JPH11154643A - 露光装置および該装置を用いた露光方法 - Google Patents
露光装置および該装置を用いた露光方法Info
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- JPH11154643A JPH11154643A JP10226519A JP22651998A JPH11154643A JP H11154643 A JPH11154643 A JP H11154643A JP 10226519 A JP10226519 A JP 10226519A JP 22651998 A JP22651998 A JP 22651998A JP H11154643 A JPH11154643 A JP H11154643A
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- temperature
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 露光光吸収による熱的変化を除去することに
より、露光中でも光学特性の変化しにくい露光装置を提
供する。 【解決手段】 原版Rを照明する照明系201と、該照
明系201にて照明された前記原版Rを感光性基板W上
に投影する投影系PLとを備えた露光装置において、前
記投影系PLは、複数の光学要素Liを有し、前記複数
の光学要素のうち少なくとも1つの所定の光学要素に隣
接する少なくとも一方の投影光路Sjに所定の気体を流
入させる気体流入装置100を設けた露光装置。気体流
入装置を備えるので、照明系からの熱を吸収する該所定
の光学要素を冷却でき、露光中の光学特性の変化を抑え
る。
より、露光中でも光学特性の変化しにくい露光装置を提
供する。 【解決手段】 原版Rを照明する照明系201と、該照
明系201にて照明された前記原版Rを感光性基板W上
に投影する投影系PLとを備えた露光装置において、前
記投影系PLは、複数の光学要素Liを有し、前記複数
の光学要素のうち少なくとも1つの所定の光学要素に隣
接する少なくとも一方の投影光路Sjに所定の気体を流
入させる気体流入装置100を設けた露光装置。気体流
入装置を備えるので、照明系からの熱を吸収する該所定
の光学要素を冷却でき、露光中の光学特性の変化を抑え
る。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、照明系と投影系を
備えた露光装置に関し、特に照明系の供給する光の波長
が短波長であり、投影系が熱膨張係数の比較的大きい硝
材で構成された光学要素を有する露光装置及び該装置を
用いた露光方法に関するものである。
備えた露光装置に関し、特に照明系の供給する光の波長
が短波長であり、投影系が熱膨張係数の比較的大きい硝
材で構成された光学要素を有する露光装置及び該装置を
用いた露光方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体素子や液晶基板等を製造するため
のリソグラフィー工程において、レチクルあるいはフォ
トマスク等(以下単に「レチクル」という)のパターン
像を投影光学系を介して感光基板上に露光する露光装置
が使用されている。一般に、このような露光装置は、光
源の光でレチクルを均一に照明するための照明光学系
と、レチクルに形成された回路パターンをウェハー等の
基板上に結像するための投影光学系と、基板を支持し且
つ適宜移動させて位置決めするためのステージ手段とか
らなっている。
のリソグラフィー工程において、レチクルあるいはフォ
トマスク等(以下単に「レチクル」という)のパターン
像を投影光学系を介して感光基板上に露光する露光装置
が使用されている。一般に、このような露光装置は、光
源の光でレチクルを均一に照明するための照明光学系
と、レチクルに形成された回路パターンをウェハー等の
基板上に結像するための投影光学系と、基板を支持し且
つ適宜移動させて位置決めするためのステージ手段とか
らなっている。
【0003】近年、半導体集積回路は微細化の方向で開
発が進み、リソグラフィー工程においては、より微細化
を求めるために、リソグラフィー光源の露光波長を短波
長化する方向に向かっている。現在、波長248nmの
KrFエキシマレーザーをステッパー光源として採用し
た露光装置がすでに開発されている。また、波長193
nmのArFエキシマレーザー等が短波長光源の候補と
して注目されている。
発が進み、リソグラフィー工程においては、より微細化
を求めるために、リソグラフィー光源の露光波長を短波
長化する方向に向かっている。現在、波長248nmの
KrFエキシマレーザーをステッパー光源として採用し
た露光装置がすでに開発されている。また、波長193
nmのArFエキシマレーザー等が短波長光源の候補と
して注目されている。
【0004】このような250nm以下の短波長の領域
で、透過率の高い硝材として現在までによく知られてい
るものは極めて少なく、実用が容易なものはフッ化カル
シウム(CaF2 )と石英(SiO2 )のみである。こ
のうち、CaF2 は、色分散が小さく、SiO2 と違っ
てコンパクションが起きないという長所があり、特に、
最小線幅が0.5μm以下のような非常に高い光学性能
が要求される投影露光装置の場合、利用価値はとても大
きい。
で、透過率の高い硝材として現在までによく知られてい
るものは極めて少なく、実用が容易なものはフッ化カル
シウム(CaF2 )と石英(SiO2 )のみである。こ
のうち、CaF2 は、色分散が小さく、SiO2 と違っ
てコンパクションが起きないという長所があり、特に、
最小線幅が0.5μm以下のような非常に高い光学性能
が要求される投影露光装置の場合、利用価値はとても大
きい。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】以上のような投影露光
装置では、CaF2 は熱膨張率が、24×10-6/K
と、SiO2 (0.54×10-6/K)や、一般的なi
線用クラウン硝子(6〜8×10-6/K)より極めて大
きく、露光光の熱吸収による温度上昇によって大きな形
状変化が起こり、光学特性の変化が無視できない。
装置では、CaF2 は熱膨張率が、24×10-6/K
と、SiO2 (0.54×10-6/K)や、一般的なi
線用クラウン硝子(6〜8×10-6/K)より極めて大
きく、露光光の熱吸収による温度上昇によって大きな形
状変化が起こり、光学特性の変化が無視できない。
【0006】このような、露光光の熱吸収による温度上
昇による光学特性の変化を制御する方法として、レンズ
の熱的変化による形状変化を測定し、その測定値に基づ
いてあるレンズ間隔や、ウエハステージを移動させる方
法が提案されている(特開平5−144701)。しか
し固体であるレンズの熱的形状変化を、十分な精度で測
ることは現実的には困難である。特に、変化の絶対値が
大きくなると、誤差が大きくなり、十分な性能が引き出
せない。
昇による光学特性の変化を制御する方法として、レンズ
の熱的変化による形状変化を測定し、その測定値に基づ
いてあるレンズ間隔や、ウエハステージを移動させる方
法が提案されている(特開平5−144701)。しか
し固体であるレンズの熱的形状変化を、十分な精度で測
ることは現実的には困難である。特に、変化の絶対値が
大きくなると、誤差が大きくなり、十分な性能が引き出
せない。
【0007】そこで本発明は、露光光吸収による熱的変
化を除去することにより、露光中でも光学特性の変化し
にくい露光装置及び該装置を用いた露光方法を提供する
ことを目的としている。
化を除去することにより、露光中でも光学特性の変化し
にくい露光装置及び該装置を用いた露光方法を提供する
ことを目的としている。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項1に係る発明による露光装置は、図1に示す
ように、原版Rを照明する照明系201と、該照明系2
01にて照明された前記原版Rを感光性基板W上に投影
する投影系PLとを備えた露光装置において;前記投影
系PLは、複数の光学要素Liを有し;前記複数の光学
要素のうち少なくとも1つの所定の光学要素に隣接する
少なくとも一方の投影光路Sjに所定の冷却用気体を流
入させる気体流入装置100を設けたことを特徴とす
る。
に、請求項1に係る発明による露光装置は、図1に示す
ように、原版Rを照明する照明系201と、該照明系2
01にて照明された前記原版Rを感光性基板W上に投影
する投影系PLとを備えた露光装置において;前記投影
系PLは、複数の光学要素Liを有し;前記複数の光学
要素のうち少なくとも1つの所定の光学要素に隣接する
少なくとも一方の投影光路Sjに所定の冷却用気体を流
入させる気体流入装置100を設けたことを特徴とす
る。
【0009】このように構成すると、気体流入装置を備
えるので、照明系からの熱を吸収する該所定の光学要素
を冷却できる。
えるので、照明系からの熱を吸収する該所定の光学要素
を冷却できる。
【0010】この露光装置においては、請求項2に記載
のように、前記所定の光学要素は、熱膨張係数が10-5
[K-1]以上の硝材で構成されていることを特徴として
もよい。
のように、前記所定の光学要素は、熱膨張係数が10-5
[K-1]以上の硝材で構成されていることを特徴として
もよい。
【0011】この場合、光学要素の硝材の熱膨張係数が
10-5[K-1]以上と、比較的大きいが、気体流入装置
による冷却効果のために、該光学要素の変形を抑えるこ
とができる。
10-5[K-1]以上と、比較的大きいが、気体流入装置
による冷却効果のために、該光学要素の変形を抑えるこ
とができる。
【0012】前記露光装置においては、請求項3に記載
のように、前記硝材は、フッ化カルシウムを含み;前記
照明系は、250nm以下の波長の露光光を供給する光
源を含むことを特徴としてもよい。
のように、前記硝材は、フッ化カルシウムを含み;前記
照明系は、250nm以下の波長の露光光を供給する光
源を含むことを特徴としてもよい。
【0013】このように構成すると、250nm以下の
波長の露光光の光源を含むので、微細なパターンを感光
性基板に露光するのに適し、かつ光学要素の硝材がフッ
化カルシウムを含むので露光の際の色分散が小さく、コ
ンパクションが起きにくい。さらにその光学要素に隣接
する投影光路に気体を流入させる気体流入装置を設けた
ので、フッ化カルシウムを含む光学要素の変形を抑える
ことができる。
波長の露光光の光源を含むので、微細なパターンを感光
性基板に露光するのに適し、かつ光学要素の硝材がフッ
化カルシウムを含むので露光の際の色分散が小さく、コ
ンパクションが起きにくい。さらにその光学要素に隣接
する投影光路に気体を流入させる気体流入装置を設けた
ので、フッ化カルシウムを含む光学要素の変形を抑える
ことができる。
【0014】以上の露光装置では、請求項4に記載のよ
うに、前記気体がヘリウムであることを特徴とするのが
望ましい。このように構成すると、ヘリウムは熱伝導率
が大きく定圧比熱も大きいので効果的な熱交換ができ、
またヘリウムの絶対屈折率は空気に比べても1に極く近
いので流入させる気体による光学的特性の変化を小さく
抑えることができる。
うに、前記気体がヘリウムであることを特徴とするのが
望ましい。このように構成すると、ヘリウムは熱伝導率
が大きく定圧比熱も大きいので効果的な熱交換ができ、
またヘリウムの絶対屈折率は空気に比べても1に極く近
いので流入させる気体による光学的特性の変化を小さく
抑えることができる。
【0015】また、請求項5に記載のように、請求項1
乃至請求項4のいずれか1項に記載の露光装置を用いた
露光方法において;前記照明系によって前記原版を照明
する照明工程と;前記投影系によって前記原版を前記感
光性基板に露光する露光工程とを含む露光方法とするこ
とが好ましい。これによって、良好なる原版のパターン
像を感光性基板上に露光することができるため、良好な
半導体デバイス(半導体素子、液晶表示素子、薄膜磁気
ヘッドあるいはCCD等の撮像素子等)を製造すること
ができる。
乃至請求項4のいずれか1項に記載の露光装置を用いた
露光方法において;前記照明系によって前記原版を照明
する照明工程と;前記投影系によって前記原版を前記感
光性基板に露光する露光工程とを含む露光方法とするこ
とが好ましい。これによって、良好なる原版のパターン
像を感光性基板上に露光することができるため、良好な
半導体デバイス(半導体素子、液晶表示素子、薄膜磁気
ヘッドあるいはCCD等の撮像素子等)を製造すること
ができる。
【0016】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。本発明の投影系である、光学要素がレンズ
からなる投影光学系の、所定のレンズと隣接した投影光
路に、即ちレンズとレンズの間に形成された空間に気体
が流れており、気体とレンズとが接している場合、レン
ズの方が気体より温度が高いとすれば、熱の移動は、レ
ンズから気体に向かって主に伝導で起こる。
て説明する。本発明の投影系である、光学要素がレンズ
からなる投影光学系の、所定のレンズと隣接した投影光
路に、即ちレンズとレンズの間に形成された空間に気体
が流れており、気体とレンズとが接している場合、レン
ズの方が気体より温度が高いとすれば、熱の移動は、レ
ンズから気体に向かって主に伝導で起こる。
【0017】この場合、レンズを構成する硝材の熱膨張
係数が10-5[K-1]以上であると、熱膨張によるレン
ズの変形が大きくなり、光学的特性の変化が無視できな
くなる。例えば250nm以下の短波長の光に対して透
過率の高い例えば蛍石(フッ化カルシウム(Ca
F2 ))では、熱膨張率が24×10-6/Kと10
-5[K-1]より大きく、石英(SiO2 )の熱膨張率
0.54×10-6[K-1]や、一般的なi線用クラウン
硝子の熱膨張率6〜8×10-6[K-1]と比較して極め
て大きい。したがって、露光装置の照明光学系からの熱
膨張によるレンズの変形が大きくなり、光学的特性の変
化が無視できない。ここで、投影光路に流入させる気体
によって、熱膨張率の大きい硝材で形成されたレンズを
冷却し、投影光学系全体の温度(一般には環境温度)と
ほぼ均一な温度に保持すれば、光学的特性の変化を最小
限に抑えることができる。
係数が10-5[K-1]以上であると、熱膨張によるレン
ズの変形が大きくなり、光学的特性の変化が無視できな
くなる。例えば250nm以下の短波長の光に対して透
過率の高い例えば蛍石(フッ化カルシウム(Ca
F2 ))では、熱膨張率が24×10-6/Kと10
-5[K-1]より大きく、石英(SiO2 )の熱膨張率
0.54×10-6[K-1]や、一般的なi線用クラウン
硝子の熱膨張率6〜8×10-6[K-1]と比較して極め
て大きい。したがって、露光装置の照明光学系からの熱
膨張によるレンズの変形が大きくなり、光学的特性の変
化が無視できない。ここで、投影光路に流入させる気体
によって、熱膨張率の大きい硝材で形成されたレンズを
冷却し、投影光学系全体の温度(一般には環境温度)と
ほぼ均一な温度に保持すれば、光学的特性の変化を最小
限に抑えることができる。
【0018】一般に、伝熱量をQ[J・min-1]、流
す気体の重量流量をG[g・min-1]、定圧比熱をC
[J・g-1・K-1]、気体の流入温度と流出(排出)温
度との差をΔT[K]とすれば、次の関係がある。
す気体の重量流量をG[g・min-1]、定圧比熱をC
[J・g-1・K-1]、気体の流入温度と流出(排出)温
度との差をΔT[K]とすれば、次の関係がある。
【0019】Q=G・C・ΔT (1) また、熱伝達率をU[J・cm-2・K-1・min-1]、
伝熱面積(レンズの気体と接触する表面積)をA[cm
2 ]、レンズと気体の平均温度差をΔtm[K]とすれ
ば、熱伝達率Uは熱伝導率(図10)に比例し、また次
の関係がある。
伝熱面積(レンズの気体と接触する表面積)をA[cm
2 ]、レンズと気体の平均温度差をΔtm[K]とすれ
ば、熱伝達率Uは熱伝導率(図10)に比例し、また次
の関係がある。
【0020】Q=U・A・Δtm (2) ここで、流入させる気体としてヘリウム(He)を用い
る場合は、図10に示されるように、Heの定圧比熱は
空気の5倍以上あり、式(1)から気体流量Gを同一と
すれば、空気の場合と比べて流入と流出の温度差を1/
5にすることができる。すなわちレンズにおいて、気体
の流入部に近い箇所と流出部に近い箇所との温度差を小
さくすることができる。言い換えれば、レンズ全体の温
度分布を均一に近くすることができる。
る場合は、図10に示されるように、Heの定圧比熱は
空気の5倍以上あり、式(1)から気体流量Gを同一と
すれば、空気の場合と比べて流入と流出の温度差を1/
5にすることができる。すなわちレンズにおいて、気体
の流入部に近い箇所と流出部に近い箇所との温度差を小
さくすることができる。言い換えれば、レンズ全体の温
度分布を均一に近くすることができる。
【0021】さらに、図10に示されるように、Heの
熱伝導率は空気の6倍に近く(したがって、熱伝達率U
は空気の6倍に近く)、式(2)から同一伝熱面積Aで
平均温度差Δtmを空気の場合と比べて約1/6と小さ
くとることができ、レンズの温度を気体の温度に近く維
持できる。即ち、気体の温度管理を行えば、レンズの温
度も容易に望む温度に保持できる。
熱伝導率は空気の6倍に近く(したがって、熱伝達率U
は空気の6倍に近く)、式(2)から同一伝熱面積Aで
平均温度差Δtmを空気の場合と比べて約1/6と小さ
くとることができ、レンズの温度を気体の温度に近く維
持できる。即ち、気体の温度管理を行えば、レンズの温
度も容易に望む温度に保持できる。
【0022】さらに、図10からわかるように、Heは
空気に比べても絶対屈折率が極く1に近く、熱の移動に
より、気体の温度が変化しても、それによる光学特性の
変化は小さい。Heの流量を大きくすれば、式(1)か
らわかるように、所定の伝熱量Qに対して、Heの流入
と流出の温度差ΔTが小さくなるので、さらに光学特性
の変化は小さくなる。また、同図に示されるように、ネ
オンガス(Ne)も空気に比べて絶対屈折率と熱的特性
において優れているので、Heに代えて用いることがで
きる。
空気に比べても絶対屈折率が極く1に近く、熱の移動に
より、気体の温度が変化しても、それによる光学特性の
変化は小さい。Heの流量を大きくすれば、式(1)か
らわかるように、所定の伝熱量Qに対して、Heの流入
と流出の温度差ΔTが小さくなるので、さらに光学特性
の変化は小さくなる。また、同図に示されるように、ネ
オンガス(Ne)も空気に比べて絶対屈折率と熱的特性
において優れているので、Heに代えて用いることがで
きる。
【0023】本発明の実施例を、以下図面を参照して説
明する。なお、各図において互いに同一あるいは相当す
る部材には同一符号を付し、重複した説明は省略する。
明する。なお、各図において互いに同一あるいは相当す
る部材には同一符号を付し、重複した説明は省略する。
【0024】図1〜図5を参照して、本発明の実施例1
を説明する。実施例1は、屈折系の投影光学系に本発明
を適用した場合である。
を説明する。実施例1は、屈折系の投影光学系に本発明
を適用した場合である。
【0025】図1は投影レンズの光路図であるが、同図
において、照明光学系201で照明されたレチクルR上
のパターンを投影光学系PLでウエハW上に投影露光す
る。レチクルRとウエハWとは投影光学系PLに対して
共役な関係に置かれる。本実施例では、投影光学系PL
は、26枚のレンズL1〜Li〜L26(iは1〜26
の整数)で構成されている。光源201は、光源に波長
193.4nmのArFレーザーを用いている。
において、照明光学系201で照明されたレチクルR上
のパターンを投影光学系PLでウエハW上に投影露光す
る。レチクルRとウエハWとは投影光学系PLに対して
共役な関係に置かれる。本実施例では、投影光学系PL
は、26枚のレンズL1〜Li〜L26(iは1〜26
の整数)で構成されている。光源201は、光源に波長
193.4nmのArFレーザーを用いている。
【0026】図2と図3に、実施例1の光学データを示
す。図3は図2の続きである。このデータにおいて、最
左欄は光学要素の各面の番号を、次の欄の曲率半径[m
m]においてマイナスは図1において下に凸、プラスは
上に凸であることを示す。次の欄の面間隔は、各面の光
軸に沿った間隔[mm]、ガラス名の欄では’sio
2’は石英、’caf2’はフッ化カルシウムを示し、
それらの間が空欄の箇所はレンズ間隙には空気が存在
し、’he’とある箇所には、Heが流されていること
を示す。
す。図3は図2の続きである。このデータにおいて、最
左欄は光学要素の各面の番号を、次の欄の曲率半径[m
m]においてマイナスは図1において下に凸、プラスは
上に凸であることを示す。次の欄の面間隔は、各面の光
軸に沿った間隔[mm]、ガラス名の欄では’sio
2’は石英、’caf2’はフッ化カルシウムを示し、
それらの間が空欄の箇所はレンズ間隙には空気が存在
し、’he’とある箇所には、Heが流されていること
を示す。
【0027】図2、図3では、使用する照明光の波長は
193.4nmであり、そのとき、空気との相対屈折率
は、それぞれSiO2 は1.560192、CaF2 は
1.501347、Heは0.999717である。
193.4nmであり、そのとき、空気との相対屈折率
は、それぞれSiO2 は1.560192、CaF2 は
1.501347、Heは0.999717である。
【0028】図1においては、7枚のレンズ、L14、
L15、L20、L22、L24、L25、L26が、
フッ化カルシウム(CaF2 )を原料とするレンズであ
る。本実施例では、少なくとも片側にこれらフッ化カル
シム製のレンズが存在するレンズ間隙S1、S2、S
3、・・・Sj・・・S11(jは1〜11の整数)
に、Heの流入導管と流出導管が接続されており、各レ
ンズLiがHeガスで冷却できるようになっている。な
お、レンズの符号は、L1、L2、Li、L14、L1
5、L20、L22、L24、L25、L26のみ示し
残りは省略してある。
L15、L20、L22、L24、L25、L26が、
フッ化カルシウム(CaF2 )を原料とするレンズであ
る。本実施例では、少なくとも片側にこれらフッ化カル
シム製のレンズが存在するレンズ間隙S1、S2、S
3、・・・Sj・・・S11(jは1〜11の整数)
に、Heの流入導管と流出導管が接続されており、各レ
ンズLiがHeガスで冷却できるようになっている。な
お、レンズの符号は、L1、L2、Li、L14、L1
5、L20、L22、L24、L25、L26のみ示し
残りは省略してある。
【0029】ここで、L14等CaF2 製のレンズ部材
の周囲は、それらレンズを保持する工具と、光軸に沿っ
て、該レンズ部材の前後のレンズ部材や、反射部材等
の、光学部材のレンズ面を利用して、密閉空間を形成
し、該レンズ密閉空間を、Heで充填し、Heを供給、
排出できるように構成されている。
の周囲は、それらレンズを保持する工具と、光軸に沿っ
て、該レンズ部材の前後のレンズ部材や、反射部材等
の、光学部材のレンズ面を利用して、密閉空間を形成
し、該レンズ密閉空間を、Heで充填し、Heを供給、
排出できるように構成されている。
【0030】図1中、本発明の気体流入装置100は、
Heボンベ101、これとHe導管121で接続された
Heガス供給制御系102、これと各レンズ間隙Sjと
を接続するHeガス導管122、123、131〜14
1で構成されている。導管123はHeガス供給制御系
102からの導管122を、各レンズ間隙Sjに分岐す
るためのヘッダを構成しており、このヘッダ123に各
導管131〜141が接続されており、これら導管13
1〜141がそれぞれレンズ間隙S1〜S11の流入口
に接続されている。
Heボンベ101、これとHe導管121で接続された
Heガス供給制御系102、これと各レンズ間隙Sjと
を接続するHeガス導管122、123、131〜14
1で構成されている。導管123はHeガス供給制御系
102からの導管122を、各レンズ間隙Sjに分岐す
るためのヘッダを構成しており、このヘッダ123に各
導管131〜141が接続されており、これら導管13
1〜141がそれぞれレンズ間隙S1〜S11の流入口
に接続されている。
【0031】導管122には、弁V0が設置されてお
り、導管131〜141にはそれぞれ弁V1〜V11が
設置されている。弁V0はレンズ間隙Sj全体に供給す
るHeガスの量を調節するものであり、弁V1〜V11
は、各レンズ間隙S1〜S11に供給するHeガスの量
を調節するものである。これらの弁は後述の温度検出器
で検出したHeガス流出温度を制御する調節弁であって
もよいし、手動で開度を設定する手動弁であってもよ
い。
り、導管131〜141にはそれぞれ弁V1〜V11が
設置されている。弁V0はレンズ間隙Sj全体に供給す
るHeガスの量を調節するものであり、弁V1〜V11
は、各レンズ間隙S1〜S11に供給するHeガスの量
を調節するものである。これらの弁は後述の温度検出器
で検出したHeガス流出温度を制御する調節弁であって
もよいし、手動で開度を設定する手動弁であってもよ
い。
【0032】特にHeガス流量を多めに設定する場合
は、式(1)において、Gが大きくなるので温度差ΔT
は小さくなり、またHeガス流速が増えると熱伝達率U
が大きくなる結果Δtmも小さくなり、レンズの温度は
Heガスそのものの温度に極く近くなる。その結果、H
eガスの温度さえ所望の温度になってさえいれば、He
ガスの流量の厳密な調節は不要となるので、手動弁でも
差し支えない。
は、式(1)において、Gが大きくなるので温度差ΔT
は小さくなり、またHeガス流速が増えると熱伝達率U
が大きくなる結果Δtmも小さくなり、レンズの温度は
Heガスそのものの温度に極く近くなる。その結果、H
eガスの温度さえ所望の温度になってさえいれば、He
ガスの流量の厳密な調節は不要となるので、手動弁でも
差し支えない。
【0033】あるいは、弁は設けずに、レンズの温度を
望みの温度レンジに入れることができるような気体流量
を定める口径に導管を構成するようにしてもよい。
望みの温度レンジに入れることができるような気体流量
を定める口径に導管を構成するようにしてもよい。
【0034】また、弁V1〜V11があれば、普通は弁
V0は不要である。また弁V1〜V11を手動弁にし
て、弁V0だけを調節弁とする構成でもよい。さらに、
これらの弁V0、V1〜V11は供給制御系102の中
に含めて構成してもよい。
V0は不要である。また弁V1〜V11を手動弁にし
て、弁V0だけを調節弁とする構成でもよい。さらに、
これらの弁V0、V1〜V11は供給制御系102の中
に含めて構成してもよい。
【0035】各レンズ間隙S1〜S11には、それぞれ
Heガス流出導管151〜161が接続され、それら導
管をまとめるヘッダ171が設けられている。一方、H
eガスの排出を制御する排出制御系103が用意されて
おり、前記ヘッダ171と排出制御系103とは、導管
172で接続されている。
Heガス流出導管151〜161が接続され、それら導
管をまとめるヘッダ171が設けられている。一方、H
eガスの排出を制御する排出制御系103が用意されて
おり、前記ヘッダ171と排出制御系103とは、導管
172で接続されている。
【0036】導管151〜161の各々には、温度検出
器T1〜T11が、導管172には温度検出器T0が設
けられている。これら温度検出器は、それぞれの導管内
を流れるHeガスの温度を検出するものである。例え
ば、温度検出器T1で検出する温度を不図示の温度調節
器に送信し、その温度調節器の出力信号により調節弁V
1を作動し、温度検出器T1で検出する温度を所定の値
に調節するようにする。
器T1〜T11が、導管172には温度検出器T0が設
けられている。これら温度検出器は、それぞれの導管内
を流れるHeガスの温度を検出するものである。例え
ば、温度検出器T1で検出する温度を不図示の温度調節
器に送信し、その温度調節器の出力信号により調節弁V
1を作動し、温度検出器T1で検出する温度を所定の値
に調節するようにする。
【0037】したがって、温度検出器T1〜T11を設
けた場合は、導管172内のHeガス温度を著説する必
要はないので、温度検出器T0は設けなくてもよい。ま
た、温度検出器T1〜T11、T0は、単に温度計とし
て目視観察できるようにしておき、その観察結果に応じ
て、手動弁V1〜V11あるいはV0の開度を設定する
ようにしてもよい。なお図1では、弁の符号は、V0、
V1、V4、V11を代表として示し、残りは省略して
ある。また、自動弁であることを示すダイヤフラムの記
号も、これら4弁のみについて示し残りについては省略
してある。温度検出器の符号は、T0、T1、T4、T
11のみ示し、残りは省略してある。
けた場合は、導管172内のHeガス温度を著説する必
要はないので、温度検出器T0は設けなくてもよい。ま
た、温度検出器T1〜T11、T0は、単に温度計とし
て目視観察できるようにしておき、その観察結果に応じ
て、手動弁V1〜V11あるいはV0の開度を設定する
ようにしてもよい。なお図1では、弁の符号は、V0、
V1、V4、V11を代表として示し、残りは省略して
ある。また、自動弁であることを示すダイヤフラムの記
号も、これら4弁のみについて示し残りについては省略
してある。温度検出器の符号は、T0、T1、T4、T
11のみ示し、残りは省略してある。
【0038】あるいは、特にHeガス流量を多めに設定
する場合は、先に説明したように温度差ΔT、Δtm共
に小さくなり、厳密な流出ガス温度調節は不要となるの
で、Heガスの流出温度をモニターする必要はなく、こ
れら温度検出器は設けなくてもよい。
する場合は、先に説明したように温度差ΔT、Δtm共
に小さくなり、厳密な流出ガス温度調節は不要となるの
で、Heガスの流出温度をモニターする必要はなく、こ
れら温度検出器は設けなくてもよい。
【0039】一般にHeガスをボンベから供給する場合
は、供給されるガスの温度はほぼ環境温度になり、特に
供給温度の調節や温度のモニターは不要であるが、必要
に応じて供給温度をモニターする温度検出器を供給制御
系102に組み込んでもよい。また供給するガスの温度
を調節する熱交換器(不図示)あるいは熱交換器及び供
給温度調節器を設けてもよい。
は、供給されるガスの温度はほぼ環境温度になり、特に
供給温度の調節や温度のモニターは不要であるが、必要
に応じて供給温度をモニターする温度検出器を供給制御
系102に組み込んでもよい。また供給するガスの温度
を調節する熱交換器(不図示)あるいは熱交換器及び供
給温度調節器を設けてもよい。
【0040】排出制御系103については、気体流入装
置100側にバルブV1〜V11、あるいはV0を設け
る代わりに、排出制御系103内にバルブを設けてHe
ガスの流量を制御するように構成してもよく、また前記
温度検出器T0をここに含めて構成してもよい。
置100側にバルブV1〜V11、あるいはV0を設け
る代わりに、排出制御系103内にバルブを設けてHe
ガスの流量を制御するように構成してもよく、また前記
温度検出器T0をここに含めて構成してもよい。
【0041】このようにして、CaF2 レンズ部材の露
光光吸収による熱的変化を速やかに除去できる投影露光
装置が提供される。
光光吸収による熱的変化を速やかに除去できる投影露光
装置が提供される。
【0042】図4、図5にこのレンズの縦収差と、横収
差の収差図を示す。図4には、図1に示されるレンズL
1〜L26が、本発明の実施により全て等しい温度に維
持されている場合の縦収差が示されている。示されてい
る収差は、縦方向球面収差(LONGITUDINAL
SPHERICAL ABERRATION)、非点
収差(ASTIGMATIC FIELD CURVE
S)、歪曲収差(DISTORTION)である。後者
2収差は、縦軸に物高さ(OBJ HT)をとって示し
てある。
差の収差図を示す。図4には、図1に示されるレンズL
1〜L26が、本発明の実施により全て等しい温度に維
持されている場合の縦収差が示されている。示されてい
る収差は、縦方向球面収差(LONGITUDINAL
SPHERICAL ABERRATION)、非点
収差(ASTIGMATIC FIELD CURVE
S)、歪曲収差(DISTORTION)である。後者
2収差は、縦軸に物高さ(OBJ HT)をとって示し
てある。
【0043】図5には、横収差であるコマ収差(COM
A ABERRATION)が、メリジオナル(接線)
方向(TANGENTIAL)とサジタル方向(SAG
ITTAL)について示されている。高さ(FIELD
HEIGHT)の単位はmmである。用いた光線の波
長は、193.4nmである。
A ABERRATION)が、メリジオナル(接線)
方向(TANGENTIAL)とサジタル方向(SAG
ITTAL)について示されている。高さ(FIELD
HEIGHT)の単位はmmである。用いた光線の波
長は、193.4nmである。
【0044】これら図3と図4に示されているように、
良好に投影光学系の収差が補正されている。
良好に投影光学系の収差が補正されている。
【0045】図6〜図9に、本発明の実施例2を示す。
この実施例は、反射屈折系にこの発明を適用した場合で
ある。照明光としては、193.3nmのArFレーザ
ーを用いている。また3枚のCaF2 レンズを含んでい
る。
この実施例は、反射屈折系にこの発明を適用した場合で
ある。照明光としては、193.3nmのArFレーザ
ーを用いている。また3枚のCaF2 レンズを含んでい
る。
【0046】図6は投影レンズの光路図であるが、同図
において、不図示の、図1の場合と同様な照明光学系で
照明されたレチクルR上のパターンを投影光学系PLで
ウエハW上に投影露光する。レチクルRとウエハWとは
投影光学系PLに対して共役な関係に置かれる。本実施
例では、投影光学系PLは、24枚のレンズL31〜L
i〜L41、及びレンズL49〜Li〜L61で構成さ
れている。但し、図6の光路図ではLi(iは31〜6
1の整数)の番号は、照明光がその光路にそって通過す
るレンズに番号を付したもので、そのうち7枚のレンズ
L35〜L41は往復で照明光が通過するので、それぞ
れL42〜L48と重複しており、同一のレンズであ
る。即ち、24枚のレンズに31個の番号が付されてい
る。
において、不図示の、図1の場合と同様な照明光学系で
照明されたレチクルR上のパターンを投影光学系PLで
ウエハW上に投影露光する。レチクルRとウエハWとは
投影光学系PLに対して共役な関係に置かれる。本実施
例では、投影光学系PLは、24枚のレンズL31〜L
i〜L41、及びレンズL49〜Li〜L61で構成さ
れている。但し、図6の光路図ではLi(iは31〜6
1の整数)の番号は、照明光がその光路にそって通過す
るレンズに番号を付したもので、そのうち7枚のレンズ
L35〜L41は往復で照明光が通過するので、それぞ
れL42〜L48と重複しており、同一のレンズであ
る。即ち、24枚のレンズに31個の番号が付されてい
る。
【0047】レンズの符号は、L31、L35、L3
9、L41、L42、L44、L48、L49、L5
0、L51、L52、L53、L59、L60、L61
のみ示し、残りは省略してある。
9、L41、L42、L44、L48、L49、L5
0、L51、L52、L53、L59、L60、L61
のみ示し、残りは省略してある。
【0048】本実施例の光源としては、波長193.3
nmのArFレーザーを用いている。
nmのArFレーザーを用いている。
【0049】図7と図8に、実施例2の光学データを示
す。図8は図7の続きである。ガラス名の欄では実施例
1と同様に、’sio2’は石英、’caf2’はフッ
化カルシウムを示し、それらの間が空欄の箇所はレンズ
間隙には空気が存在し、’he’とある箇所には、He
が流されていることを示す。
す。図8は図7の続きである。ガラス名の欄では実施例
1と同様に、’sio2’は石英、’caf2’はフッ
化カルシウムを示し、それらの間が空欄の箇所はレンズ
間隙には空気が存在し、’he’とある箇所には、He
が流されていることを示す。
【0050】図7、図8では、使用する照明光の波長は
193.3nmであり、そのとき、空気との相対屈折率
は、それぞれSiO2 は1.560326、CaF2 は
1.501455、Heは0.999717である。
193.3nmであり、そのとき、空気との相対屈折率
は、それぞれSiO2 は1.560326、CaF2 は
1.501455、Heは0.999717である。
【0051】図6においては、3枚のレンズ、L39
(L44)、L52、L60が、フッ化カルシウム製の
レンズである。本実施例2では、実施例1と同様に少な
くとも片側にこれらフッ化カルシム製のレンズが存在す
るレンズ間隙に、Heの流入導管と流出導管が接続され
ており、それら各レンズがHeガスで冷却できるように
なっている。
(L44)、L52、L60が、フッ化カルシウム製の
レンズである。本実施例2では、実施例1と同様に少な
くとも片側にこれらフッ化カルシム製のレンズが存在す
るレンズ間隙に、Heの流入導管と流出導管が接続され
ており、それら各レンズがHeガスで冷却できるように
なっている。
【0052】図6中、本発明の気体流入装置100は、
Heボンベ101、これとHe導管で接続されたHeガ
ス供給制御系102、これと前記各レンズ間隙とを接続
するHeガスの枝導管で構成されている。各枝導管はそ
れぞれ、前記レンズ間隙気体流入口に接続されている。
Heボンベ101、これとHe導管で接続されたHeガ
ス供給制御系102、これと前記各レンズ間隙とを接続
するHeガスの枝導管で構成されている。各枝導管はそ
れぞれ、前記レンズ間隙気体流入口に接続されている。
【0053】図6には、弁は不図示であるが、流入側導
管に、図1のよううに弁V0が設置されており、また各
間隙への枝導管にはそれぞれ弁V1〜V11が設置され
ていてもよいのは、実施例1と同様である。そのような
弁V0、弁V1〜V11の機能、作動も実施例1と同様
であるので詳述しない。
管に、図1のよううに弁V0が設置されており、また各
間隙への枝導管にはそれぞれ弁V1〜V11が設置され
ていてもよいのは、実施例1と同様である。そのような
弁V0、弁V1〜V11の機能、作動も実施例1と同様
であるので詳述しない。
【0054】前記各レンズ間隙には、それぞれHeガス
流出導管が接続され、それら導管は合流して、Heガス
の排出を制御する排出制御系103に接続されている。
流出導管が接続され、それら導管は合流して、Heガス
の排出を制御する排出制御系103に接続されている。
【0055】各流出側の導管には、温度検出器が設けら
れていてもよい。
れていてもよい。
【0056】る。これら温度検出器は、それぞれの導管
内を流れるHeガスの温度を検出するものである。これ
らの温度検出器の機能、作用も、実施例1と同様である
ので詳述しない。排出制御系についても同様である。
内を流れるHeガスの温度を検出するものである。これ
らの温度検出器の機能、作用も、実施例1と同様である
ので詳述しない。排出制御系についても同様である。
【0057】以上の実施例では、HeボンベからHeガ
スを供給する構成としたが、排出されたHeを流入側に
戻して使用する、(不図示の)循環使用型として構成し
てもよい。即ち、排出制御系103からの排出導管をH
eボンベ101を経由せずに供給制御系102に接続し
て導管と各機器からなる閉回路を形成する。この閉回路
中のいずれかの箇所には、Heガスを循環させる不図示
の循環ポンプ、コンプレッサ、ファン等のガス循環装置
を設け、またいずれかの箇所に、レンズ間の間隙で加熱
されたHeガスを冷却する不図示の熱交換器を設ける。
スを供給する構成としたが、排出されたHeを流入側に
戻して使用する、(不図示の)循環使用型として構成し
てもよい。即ち、排出制御系103からの排出導管をH
eボンベ101を経由せずに供給制御系102に接続し
て導管と各機器からなる閉回路を形成する。この閉回路
中のいずれかの箇所には、Heガスを循環させる不図示
の循環ポンプ、コンプレッサ、ファン等のガス循環装置
を設け、またいずれかの箇所に、レンズ間の間隙で加熱
されたHeガスを冷却する不図示の熱交換器を設ける。
【0058】漏洩損失するHeガスを補充するために、
Heガスボンベを設ける。ボンベからの導管は、前記循
環閉回路中、一般的には前記ガス循環装置の直前に接続
する。
Heガスボンベを設ける。ボンベからの導管は、前記循
環閉回路中、一般的には前記ガス循環装置の直前に接続
する。
【0059】熱交換器で冷却して得る温度は、一般的に
は環境温度あるいはそれより僅かに低い温度とするが、
被冷却レンズの設計温度とすればよい。さらに厳密に
は、レンズの温度が環境温度あるいはそのレンズの光学
特性が得られる設計温度になるようなガス温度とする。
は環境温度あるいはそれより僅かに低い温度とするが、
被冷却レンズの設計温度とすればよい。さらに厳密に
は、レンズの温度が環境温度あるいはそのレンズの光学
特性が得られる設計温度になるようなガス温度とする。
【0060】図9に実施例2のレンズ系の横収差である
コマ収差(COMA ABERRATION)が、メリ
ジオナル方向(Y−FAN)とサジタル方向(X−FA
N)について示されている。高さ(FIELD HEI
GHT)の単位は最大高さを1.0として、比率で示し
てある。用いた光線の波長は、193.3nmである。
コマ収差(COMA ABERRATION)が、メリ
ジオナル方向(Y−FAN)とサジタル方向(X−FA
N)について示されている。高さ(FIELD HEI
GHT)の単位は最大高さを1.0として、比率で示し
てある。用いた光線の波長は、193.3nmである。
【0061】同図のフィールド高さについては、図11
に示されるように、光軸との交点から4mm軸をはずし
た点にS1をとり、これからさらに6mm軸はずしをし
た点をS2、点S2からS1−S2に直角な方向15m
mだけはずれたところに点S3をとってある。なお、光
軸中心に露光光は達しない。図6は、それぞれ点S1、
S2、S3におけるコマ収差である。
に示されるように、光軸との交点から4mm軸をはずし
た点にS1をとり、これからさらに6mm軸はずしをし
た点をS2、点S2からS1−S2に直角な方向15m
mだけはずれたところに点S3をとってある。なお、光
軸中心に露光光は達しない。図6は、それぞれ点S1、
S2、S3におけるコマ収差である。
【0062】本図に示されているように、良好に投影光
学系の収差が補正されている。
学系の収差が補正されている。
【0063】このように本発明は、反射系、反射屈折
系、屈折系のいずれでも有効に適用できる。また、以上
の実施例からもわかるように、波長250nm以下のC
aF2の利用価値が大きくかつ大出力であるエキシマレ
ーザーではこの方法は特に有力である。また、波長20
0nm以下、例えば193.3nmあるいは193.4
nm以下のArFエキシマレーザーでの利用価値はさら
に高い。このように短波長では、必要な透過率が得られ
るのはCaF2 であり、この硝材は温度を一定に保持す
ることで良好な光学特性を発揮するからである。
系、屈折系のいずれでも有効に適用できる。また、以上
の実施例からもわかるように、波長250nm以下のC
aF2の利用価値が大きくかつ大出力であるエキシマレ
ーザーではこの方法は特に有力である。また、波長20
0nm以下、例えば193.3nmあるいは193.4
nm以下のArFエキシマレーザーでの利用価値はさら
に高い。このように短波長では、必要な透過率が得られ
るのはCaF2 であり、この硝材は温度を一定に保持す
ることで良好な光学特性を発揮するからである。
【0064】実施例1、実施例2においては、本発明の
気体としてヘリウムガス(He)を用いる場合を説明し
たが、空気であってもよいし、ネオンガス(Ne)、窒
素ガス(N2 )、アルゴンガス(Ar)であってもよ
い。要はレンズ間の間隙を密閉空間とせずに、気体を流
通させて光学要素を冷却すればよい。但し、Heガスを
用いれば、その物理的特性から冷却効果が高いし、光学
的特性も好ましい。また、ネオンガスも同様な観点から
好ましいものの一つである。
気体としてヘリウムガス(He)を用いる場合を説明し
たが、空気であってもよいし、ネオンガス(Ne)、窒
素ガス(N2 )、アルゴンガス(Ar)であってもよ
い。要はレンズ間の間隙を密閉空間とせずに、気体を流
通させて光学要素を冷却すればよい。但し、Heガスを
用いれば、その物理的特性から冷却効果が高いし、光学
的特性も好ましい。また、ネオンガスも同様な観点から
好ましいものの一つである。
【0065】また、本発明を、例えば特開平5−144
701のような調整方法と組み合わせればより有効であ
る。即ち、レンズの温度調整、管理をすると共に、投影
光学系を構成するレンズの熱的変化による形状変化に関
する情報を形状測定手段で測定し、その情報に基づい
て、投影光学系の光学的特性の変化を調整手段で調整す
る。
701のような調整方法と組み合わせればより有効であ
る。即ち、レンズの温度調整、管理をすると共に、投影
光学系を構成するレンズの熱的変化による形状変化に関
する情報を形状測定手段で測定し、その情報に基づい
て、投影光学系の光学的特性の変化を調整手段で調整す
る。
【0066】なお、波長250nm以下の光の透過率が
比較的高く、しかも熱膨張係数が10-5(K-1)以上の
硝材として、蛍石(CaF2 )以外に、フッ化リチウム
(LiF)、フッ化マグネシウム(MgF2 )及びフッ
化バリウム(BaF2 )等がある。
比較的高く、しかも熱膨張係数が10-5(K-1)以上の
硝材として、蛍石(CaF2 )以外に、フッ化リチウム
(LiF)、フッ化マグネシウム(MgF2 )及びフッ
化バリウム(BaF2 )等がある。
【0067】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、所定の光
学要素に隣接する投影光路に気体を流入させる気体流入
装置を設けたので、照明系からの熱による投影系の熱的
変化を除去することができ、露光中でも投影系の光学特
性が変化しにくい露光装置が得られる。そして、その露
光装置を用いた露光方法によって、原版のパターンを感
光性基板に露光すれば良好なる半導体デバイスを製造す
ることができる。
学要素に隣接する投影光路に気体を流入させる気体流入
装置を設けたので、照明系からの熱による投影系の熱的
変化を除去することができ、露光中でも投影系の光学特
性が変化しにくい露光装置が得られる。そして、その露
光装置を用いた露光方法によって、原版のパターンを感
光性基板に露光すれば良好なる半導体デバイスを製造す
ることができる。
【図1】本発明の実施例1の装置の概略構成図である。
【図2】本発明の実施例1の光学データを示すデータ図
である。
である。
【図3】図3の続きを示すデータ図である。
【図4】実施例1の縦収差図である。
【図5】実施例1の横収差図である。
【図6】本発明の実施例2の装置の概略構成図である。
【図7】本発明の実施例2の光学データを示すデータ図
である。
である。
【図8】図7の続きを示すデータ図である。
【図9】実施例2の横収差図である。
【図10】Heと空気の特性を示すデータ図である。
【図11】実施例2の露光フィールド図である。
100 気体流入装置 101 Heボンベ 102 供給制御系 103 排出制御系 121〜122 導管 131〜141 導管 151〜161 導管 171、172 導管 201 照明系 L1〜L26 レンズ L31〜L61 レンズ PL 投影系 R レチクル W ウエハ V0〜V11 バルブ T1〜T11 温度検出器
Claims (5)
- 【請求項1】 原版を照明する照明系と、該照明系にて
照明された前記原版を感光性基板上に投影する投影系と
を備えた露光装置において;前記投影系は、複数の光学
要素を有し;前記複数の光学要素のうち少なくとも1つ
の所定の光学要素に隣接する少なくとも一方の投影光路
に所定の冷却用気体を流入させる気体流入装置を設けた
ことを特徴とする;露光装置。 - 【請求項2】 前記所定の光学要素は、熱膨張係数が1
0-5[K-1]以上の硝材で構成されていることを特徴と
する、請求項1に記載の露光装置。 - 【請求項3】 前記硝材は、フッ化カルシウムを含み;
前記照明系は、250nm以下の波長の露光光を供給す
る光源を含むことを特徴とする、請求項2に記載の露光
装置。 - 【請求項4】 前記気体がヘリウムであることを特徴と
する、請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の露光装
置。 - 【請求項5】 請求項1乃至請求項4のいずれか1項に
記載の露光装置を用いた露光方法において;前記照明系
によって前記原版を照明する照明工程と;前記投影系に
よって前記原版を前記感光性基板に露光する露光工程と
を含むことを特徴とする露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10226519A JPH11154643A (ja) | 1997-09-16 | 1998-07-27 | 露光装置および該装置を用いた露光方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26922797 | 1997-09-16 | ||
| JP9-269227 | 1997-09-16 | ||
| JP10226519A JPH11154643A (ja) | 1997-09-16 | 1998-07-27 | 露光装置および該装置を用いた露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11154643A true JPH11154643A (ja) | 1999-06-08 |
Family
ID=26527203
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10226519A Pending JPH11154643A (ja) | 1997-09-16 | 1998-07-27 | 露光装置および該装置を用いた露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11154643A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008118135A (ja) * | 2006-11-07 | 2008-05-22 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
| JP2012089840A (ja) * | 2010-10-19 | 2012-05-10 | Asml Netherlands Bv | ガスマニホールド、リソグラフィ装置用モジュール、リソグラフィ装置、及びデバイス製造方法 |
-
1998
- 1998-07-27 JP JP10226519A patent/JPH11154643A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008118135A (ja) * | 2006-11-07 | 2008-05-22 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
| JP2012089840A (ja) * | 2010-10-19 | 2012-05-10 | Asml Netherlands Bv | ガスマニホールド、リソグラフィ装置用モジュール、リソグラフィ装置、及びデバイス製造方法 |
| US8675169B2 (en) | 2010-10-19 | 2014-03-18 | Asml Netherlands B.V. | Gas manifold, module for a lithographic apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method |
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