JPH11143070A

JPH11143070A - ポジ型感光性樹脂組成物

Info

Publication number: JPH11143070A
Application number: JP23671198A
Authority: JP
Inventors: Hiroaki Makabe; 裕明真壁; Naoji Takeda; 直滋竹田; Toshio Banba; 敏夫番場; Takashi Hirano; 孝平野
Original assignee: Sumitomo Bakelite Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority date: 1997-09-02
Filing date: 1998-08-24
Publication date: 1999-05-28
Anticipated expiration: 2018-08-24
Also published as: JP3449926B2

Abstract

(57)【要約】【課題】高解像度で高残膜率のパターンを得ることが
でき、かつ封止樹脂との密着性に優れており、波長が３
６５ｎｍの紫外線露光において高感度であるポジ型感光
性樹脂を提供する。【解決手段】一般式（１）で示されるポリアミド
（Ａ）１００重量部と１，２−ナフトキノン−２−ジア
ジド−４−スルホン酸エステル化合物（Ｂ）１〜５０重
量部と１，２−ナフトキノン−２−ジアジド−５−スル
ホン酸エステル化合物（Ｃ）１〜５０重量部と一般式
（２）で表されるフェノール化合物（Ｄ）１〜３０重量
部とからなることを特徴とするポジ型感光性樹脂組成
物。【化１】【化２】

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、高解像度で高残膜
率のパターンを得ることができ、かつ封止樹脂との密着
性及び保存安定性に優れた高感度のポジ型感光性樹脂組
成物に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体素子の表面保護膜、層間絶
縁膜には耐熱性が優れ、又卓越した電気特性、機械特性
等を有するポリイミド樹脂が用いられているが、近年半
導体素子の高集積化、大型化、パッケージの薄型化、小
型化、半田リフローによる表面実装への移行等により耐
熱サイクル性、耐熱ショック性等の著しい向上の要求が
あり、更に高性能の樹脂が必要とされるようになってき
た。一方、ポリイミド樹脂自身に感光性を付与する技術
が最近注目を集めてきており、例えば下記式（８）に示
される感光性ポリイミド樹脂が挙げられる。

【０００３】

【化１１】

【０００４】これを用いるとパターン作成工程の一部が
簡略化でき、工程短縮および歩留まり向上の効果はある
が、現像の際にＮ−メチル−２−ピロリドン等の溶剤が
必要となるため、安全性、取扱い性に問題がある。そこ
で最近、アルカリ水溶液で現像ができるポジ型の感光性
樹脂が開発されている。例えば、特公平１−４６８６２
号公報においてはベース樹脂であるポリベンゾオキサゾ
ール前駆体と感光材であるジアゾキノン化合物より構成
されるポジ型感光性樹脂が開示されている。これは高い
耐熱性、優れた電気特性、微細加工性を有し、ウェハー
コート用のみならず層間絶縁用樹脂としての可能性も有
している。このポジ型の感光性樹脂の現像メカニズム
は、未露光部のジアゾキノン化合物はアルカリ水溶液に
不溶であるが、露光することによりジアゾキノン化合物
が化学変化を起こし、アルカリ水溶液に可溶となる。こ
の露光部と未露光部との溶解性の差を利用し、露光部を
溶解除去することにより未露光部のみの塗膜パターンの
作成が可能となるものである。これら感光性樹脂を実際
に使用する場合、特に重要となるのは感光性樹脂の感度
である。低感度であると、露光時間が長くなりスループ
ットが低下する。そこで感光性樹脂の感度を向上させよ
うとして、例えばベース樹脂の分子量を小さくすると、
現像時に未露光部の膜減りが大きくなるために、必要と
される膜厚が得られなかったり、パターン形状が崩れる
といった問題が生じる。また、感光材として１，２−ナ
フトキノン−２−ジアジド−４−スルホン酸エステル化
合物を単独で使用する場合、露光部の溶解性が増すばか
りでなく、未露光部の溶解性も増大するためにパターン
形状が悪くなり、結果として低解像度となる問題が生じ
る。この様なことから、上記特性を満足しながら高感度
である感光性樹脂の開発が強く望まれている。又このよ
うな感光性樹脂を半導体素子の表面保護膜として用いた
場合、特に問題となるのは後工程でその上に成形される
パッケージ用封止樹脂との密着性である。密着性が悪い
とその界面で剥離が発生し、半導体パッケージがクラッ
クしたり、そのクラックに水が進入し半導体の電気的不
良を発生したりする。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、高解像度で
高残膜率のパターンを得ることができ、かつ封止樹脂と
の密着性に優れており、波長が３６５ｎｍの紫外線露光
において高感度であるポジ型感光性樹脂を提供すること
を目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明は、一般式（１）
で示されるポリアミド（Ａ）１００重量部と１，２−ナ
フトキノン−２−ジアジド−４−スルホン酸エステル化
合物（Ｂ）１〜５０重量部と１，２−ナフトキノン−２
−ジアジド−５−スルホン酸エステル化合物（Ｃ）１〜
５０重量部と一般式（２）で表されるフェノール化合物
（Ｄ）１〜３０重量部とからなることを特徴とするポジ
型感光性樹脂組成物に関するものである。

【０００７】

【化１２】

【０００８】

【化１３】

【０００９】式（１）のポリアミドは、Ｘの構造を有す
るビスアミノフェノールとＹの構造を有するジカルボン
酸と、更にＥの構造を有する酸無水物からなり、このポ
リアミドを約３００〜４００℃で加熱すると脱水閉環
し、ポリベンゾオキサゾールという耐熱性樹脂に変化す
る。本発明のポリアミド（１）のＸは、例えば、

【００１０】

【化１４】

【００１１】等であるがこれらに限定されるものではな
い。これら中で特に好ましいものとしては、

【００１２】

【化１５】

【００１３】より選ばれるものである。又式（１）のＹ
は、例えば、

【００１４】

【化１６】

【００１５】等であるがこれらに限定されるものではな
い。これらの中で特に好ましいものとしては、

【００１６】

【化１７】

【００１７】より選ばれるものである。又式（１）のＥ
は、例えば、

【００１８】

【化１８】

【００１９】等が挙げられるが、これらに限定されるも
のではない。この中で特に好ましいものとしては、

【００２０】

【化１９】

【００２１】より選ばれるものである。本発明はＹの構
造を有するジカルボン酸誘導体とＸの構造を有するビス
アミノフェノールを反応させてポリアミドを合成した
後、式（１）のＥに示すアルケニル基又はアルキニル基
を少なくとも１個有する酸無水物を用いて末端のアミノ
基をキャップするものである。更に、式（１）のＺは、
例えば

【００２２】

【化２０】

【００２３】等であるがこれらに限定されるものではな
い。式（１）のＺは、例えば、シリコンウェハーのよう
な基板に対して、特に優れた密着性が必要な場合に用い
るが、その使用割合ｂは最大４０．０モル％までであ
る。４０．０モル％を越えると樹脂の溶解性が極めて低
下し、現像残り（スカム）が発生し、パターン加工がで
きない。なお、これらＸ、Ｙ、Ｅ、Ｚの使用にあたって
は、それぞれ１種類であっても２種類以上の混合物であ
っても構わない。

【００２４】本発明で用いる１，２−ナフトキノン−２
−ジアジド化合物は、米国特許明細書第２，７７２，９
７２号、第２，７９７，２１３号、第３，６６９，６５
８号により公知の物質である。例えば、下記のものが挙
げられるがこれらに限定されるものではない。

【００２５】

【化２１】

【００２６】

【化２２】

【００２７】

【化２３】

【００２８】これらの中で特に高感度、高残膜率の点か
ら好ましいものとしては下記のものが挙げられる。

【００２９】

【化２４】

【００３０】また、１，２−ナフトキノン−２−ジアジ
ド−４−スルホン酸化合物（Ｂ）と１，２−ナフトキノ
ン−２−ジアジド−５−スルホン酸化合物（Ｃ）のポリ
アミド（Ａ）への配合量は、ポリアミド１００重量部に
対してそれぞれ１〜５０重量部である。配合量が両方と
も１重量部未満だと樹脂のパターニング性が不良とな
り、逆に５０重量部を越えると感度が大幅に低下するだ
けでなく、封止樹脂との密着性やフィルムの引っ張り伸
び率が著しく低下する。

【００３１】１，２−ナフトキノン−２−ジアジド−４
−スルホン酸化合物（Ｂ）と１，２−ナフトキノン−２
−ジアジド−５−スルホン酸化合物（Ｃ）の配合比率
は、重量比で１≦（Ｃ）／（Ｂ）≦１０の範囲内で使用
する。（Ｃ）／（Ｂ）が１未満の場合には、未露光部の
溶解性が増大するために良好なパターンが維持できずに
結果として低解像度となり、逆に（Ｃ）／（Ｂ）が１０
を越えると高感度化への寄与は殆ど認められなくなる。

【００３２】本発明のポジ型感光性樹脂組成物には、必
要により感光特性を高めるためにジヒドロピリジン誘導
体を加えることができる。ジヒドロピリジン誘導体とし
ては、例えば２，６−ジメチル−３，５−ジアセチル−
４−（２′−ニトロフェニル）−１，４−ジヒドロピリ
ジン、４−（２′−ニトロフェニル）−２，６−ジメチ
ル−３，５−ジカルボエトキシ−１，４−ジヒドロピリ
ジン、４−（２′，４′−ジニトロフェニル）−２，６
−ジメチル−３，５−ジカルボメトキシ−１，４−ジヒ
ドロピリジン等を挙げることができる。

【００３３】本発明のポジ型感光性樹脂組成物において
は更に一般式（２）で示されるフェノール化合物を含有
させることが重要である。

【００３４】

【化２５】

【００３５】フェノール化合物類をポジ型レジスト組成
物に添加する技術としては、例えば、特開平３−２００
２５１号公報、特開平３−２００２５２号公報、特開平
３−２００２５３号公報、特開平３−２００２５４号公
報、特開平４−１６５０号公報、特開平４−１１２６０
号公報、特開平４−１２３５６号公報、特開平４−１２
３５７号公報に示されている。しかし、これらに示され
ているようなフェノール化合物は、本発明におけるポリ
アミドをベース樹脂としたポジ型感光性樹脂に用いても
感度向上の効果は小さい。しかし、本発明における一般
式（２）で表されるフェノール化合物を用いた場合、露
光部における溶解速度が増して感度が向上する。また分
子量を小さくして感度を上げた場合に見られるような未
露光部の膜減りも非常に小さい。また本発明において、
一般式（２）で表されるフェノール化合物を添加するこ
とによる新たな特性として、封止樹脂との密着性が向上
したポジ型感光性樹脂組成物が得られるということを見
いだした。

【００３６】一般式（２）に示されるフェノール化合物
としては下記のものを挙げることが出来るがこれらに限
定されない。

【００３７】

【化２６】

【００３８】

【化２７】

【００３９】

【化２８】

【００４０】

【化２９】

【００４１】これらの中で、特に感度および残膜率の点
で好ましいものとしては、

【００４２】

【化３０】

【００４３】であり、一般式（６）又は（７）で表され
る化合物は単独、または混合物の形で全フェノール化合
物（Ｄ）中に５０重量％以上含まれるものである。フェ
ノール化合物（Ｄ）の添加量は、一般式（１）で示され
るポリアミド１００重量部に対して１〜３０重量部が好
ましい。フェノール化合物の添加量が３０重量部より多
いと、現像時に著しい残膜率の低下が起こったり、冷凍
保存中において析出が起こり実用性に欠ける。添加量が
１重量部未満では、封止樹脂との密着性が低下するばか
りか現像時における感度が低下する。

【００４４】本発明におけるポジ型感光性樹脂組成物に
は、必要によりレベリング剤、シランカップリング剤等
の添加剤を添加することができる。本発明においてはこ
れらの成分を溶剤に溶解し、ワニス状にして使用する。
溶剤としては、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、γ−ブチ
ロラクトン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチル
スルホキシド、ジエチレングリコールジメチルエーテ
ル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレ
ングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコール
モノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチ
ルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル
アセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、メ
チル−１，３−ブチレングリコールアセテート、１，３
−ブチレングリコール−３−モノメチルエーテル、ピル
ビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メチル−３−メトキ
シプロピオネート等が挙げられ、単独でも混合して用い
てもよい。

【００４５】本発明のポジ型感光性樹脂組成物の使用方
法は、まず該組成物を適当な支持体、例えば、シリコン
ウェハー、セラミック基板、アルミ基板等に塗布する。
塗布量は、半導体装置の場合、硬化後の最終膜厚が０．
１〜２０μｍになるよう塗布する。膜厚が０．１μｍ以
下であると、半導体素子の保護表面膜としての機能を十
分に発揮することが困難となり、２０μｍ以上である
と、微細な加工パターンを得ることが困難となるばかり
でなく、加工に時間がかかりスループットが低下する。
塗布方法としては、スピンナーを用いた回転塗布、スプ
レーコーターを用いた噴霧塗布、浸漬、印刷、ロールコ
ーティング等がある。次に、６０〜１３０℃でプリベー
クして塗膜を乾燥後、所望のパターン形状に化学線を照
射する。化学線としては、Ｘ線、電子線、紫外線、可視
光線等が使用できるが、２００〜５００ｎｍの波長のも
ので、特に３６５ｎｍの波長が最も大きい効果を得るこ
とが出来て好ましい。次に照射部を現像液で溶解除去す
ることによりレリーフパターンを得る。現像液として
は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウ
ム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモ
ニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、ｎ−プロピ
ルアミン等の第１アミン類、ジエチルアミン、ジ−ｎ−
プロピルアミン等の第２アミン類、トリエチルアミン、
メチルジエチルアミン等の第３アミン類、ジメチルエタ
ノールアミン、トリエタノールアミン等のアルコールア
ミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テト
ラエチルアンモニウムヒドロキシド等の第４級アンモニ
ウム塩等のアルカリ類の水溶液、及びこれにメタノー
ル、エタノールのごときアルコール類等の水溶性有機溶
媒や界面活性剤を適当量添加した水溶液を好適に使用す
ることができる。現像方法としては、スプレー、パド
ル、浸漬、超音波等の方式が可能である。次に、現像に
よって形成したレリーフパターンをリンスする。リンス
液としては、蒸留水を使用する。次に加熱処理を行い、
オキサゾール環を形成し、耐熱性に富む最終パターンを
得る。本発明によるポジ型感光性樹脂組成物は、半導体
用途のみならず、多層回路の層間絶縁やフレキシブル銅
張板のカバーコート、ソルダーレジスト膜や液晶配向膜
等としても有用である。

【００４６】

【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
る。《実施例１》＊ポリアミドの合成テレフタル酸０．８モルとイソフタル酸０．２モルと１
−ヒドロキシ−１，２，３−ベンゾトリアゾール２モル
とを反応させて得られたジカルボン酸誘導体３６０．４
ｇ（０．９モル）とヘキサフルオロ−２，２−ビス（３
−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン３６６．
３ｇ（１．０モル）とを温度計、攪拌機、原料投入口、
乾燥窒素ガス導入管を備えた４つ口のセパラブルフラス
コに入れ、Ｎ−メチル−２−ピロリドン３０００ｇを加
えて溶解させた。その後オイルバスを用いて７５℃にて
１２時間反応させた。次にＮ−メチル−２−ピロリドン
５００ｇに溶解させた５−ノルボルネン−２，３−ジカ
ルボン酸無水物３２．８ｇ（０．２モル）を加え、更に
１２時間攪拌して反応を終了した。反応混合物をろ過し
た後、反応混合物を水／メタノール＝３／１の溶液に投
入、沈殿物を濾集し水で充分洗浄した後、真空下で乾燥
し、一般式（１）で示され、Ｘが下記式Ｘ−１、Ｙが下
記式Ｙ−１及びＹ−２の混合で、ａ＝１００、ｂ＝０か
らなる目的のポリアミド（Ａ−１）を得た。

【００４７】＊ポジ型感光性樹脂組成物の作製合成したポリアミド（Ａ−1）１００ｇ、下記式の構造
を有する１，２−ナフトキノン−２−ジアジド−４−ス
ルホン酸エステル化合物（Ｑ−１）１０ｇ、１，２−ナ
フトキノン−２−ジアジド−５−スルホン酸エステル化
合物（Ｑ−２）１５ｇ、下記式の構造を有するフェノー
ル化合物（Ｐ−１）１５ｇをＮ−メチル−２−ピロリド
ン２００ｇに溶解した後、０．２μｍのテフロンフィル
ターで濾過し感光性樹脂組成物を得た。

【００４８】＊特性評価このポジ型感光性樹脂組成物をシリコンウェハー上にス
ピンコーターを用いて塗布した後、ホットプレートにて
１２０℃で４分乾燥し、膜厚約５μｍの塗膜を得た。こ
の塗膜に凸版印刷（株）製マスク（テストチャートＮ
ｏ．１：幅０．８８〜５０．０μｍの残しパターンおよ
び抜きパターンが描かれている）を通して高圧水銀灯を
用いて、フィルターより取り出した３６５ｎｍの紫外光
線を露光量を変化させて照射した。次に１．４０％のテ
トラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液に６０秒浸
漬することによって露光部を溶解除去した後、純水で３
０秒間リンスした。その結果、露光量１７０ｍＪ／ｃｍ
²で照射した部分よりパターンが成形されていることが
確認できた。（感度は１７０ｍＪ／ｃｍ²）。この時の
残膜率（現像後の膜厚／現像前の膜厚×１００）は８
９．７％、解像度は４μｍとそれぞれ非常に高い値を示
した。また、別にポジ型感光性樹脂組成物を同様にシリ
コンウエハー上に塗布し、プリベークした後、オーブン
中３０分／１５０℃、３０分／２５０℃、３０分／３５
０℃の順で加熱、樹脂を硬化させた後、この硬化膜の上
に半導体封止用エポキシ樹脂組成物（住友ベークライト
(株)製、ＥＭＥ−６３００Ｈ）を２×２×２ｍｍ（横×
縦×高さ）の大きさに成形した。テンシロンを用いて、
ポリベンゾオキサゾール樹脂硬化膜上に成形した封止用
エポキシ樹脂組成物の剪断強度を測定した結果、３．５
ｋｇ／ｍｍ²であった。

【００４９】《実施例２》実施例１における１，２−ナ
フトキノン−２−ジアジド−４−スルホン酸エステル化
合物（Ｑ−１）の添加量を１２．５ｇ、１，２−ナフト
キノン−２−ジアジド−５−スルホン酸エステル化合物
（Ｑ−２）の添加量を１２．５ｇに変えた他は実施例１
と同様の評価を行った。《実施例３》実施例１における１，２−ナフトキノン−
２−ジアジド−４−スルホン酸エステル化合物（Ｑ−
１）の添加量を５ｇ、１，２−ナフトキノン−２−ジア
ジド−５−スルホン酸エステル化合物（Ｑ−２）の添加
量を２０ｇに変えた他は実施例１と同様の評価を行っ
た。《実施例４》実施例１におけるフェノール化合物（Ｐ−
１）を（Ｐ−２）に替えて、更に該成分の添加量を表１
の様に変えた他は実施例１と同様の評価を行った。《実施例５》実施例１におけるフェノール化合物（Ｐ−
１）の添加量を５ｇにして、更に各成分の添加量を表１
の様に変えた他は実施例１と同様の評価を行った。《実施例６》実施例１におけるポリアミドの合成におい
て、テレフタル酸０．８モルとイソフタル酸０．２モル
の代わりに、ジフェニルエーテル−４，４’−ジカルボ
ン酸１モルに替えて、一般式（１）で示され、Ｘが下記
式Ｘ−１、Ｙが下記式Ｙ−３で、ａ＝１００、ｂ＝０か
らなるポリアミド（Ａ−2）を合成し、更に各成分の添
加量を表１の様に変えた他は実施例１と同様の評価を行
った。《実施例７》実施例６におけるポリアミドの合成におい
て、ヘキサフルオロ−２，２−ビス（３−アミノ−４−
ヒドロキシフェニル）プロパン１モルの代わりに、３，
３‘−ジアミノ−４，４’−ジヒドロキシジフェニルス
ルホン１モルを用いて、一般式（１）で示され、Ｘが下
記式Ｘ−２、Ｙが下記式Ｙ−３で、ａ＝１００、ｂ＝０
からなるポリアミド（Ａ−３）を合成した。更に、１，
２−ナフトキノン−２−ジアジド−４−スルホン酸エス
テル化合物（Ｑ−１）を（Ｑ−３）に、１，２−ナフト
キノン−２−ジアジド−５−スルホン酸エステル化合物
（Ｑ−２）を（Ｑ−４）に替え、更に各成分の添加量を
表１の様に変えた他は実施例１と同様の評価を行った。《実施例８》実施例１におけるポリアミドの合成におい
て、ヘキサフルオロ−２，２−ビス（３−アミノ−４−
ヒドロキシフェニル）プロパンを３４８．０ｇ（０．９
５モル）に減らし、代わりに１，３−ビス（３−アミノ
プロピル）−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサ
ン１２．４ｇ（０．０５モル）を加え、一般式（１）で
示され、Ｘが下記式Ｘ−１、Ｙが下記式Ｙ−１およびＹ
−２の混合、Ｚが下記式Ｚ−１で、ａ＝９５、ｂ＝５か
らなるポリアミド（Ａ−４）を合成した。更に各成分の
添加量を表１の様に変えた他は実施例１と同様の評価を
行った。

【００５０】《比較例１》実施例１における１，２−ナ
フトキノン−２−ジアジド−４−スルホン酸エステル化
合物（Ｑ−１）の添加量を０ｇ、１，２−ナフトキノン
−２−ジアジド−５−スルホン酸エステル化合物（Ｑ−
２）の添加量を２５ｇに変えた他は実施例１と同様の評
価を行った。《比較例２》実施例１における１，２−ナフトキノン−
２−ジアジド−４−スルホン酸エステル化合物（Ｑ−
１）の添加量を２ｇ、１，２−ナフトキノン−２−ジア
ジド−５−スルホン酸エステル化合物（Ｑ−２）の添加
量を２３ｇに替え、更に各成分の添加量を表１の様に変
えた他は実施例１と同様の評価を行った。《比較例３》実施例１における１，２−ナフトキノン−
２−ジアジド−４−スルホン酸エステル化合物（Ｑ−
１）の添加量を２０ｇ、１，２−ナフトキノン−２−ジ
アジド−５−スルホン酸エステル化合物（Ｑ−２）の添
加量を５ｇに替え、更に各成分の添加量を表１の様に変
えた他は実施例１と同様の評価を行った。《比較例４》実施例６におけるフェノール化合物の添加
量を０．５ｇに減らし、更に各成分の添加量を表１の様
に変えた他は実施例１と同様の評価を行った。《比較例５》実施例６におけるフェノール化合物の添加
量を４０ｇに増やし、更に各成分の添加量を表１の様に
変えた他は実施例１と同様の評価を行った。《比較例６》実施例１におけるフェノール化合物（Ｐ−
１）を（Ｐ−３）に変えた他は実施例１と同様の評価を
行った。以上実施例１〜８、比較例１〜６の評価結果を
表１に示す。

【００５１】

【化３１】

【００５２】

【化３２】

【００５３】

【化３３】

【００５４】

【化３４】

【００５５】

【表１】

【００５６】＊評価結果実施例１〜３と比較例１〜３は、共に１，２−ナフトキ
ノン−２−ジアジド−４−スルホン酸エステル化合物
（Ｑ−１）と１，２−ナフトキノン−２−ジアジド−５
−スルホン酸エステル化合物（Ｑ−２）の添加量による
評価である。Ｑ−１の添加量が０である比較例１は、高
感度の効果が認められない。１０＜（Ｃ）／（Ｂ）であ
る比較例２の場合も同様に高感度の効果が弱いために認
められない。（Ｃ）／（Ｂ）＜１である比較例３では良
好な感度を示すも、Ｑ−１の溶解性が高いために露光部
と未露光部の溶解度差がつきにくくなるために解像度が
低下している。実施例１、４、５と比較例４〜６は、フ
ェノール化合物の種類と量による評価である。Ｐ−１の
添加量が１重量部未満である比較例４の場合はあまり高
感度化していないばかりか、封止樹脂との密着性が低下
している。Ｐ−１の添加量が３０重量部以上である比較
例５は、溶解性が高すぎるため残膜率が著しく低下して
いる。フェノール化合物の種類をＰ−３に代えた比較例
６は高残膜率なるも感度が低下している。

【００５７】

【発明の効果】本発明によって、高解像度で高残膜率の
パターンを形成することができ、かつ封止樹脂との密着
性に優れており、波長が３６５ｎｍの紫外線露光におい
て高感度であるポジ型感光性樹脂を得ることが出来る。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号ＦＩ // Ｃ０９Ｄ 177/06 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２Ｒ (72)発明者平野孝東京都品川区東品川２丁目５番８号住友ベークライト株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】一般式（１）で示されるポリアミド
（Ａ）１００重量部と１，２−ナフトキノン−２−ジア
ジド−４−スルホン酸エステル化合物（Ｂ）１〜５０重
量部と１，２−ナフトキノン−２−ジアジド−５−スル
ホン酸エステル化合物（Ｃ）１〜５０重量部と一般式
（２）で表されるフェノール化合物（Ｄ）１〜３０重量
部とからなることを特徴とするポジ型感光性樹脂組成
物。【化１】【化２】
【請求項２】一般式（１）のポリアミドにおけるＸ
が、下記より選ばれてなる請求項１記載のポジ型感光性
樹脂組成物。【化３】
【請求項３】一般式（１）のポリアミドにおけるＹ
が、下記より選ばれてなる請求項１又は２記載のポジ型
感光性樹脂組成物。【化４】
【請求項４】一般式（１）のポリアミドにおけるＥ
が、下記より選ばれてなる請求項１、２又は３記載のポ
ジ型感光性樹脂組成物。【化５】
【請求項５】１，２−ナフトキノン−２−ジアジド−
４−スルホン酸エステル化合物（Ｂ）と１，２−ナフト
キノン−２−ジアジド−５−スルホン酸エステル化合物
（Ｃ）の配合比率が重量比で１≦（Ｃ）／（Ｂ）≦１０
であることを特徴とする請求項１、２、３又は４記載の
ポジ型感光性樹脂組成物。
【請求項６】１，２−ナフトキノン−２−ジアジド−
４−スルホン酸エステル化合物（Ｂ）が、下記より選ば
れてなる請求項１、２、３、４又は５記載のポジ型感光
性樹脂組成物。【化６】
【請求項７】１，２−ナフトキノン−２−ジアジド−
５−スルホン酸エステル化合物（Ｃ）が、下記より選ば
れてなる請求項１、２、３、４、５又は６記載のポジ型
感光性樹脂組成物。【化７】
【請求項８】１，２−ナフトキノン−２−ジアジド−
４−スルホン酸エステル化合物（Ｂ）と１，２−ナフト
キノン−２−ジアジド−５−スルホン酸エステル化合物
（Ｃ）が、それぞれ一般式（３）、（４）で表される化
合物である請求項６又は７記載のポジ型感光性樹脂組成
物。【化８】
【請求項９】フェノール化合物（Ｄ）が、一般式
（５）で表されるフェノール化合物である請求項１記載
のポジ型感光性樹脂組成物。【化９】
【請求項１０】フェノール化合物（Ｄ）が、一般式
（６）又は（７）で表される化合物であり、単独又は混
合物の形で、フェノール化合物（Ｄ）全体の５０重量％
以上を含む請求項１又は９記載のポジ型感光性樹脂組成
物。【化１０】