997-04-25 | 1998-04-22 | Semiconductive zirconia sinter and destaticizing member comprising semiconductive zirconia sinter |
| US09/853,416 US6602813B2 (en) | 1997-04-25 | 2001-05-10 | Electrostatic removing member having semiconductive zirconia sintered body |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29918597A JP3450166B2 (ja) | 1997-10-30 | 1997-10-30 | ワイヤボンディングツール |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11135544A true JPH11135544A (ja) | 1999-05-21 |
| JP3450166B2 JP3450166B2 (ja) | 2003-09-22 |
Family
ID=17869251
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29918597A Expired - Fee Related JP3450166B2 (ja) | 1997-04-25 | 1997-10-30 | ワイヤボンディングツール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3450166B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005285959A (ja) * | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Tadahiro Omi | 雰囲気制御された接合装置、接合方法および電子装置 |
| JP2006013297A (ja) * | 2004-06-29 | 2006-01-12 | Murata Mfg Co Ltd | 超音波接合装置 |
| JP2006508011A (ja) * | 2002-11-22 | 2006-03-09 | サン−ゴバン セラミックス アンド プラスティクス，インコーポレイティド | ジルコニア強化アルミナのｅｓｄ保護用セラミック組成物、部材及びそれを形成するための方法 |
| US7094718B2 (en) | 2000-11-21 | 2006-08-22 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | ESD dissipative ceramics |
| KR101970285B1 (ko) * | 2018-11-22 | 2019-04-18 | 에스피반도체통신(주) | 반도체용 와이어 본딩 공구 |
| WO2025080465A1 (en) * | 2023-10-12 | 2025-04-17 | Kulicke And Soffa Industries, Inc. | Wedge bonding tools and methods of forming wire bonds |
-
1997
- 1997-10-30 JP JP29918597A patent/JP3450166B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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