JPH11148068A - 異方性応力緩衝体及びそれを用いた半導体装置 - Google Patents

異方性応力緩衝体及びそれを用いた半導体装置

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JPH11148068A
JPH11148068A JP9316847A JP31684797A JPH11148068A JP H11148068 A JPH11148068 A JP H11148068A JP 9316847 A JP9316847 A JP 9316847A JP 31684797 A JP31684797 A JP 31684797A JP H11148068 A JPH11148068 A JP H11148068A
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stress buffer
anisotropic stress
anisotropic
semiconductor device
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Michio Horiuchi
道夫 堀内
Shigeji Muramatsu
茂次 村松
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ２つの部材を接合する際の熱膨張係数差等に
起因する応力を逃がすと共に、所定の方向には適正な剛
性を備えること。 【解決手段】 厚さ方向への圧縮応力に対しては所定以
上の高いヤング率を示す高弾性係数体１５的な特性を有
し、前記厚さ方向と交差する平面方向への引張り応力及
びずり応力に対しては、前記厚さ方向の特性に比べて低
いヤング率を示す低弾性係数体１４的な特性を有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は異方性応力緩衝体及
びそれを用いた半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】熱膨張係数の異なる材質から成る二つの
部材を結合する場合、或いは結合された二つの部材のう
ち一方のみがより加熱される場合、その熱膨張の差によ
って生じる応力を逃がすためには、弾性係数の小さい柔
らかい材料である低弾性係数体を応力緩衝体として介在
させることが一般的になされている。
【０００３】例えば、半導体装置を実装基板に搭載する
際に、半導体装置と実装基板の配線との電気的接続を適
切に行うためには、前記低弾性係数体（応力緩衝体）を
介在させている。その典型例として、半導体チップと略
同サイズに形成されたチップサイズ（チップスケール）
の半導体装置を、実装基板へ接続（表面実装）する場合
があり、半導体装置側に設けられた応力緩衝体によって
熱膨張による応力を吸収している。このようなチップサ
イズの半導体装置では、通常の半導体装置に比べてより
ベアチップに近い状態に形成されており、高密度実装を
行うことができる反面、半導体チップ自体の発熱等に起
因する熱膨張による応力が、より直接的に作用すること
になり、その応力を主に水平方向へ逃がす応力緩衝体は
必要不可欠な構成要素となっている。
【０００４】図６は、上記チップサイズの半導体装置の
一例（背景技術）を示す断面図である。１０は半導体チ
ップであり、この半導体チップ１０の電極端子１２の形
成面１０ａ側に、その電極端子１２を覆うことなく絶縁
部材２０が接着されている。絶縁部材２０は、応力緩衝
体であるエラストマー２２を主層として接着材２４を介
して半導体チップ１０に積層・接合されている。３０は
配線パターンであり、一端が外部接続端子の接合される
端子部であるランド部３２として形成され、他端が導体
層であるリード部３４として形成されている。この配線
パターン３０は、絶縁フィルム３６によって支持されて
おり、この配線パターン３０と絶縁性フィルム３６によ
ってテープ基板３８が構成されている。なお、３５は接
着剤であり、配線パターン３０を絶縁性フィルム３６に
接着している。テープ基板３８はランド部３２側が絶縁
部材２０の上に接着されており、リード部３４が電極端
子１２にボンディングによって接続されている。９０は
樹脂封止部であり、リード部３４がボンディングされた
後、リード部３４及び電極端子１２の露出部分を封止し
ている。また、外部接続端子は、例えば、はんだボール
４０であり、ランド部３２に接続されている。
【０００５】また、応力緩衝体は、上記のようなチップ
サイズの半導体装置を実装基板に搭載する際に限らず、
通常の半導体パッケージに半導体チップが搭載されて成
る半導体装置を、実装基板に搭載する際に、その電気的
接続の信頼性を向上させるためにも有効に利用できる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、２つの
部材を接合する際の熱膨張係数差等に起因する応力の問
題を解決するためには、弾性係数の小さい柔軟性のある
材料（低弾性係数体）から成る応力緩衝体によって応力
を緩和すればよい。しかしながら、その応力緩衝体では
弾性係数が小さいため、全方向について柔らかく適正な
剛性（硬さ）を得られないという課題がある。一方、利
用分野によっては、一方向については低弾性係数体的な
性質を要し、他方向については弾性係数が大きくて硬い
高弾性係数体的な性質を要する場合がある。例えば、上
記のような半導体装置の分野において、実装基板へ搭載
するためには、その実装基板の搭載面に平行な平面方向
については応力緩衝体としての低弾性係数体的な性質を
要し、その搭載面方向に直交する方向（応力緩衝体の厚
さ方向）については所定の剛性（所定以上の高いヤング
率）を必要とする場合がある。応力緩衝体の厚さ方向に
所定の剛性を有すれば、ワイヤボンディングによって、
半導体チップと半導体装置とのワイヤによる電気的接続
が可能になる。従来の応力緩衝体では、全方向に弾性係
数が小さいため、その応力緩衝体の表面に形成された配
線部にワイヤボンディングを行うことは困難であった。
すなわち、ワイヤボンディングでは、熱、超音波と共に
所定の荷重をかけることによって接合がなされるが、応
力緩衝体がクッションとして作用し、その荷重がかけら
れないためである。なお、ワイヤボンディングのワイヤ
による電気的な接続は、実績があって信頼性が高く、他
の方法に比較しても特性劣化や高コスト化を抑制でき、
接続構造も単純化できるため高密度化（微細化）又は短
製造工程の要請にも対応できる。
【０００７】そこで、本発明の目的は、２つの部材を接
合する際の熱膨張係数差等に起因する応力を逃がすと共
に、所定の方向には適正な剛性を備える異方性応力緩衝
体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】本発明は、上記目的を達成するために次の
構成を備える。すなわち、本発明にかかる異方性応力緩
衝体は、厚さ方向への圧縮応力に対しては所定以上の高
いヤング率を示す高弾性係数体的な特性を有し、前記厚
さ方向と交差する平面方向への引張り応力及びずり応力
に対しては、前記厚さ方向の特性に比べて低いヤング率
を示す低弾性係数体的な特性を有することを特徴とす
る。
【０００９】また、前記異方性応力緩衝体が、接着性を
有し、他と接合後に前記の各特性を生じることで、種々
の用途に容易且つ好適に適用できる。
【００１０】また、複数の柱状の高弾性係数体が、シー
ト状の低弾性係数体の中に該低弾性係数体の厚さ方向に
貫通した状態に設けられると共に、該複数の高弾性係数
体が、低弾性係数体の平面方向に分散されて成ること
で、前記異方性応力緩衝体を好適に構成できる。また、
高弾性係数体の粒子が、低弾性係数体の中に分散されて
成ることでも、前記異方性応力緩衝体を好適に構成でき
る。
【００１１】また、前記低弾性係数体は、単体で２０°
Ｃ以上１００°Ｃ以下におけるヤング率が１００ＫＰａ
以上１０ＭＰａ以下であることで、応力緩衝体として好
適に利用できる。
【００１２】また、前記高弾性係数体の粒子が、球状粒
子であることで、所望の性質の前記異方性応力緩衝体を
好適に構成できる。さらに、前記高弾性係数体の粒子
が、平板状粒子であることでも、所望の性質の前記異方
性応力緩衝体を好適に構成できる。
【００１３】また、本発明は、前記異方性応力緩衝体の
一面が、半導体チップの電極端子が形成された面側に接
合され、該異方性応力緩衝体の他面に形成された配線部
と前記半導体チップの電極端子とがワイヤを介して電気
的に接続されていることを特徴とする半導体装置にもあ
る。
【００１４】また、前記異方性応力緩衝体の一面が、半
導体チップが該半導体チップの電極端子が形成された面
の反対面側で接合されて搭載されるパッケージ基体の表
面に接合され、該異方性応力緩衝体の他面に形成された
配線部と前記半導体チップの電極端子とがワイヤを介し
て電気的に接続されていることによっても、実装基盤に
好適に搭載できる半導体装置を好適に構成できる。
【００１５】また、前記異方性応力緩衝体の厚さが、２
０μｍ以上２００μｍ以下であることで、半導体パッケ
ージ設計上の許容できる接着層として好適に利用でき
る。を特徴とする請求項８又は９記載の半導体装置。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明にかかる好適な実施
の形態を添付図面と共に詳細に説明する。図１は本発明
による異方性応力緩衝体の一実施例を模式的に説明する
説明図である。図１（ａ）はその異方性応力緩衝体の斜
視図であり、図１（ｂ）は厚さ方向に圧縮応力が作用す
る場合の断面図、また、図１（ｃ）は平面方向のずり応
力に対する挙動を示す断面図である。なお、図１（ｂ）
と図１（ｃ）には、シート状の異方性応力緩衝体の両面
に、平面配線（配線部２８）が形成された状態を示して
ある。この異方性応力緩衝体は、厚さ方向への圧縮応力
に対しては所定以上の高いヤング率を示す高弾性係数体
的な特性を有し、前記厚さ方向に交差する平面方向への
引張り応力及びずり応力に対しては、前記厚さ方向の特
性に比べて低いヤング率を示す低弾性係数体的な特性を
有するように構成されている。
【００１７】すなわち、本実施例の異方性応力緩衝体で
は、図に明らかなように、複数の柱状の高弾性係数体１
５（低弾性係数体シート１４よりヤング率が高い）が、
シート状に設けられた低弾性係数体である低弾性係数体
シート１４の中に、その低弾性係数体シート１４の厚さ
方向に貫通した状態に設けられると共に、その複数の高
弾性係数体１５が、低弾性係数体シート１４の平面方向
に分散していることで、好適に構成されている。従っ
て、低弾性係数体シート１４は連続的に形成されている
のに対し、柱状の高弾性係数体１５は平面的に不連続に
分布しているということができる。さらに、図１の実施
の形態では、低弾性係数体シート１４中に、その厚さの
長さを有する柱状の高弾性係数体１５が、低弾性係数体
シート１４の厚さ方向に平行に立設され、平面方向へは
所定の間隔をおいて分布している。これにより、柱状の
高弾性係数体１５が１つ以上含まれる接触面について、
前記厚さ方向（図１（ｂ）の矢印Ｇ）からの圧縮的応力
に対しては、その柱状の高弾性係数体１５の特性を反映
して高弾性係数体的に挙動する。これに対し、前記厚さ
方向に直交する平面方向からの引張り応力に対しては低
弾性係数のマトリックス部（低弾性係数体シート１４）
の特性を反映して低弾性係数体的に挙動し、また、平面
方向（図１（ｃ）の矢印Ｆ）のずり応力に対しても、こ
のマトリックスの特性と、柱状体（柱状の高弾性係数体
１５）の傾斜を伴い、やはり低弾性係数体的に挙動する
（図１（ｃ））。
【００１８】なお、図面上には同一形状の多数の柱状の
高弾性係数体１５が規則正しく分布しているが、本発明
では使用される仕様に応じて適宜設けられていればよ
い。すなわち、所定の部分範囲全体で所定の弾性係数体
的な特性を示すように構成されれば、高弾性係数体の形
状が揃っていたり、規則正しく分布することは要しな
い。すなわち、所定面積毎に所定範囲の同様な特性を有
すれば、高弾性係数体の形状や分布はランダムでもよ
い。また、前記異方性応力緩衝体が、接着性を有し、他
と接合後に前記の各特性を生じるようにすれば、別途接
着剤を要せず、種々の用途に容易且つ好適に適用でき
る。
【００１９】このような構造からなる異方性応力緩衝体
は、例えば、以下のような方法で作製することができ
る。 （１）高弾性係数体シートにマスクを介して紫外波長領
域のエネルギービームを照射して連続的な特定部位の構
成分子間結合をある程度に切断し、それら領域の弾性係
数を下げる。 （２）ポリマー前駆体シートにマスクを介して特定波長
領域のエネルギービームを照射し、非連続的な特定部位
の重合度を他の部位より亢進させる。或いは、連続的な
特定部位の重合をある程度に阻害して本キュアする。 （３）高弾性係数体シートを支持体上に形成し、マスク
を介してエネルギービームを照射して連続的な特定部位
の構成物質を除去し、次いでその空隙部に低弾性係数体
を充填する。この際、高弾性係数体としては例えばポリ
イミドを用い、低弾性係数体としては例えばシリコーン
ゴムを用いればよい。
【００２０】次に、他の実施の形態について図２及び図
３に基づいて詳細に説明する。厚さ方向への圧縮応力に
対しては高弾性係数体的な特性を有し、前記厚さ方向に
交差する平面方向への引張り応力及びずり応力に対して
は低弾性係数体的な特性を有する異方性応力緩衝体は、
図２及び図３に示すように高弾性係数体の粒子１６、１
８（低弾性係数体シート１４よりヤング率が高い）を低
弾性係数体シート１４中に分散した構成によって得るこ
とができる。高弾性係数体の粒子としては、球状粒子１
６（図２）或いは平板状粒子１８（図３）を利用でき、
所望の性質の前記異方性応力緩衝体を好適に構成でき
る。 なお、高弾性係数体の粒子が分散される低弾性係
数体の材質としては、室温〜１００°Ｃにおけるヤング
率が１０ＭＰａ以下の樹脂が適しており、その樹脂とし
ては、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリオレフィ
ン樹脂、シアノエステル樹脂等を用いることができる。
【００２１】低弾性係数体シート１４中に、特定サイズ
の高弾性係数体の粉末（高弾性係数体の粒子；図２の実
施例では球状粒子１６）が特定体積割合で混合されてい
ることにより、厚さ方向（図２（ｂ）の矢印Ｇ）からの
特に瞬間的圧縮応力に対しては、これら高弾性係数体の
粒子の粒同士の接触又はそれに近い状態が形成され、非
連続的ではあるが高弾性係数体的挙動を示す。一方、平
面方向（図２（ｃ）の矢印Ｆ）からの特に緩慢な引張り
応力やずり応力に対しては、全体的な変形を伴い、低弾
性係数体的挙動を示す。この挙動は、応力のかかる速度
の影響もある点で、ややダイラタンシー（ｄｉｌａｔａ
ｎｃｙ）現象に似ている。
【００２２】このような構造体は、低弾性係数体の流動
的前駆体中に、高弾性係数体の特定範囲の粒径の粉末
（高弾性係数体の粒子）を分散させた後、キュアするこ
とで得ることができる。また、前記流動的前駆体中に分
散する高弾性係数体の粒子として特定サイズの平板状の
高弾性係数体粉末（平板状粒子１８）を用いる場合、平
板状粒子１８は、流動的前駆体の流れ方向に沿うように
分散し易いため、平行に配向した状態にすることができ
る（図３参照）。このように、低弾性係数体シート１４
中に、平板状粒子１８を、シート平面に平行に配向して
比較的密に充填することにより、厚さ方向（図３（ａ）
の矢印Ｇ）からの圧縮応力に対しては、厚さ方向の直列
的な高弾性係数体の体積割合の寄与によって高弾性係数
体的な特性を有し、一方、平面方向（図３（ｂ）の矢印
Ｆ）からのずり応力に対しては全体的な平面方向の変形
を伴い、相対的に低弾性係数体的な特性を有するように
することができる。平面方向に平行な平板状粒子１８の
移動をより容易にするため、粒子自体は六方晶窒化ホウ
素のように、より潤滑性の高いものが良く、また、マト
リックスはより粘弾性の低い有機物が好ましい。また、
平板状粒子１８としては、シリカ、アルミナ、スピネル
等の粒子を好適に用いることができる。
【００２３】（第１実施例）３０℃におけるヤング率が
約３ＧＰａのポリイミド熱可塑性接着剤の厚さ約１００
μｍのシート上に、径約３０μｍのモリブデン粒を約５
体積パーセント分散させた溶液を塗布し、乾燥後、Ｋｒ
Ｆエキシマレーザービームを全面照射し、次いで洗浄し
て、柱状の高弾性係数体が低弾性係数体シート中に分布
した好適な異方性応力緩衝体を得ることができた。すな
わち、本実施例では、モリブデン粒を分散させた溶液は
マスクとして作用し、エキシマレーザービームがモリブ
デン粒によって反射されて照射されなかった部分が柱状
の高弾性係数体になることで、好適な異方性応力緩衝体
を得ることができたのである。なお、上記モリブデン粒
に代えて、エキシマレーザービームを反射させる粒子と
して他の重金属粒子を用いてもよい。
【００２４】（第２実施例）単体では１ＭＰａ前後のヤ
ング率を示すシリコーン系エラストマーの前駆体中に、
代表長径６０〜１００μｍの市販の板状アルミナ粉を５
２体積パーセント混合し、これを３５μｍ銅箔付きの２
５μｍ厚ポリイミドフィルム上に約１００μｍ厚に塗布
し、１５０℃で３０分のキュアを行い、ゴム状層を形成
することで、好適な異方性応力緩衝体を得ることができ
た。
【００２５】（第３実施例）ヤング率約３ＭＰａのシリ
コーン系ゴムの厚さ約１５０μｍのシート上に、メタル
マスクを介してエキシマレーザービームを全面照射し、
径約１００μｍのスルーホールを約５０％面積密度に形
成した。次いで、ポリイミドワニスをスルーホールに充
填し、２００°Ｃ１時間のキュアを行い、好適な異方性
応力緩衝体を得た。
【００２６】次に、以上に説明した本発明にかかる異方
性応力緩衝体を、半導体装置に適用した実施の形態につ
いて、図４及び図５に基づいて説明する。図４はチップ
サイズの半導体装置の要部を示す断面図である。この半
導体装置は、以上に説明した異方性応力緩衝体１３の一
面が、半導体チップ１０の電極端子１２が形成された面
側に接合され、その異方性応力緩衝体１３の他面に形成
された配線部２８と半導体チップ１０の電極端子１２と
が、ワイヤボンディングによるワイヤ５０を介して電気
的に接続（結線）してある。異方性応力緩衝体１３は、
厚さ方向に、所定以上の高いヤング率を示す高弾性係数
体的な特性を有し、所定以上の剛性を有している。この
ため、所定の荷重がかけられるワイヤボンディングによ
っても、ワイヤ５０を好適に接続できる。なお、本実施
例では、ポリイミド等の絶縁基材２６を介して、異方性
応力緩衝体１３の面上に配線部２８が形成されている。
また、２９はソルダーレジスト、４０はソルダーボール
（はんだボール）、９０は封止材である。このように異
方性応力緩衝体１３を用いれば、ワイヤボンディングを
好適に行うことができると共に、チップサイズの半導体
装置を実装基板へ搭載する際の熱膨張による応力の問題
を解消できる。
【００２７】図５は半導体チップが半導体パッケージに
封止された一般的な半導体装置の要部を示す断面図であ
る。この半導体装置は、以上に説明した本発明にかかる
異方性応力緩衝体１３の一面が、半導体チップ１０がそ
の半導体チップの電極端子１２が形成された面の反対面
側で接合されて搭載されるパッケージ基体（パッケージ
ベース２５）の表面に接合され、その異方性応力緩衝体
１３の他面に形成された配線部２８と、半導体チップ１
０の電極端子１２とがワイヤボンディングによるワイヤ
５０を介して電気的に接続（結線）してある。異方性応
力緩衝体１３は、厚さ方向に、所定以上の高いヤング率
を示す高弾性係数体的な特性を有し、所定以上の剛性を
有している。このため、所定の荷重がかけられるワイヤ
ボンディングによっても、ワイヤ５０を好適に接続でき
る。なお、本実施例では、ポリイミド等の絶縁基材２６
を介して、異方性応力緩衝体１３の面上に配線部２８が
形成されている。また、２９はソルダーレジスト、４０
はソルダーボール（はんだボール）、９０は封止材であ
る。このように異方性応力緩衝体１３を用いれば、ワイ
ヤボンディングを好適に行うことができると共に、半導
体装置を実装基板へ搭載する際の熱膨張による応力の問
題を解消できる。
【００２８】次に図５に基づいて具体的な実施例につい
て説明する。 （第４実施例）キャビティー部を有する窒化アルミニウ
ムセラミック製の基板（パッケージベース２５）に、電
解金めっき仕上げした回路フィルム（絶縁基材２６及び
配線部２８）を、実施例２と同様の板状アルミナ粉分散
型異方性応力緩衝材１３（接着層）を介して接着し、キ
ュアした。その後、キャビティー内にアルミニウム面を
形成したシリコン片（ダミーチップ）を搭載し、径３５
μｍ金線を用いたワイヤボンディグ法で第２ボンディン
グが良好に行えることを確認した。
【００２９】このように、本発明にかかる異方性応力緩
衝体１３を半導体装置に用いれば、表面実装において材
料間の熱膨張係数差に起因する応力を緩和できる共に、
実績のあるワイヤボンディングを利用して電気的な接続
ができる。従って、半導体装置の信頼性を向上でき、ワ
イヤボンディングは、他の方法に比較しても特性劣化や
高コスト化を抑制でき、接続構造も単純化できるため高
密度化（微細化）及び短製造工程の要請にも好適に対応
できる。なお、異方性応力緩衝体１３の厚さが、２０μ
ｍ以上２００μｍ以下であることで、一般的な半導体パ
ッケージ設計上の許容できる接着層として好適に利用で
きる。
【００３０】また、以上の図４及び図５では、異方性応
力緩衝体が、それ自体の接着性により、回路フィルム、
半導体チップ又は半導体パッケージと接合した状態を図
示したが、本発明はこれに限らず、異方性応力緩衝体に
別途接着剤層を形成して接合を行ってもよい。この場
合、接着剤層が形成された分、厚さ方向の圧縮応力に対
する高弾性係数体的な特性は若干低下するが、接着性が
向上して接合を確実に行うことができる。また、ワイヤ
ボンディング時にかかる応力はその速度が高く、実装時
での応力はその速度が低いので、半導体装置に用いる異
方性応力緩衝体１３としてより好適には、前述したよう
な方向性の差に加えて、応力速度に対する応答性の差が
ある材質を選択的に利用すれば良い。すなわち、ダイラ
タンシー的な挙動を示すものがより良い。以上、本発明
につき好適な実施例を挙げて種々説明してきたが、本発
明はこの実施例に限定されるものではなく、発明の精神
を逸脱しない範囲内で多くの改変を施し得るのは勿論の
ことである。
【００３１】
【発明の効果】本発明にかかる異方性応力緩衝体によれ
ば、厚さ方向への圧縮応力に対しては所定以上の高いヤ
ング率を示す高弾性係数体的な特性を有し、前記厚さ方
向に交差する平面方向への引張り応力及びずり応力に対
しては低弾性係数体的な特性を有することを特徴とす
る。従って、この異方性応力緩衝体を２つの部材を接合
する際の応力緩衝体として用いれば、熱膨張係数差等に
起因する応力を好適に逃がすと共に、所定の方向には適
正な剛性を備えることができるという著効を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】柱状の高弾性係数体を分散してなる本発明の一
実施例を示す説明図である。
【図２】球状粒子を分散してなる本発明の一実施例を示
す断面図である。
【図３】平板状粒子を分散してなる本発明の一実施例を
示す断面図である。
【図４】本発明にかかるチップサイズの半導体装置の一
実施例（要部）を示す断面図である。
【図５】本発明にかかる半導体装置の一実施例（要部）
を示す断面図である。
【図６】背景技術（要部）を示す断面図である。
【符号の説明】
１０ 半導体チップ １２ 電極端子 １３ 異方性応力緩衝体 １４ 低弾性係数体シート １５ 柱状の高弾性係数体 １６ 球状粒子 １８ 平板状粒子 ２６ 絶縁基材 ２８ 配線部 ４０ ソルダーボール ５０ ワイヤ

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 厚さ方向への圧縮応力に対しては所定以
    上の高いヤング率を示す高弾性係数体的な特性を有し、
    前記厚さ方向と交差する平面方向への引張り応力及びず
    り応力に対しては、前記厚さ方向の特性に比べて低いヤ
    ング率を示す低弾性係数体的な特性を有することを特徴
    とする異方性応力緩衝体。
  2. 【請求項２】 接着性を有し、他と接合後に前記の各特
    性を生じることを特徴とする請求項１記載の異方性応力
    緩衝体。
  3. 【請求項３】 複数の柱状の高弾性係数体が、シート状
    の低弾性係数体の中に該低弾性係数体の厚さ方向に貫通
    した状態に設けられると共に、該複数の高弾性係数体
    が、低弾性係数体の平面方向に分散されて成ることを特
    徴とする請求項１又は２記載の異方性応力緩衝体。
  4. 【請求項４】 高弾性係数体の粒子が、低弾性係数体の
    中に分散されて成ることを特徴とする請求項１又は２記
    載の異方性応力緩衝体。
  5. 【請求項５】 前記低弾性係数体は、単体で２０°Ｃ以
    上１００°Ｃ以下におけるヤング率が１００ＫＰａ以上
    １０ＭＰａ以下であることを特徴とする請求項３又は４
    記載の異方性応力緩衝体。
  6. 【請求項６】 前記高弾性係数体の粒子が、球状粒子で
    あることを特徴とする請求項４記載の異方性応力緩衝
    体。
  7. 【請求項７】 前記高弾性係数体の粒子が、平板状粒子
    であることを特徴とする請求項４記載の異方性応力緩衝
    体。
  8. 【請求項８】 前記請求項１、２、３、４、５、６又は
    ７記載の異方性応力緩衝体の一面が、半導体チップの電
    極端子が形成された面側に接合され、該異方性応力緩衝
    体の他面に形成された配線部と前記半導体チップの電極
    端子とがワイヤを介して電気的に接続されていることを
    特徴とする半導体装置。
  9. 【請求項９】 前記請求項１、２、３、４、５、６又は
    ７記載の異方性応力緩衝体の一面が、半導体チップが該
    半導体チップの電極端子が形成された面の反対面側で接
    合されて搭載されるパッケージ基体の表面に接合され、
    該異方性応力緩衝体の他面に形成された配線部と前記半
    導体チップの電極端子とがワイヤを介して電気的に接続
    されていることを特徴とする半導体装置。
  10. 【請求項１０】 前記異方性応力緩衝体の厚さが、２０
    μｍ以上２００μｍ以下であることを特徴とする請求項
    ８又は９記載の半導体装置。
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