JPH11144864A

JPH11144864A - 有機電界発光素子及びその製造方法

Info

Publication number: JPH11144864A
Application number: JP9311803A
Authority: JP
Inventors: Yoshiharu Sato; 佳晴佐藤
Original assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Current assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Priority date: 1997-11-13
Filing date: 1997-11-13
Publication date: 1999-05-28

Abstract

(57)【要約】【課題】長期間に亘って安定な発光特性を維持でき、
ダークスポットの発生を防止することのできる有機電界
発光素子の提供。【解決手段】絶縁性基板と、該基板上に形成された陽
極、有機発光層及び陰極からなる発光部と、該発光部を
覆う外気遮蔽板とを有し、かつ、基板と外気遮蔽板との
間隙に発光部を囲繞するように樹脂層を形成して発光部
を封止すると共に該樹脂層の外側表面にシリコンの酸化
物、窒化物及び／又は酸化窒化物を主成分とするガスバ
リア膜を形成してなることを特徴とする有機電界発光素
子。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は有機電界発光素子及
びその製造方法に関するものであり、詳しくは、有機化
合物から成る発光層に電界をかけて光を放出する薄膜型
デバイスの封止方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、薄膜型の電界発光（ＥＬ）素子と
しては、無機材料のII−VI族化合物半導体であるＺｎ
Ｓ、ＣａＳ、ＳｒＳ等に、発光中心であるＭｎや希土類
元素（Ｅｕ、Ｃｅ、Ｔｂ、Ｓｍ等）をドープしたものが
一般的であるが、上記の無機材料から作製したＥＬ素子
は、１）交流電源駆動が必要（５０〜１０００Ｈｚ）、２）駆動電圧が高い（〜２００Ｖ）、３）フルカラー化が困難（特に青色）、４）周辺駆動回路のコストが高い、という問題点を有している。

【０００３】近年、上記問題点の改良のため、有機薄膜
を用いたＥＬ素子の開発が行われるようになった。特
に、発光効率を高めるため、電極からのキャリアー注入
の効率向上を目的として電極の種類の最適化を行い、芳
香族ジアミンから成る正孔輸送層と８−ヒドロキシキノ
リンのアルミニウム錯体から成る発光層とを設けた有機
電界発光素子の開発（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔ
ｔ．，５１巻，９１３頁，１９８７年）により、従来の
アントラセン等の単結晶を用いたＥＬ素子と比較して発
光効率の大幅な改善がなされ、実用特性に近づいてい
る。

【０００４】上記の様な低分子材料を用いた電界発光素
子の他にも、発光層の材料として、ポリ（ｐ−フェニレ
ンビニレン）（Ｎａｔｕｒｅ，３４７巻，５３９頁，１
９９０年他）、ポリ［２−メトキシ−５−（２−エチル
ヘキシルオキシ）−１，４−フェニレンビニレン］（Ａ
ｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，５８巻，１９８２頁，
１９９１年他）、ポリ（３−アルキルチオフェン）（Ｊ
ｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，３０巻，Ｌ１９３８
頁，１９９１年他）等の高分子材料を用いた電界発光素
子の開発や、ポリビニルカルバゾール等の高分子に低分
子の発光材料と電子移動材料を混合した素子（応用物
理，６１巻，１０４４頁，１９９２年）の開発も行われ
ている。

【０００５】このような有機電界発光素子においては、
通常、陽極としてはインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）のよ
うな透明電極が用いられ、陰極としては電子注入を効率
よく行うために、マグネシウム、銀合金、アルミニウ
ム、リチウム合金、カルシウム等の仕事関数の低い金属
電極が用いられている。しかし、これらの陰極材料は大
気中の水分や酸素により容易に酸化し、その結果、陰極
が有機層から剥離し一般にダークスポット（素子の発光
面において発光しない部分をさす）と呼ばれる欠陥が発
生する。この有機電界発光素子内のダークスポットの数
や大きさは、長期間の素子の保存または駆動の際に増加
し、そのために素子の不安定性をもたらし寿命を短いも
のとしている。従って、有機電界発光素子の安定性を向
上させ信頼性を高めるためには、素子を大気中の水分や
酸素から保護するための封止が必要不可欠となってい
る。

【０００６】有機電界発光素子の封止方法として、アク
リル樹脂でモールドする方法（特開平３−３７９９１号
公報）、気密ケース内にＰ₂Ｏ₅とともに入れて外気か
ら遮断する方法（特開平３−２６１０９１号公報）、金
属の酸化物等の保護膜を設けた後にガラス板等を用いて
気密にする方法（特開平４−２１２２８４号公報）、素
子上にプラズマ重合膜及び光硬化型樹脂層を設ける方法
（特開平４−２６７０９７号公報）、フッ素化炭素から
なる不活性液体中に保持する方法（特開平４−３６３８
９０号公報他）、高分子保護膜を設けた後シリコーンオ
イル中に保持する方法（特開平５−３６４７５号公
報）、無機酸化物等の保護膜の上にポリビニルアルコー
ルを塗布したガラス板をエポキシ樹脂で接着する方法
（特開平５−８９９５９号公報）、流動パラフィンやシ
リコーンオイル中に封じ込める方法（特開平５−１２９
０８０号公報）、耐湿性光硬化性樹脂層を用いてＳｉＯ
₂層を介して素子上に透水性が小さい基板を接着する方
法（特開平５−１８２７５９号公報）等が開示されてい
る。

【０００７】しかしながら、従来の有機電界発光素子の
封止方法はいずれも満足できるものではなかった。例え
ば、吸湿剤とともに気密構造に素子を封じ込めただけの
方法はダークスポットの抑制が不十分である。また、フ
ッ素化炭素やシリコーンオイル中に保持する方法は、液
体を注入する工程を含むことにより封止工程が煩雑にな
るだけではなく、ダークスポットの増加も完全には防げ
ず、むしろ液体が陰極と有機層の界面に侵入して陰極の
剥離を促進する問題もある。紫外線硬化樹脂で直接素子
を接着封止する方法は、接着剤に含まれる溶剤による素
子のダメージや紫外線によるダメージがあり、硬化時の
応力歪によって陰極が有機層から剥離する等が起こり実
用的ではない。光硬化性や熱硬化性のエポキシ樹脂を素
子の外周部に塗布し背面ガラス基板等を用いる封止方法
では、硬化後の樹脂自体の透湿度（ＪＩＳＺ０２０
８）が１０［ｇ／ｍ²／２４時間］程度であり、大気中
の水分に極めて敏感な有機電界発光素子の封止用接着剤
としては不十分なのが現状である。有機電界発光素子の
ダークスポットによる劣化が改善されず発光特性が不安
定なことは、ファクシミリ、複写機、液晶ディスプレイ
のバックライト等の光源としては大きな問題であり、フ
ラットパネル・ディスプレイ等の表示素子としても望ま
しくない特性である。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記実状に
鑑み、ダークスポットの発生を防止し、長期に亘って優
れた発光特性を維持することの可能な有機電界発光素子
を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は、かかる目的達
成のために鋭意検討した結果、素子の外周部に樹脂層を
設けて素子を支持する絶縁性基板と対向して外気遮蔽材
を接着した後、この樹脂層の大気側表面に、シリコンの
酸化膜、窒化膜または酸化窒化膜から成るガスバリア膜
で被覆することにより上記課題を解決することができる
ことを見い出し、本発明を完成するに至った。

【００１０】即ち、本発明は、絶縁性基板と、該基板上
に形成された陽極、有機発光層及び陰極を有する発光部
と、該発光部を覆う外気遮蔽板とを有し、かつ、基板と
外気遮蔽板との間隙に発光部を囲繞するように樹脂層を
形成して発光部を封止すると共に該樹脂層の外側表面に
シリコンの酸化物、窒化物及び／又は酸化窒化物を主成
分とするガスバリア膜を形成してなることを特徴とする
有機電界発光素子を提供するものである。

【００１１】

【発明の実施の形態】図４は本発明に用いられる一般的
な有機電界発光素子の発光部の構造例を模式的に示す断
面図であり、図４（Ａ）においては、基板１の上に、陽
極２が形成され、その上に有機発光層３と陰極４が積層
されて発光部５が形成されている。基板１は有機電界発
光素子の支持体となるものであり、石英やガラスの板、
金属板や金属箔、プラスチックフィルムやシートなどが
用いられる。特にガラス板や、ポリエステル、ポリメタ
クリレート、ポリカーボネート、ポリスルホンなどの透
明な合成樹脂の板が好ましい。合成樹脂基板を使用する
場合にはガスバリア性に留意する必要があり、基板のガ
スバリア性が小さすぎると、基板を通過した外気により
有機電界発光素子が劣化することがあるので好ましくな
い。このため、合成樹脂基板の少なくとも片面に緻密な
シリコン酸化膜等を設けてガスバリア性を確保する方法
も好ましい方法の一つである。

【００１２】基板１上には陽極２が設けられるが、陽極
２は有機発光層３への正孔注入の役割を果たすものであ
る。この陽極２は、通常、アルミニウム、金、銀、ニッ
ケル、パラジウム、白金等の金属、インジウム及び／又
はスズの酸化物などの金属酸化物、ヨウ化銅などのハロ
ゲン化金属、カーボンブラック、あるいは、ポリ（３−
メチルチオフェン）、ポリピロール、ポリアニリン等の
導電性高分子などによって構成される。陽極２の形成は
通常、スパッタリング法、真空蒸着法などにより行われ
る。また、銀などの金属微粒子、ヨウ化銅などの微粒
子、カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒子、導
電性高分子微粉末などの場合には、適当なバインダー樹
脂溶液に分散し、基板１上に塗布することにより陽極２
を形成することもできる。

【００１３】さらに、導電性高分子の場合は電解重合に
より直接基板１上に薄膜を形成したり、基板１上に導電
性高分子を塗布して陽極２を形成することもできる。陽
極２は異なる物質を積層して形成することも可能であ
る。陽極２の厚みは、必要とする透明性により異なる。
透明性が必要とされる場合は、可視光の透過率を、通
常、６０％以上、好ましくは８０％以上とすることが望
ましく、この場合、厚みは、通常、５〜１０００ｎｍ、
好ましくは１０〜５００ｎｍ程度である。不透明でよい
場合は陽極２は基板１と同一肉厚でもよい。

【００１４】陽極２の上に形成された有機発光層３は、
電界を与えられた電極間において、陽極２から注入され
た正孔と陰極４から注入された電子を効率よく輸送して
再結合させ、かつ、再結合により効率よく発光する材料
から形成される。また、この有機発光層３は発光効率の
向上のために、図４（Ｂ）に示す様に、正孔輸送層３ｂ
と電子輸送層３ｃに分割して機能分離型にすることがで
きる。

【００１５】上記の機能分離型素子において、正孔輸送
層３ｂの材料としては、陽極２からの正孔注入効率が高
く、かつ、注入された正孔を効率よく輸送することがで
きる材料であることが望ましい。そのためには、イオン
化ポテンシャルが小さく、しかも正孔移動度が大きく、
さらに安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時や
使用時に発生しにくいものが好ましい。

【００１６】このような正孔輸送材料としては、例え
ば、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニ
ル）シクロヘキサン等の３級芳香族アミンユニットを連
結した芳香族ジアミン化合物（特開昭５９−１９４３９
３号公報）、４，４' −ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−
Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニルで代表される２個以上
の３級アミンを含み２個以上の縮合芳香族環が窒素原子
に置換した芳香族アミン（特開平５−２３４６８１号公
報）、トリフェニルベンゼンの誘導体でスターバースト
構造を有する芳香族トリアミン（米国特許第４，９２
３，７７４号）、Ｎ，Ｎ' −ジフェニル−Ｎ，Ｎ' −ビ
ス（３−メチルフェニル）ビフェニル−４−４' −ジア
ミン等の芳香族ジアミン（米国特許第４，７６４，６２
５号）、分子全体として立体的に非対称なトリフェニル
アミン誘導体（特開平４−１２９２７１号公報）、ピレ
ニル基に芳香族ジアミノ基が複数個置換した化合物（特
開平４−１７５３９５号公報）、エチレン基で３級芳香
族アミンユニットを連結した芳香族ジアミン（特開平４
−２６４１８９号公報）、スチリル構造を有する芳香族
ジアミン（特開平４−２９０８５１号公報）、チオフェ
ン基で芳香族３級アミンユニットを連結したもの（特開
平４−３０４４６６号公報）、スターバースト型芳香族
トリアミン（特開平４−３０８６８８号公報）、ベンジ
ルフェニル化合物（特開平４−３６４１５３号公報）、
フルオレン基で３級アミンを連結したもの（特開平５−
２５４７３号公報）、トリアミン化合物（特開平５−２
３９４５５号公報）、ビスジピリジルアミノビフェニル
（特開平５−３２０６３４号公報）、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ
フェニルアミン誘導体（特開平６−１９７２号公報）フ
ェノキサジン構造を有する芳香族ジアミン（特開平７−
１３８５６２号公報）、ジアミノフェニルフェナントリ
ジン誘導体（特開平７−２５２４７４号公報）、シラザ
ン化合物（米国特許第４，９５０，９５０号公報）、シ
ラナミン誘導体（特開平６−４９０７９号公報）、ホス
ファミン誘導体（特開平６−２５６５９号公報）等が挙
げられる。これらの化合物は、単独で用いてもよいし、
必要に応じて、各々、混合して用いてもよい。

【００１７】上記の化合物以外に、正孔輸送層３ｂの材
料として、ポリビニルカルバゾールやポリシラン（Ａｐ
ｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，５９巻，２７６０頁，１
９９１年）、ポリフォスファゼン（特開平５−３１０９
４９号公報）、ポリアミド（特開平５−３１０９４９号
公報）、ポリビニルトリフェニルアミン（特開平７−５
３９５３号公報）、トリフェニルアミン骨格を有する高
分子（特開平４−１３３０６５号公報）、トリフェニル
アミン単位をメチレン基等で連結した高分子（Ｓｙｎｔ
ｈｅｔｉｃＭｅｔａｌｓ，５５−５７巻，４１６３
頁，１９９３年）、芳香族アミンを含有するポリメタク
リレート（Ｊ．Ｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．，Ｐｏｌｙｍ．Ｃ
ｈｅｍ．Ｅｄ．，２１巻，９６９頁，１９８３年）等の
高分子材料が挙げられる。

【００１８】上記の正孔輸送材料を塗布法あるいは真空
蒸着法により前記陽極２上に積層することにより正孔輸
送層３ｂを形成する。塗布法の場合は、正孔輸送材料を
１種または２種以上と、必要により正孔のトラップにな
らないバインダー樹脂や塗布性改良剤などの添加剤とを
添加し、溶解して塗布溶液を調製し、スピンコート法な
どの方法により陽極２上に塗布し、乾燥して正孔輸送層
３ｂを形成する。バインダー樹脂としては、ポリカーボ
ネート、ポリアリレート、ポリエステル等が挙げられ
る。バインダー樹脂は添加量が多いと正孔移動度を低下
させるので、少ない方が望ましく、通常、５０重量％以
下が好ましい。

【００１９】真空蒸着法の場合には、正孔輸送材料を真
空容器内に設置されたルツボに入れ、真空容器内を適当
なポンプで１０^-4Ｐａ程度にまで排気した後、ルツボを
加熱して、正孔輸送材料を蒸発させ、ルツボと向き合っ
て置かれた基板１上の陽極２上に正孔輸送層３ｂを形成
させる。正孔輸送層３ｂの膜厚は、通常、１０〜３００
ｎｍ、好ましくは３０〜１００ｎｍである。この様に薄
い膜を一様に形成するためには、一般に真空蒸着法が望
ましい。

【００２０】また、正孔注入の効率をさらに向上させ、
かつ、有機層全体の陽極への付着力を改善させるため
に、図４（Ｃ）に示すように、正孔輸送層３ｂと陽極２
との間に陽極バッファ層３ａを挿入することもできる。
陽極バッファ層３ａを挿入することで、初期の素子の駆
動電圧が下がると同時に、素子を定電流で連続駆動した
時の電圧上昇も抑制される効果がある。陽極バッファ層
に用いられる材料としては、陽極とのコンタクトがよく
均一な薄膜が形成でき、熱的に安定、すなわち、融点及
びガラス転移温度が高く、融点としては３００℃以上、
ガラス転移温度としては１００℃以上のものが望まし
い。さらに、イオン化ポテンシャルが低く陽極からの正
孔注入が容易なこと、正孔移動度が大きいことが挙げら
れる。

【００２１】この目的のために、ポルフィリン誘導体や
フタロシアニン化合物（特開昭６３−２９５６９５号公
報）、スターバスト型芳香族トリアミン（特開平４−３
０８６８８号公報）、ヒドラゾン化合物（特開平４−３
２０４８３号公報）、アルコキシ置換の芳香族ジアミン
誘導体（特開平４−２２０９９５号公報）、ｐ−（９−
アントリル）−Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリルアニリン（特開
平３−１１１４８５号公報）、ポリチエニレンビニレン
やポリ−ｐ−フェニレンビニレン（特開平４−１４５１
９２号公報）、ポリアニン（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅ
ｔｔ．，６４巻，１２４５頁，１９９４年参照）等の有
機化合物や、スパッタ・カーボン膜（特開平８−３１５
７３号公報）や、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化
物、モリブデン酸化物等の金属酸化物（第４３回応用物
理学関係連合講演会，２７ａ−ＳＹ−９，１９９６年）
を用いることができる。

【００２２】上記陽極バッファ層材料としてよく使用さ
れる化合物としては、ポルフィリン化合物またはフタロ
シアニン化合物が挙げられる。これらの化合物は中心金
属を有していてもよいし、無金属のものでもよい。好ま
しいこれらの化合物の具体例として、以下の化合物が挙
げられる：ポルフィン５，１０，１５，２０−テトラフェニル−２１Ｈ，２３
Ｈ−ポルフィン５，１０，１５，２０−テトラフェニル−２１Ｈ，２３
Ｈ−ポルフィンコバルト（II) ５，１０，１５，２０−テトラフェニル−２１Ｈ，２３
Ｈ−ポルフィン銅（II) ５，１０，１５，２０−テトラフェニル−２１Ｈ，２３
Ｈ−ポルフィン亜鉛（II) ５，１０，１５，２０−テトラフェニル−２１Ｈ，２３
Ｈ−ポルフィンバナジウム（IV) オキシド５，１０，１５，２０−テトラ（４−ピリジル）−２１
Ｈ，２３Ｈ−ポルフィン２９Ｈ，３１Ｈ−フタロシアニン銅（II）フタロシアニン亜鉛（II）フタロシアニンチタンフタロシアニンオキシドマグネシウムフタロシアニン鉛フタロシアニン銅（II）４，４' ，４'', ４''' −テトラアザ−２９
Ｈ，３１Ｈ−フタロシアニン陽極バッファ層３ａの場合も、正孔輸送層３ｂと同様に
して薄膜形成可能であるが、無機物の場合には、さら
に、スパッタ法や電子ビーム蒸着法、プラズマＣＶＤ法
が用いられる。

【００２３】以上の様にして形成される陽極バッファ層
３ａの膜厚は、通常、３〜１００ｎｍ、好ましくは１０
〜５０ｎｍである。正孔輸送層３ｂの上には電子輸送層
３ｃが設けられる。電子輸送層３ｃは、電界を与えられ
た電極間において陰極からの電子を効率よく正孔輸送層
３ｂの方向に輸送することができる化合物により形成さ
れる。

【００２４】電子輸送層３ｃに用いられる電子輸送性化
合物としては、陰極４からの電子注入効率が高く、か
つ、注入された電子を効率よく輸送することができる化
合物であることが望ましい。そのためには、電子親和力
が大きく、しかも電子移動度が大きく、さらに安定性に
優れトラップとなる不純物が製造時や使用時に発生しに
くい化合物であることが好ましい。

【００２５】このような条件を満たす材料としては、８
−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯
体（特開昭５９−１９４３９３号公報）、１０−ヒドロ
キシベンゾ［ｈ］キノリンの金属錯体（特開平６−３２
２３６２号公報）、ビススチリルベンゼン誘導体（特開
平１−２４５０８７号公報、同２−２２２４８４号公
報）、希土類錯体（特開平１−２５６５８４号公報）、
ジスチリルピラジン誘導体（特開平２−２５２７９３号
公報）、ｐ−フェニレン化合物（特開平３−３３１８３
号公報）、チアジアゾロピリジン誘導体（特開平３−３
７２９２号公報）、ピロロピリジン誘導体（特開平３−
３７２９３号公報）、ナフチリジン誘導体（特開平３−
２０３９８２号公報）、シロール誘導体（日本化学会第
７０春季年会，２Ｄ１０２及び２Ｄ１０３，１９９
６年）などが挙げられる。

【００２６】これらの化合物を用いた電子輸送層３ｃ
は、一般に、電子を輸送する役割と、正孔と電子の再結
合の際に発光をもたらす役割を同時に果たすことができ
る。正孔輸送層３ｂが発光機能を有する場合は、電子輸
送層３ｃは電子を輸送する役割だけを果たす場合もあ
る。素子の発光効率を向上させるとともに発光色を変え
る目的で、例えば、８−ヒドロキシキノリンのアルミニ
ウム錯体をホスト材料として、クマリン等のレーザ用蛍
光色素をドープすることができる。この方法の利点とし
て、１）高効率の蛍光色素により発光効率が向上、２）蛍光色素の選択により発光波長が可変、３）濃度消光を起こす蛍光色素も使用可能、４）薄膜性のわるい蛍光色素も使用可能、等が挙げられる。

【００２７】素子の駆動寿命を改善する目的において
も、前記電子輸送層材料をホスト材料として、蛍光色素
をドープすることは有効である。例えば、８−ヒドロキ
シキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体をホスト
材料として、ルブレンに代表されるナフタセン誘導体
（特開平４−３３５０８７号公報）、キナクリドン誘導
体（特開平５−７０７７３号公報）、ペリレン等の縮合
多環芳香族環（特開平５−１９８３７７号公報）を、ホ
スト材料に対して０．１〜１０重量％ドープすることに
より、素子の発光特性、特に駆動安定性を大きく向上さ
せることができる。

【００２８】電子輸送層３ｃの膜厚は、通常、１０〜２
００ｎｍ、好ましくは３０〜１００ｎｍである。電子輸
送層３ｃも正孔輸送層３ｂと同様の方法で形成すること
ができるが、通常は真空蒸着法が用いられる。図４
（Ａ）のように機能分離を行わない単層型の有機発光層
３としては、先に挙げたポリ（ｐ−フェニレンビニレ
ン）（Ｎａｔｕｒｅ，３４７巻，５３９頁，１９９０年
他）、ポリ［２−メトキシ−５−（２−エチルヘキシル
オキシ）−１，４−フェニレンビニレン］（Ａｐｐｌ．
Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，５８巻，１９８２頁，１９９１
年他）、ポリ（３−アルキルチオフェン）（Ｊｐｎ．
Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，３０巻，Ｌ１９３８頁，１
９９１年他）等の高分子材料や、ポリビニルカルバゾー
ル等の高分子に発光材料と電子移動材料を混合した系
（応用物理，６１巻，１０４４頁，１９９２年）等が挙
げられる。

【００２９】有機電界発光素子の発光効率をさらに向上
させる方法として、有機発光層３の上にさらに電子注入
層（図示せず）を積層することもできる。この電子注入
層に用いられる化合物には、陰極からの電子注入が容易
で、電子の輸送能力がさらに大きいことが要求される。
この様な電子輸送材料としては、既に発光層材料として
挙げた８−ヒドロキシキノリンのアルミ錯体、オキサジ
アゾール誘導体（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，５
５巻，１４８９頁，１９８９年他）やそれらをポリメタ
クリル酸メチル（ＰＭＭＡ）等の樹脂に分散した系（Ａ
ｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，６１巻，２７９３頁，
１９９２年）、フェナントロリン誘導体（特開平５−３
３１４５９号公報）、２−ｔ−ブチル−９，１０−Ｎ，
Ｎ' −ジシアノアントラキノンジイミン（Ｐｈｙｓ．Ｓ
ｔａｔ．Ｓｏｌ．（ａ），１４２巻，４８９頁，１９９
４年）、ｎ型水素化非晶質炭化シリコン、ｎ型硫化亜
鉛、ｎ型セレン化亜鉛等が挙げられる。電子注入層の膜
厚は、通常、５〜２００ｎｍ、好ましくは１０〜１００
ｎｍである。

【００３０】陰極４は、有機発光層３に電子を注入する
役割を果たす。陰極４として用いられる材料は、前記陽
極２に使用される材料を用いることが可能であるが、効
率よく電子注入を行うには、仕事関数の低い金属が好ま
しく、スズ、マグネシウム、インジウム、カルシウム、
アルミニウム、銀等の適当な金属またはそれらの合金が
用いられる。

【００３１】具体例としては、マグネシウム−銀合金、
マグネシウム−インジウム合金、アルミニウム−リチウ
ム合金等の低仕事関数合金電極が挙げられる。さらに、
陰極４と有機発光層３または電子輸送層３ｃの界面にＬ
ｉＦ、Ｌｉ₂Ｏ等の極薄膜（０．１〜５ｎｍ）を挿入す
ることも、素子の効率を向上させる有効な方法である。
陰極４の膜厚は通常、陽極２と同様である。低仕事関数
金属から成る陰極を保護する目的で、この上にさらに、
仕事関数が高く大気に対して安定な金属層を積層するこ
とは素子の安定性を増す。この目的のために、アルミニ
ウム、銀、ニッケル、クロム、金、白金等の金属が使わ
れる。

【００３２】尚、図４（Ａ）とは逆の構造、すなわち、
基板上に陰極４、有機発光層３、陽極２の順に積層する
ことも可能であり、既述したように少なくとも一方が透
明性の高い２枚の基板の間に本発明の有機電界発光素子
を設けることも可能である。同様に図４（Ｂ）及び図４
（Ｃ）に示した前記各層構成とは逆の構造に積層するこ
とも可能である。有機電界発光素子の安定性及び信頼性
を向上させるために素子全体を封止する必要がある。以
下に、本発明の封止方法を図３の構造例を用いて説明す
る。

【００３３】有機電界発光素子の陰極は低仕事関数であ
るために、特に湿気により酸化され、酸化部分が高抵抗
化したり有機層から剥離するために、ダークスポットを
発生させやすい。従って、ダークスポットを抑制するた
めには、先ず、発光部５を外気からの水分を遮断した気
密な構造中に素子を置かなければならない。発光部５を
気密構造中に封止する具体的な方法として、発光部５を
支持する絶縁性基板１と対向して、ガスバリア性のある
板状もしくはシート状の外気遮蔽板６を被せると共に樹
脂７を発光部５の周囲を囲繞するように塗布して、貼り
合わせて封止する。外気遮蔽板６としては、絶縁性基板
１として既に挙げたものを使用することができ、石英や
ガラスの板、金属板や金属箔、プラスチックフィルムや
シートなどが用いられる。

【００３４】特にガラス板や、ポリエステル、ポリメタ
クリレート、ポリカーボネート、ポリスルホンなどの透
明な合成樹脂の板が好ましい。合成樹脂基板を使用する
場合にはガスバリア性に留意する必要があり、合成樹脂
基板の少なくとも片面に緻密なシリコン酸化膜等を設け
てガスバリア性を確保することが望ましい。絶縁性基板
１と外気遮蔽板６を接着するのに、樹脂層７が用いられ
る。樹脂層７に使用される材料としては、ガスバリア性
を考慮するとエポキシ系樹脂が好ましい。エポキシ系樹
脂としては、光硬化型と熱硬化型のものが挙げられる。
光硬化型エポキシ樹脂としては、スリーボンド（株）製
３０Ｙ−１８４Ｇ、長瀬チバ（株）製ＸＮＲ５４９３Ｔ
等が挙げられる。熱硬化型エポキシ樹脂としては、長瀬
チバ（株）製ＸＮＲ５１５５等が挙げられる。この他
に、室温硬化型のチバガイギー（株）製アラルダイトや
変性エポキシ弾性接着剤、例えば、セメダイン（株）製
ＥＰ−００１、コニシ（株）製ＭＯＳ７や真空用接着剤
であるＶａｒｉａｎ社製ＴｏｒｒＳｅａｌ等が挙げら
れる。

【００３５】しかしながら、上記樹脂層の透湿度は高々
１０［ｇ／ｍ²／２４時間］（ＪＩＳＺ０２０８）程
度であり、実用上、不十分である。従って、外気の水分
を遮断する図３に示した樹脂層７だけではガスバリア性
が不足する。本発明では、上記の点に鑑みて、図１に示
すように、樹脂層７の外側にガスバリア性に優れたガス
バリア膜８を設けることが、外気の水分を遮断するのに
効果的なことを見いだした。図１を上部（外気遮蔽板）
側からみたものを図２に示す。９は樹脂層７が発光体５
の外周部に設けてある部分を示し、その外側にガスバリ
ア膜８が設けてある。２ａは陽極の取り出し電極部分を
示し、４ａは陰極の取り出し電極部分を示す。ガスバリ
ア膜８はこれらの外部回路との接触部分を残す形で、形
成される。

【００３６】ガスバリア膜８としては、シリコンの酸化
膜、窒化膜及び／又は酸化窒化膜を主成分とするものが
使用される。シリコン酸化膜をＳｉＯｘで表すと、組成
比ｘが１．０〜２．０の範囲にあることが好ましい。シ
リコン窒化膜をＳｉＮｘで表すと、組成比ｘが０．５〜
１．３の範囲にあることが好ましい。シリコン酸化窒化
膜（オキシナイトライド）をＳｉＯｘＮｙで表すと、ｘ
及びｙは、ｘ＝０．１〜１．８、ｙ＝０．１〜１．０；
ｘ＋ｙ＜２．０の範囲に各々あることが好ましい。さら
には、上記ガスバリア膜中のシリコンダングリングボン
ドを減らすために、膜中に０．１〜１０ｗｔ．％の水素
原子または炭素原子を含有させることも、有効である。

【００３７】前記ガスバリア膜の厚さは、１０ｎｍ〜１
０μｍの範囲にあることが好ましい。１０ｎｍ未満の厚
さだと膜の欠陥等を通して、外気の水分が透過すること
が起こる。１０μｍ以上だと膜の応力が大きくなり、剥
離等の現象が起こるので好ましくない。前記ガスバリア
膜は、プラズマＣＶＤ（化学気相成長）法、反応性真空
蒸着法、スパッタ法のいずれかの方法にて作製される。

【００３８】プラズマＣＶＤ法は、大きく分けて、容量
結合型と誘導結合型の二つの種類に分類されるが、いず
れの方法も採用される。容量結合型では、二つの対向す
る電極によりプラズマを生成し、原料ガスを導入するこ
とにより膜を形成する。容量結合方式を図５に示す。こ
の方式では、整合器１０を通して高周波電源１１に接続
される電極１２が陰極となり、接地される電極１３が陽
極となる。ガスバリア膜を付与される試料１４はいずれ
の電極におかれてもよいが、負のバイアス電圧を印加し
たい場合には、図５に示した様に基板試料は陰極側に設
置される。一方、誘導結合型のプラズマＣＶＤ法におい
ては、試料は通常、排気可能なガラスまたは石英管内に
置かれ、この管の外側にコイルを必要ターン数巻き、そ
のコイルに整合器を通して高周波電源を接続することに
より、管内にプラズマを生成することができる。

【００３９】プラズマＣＶＤ法で前記ガスバリア膜を形
成するために使用される原料ガスとしては、有機シリコ
ン化合物が挙げられる。この化合物をプラズマＣＶＤ法
に使用するためには、１Ｔｏｒｒ程度の蒸気圧を室温か
ら、１００℃の範囲で有することが好ましい。このよう
な性質を持つ化合物として、具体例を以下に示すが、本
発明は何らこれらの化合物に限定されるものではない：
例えば１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、ヘ
キサメチルジシロキサン、テトラメチルシラン、テトラ
メトキシシラン、テトラエトキシシラン、メチルトリメ
トキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ジメチルエ
トキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジ
エトキシシラン、ジエトキシシラン、トリエトキシシラ
ン、ビニルトリエトキシシラン、３−メタクリルオキシ
プロピルトリメトキシシラン、ビニルトリス（２−メト
キシエトキシ）シラン、トリメチルエトキシシラン、ビ
ニルトリアセトキシシラン、エチルトリエトキシシラ
ン、テトラキス（２−メトキシエトキシ）シラン、テト
ラキス（２−エチルヘキソキシ）シラン、トリス（トリ
メチルシロキシ）シラン、トリメトキシビニルシラン、
トリメチルビニルシラン、メチルフェニルジメトキシシ
ラン、トリエトキシクロロシラン、ｎ−プロピルトリメ
トキシシラン、テトラキス（２−エチルブトキシ）シラ
ン、ｎ−オクチルトリエトキシシラン、アセトキシプロ
ピルトリメトキシシラン、トリス（トリメチルシロキ
シ）フェニルシラン、オクタメチルシクロテトラシロキ
サン、オクタメチルトリシロキサン、１，２，３，３−
テトラキス（トリメチルシロキシ）ジシロキサン、１，
２，３，３−テトラメチルジシロキサン、ペンタメチル
ジシロキサン、Ｎ，Ｏ−ビス（ジメチルシリル）アセタ
ミド、１，３−ジビニル−１，１，３，３−テラメチル
ジシロキサン、１，３−ジエトキシテトラメチルジシロ
キサン、１，１，３，３，５，５−ヘキサメチルシクロ
トリシラザン、１，３，５，７−テトラメチルシクロテ
トラシロキサン、ビス（トリメチルシロキシ）エチルシ
ラン、１，１，３，３−テトラメチルジシラザン、ヘキ
サメチルジシラザン、１−トリメチルシリル−１，２，
４−トリアゾール、ピペリジノトリメチルシラン、テト
ラキス（ジメチルアミノ）シラン、ヘプタメチルジシラ
ザン、１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチ
ルジシラザン、及び１，１，３，３，５，５−ヘキサメ
チルシクロトリシラザンを挙げることができる。

【００４０】シリコン酸化膜にはシロキサン系化合物
を、シリコン窒化膜にはシラザン系化合物を使用し、シ
リコン酸化窒化膜の場合には、両者どちらかもしくは両
者から選ばれた化合物の混合物を使用することが好まし
い。プラズマ成膜時に使用するガスとしては、蒸気の有
機シリコン化合物の他に反応性を高めるために、酸化膜
の場合は酸化性ガスとして、酸素、一酸化炭素、二酸化
炭素等が用いられ、窒化膜の場合には窒素、アンモニア
が用いられ、酸化窒化膜の場合には、亜酸化窒素、二酸
化窒素等が使用される。さらには、希釈ガスとして、ヘ
リウム、アルゴン等の希ガスが適宜添加される。

【００４１】プラズマ成膜時のガス圧は１ｍＴｏｒｒ〜
１０Ｔｏｒｒの範囲が好ましく、処理時の基板温度は０
〜１５０℃の範囲内が好ましい。また、電源周波数は１
０ｋ〜１００ＭＨｚの範囲が好ましい。容量結合型での
基板バイアス電圧の範囲は−３０〜−１０００Ｖの範囲
にあることが好ましい。マイクロ波プラズマやＥＣＲモ
ードでのプラズマを使用することも本発明の目的には適
している。

【００４２】反応性真空蒸着法で、シリコンを含有する
蒸着源を真空中で蒸発させて、基板上に蒸着する際に、
雰囲気をプラズマＣＶＤで挙げた反応性ガスを５０ｍＴ
ｏｒｒ程度の圧力で反応容器中に流し、成膜する。シリ
コン酸化膜の場合には、酸素を用いることが好ましい。
この際、蒸着源と基板の間にコイル等によりプラズマを
生成させ、イオンプレーティング法で堆積させることも
よい方法である。酸化膜の場合の蒸着源としては、抵抗
加熱法ではＳｉＯが、電子ビーム法ではＳｉ、ＳｉＯ、
ＳｉＯ₂が好ましく用いられる。

【００４３】スパッタ法では、ターゲットとしてＳｉＯ
₂、Ｓｉ₃Ｎ₄等を用い、既述の反応性ガス中で成膜す
ることにより、所望のガスバリア膜を得ることが出来
る。上記のいずれの成膜方法においても、樹脂層とガス
バリア膜の密着性を高めるために、接着層を挿入するこ
とも有効である。シリコン酸化膜を使用する場合の接着
層としては、酸素含有量がガスバリア膜より少なくシリ
コン含有量がより多い膜が好ましく、ＳｉＯｘとした組
成式においてはｘが１未満であることが望ましい。窒化
膜、酸化窒化膜の場合も同様である。また、この接着層
の膜厚は０．５ｎｍ〜０．５μｍの範囲にあることが好
ましい。プラズマＣＶＤ法を例にとると、接着層はガス
バリア層の原料ガスから反応性ガス（酸素源、窒素源を
含む）を使用しないことにより容易に形成できる。本発
明は、有機電界発光素子が、単一の素子、アレイ状に配
置された構造からなる素子、陽極と陰極がＸ−Ｙマトリ
ックス状に配置された構造のいずれにおいても適用する
ことができる。

【００４４】

【実施例】次に、本発明を実施例によって更に具体的に
説明するが、本発明はその要旨を越えない限り、以下の
実施例の記載に限定されるものではない。実施例１図４（Ｃ）に示す発光部構造を有する有機電界発光素子
を以下の方法で作製した。ガラス基板上にインジウム・
スズ酸化物（ＩＴＯ）透明導電膜を１２０ｎｍ堆積した
もの（ジオマテック社製；電子ビーム成膜品；シート抵
抗１５Ω）を通常のフォトリソグラフィ技術と塩酸エッ
チングを用いて２ｍｍ幅のストライプにパターニングし
て陽極を形成した。パターン形成したＩＴＯ基板を、ア
セトンによる超音波洗浄、純水による水洗、イソプロピ
ルアルコールによる超音波洗浄の順で洗浄後、窒素ブロ
ーで乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行って、真空
蒸着装置内に設置した。上記装置の粗排気を油回転ポン
プにより行った後、装置内の真空度が２ｘ１０^-6Ｔｏｒ
ｒ（約２．７ｘ１０^-4Ｐａ）以下になるまで液体窒素ト
ラップを備えた油拡散ポンプを用いて排気した。上記装
置内に配置されたモリブデンボートに入れた以下に示す
銅フタロシアニン（結晶形はβ型）を加熱して蒸着を行
った。真空度２ｘ１０^-6Ｔｏｒｒ（約２．７ｘ１０^-4Ｐ
ａ）、蒸着時間１分で蒸着を行い、膜厚２０ｎｍの陽極
バッファ層３ａを得た。

【００４５】

【化１】

【００４６】次に、前記装置内に配置されたセラミック
るつぼに入れた、以下に示す、４，４' −ビス［Ｎ−
（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニルを
るつぼの周囲のタンタル線ヒーターで加熱して蒸着を行
った。

【００４７】

【化２】

【００４８】この時のるつぼの温度は、２５０〜２６０
℃の範囲で制御した。蒸着時の真空度１．７ｘ１０^-6Ｔ
ｏｒｒ（約２．３ｘ１０^-4Ｐａ）、蒸着時間３分３０秒
で膜厚６０ｎｍの正孔輸送層３ｂを得た。引続き、発光
機能を有する電子輸送層３ｃのホスト材料として、以下
の構造式に示すアルミニウムの８−ヒドロキシキノリン
錯体（Ａｌ（Ｃ₉Ｈ₆ＮＯ）₃）、ドープ色素として以
下の構造式に示すルブレンを、各々、別々のるつぼを用
いて２元蒸着を行った。

【００４９】

【化３】

【００５０】この時のアルミニウムの８−ヒドロキシキ
ノリン錯体のるつぼ温度は２７０〜３００℃の範囲で、
ルブレンのるつぼ温度は１５０〜１６０℃の範囲で制御
し、蒸着時の真空度は１．３ｘ１０^-6Ｔｏｒｒ（約１．
７ｘ１０^-4Ｐａ）、蒸着時間は３分１０秒で、蒸着され
た電子輸送層の膜厚は７５ｎｍであった。上記の陽極バ
ッファ層３ａ、正孔輸送層３ｂ及び電子輸送層３ｃを真
空蒸着する時の基板温度は室温に保持した。

【００５１】ここで、電子輸送層３ｃまでの蒸着を行っ
た素子を一度前記真空蒸着装置内より大気中に取り出し
て、陰極蒸着用のマスクとして２ｍｍ幅のストライプ状
シャドーマスクを、陽極２のＩＴＯストライプとは直交
するように素子に密着させて、別の真空蒸着装置内に設
置して有機層と同様にして装置内の真空度が２ｘ１０ ^-6
Ｔｏｒｒ（約２．７ｘ１０^-4Ｐａ）以下になるまで排気
した。続いて、陰極４として、マグネシウムと銀の合金
電極を２元同時蒸着法によって膜厚４４ｎｍとなるよう
に蒸着した。蒸着はモリブデンボートを用いて、真空度
１ｘ１０^-5Ｔｏｒｒ（約１．３ｘ１０^-3Ｐａ）、蒸着時
間３分２０秒で行った。また、マグネシウムと銀の原子
比は１０：１．４とした。さらに続いて、装置の真空を
破らないで、アルミニウムをモリブデンボートを用いて
４０ｎｍの膜厚でマグネシウム・銀合金膜の上に積層し
て陰極４を完成させた。アルミニウム蒸着時の真空度は
１．５ｘ１０^-5Ｔｏｒｒ（約２．０ｘ１０^-3Ｐａ）、蒸
着時間は１分２０秒であった。以上のマグネシウム・銀
合金とアルミニウムの２層型陰極の蒸着時の基板温度は
室温に保持した。

【００５２】以上の様にして、２ｍｍ×２ｍｍのサイズ
の有機電界発光素子が得られた。この素子を陰極蒸着装
置から取り出した後、次に、図１及び図２に示す構造に
従って素子の封止を行った。先ず、蒸着マスクを素子部
分全体を覆うシャドーマスクに交換した後、既述の陰極
蒸着装置に再び上記素子を設置した後、これまでに示し
たのと同様にして、ＧｅＯ膜を陰極４上に膜厚２００ｎ
ｍで積層して、保護層とした。この時の真空度は１．５
ｘ１０^-6Ｔｏｒｒ、蒸着時間は５分、基板温度は室温で
あった。素子を上記装置より大気に取り出して、外気遮
断材として基板と同材質・同厚みのガラス板に光硬化樹
脂（スリーボンド社製３０Ｙ−１８４Ｇ）を図１に示し
たように素子外周部に塗布した後、高圧水銀ランプで４
Ｊ／ｃｍ²照射露光して硬化させた。

【００５３】光硬化樹脂で封止した素子を、次に、容量
結合型プラズマＣＶＤ装置の反応テェンバに設置して、
油拡散ポンプにて容器内の真空度が１ｘ１０^-5Ｔｏｒｒ
（約１．３ｘ１０^-3Ｐａ）以下になるまで排気した。続
いて、原料ガスとして１，１，３，３−テトラメチルジ
シロキサン８ＳＣＣＭ、酸素８ＳＣＣＭ、ヘリウム８Ｓ
ＣＣＭを容器中に導入し、圧力を５０〜６０ｍＴｏｒｒ
の範囲に調整した後、１１０ｋＨｚの周波数の電源を素
子を設置した基板ホルダに０．５Ｗ／ｃｍ²の電力密度
でプラズマ生成した。この時の基板バイアス電圧は−４
００Ｖであった。５分間の成膜で膜厚０．７μｍのガス
バリア膜を樹脂層の上に積層した。このガスバリア膜の
組成をＸ線光電子分光法で分析すると、ＳｉＯ_1.9Ｃ
_0.4であり、さらに水素原子がＦＴ−ＩＲ測定により２
原子％含有されていることが判明した。また、光硬化樹
脂層に上記ガスバリア膜を積層したものの透湿度は０．
２［ｇ／ｍ²／２４時間］（ＪＩＳＺ０２０８）であ
った。

【００５４】この様にして得られた有機電界発光素子
を、温度８０℃−相対湿度９０％の条件に設定された環
境試験機に放置して、発光輝度とダークスポットの面積
を測定した。輝度及び電圧は１５ｍＡ／ｃｍ²の電流駆
動における値である。ダークスポットの測定は、素子の
発光面をＣＣＤカメラにより撮影した後、画像解析によ
り２値化して定量化を行った。測定した経時変化を表１
に示す。ダークスポットの成長は実用上問題とならない
レベルに抑制できた。

【００５５】

【表１】

【００５６】比較例１ガスバリア層を設けない他は実施例１と同様にして封止
素子を作製した。８０℃−９０％での環境試験結果を表
２に示す。４８時間保存後では、直径２５０μｍのダー
クスポットが多数発生した。

【００５７】

【表２】

【００５８】実施例２長瀬チバ社製光硬化樹脂（ＸＮＲ５４９３Ｔ）を照射露
光量１２Ｊ／ｃｍ²で硬化させた後、ガスバリア膜の下
引き層として、酸素を加えないでプラズマＣＶＤ成膜を
行い０．１μｍの炭素リッチ膜（組成比ＳｉＣｘＯｙ；
ｘ＝０．６、ｙ＝０．８）を形成した他は、実施例１と
同様にして封止素子を作成した。８０℃−９０％の環境
試験測定の結果を表３に示す。電圧上昇も少なく、ダー
クスポットも十分抑制できた。

【００５９】

【表３】

【００６０】比較例２ガスバリア層を設けない他は実施例２と同様にして封止
素子を作製した。８０℃−９０％での環境試験結果を表
４に示す。４８時間保存後、ダークスポットの有意な増
加が観測された。

【００６１】実施例３ガスバリア膜形成時の原料ガスとして、酸素の代わりに
Ｎ₂Ｏを１６ＳＣＣＭ用いた他は実施例１と同様にして
ガスバリア膜を形成した。この膜の組成は実施例１と同
様の環境試験を実施したが、４８時間保存後もダークス
ポットの面積比は１％未満であった。

【００６２】実施例４実施例１と同様にして光硬化樹脂を用いて封止した素子
を、反応性真空蒸着装置に設置して、油拡散ポンプにて
容器内の真空度が１ｘ１０^-6Ｔｏｒｒ（約２．７ｘ１０
^-4Ｐａ）以下になるまで排気した。続いて、反応性ガス
として酸素を導入して、圧力を１０〜５Ｔｏｒｒに調整
した後、抵抗加熱により金属ボート内の蒸着源ＳｉＯを
蒸発させて０．５μのガスバリア膜を樹脂層の上に積層
した。このガスバリア膜の組成をＸ線光電子分光法で分
析すると、ＳｉＯ_1.6であった。また、光硬化樹脂層に
上記ガスバリア膜を積層したものの透湿度は０．３［ｇ
／ｍ²／２４時間］（ＪＩＳＺ０２０８）であった。
実施例１と同様の環境試験を実施したが、４８時間後で
もダークスポットの面積比は１％未満であった。

【００６３】

【表４】

【００６４】

【発明の効果】本発明の有機電界発光素子の封止方法に
よれば、封止樹脂層の上に特定のガスバリア層を有する
ために、大気中の水分の影響を受けずに保存や駆動の際
に安定した発光特性を示す封止素子を得ることができ
る。従って、本発明による有機電界発光素子はフラット
パネル・ディスプレイ（例えばＯＡコンピュータ用や壁
掛けテレビ）、車載表示素子、携帯電話表示や面発光体
としての特徴を生かした光源（例えば、複写機の光源、
液晶ディスプレイや計器類のバックライト光源）、表示
板、標識灯への応用が考えられ、その技術的価値は大き
いものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明有機電界発光素子の一例を示す縦断面
図。

【図２】図１の有機電界発光素子の平面図。

【図３】従来の有機電界発光素子の縦断面図。

【図４】発光部の構造を示す縦断面図。

【図５】プラズマＣＶＤによるガスバリア膜形成方法を
示す説明図。

【符号の説明】

１基板２陽極３有機発光層３ａ正孔輸送層３ｂ電子輸送層４陰極５発光部６外気遮蔽板７樹脂層８ガスバリア膜

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁性基板と、該基板上に形成された陽
極、有機発光層及び陰極を有する発光部と、該発光部を
覆う外気遮蔽板とを有し、かつ、基板と外気遮蔽板との
間隙に発光部を囲繞するように樹脂層を形成して発光部
を封止すると共に該樹脂層の外側表面にシリコンの酸化
物、窒化物及び／又は酸化窒化物を主成分とするガスバ
リア膜を形成してなることを特徴とする有機電界発光素
子。
【請求項２】ガスバリア膜の厚さが、１０ｎｍ〜１０
μｍの範囲にあることを特徴とする請求項１記載の有機
電界発光素子。
【請求項３】樹脂層が光硬化型のエポキシ樹脂を主成
分とすることを特徴とする請求項１又は２に記載の有機
電界発光素子。
【請求項４】樹脂層が熱硬化型のエポキシ樹脂を主成
分とすることを特徴とする請求項１又は２に記載の有機
電界発光素子。
【請求項５】ガスバリア膜が、接着層を介して樹脂層
外側表面に形成されてなる請求項１〜４のいずれかに記
載の有機電界発光素子。
【請求項６】絶縁性基板上に、陽極、有機発光層及び
陰極を有する発光部を形成し、該発光部を外気遮蔽板で
覆うと共に、基板と外気遮蔽板との間隙に発光部を囲繞
するように樹脂層を形成して発光部を封止し、かつ、該
樹脂層の外側表面にシリコンの酸化物、窒化物及び／又
は酸化窒化物を主成分とするガスバリア膜を形成するこ
とを特徴とする有機電界発光素子の製造法。
【請求項７】ガスバリア膜を有機シリコン化合物を原
料とする反応性プラズマＣＶＤ法で形成することを特徴
とする請求項６に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項８】ガスバリア膜を反応性真空蒸着法で形成
することを特徴とする請求項６に記載の有機電界発光素
子の製造方法。
【請求項９】ガスバリア膜をスパッタリング法で形成
することを特徴とする請求項６に記載の有機電界発光素
子の製造方法。
【請求項１０】樹脂層とガスバリア膜の間に、接着層
を設けることを特徴とする請求項６〜９のいずれか１項
に記載の有機電界発光素子の製造方法。