JPH11145255A - 半導体ウェーハの検査装置および検査方法 - Google Patents
半導体ウェーハの検査装置および検査方法Info
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- JPH11145255A JPH11145255A JP10162058A JP16205898A JPH11145255A JP H11145255 A JPH11145255 A JP H11145255A JP 10162058 A JP10162058 A JP 10162058A JP 16205898 A JP16205898 A JP 16205898A JP H11145255 A JPH11145255 A JP H11145255A
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- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
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- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
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- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、検査の信頼性と作業効率の高い半
導体ウェーハの検査装置及び検査方法を提供する。 【解決手段】 移送部１０と、前記ウェーハが安着され
たステージをＸ軸、Ｙ軸及びθに駆動させて前記ウェー
ハを整列させるウェーハ整列部１２と、前記ステージに
安着されたウェーハのパターン中で整列マークが形成さ
れた領域を映像に処理する映像処理部１４と、前記ウェ
ーハ整列部の駆動を制御し、前記映像処理部の映像信号
の入力を受けて前記整列マークの整列状態を分析する制
御部１６と、前記ウェーハ上に存在するパーティクルを
検査することができるように前記ウェーハの表面を紫外
線レーザーで分析するパーティクル検査部１８と、前記
制御部による整列マークの整列状態の分析のデータを出
力する出力部２０を備える半導体ウェーハの検査装置及
び検査方法により、整列マークの整列状態の検査値の信
頼性を向上させることによって生産性を向上させる。
導体ウェーハの検査装置及び検査方法を提供する。 【解決手段】 移送部１０と、前記ウェーハが安着され
たステージをＸ軸、Ｙ軸及びθに駆動させて前記ウェー
ハを整列させるウェーハ整列部１２と、前記ステージに
安着されたウェーハのパターン中で整列マークが形成さ
れた領域を映像に処理する映像処理部１４と、前記ウェ
ーハ整列部の駆動を制御し、前記映像処理部の映像信号
の入力を受けて前記整列マークの整列状態を分析する制
御部１６と、前記ウェーハ上に存在するパーティクルを
検査することができるように前記ウェーハの表面を紫外
線レーザーで分析するパーティクル検査部１８と、前記
制御部による整列マークの整列状態の分析のデータを出
力する出力部２０を備える半導体ウェーハの検査装置及
び検査方法により、整列マークの整列状態の検査値の信
頼性を向上させることによって生産性を向上させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェーハの
検査装置及び検査方法に関するもので、より詳しくはウ
ェーハ（Wafer）のパターン（Pattern）を検査するため
にウェーハに形成させた整列マーク（Align Mark）の整
列状態の分析を映像で処理する半導体ウェーハの検査装
置及び検査方法に関するものである。
検査装置及び検査方法に関するもので、より詳しくはウ
ェーハ（Wafer）のパターン（Pattern）を検査するため
にウェーハに形成させた整列マーク（Align Mark）の整
列状態の分析を映像で処理する半導体ウェーハの検査装
置及び検査方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般的に半導体装置はウェーハ上に所定
の膜（Film）を形成させた後、前記所定の膜を所定のパ
ターン（Pattern）に形成させる写真エッチング工程を
行う。前記写真エッチング工程は、最初に前記ウェーハ
に形成された所定の膜上にフォトレジスト（Photo Resi
st）を塗布し、露光工程、及び現像工程の遂行によって
前記フォトレジストを所定のパターンに形成する。続い
て、前記所定のパターンの形成によって露出される下部
膜を除去させ前記ウェーハ上に残留する前記フォトレジ
ストを完全に除去させる工程を有する。そして、前記写
真エッチング工程の遂行で前記ウェーハに形成される所
定のパターンを検査する検査工程を行う。
の膜（Film）を形成させた後、前記所定の膜を所定のパ
ターン（Pattern）に形成させる写真エッチング工程を
行う。前記写真エッチング工程は、最初に前記ウェーハ
に形成された所定の膜上にフォトレジスト（Photo Resi
st）を塗布し、露光工程、及び現像工程の遂行によって
前記フォトレジストを所定のパターンに形成する。続い
て、前記所定のパターンの形成によって露出される下部
膜を除去させ前記ウェーハ上に残留する前記フォトレジ
ストを完全に除去させる工程を有する。そして、前記写
真エッチング工程の遂行で前記ウェーハに形成される所
定のパターンを検査する検査工程を行う。
【０００３】ここで、前記検査工程は主に前記現像工程
を行った後行われる第１検査工程（After Develop Insp
ection；以下「ＡＤＩ工程」とする。）、及び前記フォ
トレジストを除去させて洗浄工程を遂行した後行われる
第２検査工程（After Cleaning Inspection；ＡＣＩ）
で分けられる。
を行った後行われる第１検査工程（After Develop Insp
ection；以下「ＡＤＩ工程」とする。）、及び前記フォ
トレジストを除去させて洗浄工程を遂行した後行われる
第２検査工程（After Cleaning Inspection；ＡＣＩ）
で分けられる。
【０００４】そして、前記検査工程は一般的に前記所定
のパターンの形成時前記ウェーハ上に形成する整列マー
ク(Align mark)の整列状態(Aligning state)を分析する
ことによって行われ、従来の前記ＡＤＩ工程は主に顕微
鏡を利用して前記ウェーハ上に形成された所定のパター
ンを検査した。即ち、作業者が前記顕微鏡を利用して前
記ウェーハに形成されたパターン中の整列マークを利用
してその整列状態を分析することで前記所定のパターン
を検査した。そして、前記ウェーハの所定のパターンを
検査するために形成させる整列マークであるバーニアー
キー（Vernier Key）を作業者が顕微鏡から直接視認し
て分析することで前記ＡＤＩ工程を遂行した。
のパターンの形成時前記ウェーハ上に形成する整列マー
ク(Align mark)の整列状態(Aligning state)を分析する
ことによって行われ、従来の前記ＡＤＩ工程は主に顕微
鏡を利用して前記ウェーハ上に形成された所定のパター
ンを検査した。即ち、作業者が前記顕微鏡を利用して前
記ウェーハに形成されたパターン中の整列マークを利用
してその整列状態を分析することで前記所定のパターン
を検査した。そして、前記ウェーハの所定のパターンを
検査するために形成させる整列マークであるバーニアー
キー（Vernier Key）を作業者が顕微鏡から直接視認し
て分析することで前記ＡＤＩ工程を遂行した。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このような従来のＡＤ
Ｉ工程は、作業者が顕微鏡で直接視認して分析が行われ
たので、前記分析の結果に対する信頼度が欠けていた。
つまり作業者の任意の判断、またはバーニアーキーをフ
ォーカシング（Focusing）する時の作業者の肉眼の解像
力等の差によって分析のデータの誤差が発生したからで
ある。このようなデータの誤差は後続工程の遂行時不良
を誘発させる原因として作用した。また、前記ＡＤＩ工
程は２５枚のウェーハが積載されたカセット（Cassett
e）で主に３枚程度のウェーハをサンプリング（Samplin
g）して行われるので、前記サンプリングで行われるＡ
ＤＩ工程の遂行時、整列マークの整列状態の分析検査中
の誤認は大量の不良を発生させることもあった。そし
て、前記ＡＤＩ工程が直接視認によって行われたので、
作業者の視力を低下させる等、作業効率が低下する原因
となった。
Ｉ工程は、作業者が顕微鏡で直接視認して分析が行われ
たので、前記分析の結果に対する信頼度が欠けていた。
つまり作業者の任意の判断、またはバーニアーキーをフ
ォーカシング（Focusing）する時の作業者の肉眼の解像
力等の差によって分析のデータの誤差が発生したからで
ある。このようなデータの誤差は後続工程の遂行時不良
を誘発させる原因として作用した。また、前記ＡＤＩ工
程は２５枚のウェーハが積載されたカセット（Cassett
e）で主に３枚程度のウェーハをサンプリング（Samplin
g）して行われるので、前記サンプリングで行われるＡ
ＤＩ工程の遂行時、整列マークの整列状態の分析検査中
の誤認は大量の不良を発生させることもあった。そし
て、前記ＡＤＩ工程が直接視認によって行われたので、
作業者の視力を低下させる等、作業効率が低下する原因
となった。
【０００６】また、前記ＡＤＩ工程の遂行では、前記ウ
ェーハ上に存在するパーティクル(Particle)等の検査は
行わず、前記パーティクルの検査は洗浄工程を行った後
なされる第２検査工程を遂行して別途に行った。
ェーハ上に存在するパーティクル(Particle)等の検査は
行わず、前記パーティクルの検査は洗浄工程を行った後
なされる第２検査工程を遂行して別途に行った。
【０００７】従って、従来のＡＤＩは顕微鏡から直接視
認して行われたので、分析のデータの信頼度を低下さ
せ、作業効率を低下させ、また後続工程の遂行時不良を
誘発させるなどによって生産性が低下されるという問題
があった。
認して行われたので、分析のデータの信頼度を低下さ
せ、作業効率を低下させ、また後続工程の遂行時不良を
誘発させるなどによって生産性が低下されるという問題
があった。
【０００８】本発明の目的は、ウェーハに形成させる所
定のパターンを検査するために、整列マークの整列状態
を分析する検査工程を映像上で分析することで分析結果
の信頼度を向上させ、作業効率等を向上させることで生
産性を高めることが可能な半導体ウェーハの検査装置及
び検査方法を提供することにある。
定のパターンを検査するために、整列マークの整列状態
を分析する検査工程を映像上で分析することで分析結果
の信頼度を向上させ、作業効率等を向上させることで生
産性を高めることが可能な半導体ウェーハの検査装置及
び検査方法を提供することにある。
【０００９】
【発明を解決するための手段】前記目的を達成するため
の本発明による半導体ウェーハの検査装置は、ウェーハ
が安着されたステージの駆動で前記ウェーハを整列させ
るウェーハ整列部と、ステージに安着された前記ウェー
ハのパターン中で整列マークが形成された領域を映像で
処理する映像処理部と、前記ウェーハ整列部の駆動を制
御して、前記映像処理部の映像信号の入力を受けて前記
整列マークの整列状態を分析する制御部と、を備えるこ
とを特徴とする。
の本発明による半導体ウェーハの検査装置は、ウェーハ
が安着されたステージの駆動で前記ウェーハを整列させ
るウェーハ整列部と、ステージに安着された前記ウェー
ハのパターン中で整列マークが形成された領域を映像で
処理する映像処理部と、前記ウェーハ整列部の駆動を制
御して、前記映像処理部の映像信号の入力を受けて前記
整列マークの整列状態を分析する制御部と、を備えるこ
とを特徴とする。
【００１０】前記検査装置は、前記ウェーハを前記カセ
ットから前記ステージに、または前記ステージから前記
カセットに移送させる移送部がさらに備えられることが
望ましい。また本発明による半導体ウェーハの検査装置
は、前記制御部に対する整列マークの整列状態の分析の
分析結果をデータ出力する出力部がさらに備えられるこ
とが望ましい。また本発明による半導体ウェーハの検査
装置は、前記ウェーハ上に存在するパーティクルを検査
するパーティクル検査部がさらに備えられることが望ま
しい。さらに、前記パーティクル検査部は、前記ウェー
ハの表面を紫外線レーザーで分析することが望ましい。
ットから前記ステージに、または前記ステージから前記
カセットに移送させる移送部がさらに備えられることが
望ましい。また本発明による半導体ウェーハの検査装置
は、前記制御部に対する整列マークの整列状態の分析の
分析結果をデータ出力する出力部がさらに備えられるこ
とが望ましい。また本発明による半導体ウェーハの検査
装置は、前記ウェーハ上に存在するパーティクルを検査
するパーティクル検査部がさらに備えられることが望ま
しい。さらに、前記パーティクル検査部は、前記ウェー
ハの表面を紫外線レーザーで分析することが望ましい。
【００１１】さらに、前記ウェーハ整列部は、Ｘ軸、Ｙ
軸、及び、θへの駆動で前記ウェーハを整列させること
が望ましい。さらに、前記映像処理部は、前記ウェーハ
の前記整列マークの像を拡大する顕微鏡と、前記顕微鏡
の像を撮影するカメラと、前記撮影された映像を映像信
号に処理する映像信号変換機とを備えることが望まし
い。さらに、前記映像処理部は前記カメラで撮影した映
像をモニターリングできるモニターがさらに備えられる
ことが望ましい。
軸、及び、θへの駆動で前記ウェーハを整列させること
が望ましい。さらに、前記映像処理部は、前記ウェーハ
の前記整列マークの像を拡大する顕微鏡と、前記顕微鏡
の像を撮影するカメラと、前記撮影された映像を映像信
号に処理する映像信号変換機とを備えることが望まし
い。さらに、前記映像処理部は前記カメラで撮影した映
像をモニターリングできるモニターがさらに備えられる
ことが望ましい。
【００１２】また、本発明による半導体ウェーハの検査
装置は、前記ウェーハを前記カセットから前記ステージ
にまたは前記ステージから前記カセットに移送させる前
記移送部と、前記ウェーハが安着された前記ステージを
Ｘ軸、Ｙ軸及びθに駆動させ前記ウェーハを整列させる
前記ウェーハ整列部と、前記ステージに安着された前記
ウェーハの前記パターン中で前記整列マークが形成され
た領域を映像で処理できるように前記ウェーハの前記整
列マークの像を拡大する前記顕微鏡、前記顕微鏡の像を
撮影する前記カメラ、前記カメラで撮影した映像をモニ
ターリングする前記モニター及び前記撮影された映像を
前記映像信号に処理する前記映像信号変換機からなる前
記映像処理部と、前記ウェーハ整列部の駆動を制御し、
前記映像処理部の前記映像信号の入力を受けて前記整列
マークの整列状態を分析する前記制御部と、前記ウェー
ハ上に存在する前記パーティクルを検査できるように前
記ウェーハの表面を前記紫外線レーザーで分析する前記
パーティクル検査部と、前記制御部による前記整列マー
クの整列状態の分析結果をデータ出力する前記出力部
と、を備えることを特徴とする。
装置は、前記ウェーハを前記カセットから前記ステージ
にまたは前記ステージから前記カセットに移送させる前
記移送部と、前記ウェーハが安着された前記ステージを
Ｘ軸、Ｙ軸及びθに駆動させ前記ウェーハを整列させる
前記ウェーハ整列部と、前記ステージに安着された前記
ウェーハの前記パターン中で前記整列マークが形成され
た領域を映像で処理できるように前記ウェーハの前記整
列マークの像を拡大する前記顕微鏡、前記顕微鏡の像を
撮影する前記カメラ、前記カメラで撮影した映像をモニ
ターリングする前記モニター及び前記撮影された映像を
前記映像信号に処理する前記映像信号変換機からなる前
記映像処理部と、前記ウェーハ整列部の駆動を制御し、
前記映像処理部の前記映像信号の入力を受けて前記整列
マークの整列状態を分析する前記制御部と、前記ウェー
ハ上に存在する前記パーティクルを検査できるように前
記ウェーハの表面を前記紫外線レーザーで分析する前記
パーティクル検査部と、前記制御部による前記整列マー
クの整列状態の分析結果をデータ出力する前記出力部
と、を備えることを特徴とする。
【００１３】本発明による半導体ウェーハの検査方法
は、前記ウェーハが安着された前記ステージをＸ軸、Ｙ
軸及びθに駆動させ前記ウェーハを整列させる工程と、
前記ステージに安着された前記ウェーハの前記パターン
中で前記整列マークが形成された領域を映像に処理する
工程と、前記映像に処理した前記映像信号の入力を受け
て前記整列マークの整列状態を分析する工程を有するこ
とを特徴とする。
は、前記ウェーハが安着された前記ステージをＸ軸、Ｙ
軸及びθに駆動させ前記ウェーハを整列させる工程と、
前記ステージに安着された前記ウェーハの前記パターン
中で前記整列マークが形成された領域を映像に処理する
工程と、前記映像に処理した前記映像信号の入力を受け
て前記整列マークの整列状態を分析する工程を有するこ
とを特徴とする。
【００１４】さらに本発明による半導体ウェーハの検査
方法は、前記ウェーハ上に存在する前記パーティクルを
検査する工程を有することが望ましい。さらに本発明に
よる半導体ウェーハの検査方法は、前記整列マークの整
列状態の分析結果をデータ出力する工程を有することが
望ましい。
方法は、前記ウェーハ上に存在する前記パーティクルを
検査する工程を有することが望ましい。さらに本発明に
よる半導体ウェーハの検査方法は、前記整列マークの整
列状態の分析結果をデータ出力する工程を有することが
望ましい。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的な実施例を
図１、図２により詳細に説明する。図１は本発明の実施
例よる半導体ウェーハの検査装置を示す構成図で、図２
は本発明の実施例による半導体ウェーハの検査方法を示
す工程図である。
図１、図２により詳細に説明する。図１は本発明の実施
例よる半導体ウェーハの検査装置を示す構成図で、図２
は本発明の実施例による半導体ウェーハの検査方法を示
す工程図である。
【００１６】図１に示すように本発明の実施例による半
導体ウェーハの検査装置は、ウェーハをカセットからス
テージ(Stage)にまたはステージからカセットに移送さ
せる移送部１０、及び、前記ウェーハが安着されたステ
ージをＸ軸、Ｙ軸及びθに駆動させ前記ウェーハを整列
させるウェーハ整列部１２が備えられ、さらに前記ステ
ージに安着されたウェーハのパターン中で整列マークが
形成された領域を映像で処理できるように前記ウェーハ
の整列マークの像を拡大する顕微鏡１４２、前記顕微鏡
１４２の像を撮影するカメラ(Camera)１４４、前記カメ
ラ１４４で撮影した映像をモニターリング(Monitoring)
するモニター１４６、及び前記撮影された映像を映像信
号に処理する映像信号変換機１４８からなる映像処理部
１４が備えられ、さらに前記ウェーハ整列部１２の駆動
を制御し、前記映像処理部１４の映像信号の入力を受け
て前記整列マークの整列状態を分析する制御部１６が備
えられ、さらに前記ウェーハ上に存在するパーティクル
を検査できるように前記ウェーハの表面を紫外線レーザ
ーで分析するパーティクル検査部１８、及び、前記制御
部１６による整列マークの整列状態の分析のデータを出
力する出力部２０が備えられている。
導体ウェーハの検査装置は、ウェーハをカセットからス
テージ(Stage)にまたはステージからカセットに移送さ
せる移送部１０、及び、前記ウェーハが安着されたステ
ージをＸ軸、Ｙ軸及びθに駆動させ前記ウェーハを整列
させるウェーハ整列部１２が備えられ、さらに前記ステ
ージに安着されたウェーハのパターン中で整列マークが
形成された領域を映像で処理できるように前記ウェーハ
の整列マークの像を拡大する顕微鏡１４２、前記顕微鏡
１４２の像を撮影するカメラ(Camera)１４４、前記カメ
ラ１４４で撮影した映像をモニターリング(Monitoring)
するモニター１４６、及び前記撮影された映像を映像信
号に処理する映像信号変換機１４８からなる映像処理部
１４が備えられ、さらに前記ウェーハ整列部１２の駆動
を制御し、前記映像処理部１４の映像信号の入力を受け
て前記整列マークの整列状態を分析する制御部１６が備
えられ、さらに前記ウェーハ上に存在するパーティクル
を検査できるように前記ウェーハの表面を紫外線レーザ
ーで分析するパーティクル検査部１８、及び、前記制御
部１６による整列マークの整列状態の分析のデータを出
力する出力部２０が備えられている。
【００１７】すなわち本発明の実施例よる半導体ウェー
ハの検査装置は、前記映像処理部１４及び制御部１６等
を利用して従来の直接視認で行われたＡＤＩ工程を画面
上の処理で遂行することを実現する。
ハの検査装置は、前記映像処理部１４及び制御部１６等
を利用して従来の直接視認で行われたＡＤＩ工程を画面
上の処理で遂行することを実現する。
【００１８】図２に示すように本発明の実施例よる半導
体ウェーハの検査方法は、ウェーハをステージに移送さ
せる工程、及び、前記ウェーハが安着されたステージを
Ｘ軸、Ｙ軸及びθに駆動させ前記ウェーハを整列させる
工程を有する。さらに前記ステージに安着されたウェー
ハのパターン中で整列マークが形成された領域を映像で
処理する工程、及び、前記映像で処理した映像信号の入
力を受けて前記整列マークの整列状態を分析する工程を
備えている。さらに前記ウェーハ上に存在するパーティ
クルを検査する工程及び前記整列マークの整列状態の分
析のデータを出力する工程を備えている。
体ウェーハの検査方法は、ウェーハをステージに移送さ
せる工程、及び、前記ウェーハが安着されたステージを
Ｘ軸、Ｙ軸及びθに駆動させ前記ウェーハを整列させる
工程を有する。さらに前記ステージに安着されたウェー
ハのパターン中で整列マークが形成された領域を映像で
処理する工程、及び、前記映像で処理した映像信号の入
力を受けて前記整列マークの整列状態を分析する工程を
備えている。さらに前記ウェーハ上に存在するパーティ
クルを検査する工程及び前記整列マークの整列状態の分
析のデータを出力する工程を備えている。
【００１９】本発明の実施例による半導体ウェーハの検
査方法により半導体ウェーハの検査装置を用いたとき、
前記ウェーハに形成させたパターンの検査のための検査
工程、即ちＡＤＩ工程の遂行時に、前記整列マークの整
列状態を映像信号に処理して分析することで前記分析の
データの信頼度が向上され、また前記映像処理部１４の
モニター１４６または出力部２０を利用することで作業
効率を向上させることができる。
査方法により半導体ウェーハの検査装置を用いたとき、
前記ウェーハに形成させたパターンの検査のための検査
工程、即ちＡＤＩ工程の遂行時に、前記整列マークの整
列状態を映像信号に処理して分析することで前記分析の
データの信頼度が向上され、また前記映像処理部１４の
モニター１４６または出力部２０を利用することで作業
効率を向上させることができる。
【００２０】前述した構成からなる本発明の具体的な実
施例に対する作用及び効果に対して説明する。最初に移
送部１０を利用してカセットに積載されているウェーハ
をステージに移送する。次に制御部１６によってウェー
ハ整列部１２は、ウェーハが安着されたステージをＸ
軸、Ｙ軸及びθ等に駆動させて前記ウェーハを整列させ
る。即ち、前記ウェーハを移送部１０を利用してステー
ジに移送させた後、前記ウェーハを整列させるもので、
一般的に前記ウェーハのフラットゾーン(Flat zone)を
最初に整列させた後、前記のようにＸ軸、Ｙ軸及びθ等
に駆動させて前記ウェーハを整列させる。続いて、前記
ウェーハに形成させた整列マークを前記映像処理部１４
を利用して映像に処理する。ここで前記ウェーハの整列
マークの映像処理は、一般的に５個をサンプル検査する
が、作業者がパターンの特性によるサンプル検査数の増
減等を任意に決めて検査することができる。即ち、顕微
鏡１４２、カメラ１４４及びモニター１４６を利用して
前記整列マークの映像をモニターリングして、また映像
信号変換機１４８を利用して前記映像を映像信号に処理
して制御部１６に入力させる。
施例に対する作用及び効果に対して説明する。最初に移
送部１０を利用してカセットに積載されているウェーハ
をステージに移送する。次に制御部１６によってウェー
ハ整列部１２は、ウェーハが安着されたステージをＸ
軸、Ｙ軸及びθ等に駆動させて前記ウェーハを整列させ
る。即ち、前記ウェーハを移送部１０を利用してステー
ジに移送させた後、前記ウェーハを整列させるもので、
一般的に前記ウェーハのフラットゾーン(Flat zone)を
最初に整列させた後、前記のようにＸ軸、Ｙ軸及びθ等
に駆動させて前記ウェーハを整列させる。続いて、前記
ウェーハに形成させた整列マークを前記映像処理部１４
を利用して映像に処理する。ここで前記ウェーハの整列
マークの映像処理は、一般的に５個をサンプル検査する
が、作業者がパターンの特性によるサンプル検査数の増
減等を任意に決めて検査することができる。即ち、顕微
鏡１４２、カメラ１４４及びモニター１４６を利用して
前記整列マークの映像をモニターリングして、また映像
信号変換機１４８を利用して前記映像を映像信号に処理
して制御部１６に入力させる。
【００２１】ここで、作業者は前記映像処理部１４のモ
ニター１４６にモニターリングされた映像として前記整
列マークの整列状態を確認することができ、また前記制
御部１６が映像信号の入力で前記整列マークの整列状態
を分析したデータとして前記整列マークの整列状態を確
認することができる。即ち、前記制御部１６による分析
結果を出力部２０を利用して提供されることで作業者は
前記整列マークの整列状態を分析することができる。
ニター１４６にモニターリングされた映像として前記整
列マークの整列状態を確認することができ、また前記制
御部１６が映像信号の入力で前記整列マークの整列状態
を分析したデータとして前記整列マークの整列状態を確
認することができる。即ち、前記制御部１６による分析
結果を出力部２０を利用して提供されることで作業者は
前記整列マークの整列状態を分析することができる。
【００２２】続いて、パーティクル分析器１８を利用し
て前記ウェーハ上に存在するパーティクルを検査する。
即ち、紫外線レーザーを利用して前記ウェーハの表面を
分析することで前記ウェーハ上に存在するパーティクル
を分析する。そして、前記ウェーハの整列マークの整列
状態の分析のデータのみではなく前記パーティクルの分
析結果を出力する。ここで、前記整列状態の分析を映像
処理部１４のモニター１４６に画面表示することがで
き、また出力部２０によってウェーハのマップ(Map)等
に出力される分析結果を提供することもできる。
て前記ウェーハ上に存在するパーティクルを検査する。
即ち、紫外線レーザーを利用して前記ウェーハの表面を
分析することで前記ウェーハ上に存在するパーティクル
を分析する。そして、前記ウェーハの整列マークの整列
状態の分析のデータのみではなく前記パーティクルの分
析結果を出力する。ここで、前記整列状態の分析を映像
処理部１４のモニター１４６に画面表示することがで
き、また出力部２０によってウェーハのマップ(Map)等
に出力される分析結果を提供することもできる。
【００２３】このような本発明の実施例によると、前記
ウェーハに形成させるパターンの検査、即ち、ＡＤＩ工
程の遂行を画面上で処理することで前記ＡＤＩ工程の遂
行時発生される不良等を未然に防止することができる。
即ち、サンプリング等で行われるＡＤＩ工程の遂行時、
整列マークの整列状態の分析のミスを極力減少させるこ
とができる。そして、前記のサンプリング検査を２５枚
の全数検査で遂行することが可能なため、前記サンプリ
ング検査で発見できない不良等を極力減少させることが
できる。また前記ＡＤＩ工程の分析結果を確認すること
で、その分析結果を基準として推移分析などを遂行し、
後で発生し得るＡＤＩ工程の問題点などの把握を効率的
に遂行することができる。そして、映像処理部１４を利
用することで作業者の視力等を保護することができるの
で作業効率等を向上させることができる。また、パーテ
ィクル分析器１８を利用してパーティクル検査を同時に
遂行することによって前記パーティクル等による不良に
迅速に対処することができる。
ウェーハに形成させるパターンの検査、即ち、ＡＤＩ工
程の遂行を画面上で処理することで前記ＡＤＩ工程の遂
行時発生される不良等を未然に防止することができる。
即ち、サンプリング等で行われるＡＤＩ工程の遂行時、
整列マークの整列状態の分析のミスを極力減少させるこ
とができる。そして、前記のサンプリング検査を２５枚
の全数検査で遂行することが可能なため、前記サンプリ
ング検査で発見できない不良等を極力減少させることが
できる。また前記ＡＤＩ工程の分析結果を確認すること
で、その分析結果を基準として推移分析などを遂行し、
後で発生し得るＡＤＩ工程の問題点などの把握を効率的
に遂行することができる。そして、映像処理部１４を利
用することで作業者の視力等を保護することができるの
で作業効率等を向上させることができる。また、パーテ
ィクル分析器１８を利用してパーティクル検査を同時に
遂行することによって前記パーティクル等による不良に
迅速に対処することができる。
【００２４】そして、本発明の実施例は後続工程の遂行
時リジェクト(Reject)またはリワーク(Rework)されるウ
ェーハ等を減少させることができるので製造設備の稼動
効率を向上させ得る。即ち、前記ウェーハのパターンを
検査するために遂行される整列マークの整列状態の検査
を画面上で処理することで、前記検査による分析結果の
信頼性等を向上させることができ、検査ミスを最小化す
ることができる。
時リジェクト(Reject)またはリワーク(Rework)されるウ
ェーハ等を減少させることができるので製造設備の稼動
効率を向上させ得る。即ち、前記ウェーハのパターンを
検査するために遂行される整列マークの整列状態の検査
を画面上で処理することで、前記検査による分析結果の
信頼性等を向上させることができ、検査ミスを最小化す
ることができる。
【００２５】
【発明の効果】従って、本発明によると、整列マークの
整列状態の検査の分析結果の信頼性を向上させることが
でき、その検査ミス等を最小化させることができ、また
作業効率等を向上させることによって生産性を向上させ
ることができるという効果がある。
整列状態の検査の分析結果の信頼性を向上させることが
でき、その検査ミス等を最小化させることができ、また
作業効率等を向上させることによって生産性を向上させ
ることができるという効果がある。
【図１】 本発明の実施例による半導体ウェーハの検査
装置の構成図である。
装置の構成図である。
【図２】 本発明の実施例による半導体ウェーハの検査
方法の工程図である。
方法の工程図である。
１０ 移送部 １２ ウェーハ整列部 １４ 映像処理部 １６ 制御部 １８ パーティクル検査部 ２０ 出力部 １４２ 顕微鏡 １４４ カメラ １４６ モニター １４８ 映像信号変換機
Claims (12)
- 【請求項１】 ウェーハが安着されたステージの駆動で
前記ウェーハを整列させるウェーハ整列部と、 前記ステージに安着されたウェーハのパターンの中で整
列マークが形成された領域を映像に処理する映像処理部
と、 前記ウェーハ整列部の駆動を制御し、前記映像処理部の
映像信号の入力を受けて前記整列マークの整列状態を分
析する制御部と、 を備えることを特徴とする半導体ウェーハ検査装置。 - 【請求項２】 前記ウェーハをカセットから前記ステー
ジに、または前記ステージから前記カセットに移送させ
る移送部を備えることを特徴とする請求項１記載の半導
体ウェーハ検査装置。 - 【請求項３】 前記制御部による前記整列マークの整列
状態を分析結果としてデータ出力する出力部を備えるこ
とを特徴とする請求項１記載の半導体ウェーハ検査装
置。 - 【請求項４】 前記ウェーハ上に存在するパーティクル
を検査するパーティクル検査部を備えることを特徴とす
る請求項１記載の半導体ウェーハ検査装置。 - 【請求項５】 前記パーティクル検査部は、前記ウェー
ハの表面を紫外線レーザーで分析することを特徴とする
請求項４記載の半導体ウェーハ検査装置。 - 【請求項６】 前記ウェーハ整列部は、Ｘ軸、Ｙ軸及び
θの駆動で前記ウェーハを整列させることを特徴とする
請求項１記載の半導体ウェーハ検査装置。 - 【請求項７】 前記映像処理部は、前記ウェーハの整列
マークの像を拡大する顕微鏡と、前記顕微鏡の像を撮影
するカメラと、撮影された映像を映像信号で処理する映
像信号変換機とを備えることを特徴とする請求項１記載
の半導体ウェーハ検査装置。 - 【請求項８】 前記映像処理部は、前記カメラで撮影し
た前記映像をモニターリング可能なモニターを備えるこ
とを特徴とする請求項７記載の半導体ウェーハ検査装
置。 - 【請求項９】 ウェーハをカセットからステージに、ま
たは前記ステージから前記カセットに移送させる移送部
と、 前記ウェーハが安着された前記ステージをＸ軸、Ｙ軸及
びθに駆動させて前記ウェーハを整列させるウェーハ整
列部と、 前記ステージに安着された前記ウェーハのパターン中で
整列マークが形成された領域を映像で処理できるよう
に、前記ウェーハの前記整列マークの像を拡大する顕微
鏡、前記顕微鏡の像を撮影するカメラ、前記カメラで撮
影した映像をモニターリングするモニター、及び撮影さ
れた前記映像を映像信号に処理する映像信号変換機を有
する映像処理部と、 前記ウェーハ整列部の駆動を制御して、前記映像処理部
の前記映像信号の入力を受けて前記整列マークの整列状
態を分析する制御部と、 前記ウェーハ上に存在するパーティクルを検査すること
ができるように前記ウェーハの表面を紫外線レーザーで
分析するパーティクル検査部と、 前記制御部による前記整列マークの整列状態の分析を分
析結果としてデータ出力する出力部と、 を備えることを特徴とする半導体ウェーハ検査装置。 - 【請求項１０】 ウェーハが安着されたステージを、Ｘ
軸、Ｙ軸及びθに駆動させ前記ウェーハを整列させる工
程と、 前記ステージに安着された前記ウェーハのパターン中で
整列マークが形成された領域を映像で処理する工程と、 前記映像で処理した映像信号の入力を受けて前記整列マ
ークの整列状態を分析する工程と、 を含むことを特徴とする半導体ウェーハの検査方法。 - 【請求項１１】 前記ウェーハ上に存在する前記パーテ
ィクルを検査する工程を含むことを特徴とする請求項１
０記載の半導体ウェーハ検査方法。 - 【請求項１２】 前記整列マークの整列状態の分析結果
をデータ出力する工程を含むことを特徴とする請求項１
０記載の半導体ウェーハ検査方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1997P56010 | 1997-10-29 | ||
| KR1019970056010A KR100274594B1 (ko) | 1997-10-29 | 1997-10-29 | 반도체 웨이퍼의 검사장치 및 검사방법. |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11145255A true JPH11145255A (ja) | 1999-05-28 |
Family
ID=19523688
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10162058A Pending JPH11145255A (ja) | 1997-10-29 | 1998-06-10 | 半導体ウェーハの検査装置および検査方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11145255A (ja) |
| KR (1) | KR100274594B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103972119A (zh) * | 2013-01-25 | 2014-08-06 | 北大方正集团有限公司 | 一种测试装置和使用该测试装置测量对准偏差的方法 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6252705B1 (en) * | 1999-05-25 | 2001-06-26 | Schlumberger Technologies, Inc. | Stage for charged particle microscopy system |
| KR100607780B1 (ko) * | 1999-12-31 | 2006-08-01 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 비쥬얼 인스펙션이 가능한 얼라인먼트 측정 시스템 |
| KR100384681B1 (ko) * | 2000-12-12 | 2003-05-22 | 주식회사 실트론 | 웨이퍼 상의 유기오염물 분석장치 및 방법 |
| KR100452317B1 (ko) * | 2001-07-11 | 2004-10-12 | 삼성전자주식회사 | 포토리소그래피 공정시스템 및 그 방법 |
| KR100479305B1 (ko) | 2002-08-20 | 2005-03-25 | 삼성전자주식회사 | 얼라인 마크 패턴인식방법 |
| KR101015807B1 (ko) * | 2008-04-08 | 2011-02-22 | 한국영상기술(주) | 표면 검사 장치 및 표면 검사 방법 |
| KR100973506B1 (ko) * | 2008-09-08 | 2010-08-03 | 주식회사 힘스 | 퓨리에 필터 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2971628B2 (ja) * | 1991-06-27 | 1999-11-08 | 株式会社日立製作所 | パターン検査方法及び装置 |
-
1997
- 1997-10-29 KR KR1019970056010A patent/KR100274594B1/ko not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-06-10 JP JP10162058A patent/JPH11145255A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103972119A (zh) * | 2013-01-25 | 2014-08-06 | 北大方正集团有限公司 | 一种测试装置和使用该测试装置测量对准偏差的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100274594B1 (ko) | 2000-12-15 |
| KR19990034411A (ko) | 1999-05-15 |
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