JPH11161355A - バンドギャップ式基準電圧源およびその作動方法 - Google Patents
バンドギャップ式基準電圧源およびその作動方法Info
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- JPH11161355A JPH11161355A JP10228303A JP22830398A JPH11161355A JP H11161355 A JPH11161355 A JP H11161355A JP 10228303 A JP10228303 A JP 10228303A JP 22830398 A JP22830398 A JP 22830398A JP H11161355 A JPH11161355 A JP H11161355A
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Abstract
すべての状況のもとで温度およびオフセット補償された
基準電圧を出力し得るようにする。 【解決手段】 演算増幅器が第1の入力段TE1、TL
1および第2の入力段TE2、TL2を有し、第1の入
力段から第1の接続点x5の電位が取り出し可能であ
り、第2の入力段から第2の接続点x6の電位が取り出
し可能であるバンドギャップ式基準電圧源において、第
1および第2の入力段が出力信号Aを発し、また、スイ
ッチング装置S1ないしS4が設けられ、その作動によ
り第1の入力段TE1、TL1に交互に第1の入力信号
E1または第2の入力信号E2が供給され、また第2の
入力段TE2、TL2に交互に第2の入力信号E2また
は第1の入力信号E1が供給されるように、またはその
作動により演算増幅器の出力信号Aが選択的に第1の接
続点x5または第2の接続点x6から取り出されるよう
に構成されている。
Description
載された装置および請求項7の前文に記載された方法、
すなわち特に温度補償のために設けられている演算増幅
器を備えたバンドギャップ式基準電圧源およびこのよう
なバンドギャップ式基準電圧源の作動方法に関する。
方法は以前から知られている。この基準電圧源の原理
は、バイポーラトランジスタのベース‐エミッタ間電圧
(またはダイオードの導通電圧)が電圧基準として使用
されることに基づいている。しかし、大きさを以下では
VBEと呼ぶこの電圧基準は比較的強い温度依存性を有す
る。温度係数は0.6Vにおいて約−2mV/Kであ
る。温度依存性は、以下ではKVt と呼ばれる相応の温
度補償電圧が電圧基準VBEに加えられるならば、補償さ
れ得る。この温度補償電圧は、好ましくは、第2のトラ
ンジスタおよび演算増幅器の助けをかりて発生かつ処理
される。
れている。
に接続されている(バイポーラ)トランジスタT1、T
2、抵抗R1、R2、R3および演算増幅器OPを含ん
でいる。
Vref は次の数1で表される。
はトランジスタT2のエミッタの面積である。
適当にディメンジョニングすると、基準電圧の温度依存
性は完全に消され得る。
記の説明から想像されるよりもかなり複雑に具体化され
る。その原因はなかんずく演算増幅器のほぼ不可避のオ
フセットである。
非対称な構成を有するとき、すなわちたとえば演算増幅
器の入力トランジスタが相い異なる大きさであり、また
はこれらのトランジスタのしきい電圧が相い異なってい
るときに生ずる公知の効果である。これは演算増幅器の
入力端子の1つの前に接続されている(オフセット)電
圧源のように作用する。
により、図3による装置により発生される基準電圧V
ref は次の数3で表される。
+(R2 /R1 )Vt ln{(R2 AE1/R3 AE2)
〔1−(VOS/I1 R2 )〕} この公知の関係式の導き出し方はたとえばPhillip E. A
llen & Douglas R. Hollberg:CMOSアナログ設計、
Sounders College出版、1987、第590〜596頁
を参照されたい。
オフセットによっても影響される。代わりに導入される
オフセット電圧源の電圧Vosはその際にかてて加えて係
数1+R2 /R1 だけ増幅されて演算増幅器の出力端に
現れる。
タでは10:1のエミッタ面積比が使用され、それによ
って、基準電圧の温度依存性を消去するためには、1+
R2/R1 が約10.5にならなければならない(これ
については上記の文献を基準されたい)。
圧源の実現およびこのような場合に通常の30mVまで
のオフセットの際には、このことは、通常約1.2Vの
大きさの基準電圧が演算増幅器のオフセットにより0.
315Vまでの誤りが生ずるであろうことを意味する。
たれるべきであれば、オフセットが補償されなければな
らない。
ットを消すように装置を個別にトリムすることができよ
う。しかし、オフセットの温度依存性に基づいて、この
ような補償は完全に特定の温度においてしか有効でな
い。
オフセットをある時間間隔で測定し、またオフセットを
補償するコンデンサを相応に充電することにある。しか
し測定および充電過程の間は演算増幅器は所定の通りに
使用され得ず、それによって演算増幅器から出力される
基準電圧が多かれ少なかれ長い中断をおいてしか出力さ
れ得ない。これらの中断は繰り返して生ずる。なぜなら
ば、測定および充電過程は特にコンデンサにおける放電
過程およびオフセットの温度依存性に基づいてサイクリ
ックに必要とされるからである。連続的に中断なしに利
用できる基準電圧を必要とするならば、このようなオフ
セット補償は不適当であり、またはいつでも最適に適当
ではない。
な議論はたとえばTietze‐Schenk著、Halbleiter‐Scha
lttechnik (半導体回路技術)、第10版、1994
年、第558頁以降に記載されている。そこでは演算増
幅器が、2つのバイポーラトランジスタのベース‐エミ
ッタ間電圧に比例している2つの電圧を比較するために
使用される。他のバンドギャップ式基準電圧源はヨーロ
ッパ特許第 0 661 616号明細書に記載されており、そこ
では発生された電圧基準が高い増幅率を有する増幅器に
供給される。こうして増幅された信号は、バンドギャッ
プ式電圧基準を発生するための回路の供給電圧を調接続
する電圧調接続器に供給される。最後にドイツ特許第 4
1 24 427号明細書から、チャネル抵抗比の設定により温
度の影響に対する改善された非依存性が達成されるバン
ドギャップ式基準電圧源は公知になっている。
項1の前文に記載されたバンドギャップ式基準電圧源ま
たは請求項7の前文に記載されたバンドギャップ式基準
電圧源を作動させるための方法を、バンドギャップ式基
準電圧源が中断なしに、すべての状況のもとで温度およ
びオフセット補償された基準電圧を出力し得るように改
良することである。
れば、請求項1の特徴部分に記載された特徴事項によ
り、または請求項7の特徴部分に記載された特徴事項に
より解決される。
スイッチング装置を含み、このスイッチング装置が、そ
の作動により演算増幅器またはその入力段の入力信号が
交換可能であり、および/または演算増幅器の出力信号
が選択的に第1の入力段の接続点の電位または第2の入
力段の接続点の電位に基づいて発生可能であるように構
成され(請求項1の特徴部分)、またはバンドギャップ
式基準電圧源がサイクリックに2つの状態の間を往復し
て切換えられ、その際に第1の状態で演算増幅器の第1
の入力信号がその第1の入力段に与えられ、演算増幅器
の第2の入力信号がその第2の入力段に与えられ、およ
び/または演算増幅器の出力信号が第2の入力段の接続
点の電位に基づいて発生され、その際に第2の状態で演
算増幅器の第1の入力信号がその第2の入力段に与えら
れ、演算増幅器の第2の入力信号がその第1の入力段に
与えられ、および/または演算増幅器の出力信号が第1
の入力段の接続点の電位に基づいて発生される(請求項
7の特徴部分)。
力信号(発生すべき基準電圧)へのオフセット原因の作
用の符号および/または大きさに関する変化を生じさせ
る。
力信号のなかにそれにより引き起こされる変動を適当な
フィルタ(たとえば低域通過フィルタ)によりフィルタ
アウトすると、その結果にはもはや演算増幅器のオフセ
ットによりわずかしか影響されない、または全く影響さ
れない基準電圧が得られる。
オフセット補償された基準電圧を中断なしで発生するこ
とが比較的簡単な仕方で可能であるバンドギャップ式基
準電圧源およびそれを作動させるための方法が得られ
た。
6に記載されている。
施例により一層詳細に説明する。
基準電圧源はCMOS回路の構成部分である。
図1および図2に示されている状態がサイクリックに交
互に作られることにより達成される。
その入力および出力導線を示す。以下の説明に対して重
要でない、または少なくとも本質的に重要ではない演算
増幅器の部分、すなわちたとえば演算増幅器のバイアス
回路および始動回路は図面に示されていない。
E1および第2の入力信号E2を入力するために、また
出力信号Aを出力するために用いられる。
れている部分は図1および2に示されているように接続
されている第1および第2の入力トランジスタTE1お
よびTE2、第1および第2の負荷トランジスタTL1
およびTL2および出力段ASから成っている。演算増
幅器は電流源IQによりエネルギーを供給される。
の負荷トランジスタTL1は第1の入力段(演算増幅器
入力信号の一方に対する入力段)を形成し、第2の入力
トランジスタTE2および第2の負荷トランジスタTL
2は第2の入力段(演算増幅器入力信号の他方に対する
入力段)を形成する。第1の入力トランジスタTE1と
第1の負荷トランジスタTL1との間に第1の接続点x
5が位置し、第2の入力トランジスタTE2と第2の負
荷トランジスタTL2との間に第2の接続点x6が位置
している。入力信号E1およびE2は入力トランジスタ
TE1およびTE2のゲート端子に与えられ、出力信号
は出力段から出力される信号である。
第1の入力信号E1は第1の入力トランジスタTE1の
ゲート端子に与えられ、第2の入力信号E2は第2の入
力トランジスタTE2のゲート端子に与えられ、出力段
ASの入力信号として第2の入力段の接続点x6の電位
が使用され、負荷トランジスタTL1およびTL2のゲ
ート端子が第1の入力段の接続点x5と接続されてい
る。
と異なり、この状態は本発明によるバンドギャップ式基
準電圧源の場合には持続的でなく、繰り返してこの状態
と図2に示されている第2の状態との間を切換えられ
る。
よる第1の状態の際と異なり)、第1の入力信号E1は
第2の入力トランジスタTE2のゲート端子に与えら
れ、第2の入力信号E2は第1の入力トランジスタTE
1のゲート端子に与えられ、出力段ASの入力信号とし
て第1の入力段の接続点x5の電位が使用され、負荷ト
ランジスタTL1およびTL2のゲート端子が第2の入
力段の接続点x6と接続されている。
の入力段の入力信号が交換され、また演算増幅器の出力
信号が交互に第1の入力段の接続点x5の電位または第
2の入力段の接続点x6の電位に基づいて発生される。
いる状態との間を切換えるために、従来のバンドギャッ
プ式基準電圧源には存在しないスイッチング装置が設け
られている。このスイッチング装置は図1および図2
で、実際には好ましくはトランジスタ(トランジスタ
対)により形成されるスイッチS1、S2、S3および
S4により表されている。これらのS1ないしS4の切
換により図1に示されている状態と図2に示されている
状態との間が往復して切換えられ得る。
る。スイッチS1は第1の入力信号E1を選択的に第1
の入力段もしくは第2の入力段に供給する役割をし、ス
イッチS2は第2の入力信号E2を選択的に第1の入力
段もしくは第2の入力段に供給する役割をし、スイッチ
S3は出力段ASに入力信号として選択的に第1の入力
段の接続点x5の電位もしくは第2の入力段の接続点x
6の電位を供給する役割をし、スイッチS4は選択的に
第1の入力段の接続点x5の電位もしくは第2の入力段
の接続点x6の電位を負荷トランジスタTL1、TL2
にゲート電圧として与える役割をする。
が生じ得ないように構成されている。すなわち、入力段
の個々の要素は、偶然の非対称性が存在しなかったとす
ると、入力信号E1およびE2が知られているように等
しい大きさである装置の整定(定常)状態で一方では入
力トランジスタTE1およびTE2に、他方では負荷ト
ランジスタTL1およびTL2に同一のソース‐ドレイ
ン間電圧およびゲート電圧が生じ、それによって接続点
x5およびx6が持続的に等しい電位に位置する(に違
いない)ように構成かつ接続されている。
ける偶然の非対称性はほぼ不可避であり、それによって
接続点x5およびx6における電位は非常に稀な場合に
しか正確に等しくない。しかし、存在する(オフセット
の生起の原因となる)差は小さいので、図1による状態
から図2による状態へ切換えることにより、出力段AS
およびその出力信号Aに確かに変化は生ずるが、振動過
程は生ぜず、またはいずれにせよ取るに足るほどの振動
過程は生じない。
出される出力段の入力信号、従ってまた演算増幅器の出
力信号自体は切換のタイミングで変動する。出力信号は
その際に温度およびオフセット補償された基準電圧目標
値(約1.2V)にオフセット電圧を加えた値と基準電
圧目標値からオフセット電圧を差し引いた値との間を変
動する。
力段の交換による)図1による状態から図2による状態
への切換およびその逆の切換により出力信号A(発生す
べき基準電圧)へのオフセット原因の作用のそれぞれ符
号および/または大きさに関する変更が行われることに
より生ずる。
ィルタアウトすると、その結果として、約1.2Vの規
定された目標値を有し、またはいずれにせよそれに近い
温度およびオフセット補償された(直流)出力信号が得
られる。
部に設けられ得る。しかし、それは基本的に演算増幅器
の内部に設けられ、そこで出力段の入力信号もしくは出
力段の出力信号もしくは両方の信号をフィルタしてもよ
い。
して当てはまる。これらのスイッチ、一層正確に言えば
これらのスイッチを表すトランジスタなどのようなスイ
ッチ素子は少なくとも部分的に演算増幅器の内部もしく
は外部に設けられ得る。
ングクロックは好ましくは対称なデューティレシオを有
する。上記のフィルタ(たとえば低域通過フィルタ)は
特に、クロック周波数またはその整数倍の周波数で生ず
る擾乱をフィルタ除去すべきである。このようなフィル
タは非常に簡単に(たとえばRCフィルタとして)実現
可能である。
よびバンドギャップ式基準電圧源を作動させるための方
法を、バンドギャップ式基準電圧源が中断なしに、すべ
ての状況のもとで温度およびオフセット補償された基準
電圧を出力し得るように改良することが驚くほど簡単な
仕方で達成されることが最後に確認され得る。
フセット補償に関して中心的な意義を有する部分の回路
図。
回路図。
す回路図。
Claims (7)
- 【請求項1】 特に温度補償のために設けられている演
算増幅器(OP)を備え、その際に演算増幅器が第1の
入力段(TE1、TL1)および第2の入力段(TE
2、TL2)を有し、第1の入力段から第1の接続点
(x5)の電位が取り出し可能であり、第2の入力段か
ら第2の接続点(x6)の電位が取り出し可能であるバ
ンドギャップ式基準電圧源において、第1および第2の
入力段が出力信号(A)を発し、また、スイッチング装
置(S1ないしS4)が設けられ、このスイッチング装
置が、その作動により第1の入力段(TE1、TL1)
に交互に第1の入力信号(E1)または第2の入力信号
(E2)が供給され、また第2の入力段(TE2、TL
2)に交互に第2の入力信号(E2)または第1の入力
信号(E1)が供給されるように、および/またはその
作動により演算増幅器の出力信号(A)が選択的に第1
の接続点(x5)または第2の接続点(x6)から取り
出されるように構成されていることを特徴とするバンド
ギャップ‐基準電圧源。 - 【請求項2】 第1の入力段(TE1、TL1)および
第2の入力段(TE2、TL2)が、それぞれの接続点
(x5、x6)に誤りおよび擾乱のない状態で同一の入
力信号(E1、E2)の際に同一の電位および/または
電位経過が生ずるように構成されていることを特徴とす
る請求項1記載のバンドギャップ式基準電圧源。 - 【請求項3】 スイッチング装置(S1ないしS4)を
サイクリックに駆動する制御装置が設けられていること
を特徴とする請求項1または2記載のバンドギャップ式
基準電圧源。 - 【請求項4】 スイッチング装置(S1ないしS4)を
駆動するクロックが時間的に一定であることを特徴とす
る請求項3記載のバンドギャップ式基準電圧源。 - 【請求項5】 スイッチング装置(S1ないしS4)を
駆動するクロックが対称なデューティレシオを有するこ
とを特徴とする請求項3または4記載のバンドギャップ
式基準電圧源。 - 【請求項6】 出力段の入力信号または出力段の出力信
号から、特に切換クロック周波数およびその整数倍に相
当する周波数の振動成分をフィルタアウトし得るフィル
タが設けられていることを特徴とする請求項1ないし5
の1つに記載のバンドギャップ式基準電圧源。 - 【請求項7】 特に温度補償のために設けられている演
算増幅器(OP)を備え、その際に演算増幅器が第1の
入力段(TE1、TL1)および第2の入力段(TE
2、TL2)を有し、第1の入力段から第1の接続点
(x5)の電位が取り出し可能であり、第2の入力段か
ら第2の接続点(x6)の電位が取り出し可能であるバ
ンドギャップ式基準電圧源を作動させるための方法にお
いて、バンドギャップ式基準電圧源がサイクリックに2
つの状態の間を往復して切換えられ、その際に第1の状
態で第1の入力信号(E1)が第1の入力段(TE1、
TL1)に与えられ、第2の入力信号(E2)が第2の
入力段(TE2、TL2)に与えられ、および/または
演算増幅器の入力段の出力信号(A)が第2の接続点
(x6)から取り出され、その際に第2の状態で第1の
入力信号(E1)が第2の入力段(TE2、TL2)に
与えられ、第2の入力信号(E2)が第1の入力段(T
E1、TL1)に与えられ、および/または出力信号
(A)が第1の接続点(x5)から取り出されることを
特徴とするバンドギャップ式基準電圧源の作動方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| DE19735381.9 | 1997-08-14 | ||
| DE19735381A DE19735381C1 (de) | 1997-08-14 | 1997-08-14 | Bandgap-Referenzspannungsquelle und Verfahren zum Betreiben derselben |
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| JPH11161355A true JPH11161355A (ja) | 1999-06-18 |
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ID=7839050
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP10228303A Pending JPH11161355A (ja) | 1997-08-14 | 1998-08-12 | バンドギャップ式基準電圧源およびその作動方法 |
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| Country | Link |
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| US (1) | US6014020A (ja) |
| EP (1) | EP0897143B1 (ja) |
| JP (1) | JPH11161355A (ja) |
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1998
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- 1998-07-16 DE DE59801619T patent/DE59801619D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-08-12 JP JP10228303A patent/JPH11161355A/ja active Pending
- 1998-08-14 US US09/133,876 patent/US6014020A/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE19735381C1 (de) | 1999-01-14 |
| US6014020A (en) | 2000-01-11 |
| EP0897143B1 (de) | 2001-10-04 |
| EP0897143A2 (de) | 1999-02-17 |
| DE59801619D1 (de) | 2001-11-08 |
| EP0897143A3 (de) | 1999-05-06 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A601 | Written request for extension of time |
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|
| A602 | Written permission of extension of time |
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|
| A521 | Written amendment |
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|
| A02 | Decision of refusal |
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