JPH11145316A - Device molding structure - Google Patents
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- JPH11145316A JPH11145316A JP32044397A JP32044397A JPH11145316A JP H11145316 A JPH11145316 A JP H11145316A JP 32044397 A JP32044397 A JP 32044397A JP 32044397 A JP32044397 A JP 32044397A JP H11145316 A JPH11145316 A JP H11145316A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は一般にデバイス封止構造
体に関し、さらに詳細には厚みがあり高気密が要求され
るデバイスの封止構造体に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates generally to a device sealing structure, and more particularly to a device sealing structure which is thick and requires high airtightness.
【0002】[0002]
【従来の技術】マイクロリレーは可動部と固定部とから
なるマイクロリレー本体と、そのマイクロリレーを収容
する封止構造体により構成される。マイクロリレー本体
は半導体素子に比べ厚みを有し、かつその封止構造には
高気密が要求される。2. Description of the Related Art A micro-relay comprises a micro-relay body comprising a movable part and a fixed part, and a sealing structure for accommodating the micro-relay. The microrelay body has a thickness greater than that of a semiconductor element, and its sealing structure requires high airtightness.
【0003】マイクロリレー本体の固定部は、基板、固
定接点、基板に設けられた金属パターンおよびパッド部
とを有して形成される。[0003] The fixed portion of the microrelay main body is formed to have a substrate, fixed contacts, a metal pattern provided on the substrate, and a pad portion.
【0004】また、マイクロリレー本体の可動部は可動
面と、その可動面に応動する可動部接点とを有して形成
される。[0004] The movable portion of the microrelay main body is formed to have a movable surface and a movable portion contact corresponding to the movable surface.
【0005】そして、可動部と固定部とが係合され、可
動部接点と固定部接点とが所定の間隔をもって対向する
ように配設されてマイクロリレー本体が形成される。[0005] Then, the movable portion and the fixed portion are engaged with each other, and the movable portion contact and the fixed portion contact are arranged so as to face each other at a predetermined interval to form a micro relay main body.
【0006】このようなマイクロリレー本体は制御され
た雰囲気の中で動作させる必要があることが多く、マイ
クロマシーニング技術で作製されたマイクロリレー本体
を封止、雰囲気制御するためには、従来はメタルカン実
装のように、チップ1つ1つをダイシングした後に制御
された雰囲気のなかで実装される。[0006] Such a microrelay main body often needs to be operated in a controlled atmosphere, and in order to seal and control the atmosphere of a microrelay main body manufactured by micromachining technology, a conventional method is used. As in the case of metal can mounting, the chips are mounted in a controlled atmosphere after dicing each chip.
【0007】または、別の手段としては、陽極接合技術
やAu-Au接合等の金属接着層を挟んだ接合技術が用いら
れている。Alternatively, as another means, a joining technique sandwiching a metal adhesive layer such as an anodic joining technique or Au-Au joining is used.
【0008】[0008]
【解決すべき課題】このようなメタルカン実装では、ダ
イシングされたチップごとに制御された雰囲気のなかで
実装する必要があるため大量生産に不向きであり、製造
コストが高く、マイクロマシーニング技術を用いる利点
の1つである低コスト化を実現することができない。さ
らに、ダイシング後にチップ1つ1つをメタルカンに実
装するため、ダイシングの際に発生したごみの付着が問
題となる。[Problem to be Solved] In such a metal can mounting, since it is necessary to mount in a controlled atmosphere for each diced chip, it is not suitable for mass production, the manufacturing cost is high, and micromachining technology is used. One of the advantages, cost reduction, cannot be realized. Furthermore, since each chip is mounted on a metal can after dicing, adhesion of dust generated during dicing becomes a problem.
【0009】一方、基板とキャップとの接合で、ダイシ
ング前のウェハ段階の低温接合技術で公知のものである
陽極接合技術やAu-Au接合等の金属接着層を挟んだ接合
技術は、完全な気密を達成するには、非常に複雑な加工
が必要となり、量産性に問題がある。そしてパッド部の
外部で接合した場合は複雑な構造及び加工が必要とな
り、仮に高気密を達成したとしても電気特性、特に高周
波特性に悪影響を与え、製造コストが高くなるという問
題点があった。On the other hand, in bonding the substrate and the cap, a bonding technology sandwiching a metal adhesive layer such as an anodic bonding technology or an Au-Au bonding, which is known as a low-temperature bonding technology at a wafer stage before dicing, is a complete technology. To achieve airtightness, extremely complicated processing is required, and there is a problem in mass productivity. In the case where bonding is performed outside the pad portion, a complicated structure and processing are required, and even if high airtightness is achieved, electric characteristics, particularly high-frequency characteristics, are adversely affected, and there is a problem that manufacturing costs increase.
【0010】したがって、本発明の一目的は、上記問題
点を解決し、厚みがあり高気密が要求されるデバイスの
封止構造体を提供することにある。Accordingly, it is an object of the present invention to solve the above-mentioned problems and to provide a sealing structure for a device which is required to have a high thickness and high airtightness.
【0011】さらに本発明の一目的は、封止および雰囲
気制御のための実装をウェハ段階で行う封止構造体を提
供することにある。It is a further object of the present invention to provide a sealing structure in which mounting for sealing and atmosphere control is performed at a wafer stage.
【0012】さらに本発明の一目的は、安価、小型で電
気特性、特に高周波特性の良い、マイクロリレーを提供
することである。It is a further object of the present invention to provide a microrelay that is inexpensive, small, and has good electrical characteristics, especially high frequency characteristics.
【0013】[0013]
【課題を解決するための手段】前記のおよびその他の目
的は、パッド部を有するデバイスであってウエハレベル
のダイ上に形成された厚みがあり高気密が要求されるデ
バイスと、接着用ガラス、およびキャップであってパッ
ド部が露出するように予めエッチングされ接着用ガラス
を挟んで所定の雰囲気中においてパッド部が露出するよ
うにデバイスと圧着してキャップとデバイスとの間に空
間を形成するキャップから構成されるデバイス封止構造
体によって実現される。SUMMARY OF THE INVENTION The above and other objects are to provide a device having a pad portion, which is formed on a wafer-level die and requires high airtightness, and a bonding glass, And a cap, which is pre-etched so that the pad portion is exposed so as to expose the pad portion, and is pressed against the device so that the pad portion is exposed in a predetermined atmosphere with the bonding glass interposed therebetween, thereby forming a space between the cap and the device. This is realized by a device sealing structure composed of:
【0014】[0014]
【実施例】(実施例1)図1には、本願の一実施例によ
るマイクロリレー本体50、接着用ガラス30およびキ
ャップ40から構成されるマイクロリレー100の斜視
図が示されている。マイクロリレー本体50は固定部1
0および可動部20から構成される。(Embodiment 1) FIG. 1 is a perspective view of a microrelay 100 composed of a microrelay body 50, an adhesive glass 30 and a cap 40 according to an embodiment of the present invention. The microrelay body 50 is the fixed part 1
0 and the movable section 20.
【0015】図2には、本願の一実施例によるマイクロ
リレー本体50の固定部10が平面図で示されている。
基板11はダイシング前のウエハ段階におけるダイ即ち
チップである。基板11はガラス、シリコンまたはガリ
ウムヒ素基板からなる。以下、基板11がガラスである
場合を例にして説明する。基板11は主要面Aを有し、
主要面A上にフォトリソグラフィプロセス等の当業者に
周知方法を用いて金属パターン12が形成される。金属
パターン12にはパッド部12a〜12d、パッド部12
bおよび12cの対向端に位置する固定部接点12sおよ
びパッド部12dの対応端に位置する固定部インターコ
ネクション部12iとを含む。パッド部12a〜12d、
固定部接点12sおよび固定部インターコネクション部
12i上を除き金属パターン12上を酸化膜または窒化
膜等からなる固定部絶縁膜13(図の網かけ部分)で覆
う。FIG. 2 is a plan view showing the fixing portion 10 of the micro relay main body 50 according to an embodiment of the present invention.
The substrate 11 is a die or chip in a wafer stage before dicing. The substrate 11 is made of a glass, silicon or gallium arsenide substrate. Hereinafter, a case where the substrate 11 is glass will be described as an example. The substrate 11 has a main surface A,
The metal pattern 12 is formed on the main surface A by using a method known to those skilled in the art such as a photolithography process. Pad portions 12a to 12d and pad portions 12
It includes a fixed part contact 12s located at the opposite end of b and 12c and a fixed part interconnection part 12i located at the corresponding end of the pad part 12d. Pad portions 12a to 12d,
Except for the fixed portion contacts 12s and the fixed portion interconnection portions 12i, the metal pattern 12 is covered with a fixed portion insulating film 13 (shaded portion in the figure) made of an oxide film or a nitride film.
【0016】尚、基板11がシリコン、ガリウムヒ素基
板の場合には、金属パターン12の下に絶縁膜(図示せ
ず)のパターニング予め行う。When the substrate 11 is a silicon or gallium arsenide substrate, an insulating film (not shown) is patterned under the metal pattern 12 in advance.
【0017】図3には、本願の一実施例によるマイクロ
リレー本体50の可動部20が底面図で示されている。
可動部20はシリコン、金属等の導電体からなり、底面
Bを有する。尚、シリコンはマイクロリレーの電極とし
て使用する場合は導電体として扱うことができる。底面
B上にはフォトリソグラフィプロセス等の当業者周知方
法を用いて可動部インターコネクション部22iおよび
可動部接点22sが形成される。可動部接点22sと可動
部20の底面Bとの間には可動部絶縁膜23が形成され
る。FIG. 3 is a bottom view of the movable portion 20 of the micro relay main body 50 according to an embodiment of the present invention.
The movable portion 20 is made of a conductor such as silicon or metal, and has a bottom surface.
With B When silicon is used as an electrode of a microrelay, it can be treated as a conductor. Bottom
A movable part interconnection part 22i and a movable part contact 22s are formed on B by using a method known to those skilled in the art such as a photolithography process. A movable portion insulating film 23 is formed between the movable portion contact 22s and the bottom surface B of the movable portion 20.
【0018】図4に本願の一実施例によるマイクロリレ
ー本体50の可動部20の底面Bの斜視図を示す。FIG. 4 is a perspective view of the bottom surface B of the movable portion 20 of the micro relay main body 50 according to an embodiment of the present invention.
【0019】図5は本願の一実施例による固定部10と
可動部20とを組み合わせたマイクロリレー本体50の
平面図を示す。可動部20の底面Bを基板11の主要面A
に対向して陽極接合してマイクロリレー本体50を形成
する。マイクロリレー本体50の接点は可動部20の可
動部接点22sを基板11上の固定部接点12sに所定の
間隔をもって対向するように配設して形成する。可動部
20は、固定部インターコネクション部12i(図2参
照)および可動部インターコネクション部22i(図3
参照)を介してパッド部12dに電気的に結合される。FIG. 5 is a plan view of a micro relay main body 50 in which the fixed part 10 and the movable part 20 according to one embodiment of the present invention are combined. The bottom surface B of the movable part 20 is the main surface A of the substrate 11
The microrelay main body 50 is formed by anodic bonding opposite to. The contacts of the micro relay main body 50 are formed by disposing the movable portion contacts 22s of the movable portion 20 so as to face the fixed portion contacts 12s on the substrate 11 at a predetermined interval. The movable section 20 includes a fixed section interconnection section 12i (see FIG. 2) and a movable section interconnection section 22i (FIG. 3).
) Is electrically coupled to the pad portion 12d.
【0020】尚、基板11がシリコンの場合には、可動
部20の底面Bを基板11の主要面Aに対向して接着層を
挟んで接合してマイクロリレー本体50を形成する。接
着層として最もよく使用されるのは金である。When the substrate 11 is made of silicon, the microrelay body 50 is formed by bonding the bottom surface B of the movable portion 20 to the main surface A of the substrate 11 with an adhesive layer interposed therebetween. Gold is most often used as the adhesive layer.
【0021】可動部20にシリコンウエハを用いる場
合、厚みが約500マイクロメータ程度有するため、1
5ないし20マイクロメータ程度までシニング(thinni
ng)を行う。シニングの方法は、化学的または機械的い
ずれの方法でも構わず、当業者において周知の方法によ
り行う。シリコン・オン・インシュレータ(SOI:Silico
n On Insulator)を用いる場合は、アルカリエッチング
により容易にシニング可能である。When a silicon wafer is used for the movable part 20, the thickness is about 500 micrometers,
Thinning to about 5 to 20 micrometers
ng). The thinning method may be a chemical or mechanical method, and is performed by a method well known to those skilled in the art. Silicon on insulator (SOI: Silico
n On Insulator), thinning can be easily performed by alkali etching.
【0022】さらに、可動部20にエッチングにより卍
状のバネ構造を形成する。Further, a swastika spring structure is formed on the movable portion 20 by etching.
【0023】ただし、可動部20の固定部10に対する
接合、シニングおよびバネ構造の形成の順序の特定を意
図するものではなく、また可動部20のバネ構造の形状
を特定するものでもない。However, it is not intended to specify the order of joining the movable portion 20 to the fixed portion 10, thinning, and forming the spring structure, nor is it intended to specify the shape of the spring structure of the movable portion 20.
【0024】このマイクロリレー本体50の動作につい
て以下説明する。基板11の主要面A上の金属パターン
12aと12dに直流電圧を印加すると、金属パターン1
2dは固定部インターコネクション部12iおよび可動部
インターコネクション部22iを介して可動部20に電
気的に接続されているので、固定部10と可動部20と
の間に静電引力が発生し、これにより可動部20が固定
部10方向に動作するとともに、それに応じて可動部接
点22sが動作し、固定部接点12sに接触する。また、
基板11の主要面A上の金属パターン12aと12dに直
流電圧を解除すると、固定部10と可動部20との間に
静電引力が消去され、可動部20がバネ状であることに
より可動部20が固定部10とは反対方向に動作すると
ともに、可動部接点22sが固定部接点12sから離れる
ものである。The operation of the micro relay main body 50 will be described below. When a DC voltage is applied to the metal patterns 12a and 12d on the main surface A of the substrate 11, the metal pattern 1
2d is electrically connected to the movable part 20 via the fixed part interconnection part 12i and the movable part interconnection part 22i, so that an electrostatic attraction is generated between the fixed part 10 and the movable part 20. As a result, the movable section 20 operates in the direction of the fixed section 10, and the movable section contact 22 s operates accordingly and contacts the fixed section contact 12 s. Also,
When the DC voltage is released to the metal patterns 12a and 12d on the main surface A of the substrate 11, the electrostatic attraction between the fixed part 10 and the movable part 20 is eliminated, and the movable part 20 is spring-shaped. 20 operates in the opposite direction to the fixed portion 10, and the movable portion contact 22s is separated from the fixed portion contact 12s.
【0025】図6は、本願の一実施例によるキャップ4
0の底面図を示す。キャップ40は底面Cを有する。キ
ャップ40はマイクロリレー本体50と接着可能なもの
であれば材質は問わない。ガラスを用いることも可能で
あるが、好適にはシリコンにより形成され、基板11と
接合した際にバッド部12a〜12dがオープンになるよ
うにあらかじめパッド領域31の部分がアルカリエッチ
ングによりエッチングオフされている。キャップ40の
底面Cにマイクロリレー本体50の可動部20の周囲を
所定の間隔をもって囲む形状で接着用ガラス30をパタ
ーニングする。接着用ガラス30は基板11側の可動部
20の周囲にパターニングしてもよい。接着用ガラス3
0の高さは、通常数十マイクロメータ、幅は約数百マイ
クロメータであるが、好適には高さは10ないし30マ
イクロメータ、幅は100ないし600マイクロメータ
である。キャップ上への接着用ガラス30のパターニン
グは、スクリーン印刷法によるガラスフリットを混合さ
せた有機ペーストにより行い、その後の熱処理により有
機物が除去される。接着用ガラス30のパターニング法
は当業者に周知の方法であり、かかる方法に限定される
訳ではない。接着用ガラス30は絶縁性をもち、しかも
基板11上に形成された金属パターン12ならびに可動
部20上に形成された可動部インターコネクション部2
2iおよび可動部接点22sの特性に影響を与えない程度
の低い温度で接合を可能であればよく一般に約摂氏50
0度以下であり、好適には約摂氏390度程度である。
また、接着用ガラス30は基板11とキャップ40の接
合によるひずみを起こさない程度の熱膨張係数を有する
ことが望ましい。FIG. 6 shows a cap 4 according to an embodiment of the present invention.
0 shows a bottom view. The cap 40 has a bottom surface C. The material of the cap 40 is not limited as long as it can be adhered to the micro relay main body 50. Although it is possible to use glass, it is preferably formed of silicon, and the pad region 31 is etched off by alkali etching in advance so that the pad portions 12a to 12d are opened when joined to the substrate 11. I have. The bonding glass 30 is patterned on the bottom surface C of the cap 40 so as to surround the movable portion 20 of the micro relay main body 50 at a predetermined interval. The bonding glass 30 may be patterned around the movable portion 20 on the substrate 11 side. Adhesive glass 3
The height of zero is usually several tens of micrometers and the width is about several hundred micrometers, but preferably the height is 10 to 30 micrometers and the width is 100 to 600 micrometers. Patterning of the bonding glass 30 on the cap is performed by an organic paste mixed with a glass frit by a screen printing method, and an organic substance is removed by a subsequent heat treatment. The method of patterning the bonding glass 30 is a method well known to those skilled in the art, and is not limited to such a method. The bonding glass 30 has an insulating property, and furthermore, the metal pattern 12 formed on the substrate 11 and the movable part interconnection part 2 formed on the movable part 20.
It is sufficient that the bonding can be performed at a temperature low enough not to affect the characteristics of the 2i and the movable contact 22s.
0 degrees or less, preferably about 390 degrees Celsius.
Further, it is desirable that the bonding glass 30 has a coefficient of thermal expansion that does not cause distortion due to joining of the substrate 11 and the cap 40.
【0026】再び図1を用いて固定部10、可動部20
からなるマイクロリレー本体50とキャップ40との封
止について説明する。キャップ40と固定部10の基板
11とを光学顕微鏡を用いて位置合わせした後に、マイ
クロリレーに要求される雰囲気の中で接合用ガラスがフ
ローしうる温度でウェハ全面に接合用ガラスが押しつぶ
される程度の圧力をかけることによりキャップ40と基
板11との接合を行う。尚、キャップ40と基板11と
の位置合わせ方法は当業者周知方法であり、上記方法に
限定されるわけではない。かかる圧着により、マイクロ
リレー100は封止され外部との気密が保持され、マイ
クロリレー本体50とキャップ40とのあいだにはマイ
クロリレーに要求される雰囲気を満たした空間60が形
成される。Referring again to FIG. 1, the fixed portion 10 and the movable portion 20
The sealing between the microrelay main body 50 and the cap 40 made of the following will be described. After aligning the cap 40 and the substrate 11 of the fixing part 10 using an optical microscope, the bonding glass is crushed over the entire surface of the wafer at a temperature at which the bonding glass can flow in an atmosphere required for the micro relay. Is applied to join the cap 40 and the substrate 11. The method of aligning the cap 40 and the substrate 11 is a method well known to those skilled in the art, and is not limited to the above method. By this crimping, the microrelay 100 is sealed and airtight with the outside is maintained, and a space 60 that satisfies the atmosphere required for the microrelay is formed between the microrelay main body 50 and the cap 40.
【0027】図7は本発明の一実施例によるマイクロリ
レー本体50とキャップ40とを接着用ガラス30を用
いて圧着したマイクロリレー封止構造体の透視平面図を
示す。FIG. 7 is a perspective plan view of a micro relay sealing structure in which a micro relay main body 50 and a cap 40 according to an embodiment of the present invention are pressure-bonded using an adhesive glass 30.
【0028】図8ないし図10は、図7のX-X間、Y-Y
間、Z-Z間におけるそれぞれの断面図を示す。圧着によ
り接着用ガラス30はフローして押しつぶされ金属パタ
ーン12aないし12dまわりが埋め込まれ(図8)、マ
イクロリレーは完全に封止され、マイクロリレー本体5
0とキャップ40とのあいだにはマイクロリレーに要求
される雰囲気を満たした空間60が形成され雰囲気制御
も達成される(図8ないし図10)。FIGS. 8 to 10 show the relationship between XX and YY in FIG.
FIG. 2 shows a cross-sectional view of each of FIG. The glass 30 for adhesion is flowed and crushed by pressure bonding, and the surroundings of the metal patterns 12a to 12d are embedded (FIG. 8), the micro relay is completely sealed, and the micro relay main body 5 is formed.
A space 60 that satisfies the atmosphere required for the micro relay is formed between the zero and the cap 40, and atmosphere control is also achieved (FIGS. 8 to 10).
【0029】図11は、本発明の一実施例によるウェハ
段階で封止されたマイクロリレー100の斜視図であ
る。このように封止されたマイクロリレー100は、そ
の後ウェハをダイシングし、集積回路等に使用されるプ
ラスティックパッケージ等を用いた低コスト実装が可能
となる。FIG. 11 is a perspective view of a micro relay 100 sealed at a wafer stage according to an embodiment of the present invention. The microrelay 100 sealed in this way can be subsequently diced on a wafer, and can be mounted at low cost using a plastic package or the like used for an integrated circuit or the like.
【0030】(実施例2)次に本願の他の実施例につい
て説明する。この実施例2の説明においては同一物に対
しては実施例1と同一の参照番号を用い、相違する場合
はプライム(’)を付与して用いる。(Embodiment 2) Next, another embodiment of the present invention will be described. In the description of the second embodiment, the same components are denoted by the same reference numerals as those in the first embodiment, and if different, primes (') are used.
【0031】図12は本発明の実施例2によるキャップ
40’の断面図である。キャップ40’は基板11の主
要面Aに対向する面C’のマイクロリレーの可動部20に
対向する領域をアルカリエッチング等当業者において周
知の方法によりを予めエッチングして凹部を設ける。凹
部が設けられたキャップ40’を実施例1と同様に基板
11に接着用ガラス30を介して接合する。FIG. 12 is a sectional view of a cap 40 'according to Embodiment 2 of the present invention. The cap 40 'is provided with a concave portion by previously etching a region facing the movable portion 20 of the micro relay on a surface C' facing the main surface A of the substrate 11 by a method known to those skilled in the art such as alkali etching. The cap 40 'provided with the concave portion is bonded to the substrate 11 via the bonding glass 30 as in the first embodiment.
【0032】図13は実施例2に係る図4のZ-Z間にお
ける断面図を示す。実施例2は、キャップ40’はマイ
クロリレー本体50の可動部20が接着用ガラス30よ
り厚い場合のキャッピングに用いることができる。ま
た、可動部20が接着用ガラス30より薄いマイクロリ
レー本体50に対しても、接着層30の厚みを小さくす
ることにより接着層30の幅も狭くできるため、ダイサ
イズを小さくでき、コストの削減をはかることができ
る。FIG. 13 is a sectional view taken along the line ZZ in FIG. 4 according to the second embodiment. In the second embodiment, the cap 40 ′ can be used for capping when the movable portion 20 of the micro relay main body 50 is thicker than the bonding glass 30. In addition, since the width of the adhesive layer 30 can be reduced by reducing the thickness of the adhesive layer 30 even for the micro relay main body 50 in which the movable portion 20 is thinner than the bonding glass 30, the die size can be reduced and the cost can be reduced. Can be measured.
【0033】[0033]
【発明の効果】本発明は、以下に記載されるような効果
を奏する。The present invention has the following effects.
【0034】本発明は、ウェハ単位での気密封止が可能
であり、ダイシング後プラスチックパッケージを用いる
ことにより従来に比べ全体として製造コストを大幅に削
減することができる。According to the present invention, the hermetic sealing can be performed for each wafer, and the use of a plastic package after dicing can greatly reduce the overall manufacturing cost as compared with the related art.
【0035】そして、ダイシング前に封止するので、ダ
イシング以降のプロセスにより発生するごみのダイへの
流入を阻止することができ信頼性が向上する。Since the sealing is performed before the dicing, the inflow of dust generated by the process after the dicing into the die can be prevented, and the reliability is improved.
【0036】また、基板11にガラスを用いた場合に
は、信号用配線上に形成される接着層として無機の絶縁
厚膜を用いるため、寄生容量が小さく良好な高周波特性
を得ることができ、高周波リレーとしても有用である。When glass is used for the substrate 11, since an inorganic insulating thick film is used as an adhesive layer formed on the signal wiring, a small parasitic capacitance and good high-frequency characteristics can be obtained. It is also useful as a high frequency relay.
【0037】さらに、凹状にエッチングされたキャップ
を用いることにより、接着用ガラス層の厚みをできるだ
け小さくできるので、ガラス層の幅を小さくできるた
め、ダイサイズを小さくすることができ、コストの削減
をはかることができる。Further, by using the cap etched in a concave shape, the thickness of the bonding glass layer can be reduced as much as possible, and the width of the glass layer can be reduced, so that the die size can be reduced and the cost can be reduced. Can be measured.
【0038】ここでは特定の実施例について本発明の回
路を説明してきたが、当該技術分野に通じたものであれ
ば本発明の回路を変形、変更することができるであろ
う。しかしながら、本発明の回路はここで開示された特
定の実施例に限定されるものではない。例えば、実施例
ではマイクロリレーを例に説明したが、ジャイロなどの
厚みがありかつ高気密が要求されるデバイスや気密され
制御された雰囲気による封止を必要とされるデバイスに
も利用可能であり、本願のデバイスはマイクロリレーに
限定するものではない。また、封止されるデバイスが一
つに限定される訳ではなく、複数個のデバイスを封止す
る場合にも利用可能である。また、端子の形状や端子の
数量についても特定を意図するものではない。そのよう
な変形、変更されたものも本発明の技術思想の範疇であ
り、特許請求の範囲に含まれるものである。Although the circuit of the present invention has been described herein with reference to a specific embodiment, those skilled in the art will be able to modify and modify the circuit of the present invention. However, the circuits of the present invention are not limited to the specific embodiments disclosed herein. For example, although the micro relay is described as an example in the embodiment, the present invention can also be applied to a device such as a gyro having a thickness and requiring high airtightness or a device requiring sealing by an airtight and controlled atmosphere. However, the device of the present application is not limited to a micro relay. Further, the number of devices to be sealed is not limited to one, and the present invention can also be used for sealing a plurality of devices. Further, the shape of the terminal and the number of terminals are not intended to be specified. Such modifications and changes are also within the scope of the technical idea of the present invention, and are included in the scope of the claims.
【図1】本発明に係るマイクロリレーの斜視図である。FIG. 1 is a perspective view of a micro relay according to the present invention.
【図2】本発明に係るマイクロリレー本体の固定部の平
面図である。FIG. 2 is a plan view of a fixing portion of the micro relay body according to the present invention.
【図3】本発明に係るマイクロリレー本体の可動部が底
面図である。FIG. 3 is a bottom view of a movable portion of the micro relay main body according to the present invention.
【図4】本発明に係るマイクロリレー本体の可動部の底
面の斜視図である。FIG. 4 is a perspective view of a bottom surface of a movable portion of the micro relay body according to the present invention.
【図5】本発明に係るマイクロリレー本体。の平面図で
ある。FIG. 5 is a microrelay body according to the present invention. FIG.
【図6】本発明に係るキャップの拡大背面図である。FIG. 6 is an enlarged rear view of the cap according to the present invention.
【図7】本発明に係るマイクロリレー封止構造体の透視
平面図である。FIG. 7 is a perspective plan view of a microrelay sealing structure according to the present invention.
【図8】本発明に係る図7のX-X間における断面図であ
る。FIG. 8 is a sectional view taken along line XX of FIG. 7 according to the present invention.
【図9】本発明に係る図7のY-Y間における断面図であ
る。9 is a cross-sectional view taken along the line YY of FIG. 7 according to the present invention.
【図10】本発明に係る図7のZ-Z間における断面図で
ある。FIG. 10 is a sectional view taken along the line ZZ of FIG. 7 according to the present invention.
【図11】本発明に係るウェハ段階で封止されたマイク
ロリレーの斜視図である。FIG. 11 is a perspective view of a micro relay sealed in a wafer stage according to the present invention.
【図12】実施例2に係るキャップの断面図である。FIG. 12 is a sectional view of a cap according to a second embodiment.
【図13】実施例2に係る図4のZ-Z間における断面図
である。FIG. 13 is a sectional view taken along the line ZZ in FIG. 4 according to the second embodiment.
10 固定部 11 基板 12 金属パターン 12a〜12d パッド部 12i 固定部インターコネクション部 12s 固定部接点 13 固定部絶縁膜 20 可動部 22i 可動部インターコネクション部 22s 可動部接点 23 可動部絶縁膜 30 接着用ガラス 40 キャップ 50 マイクロリレー本体 60 空間 100 マイクロリレー DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Fixed part 11 Substrate 12 Metal pattern 12a-12d Pad part 12i Fixed part interconnection part 12s Fixed part contact 13 Fixed part insulation film 20 Movable part 22i Movable part interconnection part 22s Movable part contact 23 Movable part insulation film 30 Adhesive glass 40 cap 50 micro relay main body 60 space 100 micro relay
Claims (7)
て:パッド部(12a〜12d)を有するデバイス(5
0)であって、ウエハ上に形成された厚みがあり高気密
が要求されるデバイス(50);接着用ガラス(3
0);および前記接着用ガラス(30)を挟んで前記デ
バイス(50)に圧着されるキャップ(40)であっ
て、所定の雰囲気中において前記パッド部(12a〜1
2d)を露出させたまま前記デバイスに圧着して前記キ
ャップ(40)と前記デバイスとの間に空間(60)を
形成するキャップ(40);から構成されることを特徴
とするデバイス封止構造体。1. A device sealing structure (100) comprising: a device (5) having pad portions (12a to 12d).
0), a device (50) formed on a wafer and requiring high airtightness;
0); and a cap (40) pressed to the device (50) with the bonding glass (30) interposed therebetween, wherein the pad portions (12a to 1a) are held in a predetermined atmosphere.
2d) a device sealing structure comprising a cap (40) which is press-bonded to the device while exposing the device to form a space (60) between the cap (40) and the device. body.
あって:マイクロリレー本体(50)であって:ウエハ
からなる基板(11);パッド部(12a〜12d),固
定部接点(12s)および固定部インターコネクション
部(12i)を有する基板上の金属パターン(12);
および可動部接点(22s)および可動部インターコネ
クション部(22i)を有し、前記可動部接点(22s)
は前記固定部接点(12s)に所定の間隔をもって対向
し、前記可動部インターコネクション部(22i)は前
記固定部インターコネクション部(12i)に結合する
ように配設した可動部(20);から構成されるマイク
ロリレー本体(50);前記マイクロリレー本体(5
0)の可動部(20)の周囲を囲むように配置された接
着用ガラス(30);およびキャップ(40)であっ
て、所定の雰囲気中において前記接着用ガラスを挟んで
前記マイクロリレー本体(50)に圧着して前記マイク
ロリレー本体(50)との間に空間(60)を形成する
キャップ(40);から構成されることを特徴とするマ
イクロリレー封止構造体。2. A micro-relay sealing structure (100): a micro-relay body (50): a substrate (11) made of a wafer; pad portions (12a to 12d); fixed portion contacts (12s). And a metal pattern (12) on a substrate having a fixed part interconnection part (12i);
And a movable part contact (22s) and a movable part interconnect (22i).
Faces the fixed portion contact (12s) at a predetermined interval, and the movable portion interconnection portion (22i) is connected to the fixed portion interconnection portion (12i) by a movable portion (20); Micro relay body (50) constituted;
0) an adhesive glass (30) arranged so as to surround the periphery of the movable portion (20); and a cap (40), wherein the microrelay body ( 50. A microrelay sealing structure comprising: a cap (40) that is press-fitted to (50) to form a space (60) between itself and the microrelay body (50).
タ以上であることを特徴とする請求項1記載のデバイス
封止構造体。3. The device sealing structure according to claim 1, wherein the thickness of the device is 10 micrometers or more.
であることを特徴とする請求項1記載のデバイス封止構
造体。4. The device sealing structure according to claim 1, wherein the airtightness of the space is equal to or higher than the atmospheric pressure.
レー本体(50)の可動部(20)の上部に対面して凹
部を有することを特徴とする請求項1または2記載のデ
バイス封止構造体。5. The device sealing structure according to claim 1, wherein the cap (40) has a concave portion facing an upper portion of the movable portion (20) of the micro relay main body (50). .
クロリレー本体(50)を形成する段階であって:ウエ
ハからなる基板(11)を準備する段階;金属パターン
(12)を前記基板(11)上にパターニングする段
階;前記金属パターン(12)上にパッド部(12a〜
12d),固定部接点(12s)および固定部インターコ
ネクション部(12i)を露出するように固定部絶縁膜
(13)をパターニングする段階;可動部接点(22
s)および可動部インターコネクション部(22i)を有
する可動部(20)を準備する段階;および前記可動部
接点(22s)と前記固定部接点(12s)とを所定の間
隔をもって対向させ、かつ前記固定部インターコネクシ
ョン部(12i)と前記可動部インターコネクション部
(22i)とを結合するように前記可動部(20)を前
記基板(11)上に配設する段階;から構成される前記
マイクロリレー本体(50)を形成する段階;キャップ
(40)を準備する段階;前記マイクロリレー本体(5
0)の可動部(20)の周囲を囲む形状で接着用ガラス
(30)を予め前記キャップ(40)にパターニングす
る段階;および前記キャップ(40)を前記マイクロリ
レー本体(50)に所定の雰囲気中において圧着封止し
て空間(60)を形成する段階;から構成されることを
特徴とするマイクロリレー製造方法。6. A method for manufacturing a micro relay, comprising: forming a micro relay body (50): preparing a substrate (11) comprising a wafer; and applying a metal pattern (12) to the substrate (11). Patterning on the metal pattern (12);
12d), patterning the fixed part insulating film (13) so as to expose the fixed part contact (12s) and the fixed part interconnection part (12i);
s) and preparing a movable part (20) having a movable part interconnection part (22i); and the movable part contact (22s) and the fixed part contact (12s) are opposed to each other at a predetermined interval, and Disposing the movable part (20) on the substrate (11) so as to couple the fixed part interconnection part (12i) and the movable part interconnection part (22i). Forming a main body (50); preparing a cap (40);
0) preliminarily patterning the bonding glass (30) on the cap (40) in a shape surrounding the periphery of the movable portion (20); and applying the cap (40) to the micro relay body (50) in a predetermined atmosphere. Forming a space (60) by crimping and sealing in the inside.
レー本体(50)の可動部(20)の上部に対面して凹
部を有することを特徴とする請求項6記載のマイクロリ
レー製造方法。7. The method according to claim 6, wherein the cap (40) has a concave portion facing the upper part of the movable portion (20) of the micro relay body (50).
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32044397A JPH11145316A (en) | 1997-11-06 | 1997-11-06 | Device molding structure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32044397A JPH11145316A (en) | 1997-11-06 | 1997-11-06 | Device molding structure |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11145316A true JPH11145316A (en) | 1999-05-28 |
Family
ID=18121517
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32044397A Pending JPH11145316A (en) | 1997-11-06 | 1997-11-06 | Device molding structure |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11145316A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003516634A (en) * | 1999-12-10 | 2003-05-13 | シェルケース リミティド | Manufacturing method of packaged integrated circuit device and packaged integrated circuit device manufactured by the manufacturing method |
| WO2010095201A1 (en) * | 2009-02-20 | 2010-08-26 | パナソニック株式会社 | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
| JP2018056534A (en) * | 2016-09-30 | 2018-04-05 | セイコーエプソン株式会社 | Manufacturing method for electronic device, electronic device, electronic apparatus, and mobile body |
-
1997
- 1997-11-06 JP JP32044397A patent/JPH11145316A/en active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US7939918B2 (en) | 1999-12-10 | 2011-05-10 | Tessera Technologies Ireland Limited | Chip packages with covers |
| WO2010095201A1 (en) * | 2009-02-20 | 2010-08-26 | パナソニック株式会社 | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
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