JPH11154667A - 大きなウエハ直径のための空間的に均一なガス供給およびポンプ構成 - Google Patents

大きなウエハ直径のための空間的に均一なガス供給およびポンプ構成

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JPH11154667A
JPH11154667A JP10266813A JP26681398A JPH11154667A JP H11154667 A JPH11154667 A JP H11154667A JP 10266813 A JP10266813 A JP 10266813A JP 26681398 A JP26681398 A JP 26681398A JP H11154667 A JPH11154667 A JP H11154667A
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gas distribution
etching
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JP10266813A
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Karl P Muller
ペー ムラー カール
Bertrand Flietner
フリートナー ベルトランド
Klaus Roithner
ロイトナー クラウス
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International Business Machines Corp
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Siemens Corp
International Business Machines Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体ウエハの中央と縁部との間に生じるエ
ッチング非均一性を実質的に低減する改善されたガス分
配プレートを提供する。 【解決手段】 半導体ウエハの表面にわたって反応体ガ
スを分配するためにガス出口を有するほぼ平坦な部材が
設けられており、ガス出口手段が、エッチングガス流を
調整するために所定の箇所に異なるエリアを有する複数
のアパーチャーを有しており；かつウエハ処理中半導体
ウエハの表面にわたって生成される反応体−生成物ガス
を排気するための排気手段が設けられており、排気手段
が複数の管を有しており、複数の管が、反応体ガスおよ
び反応体−生成物ガス流を調整するために所定の箇所に
異なるエリアを有するアパーチャーを有している。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般的には半導体
ウエハエッチングに、より具体的には、半導体ウエハに
わたって生じるエッチング工程での非均一性を実質的に
低減する改善されたガス分配プレートに関する。
【０００２】
【従来の技術】当分野で良く知られているように、種々
の半導体製造技術は付着金属および誘電薄膜の選択的な
除去およびＤＲＡＭ処理の場合には半導体ウエハで深い
トレンチのエッチングを必要とする。近年の潮流は周知
のウエット化学エッチング工程を離れてドライエッチン
グ工程、例えば反応性イオンエッチングおよびプラズマ
エッチングへ向かっている。これは大部分ウエット化学
エッチング工程に比べドライエッチング工程によって得
られる改善された制御可能性およびコスト効率に因る。
【０００３】反応性イオンエッチングおよびプラズマエ
ッチングは共に一度に単一の半導体ウエハを処理するた
めに設計された処理室内で実施される。半導体ウエハは
ウエハチャック上に取り付けられ、ウエハチャックは処
理室の底部電極を形成する。上部電極は半導体ウエハの
上方に位置する。半導体ウエハは基板から上方へスペー
スを置いて位置する上方の電極と処理室の基板ステージ
を形成する下方の電極との間に発生せしめられたイオン
によって衝突される。イオン源を提供するのみならず、
反応によってエッチング速度も改善するエッチングガス
は、ガス分配プレートを介して部分真空または高真空下
で基板へ運ばれ、かつ基板にわたって分配される。これ
らの操作圧力はこの処理が反応性イオンエッチングかプ
ラズマエッチングであるかに依存する。
【０００４】単一ウエハシステムでは、圧力差およびエ
ッチングガス／エッチング生成物混合物の差が基板表面
にわたる、特に基板の中央から基板の縁部までにおいて
エッチング非均一性を導くことがある。非均一性は基板
の直径が増大するにつれて、特に基板が直径３００ｍｍ
に近づくかまたはこれを越えるときにより深刻になる。
このような薄膜付着またはエッチングの非均一性は種々
の問題に導き得る。例えば半導体および集積回路の製造
でこのような非均一性により機能しないかまたは機能し
ても最適に達しない結果を与えるデバイスが生じる可能
性がある。
【０００５】従来技術は基板の非均一エッチングの問題
に対して様々な解決を提示した。１つの手段は、異なる
直径の基板に対して異なるガス分配プレートまたはエッ
チング工程の非均一性を補償するためにフォーカスリン
グを利用することである。このアプローチの欠点は、正
しいガス分配プレートまたはフォーカスリングを見つけ
出すのにきわめて時間がかかること、したがってコスト
がかかることである。さらに特別なエッチング工程に適
切なガス分配プレートは別のエッチング工程には適切で
はないであろう。したがって異なる工程に同一の装置を
使用するためにはユーザーはガス分配プレートを変更し
なければならず、これは高くつく非稼働時間となる。
【０００６】したがって従来技術のガス分配プレート使
用時に半導体ウエハの中央と縁部との間に生じるエッチ
ング非均一性を実質的に低減する、改善されたガス分配
プレートへの要求が存在する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、半導
体ウエハの中央と縁部との間に生じるエッチング非均一
性を実質的に低減する改善されたガス分配プレートを提
供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、半導体
処理室用のガス分配プレートは処理室内で処理される半
導体ウエハの表面にわたってガスを分配するガス分配プ
レートを含む。ガス分配プレートは、半導体ウエハの表
面にわたって反応体ガスを分配するためのガス出口手段
を持つほぼ平坦な部材を備え、ガス出口手段が同プレー
ナ部材内に形成された複数のアパーチャーを含んでお
り、複数のアパーチャーがエッチングガス流を調整する
ために所定の箇所に異なるエリアを持つ。ポンピング手
段がウエハ処理中に半導体ウエハの表面にわたって形成
された反応体−生成物ガス（reactant-product gas）を
排気するために設けられている。ポンピング手段はプレ
ーナ部材を貫通して延びる複数の管を備え、複数の管は
アパーチャーを有し、アパーチャーは反応体ガスと反応
物質−生成物ガス流を調整するために所定の箇所に異な
るエリアを有しており、ガス出口手段とポンピング手段
がウエハ処理中に半導体ウエハの表面にわたる所定濃度
の反応体ガスおよび所定濃度の反応体−生成物ガスを実
質的に維持するように協働するようになっている。
【０００９】
【発明の効果】本発明によれば、半導体ウエハの中心と
縁部との間に生じる、従来技術のエッチング非均一性を
実質的に低減する改善される。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明のガス分配プレートはウエ
ハの中心と縁部との間の非均一なエッチングを惹起する
要素のいくつかに向けられている。これらの要素の１つ
は、処理室の中央と縁部との間で生じる操作圧力差に関
する。非均一性の原因の別の要素は処理室内へポンピン
グされるエッチングガスの速度に関係する。
【００１１】図１を参照すると、２００ｍｍの、高エッ
チング速度ディープトレンチエッチングに典型的なエッ
チング形状を持つ半導体ウエハ１０のセグメントが示さ
れている。ウエハ１０はＴＥＬ８４ＤＲＭ処理室２８内
で（図２）処理室の上方電極とウエハ１０との間の２７
ｍｍギャップセットを用いてエッチングされた。ウエハ
１０は、パッド窒化物層１４とパッドＴＥＯＳ層１６と
を含むディープトレンチエッチングハードマスク１２に
よってカバーされた嵩の大きいシリコンから成る。符号
１８で示された破線はパターン化の後ディープトレンチ
エッチング前のパッドＴＥＯＳ層１６を示す。実線は、
パッドＴＥＯＳ層１６がディープトレンチエッチングの
間に腐食される様子を示す。より詳細には実線２０はエ
ッチング後のパッドＴＥＯＳ層１６の最大厚さＴを示
し、かつ実線２２は残ったハードマスクの垂直部分を示
し、これはディープトレンチ２４，２６への開口間のウ
エハ１０上に残ったパッドＴＥＯＳ層１６の部分の厚さ
ｔである。
【００１２】図２は、図１のエッチング形状を形成した
従来技術のアノードのガス分配プレート（ＧＤＰ）３２
を備えたＴＥＬ８４ＤＲＭ処理室２８を示す。処理室２
８はエッチング中ウエハ１０を支持するためのカソード
ウエハチャック３０を採用する。ＧＤＰ３２は上方プレ
ート３４と下方プレート３６とを有する。ガス入口ライ
ン３８はエッチングガス供給部４２を上方プレート３４
上の中央に位置されたガス入口アパーチャー４０へ結合
し、かつエッチングガスを上方と下方プレート３４と３
６間のスペース４４内へ導入する。複数のガス出口アパ
ーチャー４６が下方プレート３６にわたって均一に分配
されており、かつウエハ１０の縁まで延びている。ディ
ープトレンチエッチングの間、エッチングガス（矢印５
０で示される）はエッチングガス供給部４２からガス入
口ライン３８を通ってガス入口アパーチャー４０を介し
て上方と下方プレート３４，３６間のスペース４４内へ
供給される。エッチングガスは上方と下方プレート３
４，３６間のスペース４４からガス出口アパーチャー４
６を通って流れ、かつウエハ１０の表面にわたって均一
に分配される。エッチングガス５０およびエッチング生
成物ガス５２は排気ポンプ５６を介して処理室からウエ
ハチャック３０の下方に位置した排気ポート５４を通っ
て排気される。
【００１３】図１に示された形状を作るパッドＴＥＯＳ
腐食速度が図３と図４にグラフで示されている。図３
は、標準処理圧力とこれよりも４０％高い処理圧力の２
つの圧力下で実施されたディープトレンチエッチングに
関するウエハ中心からの距離に対するエッチング選択制
を示す。図４は、標準処理圧力とこれよりも４０％高い
処理圧力の２つの圧力下で実施されたディープトレンチ
エッチングに関するウエハ中心からの距離に対する最大
ＴＥＯＳ厚さと残ったハードマスクの鉛直部分との厚さ
の差を示す。
【００１４】図３に示されているように、標準処理圧力
下で実施されたディープトレンチエッチングについては
パッドＴＥＯＳ層に対するエッチング選択性はウエハの
外縁へ向かって低下する。４０％高いエッチング処理圧
力が使用された場合には、エッチングガスの濃度が増大
し、かつパッドＴＥＯＳ層に対する選択性で望ましい上
昇を示す。しかしこの選択性はウエハ中心または中心近
くでのみ著しく上昇するにすぎない。図４に示されてい
るように、標準処理圧力使用時にウエハの外縁で起こる
選択性降下は最大ＴＥＯＳ厚さとハウスのサイドの高さ
（the height of side of house）との差を増大させ
る。処理圧力の４０％の上昇は不都合なことに、この厚
さの差をウエハ中心から外縁まで向かって上昇させる、
これは処理圧力の上昇がウエハ外縁におけるよりもウエ
ハ中心におけるエッチング選択性にきわめてより大きな
衝撃を与えることによる。この情報は、このシステムの
ガス流ダイナミクスがウエハの中心でのみ大きな圧力を
生じ、ウエハの外縁では発生しないということを示唆す
る。このような結果は、処理室の中央における圧力がウ
エハの縁が配向される処理室の縁部における圧力と著し
く異なっていることによって惹起されると考えられる。
【００１５】エッチング工程の非均一性を惹起すること
がある付加的な要素はディープトレンチエッチング中に
生成されるエッチング生成物を含む。エッチングの間、
エッチング生成物並びにエッチングガスは処理室の排気
ポンプを介して基板から運び出されなければならない。
図２に示された既存の排気方法は図５，図６に示された
結果を与える。図示のように、既存の排気方法はウエハ
にわたっての圧力の差およびエッチングガスおよびエッ
チング生成物の異なる拡散係数を許し、これはエッチン
グガスとエッチング生成物の分配を形成する。図５は、
エッチングガスとエッチング生成物の両方の濃度が２０
０ｍｍのウエハで縁から縁へウエハ全体にわたって変化
する状態を示す。より大きなウエハ直径およびより高い
エッチング速度についてはエッチングガス／エッチング
生成物分配は悪化する。このことが図６に示されてい
る。図６は、３００ｍｍウエハと処理室（１５００ｎｍ
／分以上のエッチング速度）の上方の電極との間のギャ
ップ２０ｍｍを有するＴＥＬ８４ＤＲＭによるエッチン
グ構成を示す。それぞれウエハ中心におけるエッチング
ガスおよびエッチング生成物の濃度Ｃ１ＣおよびＣ２Ｃ
がウエハ縁部におけるエッチングガスおよびエッチング
生成物の濃度Ｃ１ＥおよびＣ２Ｅと著しく異なることが
見て取れる。したがってウエハ中心内のガス容積とウエ
ハ縁部におけるガス容積とを比べると、エッチングガス
とエッチング生成物のガス混合物および圧力に著しい差
が予測される。
【００１６】図７および図８を見ると本発明によるＧＤ
Ｐ６０が示されている。ＧＤＰ６０は上方プレート６２
および下方プレート６４とを備え、下方プレートは下方
プレート６２から間隔を置いて位置し、スペースまたは
マニホールド７２を規定する。複数の相互間隔を置いた
円筒形の管６８が上方プレート６２と下方プレート６４
との間のスペース７２を通って延びている。各管６８は
ガス貫流路６９を規定する。複数の相互間隔を置いたガ
ス入口アパーチャー７０が上方と下方プレート６２と６
４との間に延びた周面７１内に形成されているが、所望
ならば上方プレート６２内に形成することもできる。下
方プレート６４は複数の相互間隔を置いたガス出口アパ
ーチャー６６を含む。
【００１７】本発明のＧＤＰ６０は、ウエハ、特にオー
ダー３００ｍｍ以上の大直径ウエハを最少のエッチング
ガス流および圧力限定で均一にエッチングすることを可
能にする、それというのもエッチングガス供給とエッチ
ングガス／エッチング生成物排気とが共にＧＤＰ６０に
よって行われるからである。
【００１８】図９は処理室８６、例えばＴＥＬ８４ＤＲ
Ｍ処理室内に設置されたＧＤＰ６０を示す。環状のガス
入口ライン７６がＧＤＰ６０の周りに延びており、かつ
複数の分岐路７４を持ち、分岐路がエッチングガス供給
部（図示せず）を周面７１に沿って形成されたガス入口
アパーチャー７０へ結合しており、エッチングガス８８
を上方と下方のプレート６２と６４との間のスペース７
４内へ導入する。ガス入口ライン７６を通過するエッチ
ングガス８８の流れは通常の弁によって制御される。複
数のガス出口アパーチャー６６は下方プレート４６にわ
たって均一に分配されており、かつウエハ８４の縁まで
延びている。ディープトレンチエッチングの間、エッチ
ングガス（矢印８８として示されている）はエッチング
供給部からガス入口ライン７６および分岐路７４を経て
ガス入口アパーチャー７０を介して上方と下方プレート
６２と６４との間のスペース７２内へ供給される。エッ
チングガス８８はスペース７２からガス出口アパーチャ
ー６６を通って流れ、かつウエハ８４の表面にわたって
均一に分配される。ガス出口アパーチャー６６は、ＧＤ
Ｐ６０内での均一なガス圧力を与えるためにＧＤＰ６０
の下方プレート６４とウエハ８４の表面との間で著しい
圧力降下を保証する寸法を持つ。エッチングガス８８お
よびエッチング生成物ガス９０は排気ポンプ８０を介
し、ＧＤＰ６０の管６８によって形成されたガス貫流通
路６９とＧＤＰ６０の上方に位置した排気ポート７８と
を通って処理室から排気され、排気ポンプはＧＤＰ６０
の上方プレート６２と下方プレート６４との間のエッチ
ングガス圧を制御する。したがって本発明のＧＤＰ６０
はウエハ８４にわたってガス圧において局所的な平衡を
持つ小室（small cell）を形成する、すなわちエッチン
グガス８８とエッチング生成物９０の分圧がウエハにわ
たってほぼ一定である。すなわちウエハ８４の縁部にお
けるガス容積はウエハ８４中心近くのガス容積と同じガ
ス濃度のエッチングガスとエッチング生成物を持つであ
ろう。
【００１９】図１０は本発明のＧＤＰを使用して３００
ｍｍ−ウエハをエッチングした際の結果をグラフで示
す。図１０はウエハ上の位置に対してエッチングガスと
エッチング生成物の濃度をプロットした。エッチングガ
スの濃度がウエハの位置にほとんど無関係であることが
判ろう。同様にエッチング生成物の濃度もウエハ上の位
置にほとんど無関係である。このことは、ウエハ縁部に
おけるガス容積がウエハ中心におけるガス容積とほぼ同
じガス濃度のエッチングガスとエッチング生成物を持つ
ことを示す。すなわち本発明のＧＤＰ６０は均一にウエ
ハ８４にわたってガス圧において局所的な平衡を持つ小
室を形成する。したがって直径３００ｍｍ以上を持つウ
エハを使用した場合にもエッチングの速度はウエハにわ
たってほぼ均一に、すなわちウエハ縁部におけるエッチ
ング速度が中心近くのエッチング速度にほぼ等しい。
【００２０】図１１および図１２を見ると、処理中の２
００ｍｍウエハ上のチップ分布が示されている。ウエハ
１００は処理室内中央に配置されている。ウエハ１００
の中心は処理中ＧＤＰ６０の中心下に位置する。チップ
１１０の方形の形状のためにウエハ１００上のチップ配
置はウエハ１００の周辺部１０４上に空のエリアを作
る。したがって必要なエッチングガス８８の量は、負荷
として、ウエハ１００中心においてウエハ１００の周辺
部１０４におけるよりも高い。
【００２１】図１２は、典型的なウエハエッチング工程
での２００ｍｍウエハ１００上の２５６ＭｂＤＲＡＭチ
ップ１１０に関する負荷対距離のプロットを示す。負荷
は中心値から半径７５ｍｍと１００ｍｍとの間の移行エ
リア内で減少し、１００ｍｍを越えると零となる。この
問題はより大きなウエハでな増幅される。
【００２２】図示の本発明の方法によればより均一なエ
ッチング速度が達成される。図１３を見ると、ウエハ周
辺部の負荷はチップの不在のためより小さい。ガス出口
アパーチャー６６ａおよびガス貫流通路６９ａはウエハ
周辺部の低減された負荷に関連して寸法を小さくされて
いる。有利に３００ｍｍウエハは半径７５ｍｍを越えた
所にガス出口アパーチャー６６ａおよびガス貫流通路６
９ａを有するＧＤＰ６０を備える。ガス出口アパーチャ
ー６６およびガス貫流通路６９のエリアは半径７５ｍｍ
以内のアパーチャーおよび通路の約半分である。
【００２３】有利に、減少エリアは３００ｍｍウエハの
移行エリアおよび周辺部における低減負荷に適合する。
さらに、アパーチャー６６および通路６９が、ウエハ上
の適合すべき異なる負荷条件において流れを調整するた
めにＧＤＰ６０上の所定の箇所に所定のエリアを持ち得
るようにすることが考えられる。均一なガス濃度と関連
して負荷条件が説明される条件を作ることによって改善
されたエッチング工程が実現される。
【００２４】本明細書に記載された実施例は単なる例示
にすぎず、当業者がここで記載されたものと機能的に等
量の部材を利用してこれらの実施例に対する変更および
修正を行い得ることは理解されよう。このようなすべて
の修正、同様に当業者にとって他の明白なものは特許請
求の範囲内で規定された本発明の範囲内に包含されるも
のである。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来技術のガス分配プレートを使用したディー
プトレンチエッチング後の半導体ウエハの断面図であ
る。
【図２】ウエハ処理室内に取り付けられた従来技術のガ
ス分配プレートの略示図である。
【図３】図２による従来技術のガス分配プレートを用い
て標準処理圧力および４０％高い処理圧力で実施された
ディープトレンチエッチングに関するウエハ中心からの
距離に対するエッチング選択性を示す。
【図４】図２による従来技術のガス分配プレートを用い
て標準処理圧力および４０％高い処理圧力で実施された
ディープトレンチエッチングに関するウエハ中心からの
距離に対する最大残留ハードマスクと残留ハードマスク
の鉛直部分との厚さの差を示す。
【図５】図２による従来技術のガス分配プレートを用い
た際にエッチングガスとエッチング生成物の濃度が２０
０ｍｍウエハに関して縁から縁までの全ウエハにわたっ
て変化する様子を示す。
【図６】図２による従来技術のガス分配プレートを用
い、３００ｍｍウエハとエッチング速度１５００ｎｍ／
分以上の処理室の上方の電極とのギャップ２０ｍｍを持
つＴＥＬ８４ＤＲＭによるエッチング構成を示す。
【図７】本発明のガス分配プレートを下から見た図であ
る
【図８】図７のガス分配プレートの３Ｂ−３Ｂ線に沿っ
た断面図である。
【図９】ウエハ処理室内に取り付けられた本発明のガス
分配プレートの略示図である。
【図１０】本発明のガス分配プレートを用いた際にエッ
チングガスとエッチング生成物の濃度が縁から縁までの
全ウエハにわたってほぼ同じである様子を示す。
【図１１】２００ｍｍウエハ上に配置された２５６Ｍｂ
ＤＲＡＭチップを示す。
【図１２】エッチングガス負荷をウエハ中心からの半径
方向の距離に対してプロットした図である。
【図１３】ウエハ上の減少負荷のエリアに応じて減少せ
しめられたエリアアパーチャーを持つガス分配プレート
の下から見た図である。
【符号の説明】
６０ ガス分配プレート、 ６２ 上方プレート、 ６
４ 下方プレート、６６ ガス出口アパーチャー、 ６
８ 管、 ７０ ガス入口アパーチャー、７２ スペー
ス、 ７８ 排気ポート、 ８０ 排気ポンプ、 ８４
ウエハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 カール ペー ムラー アメリカ合衆国 ニューヨーク ワッピン ガーズ フォールズ ブラザーズ ロード 89 (72)発明者 ベルトランド フリートナー アメリカ合衆国 ニューヨーク ホープウ ェル ジャンクション ライト ブルヴァ ード 16 (72)発明者 クラウス ロイトナー ドイツ連邦共和国 ドレスデン ケーニッ ヒスブリュッカーシュトラーセ 180

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体処理室内で使用されるガス分配プ
    レートであって、ガス分配プレートが処理室内で処理さ
    れるべき半導体ウエハの表面にわたってガスを分配する
    ためのものである形式のものにおいて、半導体ウエハの
    表面にわたって反応体ガスを分配するためにガス出口を
    有するほぼ平坦な部材が設けられており、ガス出口手段
    が平坦な部材内に形成された複数のアパーチャーを有し
    ており、複数のアパーチャーがエッチングガス流を調整
    するために所定の箇所に異なるエリアを有しており；か
    つウエハ処理中半導体ウエハの表面にわたって生成され
    る反応体−生成物ガスを排気するための排気手段が設け
    られており、排気手段が平坦な部材を貫通して延びる複
    数の管を有しており、複数の管がアパーチャーを有して
    おり、アパーチャーが反応体ガスおよび反応体−生成物
    ガス流を調整するために所定の箇所に異なるエリアを有
    しており；ガス出口と排気手段とが協働してウエハ処理
    中半導体ウエハの表面にわたって所定の濃度の反応体ガ
    スおよび所定の濃度の反応体−生成物ガスをほぼ維持す
    るようになっていることを特徴とする、ガス分配プレー
    ト。
  2. 【請求項２】 ガス出口の複数のアパーチャーがそれぞ
    れガス分配プレートの中心点から第１の半径方向距離内
    の第１のエリアと第１の半径方向距離を越える第２のエ
    リアとを有し；かつ複数の管のアパーチャーがそれぞれ
    ガス分配プレートの中心点から第１の半径方向距離内の
    第１のエリアと第１の半径方向距離を越える第２のエリ
    アとを有している、請求項１記載のガス分配プレート。
  3. 【請求項３】 第１の半径方向距離が７５ミリメータで
    ある、請求項２記載のガス分配プレート。
  4. 【請求項４】 ガス出口のアパーチャーおよび複数の管
    のアパーチャーに関して、第２のエリアが第１のエリア
    の半分である、請求項２記載のガス分配プレート。
  5. 【請求項５】 ほぼ平坦な部材が第１のほぼ平坦な部材
    とこの第１の部材から距離を置いた第２のほぼ平坦な部
    材とを含んでいる、請求項１記載のガス分配プレート。
  6. 【請求項６】 ガス出口が第２の平坦な部材と結合さ
    れ、かつ排気手段が第１と第２の平坦な部材と結合され
    ている、請求項５記載のガス分配プレート。
  7. 【請求項７】 さらに第１と第２の平坦な部材間に延び
    た壁が設けられており、壁が反応体ガスを第１と第２の
    平坦な部材間に形成されたスペース内へ導入するための
    ガス入口手段を含んでいる、請求項５記載のガス分配プ
    レート。
  8. 【請求項８】 ガス入口手段が壁に沿って形成された複
    数のアパーチャーを備えている、請求項７記載のガス分
    配プレート。
  9. 【請求項９】 半導体処理室において、半導体ウエハを
    支持するためのチャックが設けられており；ウエハ処理
    の間チャック上に取り付けられる半導体ウエハの表面に
    わたってガスを分配するための、チャック上方に距離を
    置いて位置したガス分配プレートが設けられており、ガ
    ス分配プレートが半導体ウエハの表面にわたって反応体
    ガスを分配するためのガス出口を持つほぼ平坦な部材を
    包含しており、ガス出口がこの平坦な部材内に形成され
    た複数のアパーチャーを包含しており、複数のアパーチ
    ャーがエッチングガス流を調整するために所定の箇所に
    異なるエリアを有しており；かつウエハ処理中に半導体
    ウエハの表面にわたって生成される反応体−生成物ガス
    を排気するための排気手段が設けられており、排気手段
    がガス分配プレートを通って延びた複数の管を包含して
    おり、複数の管が反応体ガスおよび反応体−生成物ガス
    流を調整するために所定箇所で異なるエリアを持つアパ
    ーチャーを有しており；ガス出口および排気手段が協働
    して、ウエハ処理中半導体ウエハの表面にわたって所定
    の濃度の反応体ガスおよび所定の濃度の反応体−生成物
    ガスをほぼ維持するようになっていることを特徴とす
    る、半導体処理室。
  10. 【請求項１０】 ガス出口の複数のアパーチャーがそれ
    ぞれガス分配プレートの中心点から第１の半径方向距離
    内の第１のエリアと第１の半径方向距離を越える第２の
    エリアとを有し；かつ複数の管のアパーチャーがそれぞ
    れガス分配プレートの中心点から第１の半径方向距離内
    の第１のエリアと第１の半径方向距離を越える第２のエ
    リアとを有している、請求項９記載の半導体処理室。
  11. 【請求項１１】 第１の半径方向距離が７５ミリメータ
    である、請求項１０記載の半導体処理室。
  12. 【請求項１２】 ガス出口のアパーチャーおよび複数の
    管のアパーチャーに関して、第２のエリアが第１のエリ
    アの半分である、請求項１０記載の半導体処理室。
  13. 【請求項１３】 ほぼ平坦な部材が第１のほぼ平坦な部
    材とこの第１の部材から距離を置いた第２のほぼ平坦な
    部材とを含んでいる、請求項９記載の半導体処理室。
  14. 【請求項１４】 ガス出口が第２の平坦な部材と結合さ
    れ、かつ排気手段が第１と第２の平坦な部材と結合され
    ている、請求項１３記載の半導体処理室。
  15. 【請求項１５】 ガス分配プレートが第１と第２の平坦
    な部材間に延びた壁を包含しており、壁が反応体ガスを
    第１と第２の平坦な部材間に形成されたスペース内へ導
    入するためのガス入口を含んでいる、請求項１３記載の
    半導体処理室。
  16. 【請求項１６】 ガス入口手段が壁に沿って形成された
    複数のアパーチャーを備えている、請求項１５記載の半
    導体処理室。
  17. 【請求項１７】 排気手段がさらに管内に真空を形成す
    るための排気ポンプから成っており、真空が反応体ガス
    および反応体−生成物ガスを半導体処理室から輸送する
    作用をする、請求項１３記載の半導体処理室。
  18. 【請求項１８】 半導体ウエハエッチング室内で使用さ
    れるガス分配プレートであって、ガス分配プレートが室
    内でエッチングされるべき半導体ウエハの表面にわたっ
    てガスを分配するためのものである形式のものにおい
    て、第１のほぼ平坦な部材とこの第１の部材から距離を
    置いた第２のほぼ平坦な部材とが設けられており；第１
    と第２の平坦な部材間に延びた壁が設けられており、壁
    がエッチングガスを第１と第２の平坦な部材間に形成さ
    れたスペース内へ導入するためのエッチングガス入口手
    段を含んでおり；半導体ウエハの表面にわたってエッチ
    ングガスを分配するために複数の出口アパーチャーが設
    けられており、複数の出口アパーチャーが、エッチング
    ガス流を調整するためにガス分配プレートの中心点から
    第１の半径方向距離内の第１のエリアと第１の半径方向
    距離を越える第２のエリアとを有しており；かつウエハ
    処理中に半導体ウエハの表面にわたって生成されるエッ
    チング生成物ガスを排気するための排気手段が設けられ
    ており、排気手段が第１の平坦な部材と第２の平坦な部
    材とをを通って延びた複数の管を包含しており、複数の
    管がアパーチャーを有しており、管のアパーチャーが、
    反応体ガスおよび反応体−生成物ガス流を調整するため
    にガス分配プレートの中心点から第１の半径方向距離内
    の第１のエリアと第１の半径方向距離を越える第２のエ
    リアとを有しており；複数のガスアパーチャーおよび排
    気手段が協働して、ウエハ処理中半導体ウエハの表面に
    わたって所定の濃度のエッチングガスおよび所定の濃度
    のエッチング生成物ガスをほぼ維持するようになってい
    ることを特徴とする、ガス分配プレート。
  19. 【請求項１９】 第１の半径方向距離が７５ミリメータ
    である、請求項１８記載の半導体処理室。
  20. 【請求項２０】 出口アパーチャーおよび複数の管のア
    パーチャーに関して、第２のエリアが第１のエリアの半
    分である、請求項１８記載の半導体処理室。
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