JPH11140577A - 磁気ディスク用アルミニウム合金基板 - Google Patents
磁気ディスク用アルミニウム合金基板Info
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- JPH11140577A JPH11140577A JP30717697A JP30717697A JPH11140577A JP H11140577 A JPH11140577 A JP H11140577A JP 30717697 A JP30717697 A JP 30717697A JP 30717697 A JP30717697 A JP 30717697A JP H11140577 A JPH11140577 A JP H11140577A
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- nip
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板に磁性膜を生成させるスパッター過程に
おいて生じる微小な脹れを抑制し、一層狭くなりつつあ
るフライングハイトに対応するより平坦な表面を有する
ＮｉＰめっき磁気ディスク用アルミニウム合金基板の提
供。 【構成】 Ｃｕ：０．０１〜０．１重量％、Ｍｇ：３．
５〜５．０重量％を含み、不純物中のＳｉ含有量を０．
０１重量％未満、０．００８、０．００５または０．０
０３重量％以下としたＮｉＰめっき磁気ディスク用アル
ミニウム合金基板。 【効果】 アルミニウム合金中のＳｉ量を上記の範囲と
することにより、合金中のＳｉとＯとの化合物（介在
物）に集中するガスを抑制し、上記スパッター過程に発
生する微小膨れを実用上抑制することができる。
おいて生じる微小な脹れを抑制し、一層狭くなりつつあ
るフライングハイトに対応するより平坦な表面を有する
ＮｉＰめっき磁気ディスク用アルミニウム合金基板の提
供。 【構成】 Ｃｕ：０．０１〜０．１重量％、Ｍｇ：３．
５〜５．０重量％を含み、不純物中のＳｉ含有量を０．
０１重量％未満、０．００８、０．００５または０．０
０３重量％以下としたＮｉＰめっき磁気ディスク用アル
ミニウム合金基板。 【効果】 アルミニウム合金中のＳｉ量を上記の範囲と
することにより、合金中のＳｉとＯとの化合物（介在
物）に集中するガスを抑制し、上記スパッター過程に発
生する微小膨れを実用上抑制することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、コンピュータの磁気記
憶媒体等として用いられるＮｉＰめっき磁気ディスク用
アルミニウム合金基板、特に磁性膜生成の過程で生ずる
微小膨れの少ないアルミニウム合金基板に関する。
憶媒体等として用いられるＮｉＰめっき磁気ディスク用
アルミニウム合金基板、特に磁性膜生成の過程で生ずる
微小膨れの少ないアルミニウム合金基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】市販の磁気ディスクには、ＮｉＰめっき
アルミウム合金基板、アルマイト基板やガラス基板等が
あるが、現在、主としてアルミニウム合金基板に非晶質
ＮｉＰめっきを施し、この非晶質ＮｉＰめっき膜を平滑
に研磨した基板が多く使用されている。近年、コンピュ
ータの発達、特にマルチメディア化の進展と共にコンピ
ュータの外部記憶装置である磁気ディスク装置は、大容
量化、高密度化や高速化が要求されて来ている。これを
受けて、磁気ディスクの大容量化は目覚ましいものがあ
り、そのため、ディスクとヘッドの間隔、いわゆるフラ
イングハイトは益々小さくなってきており、またこれと
平行して、高磁性膜の高性能化も進んでいる。これらの
磁性膜は一般に、制御された減圧雰囲気中でスパッタリ
ングで成膜され、スパッタリングに際し基板は概ね２５
０〜３００℃の高温に曝されるが、このような大容量化
に伴い、スパッタリング温度を高める傾向にあり、微小
な膨れが生じることがある。このような微小な膨れによ
るディスク表面の凹凸は微小な間隔でディスク面に相対
する磁気ヘッドとの接触の原因となるため、常にその間
隔以下の高さに抑制する必要がある。このため、その対
策としてアルミニウム合金基板の耐熱性を高める努力が
なされ、例えば、クロム、マンガン等の遷移元素を添加
し、高温安定性を高めたアルミニウム合金が提案されて
いる。しかしながら、近年ヘッドとディスクの間隔が２
０〜２５ｎｍとなるに至って、遷移元素の添加により耐
熱性を高める方法で抑制され、衝突に至らなかったよう
な更に微小な膨れが、ディスクとヘッドとの衝突を引き
起こし、ヘッドが破壊される等の原因として顕在化して
きた。これらの微小な膨れは、アルミニウム合金基板の
耐熱性を高める方法では抑制することができず、ＮｉＰ
めっき磁気ディスクの大容量化、高密度化を達成する障
害となっていた。
アルミウム合金基板、アルマイト基板やガラス基板等が
あるが、現在、主としてアルミニウム合金基板に非晶質
ＮｉＰめっきを施し、この非晶質ＮｉＰめっき膜を平滑
に研磨した基板が多く使用されている。近年、コンピュ
ータの発達、特にマルチメディア化の進展と共にコンピ
ュータの外部記憶装置である磁気ディスク装置は、大容
量化、高密度化や高速化が要求されて来ている。これを
受けて、磁気ディスクの大容量化は目覚ましいものがあ
り、そのため、ディスクとヘッドの間隔、いわゆるフラ
イングハイトは益々小さくなってきており、またこれと
平行して、高磁性膜の高性能化も進んでいる。これらの
磁性膜は一般に、制御された減圧雰囲気中でスパッタリ
ングで成膜され、スパッタリングに際し基板は概ね２５
０〜３００℃の高温に曝されるが、このような大容量化
に伴い、スパッタリング温度を高める傾向にあり、微小
な膨れが生じることがある。このような微小な膨れによ
るディスク表面の凹凸は微小な間隔でディスク面に相対
する磁気ヘッドとの接触の原因となるため、常にその間
隔以下の高さに抑制する必要がある。このため、その対
策としてアルミニウム合金基板の耐熱性を高める努力が
なされ、例えば、クロム、マンガン等の遷移元素を添加
し、高温安定性を高めたアルミニウム合金が提案されて
いる。しかしながら、近年ヘッドとディスクの間隔が２
０〜２５ｎｍとなるに至って、遷移元素の添加により耐
熱性を高める方法で抑制され、衝突に至らなかったよう
な更に微小な膨れが、ディスクとヘッドとの衝突を引き
起こし、ヘッドが破壊される等の原因として顕在化して
きた。これらの微小な膨れは、アルミニウム合金基板の
耐熱性を高める方法では抑制することができず、ＮｉＰ
めっき磁気ディスクの大容量化、高密度化を達成する障
害となっていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
問題を解消すべく創出されたものであり、ＮｉＰめっき
磁気ディスク基板における、その製造過程において生じ
るこれらの微小な脹れを抑制し、一層狭くなりつつある
フライングハイトに対応する、より平坦な表面の得られ
るＮｉＰめっき磁気ディスク用アルミニウム合金基板を
提供することを目的とする。
問題を解消すべく創出されたものであり、ＮｉＰめっき
磁気ディスク基板における、その製造過程において生じ
るこれらの微小な脹れを抑制し、一層狭くなりつつある
フライングハイトに対応する、より平坦な表面の得られ
るＮｉＰめっき磁気ディスク用アルミニウム合金基板を
提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、その目的を達
成するため、Ｃｕ：０．０１〜０．１重量％、Ｍｇ：
３．５〜５．０重量％を含み、不純物中のＳｉ含有量を
０．０１重量％未満としたＮｉＰめっき磁気ディスク用
アルミニウム合金基板である。また、Ｃｕ：０．０１〜
０．１重量％、Ｍｇ：３．５〜５．０重量％を含み、不
純物中のＳｉ含有量を０．００８重量％以下としたＮｉ
Ｐめっき磁気ディスク用アルミニウム合金基板である。
更に、Ｃｕ：０．０１〜０．１重量％、Ｍｇ：３．５〜
５．０重量％を含み、不純物中のＳｉ含有量を０．００
５重量％以下としたＮｉＰめっき磁気ディスク用アルミ
ニウム合金基板である。また更に、Ｃｕ：０．０１〜
０．１重量％、Ｍｇ：３．５〜５．０重量％を含み、不
純物中のＳｉ含有量を０．００３重量％以下としたＮｉ
Ｐめっき磁気ディスク用アルミニウム合金基板である。
成するため、Ｃｕ：０．０１〜０．１重量％、Ｍｇ：
３．５〜５．０重量％を含み、不純物中のＳｉ含有量を
０．０１重量％未満としたＮｉＰめっき磁気ディスク用
アルミニウム合金基板である。また、Ｃｕ：０．０１〜
０．１重量％、Ｍｇ：３．５〜５．０重量％を含み、不
純物中のＳｉ含有量を０．００８重量％以下としたＮｉ
Ｐめっき磁気ディスク用アルミニウム合金基板である。
更に、Ｃｕ：０．０１〜０．１重量％、Ｍｇ：３．５〜
５．０重量％を含み、不純物中のＳｉ含有量を０．００
５重量％以下としたＮｉＰめっき磁気ディスク用アルミ
ニウム合金基板である。また更に、Ｃｕ：０．０１〜
０．１重量％、Ｍｇ：３．５〜５．０重量％を含み、不
純物中のＳｉ含有量を０．００３重量％以下としたＮｉ
Ｐめっき磁気ディスク用アルミニウム合金基板である。
【０００５】
【作用】本発明者らは、上述のごとき微小膨れの原因を
鋭意解明する過程で、この微小膨れはＮｉＰめっき膜直
下のアルミニウム合金基板面に膨れが生じ、この膨れに
伴いＮｉＰめっき膜が変形して微小膨れと観察されるこ
と、そして、このめっき膜直下のアルミニウム合金基板
面の膨れは、合金中の介在物を核としていること、更に
この介在物の大きさは数μｍ程度のものであり、めっき
膜直下０．５μｍから４μｍの位置に存在することを突
き止め、しかもＸＭＡ分析結果によるとこの介在物は、
Ｓｉ（珪素）とＯ（酸素）が略ＳｉＯ2 組成に近い比率
で検出された。本発明者らは、更に研究した結果、アル
ミニウム合金基板中のＳｉを可及的少量とした場合は、
該基板に磁性膜を生成させるスパッター過程で発生する
上述の微小膨れが激減することを見い出し、本発明を完
成したものである。
鋭意解明する過程で、この微小膨れはＮｉＰめっき膜直
下のアルミニウム合金基板面に膨れが生じ、この膨れに
伴いＮｉＰめっき膜が変形して微小膨れと観察されるこ
と、そして、このめっき膜直下のアルミニウム合金基板
面の膨れは、合金中の介在物を核としていること、更に
この介在物の大きさは数μｍ程度のものであり、めっき
膜直下０．５μｍから４μｍの位置に存在することを突
き止め、しかもＸＭＡ分析結果によるとこの介在物は、
Ｓｉ（珪素）とＯ（酸素）が略ＳｉＯ2 組成に近い比率
で検出された。本発明者らは、更に研究した結果、アル
ミニウム合金基板中のＳｉを可及的少量とした場合は、
該基板に磁性膜を生成させるスパッター過程で発生する
上述の微小膨れが激減することを見い出し、本発明を完
成したものである。
【０００６】すなわち、具体的なメカニズムは解明され
ていないが、アルミニウム合金基板中にＳｉが存在する
と、Ｓｉと酸素とが反応して形成されたＳｉＯ2 にＮｉ
Ｐめっき膜中に存在するガスが集中し、基板に磁性膜を
生成させるスパッター過程で上述の微小膨れが発生する
ものと思われる。従って、前記Ｃｕ：０．０１〜０．１
重量％、Ｍｇ：３．５〜５．０重量％を含むＮｉＰめっ
き磁気ディスク用アルミニウム合金基板において、Ｓｉ
量を０．０１重量％未満とすることにより、この磁性膜
のスパッター過程において発生する微小膨れを実質的に
抑制することができる。また、同じくこの合金基板にお
いて、Ｓｉ量を０．００８重量％以下とすることによ
り、更に好適な結果が得られる、更にこのＳｉ量を０．
００５重量％以下、より好適には０．００３重量％以下
とすることにより、より厳しい条件に対応することがで
きる。
ていないが、アルミニウム合金基板中にＳｉが存在する
と、Ｓｉと酸素とが反応して形成されたＳｉＯ2 にＮｉ
Ｐめっき膜中に存在するガスが集中し、基板に磁性膜を
生成させるスパッター過程で上述の微小膨れが発生する
ものと思われる。従って、前記Ｃｕ：０．０１〜０．１
重量％、Ｍｇ：３．５〜５．０重量％を含むＮｉＰめっ
き磁気ディスク用アルミニウム合金基板において、Ｓｉ
量を０．０１重量％未満とすることにより、この磁性膜
のスパッター過程において発生する微小膨れを実質的に
抑制することができる。また、同じくこの合金基板にお
いて、Ｓｉ量を０．００８重量％以下とすることによ
り、更に好適な結果が得られる、更にこのＳｉ量を０．
００５重量％以下、より好適には０．００３重量％以下
とすることにより、より厳しい条件に対応することがで
きる。
【０００７】
【実施の態様】本発明におけるＮｉＰめっき磁気ディス
ク基板は、通常次のようにして作製される。溶解炉でア
ルミニウムを溶解し、次に添加元素を溶し込み、漸次放
置した後、介在物を浮上分離させて取り除く。更に、Ａ
ｒガス等を溶湯中に吹き込みその微細な気泡により脱ガ
ス（脱水素）し、暫く放置して溶湯を鎮静化した後、直
接鋳造装置にてスラブ（鋳塊）に鋳造（ＤＣ鋳造）され
る。当該スラブは圧延を経て板にされ、然る後にディス
ク形状（ブランク）に打ち抜かれ、これらのブランク材
を複数枚重ねて加圧焼鈍することにより、歪みの除去と
平坦化が行われる。十分平坦化されたブランク材はディ
スク外形の面取り（チャンファー加工）を経て、更に両
面が砥石で研磨され、ＮｉＰめっき工程に運ばれ、Ｎｉ
Ｐめっきが施される。
ク基板は、通常次のようにして作製される。溶解炉でア
ルミニウムを溶解し、次に添加元素を溶し込み、漸次放
置した後、介在物を浮上分離させて取り除く。更に、Ａ
ｒガス等を溶湯中に吹き込みその微細な気泡により脱ガ
ス（脱水素）し、暫く放置して溶湯を鎮静化した後、直
接鋳造装置にてスラブ（鋳塊）に鋳造（ＤＣ鋳造）され
る。当該スラブは圧延を経て板にされ、然る後にディス
ク形状（ブランク）に打ち抜かれ、これらのブランク材
を複数枚重ねて加圧焼鈍することにより、歪みの除去と
平坦化が行われる。十分平坦化されたブランク材はディ
スク外形の面取り（チャンファー加工）を経て、更に両
面が砥石で研磨され、ＮｉＰめっき工程に運ばれ、Ｎｉ
Ｐめっきが施される。
【０００８】ＮｉＰめっき工程は、通常脱脂、酸活性、
ジンケート処理等の前処理を経てからめっき工程に入
る。前処理の各工程間には２〜３段の水洗工程が入る。
めっきは、通常無電解めっきが行われ、次亜リン酸、硫
酸ニッケル、複数の有機酸、若干の触媒毒を含む浴を用
いて高温で行われる。めっき膜厚さは、通常、後工程の
研磨取り代を客先仕様に上乗せした厚さとする。客先仕
様は通常１２〜１３μｍである。めっきと研磨工程の間
には湯洗浄、水洗の工程が入る。研磨は研磨布を貼り付
けた相対向する定盤の間に挟み、アルミナ砥粒等を含む
スラリーを流しながら定盤を回転させ、機械的に行われ
る。研磨されたＮｉＰめっき基板は洗浄、乾燥、検査工
程を経た後、上述した磁性膜を生成させるスパッター工
程に移る。
ジンケート処理等の前処理を経てからめっき工程に入
る。前処理の各工程間には２〜３段の水洗工程が入る。
めっきは、通常無電解めっきが行われ、次亜リン酸、硫
酸ニッケル、複数の有機酸、若干の触媒毒を含む浴を用
いて高温で行われる。めっき膜厚さは、通常、後工程の
研磨取り代を客先仕様に上乗せした厚さとする。客先仕
様は通常１２〜１３μｍである。めっきと研磨工程の間
には湯洗浄、水洗の工程が入る。研磨は研磨布を貼り付
けた相対向する定盤の間に挟み、アルミナ砥粒等を含む
スラリーを流しながら定盤を回転させ、機械的に行われ
る。研磨されたＮｉＰめっき基板は洗浄、乾燥、検査工
程を経た後、上述した磁性膜を生成させるスパッター工
程に移る。
【０００９】以上のようにして、ＮｉＰめっき磁気ディ
スク用アルミニウム合金基板が作製されるが、これらの
工程の内、微小膨れを発生する原因を作る主要な工程は
溶解鋳造工程であることが判明した。即ち、微小膨れの
中心に存在するＳｉとＯの化合物は溶解鋳造工程以前に
混入するものに由来しており、溶解鋳造時の合金中のＳ
ｉ量を制御することにより、原因となるＮｉＰめっき磁
気ディスク用アルミニウム合金基板中のＳｉとＯの化合
物の存在を制御することができる。溶湯中のＳｉ量を制
御する方法は、原料地金、合金地金材料中のＳｉを極力
減らすと同時に、鋳造炉のレンガ材質、鋳造周辺の溶湯
に接する材料のＳｉを極力減らすことが有効であること
が判明した。
スク用アルミニウム合金基板が作製されるが、これらの
工程の内、微小膨れを発生する原因を作る主要な工程は
溶解鋳造工程であることが判明した。即ち、微小膨れの
中心に存在するＳｉとＯの化合物は溶解鋳造工程以前に
混入するものに由来しており、溶解鋳造時の合金中のＳ
ｉ量を制御することにより、原因となるＮｉＰめっき磁
気ディスク用アルミニウム合金基板中のＳｉとＯの化合
物の存在を制御することができる。溶湯中のＳｉ量を制
御する方法は、原料地金、合金地金材料中のＳｉを極力
減らすと同時に、鋳造炉のレンガ材質、鋳造周辺の溶湯
に接する材料のＳｉを極力減らすことが有効であること
が判明した。
【００１０】溶解鋳造時のＳｉの濃度を０．０１重量％
未満に保持すると、該基板中のＳｉとＯの化合物は実害
のない水準に減少し、更に０．００５重量％以下にする
ことにより基板中のＳｉとＯの化合物の存在を劇的に減
少させることができる。以下に、具体的に説明する。
未満に保持すると、該基板中のＳｉとＯの化合物は実害
のない水準に減少し、更に０．００５重量％以下にする
ことにより基板中のＳｉとＯの化合物の存在を劇的に減
少させることができる。以下に、具体的に説明する。
【００１１】添加元素、不純物の含有量及びその組成範
囲は次のとおりである。 Ｍｇ：３．５〜５．０重量％ Ｍｇは、アルミニウム合金基板の強度付与のために添加
するものであって、その上限値を超えると圧延加工性が
低下すると共に耐応力腐食割れ性が低下して好ましくな
い。また、下限値未満では基板の強度が小さく好ましく
ない。
囲は次のとおりである。 Ｍｇ：３．５〜５．０重量％ Ｍｇは、アルミニウム合金基板の強度付与のために添加
するものであって、その上限値を超えると圧延加工性が
低下すると共に耐応力腐食割れ性が低下して好ましくな
い。また、下限値未満では基板の強度が小さく好ましく
ない。
【００１２】Ｃｕ：０．０１〜０．１重量％ Ｃｕは、アルミニウム合金基板にＮｉＰめっきが均一に
成膜するように添加するものであって、その上限値を超
えると局部的に膜厚が厚くなり、膜厚が不均一になって
好ましくない。また、下限値未満ではＮｉＰめっき膜が
成膜しにくく、やはり膜厚が不均一になって好ましくな
い。
成膜するように添加するものであって、その上限値を超
えると局部的に膜厚が厚くなり、膜厚が不均一になって
好ましくない。また、下限値未満ではＮｉＰめっき膜が
成膜しにくく、やはり膜厚が不均一になって好ましくな
い。
【００１３】Ｓｉ：０．０１重量％未満 上限値を超えると、基板に磁性膜を生成させるスパッタ
ー過程で上述の微小脹れが発生し易く好ましくない。望
ましくは、０．００８重量％以下、更に望ましくは０．
００５重量％以下、最も望ましくは０．００３重量％以
下である。
ー過程で上述の微小脹れが発生し易く好ましくない。望
ましくは、０．００８重量％以下、更に望ましくは０．
００５重量％以下、最も望ましくは０．００３重量％以
下である。
【００１４】Ｆｅは、Ａｌ−Ｆｅ系の粗大な金属間化合
物を形成するので、その含有量は０．０５重量％以下と
するのが好ましい。他の元素は、それぞれその添加目的
に応じて添加することができ、例えばＺｎ、Ｃｒ、Ｍｎ
を含有しても良い。
物を形成するので、その含有量は０．０５重量％以下と
するのが好ましい。他の元素は、それぞれその添加目的
に応じて添加することができ、例えばＺｎ、Ｃｒ、Ｍｎ
を含有しても良い。
【００１５】実施例１ ディスク基板中のＳｉ量が０．００９重量％（９０ｐｐ
ｍ）で、Ｃｕ：０．０５重量％、Ｍｇ：４．５重量％、
Ｆｅ：０．０２重量％の素材を作製した。かかる素材を
用いて通常の製板、ディスク製造工程を経てＮｉＰめっ
き５μｍの３．５インチ（直径：９５ｍｍ）ディスクを
作製した。研磨工程を経、洗浄、乾燥後、２９０℃で１
０分間加熱し、微小膨れを発生させた。かかるディスク
１０枚を微分干渉顕微鏡で表面観察し、高さ１５ｎｍを
超える膨れを微少膨れとしてカウントして、微小脹れの
数を求めた。１０枚のディスクの２０面で発見された微
小膨れは３個であった。
ｍ）で、Ｃｕ：０．０５重量％、Ｍｇ：４．５重量％、
Ｆｅ：０．０２重量％の素材を作製した。かかる素材を
用いて通常の製板、ディスク製造工程を経てＮｉＰめっ
き５μｍの３．５インチ（直径：９５ｍｍ）ディスクを
作製した。研磨工程を経、洗浄、乾燥後、２９０℃で１
０分間加熱し、微小膨れを発生させた。かかるディスク
１０枚を微分干渉顕微鏡で表面観察し、高さ１５ｎｍを
超える膨れを微少膨れとしてカウントして、微小脹れの
数を求めた。１０枚のディスクの２０面で発見された微
小膨れは３個であった。
【００１６】実施例２ ディスク基板中のＳｉ量が０．００７重量％（７０ｐｐ
ｍ）で、Ｃｕ：０．０５重量％、Ｍｇ：４．５重量％、
Ｆｅ：０．０２重量％の素材を作成した。かかる素材を
用いて通常の製板、ディスク製造工程を経てＮｉＰめっ
き５μｍの３．５インチ（直径：９５ｍｍ）ディスクを
作製した。研磨工程を経、洗浄、乾燥後、２９０℃で１
０分間加熱し、微小膨れを発生させた。かかるディスク
１０枚を微分干渉顕微鏡で表面観察し、同様にして微小
脹れの数を求めた。１０枚のディスクの２０面で発見さ
れた微小膨れは２個であった。
ｍ）で、Ｃｕ：０．０５重量％、Ｍｇ：４．５重量％、
Ｆｅ：０．０２重量％の素材を作成した。かかる素材を
用いて通常の製板、ディスク製造工程を経てＮｉＰめっ
き５μｍの３．５インチ（直径：９５ｍｍ）ディスクを
作製した。研磨工程を経、洗浄、乾燥後、２９０℃で１
０分間加熱し、微小膨れを発生させた。かかるディスク
１０枚を微分干渉顕微鏡で表面観察し、同様にして微小
脹れの数を求めた。１０枚のディスクの２０面で発見さ
れた微小膨れは２個であった。
【００１７】実施例３ ディスク基板中のＳｉ量が０．００４重量％（４０ｐｐ
ｍ）で、Ｃｕ：０．０１重量％、Ｍｇ：３．５重量％、
Ｆｅ：０．０２重量％の素材を作成した。かかる素材を
用いて通常の製板、ディスク製造工程を経てＮｉＰめっ
き５μｍの３．５インチ（直径：９５ｍｍ）ディスクを
作製した。研磨工程を経、洗浄、乾燥後、２９０℃で１
０分間加熱し、微小膨れを発生させた。かかるディスク
１０枚を微分干渉顕微鏡で表面観察し、同様にして微小
脹れの数を求めた。１０枚のディスクの２０面で発見さ
れた微小膨れは１個であった。
ｍ）で、Ｃｕ：０．０１重量％、Ｍｇ：３．５重量％、
Ｆｅ：０．０２重量％の素材を作成した。かかる素材を
用いて通常の製板、ディスク製造工程を経てＮｉＰめっ
き５μｍの３．５インチ（直径：９５ｍｍ）ディスクを
作製した。研磨工程を経、洗浄、乾燥後、２９０℃で１
０分間加熱し、微小膨れを発生させた。かかるディスク
１０枚を微分干渉顕微鏡で表面観察し、同様にして微小
脹れの数を求めた。１０枚のディスクの２０面で発見さ
れた微小膨れは１個であった。
【００１８】実施例４ ディスク基板中のＳｉ量が０．００２重量％（２０ｐｐ
ｍ）で、Ｃｕ：０．０１重量％、Ｍｇ：５．０重量％、
Ｆｅ：０．０５重量％の素材を作成した。かかる素材を
用いて通常の製板、ディスク製造工程を経てＮｉＰめっ
き５μｍの３．５インチ（直径：９５ｍｍ）ディスクを
作製した。研磨工程を経、洗浄、乾燥後、２９０℃で１
０分間加熱し、微小膨れを発生させた。かかるディスク
１０枚を微分干渉顕微鏡で表面観察し、同様にして微小
脹れの数を求めた。１０枚のディスクの２０面で発見さ
れた微小膨れは０個であった。
ｍ）で、Ｃｕ：０．０１重量％、Ｍｇ：５．０重量％、
Ｆｅ：０．０５重量％の素材を作成した。かかる素材を
用いて通常の製板、ディスク製造工程を経てＮｉＰめっ
き５μｍの３．５インチ（直径：９５ｍｍ）ディスクを
作製した。研磨工程を経、洗浄、乾燥後、２９０℃で１
０分間加熱し、微小膨れを発生させた。かかるディスク
１０枚を微分干渉顕微鏡で表面観察し、同様にして微小
脹れの数を求めた。１０枚のディスクの２０面で発見さ
れた微小膨れは０個であった。
【００１９】比較例１ ディスク基板中のＳｉ量が０．０１２重量％（１２０ｐ
ｐｍ）で、Ｃｕ：０．０１重量％、Ｍｇ：４．５重量
％、Ｆｅ：０．０５重量％の素材を作成した。かかる素
材を用いて通常の製板、ディスク製造工程を経てＮｉＰ
めっき５μｍの３．５インチ（直径：９５ｍｍ）ディス
クを作製した。研磨工程を経、洗浄、乾燥後、２９０℃
で１０分間加熱し、微小膨れを発生させた。かかるディ
スク１０枚を微分干渉顕微鏡で表面観察し、同様にして
微小脹れの数を求めた。１０枚のディスクの２０面で発
見された微小膨れは６個であった。
ｐｍ）で、Ｃｕ：０．０１重量％、Ｍｇ：４．５重量
％、Ｆｅ：０．０５重量％の素材を作成した。かかる素
材を用いて通常の製板、ディスク製造工程を経てＮｉＰ
めっき５μｍの３．５インチ（直径：９５ｍｍ）ディス
クを作製した。研磨工程を経、洗浄、乾燥後、２９０℃
で１０分間加熱し、微小膨れを発生させた。かかるディ
スク１０枚を微分干渉顕微鏡で表面観察し、同様にして
微小脹れの数を求めた。１０枚のディスクの２０面で発
見された微小膨れは６個であった。
【００２０】比較例２ ディスク基板中のＳｉ量が０．０２重量％（２００ｐｐ
ｍ）で、Ｃｕ：０．０５重量％、Ｍｇ：４．５重量％、
Ｆｅ：０．０２重量％の素材を作成した。かかる素材を
用いて通常の製板、ディスク製造工程を経てＮｉＰめっ
き５μｍの３．５インチ（直径：９５ｍｍ）ディスクを
作製した。研磨工程を経、洗浄、乾燥後、２９０℃で１
０分間加熱し、微小膨れを発生させた。かかるディスク
１０枚を微分干渉顕微鏡で表面観察し、同様にして微小
脹れの数を求めた。１０枚のディスクの２０面で発見さ
れた微小膨れは９個であった。
ｍ）で、Ｃｕ：０．０５重量％、Ｍｇ：４．５重量％、
Ｆｅ：０．０２重量％の素材を作成した。かかる素材を
用いて通常の製板、ディスク製造工程を経てＮｉＰめっ
き５μｍの３．５インチ（直径：９５ｍｍ）ディスクを
作製した。研磨工程を経、洗浄、乾燥後、２９０℃で１
０分間加熱し、微小膨れを発生させた。かかるディスク
１０枚を微分干渉顕微鏡で表面観察し、同様にして微小
脹れの数を求めた。１０枚のディスクの２０面で発見さ
れた微小膨れは９個であった。
【００２１】比較例３ ディスク基板中のＳｉ量が０．０２２重量％（２２０ｐ
ｐｍ）で、Ｃｕ：０．０５重量％、Ｍｇ：３．５重量
％、Ｆｅ：０．０５重量％の素材を作成した。かかる素
材を用いて通常の製板、ディスク製造工程を経てＮｉＰ
めっき５μｍの３．５インチ（直径：９５ｍｍ）ディス
クを作製した。研磨工程を経、洗浄、乾燥後、２９０℃
で１０分間加熱し、微小膨れを発生させた。かかるディ
スク１０枚を微分干渉顕微鏡で表面観察し、同様にして
微小脹れの数を求めた。１０枚のディスクの２０面で発
見された微小膨れは１１個であった。
ｐｍ）で、Ｃｕ：０．０５重量％、Ｍｇ：３．５重量
％、Ｆｅ：０．０５重量％の素材を作成した。かかる素
材を用いて通常の製板、ディスク製造工程を経てＮｉＰ
めっき５μｍの３．５インチ（直径：９５ｍｍ）ディス
クを作製した。研磨工程を経、洗浄、乾燥後、２９０℃
で１０分間加熱し、微小膨れを発生させた。かかるディ
スク１０枚を微分干渉顕微鏡で表面観察し、同様にして
微小脹れの数を求めた。１０枚のディスクの２０面で発
見された微小膨れは１１個であった。
【００２２】以上の実施例、比較例で明らかなように、
微小膨れの発生率はディスク中のＳｉ量に依存すること
が判明した。なお、本微小膨れ検査法はＮｉＰめっき膜
厚さが通常の半分以下であり、膨れを押え込む役割をす
るＮｉＰめっき膜の強度が低いため、微小膨れが極端に
発生し易くなっている。通常の１２μｍのめっき膜厚の
場合と比較して１００倍程度膨れ発生率が高いことが実
際のディスクの膨れ不良率との比較で解っている。従っ
て、本発明のＳｉ量０．０１重量％以下とすることによ
り、スパッター過程におけるアルミニウムディスク基板
の微小膨れの発生は実用上抑制することができる。
微小膨れの発生率はディスク中のＳｉ量に依存すること
が判明した。なお、本微小膨れ検査法はＮｉＰめっき膜
厚さが通常の半分以下であり、膨れを押え込む役割をす
るＮｉＰめっき膜の強度が低いため、微小膨れが極端に
発生し易くなっている。通常の１２μｍのめっき膜厚の
場合と比較して１００倍程度膨れ発生率が高いことが実
際のディスクの膨れ不良率との比較で解っている。従っ
て、本発明のＳｉ量０．０１重量％以下とすることによ
り、スパッター過程におけるアルミニウムディスク基板
の微小膨れの発生は実用上抑制することができる。
【００２３】
【発明の効果】以上のごとく、本発明によれば、ディス
ク基板中のＳｉ量を製御することにより、微小膨れを極
小化したディスク基板を提供することが可能となり、マ
ルチメディア等の発展に伴う磁気ディスクの大容量化、
高密度化に対応して益々小さくなるフライングハイトの
要求に応え、微小膨れを抑制したＮｉＰめっき磁気ディ
スク用アルミニウム合金基板を提供することができる。
ク基板中のＳｉ量を製御することにより、微小膨れを極
小化したディスク基板を提供することが可能となり、マ
ルチメディア等の発展に伴う磁気ディスクの大容量化、
高密度化に対応して益々小さくなるフライングハイトの
要求に応え、微小膨れを抑制したＮｉＰめっき磁気ディ
スク用アルミニウム合金基板を提供することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 戸田 善久 愛知県稲沢市小池１丁目11番１号 日本軽 金属株式会社名古屋工場内 (72)発明者 竹林 恭志 北海道苫小牧市晴海町43番地３ 日本軽金 属株式会社苫小牧製造所内
Claims (4)
- 【請求項１】 Ｃｕ：０．０１〜０．１重量％、Ｍｇ：
３．５〜５．０重量％を含み、不純物中のＳｉ含有量を
０．０１重量％未満としたＮｉＰめっき磁気ディスク用
アルミニウム合金基板。 - 【請求項２】 Ｃｕ：０．０１〜０．１重量％、Ｍｇ：
３．５〜５．０重量％を含み、不純物中のＳｉ含有量を
０．００８重量％以下としたＮｉＰめっき磁気ディスク
用アルミニウム合金基板。 - 【請求項３】 Ｃｕ：０．０１〜０．１重量％、Ｍｇ：
３．５〜５．０重量％を含み、不純物中のＳｉ含有量を
０．００５重量％以下としたＮｉＰめっき磁気ディスク
用アルミニウム合金基板。 - 【請求項４】 Ｃｕ：０．０１〜０．１重量％、Ｍｇ：
３．５〜５．０重量％を含み、不純物中のＳｉ含有量を
０．００３重量％以下としたＮｉＰめっき磁気ディスク
用アルミニウム合金基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30717697A JPH11140577A (ja) | 1997-11-10 | 1997-11-10 | 磁気ディスク用アルミニウム合金基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30717697A JPH11140577A (ja) | 1997-11-10 | 1997-11-10 | 磁気ディスク用アルミニウム合金基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11140577A true JPH11140577A (ja) | 1999-05-25 |
Family
ID=17965957
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30717697A Pending JPH11140577A (ja) | 1997-11-10 | 1997-11-10 | 磁気ディスク用アルミニウム合金基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11140577A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003500543A (ja) * | 1999-05-27 | 2003-01-07 | アルキャン・インターナショナル・リミテッド | 平版印刷板用の支持体として使用されるアルミニウム合金板 |
| JP2003041377A (ja) * | 2001-08-02 | 2003-02-13 | Showa Denko Kk | Ｎｉ−Ｐめっき基材の洗浄方法、ならびに磁気ディスク基板のの製造方法および磁気ディスク基板 |
| JP2016135914A (ja) * | 2015-01-16 | 2016-07-28 | 株式会社神戸製鋼所 | 磁気ディスク用アルミニウム合金板、磁気ディスク用アルミニウム合金ブランク及び磁気ディスク用アルミニウム合金サブストレート |
-
1997
- 1997-11-10 JP JP30717697A patent/JPH11140577A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003500543A (ja) * | 1999-05-27 | 2003-01-07 | アルキャン・インターナショナル・リミテッド | 平版印刷板用の支持体として使用されるアルミニウム合金板 |
| JP2003041377A (ja) * | 2001-08-02 | 2003-02-13 | Showa Denko Kk | Ｎｉ−Ｐめっき基材の洗浄方法、ならびに磁気ディスク基板のの製造方法および磁気ディスク基板 |
| JP2016135914A (ja) * | 2015-01-16 | 2016-07-28 | 株式会社神戸製鋼所 | 磁気ディスク用アルミニウム合金板、磁気ディスク用アルミニウム合金ブランク及び磁気ディスク用アルミニウム合金サブストレート |
| JP2019039078A (ja) * | 2015-01-16 | 2019-03-14 | 株式会社神戸製鋼所 | 磁気ディスク用アルミニウム合金板、磁気ディスク用アルミニウム合金ブランク及び磁気ディスク用アルミニウム合金サブストレート |
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