JPH11149865A - プラズマディスプレイパネルの製造方法 - Google Patents
プラズマディスプレイパネルの製造方法Info
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- JPH11149865A JPH11149865A JP9312990A JP31299097A JPH11149865A JP H11149865 A JPH11149865 A JP H11149865A JP 9312990 A JP9312990 A JP 9312990A JP 31299097 A JP31299097 A JP 31299097A JP H11149865 A JPH11149865 A JP H11149865A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 エージング時間が短縮され、動作中の耐スパ
ッタ性に優れた、すなわち長寿命のプラズマディスプレ
イパネルの製造方法を得る。 【解決手段】 プラズマディスプレイパネルの製造工程
は、前面基板の形成工程、背面基板の形成工程および組
立工程からなる。前面基板の形成工程は、走査電極／維
持電極の形成工程ａと、誘電体層の形成工程ｂと、第一
保護膜の形成工程ｃと第二保護膜の形成工程ｄとからな
る。背面基板の形成工程は、データ電極の形成工程ｅ
と、隔壁の形成工程ｆと、蛍光体の形成工程ｇとからな
る。組立工程は、封着工程ｈと、排気工程ｉと、放電ガ
ス封入工程ｊと、エージング工程ｋとからなる。第二保
護膜は第一保護膜よりもスパッタされやすい膜であり、
エージング工程ｋにおいて除去される。
ッタ性に優れた、すなわち長寿命のプラズマディスプレ
イパネルの製造方法を得る。 【解決手段】 プラズマディスプレイパネルの製造工程
は、前面基板の形成工程、背面基板の形成工程および組
立工程からなる。前面基板の形成工程は、走査電極／維
持電極の形成工程ａと、誘電体層の形成工程ｂと、第一
保護膜の形成工程ｃと第二保護膜の形成工程ｄとからな
る。背面基板の形成工程は、データ電極の形成工程ｅ
と、隔壁の形成工程ｆと、蛍光体の形成工程ｇとからな
る。組立工程は、封着工程ｈと、排気工程ｉと、放電ガ
ス封入工程ｊと、エージング工程ｋとからなる。第二保
護膜は第一保護膜よりもスパッタされやすい膜であり、
エージング工程ｋにおいて除去される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、テレビまたはコン
ピュータ等の画像表示に用いるプラズマディスプレイパ
ネル（以下ＰＤＰという）の製造方法に関するものであ
る。
ピュータ等の画像表示に用いるプラズマディスプレイパ
ネル（以下ＰＤＰという）の製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来のＡＣ型ＰＤＰの製造工程は前面基
板の形成工程、背面基板の形成工程およびこれらの組立
工程に大別される。前面基板の形成工程は、走査電極お
よび維持電極の形成工程と、誘電体層の形成工程と、保
護膜の形成工程とからなる。一方、背面基板の形成工程
は、データ電極の形成工程と、隔壁の形成工程と、蛍光
体の形成工程とからなる。組立工程は、封着工程と、排
気工程と、放電ガス封入工程と、エージング工程とから
なり、エージング工程が終了するとパネルとして完成す
る。
板の形成工程、背面基板の形成工程およびこれらの組立
工程に大別される。前面基板の形成工程は、走査電極お
よび維持電極の形成工程と、誘電体層の形成工程と、保
護膜の形成工程とからなる。一方、背面基板の形成工程
は、データ電極の形成工程と、隔壁の形成工程と、蛍光
体の形成工程とからなる。組立工程は、封着工程と、排
気工程と、放電ガス封入工程と、エージング工程とから
なり、エージング工程が終了するとパネルとして完成す
る。
【０００３】保護膜の形成工程は、放電によるイオン衝
突から誘電体層を保護するために、誘電体層の上に保護
膜を形成する工程である。保護膜の材料としては、電子
ビーム蒸着などで形成された酸化マグネシウム（Ｍｇ
Ｏ）が用いられる。所定の条件下で電子ビーム蒸着など
によって形成されたＭｇＯ膜は結晶性が高く緻密な膜で
あるので、走査電極または維持電極上に形成された誘電
体層が放電中にイオンの衝突を受けてスパッタされ消耗
することを、ＭｇＯ膜によって防止することができる。
また、放電ガスとしてはヘリウム（Ｈｅ）、ネオン（Ｎ
ｅ）、アルゴン（Ａｒ）およびキセノン（Ｘｅ）などの
希ガスのうち２種以上混合したものが一般的に使用され
ている。
突から誘電体層を保護するために、誘電体層の上に保護
膜を形成する工程である。保護膜の材料としては、電子
ビーム蒸着などで形成された酸化マグネシウム（Ｍｇ
Ｏ）が用いられる。所定の条件下で電子ビーム蒸着など
によって形成されたＭｇＯ膜は結晶性が高く緻密な膜で
あるので、走査電極または維持電極上に形成された誘電
体層が放電中にイオンの衝突を受けてスパッタされ消耗
することを、ＭｇＯ膜によって防止することができる。
また、放電ガスとしてはヘリウム（Ｈｅ）、ネオン（Ｎ
ｅ）、アルゴン（Ａｒ）およびキセノン（Ｘｅ）などの
希ガスのうち２種以上混合したものが一般的に使用され
ている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来のＡＣ型ＰＤＰの製造方法においては、エージ
ング工程に長時間を要するという課題があった。すなわ
ち、耐スパッタ性に優れた膜であることが要求される保
護膜は、最終工程であるエージング工程で容易に清浄化
されない。特にＭｇＯ膜を保護膜として用いた場合、放
電ガス封入工程までの間にＭｇＯ膜が空気中の水分、二
酸化炭素（ＣＯ2）などと反応して、水酸化マグネシウ
ム（Ｍｇ（ＯＨ）2）、炭酸マグネシウム（ＭｇＣＯ3）
などの化合物がＭｇＯ膜の表面に析出する。エージング
を行う目的はこのような化合物を除去し、清浄なＭｇＯ
面をＭｇＯ膜の表面に露出させることにあるが、ＡＣ型
ＰＤＰの動作中の耐スパッタ性を高めることを主眼とし
た従来の製造方法で形成されたＭｇＯ膜では、エージン
グ工程に長時間要していた。
うな従来のＡＣ型ＰＤＰの製造方法においては、エージ
ング工程に長時間を要するという課題があった。すなわ
ち、耐スパッタ性に優れた膜であることが要求される保
護膜は、最終工程であるエージング工程で容易に清浄化
されない。特にＭｇＯ膜を保護膜として用いた場合、放
電ガス封入工程までの間にＭｇＯ膜が空気中の水分、二
酸化炭素（ＣＯ2）などと反応して、水酸化マグネシウ
ム（Ｍｇ（ＯＨ）2）、炭酸マグネシウム（ＭｇＣＯ3）
などの化合物がＭｇＯ膜の表面に析出する。エージング
を行う目的はこのような化合物を除去し、清浄なＭｇＯ
面をＭｇＯ膜の表面に露出させることにあるが、ＡＣ型
ＰＤＰの動作中の耐スパッタ性を高めることを主眼とし
た従来の製造方法で形成されたＭｇＯ膜では、エージン
グ工程に長時間要していた。
【０００５】本発明は、このような課題を解決するため
になされたもので、エージング工程に要する時間が短縮
され、かつＰＤＰの動作中の耐スパッタ性に優れた、す
なわち長寿命のＡＣ型プラズマディスプレイパネルの製
造方法を得ることを目的とする。
になされたもので、エージング工程に要する時間が短縮
され、かつＰＤＰの動作中の耐スパッタ性に優れた、す
なわち長寿命のＡＣ型プラズマディスプレイパネルの製
造方法を得ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、放電空間を挟
んで対向配置した２枚の基板を有するプラズマディスプ
レイパネルの製造方法であって、一方の基板上に電極お
よび誘電体層を順次形成し、前記誘電体層の上に第一保
護膜を形成し、さらに前記第一保護膜の上に、前記第一
保護膜よりもスパッタされやすい第二保護膜を形成する
ものである。この製造方法により、第二保護膜はエージ
ングによってスパッタされやすい膜となるので、エージ
ング工程にかかる時間が短く、かつ長寿命のＡＣ型プラ
ズマディスプレイパネルを得ることができる。
んで対向配置した２枚の基板を有するプラズマディスプ
レイパネルの製造方法であって、一方の基板上に電極お
よび誘電体層を順次形成し、前記誘電体層の上に第一保
護膜を形成し、さらに前記第一保護膜の上に、前記第一
保護膜よりもスパッタされやすい第二保護膜を形成する
ものである。この製造方法により、第二保護膜はエージ
ングによってスパッタされやすい膜となるので、エージ
ング工程にかかる時間が短く、かつ長寿命のＡＣ型プラ
ズマディスプレイパネルを得ることができる。
【０００７】また、本発明による他のプラズマディスプ
レイパネルの製造方法は、ターゲットが設けられた成膜
室で基板を前記ターゲットの上方で搬送することによっ
て、前記基板の表面上に形成された誘電体層上に第一保
護膜および第二保護膜を順次連続して形成し、前記基板
の表面の中心と前記ターゲットの表面とを結ぶ線分と、
前記基板の中心軸とのなす角度を形成角度とするとき、
前記第一保護膜の形成時の前記形成角度を、前記第二保
護膜の形成時の前記形成角度よりも小さく設定するもの
である。この製造方法により、第一保護膜および第二保
護膜の形成時間を短縮することができる。
レイパネルの製造方法は、ターゲットが設けられた成膜
室で基板を前記ターゲットの上方で搬送することによっ
て、前記基板の表面上に形成された誘電体層上に第一保
護膜および第二保護膜を順次連続して形成し、前記基板
の表面の中心と前記ターゲットの表面とを結ぶ線分と、
前記基板の中心軸とのなす角度を形成角度とするとき、
前記第一保護膜の形成時の前記形成角度を、前記第二保
護膜の形成時の前記形成角度よりも小さく設定するもの
である。この製造方法により、第一保護膜および第二保
護膜の形成時間を短縮することができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を用いて説明する。
て図面を用いて説明する。
【０００９】ＡＣ型ＰＤＰには、種々の構造のものがあ
るが、本発明の実施の形態では面放電ＡＣ型ＰＤＰを例
にあげて説明する。
るが、本発明の実施の形態では面放電ＡＣ型ＰＤＰを例
にあげて説明する。
【００１０】図１は、本発明による面放電ＡＣ型ＰＤＰ
の製造工程を示したものであり、前面基板の形成工程、
背面基板の形成工程およびこれらの組立工程に大別され
る。前面基板の形成工程は、走査電極／維持電極の形成
工程ａと、誘電体層の形成工程ｂと、第一保護膜の形成
工程ｃと第二保護膜の形成工程ｄとからなる。一方、背
面基板の形成工程は、データ電極の形成工程ｅと、隔壁
の形成工程ｆと、蛍光体の形成工程ｇとからなる。組立
工程は、封着工程ｈと、排気工程ｉと、放電ガス封入工
程ｊと、エージング工程ｋとからなり、エージング工程
ｋが終了するとパネルとして完成する。
の製造工程を示したものであり、前面基板の形成工程、
背面基板の形成工程およびこれらの組立工程に大別され
る。前面基板の形成工程は、走査電極／維持電極の形成
工程ａと、誘電体層の形成工程ｂと、第一保護膜の形成
工程ｃと第二保護膜の形成工程ｄとからなる。一方、背
面基板の形成工程は、データ電極の形成工程ｅと、隔壁
の形成工程ｆと、蛍光体の形成工程ｇとからなる。組立
工程は、封着工程ｈと、排気工程ｉと、放電ガス封入工
程ｊと、エージング工程ｋとからなり、エージング工程
ｋが終了するとパネルとして完成する。
【００１１】図２はエージング工程ｋに移る前の時点で
のＡＣ型ＰＤＰの部分破断斜視図である。
のＡＣ型ＰＤＰの部分破断斜視図である。
【００１２】ガラスなどの透明材料からなる前面基板１
上には、対を成す帯状の走査電極２および維持電極３が
互いに平行に複数対形成されており、走査電極２および
維持電極３を覆ってガラスなどの誘電体層４が形成さ
れ、その上に第一保護膜５、第二保護膜６が順次形成さ
れている。
上には、対を成す帯状の走査電極２および維持電極３が
互いに平行に複数対形成されており、走査電極２および
維持電極３を覆ってガラスなどの誘電体層４が形成さ
れ、その上に第一保護膜５、第二保護膜６が順次形成さ
れている。
【００１３】ガラスなどからなる背面基板７上には、走
査電極２および維持電極３と直交する方向に、帯状のデ
ータ電極８が互いに平行に形成されている。この各々の
データ電極８の間には、隔壁９が互いに平行に形成さ
れ、データ電極８上から隔壁９の側面にかけて蛍光体１
０が形成されている。
査電極２および維持電極３と直交する方向に、帯状のデ
ータ電極８が互いに平行に形成されている。この各々の
データ電極８の間には、隔壁９が互いに平行に形成さ
れ、データ電極８上から隔壁９の側面にかけて蛍光体１
０が形成されている。
【００１４】前面基板１および背面基板７の周縁部はガ
ラスフリットで封着されており、前面基板１と背面基板
７との間に形成される放電空間１１にはヘリウム（Ｈ
ｅ）、ネオン（Ｎｅ）およびアルゴン（Ａｒ）のうち少
なくとも１種とキセノン（Ｘｅ）との混合ガスが封入さ
れている。
ラスフリットで封着されており、前面基板１と背面基板
７との間に形成される放電空間１１にはヘリウム（Ｈ
ｅ）、ネオン（Ｎｅ）およびアルゴン（Ａｒ）のうち少
なくとも１種とキセノン（Ｘｅ）との混合ガスが封入さ
れている。
【００１５】このように構成されたＡＣ型ＰＤＰをエー
ジングすることによって第二保護膜６はスパッタされて
しまい、完成したＡＣ型ＰＤＰには第二保護膜６は存在
しない。
ジングすることによって第二保護膜６はスパッタされて
しまい、完成したＡＣ型ＰＤＰには第二保護膜６は存在
しない。
【００１６】第一保護膜５としては、電子ビーム蒸着な
どで形成された酸化マグネシウム（ＭｇＯ）膜が用いら
れる。こうして形成されたＭｇＯ膜は、結晶性が高く緻
密な膜となるため、ＡＣ型ＰＤＰの動作中の放電による
イオン衝突から誘電体層４を保護し、誘電体層４がイオ
ン衝突によってスパッタされて消耗することを防止でき
る。
どで形成された酸化マグネシウム（ＭｇＯ）膜が用いら
れる。こうして形成されたＭｇＯ膜は、結晶性が高く緻
密な膜となるため、ＡＣ型ＰＤＰの動作中の放電による
イオン衝突から誘電体層４を保護し、誘電体層４がイオ
ン衝突によってスパッタされて消耗することを防止でき
る。
【００１７】このＡＣ型ＰＤＰは表示面側である前面基
板１側から画像表示を見るようになっており、放電空間
１１内における走査電極２と維持電極３との間の放電に
より発生する紫外線が蛍光体１０を励起し、この蛍光体
１０からの可視光を表示発光に利用するものである。
板１側から画像表示を見るようになっており、放電空間
１１内における走査電極２と維持電極３との間の放電に
より発生する紫外線が蛍光体１０を励起し、この蛍光体
１０からの可視光を表示発光に利用するものである。
【００１８】次に第一保護膜５および第二保護膜６の形
成方法について、図を参照しながら詳細に説明する。
成方法について、図を参照しながら詳細に説明する。
【００１９】（実施の形態１）図３は本発明によるＰＤ
Ｐの保護膜を形成する方法を説明する断面図である。前
面基板１上に形成された走査電極２および維持電極３や
誘電体層４等は省略している。以降に示す製造方法を説
明する図においても同様である。図３において、ＭｇＯ
膜形成装置２０は、基板加熱室２１、第一成膜室２２、
冷却室２３および第二成膜室２４から構成されている。
誘電体層４等が形成された前面基板１は、まず基板加熱
室２１においてヒータ２５によって２００℃以上の温度
に加熱され、第一成膜室２２へ送られる。第一成膜室２
２では電子ビーム蒸着等の方法で、誘電体層４上に約５
０００Åの厚さのＭｇＯ膜からなる第一保護膜５が蒸着
源（ターゲット）２６により形成される。ＭｇＯ膜形成
の間、前面基板１の温度（以下基板温度という）は２０
０℃以上に保たれるので、ＭｇＯ膜は緻密で、結晶性の
よいものとなる。
Ｐの保護膜を形成する方法を説明する断面図である。前
面基板１上に形成された走査電極２および維持電極３や
誘電体層４等は省略している。以降に示す製造方法を説
明する図においても同様である。図３において、ＭｇＯ
膜形成装置２０は、基板加熱室２１、第一成膜室２２、
冷却室２３および第二成膜室２４から構成されている。
誘電体層４等が形成された前面基板１は、まず基板加熱
室２１においてヒータ２５によって２００℃以上の温度
に加熱され、第一成膜室２２へ送られる。第一成膜室２
２では電子ビーム蒸着等の方法で、誘電体層４上に約５
０００Åの厚さのＭｇＯ膜からなる第一保護膜５が蒸着
源（ターゲット）２６により形成される。ＭｇＯ膜形成
の間、前面基板１の温度（以下基板温度という）は２０
０℃以上に保たれるので、ＭｇＯ膜は緻密で、結晶性の
よいものとなる。
【００２０】続いて、前面基板１は冷却室２３において
室温まで冷却された後、第二成膜室２４に入り、蒸着源
２７により第一保護膜５上に第二保護膜６が形成され
る。第二成膜室２４では、基板温度はほぼ室温に保たれ
るので、第二保護膜６のＭｇＯ膜は結晶性が悪く、膜質
も粗いものになる。このため、第二保護膜６はエージン
グによってスパッタされやすい膜となる。
室温まで冷却された後、第二成膜室２４に入り、蒸着源
２７により第一保護膜５上に第二保護膜６が形成され
る。第二成膜室２４では、基板温度はほぼ室温に保たれ
るので、第二保護膜６のＭｇＯ膜は結晶性が悪く、膜質
も粗いものになる。このため、第二保護膜６はエージン
グによってスパッタされやすい膜となる。
【００２１】このようにして完成した前面基板１は背面
基板７と組み合わされ、放電ガスが封入された後、エー
ジングが行なわれる。
基板７と組み合わされ、放電ガスが封入された後、エー
ジングが行なわれる。
【００２２】ＭｇＯ膜は、基板温度２００℃以上で５０
００Å程度形成すれば、５万時間以上の動作寿命（Ｍｇ
Ｏ膜が放電によってスパッタされ、消耗するまでの時
間）が得られることが知られている。一方、エージング
では通常動作の１０倍程度の負荷をかけるので、エージ
ングによるＭｇＯ膜の減少速度は約１Å／時と推定され
る。従来の技術では２０時間程度のエージング時間が必
要なので、エージングによって除去すべきＭｇＯ膜の厚
みは約２０Åである。これはＭｇＯ膜が大気に晒される
ことによって変質を受ける層の厚さと考えることができ
る。したがって、前述のような方法によって、第一保護
膜５よりもスパッタされやすい第二保護膜６を第一保護
膜５上に約２０Åの厚みで形成すれば、従来より短時間
のエージングによって清浄でかつスパッタされにくい第
一保護膜５を露出させることができる。
００Å程度形成すれば、５万時間以上の動作寿命（Ｍｇ
Ｏ膜が放電によってスパッタされ、消耗するまでの時
間）が得られることが知られている。一方、エージング
では通常動作の１０倍程度の負荷をかけるので、エージ
ングによるＭｇＯ膜の減少速度は約１Å／時と推定され
る。従来の技術では２０時間程度のエージング時間が必
要なので、エージングによって除去すべきＭｇＯ膜の厚
みは約２０Åである。これはＭｇＯ膜が大気に晒される
ことによって変質を受ける層の厚さと考えることができ
る。したがって、前述のような方法によって、第一保護
膜５よりもスパッタされやすい第二保護膜６を第一保護
膜５上に約２０Åの厚みで形成すれば、従来より短時間
のエージングによって清浄でかつスパッタされにくい第
一保護膜５を露出させることができる。
【００２３】本発明者らの実験によれば、前面基板１の
基板温度を３０〜４０℃に保って電子ビーム蒸着で形成
した第二保護膜６は、２〜３時間程度エージングにする
ことで除去され第一保護膜５を完全に露出させることが
できた。図４は、本実施の形態にもとづいて作製したＡ
Ｃ型ＰＤＰのエージング時間と動作電圧との関係を、従
来例の場合とともに示した図である。実線２８は本実施
の形態の場合であり、実線２９は従来例の場合である。
エージングは、ＡＣ型ＰＤＰの動作電圧が一定値に収束
することをもって、完了するものとする。従来例の場合
ではエージングに２０時間以上を要していたのに対し
て、本実施の形態の場合では３時間以内でエージングが
終了することがわかる。
基板温度を３０〜４０℃に保って電子ビーム蒸着で形成
した第二保護膜６は、２〜３時間程度エージングにする
ことで除去され第一保護膜５を完全に露出させることが
できた。図４は、本実施の形態にもとづいて作製したＡ
Ｃ型ＰＤＰのエージング時間と動作電圧との関係を、従
来例の場合とともに示した図である。実線２８は本実施
の形態の場合であり、実線２９は従来例の場合である。
エージングは、ＡＣ型ＰＤＰの動作電圧が一定値に収束
することをもって、完了するものとする。従来例の場合
ではエージングに２０時間以上を要していたのに対し
て、本実施の形態の場合では３時間以内でエージングが
終了することがわかる。
【００２４】（実施の形態２）図５は本発明の第２の実
施の形態による保護膜の形成方法を示すもので、ＭｇＯ
膜形成装置３０は、基板加熱室２１、成膜室３１および
冷却室３２から構成されている。
施の形態による保護膜の形成方法を示すもので、ＭｇＯ
膜形成装置３０は、基板加熱室２１、成膜室３１および
冷却室３２から構成されている。
【００２５】誘電体層４等が形成された前面基板１は、
まず基板加熱室２１においてヒータ２５によって２００
℃以上の温度に加熱され、成膜室３１へ送られる。成膜
室３１では蒸着源３３により誘電体層４上に第一保護膜
５が５０００Å程度の厚みで形成された後、前面基板１
は一旦、冷却室３２へ送られ、室温にまで冷却される。
続いて再び成膜室３１で、蒸着源３３により第一保護膜
５上に第二保護膜６を約２０Åの厚みで形成する。この
場合、成膜室３１における前面基板１の搬送速度を、第
一保護膜５を形成する場合の前面基板１の搬送速度にく
らべて速く設定する。
まず基板加熱室２１においてヒータ２５によって２００
℃以上の温度に加熱され、成膜室３１へ送られる。成膜
室３１では蒸着源３３により誘電体層４上に第一保護膜
５が５０００Å程度の厚みで形成された後、前面基板１
は一旦、冷却室３２へ送られ、室温にまで冷却される。
続いて再び成膜室３１で、蒸着源３３により第一保護膜
５上に第二保護膜６を約２０Åの厚みで形成する。この
場合、成膜室３１における前面基板１の搬送速度を、第
一保護膜５を形成する場合の前面基板１の搬送速度にく
らべて速く設定する。
【００２６】第二保護膜６を形成した後は、基板加熱室
２１を経ずに前面基板１を取り出し、前面基板の形成工
程が終了する。
２１を経ずに前面基板１を取り出し、前面基板の形成工
程が終了する。
【００２７】以上のように本実施の形態においては、エ
ージングによって容易に除去することができる第二保護
膜６を２０Å程度の厚さで形成することができるため、
エージング時間が大幅に短縮されるとともに、長寿命な
ＡＣ型ＰＤＰを得ることができる。
ージングによって容易に除去することができる第二保護
膜６を２０Å程度の厚さで形成することができるため、
エージング時間が大幅に短縮されるとともに、長寿命な
ＡＣ型ＰＤＰを得ることができる。
【００２８】（実施の形態３）本発明の第３の実施の形
態は、実施の形態１と同様な図３に示したＭｇＯ膜形成
装置を用いるが、第一保護膜５および第二保護膜６の形
成条件が異なる。
態は、実施の形態１と同様な図３に示したＭｇＯ膜形成
装置を用いるが、第一保護膜５および第二保護膜６の形
成条件が異なる。
【００２９】すなわち、本実施の形態では第二成膜室２
４の雰囲気を第一成膜室２２の雰囲気よりも高圧にする
ことで、第一保護膜５よりもスパッタされやすい第二保
護膜６を形成するものである。通常、ＭｇＯ膜は減圧雰
囲気（〜１×１０-6ｔｏｒｒのａｉｒ）で成膜するが、
ＡＣ型ＰＤＰの保護膜形成においては、ＭｇＯ膜のスト
イキオメトリを１近くに保つため、若干の酸素を導入す
る。この酸素分圧を所定の値（約１×１０-3ｔｏｒｒ）
以上に高くした雰囲気で形成されるＭｇＯ膜はポーラス
な膜となり、エージングによって容易に除去されるもの
となる。
４の雰囲気を第一成膜室２２の雰囲気よりも高圧にする
ことで、第一保護膜５よりもスパッタされやすい第二保
護膜６を形成するものである。通常、ＭｇＯ膜は減圧雰
囲気（〜１×１０-6ｔｏｒｒのａｉｒ）で成膜するが、
ＡＣ型ＰＤＰの保護膜形成においては、ＭｇＯ膜のスト
イキオメトリを１近くに保つため、若干の酸素を導入す
る。この酸素分圧を所定の値（約１×１０-3ｔｏｒｒ）
以上に高くした雰囲気で形成されるＭｇＯ膜はポーラス
な膜となり、エージングによって容易に除去されるもの
となる。
【００３０】なお、本実施の形態においても、実施の形
態１と同様に、第二保護膜６の形成時には前面基板１の
基板温度を室温程度まで冷却することで、第二保護膜６
の耐スパッタ性をさらに低下させることができる。
態１と同様に、第二保護膜６の形成時には前面基板１の
基板温度を室温程度まで冷却することで、第二保護膜６
の耐スパッタ性をさらに低下させることができる。
【００３１】（実施の形態４）図６は、本発明の第４の
実施の形態による保護膜の形成方法を説明する断面図で
あり、ＭｇＯ膜形成装置３４は、図６に示すように、防
着板３５ａ、３５ｂおよび３５ｃと蒸着源３６とを備え
た成膜室３７と基板加熱室２１とから構成されている。
蒸着源３６は防着板３５ａと防着板３５ｂとの間に設け
られたスリット３８ａの鉛直下方に設けられており、防
着板３５ｂと防着板３５ｃとの間にはスリット３８ｂが
設けられている。
実施の形態による保護膜の形成方法を説明する断面図で
あり、ＭｇＯ膜形成装置３４は、図６に示すように、防
着板３５ａ、３５ｂおよび３５ｃと蒸着源３６とを備え
た成膜室３７と基板加熱室２１とから構成されている。
蒸着源３６は防着板３５ａと防着板３５ｂとの間に設け
られたスリット３８ａの鉛直下方に設けられており、防
着板３５ｂと防着板３５ｃとの間にはスリット３８ｂが
設けられている。
【００３２】誘電体層４が形成された前面基板１は、ま
ず基板加熱室２１においてヒータ２５によって２００℃
以上の温度に加熱され、成膜室３７へ送られる。成膜室
３７では、電子ビーム蒸着などの方法でＭｇＯ膜を形成
するが、まず、スリット３８ａの上方を前面基板１が通
過するときに、蒸着源３６により誘電体層４上にＭｇＯ
膜からなる第一保護膜５が約５０００Åの厚さに形成さ
れる。この間、前面基板１は連続的に搬送されるが、ス
リット３８ａの上方を通過した前面基板１は、防着板３
５ｂによって蒸着源３６と隔離され、一旦ＭｇＯ膜の堆
積は停止する。この後、前面基板１はスリット３８ｂの
上方を通過し、第一保護膜５上にＭｇＯ膜からなる第二
保護膜６が形成されることになる。第二保護膜６は、蒸
着源３６を見込む角度が浅い状態で成膜されるので、結
晶粒界の隙間が大きな膜となる。このようなＭｇＯ膜
は、スリット３８ａの上方で形成された緻密な膜にくら
べて耐スパッタ性に劣るため、エージングによって容易
に除去することができるので、エージングを短時間で終
了することができる。
ず基板加熱室２１においてヒータ２５によって２００℃
以上の温度に加熱され、成膜室３７へ送られる。成膜室
３７では、電子ビーム蒸着などの方法でＭｇＯ膜を形成
するが、まず、スリット３８ａの上方を前面基板１が通
過するときに、蒸着源３６により誘電体層４上にＭｇＯ
膜からなる第一保護膜５が約５０００Åの厚さに形成さ
れる。この間、前面基板１は連続的に搬送されるが、ス
リット３８ａの上方を通過した前面基板１は、防着板３
５ｂによって蒸着源３６と隔離され、一旦ＭｇＯ膜の堆
積は停止する。この後、前面基板１はスリット３８ｂの
上方を通過し、第一保護膜５上にＭｇＯ膜からなる第二
保護膜６が形成されることになる。第二保護膜６は、蒸
着源３６を見込む角度が浅い状態で成膜されるので、結
晶粒界の隙間が大きな膜となる。このようなＭｇＯ膜
は、スリット３８ａの上方で形成された緻密な膜にくら
べて耐スパッタ性に劣るため、エージングによって容易
に除去することができるので、エージングを短時間で終
了することができる。
【００３３】また、本実施の形態では、第一保護膜５の
形成と第二保護膜６の形成との間で、前面基板１を冷却
する必要がないため、第一保護膜５および第二保護膜６
の形成時間を短縮することができる。さらに、単一の成
膜室３７内で第一保護膜５および第二保護膜６を形成で
きるので、生産効率を高めることができる。
形成と第二保護膜６の形成との間で、前面基板１を冷却
する必要がないため、第一保護膜５および第二保護膜６
の形成時間を短縮することができる。さらに、単一の成
膜室３７内で第一保護膜５および第二保護膜６を形成で
きるので、生産効率を高めることができる。
【００３４】本実施の形態では、図７に示すように、前
面基板１の表面の中心４０と蒸着源３６の表面とを結ぶ
線分４１と、前面基板１の中心軸４２とのなす角度θを
形成角度とするとき、第一保護膜５の形成時の形成角度
θが、第二保護膜６の形成時の形成角度θよりも小さく
設定されているので、第二保護膜６は第一保護膜５にく
らべ結晶粒界の隙間が大きくスパッタされやすい膜とな
る。前述の説明では同じ成膜室３７内で第一保護膜５と
第二保護膜６とを連続して形成しているが、図３で示し
た第二成膜室２４内で形成角度θを大きくして第二保護
膜６を形成することも可能である。
面基板１の表面の中心４０と蒸着源３６の表面とを結ぶ
線分４１と、前面基板１の中心軸４２とのなす角度θを
形成角度とするとき、第一保護膜５の形成時の形成角度
θが、第二保護膜６の形成時の形成角度θよりも小さく
設定されているので、第二保護膜６は第一保護膜５にく
らべ結晶粒界の隙間が大きくスパッタされやすい膜とな
る。前述の説明では同じ成膜室３７内で第一保護膜５と
第二保護膜６とを連続して形成しているが、図３で示し
た第二成膜室２４内で形成角度θを大きくして第二保護
膜６を形成することも可能である。
【００３５】なお、本発明の各実施の形態において、保
護膜を電子ビーム蒸着によって形成する方法を示したが
スパッタリングなどを採用してもよい。また、保護膜の
材料としてＭｇＯの例を示したが、酸化カルシウム（Ｃ
ａＯ）や酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）などＭｇＯ以外
の材料を用いることもできる。
護膜を電子ビーム蒸着によって形成する方法を示したが
スパッタリングなどを採用してもよい。また、保護膜の
材料としてＭｇＯの例を示したが、酸化カルシウム（Ｃ
ａＯ）や酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）などＭｇＯ以外
の材料を用いることもできる。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は電極を覆
っている誘電体層の上に第一保護膜を形成し、第一保護
膜の上に、第一保護膜よりもスパッタされやすい第二保
護膜を形成することより、エージング時間を大幅に短縮
し、かつ動作寿命の長いＡＣ型プラズマディスプレイパ
ネルを得るための製造方法を提供することができるもの
である。
っている誘電体層の上に第一保護膜を形成し、第一保護
膜の上に、第一保護膜よりもスパッタされやすい第二保
護膜を形成することより、エージング時間を大幅に短縮
し、かつ動作寿命の長いＡＣ型プラズマディスプレイパ
ネルを得るための製造方法を提供することができるもの
である。
【図１】本発明のプラズマディスプレイパネルの製造方
法の工程図
法の工程図
【図２】本発明のエージング工程前のプラズマディスプ
レイパネルの部分破断斜視図
レイパネルの部分破断斜視図
【図３】本発明の実施の形態１による保護膜の形成工程
を説明する断面図
を説明する断面図
【図４】本発明および従来の製造方法によるプラズマデ
ィスプレイパネルのエージング時間と動作電圧との関係
を示す図
ィスプレイパネルのエージング時間と動作電圧との関係
を示す図
【図５】本発明の実施の形態２による保護膜の形成工程
を説明する断面図
を説明する断面図
【図６】本発明の実施の形態４による保護膜の形成工程
を説明する断面図
を説明する断面図
【図７】本発明の実施の形態４における保護膜形成時の
形成角度を説明する断面図
形成角度を説明する断面図
１ 前面基板 ２ 走査電極 ３ 維持電極 ４ 誘電体層 ５ 第一保護膜 ６ 第二保護膜 ７ 背面基板 ８ データ電極 ９ 隔壁 １０ 蛍光体 １１ 放電空間 ２０、３０、３４ ＭｇＯ膜形成装置 ２１ 基板加熱室 ２２ 第一成膜室 ２３、３２ 冷却室 ２４ 第二成膜室 ２６、２７、３３、３６ 蒸着源 ３１、３７ 成膜室 ３５ａ、３５ｂ、３５ｃ 防着板 ３８ａ、３８ｂ スリット ４０ 前面基板の表面の中心 ４２ 前面基板の中心軸
Claims (9)
- 【請求項１】 放電空間を挟んで対向配置した２枚の基
板を有するプラズマディスプレイパネルの製造方法であ
って、一方の基板上に電極および誘電体層を順次形成
し、前記誘電体層の上に第一保護膜を形成し、さらに前
記第一保護膜の上に、前記第一保護膜よりもスパッタさ
れやすい第二保護膜を形成することを特徴とするプラズ
マディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項２】 誘電体層が形成された基板を加熱し、前
記誘電体層の上に第一保護膜を形成し、前記基板を冷却
した後、前記第一保護膜の上に第二保護膜を形成するこ
とを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイ
パネルの製造方法。 - 【請求項３】 誘電体層上への第一保護膜の形成を行う
成膜室の雰囲気を、前記第一保護膜上への第二保護膜の
形成を行う成膜室の雰囲気の圧力よりも高く設定するこ
とを特徴とする請求項１または２に記載のプラズマディ
スプレイパネルの製造方法。 - 【請求項４】 誘電体層上への第一保護膜の形成と前記
第一保護膜上への第二保護膜の形成とを酸素を含む雰囲
気中で行い、前記第二保護膜の形成時の雰囲気中の酸素
分圧を、前記第一保護膜の形成時の雰囲気中の酸素分圧
よりも高く設定することを特徴とする請求項１ないし３
のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネルの製造
方法。 - 【請求項５】 ターゲットが設けられた成膜室で基板の
表面上に形成された誘電体層上に第一保護膜を形成し、
前記成膜室または前記成膜室とは別のターゲットが設け
られた成膜室で、前記第一保護膜上に第二保護膜を形成
し、前記基板の表面の中心と前記ターゲットの表面とを
結ぶ線分と、前記基板の中心軸とのなす角度を形成角度
とするとき、前記第一保護膜の形成時の前記形成角度
を、前記第二保護膜の形成時の前記形成角度よりも小さ
く設定することを特徴とする請求項１ないし４のいずれ
かに記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項６】 ターゲットが設けられた成膜室で基板を
前記ターゲットの上方で搬送することによって、前記基
板の表面上に形成された誘電体層上に第一保護膜および
第二保護膜を順次連続して形成し、前記基板の表面の中
心と前記ターゲットの表面とを結ぶ線分と、前記基板の
中心軸とのなす角度を形成角度とするとき、前記第一保
護膜の形成時の前記形成角度を、前記第二保護膜の形成
時の前記形成角度よりも小さく設定することを特徴とす
る請求項１または２に記載のプラズマディスプレイパネ
ルの製造方法。 - 【請求項７】 第一保護膜が酸化マグネシウム膜である
ことを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の
プラズマディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項８】 第一保護膜を電子ビーム蒸着またはスパ
ッタリングによって形成することを特徴とする請求項１
ないし７のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネ
ルの製造方法。 - 【請求項９】 基板上に電極および誘電体層を順次形成
し、前記誘電体層の上に第一保護膜を形成し、前記第一
保護膜の上に、前記第一保護膜よりもスパッタされやす
い第二保護膜を形成し、前記基板および別の基板を放電
空間を挟んで対向配置して封着し、前記放電空間に放電
ガスを封入してプラズマディスプレイパネルを構成し、
前記プラズマディスプレイパネルをエージングすること
によって前記第二保護膜を除去することを特徴とするプ
ラズマディスプレイパネルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31299097A JP3906536B2 (ja) | 1997-11-14 | 1997-11-14 | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31299097A JP3906536B2 (ja) | 1997-11-14 | 1997-11-14 | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11149865A true JPH11149865A (ja) | 1999-06-02 |
| JP3906536B2 JP3906536B2 (ja) | 2007-04-18 |
Family
ID=18035917
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31299097A Expired - Fee Related JP3906536B2 (ja) | 1997-11-14 | 1997-11-14 | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3906536B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040020722A (ko) * | 2002-09-03 | 2004-03-09 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 제조방법 |
| US7161297B2 (en) | 2000-05-11 | 2007-01-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electron emission thin-film, plasma display panel comprising it and method of manufacturing them |
| JP2007109541A (ja) * | 2005-10-14 | 2007-04-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイパネル |
| JP2007299583A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 |
| WO2009044456A1 (ja) * | 2007-10-02 | 2009-04-09 | Hitachi, Ltd. | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法、並びに放電安定化粉体 |
| JPWO2008050662A1 (ja) * | 2006-10-27 | 2010-02-25 | 株式会社アルバック | プラズマディスプレイパネルの製造方法及び製造装置 |
-
1997
- 1997-11-14 JP JP31299097A patent/JP3906536B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7161297B2 (en) | 2000-05-11 | 2007-01-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electron emission thin-film, plasma display panel comprising it and method of manufacturing them |
| US7911142B2 (en) | 2000-05-11 | 2011-03-22 | Panasonic Corporation | Electron emission thin-film, plasma display panel and methods for manufacturing |
| KR20040020722A (ko) * | 2002-09-03 | 2004-03-09 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 제조방법 |
| JP2007109541A (ja) * | 2005-10-14 | 2007-04-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイパネル |
| JP2007299583A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 |
| JPWO2008050662A1 (ja) * | 2006-10-27 | 2010-02-25 | 株式会社アルバック | プラズマディスプレイパネルの製造方法及び製造装置 |
| JP5078903B2 (ja) * | 2006-10-27 | 2012-11-21 | 株式会社アルバック | プラズマディスプレイパネルの製造方法及び製造装置 |
| WO2009044456A1 (ja) * | 2007-10-02 | 2009-04-09 | Hitachi, Ltd. | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法、並びに放電安定化粉体 |
| JP4945641B2 (ja) * | 2007-10-02 | 2012-06-06 | 株式会社日立製作所 | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
| US8207672B2 (en) | 2007-10-02 | 2012-06-26 | Hitachi, Ltd | Plasma display panel having a discharge stabilizer powder and method of manufacturing the same |
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|---|---|
| JP3906536B2 (ja) | 2007-04-18 |
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