JPH11142786A - レーザー光路分配装置 - Google Patents
レーザー光路分配装置Info
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- JPH11142786A JPH11142786A JP9311688A JP31168897A JPH11142786A JP H11142786 A JPH11142786 A JP H11142786A JP 9311688 A JP9311688 A JP 9311688A JP 31168897 A JP31168897 A JP 31168897A JP H11142786 A JPH11142786 A JP H11142786A
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- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 レーザー光を複数の光路に分配し生産性を向
上させ、光軸の調整やメンテナンスを容易にする。 【解決手段】 入射レーザー光を複数の光路に分配する
レーザー光路分配装置であって、入射レーザー光に対し
て出射レーザー光の波面の角度を変えて変調する光変調
素子14と、光変調素子14により変調された出射レー
ザー光の波面の角度に応じて2つの光路に分配するビー
ムスプリッター15と、ビームスプリッター15の一方
の光路bに100%分配する出射レーザー光の波面の角
度と他方の光路cに100%分配する出射レーザー光の
波面の角度との間で交互に切り換わるように光変調素子
14の変調信号を制御する制御手段13とを備え、入射
レーザー光を時間分割して切り換え分配して取り出す。
上させ、光軸の調整やメンテナンスを容易にする。 【解決手段】 入射レーザー光を複数の光路に分配する
レーザー光路分配装置であって、入射レーザー光に対し
て出射レーザー光の波面の角度を変えて変調する光変調
素子14と、光変調素子14により変調された出射レー
ザー光の波面の角度に応じて2つの光路に分配するビー
ムスプリッター15と、ビームスプリッター15の一方
の光路bに100%分配する出射レーザー光の波面の角
度と他方の光路cに100%分配する出射レーザー光の
波面の角度との間で交互に切り換わるように光変調素子
14の変調信号を制御する制御手段13とを備え、入射
レーザー光を時間分割して切り換え分配して取り出す。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、入射レーザー光を
複数の光路に分配するレーザー光路分配装置に関する。
複数の光路に分配するレーザー光路分配装置に関する。
【0002】
【従来の技術】図8はレーザー光加工装置の従来例を説
明するための図であり、81は光源、82は光変調器、
83は制御装置、84、84′は全反射鏡、85、8
5′は集光器、86、89は磁気ディスク基板、87、
90は基板回転機構、88、91は基板移動機構、92
は光学系移動機構を示す。
明するための図であり、81は光源、82は光変調器、
83は制御装置、84、84′は全反射鏡、85、8
5′は集光器、86、89は磁気ディスク基板、87、
90は基板回転機構、88、91は基板移動機構、92
は光学系移動機構を示す。
【0003】図8において、光源81は、加工用のレー
ザー光を発振するレーザー光発振器であり、光変調器8
2は、光源81からのレーザー光をオン/オフ(パルス
変調)するものである。磁気ディスク基板86、89
は、レーザー光によりテクスチャ加工を行い表面に微小
突起(バンブ)を作る被加工材である。基板回転機構8
7、90は、磁気ディスク基板86、89を保持して回
転駆動する機構であり、基板移動機構88、91は、磁
気ディスク基板86、89を半径方向に移動させる機構
であり、光学系移動機構92は、全反射鏡84、集光器
85からなる光学系を磁気ディスク基板86、89の加
工部間で移動させる機構である。制御装置83は、光変
調器82のオン/オフタイミング、基板回転機構87、
90の回転数、基板移動機構88、91の移動位置、光
学系移動機構92の移動位置の制御を行うものである。
ザー光を発振するレーザー光発振器であり、光変調器8
2は、光源81からのレーザー光をオン/オフ(パルス
変調)するものである。磁気ディスク基板86、89
は、レーザー光によりテクスチャ加工を行い表面に微小
突起(バンブ)を作る被加工材である。基板回転機構8
7、90は、磁気ディスク基板86、89を保持して回
転駆動する機構であり、基板移動機構88、91は、磁
気ディスク基板86、89を半径方向に移動させる機構
であり、光学系移動機構92は、全反射鏡84、集光器
85からなる光学系を磁気ディスク基板86、89の加
工部間で移動させる機構である。制御装置83は、光変
調器82のオン/オフタイミング、基板回転機構87、
90の回転数、基板移動機構88、91の移動位置、光
学系移動機構92の移動位置の制御を行うものである。
【0004】上記構成のテクスチュア記録装置におい
て、制御装置83は、光学系移動機構92を制御して磁
気ディスク基板86の加工部又は磁気ディスク基板89
の加工部に全反射鏡84、集光器85からなる光学系の
位置決め、基板移動機構88、91を制御して磁気ディ
スク基板86、89のレーザー光の照射点の位置決めを
行い、基板回転機構87、90を制御して磁気ディスク
基板86、89を一定の回転数となるように(CAV)
又はレーザー光の照射位置の線速度が一定となるように
(CLV)回転駆動する。そして、光変調器82を制御
してレーザー光のオン/オフタイミングの制御を行い、
全反射鏡84、集光器85からなる光学系を介して照射
することにより、磁気ディスク基板86、89の表面に
微小突起からなるテクスチャ加工を行う。
て、制御装置83は、光学系移動機構92を制御して磁
気ディスク基板86の加工部又は磁気ディスク基板89
の加工部に全反射鏡84、集光器85からなる光学系の
位置決め、基板移動機構88、91を制御して磁気ディ
スク基板86、89のレーザー光の照射点の位置決めを
行い、基板回転機構87、90を制御して磁気ディスク
基板86、89を一定の回転数となるように(CAV)
又はレーザー光の照射位置の線速度が一定となるように
(CLV)回転駆動する。そして、光変調器82を制御
してレーザー光のオン/オフタイミングの制御を行い、
全反射鏡84、集光器85からなる光学系を介して照射
することにより、磁気ディスク基板86、89の表面に
微小突起からなるテクスチャ加工を行う。
【0005】従来のレーザー光を利用した加工装置で
は、上記のように磁気ディスク基板86、89、基板回
転機構87、90、基板移動機構88、91からなる複
数の加工部を併設し、光学系移動機構92の制御により
光学系が図示84、85の位置と84′、85′の位置
との間を繰り返し移動して連続的に加工を行うようにす
ることによって、加工用レーザー光源の利用率を高め、
作業効率を高めるようにしている。また、移動光学系9
2を省き、光学系を固定して加工部を相対的に移動させ
てもよい(例えば特開平8−224677号公報参
照)。
は、上記のように磁気ディスク基板86、89、基板回
転機構87、90、基板移動機構88、91からなる複
数の加工部を併設し、光学系移動機構92の制御により
光学系が図示84、85の位置と84′、85′の位置
との間を繰り返し移動して連続的に加工を行うようにす
ることによって、加工用レーザー光源の利用率を高め、
作業効率を高めるようにしている。また、移動光学系9
2を省き、光学系を固定して加工部を相対的に移動させ
てもよい(例えば特開平8−224677号公報参
照)。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来の装
置は、切り替え速度が遅く、また、鏡や加工台等を移動
させるので、位置決め精度及び再現性に劣り、高精度な
加工等には適さないという問題がある。そこで、生産性
を高める等のため、例えば半透明鏡を光路の途中、図示
84の位置に取り付けて光を2つに分割する構成が考え
られる。
置は、切り替え速度が遅く、また、鏡や加工台等を移動
させるので、位置決め精度及び再現性に劣り、高精度な
加工等には適さないという問題がある。そこで、生産性
を高める等のため、例えば半透明鏡を光路の途中、図示
84の位置に取り付けて光を2つに分割する構成が考え
られる。
【0007】この構成によれば、集光器85の光路のシ
ャッター(図示せず)を閉じて加工が終了した被加工物
である磁気ディスク基板86を加工台から取り外し、新
たな被加工物を加工台に取り付ける間に、集光器85′
の光路のシャッターを開けて被加工物である磁気ディス
ク基板89を加工することができる。このような動作を
繰り返すことにより1つの光学系で移動機構を使わずに
生産量を2倍にすることができる。しかし、このように
して生産性を向上させる装置は、加工用レーザー光源の
利用率が1/2と低くなるので、レーザー発振器のよう
に運転費が高価な光源の場合、加工費用が高くなるとい
う問題がある。
ャッター(図示せず)を閉じて加工が終了した被加工物
である磁気ディスク基板86を加工台から取り外し、新
たな被加工物を加工台に取り付ける間に、集光器85′
の光路のシャッターを開けて被加工物である磁気ディス
ク基板89を加工することができる。このような動作を
繰り返すことにより1つの光学系で移動機構を使わずに
生産量を2倍にすることができる。しかし、このように
して生産性を向上させる装置は、加工用レーザー光源の
利用率が1/2と低くなるので、レーザー発振器のよう
に運転費が高価な光源の場合、加工費用が高くなるとい
う問題がある。
【0008】また、テクスチュア記録装置では、装置に
レーザー光発振器を含め光変調器や集光器を内蔵し、こ
れら光学部品間の光路が煩雑になるため、光軸の調整、
稼働中のずれによる再調整等に多大の手間がかかる。し
かも、光路が空気等の雰囲気を通過するため、光路中の
気流や雰囲気の温度差による「陽炎」で「ゆらぎ」が発
生したり、浮遊している塵により光量が不安定になると
いう問題もある。
レーザー光発振器を含め光変調器や集光器を内蔵し、こ
れら光学部品間の光路が煩雑になるため、光軸の調整、
稼働中のずれによる再調整等に多大の手間がかかる。し
かも、光路が空気等の雰囲気を通過するため、光路中の
気流や雰囲気の温度差による「陽炎」で「ゆらぎ」が発
生したり、浮遊している塵により光量が不安定になると
いう問題もある。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するものであり、レーザー光を複数の光路に分配し生
産性を向上させ、光軸の調整やメンテナンスを容易にす
るものである。
決するものであり、レーザー光を複数の光路に分配し生
産性を向上させ、光軸の調整やメンテナンスを容易にす
るものである。
【0010】そのために本発明は、入射レーザー光を複
数の光路に分配するレーザー光路分配装置であって、入
射レーザー光に対して出射レーザー光の波面の角度を変
えて変調する光変調素子と、前記光変調素子により変調
された出射レーザー光の波面の角度に応じて2つの光路
に分配するビームスプリッターと、前記ビームスプリッ
ターの一方の光路に100%分配する出射レーザー光の
波面の角度と他方の光路に100%分配する出射レーザ
ー光の波面の角度との間で交互に切り換わるように前記
光変調素子の変調信号を制御する制御手段とを備え、入
射レーザー光を時間分割して切り換え分配して取り出す
ように構成したことを特徴とするものである。
数の光路に分配するレーザー光路分配装置であって、入
射レーザー光に対して出射レーザー光の波面の角度を変
えて変調する光変調素子と、前記光変調素子により変調
された出射レーザー光の波面の角度に応じて2つの光路
に分配するビームスプリッターと、前記ビームスプリッ
ターの一方の光路に100%分配する出射レーザー光の
波面の角度と他方の光路に100%分配する出射レーザ
ー光の波面の角度との間で交互に切り換わるように前記
光変調素子の変調信号を制御する制御手段とを備え、入
射レーザー光を時間分割して切り換え分配して取り出す
ように構成したことを特徴とするものである。
【0011】さらに、前記光変調素子の前段に入射レー
ザー光を所定の設定値に安定化するレーザー光強度安定
化手段を備え、入射レーザー光を切り換え分配して取り
出す前記ビームスプリッターの光路に出射レーザー光を
変調する光変調器を備え、各光路を光ファイバーで接続
したことを特徴とするものである。
ザー光を所定の設定値に安定化するレーザー光強度安定
化手段を備え、入射レーザー光を切り換え分配して取り
出す前記ビームスプリッターの光路に出射レーザー光を
変調する光変調器を備え、各光路を光ファイバーで接続
したことを特徴とするものである。
【0012】また、入射レーザー光を複数の光路に分配
するレーザー光路分配装置であって、入射レーザー光に
対して出射レーザー光の波面の角度を変えて変調する光
変調素子と前記光変調素子により変調された出射レーザ
ー光の波面の角度に応じて2つの光路に分配するビーム
スプリッターからなる複数の光路分配器と、前記複数の
光路分配器の光変調素子の変調信号を制御する制御手段
とを備え、前記複数の光路分配器を前記ビームスプリッ
ターの2つの光路に順次縦続接続して最終段の各前記ビ
ームスプリッターの光路からそれぞれ入射レーザー光を
時間分割して切り換え分配したレーザー光を取り出すよ
うに構成したことを特徴とするものである。
するレーザー光路分配装置であって、入射レーザー光に
対して出射レーザー光の波面の角度を変えて変調する光
変調素子と前記光変調素子により変調された出射レーザ
ー光の波面の角度に応じて2つの光路に分配するビーム
スプリッターからなる複数の光路分配器と、前記複数の
光路分配器の光変調素子の変調信号を制御する制御手段
とを備え、前記複数の光路分配器を前記ビームスプリッ
ターの2つの光路に順次縦続接続して最終段の各前記ビ
ームスプリッターの光路からそれぞれ入射レーザー光を
時間分割して切り換え分配したレーザー光を取り出すよ
うに構成したことを特徴とするものである。
【0013】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照しつつ説明する。図1は本発明に係るレーザー光
路分配装置の実施の形態を示す図、図2は本発明に係る
レーザー光路分配装置の動作を説明するための図であ
り、11は光源、12はレーザー光強度安定器、13は
制御装置、14は光変調素子、15はビームスプリッタ
ー、17、24は半透明鏡、18、25は光量検出器、
19、26は集光器、20、27はディスク基板、2
1、28は基板回転機構、22、29は基板移動機構、
23は全反射鏡を示す。
を参照しつつ説明する。図1は本発明に係るレーザー光
路分配装置の実施の形態を示す図、図2は本発明に係る
レーザー光路分配装置の動作を説明するための図であ
り、11は光源、12はレーザー光強度安定器、13は
制御装置、14は光変調素子、15はビームスプリッタ
ー、17、24は半透明鏡、18、25は光量検出器、
19、26は集光器、20、27はディスク基板、2
1、28は基板回転機構、22、29は基板移動機構、
23は全反射鏡を示す。
【0014】図1において、光源11は、レーザー光を
発生するレーザー光発振器であり、レーザー光強度安定
器12は、入射レーザー光の強度を予め決められた所定
の設定値LB に安定化するものである。光変調素子14
は、入射レーザー光に対する出射レーザー光の波面(偏
光面)の角度θを印加される電圧Sに応じて変える、例
えば電気光学素子(EO素子)であり、ビームスプリッ
ター15は、光変調素子14から入射するレーザー光を
波面の角度θに応じて2つの光路に分配する光路分配用
ビームスプリッターである。全反射鏡23は、光路を変
えるためのものであり、半透明鏡17、24は、ビーム
スプリッター15により2つに分配された光路から出射
光量を検出するために一部を分割する出射光検出用ビー
ムスプリッターである。光量検出器18、25は、半透
明鏡17、24から分割されたレーザー光により光路の
出射光量を検出するものである。ディスク基板20、2
7は、レーザー光によりテクスチャ加工を行い表面に微
小突起(バンブ)を作る被加工材であり、磁気ディスク
基板あるいはそのスタンパーのマスター基板である。集
光器19、26は、レーザービームをディスク基板2
0、27の加工位置に集光する光学系であり、オートフ
ォーカス機能を有するものを用いることにより、ディス
ク基板の回転に伴って加工面にゆれがあっても集光の安
定性を高くすることができる。
発生するレーザー光発振器であり、レーザー光強度安定
器12は、入射レーザー光の強度を予め決められた所定
の設定値LB に安定化するものである。光変調素子14
は、入射レーザー光に対する出射レーザー光の波面(偏
光面)の角度θを印加される電圧Sに応じて変える、例
えば電気光学素子(EO素子)であり、ビームスプリッ
ター15は、光変調素子14から入射するレーザー光を
波面の角度θに応じて2つの光路に分配する光路分配用
ビームスプリッターである。全反射鏡23は、光路を変
えるためのものであり、半透明鏡17、24は、ビーム
スプリッター15により2つに分配された光路から出射
光量を検出するために一部を分割する出射光検出用ビー
ムスプリッターである。光量検出器18、25は、半透
明鏡17、24から分割されたレーザー光により光路の
出射光量を検出するものである。ディスク基板20、2
7は、レーザー光によりテクスチャ加工を行い表面に微
小突起(バンブ)を作る被加工材であり、磁気ディスク
基板あるいはそのスタンパーのマスター基板である。集
光器19、26は、レーザービームをディスク基板2
0、27の加工位置に集光する光学系であり、オートフ
ォーカス機能を有するものを用いることにより、ディス
ク基板の回転に伴って加工面にゆれがあっても集光の安
定性を高くすることができる。
【0015】ディスク基板20、27は、レーザービー
ムにより表面に微小の凹凸からなるテクスチャ加工を行
う被加工材である。基板回転機構21、28は、ディス
ク基板20、27を保持して一定の回転数となるように
又はレーザービームの照射点の線速度が一定となるよう
に回転駆動する機構、基板移動機構22、29は、ディ
スク基板20、27を半径方向に移動させる機構であ
る。制御装置13は、光量検出器18、25により検出
される各光路の出射光量、基板回転機構21、28によ
り検出される各ディスク基板20、27の回転速度、基
板移動機構22、29により検出される各ディスク基板
20、27の移動位置を入力し、レーザー光強度安定器
12の設定値LB 、光変調素子14の印加電圧S、基板
回転機構21、28の回転速度及び基板移動機構22、
29の移動位置の制御を行うものである。
ムにより表面に微小の凹凸からなるテクスチャ加工を行
う被加工材である。基板回転機構21、28は、ディス
ク基板20、27を保持して一定の回転数となるように
又はレーザービームの照射点の線速度が一定となるよう
に回転駆動する機構、基板移動機構22、29は、ディ
スク基板20、27を半径方向に移動させる機構であ
る。制御装置13は、光量検出器18、25により検出
される各光路の出射光量、基板回転機構21、28によ
り検出される各ディスク基板20、27の回転速度、基
板移動機構22、29により検出される各ディスク基板
20、27の移動位置を入力し、レーザー光強度安定器
12の設定値LB 、光変調素子14の印加電圧S、基板
回転機構21、28の回転速度及び基板移動機構22、
29の移動位置の制御を行うものである。
【0016】上記の構成では、光源11から出射される
レーザー光をレーザー光強度安定器12により設定値L
B に従って安定化し、安定化したレーザー光を光変調素
子14により印加電圧Sに従って変調して波面の角度θ
を変え、この波面の角度θの変化に応じて出射レーザー
光a′をビームスプリッター15により光路bとcに分
配する。すなわち、ビームスプリッター15では、図2
に示すように印加電圧Sがハイレベルのときの出射レー
ザー光を光路bに分配し、印加電圧Sがローレベルのと
きの出射レーザー光を光路cに切り換えることにより、
時間分割して切り換え分配する。つまり、光変調素子1
4とビームスプリッター15により光路分配器を構成し
ている。このようにして切り換え分配されたレーザー光
を、光路bより集光器19を通してディスク基板20
に、光路cより集光器26を通してディスク基板27に
それぞれ交互に照射して加工を実行する。ディスク基板
20、27の照射位置、つまり加工位置は、基板回転機
構21、28の回転位置及び基板移動機構22、29の
移動位置によって制御される。ディスク基板20、27
の回転速度又は線速度は、照射されるレーザー光強度に
基づき決定され、その照射幅(時間)は、加工サイズに
基づき決定される。
レーザー光をレーザー光強度安定器12により設定値L
B に従って安定化し、安定化したレーザー光を光変調素
子14により印加電圧Sに従って変調して波面の角度θ
を変え、この波面の角度θの変化に応じて出射レーザー
光a′をビームスプリッター15により光路bとcに分
配する。すなわち、ビームスプリッター15では、図2
に示すように印加電圧Sがハイレベルのときの出射レー
ザー光を光路bに分配し、印加電圧Sがローレベルのと
きの出射レーザー光を光路cに切り換えることにより、
時間分割して切り換え分配する。つまり、光変調素子1
4とビームスプリッター15により光路分配器を構成し
ている。このようにして切り換え分配されたレーザー光
を、光路bより集光器19を通してディスク基板20
に、光路cより集光器26を通してディスク基板27に
それぞれ交互に照射して加工を実行する。ディスク基板
20、27の照射位置、つまり加工位置は、基板回転機
構21、28の回転位置及び基板移動機構22、29の
移動位置によって制御される。ディスク基板20、27
の回転速度又は線速度は、照射されるレーザー光強度に
基づき決定され、その照射幅(時間)は、加工サイズに
基づき決定される。
【0017】図3は光路分配器を構成する光変調素子の
出射レーザー光の波面の角度の変化と光路分配を説明す
るための図であり、31は光変調素子、32はビームス
プリッターを示す。
出射レーザー光の波面の角度の変化と光路分配を説明す
るための図であり、31は光変調素子、32はビームス
プリッターを示す。
【0018】図3において、レーザー光路分配を行う光
変調素子31とビームスプリッター32は、例えば次の
ような関係になる。すなわち、光変調素子31は、印加
電圧Sが0のとき図3(B)に示すように入射レーザー
光aに対し波面の角度θが0°のレーザー光a′として
出射し、印加電圧Sが所定値Vfのとき図3(C)に示
すように入射レーザー光aに対し波面の角度θが90°
のレーザー光a′として出射するように、また、ビーム
スプリッター32は、図3(D)に示すように入射レー
ザー光a′のうち波面の角度θが0°の成分を光路bに
分配し、波面の角度θが90°の成分を光路cに分配す
るように設定しておくものとする。これらの関係から、
図2に示すように光変調素子31の印加電圧SをVfの
パルス信号として供給すると、光路bとcとの間でスイ
ッチングして切り換え配分することができるが、光変調
素子31の印加電圧Sを0とVfの中間にすると、図3
(D)に示すように入射レーザー光a′を光路bとcに
一定の割合で比率配分することができる。
変調素子31とビームスプリッター32は、例えば次の
ような関係になる。すなわち、光変調素子31は、印加
電圧Sが0のとき図3(B)に示すように入射レーザー
光aに対し波面の角度θが0°のレーザー光a′として
出射し、印加電圧Sが所定値Vfのとき図3(C)に示
すように入射レーザー光aに対し波面の角度θが90°
のレーザー光a′として出射するように、また、ビーム
スプリッター32は、図3(D)に示すように入射レー
ザー光a′のうち波面の角度θが0°の成分を光路bに
分配し、波面の角度θが90°の成分を光路cに分配す
るように設定しておくものとする。これらの関係から、
図2に示すように光変調素子31の印加電圧SをVfの
パルス信号として供給すると、光路bとcとの間でスイ
ッチングして切り換え配分することができるが、光変調
素子31の印加電圧Sを0とVfの中間にすると、図3
(D)に示すように入射レーザー光a′を光路bとcに
一定の割合で比率配分することができる。
【0019】従って、光変調素子31とビームスプリッ
ター32との組み合わせを基本構成とすることにより、
入射レーザー光を時間分割して切り換え分配するように
光変調素子31の印加電圧Sを制御したり、一定の比率
配分するように光変調素子31の印加電圧Sを制御して
光路分配器を構成することができる。同様に、光路cの
出射光量を光量検出器で検出して設定値LB と比較し誤
差をなくすように光変調素子31の印加電圧Sを制御す
ると、出射レーザー光の強度を一定の設定値LB に安定
化することができるので、レーザー光強度安定器とする
ことができ、光変調素子31の印加電圧Sを任意の波形
で制御すると、光変調器とすることができる。また、図
3(A)に示す光変調素子31とビームスプリッター3
2からなる光路分配器を複数個使い、ビームスプリッタ
ーの2つの光路に順次縦続接続することにより、レーザ
ー光の多分配装置が実現できる。その構成例を示したの
が図4である。
ター32との組み合わせを基本構成とすることにより、
入射レーザー光を時間分割して切り換え分配するように
光変調素子31の印加電圧Sを制御したり、一定の比率
配分するように光変調素子31の印加電圧Sを制御して
光路分配器を構成することができる。同様に、光路cの
出射光量を光量検出器で検出して設定値LB と比較し誤
差をなくすように光変調素子31の印加電圧Sを制御す
ると、出射レーザー光の強度を一定の設定値LB に安定
化することができるので、レーザー光強度安定器とする
ことができ、光変調素子31の印加電圧Sを任意の波形
で制御すると、光変調器とすることができる。また、図
3(A)に示す光変調素子31とビームスプリッター3
2からなる光路分配器を複数個使い、ビームスプリッタ
ーの2つの光路に順次縦続接続することにより、レーザ
ー光の多分配装置が実現できる。その構成例を示したの
が図4である。
【0020】図4はレーザー光の多分配を可能にしたレ
ーザー光路分配装置の他の実施の形態を示す図、図5は
比率分配と切り換え分配との組み合わせによる多分配動
作の例を説明するための図、図6は切り換え分配による
多分配動作の例を説明するための図であり、41、4
8、52は光変調素子、42は制御装置、43、49、
53はビームスプリッター、44、46は半透明鏡、4
5、47は光量検出器、50、51、54は全反射鏡を
示す。
ーザー光路分配装置の他の実施の形態を示す図、図5は
比率分配と切り換え分配との組み合わせによる多分配動
作の例を説明するための図、図6は切り換え分配による
多分配動作の例を説明するための図であり、41、4
8、52は光変調素子、42は制御装置、43、49、
53はビームスプリッター、44、46は半透明鏡、4
5、47は光量検出器、50、51、54は全反射鏡を
示す。
【0021】図4において、レーザー光の多分配を実現
するため、光変調素子41とビームスプリッター43に
より分配したそれぞれの光路b、cに、さらに光変調素
子48とビームスプリッター49、光変調素子52とビ
ームスプリッター53を縦続接続している。ここで、光
変調素子41の印加電圧S1を図5に示すように波面の
角度θを45°となるように制御すると、光変調素子4
1とビームスプリッター43では、入射レーザー光を光
路b、cに等分に比率分配する。したがって、光変調素
子48とビームスプリッター49、光変調素子52とビ
ームスプリッター53は、それぞれ図1に示した光変調
素子14とビームスプリッター15と同じように制御す
ることにより、図5のS2、S3に示す印加電圧の制御
によりd〜gに示すように4つの光路に切り換え分配す
る。
するため、光変調素子41とビームスプリッター43に
より分配したそれぞれの光路b、cに、さらに光変調素
子48とビームスプリッター49、光変調素子52とビ
ームスプリッター53を縦続接続している。ここで、光
変調素子41の印加電圧S1を図5に示すように波面の
角度θを45°となるように制御すると、光変調素子4
1とビームスプリッター43では、入射レーザー光を光
路b、cに等分に比率分配する。したがって、光変調素
子48とビームスプリッター49、光変調素子52とビ
ームスプリッター53は、それぞれ図1に示した光変調
素子14とビームスプリッター15と同じように制御す
ることにより、図5のS2、S3に示す印加電圧の制御
によりd〜gに示すように4つの光路に切り換え分配す
る。
【0022】また、入射レーザー光の強度で各光路に出
射したい場合には、光変調素子41とビームスプリッタ
ー43で光路b、cに図6に示すように切り換え分配す
る。そして、光変調素子48とビームスプリッター4
9、光変調素子52とビームスプリッター53で、図5
と同様に印加電圧の制御によりd〜gに示すように4つ
の光路に切り換え分配する。なお、光路f、gの出力光
は、光路cのレーザー光出力がオンのときに光路d、e
と同様の出力となる。この場合に、光路b、cの切り換
え周波数に対して、光路d〜gの切り換え周波数を倍に
すると、つまり、上段に対して次の段の切り換え周波数
を倍にすると、分周回路の信号を使って簡単な回路で印
加電圧制御回路を構成することができる。
射したい場合には、光変調素子41とビームスプリッタ
ー43で光路b、cに図6に示すように切り換え分配す
る。そして、光変調素子48とビームスプリッター4
9、光変調素子52とビームスプリッター53で、図5
と同様に印加電圧の制御によりd〜gに示すように4つ
の光路に切り換え分配する。なお、光路f、gの出力光
は、光路cのレーザー光出力がオンのときに光路d、e
と同様の出力となる。この場合に、光路b、cの切り換
え周波数に対して、光路d〜gの切り換え周波数を倍に
すると、つまり、上段に対して次の段の切り換え周波数
を倍にすると、分周回路の信号を使って簡単な回路で印
加電圧制御回路を構成することができる。
【0023】図7はレーザー光の多分配を可能にしたレ
ーザー光路分配装置のさらに他の実施の形態を示す図で
あり、61〜63は光変調素子、64〜66はビームス
プリッターを示す。
ーザー光路分配装置のさらに他の実施の形態を示す図で
あり、61〜63は光変調素子、64〜66はビームス
プリッターを示す。
【0024】さらに、光変調素子とビームスプリッター
からなる構成を光路分配器として複数個使い、ビームス
プリッターの2つの光路に順次縦続接続することによ
り、レーザー光多分配の装置が実現した構成例を示した
のが図7であり、次のような複数のモードに対応でき
る。
からなる構成を光路分配器として複数個使い、ビームス
プリッターの2つの光路に順次縦続接続することによ
り、レーザー光多分配の装置が実現した構成例を示した
のが図7であり、次のような複数のモードに対応でき
る。
【0025】まず、第1の制御モードとして、光変調素
子61〜63とビームスプリッター64〜66で光路
〜にレーザー光を比率分配するように光変調素子61
〜63の印加電圧を制御し、それぞれの光路〜で図
1に示した光変調素子14とビームスプリッター15と
同じ構成で切り換え分配する。
子61〜63とビームスプリッター64〜66で光路
〜にレーザー光を比率分配するように光変調素子61
〜63の印加電圧を制御し、それぞれの光路〜で図
1に示した光変調素子14とビームスプリッター15と
同じ構成で切り換え分配する。
【0026】第2の制御モードとして、光変調素子61
〜63とビームスプリッター64〜66で光路〜に
レーザー光を切り換え分配するように光変調素子61〜
63の印加電圧を制御する。さらに、それぞれの光路
〜で図1に示した光変調素子14とビームスプリッタ
ー15と同じ構成で切り換え分配してもよい。
〜63とビームスプリッター64〜66で光路〜に
レーザー光を切り換え分配するように光変調素子61〜
63の印加電圧を制御する。さらに、それぞれの光路
〜で図1に示した光変調素子14とビームスプリッタ
ー15と同じ構成で切り換え分配してもよい。
【0027】第3の制御モードとして、光変調素子61
とビームスプリッター64で比率分配して、光変調素子
62、63とビームスプリッター65、66で切り換え
分配するように光変調素子61〜63の印加電圧を制御
する。この場合には、光路で図1に示した光変調素子
14とビームスプリッター15と同じ構成で切り換え分
配することが必要となる。
とビームスプリッター64で比率分配して、光変調素子
62、63とビームスプリッター65、66で切り換え
分配するように光変調素子61〜63の印加電圧を制御
する。この場合には、光路で図1に示した光変調素子
14とビームスプリッター15と同じ構成で切り換え分
配することが必要となる。
【0028】本発明に係る光路分配装置を加工装置、例
えばテクスチュア記録装置に使用する場合には、大出力
のレーザー光発振器を用いるため、通常水冷や強制空冷
により冷却を行う。このような発振器を装置に内蔵する
と、冷却の振動が装置に伝わり光軸がその振動でずれた
り、水冷の場合には、接触部の緩みや水圧の上昇による
漏水で装置に損傷を与えるという問題が発生する。ま
た、光源からレーザー光強度安定器、光路分配器、ビー
ムスプリッター、半透明鏡、全反射鏡、集光器等を経
て、被加工材であるディスク基板にレーザー光を照射す
るため、それぞれの光路での光軸合わせが重要になる。
しかも、多大な手間をかけて光軸を合わせたとしても、
稼働中に経時的あるいは光学部品の交換により光軸がず
れたり、衝撃で光軸がずれたりすると、その調整にさら
に手間を要し、光軸調整、メンテナンスに多大な負担が
要求される。そのため、本発明に係るテクスチュア記録
装置では、光学部品との間を光導波路、つまり光ファイ
バーで接続する。このことにより、光軸の調整が容易に
なり、さらに光路の雰囲気の影響を受けない光学装置を
提供することができる。
えばテクスチュア記録装置に使用する場合には、大出力
のレーザー光発振器を用いるため、通常水冷や強制空冷
により冷却を行う。このような発振器を装置に内蔵する
と、冷却の振動が装置に伝わり光軸がその振動でずれた
り、水冷の場合には、接触部の緩みや水圧の上昇による
漏水で装置に損傷を与えるという問題が発生する。ま
た、光源からレーザー光強度安定器、光路分配器、ビー
ムスプリッター、半透明鏡、全反射鏡、集光器等を経
て、被加工材であるディスク基板にレーザー光を照射す
るため、それぞれの光路での光軸合わせが重要になる。
しかも、多大な手間をかけて光軸を合わせたとしても、
稼働中に経時的あるいは光学部品の交換により光軸がず
れたり、衝撃で光軸がずれたりすると、その調整にさら
に手間を要し、光軸調整、メンテナンスに多大な負担が
要求される。そのため、本発明に係るテクスチュア記録
装置では、光学部品との間を光導波路、つまり光ファイ
バーで接続する。このことにより、光軸の調整が容易に
なり、さらに光路の雰囲気の影響を受けない光学装置を
提供することができる。
【0029】なお、本発明は、上記実施の形態に限定さ
れるものではなく、種々の変形が可能である。例えば上
記実施の形態では、光変調素子として電気光学素子(E
O素子)を用いた例で説明したが、音響光学素子(AO
素子)その他同様の機能を有する素子を用いてもよい。
また、複数の光路に入射レーザー光を時間分割して切り
換え分配して取り出し、加工等に用いるようにしたが、
さらに光路に光変調器を挿入接続して加工条件に応じて
出射レーザー光の波形を所望の形状に変調するように構
成してもよいし、加工装置に限らず入射レーザー光を利
用する装置においてそのレーザー光を分配して用いる装
置に同様に適用してもよい。
れるものではなく、種々の変形が可能である。例えば上
記実施の形態では、光変調素子として電気光学素子(E
O素子)を用いた例で説明したが、音響光学素子(AO
素子)その他同様の機能を有する素子を用いてもよい。
また、複数の光路に入射レーザー光を時間分割して切り
換え分配して取り出し、加工等に用いるようにしたが、
さらに光路に光変調器を挿入接続して加工条件に応じて
出射レーザー光の波形を所望の形状に変調するように構
成してもよいし、加工装置に限らず入射レーザー光を利
用する装置においてそのレーザー光を分配して用いる装
置に同様に適用してもよい。
【0030】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、入射レーザー光に対して出射レーザー光の波
面の角度を変えて変調する光変調素子と該光変調素子に
より変調された出射レーザー光の波面の角度に応じて2
つの光路に分配するビームスプリッターとを組み合わ
せ、光変調素子の印加電圧を制御して入射レーザー光を
2つの光路に分配するので、加工装置に用いて複数の加
工部に移動機構を使わずに並行してレーザー光を照射す
ることができ、生産性の向上を図り、加工精度を上げる
ことができる。
によれば、入射レーザー光に対して出射レーザー光の波
面の角度を変えて変調する光変調素子と該光変調素子に
より変調された出射レーザー光の波面の角度に応じて2
つの光路に分配するビームスプリッターとを組み合わ
せ、光変調素子の印加電圧を制御して入射レーザー光を
2つの光路に分配するので、加工装置に用いて複数の加
工部に移動機構を使わずに並行してレーザー光を照射す
ることができ、生産性の向上を図り、加工精度を上げる
ことができる。
【図1】 本発明に係るレーザー光路分配装置の実施の
形態を示す図である。
形態を示す図である。
【図2】 本発明に係るレーザー光路分配装置の動作を
説明するための図である。
説明するための図である。
【図3】 光路分配器を構成する光変調素子の出射レー
ザー光の波面の角度の変化と光路分配を説明するための
図である。
ザー光の波面の角度の変化と光路分配を説明するための
図である。
【図4】 レーザー光の多分配を可能にしたレーザー光
路分配装置の他の実施の形態を示す図である。
路分配装置の他の実施の形態を示す図である。
【図5】 比率分配と切り換え分配との組み合わせによ
る多分配動作の例を説明するための図である。
る多分配動作の例を説明するための図である。
【図6】 切り換え分配による多分配動作の例を説明す
るための図である。
るための図である。
【図7】 レーザー光の多分配を可能にしたレーザー光
路分配装置のさらに他の実施の形態を示す図である。
路分配装置のさらに他の実施の形態を示す図である。
【図8】 レーザー光加工装置の従来例を説明するため
の図である。
の図である。
11…光源、12…レーザー光強度安定器、13…制御
装置、14…光変調素子、15…ビームスプリッター、
17、24…半透明鏡、18、25…光量検出器、1
9、26…集光器、20、27…ディスク基板、21、
28…基板回転機構、22、29…基板移動機構、23
…全反射鏡
装置、14…光変調素子、15…ビームスプリッター、
17、24…半透明鏡、18、25…光量検出器、1
9、26…集光器、20、27…ディスク基板、21、
28…基板回転機構、22、29…基板移動機構、23
…全反射鏡
Claims (13)
- 【請求項1】 入射レーザー光を複数の光路に分配する
レーザー光路分配装置であって、入射レーザー光に対し
て出射レーザー光の波面の角度を変えて変調する光変調
素子と、前記光変調素子により変調された出射レーザー
光の波面の角度に応じて2つの光路に分配するビームス
プリッターと、前記ビームスプリッターの一方の光路に
100%分配する出射レーザー光の波面の角度と他方の
光路に100%分配する出射レーザー光の波面の角度と
の間で交互に切り換わるように前記光変調素子の変調信
号を制御する制御手段とを備え、入射レーザー光を時間
分割して切り換え分配して取り出すように構成したこと
を特徴とするレーザー光路分配装置。 - 【請求項2】 前記光変調素子の前段に入射レーザー光
を所定の設定値に安定化するレーザー光強度安定化手段
を備えたことを特徴とする請求項1記載のレーザー光路
分配装置。 - 【請求項3】 入射レーザー光を切り換え分配して取り
出す前記ビームスプリッターの光路に出射レーザー光を
変調する光変調器を備えたことを特徴とする請求項1記
載のレーザー光路分配装置。 - 【請求項4】 各光路を光ファイバーで接続したことを
特徴とする請求項1記載のレーザー光路分配装置。 - 【請求項5】 入射レーザー光を複数の光路に分配する
レーザー光路分配装置であって、入射レーザー光に対し
て出射レーザー光の波面の角度を変えて変調する第1の
光変調素子と、前記光変調素子により変調された出射レ
ーザー光の波面の角度に応じて2つの光路に分配する第
1のビームスプリッターと、前記第2のビームスプリッ
ターの各光路に接続され入射レーザー光に対して出射レ
ーザー光の波面の角度を変えて変調する第2、第3の光
変調素子と、前記第2、第3の光変調素子により変調さ
れた出射レーザー光の波面の角度に応じて2つの光路に
分配する第2、第3のビームスプリッターと、前記第
1、第2、第3の光変調素子の変調信号を制御する制御
手段とを備え、前記第2、第3のビームスプリッターか
らそれぞれ入射レーザー光を時間分割して切り換え分配
したレーザー光を取り出すように構成したことを特徴と
するレーザー光路分配装置。 - 【請求項6】 前記制御手段は、前記第1のビームスプ
リッターの2つの光路にレーザー光を等分に比率分配す
るように前記第1の光変調素子の変調信号を制御し、前
記第2、第3のビームスプリッターのそれぞれの2つの
光路に入射レーザー光を時間分割して切り換え分配する
ように前記第2、第3の光変調素子の変調信号を制御す
ることを特徴とする請求項5記載のレーザー光路分配装
置。 - 【請求項7】 前記制御手段は、前記第1〜第3のビー
ムスプリッターのそれぞれの2つの光路に入射レーザー
光を時間分割して切り換え分配するように前記第1〜第
3の光変調素子の変調信号を制御することを特徴とする
請求項5記載のレーザー光路分配装置。 - 【請求項8】 前記第1の光変調素子の前段に入射レー
ザー光を所定の設定値に安定化するレーザー光強度安定
化手段を備えたことを特徴とする請求項5記載のレーザ
ー光路分配装置。 - 【請求項9】 各光路を光ファイバーで接続したことを
特徴とする請求項5記載のレーザー光路分配装置。 - 【請求項10】 入射レーザー光を複数の光路に分配す
るレーザー光路分配装置であって、入射レーザー光に対
して出射レーザー光の波面の角度を変えて変調する光変
調素子と前記光変調素子により変調された出射レーザー
光の波面の角度に応じて2つの光路に分配するビームス
プリッターからなる複数の光路分配器と、前記複数の光
路分配器の光変調素子の変調信号を制御する制御手段と
を備え、前記複数の光路分配器を前記ビームスプリッタ
ーの2つの光路に順次縦続接続して最終段の各前記ビー
ムスプリッターの光路からそれぞれ入射レーザー光を時
間分割して切り換え分配したレーザー光を取り出すよう
に構成したことを特徴とするレーザー光路分配装置。 - 【請求項11】 前記複数の光路分配器のうち初段の光
路分配器の光変調素子の前段に入射レーザー光を所定の
設定値に安定化するレーザー光強度安定化手段を備えた
ことを特徴とする請求項10記載のレーザー光路分配装
置。 - 【請求項12】 入射レーザーを切り換え分配して取り
出す前記ビームスプリッターの光路に出射レーザー光を
変調する光変調器を備えたことを特徴とする請求項10
記載のレーザー光路分配装置。 - 【請求項13】 各光路を光ファイバーで接続したこと
を特徴とする請求項10記載のレーザー光路分配装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9311688A JPH11142786A (ja) | 1997-11-13 | 1997-11-13 | レーザー光路分配装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9311688A JPH11142786A (ja) | 1997-11-13 | 1997-11-13 | レーザー光路分配装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11142786A true JPH11142786A (ja) | 1999-05-28 |
Family
ID=18020276
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9311688A Pending JPH11142786A (ja) | 1997-11-13 | 1997-11-13 | レーザー光路分配装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11142786A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003525124A (ja) * | 2000-02-15 | 2003-08-26 | データカード・コーポレーション | 複数のレーザービームによって被加工物を加工する方法 |
| JP2006108478A (ja) * | 2004-10-07 | 2006-04-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | レーザ加工装置 |
| WO2009005059A1 (ja) * | 2007-07-03 | 2009-01-08 | Ihi Corporation | 高輝度x線発生装置および方法 |
| US7728255B2 (en) * | 2006-04-28 | 2010-06-01 | Coretronic Corporation | Spinning-type pattern-fabrication system and a method thereof |
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| DE102017218690A1 (de) | 2016-10-19 | 2018-04-19 | Fanuc Corporation | Strahlverteiler |
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| CN109954982A (zh) * | 2017-12-19 | 2019-07-02 | 东京毅力科创株式会社 | 激光加工装置和激光加工方法 |
-
1997
- 1997-11-13 JP JP9311688A patent/JPH11142786A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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