JPH11140631A - カソードアークコータのアーク制御装置 - Google Patents
カソードアークコータのアーク制御装置Info
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- JPH11140631A JPH11140631A JP10245461A JP24546198A JPH11140631A JP H11140631 A JPH11140631 A JP H11140631A JP 10245461 A JP10245461 A JP 10245461A JP 24546198 A JP24546198 A JP 24546198A JP H11140631 A JPH11140631 A JP H11140631A
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- cathode
- magnetic field
- arc
- container
- housing
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32055—Arc discharge
-
- H—ELECTRICITY
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- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3266—Magnetic control means
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 コスト効果良く、かつ、均一で高品質のコー
ティングを基体に対して行うことを可能とするカソード
アーク気相堆積装置を提供する。 【解決手段】 カソードアーク気相堆積法によって材料
を基体12にコーティングするための装置10は、容器
14と、この容器を真空に維持するための装置16と、
ディスク形状のカソード18と、このカソード18とア
ノード24の間でアークの電気エネルギーを選択的に維
持させるための手段22と、上記カソードに対して上記
アークを移動させるための手段74と、を有している。
上記カソード18と上記アノード24の間に延びるアー
クの電気エネルギーは、上記容器内部に配置された基体
に連続的に堆積されるカソード部分を蒸発させるように
なっている。
ティングを基体に対して行うことを可能とするカソード
アーク気相堆積装置を提供する。 【解決手段】 カソードアーク気相堆積法によって材料
を基体12にコーティングするための装置10は、容器
14と、この容器を真空に維持するための装置16と、
ディスク形状のカソード18と、このカソード18とア
ノード24の間でアークの電気エネルギーを選択的に維
持させるための手段22と、上記カソードに対して上記
アークを移動させるための手段74と、を有している。
上記カソード18と上記アノード24の間に延びるアー
クの電気エネルギーは、上記容器内部に配置された基体
に連続的に堆積されるカソード部分を蒸発させるように
なっている。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、概ねコーティング
のための気相堆積(ベーパデポジッション)装置、より
詳細には、カソードアーク気相堆積装置に関する。
のための気相堆積(ベーパデポジッション)装置、より
詳細には、カソードアーク気相堆積装置に関する。
【0002】
【従来の技術】基体へのコーティングを施すための手段
として気相堆積法が当業界で知られている。この気相堆
積法としては、ケミカルベーパデポジッション法(化学
的気相堆積法)、フィジカルベーパデポジッション法
(物理的気相堆積法)、カソードアークベーパデポジッ
ション法(カソードアーク気相堆積法)を挙げることが
できる。化学的気相堆積法(CVD)は、反応性ガスで
ある元素を1つ以上のコーティングすべき基体を入れた
堆積チャンバに導入する。物理的気相堆積法(PVD)
は、供給材料及び基体を排気された堆積チャンバに導入
するステップを有している。この供給材料は、抵抗加
熱、誘導加熱又は電子ビーム手段によって加熱されるこ
とでエネルギーが加えられて気化する。
として気相堆積法が当業界で知られている。この気相堆
積法としては、ケミカルベーパデポジッション法(化学
的気相堆積法)、フィジカルベーパデポジッション法
(物理的気相堆積法)、カソードアークベーパデポジッ
ション法(カソードアーク気相堆積法)を挙げることが
できる。化学的気相堆積法(CVD)は、反応性ガスで
ある元素を1つ以上のコーティングすべき基体を入れた
堆積チャンバに導入する。物理的気相堆積法(PVD)
は、供給材料及び基体を排気された堆積チャンバに導入
するステップを有している。この供給材料は、抵抗加
熱、誘導加熱又は電子ビーム手段によって加熱されるこ
とでエネルギーが加えられて気化する。
【0003】カソードアーク気相堆積法は、供給材料及
びコーティングすべき基体を排気された堆積チャンバ内
に配置するステップを有している。このチャンバは、比
較的少量の気体しか含有していない。直流(DC)電源
からの負側の導線は、上記供給材料に取り付けられ(こ
れを以後、「カソード」として引用する)、その正側の
導線は、アノード部材に取り付けられる。上記アノード
と同電位あるいは上記アノード付近の電位でアークを開
始させるトリガは、上記カソードに接触しており、連続
して上記カソードから離れて行くようになっている。上
記トリガが上記カソードにいまだ極近接している場合に
は、上記トリガと上記カソードの間の電位差により、そ
れらの間に電気的なアークが生じる。このトリガがより
離間するにつれこのアークは、上記カソードと上記アノ
ード電位とされたチャンバ部分の間で生じることにな
る。上記カソード表面のアークが接触するその位置又は
その複数の位置を、以後カソードスポットと呼ぶ。制御
機構が存在しなければ、このカソードスポットは、上記
カソード表面上をランダムに移動してしまうことにな
る。
びコーティングすべき基体を排気された堆積チャンバ内
に配置するステップを有している。このチャンバは、比
較的少量の気体しか含有していない。直流(DC)電源
からの負側の導線は、上記供給材料に取り付けられ(こ
れを以後、「カソード」として引用する)、その正側の
導線は、アノード部材に取り付けられる。上記アノード
と同電位あるいは上記アノード付近の電位でアークを開
始させるトリガは、上記カソードに接触しており、連続
して上記カソードから離れて行くようになっている。上
記トリガが上記カソードにいまだ極近接している場合に
は、上記トリガと上記カソードの間の電位差により、そ
れらの間に電気的なアークが生じる。このトリガがより
離間するにつれこのアークは、上記カソードと上記アノ
ード電位とされたチャンバ部分の間で生じることにな
る。上記カソード表面のアークが接触するその位置又は
その複数の位置を、以後カソードスポットと呼ぶ。制御
機構が存在しなければ、このカソードスポットは、上記
カソード表面上をランダムに移動してしまうことにな
る。
【0004】上記カソードスポットにおいて放出される
エネルギーは強力であり、105〜107A/cm2で、
数μsの時間だけ持続する。このエネルギー強度は、上
記カソードスポットの局所的温度を上記排気されたチャ
ンバ圧での上記カソード材料の沸点にほぼ等しい温度に
まで上昇させる。この結果、上記カソードスポットにお
けるカソード材料は、原子、分子、イオン、電子、粒子
を含有するプラズマとして気化する。正に帯電したイオ
ンは、上記カソードから飛び出し、この正に帯電したイ
オンに対して低い電位を有する上記堆積チャンバ内のど
のような物体にでも付着する。いくつかの堆積プロセス
では、コートされる上記基体を上記アノードと同電位に
維持させている。別のプロセスでは、上記基体の電位を
低下させるためにバイアス電源を用いて、上記正帯電イ
オンに対しより引力を与えるようにされている。どちら
の場合にも、上記基体は、上記カソードから飛び出して
気化した材料によってコートされることになる。
エネルギーは強力であり、105〜107A/cm2で、
数μsの時間だけ持続する。このエネルギー強度は、上
記カソードスポットの局所的温度を上記排気されたチャ
ンバ圧での上記カソード材料の沸点にほぼ等しい温度に
まで上昇させる。この結果、上記カソードスポットにお
けるカソード材料は、原子、分子、イオン、電子、粒子
を含有するプラズマとして気化する。正に帯電したイオ
ンは、上記カソードから飛び出し、この正に帯電したイ
オンに対して低い電位を有する上記堆積チャンバ内のど
のような物体にでも付着する。いくつかの堆積プロセス
では、コートされる上記基体を上記アノードと同電位に
維持させている。別のプロセスでは、上記基体の電位を
低下させるためにバイアス電源を用いて、上記正帯電イ
オンに対しより引力を与えるようにされている。どちら
の場合にも、上記基体は、上記カソードから飛び出して
気化した材料によってコートされることになる。
【0005】上記アークのランダムな移動は、上記カソ
ードの不均一な浸食を生じさせ、このことが上記カソー
ドの使用寿命を制限してしまうことになる。この不均一
な浸食を避けるために、上記カソードに対して上記アー
クを制御することが知られている。米国特許第4,67
3,477号,米国特許第4,849,088号,米国
特許第5,037,522号では、カソードに対すし、
アークを制御する装置が開示されている。いくつかの従
来技術においては、上記カソードへの上記アークを、そ
の磁界を機械的に制御することによって制御している。
別の従来技術では、上記アークを上記カソードの2つの
端部間で電源リード線を電気的に交互に接続することに
よって制御している。これらの双方の手法では、上記カ
ソードに対する上記アークの速度が上記磁界源の装置操
作速度や上記電源のスイッチング速度によって制限され
てしまう。別の制限は、上記カソードに対して磁界源を
操作するための上記スイッチング機構及びそのための装
置の複雑さにある。当業者によれば、コーティング環境
の構築は、労力を伴う単調なものであっても信頼性に大
きな影響を与えることが理解されよう。
ードの不均一な浸食を生じさせ、このことが上記カソー
ドの使用寿命を制限してしまうことになる。この不均一
な浸食を避けるために、上記カソードに対して上記アー
クを制御することが知られている。米国特許第4,67
3,477号,米国特許第4,849,088号,米国
特許第5,037,522号では、カソードに対すし、
アークを制御する装置が開示されている。いくつかの従
来技術においては、上記カソードへの上記アークを、そ
の磁界を機械的に制御することによって制御している。
別の従来技術では、上記アークを上記カソードの2つの
端部間で電源リード線を電気的に交互に接続することに
よって制御している。これらの双方の手法では、上記カ
ソードに対する上記アークの速度が上記磁界源の装置操
作速度や上記電源のスイッチング速度によって制限され
てしまう。別の制限は、上記カソードに対して磁界源を
操作するための上記スイッチング機構及びそのための装
置の複雑さにある。当業者によれば、コーティング環境
の構築は、労力を伴う単調なものであっても信頼性に大
きな影響を与えることが理解されよう。
【0006】現在使用できるカソードアークコータは、
典型的には上記コータに固定された冷却カソードを用い
ている。一つの冷却方法としては、上記カソードとマニ
ホルドの間で冷媒を流すようになったマニホルドをカソ
ードに取り付けることによる。別の手法としては、ホロ
ーカソードに連結した冷却パイプを用いることによる。
いずれの場合も問題となるのは上記マニホルド又はパイ
プを収容すべく、カソードを機械加工しなければならな
いことにある。すべてのカソード材料が、機械加工が可
能ではあっても適しているわけではないので、機械加工
は、上記消耗品であるカソードに対し著しいコストを加
えてしまうことになる。カソードの「直接冷却」により
生じる別の問題点は、その使用寿命が終了した場合に上
記カソードを交換する労力を伴うことにある。マニホル
ド(又はパイプ)が上記カソードに機械的に取り付けら
れている上述の場合には、上記マニホルド(又はパイ
プ)は、古いカソードから取り外されて、新しいカソー
ド及び上記堆積チャンバに装着され、それに引き続いて
冷媒によって洗浄が行われる。各コーティング操作の後
にカソードを交換することが必要な用途の場合には、労
力・コスト及び停止時間が重大な関心事となる。さらに
は、上記直接冷却による別の問題は、リークにある。堆
積中の冷媒のリークは、コーティングする上記基体を汚
染するので、上記堆積チャンバ内を充分に清掃化するこ
とが必要となる。ガスタービンエンジンの翼は、コート
すべき高価な基体の一例である。このような汚染による
損失を最低限とし、又は排除することは、重大な課題で
あるといえる。
典型的には上記コータに固定された冷却カソードを用い
ている。一つの冷却方法としては、上記カソードとマニ
ホルドの間で冷媒を流すようになったマニホルドをカソ
ードに取り付けることによる。別の手法としては、ホロ
ーカソードに連結した冷却パイプを用いることによる。
いずれの場合も問題となるのは上記マニホルド又はパイ
プを収容すべく、カソードを機械加工しなければならな
いことにある。すべてのカソード材料が、機械加工が可
能ではあっても適しているわけではないので、機械加工
は、上記消耗品であるカソードに対し著しいコストを加
えてしまうことになる。カソードの「直接冷却」により
生じる別の問題点は、その使用寿命が終了した場合に上
記カソードを交換する労力を伴うことにある。マニホル
ド(又はパイプ)が上記カソードに機械的に取り付けら
れている上述の場合には、上記マニホルド(又はパイ
プ)は、古いカソードから取り外されて、新しいカソー
ド及び上記堆積チャンバに装着され、それに引き続いて
冷媒によって洗浄が行われる。各コーティング操作の後
にカソードを交換することが必要な用途の場合には、労
力・コスト及び停止時間が重大な関心事となる。さらに
は、上記直接冷却による別の問題は、リークにある。堆
積中の冷媒のリークは、コーティングする上記基体を汚
染するので、上記堆積チャンバ内を充分に清掃化するこ
とが必要となる。ガスタービンエンジンの翼は、コート
すべき高価な基体の一例である。このような汚染による
損失を最低限とし、又は排除することは、重大な課題で
あるといえる。
【0007】すなわち、基体への材料のカソードアーク
気相堆積法のための装置に対しては、効率よく操作で
き、基体への高品質のコーティングを一貫して行うこと
ができ、カソード浸食を最適化でき、コスト効率が良い
こと、が要求されていたのである。
気相堆積法のための装置に対しては、効率よく操作で
き、基体への高品質のコーティングを一貫して行うこと
ができ、カソード浸食を最適化でき、コスト効率が良い
こと、が要求されていたのである。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
目的は、コスト効果良く基体へと材料をカソードアーク
気相堆積させるための装置を提供することにある。
目的は、コスト効果良く基体へと材料をカソードアーク
気相堆積させるための装置を提供することにある。
【0009】本発明の別の目的は、均一で高品質のコー
ティングを上記装置内部のすべての基体に対して行うこ
とを可能とする、基体へと材料をカソードアーク気相堆
積させるための装置を提供することにある。
ティングを上記装置内部のすべての基体に対して行うこ
とを可能とする、基体へと材料をカソードアーク気相堆
積させるための装置を提供することにある。
【0010】さらに本発明の他の目的は、従来技術の制
限を克服し、カソードへのアークの制御を行う装置を備
え、基体へと材料をカソードアーク気相堆積させるため
の装置を提供することにある。
限を克服し、カソードへのアークの制御を行う装置を備
え、基体へと材料をカソードアーク気相堆積させるため
の装置を提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、基体に
対してカソードアーク気相堆積法を施すための装置は、
容器と、この容器を真空に維持させるための手段と、デ
ィスク形状のカソードと、選択的にアークの電気エネル
ギーを上記カソードとアノードの間で維持させるための
手段と、上記アークを上記カソードに対して制御するた
めの手段と、を有している。上記アークの電気的エネル
ギーは、上記カソードとアノードの間に延びて、そのカ
ソード部分を気化させ、連続的に上記容器内に位置決め
された上記基体に堆積が行われるようにさせている。
対してカソードアーク気相堆積法を施すための装置は、
容器と、この容器を真空に維持させるための手段と、デ
ィスク形状のカソードと、選択的にアークの電気エネル
ギーを上記カソードとアノードの間で維持させるための
手段と、上記アークを上記カソードに対して制御するた
めの手段と、を有している。上記アークの電気的エネル
ギーは、上記カソードとアノードの間に延びて、そのカ
ソード部分を気化させ、連続的に上記容器内に位置決め
された上記基体に堆積が行われるようにさせている。
【0012】さらに本発明の上記課題は、より詳細に
は、カソードアーク気相堆積法により材料を基体に堆積
させるための装置であって、容器と、上記容器を真空に
維持するための手段と、上記容器内に配置され、第1の
端面と第2の端面とこれらの端面の間に延びた蒸発面と
を備えたディスク形状のカソードと、アークによる電気
エネルギーを上記蒸発面とアノードの間で選択的に支持
するための手段と、上記カソードに近接して位置決めさ
れ、上記カソードにまで入り込む磁界を発生させるとと
もに、上記アークを上記蒸発面を巡るようにして移動さ
せるための手段とを有し、上記カソードと上記アノード
の間に延びた上記アークの電気エネルギーにより、上記
容器内に配置された上記基体に連続的に堆積される上記
カソード部分を蒸発させることを特徴とする装置を提供
することによって解決される。
は、カソードアーク気相堆積法により材料を基体に堆積
させるための装置であって、容器と、上記容器を真空に
維持するための手段と、上記容器内に配置され、第1の
端面と第2の端面とこれらの端面の間に延びた蒸発面と
を備えたディスク形状のカソードと、アークによる電気
エネルギーを上記蒸発面とアノードの間で選択的に支持
するための手段と、上記カソードに近接して位置決めさ
れ、上記カソードにまで入り込む磁界を発生させるとと
もに、上記アークを上記蒸発面を巡るようにして移動さ
せるための手段とを有し、上記カソードと上記アノード
の間に延びた上記アークの電気エネルギーにより、上記
容器内に配置された上記基体に連続的に堆積される上記
カソード部分を蒸発させることを特徴とする装置を提供
することによって解決される。
【0013】本発明の上記構成では、上記カソードと上
記アノードの間においてアークの電気エネルギーを支持
するための上記手段は、上記容器に電気的に連結され、
上記容器をアノードとするための正の導線及び上記カソ
ードに電気的に連結された負の導線を備えた電源を有し
ており、上記カソードは、電気的に上記容器から絶縁さ
れていても良い。
記アノードの間においてアークの電気エネルギーを支持
するための上記手段は、上記容器に電気的に連結され、
上記容器をアノードとするための正の導線及び上記カソ
ードに電気的に連結された負の導線を備えた電源を有し
ており、上記カソードは、電気的に上記容器から絶縁さ
れていても良い。
【0014】さらに、上記蒸発面を巡るようにして上記
アークを移動させるための上記手段は、強磁性体中心部
材と、この強磁性体中心部材に取り付けられ、上記カソ
ードの上記蒸発面に実質的に平行に延びる部分を有する
磁界を発生させる磁界発生装置を備えていても良い。
アークを移動させるための上記手段は、強磁性体中心部
材と、この強磁性体中心部材に取り付けられ、上記カソ
ードの上記蒸発面に実質的に平行に延びる部分を有する
磁界を発生させる磁界発生装置を備えていても良い。
【0015】また、上記磁界発生装置はさらに、上記強
磁性体中心部材の側面にそれぞれが取り付けられ、か
つ、この強磁性体中心部材の周りに均一の離間で取り付
けられた複数のマグネットを備えていることもできる。
磁性体中心部材の側面にそれぞれが取り付けられ、か
つ、この強磁性体中心部材の周りに均一の離間で取り付
けられた複数のマグネットを備えていることもできる。
【0016】さらに、上記マグネットは、永久磁石とさ
れていても良い。
れていても良い。
【0017】また、上記各マグネットは、第1の極形成
端部とこの第1の極とは反対の極性である第2の極形成
端部とを備えた円筒形状とされていて、上記各マグネッ
トの上記第1の極を形成する端部は、上記強磁性体中心
部材に取り付けられていても良い。
端部とこの第1の極とは反対の極性である第2の極形成
端部とを備えた円筒形状とされていて、上記各マグネッ
トの上記第1の極を形成する端部は、上記強磁性体中心
部材に取り付けられていても良い。
【0018】上記装置はさらに、上記強磁性体中心部材
及び上記マグネットを被覆し、上記強磁性体中心部材及
び上記マグネットが浸食されないようにするための保護
コーティングを有していても良い。
及び上記マグネットを被覆し、上記強磁性体中心部材及
び上記マグネットが浸食されないようにするための保護
コーティングを有していても良い。
【0019】また、上記装置はさらに、上記カソードの
端面の1つに接触し、上記磁界発生装置を収容するハウ
ジングを備えていても良い。
端面の1つに接触し、上記磁界発生装置を収容するハウ
ジングを備えていても良い。
【0020】上記装置はさらに、上記ハウジングから熱
エネルギーを選択的に移動させるための手段を備えてお
り、この熱を移動させるための手段は、上記ハウジング
から熱を選択的に移動させるように構成することもでき
る。
エネルギーを選択的に移動させるための手段を備えてお
り、この熱を移動させるための手段は、上記ハウジング
から熱を選択的に移動させるように構成することもでき
る。
【0021】また上記装置はさらに、上記強磁性体中心
部材に取り付けられ、この強磁性体中心部材及び上記ハ
ウジング内部に取り付けられた磁界発生装置を回転させ
るローテータを備えていても良い。
部材に取り付けられ、この強磁性体中心部材及び上記ハ
ウジング内部に取り付けられた磁界発生装置を回転させ
るローテータを備えていても良い。
【0022】また、上記ローテータは、上記容器の外側
に配設された駆動モータと、上記強磁性体中心部材に取
り付けられたロッドとを備えていて、上記ロッドは、上
記容器の外側にまで延ばされ、かつ、上記駆動モータに
より選択的に回転するように構成することもできる。
に配設された駆動モータと、上記強磁性体中心部材に取
り付けられたロッドとを備えていて、上記ロッドは、上
記容器の外側にまで延ばされ、かつ、上記駆動モータに
より選択的に回転するように構成することもできる。
【0023】さらに、上記磁界発生装置は、径方向内側
面とこの径方向内側面とは逆の極とされた径方向外側面
を有する環状マグネットを備え、上記径方向内側面は、
上記強磁性体中心部材に取り付けられていても良い。
面とこの径方向内側面とは逆の極とされた径方向外側面
を有する環状マグネットを備え、上記径方向内側面は、
上記強磁性体中心部材に取り付けられていても良い。
【0024】さらに、上記環状マグネットは、複数のマ
グネットセグメントが集合して形成されていても良い。
グネットセグメントが集合して形成されていても良い。
【0025】また、上記装置はさらに、上記カソードの
端面のうちの1つに接触し、上記磁界発生装置を内側に
収容するハウジングを有していても良い。
端面のうちの1つに接触し、上記磁界発生装置を内側に
収容するハウジングを有していても良い。
【0026】さらに、上記蒸発面を巡るようにして上記
アークを移動させるための手段は、強磁性体中心部材に
それぞれ取り付けられ、対となった磁界発生装置を備え
ており、上記磁界発生装置のうちの1つは、上記第1の
端面に近接して配置され、上記磁界発生装置の別の1つ
は、上記第2の端面に近接して配置されていて、上記各
磁界発生装置は、上記カソードの蒸発面に実質的に平行
に延びる部分を有する磁界を発生させるように構成され
ていても良い。
アークを移動させるための手段は、強磁性体中心部材に
それぞれ取り付けられ、対となった磁界発生装置を備え
ており、上記磁界発生装置のうちの1つは、上記第1の
端面に近接して配置され、上記磁界発生装置の別の1つ
は、上記第2の端面に近接して配置されていて、上記各
磁界発生装置は、上記カソードの蒸発面に実質的に平行
に延びる部分を有する磁界を発生させるように構成され
ていても良い。
【0027】本発明の上記目的及び他の目的、特徴、効
果については、添付する図面を持ってする本発明の最良
の実施例についての詳細な説明により、より明確とする
ことができる。
果については、添付する図面を持ってする本発明の最良
の実施例についての詳細な説明により、より明確とする
ことができる。
【0028】
I.装置 図1を参照し、基体12へのカソード気相堆積法のため
の装置10を以後、「カソードアークコータ」と呼ぶこ
とにする。このカソードアークコータ10は、容器14
と、上記容器14を真空に維持するための手段16と、
カソード18と、コンタクタ20と、上記カソード18
と上記アノード24の間においてアークの電気エネルギ
ーを維持させるための手段22と、を有している。冷媒
供給源26は、上記容器14及び上記コンタクタ20内
の冷媒通路28,30を通して冷媒を循環させることに
より、上記装置を許容可能な温度に維持させている。好
適な実施例では、上記容器14内の真空を維持させるた
めの上記手段16は、低真空用のメカニカル真空ポンプ
32と上記容器内部へと通された拡散型大容量真空ポン
プ34とから構成されている。これら以外の真空手段で
あっても用いることが可能である。
の装置10を以後、「カソードアークコータ」と呼ぶこ
とにする。このカソードアークコータ10は、容器14
と、上記容器14を真空に維持するための手段16と、
カソード18と、コンタクタ20と、上記カソード18
と上記アノード24の間においてアークの電気エネルギ
ーを維持させるための手段22と、を有している。冷媒
供給源26は、上記容器14及び上記コンタクタ20内
の冷媒通路28,30を通して冷媒を循環させることに
より、上記装置を許容可能な温度に維持させている。好
適な実施例では、上記容器14内の真空を維持させるた
めの上記手段16は、低真空用のメカニカル真空ポンプ
32と上記容器内部へと通された拡散型大容量真空ポン
プ34とから構成されている。これら以外の真空手段で
あっても用いることが可能である。
【0029】図1及び図2を参照して、上記カソード1
8は、対となった端面38,40の間に延びた蒸発面3
6を備える実質的に断面円形のディスクとされている。
本発明のカソードは、ディスク形状であることが好まし
く、また、円形断面の鋳造物から例えば切削によって得
られるようになっていることが好ましい。上記端面3
8,40は、実質的に互いに平行とされている。堆積さ
れるコーティングは、上記カソード18の組成によって
決定され、又しばしば上記カソード18は、単に鋳造ロ
ッドから切断されたものとすることが可能である。上記
カソード18の軸方向の長さ42は、上記カソード18
の上記蒸発面36に沿った浸食パターン46の予測され
る最終幅44よりも長くされていることが好ましい。上
記端面38,40の間の上記浸食パターン46を維持さ
せることにより、上記アークが上記カソード18の上記
蒸発面36から離れてしまう可能性が最低化される。上
記基体12は、プラター48上にマウントされていて、
このプラター48は、上記容器14の内側及び外側方向
に向かって転がりながら移動するようにされている。上
記プラター48は、上記基体を回転させるための手段を
備えている(図示せず)。
8は、対となった端面38,40の間に延びた蒸発面3
6を備える実質的に断面円形のディスクとされている。
本発明のカソードは、ディスク形状であることが好まし
く、また、円形断面の鋳造物から例えば切削によって得
られるようになっていることが好ましい。上記端面3
8,40は、実質的に互いに平行とされている。堆積さ
れるコーティングは、上記カソード18の組成によって
決定され、又しばしば上記カソード18は、単に鋳造ロ
ッドから切断されたものとすることが可能である。上記
カソード18の軸方向の長さ42は、上記カソード18
の上記蒸発面36に沿った浸食パターン46の予測され
る最終幅44よりも長くされていることが好ましい。上
記端面38,40の間の上記浸食パターン46を維持さ
せることにより、上記アークが上記カソード18の上記
蒸発面36から離れてしまう可能性が最低化される。上
記基体12は、プラター48上にマウントされていて、
このプラター48は、上記容器14の内側及び外側方向
に向かって転がりながら移動するようにされている。上
記プラター48は、上記基体を回転させるための手段を
備えている(図示せず)。
【0030】上記コンタクタ20は、シャフト54に取
り付けられたヘッド52を有している。上記ヘッド52
は、上記容器14の内側に位置決めされており、上記シ
ャフト54は、上記ヘッド52から上記容器14の外へ
と延ばされている。絶縁性のディスク56は、電気的に
上記コンタクタ20を上記容器14から絶縁させてい
る。上記コンタクタ20は、さらに、上記シャフト54
内部でこれと同軸に位置決めされた冷却チューブ58
と、この冷却チューブ58に連結された冷媒インレット
ポート60(図1参照)と、上記同軸冷媒チューブ58
及び上記シャフト54の間に形成された通路30と、を
さらに有していることが好ましい。上記冷却チューブ5
8と上記シャフト54の間のこのような同軸配置によ
り、上記冷媒供給源26からの冷媒が上記冷却チューブ
58に導入され、上記シャフト54と上記冷却チューブ
58の間の上記通路30を通して戻され又この逆も可能
なようにされている。
り付けられたヘッド52を有している。上記ヘッド52
は、上記容器14の内側に位置決めされており、上記シ
ャフト54は、上記ヘッド52から上記容器14の外へ
と延ばされている。絶縁性のディスク56は、電気的に
上記コンタクタ20を上記容器14から絶縁させてい
る。上記コンタクタ20は、さらに、上記シャフト54
内部でこれと同軸に位置決めされた冷却チューブ58
と、この冷却チューブ58に連結された冷媒インレット
ポート60(図1参照)と、上記同軸冷媒チューブ58
及び上記シャフト54の間に形成された通路30と、を
さらに有していることが好ましい。上記冷却チューブ5
8と上記シャフト54の間のこのような同軸配置によ
り、上記冷媒供給源26からの冷媒が上記冷却チューブ
58に導入され、上記シャフト54と上記冷却チューブ
58の間の上記通路30を通して戻され又この逆も可能
なようにされている。
【0031】図2〜図8を参照すると、上記コンタクタ
ヘッド52は、カップ66と、シャフトフランジ68
と、磁界発生装置74と、を備えている。上記シャフト
フランジ68は、上記シャフト54に取り付けられてお
り、上記カップ66は、上記シャフトフランジ68に着
脱自在に取り付けられている。上記カップ66と、上記
シャフトフランジ68と、上記シャフト54は、銅合金
と言った導電性材料から製造されている。上記磁界発生
装置74は、強磁性体中心部材82と、複数の側部マグ
ネット84と、センタマグネット86と、を備えてい
る。上記中心部材82は、少なくとも1つの側面88を
備えており、この側面88は、2つの端面90の間に延
びているとともに、上記センタマグネット86を収容す
るための中空部92を備えている。上記側部マグネット
84及び上記センタマグネット86は、永久磁石とされ
ていることが好ましいが、これとは別に電磁石といった
磁界発生源であっても用いることができる。例えば円筒
形の永久磁石は、市販に利用できるので比較的安価とな
り有効である(図2〜図4,図7及び図8参照)。セグ
メント化されたマグネットや、一体型のマグネットとい
った環状のマグネットであっても、これに代えて用いる
ことができる(図5,図6参照)。上記側部マグネット
84は、上記側面88に取り付けられており、上記セン
タマグネット86は、上記中空部92に収容されている
か又は上記端面90において取り付けられている。本発
明の上記装置においては、上記強磁性体中心部材及び上
記マグネットを被覆し、上記強磁性体中心部材及び上記
マグネットが浸食されないようにする保護コーティング
を上記強磁性体中心部材及び上記マグネットに施すこと
もできる。
ヘッド52は、カップ66と、シャフトフランジ68
と、磁界発生装置74と、を備えている。上記シャフト
フランジ68は、上記シャフト54に取り付けられてお
り、上記カップ66は、上記シャフトフランジ68に着
脱自在に取り付けられている。上記カップ66と、上記
シャフトフランジ68と、上記シャフト54は、銅合金
と言った導電性材料から製造されている。上記磁界発生
装置74は、強磁性体中心部材82と、複数の側部マグ
ネット84と、センタマグネット86と、を備えてい
る。上記中心部材82は、少なくとも1つの側面88を
備えており、この側面88は、2つの端面90の間に延
びているとともに、上記センタマグネット86を収容す
るための中空部92を備えている。上記側部マグネット
84及び上記センタマグネット86は、永久磁石とされ
ていることが好ましいが、これとは別に電磁石といった
磁界発生源であっても用いることができる。例えば円筒
形の永久磁石は、市販に利用できるので比較的安価とな
り有効である(図2〜図4,図7及び図8参照)。セグ
メント化されたマグネットや、一体型のマグネットとい
った環状のマグネットであっても、これに代えて用いる
ことができる(図5,図6参照)。上記側部マグネット
84は、上記側面88に取り付けられており、上記セン
タマグネット86は、上記中空部92に収容されている
か又は上記端面90において取り付けられている。本発
明の上記装置においては、上記強磁性体中心部材及び上
記マグネットを被覆し、上記強磁性体中心部材及び上記
マグネットが浸食されないようにする保護コーティング
を上記強磁性体中心部材及び上記マグネットに施すこと
もできる。
【0032】図8は、磁界発生装置74を示している
が、この磁界発生装置74は、強磁性体の中心部材82
と、側部マグネット84と、を備えているが、中心マグ
ネット86を有していない。上記すべての実施例では、
多数の側部マグネット84が手操作によりそのプロセス
を適正化させるように変更することができる。
が、この磁界発生装置74は、強磁性体の中心部材82
と、側部マグネット84と、を備えているが、中心マグ
ネット86を有していない。上記すべての実施例では、
多数の側部マグネット84が手操作によりそのプロセス
を適正化させるように変更することができる。
【0033】図1及び図2を参照すると、装置94は、
上記磁界発生装置74を回転させるために備えられてい
る。そのための回転装置94は、上記冷却チューブ58
を通して、上記強磁性体の中心部材82に連結される上
記ヘッド52にまで延びたロッド96を備えている。上
記ロッド96の反対側の端部は、可変速度モータ98へ
と駆動ベルト100によって連結されている(図1参
照)。
上記磁界発生装置74を回転させるために備えられてい
る。そのための回転装置94は、上記冷却チューブ58
を通して、上記強磁性体の中心部材82に連結される上
記ヘッド52にまで延びたロッド96を備えている。上
記ロッド96の反対側の端部は、可変速度モータ98へ
と駆動ベルト100によって連結されている(図1参
照)。
【0034】上記カソードアークコータ10は、また、
選択的に上記コンタクタ20を上記カソード18へと接
触させるように駆動するアクチュエータ102を有して
おり、このアクチュエータ102は、対となった2方向
アクチュエータシリンダ104(油圧又は空圧式であ
る)を備えており、これらのアクチュエータシリンダ1
04は、上記容器14と上記コンタクタシャフト54に
取り付けられたシャフトフランジ106の間で動作する
ようにされている。これらのアクチュエータシリンダ1
04の代わりに、機械的装置を用いることもできる。市
販の利用可能な制御装置(図示せず)は、上記シリンダ
104(又は機械的装置)の位置及び力を制御するため
に用いることができる。図1は、固定支持体19と駆動
可能なコンタクタ20の間に配設されたカソード18を
示している。図2は、コンタクタ20が上記カソード1
8の各端面38,40に接触している別の配置を示して
いる。第2のコンタクタ20は、固定されていても駆動
されるようにされていても良い。
選択的に上記コンタクタ20を上記カソード18へと接
触させるように駆動するアクチュエータ102を有して
おり、このアクチュエータ102は、対となった2方向
アクチュエータシリンダ104(油圧又は空圧式であ
る)を備えており、これらのアクチュエータシリンダ1
04は、上記容器14と上記コンタクタシャフト54に
取り付けられたシャフトフランジ106の間で動作する
ようにされている。これらのアクチュエータシリンダ1
04の代わりに、機械的装置を用いることもできる。市
販の利用可能な制御装置(図示せず)は、上記シリンダ
104(又は機械的装置)の位置及び力を制御するため
に用いることができる。図1は、固定支持体19と駆動
可能なコンタクタ20の間に配設されたカソード18を
示している。図2は、コンタクタ20が上記カソード1
8の各端面38,40に接触している別の配置を示して
いる。第2のコンタクタ20は、固定されていても駆動
されるようにされていても良い。
【0035】上記カソードアークコータ10は、上記基
体12を電気的にバイアスさせるためのバイアス電源1
08を備えていることが好ましい。上記基体を12上記
アノード24に対して負にバイアスさせることにより、
上記基体12が上記カソード18から飛び出した正イオ
ンに対して電気的引力を生じさせる。コンタクト110
は、電気的に上記バイアス電源108を上記プラター4
8へと接続している。上記基体12は、上記プラター4
8へと電気的に接続されており、このため上記バイアス
電源108に電気的に接続されている。上記基体12を
上記バイアス電源108に連結させるための別の手段で
あっても別途用いることが可能である。
体12を電気的にバイアスさせるためのバイアス電源1
08を備えていることが好ましい。上記基体を12上記
アノード24に対して負にバイアスさせることにより、
上記基体12が上記カソード18から飛び出した正イオ
ンに対して電気的引力を生じさせる。コンタクト110
は、電気的に上記バイアス電源108を上記プラター4
8へと接続している。上記基体12は、上記プラター4
8へと電気的に接続されており、このため上記バイアス
電源108に電気的に接続されている。上記基体12を
上記バイアス電源108に連結させるための別の手段で
あっても別途用いることが可能である。
【0036】デフレクタシールド112を上記コータ1
0全体に用いて、上記基体12の領域上へと気化される
上記カソード材料を規制するることも可能である。上記
容器14に取り付けられた上記デフレクタシールド11
2と、上記プラター48と、上記コンタクタ20とが、
これらの面上に好ましからざる材料堆積を最低化させる
ようにしている。好ましい実施例では、上記デフレクタ
シールド112は、上記容器14に取り付けられてい
て、電気的に上記容器14と接続され、腐食に耐性のあ
る例えばステンレススチールといった導電性材料から製
造されていることが好ましい。
0全体に用いて、上記基体12の領域上へと気化される
上記カソード材料を規制するることも可能である。上記
容器14に取り付けられた上記デフレクタシールド11
2と、上記プラター48と、上記コンタクタ20とが、
これらの面上に好ましからざる材料堆積を最低化させる
ようにしている。好ましい実施例では、上記デフレクタ
シールド112は、上記容器14に取り付けられてい
て、電気的に上記容器14と接続され、腐食に耐性のあ
る例えばステンレススチールといった導電性材料から製
造されていることが好ましい。
【0037】上記カソード18とアノード24の間にお
いてアークの電気的エネルギーを維持させるための手段
22は、直流(D.C.)電源114を備えている。好
ましい実施例では、上記電源114からの正の導線11
5は、上記容器14へと接続されていて、上記容器14
をアノードとして作用させている。上記電源114から
の負の導電117は、上記コンタクタシャフト52に電
気的に連結されている。別の実施例では、上記容器14
の内側に配設されたアノード(図示せず)を用いること
もできる。アーク開始装置116は、上記容器14の電
位あるいはその付近の電位に維持されており、アークを
開始させるために用いられている。
いてアークの電気的エネルギーを維持させるための手段
22は、直流(D.C.)電源114を備えている。好
ましい実施例では、上記電源114からの正の導線11
5は、上記容器14へと接続されていて、上記容器14
をアノードとして作用させている。上記電源114から
の負の導電117は、上記コンタクタシャフト52に電
気的に連結されている。別の実施例では、上記容器14
の内側に配設されたアノード(図示せず)を用いること
もできる。アーク開始装置116は、上記容器14の電
位あるいはその付近の電位に維持されており、アークを
開始させるために用いられている。
【0038】II.装置の操作 図1を参照して、本発明のカソードアークコータ10の
操作について説明する。本発明のカソードアークコータ
10は、複数の基体12と、単一のカソード18が上記
プラター48に取り付けられている。このプラター48
は、上記容器14内に配置されている。上記基体12
は、あらかじめ油分が除去されて、実質的に清浄化され
ているが、それぞれその外表面に幾分かの汚染分子又は
表面酸化物が残存している。上記アクチュエータシリン
ダ104は、連続的に上記コンタクタ20を上記カソー
ド18に電気的に接続するように駆動しており、上記容
器14が閉じられる。
操作について説明する。本発明のカソードアークコータ
10は、複数の基体12と、単一のカソード18が上記
プラター48に取り付けられている。このプラター48
は、上記容器14内に配置されている。上記基体12
は、あらかじめ油分が除去されて、実質的に清浄化され
ているが、それぞれその外表面に幾分かの汚染分子又は
表面酸化物が残存している。上記アクチュエータシリン
ダ104は、連続的に上記コンタクタ20を上記カソー
ド18に電気的に接続するように駆動しており、上記容
器14が閉じられる。
【0039】上記低真空用機械的真空ポンプ32は、上
記容器14を所定の圧力まで排気するように運転され
る。その所定圧力にまで達すると、上記大容量拡散真空
ポンプ34は、さらに上記容器14を真空条件にまで排
気する。上記基体12は、その後どのような残存汚染物
及び酸化物、あるいはそれら双方でも「スパッタクリー
ニング」と言った方法により清浄化される。スパッタク
リーニングは、当業界においては良く知られた方法であ
り、本願明細書においては詳細な説明を行わない。別の
清浄化方法であっても用いることが可能である。上記基
体12が清浄化された後には、上記汚染物質が、典型的
には不活性ガスを用いてパージされる。
記容器14を所定の圧力まで排気するように運転され
る。その所定圧力にまで達すると、上記大容量拡散真空
ポンプ34は、さらに上記容器14を真空条件にまで排
気する。上記基体12は、その後どのような残存汚染物
及び酸化物、あるいはそれら双方でも「スパッタクリー
ニング」と言った方法により清浄化される。スパッタク
リーニングは、当業界においては良く知られた方法であ
り、本願明細書においては詳細な説明を行わない。別の
清浄化方法であっても用いることが可能である。上記基
体12が清浄化された後には、上記汚染物質が、典型的
には不活性ガスを用いてパージされる。
【0040】アークを開始させる前に、いくつかのステ
ップを完了させておく。これらのステップとしては、
(1)上記基体12を上記バイアス電源108により電
気的にバイアスしてこれらの基体12が上記カソード1
8から放出される正イオンに対して引力を及ぼすように
させるステップと、(2)上記基体12を所定の速度で
回転させるステップと、(3)上記電源114をセット
してアークを開始させないまま、一定の電流強度及び電
圧のアークを開始させるようにするためのステップと、
(4)上記真空ポンプ32,34を起動して上記容器1
4内の気体圧力を一定の真空となるように維持させるス
テップと、(5)冷媒を上記容器14及び上記コンタク
タ20内の上記冷却通路28,30に通じるステップ
と、を挙げることができる。特定のプロセスパラメータ
は、基体材料、コーティング材料、そのコーティングの
所望特性に応じて定めることができる。
ップを完了させておく。これらのステップとしては、
(1)上記基体12を上記バイアス電源108により電
気的にバイアスしてこれらの基体12が上記カソード1
8から放出される正イオンに対して引力を及ぼすように
させるステップと、(2)上記基体12を所定の速度で
回転させるステップと、(3)上記電源114をセット
してアークを開始させないまま、一定の電流強度及び電
圧のアークを開始させるようにするためのステップと、
(4)上記真空ポンプ32,34を起動して上記容器1
4内の気体圧力を一定の真空となるように維持させるス
テップと、(5)冷媒を上記容器14及び上記コンタク
タ20内の上記冷却通路28,30に通じるステップ
と、を挙げることができる。特定のプロセスパラメータ
は、基体材料、コーティング材料、そのコーティングの
所望特性に応じて定めることができる。
【0041】上記ステップが完了すると、上記アーク開
始装置116が駆動されて上記カソード18の上記蒸発
面36との接触が断たれて、上記アーク開始装置116
と上記蒸発面36の間においてアークを生じさせること
になる。上記アーク開始装置116は、連続的に上記カ
ソード18から遠ざけられ、上記基体12の径方向外側
とされることが好ましい。上記アーク開始装置116が
上記カソード18にもはや近接していなくなると、上記
アークは、上記カソード18と上記容器14に電気的に
接続された上記デフレクタシールド112の間で、又は
上記カソード18と上記容器14の間において直接発生
するようになる。
始装置116が駆動されて上記カソード18の上記蒸発
面36との接触が断たれて、上記アーク開始装置116
と上記蒸発面36の間においてアークを生じさせること
になる。上記アーク開始装置116は、連続的に上記カ
ソード18から遠ざけられ、上記基体12の径方向外側
とされることが好ましい。上記アーク開始装置116が
上記カソード18にもはや近接していなくなると、上記
アークは、上記カソード18と上記容器14に電気的に
接続された上記デフレクタシールド112の間で、又は
上記カソード18と上記容器14の間において直接発生
するようになる。
【0042】上記磁界発生装置74は、上記コンタクタ
20内に配置されていて、上記カソード18の上記蒸発
面36に沿って上記カソードスポットを移動させる。よ
り具体的には、各側部マグネット84は、上記カソード
18に入り込み、実質的に上記カソードの蒸発面36に
平行に延びる磁界を発生させる。図7及び図8は、上記
磁力線が存在すると考えられる場所を近似的に示してお
り、ベクトル124は、上記カソード端面38,40の
間に延びた磁場を現している。上記磁場ベクトル124
の方向は、上記側部マグネット84の極配置に依存して
おり、すべてのマグネット84は、同様に配置されてい
る。ベクトル126は、上記電気的アークを示してお
り、磁場ベクトル124とは対照的に実質的に垂直の方
向に遠ざかるようにして上記蒸発面36から延びてい
る。これとともに、上記磁界及び上記アークによる電流
は、上記アークに力を作用させ(ホール効果)、このア
ークを上記カソード18の周方向に沿って一定距離で移
動させる。所定のカソードスポットにおける上記アーク
の滞留時間は、上記ホール効果による力とは反対の影響
を受ける。すなわち、上記ホール効果による力が増加す
ると、上記滞留時間は減少する。当業者によれば、上記
滞留時間を低減させることは、堆積したコーティングの
均一性及び表面仕上げに対して悪影響を与える粗大粒子
の発生を低減させることが知られている。
20内に配置されていて、上記カソード18の上記蒸発
面36に沿って上記カソードスポットを移動させる。よ
り具体的には、各側部マグネット84は、上記カソード
18に入り込み、実質的に上記カソードの蒸発面36に
平行に延びる磁界を発生させる。図7及び図8は、上記
磁力線が存在すると考えられる場所を近似的に示してお
り、ベクトル124は、上記カソード端面38,40の
間に延びた磁場を現している。上記磁場ベクトル124
の方向は、上記側部マグネット84の極配置に依存して
おり、すべてのマグネット84は、同様に配置されてい
る。ベクトル126は、上記電気的アークを示してお
り、磁場ベクトル124とは対照的に実質的に垂直の方
向に遠ざかるようにして上記蒸発面36から延びてい
る。これとともに、上記磁界及び上記アークによる電流
は、上記アークに力を作用させ(ホール効果)、このア
ークを上記カソード18の周方向に沿って一定距離で移
動させる。所定のカソードスポットにおける上記アーク
の滞留時間は、上記ホール効果による力とは反対の影響
を受ける。すなわち、上記ホール効果による力が増加す
ると、上記滞留時間は減少する。当業者によれば、上記
滞留時間を低減させることは、堆積したコーティングの
均一性及び表面仕上げに対して悪影響を与える粗大粒子
の発生を低減させることが知られている。
【0043】上記側部マグネット84個々の磁界は、互
いに周方向に近接しており、上記アークを上記カソード
の蒸発面36へと上記アークの経路122に沿って集中
させるような力を生じさせている(図2参照)。上記側
部マグネット84の数、上記側部マグネット84から放
出される磁界の相対的間隔、それらの磁界強度は、手作
業による安全性を考慮して調節される。しかしながらあ
る用途においては、さらにセンタマグネット86を備え
ることが効果を奏する。上記センタマグネット86の磁
界は、上記側部マグネット84から放出される上記磁界
の幾何学的形状に影響を与える。この結果、上記カソー
ド18の周方向を巡る上記アークの経路122は、上記
側部マグネット84から軸方向に遠ざかるようにして移
動する。このため、上記センタマグネット86は、上記
アーク経路122の軸方向位置を移動させるために用い
られる。図7は、どのように上記側部マグネット84及
び上記センタマグネット86からの上記磁力線が相互作
用しているかを推定して示した概略図である。アーク経
路122は、上記カソード18の軸方向の中間に近接し
ていて、上記アークが上記コンタクタ20から遠ざかる
ように、又は双方のコンタクタ20の間となるようにし
て保持しており、上記コンタクタ20の望ましからざる
消耗を最低限としている。アーク経路122(及びこの
結果による浸食形状)は、軸方向の中間部に近接してお
り、特定のカソード18から浸食される材料の量を最大
化させてコーティングプロセスの効率を向上させてい
る。
いに周方向に近接しており、上記アークを上記カソード
の蒸発面36へと上記アークの経路122に沿って集中
させるような力を生じさせている(図2参照)。上記側
部マグネット84の数、上記側部マグネット84から放
出される磁界の相対的間隔、それらの磁界強度は、手作
業による安全性を考慮して調節される。しかしながらあ
る用途においては、さらにセンタマグネット86を備え
ることが効果を奏する。上記センタマグネット86の磁
界は、上記側部マグネット84から放出される上記磁界
の幾何学的形状に影響を与える。この結果、上記カソー
ド18の周方向を巡る上記アークの経路122は、上記
側部マグネット84から軸方向に遠ざかるようにして移
動する。このため、上記センタマグネット86は、上記
アーク経路122の軸方向位置を移動させるために用い
られる。図7は、どのように上記側部マグネット84及
び上記センタマグネット86からの上記磁力線が相互作
用しているかを推定して示した概略図である。アーク経
路122は、上記カソード18の軸方向の中間に近接し
ていて、上記アークが上記コンタクタ20から遠ざかる
ように、又は双方のコンタクタ20の間となるようにし
て保持しており、上記コンタクタ20の望ましからざる
消耗を最低限としている。アーク経路122(及びこの
結果による浸食形状)は、軸方向の中間部に近接してお
り、特定のカソード18から浸食される材料の量を最大
化させてコーティングプロセスの効率を向上させてい
る。
【0044】上記カソードスポットにおいて上記アーク
から供給されるエネルギーは、上記材料を蒸発させ、原
子、分子、イオン、電子、粒子を上記カソード18から
飛び出させる。上記バイアスされた基体12は、上記イ
オンに対して引力を生じさせて、上記イオンを上記基体
12に向けて加速させる。上記イオンは、上記基体12
の表面を衝撃し、付着し、これが集合して上記カソード
材料コーティングを形成させる。
から供給されるエネルギーは、上記材料を蒸発させ、原
子、分子、イオン、電子、粒子を上記カソード18から
飛び出させる。上記バイアスされた基体12は、上記イ
オンに対して引力を生じさせて、上記イオンを上記基体
12に向けて加速させる。上記イオンは、上記基体12
の表面を衝撃し、付着し、これが集合して上記カソード
材料コーティングを形成させる。
【0045】図2は、仮想線をもって浸食されたカソー
ド18を示しており、これは実質的に上記アーク経路1
22を中心として対称的となっている。上記磁界発生装
置74を回転させるための装置94を備えた実施例で
は、上記磁界発生装置74の上記コンタクタ20内での
回転が上記カソード18の均一な軸方向及び周方向の浸
食を容易にさせている。その回転により、上記カソード
18の周方向における各側部マグネットの磁力による寄
与が時間に関して分散される。しかしながら、上記磁界
発生装置74の回転はアークを回転させるために必要と
されるわけではないことを明記する必要がある。上述し
たように、上記側部マグネット84の個々の磁界は、上
記アークを上記カソード蒸発面36へと集中させている
のである。
ド18を示しており、これは実質的に上記アーク経路1
22を中心として対称的となっている。上記磁界発生装
置74を回転させるための装置94を備えた実施例で
は、上記磁界発生装置74の上記コンタクタ20内での
回転が上記カソード18の均一な軸方向及び周方向の浸
食を容易にさせている。その回転により、上記カソード
18の周方向における各側部マグネットの磁力による寄
与が時間に関して分散される。しかしながら、上記磁界
発生装置74の回転はアークを回転させるために必要と
されるわけではないことを明記する必要がある。上述し
たように、上記側部マグネット84の個々の磁界は、上
記アークを上記カソード蒸発面36へと集中させている
のである。
【0046】図1を参照すると、充分な厚さのコーティ
ングが上記基体12上に形成されると、上記電源114
は停止され、アークが消滅する。上記容器114は、不
活性ガスによりパージされ、常圧とされる。上記コンタ
クタ20は、上記カソード18と接触しなくなるように
駆動され、上記プラッター48が上記容器14から取り
出される。上記基体12は、これに続いて上記プラッタ
ー48から取り外され、新たな基体12が装着される。
このようにして装着の済んだプラッター48は、その後
上記容器14内に戻され、上述したようにして上記プロ
セスが繰り返されることになる。
ングが上記基体12上に形成されると、上記電源114
は停止され、アークが消滅する。上記容器114は、不
活性ガスによりパージされ、常圧とされる。上記コンタ
クタ20は、上記カソード18と接触しなくなるように
駆動され、上記プラッター48が上記容器14から取り
出される。上記基体12は、これに続いて上記プラッタ
ー48から取り外され、新たな基体12が装着される。
このようにして装着の済んだプラッター48は、その後
上記容器14内に戻され、上述したようにして上記プロ
セスが繰り返されることになる。
【0047】本発明を実施例の詳細な説明により行って
きたが、当業者によれば形態及び細部への種々の変更
は、本発明の趣旨及び範囲内で行うことができることが
明らかであろう。例えば一例として、上記コンタクタ2
0を冷却する手段は、最良の実施例で示したもの以外に
も用いることが可能であろう。別の実施例では、電源1
14は、LCR回路又は別の改良した手段により、直流
に似せた電流を上記D.C.電源14の代わりに供給す
るものも用いることができる。さらに別の実施例のうち
の最良の実施例としては、1つ又は双方のコンタクタ2
0が駆動されるようになっていても良い。しかしなが
ら、ある場合には固定されたコンタクタ20を備えてい
ることが好ましい場合もある。
きたが、当業者によれば形態及び細部への種々の変更
は、本発明の趣旨及び範囲内で行うことができることが
明らかであろう。例えば一例として、上記コンタクタ2
0を冷却する手段は、最良の実施例で示したもの以外に
も用いることが可能であろう。別の実施例では、電源1
14は、LCR回路又は別の改良した手段により、直流
に似せた電流を上記D.C.電源14の代わりに供給す
るものも用いることができる。さらに別の実施例のうち
の最良の実施例としては、1つ又は双方のコンタクタ2
0が駆動されるようになっていても良い。しかしなが
ら、ある場合には固定されたコンタクタ20を備えてい
ることが好ましい場合もある。
【0048】
【発明の効果】本発明の効果は、基体への材料のカソー
ドアーク気相堆積を行うための本発明の装置が、コスト
効果良い方法により操作できるように構成されているこ
とにある。本発明の良好なコスト効果を生じさせる特徴
としては、上記カソードにある。本発明のカソードは、
ディスク形状であることが好ましく、また、円形断面の
鋳造物から例えば切削によって得られるようになってい
ることが好ましい。この簡単に形成できるカソードによ
り、高コストの機械加工が最低限とでき、上記カソード
及びコーティングプロセスのコストを軽減できることに
なる。良好なコスト効果を与える別の特徴としては、上
記カソードの浸食が周方向に均一であることを挙げるこ
とができる。この結果、交換が必要とされるまでの上記
カソードの寿命を最大限とすることができる。
ドアーク気相堆積を行うための本発明の装置が、コスト
効果良い方法により操作できるように構成されているこ
とにある。本発明の良好なコスト効果を生じさせる特徴
としては、上記カソードにある。本発明のカソードは、
ディスク形状であることが好ましく、また、円形断面の
鋳造物から例えば切削によって得られるようになってい
ることが好ましい。この簡単に形成できるカソードによ
り、高コストの機械加工が最低限とでき、上記カソード
及びコーティングプロセスのコストを軽減できることに
なる。良好なコスト効果を与える別の特徴としては、上
記カソードの浸食が周方向に均一であることを挙げるこ
とができる。この結果、交換が必要とされるまでの上記
カソードの寿命を最大限とすることができる。
【0049】本発明のさらに別の効果は、上記コーティ
ングプロセスの均一性にある。上記カソードに対する上
記アークの制御手段は、上記カソード浸食を均一化させ
る。特に、上記アークを上記カソードの周方向に対して
実質的に一定の速度で制御することにより、上記カソー
ドに対し、均一な周方向浸食を生じさせることができ
る。上記カソードを取り囲むようにして均等な離間で配
置された基体は、この結果、より均一にコートの堆積が
できる。これに加えて、上記カソードに対する上記アー
クの速度は、磁界強度と供給電流の関数となることであ
る。この結果、上記アークの速度は、電流量を変化させ
ること、磁界強度を変更すること、又はこれら双方によ
り制御できることになる。
ングプロセスの均一性にある。上記カソードに対する上
記アークの制御手段は、上記カソード浸食を均一化させ
る。特に、上記アークを上記カソードの周方向に対して
実質的に一定の速度で制御することにより、上記カソー
ドに対し、均一な周方向浸食を生じさせることができ
る。上記カソードを取り囲むようにして均等な離間で配
置された基体は、この結果、より均一にコートの堆積が
できる。これに加えて、上記カソードに対する上記アー
クの速度は、磁界強度と供給電流の関数となることであ
る。この結果、上記アークの速度は、電流量を変化させ
ること、磁界強度を変更すること、又はこれら双方によ
り制御できることになる。
【0050】本発明のさらに別の効果としては、上記カ
ソードに対し上記アークを制御するための手段の簡単さ
と信頼性とにある。上記アークを制御するための手段
は、複数の側部マグネット及び強磁性体製の中心部材を
備えており、スイッチング機構は必要とされない。この
ようにスイッチング機構を設けないことにより、上記制
御手段の信頼性を向上させることができる。
ソードに対し上記アークを制御するための手段の簡単さ
と信頼性とにある。上記アークを制御するための手段
は、複数の側部マグネット及び強磁性体製の中心部材を
備えており、スイッチング機構は必要とされない。この
ようにスイッチング機構を設けないことにより、上記制
御手段の信頼性を向上させることができる。
【図1】本発明のカソードアーク気相堆積装置の概略図
である。
である。
【図2】2つの磁界発生装置を示したコンタクタの断面
概略図である。
概略図である。
【図3】磁界発生装置の概略的な側面図である。
【図4】図3で示した磁界発生装置の上面図である。
【図5】環状の側部マグネットを備えた磁界発生装置の
概略上面図である。
概略上面図である。
【図6】図5に示した磁界発生装置の側面図である。
【図7】センタマグネットを備えたカソード及び磁界発
生装置について、上記カソードに入り込む磁力線を示し
た概略図である。
生装置について、上記カソードに入り込む磁力線を示し
た概略図である。
【図8】上記カソードに入り込む磁力線を示した上記カ
ソードと上記磁界発生装置の概略図である。
ソードと上記磁界発生装置の概略図である。
10…カソードアーク気相堆積装置 12…基体 14…容器 16…容器真空維持手段 18…カソード 20…コンタクタ 22…電気エネルギー維持手段 24…アノード 26…冷媒供給源 28,30…冷媒通路 32…低真空用機械的真空ポンプ 34…拡散型真空ポンプ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ティルス イー.ロイヤル アメリカ合衆国,フロリダ,レイク パー ク,レイク ショア ドライヴ 1025,ア パートメント 201
Claims (22)
- 【請求項1】 カソードアーク気相堆積法により材料を
基体に堆積させるための装置であって、 容器と、 前記容器を真空に維持するための手段と、 前記容器内に配置され、第1の端面と第2の端面とこれ
らの端面の間に延びた蒸発面とを備えたディスク形状の
カソードと、 アークによる電気エネルギーを前記蒸発面とアノードの
間で選択的に支持するための手段と、 前記カソードに近接して位置決めされ、前記カソードに
まで入り込む磁界を発生させるとともに、前記アークを
前記蒸発面を巡るようにして移動させるための手段とを
有し、 前記カソードと前記アノードの間に延びた前記アークの
電気エネルギーにより、前記容器内に配置された前記基
体に連続的に堆積される前記カソード部分を蒸発させる
ことを特徴とする装置。 - 【請求項2】 前記カソードと前記アノードの間におい
てアークの電気エネルギーを支持するための前記手段
は、 前記容器に電気的に連結され、前記容器をアノードとす
るための正の導線及び前記カソードに電気的に連結され
た負の導線を備えた電源を有しており、 前記カソードは、電気的に前記容器から絶縁されている
ことを特徴とする請求項1に記載の装置。 - 【請求項3】 前記蒸発面を巡るようにして前記アーク
を移動させるための前記手段は、 強磁性体中心部材と、 この強磁性体中心部材に取り付けられ、前記カソードの
前記蒸発面に実質的に平行に延びる部分を有する磁界を
発生させる磁界発生装置を備えていることを特徴とする
請求項1に記載の装置。 - 【請求項4】 前記磁界発生装置はさらに、前記強磁性
体中心部材の側面にそれぞれが取り付けられ、かつ、こ
の強磁性体中心部材の周りに均一の離間で取り付けられ
た複数のマグネットを備えていることを特徴とする請求
項3に記載の装置。 - 【請求項5】 前記マグネットは、永久磁石であること
を特徴とする請求項4に記載の装置。 - 【請求項6】 前記各マグネットは、第1の極形成端部
とこの第1の極とは反対の極性である第2の極形成端部
とを備えた円筒形状とされており、 前記各マグネットの前記第1の極形成端部は、前記強磁
性体中心部材に取り付けられていることを特徴とする請
求項5に記載の装置。 - 【請求項7】 前記装置はさらに、前記強磁性体中心部
材及び前記マグネットを被覆し、前記強磁性体中心部材
及び前記マグネットが浸食されないようにするための保
護コーティングを有していることを特徴とする請求項6
に記載の装置。 - 【請求項8】 前記装置はさらに、前記カソードの端面
の1つに接触し、前記磁界発生装置を収容するハウジン
グを備えることを特徴とする請求項6に記載の装置。 - 【請求項9】 前記装置はさらに、前記ハウジングから
熱エネルギーを選択的に移動させるための手段を備えて
おり、この熱を移動させるための手段は、前記ハウジン
グから熱を選択的に移動させるようになっていることを
特徴とする請求項8に記載の装置。 - 【請求項10】 前記装置はさらに、前記強磁性体中心
部材に取り付けられ、この強磁性体中心部材及び前記ハ
ウジング内部に取り付けられた磁界発生装置を回転させ
るローテータを備えていることを特徴とする請求項6に
記載の装置。 - 【請求項11】 前記ローテータは、 前記容器の外側に配設された駆動モータと、 前記強磁性体中心部材に取り付けられたロッドとを備え
ていて、前記ロッドは、前記容器の外側にまで延ばさ
れ、かつ、前記駆動モータにより選択的に回転されてい
ることを特徴とする請求項10に記載の装置。 - 【請求項12】 前記磁界発生装置は、径方向内側面と
この径方向内側面とは逆の極とされた径方向外側面を有
する環状マグネットを備え、前記径方向内側面は、前記
強磁性体中心部材に取り付けられていることを特徴とす
る請求項3に記載の装置。 - 【請求項13】 前記環状マグネットは、複数のマグネ
ットセグメントが集合して形成されていることを特徴と
する請求項12に記載の装置。 - 【請求項14】 前記装置はさらに、前記カソードの端
面のうちの1つに接触し、前記磁界発生装置を内側に収
容するハウジングを有していることを特徴とする請求項
12に記載の装置。 - 【請求項15】 前記装置はさらに、前記ハウジングか
ら熱エネルギーを選択的に移動させるための手段を備え
ており、この熱を移動させるための手段は、前記ハウジ
ングから熱を選択的に移動させるようになっていること
を特徴とする請求項14に記載の装置。 - 【請求項16】 前記装置はさらに、前記強磁性体中心
部材に取り付けられ、この強磁性体中心部材及び前記ハ
ウジング内部に取り付けられた磁界発生装置をを回転さ
せるローテータを備えていることを特徴とする請求項1
2に記載の装置。 - 【請求項17】 前記ローテータは、 前記容器の外側に配設された駆動モータと、 前記強磁性体中心部材に取り付けられたロッドとを備え
ていて、前記ロッドは、前記容器の外側にまで延ばさ
れ、かつ、前記駆動モータにより選択的に回転されてい
ることを特徴とする請求項16に記載の装置。 - 【請求項18】 前記装置はさらに、前記強磁性体中心
部材に取り付けられ、この強磁性体中心部材及び前記ハ
ウジング内部に取り付けられた磁界発生装置をを回転さ
せるローテータを備えていることを特徴とする請求項3
に記載の装置。 - 【請求項19】 前記ローテータは、 前記容器の外側に配設された駆動モータと、 前記強磁性体中心部材に取り付けられたロッドとを備え
ていて、前記ロッドは、前記容器の外側にまで延ばさ
れ、かつ、前記駆動モータにより選択的に回転されてい
ることを特徴とする請求項18に記載の装置。 - 【請求項20】 前記カソードの端面のうちの1つに接
触し、前記磁界発生装置を内側に収容するハウジングを
有していることを特徴とする請求項3に記載の装置。 - 【請求項21】 前記装置はさらに、前記ハウジングか
ら熱エネルギーを選択的に移動させるための手段を備え
ており、この熱を移動させるための手段は、前記ハウジ
ングから熱を選択的に移動させるようになっていること
を特徴とする請求項20に記載の装置。 - 【請求項22】 前記蒸発面を巡るようにして前記アー
クを移動させるための手段は、 強磁性体中心部材にそれぞれ取り付けられ、対となった
磁界発生装置を備えており、 前記磁界発生装置のうちの1つは、前記第1の端面に近
接して配置され、前記磁界発生装置の別の1つは、前記
第2の端面に近接して配置されていて、 前記各磁界発生装置は、前記カソードの蒸発面に実質的
に平行に延びる部分を有する磁界を発生させていること
を特徴とする請求項1に記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/919132 | 1997-08-30 | ||
| US08/919,132 US6036828A (en) | 1997-08-30 | 1997-08-30 | Apparatus for steering the arc in a cathodic arc coater |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11140631A true JPH11140631A (ja) | 1999-05-25 |
Family
ID=25441558
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10245461A Pending JPH11140631A (ja) | 1997-08-30 | 1998-08-31 | カソードアークコータのアーク制御装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6036828A (ja) |
| JP (1) | JPH11140631A (ja) |
| KR (1) | KR100559285B1 (ja) |
| SG (1) | SG67547A1 (ja) |
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| Publication number | Publication date |
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| KR19990024032A (ko) | 1999-03-25 |
| SG67547A1 (en) | 1999-09-21 |
| US6224726B1 (en) | 2001-05-01 |
| KR100559285B1 (ko) | 2006-05-25 |
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|
| A977 | Report on retrieval |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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