JPH11141U - ガス中の微量水分測定装置 - Google Patents

ガス中の微量水分測定装置

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JPH11141U
JPH11141U JP962098U JP962098U JPH11141U JP H11141 U JPH11141 U JP H11141U JP 962098 U JP962098 U JP 962098U JP 962098 U JP962098 U JP 962098U JP H11141 U JPH11141 U JP H11141U
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room
gas
reflecting mirror
temperature
point
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JP962098U
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Inventor
潤一 西澤
貴彦 来島
エドワード・エフ・イーゼル
晃 槙原
Original Assignee
大阪酸素工業株式会社
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は予め冷却をしない被測定ガスを、冷
却されている反射鏡に直接接触させて、反射鏡上に露ま
たは霜を発生させて、それの後、昇華点、積層凝固点を
測定することによって、露点、霜点を、ガス中の水分を
測定する。 【構成】 熱伝導性の良い材料から構成されているA室
と少なくとも1部が熱伝導性の良くない材料から構成さ
れているB室とからなる、A室とB室の境界壁に穴が形
成され、B室内にその穴を被さるように反射鏡が設置さ
れている。被測定ガスはヒーターによって、常温に近い
適当な温度に制御されたA室に入り、反射鏡に接触し、
B室の出口から排出されるが、測定ガスが、A室とB室
の間に設置された反射鏡面に十分に接触し、平衡に近い
状態で露及び/又は霜の変化を正確に検知される。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
本考案は、−80℃以下の低温度の霜点をもつ非凝縮性微量水分含有ガスの水 分量測定装置に関する。
【0002】 近年、技術のめざましい発展にともなって、微量水分量0.5ppm以下(露 点−80℃以下)のようなN2、Ar、H2、Heなどの不活性ガスの利用が増加 している。特に半導体工業におけるエピタキシャル成長やCVDの材料ガス、キ ャリアガスは、超高純度が要求されており、−80℃以下の露点を正確に測定す ることが要求されるようになった。
【0003】
【従来の技術】
特開昭63−309846号には、常温から液体窒素温度までの温度を変える ことが可能な反射鏡、その反射鏡に向けて配置された被測定ガス吹出しノズル、 鏡面上の被測定ガスが吹きつけられる部分に放射される集光光線又はレーザー光 発射装置、散乱光の急激な増加を検知する検知装置からなる露点計又は露点計を 使用し、その方法は、 (a) 被測定ガスを反射鏡の温度近くまで冷却する工程、 (b) 前記反射鏡に向けて前記ノズルからそのガスを吹きつける工程、 (c) その反射鏡面上に、露および/又は霜が形成される地点にできる限り 集光させた光線又はレーザー光を反射させる工程、および (d) 散乱光の急激な増加を検出することにより、−80℃以下液体窒素温 度までの露点および/または霜点を測定する ことからなるガス中の微量水分測定方法が開示されている。
【0004】 しかし特開昭63−309846号記載の考案において、被測定ガスを反射鏡 に吹きつける前にかなり低温にまで冷却することを特徴としている。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本考案は、被測定ガスが反射鏡に接触する前に特にその被測定ガスが有する霜 点の近くにまで冷却しないことを特徴としている。
【0006】 本考案は、−80℃以下のガス中の特に、霜点を測定する装置であり、その装 置は下記を含む: (i) 熱伝導性が良い材料から構成されているA室、 (ii) 被測定ガス用入口がA室に設けられ、 (iii) A室の温度を調節するためのヒータと、温度センサーがA室に設けられ 、 (iv) A室に隣接してB室が設けられ、B室の少なくとも1部は熱伝導性のよ くない材料から構成され、 (v) A室とB室との境界の面部に穴又はノズルが設けられ、 (vi) B室にその穴又はノズルに被さるように温度センサーを有する反射鏡が 設けられ、その反射鏡は室温から液体窒素の温度まで、自由に温度の変動が可能 なように、冷凍源に熱的に接続されており、 (vii) B室にはガス出口が設けられ、 (viii)その穴又はノズルとその反射鏡との間にわずかな隙間が形成されており 、 (ix) 反射鏡面上に放射される集光光線又はレーザ光線発射装置、 (x) 反射鏡面上に形成された霜に向けて、集光光線又はレーザ光線を投射す ることにより散乱された光線の急激な変化を検知する受光装置、 および、 (xi) 反射鏡面上に形成される霜が発生した温度を判断する検知装置に関する 。
【0007】 本考案の装置を図面によって説明する。 その実施態様の1つを示した第1図について説明する。1は冷凍発生部である 。2と2′はヒータ、3は冷凍面である。4はA室であり、A室は例えば金、銀 、銅、アルミニウム、シリコン、ニッケル又はクロム等からなる熱伝導の良い材 料で構成されている。5はガラスなどの透光性材料製の窓である。6は被測定ガ ス用の入口である。7はB室であり、A室4とB室7との境界の面部8に穴9が 設けられている。穴9に被さるように熱伝導体20の上に反射鏡10が設けられ ている。この熱伝導体20は、A室4の材料と同様の熱伝導の良い材料で構成さ れている。11は反射鏡10と面部8との間の隙間である。隙間11は小さい方 が良いが、あまり小さく設計すると製造上の少しのミスで反射鏡10と面部8と が接触してしまう可能性がある。そのためその隙間は0.1〜2.0mmである ことが好ましい。B室7の少なくとも1部はステンレス、銅−ニッケル合金、ガ ラス、セラミックス、プラスチック(フッ素樹脂、ポリイミド樹脂、シリコン樹 脂)のような熱伝導度の低い材料から構成されている。これは冷凍面3によりA 室を、できるだけ冷却させないためである。余り極度にA室が冷却する場合には 、A室内で水分が吸着し、水分の全てが鏡面に凝縮しないで低い水分量を示すこ ともあり、1室の場合には、真空断熱の不良などで、セル全体が冷却する結果、 セル内の材料の選択によっては、加熱時に、鏡面よりも低い部分に水分が凝固す る結果、必ずしも再現性のよい値が得られにくい。12はガス出口である。13 は集光レンズであり、14は光源であって、例えば発光ダイオード等が用いられ る。15は集光レンズであり、16は光検知装置である。17、18は光ファイ バーである。19と19′とは熱電対又は抵抗温度計で、反射鏡とA室の温度を それぞれ測定するために挿入されている。
【0008】 本考案の装置を用いてガス中の水分を測定するには、まず被測定ガスを入口6 よりヒータ2′と温度センサー19′とにより一定温度に制御されたA室4に導 入し、そのガスは穴9から反射鏡10に接触し、ガス中に含まれている微量の水 分は反射鏡10上に露又は霜を形成する。そのガスは隙間11を通ってB室7の 出口12から放出される。隙間11の隙間を小さくしたのでガスがA室4からB 室7に穴を通って移動する際必ずガスは反射鏡と接触する。反射鏡上に形成され た露又は霜に対して、光源14と集光レンズ13によって光をできるだけ反射鏡 10面上に集光させ、露又は霜による散乱光の急激な変化を集光レンズ15及び 検知装置16で測定し、露点又は霜点を判定する。その時の温度を温度センサー 19により測定する。その後、冷凍機を停止し、ヒーター2により反射鏡10を 加熱する。一般に冷凍発生部はヘリウム冷凍機(図示せず)で行うが、液体窒素 の冷凍源を利用することも可能である。
【0009】 第2図は本考案の別の実施例である。101は冷凍発生部である。102と1 02′はヒータである。103は冷凍面である。104はA室であり、A室は、 第1図の例と同様な熱伝導の良い材料で構成されている。106は被測定ガスの 入口である。107はB室であり、A室104とB室107との境界の面部10 8に穴109が設けられている。穴109に被さるように熱伝導体120の上に 反射鏡110が設けられている。111は反射鏡110と面部108との間の隙 間である。この隙間111及びB室107の材料は第1図の実施例と同様である 。112はガス出口である。119と119′とは熱電対又は抵抗温度計で、反 射鏡とA室の温度をそれぞれ測定し、別個に機能させるために挿入されている。 即ち、第1図の実施例と同様に、温度センサー119は、霜点を測定するのが主 な目的であるが、その他に、ヘリウム冷凍機の作動や、ヒータ102の作動を制 御し、温度センサー119′は、ヒータ102′の作動によってA室の温度を自 由に制御するためのものである。第1図と異なる点は、A室には透光性の窓がな く、A室内に設けられた集光レンズ付の発光ダイオードのような光源114と、 散乱光を受光するための集光レンズ付の検知装置116によって反射光上に形成 された露や霜への光の投射及び、それによって生ずる散乱光が受光され、露点計 のセル外には、118,117の電気配線及び受発信のための電気回路119が ある点だけが異なっている。
【0010】 さらに、第3図は本考案のもう一つ別の実施例を述べるためのものである。2 01は冷凍発生部であり、200にヘリウム冷凍機が示されている。202と2 02′とはヒータである。203は冷凍面である。204はA室であり、206 は被測定ガスの入口である。207はB室であり、A室204とB室との境界は 、穴でなく209のようなゆるやかなノズルが設けられている。ノズル209に 被さるように熱伝導体220の上に反射鏡210が設けられている。211はノ ズル209と反射鏡210との隙間である。A室の材料208及びB室の材料の 1部221には、第1図と同様に熱伝導率の良い材料と、不良の材料が用いられ ており、212はガス出口である。219と219′とは熱電対又は抵抗温度計 であり、202と202′はヒータである。230はケーシングであり、配管2 31を用いて、真空ポンプ(図示せず)を用いて232へケーシング230内の 空気は真空断熱のため排気される。205と205′は透光性の良いガラス窓で あって、発光ダイオードなどの光源から、光ファイバー217を通って、集光レ ンズ213で集光され、反射鏡211に投射され、鏡面上で散乱された光は、集 光レンズ215を通り、光ファイバー218を経て光検知器(図示せず)に伝送 される。
【0011】 図1に示された第一の実施例との差は、A室とB室との間にノズルを用いてい る点だけであって、その他の作用については、何等異なる点はないので説明は省 略する。
【0012】 一般に上記装置においてA室の空間は0.5〜5mlであることが好ましい。 又A室の平面形状は、任意である。
【0013】 上記図面において本考案の装置はA室が上にB室が下に図示されている。しか し、B室が上でA室が下であっても良い。又A室及びB室が並んで水平な状態で あっても良い。
【0014】 第4図は本考案の一実施例を示し、この装置においては、露点又は霜点の測定 がコンピューターで処理されている。反射鏡表面10は、ヘリウム冷凍機111 によって冷却される。この装置においては、発光ダイオード101からの光は光 ファイバ102を介して集光レンズ103に伝送され該集光レンズ103によっ て集束された後反射鏡表面10に集光されるように照射される。反射鏡表面10 に照射された光は反射鏡表面によって反射されるが、ごく一部は散乱光となって 集光レンズ108及び光ファイバー102′を介して光検出器117によって検 出される。
【0015】 測定ガスがガス入口6よりA室4から反射鏡表面10に接触され該ガス中の微 量水分が反射鏡表面10上で結露すると、ミラー表面10上の散乱光が急激に増 加する。ガスは出口12より放出される。該増加した散乱光は集光レンズ108 によって集光され、光ファイバー102′を介して搬送されて光検出器117に よって検知される。光検出器117の出力レベルは特に露点が比較的低い場合に おいては検出器の出力は極めて低いので、光検出器の出力は増幅器141に導入 されて増幅される。該アンプ出力はインターフェース142を介してCPU14 3に供給される。発光ダイオード101がノイズを有すると、ノイズも又アンプ 141によって増幅され、これは信号の見誤りを生ずる。そこで、ノイズ除去の ために光検出器117′、アンプ141′及びノイズエリミネータ100からな るフイードパック回路が設けてある。すなわち、発光ダイオード101の光エネ ルギーの一部を光検出器117と同等の光検出器117′に供給する。光検出器 117′の出力は更にアンプ141と同等のアンプ141′に供給されて増幅さ れ、該増幅出力はノイズエリミネータ100に供給される。ノイズエリミネータ 100はノイズに対応する出力を発光ダイオード101にフイードバックするこ とによつて発光ダイオード101からノイズを除去する。この結果、散乱による 出力のみを正確に取出すことができ、露点の検出限界を下げることができる。反 射鏡表面10の温度は温度センサー10.9によって検出されサーモメータ10 9′及びインターフェース142を介してCPU143に供給される。CPU1 43は温度センサ109からのミラー表面温度信号と光検出器117からの出力 を計算し、デジタル指示器147、プリンタ148、アナグロデイスプレイ15 0及びデイスプレイ149に、それぞれの表示手段に合った信号を供給する。コ ントローラ144は測定装置の各エレメントを制御する。例えば、露点の測定が 終了するとコントローラ144からの信号によってヘリウム冷却機111を停止 すると共にヒータ106を作動させて反射鏡表面10の露や霜を消失させる。ま た、コントローラ111は露点測定終了の際に警報装置151に信号を送り警報 を発することもできる。好ましくは、反射鏡の表面はシリコンウェハーから構成 される。
【0016】 シリコンウェハーは、反射鏡としては表面の平滑さに於て優れているが、光の 吸収率が大きい。この欠点を解消するために行ったのが、シリコンウェハー上へ のアルミニウムの蒸着或はスパッタリングすることである。しかし、アルミニウ ム膜を形成したシリコンウェハー反射鏡では、短時間で反射率が低下する可能性 がある。これは、ノイズから吹付けられるガス中に含まれる硬度の高い微細なア ルミナやシリカ並びに配管から出て来るFe、Fi、Cr、Cuなどの酸化物パ ーテイクルや、氷の微細な結晶に対して、アルミニウムのような柔らかい金属で は平滑性を失うからである。
【0017】 この問題を解決するためには、アルミ薄膜上を透明で硬度の高い窒化アルミニ ウムで覆うことである。この場合、LEDの633nmの波長では、アルミニウ ム薄膜の98%程度、又半導体レーザーを光源とした場合の780nmの波長で も93%程度と、アルミニウム薄膜よりは多少は低下するものゝ、充分に大きい SN比をとることが出来、しかも、10,000時間以上の連続使用に耐えるこ とを確認した。アルミニウム薄膜上に窒化アルミニウム薄膜を積層するには、シ リコン結晶のへきかい面の111面か100面を充分に研磨したシリコンウエハ ー表面に真空中でアルミニウムを蒸着させるか、又は、減圧アルゴン中で、スパ ッタリングによって被覆させたアルミニウム薄膜上に、さらにN2中でアルミニ ウムのスパッタリングを行うことにより製作することが出来る。このようにして 作成した反射鏡の表面は、窒化アルミニウム薄膜の硬度が高く、しかも透明度が 優れていることから、理想的な反射鏡表面の保護膜としての性能を示した。−8 0℃以下の露点をもった非常に微量の水分を露点で測定するのに有効な方法とし ては、集光された光を該鏡面の、被測定ガスがノズルで吹付けられる箇所に向け て照射することが絶対条件であり、考案者等の実験によれば、光の入射角につい て種々の条件に於て測定した結果、該鏡面に垂直に近い程、散乱光の急激な変化 を読みとるのに感度がよいことがわかった。光源に発光ダイオードを用いた結果 では、該鏡面に垂直に近い程よく、このことは、垂直に近い程、該鏡面上に、よ りよく集光されて照射されている結果であることを示している。
【0018】 本考案では被測定ガスを反射鏡に接触する前に低温の接ガス表面に接触するこ とにより、ガス中の水分が吸着あるいは相変化し、それによって低い目の露点、 霜点を測定することのないことが特徴である。それがため本考案ではガス中の水 分を正確に測定できるように、ガスの温度を自由に制御できる。
【0019】
【実施例−1】 セル(A室)の温度を20℃とした場合(本考案)とセルの温度を−100℃ とした場合(従来法)の露点の比較を行なった、その結果を以下に示す。セルの 温度を0℃ならびに、30℃で実験した結果は、何れも下記の20℃での結果と 殆んど差は見られなかった。
【0020】 測定サンプル 1 2 3 4 従来 −107.4℃ −108.3℃ −119.8℃ 検知せず本考案新 −98.6℃ −99.7℃ −111.2℃ −119.7℃ 差 8.5℃ 8.6℃ 8.6℃
【0021】
【実施例−2】 セルA室の温度を20℃とした場合と、−50℃とした場合とを比較すると、 夫々、−112.5℃と−110.5℃を示し、−50℃の場合が2℃高い値を 示した。このことは、A室の温度を−50℃程度にした場合がもっとも露点(核 形成露点)は高い値を示すことが見られた。
【0022】
【実施例−3】 セルA室の温度20℃、−10℃、−50℃で、昇華点測定を行なった結果、 夫々−105.0℃、−104.3℃、−104.7℃を示したので、昇華点或 は、積層凝固には殆んどA室の影響はないことがわかった。
【0023】
【本考案の実施の態様】
温度を変えることができる反射鏡、前記反射鏡に被測定ガスを接触させる手段 、前記反射鏡に集光光線及び/又はレーザー光を放射する手段、その反射鏡上に 形成された露及び/霜に基づく散乱光及び/又は反射光の変化を検知する手段を 含む光学式露点計を使用し、その方法は 前記反射鏡に被測定ガスを接触させ、 そのガスが接触する反射鏡の部分に前記集光光線又はレーザー光を放射し、 その反射鏡とそのガスとを接触前又はその反射鏡とそのガスとを接触させなが らその反射鏡の温度を徐々に低下させ、その反射鏡上に露及び/又は霜を形成さ せ、 結露点及び/又は結霜点付近で反射鏡の温度を徐々に加熱しそして 冷却する操作を少なくとも1回繰返し、それによって散乱光及び/又は反射光 の強さの最大となる温度及び散乱光及び/又は反射光の強さが最小となる温度を 検出し、 その最大温度及びその最小温度をそのガスの露点及び/又は霜点とする ことを含む微量水分を含むガスの露点又は霜点を決定する方法に関する。
【0024】 前記反射鏡の温度を徐々に加熱又は冷却は式 R(T)=R(To)[P′(T)/P′(To)]n ・・・・・ (1) 描かれた曲線に概略沿って間歇式又は連続式に加熱又は冷却速度をさせながら 行なわれる請求項1の方法: 式 Tは反射鏡の温度(K) Toは室温から液体窒素の温度までの任意に選べる特定な温度(K) R(T)はその反射鏡の温度(K)での冷却及び/又は加熱速度 P′(T)は温度(T)を変数として求められる氷の飽和蒸気圧の値 P′(To)は特定の温度Toでの水の飽和蒸気圧の値、及び nは固定した温度インターバル△Tにわたっての反射光及び/又は散乱光の変 化の測定のため2以上の実質上一定の信号対ノイズを得るための選ばれた値であ る。
【0025】 今この原理を第5図によって説明する。図5において反射鏡の温度を低下させ る。イ点で結露または結霜が生じる。しかし過冷却となっているので、この点は 正確な露点又は霜点ではない。さらに温度を低下させロ点から温度を上昇させる 。当然この状態では過冷却になっているので、氷は成長し続ける。散乱光及び/ 又は反射光の強さが最大となった点を昇華点とする。この時の反射鏡の温度をT sとする。次いで反射鏡を加熱する。そこで氷は溶け初め、次いで反射鏡を冷却 するとホの点で散乱光及び/又は反射光の強さは最小となる。この時の温度はT sとなる。この場合Tsがそのガスの正しい露点又は霜点ということができる。 さらに反射鏡を加熱又は冷却を続けると散乱光及び/又は反射光のカーブも又放 物線を描いて変化する。昇華点と積層凝固点は繰返し生ずる。
【0026】 この時の冷却温度及び加熱温度のプロフィール1例は次の通りである。
【0027】
【表1】
【0028】
【表2】
【0029】 上記式(1)は曲線となる。加熱及び冷却速度は低温になる程速度は速くなる 。例えば20℃から−70℃の冷却速度は上記の例では10.0℃/分であるの に対し、−130℃から−135℃までの冷却速度は0.016℃/分である。 上記(1)の曲線に従って冷却又は加熱を行なうと仮定すると、低温になる程度 加熱又は冷却速度を遅くしなければならず、これを実施するために完全なコンピ ューター制御を行なわなければならない。しかしこれは経済的ではない。
【0030】 上記の表に示すように間歇的に温度を下げていくのが一般的である。例えば5 ℃ごとに冷却又は加熱速度を変化させるのである。
【0031】 上述の式(1)で描かれた曲線に概略沿って間歇的に加熱又は冷却速度を変化 させるとは、上述に表に示されるようなことを述べている。
【0032】 図6は同様な実験について反射鏡の温度と散乱光及び/又は反射光との関係を グラフにしたものである。
【0033】 反射鏡の加熱及び冷却の操作を繰返すと、図6に示されるように散乱光及び/ 又は反射光の強さは、放物線を描いて、環状に変化する。
【0034】 図7は具体的なガスについて霜の蒸気圧と散乱光の変化の割合を示すグラフで ある。図6において、反射鏡の温度を変化させると散乱光及び/又は反射光の強 さはチ、リ、ヌとカーブを描いて変化する。チ、リ、ヌのカーブを微分して直線 として表わしたのが、図7である。図7においてチ′、リ′及びヌ′は図6にお けるチ、リ及びヌに対応する。このガスの水分含有量は1.30ppbであると いうことができる。この場合の実験条件は次の通りである。
【0035】 To=−90℃ R(Ts)=約4℃/分 n=約0.67 △T=約0.4℃ 2秒間に1回のサンプル測定 さらに本考案の特徴は一般にこのような測定にノイズは必ず生ずる。散乱光及 び/又は反射光の強度の上昇点を結露又は結霜点とするとノイズのため正確な点 を読むことができない場合がある。しかしながら、本考案のように山型の頂点お よび谷型の頂点から結露又は結霜点を見つける場合、たとえノイズが発生してい ても、実際の点を外挿することが容易であり、頂点である結露又は結霜点を容易 に見つけることができる。
【0036】 図8は従来の方法における結露又は結霜の形成点(NO)から散乱光及び/又 は反射光の強さが最大となる点(S)とSから結露又は結霜が消える点である。 従来の方法では長時間かかる。
【0037】 図9は本考案の昇華点(S1,S2)と積層凝固点(A)との関係を示す本考案 ではその時間が非常に短縮されることは明白である。
【0038】 アプリケーション 低温光学露点計を用いて、いくつかの測定例を以下に示した。
【0039】 チューブのクリーンアップ現象 大気に放置された1/4インチのEPチューブにゲッター精製器で精製されたN2 ガスを流通した時のチューブのクリーンアップ現象を測定した。結露点(N1)と 平衡点を測定するための3点(S2,N3,S4)の温度を時間の経過とともに測定し たものを(図10)に示した。これは、平衡点は水分温度に換算したもの、結露 点は便宜的に氷の蒸気圧曲線より換算した値をプロットしたものである。これに よると平衡点は、ほぼリニアに減少しており、チューブの表面に吸着している水 分の脱着現象をうまくとらえている。それに対し、結露点は平衡点に比べて、低 い値を示す。
【0040】 2 バッシベーション処理の効果 前述のO2 バッシベーション処理したチューブと処理を施していないチューブ との比較を実施した。図11に測定を実施した系を示したが、測定には LN2を蒸 発させた超低露点N2 ガスを用いた。このガスをMFCで流量制御し、測定対象チ ューブに流通して、クリーンアップの速度を測定したものである。測定対象チュ ーブは外径 3/8インチのものと1インチのものを用いた。
【0041】 また、外径 3/8インチのチューブについては、O2 バッシベーション処理を施 した時の、温度の異なったチューブについても測定を実施した。これによると、 クリーンアップの速度は、処理を施していないEPチューブが最も遅く、400 −500℃で処理したものが最も良いことがわかる。また処理温度の違いにより 、チューブ内面よりの放出水分の挙動が異なり、逆に、最適処理温度が放出水分 の挙動から決定できることがわかる。
【0042】 露点と水分濃度について 露点と水分濃度が互いに換算可能であることは、よく知られた事実であり、現 に水分量の表示方法として〔℃〕や〔ppm〕等の単位が混在して用いられている 。そこで、ここでは、その換算について述べる。水分計は、その性質より水分量 を測定し、露点に換算する。一方、露点計は露点を測定して水分量に換算してい る。これらの換算は、水の飽和蒸気圧を用いて、分圧と全圧の比でもって実施す る。又、飽和蒸気圧は、温度の関数であるので、ある程度における分圧と全圧の 比を求めれば、簡単に露点と水分濃度の関数を求めることができる。そこで一般 的には、露点は大気圧における相変化点、すなわち結露(結霜)点であるので、 全圧は大気圧をとる。しかし、この方法を用いる場合、いくつかの注意する点が あるので、以下に示す。 水の飽和蒸気圧曲線は多数報告されており、各々、少しづづ異なっている点 飽和蒸気圧を用いるため、完全に平衡、すなわち飽和となった状態を測定し た場合のみ換算が可能という点 これらの留意点を考慮した上で、露点と水分濃度の換算が可能となる。JIS KO51 2 (水素)の中には、−100℃までの露点と水分濃度の換算表が示されている が、−100℃以下の換算表を規定したものはない。そこで、前述のように水の 飽和蒸気圧曲線の外挿線を用いて、換算することになる。現在、最も信頼できる 式としては、以下の式がある。
【0043】
【化1】
【0044】 この式を用いることにより、〔ppb〕から〔ppt〕レベルのような非常に低い露点 域においても、換算が可能となる。
【0045】 図12は標準ガス(水分含有量が知られている)の霜点と本考案に従って測定 された平衡点(℃)の関係を示し、そして図13は標準ガスの水分と現実にEP (平衡点)測定水分との関係を示す。
【0046】 図12及び13から本考案の方法では非常にガス中の水分を正確に測定できる ことが明白である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本考案の好ましい装置のフローシートである。
【図2】本考案の好ましい装置のフローシートである。
【図3】本考案の好ましい装置のフローシートである。
【図4】光検知器の回路を示す。
【図5】反射鏡の温度と散乱光及び/又は反射光の強さ
の関係を示すグラフ。
【図6】図1と関連して反射光の強さと散乱光及び/又
は反射光の強さの関係を示すグラフ。
【図7】図2の関係を微分して直線化したグラフ。
【図8】核形成−昇華サイクル時間とタイムインターバ
ルの関係(従来技術)を示すグラフ。
【図9】昇華−積層凝固点サイクル時間を示すグラフ
(本考案)。
【図10】チューブのクリーンアップ現象のグラフ。
【図11】チューブクリーンアップ速度の測定系。
【図12】標準ガスの霜点と測定された平衡点の関係を
示すグラフ。
【図13】標準ガス水分とEP測定水分との関係を示す
グラフ。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 −80℃以下のガス中の露点又は霜点を
    測定する装置であり、その装置は下記を含む: (i) 熱伝導性が良い材料から構成されているA室、 (ii) 被測定ガス用入口がA室に設けられ、 (iii) A室の温度を調節するためのヒータと、温度セン
    サーが設けられ、 (iv) A室に隣接してB室が設けられ、B室の少なくと
    も1部は熱伝導性のよくない材料から構成され、 (v) A室とB室との境界の面部に穴又はノズルが設け
    られ、 (vi) B室に穴またはノズルに被さるように、温度セン
    サーを有する反射鏡が設けられ、その反射鏡は温室から
    −80℃以下の温度まで、自由に温度変動が可能なよう
    に冷凍源に熱的に接続されており、 (vii) B室にはガス出口が設けられ、 (viii) その穴又はノズルと、その反射鏡との間にわ
    ずかな隙間が形成されており、 (ix) 反射鏡面上に反射される集光光線又はレーザー光
    発射装置が具備されており、 (x) 反射鏡面上に形成された霜に向けて、集光光線又
    はレーザー光線を、投射することにより、散乱光及び/
    又は反射光の変化を検知する受光装置、および、 (xi) 反射鏡上に形成される露及び/又は霜が発生した
    温度を判断する検知装置。
JP962098U 1991-04-18 1998-12-04 ガス中の微量水分測定装置 Pending JPH11141U (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022250197A1 (ko) * 2021-05-28 2022-12-01 주식회사 선반도체 결로 온도를 이용한 수분 함량 측정을 동반한 잔류 가스 및 표면 이온 분석 시스템

Cited By (2)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022250197A1 (ko) * 2021-05-28 2022-12-01 주식회사 선반도체 결로 온도를 이용한 수분 함량 측정을 동반한 잔류 가스 및 표면 이온 분석 시스템
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