JPH11140638A - スパッタ装置及びコリメーター - Google Patents
スパッタ装置及びコリメーターInfo
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- JPH11140638A JPH11140638A JP30623697A JP30623697A JPH11140638A JP H11140638 A JPH11140638 A JP H11140638A JP 30623697 A JP30623697 A JP 30623697A JP 30623697 A JP30623697 A JP 30623697A JP H11140638 A JPH11140638 A JP H11140638A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 61
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- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 4
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体基板上に堆積するスパッタ粒子の膜厚
に、問題となる膜厚分布を生じさせることなく、また半
導体基板に形成された深い穴の底のスパッタ粒子の膜厚
が薄くなることなく、スパッタを行うことができるスパ
ッタ装置及びコリメーターを提供することにある。 【解決手段】 ターゲットと半導体基板との間に配設さ
れたコリメータを有するスパッタ装置において、コリメ
ータの開口径を、到達するスパッタ粒子の量に対応させ
て分布を持たせるが、開口径と開口部の深さの比か一定
で、１以上２以下であるスパッタ装置及びコリメータ
ー。
に、問題となる膜厚分布を生じさせることなく、また半
導体基板に形成された深い穴の底のスパッタ粒子の膜厚
が薄くなることなく、スパッタを行うことができるスパ
ッタ装置及びコリメーターを提供することにある。 【解決手段】 ターゲットと半導体基板との間に配設さ
れたコリメータを有するスパッタ装置において、コリメ
ータの開口径を、到達するスパッタ粒子の量に対応させ
て分布を持たせるが、開口径と開口部の深さの比か一定
で、１以上２以下であるスパッタ装置及びコリメータ
ー。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はコリメーターを有す
るスパッタ装置に関するものである。
るスパッタ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路装置が高集積化するにつ
れて、パターンの微細化が進んでいる。そのため、例え
ば、半導体装置の製造工程の中で、半導体基板上に形成
された直径０．４μｍ、深さ１．２μｍ程度の穴の底の
部分を含む半導体基板表面にスパッタを行う工程があ
る。このスパッタのときに、前記穴の底の膜厚が薄くな
らないように、ターゲットと半導体基板の間にコリメー
ターを配設し、ターゲットから飛散するスパッタ粒子の
うち斜め方向に飛散するスパッタ粒子を排除し、垂直方
向に飛散するスパッタ粒子のみを半導体基板に到達させ
るスパッタ装置が用いられる。
れて、パターンの微細化が進んでいる。そのため、例え
ば、半導体装置の製造工程の中で、半導体基板上に形成
された直径０．４μｍ、深さ１．２μｍ程度の穴の底の
部分を含む半導体基板表面にスパッタを行う工程があ
る。このスパッタのときに、前記穴の底の膜厚が薄くな
らないように、ターゲットと半導体基板の間にコリメー
ターを配設し、ターゲットから飛散するスパッタ粒子の
うち斜め方向に飛散するスパッタ粒子を排除し、垂直方
向に飛散するスパッタ粒子のみを半導体基板に到達させ
るスパッタ装置が用いられる。
【０００３】このようなコリメーターを配設したスパッ
タ装置は、例えば、特開平１−１１６０７０号公報に開
示されている。このコリメーターを配設したスパッタ装
置を図６〜８を用いて説明する。すなわち、図６におい
て、真空ポンプ１０３により真空となる真空処理室１０
１内に、半導体基板１０７とターゲット１０５を配設
し、さらにその間に図７に示すような多数の開口部を有
するコリメーター１１１を配設する。このコリメーター
１１１の断面図を図８に示す。図８に示したように、コ
リメーター１１１の開口径ｘ’１と開口部深さｙ’１の
比は、通常１：１程度であり、開口径と開口部深さとも
にすべての開口部に対して同じ長さである。スパッタ
時、ターゲット１０５からさまざまな方向に飛散するス
パッタ粒子１０９のうち、斜め方向に飛散するスパッタ
粒子はコリメーター１１１の開口部の内壁に付着し半導
体基板１０７に到達することはない。一方、垂直方向に
飛散するスパッタ粒子はコリメーター１１１の開口部を
通過して半導体基板１０７に到達する。このようにコリ
メーター１１１を配設することにより、半導体基板１０
７は垂直方向に飛散するスパッタ粒子のみによって成膜
されるため、前記穴の底の膜厚が薄くならない。
タ装置は、例えば、特開平１−１１６０７０号公報に開
示されている。このコリメーターを配設したスパッタ装
置を図６〜８を用いて説明する。すなわち、図６におい
て、真空ポンプ１０３により真空となる真空処理室１０
１内に、半導体基板１０７とターゲット１０５を配設
し、さらにその間に図７に示すような多数の開口部を有
するコリメーター１１１を配設する。このコリメーター
１１１の断面図を図８に示す。図８に示したように、コ
リメーター１１１の開口径ｘ’１と開口部深さｙ’１の
比は、通常１：１程度であり、開口径と開口部深さとも
にすべての開口部に対して同じ長さである。スパッタ
時、ターゲット１０５からさまざまな方向に飛散するス
パッタ粒子１０９のうち、斜め方向に飛散するスパッタ
粒子はコリメーター１１１の開口部の内壁に付着し半導
体基板１０７に到達することはない。一方、垂直方向に
飛散するスパッタ粒子はコリメーター１１１の開口部を
通過して半導体基板１０７に到達する。このようにコリ
メーター１１１を配設することにより、半導体基板１０
７は垂直方向に飛散するスパッタ粒子のみによって成膜
されるため、前記穴の底の膜厚が薄くならない。
【０００４】ターゲットから発生するスパッタ粒子の堆
積速度は半導体基板表面のいずれの位置においても均一
であることが望ましい。しかしながら前述のスパッタ装
置では、ターゲットと基板表面との距離およびターゲッ
ト上のスパッタ粒子の飛び出し位置と基板の形成する角
度により堆積速度に分布が生じ、そのため膜厚が均等に
なり得ないという問題が生じた。スパッタ時には、半導
体基板の中央の付着量が最も多く、半導体基板の端部に
向かうほど付着量が減少していく傾向がみられる。この
ため一般的には、ターゲットの有効面積の約１／３程度
の領域しか使用できなかった。
積速度は半導体基板表面のいずれの位置においても均一
であることが望ましい。しかしながら前述のスパッタ装
置では、ターゲットと基板表面との距離およびターゲッ
ト上のスパッタ粒子の飛び出し位置と基板の形成する角
度により堆積速度に分布が生じ、そのため膜厚が均等に
なり得ないという問題が生じた。スパッタ時には、半導
体基板の中央の付着量が最も多く、半導体基板の端部に
向かうほど付着量が減少していく傾向がみられる。この
ため一般的には、ターゲットの有効面積の約１／３程度
の領域しか使用できなかった。
【０００５】このスパッタ装置の膜厚分布を改善する方
法が、例えば、特開平３−２３２９６５号公報に開示さ
れている、この膜厚分布を改善したスパッタ装置を図
９、１０を用いて説明する。すなわち、図９において、
ターゲット２０４の表面と平行になるように設けた回転
テーブル２０８上にターゲット２０４の平面に対向する
ように複数の基板２０６を載置し、回転軸２１３により
回転テーブル２０８を回転しながらスパッタにより基板
２０６上に成膜を行う。このとき、ターゲット２０４と
基板２０６の間の空間に遮蔽板２０９を回転テーブル２
０８と同心に設ける。遮蔽板２０９には、図１０に示す
ように、ターゲット２０４の中心と同一位置を中心とす
る円孔２１１を設け、円孔２１１の両端に、円孔２１１
の中心と回転テーブル２０８間の距離を半径とし回転テ
ーブル２０８を中心とする円弧上の任意の点を頂点とす
る一対のシャッタ２１０を、回転テーブル２０８の中心
と円孔２１１の中心を結ぶ軸に対し対称な位置に配置し
スリットを形成する。このシャッタ２１０により、基板
２０６に到達するスパッタ粒子を遮蔽することで、堆積
する膜厚分布を均一にできるとしている。
法が、例えば、特開平３−２３２９６５号公報に開示さ
れている、この膜厚分布を改善したスパッタ装置を図
９、１０を用いて説明する。すなわち、図９において、
ターゲット２０４の表面と平行になるように設けた回転
テーブル２０８上にターゲット２０４の平面に対向する
ように複数の基板２０６を載置し、回転軸２１３により
回転テーブル２０８を回転しながらスパッタにより基板
２０６上に成膜を行う。このとき、ターゲット２０４と
基板２０６の間の空間に遮蔽板２０９を回転テーブル２
０８と同心に設ける。遮蔽板２０９には、図１０に示す
ように、ターゲット２０４の中心と同一位置を中心とす
る円孔２１１を設け、円孔２１１の両端に、円孔２１１
の中心と回転テーブル２０８間の距離を半径とし回転テ
ーブル２０８を中心とする円弧上の任意の点を頂点とす
る一対のシャッタ２１０を、回転テーブル２０８の中心
と円孔２１１の中心を結ぶ軸に対し対称な位置に配置し
スリットを形成する。このシャッタ２１０により、基板
２０６に到達するスパッタ粒子を遮蔽することで、堆積
する膜厚分布を均一にできるとしている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記穴
の底の部分を含む半導体基板表面にスパッタを行うため
に、前記膜厚分布を改善したスパッタ装置を用いること
は困難である。その理由は前記膜厚分布を改善したスパ
ッタ装置にコリメーターを配設したとしても、スパッタ
を行っているときに半導体基板が動いているために、相
対的に、スパッタ粒子は半導体基板表面に対して垂直に
飛んでこないことになり、前記穴の底にスパッタ粒子が
到達できず、前記穴の底の膜厚が薄くなってしまうため
である。さらに、半導体集積回路装置の製造に用いられ
る半導体基板の大きさは、製造コストの削減を目的とし
て、ますます大口径化しているために、前記膜厚分布を
改善したスパッタ装置に示されているような回転テーブ
ルを用いることは装置が非常に大型になり問題である。
の底の部分を含む半導体基板表面にスパッタを行うため
に、前記膜厚分布を改善したスパッタ装置を用いること
は困難である。その理由は前記膜厚分布を改善したスパ
ッタ装置にコリメーターを配設したとしても、スパッタ
を行っているときに半導体基板が動いているために、相
対的に、スパッタ粒子は半導体基板表面に対して垂直に
飛んでこないことになり、前記穴の底にスパッタ粒子が
到達できず、前記穴の底の膜厚が薄くなってしまうため
である。さらに、半導体集積回路装置の製造に用いられ
る半導体基板の大きさは、製造コストの削減を目的とし
て、ますます大口径化しているために、前記膜厚分布を
改善したスパッタ装置に示されているような回転テーブ
ルを用いることは装置が非常に大型になり問題である。
【０００７】本発明は、基板上に堆積するスパッタ粒子
の膜厚に、問題となる膜厚分布を生じさせることなく、
また、深い穴の底のスパッタ粒子の膜厚が薄くなること
なく、スパッタを行うことができるスパッタ装置を提供
することを目的とする。
の膜厚に、問題となる膜厚分布を生じさせることなく、
また、深い穴の底のスパッタ粒子の膜厚が薄くなること
なく、スパッタを行うことができるスパッタ装置を提供
することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するた
め、本出願の第１の発明は、ターゲット材と半導体基板
との間に配設されたコリメーターを有するスパッタ装置
であって、前記コリメーターに複数形成された開口部の
開口径が、前記コリメータの中央部から端部に向かって
伸長する分布を有し、前記コリメーターの開口部の開口
径と開口部深さの比が一定であるスパッタ装置であるこ
とを特徴とする。また本出願第２の発明は前記第１の発
明に加え、コリメーターの開口部の開口径１に対して開
口部深さの比が１以上２以下であるスパッタ装置である
ことを特徴とする。また本出願第３の発明は、スパッタ
装置内でターゲット材と半導体基板との間に配設された
コリメーターであって、複数形成された開口部の開口径
が、中央部から端部に向かって伸長する分布を有し、開
口部の開口径と開口部深さの比が一定であるコリメータ
ーであることを特徴とする。また本出願第４の発明は、
前記第３の発明に加え、コリメーターの開口部の開口径
１に対して開口部深さの比が１以上２以下であるコリメ
ーターであることを特徴とする。
め、本出願の第１の発明は、ターゲット材と半導体基板
との間に配設されたコリメーターを有するスパッタ装置
であって、前記コリメーターに複数形成された開口部の
開口径が、前記コリメータの中央部から端部に向かって
伸長する分布を有し、前記コリメーターの開口部の開口
径と開口部深さの比が一定であるスパッタ装置であるこ
とを特徴とする。また本出願第２の発明は前記第１の発
明に加え、コリメーターの開口部の開口径１に対して開
口部深さの比が１以上２以下であるスパッタ装置である
ことを特徴とする。また本出願第３の発明は、スパッタ
装置内でターゲット材と半導体基板との間に配設された
コリメーターであって、複数形成された開口部の開口径
が、中央部から端部に向かって伸長する分布を有し、開
口部の開口径と開口部深さの比が一定であるコリメータ
ーであることを特徴とする。また本出願第４の発明は、
前記第３の発明に加え、コリメーターの開口部の開口径
１に対して開口部深さの比が１以上２以下であるコリメ
ーターであることを特徴とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明の一実施の形態であるスパ
ッタ装置を図１〜３を用いて説明する。図１において、
真空ポンプ３により真空となる真空処理室１内に、半導
体基板７とターゲット５を配設し、その間にコリメータ
ー１１を配設する。ターゲット５から飛散するスパッタ
粒子９のうち、コリメーター１１を通過したものが半導
体基板７に堆積する。コリメーター１１の平面図を図２
に、断面図を図３に示す。図２からわかるように、コリ
メーター１１には、複数の開口部が形成されており、そ
の開口径はコリメータ−１１の中央部では小さく、周辺
部では大きくなっている。図３に示したように、コリメ
ーター１１の中央部の開口径ｘ１と開口部深さｙ１の比
と周辺部の開口径ｘ２と開口部深さｙ２の比はともに
１：１である。
ッタ装置を図１〜３を用いて説明する。図１において、
真空ポンプ３により真空となる真空処理室１内に、半導
体基板７とターゲット５を配設し、その間にコリメータ
ー１１を配設する。ターゲット５から飛散するスパッタ
粒子９のうち、コリメーター１１を通過したものが半導
体基板７に堆積する。コリメーター１１の平面図を図２
に、断面図を図３に示す。図２からわかるように、コリ
メーター１１には、複数の開口部が形成されており、そ
の開口径はコリメータ−１１の中央部では小さく、周辺
部では大きくなっている。図３に示したように、コリメ
ーター１１の中央部の開口径ｘ１と開口部深さｙ１の比
と周辺部の開口径ｘ２と開口部深さｙ２の比はともに
１：１である。
【００１０】本発明の一実施の形態であるスパッタ装置
のコリメーター１１を取り外して、スパッタを行った場
合、ターゲット５と半導体基板７表面との距離及びター
ゲット５上のスパッタ粒子９の飛び出し位置と半導体基
板７の形成する角度により、膜厚に分布が生じる。この
半導体基板７に堆積するスパッタ粒子９の膜厚は、図５
に示すように、半導体基板７の中央部で厚く、周辺部で
薄くなる。しかし、本発明の一実施の形態であるスパッ
タ装置のコリメーター１１を設置して、スパッタを行っ
た場合、コリメーター１１の中央部の開口径が小さく周
辺部で大きくなっているため、堆積レートを半導体基板
全面で均一にすることが可能となる。このため、半導体
基板７に堆積するスパッタ粒子９の膜厚は、図４に示す
ように、半導体基板７上で均一となる。
のコリメーター１１を取り外して、スパッタを行った場
合、ターゲット５と半導体基板７表面との距離及びター
ゲット５上のスパッタ粒子９の飛び出し位置と半導体基
板７の形成する角度により、膜厚に分布が生じる。この
半導体基板７に堆積するスパッタ粒子９の膜厚は、図５
に示すように、半導体基板７の中央部で厚く、周辺部で
薄くなる。しかし、本発明の一実施の形態であるスパッ
タ装置のコリメーター１１を設置して、スパッタを行っ
た場合、コリメーター１１の中央部の開口径が小さく周
辺部で大きくなっているため、堆積レートを半導体基板
全面で均一にすることが可能となる。このため、半導体
基板７に堆積するスパッタ粒子９の膜厚は、図４に示す
ように、半導体基板７上で均一となる。
【００１１】また、開口径ｘ１と開口部深さｙ１及びｘ
２とｙ２の開口比が、１より小さい場合には、ターゲッ
ト５のスパッタ粒子９飛びだし位置と半導体基板７の形
成する角度の仰角４５度以上の飛翔角度のものがスパッ
タされる。従って、スパッタ粒子９は、半導体基板７上
に形成された微細な穴の側面に堆積しやすく底部に入り
込み難くなる。このため、均一な膜厚が得られない。ま
た、開口径と開口部の深さの開口比が２を超えると、コ
リメータ１１に付着するスパッタ粒子の割合が多くな
り、スパッタ粒子９の半導体基板７への堆積速度が遅く
なり、スループットが悪くなる。またターゲットの消費
が多くなったり、パーティクルの発生が多くなりコリメ
ーターの洗浄、交換時期が頻繁になるという問題が生じ
る。本出願の第２の発明は、開口径と開口部深さの開口
比が１以上２以下の範囲であり、仰角６３．５度まで制
限されるために、半導体基板７上に形成された微細な穴
の側面に付き難くなり、底面に均一に堆積可能となる。
従って、均一な膜厚が得られる。以上のように本発明の
一実施の形態であるスパッタ装置では、堆積するスパッ
タ粒子９の膜厚を均一にできるだけではなく、コリメー
ター１１の開口径と開口部深さの比が一定であるため
に、半導体基板７の表面の深い穴の底に堆積するスパッ
タ粒子の膜厚が薄くなることなく、スパッタを行うこと
ができる。
２とｙ２の開口比が、１より小さい場合には、ターゲッ
ト５のスパッタ粒子９飛びだし位置と半導体基板７の形
成する角度の仰角４５度以上の飛翔角度のものがスパッ
タされる。従って、スパッタ粒子９は、半導体基板７上
に形成された微細な穴の側面に堆積しやすく底部に入り
込み難くなる。このため、均一な膜厚が得られない。ま
た、開口径と開口部の深さの開口比が２を超えると、コ
リメータ１１に付着するスパッタ粒子の割合が多くな
り、スパッタ粒子９の半導体基板７への堆積速度が遅く
なり、スループットが悪くなる。またターゲットの消費
が多くなったり、パーティクルの発生が多くなりコリメ
ーターの洗浄、交換時期が頻繁になるという問題が生じ
る。本出願の第２の発明は、開口径と開口部深さの開口
比が１以上２以下の範囲であり、仰角６３．５度まで制
限されるために、半導体基板７上に形成された微細な穴
の側面に付き難くなり、底面に均一に堆積可能となる。
従って、均一な膜厚が得られる。以上のように本発明の
一実施の形態であるスパッタ装置では、堆積するスパッ
タ粒子９の膜厚を均一にできるだけではなく、コリメー
ター１１の開口径と開口部深さの比が一定であるため
に、半導体基板７の表面の深い穴の底に堆積するスパッ
タ粒子の膜厚が薄くなることなく、スパッタを行うこと
ができる。
【００１２】
【実施例】本発明の実施例として、半導体基板７上に形
成された直径０．２５μｍ、深２．０μｍの穴の底部分
を含む半導体基板表面にスパッタを行う工程を実施し
た。本実施例においては、コリメータとして、開口径は
中央部で１０．０ｍｍ、周辺部で１２．５ｍｍと、中央
部で小さく周辺部で大きくし、開口径と開口部の深さの
比は、中央部と周辺部共に１：１であるものを作成し
た。本発明のスパッタ装置のコリメーター１１を取り外
して、スパッタを行った場合、半導体基板７に堆積する
スパッタ粒子９の膜厚は、図５に示すように、半導体基
板７の中央部で厚く、周辺部で薄くなった。しかし本発
明の実施例のコリメーター１１を取り付けた場合、半導
体基板７に堆積するスパッタ粒子９の膜厚は、図４に示
すように均一となった。さらに半導体基板７上に形成さ
れた、穴の底部分に堆積するスパッタ粒子９の膜厚も、
半導体基板７表面に堆積した膜厚と均一であった。
成された直径０．２５μｍ、深２．０μｍの穴の底部分
を含む半導体基板表面にスパッタを行う工程を実施し
た。本実施例においては、コリメータとして、開口径は
中央部で１０．０ｍｍ、周辺部で１２．５ｍｍと、中央
部で小さく周辺部で大きくし、開口径と開口部の深さの
比は、中央部と周辺部共に１：１であるものを作成し
た。本発明のスパッタ装置のコリメーター１１を取り外
して、スパッタを行った場合、半導体基板７に堆積する
スパッタ粒子９の膜厚は、図５に示すように、半導体基
板７の中央部で厚く、周辺部で薄くなった。しかし本発
明の実施例のコリメーター１１を取り付けた場合、半導
体基板７に堆積するスパッタ粒子９の膜厚は、図４に示
すように均一となった。さらに半導体基板７上に形成さ
れた、穴の底部分に堆積するスパッタ粒子９の膜厚も、
半導体基板７表面に堆積した膜厚と均一であった。
【００１３】ここに示した実施例では、コリメーター１
１の開口部の開口径を中央部で小さく、周辺部で大きく
した分布の場合を示したが、コリメーター１１の開口部
の開口径の分布は、スパッタ装置のコリメーター１１を
取り外して、スパッタを行った場合半導体基板７に堆積
するスパッタ粒子９の膜厚が厚いところに対応するコリ
メーター１１の開口部の開口径を小さく、堆積するスパ
ッタ粒子９の膜厚が薄いところに対応するコリメーター
１１の開口部の開口径を大きくするという分布であれば
よい。
１の開口部の開口径を中央部で小さく、周辺部で大きく
した分布の場合を示したが、コリメーター１１の開口部
の開口径の分布は、スパッタ装置のコリメーター１１を
取り外して、スパッタを行った場合半導体基板７に堆積
するスパッタ粒子９の膜厚が厚いところに対応するコリ
メーター１１の開口部の開口径を小さく、堆積するスパ
ッタ粒子９の膜厚が薄いところに対応するコリメーター
１１の開口部の開口径を大きくするという分布であれば
よい。
【００１４】
【発明の効果】本発明のスパッタ装置を半導体装置の製
造に用いた場合、半導体基板表面の深い穴の底に堆積す
るスパッタ粒子の膜厚が薄くなることなく、半導体基板
表面に堆積するスパッタ粒子の膜厚を均一にすることが
できるため、従来のスパッタ装置を用いた場合に比べて
歩留まりを向上することができる。また、本発明のスパ
ッタ装置は従来のコリメーターを有するスパッタ装置か
らコリメーターの部分のみを取り替えるだけでよいため
に改造によるコストはほとんどかからない。
造に用いた場合、半導体基板表面の深い穴の底に堆積す
るスパッタ粒子の膜厚が薄くなることなく、半導体基板
表面に堆積するスパッタ粒子の膜厚を均一にすることが
できるため、従来のスパッタ装置を用いた場合に比べて
歩留まりを向上することができる。また、本発明のスパ
ッタ装置は従来のコリメーターを有するスパッタ装置か
らコリメーターの部分のみを取り替えるだけでよいため
に改造によるコストはほとんどかからない。
【図１】 本発明の一実施の形態であるスパッタ装置の
断面図である。
断面図である。
【図２】 本発明の一実施の形態であるスパッタ装置の
コリメータの平面図である。
コリメータの平面図である。
【図３】 本発明の一実施の形態であるスパッタ装置の
コリメータを拡大した断面図である。
コリメータを拡大した断面図である。
【図４】 本発明の一実施の形態における半導体基板表
面に堆積するスパッタ粒子の膜厚分布を示す図である。
面に堆積するスパッタ粒子の膜厚分布を示す図である。
【図５】 本発明の一実施の形態におけるコリメータを
使用しなかった場合の半導体基板表面に堆積するスパッ
タ粒子の膜厚分布を示す図である。
使用しなかった場合の半導体基板表面に堆積するスパッ
タ粒子の膜厚分布を示す図である。
【図６】 従来の実施例のスパッタ装置の断面図であ
る。
る。
【図７】 従来の実施例のスパッタ装置のコリメータの
平面図である。
平面図である。
【図８】 従来の実施例のスパッタ装置のコリメータを
拡大した断面図である。
拡大した断面図である。
【図９】 従来の実施例のスパッタ装置を示す図であ
る。
る。
【図１０】 従来の実施例のスパッタ装置を示す図であ
る。
る。
１ 真空処理室 ３ 真空ポンプ ５ ターゲット ７ 半導体基板 ９ スパッタ粒子 １１ コリメーター １０１ 真空処理室 １０３ 真空ポンプ １０５ ターゲット １０７ 半導体基板 １０９ スパッタ粒子 １１１ コリメーター ２０４ ターゲット ２０６ 基板 ２０８ 回転テーブル ２０９ 遮蔽板 ２１０ シャッタ ２１１ 円孔 ２１２ 基板中心の回転軸跡 ２１３ 回転軸
Claims (4)
- 【請求項１】 ターゲット材と半導体基板との間に配設
されたコリメーターを有するスパッタ装置であって、前
記コリメーターに複数形成された開口部の開口径が、前
記コリメータの中央部から端部に向かって伸長する分布
を有し、前記コリメーターの開口部の開口径と開口部深
さの比が一定であることを特徴とするスパッタ装置。 - 【請求項２】 前記コリメーターの開口部の開口径１に
対して開口部深さの比が１以上２以下であることを特徴
とする請求項１に記載のスパッタ装置。 - 【請求項３】 スパッタ装置内でターゲット材と半導体
基板との間に配設されたコリメーターであって、複数形
成された開口部の開口径が、中央部から端部に向かって
伸長する分布を有し、開口部の開口径と開口部深さの比
が一定であることを特徴とするコリメーター。 - 【請求項４】 前記コリメーターの開口部の開口径１に
対して開口部深さの比が１以上２以下であることを特徴
とする請求項３に記載のコリメーター。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30623697A JPH11140638A (ja) | 1997-11-07 | 1997-11-07 | スパッタ装置及びコリメーター |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30623697A JPH11140638A (ja) | 1997-11-07 | 1997-11-07 | スパッタ装置及びコリメーター |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11140638A true JPH11140638A (ja) | 1999-05-25 |
Family
ID=17954643
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30623697A Pending JPH11140638A (ja) | 1997-11-07 | 1997-11-07 | スパッタ装置及びコリメーター |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11140638A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100487419B1 (ko) * | 2003-02-20 | 2005-05-04 | 엘지전자 주식회사 | 기상 증착 장치 |
| WO2005101472A1 (ja) * | 2004-03-30 | 2005-10-27 | Renesas Technology Corp. | 半導体集積回路装置の製造方法 |
| KR100697663B1 (ko) | 2005-10-27 | 2007-03-20 | 세메스 주식회사 | 유기물 증착 장치 |
| JP2016063187A (ja) * | 2014-09-22 | 2016-04-25 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法およびスパッタリング装置 |
| KR20190109176A (ko) * | 2018-03-16 | 2019-09-25 | 삼성전자주식회사 | 콜리메이터, 그를 포함하는 반도체 소자의 제조장치 및 반도체 소자의 제조방법 |
| US20230060047A1 (en) * | 2021-08-20 | 2023-02-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Pvd system and collimator |
-
1997
- 1997-11-07 JP JP30623697A patent/JPH11140638A/ja active Pending
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| US11952656B2 (en) * | 2021-08-20 | 2024-04-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | PVD system and collimator |
| US12416074B2 (en) | 2021-08-20 | 2025-09-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | PVD system and collimator |
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