JPH1114849A - 光学素子の製造方法 - Google Patents
光学素子の製造方法Info
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- JPH1114849A JPH1114849A JP9165473A JP16547397A JPH1114849A JP H1114849 A JPH1114849 A JP H1114849A JP 9165473 A JP9165473 A JP 9165473A JP 16547397 A JP16547397 A JP 16547397A JP H1114849 A JPH1114849 A JP H1114849A
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Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 リッジ構造の光導波路における光の伝搬ロス
を少なくすること。 【解決手段】 本発明は、先ず、電気光学効果を有する
基板１に光導波路２０を形成し、基板１における光導波
路２０の周囲をエッチングしてリッジ構造を形成する。
その後、このリッジ構造となった基板１の表面に、その
基板１と同種の組成でわずかに屈折率の異なるバッファ
層４を形成する。
を少なくすること。 【解決手段】 本発明は、先ず、電気光学効果を有する
基板１に光導波路２０を形成し、基板１における光導波
路２０の周囲をエッチングしてリッジ構造を形成する。
その後、このリッジ構造となった基板１の表面に、その
基板１と同種の組成でわずかに屈折率の異なるバッファ
層４を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信装置に用い
られる光信号の制御を行う光学素子の製造方法に関す
る。
られる光信号の制御を行う光学素子の製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】高度情報化社会では、伝送する情報容量
の増加に伴い、光通信の実用化が進んできている。特
に、伝送する光信号の切り換えを行う光スイッチングの
必要性が高まってきており、新しい光加入者システム
（スイッチドアクセススター：ＳＡＳ）の提案もなさ
れ、光スイッチングはますます重要なデバイスとなって
きている。
の増加に伴い、光通信の実用化が進んできている。特
に、伝送する光信号の切り換えを行う光スイッチングの
必要性が高まってきており、新しい光加入者システム
（スイッチドアクセススター：ＳＡＳ）の提案もなさ
れ、光スイッチングはますます重要なデバイスとなって
きている。
【０００３】この光スイッチングにおいては、従来プリ
ズムやミラー、ファイバー等によって構成する機械的な
ものが考えられていたが、速度、形状、信頼性等の観点
から集積化には不向きである。
ズムやミラー、ファイバー等によって構成する機械的な
ものが考えられていたが、速度、形状、信頼性等の観点
から集積化には不向きである。
【０００４】そこで、リチウムナイオベイト（ＬｉＮｂ
Ｏ3 ：以下、「ＬＮ」と言う。）等の強誘電体材料を基
板として用い、チタン（Ｔｉ）をその基板中に拡散させ
て光導波路を形成した光学素子が多く適用されてきてい
る。
Ｏ3 ：以下、「ＬＮ」と言う。）等の強誘電体材料を基
板として用い、チタン（Ｔｉ）をその基板中に拡散させ
て光導波路を形成した光学素子が多く適用されてきてい
る。
【０００５】このような光導波路を備えた光学素子で
は、光導波路に電界がかかることで光の屈折率が電気光
学効果により変化することを利用し、光導波路を伝搬す
る光の位相を変化させ、スイッチングや変調を行ってい
る。
は、光導波路に電界がかかることで光の屈折率が電気光
学効果により変化することを利用し、光導波路を伝搬す
る光の位相を変化させ、スイッチングや変調を行ってい
る。
【０００６】さらに、光導波路を伝搬する光のロス（伝
搬ロス）を低減するため、例えば「Highly Efficient 4
0-GHz Bandwidth Ti:LiNbO3 Optical Modulator Employ
ingRidge Structure 」K.Noguchi,O.Mitomi,K.Kawano,a
nd M.Yanagibashi,IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTER
S,VOL.5,NO.1,p52(1993)に示されるようなリッジ構造を
持つ光学素子が提案されている。
搬ロス）を低減するため、例えば「Highly Efficient 4
0-GHz Bandwidth Ti:LiNbO3 Optical Modulator Employ
ingRidge Structure 」K.Noguchi,O.Mitomi,K.Kawano,a
nd M.Yanagibashi,IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTER
S,VOL.5,NO.1,p52(1993)に示されるようなリッジ構造を
持つ光学素子が提案されている。
【０００７】このような光学素子を製造するには、先ず
ＬＮの基板上に所定幅のＴｉパターンを形成する。次
に、熱拡散炉を用いてＴｉパターンの熱拡散（例えば、
１０００℃、８時間）を行い、基板に断面視半円形状の
光導波路を形成する。
ＬＮの基板上に所定幅のＴｉパターンを形成する。次
に、熱拡散炉を用いてＴｉパターンの熱拡散（例えば、
１０００℃、８時間）を行い、基板に断面視半円形状の
光導波路を形成する。
【０００８】次いで、光導波路上にマスクを形成した
後、Ｃ2 Ｆ6 −Ａｒ等のガスを用い、エッチング（ＥＣ
Ｒ（Electron Cyclotron Resonance）、ＲＩＥ（Reacti
ve IonEtching）、プラズマエッチング等）を行ってリ
ッジ構造を形成する。
後、Ｃ2 Ｆ6 −Ａｒ等のガスを用い、エッチング（ＥＣ
Ｒ（Electron Cyclotron Resonance）、ＲＩＥ（Reacti
ve IonEtching）、プラズマエッチング等）を行ってリ
ッジ構造を形成する。
【０００９】そして、マスクをフッ化水素酸等で除去し
た後、リッジ構造を覆うようにバッファ層（ＳｉＯ2 、
Ａｌ2 Ｏ3 等）を形成する（蒸着、スパッタ、プラズマ
ＣＶＤ等）。これによって光学素子を完成させる。な
お、使用態様に応じてバッファ層上に電極を形成しても
よい。
た後、リッジ構造を覆うようにバッファ層（ＳｉＯ2 、
Ａｌ2 Ｏ3 等）を形成する（蒸着、スパッタ、プラズマ
ＣＶＤ等）。これによって光学素子を完成させる。な
お、使用態様に応じてバッファ層上に電極を形成しても
よい。
【００１０】このようなリッジ構造を持つ光学素子で
は、導波光の閉じ込めが非常に強く、放射損失も極めて
小さいものとなる。したがって、この光学素子における
伝搬ロスは、主として導波路側壁での光散乱によって決
まることになる。
は、導波光の閉じ込めが非常に強く、放射損失も極めて
小さいものとなる。したがって、この光学素子における
伝搬ロスは、主として導波路側壁での光散乱によって決
まることになる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな光学素子の製造方法においては、リッジ構造を形成
するにあたりＥＣＲやＲＩＥまたはプラズマエッチング
等でＬＮ基板をエッチングしているため、その側壁の荒
れ（凹凸）が大きくなってしまい、光導波路を伝搬する
光の伝搬ロスが大きくなってしまうという問題がある。
うな光学素子の製造方法においては、リッジ構造を形成
するにあたりＥＣＲやＲＩＥまたはプラズマエッチング
等でＬＮ基板をエッチングしているため、その側壁の荒
れ（凹凸）が大きくなってしまい、光導波路を伝搬する
光の伝搬ロスが大きくなってしまうという問題がある。
【００１２】光導波路側壁の荒れに関しての散乱ロス
は、「Low-Loss III-V SemiconductorOptical Waveguid
es 」Robert J.Deri,and Eli Kapon,IEEE JOURNAL OF Q
UANTUM ELECTRONICS,VOL.27,NO.3,p626(1991)に示され
るように以下の（１）式で表される。
は、「Low-Loss III-V SemiconductorOptical Waveguid
es 」Robert J.Deri,and Eli Kapon,IEEE JOURNAL OF Q
UANTUM ELECTRONICS,VOL.27,NO.3,p626(1991)に示され
るように以下の（１）式で表される。
【００１３】
【数１】
【００１４】（１）式において、α：散乱ロス、β：モ
ード伝搬定数、σ：側壁荒れ、ｋ0：自由空間波数、
ｈ：導波層伝搬定数、Ｅs 2 ／∫Ｅ2 ：光強度、Δｎ：
屈折率差（導波層とクラッド層）である。
ード伝搬定数、σ：側壁荒れ、ｋ0：自由空間波数、
ｈ：導波層伝搬定数、Ｅs 2 ／∫Ｅ2 ：光強度、Δｎ：
屈折率差（導波層とクラッド層）である。
【００１５】このことから、導波路の形状から求められ
る伝搬定数や側壁の荒れが同一の場合、導波層とクラッ
ド層との屈折率差を小さくするほど散乱ロスが小さくな
ることが分かる（ただし、屈折率差が０だと導波層に光
波を閉じ込められなくなる）。
る伝搬定数や側壁の荒れが同一の場合、導波層とクラッ
ド層との屈折率差を小さくするほど散乱ロスが小さくな
ることが分かる（ただし、屈折率差が０だと導波層に光
波を閉じ込められなくなる）。
【００１６】従来のリッジ構造を持つ導波路型光学素子
では、クラッド層としてＳｉＯ2 （屈折率１．４５７）
またはクラッド層を形成しない（クラッド層が空気すな
わち屈折率１．０）であり、導波層との屈折率差によ
り、先に示したように散乱ロスの大きなものとなってし
まう。
では、クラッド層としてＳｉＯ2 （屈折率１．４５７）
またはクラッド層を形成しない（クラッド層が空気すな
わち屈折率１．０）であり、導波層との屈折率差によ
り、先に示したように散乱ロスの大きなものとなってし
まう。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明はこのような課題
を解決するために成された光学素子の製造方法である。
すなわち、本発明は、電気光学効果を有する基板に光導
波路を形成する工程と、この基板における光導波路の周
囲をエッチングしてリッジ構造を形成する工程と、リッ
ジ構造となった基板の表面に、その基板と同種の組成で
わずかに屈折率の異なるバッファ層を形成する工程とを
備えている。
を解決するために成された光学素子の製造方法である。
すなわち、本発明は、電気光学効果を有する基板に光導
波路を形成する工程と、この基板における光導波路の周
囲をエッチングしてリッジ構造を形成する工程と、リッ
ジ構造となった基板の表面に、その基板と同種の組成で
わずかに屈折率の異なるバッファ層を形成する工程とを
備えている。
【００１８】本発明では、電気光学効果を有する基板に
形成した光導波路の周囲をエッチングしてリッジ構造を
形成した後、そのリッジ構造となった基板の表面に、基
板と同種の組成でわずかに屈折率の異なるバッファ層を
形成していることから、光導波路とバッファ層との屈折
率差を小さくすることができ、光散乱を抑制して伝搬ロ
スを少なくできるようになる。
形成した光導波路の周囲をエッチングしてリッジ構造を
形成した後、そのリッジ構造となった基板の表面に、基
板と同種の組成でわずかに屈折率の異なるバッファ層を
形成していることから、光導波路とバッファ層との屈折
率差を小さくすることができ、光散乱を抑制して伝搬ロ
スを少なくできるようになる。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の光学素子の製造
方法における実施の形態を図に基づいて説明する。図１
および図２は、本実施形態における光学素子の製造方法
を順に説明する断面図である。
方法における実施の形態を図に基づいて説明する。図１
および図２は、本実施形態における光学素子の製造方法
を順に説明する断面図である。
【００２０】本実施形態では、電気光学効果を有する基
板を利用して、この基板に光導波路を形成し、光信号を
効率良く伝搬しながらスイッチングや変調を行う光学素
子を製造するものである。
板を利用して、この基板に光導波路を形成し、光信号を
効率良く伝搬しながらスイッチングや変調を行う光学素
子を製造するものである。
【００２１】なお、ここでは基板１としてＬＮを使用す
る場合を例として説明を行うが、このＬＮには、特性改
善のためにＣｒ、Ｃｕ、Ｍｇ、ＭｇＯ、Ｎｂをドープし
たものを含むこととする。
る場合を例として説明を行うが、このＬＮには、特性改
善のためにＣｒ、Ｃｕ、Ｍｇ、ＭｇＯ、Ｎｂをドープし
たものを含むこととする。
【００２２】先ず、先ず図１（ａ）に示すように、例え
ばＬＮの基板１上に所定幅のＴｉパターン２を形成す
る。所定幅のＴｉパターン２を形成するには、基板１上
にスパッタ法によってＴｉ膜を形成した後、レジストを
塗布してＴｉパターン２を形成する位置を残すようにパ
ターニングする。その後、このレジストをマスクとして
Ｔｉ膜をエッチングして所定幅のＴｉパターン２のみを
残すようにする。
ばＬＮの基板１上に所定幅のＴｉパターン２を形成す
る。所定幅のＴｉパターン２を形成するには、基板１上
にスパッタ法によってＴｉ膜を形成した後、レジストを
塗布してＴｉパターン２を形成する位置を残すようにパ
ターニングする。その後、このレジストをマスクとして
Ｔｉ膜をエッチングして所定幅のＴｉパターン２のみを
残すようにする。
【００２３】あるいは、基板１上にレジストを塗布して
Ｔｉパターン２を形成する位置を除去するパターニング
を行い、このレジストをマスクとしてスパッタ法によっ
てＴｉ膜を形成する。その後、レジストを除去して所定
幅のＴｉパターン２を形成するようにしてもよい（リフ
トオフ法）。
Ｔｉパターン２を形成する位置を除去するパターニング
を行い、このレジストをマスクとしてスパッタ法によっ
てＴｉ膜を形成する。その後、レジストを除去して所定
幅のＴｉパターン２を形成するようにしてもよい（リフ
トオフ法）。
【００２４】次に、図１（ｂ）に示すように、熱拡散炉
を用いてＴｉパターン２（図１（ａ）参照）の熱拡散
（例えば、１０００℃、８時間）を行い、基板１に図示
するような断面視半円形状の光導波路２０を形成する。
を用いてＴｉパターン２（図１（ａ）参照）の熱拡散
（例えば、１０００℃、８時間）を行い、基板１に図示
するような断面視半円形状の光導波路２０を形成する。
【００２５】次いで、図１（ｃ）に示すように、光導波
路２０上にマスク３を形成した後、図２（ａ）に示すよ
うに、Ｃ2 Ｆ6 −Ａｒ等のガスを用い、エッチング（Ｅ
ＣＲ（Electron Cyclotron Resonance）、ＲＩＥ（Reac
tive Ion Etching）、プラズマエッチング等）を行って
リッジ構造を形成する。
路２０上にマスク３を形成した後、図２（ａ）に示すよ
うに、Ｃ2 Ｆ6 −Ａｒ等のガスを用い、エッチング（Ｅ
ＣＲ（Electron Cyclotron Resonance）、ＲＩＥ（Reac
tive Ion Etching）、プラズマエッチング等）を行って
リッジ構造を形成する。
【００２６】その後、マスク３をフッ化水素酸等で除去
した後、図２（ｂ）に示すように、リッジ構造となった
基板１の表面に、その基板１と同じ組成を備え基板１よ
りもわずかに屈折率の異なる例えばリチウムタンタルナ
イオベイト（以下、「ＬＮＴ」と言う。）を液相エピタ
キシャル成長させてバッファ層４を形成する。
した後、図２（ｂ）に示すように、リッジ構造となった
基板１の表面に、その基板１と同じ組成を備え基板１よ
りもわずかに屈折率の異なる例えばリチウムタンタルナ
イオベイト（以下、「ＬＮＴ」と言う。）を液相エピタ
キシャル成長させてバッファ層４を形成する。
【００２７】液相エピタキシャル成長の原料としては、
例えば、Ｌｉ2 ＣＯ3 とＴａ2 ＣＯ 3 とＮｂ2 Ｏ5 とを
用いた溶液を溶解して１０００℃で１１秒エピタキシャ
ル成長させ、約２０μｍ厚のＬＮＴから成るバッファ層
４を形成する。
例えば、Ｌｉ2 ＣＯ3 とＴａ2 ＣＯ 3 とＮｂ2 Ｏ5 とを
用いた溶液を溶解して１０００℃で１１秒エピタキシャ
ル成長させ、約２０μｍ厚のＬＮＴから成るバッファ層
４を形成する。
【００２８】ＬＮＴとしては、例えばＬｉＮｂx Ｔａ
1-x Ｏ3 …（０≦ｘ＜１）の組成から成るものや、Ｌｉ
（Ｎｂx Ｔａ1-x ）3 Ｏ8 …（０≦ｘ＜１）の組成から
成るもの、Ｌｉ3 Ｎｂx Ｔａ1-x Ｏ4 …（０≦ｘ＜１）
の組成から成るものがある。
1-x Ｏ3 …（０≦ｘ＜１）の組成から成るものや、Ｌｉ
（Ｎｂx Ｔａ1-x ）3 Ｏ8 …（０≦ｘ＜１）の組成から
成るもの、Ｌｉ3 Ｎｂx Ｔａ1-x Ｏ4 …（０≦ｘ＜１）
の組成から成るものがある。
【００２９】また、ＬｉＮｂx Ｔａ1-x Ｏ3 ＝Ａ…（０
≦ｘ＜１）、Ｌｉ（Ｎｂy Ｔａ1-y）3 Ｏ8 ＝Ｂ…（０
＜ｙ≦１）、Ｌｉ3 Ｎｂz Ｔａ1-z Ｏ4 ＝Ｃ…（０≦ｚ
＜１）とした場合、Ａa Ｂb Ｃc …（ａ＋ｂ＋ｃ＝１）
で表されるものもある。
≦ｘ＜１）、Ｌｉ（Ｎｂy Ｔａ1-y）3 Ｏ8 ＝Ｂ…（０
＜ｙ≦１）、Ｌｉ3 Ｎｂz Ｔａ1-z Ｏ4 ＝Ｃ…（０≦ｚ
＜１）とした場合、Ａa Ｂb Ｃc …（ａ＋ｂ＋ｃ＝１）
で表されるものもある。
【００３０】種々の組成のＬＮＴを形成するには、液相
エピタキシャル成長において、Ｔａ 2 ＣＯ3 とＮｂ2 Ｏ
5 との混合比を変えることによって、上記ｘ、ｙ、ｚを
変えることができる。
エピタキシャル成長において、Ｔａ 2 ＣＯ3 とＮｂ2 Ｏ
5 との混合比を変えることによって、上記ｘ、ｙ、ｚを
変えることができる。
【００３１】ここで、ＬｉＮｂx Ｔａ1-x Ｏ3 の組成か
ら成るＬＮＴにおいてｘ＝０．３の場合（例１）、０≦
ｘ＜１の場合（例２）、およびクラッド層としてＳｉＯ
2 を用いた場合（例３）、クラッド層なし（空気）の場
合（例４）の各々の特性を説明する。
ら成るＬＮＴにおいてｘ＝０．３の場合（例１）、０≦
ｘ＜１の場合（例２）、およびクラッド層としてＳｉＯ
2 を用いた場合（例３）、クラッド層なし（空気）の場
合（例４）の各々の特性を説明する。
【００３２】（例１）すなわちＬＮＴでｘ＝０．３のク
ラッド層４を用いた場合には、その屈折率ｎが２．２５
３となる。また（例２）すなわち０＜ｘ≦１のクラッド
層４を用いた場合には、その屈折率ｎが２．２８６＞ｎ
≧２．１７６となる。
ラッド層４を用いた場合には、その屈折率ｎが２．２５
３となる。また（例２）すなわち０＜ｘ≦１のクラッド
層４を用いた場合には、その屈折率ｎが２．２８６＞ｎ
≧２．１７６となる。
【００３３】一方、（例３）すなわちクラッド層として
ＳｉＯ2 を用いた場合には、その屈折率は１．４５７と
なる。また、（例４）すなわちクラッド層なし（空気）
の場合は屈折率が１．０となる。
ＳｉＯ2 を用いた場合には、その屈折率は１．４５７と
なる。また、（例４）すなわちクラッド層なし（空気）
の場合は屈折率が１．０となる。
【００３４】各クラッド層での屈折率変化による散乱ロ
スの依存を考えると、リッジ構造の光導波路２０が形成
された時点（クラッド層４が形成される前）では、上記
（１）式において、β、σ、ｋ0 、ｈ、Ｅs 2 ／∫Ｅ2
は（例１）および（例２）において一定の値をとる。
スの依存を考えると、リッジ構造の光導波路２０が形成
された時点（クラッド層４が形成される前）では、上記
（１）式において、β、σ、ｋ0 、ｈ、Ｅs 2 ／∫Ｅ2
は（例１）および（例２）において一定の値をとる。
【００３５】そこで、Ｄを以下の（２）式のようにおく
と、上記（１）式は（３）式のようにΔｎだけの関数と
なる。
と、上記（１）式は（３）式のようにΔｎだけの関数と
なる。
【００３６】
【数２】
【００３７】
【数３】
【００３８】なお、（３）式でαは散乱ロスを示してい
る。
る。
【００３９】ここで、使用するＬＮから成る基板１の屈
折率を２．２８６として（３）式により散乱ロスαを計
算すると以下の表１のようになる。ただし、散乱ロスは
（例１）の場合を１として規格化してある。
折率を２．２８６として（３）式により散乱ロスαを計
算すると以下の表１のようになる。ただし、散乱ロスは
（例１）の場合を１として規格化してある。
【００４０】
【表１】
【００４１】このように、光導波路の形状から求められ
る伝搬定数や、側壁の荒れが同一の場合、導波層とクラ
ッド層との屈折率差を小さくするほど散乱ロスαを小さ
くすることができることが分かる。
る伝搬定数や、側壁の荒れが同一の場合、導波層とクラ
ッド層との屈折率差を小さくするほど散乱ロスαを小さ
くすることができることが分かる。
【００４２】なお、上記実施形態では、基板１としてＬ
Ｎを用いる例を説明したが、ＬＮ以外でも電気光学効果
を有するＬｉＴａＯ3 、ＫＮｂＯ3 、ＢａＴｉＯ3 や、
これらの他の組成のものなどであってもよい。また、バ
ッファ層４も、基板１と同種の組成でわずかに屈折率の
異なるものであれば上記の例以外であってもよい。
Ｎを用いる例を説明したが、ＬＮ以外でも電気光学効果
を有するＬｉＴａＯ3 、ＫＮｂＯ3 、ＢａＴｉＯ3 や、
これらの他の組成のものなどであってもよい。また、バ
ッファ層４も、基板１と同種の組成でわずかに屈折率の
異なるものであれば上記の例以外であってもよい。
【００４３】さらに、バッファ層４を形成する方法とし
て液相エピタキシャル法を用いたが、本発明はこれに限
定されない。また、上記実施形態で示した数値条件は一
例であり、これに限定されるものではない。
て液相エピタキシャル法を用いたが、本発明はこれに限
定されない。また、上記実施形態で示した数値条件は一
例であり、これに限定されるものではない。
【００４４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の光学素子
の製造方法によれば次のような効果がある。すなわち、
リッジ構造から成る光導波路を形成した後、そのリッジ
構造となった基板の表面に、基板と同種の組成でわずか
に屈折率の異なるバッファ層を形成することで、光導波
路とバッファ層との屈折率差を小さくすることができ、
光散乱を抑制して伝搬ロスの少ない良好な光学素子を製
造することが可能となる。
の製造方法によれば次のような効果がある。すなわち、
リッジ構造から成る光導波路を形成した後、そのリッジ
構造となった基板の表面に、基板と同種の組成でわずか
に屈折率の異なるバッファ層を形成することで、光導波
路とバッファ層との屈折率差を小さくすることができ、
光散乱を抑制して伝搬ロスの少ない良好な光学素子を製
造することが可能となる。
【図１】本実施形態における光学素子の製造方法を順に
説明する断面図（その１）である。
説明する断面図（その１）である。
【図２】本実施形態における光学素子の製造方法を順に
説明する断面図（その２）である。
説明する断面図（その２）である。
１ 基板 ２ Ｔｉパターン ３ マスク ４ バッファ層 ２０ 光導波路
Claims (5)
- 【請求項１】 電気光学効果を有する基板に光導波路を
形成する工程と、 前記基板における前記光導波路の周囲をエッチングして
リッジ構造を形成する工程と、 前記リッジ構造となった基板の表面に、その基板と同種
の組成でわずかに屈折率の異なるバッファ層を形成する
工程とを備えていることを特徴とする光学素子の製造方
法。 - 【請求項２】 前記基板がリチウムナイオベイトから成
る場合において、 前記バッファ層は、 ＬｉＮｂx Ｔａ1-x Ｏ3 …（０≦ｘ＜１）の組成から成
ることを特徴とする請求項１記載の光学素子の製造方
法。 - 【請求項３】 前記基板がリチウムナイオベイトから成
る場合において、 前記バッファ層は、 Ｌｉ（Ｎｂx Ｔａ1-x ）3 Ｏ8 …（０≦ｘ＜１）の組成
から成ることを特徴とする請求項１記載の光学素子の製
造方法。 - 【請求項４】 前記基板がリチウムナイオベイトから成
る場合において、 前記バッファ層は、 Ｌｉ3 Ｎｂx Ｔａ1-x Ｏ4 …（０≦ｘ＜１）の組成から
成ることを特徴とする請求項１記載の光学素子の製造方
法。 - 【請求項５】 前記基板がリチウムナイオベイトから成
る場合において、 前記バッファ層を ＬｉＮｂx Ｔａ1-x Ｏ3 ＝Ａ…（０≦ｘ＜１） Ｌｉ（Ｎｂy Ｔａ1-y ）3 Ｏ8 ＝Ｂ…（０＜ｙ≦１） Ｌｉ3 Ｎｂz Ｔａ1-z Ｏ4 ＝Ｃ…（０≦ｚ＜１） とした場合、 Ａa Ｂb Ｃc …（ａ＋ｂ＋ｃ＝１）で表されることを特
徴とする請求項１記載の光学素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9165473A JPH1114849A (ja) | 1997-06-23 | 1997-06-23 | 光学素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9165473A JPH1114849A (ja) | 1997-06-23 | 1997-06-23 | 光学素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1114849A true JPH1114849A (ja) | 1999-01-22 |
Family
ID=15813085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9165473A Pending JPH1114849A (ja) | 1997-06-23 | 1997-06-23 | 光学素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1114849A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7177490B2 (en) | 2003-03-20 | 2007-02-13 | Fujitsu Limited | Optical waveguide, optical device, and method of manufacturing optical waveguide |
| JP2007094440A (ja) * | 2007-01-11 | 2007-04-12 | Fujitsu Ltd | 光導波路、光デバイスおよび光導波路の製造方法 |
-
1997
- 1997-06-23 JP JP9165473A patent/JPH1114849A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7177490B2 (en) | 2003-03-20 | 2007-02-13 | Fujitsu Limited | Optical waveguide, optical device, and method of manufacturing optical waveguide |
| JP2007094440A (ja) * | 2007-01-11 | 2007-04-12 | Fujitsu Ltd | 光導波路、光デバイスおよび光導波路の製造方法 |
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