JPH11142852A - 液晶素子及び該液晶素子の製造方法 - Google Patents
液晶素子及び該液晶素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH11142852A JPH11142852A JP30474997A JP30474997A JPH11142852A JP H11142852 A JPH11142852 A JP H11142852A JP 30474997 A JP30474997 A JP 30474997A JP 30474997 A JP30474997 A JP 30474997A JP H11142852 A JPH11142852 A JP H11142852A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- film
- uniaxial alignment
- alignment film
- substrates
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 カイラルスメクチック液晶の配向状態が不均
一になることを防止する。 【解決手段】 一軸配向膜７には、製造過程においてラ
ビング処理を施し液晶分子に対する一軸配向特性を付与
するが、この一軸配向膜７には、ラビング処理によって
膜剥離が生ずることによる表面エネルギーの分散項の変
化が４ｄｙｎｅ／ｃｍ以下となる材質のものを使用して
いる。したがって、ラビング処理によって局部的に膜剥
離が発生したとしても、膜剥離が発生した部分と発生し
なかった部分とで表面エネルギーの差異が小さく、カイ
ラルスメクチック液晶５の配向状態が不均一になること
を低減できる。
一になることを防止する。 【解決手段】 一軸配向膜７には、製造過程においてラ
ビング処理を施し液晶分子に対する一軸配向特性を付与
するが、この一軸配向膜７には、ラビング処理によって
膜剥離が生ずることによる表面エネルギーの分散項の変
化が４ｄｙｎｅ／ｃｍ以下となる材質のものを使用して
いる。したがって、ラビング処理によって局部的に膜剥
離が発生したとしても、膜剥離が発生した部分と発生し
なかった部分とで表面エネルギーの差異が小さく、カイ
ラルスメクチック液晶５の配向状態が不均一になること
を低減できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般的には、カイ
ラルスメクチック液晶を備えた液晶素子及び該液晶素子
の製造方法に関する。
ラルスメクチック液晶を備えた液晶素子及び該液晶素子
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶分子の屈折率異方性を利用して偏光
素子との組み合わせにより透過光線を制御するようにし
た液晶素子が、クラーク（Ｃｌａｒｋ）及びラガーウォ
ル（Ｌａｇｅｒｗａｌｌ）により提案されている（特開
昭５６−１０７２１６号公報、米国特許第４３６７９２
４号明細書等）。
素子との組み合わせにより透過光線を制御するようにし
た液晶素子が、クラーク（Ｃｌａｒｋ）及びラガーウォ
ル（Ｌａｇｅｒｗａｌｌ）により提案されている（特開
昭５６−１０７２１６号公報、米国特許第４３６７９２
４号明細書等）。
【０００３】この液晶素子に用いられるカイラルスメク
チック液晶は、一般に特定の温度域において、非らせん
構造のカイラルスメクチックＣ相（ＳｍＣ* ）又はＨ相
（ＳｍＨ* ）を有し、この状態において、加えられる電
界に応答して第１の光学的安定状態と第２の光学的安定
状態のいずれかを取り、且つ電界の印加のないときはそ
の状態を維持する性質、すなわち双安定性を有し、また
電界の変化に対する応答も速やかであり、高速ならびに
記憶型の素子用の液晶として、広い利用が期待されてい
る。
チック液晶は、一般に特定の温度域において、非らせん
構造のカイラルスメクチックＣ相（ＳｍＣ* ）又はＨ相
（ＳｍＨ* ）を有し、この状態において、加えられる電
界に応答して第１の光学的安定状態と第２の光学的安定
状態のいずれかを取り、且つ電界の印加のないときはそ
の状態を維持する性質、すなわち双安定性を有し、また
電界の変化に対する応答も速やかであり、高速ならびに
記憶型の素子用の液晶として、広い利用が期待されてい
る。
【０００４】なお、この液晶素子は、走査電極及び信号
電極からなるマトリクス電極を備えており、走査電極に
は走査信号が順次印加され、信号電極には、走査信号に
同期して情報信号が印加され、カイラルスメクチック液
晶がマルチプレクシング駆動されるようになっている。
電極からなるマトリクス電極を備えており、走査電極に
は走査信号が順次印加され、信号電極には、走査信号に
同期して情報信号が印加され、カイラルスメクチック液
晶がマルチプレクシング駆動されるようになっている。
【０００５】ところで、このような液晶素子において
は、少なくとも一方の基板に一軸配向膜を形成すると共
に該配向膜に一軸配向処理を施して液晶分子を良好に配
向させる必要がある。かかる一軸配向処理方法として
は、ラビング処理法、斜め蒸着法、及びイオンビーム法
等の種々の方法があるが、ラビング処理法は、ラビング
布を一軸配向膜に擦りつけるだけで良く、作業が簡単で
あることから、一般的に用いられている。
は、少なくとも一方の基板に一軸配向膜を形成すると共
に該配向膜に一軸配向処理を施して液晶分子を良好に配
向させる必要がある。かかる一軸配向処理方法として
は、ラビング処理法、斜め蒸着法、及びイオンビーム法
等の種々の方法があるが、ラビング処理法は、ラビング
布を一軸配向膜に擦りつけるだけで良く、作業が簡単で
あることから、一般的に用いられている。
【０００６】このラビング処理には、通常、１０〜１０
０μｍ程度の太さの起毛パイルを有するラビング布が用
いられるが、均一なラビング処理を達成するには、起毛
パイルは１０μｍ程度の細いものが好ましく、かつ多数
の起毛パイルが高密度で植毛されたラビング布を用いる
必要がある。
０μｍ程度の太さの起毛パイルを有するラビング布が用
いられるが、均一なラビング処理を達成するには、起毛
パイルは１０μｍ程度の細いものが好ましく、かつ多数
の起毛パイルが高密度で植毛されたラビング布を用いる
必要がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、一軸配向膜
３の組成（膜組成）や構造（膜構造）はミクロ的に見れ
ば膜面方向において不均一であるため、ラビング処理を
一軸配向膜３の全面に均一に施したとしても、一軸配向
膜３の表面には膜の剥離が生じる部分と生じない部分と
が混在することとなる。一方、一軸配向膜３における表
面エネルギーの分散項はラビング処理によって膜剥離が
生ずると変化するものであるが、上述のように膜の剥離
が生じる部分と生じない部分とが混在することによって
表面エネルギーが不均一となり、その結果、液晶の配向
状態が不均一になるという問題があった。
３の組成（膜組成）や構造（膜構造）はミクロ的に見れ
ば膜面方向において不均一であるため、ラビング処理を
一軸配向膜３の全面に均一に施したとしても、一軸配向
膜３の表面には膜の剥離が生じる部分と生じない部分と
が混在することとなる。一方、一軸配向膜３における表
面エネルギーの分散項はラビング処理によって膜剥離が
生ずると変化するものであるが、上述のように膜の剥離
が生じる部分と生じない部分とが混在することによって
表面エネルギーが不均一となり、その結果、液晶の配向
状態が不均一になるという問題があった。
【０００８】なお、このラビング処理によって、膜の剥
離が生じた部分においては新たな表面の有機ポリマーの
主鎖が延伸されることとなり、膜の剥離が生じない部分
においては剥離されない表面の有機ポリマーの主鎖が延
伸されることとなる。
離が生じた部分においては新たな表面の有機ポリマーの
主鎖が延伸されることとなり、膜の剥離が生じない部分
においては剥離されない表面の有機ポリマーの主鎖が延
伸されることとなる。
【０００９】そこで、本発明は、液晶の配向状態の不均
一を低減し、表示品位が高い液晶素子を提供することを
目的とするものである。
一を低減し、表示品位が高い液晶素子を提供することを
目的とするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は上記事情を考慮
してなされたものであり、所定距離離間して配置される
一対の基板と、これら一対の基板の少なくとも一方の基
板に形成されると共にラビング処理によって液晶分子に
対する一軸配向特性が付与される一軸配向膜と、前記一
対の基板の間に前記一軸配向膜に接するように配置され
たカイラルスメクチック液晶と、を備えた液晶素子にお
いて、前記一軸配向膜は、ラビング処理によって膜剥離
が生ずることによる表面エネルギーの分散項の変化が４
ｄｙｎｅ／ｃｍ以下である、ことを特徴とする。
してなされたものであり、所定距離離間して配置される
一対の基板と、これら一対の基板の少なくとも一方の基
板に形成されると共にラビング処理によって液晶分子に
対する一軸配向特性が付与される一軸配向膜と、前記一
対の基板の間に前記一軸配向膜に接するように配置され
たカイラルスメクチック液晶と、を備えた液晶素子にお
いて、前記一軸配向膜は、ラビング処理によって膜剥離
が生ずることによる表面エネルギーの分散項の変化が４
ｄｙｎｅ／ｃｍ以下である、ことを特徴とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、図１を参照して、本発明の
実施の形態について説明する。
実施の形態について説明する。
【００１２】図１は、本実施の形態に係る液晶素子の構
造を示す図であり、(a) は正面図、(b) は底面図であ
る。
造を示す図であり、(a) は正面図、(b) は底面図であ
る。
【００１３】この図に明らかなように、本実施の形態に
係る液晶素子Ｐは、所定距離離間して配置される一対の
基板１，２を備えており、これら一対の基板１，２の少
なくとも一方の基板１には、後述するようにラビング処
理によって液晶分子に対する一軸配向特性が付与される
一軸配向膜３が形成されている。また、これら一対の基
板１，２の間には前記一軸配向膜３に接するようにカイ
ラルスメクチック液晶５が配置されている。
係る液晶素子Ｐは、所定距離離間して配置される一対の
基板１，２を備えており、これら一対の基板１，２の少
なくとも一方の基板１には、後述するようにラビング処
理によって液晶分子に対する一軸配向特性が付与される
一軸配向膜３が形成されている。また、これら一対の基
板１，２の間には前記一軸配向膜３に接するようにカイ
ラルスメクチック液晶５が配置されている。
【００１４】ところで、前記一軸配向膜３における表面
エネルギーの分散項は、ラビング処理によって膜剥離が
生ずると変化するものであるが、本実施の形態における
一軸配向膜３には、該表面エネルギーの分散項の変化が
４ｄｙｎｅ／ｃｍ以下となる材質のものを使用してい
る。なお、この一軸配向膜３には、一酸化珪素や二酸化
珪素や酸化アルミニウムや酸化セリウムなどの無機物
や、ポリビニルアルコールやポリイミドやポリイミドア
ミドなどの有機物を用いれば良い。
エネルギーの分散項は、ラビング処理によって膜剥離が
生ずると変化するものであるが、本実施の形態における
一軸配向膜３には、該表面エネルギーの分散項の変化が
４ｄｙｎｅ／ｃｍ以下となる材質のものを使用してい
る。なお、この一軸配向膜３には、一酸化珪素や二酸化
珪素や酸化アルミニウムや酸化セリウムなどの無機物
や、ポリビニルアルコールやポリイミドやポリイミドア
ミドなどの有機物を用いれば良い。
【００１５】また、前記一軸配向膜３は両方の基板１，
２に形成しても良いが、この一軸配向膜３を一方の基板
１にのみ形成すると共に、他方の基板２には、液晶分子
に対して非一軸配向特性を有する非一軸配向膜６を形成
するようにしてもよい。ここで、これらの一軸配向膜３
や非一軸配向膜６は有機膜や無機膜にて形成すれば良
い。
２に形成しても良いが、この一軸配向膜３を一方の基板
１にのみ形成すると共に、他方の基板２には、液晶分子
に対して非一軸配向特性を有する非一軸配向膜６を形成
するようにしてもよい。ここで、これらの一軸配向膜３
や非一軸配向膜６は有機膜や無機膜にて形成すれば良
い。
【００１６】なお、本明細書における“一軸配向特性”
とは、液晶分子を一軸配向状態（例えば一軸水平配向状
態）にする特性を意味する。
とは、液晶分子を一軸配向状態（例えば一軸水平配向状
態）にする特性を意味する。
【００１７】基板１，２は、ガラスやプラスチックにて
形成すれば良い。
形成すれば良い。
【００１８】また、これらの基板１，２の表面には電極
７，９を形成すれば良い。この電極７，９としては、Ｉ
ＴＯ（インジウム ティン オキサイド）などの透明導
電体が好ましい。
７，９を形成すれば良い。この電極７，９としては、Ｉ
ＴＯ（インジウム ティン オキサイド）などの透明導
電体が好ましい。
【００１９】カイラルスメクチック液晶５としては、Ｓ
ｍＣ* 相において、そのスメクチック層が基板に対して
垂直に並列するといったブックシェルフ構造、或は垂直
に近いスメクチック層傾きの構造をとる液晶材料を用い
れば良い。このような液晶材料としては、例えば、少な
くとも一つの連鎖中エーテル酸素を持つフルオロカーボ
ン末端鎖と、炭化水素末端鎖とからなるフッ素含有液晶
化合物であって、該末端鎖が中心核によって結合され、
化合物がスメクチック中間相或は潜在的スメクチック相
を示すものを含有する液晶組成物を挙げることができ
る。
ｍＣ* 相において、そのスメクチック層が基板に対して
垂直に並列するといったブックシェルフ構造、或は垂直
に近いスメクチック層傾きの構造をとる液晶材料を用い
れば良い。このような液晶材料としては、例えば、少な
くとも一つの連鎖中エーテル酸素を持つフルオロカーボ
ン末端鎖と、炭化水素末端鎖とからなるフッ素含有液晶
化合物であって、該末端鎖が中心核によって結合され、
化合物がスメクチック中間相或は潜在的スメクチック相
を示すものを含有する液晶組成物を挙げることができ
る。
【００２０】次に、本実施の形態に係る液晶素子Ｐの製
造方法について説明する。
造方法について説明する。
【００２１】液晶素子Ｐの製造に際しては、一の基板１
に一軸配向膜３を形成し、この一軸配向膜３にラビング
処理を施して液晶分子に対する一軸配向特性を付与す
る。そして、この一の基板１と他の基板２とを所定距離
離間した状態に貼り合わせ、これらの基板１，２の間
（一軸配向膜３に接する位置）にカイラルスメクチック
液晶を注入する。
に一軸配向膜３を形成し、この一軸配向膜３にラビング
処理を施して液晶分子に対する一軸配向特性を付与す
る。そして、この一の基板１と他の基板２とを所定距離
離間した状態に貼り合わせ、これらの基板１，２の間
（一軸配向膜３に接する位置）にカイラルスメクチック
液晶を注入する。
【００２２】次に、本実施の形態の効果について説明す
る。
る。
【００２３】本実施の形態によれば、膜の剥離に伴う表
面エネルギーの分散項γd の変化が４ｄｙｎｅ／ｃｍ以
下である一軸配向膜３を用いているため、ラビング処理
によって膜の剥離が生じる部分と生じない部分とが混在
するようになったとしても、表面エネルギーをほぼ均一
にでき、液晶５の配向状態を均一にできる。その結果、
液晶素子Ｐの表示品位が向上される。
面エネルギーの分散項γd の変化が４ｄｙｎｅ／ｃｍ以
下である一軸配向膜３を用いているため、ラビング処理
によって膜の剥離が生じる部分と生じない部分とが混在
するようになったとしても、表面エネルギーをほぼ均一
にでき、液晶５の配向状態を均一にできる。その結果、
液晶素子Ｐの表示品位が向上される。
【００２４】
【実施例】（実施例１）本実施例に係る液晶素子Ｐは、
基板にガラス基板１，２を用いており、これらのガラス
基板１，２の表面には、ＩＴＯ（インジウム ティン
オキサイド）からなる透明電極７，９を形成した。な
お、これらの透明電極７，９は互いに直交するように配
置した。
基板にガラス基板１，２を用いており、これらのガラス
基板１，２の表面には、ＩＴＯ（インジウム ティン
オキサイド）からなる透明電極７，９を形成した。な
お、これらの透明電極７，９は互いに直交するように配
置した。
【００２５】また、一軸配向膜３は、一方のガラス基板
１にのみ、かつ上記透明電極７を覆うように形成した。
なお、この一軸配向膜３は下記構造のポリイミドにて形
成し、
１にのみ、かつ上記透明電極７を覆うように形成した。
なお、この一軸配向膜３は下記構造のポリイミドにて形
成し、
【００２６】
【化１】 その膜厚を約５×１０3 μｍとした。この一軸配向膜３
には後述するようにラビング処理を施すが、本発明者が
表面エネルギーの分散項の値を所定の方法（北崎氏、日
本接着協会誌、８（３）、１３１〜１４１（１９７
２））で測定・算出したところ、ラビング処理前であっ
て膜剥離が無い状態では４４．３ｄｙｎｅ／ｃｍであ
り、ラビング処理後であって膜剥離があった状態では４
４．５ｄｙｎｅ／ｃｍであって、その差は０．２ｄｙｎ
ｅ／ｃｍであった。
には後述するようにラビング処理を施すが、本発明者が
表面エネルギーの分散項の値を所定の方法（北崎氏、日
本接着協会誌、８（３）、１３１〜１４１（１９７
２））で測定・算出したところ、ラビング処理前であっ
て膜剥離が無い状態では４４．３ｄｙｎｅ／ｃｍであ
り、ラビング処理後であって膜剥離があった状態では４
４．５ｄｙｎｅ／ｃｍであって、その差は０．２ｄｙｎ
ｅ／ｃｍであった。
【００２７】さらに、他方のガラス基板３には、透明電
極９を覆うように非一軸配向膜６を形成した。この非一
軸配向膜６は、アンチモンドープのＳｎＯ2 超微粒子を
分散させたシリカ膜にて形成し、ＳｎＯ2 超微粒子の粒
径は約１０×１０3 μｍとした。また、非一軸配向膜６
の膜厚は約１５０×１０3 μｍとした。
極９を覆うように非一軸配向膜６を形成した。この非一
軸配向膜６は、アンチモンドープのＳｎＯ2 超微粒子を
分散させたシリカ膜にて形成し、ＳｎＯ2 超微粒子の粒
径は約１０×１０3 μｍとした。また、非一軸配向膜６
の膜厚は約１５０×１０3 μｍとした。
【００２８】一方、これらのガラス基板１，２の間に
は、平均粒径が２．６μｍのシリカビーズからなるスペ
ーサ（不図示）を配置し、このスペーサによって両ガラ
ス基板１，２の間隙寸法を規定した。
は、平均粒径が２．６μｍのシリカビーズからなるスペ
ーサ（不図示）を配置し、このスペーサによって両ガラ
ス基板１，２の間隙寸法を規定した。
【００２９】また、これらのガラス基板１，２の間隙に
は、図１(a) に示す形状にシール材１０を配置し、この
シール材１０によって両ガラス基板１，２を貼り合わせ
た。なお、シール材１０にはエポキシ樹脂の接着剤を使
用した。また、図中の符号１１は、カイラルスメクチッ
ク液晶５を注入するための注入口である。
は、図１(a) に示す形状にシール材１０を配置し、この
シール材１０によって両ガラス基板１，２を貼り合わせ
た。なお、シール材１０にはエポキシ樹脂の接着剤を使
用した。また、図中の符号１１は、カイラルスメクチッ
ク液晶５を注入するための注入口である。
【００３０】さらに、液晶５にはポリフッ素系のものを
用いた。なお、下記各化合物をＡ，Ｂ1 ，Ｂ2 ，Ｂ3 ，
Ｃで表わした場合、液晶５におけるそれらの重量比Ａ／
Ｂ1／Ｂ2 ／Ｂ3 ／Ｃを８０／３／３／４／５とした。
なお、該組成物の２５℃での自発分極は２６ｎＣ／ｃｍ
2 、２０℃での層傾き角δは０°、チルト角は２７°で
あった。
用いた。なお、下記各化合物をＡ，Ｂ1 ，Ｂ2 ，Ｂ3 ，
Ｃで表わした場合、液晶５におけるそれらの重量比Ａ／
Ｂ1／Ｂ2 ／Ｂ3 ／Ｃを８０／３／３／４／５とした。
なお、該組成物の２５℃での自発分極は２６ｎＣ／ｃｍ
2 、２０℃での層傾き角δは０°、チルト角は２７°で
あった。
【００３１】
【化２】 次に、液晶素子Ｐの製造方法について説明する。
【００３２】まず、スパッタ法によってガラス基板１，
２の表面に１００×１０3 μｍの厚さのＩＴＯ膜を形成
し、これをホトリソ法によってパターニングして透明電
極７，９を形成した。
２の表面に１００×１０3 μｍの厚さのＩＴＯ膜を形成
し、これをホトリソ法によってパターニングして透明電
極７，９を形成した。
【００３３】次に、一方のガラス基板１の表面には、透
明電極７を覆うようにスピンナーにてポリイミド膜を塗
布し、これに加熱焼成処理を施して一軸配向膜３を形成
した。そして、この一軸配向膜３の表面を、直径約１５
μｍのナイロンパイルからなるラビング布にて擦り、ラ
ビング処理を施した。
明電極７を覆うようにスピンナーにてポリイミド膜を塗
布し、これに加熱焼成処理を施して一軸配向膜３を形成
した。そして、この一軸配向膜３の表面を、直径約１５
μｍのナイロンパイルからなるラビング布にて擦り、ラ
ビング処理を施した。
【００３４】また、他方のガラス基板３には、アンチモ
ンドープのＳｎＯ2 超微粒子を分散させたシリカ溶液を
スピンナーによって塗布し、これに加熱乾燥処理を施し
て非一軸配向膜６を形成した。なお、この非一軸配向膜
６にはラビング処理を施さなかった。
ンドープのＳｎＯ2 超微粒子を分散させたシリカ溶液を
スピンナーによって塗布し、これに加熱乾燥処理を施し
て非一軸配向膜６を形成した。なお、この非一軸配向膜
６にはラビング処理を施さなかった。
【００３５】そして、一方のガラス基板１にスペーサを
散布すると共に他方のガラス基板３にシール材１０を塗
布し、これらのガラス基板１，２を貼り合わせた。
散布すると共に他方のガラス基板３にシール材１０を塗
布し、これらのガラス基板１，２を貼り合わせた。
【００３６】その後、これらの基板１，２の間にカイラ
ルスメクチック液晶５を注入し、注入口１１を封止し
た。
ルスメクチック液晶５を注入し、注入口１１を封止し
た。
【００３７】本実施例によれば、上述した発明の実施の
形態と同様の効果を奏した。なお、液晶素子Ｐの配向状
態を偏光顕微鏡で観察して欠陥の数を数えたところ、
０．１個／ｃｍ2 程度と少なく、均一な配向状態である
ことが分かった。 （実施例２）本実施例においては、一軸配向膜３を下記
構造のポリイミドにて形成した。
形態と同様の効果を奏した。なお、液晶素子Ｐの配向状
態を偏光顕微鏡で観察して欠陥の数を数えたところ、
０．１個／ｃｍ2 程度と少なく、均一な配向状態である
ことが分かった。 （実施例２）本実施例においては、一軸配向膜３を下記
構造のポリイミドにて形成した。
【００３８】
【化３】 また、本発明者がこの一軸配向膜３について表面エネル
ギーの分散項の値を上述と同様の方法で測定・算出した
ところ、ラビング処理前であって膜剥離が無い状態では
４３．２ｄｙｎｅ／ｃｍであり、ラビング処理後であっ
て膜剥離があった状態では４４．７ｄｙｎｅ／ｃｍであ
って、その差は１．５ｄｙｎｅ／ｃｍであった。
ギーの分散項の値を上述と同様の方法で測定・算出した
ところ、ラビング処理前であって膜剥離が無い状態では
４３．２ｄｙｎｅ／ｃｍであり、ラビング処理後であっ
て膜剥離があった状態では４４．７ｄｙｎｅ／ｃｍであ
って、その差は１．５ｄｙｎｅ／ｃｍであった。
【００３９】それ以外の構造並びに製造方法は、上記実
施例１と同様とした。
施例１と同様とした。
【００４０】本実施例によれば、上述した発明の実施の
形態と同様の効果を奏した。なお、液晶素子Ｐの配向状
態を偏光顕微鏡で観察して欠陥の数を数えたところ、
０．５個／ｃｍ2 程度と少なく、均一な配向状態である
ことが分かった。 （比較例１）ここで、ラビング処理によって膜剥離が生
ずることによる表面エネルギーの分散項の変化が４ｄｙ
ｎｅ／ｃｍ以上である一軸配向膜を用いた場合について
の実験結果を“比較例１”及び“比較例２”として説明
する。
形態と同様の効果を奏した。なお、液晶素子Ｐの配向状
態を偏光顕微鏡で観察して欠陥の数を数えたところ、
０．５個／ｃｍ2 程度と少なく、均一な配向状態である
ことが分かった。 （比較例１）ここで、ラビング処理によって膜剥離が生
ずることによる表面エネルギーの分散項の変化が４ｄｙ
ｎｅ／ｃｍ以上である一軸配向膜を用いた場合について
の実験結果を“比較例１”及び“比較例２”として説明
する。
【００４１】本比較例においては、一軸配向膜３をＬＱ
１８００（日立化成（株）製）のポリイミドにて形成し
た。なお、本発明者がこの一軸配向膜３について表面エ
ネルギーの分散項の値を上述と同様の方法で測定・算出
したところ、ラビング処理前であって膜剥離が無い状態
では３７．１ｄｙｎｅ／ｃｍであり、ラビング処理後で
あって膜剥離があった状態では４２．４ｄｙｎｅ／ｃｍ
であって、その差は５．３ｄｙｎｅ／ｃｍであった。
１８００（日立化成（株）製）のポリイミドにて形成し
た。なお、本発明者がこの一軸配向膜３について表面エ
ネルギーの分散項の値を上述と同様の方法で測定・算出
したところ、ラビング処理前であって膜剥離が無い状態
では３７．１ｄｙｎｅ／ｃｍであり、ラビング処理後で
あって膜剥離があった状態では４２．４ｄｙｎｅ／ｃｍ
であって、その差は５．３ｄｙｎｅ／ｃｍであった。
【００４２】それ以外の構造並びに製造方法は、上記実
施例１と同様とした。
施例１と同様とした。
【００４３】本比較例によれば、液晶５の一軸性が部分
的に弱くなり、配向欠陥が多く発生した。なお、液晶素
子Ｐの配向状態を偏光顕微鏡で観察して欠陥の数を数え
たところ、１２０個／ｃｍ2 程度と多いことが分かっ
た。 （比較例２）本比較例においては、一軸配向膜３をＬＸ
−Ｓ４０１（日立化成（株）製）のポリイミドにて形成
した。なお、本発明者がこの一軸配向膜３について表面
エネルギーの分散項の値を上述と同様の方法で測定・算
出したところ、ラビング処理前であって膜剥離が無い状
態では３２．５ｄｙｎｅ／ｃｍであり、ラビング処理後
であって膜剥離があった状態では４３．３ｄｙｎｅ／ｃ
ｍであって、その差は１０．８ｄｙｎｅ／ｃｍであっ
た。
的に弱くなり、配向欠陥が多く発生した。なお、液晶素
子Ｐの配向状態を偏光顕微鏡で観察して欠陥の数を数え
たところ、１２０個／ｃｍ2 程度と多いことが分かっ
た。 （比較例２）本比較例においては、一軸配向膜３をＬＸ
−Ｓ４０１（日立化成（株）製）のポリイミドにて形成
した。なお、本発明者がこの一軸配向膜３について表面
エネルギーの分散項の値を上述と同様の方法で測定・算
出したところ、ラビング処理前であって膜剥離が無い状
態では３２．５ｄｙｎｅ／ｃｍであり、ラビング処理後
であって膜剥離があった状態では４３．３ｄｙｎｅ／ｃ
ｍであって、その差は１０．８ｄｙｎｅ／ｃｍであっ
た。
【００４４】それ以外の構造並びに製造方法は、上記実
施例１と同様とした。
施例１と同様とした。
【００４５】本比較例によれば、液晶５の一軸性が部分
的に弱くなり、配向欠陥が多く発生した。なお、液晶素
子Ｐの配向状態を偏光顕微鏡で観察して欠陥の数を数え
たところ、２２０個／ｃｍ2 程度と多いことが分かっ
た。 （実施例３）本実施例においては、一軸配向膜３を下記
構造のポリイミドにて形成した。
的に弱くなり、配向欠陥が多く発生した。なお、液晶素
子Ｐの配向状態を偏光顕微鏡で観察して欠陥の数を数え
たところ、２２０個／ｃｍ2 程度と多いことが分かっ
た。 （実施例３）本実施例においては、一軸配向膜３を下記
構造のポリイミドにて形成した。
【００４６】
【化４】 また、本発明者がこの一軸配向膜３について表面エネル
ギーの分散項の値を上述と同様の方法で測定・算出した
ところ、ラビング処理前であって膜剥離が無い状態では
４０．５ｄｙｎｅ／ｃｍであり、ラビング処理後であっ
て膜剥離があった状態では４４．５ｄｙｎｅ／ｃｍであ
って、その差は４．０ｄｙｎｅ／ｃｍであった。
ギーの分散項の値を上述と同様の方法で測定・算出した
ところ、ラビング処理前であって膜剥離が無い状態では
４０．５ｄｙｎｅ／ｃｍであり、ラビング処理後であっ
て膜剥離があった状態では４４．５ｄｙｎｅ／ｃｍであ
って、その差は４．０ｄｙｎｅ／ｃｍであった。
【００４７】それ以外の構造並びに製造方法は、上記実
施例１と同様とした。
施例１と同様とした。
【００４８】本実施例によれば、上述した発明の実施の
形態と同様の効果を奏した。なお、液晶素子Ｐの配向状
態を偏光顕微鏡で観察して欠陥の数を数えたところ、１
個／ｃｍ2 程度と少なく、均一な配向状態であることが
分かった。 （実施例４）本実施例においては、非一軸配向膜６を用
いず、その代わりに一軸配向膜３をガラス基板１，２の
両方に各透明電極７，９を覆うように形成し、各一軸配
向膜３にはラビング処理を施した。なお、一軸配向膜３
には実施例１と同様のものを用いた。
形態と同様の効果を奏した。なお、液晶素子Ｐの配向状
態を偏光顕微鏡で観察して欠陥の数を数えたところ、１
個／ｃｍ2 程度と少なく、均一な配向状態であることが
分かった。 （実施例４）本実施例においては、非一軸配向膜６を用
いず、その代わりに一軸配向膜３をガラス基板１，２の
両方に各透明電極７，９を覆うように形成し、各一軸配
向膜３にはラビング処理を施した。なお、一軸配向膜３
には実施例１と同様のものを用いた。
【００４９】それ以外の構造並びに製造方法は、上記実
施例１と同様とした。
施例１と同様とした。
【００５０】本実施例によれば、上述した発明の実施の
形態と同様の効果を奏した。なお、液晶素子Ｐの配向状
態を偏光顕微鏡で観察して欠陥の数を数えたところ、
０．９個／ｃｍ2 程度と少なく、均一な配向状態である
ことが分かった。
形態と同様の効果を奏した。なお、液晶素子Ｐの配向状
態を偏光顕微鏡で観察して欠陥の数を数えたところ、
０．９個／ｃｍ2 程度と少なく、均一な配向状態である
ことが分かった。
【００５１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
カイラルスメクチック液晶の配向状態は均一となり、液
晶素子の表示品位は向上される。
カイラルスメクチック液晶の配向状態は均一となり、液
晶素子の表示品位は向上される。
【図面の簡単な説明】
【図１】液晶素子の構造を示す図であり、(a) は正面
図、(b) は底面図。
図、(b) は底面図。
１ａ，１ｂ ガラス基板（基板） ３ 一軸配向膜 ５ カイラルスメクチック液晶 ６ 非一軸配向膜 Ｐ 液晶素子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小林 史和 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】 所定距離離間して配置される一対の基板
と、これら一対の基板の少なくとも一方の基板に形成さ
れると共にラビング処理によって液晶分子に対する一軸
配向特性が付与される一軸配向膜と、前記一対の基板の
間に前記一軸配向膜に接するように配置されたカイラル
スメクチック液晶と、を備えた液晶素子において、 前記一軸配向膜は、ラビング処理によって膜剥離が生ず
ることによる表面エネルギーの分散項の変化が４ｄｙｎ
ｅ／ｃｍ以下である、 ことを特徴とする液晶素子。 - 【請求項２】 前記一軸配向膜が前記一対の基板のうち
の一方の基板にのみ形成され、かつ、 他方の基板には、液晶分子に対して非一軸配向特性を有
する非一軸配向膜を形成した、 ことを特徴とする請求項１に記載の液晶素子。 - 【請求項３】 前記一軸配向膜及び前記非一軸配向膜が
有機膜や無機膜にて形成された、 ことを特徴とする請求項２に記載の液晶素子。 - 【請求項４】 前記液晶が、少なくとも一つの連鎖中エ
ーテル酸素を持つフルオロカーボン末端鎖と、炭化水素
末端鎖とからなるフッ素含有液晶化合物であって、該末
端鎖が中心核によって結合され、化合物がスメクチック
中間相或は潜在的スメクチック相を示すものを含有する
液晶組成物である、 ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載
の液晶素子。 - 【請求項５】 一の基板に一軸配向膜を形成する工程
と、該一軸配向膜にラビング処理を施して液晶分子に対
する一軸配向特性を付与する工程と、前記一の基板と他
の基板とを所定距離離間した状態に貼り合わせる工程
と、これらの基板の間に前記一軸配向膜に接する位置に
カイラルスメクチック液晶を注入する工程と、を備えた
液晶素子の製造方法において、 前記一軸配向膜は、前記ラビング処理によって膜剥離が
生ずることによる表面エネルギーの分散項の変化が４ｄ
ｙｎｅ／ｃｍ以下である、 ことを特徴とする液晶素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30474997A JPH11142852A (ja) | 1997-11-06 | 1997-11-06 | 液晶素子及び該液晶素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30474997A JPH11142852A (ja) | 1997-11-06 | 1997-11-06 | 液晶素子及び該液晶素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11142852A true JPH11142852A (ja) | 1999-05-28 |
Family
ID=17936767
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30474997A Pending JPH11142852A (ja) | 1997-11-06 | 1997-11-06 | 液晶素子及び該液晶素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11142852A (ja) |
-
1997
- 1997-11-06 JP JP30474997A patent/JPH11142852A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5764327A (en) | Ferroelectric liquid crystal device with uneven surface under alignment film and process for production | |
| JP2667816B2 (ja) | 液晶素子 | |
| US6027772A (en) | Optical alignment composition, alignment layer formed using the same and LCD having the alignment layer | |
| JPS61260222A (ja) | 液晶素子 | |
| JPS6298326A (ja) | 液晶セル | |
| US5594571A (en) | Ferroelectric liquid crystal device and process for production thereof | |
| JPS63237031A (ja) | 液晶表示素子 | |
| JP3572787B2 (ja) | 液晶セルの製造方法 | |
| JPH11142852A (ja) | 液晶素子及び該液晶素子の製造方法 | |
| JPH0194318A (ja) | 液晶表示素子 | |
| JPH10161133A (ja) | 液晶配向膜およびこれを用いた液晶表示素子 | |
| JPH08334757A (ja) | 液晶表示装置、偏光位相差複合フィルムおよびそれらの製造方法 | |
| JP2002202509A (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 | |
| JPH07168188A (ja) | 液晶素子、これを用いた液晶装置、及び液晶表示装置 | |
| JP3252294B2 (ja) | 液晶表示素子 | |
| JPH11183912A (ja) | 液晶素子 | |
| JPH06337418A (ja) | 液晶電気光学装置 | |
| JP4252202B2 (ja) | 強誘電性液晶を用いた液晶光変調器とその製造方法 | |
| JP2983724B2 (ja) | 強誘電性液晶素子の配向処理法 | |
| JP2815415B2 (ja) | 強誘電性液晶パネルの製造方法 | |
| JPS63124030A (ja) | 液晶素子 | |
| JP3155900B2 (ja) | 液晶素子 | |
| JPH0372323A (ja) | 液晶表示素子の製造法 | |
| JPH05134233A (ja) | 液晶素子及びその製造方法 | |
| JP2623130B2 (ja) | カイラルスメクチック液晶素子 |