JPH11149879A - 電子レンジ用マグネトロン - Google Patents
電子レンジ用マグネトロンInfo
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- JPH11149879A JPH11149879A JP9312969A JP31296997A JPH11149879A JP H11149879 A JPH11149879 A JP H11149879A JP 9312969 A JP9312969 A JP 9312969A JP 31296997 A JP31296997 A JP 31296997A JP H11149879 A JPH11149879 A JP H11149879A
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- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 18
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 238000010411 cooking Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 235000013305 food Nutrition 0.000 description 1
- 238000010257 thawing Methods 0.000 description 1
- 210000003462 vein Anatomy 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J23/00—Details of transit-time tubes of the types covered by group H01J25/00
- H01J23/16—Circuit elements, having distributed capacitance and inductance, structurally associated with the tube and interacting with the discharge
- H01J23/18—Resonators
- H01J23/20—Cavity resonators; Adjustment or tuning thereof
-
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- H01J23/16—Circuit elements, having distributed capacitance and inductance, structurally associated with the tube and interacting with the discharge
- H01J23/18—Resonators
- H01J23/22—Connections between resonators, e.g. strapping for connecting resonators of a magnetron
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J25/00—Transit-time tubes, e.g. klystrons, travelling-wave tubes, magnetrons
- H01J25/50—Magnetrons, i.e. tubes with a magnet system producing an H-field crossing the E-field
Landscapes
- Microwave Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 簡単な構造で高調波出力を抑圧できる電子レ
ンジ用マグネトロンを提供すること。 【解決手段】 円筒状のアノ一ド１２と、このアノ一ド
１２の中央に位置する陰極１３と、アノ一ド１２と陰極
１３間に放射状に配置された複数のベイン１４とを具備
した電子レンジ用マグネトロンにおいて、複数のベイン
１４の少なくとも１つに、その上辺または下辺に溝１４
ｃを設け、この溝１４ｃの深さＬを０ｍｍ＜Ｌ＜６ｍｍ
の範囲にしている。
ンジ用マグネトロンを提供すること。 【解決手段】 円筒状のアノ一ド１２と、このアノ一ド
１２の中央に位置する陰極１３と、アノ一ド１２と陰極
１３間に放射状に配置された複数のベイン１４とを具備
した電子レンジ用マグネトロンにおいて、複数のベイン
１４の少なくとも１つに、その上辺または下辺に溝１４
ｃを設け、この溝１４ｃの深さＬを０ｍｍ＜Ｌ＜６ｍｍ
の範囲にしている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高調波出力を低減
させた電子レンジ用マグネトロンに関する。
させた電子レンジ用マグネトロンに関する。
【０００２】
【従来の技術】電子レンジ用マグネトロンは電子レンジ
などのマイクロ波源として利用され、食品の調理や解凍
などに用いられている。電子レンジ用マグネトロンを利
用した電子レンジは、市場からの要求もあり、高調波の
抑圧が求められている。このため、マイクロ波の発生源
として利用されている電子レンジ用マグネトロンについ
ても、高調波の抑圧が必要になっている。
などのマイクロ波源として利用され、食品の調理や解凍
などに用いられている。電子レンジ用マグネトロンを利
用した電子レンジは、市場からの要求もあり、高調波の
抑圧が求められている。このため、マイクロ波の発生源
として利用されている電子レンジ用マグネトロンについ
ても、高調波の抑圧が必要になっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の電子レンジ用マ
グネトロンは、高調波を抑圧するために、例えば、出力
部などに同軸構造の１／４波長チョークを設けている。
１／４波長チョークは、通常、第３〜第５高調波の抑圧
に用いられている。しかし、最近は、より高次の高調波
に対しても抑圧が求められている。これらより高次の高
調波を抑圧するために、１／４波長チョークを出力部に
設けることが考えられる。
グネトロンは、高調波を抑圧するために、例えば、出力
部などに同軸構造の１／４波長チョークを設けている。
１／４波長チョークは、通常、第３〜第５高調波の抑圧
に用いられている。しかし、最近は、より高次の高調波
に対しても抑圧が求められている。これらより高次の高
調波を抑圧するために、１／４波長チョークを出力部に
設けることが考えられる。
【０００４】しかし、電子レンジ用マグネトロンは小形
化が進み、出力部に残された空間は少なくなっている。
このため、より高次の高調波を抑圧するために、１／４
波長チョークを出力部に新しく設けることは困難になっ
ている。また、１／４波長チョークを追加するために
は、電子レンジ用マグネトロンの出力部を、その分、大
きくしなければならず、電子レンジが大型化し、またコ
ストも増大する。
化が進み、出力部に残された空間は少なくなっている。
このため、より高次の高調波を抑圧するために、１／４
波長チョークを出力部に新しく設けることは困難になっ
ている。また、１／４波長チョークを追加するために
は、電子レンジ用マグネトロンの出力部を、その分、大
きくしなければならず、電子レンジが大型化し、またコ
ストも増大する。
【０００５】この発明は、上記した欠点を解決するもの
で、簡単な構造で高調波出力を抑圧できる電子レンジ用
マグネトロンを提供することを目的としている。
で、簡単な構造で高調波出力を抑圧できる電子レンジ用
マグネトロンを提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明は、円筒状のア
ノ一ドと、このアノ一ドの中央に位置する陰極と、前記
アノ一ドと前記陰極間に放射状に配置された複数のベイ
ンとを具備した電子レンジ用マグネトロンにおいて、前
記複数のベインのうち、その少なくとも１つの上辺また
は下辺に溝を設け、この溝の深さＬを０ｍｍ＜Ｌ＜６ｍ
ｍの範囲にしたことを特徴としている。
ノ一ドと、このアノ一ドの中央に位置する陰極と、前記
アノ一ドと前記陰極間に放射状に配置された複数のベイ
ンとを具備した電子レンジ用マグネトロンにおいて、前
記複数のベインのうち、その少なくとも１つの上辺また
は下辺に溝を設け、この溝の深さＬを０ｍｍ＜Ｌ＜６ｍ
ｍの範囲にしたことを特徴としている。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について図１
を参照して説明する。図１は、電子レンジ用マグネトロ
ンの主要部を抜き出して示した断面図である。
を参照して説明する。図１は、電子レンジ用マグネトロ
ンの主要部を抜き出して示した断面図である。
【０００８】符号１１は、高周波信号を発生するマグネ
トロンの発振部本体である。発振部本体１１は円筒状ア
ノード１２などから構成されている。円筒状アノード１
２の中心に電子を放出する陰極１３が設けられている。
そして、円筒状アノード１２と陰極１３間には複数の板
状ベイン１４が放射状に配置されている。円筒状アノー
ド１２の上下両端の開口にはポールピース１５が設けら
れている。また、ポールピース１５の外側には、円筒状
アノード１２に連結したエンベロープ１６が設けられて
いる。エンベロープ１６は、鍔状部分１６ａと円筒状部
分１６ｂから構成され、円筒状アノード１２と一体にな
って真空容器の一部を構成している。円筒状部分１６ｂ
の例えば上端部は内側に折り返され同軸構造の１／４波
長チョーク１７ａが形成されている。なお、１／４波長
チョーク１７ａの内側にも同軸状に他の同軸構造の１／
４波長チョーク１７ｂが形成されている。
トロンの発振部本体である。発振部本体１１は円筒状ア
ノード１２などから構成されている。円筒状アノード１
２の中心に電子を放出する陰極１３が設けられている。
そして、円筒状アノード１２と陰極１３間には複数の板
状ベイン１４が放射状に配置されている。円筒状アノー
ド１２の上下両端の開口にはポールピース１５が設けら
れている。また、ポールピース１５の外側には、円筒状
アノード１２に連結したエンベロープ１６が設けられて
いる。エンベロープ１６は、鍔状部分１６ａと円筒状部
分１６ｂから構成され、円筒状アノード１２と一体にな
って真空容器の一部を構成している。円筒状部分１６ｂ
の例えば上端部は内側に折り返され同軸構造の１／４波
長チョーク１７ａが形成されている。なお、１／４波長
チョーク１７ａの内側にも同軸状に他の同軸構造の１／
４波長チョーク１７ｂが形成されている。
【０００９】円筒状アノード１２と陰極１３間に位置す
る複数の板状ベイン１４にはそれぞれ、アンテナ取付溝
１４ａやストラップリング取付溝１４ｂ、高調波抑圧用
溝１４ｃなどが設けられている。複数の板状ベイン１４
は、通常、ほぼ同じ構造のものが使用され、例えば、配
列方向に沿って順にその上下を逆にした形で固定されて
いる。
る複数の板状ベイン１４にはそれぞれ、アンテナ取付溝
１４ａやストラップリング取付溝１４ｂ、高調波抑圧用
溝１４ｃなどが設けられている。複数の板状ベイン１４
は、通常、ほぼ同じ構造のものが使用され、例えば、配
列方向に沿って順にその上下を逆にした形で固定されて
いる。
【００１０】したがって、アンテナ取付溝１４ａをみる
と、ある板状ベイン１４では出力側の上辺に位置し、そ
の隣の板状ベイン１４では入力側の下辺に位置してい
る。そして、１つの板状ベイン１４には、そのアンテナ
取付溝１４ａに出力アンテナ１８が固定されている。こ
の場合、出力アンテナが固定されないアンテナ取付溝１
４ａは溝のまま残される。
と、ある板状ベイン１４では出力側の上辺に位置し、そ
の隣の板状ベイン１４では入力側の下辺に位置してい
る。そして、１つの板状ベイン１４には、そのアンテナ
取付溝１４ａに出力アンテナ１８が固定されている。こ
の場合、出力アンテナが固定されないアンテナ取付溝１
４ａは溝のまま残される。
【００１１】出力アンテナ１８はポールピース１５の透
孔部分を通って上方へと延び、さらに絶縁円筒部分１９
を通り、その上端部分は、マイクロ波を外部に取り出す
ための出力部２０を構成している。
孔部分を通って上方へと延び、さらに絶縁円筒部分１９
を通り、その上端部分は、マイクロ波を外部に取り出す
ための出力部２０を構成している。
【００１２】ストラップリング取付溝１４ｂは、それぞ
れの板状ベイン１４の上辺と下辺に設けられ、ストラッ
プリング取付溝１４ｂにストラップリング２１が固定さ
れている。ストラップリング２１は、板状ベイン１４を
１つおきに連結し、隣り合う同士で極性が反転するよう
にしている。
れの板状ベイン１４の上辺と下辺に設けられ、ストラッ
プリング取付溝１４ｂにストラップリング２１が固定さ
れている。ストラップリング２１は、板状ベイン１４を
１つおきに連結し、隣り合う同士で極性が反転するよう
にしている。
【００１３】円筒状アノード１２の周囲にはラジエター
２２が圧入されている。ラジエター２２は管軸に対し垂
直に広がる複数の冷却フィン２２ａから構成されてい
る。また、発振部本体１１の上下にそれぞれ環状の永久
磁石２３が配置されている。
２２が圧入されている。ラジエター２２は管軸に対し垂
直に広がる複数の冷却フィン２２ａから構成されてい
る。また、発振部本体１１の上下にそれぞれ環状の永久
磁石２３が配置されている。
【００１４】絶縁円筒部分１９の外側にはガスケット接
触リング２４が配置され、ガスケット接触リング２４に
接触してガスケット２５が環状に配置されている。そし
て、ガスケット２５に接して、管軸に対して垂直方向に
第１磁気ヨーク２６が設けられている。ガスケット２５
は、ガスケット接触リング２４と第１磁気ヨーク２６間
に圧入され挟持されている。また、ラジエター２２や発
振部本体１１下端の永久磁石２３を包囲して第２磁気ヨ
ーク２７が配置されている。第２磁気ヨーク２７は第１
磁気ヨーク２６と磁気的に接続され、上下に位置する永
久磁石２３を結ぶ磁気回路を構成している。
触リング２４が配置され、ガスケット接触リング２４に
接触してガスケット２５が環状に配置されている。そし
て、ガスケット２５に接して、管軸に対して垂直方向に
第１磁気ヨーク２６が設けられている。ガスケット２５
は、ガスケット接触リング２４と第１磁気ヨーク２６間
に圧入され挟持されている。また、ラジエター２２や発
振部本体１１下端の永久磁石２３を包囲して第２磁気ヨ
ーク２７が配置されている。第２磁気ヨーク２７は第１
磁気ヨーク２６と磁気的に接続され、上下に位置する永
久磁石２３を結ぶ磁気回路を構成している。
【００１５】ここで、上記した構造の電子レンジ用マグ
ネトロンについて、その円筒状アノード１２や板状ベイ
ン１４の各部分の構造を図２を参照して説明する。図２
では、図１に対応する部分には同一の符号を付し、重複
する説明は一部省略する。また、電子レンジ用マグネト
ロンの軸を線分Ｍ−Ｍで示している。
ネトロンについて、その円筒状アノード１２や板状ベイ
ン１４の各部分の構造を図２を参照して説明する。図２
では、図１に対応する部分には同一の符号を付し、重複
する説明は一部省略する。また、電子レンジ用マグネト
ロンの軸を線分Ｍ−Ｍで示している。
【００１６】この図で示されるように、それぞれの板状
ベイン１４の上辺、すなわち出力側に高調波抑圧用溝１
４ｃが設けられている。高調波抑圧用溝１４ｃの深さＬ
は、抑圧する高調波の波長を考慮し、あるいは、板状ベ
イン１４の機械的強度などを考慮し、６ｍｍよりも短く
している。
ベイン１４の上辺、すなわち出力側に高調波抑圧用溝１
４ｃが設けられている。高調波抑圧用溝１４ｃの深さＬ
は、抑圧する高調波の波長を考慮し、あるいは、板状ベ
イン１４の機械的強度などを考慮し、６ｍｍよりも短く
している。
【００１７】次に、図２に示したように、複数の板状ベ
イン１４それぞれの上辺に高調波抑圧用溝１４ｃを設け
た電子レンジ用マグネトロンについて、出力側から外部
に輻射する電界強度を測定した結果の一例を図３で説明
する。図３の横軸は周波数（ＧＨｚ）、縦軸は電界強度
（ｄＢｍ）である。×印は高調波抑圧用溝がない場合
で、◆印、■印、▲印はそれぞれ、高調波抑圧用溝の深
さが２．７ｍｍ、３．０ｍｍ、３．３ｍｍの場合であ
る。この図から、高調波抑圧用溝を設けた場合、符号
Ｐ、Ｑで示すように例えば第５次や第６次の高調波が抑
圧されていることが分かる。特に、第６次の高調波が抑
圧されている。
イン１４それぞれの上辺に高調波抑圧用溝１４ｃを設け
た電子レンジ用マグネトロンについて、出力側から外部
に輻射する電界強度を測定した結果の一例を図３で説明
する。図３の横軸は周波数（ＧＨｚ）、縦軸は電界強度
（ｄＢｍ）である。×印は高調波抑圧用溝がない場合
で、◆印、■印、▲印はそれぞれ、高調波抑圧用溝の深
さが２．７ｍｍ、３．０ｍｍ、３．３ｍｍの場合であ
る。この図から、高調波抑圧用溝を設けた場合、符号
Ｐ、Ｑで示すように例えば第５次や第６次の高調波が抑
圧されていることが分かる。特に、第６次の高調波が抑
圧されている。
【００１８】これは、マイクロ波電流が板状ベインの表
面に沿って進むため、高調波抑圧用溝によって高調波が
共振することによるためと考えられる。なお、電子レン
ジ用マグネトロンの出力部などに、これまでに設けられ
ている同軸構造の１／４波長チョークは、通常、第３な
いし第５高調波を抑圧するように構成されている。そこ
で、高調波抑圧用溝は、例えば５次以上の高調波を抑圧
するように、高調波抑圧用溝の深さを例えば１ｍｍより
も長く６ｍｍよりも短くしている。
面に沿って進むため、高調波抑圧用溝によって高調波が
共振することによるためと考えられる。なお、電子レン
ジ用マグネトロンの出力部などに、これまでに設けられ
ている同軸構造の１／４波長チョークは、通常、第３な
いし第５高調波を抑圧するように構成されている。そこ
で、高調波抑圧用溝は、例えば５次以上の高調波を抑圧
するように、高調波抑圧用溝の深さを例えば１ｍｍより
も長く６ｍｍよりも短くしている。
【００１９】上記したように、この発明によれば、板状
ベインに高調波抑圧用溝を形成する構造であるため、全
体の構造が大型化することもない。また、簡単な構造で
高調波を抑圧することができる。
ベインに高調波抑圧用溝を形成する構造であるため、全
体の構造が大型化することもない。また、簡単な構造で
高調波を抑圧することができる。
【００２０】次に、この発明の他の実施形態について図
４ないし図６を参照して説明する。図４ないし図６で
は、図２に対応する部分には同一の符号を付し、重複す
る説明は一部省略する。
４ないし図６を参照して説明する。図４ないし図６で
は、図２に対応する部分には同一の符号を付し、重複す
る説明は一部省略する。
【００２１】図４は、複数の板状ベイン１４それぞれ
に、出力側とは反対の側、すなわち入力側である下辺に
高調波抑圧用溝１４ｃを設けている。図５は、複数の板
状ベイン１４に対し、それぞれ１つおきに上辺と下辺と
に高調波抑圧用溝１４ｃを設けている。図６は、複数の
板状ベイン１４のうちその１つの板状ベイン１４、例え
ば出力アンテナ１８が取り付けられた板状ベイン１４だ
けに高調波抑圧用溝１４ｃを設けている。
に、出力側とは反対の側、すなわち入力側である下辺に
高調波抑圧用溝１４ｃを設けている。図５は、複数の板
状ベイン１４に対し、それぞれ１つおきに上辺と下辺と
に高調波抑圧用溝１４ｃを設けている。図６は、複数の
板状ベイン１４のうちその１つの板状ベイン１４、例え
ば出力アンテナ１８が取り付けられた板状ベイン１４だ
けに高調波抑圧用溝１４ｃを設けている。
【００２２】上記した実施の形態では、出力アンテナ取
付用溝と円筒状アノード間に高調波抑圧用溝を設けてい
る。しかし、電子レンジ用マグネトロンの場合、陰極か
ら電子を発生し、円筒状アノードおよび板状ベインで構
成される共振回路でマイクロ波に変換され、出力アンテ
ナから出力される構成になっている。したがって、出力
アンテナ取付用溝よりも内側、例えば、出力アンテナ取
付用溝とストラップリング取付溝との間に高調波抑圧用
溝を設けることによって、高調波をより以上に抑圧でき
る電子レンジ用マグネトロンを実現できる。
付用溝と円筒状アノード間に高調波抑圧用溝を設けてい
る。しかし、電子レンジ用マグネトロンの場合、陰極か
ら電子を発生し、円筒状アノードおよび板状ベインで構
成される共振回路でマイクロ波に変換され、出力アンテ
ナから出力される構成になっている。したがって、出力
アンテナ取付用溝よりも内側、例えば、出力アンテナ取
付用溝とストラップリング取付溝との間に高調波抑圧用
溝を設けることによって、高調波をより以上に抑圧でき
る電子レンジ用マグネトロンを実現できる。
【００２３】
【発明の効果】この発明によれば、簡単な構造で高調波
を抑圧できる電子レンジ用マグネトロンを実現すること
ができる。
を抑圧できる電子レンジ用マグネトロンを実現すること
ができる。
【図１】この発明の実施形態を説明するための断面図
で、主要部を抜き出して示している。
で、主要部を抜き出して示している。
【図２】この発明に使用される円筒状アノードや板状ベ
インの各部分を示す構造図である。
インの各部分を示す構造図である。
【図３】この発明の特性を説明するための特性図であ
る。
る。
【図４】この発明に使用される円筒状アノードや板状ベ
インの各部分の他の例を示す構造図である。
インの各部分の他の例を示す構造図である。
【図５】この発明に使用される円筒状アノードや板状ベ
インの各部分の他の例を示す構造図である。
インの各部分の他の例を示す構造図である。
【図６】この発明に使用される円筒状アノードや板状ベ
インの各部分の他の例を示す構造図である。
インの各部分の他の例を示す構造図である。
１１…発振部本体 １２…円筒状アノード １３…陰極 １４…板状ベイン １４ａ…アンテナ取付用溝 １４ｂ…ストラップリング取付用溝 １４ｃ…高調波抑圧用溝 １５…ポールピース １６…エンベロープ １７ａ、１７ｂ…１／４波長チョーク １８…出力アンテナ １９…絶縁円筒部分 ２０…出力部 ２１…ストラップリング ２２…ラジエター ２３…永久磁石 ２４…ガスケット接触リング ２５…ガスケット ２６…第１磁気ヨーク ２７…第２磁気ヨーク
Claims (4)
- 【請求項１】 円筒状のアノ一ドと、このアノ一ドの中
央に位置する陰極と、前記アノ一ドと前記陰極間に放射
状に配置された複数のベインとを具備した電子レンジ用
マグネトロンにおいて、前記複数のベインのうち、その
少なくとも１つの上辺または下辺に溝を設け、この溝の
深さＬを０ｍｍ＜Ｌ＜６ｍｍの範囲にしたことを特徴と
する電子レンジ用マグネトロン。 - 【請求項２】 複数のベインの全てに溝を設けた請求項
１記載の電子レンジ用マグネトロン。 - 【請求項３】 複数のベインのうちその一部は出力側の
上辺に、残りの少なくとも一部は入力側の下辺に溝を設
けた請求項１記載の電子レンジ用マグネトロン。 - 【請求項４】 円筒状のアノ一ドと、このアノ一ドの中
央に位置する陰極と、前記アノ一ドと前記陰極間に放射
状に配置され、アンテナ取付用の溝およびストラップリ
ング取付用の溝が設けられた複数のベインとを具備した
電子レンジ用マグネトロンにおいて、前記複数のベイン
のうち、その少なくとも１つの上辺または下辺に溝を設
け、この溝の深さＬを０ｍｍ＜Ｌ＜６ｍｍの範囲にした
ことを特徴とする電子レンジ用マグネトロン。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9312969A JPH11149879A (ja) | 1997-11-14 | 1997-11-14 | 電子レンジ用マグネトロン |
| KR1019980048695A KR19990045267A (ko) | 1997-11-14 | 1998-11-13 | 전자 레인지용 마그네트론 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9312969A JPH11149879A (ja) | 1997-11-14 | 1997-11-14 | 電子レンジ用マグネトロン |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11149879A true JPH11149879A (ja) | 1999-06-02 |
Family
ID=18035671
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9312969A Pending JPH11149879A (ja) | 1997-11-14 | 1997-11-14 | 電子レンジ用マグネトロン |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11149879A (ja) |
| KR (1) | KR19990045267A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1326184C (zh) * | 2002-11-21 | 2007-07-11 | 三星电子株式会社 | 用于微波炉的磁控管 |
| KR100913145B1 (ko) | 2003-05-29 | 2009-08-19 | 삼성전자주식회사 | 마그네트론 |
-
1997
- 1997-11-14 JP JP9312969A patent/JPH11149879A/ja active Pending
-
1998
- 1998-11-13 KR KR1019980048695A patent/KR19990045267A/ko not_active Ceased
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| CN1326184C (zh) * | 2002-11-21 | 2007-07-11 | 三星电子株式会社 | 用于微波炉的磁控管 |
| KR100913145B1 (ko) | 2003-05-29 | 2009-08-19 | 삼성전자주식회사 | 마그네트론 |
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| Publication number | Publication date |
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| KR19990045267A (ko) | 1999-06-25 |
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