JPH11143098A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 ７００ｎｍ付近の長波長光源に高い感度を有
し、高い安定性を保つ電子写真感光体を提供する。 【解決手段】 導電性支持体上に、Ｘ線回折スペクトル
においてブラッグ角の少なくとも７．５゜、８．３゜、
９．５゜及び２７．２゜のいずれかに主たるピークを
有するチタニウムフタロシアニン化合物を含有する電荷
発生材料及び一般式（Ｉ） （式中、Ｒ¹ 、Ｒ² 、Ｒ³ 、Ｒ⁴ 、Ｒ⁵ 及びＲ⁶ は、各
々独立的に水素原子、置換基を有していてもよいアルキ
ル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基又はハロ
ゲン原子を表わし、Ａｒ¹ 、Ａｒ² 、Ａｒ³ 及びＡｒ⁴
は置換基を有していてもよいフェニル基を表わす。）で
表わされるジスチリル化合物を含有する電荷輸送材料を
含有する光導電層を有する電子写真感光体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、７００ｎｍ付近の
長波長の光源を利用した複写機、ＬＤプリンタ、ＬＥＤ
プリンタ等に用いる電子写真感光体に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子写真感光体に対する高感度
化、高耐久性化の要求の高まりと共に、電子写真感光体
の電荷発生機能と電荷輸送機能とを別々の材料に分担さ
せた機能分離型の電子写真感光体の開発が盛んである。

【０００３】また、電子工業の発達に伴う半導体レーザ
ー（ＬＤ）や発光ダイオード（ＬＥＤ）に代表される７
００ｎｍ付近の長波長の光源を利用した複写機、ＬＤプ
リンタ、ＬＥＤプリンタ等の電子写真感光体に使用され
る材料として、これらの光源に感応するフタロシアニン
系化合物が注目されている。

【０００４】光導電層にフタロシアニン系化合物を用
い、感度と繰り返し特性に優れた電子写真感光体とし
て、例えば、特開平６−１１８６７４号公報及び特開平
８−２９２５８８号公報には、電荷輸送剤としてアミノ
基で置換されたジスチリル化合物と、電荷発生物質とし
てチタニルオキシフタロシアニンを含有する光導電層を
有する電子写真感光体が提案されている。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記実状
に鑑みて鋭意検討した結果、特定の電荷発生材料と特定
の電荷輸送材料とを含有する光導電層を設けて成る電子
写真感光体が、優れた感度と電位安定性を発現すること
を見い出し、本発明を完成するに至った。

【０００６】即ち、本発明は上記課題を解決するため
に、導電性支持体上に電荷発生材料及び電荷輸送材料を
含有する光導電層を有する電子写真感光体において、電
荷発生材料がＣｕ−Ｋαに対するＸ線回折スペクトルに
おいてブラッグ角（２θ±０．２゜）の少なくとも７．
５゜、８．３゜、９．５゜及び２７．２゜のいずれかに
主たるピークを有するチタニウムフタロシアニン化合物
を含有し、電荷輸送材料が一般式（Ｉ）

【０００７】

【化４】

【０００８】（式中、Ｒ¹ 、Ｒ² 、Ｒ³ 、Ｒ⁴ 、Ｒ⁵ 及
びＲ⁶ は、各々独立的に水素原子、置換基を有していて
もよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルコキ
シ基又はハロゲン原子を表わし、Ａｒ¹ 、Ａｒ² 、Ａｒ
³ 及びＡｒ⁴ は置換基を有していてもよいフェニル基を
表わす。）で表わされるジスチリル化合物を含有するこ
とを特徴とする電子写真感光体を提供する。

【０００９】さらに、電荷発生材料がＣｕ−Ｋαに対す
るＸ線回折スペクトルにおいてブラッグ角（２θ±０．
２゜）の少なくとも７．５゜、８．３゜、９．５゜及び
２７．２゜のいずれかに主たるピークを有するチタニウ
ムフタロシアニン化合物を含有し、電荷輸送材料が一般
式（Ｉ）

【００１０】

【化５】

【００１１】（式中、Ｒ¹ 、Ｒ² 、Ｒ³ 、Ｒ⁴ 、Ｒ⁵ 及
びＲ⁶ は、各々独立的に水素原子、置換基を有していて
もよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルコキ
シ基又はハロゲン原子を表わし、Ａｒ¹ 、Ａｒ² 、Ａｒ
³ 及びＡｒ⁴ は置換基を有していてもよいフェニル基を
表わす。）で表わされるジスチリル化合物を含有し、か
つ電荷輸送材料として更に（１）一般式（II）

【００１２】

【化６】

【００１３】（式中、Ａｒ⁵ 及びＡｒ⁶ は、各々独立的
に置換基を有していてもよいフェニル基を表わす。）で
表わされる化合物又は（２）一般式（III）

【００１４】

【化７】

【００１５】（式中、Ｒ⁷ 、Ｒ⁸ 及びＲ⁹ は、各々独立
的に水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、
置換基を有していてもよいアルコキシ基又はハロゲン原
子を表わし、Ｒ¹⁰及びＲ¹²は、各々独立的に置換基を有
していてもよいアルキル基、Ｒ ¹¹及びＲ¹³は、各々独立
的に置換基を有していてもよいアルキル基又は置換基を
有していてもよいフェニル基を表わし、ｎは１から４の
整数を表わす。）で表わされるジスチリル化合物を含有
することを特徴とする電子写真感光体を提供する。

【００１６】また、導電性支持体上に電荷発生材料及び
電荷輸送材料を含有する光導電層を有する電子写真感光
体において、電荷発生材料がＣｕ−Ｋαに対するＸ線回
折スペクトルにおいてブラッグ角（２θ±０．２゜）の
少なくとも７．５゜、８．３゜、９．５゜及び２７．２
゜のいずれかに主たるピークを有するチタニウムフタロ
シアニン化合物を含有し、光導電層がＣｕ−Ｋαに対す
るＸ線回折スペクトルにおいてブラッグ角（２θ±０．
２゜）の少なくとも７．５゜、８．３゜、９．５゜及び
２７．２゜のいずれかに主たるピークを有し、電荷輸送
材料が一般式（Ｉ）

【００１７】

【化８】

【００１８】（式中、Ｒ¹ 、Ｒ² 、Ｒ³ 、Ｒ⁴ 、Ｒ⁵ 及
びＲ⁶ は、各々独立的に水素原子、置換基を有していて
もよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルコキ
シ基又はハロゲン原子を表わし、Ａｒ¹ 、Ａｒ² 、Ａｒ
³ 及びＡｒ⁴ は置換基を有していてもよいフェニル基を
表わす。）で表わされるジスチリル化合物を含有するこ
とを特徴とする電子写真感光体を提供する。

【００１９】さらに、電荷発生材料がＣｕ−Ｋαに対す
るＸ線回折スペクトルにおいてブラッグ角（２θ±０．
２゜）の少なくとも７．５゜、８．３゜、９．５゜及び
２７．２゜のいずれかに主たるピークを有するチタニウ
ムフタロシアニン化合物を含有し、光導電層がＣｕ−Ｋ
αに対するＸ線回折スペクトルにおいてブラッグ角（２
θ±０．２゜）の少なくとも７．５゜、８．３゜、９．
５゜及び２７．２゜のいずれかに主たるピークを有し、
電荷輸送材料が一般式（Ｉ）

【００２０】

【化９】

【００２１】（式中、Ｒ¹ 、Ｒ² 、Ｒ³ 、Ｒ⁴ 、Ｒ⁵ 及
びＲ⁶ は、各々独立的に水素原子、置換基を有していて
もよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルコキ
シ基又はハロゲン原子を表わし、Ａｒ¹ 、Ａｒ² 、Ａｒ
³ 及びＡｒ⁴ は置換基を有していてもよいフェニル基を
表わす。）で表わされるジスチリル化合物を含有し、か
つ電荷輸送材料として更に（１）一般式（II）

【００２２】

【化１０】

【００２３】（式中、Ａｒ⁵ 及びＡｒ⁶ は、各々独立的
に置換基を有していてもよいフェニル基を表わす。）で
表わされる化合物又は（２）一般式（III）

【００２４】

【化１１】

【００２５】（式中、Ｒ⁷ 、Ｒ⁸ 及びＲ⁹ は、各々独立
的に水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、
置換基を有していてもよいアルコキシ基又はハロゲン原
子を表わし、Ｒ¹⁰及びＲ¹²は、各々独立的に置換基を有
していてもよいアルキル基、Ｒ ¹¹及びＲ¹³は、各々独立
的に置換基を有していてもよいアルキル基又は置換基を
有していてもよいフェニル基を表わし、ｎは１から４の
整数を表わす。）で表わされるジスチリル化合物を含有
することを特徴とする電子写真感光体を提供する。

【００２６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の電子写真感光体に
ついて詳細に説明する。

【００２７】本発明で用いるチタニウムフタロシアニン
化合物とは、チタン原子を中心金属とするフタロシアニ
ン環を有する化合物であって、具体的には、チタン原子
に各種配位子が結合した一般式（IV）

【００２８】

【化１２】

【００２９】（式中、フタロシアニン環の水素原子が、
ハロゲン原子、低級アルキル基、ニトロ基等で置換され
ていてもよく、Ｘは置換基を有していてもよいアルコキ
シ基、ハロゲン原子、酸素原子を表わし、ｎは１又は２
の整数を表わす。但し、Ｘが２つの酸素原子でチタン原
子に配位するジアルコラートの場合、又は酸素原子であ
る場合はｎは１を表わす。）で表わされる化合物であ
る。

【００３０】これらのチタニウムフタロシアニン化合物
のうち、中心金属であるチタン原子に酸素原子又はアル
コキシ基が配位したチタニウムフタロシアニン化合物で
あって、フタロシアニン環に置換基がないもの、あるい
は一部ハロゲン原子で置換されたチタニウムフタロシア
ニン化合物が好ましい。アルコキシ基が配位したチタニ
ウムフタロシアニン化合物としては、環状ブチレングリ
コラート構造を有する一般式（Ｖ）

【００３１】

【化１３】

【００３２】（式中、フタロシアニン環の水素原子がハ
ロゲン原子、低級アルキル基、ニトロ基等で置換されて
もよい。）で表わされる化合物及び一般式（VI）

【００３３】

【化１４】

【００３４】（式中、フタロシアニン環の水素原子がハ
ロゲン原子、低級アルキル基、ニトロ基等で置換されて
もよい。）で表わされる化合物が特に好ましい。

【００３５】更に、本発明で用いるチタニウムフタロシ
アニン化合物は、Ｃｕ−Ｋαに対するＸ線回折スペクト
ルがブラッグ角（２θ±０．２゜）の少なくとも７．５
゜、８．３゜、９．５゜及び２７．２゜のいずれかに主
たるピークを有するものである。

【００３６】本発明におけるＣｕ−Ｋαに対するＸ線回
折スペクトルのブラッグ角（２θ±０．２゜）の主たる
ピークとは、ブラッグ角（２θ±０．２゜）を少なくと
も７〜３０゜の範囲で、好ましくは３゜から３５゜の範
囲で測定したＸ線回折スペクトルにおいて、バックグラ
ウンドノイズを除いて最も回折強度の強いピーク及び最
も回折強度の強いピークに対して回折強度が５０％以上
の強度を有するピークを表わし、好ましくは最も回折強
度の強いピークを表わす。この場合、Ｘ線回折スペクト
ル測定装置の管電圧、管電流、走査速度、スリット幅等
は適宜選択して測定できる。

【００３７】本発明で用いるチタニウムフタロシアニン
化合物の製造法は、特に限定されるものではないが、例
えば、四ハロゲン化チタン、チタンテトラアルコキド等
のチタン化合物と、ｏ−フタロニトリル誘導体又はジイ
ミノイソインドレニン誘導体とのカップリング反応で得
られたチタニウムフタロシアニン化合物を、必要に応じ
て、加水分解、アルコール類との反応等を行うことによ
り製造することができる。

【００３８】更に、合成されたチタニウムフタロシアニ
ン化合物を、必要に応じて、再結晶、溶剤洗浄、熱懸
濁、溶剤抽出、昇華、アシッドスラリー、アシッドペー
スト等により精製したり、粉砕等により粒径を制御した
り、物理的方法、化学的方法により結晶変換してもよ
い。

【００３９】結晶変換の方法としては、昇華、粉砕、ア
シッドスラリー、アシッドペースト等の処理でチタニウ
ムフタロシアニン化合物を微細化した後、有機溶剤処理
を行う方法、必要に応じて有機物あるいは無機塩の存在
下に機械的摩砕を行う方法、チタニウムフタロシアニン
化合物と有機化合物との反応により結晶変換を行う方法
等があるが、必ずしもこれらの例に限定されるものでは
ない。

【００４０】本発明で使用するＣｕ−Ｋαに対するＸ線
回折スペクトルにおいてブラッグ角（２θ±０．２゜）
の７．５゜に主たるピークを有するチタニウムフタロシ
アニン化合物の製造法としては、例えば、特開昭６１−
２１７０５０号公報記載の方法、即ち、四塩化チタンと
フタロジニトリルをα−クロロナフタレン溶媒中で反応
させて得られるジクロロチタニウムフタロシアニンを濃
アンモニア水等で加水分解することによって製造でき、
引き続いて２−エトキシエタノール、ジグライム、ジオ
キサン、テトラヒドロフラン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルム
アルデヒド、Ｎ−メチルピロリドン、ピリジン、モルホ
リン等の電子供与性の溶媒で処理する方法が挙げられ
る。この方法によって得られるチタニウムフタロシアニ
ン化合物を電荷発生材料として用いることで、導電性支
持体上の光導電層が、Ｃｕ−Ｋαに対するＸ線回折スペ
クトルにおいてブラッグ角（２θ±０．２゜）の７．５
゜に主たるピークを有する電子写真感光体を製造するこ
とができる。

【００４１】また、本発明で使用するＣｕ−Ｋαに対す
るＸ線回折スペクトルにおいてブラッグ角（２θ±０．
２゜）の８．３゜に主たるピークを有するチタニウムフ
タロシアニン化合物の製造法としては、例えば、特開平
８−８２９４２号公報記載の方法、即ち、α形チタニル
フタロシアニン２０重量部と（２Ｒ，３Ｒ）−２，３−
ブタンジオール２．２重量部をα−クロロナフタレン中
で加熱撹拌しながら反応させて得られる結晶を、ベンゼ
ン、メタノール、ジメチルホルムアミド、水の順に洗浄
した後、減圧乾燥させる方法が挙げられる。この方法に
よって得られるチタニウムフタロシアニン化合物を電荷
発生材料として用いることで、導電性支持体上の光導電
層が、Ｃｕ−Ｋαに対するＸ線回折スペクトルにおいて
ブラッグ角（２θ±０．２゜）の８．３゜に主たるピー
クを有する電子写真感光体を製造することができる。

【００４２】また、本発明で使用するＣｕ−Ｋαに対す
るＸ線回折スペクトルにおいてブラッグ角（２θ±０．
２゜）の９．５゜に主たるピークを有するチタニウムフ
タロシアニン化合物の製造法としては、例えば、（１）
特開平３−２００７９０号公報記載の方法、即ち、四塩
化チタンとフタロジニトリルとをα−クロルナフタレン
等の不活性溶媒中で１６０〜３００℃で反応させてジク
ロルチタニウムフタロシアニンを製造する。ジクロルチ
タニウムフタロシアニンを塩基もしくは水で加水分解す
ることによって得られるチタニルフタロシアニンを、直
接、又は硫酸に溶かして水に注いで得たアモルファスの
ものから、水の存在下にジクロルエタンの如き水に非混
和性の有機溶媒で処理する方法、

【００４３】（２）特開平５−３２０１６７号公報記載
の方法、即ち、四塩化チタンとフタロジニトリルとをα
−クロロナフタレン等の不溶性高沸点溶媒中で１５０〜
３００℃で反応させて得られるジクロロチタニウムフタ
ロシアニンを塩基もしくは水で加水分解する方法、

【００４４】（３）特開平８−８２９４２号公報記載の
方法、即ち、α形チタニルフタロシアニン２０重量部と
（２Ｒ，３Ｒ）−２，３−ブタンジオール４．４重量部
又は（２Ｓ，３Ｓ）−２，３−ブタンジオール４．４重
量部をα−クロロナフタレン中で加熱撹拌しながら反応
させて得られる結晶を、ベンゼン、メタノール、ジメチ
ルホルムアミド、水の順に洗浄した後、減圧乾燥させる
方法、などが挙げられる。これらの方法によって得られ
たチタニウムフタロシアニン化合物を電荷発生材料とし
て用いることで、導電性支持体上の光導電層が、Ｃｕ−
Ｋαに対するＸ線回折スペクトルにおいてブラッグ角
（２θ±０．２゜）の９．５゜に主たるピークを有する
電子写真感光体を製造することができる。

【００４５】また、本発明で使用するＣｕ−Ｋαに対す
るＸ線回折スペクトルにおいてブラッグ角（２θ±０．
２゜）の２７．２゜に主たるピークを有するチタニウム
フタロシアニン化合物の製造法としては、例えば、特開
平１−１７０６６号公報記載の方法、即ち、α型チタニ
ルフタロシアニンを５０〜１８０℃、好ましくは６０〜
１３０℃で結晶変換するのに十分な時間を掛けて撹拌も
しくは機械的歪力をもってミリングする方法等が挙げら
れる。この方法によって得られたチタニウムフタロシア
ニン化合物を電荷発生材料として用いることで、導電性
支持体上の光導電層が、Ｃｕ−Ｋαに対するＸ線回折ス
ペクトルにおいてブラッグ角（２θ±０．２゜）の２
７．２゜に主たるピークを有する電子写真感光体を製造
することができる。

【００４６】本発明の電子写真感光体においては、チタ
ニウムフタロシアニン化合物を電荷発生材料として用い
るが、７００ｎｍ付近の長波長光源に対して高感度であ
るという特徴を損なわない限りにおいて、その他の電荷
発生材料をそれに併用することも可能である。

【００４７】他の電荷発生材料としては、例えば、無金
属フタロシアニン化合物、アルミニウム、インジウム、
ガリウム、マグネシウム、銅、バナジウム等の金属フタ
ロシアニン化合物、アゾ系顔料、アントラキノン系顔
料、ペリレン系顔料、多環キノン系顔料、スクエアリウ
ム系顔料等を挙げることができるが、これらの例に限定
されるものではない。

【００４８】本発明で使用する一般式（Ｉ）で表わされ
るジスチリル化合物におけるＲ¹ 、Ｒ² 、Ｒ³ 、Ｒ⁴ 、
Ｒ⁵ 及びＲ⁶ は、水素原子；メチル基、エチル基、ｎ−
プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓ
ｏ−ブチル基の如きアルキル基；メトキシメチル基、エ
トキシメチル基の如き置換基を有するアルキル基；メト
キシ基、エトキシ基の如きアルコキシ基；塩素原子、臭
素原子の如きハロゲン原子である。これらの中でも、水
素原子、メチル基、メトキシ基が特に好ましい。また、
一般式（Ｉ）で表わされるジスチリル化合物におけるＡ
ｒ¹ 、Ａｒ² 、Ａｒ³ 及びＡｒ⁴ で表わされる置換基を
有していてもよいフェニル基の置換基としては、メチル
基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、
ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基の如きアルキル基；メ
トキシメチル基、エトキシメチル基の如き置換基を有す
るアルキル基；メトキシ基、エトキシ基の如きアルコキ
シ基；塩素原子、臭素原子の如きハロゲン原子等が挙げ
られ、これらの中でも、メチル基、エチル基、ｎ−プロ
ピル基、メトキシ基、塩素原子が特に好ましい。

【００４９】本発明で使用する一般式（Ｉ）で表わされ
るジスチリル化合物の製造方法としては、特開昭５０−
３１７７３号公報に対応する米国特許第３，８７３，３
１２号明細書に記載があるように、対応するアルキル亜
リン酸エステルと適当なアルデヒドとを強塩基の存在下
で反応させて、ジスチリル化合物を合成する方法等が挙
げられる。しかしながら、この合成方法に限定されるも
のではない。

【００５０】本発明で使用する一般式（Ｉ）で表わされ
るジスチリル化合物の代表的なものを以下の（表−１）
〜（表−４）に示すが、これらの例示化合物に限定され
るものではない。なお、以下の表中におけるｎ−Ｐｒ
は、ｎ−プロピル基を表わし、表中に記載した番号は例
示化合物の番号を表わす。

【００５１】

【表１】

【００５２】

【表２】

【００５３】

【表３】

【００５４】

【表４】

【００５５】

【表５】

【００５６】

【表６】

【００５７】

【表７】

【００５８】

【表８】

【００５９】

【表９】

【００６０】

【表１０】

【００６１】本発明の電子写真感光体の光導電層に使用
する電荷輸送材料は、前記一般式（Ｉ）で表わされる化
合物の少なくとも一種以上の化合物が用いるが、その特
徴を損なわない限りにおいて、その他の電荷輸送材料を
併用することもできる。

【００６２】併用可能な電荷輸送材料としては、例え
ば、アリールアミン系、ヒドラゾン系、ピラゾリン系、
オキサゾール系、オキサジアゾール系、チアゾール系、
カルバゾール系、ジフェノキノン系、アリールメタン系
化合物、或いは、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリ
シラン等の重合性化合物を挙げることができる。これら
の併用可能な電荷輸送材料のうち、ターフェニル骨格を
有するアリールアミン系化合物及び／又は特定のジスチ
リル骨格を有するアリールアミンが好ましく、具体的に
は下記一般式（II）

【００６３】

【化１５】

【００６４】（式中、Ａｒ⁵ 及びＡｒ⁶ は、各々独立的
に置換基を有していてもよいフェニル基を表わす。）で
表わされる化合物及び一般式（III）

【００６５】

【化１６】

【００６６】（式中、Ｒ⁷ 、Ｒ⁸ 及びＲ⁹ は、各々独立
的に水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、
置換基を有していてもよいアルコキシ基又はハロゲン原
子を表わし、Ｒ¹⁰及びＲ¹²は、各々独立的に置換基を有
していてもよいアルキル基、Ｒ ¹¹及びＲ¹³は、各々独立
的に置換基を有していてもよいアルキル基又は置換基を
有していてもよいフェニル基を表わし、ｎは１から４の
整数を表わす。）で表わされる化合物が特に好ましい。

【００６７】一般式（II）で表わされる化合物における
Ａｒ⁵ 及びＡｒ⁶ で表わされる置換基を有していてもよ
いフェニル基の置換基としては、メチル基、エチル基、
ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、
ｉｓｏ−ブチル基の如きアルキル基；メトキシメチル
基、エトキシメチル基の如き置換基を有するアルキル
基；メトキシ基、エトキシ基の如きアルコキシ基；塩素
原子、臭素原子の如きハロゲン原子等が挙げられ、これ
らの置換基の中でも、メチル基、エチル基、ｎ−プロピ
ル基、メトキシ基、塩素原子が特に好ましい。

【００６８】一般式（III） で表わされるジスチリル化
合物におけるＲ⁷ 、Ｒ⁸ 及びＲ⁹ は、水素原子；メチル
基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、
ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基の如きアルキル基；メ
トキシメチル基、エトキシメチル基の如き置換基を有す
るアルキル基；メトキシ基、エトキシ基の如きアルコキ
シ基；塩素原子、臭素原子の如きハロゲン原子である。
これらの中でも、水素原子、メチル基、メトキシ基が特
に好ましい。

【００６９】また、一般式（III） で表わされるジスチ
リル化合物におけるＲ¹⁰及びＲ¹²は、メチル基、エチル
基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル
基、ｉｓｏ−ブチル基の如きアルキル基；メトキシメチ
ル基、エトキシメチル基の如き置換基を有するアルキル
基である。これらの中でも、メチル基、エチル基、ｎ−
プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基が特に
好ましい。また、一般式（III） で表わされるジスチリ
ル化合物におけるＲ¹¹及びＲ¹³は、メチル基、エチル
基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル
基、ｉｓｏ−ブチル基の如きアルキル基；メトキシメチ
ル基、エトキシメチル基の如き置換基を有するアルキル
基；フェニル基；メチル基、エチル基、ｎ−プロピル
基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチ
ル基の如きアルキル基、メトキシメチル基、エトキシメ
チル基の如き置換基を有するアルキル基、メトキシ基、
エトキシ基の如きアルコキシ基、塩素原子、臭素原子の
如きハロゲン原子等が置換したフェニル基である。これ
らの中でも、フェニル基；メチル基、エチル基、ｎ−プ
ロピル基、メトキシ基等が置換したフェニル基が特に好
ましい。

【００７０】一般式（II）で表わされる化合物の製造方
法としては、例えば、特開平７−４８３２４号公報に記
載の方法、即ち、ターフェニルハロゲン化物と適当なア
リールアミンとを銅触媒と塩基の存在下で反応させて、
ターフェニル誘導体とする方法等が挙げられる。しかし
ながら、この合成方法に限定されるものではない。

【００７１】また、一般式（III） で表わされる化合物
の製造方法としては、特開昭５０−３１７７３号公報に
対応する米国特許第３，８７３，３１２号明細書に記載
があるように、対応するアルキル亜リン酸エステルと適
当なアルデヒドとを強塩基の存在下で反応させて、ジス
チリル化合物を合成する方法等が挙げられる。しかしな
がら、この合成方法に限定されるものではない。

【００７２】本発明の電子写真感光体で使用する一般式
（II）で表わされる化合物の代表的なものを以下の（表
−５）に、一般式（III） で表わされる化合物の代表的
なものを以下の（表−６）〜（表−１７）に示すが、こ
れらの例に限定されるものではない。なお、以下の表中
におけるｎ−Ｐｒは、ｎ−プロピル基を表わし、表中に
記載した番号は例示化合物の番号を表わす。

【００７３】

【表１１】

【００７４】

【表１２】

【００７５】

【表１３】

【００７６】

【表１４】

【００７７】

【表１５】

【００７８】

【表１６】

【００７９】

【表１７】

【００８０】

【表１８】

【００８１】

【表１９】

【００８２】

【表２０】

【００８３】

【表２１】

【００８４】

【表２２】

【００８５】

【表２３】

【００８６】

【表２４】

【００８７】

【表２５】

【００８８】

【表２６】

【００８９】

【表２７】

【００９０】

【表２８】

【００９１】

【表２９】

【００９２】

【表３０】

【００９３】

【表３１】

【００９４】

【表３２】

【００９５】

【表３３】

【００９６】

【表３４】

【００９７】

【表３５】

【００９８】

【表３６】

【００９９】これらの電荷輸送材料を一般式（Ｉ）で表
わされるジスチリル化合物と併用して用いる場合、全電
荷輸送材料中の一般式（Ｉ）で表わされるジスチリル化
合物の含有量は、重量比で２０〜９０％の範囲が好まし
く、５０〜８０％の範囲が特に好ましい。また、その場
合の全電荷輸送材料中の前記一般式（II）及び一般式
（III） で表わされる化合物の総含有量は、重量比で１
０〜８０％の範囲が好ましく、２０〜５０％の範囲が特
に好ましい。

【０１００】本発明の電子写真感光体は、導電性支持体
上に電荷発生材料と電荷輸送材料とを含有する光導電層
を形成してなるが、その構成は、種々の構造をとること
ができる。その例を図１から図３に示した。

【０１０１】図１及び図２の電子写真感光体は導電性支
持体１上に電荷発生材料を主体とする電荷発生層２と、
電荷輸送材料を含有する電荷輸送層３とから成る光導電
層４ａ又は４ｂをそれぞれ設けたものである。図３の電
子写真感光体は導電性支持体１上に電荷発生材料５を電
荷移動媒体６の中に分散せしめた光導電層４ｃを設けた
ものである。

【０１０２】図１及び図２の電子写真感光体の場合、電
荷発生層２に含まれる電荷発生材料が電荷を発生し、一
方、電荷輸送層３は電荷の注入を受け、その輸送を行
う。即ち、光減衰に必要な電荷の生成が電荷発生材料で
行われ、また、電荷の輸送が電荷輸送媒体で行われる。
図３の電子写真感光体の場合、電荷発生材料が光に対し
て電荷を発生し、電荷移動媒体により電荷の移動が行わ
れる。

【０１０３】図１の電子写真感光体は、導電性支持体上
に、電荷発生材料の蒸着膜から成る電荷発生層、あるい
は電荷発生材料の微粒子を必要に応じて結着樹脂を溶解
した溶媒中に分散して得た分散液を塗布、乾燥させて得
られる電荷発生層を形成し、その電荷発生層上に、電荷
輸送材料を溶剤又は必要に応じて結着樹脂溶液に溶解し
た溶液を塗布、乾燥させることによって電荷輸送層を形
成することによって製造することができる。

【０１０４】図２の電子写真感光体は、導電性支持体上
に、電荷輸送材料を溶剤又は必要に応じて結着樹脂溶液
に溶解した溶液を導電性支持体上に塗布、乾燥させるこ
とによって電荷輸送層を形成し、その電荷輸送層上に、
電荷発生材料の蒸着膜から成る電荷発生層、あるいは電
荷発生材料の微粒子を溶剤又は結着樹脂溶液中に分散し
て得た分散液を塗布、乾燥させることによって得られる
電荷発生層を形成することにより製造することができ
る。

【０１０５】図３の電子写真感光体は、導電性支持体上
に、電荷輸送材料を溶剤又は必要に応じて結着樹脂溶液
に溶解した溶液に電荷発生材料の微粒子を分散させて、
これを導電性支持体上に塗布、乾燥させることによって
光導電層を形成することによって製造することができ
る。

【０１０６】光導電層の厚さは、図１及び図２の電子写
真感光体の場合には、電荷発生層の厚さは、５μｍ以下
が好ましく、０．０１〜２μｍの範囲が特に好ましく、
電荷輸送層の厚さは、３〜５０μｍの範囲が好ましく、
５〜３５μｍの範囲が特に好ましい。図３の電子写真感
光体の場合には、光導電層の厚さは、３〜５０μｍの範
囲が好ましく、５〜３５μｍの範囲が特に好ましい。

【０１０７】図１及び図２の電子写真感光体における電
荷輸送層中の電荷輸送材料の割合は、１０〜１００重量
％の範囲が好ましく、３０〜８０重量％の範囲が特に好
ましい。図１及び図２の電子写真感光体の電荷輸送層に
おける結着樹脂の割合は、０〜９０重量％の範囲が好ま
しく、２０〜７０重量％の範囲が特に好ましい。図１及
び図２の電子写真感光体の電荷発生層中の電荷発生材料
の割合は、５〜１００重量％の範囲が好ましく、３０〜
８０重量％の範囲が特に好ましい。図３の電子写真感光
体の光導電層中の電荷輸送材料の割合は、５〜８０重量
％の範囲が好ましく、光導電層中の結着樹脂の割合は、
０〜９４重量％の範囲が好ましく、光導電層中の電荷発
生材料の割合は、１〜７０重量％の範囲が好ましく、３
〜５０重量％の範囲が特に好ましい。なお、図１〜図３
のいずれの電子写真感光体の作製においても、結着樹脂
と共に可塑剤、増感剤を用いることができる。

【０１０８】本発明の電子写真感光体に用いられる導電
性支持体としては、例えば、アルミニウム、銅、亜鉛、
ステンレス、クロム、チタン、ニッケル、モリブデン、
バナジウム、インジウム、金、白金等の金属又は合金、
あるいは、導電性ポリマー、酸化インジウム等の導電性
化合物；アルミニウム、パラジウム、金等の金属又は合
金を塗布、蒸着、あるいはラミネートした紙、プラスチ
ックフィルム、セラミックス等が挙げられ、必要に応じ
て導電性支持体表面は化学的又は物理的な処理を施して
もよい。

【０１０９】本発明の電子写真感光体の形状は、用いる
支持体によって異なるが、ドラム状、平板状、シート
状、ベルト状等多種の形状が可能である。

【０１１０】本発明の電子写真感光体の電荷輸送層に必
要に応じて用いる結着樹脂は、疎水性で、電気絶縁性の
フィルム形成可能な高分子重合体を用いるのが好まし
い。このような高分子重合体としては、例えば、ポリカ
ーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、メタクリ
ル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニ
リデン、ポリスチレン、ポリビニルアセテート、スチレ
ン−ブタジエン共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−無
水マレイン酸共重合体、シリコン樹脂、シリコン−アル
キッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、スチ
レン−アルキッド樹脂、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾー
ル、ポリビニルブチラール、ポリビニルフォルマール、
ポリスルホン等が挙げられる。

【０１１１】これらの結着樹脂のうち、ポリカーボネー
ト及びポリアリレートは、耐久性の高い光導電層を形成
することができるので好ましく、特に（１）一般式（VI
I）

【０１１２】

【化１７】

【０１１３】（式中、芳香環上の水素原子はハロゲン原
子、置換又は無置換のアルキル基で置換されてもよく、
Ｒ¹⁴及びＲ¹⁵は、各々独立的に、水素原子、置換又は無
置換のアルキル基、置換又は無置換の芳香族基を表わ
す。）で表わされる繰り返し単位を有するポリカーボネ
ート、（２）一般式（VIII）

【０１１４】

【化１８】

【０１１５】（式中、芳香環上の水素原子はハロゲン原
子、置換又は無置換のアルキル基で置換されてもよく、
Ｚは置換又は無置換の炭素環及び置換又は無置換の複素
環を形成するのに必要な原子群を表わす。）で表わされ
る繰り返し単位を有するポリカーボネート及び（３）前
記一般式（VII）で表わされる繰り返し単位と一般式（I
X）

【０１１６】

【化１９】

【０１１７】（式中、芳香環上の水素原子はハロゲン原
子、置換又は無置換のアルキル基で置換されてもよ
い。）で表わされる繰り返し単位を有する共重合ポリカ
ーボネートは、本発明の電荷輸送材料を溶解する樹脂と
して、電気的安定性が高く、より好ましい。

【０１１８】これらの結着樹脂は、単独で、或は、２種
類以上の混合物として用いることもできる。

【０１１９】本発明の電子写真感光体の電荷発生層に必
要に応じて用いる結着樹脂は、疎水性で、電気絶縁性の
フィルム形成可能な高分子化合物を用いるのが好まし
く、前述の電荷輸送材料を溶解してなる結着樹脂と同様
のものが好ましい。

【０１２０】また、電子写真感光体の成膜性、可撓性、
機械的強度を向上するために、これらの結着樹脂と共
に、周知の可塑剤、表面改質剤等の添加剤を使用するこ
ともできる。

【０１２１】可塑剤としては、例えば、ビフェニル、塩
化ビフェニル、ｏ−ターフェニル、ｐ−ターフェニル、
ジブチルフタレート、ジエチルグリコールフタレート、
ジオクチルフタレート、トリフェニル燐酸、メチルナフ
タレン、ベンゾフェノン、塩素化パラフィン、ポリプロ
ピレン、ポリスチレン、各種のフルオロ炭化水素等が挙
げられる。

【０１２２】表面改質剤としては、例えば、シリコンオ
イル、フッ素樹脂等が挙げられる。

【０１２３】光導電層に必要に応じて用いる増感剤とし
ては、いずれも周知のものが使用できる。

【０１２４】増感剤としては、例えば、クロラニル、テ
トラシアノエチレン、メチルバイオレット、ローダミン
Ｂ、シアニン染料、メロシアニン染料、ピリリウム染
料、チアピリリウム染料等が挙げられる。

【０１２５】また、本発明の電子写真感光体において
は、保存性、耐久性、耐環境依存性を向上させるため
に、光導電層中に酸化防止剤や光安定剤等の劣化防止剤
を含有させることもできる。その例としては、フェノー
ル化合物、ハイドロキノン化合物、アミン化合物等を挙
げることができる。

【０１２６】更に、本発明の電子写真感光体において
は、導電性支持体と光導電層との接着性を向上させた
り、導電性支持体から光導電層への自由電荷の注入を阻
止するため、導電性支持体と光導電層との間に、必要に
応じて接着層あるいはバリアー層を設けることもでき
る。

【０１２７】これらの層に用いられる材料としては、前
記結着樹脂に用いられる高分子化合物のほか、カゼイ
ン、ゼラチン、エチルセルロース、ニトロセルロース、
カルボキシ−メチルセルロース、塩化ビニリデン系ポリ
マーラテックス、スチレン−ブタジエン系ポリマーラテ
ックス、ポリビニルアルコール、ポリアミド、ポリウレ
タン、フェノール樹脂、酸化アルミニウム、酸化スズ、
酸化チタン等が挙げられ、その膜厚は１μｍ以下が望ま
しい。

【０１２８】積層型電子写真感光体を塗工によって形成
する場合、結着樹脂を溶解する溶剤は、結着樹脂の種類
によって異なるが、下層を溶解しないものの中から選択
することが望ましい。具体的な有機溶剤の例としては、
例えば、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール等
のアルコール類；アセトン、メチルエチルケトン、シク
ロヘキサノン等のケトン類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムア
ミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド類；テ
トラヒドロフラン、ジオキサン、メチルセロソルブ等の
エーテル類；酢酸メチル、酢酸エチル等のエステル類；
ジメチルスルホキシド、スルホラン等のスルホキシド及
びスルホン類；ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化
炭素、トリクロロエタン等の脂肪族ハロゲン化炭化水
素；ベンゼン、トルエン、キシレン、モノクロロベンゼ
ン、ジクロロベンゼン等の芳香族類等が挙げられる。

【０１２９】塗工法としては、例えば、浸漬コーティン
グ法、スプレーコーティング法、スピンナーコーティン
グ法、ビードコーティング法、ワイヤーバーコーティン
グ法、ブレードコーティング法、ローラーコーティング
法、カーテンコーティング法等のコーティング法を用い
ることができる。

【０１３０】本発明の特定の電荷発生材料と特定の電荷
輸送材料とを含有する光導電層を設けて成る電子写真感
光体は、以上のような構成であって、以下の実施例から
も明かなように、電子写真感光体の高感度と繰り返し使
用時の電気特性安定性に優れたものである。

【０１３１】

【実施例】以下、本発明で使用する電荷発生材料及び電
荷輸送材料の合成例、本発明の電子写真感光体の実施例
を示すが、これにより本発明が以下の実施例に限定され
るものではない。尚、以下の実施例において、特に断り
がない限り、「部」は「重量部」を表わす。

【０１３２】《チタニウムフタロシアニン化合物の合
成》 ＜合成例１＞特開昭６１−２３９２４８号公報記載の方
法、即ち、フタロジニトリル４０ｇ、四塩化チタン１８
ｇ及びα−クロロナフタレン５００ｍｌの混合物を窒素
気流下２４０〜２５０℃で３時間加熱撹拌して反応を完
結させた。反応混合物を濾過してジクロロチタニウムフ
タロシアニンを得た。得られたジクロロチタニウムフタ
ロシアニンを濃アンモニア水３００ｍｌ及びピリジン３
００ｍｌと共に１時間加熱還流して、Ｃｕ−Ｋα線によ
る粉末Ｘ線回折において図４のスペクトルを示すオキシ
チタニウムフタロシアニン化合物を得た。

【０１３３】＜合成例２＞特開平５−３２０１６７号公
報記載の方法、即ち、四塩化チタン５０．９部及びオル
トフタロニトリル１３５部をα−クロロナフタレン１１
９０部中２２０〜２３０℃で３時間反応させ、１３０℃
で熱時濾過、α−クロロナフタレン、メタノール、熱水
で洗浄しオキシチタニウムフタロシアニンを合成した。
この合成したオキシチタニウムフタロシアニンを、濃硫
酸アシッドペースト処理、オルトジクロロベンゼン中で
湿式摩砕処理して、Ｃｕ−Ｋα線による粉末Ｘ線回折に
おいて図５のスペクトルを示すオキシチタニウムフタロ
シアニン化合物を得た。

【０１３４】＜合成例３＞特開平８−８２９４２号公報
記載の方法、即ち、合成例１で得たオキシチタニウムフ
タロシアニン２０部及び（２Ｒ，３Ｒ）−２，３−ブタ
ンジオール４．４部を、α−クロロナフタレン２４０部
中で１９５〜２０５℃で撹拌しながら１．５時間反応さ
せた。反応混合物を室温にまで冷却した後、濾別し、残
渣をベンゼン、メタノール、ジメチルホルムアミド（以
下、ＤＭＦという。）、水の順に洗浄した後、減圧乾燥
させることにより、Ｃｕ−Ｋα線による粉末Ｘ線回折に
おいて図６のスペクトルを示すチタニウムフタロシアニ
ン化合物を得た。

【０１３５】＜合成例４＞特開平８−８２９４２号公報
記載の方法、即ち、合成例１で得たオキシチタニウムフ
タロシアニン２０部及び（２Ｒ，３Ｒ）−２，３−ブタ
ンジオール２．２部を、α−クロロナフタレン２４０部
中で１９５〜２０５℃で攪絆しながら１．５時間反応さ
せた。反応混合物を室温にまで冷却した後、濾別し、残
渣をベンゼン、メタノール、ＤＭＦ、水の順に洗浄後、
減圧乾燥することにより、Ｃｕ−Ｋα線による粉末Ｘ線
回折において図７のスペクトルを示すチタニウムフタロ
シアニン化合物を得た。

【０１３６】＜合成例５＞特開平２−２８２６５号公報
記載の方法、即ち、四塩化チタン７．６部及びオルトフ
タロニトリル２０．４部をキノリン５０部中２００℃で
２時間反応させた。反応終了後、溶媒を除去し、残渣を
塩酸水溶液、水酸化ナトリウム水溶液で精製し、メタノ
ール、ジメチルホルムアミドで洗浄して、オキシチタニ
ウムフタロシアニンを得た。このようにして得たオキシ
チタニウムフタロシアニンを、濃硫酸アシッドペースト
処理、テトラヒドロフラン（以下、ＴＨＦという。）で
処理して、Ｃｕ−Ｋα線による粉末Ｘ線回折において図
８のスペクトルを示すオキシチタニウムフタロシアニン
化合物を得た。

【０１３７】《一般式（Ｉ）で表わされるジスチリル化
合物の合成》 ＜合成例６＞（例示化合物（Ｉ−３）の合成） 特開昭５０−３１７７３号公報記載の方法、即ち、α，
α’−ジブロモ−ｍ−キシレン１３．３ｇ及び亜リン酸
トリエチル３３．３ｇを低沸点成分を除きながら９０〜
１２０℃で６時間加熱した。反応混合物から過剰の亜リ
ン酸トリエチルを蒸留除去し、減圧蒸留でアルキル亜リ
ン酸エステル誘導体１０．７ｇを得た。アルキル亜リン
酸エステル誘導体３ｇ及び４−（Ｎ，Ｎ−ビス（４−メ
チルフェニル）アミノ）ベンズアルデヒド５．６ｇを脱
水ジメチルホルムアミド４２ｇ中に溶解し、水浴で３０
℃以下に保ちながら、カリウムｔｅｒｔ−ブトキシド
２．１ｇを徐々に加えた。室温で１０時間撹拌した後、
イオン交換水４００ｇ中へ注ぎ込んだ。黄色析出物を吸
引濾過して濾取した後、塩化メチレン２００ｍｌの溶液
とし、水洗、乾燥させた後、溶媒濃縮することによっ
て、蛍光性黄色固体５．７ｇを得た。シリカゲルのカラ
ムクロマトグラフィ（展開溶媒＝塩化メチレン／ヘキサ
ン混合溶剤）を用いて精製して、例示化合物（Ｉ−３）
３．６ｇを得た。

【０１３８】＜合成例７＞合成例６に準じて、α，α’
−ジブロモ−ｍ−キシレンに代えて４，６−ビス（クロ
ロメチル）−ｍ−キシレンを用い、４−（Ｎ，Ｎ−ビス
（４−メチルフェニル）アミノ）ベンズアルデヒドに代
えて４−（Ｎ，Ｎ−ビス（４−メチルフェニル）アミ
ノ）−２−メチルベンズアルデヒドを用いて例示化合物
（Ｉ−５９）を合成した。例示化合物（Ｉ−５９）の赤
外スペクトルを図９に、 ¹Ｈ−ＮＭＲスペクトルを図１
０にそれぞれ示した。

【０１３９】＜実施例１＞合成例１で得たチタニウムフ
タロシアニン化合物２部及びブチラール樹脂（積水化学
工業社製の「エスレックＢＨ−３」）２部を、塩化メチ
レン６６部及び１，１，２−トリクロロエタン９９部か
らなる混合溶媒に添加し、ペイントコンディショナーで
分散、混合して電荷発生材料分散液を得た。

【０１４０】このようにして得た電荷発生材料分散液を
金属薄板に浸漬塗布し、乾燥させて得た膜厚５μｍの薄
膜のＸ線回折スペクトルを図１１に示した。

【０１４１】このようにして得た電荷発生材料分散液
を、アルミニウムを蒸着したポリエステルフィルム上に
ワイヤーバーを用いて、乾燥後の膜厚が０．３μｍとな
るように塗布し、乾燥させて電荷発生層を形成した。

【０１４２】この電荷発生層の上に、合成例７で得た例
示化合物（Ｉ−５９）の電荷輸送材料８部と下記構造式
（Ｘ）

【０１４３】

【化２０】

【０１４４】で表わされる繰り返し単位を有するポリカ
ーボネート（三菱瓦斯化学社製の「ユーピロンＺ２０
０」）１０部を、塩化メチレン５４部及びクロロベンゼ
ン３６部からなる混合溶媒に溶解させた電荷輸送層形成
用塗料を、乾燥後の膜厚が２０μｍとなるように塗布
し、乾燥させて電荷輸送層を形成して、図１に示した層
構成を有する電子写真感光体を得た。

【０１４５】＜実施例２＞実施例１において、電荷輸送
材料として用いた例示化合物（Ｉ−５９）８部に代え
て、例示化合物（Ｉ−４１）６部及び例示化合物（II−
５）２部を用い、前記構造式（Ｘ）で表わされる繰り返
し単位を有するポリカーボネート（三菱瓦斯化学社製の
「ユーピロンＺ２００」）１０部に代えて、構造式（X
I）

【０１４６】

【化２１】

【０１４７】で表わされる繰り返し単位を有するポリカ
ーボネート（帝人化成社製の「パンライトＣ１４０
０」）を用い、クロロベンゼン３６部に代えて、1,1,2-
トリクロロエタン３６部を用いた以外は、実施例１と同
様にして、電子写真感光体を得た。

【０１４８】＜実施例３＞実施例１において、電荷輸送
材料として用いた例示化合物（Ｉ−５９）８部に代え
て、例示化合物（Ｉ−５９）６部及び例示化合物（III
−３２） ２部を用いた以外は、実施例１と同様にし
て、電子写真感光体を得た。

【０１４９】＜実施例４＞実施例１において、電荷輸送
材料として用いた例示化合物（Ｉ−５９）８部に代え
て、例示化合物（Ｉ−５９）６部及び例示化合物（III
−１５２） ２部を用いた以外は、実施例１と同様にし
て、電子写真感光体を得た。

【０１５０】＜実施例５＞実施例１において、電荷輸送
材料として用いた例示化合物（Ｉ−５９）８部に代え
て、例示化合物（Ｉ−５９）７部及び例示化合物（III
−１５０） １部を用いた以外は、実施例１と同様にし
て、電子写真感光体を得た。

【０１５１】＜実施例６＞実施例１において、電荷発生
材料として用いた合成例１で得たチタニウムフタロシア
ニン化合物に代えて、合成例２で得たチタニウムフタロ
シアニン化合物を用い、電荷輸送材料として用いた例示
化合物（Ｉ−５９）８部に代えて、例示化合物（Ｉ−４
１）８部を用いた以外は、実施例１と同様にして電子写
真感光体を得た。

【０１５２】また、実施例６で使用した電荷発生材料分
散液を金属薄板に浸漬塗布し、乾燥させて得た膜厚５μ
ｍの薄膜のＸ線回折スペクトルを図１２に示した。

【０１５３】＜実施例７＞実施例６において、電荷輸送
材料として用いた例示化合物（Ｉ−４１）８部に代え
て、例示化合物（Ｉ−５９）６部及び例示化合物（III
−３２） ２部を用い、構造式（Ｘ）で表わされる繰り
返し単位を有するポリカーボネート（三菱瓦斯化学社製
の「ユーピロンＺ２００」）に代えて、下記構造式（XI
I）

【０１５４】

【化２２】

【０１５５】で表わされる繰り返し単位と前記構造式
（XI）で表わされる繰り返し単位を８６対１４の比率で
有する共重合ポリカーボネートを用いた以外は、実施例
６と同様にして、電子写真感光体を得た。

【０１５６】＜実施例８＞実施例１において、電荷発生
材料として用いた合成例１で得たチタニウムフタロシア
ニン化合物に代えて、合成例３で得たチタニウムフタロ
シアニン化合物２部を用い、構造式（Ｘ）の繰り返し単
位を有するポリカーボネート（三菱瓦斯化学社製の「ユ
ーピロンＺ２００」）に代えて、 前記構造式（XII）で
表わされる繰り返し単位と前記構造式（XI）で表わされ
る繰り返し単位を８６対１４の比率で有する共重合ポリ
カーボネートを用いた以外は、実施例１と同様にして、
電子写真感光体を得た。

【０１５７】また、実施例８で使用した電荷発生材料分
散液を金属薄板に浸漬塗布し、乾燥させて得た膜厚５μ
ｍの薄膜のＸ線回折スペクトルを図１３に示した。

【０１５８】＜実施例９＞実施例８において、電荷輸送
材料として用いた例示化合物（Ｉ−５９）８部に代え
て、例示化合物（Ｉ−５９）６部及び例示化合物（II−
５）２部を用いた以外は、実施例８と同様にして、電子
写真感光体を得た。

【０１５９】＜実施例１０＞実施例８において、電荷輸
送材料として用いた例示化合物（Ｉ−５９）８部に代え
て、例示化合物（Ｉ−５９）６部及び例示化合物（III
−１５２） ２部を用いた以外は、実施例８と同様にし
て、電子写真感光体を得た。

【０１６０】＜実施例１１＞実施例８において、電荷輸
送材料として用いた例示化合物（Ｉ−５９）８部に代え
て、例示化合物（Ｉ−４１）４部及び例示化合物（III
−１３２） ４部を用いた以外は、実施例８と同様にし
て、電子写真感光体を得た。

【０１６１】＜実施例１２＞実施例８において、電荷発
生材料として用いた合成例３で得たチタニウムフタロシ
アニン化合物に代えて、合成例４で得たチタニウムフタ
ロシアニン化合物を用いた以外は、実施例８と同様にし
て、電子写真感光体を得た。

【０１６２】また、実施例１２で使用した電荷発生材料
分散液を金属薄板に浸漬塗布し、乾燥させて得た膜厚５
μｍの薄膜のＸ線回折スペクトルを図１４に示した。

【０１６３】＜実施例１３＞実施例１２において、電荷
輸送材料として用いた例示化合物（Ｉ−５９）８部に代
えて、例示化合物（Ｉ−５９）６部及び例示化合物（II
−５）２部を用いた以外は、実施例１２と同様にして、
電子写真感光体を得た。

【０１６４】＜実施例１４＞実施例１２において、電荷
輸送材料として用いた例示化合物（Ｉ−５９）８部に代
えて、例示化合物（Ｉ−５９）６部及び例示化合物（II
I−３２） ２部を用いた以外は、実施例１２と同様にし
て、電子写真感光体を得た。

【０１６５】＜実施例１５＞実施例８において、電荷発
生材料として用いた合成例３で得たチタニウムフタロシ
アニン化合物に代えて、合成例５で得たチタニウムフタ
ロシアニン化合物を用いた以外は、実施例８と同様にし
て電子写真感光体を得た。

【０１６６】また、実施例１５で使用した電荷発生材料
分散液を金属薄板に浸漬塗布し、乾燥させて得た膜厚５
μｍの薄膜のＸ線回折スペクトルを図１５に示した。

【０１６７】＜実施例１６＞実施例１５において、電荷
輸送材料として用いた例示化合物（Ｉ−５９）８部に代
えて、例示化合物（Ｉ−５９）４部及び例示化合物（II
I−５） ４部を用いた以外は、実施例１５と同様にし
て、電子写真感光体を得た。

【０１６８】＜比較例１＞実施例１において、電荷輸送
材料として用いた例示化合物（Ｉ−５９）に代えて、構
造式（XIII）

【０１６９】

【化２３】

【０１７０】で表わされる電荷輸送材料（特開昭５７−
１２５９４１号に記載）を用いた以外は、実施例１と同
様にして、電子写真感光体を得た。

【０１７１】＜比較例２＞実施例１において、電荷発生
材料として用いた合成例１で得たチタニウムフタロシア
ニン化合物に代えて、Ｘ形無金属フタロシアニンを用い
た以外は、実施例１と同様にして、電子写真感光体を得
た。

【０１７２】＜比較例３＞実施例１において、電荷輸送
材料として用いた例示化合物（Ｉ−５９）に代えて、構
造式（XIV）

【０１７３】

【化２４】

【０１７４】で表わされるモノスチリル化合物を用いた
以外は、実施例１と同様にして、電子写真感光体を得
た。

【０１７５】＜比較例４＞実施例１において、電荷輸送
材料として用いた例示化合物（Ｉ−５９）に代えて、構
造式（XV）

【０１７６】

【化２５】

【０１７７】で表わされるパラ置換ジスチリル化合物を
用いた以外は、実施例１と同様にして、電子写真感光体
を得た。

【０１７８】比較例４では、電荷輸送材料溶解液に対す
る前記構造式（XV）の電荷輸送材料の溶解度が低く、塗
膜作製時に電荷輸送材料の析出が起こり、均一な塗膜か
らなる電荷輸送層を有する電子写真感光体が得られなか
った。

【０１７９】＜比較例５＞実施例１において、電荷発生
材料として用いた合成例１で得たチタニウムフタロシア
ニン化合物に代えて、β形オキシチタニウムフタロシア
ニンを用い、電荷輸送材料として用いた例示化合物（Ｉ
−５９）８部に代えて、構造式（XVI）

【０１８０】

【化２６】

【０１８１】で表わされるジスチリル化合物（特開平６
−１１８６７４号公報の化学式ＩＡ−１７の化合物）を
用いた以外は、実施例１と同様にして、電子写真感光体
を得た。

【０１８２】（電子写真特性）実施例１〜１６及び比較
例１〜３、５で得た電子写真感光体について、静電複写
紙試験装置（川口電機製作所社製の「ＥＰＡ８１０
０」）を用いて、電子写真感光体を暗所で−６ＫＶのコ
ロナ放電により帯電し、この時の電子写真感光体の表面
電位Ｖ₀ （Ｖ）を測定した。次に、そのまま暗所で１０
秒間放置したときの電子写真感光体の表面電位Ｖ
₁₀（Ｖ）を測定した。Ｖ₀ とＶ₁₀より電子写真感光体の
表面電位の電位保持率（％）：（Ｖ₁₀／Ｖ₀ ）×１０
０）を算出した。更に、表面電位Ｖ₁₀に対して波長７８
０ｎｍ、露光エネルギー１μＷ／ｃｍ² の光で露光を行
い、表面電位がＶ₁₀の半分になるまでの時間より半減露
光量Ｅ_1/2 （μＪ／ｃｍ² ）を求めた。更にまた、露光
開始１５秒後の表面電位、すなわち残留電位Ｖ_R （Ｖ）
を測定した。

【０１８３】この表面電位の暗及び光減衰の測定結果を
表−１８に示した。また、帯電、暗所放置１秒間、露光
１秒間、３００ルクスの白色光による除電０．１秒間の
プロセスを１００回繰り返した直後の測定結果も同様に
表−１８に示した。

【０１８４】

【表３７】

【０１８５】

【表３８】

【０１８６】

【表３９】

【０１８７】

【表４０】

【０１８８】表−１８に示した結果から、本発明の電子
写真感光体は、電位保持率が高く、７８０ｎｍの長波長
光源に対して感度が高く、残留電位が低い優れた特性を
有しており、繰り返し安定性も高いことが理解できる。

【０１８９】＜実施例１７＞メタノール７部及びｎ−ブ
タノール７部から成る混合溶媒にポリアミド樹脂（東レ
社製の「アミランＣＭ−８０００」）１部を溶解した塗
料を得た。直径３０ｍｍのアルミニウム製ドラムの外周
面に、この塗料を、乾燥後の膜厚が１μｍとなるように
浸漬塗工法により塗装し、乾燥させてバリヤー層を設け
た。

【０１９０】次に、実施例１で用いた電荷発生材料分散
液を、浸漬塗工法により、上記バリヤー層の上に乾燥後
の膜厚が０．４μｍの電荷発生層を形成した。

【０１９１】この電荷発生層の上に、例示化合物（Ｉ−
５９）の電荷輸荷輸送材料８部、２，６−ジ−ｔ−ブチ
ル−ｐ−クレゾール０．２部及び前記構造式（Ｘ）で表
わされる繰り返し単位を有するポリカーボネート（三菱
瓦斯化学社製の「ユーピロンＺ２００」）１０部を、塩
化メチレン５４部及びクロロベンゼン３６部よりなる混
合液に溶解させた電荷輸送材層形成用塗料を、乾燥後の
膜厚が２０μｍとなるように浸漬塗工法により塗工し、
乾燥させて電荷輸送層を形成して、ドラム状電子写真感
光体を得た。

【０１９２】＜実施例１８＞実施例１７において、電荷
輸送材料として用いた例示化合物（Ｉ−５９）８部に代
えて、例示化合物（Ｉ−４１）６部及び例示化合物（II
−５）２部を用いた以外は、実施例１７と同様にして、
ドラム状電子写真感光体を得た。

【０１９３】＜実施例１９＞実施例１７において、電荷
輸送材料として用いた例示化合物（Ｉ−５９）８部に代
えて、例示化合物（Ｉ−５９）４部及び例示化合物（II
I−３２） ４部を用いた以外は、実施例１７と同様にし
て、ドラム状電子写真感光体を得た。

【０１９４】＜比較例６＞実施例１７において、電荷輸
送材料として用いた例示化合物（Ｉ−５９）に代えて、
構造式（XVII）

【０１９５】

【化２７】

【０１９６】で表わされる化合物を用いた以外は、実施
例１７と同様にしてドラム状電子写真感光体を得た。

【０１９７】（電位特性）実施例１７〜１９及び比較例
６で得たドラム状電子写真感光体を、表面電位計を装着
した市販のレーザープリンタ改造機に装着し、温度、湿
度の環境を変えて電位特性の評価をを行った。

【０１９８】表−１９に、評価結果を示した。表中の０
％電位、５０％電位はレーザプリンタの０％網点、５０
％網点の出力における電子写真感光体上の表面電位を表
わす。

【０１９９】

【表４１】

【０２００】表−１９に示した結果から、本発明の電子
写真感光体は、感度が高く、環境の変化による帯電電
位、露光電位が安定していることが理解できる。

【０２０１】＜実施例２０＞実施例１７において、実施
例１で使用した電荷発生材料分散液に代えて、実施例１
２で使用した電荷発生材料分散液を用い、前記構造式
（Ｘ）の繰り返し単位を有するポリカーボネート（三菱
瓦斯化学社製の「ユーピロンＺ２００」）１０部に代え
て、 前記構造式（XII） で表わされる繰り返し単位と
前記構造式（XI）で表わされる繰り返し単位を８６対１
４の比率で有する共重合ポリカーボネートを用いた以外
は、実施例１７と同様にして、ドラム状電子写真感光体
を得た。

【０２０２】＜実施例２１＞実施例１８において、電荷
輸送材料として用いた例示化合物（Ｉ−５９）８部に代
えて、例示化合物（Ｉ−５９）６部及び例示化合物（II
−５）２部を用いた以外は、実施例１８と同様にして、
ドラム状電子写真感光体を得た。

【０２０３】＜実施例２２＞実施例１８において、電荷
輸送材料として用いた例示化合物（Ｉ−５９）８部に代
えて、例示化合物（Ｉ−５９）５部及び例示化合物（II
I−３２） ３部を用いた以外は、実施例１８と同様にし
て、ドラム状電子写真感光体を得た。

【０２０４】＜比較例７＞実施例１８において、電荷輸
送材料として用いた例示化合物（Ｉ−５９）８部に代え
て、前記構造式（XV）で表わされる化合物５部を用いた
以外は、実施例１８と同様にして、ドラム状電子写真感
光体を得た。

【０２０５】（画像特性）実施例２０〜２２及び比較例
７で得たドラム状電子写真感光体を、市販のレーザープ
リンタ（商品名「ＬａｓｅｒＪｅｔ ４」ヒューレット
パッカード社製）に装着し、トナーを補給しながら連続
印刷を行い、画像状態の評価を行った。表−２０に、初
期及び１万枚の印字試験後の評価結果をまとめて示し
た。

【０２０６】

【表４２】

【０２０７】表−２０に示した結果から、本発明の電子
写真感光体は、半導体レーザを光源として用いた電子写
真式プリンタにおいて、安定した高品質な画像が得られ
ることが理解できる。

【０２０８】

【発明の効果】本発明の電子写真感光体は、７００ｎｍ
付近の長波長光源に高い感度を有し、更に、高い電位安
定性を保っており、実用上極めて有効である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係わる電子写真感光体の層構成の一例
を示す模式断面図である。

【図２】本発明に係わる電子写真感光体の層構成の一例
を示す模式断面図である。

【図３】本発明に係わる電子写真感光体の層構成の一例
を示す模式断面図である。

【図４】合成例１で得たチタニウムフタロシアニン化合
物のＣｕ−Ｋα線による粉末Ｘ線回折スペクトル図であ
る。

【図５】合成例２で得たチタニウムフタロシアニン化合
物のＣｕ−Ｋα線による粉末Ｘ線回折スペクトル図であ
る。

【図６】合成例３で得たチタニウムフタロシアニン化合
物のＣｕ−Ｋα線による粉末Ｘ線回折スペクトル図であ
る。

【図７】合成例４で得たチタニウムフタロシアニン化合
物のＣｕ−Ｋα線による粉末Ｘ線回折スペクトル図であ
る。

【図８】合成例５で得たオキシチタニウムフタロシアニ
ン化合物のＣｕ−Ｋα線による粉末Ｘ線回折スペクトル
図である。

【図９】合成例７で得た例示化合物（Ｉ−５９）の赤外
スペクトル図である。

【図１０】合成例７で得た例示化合物（Ｉ−５９）の ¹
Ｈ−ＮＭＲスペクトル図である。

【図１１】実施例１で作製したチタニウムフタロシアニ
ン化合物を含有する電荷発生材料分散液を金属薄板に浸
漬塗布して得た薄膜のＣｕ−Ｋα線によるＸ線回折スペ
クトル図である。

【図１２】実施例６で作製したチタニウムフタロシアニ
ン化合物を含有する電荷発生材料分散液を金属薄板に浸
漬塗布して得た薄膜のＣｕ−Ｋα線によるＸ線回折スペ
クトル図である。

【図１３】実施例８で作製したチタニウムフタロシアニ
ン化合物を含有する電荷発生材料分散液を金属薄板に浸
漬塗布して得た薄膜のＣｕ−Ｋα線によるＸ線回折スペ
クトル図である。

【図１４】実施例１２で作製したチタニウムフタロシア
ニン化合物を含有する電荷発生材料分散液を金属薄板に
浸漬塗布して得た薄膜のＣｕ−Ｋα線によるＸ線回折ス
ペクトル図である。

【図１５】実施例１５で作製したチタニウムフタロシア
ニン化合物を含有する電荷発生材料分散液を金属薄板に
浸漬塗布して得た薄膜のＣｕ−Ｋα線によるＸ線回折ス
ペクトル図である。

【符号の説明】

１ 導電性支持体 ２ 電荷担体発生層 ３ 電荷輸送層 ４ａ 光導電層 ４ｂ 光導電層 ４ｃ 光導電層 ５ 電荷担体発生材料 ６ 電荷移動媒体 ７ 電子写真感光体

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 導電性支持体上に電荷発生材料及び電荷
   輸送材料を含有する光導電層を有する電子写真感光体に
   おいて、 電荷発生材料がＣｕ−Ｋαに対するＸ線回折スペクトル
   においてブラッグ角（２θ±０．２゜）の少なくとも
   ７．５゜、８．３゜、９．５゜及び２７．２゜のいずれ
   かに主たるピークを有するチタニウムフタロシアニン化
   合物を含有し、 電荷輸送材料が一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ｒ¹ 、Ｒ² 、Ｒ³ 、Ｒ⁴ 、Ｒ⁵ 及びＲ⁶ は、各
   々独立的に水素原子、置換基を有していてもよいアルキ
   ル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基又はハロ
   ゲン原子を表わし、Ａｒ¹ 、Ａｒ² 、Ａｒ³ 及びＡｒ⁴
   は置換基を有していてもよいフェニル基を表わす。）で
   表わされるジスチリル化合物を含有することを特徴とす
   る電子写真感光体。
2. 【請求項２】 電荷発生材料が、Ｃｕ−Ｋαに対するＸ
   線回折スペクトルがブラッグ角（２θ±０．２゜）にお
   いて、７．５゜に主たるピークを有するチタニウムフタ
   ロシアニン化合物である請求項１記載の電子写真感光
   体。
3. 【請求項３】 電荷発生材料がＣｕ−Ｋαに対するＸ線
   回折スペクトルがブラッグ角（２θ±０．２゜）におい
   て、８．３゜に主たるピークを有するチタニウムフタロ
   シアニン化合物である請求項１記載の電子写真感光体。
4. 【請求項４】 電荷発生材料がＣｕ−Ｋαに対するＸ線
   回折スペクトルにおいて、ブラッグ角（２θ±０．２
   ゜）の９．５゜に主たるピークを有するチタニウムフタ
   ロシアニン化合物である請求項１記載の電子写真感光
   体。
5. 【請求項５】 電荷発生材料がＣｕ−Ｋαに対するＸ線
   回折スペクトルにおいて、ブラッグ角（２θ±０．２
   ゜）の２７．２゜に主たるピークを有するチタニウムフ
   タロシアニン化合物である請求項１記載の電子写真感光
   体。
6. 【請求項６】 光導電層がＣｕ−Ｋαに対するＸ線回折
   スペクトルにおいてブラッグ角（２θ±０．２゜）の少
   なくとも７．５゜、８．３゜、９．５゜及び２７．２゜
   のいずかに主たるピークを有することを特徴とする請求
   項１記載の電子写真感光体。
7. 【請求項７】 光導電層がＣｕ−Ｋαに対するＸ線回折
   スペクトルにおいてブラッグ角（２θ±０．２゜）の
   ７．５゜に主たるピークを有する請求項２又は６記載の
   電子写真感光体。
8. 【請求項８】 光導電層がＣｕ−Ｋαに対するＸ線回折
   スペクトルにおいて、ブラッグ角（２θ±０．２゜）の
   ８．３゜に主たるピークを有する請求項３、４又は６記
   載の電子写真感光体。
9. 【請求項９】 光導電層がＣｕ−Ｋαに対するＸ線回折
   スペクトルにおいて、ブラッグ角（２θ±０．２゜）の
   ９．５゜に主たるピークを有する請求項４、又は６記載
   の電子写真感光体。
10. 【請求項１０】 光導電層がＣｕ−Ｋαに対するＸ線回
    折スペクトルにおいて、ブラッグ角（２θ±０．２゜）
    の２７．２゜に主たるピークを有する請求項５又は６記
    載の電子写真感光体。
11. 【請求項１１】 電荷輸送材料として更に（１）一般式
    （II） 【化２】 （式中、Ａｒ⁵ 及びＡｒ⁶ は、各々独立的に置換基を有
    していてもよいフェニル基を表わす。）で表わされる化
    合物又は（２）一般式（III） 【化３】 （式中、Ｒ⁷ 、Ｒ⁸ 及びＲ⁹ は、各々独立的に水素原
    子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有
    していてもよいアルコキシ基又はハロゲン原子を表わ
    し、Ｒ¹⁰及びＲ¹²は、各々独立的に置換基を有していて
    もよいアルキル基、Ｒ ¹¹及びＲ¹³は、各々独立的に置換
    基を有していてもよいアルキル基又は置換基を有してい
    てもよいフェニル基を表わし、ｎは１から４の整数を表
    わす。）で表わされる化合物を含有することを特徴とす
    る請求項１、２、３、４、５、６、７、８、９又は１０
    記載の電子写真感光体。