JPH11154634A - 半導体装置の製造方法及び製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法及び製造装置Info
- Publication number
- JPH11154634A JPH11154634A JP9319472A JP31947297A JPH11154634A JP H11154634 A JPH11154634 A JP H11154634A JP 9319472 A JP9319472 A JP 9319472A JP 31947297 A JP31947297 A JP 31947297A JP H11154634 A JPH11154634 A JP H11154634A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoresist film
- wafer
- developing
- manufacturing
- exposed portion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高精度且つ微細に露光したフォトレジスト膜
を現像・リンスした場合でもパターン倒れのない均一な
レジストパターンを形成できる半導体装置の製造方法を
提供する。 【解決手段】 ウエハ２上に形成されたフォトレジスト
膜３に対し、パターン状に露光を行う露光工程、フォト
レジスト膜３の露光部４を現像液５に溶解させる現像工
程、及び露光部４のフォトレジスト膜を溶解した現像液
５をリンス液６で洗浄除去するリンス工程を含んでなる
半導体装置の製造方法において、リンス工程時に少なく
ともフォトレジスト膜の非露光部４に対し、その非露光
部４を硬化させるために光照射を行う。
を現像・リンスした場合でもパターン倒れのない均一な
レジストパターンを形成できる半導体装置の製造方法を
提供する。 【解決手段】 ウエハ２上に形成されたフォトレジスト
膜３に対し、パターン状に露光を行う露光工程、フォト
レジスト膜３の露光部４を現像液５に溶解させる現像工
程、及び露光部４のフォトレジスト膜を溶解した現像液
５をリンス液６で洗浄除去するリンス工程を含んでなる
半導体装置の製造方法において、リンス工程時に少なく
ともフォトレジスト膜の非露光部４に対し、その非露光
部４を硬化させるために光照射を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウエハ上に形成さ
れたフォトレジスト膜を現像してレジストパターンを形
成する工程を経る半導体装置の製造方法に関する。
れたフォトレジスト膜を現像してレジストパターンを形
成する工程を経る半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、半導体装置を製造する場合、
図３に示すような工程に従ってレジストパターンが作製
されている。
図３に示すような工程に従ってレジストパターンが作製
されている。
【０００３】即ち、ポジパターンＰが形成されたレクチ
ル１を介して、ウエハ２上に形成されたフォトレジスト
膜３を光ｈνで露光する（図３（ａ））。これにより、
フォトレジスト膜３の露光部は、現像液に対する溶解性
を獲得する。また、非露光部は非溶解性のままである。
ル１を介して、ウエハ２上に形成されたフォトレジスト
膜３を光ｈνで露光する（図３（ａ））。これにより、
フォトレジスト膜３の露光部は、現像液に対する溶解性
を獲得する。また、非露光部は非溶解性のままである。
【０００４】次に、露光処理されたフォトレジスト膜を
現像液５で現像すると、フォトレジスト膜の非露光部４
以外のフォトレジスト膜は、現像液５に溶出する（図３
（ｂ））。
現像液５で現像すると、フォトレジスト膜の非露光部４
以外のフォトレジスト膜は、現像液５に溶出する（図３
（ｂ））。
【０００５】次に、現像液５を除去するために、ウエハ
２の全面を純水等のリンス液６でリンスし（図３
（ｃ））、十分に水切りする。すると、狭いフォトレジ
スト膜の非露光部４の一部の間４ａに、リンス液６が取
り残される（図３（ｄ））。
２の全面を純水等のリンス液６でリンスし（図３
（ｃ））、十分に水切りする。すると、狭いフォトレジ
スト膜の非露光部４の一部の間４ａに、リンス液６が取
り残される（図３（ｄ））。
【０００６】従って、ウエハ全体を乾燥させることによ
り、フォトレジスト膜の非露光部４からなるレジストパ
ターンをウエハ２上に形成することができる（図３
（ｅ））。
り、フォトレジスト膜の非露光部４からなるレジストパ
ターンをウエハ２上に形成することができる（図３
（ｅ））。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ＬＳＩの集
積度が進むと共にそのデザインルールは小さくなり、そ
れに伴ってフォトレジストの現像性能、現像後のパター
ン均一性も高度なものが要求されており、そのため、露
光したフォトレジスト膜を現像する際に利用する現像液
吐出ノズルの形状や現像方式の改善に関する種々の提案
がなされている。
積度が進むと共にそのデザインルールは小さくなり、そ
れに伴ってフォトレジストの現像性能、現像後のパター
ン均一性も高度なものが要求されており、そのため、露
光したフォトレジスト膜を現像する際に利用する現像液
吐出ノズルの形状や現像方式の改善に関する種々の提案
がなされている。
【０００８】しかしながら、現像液吐出ノズルの形状や
吐出方式の従来の改善策の場合、マイクロバブルに起因
すると考えられる現像欠陥を抑制することができ且つ線
幅均一性もかなり向上させることができるが、レジスト
パターンの微細化が進むにつれて、現像後のレジストパ
ターン均一性が低下する傾向がある。特に、ウエハ上の
露光したフォトレジスト膜を現像液で現像し、リンス液
でリンスして水切りした場合、図４に示すように、フォ
トレジスト膜の非露光部４は、それらの間４ａに取り残
されたリンス液６の表面張力によりパターン倒れを生じ
るという大きな問題がある。この結果、現像欠陥が増大
し、半導体装置の製造時の歩留まりの大幅な低下を引き
起こすという問題がある。
吐出方式の従来の改善策の場合、マイクロバブルに起因
すると考えられる現像欠陥を抑制することができ且つ線
幅均一性もかなり向上させることができるが、レジスト
パターンの微細化が進むにつれて、現像後のレジストパ
ターン均一性が低下する傾向がある。特に、ウエハ上の
露光したフォトレジスト膜を現像液で現像し、リンス液
でリンスして水切りした場合、図４に示すように、フォ
トレジスト膜の非露光部４は、それらの間４ａに取り残
されたリンス液６の表面張力によりパターン倒れを生じ
るという大きな問題がある。この結果、現像欠陥が増大
し、半導体装置の製造時の歩留まりの大幅な低下を引き
起こすという問題がある。
【０００９】特に、疎密が異なる種々のレジストパター
ンが存在する半導体回路上では、それらパターンの種類
に依存することなく均一にレジストパターンを現像形成
できるようにすることが強く求められている。
ンが存在する半導体回路上では、それらパターンの種類
に依存することなく均一にレジストパターンを現像形成
できるようにすることが強く求められている。
【００１０】本発明は、以上説明した従来の技術の課題
を解決しようとするものであり、高精度且つ微細に露光
したフォトレジスト膜を現像・リンスした場合でもパタ
ーン倒れのない均一なレジストパターンを形成できる半
導体装置の製造方法を提供する。
を解決しようとするものであり、高精度且つ微細に露光
したフォトレジスト膜を現像・リンスした場合でもパタ
ーン倒れのない均一なレジストパターンを形成できる半
導体装置の製造方法を提供する。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明者は、ウエハ上の
露光現像したフォトレジスト膜をリンスする際に、残存
するフォトレジスト膜の非露光部に対し、それを硬化さ
せうる光を照射して非露光部を硬化させることにより上
述の課題を解決できることを見出し、本発明を完成させ
るに至った。
露光現像したフォトレジスト膜をリンスする際に、残存
するフォトレジスト膜の非露光部に対し、それを硬化さ
せうる光を照射して非露光部を硬化させることにより上
述の課題を解決できることを見出し、本発明を完成させ
るに至った。
【００１２】即ち、本発明は、ウエハ上に形成されたフ
ォトレジスト膜に対し、パターン状に露光を行う露光工
程、フォトレジスト膜の露光部を現像液に溶解させる現
像工程、及び露光部のフォトレジスト膜を溶解した現像
液をリンス液で洗浄除去するリンス工程を含んでなる半
導体装置の製造方法において、リンス工程時に少なくと
もフォトレジスト膜の非露光部に対し、その非露光部を
硬化させるための光照射を行うことを特徴とする製造方
法を提供する。
ォトレジスト膜に対し、パターン状に露光を行う露光工
程、フォトレジスト膜の露光部を現像液に溶解させる現
像工程、及び露光部のフォトレジスト膜を溶解した現像
液をリンス液で洗浄除去するリンス工程を含んでなる半
導体装置の製造方法において、リンス工程時に少なくと
もフォトレジスト膜の非露光部に対し、その非露光部を
硬化させるための光照射を行うことを特徴とする製造方
法を提供する。
【００１３】また、本発明は、その製造方法を実施する
ための装置として、フォトレジスト膜が形成されたウエ
ハを保持し且つ回転させることのできるウエハチャック
が内部に設けられた現像カップと、現像カップの上方に
設けられた、現像液を供給する現像液供給ノズルとリン
ス液を供給するリンス液供給ノズルと、更にウエハの上
方に、現像されたフォトレジスト膜を硬化させるための
光照射を行うための光照射装置を提供する。
ための装置として、フォトレジスト膜が形成されたウエ
ハを保持し且つ回転させることのできるウエハチャック
が内部に設けられた現像カップと、現像カップの上方に
設けられた、現像液を供給する現像液供給ノズルとリン
ス液を供給するリンス液供給ノズルと、更にウエハの上
方に、現像されたフォトレジスト膜を硬化させるための
光照射を行うための光照射装置を提供する。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下に、本発明を図面を参照しつ
つ詳細に説明する。
つ詳細に説明する。
【００１５】本発明の半導体装置の製造方法は、少なく
とも以下の露光工程、現像工程及びリンス工程を含む。
とも以下の露光工程、現像工程及びリンス工程を含む。
【００１６】露光工程 図１（ａ）に示すように、ポジパターンＰが形成された
レクチル１を介して、ウエハ２上に形成されたフォトレ
ジスト膜３を光ｈνで露光する。これにより、フォトレ
ジスト膜３の露光部は、現像液に対する溶解性を獲得す
る。また、非露光部は非溶解性のままである。
レクチル１を介して、ウエハ２上に形成されたフォトレ
ジスト膜３を光ｈνで露光する。これにより、フォトレ
ジスト膜３の露光部は、現像液に対する溶解性を獲得す
る。また、非露光部は非溶解性のままである。
【００１７】現像工程 次に、露光工程を経たウエハ２を、図２に示すような現
像ユニット２０で現像する。この現像の結果、フォトレ
ジスト膜の非露光部４以外のフォトレジスト膜は、現像
液５に溶出する（図１（ｂ））。
像ユニット２０で現像する。この現像の結果、フォトレ
ジスト膜の非露光部４以外のフォトレジスト膜は、現像
液５に溶出する（図１（ｂ））。
【００１８】ここで使用する現像ユニット２０は、ウエ
ハ２を保持し且つモータ２１で回転するウエハチャック
２２が、現像カップ２３内に設けられている構造を有す
る。また、ウエハチャック２２の上方には、現像液を供
給する現像液供給ノズル２４とリンス液（純水）を供給
するリンス液供給ノズル２５とが設けられ、更にウエハ
２の上方数センチの所には、ウエハ２の全面に光照射と
してＵＶ照射を行うためのＵＶ照射ユニット２６を備え
ている。ＵＶ照射ユニット２６としては、公知のユニッ
トを使用することができる。従って、現像ユニット２０
は、公知の現像ユニットに光照射装置として公知のＵＶ
照射ユニットが組み合わされたものと考えることができ
る。
ハ２を保持し且つモータ２１で回転するウエハチャック
２２が、現像カップ２３内に設けられている構造を有す
る。また、ウエハチャック２２の上方には、現像液を供
給する現像液供給ノズル２４とリンス液（純水）を供給
するリンス液供給ノズル２５とが設けられ、更にウエハ
２の上方数センチの所には、ウエハ２の全面に光照射と
してＵＶ照射を行うためのＵＶ照射ユニット２６を備え
ている。ＵＶ照射ユニット２６としては、公知のユニッ
トを使用することができる。従って、現像ユニット２０
は、公知の現像ユニットに光照射装置として公知のＵＶ
照射ユニットが組み合わされたものと考えることができ
る。
【００１９】なお、現像の具体的操作としては、現像液
供給ノズル２４からウエハ２上に現像液をウエハ２全面
に吐出し、所定の時間、現像液とフォトレジスト膜３と
を接触させる操作を挙げることができる。この場合、現
像液の供給は、ウエハ２上のフォトレジスト膜３に衝撃
を与えないように、圧力を加えない状態で行う。
供給ノズル２４からウエハ２上に現像液をウエハ２全面
に吐出し、所定の時間、現像液とフォトレジスト膜３と
を接触させる操作を挙げることができる。この場合、現
像液の供給は、ウエハ２上のフォトレジスト膜３に衝撃
を与えないように、圧力を加えない状態で行う。
【００２０】リンス工程 次に、露光部のフォトレジスト溶解物を除去する目的
で、リンス液供給ノズル２５からリンス液６をウエハ２
上に供給する（図１（ｃ））。このとき、リンス液６を
供給すると同時に、残存するフォトレジスト膜の非露光
部４を硬化する目的で、ＵＶ照射ユニット２６からウエ
ハ２全面にＵＶを照射する（図１（ｄ））。この間、リ
ンス液６は供給し続けることが好ましい。
で、リンス液供給ノズル２５からリンス液６をウエハ２
上に供給する（図１（ｃ））。このとき、リンス液６を
供給すると同時に、残存するフォトレジスト膜の非露光
部４を硬化する目的で、ＵＶ照射ユニット２６からウエ
ハ２全面にＵＶを照射する（図１（ｄ））。この間、リ
ンス液６は供給し続けることが好ましい。
【００２１】その後、リンス液６の供給を停止し、ウエ
ハ２を高速で回転させてリンス液６を振り切る。する
と、狭いフォトレジスト膜非露光部４の一部の間４ａ
に、リンス液６が取り残されるが（図１（ｅ））、フォ
トレジストは硬化しているので、パターン倒れは生じな
い。そして、常法により乾燥することにより、フォトレ
ジスト膜非露光部４からなるレジストパターンをウエハ
２上に形成することができる（図１（ｆ））。
ハ２を高速で回転させてリンス液６を振り切る。する
と、狭いフォトレジスト膜非露光部４の一部の間４ａ
に、リンス液６が取り残されるが（図１（ｅ））、フォ
トレジストは硬化しているので、パターン倒れは生じな
い。そして、常法により乾燥することにより、フォトレ
ジスト膜非露光部４からなるレジストパターンをウエハ
２上に形成することができる（図１（ｆ））。
【００２２】なお、ＵＶ照射時間を短くするとパターン
倒れが発生しやすく、長くしすぎるとレジスト線幅の変
化を誘発してしまうので、好ましくは照射時間を１５秒
〜６０秒の間で任意に変更することにより、得られるレ
ジストパターンの均一性を適宜調整することができる。
倒れが発生しやすく、長くしすぎるとレジスト線幅の変
化を誘発してしまうので、好ましくは照射時間を１５秒
〜６０秒の間で任意に変更することにより、得られるレ
ジストパターンの均一性を適宜調整することができる。
【００２３】また、ウエハ２とＵＶ照射ユニット２６と
の間隔を調整することによっても同様の効果があり、そ
の調整可能範囲は好ましくは数ミリから１０センチ程度
である。
の間隔を調整することによっても同様の効果があり、そ
の調整可能範囲は好ましくは数ミリから１０センチ程度
である。
【００２４】なお、本発明の製造方法は、フォトレジス
ト膜のリンス工程以外の工程（露光工程、現像工程その
他）については、従来の製造方法と同様とすることがで
きる。
ト膜のリンス工程以外の工程（露光工程、現像工程その
他）については、従来の製造方法と同様とすることがで
きる。
【００２５】
【発明の効果】本発明によれば、高精度且つ微細に露光
したフォトレジスト膜を現像・リンスした場合でもパタ
ーン倒れのない均一なレジストパターンで半導体装置を
製造することができる。
したフォトレジスト膜を現像・リンスした場合でもパタ
ーン倒れのない均一なレジストパターンで半導体装置を
製造することができる。
【図１】本発明の半導体装置の製造方法の説明図であ
る。
る。
【図２】本発明で使用する現像ユニットの概略図であ
る。
る。
【図３】従来の半導体の製造方法の説明図である。
【図４】従来の半導体の製造方法において生ずるレジス
トパターン倒れの説明図である。
トパターン倒れの説明図である。
１ レチクル、２ ウエハ、３ フォトレジスト膜、４
フォトレジスト膜の非露光部、５ 現像液、６ リン
ス液
フォトレジスト膜の非露光部、５ 現像液、６ リン
ス液
Claims (4)
- 【請求項１】 ウエハ上に形成されたフォトレジスト膜
に対し、パターン状に露光を行う露光工程、フォトレジ
スト膜の露光部を現像液に溶解させる現像工程、及び露
光部のフォトレジスト膜を溶解した現像液をリンス液で
洗浄除去するリンス工程を含んでなる半導体装置の製造
方法において、リンス工程時に少なくともフォトレジス
ト膜の非露光部に対し、その非露光部を硬化させるため
の光照射を行うことを特徴とする製造方法。 - 【請求項２】 リンス工程時に、フォトレジスト膜の全
面に光照射を行う請求項１記載の製造方法。 - 【請求項３】 非露光部を硬化させるために照射する光
が紫外線である請求項１又は２記載の製造方法。 - 【請求項４】 フォトレジスト膜が形成されたウエハを
保持し且つ回転させることのできるウエハチャックが内
部に設けられた現像カップと、現像カップの上方に設け
られた、現像液を供給する現像液供給ノズルとリンス液
を供給するリンス液供給ノズルと、更にウエハの上方
に、現像されたフォトレジスト膜を硬化させるための光
照射を行うための光照射装置とを有することを特徴とす
る半導体装置の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9319472A JPH11154634A (ja) | 1997-11-20 | 1997-11-20 | 半導体装置の製造方法及び製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9319472A JPH11154634A (ja) | 1997-11-20 | 1997-11-20 | 半導体装置の製造方法及び製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11154634A true JPH11154634A (ja) | 1999-06-08 |
Family
ID=18110590
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9319472A Pending JPH11154634A (ja) | 1997-11-20 | 1997-11-20 | 半導体装置の製造方法及び製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11154634A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6900117B2 (en) | 2000-10-30 | 2005-05-31 | Seiko Epson Corporation | Method of fabricating bumps utilizing a resist layer having photosensitive agent and resin |
| WO2006018960A1 (ja) * | 2004-08-18 | 2006-02-23 | Tokyo Electron Limited | 現像処理方法 |
| KR100698093B1 (ko) * | 2005-07-26 | 2007-03-23 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 포토레지스트 패턴의 형성방법 |
-
1997
- 1997-11-20 JP JP9319472A patent/JPH11154634A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6900117B2 (en) | 2000-10-30 | 2005-05-31 | Seiko Epson Corporation | Method of fabricating bumps utilizing a resist layer having photosensitive agent and resin |
| WO2006018960A1 (ja) * | 2004-08-18 | 2006-02-23 | Tokyo Electron Limited | 現像処理方法 |
| KR100698093B1 (ko) * | 2005-07-26 | 2007-03-23 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 포토레지스트 패턴의 형성방법 |
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