JPH11162014A - 相変化型光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】面記録密度を高めた場合においても、記録・消
去および再生の各特性が良好となる相変化型光記録媒体
を提供することを課題としている。 【解決手段】基板上に、少なくとも該基板側から順に反
射性薄膜層、下層保護層、記録層、上層保護層、反射層
が積層し、上記記録層での反射率は、結晶状態の時より
も非晶質状態の時の方が大きい。これにより入射光に対
する上記記録層へのエネルギー吸収率が、非晶質状態の
時よりも結晶状態の時の方が大きなっている。さらに
に、上記基板の案内溝の深さが１００ｎｍ以上となって
いる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は高い線密度で且つ狭
いトラックピッチでのマークエッジ記録によるオーバー
ライトにおいて良質な再生信号を得ることのできる相変
化型光記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、大量の情報を記録する用途に用い
る光記録媒体の中でも、記録層が結晶質と非晶質の二状
態間で可逆的に相変化する記録層を利用して情報の記録
・消去を行う、いわゆる相変化型光記録媒体について盛
んに研究開発が行われている。相変化型記録媒体は、レ
ーザー光のパワーを変化させるだけで古い情報を消去し
ながら、同時に新たな情報を記録すること（以下、「オ
ーバーライト」と称する）ができるという利点を有して
いることから、有望視されている。

【０００３】相変化型記録媒体に記録・消去を行う場合
は、記録・消去時の熱による基板の変形を防止したり、
カルコゲン化合物から成る記録層の酸化、案内溝に沿っ
ての物質移動あるいは変形を防止するために、通常、記
録層の直下と直上のいずれか一方または双方に、金属あ
るいは半金属の酸化物、炭化物、フッ化物、硫化物、窒
化物から選ばれた少なくとも一種類からなる保護層を設
けている。

【０００４】そして、透明基板上に、記録層と、その記
録層の直下および／または直上に設けた保護層と、記録
層の基板側とは反対側に設けた冷却層を兼ねた反射層
（例えばＡｌ合金）とを積層した、三層構造または四層
構造のものが、信号振幅を大きくできかつ繰り返し特性
を向上できることから、相変化型記録媒体の主流となっ
ている。

【０００５】しかしながら、このような構造の相変化記
録媒体において、単一ビームでオーバーライトを行う場
合、新しい記録マークは前回の記録状態に応じて結晶質
となっている部分と非晶質となっている部分の両方に形
成される。そして、記録される部分が結晶質であるか非
晶質であるかによって熱伝導率や潜熱の影響が異なるた
めに、同じパワーのレーザー光が照射されてもそれぞれ
の部分の昇温過程に差が生じ、結果としてそれぞれの部
分の最高到達温度が異なることになる。この結果、記録
マークの大きさ・形状、すなわち記録状態が異なるとい
う問題が生じて、消去特性に悪影響を及ぼすおそれがあ
る。

【０００６】また、高密度化を目的としたマークエッジ
記録の際に、情報を正しく再生できない等の問題が生じ
ることがある。特に記録線密度を高くした場合には、タ
イムウィンドウ幅が小さくなるのでマークエッジ位置の
揺らぎのような記録状態の違いが、記録再生特性を大き
く悪化させる。

【０００７】これを解決するために、例えば特開平７−
７８３５４号公報には、記録層の結晶状態における光吸
収率（以下「Ａｃ」と記す）を、非晶質状態の光吸収率
（以下「Ａａ」と記す）よりも高くすることが開示され
ている。

【０００８】一方、記録密度を高めるための方法として
トラックピッチを狭くするという方法がある。すなわ
ち、一般の記録方法としては、基板上に設けた案内溝
（グルーブ）の内に記録を行うグルーブ記録、案内溝と
案内溝の間のランド部に記録を行うランド記録、グルー
ブ部とランド部の両方に記録を行うランドグルーブ記録
があるが、いずれの記録方法を用いた場合にも、トラッ
クピッチを狭くした場合には、トラックに情報を記録し
たり消去する際に、レーザービームの熱により隣接する
トラックの温度が上昇し、それにより隣接するトラック
の情報が消されてしまうというクロスイレースの問題が
生じる。

【０００９】クロスイレースを低減する方法として特開
平９−１６１３２１号公報に、ランド部とグルーブ部の
段差を大きくすることが開示されていて、ランドとグル
ーブの段差を大きくすることでクロスイレースの影響が
低減される。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】ここで、相変化型光記
録媒体において単位面積当たりの記録密度を高くするた
めには、単位長さ当たりの記録密度を高めると共に、同
時にトラックピッチを狭くする必要がある。

【００１１】しかしながら上記高光吸収比の記録媒体で
あっても、単位面積当たりの記録密度を高くするためト
ラックピッチを狭めた場合には、ランドまたはグルーブ
に記録を行うときに、隣接するトラックに熱が漏れ込
み、先に記録されているマークを消去するという、いわ
ゆるクロスイレースの問題が生じることがある。特にラ
ンドグルーブ記録を行う場合には、このクロスイレース
が大きな問題になる。

【００１２】また、単に案内溝の深さを深くすると案内
溝内に熱がこもり易くなり、溝深さを深くした分，記録
時にマーク歪みが生じるおそれがある。本発明は、この
ような点に着目してなされたものであり、面記録密度を
高めた場合においても、記録・消去および再生の各特性
が良好となる相変化型光記録媒体を提供することを課題
としている。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明のうち請求項１に記載した発明は、照射光の
強度に応じて結晶状態と非晶質状態との相変化が可逆的
になされる記録層と、この記録層を支持する基板とを備
えた相変化型記録媒体において、入射光に対する上記記
録層へのエネルギー吸収率が、非晶質状態の時よりも結
晶状態の時の方が大きく、且つ、上記基板の案内溝の深
さを１００ｎｍ以上とすると共に、記録層と基板との間
若しくは基板に対し熱拡散手段を設けたことを特徴とす
る相変化型光記録媒体を提供するものである。

【００１４】本発明においては、入射光に対する上記記
録層へのエネルギー吸収率は、非晶質状態の時よりも結
晶状態の時の方が大きいので、つまり、結晶状態の部分
が溶融するには相対的に大きな潜熱を必要とし相対的に
大きな熱量が必要であるが、結晶状態部分のエネルギー
吸収率を相対的に大きくすることで、オーバライト記録
時における非晶質部分と結晶部分の昇温過程の差を小さ
くする。この結果、オーバーライト時の記録マークの歪
みが小さく抑えられる。

【００１５】さらに、基板の案内溝の深さが１００ｎｍ
以上とすることで、トラックピッチを狭くしてもクロス
イレースの影響が小さなる。基板の案内溝の深さを１０
０ｎｍ以上としたのは、次の理由による。

【００１６】クロスイレースによって記録再生特性の劣
化が大きくなるのは、トラックピッチが７００ｎｍ以下
の場合においてであるが、トラックピッチが５５０ｎｍ
の場合に基板の案内溝の深さを１００ｎｍ以上とするこ
とで、クロスイレースの影響を小さく可能となることを
確認したためである（後述の表６参照の事）。

【００１７】すなわち、例えば現状のＤＶＤ−ＲＡＭで
のトラックピッチで７４０ｎｍ程度であり、この場合に
はさほどクロスイレースの影響を受けないが、より記録
面密度を高めるためにトラックピッチを７００ｎｍ以下
とした場合でも、本願発明に基づき案内溝の深さを１０
０ｎｍ以上とすることでクロースイレースの影響が小さ
なる。

【００１８】さらに、案内溝の深さを深くするとグルー
ブ部（案内溝内）において熱が拡散しにくくなってグル
ーブ内に熱がこもり、記録時の急冷が不十分なためにマ
ーク歪みが生じるおそれがあるが、本発明では記録層の
下方、つまりランド部よりもグルーブ部に近い位置に熱
拡散手段を設けてあるので、グルーブ部の熱の拡散が促
進されて、溝深さを深くしてもグルーブでの熱のこもり
が緩和される。この結果、案内溝の深さを深くすること
によるマーク歪みの発生が防止される。

【００１９】熱拡散手段としては、基板表面の熱伝導性
を高めたり、記録層と基板との間に熱伝導性の高い層を
設けることで実現できる。そして、上記各作用の相乗に
よって、従来よりも面密度を高めた場合であってもマー
ク歪みが小さく抑えられて、記録・消去及び再生の各特
性が良好となる。

【００２０】ここで、記録層における光吸収率につい
て、結晶状態での光吸収率（以下「Ａｃ」とする）を、
非晶異質状態での光吸収率（以下「Ａａ」とする）より
も大きくするための方法は、特に限定されない。

【００２１】例えば、基板／下層保護層／記録層／上層
保護層／反射層、のような層構成の相変化型光記録媒体
において、基板と下層保護層との間に反射性薄膜層を設
ける方法、反射層に光吸収性または光透過性を持たせる
方法、およびこれらの方法を組み合わせた方法などによ
って実現可能である。

【００２２】Ａｃ／Ａａの値は１以上であることが好ま
しく、１．１５以上であることがより好ましい。例え
ば，線速度８．８５ｍ／ｓでオーバライト記録を行った
場合には、オーバライトによる旧マークの消去比が２６
ｄＢ以上であるためには、Ａｃ／Ａａが１．１５以上必
要である。また、線速度１０ｍ／ｓ以上で記録を行う場
合には、１．２以上であることが必要であるとされてい
る（応用物理学会相変化記録研究会主催、１９９５年
（平成７年）第７回相変化記録研究会シンポジウム講演
予稿集「高密度相変化記録技術の基礎と応用」PP. 23-2
8 参照）。

【００２３】次に、請求項２に記載した発明は、請求項
１に記載の構成に対し、上記基板上に、少なくとも該基
板側から順に反射性薄膜層、下層保護層、記録層、上層
保護層、反射層が積層し、上記記録層での反射率は、結
晶状態の時よりも非晶質状態の時の方が大きいことを特
徴とするものである。

【００２４】通常の３層ないし４層構成の相変化型記録
媒体においては、記録層が結晶の時の反射率の方が記録
層が非晶質の時の反射率よりも高いが、基板と記録層の
間に反射性薄膜層を設けた本発明の相変化型光記録媒体
では、各層の膜厚を適当に選ぶことにより、記録層が非
晶質の時の反射率を記録層が結晶の時の反射率よりも高
くすることができる。

【００２５】そして、通常、記録媒体の反射率が高い時
には記録層への光吸収率は小さくなり、反射率が低い時
には記録層への光吸収率は大きくなる。従って、基板と
記録層の間に反射性薄膜層を設け、反射率を逆転させる
ことによって、反射率を逆転させない他の方法を用いた
場合よりも、Ａｃ／Ａａを大きくすることができる。

【００２６】非晶質状態の反射率を結晶状態よりも大き
くするためには、記録媒体を構成する各層の膜厚を適当
な厚さにすることで可能であり、例えば、波長６４０ｎ
ｍのレーザ光を用い、反射性薄膜層にＡｕ、記録層にＧ
ｅ−Ｔｅ−Ｓｂ合金、下層・上層保護層にＺｎＳ−３０
モル％ＳｉＯ₂ 、反射層にＡｌ−１．１ａｔ％Ｔｉ合金
を用いる場合には、反射性薄膜層の膜厚を３〜１４ｎ
ｍ、下層保護層の膜厚を８０〜１４０ｎｍ、記録層の膜
厚を４ｎｍ以上とし、上層保護膜層及び反射層の膜厚を
任意に設定することで、非晶質状態の反射率を結晶状態
よりも大きくすることが可能である。さらに、反射性薄
膜層の膜厚を４〜１１ｎｍ、下層保護層の膜厚を９０〜
１３０ｎｍ、記録層の膜厚を５〜２５ｎｍ以上、上層保
護膜層の膜厚を２０〜１１０又は１８０〜２８０ｎｍと
し、反射層の膜厚を任意に設定することで、非晶質状態
の反射率を結晶状態よりも１５％以上大きくすることが
可能となる。

【００２７】また、上記反射性薄膜層は、熱伝導性が高
い素材で構成することで上記熱拡散手段を兼ねる。

【００２８】

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態につい
て、図面を参照しつつ説明する。図１は、本発明の相変
化型光記録媒体の一実施形態を示す概略断面図であり、
基板１の上に、該基板１側から順に、反射性薄膜層２
（反射性吸収層）、下層保護層３、記録層４、上層保護
層５、反射層６の各層が積層されて構成されている。

【００２９】上記基板１は、従来より公知の材料すなわ
ちポリカーボネート樹脂、ＰＭＭＡ、ガラスなどを用い
ることができる。基板１上には螺旋状または同心円状に
案内溝７が形成されている（断面図である図２参照）。
この案内溝７の深さＨは、１００ｎｍ以上、例えば１０
０ｎｍに設定される。

【００３０】ここで、基板１には、上記案内溝７の他に
トラック信号やセクター番号などを記録したプリフォー
マット信号がピット列としてあらかじめ形成されていて
も構わない。また、案内溝７はＤＶＤ規格で採用されて
いるような、１周ごとにランドとグルーブが切り替わる
ような螺旋状となっていても構わない。

【００３１】また、上記反射性薄膜層２を形成する材料
としては、金属、半金属、半導体、あるいはそれらの混
合物であることが記録・消去の繰り返しに対する耐久性
の点で好ましく、特にＡｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｕ、
Ｓｉ、Ｇｅ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｇａ、Ｓｅ、Ｉｎ、Ｓ
ｂ、Ｔｅ、ＰｂおよびＢｉからなる群より選ばれた元
素、あるいはこの群より選ばれた元素を含む合金を用い
ることがより好ましい。また、反射性薄膜層２として誘
電体多層ミラーを用いても構わない。

【００３２】また、この反射性薄膜層２の膜厚について
は、あまり厚くなりすぎると入射光の大部分が反射性薄
膜層２での吸収と反射に費やされ、記録層４に到達する
光の量が僅かになって記録感度が低くなるばかりでな
く、記録層４における記録部分と消去部分とでの反射率
のコントラストが低下するために好ましくない。

【００３３】従って、この反射性薄膜層２の膜厚は、使
用する材料によっても異なるが、金属層の場合２ｎｍ以
上５０ｎｍ以下であることが好ましく、５ｎｍ以上２０
ｎｍ以下がより好ましい。

【００３４】上記保護層３，５は、図１に示すように、
反射性薄膜層２と記録層４の間に設ける下層保護層３
と、記録層４と反射層６の間に設ける上層保護層５との
２種類があるが、両保護層３，５は、同じ材料で構成し
ても構わないし、それぞれ異なった材料で構成しても構
わない。保護層３，４を構成する材料としては、金属あ
るいは半金属の、酸化物、炭化物、窒化物、フッ化物、
硫化物および炭素から選ばれた１種類またはこれらの混
合物を用いることができる。

【００３５】上記記録層４には、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｓｂを含
む合金、あるいはＩｎ、Ａｇ、Ｓｂ、Ｔｅを含む合金を
用いることができ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｓｂを主成分とするも
の、もしくはＩｎ、Ａｇ、Ｓｂ、Ｔｅを主成分とする物
が好ましい。記録層４にＧｅ、Ｔｅ、Ｓｂを主成分とす
る物を用いる場合には、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｓｂの他に、Ａ
ｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、
Ｃｕ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐ
ｄ、Ａｇ、Ｔａ、Ｗ、Ａｕ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｉｎ、
Ｎ、Ｏ、Ｃ、Ｈなどの元素を含んでいても構わず、また
その他の元素であっても１ａｔ％以下の微少量であれば
含有していて構わない。

【００３６】また、記録層４にＩｎ、Ａｇ、Ｓｂ、Ｔｅ
を含む合金を用いる場合には、その他の元素を微少量含
有していても構わない。上記反射層６に用いる材料とし
ては、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ａ
ｇ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔなどの金属およびそれらを含む合
金を用いることができる。

【００３７】各層２〜６の形成方法としては、従来より
公知の蒸着法やスパッタリング法を用いることができ
る。ここで、反射性薄膜層２を持たない通常の３層ない
し４層構成の相変化型記録媒体においては、記録層４で
の反射率は、結晶状態の方が非晶質状態よりも高いが、
基板１と記録層４との間に、上述のように反射性薄膜層
２を設け、反射率を逆転させることによって、上記非晶
質状態の方が結晶状態よりも反射率が高くなる。通常、
記録媒体の反射率が高い時には記録層４への光吸収率は
小さく、反射率が低い時には記録層４への光吸収率は大
きいので、上記反射性薄膜層２を設けることで、記録層
４でのエネルギー吸収率について、結晶状態の方が非晶
質状態よりも高く設定できる。

【００３８】そして、各層２〜６の膜厚を適当に選ぶこ
とにより、上記結晶状態でのエネルギー吸収率と上記非
晶質状態でのエネルギー吸収率との比を、最適な割合に
設定することができる。

【００３９】上記最適な割合は、記録層４での結晶部分
と非晶質部分の熱伝動率や潜熱の違いを吸収して、例え
ば、記録時の照射光の強度によって結晶部分と非晶質部
分の昇温過程が同じとなり、各部の最高到達温度が等し
くなるような吸収率の割合である。

【００４０】上記構成の相変化型光記録媒体では、記録
層４でのエネルギー吸収率は、結晶状態の方が非晶質状
態よりも高く設定することで、オーバライトの記録時の
記録マークの歪みを小さく抑えられる。この結果、記録
線密度を高く設定しても、記録再生特性の悪化が抑えら
れる。

【００４１】さらに、案内溝７を１００ｎｍと深く設定
することで、トラックピッチを狭く設定してもクロスイ
レースを抑えられる。このとき、案内溝７を深くする
と、案内溝７内に熱がこもり易くなって記録時の急冷不
十分でマーク歪みが生じるおそれがあるが、グルーブの
熱は、下層保護層３を通じて反射性薄膜層２に伝達し、
該反射性薄膜層２を通じて拡散するので、案内溝７を深
くすることによるマーク歪みの発生が抑えられてマーク
が安定する。

【００４２】このように、本実施形態では、記録線密度
を高くし且つトラックピッチを狭く設定しても記録再生
特性の悪化が抑えられるため、従来に比べて面記録密度
を高めても、記録・消去及び再生の各特性が良好とな
る。

【００４３】なお、反射層に光吸収性または光透過性を
持たせることで、Ａｃ／Ａａ比を１以上の最適値として
もよい。

【００４４】

【実施例】次に、本発明についても実施例について説明
する。上記基板１として、中心穴を有する直径１２０ｍ
ｍ、厚さ０．６ｍｍの円板状のポリカーボネート製が使
用され、その表面には、１１００ｎｍのピッチで、幅が
５５０ｎｍの溝が設けられているものを用意した。すな
わち、この基板１に、ランドグルーブ記録をする場合に
は、トラックピッチは５５０ｎｍになる。

【００４５】また、基板１に設ける案内溝７の深さは、
各サンプルによって変えた。下記表１に各実施例及び比
較例に用いた基板１の溝深さを示す。

【００４６】

【表１】

【００４７】次に、この基板１に、下記の表２に示す層
構成となるように、各種薄膜を積層した。比較例１は、
図３に示すように、反射性薄膜層２を設けない場合の例
である。

【００４８】

【表２】

【００４９】ここで、各例における各層２〜６の膜厚は
表３に示す通りである。また、反射性薄膜層２、反射層
６および基板１の構成材料は、表２中，番号で表示して
あり、各番号が示す材料は、反射性薄膜層２については
表４に、反射層６については表５にそれぞれ示した通り
である。

【００５０】

【表３】

【００５１】

【表４】

【００５２】

【表５】

【００５３】また、記録層４を挟んで積層する下層保護
層３及び上層保護層５は、ＺｎＳとＳｉＯ2 の混合物
（ＳｉＯ2 の含有率３０モル％）をターゲットとして用
い、ＲＦスパッタリング法により形成した。スパッタリ
ングの雰囲気ガスはアルゴンガスとした。

【００５４】記録層４は、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ合金から成
るターゲットを用い、ＤＣスパッタリング法により形成
した。スパッタリングの雰囲気ガスはアルゴンガスとし
た。反射性薄膜層２は、用いる材料の元素単体のターゲ
ットを用いて、ＤＣスパッタリング法で形成した。雰囲
気ガスはアルゴンガスを用いた。

【００５５】反射層６は、Ａｌ合金から成るターゲット
を用いて、ＤＣスパッタリングにより形成した。雰囲気
ガスはアルゴンガスとした。また、反射層６の上にＵＶ
硬化樹脂をスピンコート法によって塗布し、紫外線を照
射して硬化させた。

【００５６】このようにして得られた相変化型光ディス
ク（相変化型光記録媒体）の各サンプルを用い、線速度
６ｍ／ｓでそれぞれマークエッジ記録によるオーバーラ
イトを行い、オーバーライト信号のジッタ値を測定し
た。

【００５７】すなわち、各サンプルを駆動装置にかけて
所定の線速度となるように回転させ、ディスクの中心か
ら半径方向に３６ｍｍとなる位置に、波長６４０ｎｍの
レーザーを用いて８−１６変調信号をマークエッジ記録
した後、その上にランダム信号をマークエッジ記録し
た。

【００５８】ジッタの測定はジッタアナライザにより行
い、得られたジッタ値（標準偏差σ）のＴｗ（ウィンド
ウ幅）に対する割合（σ／Ｔｗ）を算出した。信号の記
録線密度は、Ｔｗ＝１２．５ｎｓ（１ビットが記録され
る長さは０．３μｍ／ｂｉｔ）にして記録を行った。こ
の時の記録面密度は、０．２６８ＧＢ／平方インチであ
った。

【００５９】クロスイレースの測定は、未記録状態の３
本のトラックの中心のグルーブにオーバーライト記録を
行って再生信号のジッタを測定し、その後に記録を行っ
たグルーブの両側のランドにそれぞれ１００回のオーバ
ーライト記録を行い、その後再び、中心のグルーブの再
生信号のジッタを測定し、ジッタ割合（σ／Ｔｗ）の増
加を測定することにより評価した。

【００６０】各サンプルにおける、記録層４が非晶質状
態の時の反射率（Ｒａ）および記録層４が結晶状態の時
の反射率（Ｒｃ）は、基板１上に設けられた平坦部に、
６４０ｎｍのレーザーを照射したときの反射光量を元に
換算した。

【００６１】各サンプルの、記録層４における非晶質状
態の光吸収率に対する結晶状態の光吸収率の比（Ａｃ／
Ａａ）は、各サンプルの各層の構成材料の光学定数から
計算によって求めた。

【００６２】ジッタ値、クロスイレースの測定結果、光
吸収率の比の計算結果およびそのときの記録密度を下記
の表６に示す。

【００６３】

【表６】

【００６４】表６からわかるように、本発明の実施形態
に相当する実施例１〜３は、記録層４の光吸収比（Ａｃ
／Ａａ）が１以上であり、かつ基板１上に設けた溝の深
さが１００ｎｍ以上であるため、記録密度を高めた場合
でもジッタ割合（σ／Ｔｗ）が８．５％以下になり、か
つクロスイレースを少なくできるため、良好な再生信号
を得ることができる。

【００６５】これに対して比較例１では、光吸収比が１
以下であることから、記録面密度を高めた場合には１１
％とジッタ割合が大きく、良好な再生信号が得られな
い。また、比較例２は、光吸収比は１以上であるが、基
板１上の溝の深さが１００ｎｍよりも小さいために、ク
ロスイレースが大きくなり、記録面密度を高めた場合に
良好な再生信号が得られない。

【００６６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明を採用する
と、トラックピッチを狭くし、かつ記録線密度を高めて
単位面積当たりの記録密度を上げても、ジッタ低下が抑
えられ、クロスイレースも少ない。このため、大容量の
記録が可能な相変化型記録媒体を提供することができる
という効果がある。

【００６７】このとき、請求項２に記載の発明を採用す
ることで、確実に、記録層における結晶状態時のエネル
ギー吸収率を相対的に大きくできる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態に係る相変化型光記録媒体
の層構造の一例を示す概略断面図である。

【図２】本発明の実施の形態に係る案内溝を示すための
概断面図である。

【図３】本発明の相変化型光記録媒体の比較となる層構
造の一例を示す概略断面図である。

【符号の説明】

１ 基板 ２ 反射性吸収層（反射性薄膜層） ３ 下層保護層 ４ 記録層 ５ 上層保護層 ６ 反射層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小堀 博道 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝内 (72)発明者 桑原 真帆 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝内

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 照射光の強度に応じて結晶状態と非晶質
   状態との相変化が可逆的になされる記録層と、この記録
   層を支持する基板とを備えた相変化型記録媒体におい
   て、 入射光に対する上記記録層へのエネルギー吸収率が、非
   晶質状態の時よりも結晶状態の時の方が大きく、且つ、
   上記基板の案内溝の深さを１００ｎｍ以上とすると共
   に、記録層と基板との間若しくは基板に対し熱拡散手段
   を設けたことを特徴とする相変化型光記録媒体。
2. 【請求項２】 上記基板上に、少なくとも該基板側から
   順に反射性薄膜層、下層保護層、記録層、上層保護層、
   反射層が積層し、上記記録層での反射率は、結晶状態の
   時よりも非晶質状態の時の方が大きいことを特徴とする
   請求項１に記載した相変化型光記録媒体。