JPH11143053A

JPH11143053A - フォトマスク

Info

Publication number: JPH11143053A
Application number: JP30834297A
Authority: JP
Inventors: Naomasa Shiraishi; 直正白石
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1997-11-11
Filing date: 1997-11-11
Publication date: 1999-05-28

Abstract

(57)【要約】【課題】蛍石のような硬度の低い材料により製造され
たフォトマスクを搬送、又は走査露光する際にフォトマ
スクに破損が生じることを防ぐ。【解決手段】蛍石（フッ化カルシウム（ＣａＦ₂ ））
を基板の材質として使用したレチクルＲにおいて、パタ
ーン領域４０以外の領域でレチクルＲを搬送、又は露光
する際に他の部材と接触する領域に、クロム（Ｃｒ）、
酸化クロム（ＣｒＯ）、又は酸化ケイ素（ＳｉＯ₂ 又は
ＳｉＯ）等よりなる保護膜４２Ａ〜４２Ｄを形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、半導体素
子、液晶表示素子、又は薄膜磁気ヘッド等を製造するた
めのリソグラフィ工程に用いられるフォトマスクに関す
る。

【０００２】

【従来の技術】半導体素子等を製造する際に、フォトマ
スクとしてのレチクルのパターンの像投影光学系を介し
て基板としてのレジストが塗布されたウエハ（又はガラ
スプレート等）上の各ショット領域に転写する投影露光
装置が使用されている。従来は、投影露光装置として、
ステップ・アンド・リピート方式（一括露光型）の投影
露光装置（ステッパー）が多用されていたが、最近では
レチクルとウエハとを、投影光学系に対して同期走査し
て露光を行うステップ・アンド・スキャン方式のような
走査露光型の投影露光装置（走査型露光装置）も注目さ
れている。

【０００３】これらの露光装置用のフォトマスクとして
は、形成すべきパターンを４〜５倍程度に相似に拡大し
て描画したレチクルが使用されている。従来のレチクル
は、露光光束を透過する石英ガラス等の透過性平板であ
り、その一方の面には、転写すべきパターンが、クロム
（Ｃｒ）、ケイ化モリブテン（例えばＭｏＳｉ₂ 等）等
により遮光性パターンとして形成されていた。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】近年の集積回路の微細
化に伴い、より微細なパターンの転写を可能とするため
に、より一層の露光光束の短波長化が要求されている。
現在の露光波長としては、ＫｒＦエキシマレーザの２４
８ｎｍが使用されつつあるが、ＡｒＦエキシマレーザの
１９３ｎｍや、Ｆ₂ エキシマレーザの１５７ｎｍなどの
極紫外光の使用が検討されている。なお、Ｆ₂ エキシマ
レーザは、ハロゲン分子レーザとも分類される。

【０００５】しかし、従来のレチクルの基板材料である
石英ガラスは極紫外の露光光に対する吸収が大きく極紫
外の露光光を充分に透過できないため、Ｆ₂ エキシマレ
ーザ（波長１５７ｎｍ）等の極紫外の露光光を露光に使
用することはできなかった。このような極紫外の露光光
束を透過し、かつ実用的な大きさの平板を形成可能な光
学材料は、蛍石（フッ化カルシウム（ＣａＦ₂ ））であ
る。しかし、蛍石のモース硬度は４であり、従来のレチ
クルの基板材料である石英（水晶）のモース硬度７に比
べて柔らかく、レチクルとして使用するには、例えば走
査型露光装置での走査露光時、また、一括露光型の投影
露光装置であってもレチクルの搬送時に破損が生じやす
く、またその破損箇所からの発塵により、パターン上に
不要な異物が付着し、所望のパターンを露光できなくな
る恐れがある。

【０００６】本発明は斯かる点に鑑み、露光波長をより
短波長化しより微細なパターンの転写を可能とするた
め、蛍石のような硬度の低い材料を用いて製造されたレ
チクルであっても、レチクルの搬送時、又は走査露光時
に破損が生じないレチクルを提供することを目的とす
る。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明によるフォトマス
ク（Ｒ）は、転写用のパターン（４０）が形成されたフ
ォトマスク（Ｒ）において、そのフォトマスク（Ｒ）の
外面のその転写用のパターンが形成された領域（４０）
外の領域中で、そのフォトマスク（Ｒ）を保持する部材
（２０Ａ）との接触面、及びこの接触面の近傍の領域の
少なくとも一部に、そのフォトマスク（Ｒ）の基板を保
護するための保護膜（４２Ａ〜４２Ｄ）を形成したもの
である。

【０００８】斯かる本発明のフォトマスクによれば、フ
ォトマスク（Ｒ）の外面のその転写用のパターンが形成
された領域（４０）外の領域中で、フォトマスク（Ｒ）
を保持する部材（２０Ａ）との接触面、及びこの接触面
の近傍の領域の少なくとも一部に、フォトマスク（Ｒ）
の基板を保護するための保護膜（４２Ａ〜４２Ｄ）を形
成するため、蛍石のような硬度の低い材料を用いて製造
されたフォトマスク（Ｒ）であっても、フォトマスク
（Ｒ）の搬送時、又は走査露光時にフォトマスク（Ｒ）
に破損が生じることはない。

【０００９】また、フォトマスク（Ｒ）は、波長が１９
０ｎｍ以下の照明光に照射されることが望ましい。この
場合、波長が１９０ｎｍ以下の極紫外の照明光により極
めて微細なパターンを転写することができる。また、フ
ォトマスク（Ｒ）の基板は、フッ化カルシウム（ＣａＦ
₂ ）より形成されていることが望ましい。なお、その代
表的なものは蛍石である。この場合、Ｆ₂ エキシマレー
ザ（波長１５７ｎｍ）等の極紫外の露光光を露光に使用
することができる。

【００１０】また、保護膜（４２Ａ〜４２Ｄ）は、クロ
ム（Ｃｒ）、酸化クロム（ＣｒＯ）、又は酸化ケイ素
（ＳｉＯ₂ 又はＳｉＯ）よりなることが望ましい。この
場合、フォトマスク（Ｒ）の破損を防ぐための保護膜
（４２Ａ〜４２Ｄ）形成のためのコストを低く抑えるこ
とができる。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下、本発明によるフォトマスク
の第１の実施の形態につき図１を参照して説明する。図
１（ａ）はフォトマスクとしての本例のレチクルＲのパ
ターン面を示し、図１（ｂ）はその側面図を示し、この
図１において、レチクルＲはフッ化カルシウム（ＣａＦ
₂ ）としての蛍石からなる平板状の基板に、転写すべき
パターン、及び所定の保護膜等を形成したものである。
即ち、レチクルＲのパターン面（底面）の中央部のパタ
ーン領域４０に転写すべきパターンが形成されている。
また、パターン領域４０の両側には、このレチクルＲを
露光装置（パターン転写装置）に対して位置合わせする
ための、レチクルアライメントマーク４１Ａ，４１Ｂが
形成されている。そして、レチクルアライメントマーク
４１Ａ，４１Ｂの上下には、例えば転写すべきパターン
を形成する材料と同じ材料よりなる保護膜４２Ａ〜４２
Ｄが形成されている。

【００１２】通常、レチクルＲが露光装置に装填される
際には、露光動作中のレチクルＲの位置ずれを防止する
ため、レチクルＲのパターン領域４０側の面内の所定の
領域が、レチクルホルダに真空吸着される。本例のレチ
クルＲは、この真空吸着が行われる領域に保護膜４２Ａ
〜４２Ｄが形成されており、レチクルＲの真空吸着面
が、保護膜４２Ａ〜４２Ｄで覆われることになる。ま
た、本例のレチクルＲを走査型露光装置にロードする場
合には、レチクルアライメントマーク４１Ａ，４１Ｂの
対称軸に平行な方向が走査方向となる。

【００１３】このように、本例のレチクルＲの真空吸着
面には保護膜が形成されているため、蛍石のような柔ら
かい材質の基板を使用するレチクルであっても、露光装
置との接触時に損傷等が生じることはなく、また損傷が
生じる際の異物の発生や、その異物のパターン面への付
着も完全に防止することができる。また、露光時のみで
なく、露光装置へのレチクルＲの搬送時や、レチクルＲ
がケースに収納された状態においても、レチクルは一般
に、本例のレチクルＲにおいて保護膜４２Ａ〜４２Ｄが
形成されている領域が、レチクルローダ、又はケースと
接触しながら搬送、及び保持されているため、保護膜４
２Ａ〜４２Ｄによりこれらの段階における損傷及び発塵
も防止される。

【００１４】なお、この保護膜４２Ａ〜４２Ｄが形成さ
れている領域は、転写すべきパターンの描画されたパタ
ーン領域４０とは異なる位置にあるので、保護膜４２Ａ
〜４２Ｄの材質は露光光を透過できないものであっても
良く、例えばＣＶＤ（chemical vapor deposition)で成
長させたダイヤモンドなども使用できる。また、酸化ケ
イ素（Ｓｉ０₂ 又はＳｉ０）を使用する場合には、製造
コストを低下できる利点がある。

【００１５】また、パターン領域４０に使用する遮光パ
ターンの材質に、転写すべきパターンと同じクロム（Ｃ
ｒ）、酸化クロム（ＣｒＯ）、あるいはケイ化モリブテ
ン（例えばＭｏＳｉ₂ ）を使用する場合には、パターン
領域４０の成膜と同時に、保護膜４２Ａ〜４２Ｄの成膜
も行うことが可能であるため、成膜工程が簡略化され、
製造コストを低下できる利点がある。

【００１６】なお、本例では、レチクルＲの基板の材質
には蛍石を使用するとしたが、蛍石と同様に、極紫外光
に対して高い透過率を有するリン（Ｐ）あるいはフッ素
（Ｆ）入りの石英ガラスを使用する場合にも、これらの
材料の硬度は、従来の石英ガラスより低いため、保護膜
４２Ａ〜４２Ｄを形成することにより、レチクルＲの搬
送時、又は走査露光時に破損が生じることを防止でき
る。

【００１７】次に、本発明のフォトマスクの第２の実施
の形態につき図２を参照して説明する。図２は側面にも
保護膜４２Ｅ，４２Ｆ，４２Ｇ，４２Ｈを形成したレチ
クルＲ１を示すものであり、レチクルＲ１の側面に保護
膜４２Ｅ〜４２Ｈを形成することにより、レチクルの欠
陥検査時等にレチクルの側面が他の部材と接触するよう
な場合に、レチクルの破損を防ぐことができる。このよ
うに、レチクルが他の部材と接触する箇所全てに保護膜
を形成することにより、レチクルの破損を完全に防ぐこ
とができる。

【００１８】次に、上記の実施の形態のレチクルの使用
方法の一例につき説明する。以下では、第１の実施の形
態のレチクルＲを使用してステップ・アンド・スキャン
方式の投影露光装置で露光を行う場合について図３を参
照して説明する。図３は、本例の投影露光装置の概略構
成を示し、この図３において、Ｆ₂ エキシマレーザ光源
１からの波長１５７ｎｍで狭帯化された露光光としての
紫外パルス光ＩＬは、露光装置本体との間で光路を位置
的にマッチングさせるための可動ミラー等を含むビーム
マッチングユニット（ＢＭＵ）３を通り、遮光性のパイ
プ５を介して光アッテネータとしての可変減光器６に入
射する。ウエハ上のレジストに対する露光量を制御する
ための露光制御ユニット３０が、Ｆ₂ エキシマレーザ光
源１の発光の開始及び停止、並びに発振周波数、及びパ
ルスエネルギーで定まる出力を制御すると共に、可変減
光器６における紫外パルス光に対する減光率を段階的、
又は連続的に調整する。なお、露光光として波長１９３
ｎｍのＡｒＦエキシマレーザ光、又はその他の波長２５
０ｎｍ程度以下のレーザ光等を使用する場合にも本発明
が適用される。

【００１９】可変減光器６を通った紫外パルス光ＩＬ
は、所定の光軸に沿って配置されるレンズ系７Ａ，７Ｂ
よりなるビーム整形光学系を経てフライアイレンズ１１
に入射する。このように、本例ではフライアイレンズ１
１は１段であるが、照度分布均一性を高めるために、例
えば特開平１−２３５２８９号公報に開示されているよ
うに、フライアイレンズを直列に２段配置するようにし
てもよい。フライアイレンズ１１の射出面には照明系の
開口絞り系１２が配置されている。開口絞り系１２に
は、通常照明用の円形の開口絞り、複数の偏心した小開
口よりなる変形照明用の開口絞り、輪帯照明用の開口絞
り等が切り換え自在に配置されている。フライアイレン
ズ１１から射出されて開口絞り系１２中の所定の開口絞
りを通過した紫外パルス光ＩＬは、透過率が高く反射率
が低いビームスプリッタ８に入射する。ビームスプリッ
タ８で反射された紫外パルス光は、光電検出器よりなる
インテグレータセンサ９に入射し、インテグレータセン
サ９の検出信号は露光制御ユニット３０に供給されてい
る。

【００２０】ビームスプリッタ８の透過率、及び反射率
は予め高精度に計測されて、露光制御ユニット３０内の
メモリに記憶されており、露光制御ユニット３０は、イ
ンテグレータセンサ９の検出信号より間接的に投影光学
系ＰＬに対する紫外パルス光ＩＬの入射光量、及びその
積分値をモニタできるように構成されている。なお、投
影光学系ＰＬに対する入射光量をモニタするためには、
図３中に２点鎖線で示すように、例えばレンズ系７Ａの
前にビームスプリッタ８Ａを配置し、このビームスプリ
ッタ８Ａからの反射光を光電検出器９Ａで受光し、光電
検出器９Ａの検出信号を露光制御ユニット３０に供給す
るようにしてもよい。

【００２１】ビームスプリッタ８を透過した紫外パルス
光ＩＬは、コンデンサレンズ系１４を経てレチクルブラ
インド機構１６内の固定照明視野絞り（固定ブライン
ド）１５Ａに入射する。固定ブラインド１５Ａは、例え
ば特開平４−１９６５１３号公報に開示されているよう
に、投影光学系ＰＬの円形視野内の中央で走査露光方向
と直交した方向に直線スリット状、又は矩形状（以下、
まとめて「スリット状」と言う）に伸びるように配置さ
れた開口部を有する。更に、レチクルブラインド機構１
６内には、固定ブラインド１５Ａとは別に照明視野領域
の走査露光方向の幅を可変とするための可動ブラインド
１５Ｂが設けられ、この可動ブライント１５Ｂによって
レチクルステージの走査移動ストロークの低減、レチク
ルＲの遮光帯の幅の低減を図っている。可動ブラインド
１５Ｂの開口率の情報は露光制御ユニット３０にも供給
され、インテグレータセンサ９の検出信号から求められ
る入射光量にその開口率を乗じた値が、投影光学系ＰＬ
に対する実際の入射光量となる。

【００２２】レチクルブラインド機構１６の固定ブライ
ンド１５Ａでスリット状に整形された紫外パルス光ＩＬ
は、結像用レンズ系１７、反射ミラー１８、及び主コン
デンサレンズ系１９を介して、レチクルＲの回路パター
ン領域上で固定ブラインド１５Ａのスリット状の開口部
と相似な照明領域を一様な強度分布で照射する。即ち、
固定ブラインド１５Ａの開口部、又は可動ブラインド１
５Ｂの開口部の配置面は、結像用レンズ系１７と主コン
デンサレンズ系１９との合成系によってレチクルＲのパ
ターン面とほぼ共役となっている。

【００２３】紫外パルス光ＩＬのもとで、レチクルＲの
照明領域内の回路パターンの像が両側テレセントリック
な投影光学系ＰＬを介して所定の投影倍率β（βは例え
ば１／４，１／５等）で、投影光学系ＰＬの結像面に配
置されたウエハＷ上のレジスト層のスリット状の露光領
域に転写される。その露光領域は、ウエハ上の複数のシ
ョット領域のうちの１つのショット領域上に位置してい
る。本例の投影光学系ＰＬは、ジオプトリック系（屈折
系）であるが、カタジオプトリック系（反射屈折系）も
使用できることは言うまでもない。以下、投影光学系Ｐ
Ｌの光軸ＡＸに平行にＺ軸を取り、Ｚ軸に垂直な平面内
で走査方向（ここでは図３の紙面に平行な方向）にＸ軸
を取り、走査方向に直交する非走査方向（ここでは図３
の紙面に垂直な方向）にＹ軸を取って説明する。

【００２４】このとき、レチクルＲは、保護膜４２Ａ〜
４２Ｄの形成されている領域がレチクルステージ２０Ａ
上に真空吸着され、レチクルステージ２０Ａ上に保持さ
れる。レチクルステージ２０Ａは、レチクルベース２０
Ｂ上にＸ方向に等速移動できると共に、Ｘ方向、Ｙ方
向、回転方向に微動できるように載置されている。レチ
クルステージ２０Ａ（レチクルＲ）の２次元的な位置、
及び回転角は駆動制御ユニット２２内のレーザ干渉計に
よってリアルタイムに計測されている。この計測結果、
及び装置全体の動作を統轄制御するコンピュータよりな
る主制御系２７からの制御情報に基づいて、駆動制御ユ
ニット２２内の駆動モータ（リニアモータやボイスコイ
ルモータ等）は、レチクルステージ２０Ａの走査速度、
及び位置の制御を行う。

【００２５】そして、レチクルＲのアライメントを行う
際には、レチクルアライメントマーク４１Ａ，４１Ｂの
中心を投影光学系ＰＬの露光フィールドのほぼ中心に設
定した状態で、レチクルアライメントマーク４１Ａ，４
１Ｂが底面側から露光光ＩＬと同じ波長域の照明光で照
明される。レチクルアライメントマーク４１Ａ，４１Ｂ
の像はウエハステージ２４上のアライメントマーク（不
図示）の近傍に形成され、レチクルアライメント顕微鏡
（不図示）でレチクルアライメントマーク４１Ａ，４１
Ｂの像に対するウエハステージ２４上のアライメントマ
ークの位置ずれ量を検出し、これらの位置ずれ量を補正
するようにレチクルステージ２０Ａを位置決めすること
で、レチクルＲのウエハＷに対する位置合わせが行われ
る。この際に、アライメントセンサ（不図示）で対応す
る基準マークを観察することで、アライメントセンサの
検出中心からレチクルＲのパターン像の中心までの間隔
（ベースライン量）が算出される。ウエハＷ上に重ね合
わせ露光を行う場合には、アライメントセンサの検出結
果をそのベースライン量で補正した位置に基づいてウエ
ハステージ２４を駆動することで、ウエハＷ上の各ショ
ット領域にレチクルＲのパターン像を高い重ね合わせ精
度で走査露光できる。

【００２６】一方、ウエハＷは、ウエハホルダＷＨを介
してＺチルトステージ２４Ｚ上に吸着保持され、Ｚチル
トステージ２４Ｚは、投影光学系ＰＬの像面と平行なＸ
Ｙ平面に沿って２次元移動するＸＹステージ２４ＸＹ上
に固定され、Ｚチルトステージ２４Ｚ及びＸＹステージ
２４ＸＹよりウエハステージ２４が構成されている。Ｚ
チルトステージ２４Ｚは、ウエハＷのフォーカス位置
（Ｚ方向の位置）、及び傾斜角を制御してウエハＷの表
面をオートフォーカス方式、及びオートレベリング方式
で投影光学系ＰＬの像面に合わせ込み、ＸＹステージ２
４ＸＹはウエハＷのＸ方向への等速走査、及びＸ方向、
Ｙ方向へのステッピングを行う。Ｚチルトステージ２４
Ｚ（ウエハＷ）の２次元的な位置、及び回転角は駆動制
御ユニット２５内のレーザ干渉計によってリアルタイム
に計測されている。この計測結果及び主制御系２７から
の制御情報に基づいて、駆動制御ユニット２５内の駆動
モータ（リニアモータ等）は、ＸＹステージ２４ＸＹの
走査速度、及び位置の制御を行う。ウエハＷの回転誤差
は、主制御系２７及び駆動制御ユニット２２を介してレ
チクルステージ２０Ａを回転することで補正される。

【００２７】主制御系２７は、レチクルステージ２０
Ａ、及びＸＹステージ２４ＸＹのそれぞれの移動位置、
移動速度、移動加速度、位置オフセット等の各種情報を
駆動制御ユニット２２及び２５に送る。そして、走査露
光時には、レチクルステージ２０Ａを介して紫外パルス
光ＩＬの照明領域に対してレチクルＲが＋Ｘ方向（又は
−Ｘ方向）に速度Ｖｒで走査されるのに同期して、ＸＹ
ステージ２４ＸＹを介してレチクルＲのパターン像の露
光領域に対してウエハＷが−Ｘ方向（又は＋Ｘ方向）に
速度β・Ｖｒ（βはレチクルＲからウエハＷへの投影倍
率）で走査される。

【００２８】また、主制御系２７は、上述のレチクルブ
ラインド機構１６内に設けられている可動ブラインド１
６Ｂの各ブレードの移動を走査露光時のレチクルステー
ジ２０Ａの移動と同期するための制御を行う。更に主制
御系２７は、ウエハＷ上の各ショット領域のレジストを
適正露光量で走査露光するための各種露光条件を設定し
て、露光制御ユニット３０とも連携して最適な露光シー
ケンスを実行する。即ち、ウエハＷ上の１つのショット
領域への走査露光開始の指令が主制御系２７から露光制
御ユニット３０に発せられると、露光制御ユニット３０
はＦ₂ エキシマレーザ光源１の発光を開始すると共に、
インテグレータセンサ９を介して投影光学系ＰＬに対す
る入射光量の積分値を算出する。その積分値は走査露光
開始時に０にリセットされている。そして、露光制御ユ
ニット３０では、その入射光量の積分値より投影光学系
ＰＬの透過率を逐次算出し、この透過率に応じて、走査
露光後のウエハＷ上のレジストの各点で適正露光量が得
られるように、Ｆ₂ エキシマレーザ光源１の出力（発振
周波数、及びパルスエネルギー）及び可変減光器６の減
光率を制御する。そして、当該ショット領域への走査露
光の終了時に、Ｆ₂エキシマレーザ光源１の発光が停止
される。

【００２９】また、本例のＺチルトステージ２４Ｚ上の
ウエハホルダＷＨの近傍には光電検出器よりなる照射量
モニタ３２が設置され、照射量モニタ３２の検出信号も
露光制御ユニット３０に供給されている。照射量モニタ
３２は、投影光学系ＰＬによる露光領域の全体を覆う大
きさの受光面を備え、ＸＹステージ２４ＸＹを駆動して
その受光面を投影光学系ＰＬの露光領域を覆う位置に設
定することで、投影光学系ＰＬを通過した紫外パルス光
ＩＬの光量を計測できる。本例では、インテグレータセ
ンサ９及び照射量モニタ３２の検出信号を用いて投影光
学系ＰＬの透過率を計測する。なお、照射量モニタ３２
の代わりに、その露光領域内での光量分布を計測するた
めのピンホール状の受光部を有する照度むらセンサを使
用してもよい。

【００３０】本例ではＦ₂ エキシマレーザ光源１を用い
ているため、パイプ５内から可変減光器６、レンズ系７
Ａ，７Ｂ、更にフライアイレンズ１１〜主コンデンサレ
ンズ系１９までの各照明光路を外気から遮断するサブチ
ャンバ３５が設けられ、そのサブチャンバ３５内の全体
には配管３６を通して酸素含有率を極めて低く抑えたヘ
リウムガス（Ｈｅ)が供給される。同様に、投影光学系
ＰＬの鏡筒内部の空間（複数のレンズ素子間の空間）の
全体にも配管３７を介してヘリウムガスが供給される。

【００３１】そのヘリウムガスの供給は、サブチャンバ
３５や投影光学系ＰＬの鏡筒の気密性が高い場合は、一
度大気との完全な置換が行われた後はそれ程頻繁に行う
必要はない。しかしながら、光路内に存在する各種の物
質（硝材、コート材、接着剤、塗料、金属、セラミック
ス等）から生じる水分子や炭化水素分子等が光学素子の
表面に付着して起こる透過率変動を考慮すると、温度制
御されたヘリウムガスを光路内で強制的にフローさせつ
つ、ケミカルフィルタや静電フィルタによってそれらの
不純物分子を除去していくことも必要である。

【００３２】上述のように、本例のレチクルＲは、Ｆ₂
エキシマレーザ光源を用いた走査型露光装置に使用する
ことができ、更に、真空吸着等によりレチクルと他の部
材とが接触する箇所に保護膜が形成されるため、走査露
光時にレチクルに損傷が生じることがなく、走査速度を
高速にできる利点がある。また、一括露光型の投影露光
装置に使用する際にも、レチクルの搬送時等に損傷が生
じることが保護膜により防止されるという利点がある。

【００３３】なお、本発明は上述の実施の形態に限定さ
れず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取
り得ることは勿論である。

【００３４】

【発明の効果】本発明のフォトマスクによれば、蛍石の
ような硬度の低い材料を用いて製造されたフォトマスク
であっても、フォトマスクの搬送時、又は走査露光時に
フォトマスクに破損が生じることはなく、Ｆ₂ エキシマ
レーザ等の極紫外の露光光を透過することができる蛍石
をフォトマスクの材質として使用することができ、露光
装置で使用する露光波長を短波長化し、より微細なパタ
ーンを転写することができる。特に本発明のフォトマス
クを走査型露光装置に使用する場合には、走査速度を高
めてスループットを向上できる利点がある。

【００３５】また、フォトマスクが、波長が１９０ｎｍ
以下の照明光に照射される場合には、その極紫外の照明
光により極めて微細なパターンを転写、形成することが
できる。また、フォトマスクの基板は、フッ化カルシウ
ム（ＣａＦ₂ ）より形成されている場合には、Ｆ₂ エキ
シマレーザ（波長１５７ｎｍ）等の極紫外の露光光を露
光に使用することができる。

【００３６】また、保護膜がクロム（Ｃｒ）、又は酸化
クロム（ＣｒＯ）よりなる場合には、遮光パターンと保
護膜との材料が共通化でき、遮光パターンの形成と同時
に、保護膜の成膜も行うことができるため、成膜工程が
簡略化され経済的である。また、保護膜が酸化ケイ素
（ＳｉＯ₂ 又はＳｉＯ）よりなる場合には、酸化ケイ素
の入手が容易であるため、保護膜形成のためのコストを
低く抑えることができる利点がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）は本発明のフォトマスクの第１の実施の
形態のパターン面を示す底面図、（ｂ）は図１（ａ）の
側面図である。

【図２】（ａ）は本発明のフォトマスクの第２の実施の
形態のパターン面を示す底面図、（ｂ）は図２（ａ）の
側面図である。

【図３】本発明の第１の実施の形態のレチクルを使用す
る投影露光装置を示す概略構成図である。

【符号の説明】

ＲレチクルＰＬ投影光学系Ｗウエハ１Ｆ₂ エキシマレーザ光源２０Ａレチクルステージ４２Ａ〜４２Ｄ保護膜

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】転写用のパターンが形成されたフォトマ
スクにおいて、前記フォトマスクの外面の前記転写用のパターンが形成
された領域外の領域中で、前記フォトマスクを保持する
部材との接触面、及びこの接触面の近傍の領域の少なく
とも一部に、前記フォトマスクの基板を保護するための
保護膜を形成したことを特徴とするフォトマスク。
【請求項２】前記フォトマスクは、波長が１９０ｎｍ
以下の照明光に照射されることを特徴とする請求項１記
載のフォトマスク。
【請求項３】前記フォトマスクの基板は、フッ化カル
シウムより形成されていることを特徴とする請求項１、
又は２記載のフォトマスク。
【請求項４】前記保護膜は、クロム、酸化クロム、又
は酸化ケイ素よりなることを特徴とする請求項１、２、
又は３記載のフォトマスク。