JPH11154656A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

基板処理装置および基板処理方法

Info

Publication number
JPH11154656A
JPH11154656A JP31966097A JP31966097A JPH11154656A JP H11154656 A JPH11154656 A JP H11154656A JP 31966097 A JP31966097 A JP 31966097A JP 31966097 A JP31966097 A JP 31966097A JP H11154656 A JPH11154656 A JP H11154656A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
processing
liquid
substrate
pure water
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP31966097A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3715421B2 (ja
Inventor
Hiroyuki Araki
浩之 荒木
Kenichiro Arai
健一郎 新居
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority to JP31966097A priority Critical patent/JP3715421B2/ja
Priority to US09/195,190 priority patent/US6352083B1/en
Publication of JPH11154656A publication Critical patent/JPH11154656A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3715421B2 publication Critical patent/JP3715421B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板保持間隔が狭くなった場合にも、急速排
液時に基板同士のくっつきを防止して基板の損傷を防止
する。 【解決手段】 制御手段27はリフタ24を制御して、
水洗槽21内の純水面外に少なくともウエハ2の一部を
位置させるように上昇させた後に、バルブ部材33を開
放制御して水洗槽21内の処置済み処理液を急速排液す
るため、その急速排液による液面の低下に伴う各ウエハ
2の上側同士を引き寄せる力は、処理液面外に出たウエ
ハ2に対する純水の液面のより低い位置から働くように
なってより軽減され、ウエハ2の保持間隔がハーフピッ
チと狭くなった場合にも、従来のガイドのような別部材
を処理槽内に必要とせず、ウエハ2の表面同士の接触に
よるくっつきがなくなってウエハ2の損傷を防止するこ
とができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば薬液または
リンス液(薬液およびリンス液を総称して処理液とい
う)を貯留する処理槽に、半導体ウエハや液晶表示パネ
ル用ガラス基板などの薄板状の被処理基板(以下単に基
板という)を浸漬して基板に所定の処理を施す基板処理
装置および基板処理方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体ウエハや液晶表示パネル用
ガラス基板などを用いた精密電子基板の製造プロセスに
おいては、基板を処理液に浸漬して種々の表面処理を施
している。このような表面処理においては、エッチング
液やフォトレジスト膜剥離液などの薬液を貯留した薬液
槽とリンス液である純水を貯留した水洗槽とを有し、薬
液槽さらに水洗槽に順次基板を浸漬して、薬液槽にて基
板に薬液処理を施した後に、さらに、水洗槽にて基板に
付着した薬液やパーティクルを洗い流すリンス処理をし
ている。
【0003】このリンス処理には、薬液槽で付着した薬
液を基板から素早く水洗する機能水洗処理があり、この
機能水洗処理について以下に説明する。
【0004】図5(a)〜図5(e)は、従来の機能水
洗処理における各工程を模式的に示す薬液処理部、機能
水洗処理部の縦断面図であり、(a)はウエハ上昇状
態、(b)はウエハ浸漬およびオーバーフロー状態、
(c)は急速排液およびシャワー出力状態、(d)はア
ップフローおよびシャワー出力状態、(e)はオーバー
フロー状態を示している。
【0005】図5(a)に示すように、薬液槽52の昇
降手段としてのリフタ(図示せず)から搬送用ロボット
(図示せず)に受け渡された複数の半導体ウエハ(以
下、単にウエハという)53は、搬送用ロボットによっ
て機能水洗槽51のリフタ55に受け渡される。リフタ
55は下降して、複数のウエハ53をそれぞれ下方から
3つのウエハガイド54の溝部分で所定間隔(例えばノ
ーマルピッチP=6.00mm、またはハーフピッチP
/2)毎に受けて保持した状態で、複数のウエハ53を
ウエハガイド54と共に機能水洗槽51内の純水中に浸
漬する。このように、ウエハ53を純水内に浸漬させた
状態で、図5(b)に示すように、機能水洗槽51内の
底部の両側に配設された純水供給部56から純水を供給
し続けて機能水洗槽51の上部開口端51aから純水を
オーバーフローさせて、薬液処理時にウエハ53に付着
した薬液、および薬液処理により発生した物質(パーテ
ィクル)を純水と共に槽外に流し出すようにしている。
【0006】さらに、所定時間、オーバーフローさせた
後に、図5(c)に示すように、ウエハ53の表面が親
水性の場合には、一時的に、その純水供給部56からの
純水の供給を停止すると共に、機能水洗槽51の側壁下
部に配設されている排液口57を開口して、薬液やパー
ティクルが混じった槽内全液の急速排液を行うようにし
ている。このとき、これと同時または所定時間後(急速
排液でウエハ53が空気に晒され始めるまでの時間内)
に、機能水洗槽51の上部開口端51aの上方位置に互
いに対向して配設されたシャワーパイプ58の各ノズル
部(図示せず)から純水をウエハ53の表面上側部分に
向けてシャワーさせるようにしたことで、ウエハ53の
表面が部分的に空気中に晒されるのを防止して自然酸化
膜の成長を抑制するようになっている。
【0007】さらに、このシャワー出力状態で槽内全液
の急速排液完了後に、図5(d)に示すように、機能水
洗槽51内の底部の排液口57を閉鎖して、両側の各純
水供給部56から純水をそれぞれ供給して機能水洗槽5
1内に純水をアップフローさせつつ満たすことで、槽内
の純水への置換効率を高めるようにしている。
【0008】さらに、図5(e)に示すように、機能水
洗槽51内の底部の各純水供給部56から純水の供給を
さらに継続することで、機能水洗槽51の上部開口端5
1aから純水をオーバーフローさせてウエハ53の表面
に付着した薬液やパーティクルを純水と共に槽外に流し
出すようになっている。
【0009】その後、上記と同様に、図6(a)〜図6
(c)に示しように、時間T1で図5(c)の純水供給
停止、槽内全液の急速排液(ドレインオープン)および
シャワー出力、時間T2で図5(d)の純水供給による
アップフローおよびシャワー出力、排液停止(ドレイン
クローズ)、さらに、時間T3で図5(e)の純水供給
によるオーバーフロー、シャワー停止および排液停止
(ドレインクローズ)の図5(c)〜図5(e)の各ス
テップを所定回数だけ繰り返して、薬液やパーティクル
をウエハ53の表面上から素早く取り除くことでウエハ
53に対する薬液の影響を防止する機能水洗処理を終了
するようになっている。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記従来の
構成では、図7(a)に示すように、槽内の複数のウエ
ハ53は、それぞれその下側3個所をウエハガイド54
の各保持用溝部54aに抜き差し自在な状態で差し込む
ことにより、つまり、ウエハ53は、それぞれの下側に
対してのみ所定間隔を保持するように動きを規制するこ
とによって、隣接配置している。このため、図5(c)
に示す槽内全液の急速排液時に、一気に排液されること
による液面61の急激な低下に伴って、また、排液口5
7へ向かって急に流れる液の勢いも複雑に作用して、図
7(b)に示すようにウエハ53の動きを規制されてい
ない上側が互いに引き寄せられて、ウエハガイド54の
保持用溝部54aに当接するウエハ53の下端部53a
を中心としてウエハ53の表面が互いに傾いて接触して
しまうという問題を有していた。特に、ウエハ53の表
面が親水性の場合には、ウエハ53の表面に水分を残し
た状態で互いに接触してくっついてしまうので、くっつ
いたウエハ53同士を剥がそうとしても剥がれにくく、
無理に剥がそうとするとウエハ53に傷をつけたり割れ
たりするという問題を有していた。また、ウエハ53同
士がくっつくことによりパーティクルを発生したり、一
方のウエハ53に付着しているパーティクルが他方のウ
エハ53に付着するという問題を有していた。特に、複
数のウエハ53の保持間隔がハーフピッチP/2で狭い
場合には、この問題は顕著に表れる。
【0011】以上のように、複数のウエハ53をそれぞ
れ下方から3つのウエハガイド54の保持用溝部54a
でそれぞれ保持しているが、上記のようなウエハ53同
士のくっつきを解決するために、その溝構造を鋭角状の
V溝としてウエハ53が動かないような強固な保持構造
にすると、一気に排液されることによる液面61の急激
な低下に伴ってウエハ53の上側が互いに引き寄せられ
て傾くように作用することで、ウエハ53にひびが入っ
たり割れたりして破損してしまうという問題を有してい
た。
【0012】また、水洗槽51内に複数のウエハ53を
固定するための溝構造部を形成したガイドを設け、ウエ
ハ53同士のくっつきを防止することも考えられるが、
その溝付きのガイドという部材が別途必要であると共
に、そのガイドとウエハガイド54の保持用溝部54a
との位置調整も困難であり、しかも、そのガイドによっ
て水洗槽51内の液流れが阻害されて処理液置換特性も
悪化するという問題がある。
【0013】本発明は、上記従来の問題を解決するもの
で、上記したような溝付きのガイドを別途必要せず、槽
内全液の急速排液時に基板同士のくっつきを防止して基
板の損傷やパーティクルの発生やパーティクルの付着を
防止することができる基板処理装置および基板処理方法
を提供することを目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】本発明の基板処理装置
は、処理液を貯留可能な処理槽と、基板を処理槽に対し
て昇降移動させる昇降手段とを備え、この昇降手段によ
って基板を処理槽内に移動させて処理槽内に供給された
処理液中に浸漬させて処理を施す基板処理装置におい
て、処理槽内で基板に処理を施した処理済み液を処理槽
から急速排液させる排液手段と、この排液手段を制御し
て処理槽内の処理済み液を排液させる前に、昇降手段を
制御して処理槽内の処理液面外に少なくとも基板の一部
を位置させる制御手段とを有することを特徴とするもの
である。また、本発明の基板処理方法は、処理槽内に供
給された処理液中に昇降手段で基板を浸漬させて処理を
施し、処理済み液を急速排液する基板処理方法におい
て、処理槽内の処理液面外に少なくとも基板の一部を位
置させた後に、処理槽内の処置済み処理液を急速排液す
ることを特徴とするものである。
【0015】この構成により、急速排液時における急激
な液面の低下に伴って各基板の上側が互いに引き寄せら
れるように力が働き、基板同士がくっつきやすいが、本
発明では、処理槽内の処理液面外に少なくとも基板の一
部を位置させた後に、処理槽内の処置済み処理液を急速
排液するので、急激な液面の低下に伴う各基板の上側を
引き寄せ合う力は、処理液面外に出た基板の処理液面の
より低い位置から働くことで軽減され、基板の表面同士
の接触によるくっつきがなくなって基板の損傷が防止さ
れる。
【0016】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図面を参照して説明するが、本発明は以下に示す実施形
態に限定されるものではない。
【0017】図1は本発明の一実施形態における基板処
理装置を組み込んでなるウエットステーションの概略構
成を示す平面図であり、矢印Fで示される面が装置の正
面である。
【0018】図1において、ウエットステーション1
は、複数のウエハ2を収容したキャリア3から、各処理
槽へウエハ2を搬送するための搬送ロボット(図示せ
ず)に対して複数のウエハ2を一括して移載する搬入側
のウエハ移替部5と、これとは逆に、搬送ロボットから
キャリア3に複数のウエハ2を一括して移載する搬出側
のウエハ移替部6と、このウエハ移替部5に隣接し、薬
液または純水である各種処理液をそれぞれ貯留した複数
の処理槽にわたってウエハ2を順次浸漬させることによ
りウエハ2に薬液処理や水洗処理などの一連の各種処理
が施される処理ユニット7と、この処理ユニット7と搬
出側のウエハ移替部6との間に配設され、処理ユニット
7で処理後のウエハ2をスピン乾燥させる乾燥部8とを
有している。
【0019】この処理ユニット7は、これらの各処理槽
に複数のウエハ2を搬送するための搬送用ロボット(図
示せず)のハンド部分を洗浄するハンド洗浄部9と、こ
のハンド洗浄部9側に隣接し、例えば窒化膜除去用の薬
液として燐酸溶液などを貯留した薬液槽を有し、この薬
液槽にウエハ2を浸漬することで薬液処理する第1の燐
酸処理部10と、この燐酸処理部10側に隣接し、これ
と同様の窒化膜除去用の薬液として燐酸溶液を貯留した
薬液槽を有し、この薬液槽にウエハ2を浸漬することで
薬液処理する第2の燐酸処理部11と、本発明の基板処
理装置の一実施形態であって、この燐酸処理部11側に
隣接し、ウエハ2に付いた燐酸やパーティクルを素早く
水洗する機能水洗処理部12と、この機能水洗処理部1
2側に隣接し、ウエハ2を最終的に水洗する最終水洗処
理部13とを処理工程順に有している。
【0020】ここで、第1および第2の燐酸処理部1
0,11を設けたのは、これらの燐酸処理部10,11
による薬液処理としての窒化膜除去処理が他の処理部に
よる処理に比べて時間がかかるため、処理タクトを短縮
するべく並行して窒化膜除去処理を行うためである。ま
た、機能水洗処理部12を設けたのは、ウエハ2に付い
ていた燐酸が槽内に残っていると窒化膜除去機能が進行
するので、純水中に燐酸溶液の付いたウエハ2を浸漬さ
せた直後に一気に急速排液しつつ、新たなる純水と置換
することで、ウエハ2から離脱した燐酸溶液の純水に対
する濃度を素早くかつ急激に低下させて窒化膜除去機能
の進行を停止させるためである。
【0021】図2は図1の機能水洗処理部12の概略構
成を示す模式図である。図2において、この機能水洗処
理部12は、内部に満たされた純水中に複数のウエハ2
が浸漬自在なように上方を開放した処理槽としての水洗
槽21と、この水洗槽21の内部にオーバーフロー用の
純水を供給する純水供給手段22と、複数のウエハ2を
保持した状態で水洗槽21内の純水内に搬送する昇降手
段としてのリフタ24と、水洗槽21内で複数のウエハ
2にリンス処理を施した処理済み溶液(本実施形態では
純水に燐酸が混じった溶液)を槽外部に急速排液させる
排液手段25と、純水をウエハ2の表面上側部分に向け
てシャワーするシャワー手段26と、排液手段25を制
御して水洗槽21内の処理済み液を排液させる前に、リ
フタ24を制御して水洗槽21内の純水面外にウエハ2
の上側の一部を位置させるように上昇させる制御手段2
7とを有している。
【0022】この純水供給手段22は、水洗槽21内の
底部に対向して配設され、純水吐出用の複数のノズル口
(図示せず)が浸漬されたウエハ2の方向に向けて配設
された一対の筒状部材28と、これら一対の筒状部材2
8に連結され純水を通す配管部材29と、その配管部材
29の途中に配設された流量調節用のバルブ部材30と
を有し、バルブ部材30を開状態とすることで配管部材
29さらに一対の筒状部材28の複数のノズル口(図示
せず)を介して純水を供給し続けて水洗槽21の上部開
口端21aから純水をオーバーフローさせ、薬液処理時
にウエハ2の表面に付着した薬液やパーティクルを純水
と共に槽外に流し出すように構成している。
【0023】また、リフタ24は、複数のウエハ2をそ
れぞれ下方から3つのウエハガイド23の溝部分で所定
間隔(ハーフピッチP/2)毎に受けて保持した状態
で、水洗槽21内のリンス液である純水内に浸漬させて
処理する下側の水洗位置(2点鎖線に示す下位置A)と
水洗槽21内の純水面外にウエハ2の上側の一部が位置
する上側の排液時の位置(実線に示す中間位置B)との
間を上下に搬送するように構成している。
【0024】さらに、排液手段25は、浸漬される複数
のウエハ2の表面と対向した水洗槽21の側壁の最下部
分に配設された排液口31と、この排液口31に連結さ
れ処理済み液を排液するべく通す配管部材32と、この
配管部材32の途中に配設された流量調節用のバルブ部
材33とを有しており、急速排液時にはバルブ部材33
を開口することで水洗槽21内の処理済み液を短時間で
急速排液可能であり、また、ウエハ2の浸漬およびオー
バーフロー時にはバルブ部材33を閉止することで水洗
槽21内の処理済み液をオーバーフローさせて槽外に流
し出すようにしている。
【0025】さらに、シャワー手段26は、水洗槽21
の上部開口端21aの上方位置に互いに対向して配設さ
れ、純水吐出用の複数のノズル口(図示せず)が斜め下
方(ウエハ2の方向)に向けて配設された一対の筒状部
材34と、これら一対の筒状部材34に連結され純水を
通す配管部材35と、その配管部材35の途中に配設さ
れた流量調節用のバルブ部材36とを有し、対向した一
対の筒状部材34の各ノズル口(図示せず)から純水を
ウエハ2の表面上側部分に向けてシャワーすることで、
ウエハ2の表面が部分的に空気中に晒されるのを防止し
て自然酸化膜の成長を抑制するようになっている。
【0026】さらに、制御手段27はシーケンサやマイ
クロコンピュータなどで構成されており、シーケンサや
マイクロコンピュータからの制御信号でバルブ部材3
0,33,36をそれぞれ開閉制御すると共に、リフタ
24のリフト駆動部(図示せず)に対して上下動させる
ことで、水洗槽21内の純水面外にウエハ2の上側の一
部を位置させるように上昇させ、さらに、水洗槽21内
の処理済み液を急速排液制御するようになっている。
【0027】つまり、制御手段25はリフタ24のリフ
ト駆動部(図示せず)および、バルブ部材36の電磁バ
ルブ制御端子に接続されており、純水内に浸漬させて水
洗処理する2点鎖線の下位置Aから純水面外にウエハ2
の上側の一部が位置する中間位置Bまでリフタ24で複
数のウエハ2を搬送すると共に、シャワー手段26を制
御してシャワーするようになっている。また、制御手段
25は両バルブ部材30,33の電磁バルブ制御端子に
それぞれ接続されており、純水面外にウエハ2の上側の
一部が位置する上側の中間位置Bにリフタ24で複数の
ウエハ2を搬送させた後に、バルブ部材30を閉止状態
に制御してオーバーフロー用の純水供給を停止させてか
ら、バルブ部材33を開放状態に制御して急速排液する
ようになっている。
【0028】上記構成により、以下、その動作を説明す
る。まず、クリーンルーム内にウエットステーション1
が設置されており、オペレータは、正面方向からこのウ
エハ搬入側のウエハ移載部5における第1のテーブル上
に各キャリア3をそれぞれ載置する。その後、オペレー
タによるスイッチ操作で駆動を開始して、複数のウエハ
2を収容したキャリア3から搬送ロボットに複数のウエ
ハ2を一括して移載する。
【0029】次に、複数のウエハ2を、搬送用ロボット
(図示せず)のロボットハンドによって、複数のウエハ
2は一括してリフタ24に受渡されてリフタ24で処理
ユニット7の各処理槽内の処理液に浸漬されるように順
次搬送されて各種処理がそれぞれ施される。
【0030】この処理ユニット7におけるリンス処理に
は、薬液槽で付着した薬液をウエハ2から素早く水洗す
る機能水洗処理部12があり、この機能水洗処理部12
の動作について以下に詳細に説明する。
【0031】図3(a)〜図3(e)は、図1の機能水
洗処理部12における各工程を模式的に示す縦断面図で
あり、(a)はウエハ上昇状態、(b)はウエハ浸漬お
よびオーバーフロー状態、(c)はウエハ上昇およびシ
ャワー出力状態、(d)は急速排液状態、(e)はウエ
ハ浸漬およびオーバーフロー状態を示している。
【0032】図3(a)に示すように、燐酸処理部11
から搬送用ロボット(図示せず)で搬送してリフタ24
に受渡し、リフタ24は、複数のウエハ2をそれぞれ下
方から3つのウエハガイド23の溝部分で所定間隔毎に
受けて保持した状態で、複数のウエハ2をウエハガイド
23と共に水洗槽21内の純水中に浸漬する。このよう
に、ウエハ2を純水内に浸漬させた状態で、制御手段2
7はバルブ部材30を開放状態に制御すると共にバルブ
部材33を閉止状態に制御して、図3(b)に示すよう
に、水洗槽21内の底部の両側に配設された純水供給部
の一対の筒状部材28の各ノズル部(図示せず)から純
水を各ウエハ2に向けて供給し続けて水洗槽21の上部
開口端21aから純水をオーバーフローさせ、薬液処理
時にウエハ2の表面に付着した薬液、および薬液処理で
発生した物質(パーティクル)を純水で洗って槽外に流
し出す。
【0033】さらに、制御手段27は、所定時間だけオ
ーバーフローさせるように制御した後に、ウエハ2の表
面が親水性の場合において、リフタ24を所定の中間位
置Bまで上昇させるように制御すると共にバルブ部材3
6を開放状態に制御して、図3(c)に示すように、リ
フタ24と共に複数のウエハ2の上部を純水面外に位置
させ、かつ、シャワー手段26の、対向した一対の筒状
部材34の各ノズル口(図示せず)から純水をウエハ2
の表面上側部分に向けてシャワーすることで、ウエハ2
の表面が空気に晒されるのを防止することができる。こ
のとき、制御手段27は、図4(a)〜図4(c)にそ
の一例を示すように、時間T1で、排液口31から処理
済み液の急速排液を行うバルブ部材33は閉状態(ドレ
インクローズ)で、かつ、バルブ部材30は開放状態
(ON)に制御されてオーバーフロー用の純水の供給が
水洗槽21の底部にある筒状部材28の各ノズル口(図
示せず)から為されている。
【0034】このとき、水洗槽21内の純水面外にウエ
ハ2の上側の一部を位置させるが、本実施形態では直径
200mmのウエハ2の場合にその上側の40mm部分
(直径に対する露出比率20パーセント)を純水面外に
位置させた。この場合、槽内全液の急速排液時の液面低
下に伴うウエハ2同士のくっつきをなくすことができて
ウエハ2の表面の損傷を防止することができた。急速排
液時に、ウエハ2の液面から出る部分を多くするほど、
ウエハ2同士のくっつきによるウエハ2の損傷をより確
実に防止することができる。つまり、ウエハ2の高さ方
向に対する排液時の液面高さ位置を低くすることでウエ
ハ2同士のくっつきをより確実に軽減することができ、
リフタ24の上昇によってその条件を作り出すようにし
ている。したがって、純水面外にウエハ2の上側を出す
寸法(露出比率)は、ウエハ2間距離やその材質、厚さ
さらには保持状態にもよるが、実験的に急速排液時にウ
エハ2同士が互いに傾いてくっつかない程度の寸法(露
出比率)である。
【0035】さらに、制御手段27は、ウエハ上昇およ
びシャワー出力制御の後にそれらを保持した状態で、図
3(d)に示すように、バルブ部材30を閉状態(OF
F)に制御してオーバーフロー用の純水の供給を停止し
てから、図4(a)〜図4(c)にその一例を示すよう
に、時間T2でバルブ部材33を開放状態(OPEN)
に制御して、水洗槽21の底部の側壁部分に配設されて
いる排液口31から、処理済み液(薬液が混じった槽内
全液)の急速排液を行う。この急速排液中の時間T3
で、制御手段27は、リフタ24を複数のウエハ2と共
に所定の下位置(通常の浸漬位置)Aまで下降させるよ
うに制御する。このとき、排液時の液面の下降に伴うウ
エハ2への物理的負荷をより緩和するべく、急速排液に
よる液面低下に合わせるようにリフタ24を複数のウエ
ハ2と共に下降させるように制御してもよい。
【0036】さらに、この急速排液の完了時T4に、制
御手段27は、バルブ部材30を開放状態(ON)に制
御してアップフローさせ、少なくともウエハ2が純水内
に浸漬されるのに十分な時間T5まで、シャワー手段2
6によるシャワー状態を継続する。さらに、図3(e)
に示すように、水洗槽21内の一対の筒状部材28の各
ノズル部から純水をそれぞれ供給し続けることで、水洗
槽21の上部開口端21aから純水をオーバーフローさ
せてウエハ2の表面に付着した薬液、および薬液処理で
発生した物質(パーティクル)を純水と共に槽外に流し
出す。
【0037】その後上記と同様に、制御手段27がバル
ブ部材30,33,36およびリフタ24をそれぞれ制
御することで、図3(c)のウエハ上昇およびシャワー
出力状態、図3(d)の急速排液状態および図3(e)
のウエハ浸漬およびオーバーフロー状態の各ステップを
所定回数だけ繰り返して、ウエハ2の表面上から薬液お
よびパーティクルを素早く取り除くことで、ウエハ2に
対する薬液の影響を防止する機能水洗処理を終了する。
【0038】さらに、最終水洗処理部13でウエハ2を
最終的に水洗し、最終水洗処理部13で処理した複数の
ウエハ2を乾燥部8でスピン乾燥する。このようにし
て、所定の表面処理が為されスピン乾燥された複数のウ
エハ2は搬出側のウエハ移替部6に搬送用ロボット(図
示せず)で搬送されて回収され、搬出側のウエハ移替部
6において、上記ウエハ移替部5の場合とは逆に、2個
の搬送用のキャリア3に2つのウエハ群に分けられて前
後のキャリア3内にそれぞれ移し替えられることにな
る。オペレータは、処理済みの複数のウエハ2が収容さ
れた2つのキャリア3を搬出すればよい。
【0039】したがって、各基板である複数のウエハ2
はそれぞれその下方からリフタ24のウエハガイド23
の溝部分で受けられて保持されているために、槽内全液
の急速排液時における急激な液面の低下に伴って各ウエ
ハ2の上側が互いに引き寄せられるように力が働き、各
ウエハ2はそれぞれ上側ほど傾ける力の影響を受けやす
くウエハ2同士がくっつきやすいが、制御手段27はリ
フタ24を制御して、水洗槽21内の純水面外に少なく
ともウエハ2の上側の一部を位置させるように上昇させ
た後に、バルブ部材33を開放制御して水洗槽21内の
処置済み処理液を急速排液するため、その急速排液によ
る液面の低下に伴う各ウエハ2の上側を引き寄せる力
は、処理液面外に出たウエハ2に対する純水の液面のよ
り低い位置から働くようになってより軽減されて、ウエ
ハ2の保持間隔がハーフピッチと狭くなった場合にも、
従来のように水洗槽21内にガイドを取り付けるという
ような仕様変更をすることなく、急速排液時のリフタ2
4によるウエハ2の上昇のみで、ウエハ2の表面同士の
接触によるくっつきがなくなってウエハ2の損傷を防止
することができる。
【0040】なお、上記実施形態のウエットステーショ
ン1は、本発明に係る機能水洗処理部12が適用される
多槽式基板処理装置の一例であって、その具体的な構成
は、本発明の要旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能であ
る。例えば、多槽式基板処理装置だけではなく、単槽式
基板処理装置に対しても、処理液の急速排液を行って処
理液を置換する場合に適用可能なことはいうまでもない
ことである。また、例えば、上記実施形態では本発明を
機能水洗処理部12に適応したが、機能水洗処理部12
に限らず処理液の置換時に適応され、例えば燐酸処理部
10,11に本発明を適応してもよい。さらに、上記実
施形態の処理ユニット7では、一連の各種薬液処理とし
て、窒化膜除去処理の槽構成について説明してきたが、
この窒化膜除去処理の他に、レジスト剥離処理、酸化膜
エッチング処理、ライトエッチング処理および拡散前洗
浄処理などの各種薬液処理であってもよいことは言うま
でもないことである。
【0041】このように、本発明は、例えば同一槽で機
能水洗処理以外に薬液処理も行う所謂ワンバス式の基板
処理装置にも適応可能である。本発明にかかる基板処理
装置の適応範囲は、本実施形態による機能水洗処理部1
2に限定されず、基板を浸漬させて処理する基板処理装
置全般に適応可能である。
【0042】また、上記実施形態では、水洗槽21内の
処置済み処理液を急速排液する前に、水洗槽21内の処
理液面外にウエハ2の上側を位置させ、このとき、ウエ
ハ2の表面が空気に晒されるのを防止するために、シャ
ワー手段26によってウエハ2の表面にシャワーを行っ
たが、これに限らず、シャワー手段26の代りに窒素パ
ージするようにしてもよい。
【0043】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、処理槽内
の処理液面外に少なくとも基板の一部を位置させた後
に、処理槽内の処置済み処理液を急速排液するため、急
速排液時の液面の低下に伴う各基板の上側を引き寄せる
力は、処理液面外に出た基板に対する処理液面のより低
い位置から働くようになってより軽減され、基板の表面
同士の接触によるくっつきがなくなって基板の損傷や、
くっつくことによるパーティクルの発生や付着を防止す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態における基板処理装置を組
み込んでなるウエットステーションの概略構成を示す平
面図である。
【図2】本発明に係る基板処理装置の一実施形態である
機能水洗処理部の構成を示す模式図である。
【図3】図1の機能水洗処理部における各工程を模式的
に示す縦断面図であり、(a)はウエハ上昇状態、
(b)はウエハ浸漬およびオーバーフロー状態、(c)
はウエハ上昇およびシャワー出力状態、(d)は急速排
液状態、(e)はウエハ浸漬およびオーバーフロー状態
を示す図である。
【図4】(a)はオーバーフロー用の純水供給、(b)
はシャワー出力、(c)は急速排液、(d)はウエハ昇
降の制御を示す動作タイミング図である。
【図5】従来の機能水洗処理における各工程を模式的に
示す薬液処理部、機能水洗処理部の縦断面図であり、
(a)はウエハ上昇状態、(b)はウエハ浸漬およびオ
ーバーフロー状態、(c)は急速排液およびシャワー出
力状態、(d)はアップフローおよびシャワー出力状
態、(e)はオーバーフロー状態を示す図である。
【図6】(a)はオーバーフロー用の純水供給、(b)
はシャワー出力、(c)は急速排液の制御を示す動作タ
イミング図である。
【図7】(a)は図5(a)の複数のウエハおよびウエ
ハガイドの保持用溝部の一部縦断面図、(b)は液面の
急激な低下によるウエハ同士のくっつき状態を示すウエ
ハおよびウエハガイドの保持用溝部の一部縦断面図であ
る。
【符号の説明】
1 ウエットステーション 2 半導体ウエハ 7 処理ユニット 12 機能水洗処理部 21 水洗槽 21a 上部開口端 22 純水供給手段 23 ウエハガイド 24 リフタ 25 排液手段 26 シャワー手段 27 制御手段 28,34 筒状部材 30,33,36 バルブ部材 31 排液口

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 処理液を貯留可能な処理槽と、基板を前
    記処理槽に対して昇降移動させる昇降手段とを備え、こ
    の昇降手段によって基板を前記処理槽内に移動させて前
    記処理槽内に供給された処理液中に浸漬させて処理を施
    す基板処理装置において、 前記処理槽内で基板に処理を施した処理済み液を前記処
    理槽から急速排液させる排液手段と、 この排液手段を制御して前記処理槽内の処理済み液を排
    液させる前に、前記昇降手段を制御して前記処理槽内の
    処理液面外に少なくとも基板の一部を位置させる制御手
    段とを有することを特徴とする基板処理装置。
  2. 【請求項2】 処理槽内に供給された処理液中に基板を
    浸漬させて処理を施し、処理済み液を急速排液する基板
    処理方法において、 前記処理槽内の処理液面外に少なくとも基板の一部を位
    置させた後に、前記処理槽内の処置済み処理液を急速排
    液することを特徴とする基板処理方法。
JP31966097A 1997-11-20 1997-11-20 基板処理装置および基板処理方法 Expired - Fee Related JP3715421B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31966097A JP3715421B2 (ja) 1997-11-20 1997-11-20 基板処理装置および基板処理方法
US09/195,190 US6352083B1 (en) 1997-11-20 1998-11-17 Substrate treating apparatus and substrate treating method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31966097A JP3715421B2 (ja) 1997-11-20 1997-11-20 基板処理装置および基板処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH11154656A true JPH11154656A (ja) 1999-06-08
JP3715421B2 JP3715421B2 (ja) 2005-11-09

Family

ID=18112786

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP31966097A Expired - Fee Related JP3715421B2 (ja) 1997-11-20 1997-11-20 基板処理装置および基板処理方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3715421B2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012114228A (ja) * 2010-11-24 2012-06-14 Sumco Techxiv株式会社 ウェーハの洗浄方法
WO2021024548A1 (ja) * 2019-08-06 2021-02-11 株式会社荏原製作所 基板処理装置
JP2021034442A (ja) * 2019-08-20 2021-03-01 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置及び基板処理方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012114228A (ja) * 2010-11-24 2012-06-14 Sumco Techxiv株式会社 ウェーハの洗浄方法
WO2021024548A1 (ja) * 2019-08-06 2021-02-11 株式会社荏原製作所 基板処理装置
JP2021034442A (ja) * 2019-08-20 2021-03-01 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置及び基板処理方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP3715421B2 (ja) 2005-11-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6352083B1 (en) Substrate treating apparatus and substrate treating method
KR0147043B1 (ko) 세정장치 및 그 방법
JP3715421B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2001271188A (ja) 基板処理装置
KR100363755B1 (ko) 기판 처리 방법
JP3697063B2 (ja) 洗浄システム
JP3794860B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JPH09162156A (ja) 処理方法及び処理装置
KR101052821B1 (ko) 기판 처리 장치 및 그 방법
JP4215869B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP2003045843A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JPH08141526A (ja) 基板処理装置およびそれに用いられる処理槽
JP2000005710A (ja) 基板洗浄装置
JPH11162904A (ja) 基板処理装置
JP3335875B2 (ja) 処理装置及び処理方法
JPH11283947A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP7752087B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2000183011A (ja) 基板水洗方法
KR100797082B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
JPH11340176A (ja) 浸漬型基板処理装置
JP3756321B2 (ja) 基板処理装置および方法
JP3628879B2 (ja) 基板洗浄装置
JP3600746B2 (ja) 基板処理装置
JP2000133629A (ja) 基板処理装置および方法
JP2002373882A (ja) 基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20040322

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040330

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040524

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20041221

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050221

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050412

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050525

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20050823

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20050825

R150 Certificate of patent (=grant) or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080902

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090902

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090902

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090902

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100902

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100902

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110902

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110902

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120902

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120902

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130902

Year of fee payment: 8

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees