JPH11140429A - ケミカルメカニカル研磨用研磨材および研磨方法 - Google Patents
ケミカルメカニカル研磨用研磨材および研磨方法Info
- Publication number
- JPH11140429A JPH11140429A JP30856497A JP30856497A JPH11140429A JP H11140429 A JPH11140429 A JP H11140429A JP 30856497 A JP30856497 A JP 30856497A JP 30856497 A JP30856497 A JP 30856497A JP H11140429 A JPH11140429 A JP H11140429A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- abrasive
- fluoride
- abrasive grains
- workpiece
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 103
- 239000000126 substance Substances 0.000 title claims abstract description 37
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 30
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 claims abstract description 40
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 18
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- SGWCNDDOFLBOQV-UHFFFAOYSA-N oxidanium;fluoride Chemical compound O.F SGWCNDDOFLBOQV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 35
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 25
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 20
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 12
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 12
- 239000010453 quartz Substances 0.000 abstract description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 abstract description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 abstract description 3
- -1 copper or aluminum Chemical class 0.000 abstract description 2
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 abstract description 2
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 18
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 16
- 239000010408 film Substances 0.000 description 13
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 8
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 7
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 5
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 4
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 239000005385 borate glass Substances 0.000 description 3
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 3
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 2
- YIXJRHPUWRPCBB-UHFFFAOYSA-N magnesium nitrate Chemical compound [Mg+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O YIXJRHPUWRPCBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWLFXVTYGDIEGY-UHFFFAOYSA-L magnesium;difluoride;hydrate Chemical compound O.[F-].[F-].[Mg+2] GWLFXVTYGDIEGY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910016509 CuF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018104 Ni-P Inorganic materials 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018536 Ni—P Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940104869 fluorosilicate Drugs 0.000 description 1
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 1
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 231100000252 nontoxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000003000 nontoxic effect Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000005304 optical glass Substances 0.000 description 1
- 239000007779 soft material Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高度に研磨された表面を必要とするセラミ
ック、ガラス、結晶物質、アモルファス物質、金属等の
硬質の被研磨加工物の研磨加工に使用するケミカルメカ
ニカル研磨用研磨材および研磨方法に関し、被加工物の
ケミカルメカニカル研磨加工性に優れ、しかもスクラッ
チ傷の発生、パーティクル残留等の加工ダメージを与え
ることがないようにすることを課題とする。 【解決手段】 フッ化物砥粒あるいはフッ化物水和物
砥粒を１種以上含有させたケミカルメカニカル研磨用研
磨材、およびこの研磨材を使用してＳｉ，Ａｌ，Ｗ，Ｃ
ｕ等の元素を１種以上含有する被研磨加工物をケミカル
メカニカル研磨する研磨方法を構成する。
ック、ガラス、結晶物質、アモルファス物質、金属等の
硬質の被研磨加工物の研磨加工に使用するケミカルメカ
ニカル研磨用研磨材および研磨方法に関し、被加工物の
ケミカルメカニカル研磨加工性に優れ、しかもスクラッ
チ傷の発生、パーティクル残留等の加工ダメージを与え
ることがないようにすることを課題とする。 【解決手段】 フッ化物砥粒あるいはフッ化物水和物
砥粒を１種以上含有させたケミカルメカニカル研磨用研
磨材、およびこの研磨材を使用してＳｉ，Ａｌ，Ｗ，Ｃ
ｕ等の元素を１種以上含有する被研磨加工物をケミカル
メカニカル研磨する研磨方法を構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高度に研磨された
表面を必要とするセラミック、ガラス、結晶物質、アモ
ルファス物質、金属等の硬質の被研磨加工物の研磨加工
に使用するケミカルメカニカル研磨用研磨材および研磨
方法に関する。
表面を必要とするセラミック、ガラス、結晶物質、アモ
ルファス物質、金属等の硬質の被研磨加工物の研磨加工
に使用するケミカルメカニカル研磨用研磨材および研磨
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のＳｉ元素を含有する被研磨加工物
表面のケミカルメカニカル研磨に用いられる研磨材とし
ては、例えばシリコンウエハやシリコンウエハ上に形成
されたＳｉＯ2 膜等の研磨加工では、コロイダルシリカ
やヒュームドシリカ等のシリカ系砥粒をアルカリ性溶液
に懸濁させた水性スラリ研磨材が用いられており、ま
た、光学ガラスや表示素子等に用いられるガラス等の研
磨加工では、酸化セリウム砥粒を含有する研磨材が用い
られている。
表面のケミカルメカニカル研磨に用いられる研磨材とし
ては、例えばシリコンウエハやシリコンウエハ上に形成
されたＳｉＯ2 膜等の研磨加工では、コロイダルシリカ
やヒュームドシリカ等のシリカ系砥粒をアルカリ性溶液
に懸濁させた水性スラリ研磨材が用いられており、ま
た、光学ガラスや表示素子等に用いられるガラス等の研
磨加工では、酸化セリウム砥粒を含有する研磨材が用い
られている。
【０００３】〔問題点〕これらシリカ系や酸化セリウム
系の砥粒を含有する研磨材は、被研磨加工物の加工速度
等の研磨性は優れているものの、砥粒の硬度はモース硬
度で６〜７程度と、被研磨加工物の硬度と同等レベル以
上と硬質であり、研磨時にケミカルメカニカル研磨作用
に必要な量以上の砥粒が被研磨加工物の表面に存在する
場合には、被研磨加工物の表面や内部にまでスクラッチ
傷や加工歪等の加工ダメージを与えてしまい、その結
果、歩留りを低下させる大きな原因となっていた。
系の砥粒を含有する研磨材は、被研磨加工物の加工速度
等の研磨性は優れているものの、砥粒の硬度はモース硬
度で６〜７程度と、被研磨加工物の硬度と同等レベル以
上と硬質であり、研磨時にケミカルメカニカル研磨作用
に必要な量以上の砥粒が被研磨加工物の表面に存在する
場合には、被研磨加工物の表面や内部にまでスクラッチ
傷や加工歪等の加工ダメージを与えてしまい、その結
果、歩留りを低下させる大きな原因となっていた。
【０００４】シリカ系の砥粒を含有する研磨材では、研
磨後の被研磨加工物表面への砥粒付着が起こりやすく、
研磨後の被研磨加工物表面の洗浄に手間がかかったり、
パーティクルとなって研磨後の被研磨加工物表面に残留
してしまい、不良の原因となっており、また、酸化セリ
ウム砥粒を含有する研磨材でも、酸化セリウムが酸に極
めて溶解しにくいために、同様に研磨後の被研磨加工物
表面に付着した砥粒の除去に手間がかかったり、表面に
段差のあるような被研磨加工物では、研磨が均一に行わ
れにくかった。
磨後の被研磨加工物表面への砥粒付着が起こりやすく、
研磨後の被研磨加工物表面の洗浄に手間がかかったり、
パーティクルとなって研磨後の被研磨加工物表面に残留
してしまい、不良の原因となっており、また、酸化セリ
ウム砥粒を含有する研磨材でも、酸化セリウムが酸に極
めて溶解しにくいために、同様に研磨後の被研磨加工物
表面に付着した砥粒の除去に手間がかかったり、表面に
段差のあるような被研磨加工物では、研磨が均一に行わ
れにくかった。
【０００５】このように、シリコンウエハや半導体ウエ
ハ等、それらのウエハ上に形成された絶縁膜、または石
英、ガラス板等の鏡面仕上げ研磨では、シリカ系研磨材
にアルカリ金属成分を添加してケミカルメカニカル研磨
を行っていたが、スクラッチ傷の発生、パーティクル残
留等により歩留りを低下させる問題点があった。このた
めシリカ系研磨材、酸化セリウム系研磨材に変わる新規
な研磨材料が求められており、また、金属系被研磨加工
物においても新規な研磨材料が求められていた。
ハ等、それらのウエハ上に形成された絶縁膜、または石
英、ガラス板等の鏡面仕上げ研磨では、シリカ系研磨材
にアルカリ金属成分を添加してケミカルメカニカル研磨
を行っていたが、スクラッチ傷の発生、パーティクル残
留等により歩留りを低下させる問題点があった。このた
めシリカ系研磨材、酸化セリウム系研磨材に変わる新規
な研磨材料が求められており、また、金属系被研磨加工
物においても新規な研磨材料が求められていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来の技術
における問題点に鑑みて成されたものであり、この問題
点を解消するため具体的に設定された課題は、被研磨加
工物に対するケミカルメカニカル研磨加工性に優れ、し
かもスクラッチ傷の発生、パーティクル残留等の加工ダ
メージを与えることのないケミカルメカニカル研磨用研
磨材および研磨方法を提供することである。
における問題点に鑑みて成されたものであり、この問題
点を解消するため具体的に設定された課題は、被研磨加
工物に対するケミカルメカニカル研磨加工性に優れ、し
かもスクラッチ傷の発生、パーティクル残留等の加工ダ
メージを与えることのないケミカルメカニカル研磨用研
磨材および研磨方法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明における請求項１
に係るケミカルメカニカル研磨用研磨材は、フッ化物砥
粒あるいはフッ化物水和物砥粒を１種以上含有させたこ
とを特徴とするものである。
に係るケミカルメカニカル研磨用研磨材は、フッ化物砥
粒あるいはフッ化物水和物砥粒を１種以上含有させたこ
とを特徴とするものである。
【０００８】また、請求項２に係るケミカルメカニカル
研磨用研磨材は、前記フッ化物砥粒あるいはフッ化物水
和物砥粒が、Ｃａ，Ｍｇ，Ｂａ，Ｓｒ，Ａｌ，Ｚｒ，Ｆ
ｅ，Ｃｒ，Ｂｉ，Ｉｎ，Ｙ，Ｇａ，Ｓｍ，Ｐｒ，Ｌａ，
Ｃｅ，Ｖ，Ｍｎ，Ｍｏの元素を１種以上含むことを特徴
とする。
研磨用研磨材は、前記フッ化物砥粒あるいはフッ化物水
和物砥粒が、Ｃａ，Ｍｇ，Ｂａ，Ｓｒ，Ａｌ，Ｚｒ，Ｆ
ｅ，Ｃｒ，Ｂｉ，Ｉｎ，Ｙ，Ｇａ，Ｓｍ，Ｐｒ，Ｌａ，
Ｃｅ，Ｖ，Ｍｎ，Ｍｏの元素を１種以上含むことを特徴
とする。
【０００９】また、請求項３に係る研磨方法は、請求項
１または２記載のケミカルメカニカル研磨材を用いてＳ
ｉ，Ａｌ，Ｗ，Ｃｕの元素を１種以上含有する被研磨加
工物をケミカルメカニカル研磨することを特徴とするも
のである。
１または２記載のケミカルメカニカル研磨材を用いてＳ
ｉ，Ａｌ，Ｗ，Ｃｕの元素を１種以上含有する被研磨加
工物をケミカルメカニカル研磨することを特徴とするも
のである。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を具体
的に説明する。ただし、この実施の形態は、発明の趣旨
をより良く理解させるため具体的に説明するものであ
り、特に指定のない限り、発明内容を限定するものでは
ない。
的に説明する。ただし、この実施の形態は、発明の趣旨
をより良く理解させるため具体的に説明するものであ
り、特に指定のない限り、発明内容を限定するものでは
ない。
【００１１】この実施の形態で用いるケミカルメカニカ
ル研磨用研磨材は、ケミカルメカニカル研磨が、通常、
空気中で行われたり、あるいは砥粒が分散・懸濁した水
性スラリ状で用いられることが多いため、水に対する溶
解性が小さく、しかも空気中で安定なフッ化物あるいは
フッ化物水和物の砥粒を用いることが好ましい。フッ化
物材料は、一般的にモース硬度で２〜４程度であり、軟
質材料であるから、加工ダメージを被研磨加工物に与え
ず済む。
ル研磨用研磨材は、ケミカルメカニカル研磨が、通常、
空気中で行われたり、あるいは砥粒が分散・懸濁した水
性スラリ状で用いられることが多いため、水に対する溶
解性が小さく、しかも空気中で安定なフッ化物あるいは
フッ化物水和物の砥粒を用いることが好ましい。フッ化
物材料は、一般的にモース硬度で２〜４程度であり、軟
質材料であるから、加工ダメージを被研磨加工物に与え
ず済む。
【００１２】フッ化物あるいはフッ化物水和物の砥粒
は、Ｃａ，Ｍｇ，Ｂａ，Ｓｒ，Ａｌ，Ｚｒ，Ｆｅ，Ｃ
ｒ，Ｂｉ，Ｉｎ，Ｙ，Ｇａ，Ｓｍ，Ｐｒ，Ｌａ，Ｃｅ，
Ｖ，Ｍｎ，Ｍｏ等の元素を１種以上含む材料から選択す
ることが好ましい。例えば、Ｍを上記元素１種以上と
し、ｘ，ｙ，ｎは任意数として、一般式 (1)，(2) で表
される材料が挙げられる。 Ｍx Ｆy … （１） Ｍx Ｆy ・ｎＨ2 Ｏ … （２）
は、Ｃａ，Ｍｇ，Ｂａ，Ｓｒ，Ａｌ，Ｚｒ，Ｆｅ，Ｃ
ｒ，Ｂｉ，Ｉｎ，Ｙ，Ｇａ，Ｓｍ，Ｐｒ，Ｌａ，Ｃｅ，
Ｖ，Ｍｎ，Ｍｏ等の元素を１種以上含む材料から選択す
ることが好ましい。例えば、Ｍを上記元素１種以上と
し、ｘ，ｙ，ｎは任意数として、一般式 (1)，(2) で表
される材料が挙げられる。 Ｍx Ｆy … （１） Ｍx Ｆy ・ｎＨ2 Ｏ … （２）
【００１３】これらを単独で、もしくはこれらの混合物
を使用することにしても良い。さらに、従来から一般的
に使用されていたシリカ系あるいは酸化セリウム系等の
砥粒と併用しても良い。フッ化物あるいはフッ化物水和
物の砥粒の粒径は、特に制限はないが、通常は10 μｍ
より小さい砥粒が研磨後表面の表面粗さが良好になるの
で好ましい。
を使用することにしても良い。さらに、従来から一般的
に使用されていたシリカ系あるいは酸化セリウム系等の
砥粒と併用しても良い。フッ化物あるいはフッ化物水和
物の砥粒の粒径は、特に制限はないが、通常は10 μｍ
より小さい砥粒が研磨後表面の表面粗さが良好になるの
で好ましい。
【００１４】フッ化物あるいはフッ化物水和物の砥粒を
含有する研磨材で研磨される被研磨加工物は、被研磨加
工物を構成する元素として、Ｓｉ，Ａｌ，Ｗ，Ｃｕ等を
１種以上含む材料が好適である。また、ＧａＡｓ，Ｉｎ
Ｐ，ＧａＡｓＰ，ＣａＩｎＳｅ2 ，ＣｄＴｅ等の化合物
半導体材料、ＬｉＮｂＯ3 ，ＬｉＴａＯ3 等の光学結晶
材料、Ｎｉ−Ｐ等の磁性材料等も研磨可能である。
含有する研磨材で研磨される被研磨加工物は、被研磨加
工物を構成する元素として、Ｓｉ，Ａｌ，Ｗ，Ｃｕ等を
１種以上含む材料が好適である。また、ＧａＡｓ，Ｉｎ
Ｐ，ＧａＡｓＰ，ＣａＩｎＳｅ2 ，ＣｄＴｅ等の化合物
半導体材料、ＬｉＮｂＯ3 ，ＬｉＴａＯ3 等の光学結晶
材料、Ｎｉ−Ｐ等の磁性材料等も研磨可能である。
【００１５】Ｓｉ，Ａｌ，Ｗ，Ｃｕ等を１種以上含む材
料としては、例えば、シリコンウエハ、シリコンウエハ
上のシリカ膜や有機シリカ膜、水晶、石英、珪酸ガラ
ス、硼酸ガラス、サファイア、あるいはアルミニウム、
タングステン、銅等の金属材料で形成された配線や板等
に適用できる。
料としては、例えば、シリコンウエハ、シリコンウエハ
上のシリカ膜や有機シリカ膜、水晶、石英、珪酸ガラ
ス、硼酸ガラス、サファイア、あるいはアルミニウム、
タングステン、銅等の金属材料で形成された配線や板等
に適用できる。
【００１６】このフッ化物あるいはフッ化物水和物の砥
粒を含有する研磨材による前記被研磨加工物の研磨メカ
ニズムは、以下に示すケミカルメカニカル研磨（以下、
ＣＭＰと略す）が生じているものと考えられる。
粒を含有する研磨材による前記被研磨加工物の研磨メカ
ニズムは、以下に示すケミカルメカニカル研磨（以下、
ＣＭＰと略す）が生じているものと考えられる。
【００１７】例えば被研磨加工物がシリカ系材料では、
フッ化物砥粒としてフッ化マグネシウム、アルカリ成分
として水酸化カリウムを用いてＣＭＰを行うと、 ＭｇＦ2 ＋ＳｉＯ2 ＋ＫＯＨ → 〔Ｋ+ ＋Ｓｉ
Ｆ6 2- 〕＋Ｍｇ（ＯＨ）2 の反応によりフルオロ珪酸を生成し、ＣＭＰが進行する
ものと考えられる。
フッ化物砥粒としてフッ化マグネシウム、アルカリ成分
として水酸化カリウムを用いてＣＭＰを行うと、 ＭｇＦ2 ＋ＳｉＯ2 ＋ＫＯＨ → 〔Ｋ+ ＋Ｓｉ
Ｆ6 2- 〕＋Ｍｇ（ＯＨ）2 の反応によりフルオロ珪酸を生成し、ＣＭＰが進行する
ものと考えられる。
【００１８】また、アルミナ系材料では、同様に、フル
オロアルミン酸（ＡｌＦ6 3- ）の生成によりＣＭＰが進
行するものと考えられる。この他、アルカリ成分を被研
磨加工物中に含有する珪酸塩ガラスや硼酸塩ガラスでも
同様のＣＭＰメカニズムと考えており、したがって、前
記ガラスではアルカリ成分を添加しなくてもＣＭＰが進
行し、前記フッ化物あるいはフッ化物水和物の砥粒を含
有する研磨材を用いることにより乾式ケミカルメカニカ
ル研磨が可能である。
オロアルミン酸（ＡｌＦ6 3- ）の生成によりＣＭＰが進
行するものと考えられる。この他、アルカリ成分を被研
磨加工物中に含有する珪酸塩ガラスや硼酸塩ガラスでも
同様のＣＭＰメカニズムと考えており、したがって、前
記ガラスではアルカリ成分を添加しなくてもＣＭＰが進
行し、前記フッ化物あるいはフッ化物水和物の砥粒を含
有する研磨材を用いることにより乾式ケミカルメカニカ
ル研磨が可能である。
【００１９】一方、被研磨加工物がＡｌ，Ｗ，Ｃｕ等を
含む材料では、金属成分を溶解させないレベルの酸性成
分が共存する場合、 ＭｇＦ2 ＋ Ｃｕ → ＣｕＦ2 （水中へ溶解）
＋ Ｍｇ2+ のようなＣＭＰが進行しているものと考えられる。
含む材料では、金属成分を溶解させないレベルの酸性成
分が共存する場合、 ＭｇＦ2 ＋ Ｃｕ → ＣｕＦ2 （水中へ溶解）
＋ Ｍｇ2+ のようなＣＭＰが進行しているものと考えられる。
【００２０】この実施の形態におけるＣＭＰでは、特に
制限を設けるものではなく、ケミカルメカニカル研磨材
料中に他の研磨材を併用しても良く、また、添加剤を加
えても良い。さらにまた、従来の研磨方法や研磨装置を
使用して行うことも可能である。
制限を設けるものではなく、ケミカルメカニカル研磨材
料中に他の研磨材を併用しても良く、また、添加剤を加
えても良い。さらにまた、従来の研磨方法や研磨装置を
使用して行うことも可能である。
【００２１】代表的な研磨方法を例示すると、研磨砥粒
を研磨クロスと被加工物との間に供給しつつ回転させて
乾式ＣＭＰを行う方法、研磨砥粒を加えて分散させたス
ラリを、研磨クロスと被加工物との間に供給しつつ回転
させて湿式ＣＭＰを行う方法、あるいは、前記研磨砥粒
をテープ状、砥石状に成形し、または発泡体中に固定さ
せたＣＭＰ用研磨体を被加工物に接触させてＣＭＰを行
う方法等がある。
を研磨クロスと被加工物との間に供給しつつ回転させて
乾式ＣＭＰを行う方法、研磨砥粒を加えて分散させたス
ラリを、研磨クロスと被加工物との間に供給しつつ回転
させて湿式ＣＭＰを行う方法、あるいは、前記研磨砥粒
をテープ状、砥石状に成形し、または発泡体中に固定さ
せたＣＭＰ用研磨体を被加工物に接触させてＣＭＰを行
う方法等がある。
【００２２】前記砥石状に成形するには、前記研磨砥粒
により砥石全体を成形する場合や砥石の被研磨加工物と
の接触部を部分的に形成させる場合とがあり、また、砥
石にも砥粒を結合剤なしで固化させるものと、レジノイ
ドボンド等の結合剤を使用して固化し形成させるものと
があり得る。
により砥石全体を成形する場合や砥石の被研磨加工物と
の接触部を部分的に形成させる場合とがあり、また、砥
石にも砥粒を結合剤なしで固化させるものと、レジノイ
ドボンド等の結合剤を使用して固化し形成させるものと
があり得る。
【００２３】このような例示した研磨方法の場合、乾式
または湿式のどちらにも適用可能であるが、被研磨加工
物の種類に応じて、適切に酸やアルカリ成分を含有させ
た溶液を、前記研磨体と被加工物との間に滴下して研磨
すると効果的である。
または湿式のどちらにも適用可能であるが、被研磨加工
物の種類に応じて、適切に酸やアルカリ成分を含有させ
た溶液を、前記研磨体と被加工物との間に滴下して研磨
すると効果的である。
【００２４】このような実施の形態によれば、フッ化物
またはフッ化物水和物の軟質な砥粒をＣＭＰ用研磨材と
して用いるため、ＣＭＰ中に被研磨加工物表面に加工ダ
メージを与えることなくＣＭＰが可能となる。
またはフッ化物水和物の軟質な砥粒をＣＭＰ用研磨材と
して用いるため、ＣＭＰ中に被研磨加工物表面に加工ダ
メージを与えることなくＣＭＰが可能となる。
【００２５】しかも、このＣＭＰによる研磨方法では、
ＣＭＰ後、純水洗浄や硝酸水溶液等の無毒性で取扱いの
容易な酸水溶液洗浄で、従来の研磨方法に比較して、被
加工物表面に付着した砥粒を容易に取り除くことがで
き、洗浄工程が従来の研磨方法になく簡単になり、パー
ティクルによる歩留り低下を引き起こすことがない優れ
た研磨方法が実現できる。
ＣＭＰ後、純水洗浄や硝酸水溶液等の無毒性で取扱いの
容易な酸水溶液洗浄で、従来の研磨方法に比較して、被
加工物表面に付着した砥粒を容易に取り除くことがで
き、洗浄工程が従来の研磨方法になく簡単になり、パー
ティクルによる歩留り低下を引き起こすことがない優れ
た研磨方法が実現できる。
【００２６】このため、これらの研磨方法を実施するこ
とにより、スクラッチ傷の発生、パーティクル残留等の
問題がなく、優れた研磨性能を有し、シリコンウエハや
半導体ウエハ、それらのウエハ上に形成された絶縁膜、
または石英やガラス板等の硬質材料、もしくは銅やアル
ミニウム等の軟質金属等の被研磨加工物に対する鏡面研
磨が効果的に達成できる。
とにより、スクラッチ傷の発生、パーティクル残留等の
問題がなく、優れた研磨性能を有し、シリコンウエハや
半導体ウエハ、それらのウエハ上に形成された絶縁膜、
または石英やガラス板等の硬質材料、もしくは銅やアル
ミニウム等の軟質金属等の被研磨加工物に対する鏡面研
磨が効果的に達成できる。
【００２７】
【実施例】〔実施例１〕ＣａＦ2 （関東化学（株）製、
試薬）をエタノール中で湿式粉砕後、乾燥し、平均粒径
が 1.5μｍとしたＣａＦ2 砥粒を調整し、次に、この砥
粒をＰＨ 10 のＫＯＨ水溶液に、砥粒濃度が４ｗｔ％と
なるように配合し分散させて、ＣａＦ2砥粒含有ケミカ
ルメカニカル研磨用研磨材を作製した。このような研磨
材を使用して表１に示した研磨条件でＳｉＯ2 膜のＣＭ
Ｐを実施した。ＣＭＰ後は、被加工物を表２に示す洗浄
条件で洗浄し、研磨結果とあわせて表３に洗浄結果を示
した。表３に示したように、良好なケミカルメカニカル
研磨が確認できた。
試薬）をエタノール中で湿式粉砕後、乾燥し、平均粒径
が 1.5μｍとしたＣａＦ2 砥粒を調整し、次に、この砥
粒をＰＨ 10 のＫＯＨ水溶液に、砥粒濃度が４ｗｔ％と
なるように配合し分散させて、ＣａＦ2砥粒含有ケミカ
ルメカニカル研磨用研磨材を作製した。このような研磨
材を使用して表１に示した研磨条件でＳｉＯ2 膜のＣＭ
Ｐを実施した。ＣＭＰ後は、被加工物を表２に示す洗浄
条件で洗浄し、研磨結果とあわせて表３に洗浄結果を示
した。表３に示したように、良好なケミカルメカニカル
研磨が確認できた。
【００２８】〔実施例２〕ＭｇＦ2 （関東化学（株）
製、試薬）をエタノール中で湿式粉砕後、乾燥し、平均
粒径が 1.3μｍとしたＭｇＦ2 砥粒を調整し、次に、こ
の砥粒をＰＨ 10 のＫＯＨ水溶液に、砥粒濃度が４ｗｔ
％となるように配合し分散させて、ＭｇＦ2砥粒含有ケ
ミカルメカニカル研磨用研磨材を作製した。このような
研磨材を使用して表１に示した研磨条件でＳｉＯ2 膜の
ＣＭＰを実施した。ＣＭＰ後は、被加工物を表２に示す
洗浄条件で洗浄し、研磨結果とあわせて表３に洗浄結果
を示した。表３に示したように、良好なケミカルメカニ
カル研磨が確認できた。
製、試薬）をエタノール中で湿式粉砕後、乾燥し、平均
粒径が 1.3μｍとしたＭｇＦ2 砥粒を調整し、次に、こ
の砥粒をＰＨ 10 のＫＯＨ水溶液に、砥粒濃度が４ｗｔ
％となるように配合し分散させて、ＭｇＦ2砥粒含有ケ
ミカルメカニカル研磨用研磨材を作製した。このような
研磨材を使用して表１に示した研磨条件でＳｉＯ2 膜の
ＣＭＰを実施した。ＣＭＰ後は、被加工物を表２に示す
洗浄条件で洗浄し、研磨結果とあわせて表３に洗浄結果
を示した。表３に示したように、良好なケミカルメカニ
カル研磨が確認できた。
【００２９】〔実施例３〕ＣｅＦ3 （関東化学（株）
製、試薬）をエタノール中で湿式粉砕後、乾燥し、平均
粒径が 1.3μｍとしたＣｅＦ3 砥粒を調整し、次に、こ
の砥粒をＰＨ 10 のＫＯＨ水溶液に、砥粒濃度が４ｗｔ
％となるように配合し分散させて、ＣｅＦ3砥粒含有ケ
ミカルメカニカル研磨用研磨材を作製した。このような
研磨材を使用して表１に示した研磨条件でＳｉＯ2 膜の
ＣＭＰを実施した。ＣＭＰ後は、被加工物を表２に示す
洗浄条件で洗浄し、研磨結果とあわせて表３に洗浄結果
を示した。表３に示したように、良好なケミカルメカニ
カル研磨が確認できた。
製、試薬）をエタノール中で湿式粉砕後、乾燥し、平均
粒径が 1.3μｍとしたＣｅＦ3 砥粒を調整し、次に、こ
の砥粒をＰＨ 10 のＫＯＨ水溶液に、砥粒濃度が４ｗｔ
％となるように配合し分散させて、ＣｅＦ3砥粒含有ケ
ミカルメカニカル研磨用研磨材を作製した。このような
研磨材を使用して表１に示した研磨条件でＳｉＯ2 膜の
ＣＭＰを実施した。ＣＭＰ後は、被加工物を表２に示す
洗浄条件で洗浄し、研磨結果とあわせて表３に洗浄結果
を示した。表３に示したように、良好なケミカルメカニ
カル研磨が確認できた。
【００３０】〔実施例４〕フッ化アンモニウム 660ｇを
溶解させた溶液 3200 ｇを硝酸マグネシウム2000ｇを溶
解させた溶液 8000 ｇに混合し、フッ化マグネシウム水
和物を得て、それを水洗いしたのち、砥粒固形分が４ｗ
ｔ％となるようにＫＯＨ水溶液を加えてＰＨ 10 に調整
したケミカルメカニカル研磨用研磨材を作製した。この
ような研磨材を使用して表１に示した研磨条件でＳｉＯ
2 膜のＣＭＰを実施した。ＣＭＰ後は、被加工物を表２
に示す洗浄条件で洗浄し、研磨結果とあわせて表３に洗
浄結果を示した。表３に示したように、良好なケミカル
メカニカル研磨が確認できた。
溶解させた溶液 3200 ｇを硝酸マグネシウム2000ｇを溶
解させた溶液 8000 ｇに混合し、フッ化マグネシウム水
和物を得て、それを水洗いしたのち、砥粒固形分が４ｗ
ｔ％となるようにＫＯＨ水溶液を加えてＰＨ 10 に調整
したケミカルメカニカル研磨用研磨材を作製した。この
ような研磨材を使用して表１に示した研磨条件でＳｉＯ
2 膜のＣＭＰを実施した。ＣＭＰ後は、被加工物を表２
に示す洗浄条件で洗浄し、研磨結果とあわせて表３に洗
浄結果を示した。表３に示したように、良好なケミカル
メカニカル研磨が確認できた。
【００３１】〔実施例５〕実施例４のフッ化マグネシウ
ム水和物を水洗いしたのち、蓚酸が１ｗｔ％含まれ、砥
粒濃度４ｗｔ％となるように、蓚酸と純水とを加えて、
攪拌混合し、ケミカルメカニカル研磨用研磨材を作製し
た。被研磨加工物としてＣｕ板を用い、実施例４と同様
の研磨条件で、ＣＭＰを実施した。ＣＭＰ後は、被加工
物を表２に示す洗浄条件で洗浄し、研磨結果とあわせて
表３に洗浄結果を示した。表３に示したように、良好な
ケミカルメカニカル研磨が確認できた。
ム水和物を水洗いしたのち、蓚酸が１ｗｔ％含まれ、砥
粒濃度４ｗｔ％となるように、蓚酸と純水とを加えて、
攪拌混合し、ケミカルメカニカル研磨用研磨材を作製し
た。被研磨加工物としてＣｕ板を用い、実施例４と同様
の研磨条件で、ＣＭＰを実施した。ＣＭＰ後は、被加工
物を表２に示す洗浄条件で洗浄し、研磨結果とあわせて
表３に洗浄結果を示した。表３に示したように、良好な
ケミカルメカニカル研磨が確認できた。
【００３２】〔比較例１〕シリカ微粉末（粒径 0.09 μ
ｍ）を砥粒濃度が４ｗｔ％となるようにＰＨ 10のＫＯ
Ｈ溶液に加えて混合分散させ、ケミカルメカニカル研磨
用研磨材を作製した。この研磨材を使用して、表１に示
した研磨条件でＳｉＯ2 膜のＣＭＰを実施した。ＣＭＰ
後は、被加工物を表２に示す洗浄条件で洗浄し、研磨結
果とあわせて表３に洗浄結果を示した。
ｍ）を砥粒濃度が４ｗｔ％となるようにＰＨ 10のＫＯ
Ｈ溶液に加えて混合分散させ、ケミカルメカニカル研磨
用研磨材を作製した。この研磨材を使用して、表１に示
した研磨条件でＳｉＯ2 膜のＣＭＰを実施した。ＣＭＰ
後は、被加工物を表２に示す洗浄条件で洗浄し、研磨結
果とあわせて表３に洗浄結果を示した。
【００３３】〔比較例２〕セリア微粉末（粒径 1.5μ
ｍ）をＰＨ 10 のＫＯＨ溶液に砥粒濃度が４ｗｔ％とな
るように加えて混合分散させ、ケミカルメカニカル研磨
用研磨材を作製した。この研磨材を使用して、表１に示
した研磨条件でＳｉＯ2 膜のＣＭＰを実施した。ＣＭＰ
後は、被加工物を表２に示す洗浄条件で洗浄し、研磨結
果とあわせて表３に洗浄結果を示した。
ｍ）をＰＨ 10 のＫＯＨ溶液に砥粒濃度が４ｗｔ％とな
るように加えて混合分散させ、ケミカルメカニカル研磨
用研磨材を作製した。この研磨材を使用して、表１に示
した研磨条件でＳｉＯ2 膜のＣＭＰを実施した。ＣＭＰ
後は、被加工物を表２に示す洗浄条件で洗浄し、研磨結
果とあわせて表３に洗浄結果を示した。
【００３４】
【表１】
【００３５】
【表２】
【００３６】
【表３】 注） 傷* ：スクラッチ傷 パーティクル* ：パーティクル除去率およびその他
【００３７】
【発明の効果】以上のように本発明では、請求項１に係
るケミカルメカニカル研磨用研磨材では、フッ化物砥粒
あるいはフッ化物水和物砥粒を１種以上含有させたこと
によって、シリコンウエハや半導体ウエハ、それらのウ
エハ上に形成された絶縁膜、または石英やガラス板等の
硬質材料、もしくは銅やアルミニウム等の軟質金属等の
被研磨加工物に対する優れた研磨性能を有し、鏡面仕上
げ研磨が効果的に達成できて、研磨加工に係るスクラッ
チ傷の発生、パーティクル残留等の問題点が解消され、
歩留りを向上させることができる。
るケミカルメカニカル研磨用研磨材では、フッ化物砥粒
あるいはフッ化物水和物砥粒を１種以上含有させたこと
によって、シリコンウエハや半導体ウエハ、それらのウ
エハ上に形成された絶縁膜、または石英やガラス板等の
硬質材料、もしくは銅やアルミニウム等の軟質金属等の
被研磨加工物に対する優れた研磨性能を有し、鏡面仕上
げ研磨が効果的に達成できて、研磨加工に係るスクラッ
チ傷の発生、パーティクル残留等の問題点が解消され、
歩留りを向上させることができる。
【００３８】また、請求項２に係るケミカルメカニカル
研磨用研磨材では、前記フッ化物砥粒あるいはフッ化物
水和物砥粒が、Ｃａ，Ｍｇ，Ｂａ，Ｓｒ，Ａｌ，Ｚｒ，
Ｆｅ，Ｃｒ，Ｂｉ，Ｉｎ，Ｙ，Ｇａ，Ｓｍ，Ｐｒ，Ｌ
ａ，Ｃｅ，Ｖ，Ｍｎ，Ｍｏの元素を１種以上含むことに
よって、軟質な研磨材料を形成することができ、効果的
にケミカルメカニカル研磨ができて、被研磨加工物に対
するスクラッチ傷の発生等の加工ダメージを効果的に抑
制でき、また、被研磨加工物の表面から付着した砥粒を
容易に除去できて洗浄性能が向上し、製品歩留りの向上
に大きく寄与することができる。
研磨用研磨材では、前記フッ化物砥粒あるいはフッ化物
水和物砥粒が、Ｃａ，Ｍｇ，Ｂａ，Ｓｒ，Ａｌ，Ｚｒ，
Ｆｅ，Ｃｒ，Ｂｉ，Ｉｎ，Ｙ，Ｇａ，Ｓｍ，Ｐｒ，Ｌ
ａ，Ｃｅ，Ｖ，Ｍｎ，Ｍｏの元素を１種以上含むことに
よって、軟質な研磨材料を形成することができ、効果的
にケミカルメカニカル研磨ができて、被研磨加工物に対
するスクラッチ傷の発生等の加工ダメージを効果的に抑
制でき、また、被研磨加工物の表面から付着した砥粒を
容易に除去できて洗浄性能が向上し、製品歩留りの向上
に大きく寄与することができる。
【００３９】また、請求項３に係る研磨方法では、請求
項１または２記載のケミカルメカニカル研磨用研磨材を
用いてＳｉ，Ａｌ，Ｗ，Ｃｕの元素を１種以上含有する
被研磨加工物をケミカルメカニカル研磨することによっ
て、シリコンウエハや半導体ウエハ、それらのウエハ上
に形成された絶縁膜、または有機シリカ膜、水晶、石
英、珪酸ガラス、硼酸ガラス、サファイア等の硬質材
料、もしくは銅、アルミニウム、タングステン等の金属
等で形成された配線や板材等を効果的に鏡面仕上げ研磨
でき、研磨品質を向上させることができるとともにコス
トダウンに寄与することができる。
項１または２記載のケミカルメカニカル研磨用研磨材を
用いてＳｉ，Ａｌ，Ｗ，Ｃｕの元素を１種以上含有する
被研磨加工物をケミカルメカニカル研磨することによっ
て、シリコンウエハや半導体ウエハ、それらのウエハ上
に形成された絶縁膜、または有機シリカ膜、水晶、石
英、珪酸ガラス、硼酸ガラス、サファイア等の硬質材
料、もしくは銅、アルミニウム、タングステン等の金属
等で形成された配線や板材等を効果的に鏡面仕上げ研磨
でき、研磨品質を向上させることができるとともにコス
トダウンに寄与することができる。
Claims (3)
- 【請求項１】フッ化物砥粒あるいはフッ化物水和物砥粒
を１種以上含有させたことを特徴とするケミカルメカニ
カル研磨用研磨材。 - 【請求項２】前記フッ化物砥粒あるいはフッ化物水和物
砥粒が、Ｃａ，Ｍｇ，Ｂａ，Ｓｒ，Ａｌ，Ｚｒ，Ｆｅ，
Ｃｒ，Ｂｉ，Ｉｎ，Ｙ，Ｇａ，Ｓｍ，Ｐｒ，Ｌａ，Ｃ
ｅ，Ｖ，Ｍｎ，Ｍｏの元素を１種以上含むことを特徴と
する請求項１記載のケミカルメカニカル研磨用研磨材。 - 【請求項３】請求項１または２記載のケミカルメカニカ
ル研磨材を用いてＳｉ，Ａｌ，Ｗ，Ｃｕの元素を１種以
上含有する被研磨加工物をケミカルメカニカル研磨する
ことを特徴とする研磨方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30856497A JPH11140429A (ja) | 1997-11-11 | 1997-11-11 | ケミカルメカニカル研磨用研磨材および研磨方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30856497A JPH11140429A (ja) | 1997-11-11 | 1997-11-11 | ケミカルメカニカル研磨用研磨材および研磨方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11140429A true JPH11140429A (ja) | 1999-05-25 |
Family
ID=17982549
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30856497A Pending JPH11140429A (ja) | 1997-11-11 | 1997-11-11 | ケミカルメカニカル研磨用研磨材および研磨方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11140429A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111363479A (zh) * | 2020-04-21 | 2020-07-03 | 山东麦丰新材料科技股份有限公司 | 一种镧铈改性氧化镁复合抛光粉的制备方法 |
-
1997
- 1997-11-11 JP JP30856497A patent/JPH11140429A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111363479A (zh) * | 2020-04-21 | 2020-07-03 | 山东麦丰新材料科技股份有限公司 | 一种镧铈改性氧化镁复合抛光粉的制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100429940B1 (ko) | 개선된 세리아 분말 | |
| JP4113282B2 (ja) | 研磨組成物及びそれを用いたエッジポリッシング方法 | |
| US5228886A (en) | Mechanochemical polishing abrasive | |
| US6325705B2 (en) | Chemical-mechanical polishing slurry that reduces wafer defects and polishing system | |
| JP3366901B2 (ja) | 化学機械的研磨組成物 | |
| US7452481B2 (en) | Polishing slurry and method of reclaiming wafers | |
| JP2001089749A (ja) | 研磨用組成物 | |
| JP2005268667A (ja) | 研磨用組成物 | |
| JP2003031529A (ja) | Ｃｍｐ用スラリー、およびこれを用いた半導体装置の製造方法 | |
| JP3668647B2 (ja) | 半導体ウエハ基板の再生法および半導体ウエハ基板再生用研磨液 | |
| JP2005159269A (ja) | 化学機械研磨材スラリー及びその使用方法 | |
| EP3516002B1 (en) | Chemical mechanical planarization slurry and method for forming same | |
| JP2004155913A (ja) | 研磨用砥粒及びその製造方法並びに研磨剤 | |
| US5935869A (en) | Method of planarizing semiconductor wafers | |
| JP2000158329A (ja) | ウェーハエッジ研磨方法 | |
| CA2039998A1 (en) | Mechanochemical polishing abrasive | |
| JP2001118815A (ja) | 半導体ウェーハエッジ研磨用研磨組成物及び研磨加工方法 | |
| EP3700990B1 (en) | Composition for conducting material removal operations and method for forming same | |
| JP2000265160A (ja) | 高速鏡面研磨用研磨材 | |
| JPH10102040A (ja) | 酸化セリウム研磨剤及び基板の研磨法 | |
| US6319095B1 (en) | Colloidal suspension of abrasive particles containing magnesium as CMP slurry | |
| JP2002030272A (ja) | 研磨用組成物およびそれを用いた酸化ケイ素材料の研磨方法 | |
| JP2001284296A (ja) | 研磨性スラリー及びその使用 | |
| JP2004335664A (ja) | 研磨用組成物、その調製方法及びそれを用いたウェーハの研磨方法 | |
| JP2004155914A (ja) | 研磨用砥粒及びその製造方法並びに研磨剤 |