JPH11148909A - 電気化学的腐食電位センサ - Google Patents
電気化学的腐食電位センサInfo
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- JPH11148909A JPH11148909A JP10250605A JP25060598A JPH11148909A JP H11148909 A JPH11148909 A JP H11148909A JP 10250605 A JP10250605 A JP 10250605A JP 25060598 A JP25060598 A JP 25060598A JP H11148909 A JPH11148909 A JP H11148909A
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Abstract
する。 【解決手段】 センサ(10)は、導体(18)に対し
て電気的に接合されたセンサ・チップ、前記導体の周囲
において前記チップ(16)に接合された管状のセラミ
ック絶縁体(20)、前記導体の周囲において前記セラ
ミック絶縁体に接合され、かつ前記セラミック絶縁体に
よって前記チップから電気的に絶縁された管状のスリー
ブ(22)、軸方向に沿って前記チップと前記スリーブ
とを隔離する前記セラミック絶縁体の露出面(20
a)、並びに原子炉(14)内において循環水(12)
により前記セラミック絶縁体が溶解されるのを防止する
ため、前記露出面と前記チップ及び前記スリーブの隣接
部分とに結合されたセラミック被膜(30)を含む。好
ましくは、セラミック絶縁体はサファイヤから成り、セ
ラミック被膜はイットリア安定化ジルコニア又はマグネ
シア安定化ジルコニアから成る。
Description
更に詳しく言えば、その中で使用される電気化学的腐食
電位センサに関する。
発生させるための原子炉が含まれている。その蒸気を蒸
気タービンに導いてエネルギーを抽出し、それを用いて
発電機を作動することによって電力が生み出される。か
かる原子炉は、通例、水を加熱するための原子炉圧力容
器の内部に適当な核燃料を配置して成る沸騰水型原子炉
の形態を有している。
る各種の部品及び配管を通して輸送される。なお、原子
炉圧力容器の内部に直接に配置される各種の部品に対し
ては、その他の材料(たとえば、アロイ182溶接金属
及びアロイ600)が使用される。これらの材料は、材
料の化学的性質、感受性の程度、引張応力の存在、及び
炉水の化学的性質に応じて粒間応力腐食割れを受け易い
ことが判明している。これらの危険因子のいずれか1つ
以上を制御することにより、材料が粒間応力腐食割れを
受ける傾向を制御することが可能である。
食電位と呼ばれる単一の危険パラメータを制御すること
によっても粒間応力腐食割れを抑制又は低減し得ること
が従来知られていた。それ故、原子炉の出力運転中に対
象となる材料の電気化学的腐食電位を測定するため、過
去10年間にわたって多大の努力が払われてきた。しか
し、原子炉回路中における材料の位置に応じて変化する
ため、これは容易な仕事ではなかった。
外の領域に暴露される同じ材料よりも照射促進応力腐食
割れに対する感受性が大きい傾向がある。その理由は、
直接の照射促進応力腐食割れの効果に加えて、炉心領域
内の材料が通常水化学条件下でγ線及び中性子線の両者
による水の放射線分解によって生成される高度の酸化性
化学種に暴露されることにある。酸化性化学種は材料の
電気化学的腐食電位を上昇させ、それはまた材料が粒間
応力腐食割れ又は照射促進応力腐食割れを受ける傾向を
増大させる。
は酸化性化学種を抑制することが望ましいのである。材
料に接触する酸化性化学種を抑制するための有効な方法
は、原子炉回路内において酸化性化学種と水素との再結
合が起こるように給水系を通して炉水中に水素を注入す
ることである。その結果として原子炉内に存在する酸化
性化学種の濃度が全体的に低下するのであって、酸化性
化学種の濃度が極めて低いレベルに抑制されれば材料の
粒間応力腐食割れは低減されることになる。
れてきたのであって、これは沸騰水型原子炉における材
料の粒間応力腐食割れを低減させるために広く実施され
ている。水素水化学技術を沸騰水型原子炉において実施
した場合、ステンレス鋼材料の電気化学的腐食電位は通
常水化学条件下において一般に0.050〜0.200
V(SHE)の範囲内にある正の値から−0.230V
(SHE)未満の値にまで低下する。なお、SHEは標
準水素電極電位を表わしている。電気化学的腐食電位が
このような負の値より低くなれば、ステンレス鋼の粒間
応力腐食割れが低減されると共に粒間応力腐食割れの発
生が防止されることを示す多くの証拠が存在する。
定するために使用し得る参照電極として役立つ信頼可能
な電気化学的腐食電位センサを開発するため、過去10
年間にわたって多大の努力が払われてきた。かかるセン
サは1ダースを越える世界中の沸騰水型原子炉において
使用されて多大の成功を収めた。その結果、原子炉内面
及び配管の電気化学的腐食電位を所望の負の値よりも低
くするために必要な最小の給水水素注入速度を決定する
ことが可能となった。
命を有するものである。実際、一部のものは僅か3ヵ月
の使用後に故障したのであって、約6〜9カ月間にわた
って正常に動作し続けたものは少数に過ぎなかった。ま
た、アメリカ合衆国内の沸騰水型原子炉において1燃料
サイクル(たとえば18カ月)の期間にわたって正常に
動作し続けたセンサはただ1個であった。
に関する最近の経験によれば、2種の主たる故障モード
の存在が証明された。第1の故障モードはセンサ・チッ
プに使用されるセラミック−金属間ろう付け継手におけ
る亀裂及び腐食性攻撃であり、また第2の故障モードは
白金又はステンレス鋼型のセンサにおいて金属導体ケー
ブルからセンサ・チップを電気的に隔離するために使用
されるサファイア絶縁材料の溶解である。
面の電気化学的腐食電位を直接に監視するため炉心領域
内に直接に取付けられることもあれば、あるいは炉心外
の表面の電気化学的腐食電位を監視するため炉心の外側
に取付けられることもある。とは言え、88°Cを十分
に越える高い水温、数m/sまで若しくはそれを越える
比較的大きい水の流速、及び炉心領域内の高レベル核放
射線を考慮すれば、電気化学的腐食電位センサは厳しい
運転環境に暴露されるのが通例である。このことがセン
サの設計を面倒にする。なぜなら、上記のごとき攻撃的
な環境に適した材料が要求されるばかりでなく、適度の
有効寿命にわたって水密のアセンブリが得られるように
それらを適当に構成しなければならないからである。
的腐食電位センサの使用経験は、典型的な燃料サイクル
の満了前に早期故障をもたらすそれの欠点を明らかにし
た。従って、1回以上の燃料サイクルに相当する寿命と
いう目標を達成するため、有効寿命を向上させるように
電気化学的腐食電位センサの設計を改良することが望ま
れるのである。
導体に対して電気的に接合されたセンサ・チップ、及び
導体の周囲においてチップに接合されたセラミック絶縁
体を含んでいる。また、スリーブが導体の周囲において
セラミック絶縁体に接合され、かつセラミック絶縁体に
よってチップから電気的に絶縁されている。セラミック
絶縁体は軸方向に沿ってチップとスリーブとを隔離する
露出面を有しており、かつ炉水によるセラミック絶縁体
の溶解を防止するためのセラミック被膜がそれらに結合
されている。好適な実施の態様においては、セラミック
絶縁体がサファイヤから成り、かつセラミック被膜がセ
ラミック絶縁体上にプラズマ溶射し得るイットリア安定
化ジルコニア又はマグネシア安定化ジルコニアから成
る。
加の目的及び利点は、添付の図面を参照しながら以下の
詳細な説明中に一層詳しく記載される。
の沸騰水型原子炉14の圧力容器の内部に位置する循環
水12中における原子炉表面の電気化学的腐食電位を測
定するように構成されたセンサ10が模式的に示されて
いる。かかるセンサ10は、中心導体18に対して適当
な手段で電気的に接合されたセンサ・チップ16を含ん
でいる。このセンサ・チップ16は、適当な貴金属(た
とえば白金)又はステンレス鋼から形成されると共に、
円筒形のプラグ又は管状のカップのごとき任意適宜の形
状を有し得るものである。
ク絶縁体20の一端がチップ16に対して適宜に接合さ
れている。やはり導体18の周囲において、管状の移行
スリーブ22がセラミック絶縁体20の他端に対して適
宜に接合され、かつセラミック絶縁体20によってチッ
プ16から電気的に絶縁されている。図1に示された実
施の態様においては、移行スリーブ22は適当な長さの
第1の部分22aを含むと共に、第1の部分22aに対
して適宜に接合されかつセラミック絶縁体20を直接に
取付けた第2の部分22bを含んでいる。第1の部分2
2aは第2の部分22bに溶接されたステンレス鋼製の
部材であればよく、また第2の部分22bはコバール(K
ovar) のごとき通常の材料、鉄−ニッケル−コバルト材
料、又は沸騰水型原子炉での使用に際してコバルトの照
射を排除するためにコバルトを含有しない鉄−ニッケル
材料でありかつアロイ42としても知られるインバー(I
nvar) から成っている。なお、セラミック絶縁体20は
サファイアから成ることが好ましい。
ーブル24に接合されていて、それによりセンサ・チッ
プ16は電気化学的腐食電位をボルト単位で測定するた
めの通常の装置又はディジタル電圧計26に対して電気
的に接続されている。かかるケーブル24は、通例、チ
ップ導体18にスポット溶接された(たとえばステンレ
ス鋼製の)心線24aと、たとえば適当な無機酸化物セ
ラミックから成る電気絶縁性の外装24bとを含んでい
る。
複数の適当な電気化学的腐食電位センサが使用される。
かかるセンサは沸騰水型原子炉14内に適宜に取付けら
れるのであって、たとえば、炉心を通って循環する水1
2中における炉心内面の電気化学的腐食電位を監視する
ために圧力容器の壁を貫通して取付けられることがあ
る。それ故、センサ10は100°Cを越える高い水温
及び1m/sを越えることのある実質的に大きい水の流
速を有する高レベルの核放射線環境に暴露されることに
なる。
部への水12の侵入を防止するため、適宜に封止されて
いなければならない。たとえば、セラミック絶縁体20
は対応する第1及び第2のセラミック−金属間ろう付け
継手28a及び28bの位置においてチップ16及びス
リーブ22に接合されるのが通例である。継手28a及
び28bは、高温(たとえば約940°C)で実施され
る通常のろう付け操作によって生み出される。セラミッ
ク絶縁体20とチップ16及びスリーブ22との間に望
ましくない亀裂が生じる可能性を低減させるため、それ
らの材料は適当な熱膨張率を有するものである。すなわ
ち、ろう付け操作時における熱的な膨張及び収縮の差を
低減させるため、それらの材料はセラミック絶縁体20
の熱膨張率と概して同等な熱膨張率を有するものであ
る。スリーブ22についてはコバール又はアロイ42が
このような利益をもたらし、またチップ16については
白金が通例使用される。
チップ16及びスリーブ22の内部にまで延びている。
その際、中央の環状露出面20aがチップ16及びスリ
ーブ22を軸方向に沿って隔離している。上記の電気化
学的腐食電位センサ10は、構成及び動作の点では従来
通りのものであって、それを取付けた沸騰水型原子炉1
4の内部において電気化学的腐食電位を測定するために
適したセンサを得るために必要ならばその他各種の構成
部品を含むことができる。
通り、サファイア絶縁体20は高レベル放射線、高温
水、及びそれの比較的大きい流速を含む攻撃的環境に暴
露される。経験によれば、センサ10の基本的な故障モ
ードはサファイア絶縁体20の急速な溶解の結果として
時間の経過と共にそれが侵食されるためであることが判
明している。本発明に従えば、センサ10はそれの有効
寿命を向上させると共に、サファイア絶縁体20を溶解
から保護するように改良されている。
2によるサファイア絶縁体20の溶解を防止するため、
適当なセラミック被膜30が露出面20aに結合されて
いると共に、チップ16及びスリーブ22の隣接部分を
覆っている。被膜30はまた、第1及び第2のろう付け
継手28a及び28bをも覆い、それによってそれらの
継手を保護すると共にそれらの位置に追加のシールを生
み出すことが好ましい。かかる追加の電気絶縁性セラミ
ック被膜30は、本来ならば露出しているサファイア絶
縁体20上に有効な遮断層を生み出す。好適な実施の態
様に従えば、高レベル放射線環境中において高い温度及
び高速の水に耐え得るという点から見て、被膜30はイ
ットリア安定化ジルコニア又はマグネシア安定化ジルコ
ニアから形成される。
について述べれば、厚さ7ミル(0.178mm)のイ
ットリア安定化ジルコニア被膜30がサファイア絶縁体
20並びに第1及び第2のろう付け継手28a及び28
b上に形成された。かかる被膜30は、チップ16及び
スリーブ22の隣接部分をも覆うように溶射された。先
ず最初に、図1中に略示されている通り、通常のグリッ
トブラスト装置32を用いて露出したサファイア表面及
び隣接する金属表面にグリットブラストを施し、それに
よりプラズマ溶射に先立ってそれらの表面を適度に粗面
化した。次いで、通常のプラズマ溶射装置34を用いて
粗面化された表面上にセラミック被膜30をプラズマ溶
射し、それによってかかる表面に被膜30を結合した。
サファイア絶縁体20上のイットリア安定化ジルコニア
被膜30の断面形態を目視によって検査したところ、両
者が直接に結合していることが判明した。
安定化ジルコニア被覆センサ10を、約288°Cの水
環境中において試験した。その際には、通常水化学条件
(200ppbのO2 )及び水素水化学条件(150p
pbのH2 )を数cm/sの小さい流速の下で約4ヵ月
にわたり循環させ、また約1.5m/sの大きい流速の
下で約2ヵ月にわたり循環させることにより、各種の水
化学条件を使用した。イットリア安定化ジルコニア被膜
を2週間毎に検査したが、試験期間中、それの減量、顕
著な劣化、及び(288°Cで60KΩを越える)イン
ピーダンス変化は認められなかった。従って、かかるイ
ットリア安定化ジルコニア被覆センサ10は高速の水に
対して改善された抵抗性を示し、それによりサファイア
絶縁体20を溶解から保護するために役立つことが判明
した。
ば、被膜30のプラズマ溶射は継手28a及び28bを
ろう付けするための温度より適度に低い温度下で実施さ
れ、それによって継手の損傷が防止される。典型的なろ
う付け温度は約940°Cであるのに対し、適当なプラ
ズマ溶射温度は約600°Cであればよい。センサ10
上におけるイットリア安定化ジルコニア被膜30の結合
力を改善するためには、別の実施の態様に基づくセンサ
10Aに関連して図2に示されるごとく、適度の粗面を
有する定着用被膜36を最初に付着させればよい。かか
る定着用被膜36は任意適宜の厚さ〔たとえば、5〜1
0ミル(0.127〜0.254mm)の厚さ〕を有し
得ると共に、やはりプラズマ溶射装置であり得る任意適
宜の被覆装置38によって形成することができる。典型
的な定着用被膜は、導電性合金(たとえば、ニッケル−
クロム−鉄−アルミニウム合金であるニッケル211)
から成るものである。
る際には、チップ16とスリーブ22との間の電気伝導
を防止するように注意しなければならない。そのために
は、図2に示されるごとく、定着用被膜36の形成に先
立ってセラミック絶縁体20の露出面20aの中間部分
に適当なマスクを使用することにより、かかる部分を電
気絶縁状態に維持すればよい。その後、定着用被膜36
上及びセラミック絶縁体20の中間部分上(すなわち、
露出面20aの直上)にセラミック被膜30を適宜に形
成すればよい。
のろう付け継手28a及び28bを挟んでセラミック絶
縁体20の露出面20aの両端部並びにチップ16及び
スリーブ22の隣接部分を含む特定の表面に結合されて
いる。それ故にセラミック被膜30は、セラミック絶縁
体20の露出面20aの中間部分に対して直接に結合し
ていると共に、そこから軸方向に沿って定着用被膜36
に結合してチップ16とスリーブ22との間の電気絶縁
を維持するために役立っているのである。
をプラズマ溶射することにより、約97%という比較的
高い密度のセラミック被膜30を得ることができる。本
発明の目的にとっては、イットリア安定化ジルコニア被
膜中に多少の微小亀裂が存在しても差し支えはない。な
ぜなら、最外層のイットリア安定化ジルコニア被膜はそ
れでも流れによって誘起されるサファイアの溶解速度を
実質的に低下させるからである。
のイットリア安定化ジルコニア被覆センサ10及び10
Aは、高レベル放射線環境中においてセラミック絶縁体
20が高温かつ流動状態の炉水によって溶解されるのを
防止することができる。その結果、従来の構成に比較的
簡単な変更を加えるだけでセンサの有効寿命をそれに対
応して延ばすことができるのである。
を記載したが、上記の説明に基づけば当業者にはその他
の様々な変更態様も自ずから明らかとなるはずである。
それ故、本発明の精神及び範囲から逸脱しない限り、か
かる変更態様の全てが前記特許請求の範囲中に包括され
るものと理解すべきである。
ミック被膜を有する、本発明の実施の一態様に基づく電
気化学的腐食電位センサの略図である。
された追加の定着用被膜を含む、本発明の別の実施の態
様に基づく電気化学的腐食電位センサのチップ部分の略
図である。
Claims (4)
- 【請求項1】 導体(18)に対して電気的に接合され
たセンサ・チップ、前記導体(18)の周囲において前
記チップ(16)に接合された管状のセラミック絶縁体
(20)、前記導体(18)の周囲において前記セラミ
ック絶縁体(20)に接合され、かつ前記セラミック絶
縁体(20)によって前記チップ(16)から電気的に
絶縁された管状のスリーブ(22)、軸方向に沿って前
記チップ(16)と前記スリーブ(22)とを隔離する
前記セラミック絶縁体(20)の露出面(20a)、並
びに原子炉(14)内において循環水(12)により前
記セラミック絶縁体(20)が溶解されるのを防止する
ため、前記露出面(20a)と前記チップ(16)及び
前記スリーブ(22)の隣接部分とに結合されたセラミ
ック被膜(30)を含むことを特徴とする、原子炉(1
4)内において電気化学的腐食電位を測定するためのセ
ンサ(10)。 - 【請求項2】 前記チップ(16)が貴金属から成り、
前記スリーブ(22)が金属から成り、前記セラミック
絶縁体(20)が対応するセラミック−金属ろう付け継
手(28a、28b)の位置で前記チップ(16)及び
前記スリーブ(22)に接合されており、かつ前記被膜
が前記ろう付け継手(28a、28b)を覆うように広
がっている請求項1記載のセンサ。 - 【請求項3】 請求項1記載のセンサ(10)の製造方
法において、原子炉(14)内におけるそれの寿命を向
上させるため、前記露出面(20a)と前記チップ(1
6)及び前記スリーブ(22)の隣接表面部分とを粗面
化する工程、並びにこうして粗面化された表面に沿って
前記セラミック被膜(30)をプラズマ溶射することに
よって前記セラミック被膜(30)をそれに結合する工
程を含むことを特徴する方法。 - 【請求項4】 先ず最初に前記ろう付け継手(28a、
28b)を横切って前記セラミック絶縁体(20)、前
記チップ(16)及び前記スリーブ(22)上に定着用
被膜(36)を付着させる工程、並びにそれに続いて前
記定着用被膜(36)上に前記セラミック被膜(30)
をプラズマ溶射する工程を含む請求項3記載の方法。
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