JPH1114618A - 半導体ウェーハの不純物の分析装置及び分析法 - Google Patents
半導体ウェーハの不純物の分析装置及び分析法Info
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- JPH1114618A JPH1114618A JP18034097A JP18034097A JPH1114618A JP H1114618 A JPH1114618 A JP H1114618A JP 18034097 A JP18034097 A JP 18034097A JP 18034097 A JP18034097 A JP 18034097A JP H1114618 A JPH1114618 A JP H1114618A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】シリコンウェーハ表面及びシリコンウェーハ中
に含有する超微量不純物を定量するための溶解装置及び
溶解方法を提供する。 【解決手段】環境からの汚染を排除しつつ、シリコンウ
ェーハ表面及び表面〜５μｍをエッチングすることによ
り超微量不純物を溶解溶液中に溶解させるために、支持
台にシリコンウェーハを水平に置いた後、溶解溶液保持
具をシリコンウェーハ上の任意の部分に置き、引き続い
て溶解溶液の３ｍｌ以下の少量をシリコンウェーハ表面
に滴下後、直ちに溶解溶液塗布治具をシリコンウェーハ
表面に近接させると共にカバーで半密閉系の状態とする
こと、及び溶解溶液塗布治具によって溶解溶液をシリコ
ンウェーハ上の溶解溶液保持具内の全面に拡げることに
よって超微量不純物を溶解し、溶解後の溶解溶液を黒鉛
炉原子吸光光度分析または誘導結合プラズマ質量分析す
る。
に含有する超微量不純物を定量するための溶解装置及び
溶解方法を提供する。 【解決手段】環境からの汚染を排除しつつ、シリコンウ
ェーハ表面及び表面〜５μｍをエッチングすることによ
り超微量不純物を溶解溶液中に溶解させるために、支持
台にシリコンウェーハを水平に置いた後、溶解溶液保持
具をシリコンウェーハ上の任意の部分に置き、引き続い
て溶解溶液の３ｍｌ以下の少量をシリコンウェーハ表面
に滴下後、直ちに溶解溶液塗布治具をシリコンウェーハ
表面に近接させると共にカバーで半密閉系の状態とする
こと、及び溶解溶液塗布治具によって溶解溶液をシリコ
ンウェーハ上の溶解溶液保持具内の全面に拡げることに
よって超微量不純物を溶解し、溶解後の溶解溶液を黒鉛
炉原子吸光光度分析または誘導結合プラズマ質量分析す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェーハの
表面の一部及びウェーハの一部の内部中に含有する超微
量不純物を、効率よく極めて少量の溶解溶液に溶解させ
るための溶解装置及び該溶解装置を用いて一部の半導体
ウェーハの表面及びウェーハ中に含有する超微量不純物
を正確に分析するための方法に関する。
表面の一部及びウェーハの一部の内部中に含有する超微
量不純物を、効率よく極めて少量の溶解溶液に溶解させ
るための溶解装置及び該溶解装置を用いて一部の半導体
ウェーハの表面及びウェーハ中に含有する超微量不純物
を正確に分析するための方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子は、微量の不純物によりその
性能を大きく損なわれるため、半導体ウェーハの製造に
おいては極微量の不純物の混入にも気を使い、それを製
造するための原料である半導体ウェーハは、これら半導
体素子の性能を害する不純物の混入を防ぐため大きな努
力が払われてきた。また不純物の種類、含有量を確認す
るための分析法についても多数の方法が提案されてき
た。半導体ウェーハ表面の超微量不純物定量方法におけ
る半導体ウェーハ表面の溶解方法としては、例えば、密
閉容器中に半導体ウェーハを垂直または水平に保持した
後、該密閉容器の底部分に配置したふっ化水素酸を、常
温または加熱することによりふっ化水素の蒸気を発生さ
せ、これにより半導体ウェーハ表面に存在する酸化膜を
分解させ、不純物を結露液中に回収する提案がある。
（特開昭６０−６９５３１号、特開平１−９８９４４
号）。しかしこの方法では、ふっ化水素の蒸気のみで
半導体ウェーハの表面にある自然酸化膜を分解するだけ
の方法であるため、半導体ウェーハ内部の超微量不純物
の溶解には不適当である。多量の溶解用の薬品が必要
である。ふっ化水素蒸気の発生、半導体ウェーハ表面
での凝縮など、酸化膜分解に時間がかかり、また装置の
取扱いが煩雑である。半導体ウェーハ材質よりもイオ
ン化傾向が小さい元素は溶解できないといった問題点が
ある。
性能を大きく損なわれるため、半導体ウェーハの製造に
おいては極微量の不純物の混入にも気を使い、それを製
造するための原料である半導体ウェーハは、これら半導
体素子の性能を害する不純物の混入を防ぐため大きな努
力が払われてきた。また不純物の種類、含有量を確認す
るための分析法についても多数の方法が提案されてき
た。半導体ウェーハ表面の超微量不純物定量方法におけ
る半導体ウェーハ表面の溶解方法としては、例えば、密
閉容器中に半導体ウェーハを垂直または水平に保持した
後、該密閉容器の底部分に配置したふっ化水素酸を、常
温または加熱することによりふっ化水素の蒸気を発生さ
せ、これにより半導体ウェーハ表面に存在する酸化膜を
分解させ、不純物を結露液中に回収する提案がある。
（特開昭６０−６９５３１号、特開平１−９８９４４
号）。しかしこの方法では、ふっ化水素の蒸気のみで
半導体ウェーハの表面にある自然酸化膜を分解するだけ
の方法であるため、半導体ウェーハ内部の超微量不純物
の溶解には不適当である。多量の溶解用の薬品が必要
である。ふっ化水素蒸気の発生、半導体ウェーハ表面
での凝縮など、酸化膜分解に時間がかかり、また装置の
取扱いが煩雑である。半導体ウェーハ材質よりもイオ
ン化傾向が小さい元素は溶解できないといった問題点が
ある。
【０００３】またふっ化水素酸と硝酸の混合溶液からふ
っ化水素・硝酸の混合蒸気を発生させ、これを半導体ウ
ェーハ表面に凝縮させ、半導体ウェーハ表面の酸化膜を
分解し、この溶解溶液を試料溶液とする方法（特開平３
−１８８６４２号、特開平６−２１３８０５号）などの
提案があるが、これらの方法は、半導体ウェーハの表面
全部を一括して溶解させる方法であるため、半導体ウェ
ーハ全体の不純物の分析に適用できても、ばらつきの懸
念のある半導体ウェーハの一部分の表面あるいは一部分
の基板内部に含有する超微量不純物を溶解、分析するこ
とは不可能であった。
っ化水素・硝酸の混合蒸気を発生させ、これを半導体ウ
ェーハ表面に凝縮させ、半導体ウェーハ表面の酸化膜を
分解し、この溶解溶液を試料溶液とする方法（特開平３
−１８８６４２号、特開平６−２１３８０５号）などの
提案があるが、これらの方法は、半導体ウェーハの表面
全部を一括して溶解させる方法であるため、半導体ウェ
ーハ全体の不純物の分析に適用できても、ばらつきの懸
念のある半導体ウェーハの一部分の表面あるいは一部分
の基板内部に含有する超微量不純物を溶解、分析するこ
とは不可能であった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】これら従来の方法で
は、 半導体ウェーハ表面だけであって、基板内部に含まれ
る微量不純物元素の溶解に適さないこと、 蒸発、凝縮の操作を必要とするため、多量の溶解用薬
品を必要とすること、 装置の取扱い及び操作が煩雑であり時間がかかるこ
と、 ふっ化水素蒸気のみによる分解では、イオン化傾向の
小さい金属の溶解は不可能なこと、及び 半導体ウェーハの部分的に含有する不純物を溶解する
ことができないことなどの問題があった。
は、 半導体ウェーハ表面だけであって、基板内部に含まれ
る微量不純物元素の溶解に適さないこと、 蒸発、凝縮の操作を必要とするため、多量の溶解用薬
品を必要とすること、 装置の取扱い及び操作が煩雑であり時間がかかるこ
と、 ふっ化水素蒸気のみによる分解では、イオン化傾向の
小さい金属の溶解は不可能なこと、及び 半導体ウェーハの部分的に含有する不純物を溶解する
ことができないことなどの問題があった。
【０００５】本発明は上記に示した問題点を解決し、半
導体ウェーハ表面及び半導体ウェーハ内部に含有される
超微量の不純物、あるいは半導体ウェーハの局部におけ
る超微量の不純物のための溶解装置及びこれを用いた超
微量分析方法の開発を目的とする。
導体ウェーハ表面及び半導体ウェーハ内部に含有される
超微量の不純物、あるいは半導体ウェーハの局部におけ
る超微量の不純物のための溶解装置及びこれを用いた超
微量分析方法の開発を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、（１） 半導
体ウェーハ表面に液密に置かれて、その中に溶解溶液を
保持可能とする溶解溶液保持具、前記溶解溶液保持具中
に嵌合し、その接液板と半導体ウェーハ表面の間に溶解
溶液を均一に塗布する接液板を備えた溶解溶液塗布治具
から構成された半導体ウェーハの不純物の分析装置、
（２） 溶解溶液塗布治具が取り扱い用棒及び接液板か
らなり、接液板の接液面の反対面に突起を有する（１）
記載の半導体ウェーハの不純物の分析装置、（３） 半
導体ウェーハに、溶解溶液保持具及び溶解溶液塗布治具
をセットした全体を覆い、かつ反応により発生する気体
の逸散並びに溶解溶液塗布治具の取扱い用棒が貫通でき
る構造を有するカバーを備えた（１）または（２）記載
の半導体ウェーハの不純物の分析装置、
体ウェーハ表面に液密に置かれて、その中に溶解溶液を
保持可能とする溶解溶液保持具、前記溶解溶液保持具中
に嵌合し、その接液板と半導体ウェーハ表面の間に溶解
溶液を均一に塗布する接液板を備えた溶解溶液塗布治具
から構成された半導体ウェーハの不純物の分析装置、
（２） 溶解溶液塗布治具が取り扱い用棒及び接液板か
らなり、接液板の接液面の反対面に突起を有する（１）
記載の半導体ウェーハの不純物の分析装置、（３） 半
導体ウェーハに、溶解溶液保持具及び溶解溶液塗布治具
をセットした全体を覆い、かつ反応により発生する気体
の逸散並びに溶解溶液塗布治具の取扱い用棒が貫通でき
る構造を有するカバーを備えた（１）または（２）記載
の半導体ウェーハの不純物の分析装置、
【０００７】（４） 半導体ウェーハ上に溶解溶液保持
具をセットし、この中に溶解溶液を滴下し、これに溶解
溶液塗布治具を前記溶解溶液保持具に嵌合し、接液板の
接液面をウェーハ上の溶解溶液に接触させ、溶解溶液を
半導体ウェーハと前記接液板の間に挟持し、所定条件で
半導体ウェーハを溶解した後、溶解溶液保持具を引き上
げ、得られた溶解溶液を回収し不純物を分析する半導体
ウェーハの不純物の分析方法、及び（５） 半導体ウェ
ーハ上に溶解溶液保持具をセットし、この中に溶解溶液
を滴下し、これに溶解溶液塗布治具を前記溶解溶液保持
具に嵌合し、接液板の接液面をウェーハ上の溶解溶液に
接触させ、溶解溶液を半導体ウェーハと前記接液板の間
に挟持し、半導体ウェーハを含む分析装置全体をカバー
で覆い、所定条件で半導体ウェーハを溶解した後、カバ
ー及び溶解溶液保持具を引き上げ、得られた溶解溶液を
回収し、不純物を分析することを特徴とする半導体ウェ
ーハの不純物の分析方法を開発することにより上記の目
的を達成した。
具をセットし、この中に溶解溶液を滴下し、これに溶解
溶液塗布治具を前記溶解溶液保持具に嵌合し、接液板の
接液面をウェーハ上の溶解溶液に接触させ、溶解溶液を
半導体ウェーハと前記接液板の間に挟持し、所定条件で
半導体ウェーハを溶解した後、溶解溶液保持具を引き上
げ、得られた溶解溶液を回収し不純物を分析する半導体
ウェーハの不純物の分析方法、及び（５） 半導体ウェ
ーハ上に溶解溶液保持具をセットし、この中に溶解溶液
を滴下し、これに溶解溶液塗布治具を前記溶解溶液保持
具に嵌合し、接液板の接液面をウェーハ上の溶解溶液に
接触させ、溶解溶液を半導体ウェーハと前記接液板の間
に挟持し、半導体ウェーハを含む分析装置全体をカバー
で覆い、所定条件で半導体ウェーハを溶解した後、カバ
ー及び溶解溶液保持具を引き上げ、得られた溶解溶液を
回収し、不純物を分析することを特徴とする半導体ウェ
ーハの不純物の分析方法を開発することにより上記の目
的を達成した。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明の対象となる半導体ウェー
ハは、シリコンウェーハに限らず、ゲルマニウムウェー
ハ、３・５族あるいは２・６族半導体など広範囲な半導
体ウェーハを対象とすることができる。以下最も大量に
生産、使用されている半導体ウェーハであるシリコンウ
ェーハを代表として説明するが、これに限定されるもの
ではなく、局部的な半導体ウェーハ表面及び半導体ウェ
ーハ内部に含有する超微量不純物元素を、環境からの汚
染を排除しつつ、効率よく極めて少量の溶解溶液に溶解
させ、これを取り出して他の分析装置、例えば原子吸光
分析用のサンプルを得、分析し、不純物を同定及び定量
することが目的である。
ハは、シリコンウェーハに限らず、ゲルマニウムウェー
ハ、３・５族あるいは２・６族半導体など広範囲な半導
体ウェーハを対象とすることができる。以下最も大量に
生産、使用されている半導体ウェーハであるシリコンウ
ェーハを代表として説明するが、これに限定されるもの
ではなく、局部的な半導体ウェーハ表面及び半導体ウェ
ーハ内部に含有する超微量不純物元素を、環境からの汚
染を排除しつつ、効率よく極めて少量の溶解溶液に溶解
させ、これを取り出して他の分析装置、例えば原子吸光
分析用のサンプルを得、分析し、不純物を同定及び定量
することが目的である。
【０００９】本発明おいて、「半導体ウェーハ表面及び
半導体ウェーハ中に含有する超微量不純物」とは、半導
体ウェーハ表面上に存在する酸化膜及びウェーハ自身が
含有する超微量不純物を意味し、これを溶解溶液に溶解
させるものであり、単に半導体ウェーハ表面だけの超微
量不純物を溶解するものではない。このためには、第１
段として表面の酸化膜を溶解し、これを取り出し分析に
供すると共に、表面の酸化膜を除いた後に、更に別の溶
解溶液を用いて半導体ウェーハ中に含有する超微量不純
物を溶解し取り出すものである。
半導体ウェーハ中に含有する超微量不純物」とは、半導
体ウェーハ表面上に存在する酸化膜及びウェーハ自身が
含有する超微量不純物を意味し、これを溶解溶液に溶解
させるものであり、単に半導体ウェーハ表面だけの超微
量不純物を溶解するものではない。このためには、第１
段として表面の酸化膜を溶解し、これを取り出し分析に
供すると共に、表面の酸化膜を除いた後に、更に別の溶
解溶液を用いて半導体ウェーハ中に含有する超微量不純
物を溶解し取り出すものである。
【００１０】超微量不純物を溶解するための装置として
は、溶解溶液保持具及び溶解溶液塗布治具が必須のもの
であり、好ましくは超微量不純物を溶解している溶解溶
液保持具、溶解溶液塗布治具及び半導体ウェーハの全体
を覆うことができるカバーから構成される。溶解溶液塗
布治具は、半導体ウェーハとの間に溶解溶液を半導体ウ
ェーハ上に均一に保持するための接液板から構成され
る。接液板は、その接液面と半導体ウェーハとの間に溶
解溶液を確実に保持できれば良く、半導体ウェーハ上の
溶解しようとする部分の大きさに合わせて任意に変化さ
せることができ、任意の形状をとることができるが、好
ましくは円板状のものが取扱い性に優れている。この接
液板には接液面を半導体ウェーハに自由に近接させるた
め取り扱い用の棒を設けておくことが好ましく、その位
置を自由に操作できるようにしておくことが好ましい。
は、溶解溶液保持具及び溶解溶液塗布治具が必須のもの
であり、好ましくは超微量不純物を溶解している溶解溶
液保持具、溶解溶液塗布治具及び半導体ウェーハの全体
を覆うことができるカバーから構成される。溶解溶液塗
布治具は、半導体ウェーハとの間に溶解溶液を半導体ウ
ェーハ上に均一に保持するための接液板から構成され
る。接液板は、その接液面と半導体ウェーハとの間に溶
解溶液を確実に保持できれば良く、半導体ウェーハ上の
溶解しようとする部分の大きさに合わせて任意に変化さ
せることができ、任意の形状をとることができるが、好
ましくは円板状のものが取扱い性に優れている。この接
液板には接液面を半導体ウェーハに自由に近接させるた
め取り扱い用の棒を設けておくことが好ましく、その位
置を自由に操作できるようにしておくことが好ましい。
【００１１】また接液板の接液面の反対側周辺部には、
必要により操作性を向上させるため凸部を設けることが
できる。この凸部は、溶解工程終了後に溶解溶液塗布治
具を引き上げる際カバーを共に引き上げ、かつカバーが
接液板に接触するのを防ぐ役割を持つものである。ま
た、半導体ウェーハの溶解においては、溶解溶液塗布治
具により半導体ウェーハ面上の溶解溶液を拡げる操作を
行うが、場合によっては半導体ウェーハと溶解溶液塗布
治具間に溶解溶液が拡がるための隙間を設ける必要があ
る。この様な場合には、溶解溶液塗布治具の溶解溶液を
拡げる接液部分に小さい突起を付属することが好まし
い。あるいは突起を設けなくとも半導体ウェーハの溶解
中に溶解溶液塗布治具を２〜３回上下に上げ下げするこ
とによってもよい。
必要により操作性を向上させるため凸部を設けることが
できる。この凸部は、溶解工程終了後に溶解溶液塗布治
具を引き上げる際カバーを共に引き上げ、かつカバーが
接液板に接触するのを防ぐ役割を持つものである。ま
た、半導体ウェーハの溶解においては、溶解溶液塗布治
具により半導体ウェーハ面上の溶解溶液を拡げる操作を
行うが、場合によっては半導体ウェーハと溶解溶液塗布
治具間に溶解溶液が拡がるための隙間を設ける必要があ
る。この様な場合には、溶解溶液塗布治具の溶解溶液を
拡げる接液部分に小さい突起を付属することが好まし
い。あるいは突起を設けなくとも半導体ウェーハの溶解
中に溶解溶液塗布治具を２〜３回上下に上げ下げするこ
とによってもよい。
【００１２】溶解溶液保持具は、溶解溶液塗布治具の接
液板とほぼ同形状の枠状のものであり、半導体ウェーハ
上に滴下された溶解溶液を、ウェーハと溶解溶液保持具
の下面の接触により該治具の外部に漏出させないような
平滑面を有するものである。そのサイズは半導体ウェー
ハの溶解しようとする面積をすべてカバーし、かつ上記
の接液板を挿入するに必要十分な大きさを有するもので
ある。したがってこの溶解溶液保持具の大きさは、前記
の溶解溶液塗布治具の接液板よりも好ましくは１〜２０
ｍｍ、より好ましくは１〜５ｍｍくらい大きいものが適
当である。
液板とほぼ同形状の枠状のものであり、半導体ウェーハ
上に滴下された溶解溶液を、ウェーハと溶解溶液保持具
の下面の接触により該治具の外部に漏出させないような
平滑面を有するものである。そのサイズは半導体ウェー
ハの溶解しようとする面積をすべてカバーし、かつ上記
の接液板を挿入するに必要十分な大きさを有するもので
ある。したがってこの溶解溶液保持具の大きさは、前記
の溶解溶液塗布治具の接液板よりも好ましくは１〜２０
ｍｍ、より好ましくは１〜５ｍｍくらい大きいものが適
当である。
【００１３】カバーは溶解溶液保持具、溶解溶液塗布治
具、溶解溶液、及び半導体ウェーハの全体を覆うのに十
分な大きさを有するものであるが、溶解溶液と半導体ウ
ェーハの反応により気体が発生する場合があるので、こ
の気体を逸散できるよう、上面に孔を設けることが良
い。またカバー上面には前述の溶解溶液塗布治具の接液
板及び取扱い用棒を自由に出入することが必要となるた
め、カバー上面はこの接液板及び取扱い用棒を自由に出
入できるように、その大きいサイズのものの直径よりも
１〜１０ｍｍ程度大きい構造のものが好ましい。また、
溶解工程の際溶解溶液保持具を半導体ウェーハに押しつ
けることにより、半導体ウェーハ上の溶解溶液が溶解溶
液保持具の外側に漏洩することを防ぐため、溶解溶液保
持具そのものまたはその外側に錘を付けた構造のものと
することもできる。また上記に示した発生気体を逸散さ
せるための孔は前記の溶解溶液保持具に設けることもで
き、この場合はカバー〜溶解溶液塗布治具の取り扱い用
棒を、例えばオイルシール等によって接続させることも
可能である。以上に示した本発明にかかる半導体ウェー
ハ溶解装置は、腐食性の高い溶解溶液を用いるので溶解
溶液保持具、溶解溶液塗布治具及びカバーは耐薬品性が
高いものが要求され、例えばテフロン製や石英製のもの
が適当である。
具、溶解溶液、及び半導体ウェーハの全体を覆うのに十
分な大きさを有するものであるが、溶解溶液と半導体ウ
ェーハの反応により気体が発生する場合があるので、こ
の気体を逸散できるよう、上面に孔を設けることが良
い。またカバー上面には前述の溶解溶液塗布治具の接液
板及び取扱い用棒を自由に出入することが必要となるた
め、カバー上面はこの接液板及び取扱い用棒を自由に出
入できるように、その大きいサイズのものの直径よりも
１〜１０ｍｍ程度大きい構造のものが好ましい。また、
溶解工程の際溶解溶液保持具を半導体ウェーハに押しつ
けることにより、半導体ウェーハ上の溶解溶液が溶解溶
液保持具の外側に漏洩することを防ぐため、溶解溶液保
持具そのものまたはその外側に錘を付けた構造のものと
することもできる。また上記に示した発生気体を逸散さ
せるための孔は前記の溶解溶液保持具に設けることもで
き、この場合はカバー〜溶解溶液塗布治具の取り扱い用
棒を、例えばオイルシール等によって接続させることも
可能である。以上に示した本発明にかかる半導体ウェー
ハ溶解装置は、腐食性の高い溶解溶液を用いるので溶解
溶液保持具、溶解溶液塗布治具及びカバーは耐薬品性が
高いものが要求され、例えばテフロン製や石英製のもの
が適当である。
【００１４】本発明に係る不純物の分析装置を用いた半
導体ウェーハ表面及び半導体ウェーハ中に含有する不純
物元素の溶解操作法を具体的に説明する。 （１）支持台上に半導体ウェーハを水平に置き、半導体
ウェーハ上の溶解しようとする部分に溶解溶液保持具を
セットする。 （２）マイクロピペットを用いて少量の溶解溶液を半導
体ウェーハ上の溶解溶液保持具の枠内に滴下後、 （３）直ちに溶解溶液塗布治具接液板の接液面を上記溶
解溶液に接触させ、溶解溶液を半導体ウェーハと該接液
面の間に溶解溶液を均一に挟持する。 （４）溶解溶液保持具、溶解溶液塗布治具及び半導体ウ
ェーハの全体をカバーで覆い、環境からの汚染を排除す
ると共に、錘により溶解溶液保持具を半導体ウェーハ面
に押さえ、溶解溶液が溶解溶液保持具外に漏洩するのを
防ぐ。 （５）所定の条件（温度、時間など）で半導体ウェーハ
の表面を溶解した後、溶解溶液塗布治具を引き上げ、溶
解溶液保持具の枠内の溶液をマイクロピペットを用いて
回収し、例えば原子吸光分析により不純物元素を測定す
る。この操作を複数回行うことにより半導体ウェーハの
溶解溶液保持具の内面における不純物を層状に解析する
ことができる。
導体ウェーハ表面及び半導体ウェーハ中に含有する不純
物元素の溶解操作法を具体的に説明する。 （１）支持台上に半導体ウェーハを水平に置き、半導体
ウェーハ上の溶解しようとする部分に溶解溶液保持具を
セットする。 （２）マイクロピペットを用いて少量の溶解溶液を半導
体ウェーハ上の溶解溶液保持具の枠内に滴下後、 （３）直ちに溶解溶液塗布治具接液板の接液面を上記溶
解溶液に接触させ、溶解溶液を半導体ウェーハと該接液
面の間に溶解溶液を均一に挟持する。 （４）溶解溶液保持具、溶解溶液塗布治具及び半導体ウ
ェーハの全体をカバーで覆い、環境からの汚染を排除す
ると共に、錘により溶解溶液保持具を半導体ウェーハ面
に押さえ、溶解溶液が溶解溶液保持具外に漏洩するのを
防ぐ。 （５）所定の条件（温度、時間など）で半導体ウェーハ
の表面を溶解した後、溶解溶液塗布治具を引き上げ、溶
解溶液保持具の枠内の溶液をマイクロピペットを用いて
回収し、例えば原子吸光分析により不純物元素を測定す
る。この操作を複数回行うことにより半導体ウェーハの
溶解溶液保持具の内面における不純物を層状に解析する
ことができる。
【００１５】上記に示したように本発明による溶解方法
による時は、 半導体ウェーハ上に滴下した溶解溶液を溶解溶液塗布
治具によりその接液面と半導体ウェーハの間に保持して
いるため、少量の溶液で溶解させることが可能である、 少量の溶解溶液に半導体ウェーハを溶解させるので高
感度に測定が行える、 溶解溶液は溶解溶液保持具内に保持され、溶解溶液が
溶解溶液保持具外に漏出することがない、 溶解溶液保持具、溶解溶液塗布治具の接液板の大きさ
を変えること及び溶解溶液量を変えることによって半導
体ウェーハ上の任意の大きさの面積並びにその溶解量を
コントロールすることが可能である、 溶解工程において、溶解溶液保持具、溶解溶液塗布治
具、溶解溶液及び半導体ウェーハの全体をカバーで覆う
ことにより、半密閉系での溶解となり環境からの汚染を
排除することが可能である、 操作が簡単である、などの特徴を有している。
による時は、 半導体ウェーハ上に滴下した溶解溶液を溶解溶液塗布
治具によりその接液面と半導体ウェーハの間に保持して
いるため、少量の溶液で溶解させることが可能である、 少量の溶解溶液に半導体ウェーハを溶解させるので高
感度に測定が行える、 溶解溶液は溶解溶液保持具内に保持され、溶解溶液が
溶解溶液保持具外に漏出することがない、 溶解溶液保持具、溶解溶液塗布治具の接液板の大きさ
を変えること及び溶解溶液量を変えることによって半導
体ウェーハ上の任意の大きさの面積並びにその溶解量を
コントロールすることが可能である、 溶解工程において、溶解溶液保持具、溶解溶液塗布治
具、溶解溶液及び半導体ウェーハの全体をカバーで覆う
ことにより、半密閉系での溶解となり環境からの汚染を
排除することが可能である、 操作が簡単である、などの特徴を有している。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づき説明す
る。 （実施例１）図１はシリコンウェーハ表面及びシリコン
ウェーハ中の超微量不純物を溶解するための本発明にか
かる一例の溶解装置を示す断面図である。
る。 （実施例１）図１はシリコンウェーハ表面及びシリコン
ウェーハ中の超微量不純物を溶解するための本発明にか
かる一例の溶解装置を示す断面図である。
【００１７】この装置を用いて、本発明にかかるシリコ
ンウェーハ表面およびシリコンウェーハ中に含有する超
微量不純物分析を行うには、以下のようにして行われ
る。 分析するシリコンウェーハ１を支持台６上に水平にセ
ットする。 シリコンウェーハ１上に溶解溶液保持具２をセットす
る。 マイクロピペットを用いて１ｍｏｌ／リットルのふっ
化水素及び０．５ｍｏｌ／リットルの過酸化水素を含有
する溶解溶液４を０．２ｍｌ滴下、 突起を有する溶解溶液塗布治具３の接液板３ｂをウェ
ーハ表面の溶解溶液４に接触させ、取扱い用棒３ａを操
作して溶解溶液４を溶解する部分を覆うようにする。 カバー５で溶解溶液保持具２、溶解溶液塗布治具（凸
部付き）３、溶解溶液４及びシリコンウェーハ１の全体
を覆い、環境からの汚染を排除すると共に錘７により溶
解溶液保持具２を半導体ウェーハ面に押さえ、溶解溶液
４が溶解溶液保持具２外に漏洩するのを防ぐ、
ンウェーハ表面およびシリコンウェーハ中に含有する超
微量不純物分析を行うには、以下のようにして行われ
る。 分析するシリコンウェーハ１を支持台６上に水平にセ
ットする。 シリコンウェーハ１上に溶解溶液保持具２をセットす
る。 マイクロピペットを用いて１ｍｏｌ／リットルのふっ
化水素及び０．５ｍｏｌ／リットルの過酸化水素を含有
する溶解溶液４を０．２ｍｌ滴下、 突起を有する溶解溶液塗布治具３の接液板３ｂをウェ
ーハ表面の溶解溶液４に接触させ、取扱い用棒３ａを操
作して溶解溶液４を溶解する部分を覆うようにする。 カバー５で溶解溶液保持具２、溶解溶液塗布治具（凸
部付き）３、溶解溶液４及びシリコンウェーハ１の全体
を覆い、環境からの汚染を排除すると共に錘７により溶
解溶液保持具２を半導体ウェーハ面に押さえ、溶解溶液
４が溶解溶液保持具２外に漏洩するのを防ぐ、
【００１８】３分間溶解した後、溶解溶液塗布治具３
を引き上げ、シリコンウェーハ１表面にある不純物を溶
解した溶解溶液をマイクロピペットにより回収する。 上記で得られた溶解溶液を、黒鉛炉原子吸光光度法
により分析し、シリコンウェーハ１表面に含有する不純
物を定量する。 次に溶解溶液保持具内の同一個所に、マイクロピペッ
トを用いて１１ｍｏｌ／リットルのふっ化水素及び７ｍ
ｏｌ／リットル硝酸を含有する溶解溶液４の０．５ｍｌ
をシリコンウェーハ１上に滴下、 以後〜の操作を繰り返し、シリコンウェーハ１中
に含有する不純物元素の溶解を行う。なお、汚染されて
いない通常のミラーウェーハの製造工程により製造され
た、表面を清浄にしたシリコンミラーウェーハを用い、
上記〜の操作を行い、空試験値を求めることにより
上記の溶解操作が環境からの影響を受けていないことの
確認をする。
を引き上げ、シリコンウェーハ１表面にある不純物を溶
解した溶解溶液をマイクロピペットにより回収する。 上記で得られた溶解溶液を、黒鉛炉原子吸光光度法
により分析し、シリコンウェーハ１表面に含有する不純
物を定量する。 次に溶解溶液保持具内の同一個所に、マイクロピペッ
トを用いて１１ｍｏｌ／リットルのふっ化水素及び７ｍ
ｏｌ／リットル硝酸を含有する溶解溶液４の０．５ｍｌ
をシリコンウェーハ１上に滴下、 以後〜の操作を繰り返し、シリコンウェーハ１中
に含有する不純物元素の溶解を行う。なお、汚染されて
いない通常のミラーウェーハの製造工程により製造され
た、表面を清浄にしたシリコンミラーウェーハを用い、
上記〜の操作を行い、空試験値を求めることにより
上記の溶解操作が環境からの影響を受けていないことの
確認をする。
【００１９】上記の操作を行うことによりシリコンウェ
ーハ表面及びシリコンウェーハ中に含有する超微量不純
物が簡単な操作で、０．２ｍｌまたは０．５ｍｌの少量
の溶解溶液により溶解することが可能であるため、腐食
性の強い試薬の使用量を大幅に減量することができ、ま
た操作も数分間の短時間で溶解させることが可能であ
る。更に溶解溶液保持具２、溶解溶液塗布治具３、溶解
溶液４及びシリコンウェーハ１の全体を覆うカバーを用
いることにより半密閉系での溶解操作とすることがで
き、環境からの汚染を低減することができる。
ーハ表面及びシリコンウェーハ中に含有する超微量不純
物が簡単な操作で、０．２ｍｌまたは０．５ｍｌの少量
の溶解溶液により溶解することが可能であるため、腐食
性の強い試薬の使用量を大幅に減量することができ、ま
た操作も数分間の短時間で溶解させることが可能であ
る。更に溶解溶液保持具２、溶解溶液塗布治具３、溶解
溶液４及びシリコンウェーハ１の全体を覆うカバーを用
いることにより半密閉系での溶解操作とすることがで
き、環境からの汚染を低減することができる。
【００２０】内径１２０ｍｍの円筒状の溶解溶液保持具
２及び外径１１９ｍｍの円板状の接液板３ｂを有する溶
解溶液塗布治具３を用い、第１段の溶解溶液として１ｍ
ｏｌ／リットルのふっ化水素及び０．５ｍｏｌ／リット
ルの過酸化水素を含有する溶解溶液の０．２ｍｌ及び第
２段の溶解溶液として１１ｍｏｌ／リットルのふっ化水
素及び７ｍｏｌ／リットルの硝酸を含有する溶解溶液の
０．５ｍｌを用い、本方法により６インチ熱酸化シリコ
ンウェーハ表面及び熱酸化シリコンウェーハ中の銅を分
析した結果を表１に示す。
２及び外径１１９ｍｍの円板状の接液板３ｂを有する溶
解溶液塗布治具３を用い、第１段の溶解溶液として１ｍ
ｏｌ／リットルのふっ化水素及び０．５ｍｏｌ／リット
ルの過酸化水素を含有する溶解溶液の０．２ｍｌ及び第
２段の溶解溶液として１１ｍｏｌ／リットルのふっ化水
素及び７ｍｏｌ／リットルの硝酸を含有する溶解溶液の
０．５ｍｌを用い、本方法により６インチ熱酸化シリコ
ンウェーハ表面及び熱酸化シリコンウェーハ中の銅を分
析した結果を表１に示す。
【００２１】
【表１】
【００２２】表１に示すように、本発明にかかる装置及
び方法を使用することにより、シリコンウェーハ表面及
びシリコンウェーハ中の超微量不純物元素を、溶解溶液
の使用量が極めて少量で十分なこと、時間的にも短時間
で良いこと、また半導体ウェーハの表面からの一定の深
さを層状に定量可能であることが確認できた。又銅の空
試験値は黒鉛炉原子吸光測定の検出下限以下であり、本
発明において環境からの汚染が黒鉛炉原子吸光測定の検
出下限よりも低いレベルであることが確認できた。
び方法を使用することにより、シリコンウェーハ表面及
びシリコンウェーハ中の超微量不純物元素を、溶解溶液
の使用量が極めて少量で十分なこと、時間的にも短時間
で良いこと、また半導体ウェーハの表面からの一定の深
さを層状に定量可能であることが確認できた。又銅の空
試験値は黒鉛炉原子吸光測定の検出下限以下であり、本
発明において環境からの汚染が黒鉛炉原子吸光測定の検
出下限よりも低いレベルであることが確認できた。
【００２３】（実施例２）図２は、本発明の図１とは別
の実施例にかかるシリコンウェーハ表面及びシリコンウ
ェーハ中に含有する超微量不純物の溶解装置を示す断面
図である。本実施例の装置は、半導体ウェーハの表面全
部でなく局部的な測定が可能な装置であり本装置を用
い、図３に示すようなウェーハの中心部１５及び周辺部
１６の部分的な分析を行った。
の実施例にかかるシリコンウェーハ表面及びシリコンウ
ェーハ中に含有する超微量不純物の溶解装置を示す断面
図である。本実施例の装置は、半導体ウェーハの表面全
部でなく局部的な測定が可能な装置であり本装置を用
い、図３に示すようなウェーハの中心部１５及び周辺部
１６の部分的な分析を行った。
【００２４】この装置を用いて本発明にかかるシリコン
ウェーハ表面およびシリコンウェーハ中に含有する超微
量不純物分析を実施するには、以下のようにして行われ
る。 分析するシリコンウェーハ１２を支持台６上に水平に
セットする。 シリコンウェーハ１２上の分析をしようとする中心部
分１５に溶解溶液保持具９をセットする。 マイクロピペットを用いて、溶解溶液保持具の枠内に
１ｍｏｌ／リットルのふっ化水素及び０．５ｍｏｌ／リ
ットルの過酸化水素を含有する溶解溶液の０．１ｍｌを
滴下する。 溶解溶液塗布治具１０の接液板１０ｂをシリコンウェ
ーハ１２表面上の溶解溶液に 接触させ、カバー１１で
溶解溶液保持具９、溶解溶液塗布治具３及び溶解溶液
４を覆い、環境からの汚染を排除する。 所定条件で溶解を行った後、溶解溶液塗布治具１０を
引き上げ、シリコンウェー ハ１２表面に残留した溶解
後の溶液をマイクロピペットにより回収する。
ウェーハ表面およびシリコンウェーハ中に含有する超微
量不純物分析を実施するには、以下のようにして行われ
る。 分析するシリコンウェーハ１２を支持台６上に水平に
セットする。 シリコンウェーハ１２上の分析をしようとする中心部
分１５に溶解溶液保持具９をセットする。 マイクロピペットを用いて、溶解溶液保持具の枠内に
１ｍｏｌ／リットルのふっ化水素及び０．５ｍｏｌ／リ
ットルの過酸化水素を含有する溶解溶液の０．１ｍｌを
滴下する。 溶解溶液塗布治具１０の接液板１０ｂをシリコンウェ
ーハ１２表面上の溶解溶液に 接触させ、カバー１１で
溶解溶液保持具９、溶解溶液塗布治具３及び溶解溶液
４を覆い、環境からの汚染を排除する。 所定条件で溶解を行った後、溶解溶液塗布治具１０を
引き上げ、シリコンウェー ハ１２表面に残留した溶解
後の溶液をマイクロピペットにより回収する。
【００２５】前記で得られた溶解溶液を黒鉛炉原子
吸光光度法により測定し、シリコンウェーハ１２の表面
に含有する超微量不純物を定量する。 次に同一個所にマイクロピペットを用いて１１ｍｏｌ
／リットルのふっ化水素及び７ｍｏｌ／リットルの硝酸
を含有する溶解溶液４の０．１５ｍｌをシリコンウェー
ハ１２上の溶解溶液保持具の枠内部分１５に滴下する。 以後〜の操作を繰り返し、必要な深さにエッチン
グしながらシリコンウェーハ１２中に含有する不純物元
素の溶解を行う。 シリコンウェーハ１２上の周辺部の別の部分１６につ
いて、上記の〜の操作を行う。なお汚染されていな
い通常のミラーウェーハの製造工程により製造された表
面を清浄にした別のシリコンミラーウェーハを用い、上
記〜の操作を行い、空試験値を求めた。
吸光光度法により測定し、シリコンウェーハ１２の表面
に含有する超微量不純物を定量する。 次に同一個所にマイクロピペットを用いて１１ｍｏｌ
／リットルのふっ化水素及び７ｍｏｌ／リットルの硝酸
を含有する溶解溶液４の０．１５ｍｌをシリコンウェー
ハ１２上の溶解溶液保持具の枠内部分１５に滴下する。 以後〜の操作を繰り返し、必要な深さにエッチン
グしながらシリコンウェーハ１２中に含有する不純物元
素の溶解を行う。 シリコンウェーハ１２上の周辺部の別の部分１６につ
いて、上記の〜の操作を行う。なお汚染されていな
い通常のミラーウェーハの製造工程により製造された表
面を清浄にした別のシリコンミラーウェーハを用い、上
記〜の操作を行い、空試験値を求めた。
【００２６】上記の工程における結果、シリコンウェー
ハ表面及びシリコンウェーハ中に含有する超微量不純物
が、簡単な操作で、０．１ｍｌ及び０．１５ｍｌの少量
の溶解溶液により溶解することが可能であること、特に
半導体ウェーハ全面でなく、その表面の任意の一部の分
析も可能となったことに特徴がある。
ハ表面及びシリコンウェーハ中に含有する超微量不純物
が、簡単な操作で、０．１ｍｌ及び０．１５ｍｌの少量
の溶解溶液により溶解することが可能であること、特に
半導体ウェーハ全面でなく、その表面の任意の一部の分
析も可能となったことに特徴がある。
【００２７】内径３５ｍｍの溶解溶液保持具９及び外径
３４ｍｍの接液板３ｂを有する溶解溶液塗布治具１０を
用い、第１段の溶解操作の溶解溶液４として、１ｍｏｌ
／リットルのふっ化水素及び０．５ｍｏｌ／リットルの
過酸化水素を含有する溶解溶液の０．１ｍｌ及び第２段
の溶解溶液として１１ｍｏｌ／リットルのふっ化水素及
び７ｍｏｌ／リットルの硝酸を含有する溶解溶液の０．
１５ｍｌを用い、図３に示した溶解個所１５及び１６に
ついて、本方法により６インチ熱酸化シリコンウェーハ
表面及び熱酸化シリコンウェーハ中の銅を分析した結果
を表２（溶解個所１５）および表３（溶解個所１６）に
示す。
３４ｍｍの接液板３ｂを有する溶解溶液塗布治具１０を
用い、第１段の溶解操作の溶解溶液４として、１ｍｏｌ
／リットルのふっ化水素及び０．５ｍｏｌ／リットルの
過酸化水素を含有する溶解溶液の０．１ｍｌ及び第２段
の溶解溶液として１１ｍｏｌ／リットルのふっ化水素及
び７ｍｏｌ／リットルの硝酸を含有する溶解溶液の０．
１５ｍｌを用い、図３に示した溶解個所１５及び１６に
ついて、本方法により６インチ熱酸化シリコンウェーハ
表面及び熱酸化シリコンウェーハ中の銅を分析した結果
を表２（溶解個所１５）および表３（溶解個所１６）に
示す。
【００２８】
【表２】
【００２９】
【表３】
【００３０】表２、表３に示すように、本発明にかかる
装置及び方法を使用することにより、シリコンウェーハ
表面及びシリコンウェーハ中の局部的な部分の超微量不
純物元素が定量可能であることが確認できた。又銅の空
試験値は測定装置の検出下限以下であり、本発明におい
て環境からの汚染が黒鉛炉原子吸光測定の検出下限より
も低いレベルであることが確認できた。
装置及び方法を使用することにより、シリコンウェーハ
表面及びシリコンウェーハ中の局部的な部分の超微量不
純物元素が定量可能であることが確認できた。又銅の空
試験値は測定装置の検出下限以下であり、本発明におい
て環境からの汚染が黒鉛炉原子吸光測定の検出下限より
も低いレベルであることが確認できた。
【００３１】
【発明の効果】本発明によれば、溶解溶液を溶解溶液塗
布治具の接液面と半導体ウェーハの間に保持して溶解す
るため、少量の溶液で溶解させることが可能であり、こ
の結果少量の溶解溶液の使用であっても高感度に測定が
行えることになる。また溶解溶液は一定の面積の溶解溶
液保持具内に保持され、溶解溶液が溶解溶液保持具外に
漏出することがないので溶解溶液保持具、溶解溶液塗布
治具の接液板の大きさを変えること及び溶解溶液量を変
えることによって半導体ウェーハ上の任意の大きさの面
積並びにその溶解量をコントロールすることが可能であ
る。更に溶解工程において、溶解溶液保持具、溶解溶液
塗布治具、溶解溶液及び半導体ウェーハの全体をカバー
で覆うことにより、半密閉系での溶解となり環境からの
汚染を排除することが可能であるばかりでなく、操作が
簡単であるなど極めて優れたものであり、数分間の短時
間の溶解操作で溶解させることが可能であり、試薬量を
節約すると共に黒鉛炉原子吸光光度法または誘導結合プ
ラズマ質量分析法により高感度に定量することが可能で
ある。
布治具の接液面と半導体ウェーハの間に保持して溶解す
るため、少量の溶液で溶解させることが可能であり、こ
の結果少量の溶解溶液の使用であっても高感度に測定が
行えることになる。また溶解溶液は一定の面積の溶解溶
液保持具内に保持され、溶解溶液が溶解溶液保持具外に
漏出することがないので溶解溶液保持具、溶解溶液塗布
治具の接液板の大きさを変えること及び溶解溶液量を変
えることによって半導体ウェーハ上の任意の大きさの面
積並びにその溶解量をコントロールすることが可能であ
る。更に溶解工程において、溶解溶液保持具、溶解溶液
塗布治具、溶解溶液及び半導体ウェーハの全体をカバー
で覆うことにより、半密閉系での溶解となり環境からの
汚染を排除することが可能であるばかりでなく、操作が
簡単であるなど極めて優れたものであり、数分間の短時
間の溶解操作で溶解させることが可能であり、試薬量を
節約すると共に黒鉛炉原子吸光光度法または誘導結合プ
ラズマ質量分析法により高感度に定量することが可能で
ある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例に係るシリコンウェーハ表面
及びシリコンウェーハ中の超微量不純物の溶解装置を示
す概略断面図である。
及びシリコンウェーハ中の超微量不純物の溶解装置を示
す概略断面図である。
【図２】本発明の他の実施例に係るシリコンウェーハ表
面及びシリコンウェーハ中の超微量不純物の溶解装置を
示す概略断面図である。
面及びシリコンウェーハ中の超微量不純物の溶解装置を
示す概略断面図である。
【図３】本発明の図２に使用したシリコンウェーハの溶
解個所を示したものである。
解個所を示したものである。
１ シリコンウェーハ ２ 溶解溶液保持具 ３ 溶解溶液塗布治具（凸部付き） ３ａ 取扱い用棒 ３ｂ 接液板 ４ 溶解溶液 ５ カバー ６ 支持台 ７ 錘 ９ 溶解溶液保持具 １０ 溶解溶液塗布治具（凸部付き） １０ａ 取扱い用棒 １０ｂ 接液板 １１ カバー １２ シリコンウェーハ １３ 錘 １５ 本発明の一実施例にかかる溶解個所 １６ 本発明の一実施例にかかる溶解個所
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/66 Ｇ０１Ｎ 1/28 Ｘ // Ｇ０１Ｎ 21/31 Ｈ０１Ｌ 21/306 Ｋ
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体ウェーハ表面に液密に置かれて、
その中に溶解溶液を保持可能とする溶解溶液保持具、前
記溶解溶液保持具中に嵌合し、その接液板と半導体ウェ
ーハ表面の間に溶解溶液を均一に塗布する接液板を備え
た溶解溶液塗布治具から構成された半導体ウェーハの不
純物の分析装置。 - 【請求項２】 溶解溶液塗布治具が取り扱い用棒及び接
液板からなり、接液板の接液面の反対面に突起を有する
請求項１記載の半導体ウェーハの不純物の分析装置。 - 【請求項３】 半導体ウェーハに、溶解溶液保持具及び
溶解溶液塗布治具をセットした全体を覆い、かつ反応に
より発生する気体の逸散並びに溶解溶液塗布治具の取扱
い用棒が貫通できる構造を有するカバーを備えた請求項
１または２記載の半導体ウェーハの不純物の分析装置。 - 【請求項４】 半導体ウェーハ上に溶解溶液保持具をセ
ットし、この中に溶解溶液を滴下し、これに溶解溶液塗
布治具を前記溶解溶液保持具に嵌合し、接液板の接液面
をウェーハ上の溶解溶液に接触させ、溶解溶液を半導体
ウェーハと前記接液板の間に挟持し、所定条件で半導体
ウェーハを溶解した後、溶解溶液保持具を引き上げ、得
られた溶解溶液を回収し不純物を分析することを特徴と
する半導体ウェーハの不純物の分析方法。 - 【請求項５】 半導体ウェーハ上に溶解溶液保持具をセ
ットし、この中に溶解溶液を滴下し、これに溶解溶液塗
布治具を前記溶解溶液保持具に嵌合し、接液板の接液面
をウェーハ上の溶解溶液に接触させ、溶解溶液を半導体
ウェーハと前記接液板の間に挟持し、半導体ウェーハを
含む分析装置全体をカバーで覆い、所定条件で半導体ウ
ェーハを溶解した後、カバー及び溶解溶液保持具を引き
上げ、得られた溶解溶液を回収し、不純物を分析するこ
とを特徴とする半導体ウェーハの不純物の分析方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18034097A JPH1114618A (ja) | 1997-06-20 | 1997-06-20 | 半導体ウェーハの不純物の分析装置及び分析法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18034097A JPH1114618A (ja) | 1997-06-20 | 1997-06-20 | 半導体ウェーハの不純物の分析装置及び分析法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1114618A true JPH1114618A (ja) | 1999-01-22 |
Family
ID=16081521
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18034097A Pending JPH1114618A (ja) | 1997-06-20 | 1997-06-20 | 半導体ウェーハの不純物の分析装置及び分析法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1114618A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010139255A (ja) * | 2008-12-09 | 2010-06-24 | Covalent Materials Corp | セラミックス部材の不純物分析方法 |
| JP2011082338A (ja) * | 2009-10-07 | 2011-04-21 | Sumco Corp | 半導体基板の分析方法および分析装置 |
-
1997
- 1997-06-20 JP JP18034097A patent/JPH1114618A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010139255A (ja) * | 2008-12-09 | 2010-06-24 | Covalent Materials Corp | セラミックス部材の不純物分析方法 |
| JP2011082338A (ja) * | 2009-10-07 | 2011-04-21 | Sumco Corp | 半導体基板の分析方法および分析装置 |
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