JPH11149094A - アクティブマトリクス基板の製造方法 - Google Patents
アクティブマトリクス基板の製造方法Info
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- JPH11149094A JPH11149094A JP9317249A JP31724997A JPH11149094A JP H11149094 A JPH11149094 A JP H11149094A JP 9317249 A JP9317249 A JP 9317249A JP 31724997 A JP31724997 A JP 31724997A JP H11149094 A JPH11149094 A JP H11149094A
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- JP
- Japan
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- thin film
- substrate
- laser beam
- optical window
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 線状のレーザービームで溶融結晶化した多結
晶Ｓｉ薄膜を用いて能動素子を形成するアクティブマト
リクス基板の製造方法において、レーザービーム照射時
に光学窓に発生する不均一な汚れに起因する能動素子の
特性のばらつきを抑え、表示品位を高く維持する。 【解決手段】 基板の表示に用いない(画面と駆動回路
に使わない)部分２０にダミーのＳｉ薄膜２１を設け、
線状のレーザービームを照射したとき光学窓が略均一に
汚れるように、ダミーのＳｉ薄膜２１の量(面積)を調整
する。
晶Ｓｉ薄膜を用いて能動素子を形成するアクティブマト
リクス基板の製造方法において、レーザービーム照射時
に光学窓に発生する不均一な汚れに起因する能動素子の
特性のばらつきを抑え、表示品位を高く維持する。 【解決手段】 基板の表示に用いない(画面と駆動回路
に使わない)部分２０にダミーのＳｉ薄膜２１を設け、
線状のレーザービームを照射したとき光学窓が略均一に
汚れるように、ダミーのＳｉ薄膜２１の量(面積)を調整
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、線状のレーザービ
ームで溶融結晶化した多結晶Ｓｉ薄膜を用いて能動素子
を作製するアクティブマトリクス基板の製造方法、特に
周辺駆動回路と画面部に多結晶Ｓｉ薄膜トランジスタを
用いた液晶表示装置用のアクティブマトリクス基板の製
造方法に関する。
ームで溶融結晶化した多結晶Ｓｉ薄膜を用いて能動素子
を作製するアクティブマトリクス基板の製造方法、特に
周辺駆動回路と画面部に多結晶Ｓｉ薄膜トランジスタを
用いた液晶表示装置用のアクティブマトリクス基板の製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は、周辺駆動回路と画面部に多結晶
Ｓｉ薄膜トランジスタを用いた液晶表示装置に用いるア
クティブマトリクス基板の従来の配置模式図で、トラン
ジスタ用のＳｉを島状に形成した状態を示している。通
常１枚の基板に複数個のアクティブマトリクス基板が形
成されることが多く、ここでは、基板１に９台分の液晶
表示装置用アクティブマトリクス基板２が配置されてい
る。１つのアクティブマトリクス基板には、画面部３と
周辺駆動回路部４ａ，４ｂがあり、それぞれの部分に薄
膜トランジスタに必要なＳｉ薄膜５が島状に形成されて
いる。
Ｓｉ薄膜トランジスタを用いた液晶表示装置に用いるア
クティブマトリクス基板の従来の配置模式図で、トラン
ジスタ用のＳｉを島状に形成した状態を示している。通
常１枚の基板に複数個のアクティブマトリクス基板が形
成されることが多く、ここでは、基板１に９台分の液晶
表示装置用アクティブマトリクス基板２が配置されてい
る。１つのアクティブマトリクス基板には、画面部３と
周辺駆動回路部４ａ，４ｂがあり、それぞれの部分に薄
膜トランジスタに必要なＳｉ薄膜５が島状に形成されて
いる。
【０００３】従来の線状のレーザービームで溶融結晶化
した多結晶Ｓｉ薄膜を能動素子として使用するアクティ
ブマトリクス基板の製造方法では、図３に示したように
島状に分離したＳｉ薄膜を配置する基板１に対して、図
４(ａ)に示したように、レーザービーム光源６から光学
窓７を通して線状のレーザービーム８を照射する。この
線状のレーザービーム８は、基板１面での照射エネルギ
ー分布が線状で、長軸方向においてほぼ均一である。さ
らに、レーザービーム８の長軸方向と角度を有する方向
にビーム照射位置を順次ずらせて(この場合レーザーは
固定し、レーザーの長軸と９０度をなす角度で基板１を
乗せたステージ９を少しずつ矢印方向にずらしている。
逆に基板を固定してレーザービーム側を移動してもよ
い)基板１上の島状に分離したＳｉ薄膜５を溶融結晶化
し、多結晶Ｓｉ薄膜１０に変化させる。
した多結晶Ｓｉ薄膜を能動素子として使用するアクティ
ブマトリクス基板の製造方法では、図３に示したように
島状に分離したＳｉ薄膜を配置する基板１に対して、図
４(ａ)に示したように、レーザービーム光源６から光学
窓７を通して線状のレーザービーム８を照射する。この
線状のレーザービーム８は、基板１面での照射エネルギ
ー分布が線状で、長軸方向においてほぼ均一である。さ
らに、レーザービーム８の長軸方向と角度を有する方向
にビーム照射位置を順次ずらせて(この場合レーザーは
固定し、レーザーの長軸と９０度をなす角度で基板１を
乗せたステージ９を少しずつ矢印方向にずらしている。
逆に基板を固定してレーザービーム側を移動してもよ
い)基板１上の島状に分離したＳｉ薄膜５を溶融結晶化
し、多結晶Ｓｉ薄膜１０に変化させる。
【０００４】この後、多結晶Ｓｉ薄膜１０から作成した
能動素子(たとえば薄膜トランジスタ)を用いてアクティ
ブマトリクス基板を製造する。このとき基板１をチャン
バー１１に入れて照射雰囲気を均一にする場合もある。
上記構成に関わる物(レーザー結晶化Ｓｉを用いたＬＣ
Ｄ)については、たとえば雑誌フラットパネルディスプ
レイ１９９４(日経ＢＰ社：１９９３発刊)１９０ページ
〜１９３ページで紹介されている。
能動素子(たとえば薄膜トランジスタ)を用いてアクティ
ブマトリクス基板を製造する。このとき基板１をチャン
バー１１に入れて照射雰囲気を均一にする場合もある。
上記構成に関わる物(レーザー結晶化Ｓｉを用いたＬＣ
Ｄ)については、たとえば雑誌フラットパネルディスプ
レイ１９９４(日経ＢＰ社：１９９３発刊)１９０ページ
〜１９３ページで紹介されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】多結晶Ｓｉの能動素子
を使用するアクティブマトリクス基板を表示装置に適用
する場合、表示均一性を確保するために、画面部分は当
然のことながら周辺駆動回路を構成する素子の特性にば
らつきが小さいことが要求される。とりわけ動画表示や
コンピュータのモニタ表示など精度が要求される表示を
行う場合は重要となる。
を使用するアクティブマトリクス基板を表示装置に適用
する場合、表示均一性を確保するために、画面部分は当
然のことながら周辺駆動回路を構成する素子の特性にば
らつきが小さいことが要求される。とりわけ動画表示や
コンピュータのモニタ表示など精度が要求される表示を
行う場合は重要となる。
【０００６】しかしながら、図３及び図４で示した従来
の線状のレーザービームで溶融結晶化した多結晶Ｓｉ薄
膜を能動素子(特に薄膜トランジスタ)として用いるアク
ティブマトリクス基板の製造方法では、複数枚の基板の
処理を実行するにつれて、光学窓８が基板１側からの照
射時の飛散物質１２で汚れてくる。これは、島状のＳｉ
エッジに残留する汚染物や、あるいはＳｉ自体が一部飛
散するためと考えられる。そして、その汚染度合いは島
状のＳｉ薄膜の分布に強く依存し、Ｓｉが密に配置され
た部分に照射する程多く被着する。たとえば図４(ｂ)、
ａ部が最も汚れ、次にｂ部，ｃ部の順で汚れる。そのた
め光学窓８が汚れていない場合は均一に溶融結晶化が行
われ、均一な特性で能動素子が得られていたのが、次第
に汚れにより基板へのエネルギー到達が少なくなり、溶
融結晶化の状態が窓の汚れに伴って場所によって変わっ
てしまい、結果として能動素子の均一な特性が得られな
くなる。
の線状のレーザービームで溶融結晶化した多結晶Ｓｉ薄
膜を能動素子(特に薄膜トランジスタ)として用いるアク
ティブマトリクス基板の製造方法では、複数枚の基板の
処理を実行するにつれて、光学窓８が基板１側からの照
射時の飛散物質１２で汚れてくる。これは、島状のＳｉ
エッジに残留する汚染物や、あるいはＳｉ自体が一部飛
散するためと考えられる。そして、その汚染度合いは島
状のＳｉ薄膜の分布に強く依存し、Ｓｉが密に配置され
た部分に照射する程多く被着する。たとえば図４(ｂ)、
ａ部が最も汚れ、次にｂ部，ｃ部の順で汚れる。そのた
め光学窓８が汚れていない場合は均一に溶融結晶化が行
われ、均一な特性で能動素子が得られていたのが、次第
に汚れにより基板へのエネルギー到達が少なくなり、溶
融結晶化の状態が窓の汚れに伴って場所によって変わっ
てしまい、結果として能動素子の均一な特性が得られな
くなる。
【０００７】つまり、平均的なエネルギーロスは光源か
らのエネルギーを上げれば改善することができるが、均
一な特性が得られないことが問題となる。光学窓８の、
特に周辺駆動回路部４ａに対応する部分が最も汚れる。
周辺駆動回路部４ａの駆動能力を確保しようとしてエネ
ルギーを上げると画面部分３にエネルギーが加わりすぎ
て画面部分の素子の信号保持性能の劣化などが生じやす
くなる。
らのエネルギーを上げれば改善することができるが、均
一な特性が得られないことが問題となる。光学窓８の、
特に周辺駆動回路部４ａに対応する部分が最も汚れる。
周辺駆動回路部４ａの駆動能力を確保しようとしてエネ
ルギーを上げると画面部分３にエネルギーが加わりすぎ
て画面部分の素子の信号保持性能の劣化などが生じやす
くなる。
【０００８】本発明は、上記光学窓の汚れに起因する能
動素子の特性ばらつきを抑え、表示品位を高く維持した
状態で生産を行うことができるアクティブマトリクス基
板の製造方法を提供することを目的とする。
動素子の特性ばらつきを抑え、表示品位を高く維持した
状態で生産を行うことができるアクティブマトリクス基
板の製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の第１の手段は、光学窓ができるだけ均一に
汚れるように基板側にダミーのＳｉ薄膜を配置すること
である。また、本発明の第２の手段は、光学窓に対して
複数枚の基板の位置を、基板ごとにずらしてレーザービ
ームを照射する。すなわち、光学窓の最も汚れる部分を
順次ずらすようにする。
に、本発明の第１の手段は、光学窓ができるだけ均一に
汚れるように基板側にダミーのＳｉ薄膜を配置すること
である。また、本発明の第２の手段は、光学窓に対して
複数枚の基板の位置を、基板ごとにずらしてレーザービ
ームを照射する。すなわち、光学窓の最も汚れる部分を
順次ずらすようにする。
【００１０】これにより、光学窓が略均一に汚れるた
め、光学窓の汚れに起因する能動素子の特性のばらつき
を抑えることが可能になる。
め、光学窓の汚れに起因する能動素子の特性のばらつき
を抑えることが可能になる。
【００１１】
【発明の実施の形態】そこで、本発明の請求項１に記載
の発明は、島状に分離したＳｉ薄膜を有する基板に対
し、光学窓を通して線状のレーザービームを照射し、か
つ前記レーザービームの長軸方向と角度を有する方向に
ビーム照射位置をずらすことにより前記基板上の前記島
状に分離したＳｉ薄膜を順次溶融結晶化して多結晶Ｓｉ
薄膜とし、前記多結晶Ｓｉ薄膜から作成した能動素子を
用いるアクティブマトリクス基板の製造方法において、
前記光学窓が略均一に汚染されるように、前記基板上の
表示には使用しない部分にダミーの島状のＳｉ薄膜を配
置することを特徴とするものである。
の発明は、島状に分離したＳｉ薄膜を有する基板に対
し、光学窓を通して線状のレーザービームを照射し、か
つ前記レーザービームの長軸方向と角度を有する方向に
ビーム照射位置をずらすことにより前記基板上の前記島
状に分離したＳｉ薄膜を順次溶融結晶化して多結晶Ｓｉ
薄膜とし、前記多結晶Ｓｉ薄膜から作成した能動素子を
用いるアクティブマトリクス基板の製造方法において、
前記光学窓が略均一に汚染されるように、前記基板上の
表示には使用しない部分にダミーの島状のＳｉ薄膜を配
置することを特徴とするものである。
【００１２】また、本発明の請求項２に記載の発明は、
島状に分離したＳｉ薄膜を有する基板に対し、光学窓を
通して線状のレーザービームを照射し、かつ前記レーザ
ービームの長軸方向と角度を有する方向にビーム照射位
置をずらすことにより前記基板上の前記島状に分離した
Ｓｉ薄膜を順次溶融結晶化して多結晶Ｓｉ薄膜とし、前
記多結晶Ｓｉ薄膜から作成した能動素子を用いるアクテ
ィブマトリクス基板の製造方法において、前記光学窓が
略均一に汚染されるように、複数枚の基板に対し前記光
学窓と前記基板の位置関係を基板毎にずらしてレーザー
ビームを照射することを特徴とするものである。
島状に分離したＳｉ薄膜を有する基板に対し、光学窓を
通して線状のレーザービームを照射し、かつ前記レーザ
ービームの長軸方向と角度を有する方向にビーム照射位
置をずらすことにより前記基板上の前記島状に分離した
Ｓｉ薄膜を順次溶融結晶化して多結晶Ｓｉ薄膜とし、前
記多結晶Ｓｉ薄膜から作成した能動素子を用いるアクテ
ィブマトリクス基板の製造方法において、前記光学窓が
略均一に汚染されるように、複数枚の基板に対し前記光
学窓と前記基板の位置関係を基板毎にずらしてレーザー
ビームを照射することを特徴とするものである。
【００１３】上記請求項１及び請求項２の発明のいずれ
においても、光学窓が従来より均一に汚れるため、アク
ティブマトリクス基板における能動素子の特性にばらつ
きが少なくなるという作用を有する。
においても、光学窓が従来より均一に汚れるため、アク
ティブマトリクス基板における能動素子の特性にばらつ
きが少なくなるという作用を有する。
【００１４】以下、本発明の実施の形態について、図面
を参照しながら詳細に説明する。 （実施の形態１）図１は、本発明の実施の形態１におけ
るアクティブマトリクス基板の製造方法を示したもの
で、１は基板で、アクティブマトリクス基板２を複数枚
配置している。３は画面部、４ａ，４ｂは周辺駆動回路
部、５は島状に分離したＳｉ薄膜である。また、２０は
基板の表示に使わない(画面と駆動回路に使わない)部
分、２１はダミーのＳｉ薄膜である。
を参照しながら詳細に説明する。 （実施の形態１）図１は、本発明の実施の形態１におけ
るアクティブマトリクス基板の製造方法を示したもの
で、１は基板で、アクティブマトリクス基板２を複数枚
配置している。３は画面部、４ａ，４ｂは周辺駆動回路
部、５は島状に分離したＳｉ薄膜である。また、２０は
基板の表示に使わない(画面と駆動回路に使わない)部
分、２１はダミーのＳｉ薄膜である。
【００１５】ダミーのＳｉ薄膜２１は、膜厚１０００Å
のプラズマＣＶＤによるアモルファスＳｉを４００℃で
アニールし、脱水素した薄膜をフォトエッチング工程で
パターン化したもので、薄膜トランジスタ用のＳｉ薄膜
５と同時に作成する。図４と同じ線状のレーザービーム
(ＸｅＣｌエキシマレーザー３００Ｈｚ発振２００Ｗを
線状にビーム形成したもの)を照射したとき、光学窓７
が均一に汚れるようにダミーのＳｉ薄膜２１の量(面積)
を調整している。このときチャンバー１１を用いてレー
ザー照射は真空中で行う。このレーザー照射によりＳｉ
を溶融結晶化し多結晶Ｓｉ薄膜に変化させる。
のプラズマＣＶＤによるアモルファスＳｉを４００℃で
アニールし、脱水素した薄膜をフォトエッチング工程で
パターン化したもので、薄膜トランジスタ用のＳｉ薄膜
５と同時に作成する。図４と同じ線状のレーザービーム
(ＸｅＣｌエキシマレーザー３００Ｈｚ発振２００Ｗを
線状にビーム形成したもの)を照射したとき、光学窓７
が均一に汚れるようにダミーのＳｉ薄膜２１の量(面積)
を調整している。このときチャンバー１１を用いてレー
ザー照射は真空中で行う。このレーザー照射によりＳｉ
を溶融結晶化し多結晶Ｓｉ薄膜に変化させる。
【００１６】この後ゲート絶縁膜及びゲート電極、イオ
ン注入及びアニール、層間絶縁及び電極形成、パッシベ
イションなどの工程を実施して多結晶Ｓｉ薄膜トランジ
スタを形作り、液晶表示用のアクティブマトリクス基板
を作成する。
ン注入及びアニール、層間絶縁及び電極形成、パッシベ
イションなどの工程を実施して多結晶Ｓｉ薄膜トランジ
スタを形作り、液晶表示用のアクティブマトリクス基板
を作成する。
【００１７】本実施の形態１により製造を行った場合、
光学窓７は略均一に汚染され、この光学窓の全体的な汚
れに対して光源のエネルギー調整を行うだけで、素子性
能のばらつきを抑えることができる。この方法は光学窓
のメンテナンス頻度を少なくして生産を続けることがで
きる。
光学窓７は略均一に汚染され、この光学窓の全体的な汚
れに対して光源のエネルギー調整を行うだけで、素子性
能のばらつきを抑えることができる。この方法は光学窓
のメンテナンス頻度を少なくして生産を続けることがで
きる。
【００１８】（実施の形態２）図２は、本発明の実施の
形態２におけるアクティブマトリクス基板の製造方法を
示したものである。基板１に対して線状のレーザービー
ム８を照射するが、このとき複数枚の基板処理に対して
基板毎の位置をレーザービーム８の長軸方向にｄずつず
らせて矢印３０の方向に移動させる。ｄの値は、光学窓
７が略均一に汚れるように調整している。
形態２におけるアクティブマトリクス基板の製造方法を
示したものである。基板１に対して線状のレーザービー
ム８を照射するが、このとき複数枚の基板処理に対して
基板毎の位置をレーザービーム８の長軸方向にｄずつず
らせて矢印３０の方向に移動させる。ｄの値は、光学窓
７が略均一に汚れるように調整している。
【００１９】具体的には、周辺駆動回路４ａの幅(図面
縦方向)程度ずつずらし、５箇所の位置関係でレーザー
照射を行っている。すなわち、最も光学窓が汚れる周辺
駆動回路４ａ部を照射する部分が光学窓７において５箇
所に分散される。このときチャンバーを用いてレーザー
照射は真空中で行う。このレーザー照射によりＳｉを溶
融結晶化し多結晶Ｓｉ薄膜に変化させる。
縦方向)程度ずつずらし、５箇所の位置関係でレーザー
照射を行っている。すなわち、最も光学窓が汚れる周辺
駆動回路４ａ部を照射する部分が光学窓７において５箇
所に分散される。このときチャンバーを用いてレーザー
照射は真空中で行う。このレーザー照射によりＳｉを溶
融結晶化し多結晶Ｓｉ薄膜に変化させる。
【００２０】この後ゲート絶縁膜及びゲート電極、イオ
ン注入及びアニール、層間絶縁及び電極形成、パッシベ
イションなどの工程を実施して多結晶Ｓｉ薄膜トランジ
スタを形作り、液晶表示用のアクティブマトリクス基板
を作成する。
ン注入及びアニール、層間絶縁及び電極形成、パッシベ
イションなどの工程を実施して多結晶Ｓｉ薄膜トランジ
スタを形作り、液晶表示用のアクティブマトリクス基板
を作成する。
【００２１】本実施の形態２による製造方法の場合、光
学窓のメンテナンス頻度を少なくでき、光学窓７の全体
的な汚れに対する光源のエネルギー調整を行うだけで、
素子性能のばらつきが抑えられた状態で生産を長く続け
ることができる。
学窓のメンテナンス頻度を少なくでき、光学窓７の全体
的な汚れに対する光源のエネルギー調整を行うだけで、
素子性能のばらつきが抑えられた状態で生産を長く続け
ることができる。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
光学窓の汚れの不均一性に伴う素子性能のばらつきが抑
えられ、光学窓の全体的な汚れに対する光源のエネルギ
ー調整を行うだけで、光学窓のメンテナンス頻度を少な
くして、均一な特性を有するアクティブマトリクス基板
の生産が可能となる。
光学窓の汚れの不均一性に伴う素子性能のばらつきが抑
えられ、光学窓の全体的な汚れに対する光源のエネルギ
ー調整を行うだけで、光学窓のメンテナンス頻度を少な
くして、均一な特性を有するアクティブマトリクス基板
の生産が可能となる。
【図１】本発明の実施の形態１におけるアクティブマト
リクス基板の製造方法を示す図
リクス基板の製造方法を示す図
【図２】本発明の実施の形態２におけるアクティブマト
リクス基板の製造方法を示す図
リクス基板の製造方法を示す図
【図３】従来のアクティブマトリクス基板のレイアウト
を示す図
を示す図
【図４】線状レーザービームの照射方法を示す図
【符号の説明】 １ 基板 ２ 液晶表示装置用のアクティブマトリクス基板(液晶
表示装置１台分） ３ 画面部 ４ａ，４ｂ 周辺駆動回路部 ５ 島状に分離したＳｉ薄膜 ６ レーザービーム光源 ７ 光学窓 ８ レーザービーム ９ ステージ １０ 多結晶Ｓｉ薄膜 １１ チャンバー １２ 基板側からの飛散物質 ２０ 表示に使わない部分 ２１ ダミーのＳｉ薄膜 ３０ 基板の移動方向
表示装置１台分） ３ 画面部 ４ａ，４ｂ 周辺駆動回路部 ５ 島状に分離したＳｉ薄膜 ６ レーザービーム光源 ７ 光学窓 ８ レーザービーム ９ ステージ １０ 多結晶Ｓｉ薄膜 １１ チャンバー １２ 基板側からの飛散物質 ２０ 表示に使わない部分 ２１ ダミーのＳｉ薄膜 ３０ 基板の移動方向
Claims (3)
- 【請求項１】 島状に分離したＳｉ薄膜を有する基板に
対し、光学窓を通して線状のレーザービームを照射し、
かつ前記レーザービームの長軸方向と角度を有する方向
にビーム照射位置をずらすことにより前記基板上の前記
島状に分離したＳｉ薄膜を順次溶融結晶化して多結晶Ｓ
ｉ薄膜とし、前記多結晶Ｓｉ薄膜から作成した能動素子
を用いるアクティブマトリクス基板の製造方法におい
て、前記光学窓が略均一に汚染されるように、前記基板
上の表示には使用しない部分にダミーの島状のＳｉ薄膜
を配置することを特徴とするアクティブマトリクス基板
の製造方法。 - 【請求項２】 島状に分離したＳｉ薄膜を有する基板に
対し、光学窓を通して線状のレーザービームを照射し、
かつ前記レーザービームの長軸方向と角度を有する方向
にビーム照射位置をずらすことにより前記基板上の前記
島状に分離したＳｉ薄膜を順次溶融結晶化して多結晶Ｓ
ｉ薄膜とし、前記多結晶Ｓｉ薄膜から作成した能動素子
を用いるアクティブマトリクス基板の製造方法におい
て、前記光学窓が略均一に汚染されるように、複数枚の
基板に対し前記光学窓と前記基板の位置関係を基板毎に
ずらしてレーザービームを照射することを特徴とするア
クティブマトリクス基板の製造方法。 - 【請求項３】 レーザービームがエキシマレーザーによ
るパルスレーザーであることを特徴とする請求項１また
は請求項２記載のアクティブマトリクス基板の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9317249A JPH11149094A (ja) | 1997-11-18 | 1997-11-18 | アクティブマトリクス基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9317249A JPH11149094A (ja) | 1997-11-18 | 1997-11-18 | アクティブマトリクス基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11149094A true JPH11149094A (ja) | 1999-06-02 |
Family
ID=18086153
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9317249A Pending JPH11149094A (ja) | 1997-11-18 | 1997-11-18 | アクティブマトリクス基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11149094A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020094514A (ko) * | 2001-06-12 | 2002-12-18 | 삼성전자 주식회사 | 저온 다결정 실리콘 박막 형성 방법 |
| JP2007142167A (ja) * | 2005-11-18 | 2007-06-07 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置およびその製造方法 |
| KR100785542B1 (ko) * | 1999-09-22 | 2007-12-12 | 소니 가부시끼 가이샤 | 액정 디스플레이 패널 제조 방법 |
-
1997
- 1997-11-18 JP JP9317249A patent/JPH11149094A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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