JPH11145112A - パターニング方法 - Google Patents
パターニング方法Info
- Publication number
- JPH11145112A JPH11145112A JP30621197A JP30621197A JPH11145112A JP H11145112 A JPH11145112 A JP H11145112A JP 30621197 A JP30621197 A JP 30621197A JP 30621197 A JP30621197 A JP 30621197A JP H11145112 A JPH11145112 A JP H11145112A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- metal layer
- gas
- etching
- dry
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 47
- 238000000059 patterning Methods 0.000 title claims description 28
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 75
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 75
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 61
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims abstract description 25
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims abstract description 14
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 43
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 8
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 4
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 18
- BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N Aspirin Chemical compound CC(=O)OC1=CC=CC=C1C(O)=O BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 abstract 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract 2
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 23
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 18
- 239000010408 film Substances 0.000 description 16
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 13
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 9
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 6
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 4
- 229910003771 Gold(I) chloride Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- FDWREHZXQUYJFJ-UHFFFAOYSA-M gold monochloride Chemical compound [Cl-].[Au+] FDWREHZXQUYJFJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 3
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 3
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 3
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 3
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 3
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910018503 SF6 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229960000909 sulfur hexafluoride Drugs 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- WNUPENMBHHEARK-UHFFFAOYSA-N silicon tungsten Chemical compound [Si].[W] WNUPENMBHHEARK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 239000003039 volatile agent Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 積層金属配線の側壁にＡｕ及びＰｔ材の再付
着を生じさせることなく、メタル残り及び残渣がない微
細なラインとスペースとからなるパターンを形成するこ
とができるパターニング方法を提供する。 【解決手段】 ヘリコンプラズマエッチング装置で、半
導体基板１の温度を１５０℃とし、Ｃｌ2ガスとＯ2ガス
との混合ガスをその流量比を１：２として供給し、酸化
物マスク６をマスクとして、低抵抗貴金属層５を構成す
るＡｕ層５ｂ及びＰｔ層５ａをドライエッチングする。
着を生じさせることなく、メタル残り及び残渣がない微
細なラインとスペースとからなるパターンを形成するこ
とができるパターニング方法を提供する。 【解決手段】 ヘリコンプラズマエッチング装置で、半
導体基板１の温度を１５０℃とし、Ｃｌ2ガスとＯ2ガス
との混合ガスをその流量比を１：２として供給し、酸化
物マスク６をマスクとして、低抵抗貴金属層５を構成す
るＡｕ層５ｂ及びＰｔ層５ａをドライエッチングする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の積層金
属配線の形成等に好適なパターニング方法に関し、特
に、積層金属配線等の側壁へのＡｕ及びＴｉ材の再付着
並びに残渣等が防止されたパターニング方法に関する。
属配線の形成等に好適なパターニング方法に関し、特
に、積層金属配線等の側壁へのＡｕ及びＴｉ材の再付着
並びに残渣等が防止されたパターニング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置の配線にはアルミニウ
ム材が主に使用されているが、高周波数化及び高集積化
が進むにつれて、金属配線の抵抗による遅延並びにスト
レスマイグレーション及びエレクトロマイグレーション
による劣化が問題となってきた。このため、配線抵抗が
低く、両マイグレーションに対する耐性が優れた金（Ａ
ｕ）及び白金（Ｐｔ）等の貴金属材料が超高周波用半導
体装置のゲート電極及び配線用の材料として使用されて
いる。例えば、化合物半導体装置のゲート電極には、タ
ングステンシリサイド（ＷＳｉ）又はモリブデン（Ｍ
ｏ）等からなる高融点メタル層、窒化チタン（ＴｉＮ）
又はチタン（Ｔｉ）等からなるバリアメタル層及びＡｕ
又はＰｔ等からなる低抵抗貴金属層が順次積層された構
造が多い。バリアメタル層は低抵抗貴金属層中の貴金属
原子の高融点メタル層又は下地への拡散に対するバリ
ア、高融点メタル層と低抵抗貴金属層との間の密着性向
上及びマイグレーション耐性向上のために形成されてい
るものである。
ム材が主に使用されているが、高周波数化及び高集積化
が進むにつれて、金属配線の抵抗による遅延並びにスト
レスマイグレーション及びエレクトロマイグレーション
による劣化が問題となってきた。このため、配線抵抗が
低く、両マイグレーションに対する耐性が優れた金（Ａ
ｕ）及び白金（Ｐｔ）等の貴金属材料が超高周波用半導
体装置のゲート電極及び配線用の材料として使用されて
いる。例えば、化合物半導体装置のゲート電極には、タ
ングステンシリサイド（ＷＳｉ）又はモリブデン（Ｍ
ｏ）等からなる高融点メタル層、窒化チタン（ＴｉＮ）
又はチタン（Ｔｉ）等からなるバリアメタル層及びＡｕ
又はＰｔ等からなる低抵抗貴金属層が順次積層された構
造が多い。バリアメタル層は低抵抗貴金属層中の貴金属
原子の高融点メタル層又は下地への拡散に対するバリ
ア、高融点メタル層と低抵抗貴金属層との間の密着性向
上及びマイグレーション耐性向上のために形成されてい
るものである。
【０００３】このような３層構造の金属配線はパターニ
ングにより形成されている。従来のパターニング方法に
ついて説明する。図２（ａ）乃至（ｃ）は従来のパター
ニング方法を工程順に示す断面図である。従来のパター
ニング方法では、先ず、図２（ａ）に示すように、半導
体基板１１上にシリコン酸化膜１２を成膜した後、シリ
コン酸化膜１２上に、高融点金属層として厚さが１００
ｎｍのＷＳｉ層１３、バリアメタル層として厚さが５０
ｎｍのＴｉＮ層１４並びに低抵抗貴金属層１５として厚
さが５０ｎｍのＰｔ層１５ａ及び厚さが４００ｎｍのＡ
ｕ層１５ｂを順次蒸着法又はスパッタリング法により積
層成膜する。そして、低抵抗貴金属層１５上にリソグラ
フィ技術により、フォトレジストマスク１６を形成す
る。
ングにより形成されている。従来のパターニング方法に
ついて説明する。図２（ａ）乃至（ｃ）は従来のパター
ニング方法を工程順に示す断面図である。従来のパター
ニング方法では、先ず、図２（ａ）に示すように、半導
体基板１１上にシリコン酸化膜１２を成膜した後、シリ
コン酸化膜１２上に、高融点金属層として厚さが１００
ｎｍのＷＳｉ層１３、バリアメタル層として厚さが５０
ｎｍのＴｉＮ層１４並びに低抵抗貴金属層１５として厚
さが５０ｎｍのＰｔ層１５ａ及び厚さが４００ｎｍのＡ
ｕ層１５ｂを順次蒸着法又はスパッタリング法により積
層成膜する。そして、低抵抗貴金属層１５上にリソグラ
フィ技術により、フォトレジストマスク１６を形成す
る。
【０００４】次に、図２（ｂ）に示すように、アルゴン
（Ａｒ）ガス等の不活性ガスをイオン化し、電界により
加速してスパッタエッチングするイオンミリング法によ
り、フォトレジストマスク１６をマスクとして、Ａｕ層
１５ｂ及びＰｔ層１５ａをエッチングする。このイオン
ミリング法には、一旦除去されたＡｕ及びＴｉ材が側壁
に再付着することがないように、イオンを基板厚さ方向
に対して斜めから入射させる斜めミリング法がよく使用
される。例えば、イオン入射方向を基板の厚さ方向に対
して４０°傾斜させてイオンミリングする。
（Ａｒ）ガス等の不活性ガスをイオン化し、電界により
加速してスパッタエッチングするイオンミリング法によ
り、フォトレジストマスク１６をマスクとして、Ａｕ層
１５ｂ及びＰｔ層１５ａをエッチングする。このイオン
ミリング法には、一旦除去されたＡｕ及びＴｉ材が側壁
に再付着することがないように、イオンを基板厚さ方向
に対して斜めから入射させる斜めミリング法がよく使用
される。例えば、イオン入射方向を基板の厚さ方向に対
して４０°傾斜させてイオンミリングする。
【０００５】そして、図２（ｃ）に示すように、フォト
レジストマスク１６、Ａｕ層１５ｂ及びＰｔ層１５ａを
マスクとして、四フッ化炭素（ＣＦ4）ガスと六フッ化
硫黄（ＳＦ6）ガスとの混合ガス又は塩素（Ｃｌ2）ガス
とＣＦ4ガスとの混合ガスを使用した反応性イオンエッ
チング（ＲＩＥ）法により、ＴｉＮ層１４及びＷＳｉ層
１３をエッチングすることによって積層金属配線を形成
している。
レジストマスク１６、Ａｕ層１５ｂ及びＰｔ層１５ａを
マスクとして、四フッ化炭素（ＣＦ4）ガスと六フッ化
硫黄（ＳＦ6）ガスとの混合ガス又は塩素（Ｃｌ2）ガス
とＣＦ4ガスとの混合ガスを使用した反応性イオンエッ
チング（ＲＩＥ）法により、ＴｉＮ層１４及びＷＳｉ層
１３をエッチングすることによって積層金属配線を形成
している。
【０００６】また、他のパターニング方法が提案されて
いる（特開平３−３８８２５号公報）。図３（ａ）乃至
（ｃ）は特開平３−３８８２５号公報に記載されたパタ
ーニング方法を工程順に示す断面図である。この公報に
記載されたパターニング方法について説明するが、本願
発明との対比のため、各膜又は層の種類及びその厚さに
は記載されたものと相違するものがある。この公報に記
載されたパターニング方法においては、先ず、半導体基
板２１上にシリコン酸化膜２２を成膜した後、シリコン
酸化膜２２上に、高融点金属層として厚さが１００ｎｍ
のＷＳｉ層２３、バリアメタル層として厚さが５０ｎｍ
のＴｉＮ層２４及び低抵抗貴金属層として厚さが１００
ｎｍのＡｕ薄膜２５を順次蒸着法又はスパッタリング法
により積層成膜する。そして、Ａｕ薄膜２５上にリソグ
ラフィ技術により開口部を有するフォトレジストパター
ン２７を形成する。そして、フォトレジストパターン２
７の開口部に、Ａｕ薄膜２５を電極としたメッキ法によ
り厚さが７００ｎｍのＡｕパターン２８を形成する。
いる（特開平３−３８８２５号公報）。図３（ａ）乃至
（ｃ）は特開平３−３８８２５号公報に記載されたパタ
ーニング方法を工程順に示す断面図である。この公報に
記載されたパターニング方法について説明するが、本願
発明との対比のため、各膜又は層の種類及びその厚さに
は記載されたものと相違するものがある。この公報に記
載されたパターニング方法においては、先ず、半導体基
板２１上にシリコン酸化膜２２を成膜した後、シリコン
酸化膜２２上に、高融点金属層として厚さが１００ｎｍ
のＷＳｉ層２３、バリアメタル層として厚さが５０ｎｍ
のＴｉＮ層２４及び低抵抗貴金属層として厚さが１００
ｎｍのＡｕ薄膜２５を順次蒸着法又はスパッタリング法
により積層成膜する。そして、Ａｕ薄膜２５上にリソグ
ラフィ技術により開口部を有するフォトレジストパター
ン２７を形成する。そして、フォトレジストパターン２
７の開口部に、Ａｕ薄膜２５を電極としたメッキ法によ
り厚さが７００ｎｍのＡｕパターン２８を形成する。
【０００７】次に、図３（ｂ）に示すように、フォトレ
ジストパターン２７を剥離した後、Ａｕパターン２８を
マスクとして、Ａｒガスと酸素（Ｏ2）ガスとの混合ガ
スを使用した反応性イオンビームエッチング（ＲＩＢ
Ｅ）法により、Ａｕ薄膜２５をエッチングする。
ジストパターン２７を剥離した後、Ａｕパターン２８を
マスクとして、Ａｒガスと酸素（Ｏ2）ガスとの混合ガ
スを使用した反応性イオンビームエッチング（ＲＩＢ
Ｅ）法により、Ａｕ薄膜２５をエッチングする。
【０００８】そして、図３（ｃ）に示すように、Ａｕパ
ターン２８及びＡｕ薄膜２５をマスクとして、Ａｒガス
とＳＦ6ガスとの混合ガスを使用したＲＩＢＥ法によ
り、ＴｉＮ層２４及びＷＳｉ層２３をエッチングするこ
とによって積層金属配線を形成している。
ターン２８及びＡｕ薄膜２５をマスクとして、Ａｒガス
とＳＦ6ガスとの混合ガスを使用したＲＩＢＥ法によ
り、ＴｉＮ層２４及びＷＳｉ層２３をエッチングするこ
とによって積層金属配線を形成している。
【０００９】このパターニング方法によれば、Ａｒガス
とＯ2ガスとの混合ガスを使用したＲＩＢＥ法によりＡ
ｕ薄膜２５をエッチングしているため、Ａｕ薄膜２５と
ＴｉＮ層２４とのエッチングレート比が大きく残渣及び
下地面荒れ等の不具合は発生しない。
とＯ2ガスとの混合ガスを使用したＲＩＢＥ法によりＡ
ｕ薄膜２５をエッチングしているため、Ａｕ薄膜２５と
ＴｉＮ層２４とのエッチングレート比が大きく残渣及び
下地面荒れ等の不具合は発生しない。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述の
従来のパターニング方法には以下に示すような問題点が
ある。
従来のパターニング方法には以下に示すような問題点が
ある。
【００１１】イオンミリング法を使用するパターニング
方法においては、金属配線の側壁に再付着を生じさせず
に微細なラインとスペースとからなるパターンを形成す
ることができない。イオンを基板の厚さ方向と平行に入
射させる場合には、微細な領域にイオンを入射させるこ
とができるため微細なパターンを形成することができる
ものの、除去されたＡｕ及びＰｔ材が再度スパッタリン
グされて配線の側壁に再付着してしまう。再付着が生じ
ると、再付着物がパーティクル発生源となったり、再付
着物が剥がれ配線パターン間を短絡させて電気的ショー
ト及びリークを生じさせることがある。
方法においては、金属配線の側壁に再付着を生じさせず
に微細なラインとスペースとからなるパターンを形成す
ることができない。イオンを基板の厚さ方向と平行に入
射させる場合には、微細な領域にイオンを入射させるこ
とができるため微細なパターンを形成することができる
ものの、除去されたＡｕ及びＰｔ材が再度スパッタリン
グされて配線の側壁に再付着してしまう。再付着が生じ
ると、再付着物がパーティクル発生源となったり、再付
着物が剥がれ配線パターン間を短絡させて電気的ショー
ト及びリークを生じさせることがある。
【００１２】一方、イオンを基板の厚さ方向に対して傾
斜する方向に入射させる場合には、再付着を防止するこ
とはできるものの、配線パターンの側部がフォトレジス
トマスク１６の影に入ってしまい、この領域にはイオン
が入射されない。このため、配線パターン側部のＡｕ層
１５ｂ及びＰｔ層１５ａは除去されずに残存する。そし
て、このままＴｉＮ層１４及びＷＳｉ層１３をエッチン
グすると、配線パターン側部のＡｕ層１５ｂ及びＰｔ層
１５ａがマスクとなって、メタル残り及び残渣１７が発
生する。これを防止するために、Ａｕ層１５ｂ及びＰｔ
層１５ａのミリング時間を長くすると、Ａｒガスを使用
したイオンミリング法では低抵抗貴金属層１５とＴｉＮ
層１４とのミリング速度の比が２程度と小さいため、Ｔ
ｉＮ層１４及びＷＳｉ層１３に大きな段差が形成されて
しまい、配線パターン間の電気的ショート及びリークが
発生する。更に、この方法ではイオンが全く入射されな
い領域があるため、微細なラインとスペースとからなる
パターンが形成されないという問題点が残っている。
斜する方向に入射させる場合には、再付着を防止するこ
とはできるものの、配線パターンの側部がフォトレジス
トマスク１６の影に入ってしまい、この領域にはイオン
が入射されない。このため、配線パターン側部のＡｕ層
１５ｂ及びＰｔ層１５ａは除去されずに残存する。そし
て、このままＴｉＮ層１４及びＷＳｉ層１３をエッチン
グすると、配線パターン側部のＡｕ層１５ｂ及びＰｔ層
１５ａがマスクとなって、メタル残り及び残渣１７が発
生する。これを防止するために、Ａｕ層１５ｂ及びＰｔ
層１５ａのミリング時間を長くすると、Ａｒガスを使用
したイオンミリング法では低抵抗貴金属層１５とＴｉＮ
層１４とのミリング速度の比が２程度と小さいため、Ｔ
ｉＮ層１４及びＷＳｉ層１３に大きな段差が形成されて
しまい、配線パターン間の電気的ショート及びリークが
発生する。更に、この方法ではイオンが全く入射されな
い領域があるため、微細なラインとスペースとからなる
パターンが形成されないという問題点が残っている。
【００１３】また、特開平３−３８８２５号公報に記載
されたパターニング方法においては、ＡｒガスとＯ2ガ
スとの混合ガスを使用したＲＩＢＥ法によりＡｕ薄膜２
５をエッチングしているので、エッチングされたＡｕ材
との反応が生じず揮発除去できない。このため、側壁へ
の再付着が発生してしまう。また、基板の厚さ方向に対
して傾斜する方向からイオンビームを照射した場合に
は、微細なパターンが形成されない。
されたパターニング方法においては、ＡｒガスとＯ2ガ
スとの混合ガスを使用したＲＩＢＥ法によりＡｕ薄膜２
５をエッチングしているので、エッチングされたＡｕ材
との反応が生じず揮発除去できない。このため、側壁へ
の再付着が発生してしまう。また、基板の厚さ方向に対
して傾斜する方向からイオンビームを照射した場合に
は、微細なパターンが形成されない。
【００１４】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、積層金属配線の側壁にＡｕ及びＰｔ材の再
付着を生じさせることなく、メタル残り及び残渣がない
微細なラインとスペースとからなるパターンを形成する
ことができるパターニング方法を提供することを目的と
する。
のであって、積層金属配線の側壁にＡｕ及びＰｔ材の再
付着を生じさせることなく、メタル残り及び残渣がない
微細なラインとスペースとからなるパターンを形成する
ことができるパターニング方法を提供することを目的と
する。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明に係るパターニン
グ方法は、第１の金属層と、この第１の金属層上に形成
された第２の金属層と、この第２の金属層上に形成され
た第３の金属層とからなる積層体のパターニング方法に
おいて、塩素を含有するガスと酸素ガスとを有する混合
ガスを使用して前記第３の金属層をドライエッチングす
る工程を有することを特徴とする。
グ方法は、第１の金属層と、この第１の金属層上に形成
された第２の金属層と、この第２の金属層上に形成され
た第３の金属層とからなる積層体のパターニング方法に
おいて、塩素を含有するガスと酸素ガスとを有する混合
ガスを使用して前記第３の金属層をドライエッチングす
る工程を有することを特徴とする。
【００１６】本発明においては、第３の金属層をドライ
エッチングする際に塩素を含有するガスと酸素ガスとを
有する混合ガスを使用しているので、ドライエッチング
によって揮発性が高い化合物が生成され、側壁への再付
着、残渣及びメタル残りを発生させることなく微細なパ
ターンを形成することができる。
エッチングする際に塩素を含有するガスと酸素ガスとを
有する混合ガスを使用しているので、ドライエッチング
によって揮発性が高い化合物が生成され、側壁への再付
着、残渣及びメタル残りを発生させることなく微細なパ
ターンを形成することができる。
【００１７】前記第２の金属層はＴｉを含有し、前記第
３の金属層は金及び白金からなる群から選択された少な
くとも１種の金属材料からなってもよい。第３の金属層
を金及び白金からなる群から選択された少なくとも１種
の金属材料から構成することにより、ドライエッチング
によって揮発性が高いＡｕＣｌx、ＰｔＣｌx及びＰｔＣ
ｌxＯyが生成されるので、側壁への再付着が防止され
る。また、第２の金属層にＴｉを含有させることによ
り、第２の金属層と第３の金属層とのエッチングレート
の差が大きくなるので、容易に微細なパターンを形成す
ることができる。
３の金属層は金及び白金からなる群から選択された少な
くとも１種の金属材料からなってもよい。第３の金属層
を金及び白金からなる群から選択された少なくとも１種
の金属材料から構成することにより、ドライエッチング
によって揮発性が高いＡｕＣｌx、ＰｔＣｌx及びＰｔＣ
ｌxＯyが生成されるので、側壁への再付着が防止され
る。また、第２の金属層にＴｉを含有させることによ
り、第２の金属層と第３の金属層とのエッチングレート
の差が大きくなるので、容易に微細なパターンを形成す
ることができる。
【００１８】また、本発明においては、ハロゲンを含有
するガスを使用して前記第２の金属層及び前記第１の金
属層をドライエッチングする工程を有することができ
る。
するガスを使用して前記第２の金属層及び前記第１の金
属層をドライエッチングする工程を有することができ
る。
【００１９】なお、前記積層体はウェハ上に形成されて
おり、前記第３の金属層をドライエッチングする工程
は、前記ウェハの温度を７０乃至２５０℃として前記第
３の金属層をドライエッチングする工程を有することが
望ましい。
おり、前記第３の金属層をドライエッチングする工程
は、前記ウェハの温度を７０乃至２５０℃として前記第
３の金属層をドライエッチングする工程を有することが
望ましい。
【００２０】更に、前記第２の金属層及び前記第１の金
属層をドライエッチングする工程は、前記ウェハの温度
を−３０乃至５０℃として前記第２の金属層及び前記第
１の金属層をドライエッチングする工程を有することが
望ましい。
属層をドライエッチングする工程は、前記ウェハの温度
を−３０乃至５０℃として前記第２の金属層及び前記第
１の金属層をドライエッチングする工程を有することが
望ましい。
【００２１】積層体が形成されたウェハの温度を適切な
ものとしてドライエッチングを行うことにより、エッチ
ングされた素材の反応性及びエッチングレートが高くな
るので、所望の形状のパターンをより容易に形成するこ
とができる。
ものとしてドライエッチングを行うことにより、エッチ
ングされた素材の反応性及びエッチングレートが高くな
るので、所望の形状のパターンをより容易に形成するこ
とができる。
【００２２】また、前記第２の金属層はＴｉ層及びＴｉ
Ｎ層からなる群から選択された１種の金属層であっても
よい。
Ｎ層からなる群から選択された１種の金属層であっても
よい。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例方法につい
て、添付の図面を参照して具体的に説明する。図１
（ａ）乃至（ｃ）は本発明の第１の実施例方法に係るパ
ターニング方法を工程順に示す断面図である。本実施例
方法においては、先ず、図１（ａ）に示すように、半導
体基板１上に厚さが５００ｎｍのシリコン酸化膜２を成
膜する。次いで、シリコン酸化膜２上に、第１の金属層
として厚さが１００ｎｍのＷＳｉ層３、第２の金属層と
して厚さが５０ｎｍのＴｉＮ層４並びに第３の金属層と
して厚さが５０ｎｍのＰｔ層５ａ及び厚さが４００ｎｍ
のＡｕ層を蒸着法又はスパッタリング法により順次成膜
する。ＴｉＮ層４がバリアメタル層となり、Ｐｔ層５ａ
及びＡｕ層５ｂから低抵抗貴金属層５が構成される。次
いで、Ａｕ層５ｂ上にＳｉＯ2からなる厚さが５００ｎ
ｍの絶縁膜を成長させ、この絶縁膜上にリソグラフィ技
術によりフォトレジスト膜パターンを形成する。そし
て、ＲＩＥ装置で、フォトレジスト膜パターンをマスク
とし、四フッ化炭素（ＣＦ4）ガス、フルオロハイドロ
カーボン（ＣＨＦ3）ガス及びアルゴン（Ａｒ）ガスか
らなる混合ガスを使用して絶縁膜をドライエッチングす
ることにより、酸化膜マスク６を形成する。その後、フ
ォトレジスト膜パターンを除去する。
て、添付の図面を参照して具体的に説明する。図１
（ａ）乃至（ｃ）は本発明の第１の実施例方法に係るパ
ターニング方法を工程順に示す断面図である。本実施例
方法においては、先ず、図１（ａ）に示すように、半導
体基板１上に厚さが５００ｎｍのシリコン酸化膜２を成
膜する。次いで、シリコン酸化膜２上に、第１の金属層
として厚さが１００ｎｍのＷＳｉ層３、第２の金属層と
して厚さが５０ｎｍのＴｉＮ層４並びに第３の金属層と
して厚さが５０ｎｍのＰｔ層５ａ及び厚さが４００ｎｍ
のＡｕ層を蒸着法又はスパッタリング法により順次成膜
する。ＴｉＮ層４がバリアメタル層となり、Ｐｔ層５ａ
及びＡｕ層５ｂから低抵抗貴金属層５が構成される。次
いで、Ａｕ層５ｂ上にＳｉＯ2からなる厚さが５００ｎ
ｍの絶縁膜を成長させ、この絶縁膜上にリソグラフィ技
術によりフォトレジスト膜パターンを形成する。そし
て、ＲＩＥ装置で、フォトレジスト膜パターンをマスク
とし、四フッ化炭素（ＣＦ4）ガス、フルオロハイドロ
カーボン（ＣＨＦ3）ガス及びアルゴン（Ａｒ）ガスか
らなる混合ガスを使用して絶縁膜をドライエッチングす
ることにより、酸化膜マスク６を形成する。その後、フ
ォトレジスト膜パターンを除去する。
【００２４】次に、図１（ｂ）に示すように、ヘリコン
プラズマエッチング装置で、Ｃｌ2ガスとＯ2ガスとの混
合ガスをその流量比を１：２として供給し、圧力を０．
１Ｐａ、ヘリコンプラズマソースパワーを１０００Ｗ
（１３．５６ＭＨｚ）、ＲＦバイアスパワーを５００Ｗ
（１３．５６ＭＨｚ）とし、酸化物マスク６をマスクと
して、低抵抗貴金属層５を構成するＡｕ層５ｂ及びＰｔ
層５ａをドライエッチングする。
プラズマエッチング装置で、Ｃｌ2ガスとＯ2ガスとの混
合ガスをその流量比を１：２として供給し、圧力を０．
１Ｐａ、ヘリコンプラズマソースパワーを１０００Ｗ
（１３．５６ＭＨｚ）、ＲＦバイアスパワーを５００Ｗ
（１３．５６ＭＨｚ）とし、酸化物マスク６をマスクと
して、低抵抗貴金属層５を構成するＡｕ層５ｂ及びＰｔ
層５ａをドライエッチングする。
【００２５】Ｃｌ2ガスとＯ2ガスとの混合ガスはＡｕ及
びＰｔ材との反応性が高いので、ドライエッチングによ
り、揮発性が高いＡｕの塩化物（ＡｕＣｌx）、Ｐｔの
塩化物（ＰｔＣｌx）及びＰｔの塩化酸化物（ＰｔＣｌx
Ｏy）等が生成される。このため、側壁への再付着が生
じない。
びＰｔ材との反応性が高いので、ドライエッチングによ
り、揮発性が高いＡｕの塩化物（ＡｕＣｌx）、Ｐｔの
塩化物（ＰｔＣｌx）及びＰｔの塩化酸化物（ＰｔＣｌx
Ｏy）等が生成される。このため、側壁への再付着が生
じない。
【００２６】また、Ｃｌ2ガスとＯ2ガスとの混合ガスを
使用することにより、低抵抗貴金属層５とＴｉＮ層４と
の間のエッチングレートの選択比が高まる。これは、こ
の混合ガスを使用することによりＴｉを含有するＴｉＮ
層４が酸化されてそのエッチングレートが低下するため
である。図４は横軸に酸素ガス比率をとり、縦軸に選択
比をとって両者の関係を示すグラフ図である。図４中
で、実線はＡｕ層とＴｉＮ層との選択比を示しており、
破線はＡｕ層とＳｉＯ2層との選択比を示している。図
４に示すように、酸素ガス比率が増加してもＡｕ層とＳ
ｉＯ2層との選択比はあまり変化しないが、Ａｕ層とＴ
ｉＮ層との選択比は著しく上昇している。上述の条件に
よるドライエッチングでは、Ａｕ層５ｂのエッチングレ
ートが２５０ｎｍ／分、Ｐｔ層５ａのエッチングレート
が１００ｎｍ／分であったのに対し、ＴｉＮ層４のエッ
チングレートはわずか１０ｎｍ／分であった。このた
め、ＴｉＮ層４上でドライエッチングが完全に停止する
ので、Ａｕ層５ｂ及びＰｔ層５ａの残りが少なく、Ｔｉ
Ｎ層４の表面が滑らかなものとなる。
使用することにより、低抵抗貴金属層５とＴｉＮ層４と
の間のエッチングレートの選択比が高まる。これは、こ
の混合ガスを使用することによりＴｉを含有するＴｉＮ
層４が酸化されてそのエッチングレートが低下するため
である。図４は横軸に酸素ガス比率をとり、縦軸に選択
比をとって両者の関係を示すグラフ図である。図４中
で、実線はＡｕ層とＴｉＮ層との選択比を示しており、
破線はＡｕ層とＳｉＯ2層との選択比を示している。図
４に示すように、酸素ガス比率が増加してもＡｕ層とＳ
ｉＯ2層との選択比はあまり変化しないが、Ａｕ層とＴ
ｉＮ層との選択比は著しく上昇している。上述の条件に
よるドライエッチングでは、Ａｕ層５ｂのエッチングレ
ートが２５０ｎｍ／分、Ｐｔ層５ａのエッチングレート
が１００ｎｍ／分であったのに対し、ＴｉＮ層４のエッ
チングレートはわずか１０ｎｍ／分であった。このた
め、ＴｉＮ層４上でドライエッチングが完全に停止する
ので、Ａｕ層５ｂ及びＰｔ層５ａの残りが少なく、Ｔｉ
Ｎ層４の表面が滑らかなものとなる。
【００２７】そして、Ａｕ層５ｂ及びＰｔ層５ａをドラ
イエッチングした後、図１（ｃ）に示すように、四フッ
化炭素（ＣＦ4）ガスと六フッ化硫黄（ＳＦ6）ガスとの
混合ガス又はＣｌ2ガスとＣＦ4ガスとの混合ガスを使用
した反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法により、Ｔｉ
Ｎ層４及びＷＳｉ層３をエッチングして積層金属配線を
形成する。
イエッチングした後、図１（ｃ）に示すように、四フッ
化炭素（ＣＦ4）ガスと六フッ化硫黄（ＳＦ6）ガスとの
混合ガス又はＣｌ2ガスとＣＦ4ガスとの混合ガスを使用
した反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法により、Ｔｉ
Ｎ層４及びＷＳｉ層３をエッチングして積層金属配線を
形成する。
【００２８】本実施例方法においては、Ｃｌ2ガスとＯ2
ガスとの混合ガスを使用して低抵抗貴金属層５をドライ
エッチングしているので、前述のように、揮発性が高い
化合物が生成されるため、側壁への再付着が生じない。
また、低抵抗貴金属層５とＴｉＮ層４との間のエッチン
グレートの選択比が高く、ＴｉＮ層４上で低抵抗貴金属
層５のドライエッチングが完全に停止する。このため、
パターン形状の垂直性が高い。
ガスとの混合ガスを使用して低抵抗貴金属層５をドライ
エッチングしているので、前述のように、揮発性が高い
化合物が生成されるため、側壁への再付着が生じない。
また、低抵抗貴金属層５とＴｉＮ層４との間のエッチン
グレートの選択比が高く、ＴｉＮ層４上で低抵抗貴金属
層５のドライエッチングが完全に停止する。このため、
パターン形状の垂直性が高い。
【００２９】なお、低抵抗貴金属層５をエッチングする
際に、圧力を０．５Ｐａ、半導体基板１の温度を１５０
℃としてもよい。半導体基板１の温度を上げることによ
り、混合ガスとＡｕ及びＰｔ材との反応性が向上し、揮
発性が高いＡｕの塩化物（ＡｕＣｌx）、Ｐｔの塩化物
（ＰｔＣｌx）及びＰｔの塩化酸化物（ＰｔＣｌxＯy）
等の化合物が生成されやすい。このため、エッチングレ
ートが向上すると共に、側壁への再付着が生じずエッチ
ング形状の垂直性が高まる。また、半導体基板１の温度
が７０℃未満であると、エッチング形状の角度が６０°
以下となるため微細なラインとスペースとのパターンを
形成することが困難となる。一方、半導体基板１の温度
が２５０℃を超えると、Ａｕ層５ｂにサイドエッチング
が生じたり、Ａｕ層５ｂとＰｔ層５ａとの界面に切欠に
似たサイドエッチングが生じるため、積層金属配線にく
びれ及び段差が形成されやすい。従って、低抵抗貴金属
層５をドライエッチングするときには、半導体基板１の
温度は７０乃至２５０℃であることが望ましい。
際に、圧力を０．５Ｐａ、半導体基板１の温度を１５０
℃としてもよい。半導体基板１の温度を上げることによ
り、混合ガスとＡｕ及びＰｔ材との反応性が向上し、揮
発性が高いＡｕの塩化物（ＡｕＣｌx）、Ｐｔの塩化物
（ＰｔＣｌx）及びＰｔの塩化酸化物（ＰｔＣｌxＯy）
等の化合物が生成されやすい。このため、エッチングレ
ートが向上すると共に、側壁への再付着が生じずエッチ
ング形状の垂直性が高まる。また、半導体基板１の温度
が７０℃未満であると、エッチング形状の角度が６０°
以下となるため微細なラインとスペースとのパターンを
形成することが困難となる。一方、半導体基板１の温度
が２５０℃を超えると、Ａｕ層５ｂにサイドエッチング
が生じたり、Ａｕ層５ｂとＰｔ層５ａとの界面に切欠に
似たサイドエッチングが生じるため、積層金属配線にく
びれ及び段差が形成されやすい。従って、低抵抗貴金属
層５をドライエッチングするときには、半導体基板１の
温度は７０乃至２５０℃であることが望ましい。
【００３０】また、ＴｉＮ層４及びＷＳｉ層３をエッチ
ングする際に、半導体基板１の温度を２５℃としてもよ
い。このときの半導体基板１の温度が−３０℃未満であ
ると、各層のエッチングレートが低下する。一方、半導
体基板１の温度が５０℃を超えると、ＴｉＮ層４及びＷ
Ｓｉ層３にサイドエッチングが生じることがある。従っ
て、ＴｉＮ層４及びＷＳｉ層３をエッチングするときに
は、半導体基板１の温度は−３０乃至５０℃であること
が望ましい。
ングする際に、半導体基板１の温度を２５℃としてもよ
い。このときの半導体基板１の温度が−３０℃未満であ
ると、各層のエッチングレートが低下する。一方、半導
体基板１の温度が５０℃を超えると、ＴｉＮ層４及びＷ
Ｓｉ層３にサイドエッチングが生じることがある。従っ
て、ＴｉＮ層４及びＷＳｉ層３をエッチングするときに
は、半導体基板１の温度は−３０乃至５０℃であること
が望ましい。
【００３１】なお、本実施例方法においては、ヘリコン
プラズマエッチング装置を使用したが、本発明はこれに
限定されるものではない。誘導結合型プラズマ（ＩＣ
Ｐ）エッチング装置、ＲＩＢＥ装置及びマグネトロンＲ
ＩＥ装置等を使用してもよい。また、低抵抗貴金属層の
ドライエッチング時には、生成される化合物の揮発性を
高めるために、圧力は低い方が望ましく、特に、１Ｐａ
以下であることが望ましい。また、このときに使用され
るガスは塩素を含有するものであればよく、ＢＣｌ3及
びＳｉＣｌ4等でもよい。更に、塩素を含有するガスと
Ｏ2ガスとの混合ガスに不活性ガスが添加されていても
よい。
プラズマエッチング装置を使用したが、本発明はこれに
限定されるものではない。誘導結合型プラズマ（ＩＣ
Ｐ）エッチング装置、ＲＩＢＥ装置及びマグネトロンＲ
ＩＥ装置等を使用してもよい。また、低抵抗貴金属層の
ドライエッチング時には、生成される化合物の揮発性を
高めるために、圧力は低い方が望ましく、特に、１Ｐａ
以下であることが望ましい。また、このときに使用され
るガスは塩素を含有するものであればよく、ＢＣｌ3及
びＳｉＣｌ4等でもよい。更に、塩素を含有するガスと
Ｏ2ガスとの混合ガスに不活性ガスが添加されていても
よい。
【００３２】また、本実施例においては、低抵抗貴金属
層５をドライエッチングするためのマスクにＳｉＯ2か
らなる酸化膜を使用したが、フォトレジストマスク及び
Ｔｉを含有するメタルマスク等を使用してもよい。
層５をドライエッチングするためのマスクにＳｉＯ2か
らなる酸化膜を使用したが、フォトレジストマスク及び
Ｔｉを含有するメタルマスク等を使用してもよい。
【００３３】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
塩素を含有するガスと酸素ガスとを有する混合ガスを使
用して第３の金属層をドライエッチングしているので、
エッチングにより揮発性が高い化合物が生成され側壁へ
の再付着を生じさせることなく微細なラインとスペース
とからなるパターンを形成することができる。また、第
２の金属層にＴｉが含有されていると、ドライエッチン
グによりＴｉが酸化されて第２の金属層のエッチングレ
ートが低下するので、メタル残り及び残渣がより低減さ
れたパターンを形成することができると共に、第２の金
属層の表面が滑らかになる。更に、積層体が形成された
ウェハの温度を適切なものとしてドライエッチングを行
うことにより、エッチングされた素材の反応性及びエッ
チングレートが高くなるので、所望の形状のパターンを
より容易に形成することができる。
塩素を含有するガスと酸素ガスとを有する混合ガスを使
用して第３の金属層をドライエッチングしているので、
エッチングにより揮発性が高い化合物が生成され側壁へ
の再付着を生じさせることなく微細なラインとスペース
とからなるパターンを形成することができる。また、第
２の金属層にＴｉが含有されていると、ドライエッチン
グによりＴｉが酸化されて第２の金属層のエッチングレ
ートが低下するので、メタル残り及び残渣がより低減さ
れたパターンを形成することができると共に、第２の金
属層の表面が滑らかになる。更に、積層体が形成された
ウェハの温度を適切なものとしてドライエッチングを行
うことにより、エッチングされた素材の反応性及びエッ
チングレートが高くなるので、所望の形状のパターンを
より容易に形成することができる。
【図１】本発明の実施例方法に係るパターニング方法を
工程順に示す断面図である。
工程順に示す断面図である。
【図２】従来のパターニング方法を工程順に示す断面図
である。
である。
【図３】特開平３−３８８２５号公報に記載されたパタ
ーニング方法を工程順に示す断面図である。
ーニング方法を工程順に示す断面図である。
【図４】酸素ガス比率と選択比との関係を示すグラフ図
である。
である。
１、１１、２１；半導体基板 ２、１２、２２；シリコン酸化膜 ３、１３、２３；ＷＳｉ層 ４、１４、２４；ＴｉＮ層 ５、１５；低抵抗貴金属層 ５ａ、１５ａ；Ｐｔ層 ５ｂ、１５ｂ；Ａｕ層 ６；酸化膜マスク １６；フォトレジストマスク ２５；Ａｕ薄膜 ２７；フォトレジストパターン ２８；Ａｕパターン
Claims (6)
- 【請求項１】 第１の金属層と、この第１の金属層上に
形成された第２の金属層と、この第２の金属層上に形成
された第３の金属層とからなる積層体のパターニング方
法において、塩素を含有するガスと酸素ガスとを有する
混合ガスを使用して前記第３の金属層をドライエッチン
グする工程を有することを特徴とするパターニング方
法。 - 【請求項２】 前記第２の金属層はＴｉを含有し、前記
第３の金属層は金及び白金からなる群から選択された少
なくとも１種の金属材料からなることを特徴とする請求
項１に記載のパターニング方法。 - 【請求項３】 ハロゲンを含有するガスを使用して前記
第２の金属層及び前記第１の金属層をドライエッチング
する工程を有することを特徴とする請求項１又は２に記
載のパターニング方法。 - 【請求項４】 前記積層体はウェハ上に形成されてお
り、前記第３の金属層をドライエッチングする工程は、
前記ウェハの温度を７０乃至２５０℃として前記第３の
金属層をドライエッチングする工程を有することを特徴
とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のパターニ
ング方法。 - 【請求項５】 前記積層体はウェハ上に形成されてお
り、前記第２の金属層及び前記第１の金属層をドライエ
ッチングする工程は、前記ウェハの温度を−３０乃至５
０℃として前記第２の金属層及び前記第１の金属層をド
ライエッチングする工程を有することを特徴とする請求
項１乃至４のいずれか１項に記載のパターニング方法。 - 【請求項６】 前記第２の金属層はＴｉ層及びＴｉＮ層
からなる群から選択された１種の金属層であることを特
徴とする請求項２乃至５のいずれか１項に記載のパター
ニング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30621197A JPH11145112A (ja) | 1997-11-07 | 1997-11-07 | パターニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30621197A JPH11145112A (ja) | 1997-11-07 | 1997-11-07 | パターニング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11145112A true JPH11145112A (ja) | 1999-05-28 |
Family
ID=17954338
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30621197A Pending JPH11145112A (ja) | 1997-11-07 | 1997-11-07 | パターニング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11145112A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001001473A1 (en) * | 1999-06-30 | 2001-01-04 | Lam Research Corporation | A method and apparatus for etching a gold metal layer using a titanium hardmask |
| JP2002043329A (ja) * | 2000-05-13 | 2002-02-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
| JP2003124194A (ja) * | 2001-10-16 | 2003-04-25 | Fujitsu Quantum Devices Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2003124195A (ja) * | 2001-10-16 | 2003-04-25 | Fujitsu Quantum Devices Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| KR100546275B1 (ko) * | 1998-06-15 | 2006-04-21 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 백금막 식각방법 |
| JP2007134589A (ja) * | 2005-11-11 | 2007-05-31 | Rohm Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2009278142A (ja) * | 1998-01-20 | 2009-11-26 | Tegal Corp | エッチングすべき構造物の幅の臨界寸法増大を抑制する方法 |
| US8202394B2 (en) | 2001-06-11 | 2012-06-19 | Renesas Electronics Corporation | Method of manufacturing semiconductor devices and semiconductor manufacturing apparatus |
| CN112753093A (zh) * | 2018-07-27 | 2021-05-04 | 德克萨斯仪器股份有限公司 | 通过合金化和蚀刻铂合金图案化铂 |
-
1997
- 1997-11-07 JP JP30621197A patent/JPH11145112A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009278142A (ja) * | 1998-01-20 | 2009-11-26 | Tegal Corp | エッチングすべき構造物の幅の臨界寸法増大を抑制する方法 |
| KR100546275B1 (ko) * | 1998-06-15 | 2006-04-21 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 백금막 식각방법 |
| WO2001001473A1 (en) * | 1999-06-30 | 2001-01-04 | Lam Research Corporation | A method and apparatus for etching a gold metal layer using a titanium hardmask |
| JP2002043329A (ja) * | 2000-05-13 | 2002-02-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
| US8202394B2 (en) | 2001-06-11 | 2012-06-19 | Renesas Electronics Corporation | Method of manufacturing semiconductor devices and semiconductor manufacturing apparatus |
| JP2003124194A (ja) * | 2001-10-16 | 2003-04-25 | Fujitsu Quantum Devices Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2003124195A (ja) * | 2001-10-16 | 2003-04-25 | Fujitsu Quantum Devices Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2007134589A (ja) * | 2005-11-11 | 2007-05-31 | Rohm Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| CN112753093A (zh) * | 2018-07-27 | 2021-05-04 | 德克萨斯仪器股份有限公司 | 通过合金化和蚀刻铂合金图案化铂 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5786272A (en) | Metallization over tungsten plugs | |
| US5609775A (en) | Dry etch process for titanium-tungsten films | |
| JPH11145112A (ja) | パターニング方法 | |
| JP2891952B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3112832B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US6057230A (en) | Dry etching procedure and recipe for patterning of thin film copper layers | |
| JPS61185928A (ja) | パタ−ン形成法 | |
| JP3750231B2 (ja) | 積層配線の形成方法 | |
| JP3191344B2 (ja) | 銅膜のエッチング方法 | |
| JPH05343363A (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JP3371170B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3353490B2 (ja) | 積層配線のパターニング方法 | |
| JPH04350939A (ja) | 銅配線の形成方法 | |
| JP2503662B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| CN100403496C (zh) | 于集成电路内制作不含晶须的铝线或铝合金线的方法 | |
| JPH07273120A (ja) | 半導体基板の処理方法 | |
| JPH07297281A (ja) | 接続孔の製造方法 | |
| JPH07263425A (ja) | 積層配線のドライエッチング方法 | |
| JPH05121378A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04278535A (ja) | 配線形成方法 | |
| JPH0997797A (ja) | 積層配線の形成方法 | |
| JPH07283216A (ja) | Ａｌ系金属配線構造およびそのパターニング方法 | |
| JPH0637058A (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JP3353443B2 (ja) | 積層配線のドライエッチング方法 | |
| JP3541329B2 (ja) | ドライ・エッチング方法 |