JPH11162028A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH11162028A JPH11162028A JP9330684A JP33068497A JPH11162028A JP H11162028 A JPH11162028 A JP H11162028A JP 9330684 A JP9330684 A JP 9330684A JP 33068497 A JP33068497 A JP 33068497A JP H11162028 A JPH11162028 A JP H11162028A
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- magnetic
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Abstract
(57)【要約】
【課題】再生時の反射光のエンハンスメント効果を高
め、Ｃ／Ｎ比等の記録再生感度を向上させること。 【解決手段】透明基板１１上に、室温で面内磁化状態で
あり所定温度以上で垂直磁化状態に変化するＲ層１３
と、前記所定温度以上で静磁結合により前記Ｒ層１３に
垂直磁化を転写するＭ層１６とを積層して成り磁気的超
解像再生が可能な光磁気記録媒体であって、前記Ｒ層１
３と前記Ｍ層１６との間に反射層１５を設けた。
め、Ｃ／Ｎ比等の記録再生感度を向上させること。 【解決手段】透明基板１１上に、室温で面内磁化状態で
あり所定温度以上で垂直磁化状態に変化するＲ層１３
と、前記所定温度以上で静磁結合により前記Ｒ層１３に
垂直磁化を転写するＭ層１６とを積層して成り磁気的超
解像再生が可能な光磁気記録媒体であって、前記Ｒ層１
３と前記Ｍ層１６との間に反射層１５を設けた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ光等の照射
により２値情報を記録し、カー効果等の磁気光学効果で
情報を再生する光磁気記録媒体であって、磁気的超解像
再生が可能なものに関する。
により２値情報を記録し、カー効果等の磁気光学効果で
情報を再生する光磁気記録媒体であって、磁気的超解像
再生が可能なものに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、情報の高密度化を実現する光磁気
記録媒体の一例として、磁気的超解像（Magnetically i
nduced Superresolutionで、以下、ＭＳＲという）法に
よる再生が可能なＭＳＲ型の光磁気記録媒体（以下、媒
体という）が提案されている（日本応用磁気学会誌 ｖ
ｏｌ．２１，ＮＯ．８，１０７６−１０８１，１９９７
参照）。
記録媒体の一例として、磁気的超解像（Magnetically i
nduced Superresolutionで、以下、ＭＳＲという）法に
よる再生が可能なＭＳＲ型の光磁気記録媒体（以下、媒
体という）が提案されている（日本応用磁気学会誌 ｖ
ｏｌ．２１，ＮＯ．８，１０７６−１０８１，１９９７
参照）。
【０００３】上記のＭＳＲ再生技術を説明するためのＭ
ＳＲ型媒体の部分断面図を図４に示す。同図（ａ）は、
ポリカーボネート等の透明基板（図示せず）上に、再生
層（Readout layer で、以下、Ｒ層と略す）１、ＡｌＮ
等からなる非磁性層２、記録層（Memory laye で、以
下、Ｍ層と略す）３が順次積層された媒体ｍ1 であり、
所謂静磁結合型ＣＡＤ（Center Aperture Detection ）
による再生が可能なタイプである。
ＳＲ型媒体の部分断面図を図４に示す。同図（ａ）は、
ポリカーボネート等の透明基板（図示せず）上に、再生
層（Readout layer で、以下、Ｒ層と略す）１、ＡｌＮ
等からなる非磁性層２、記録層（Memory laye で、以
下、Ｍ層と略す）３が順次積層された媒体ｍ1 であり、
所謂静磁結合型ＣＡＤ（Center Aperture Detection ）
による再生が可能なタイプである。
【０００４】同図（ａ）において、Ｒ層１は希土類元素
（Rare Earth elementで、以下、ＲＥという）の副格子
磁化が優勢（ＲＥリッチ）で、キュリー温度が３２０℃
程度のＧｄＦｅＣｏ等からなり、非磁性層２はＡｌＮ等
からなり、Ｍ層３は室温の２５℃程度で補償組成であ
り、キュリー温度が２４０℃程度のＴｂＦｅＣｏ等から
構成される。また、図示はしていないが、室温で補償組
成でキュリー温度が３２０℃程度の磁性層であって、昇
温時にＭ層３に磁化方向を転写可能な書き込み層（Writ
ing layer で、以下、Ｗ層と略す）をＭ層３上に設けた
り、更に必要に応じＷ層上に制御層や初期化層を積層す
る。
（Rare Earth elementで、以下、ＲＥという）の副格子
磁化が優勢（ＲＥリッチ）で、キュリー温度が３２０℃
程度のＧｄＦｅＣｏ等からなり、非磁性層２はＡｌＮ等
からなり、Ｍ層３は室温の２５℃程度で補償組成であ
り、キュリー温度が２４０℃程度のＴｂＦｅＣｏ等から
構成される。また、図示はしていないが、室温で補償組
成でキュリー温度が３２０℃程度の磁性層であって、昇
温時にＭ層３に磁化方向を転写可能な書き込み層（Writ
ing layer で、以下、Ｗ層と略す）をＭ層３上に設けた
り、更に必要に応じＷ層上に制御層や初期化層を積層す
る。
【０００５】尚、１ａは室温で面内磁化状態で温度が上
昇すると垂直磁化状態に変化するＲ層１の磁化、２ａは
Ｍ層３からの漏洩磁界、３ａはＭ層３の正味の磁化、３
ｂはＭ層３の遷移金属元素（Transition Metal element
で、以下、ＴＭという）の副格子磁化、４は再生用のレ
ーザビーム、５はレーザビーム４のうち最も強度が大き
い中央部（Center Aperture ）である。
昇すると垂直磁化状態に変化するＲ層１の磁化、２ａは
Ｍ層３からの漏洩磁界、３ａはＭ層３の正味の磁化、３
ｂはＭ層３の遷移金属元素（Transition Metal element
で、以下、ＴＭという）の副格子磁化、４は再生用のレ
ーザビーム、５はレーザビーム４のうち最も強度が大き
い中央部（Center Aperture ）である。
【０００６】このような静磁結合型ＣＡＤによる再生の
場合、室温でＲＥリッチのＲ層１は、温度上昇とともに
補償組成に近づくことにより磁化１ａが小さくなり、面
内磁化状態から垂直磁化状態へと変化する。また、室温
で補償組成のＭ層３は、温度上昇とともに磁化３ａが増
大し、Ｍ層３から発生する漏洩磁界２ａが再生温度近傍
で極大を示す。前記Ｒ層１とＭ層３とを、非磁性層２を
介して積層することにより、Ｍ層３の温度上昇した部分
のみから発生する漏洩磁界２ａと、Ｒ層１の温度上昇し
た部分のみに存在する垂直磁化とが静磁結合し、最も温
度上昇した部分のＭ層３の磁化状態をＲ層１により検出
することができる。
場合、室温でＲＥリッチのＲ層１は、温度上昇とともに
補償組成に近づくことにより磁化１ａが小さくなり、面
内磁化状態から垂直磁化状態へと変化する。また、室温
で補償組成のＭ層３は、温度上昇とともに磁化３ａが増
大し、Ｍ層３から発生する漏洩磁界２ａが再生温度近傍
で極大を示す。前記Ｒ層１とＭ層３とを、非磁性層２を
介して積層することにより、Ｍ層３の温度上昇した部分
のみから発生する漏洩磁界２ａと、Ｒ層１の温度上昇し
た部分のみに存在する垂直磁化とが静磁結合し、最も温
度上昇した部分のＭ層３の磁化状態をＲ層１により検出
することができる。
【０００７】これにより、レーザビーム４の中央部５内
のみの情報が再生されることになり、高い再生分解能が
得られる。
のみの情報が再生されることになり、高い再生分解能が
得られる。
【０００８】そして、同図（ｂ）の媒体ｍ2 は、（ａ）
の構成においてＲ層１と非磁性層２との間に、Ｒ層１の
面内磁化と交換結合する面内磁化を有するマスク層６を
設けた、所謂交換結合型ＣＡＤが可能なタイプである。
これは（ａ）を改良するものであり、（ａ）に示すよう
に、レーザビーム４の中央部５外の温度上昇部でもＲ層
１が垂直磁化成分を持ち、それがＭ層３の漏洩磁界２ａ
と静磁結合することにより、中央部５外の磁化状態も再
生され、再生分解能の向上が阻まれるという問題点を解
消しようとするものである。
の構成においてＲ層１と非磁性層２との間に、Ｒ層１の
面内磁化と交換結合する面内磁化を有するマスク層６を
設けた、所謂交換結合型ＣＡＤが可能なタイプである。
これは（ａ）を改良するものであり、（ａ）に示すよう
に、レーザビーム４の中央部５外の温度上昇部でもＲ層
１が垂直磁化成分を持ち、それがＭ層３の漏洩磁界２ａ
と静磁結合することにより、中央部５外の磁化状態も再
生され、再生分解能の向上が阻まれるという問題点を解
消しようとするものである。
【０００９】前記マスク層６は、キュリー温度１２０℃
程度，ＴＭリッチのＧｄＦｅ等からなり、前記中央部５
外ではＲ層１の磁化はマスク層６の面内磁化と交換結合
し、面内磁化マスクを形成する。一方、中央部５内で
は、マスク層６がキュリー温度以上の温度となり、Ｒ層
１とマスク層６との交換結合が存在せず、Ｒ層１は急激
に垂直磁化状態へと変化する。これにより、中央部５内
のみの垂直磁化を再生することができ、再生分解能が向
上する。
程度，ＴＭリッチのＧｄＦｅ等からなり、前記中央部５
外ではＲ層１の磁化はマスク層６の面内磁化と交換結合
し、面内磁化マスクを形成する。一方、中央部５内で
は、マスク層６がキュリー温度以上の温度となり、Ｒ層
１とマスク層６との交換結合が存在せず、Ｒ層１は急激
に垂直磁化状態へと変化する。これにより、中央部５内
のみの垂直磁化を再生することができ、再生分解能が向
上する。
【００１０】また、他の従来例として、磁気的に結合し
た再生層と記録保持層とを有するものにおいて、記録保
持層に信号記録を行うとともに再生層の磁化の向きを揃
えた後、再生層にレーザ光を照射することにより再生層
を昇温させ、記録保持層の信号を再生層に転写しながら
情報を読み取ることにより、クロストークを解消して線
記録密度、トラック密度を向上させるものが提案されて
いる（従来例Ａとする。特開平３−９３０５８号公報参
照）。
た再生層と記録保持層とを有するものにおいて、記録保
持層に信号記録を行うとともに再生層の磁化の向きを揃
えた後、再生層にレーザ光を照射することにより再生層
を昇温させ、記録保持層の信号を再生層に転写しながら
情報を読み取ることにより、クロストークを解消して線
記録密度、トラック密度を向上させるものが提案されて
いる（従来例Ａとする。特開平３−９３０５８号公報参
照）。
【００１１】更に、他の従来例として、信号再生用の第
１磁性膜、中間膜の第２磁性膜及び記録保持用の第３磁
性膜を有し、これらの磁性膜のうち第２磁性膜のキュリ
ー温度Ｔc2を最も低いものとし、Ｔc2以上の温度で第１
磁性膜と第３磁性膜との間の磁気的結合を遮断し、この
状態で反磁場及び外部印加磁場によって保磁力の低下し
た第１磁性膜の磁区を拡大して再生することにより、記
録情報磁区の縮小ができ記録密度が向上するというもの
が提案されている（従来例Ｂとする。特開平１−１４３
０４１号公報参照）。
１磁性膜、中間膜の第２磁性膜及び記録保持用の第３磁
性膜を有し、これらの磁性膜のうち第２磁性膜のキュリ
ー温度Ｔc2を最も低いものとし、Ｔc2以上の温度で第１
磁性膜と第３磁性膜との間の磁気的結合を遮断し、この
状態で反磁場及び外部印加磁場によって保磁力の低下し
た第１磁性膜の磁区を拡大して再生することにより、記
録情報磁区の縮小ができ記録密度が向上するというもの
が提案されている（従来例Ｂとする。特開平１−１４３
０４１号公報参照）。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図４の
媒体ｍ1 、媒体ｍ2 及び上記従来例Ａの場合、ＡｌＮ等
の非磁性層２を介してＲ層１とＭ層３とが静磁結合して
おり、また再生時にＭ層３は反射層として、非磁性層２
は干渉層としても機能し、エンハンスメント効果により
カー回転角を増大させる作用がある。しかし、Ｍ層３は
磁性層であるため、十分なエンハンスメント効果を得る
ためには、その光の反射率は低すぎる。また、非磁性層
２の膜厚を調整して最適なエンハンスメント効果を得よ
うとすれば、最適な記録再生感度、例えば最適なＣ／Ｎ
比等が実現できないという問題点がある。
媒体ｍ1 、媒体ｍ2 及び上記従来例Ａの場合、ＡｌＮ等
の非磁性層２を介してＲ層１とＭ層３とが静磁結合して
おり、また再生時にＭ層３は反射層として、非磁性層２
は干渉層としても機能し、エンハンスメント効果により
カー回転角を増大させる作用がある。しかし、Ｍ層３は
磁性層であるため、十分なエンハンスメント効果を得る
ためには、その光の反射率は低すぎる。また、非磁性層
２の膜厚を調整して最適なエンハンスメント効果を得よ
うとすれば、最適な記録再生感度、例えば最適なＣ／Ｎ
比等が実現できないという問題点がある。
【００１３】上記従来例Ｂは、第２磁性膜のキュリー温
度Ｔc2以上で第１磁性膜と第３磁性膜との間の交換結合
力を遮断し、外部印加磁場Ｈexにより第１磁性膜の磁区
を拡大して再生するものであり、下記の本発明とは基本
的に相違するものである。
度Ｔc2以上で第１磁性膜と第３磁性膜との間の交換結合
力を遮断し、外部印加磁場Ｈexにより第１磁性膜の磁区
を拡大して再生するものであり、下記の本発明とは基本
的に相違するものである。
【００１４】従って、本発明は上記事情に鑑みて完成さ
れたものであり、その目的は、媒体において再生時の反
射光のエンハンスメント効果を高め、Ｃ／Ｎ比等の記録
再生感度を向上させることにある。
れたものであり、その目的は、媒体において再生時の反
射光のエンハンスメント効果を高め、Ｃ／Ｎ比等の記録
再生感度を向上させることにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明の光磁気記録媒体
は、透明基板上に、室温で面内磁化状態であり所定温度
以上で垂直磁化状態に変態する再生層と、前記所定温度
以上で静磁結合により前記再生層に垂直磁化を転写する
記録層とを積層して成る光磁気記録媒体であって、前記
再生層と前記記録層との間に厚さ１００〜４００Åの反
射層を設けたことを特徴とし、これにより、情報の再生
時の反射光のエンハンスメント効果を高め、Ｃ／Ｎ比等
の記録再生感度が向上する。
は、透明基板上に、室温で面内磁化状態であり所定温度
以上で垂直磁化状態に変態する再生層と、前記所定温度
以上で静磁結合により前記再生層に垂直磁化を転写する
記録層とを積層して成る光磁気記録媒体であって、前記
再生層と前記記録層との間に厚さ１００〜４００Åの反
射層を設けたことを特徴とし、これにより、情報の再生
時の反射光のエンハンスメント効果を高め、Ｃ／Ｎ比等
の記録再生感度が向上する。
【００１６】また、好ましくは、前記反射層がＡｌ，Ａ
ｇ，Ａｕ又はＰｔからなる金属層である。更に好ましく
は、前記再生層と反射層との間に透明誘電体層が介在さ
れて成り、前記反射層の厚みをＬ1 、前記透明誘電体層
の厚みをＬ2 とすると、その膜厚比Ｌ2 ／Ｌ1 が１／５
〜１である。
ｇ，Ａｕ又はＰｔからなる金属層である。更に好ましく
は、前記再生層と反射層との間に透明誘電体層が介在さ
れて成り、前記反射層の厚みをＬ1 、前記透明誘電体層
の厚みをＬ2 とすると、その膜厚比Ｌ2 ／Ｌ1 が１／５
〜１である。
【００１７】
【発明の実施の形態】本発明の光磁気記録媒体について
以下に説明する。図１は、本発明の媒体ｍａの磁性層構
成の部分断面図であり、１１はポリカーボネート等のプ
ラスチック，ガラス等の透明材料からなるディスク状等
の透明基板、１２はサイアロン（Ｓｉ，Ａｌ，Ｏ，Ｎの
非晶質膜），イットリウムサイアロン（Ｙ，Ｓｉ，Ａ
ｌ，Ｏ，Ｎの非晶質膜），Ｓｉ3 Ｎ4 ，ＳｉＯ2 ，Ａｌ
Ｎ等からなる誘電体層である。
以下に説明する。図１は、本発明の媒体ｍａの磁性層構
成の部分断面図であり、１１はポリカーボネート等のプ
ラスチック，ガラス等の透明材料からなるディスク状等
の透明基板、１２はサイアロン（Ｓｉ，Ａｌ，Ｏ，Ｎの
非晶質膜），イットリウムサイアロン（Ｙ，Ｓｉ，Ａ
ｌ，Ｏ，Ｎの非晶質膜），Ｓｉ3 Ｎ4 ，ＳｉＯ2 ，Ａｌ
Ｎ等からなる誘電体層である。
【００１８】また、１３は、例えばＲＥリッチで、キュ
リー温度が３２０℃程度のＧｄＦｅＣｏ等からなり、室
温（２０℃〜３０℃程度）で面内磁化状態であり所定温
度（１２０℃程度）以上で垂直磁化状態に変態（変化）
するＲ層、１４はＡｌＮ等の透明誘電体層、１５は反射
層、１６は例えば室温で補償組成で、キュリー温度が２
４０℃程度のＴｂＦｅＣｏ等からなり垂直磁気異方性の
Ｍ層である。
リー温度が３２０℃程度のＧｄＦｅＣｏ等からなり、室
温（２０℃〜３０℃程度）で面内磁化状態であり所定温
度（１２０℃程度）以上で垂直磁化状態に変態（変化）
するＲ層、１４はＡｌＮ等の透明誘電体層、１５は反射
層、１６は例えば室温で補償組成で、キュリー温度が２
４０℃程度のＴｂＦｅＣｏ等からなり垂直磁気異方性の
Ｍ層である。
【００１９】そして、Ｍ層１６の上に、磁性層の損傷、
酸化を防止するために、サイアロン，イットリウムサイ
アロン，Ｓｉ3 Ｎ4 ，ＡｌＴｉ，ＳｉＯ2 ，ＡｌＮ等か
らなる誘電体層を設けてもよい。更にその誘電体層上に
樹脂保護層をコートしても構わない。
酸化を防止するために、サイアロン，イットリウムサイ
アロン，Ｓｉ3 Ｎ4 ，ＡｌＴｉ，ＳｉＯ2 ，ＡｌＮ等か
らなる誘電体層を設けてもよい。更にその誘電体層上に
樹脂保護層をコートしても構わない。
【００２０】上記各磁性層は、基本的にＣｒ，Ｆｅ，Ｃ
ｏ，Ｎｉ，Ｃｕ等のＴＭと、Ｎｄ，Ｓｍ，Ｇｄ，Ｔｂ，
Ｄｙ，Ｈｏ等のＲＥとの非晶質合金から成る。例えば、
各磁性層はＴｂＦｅ，ＴｂＦｅＣｏ，ＧｄＦｅＣｏ，Ｇ
ｄＴｂＦｅＣｏ等から成る。
ｏ，Ｎｉ，Ｃｕ等のＴＭと、Ｎｄ，Ｓｍ，Ｇｄ，Ｔｂ，
Ｄｙ，Ｈｏ等のＲＥとの非晶質合金から成る。例えば、
各磁性層はＴｂＦｅ，ＴｂＦｅＣｏ，ＧｄＦｅＣｏ，Ｇ
ｄＴｂＦｅＣｏ等から成る。
【００２１】本発明において、Ｒ層１３はＲＥリッチ
で、補償温度は室温〜キュリー温度の範囲に存在しない
のが好ましく、この範囲からはずれると再生時の垂直磁
化が弱くなり、Ｃ／Ｎ比等が劣化する。また、そのキュ
リー温度は約３００℃〜４００℃が好適であり、３００
℃未満ではカー回転角不足でＣ／Ｎ比が低下し、４００
℃超では垂直磁化が困難になる。
で、補償温度は室温〜キュリー温度の範囲に存在しない
のが好ましく、この範囲からはずれると再生時の垂直磁
化が弱くなり、Ｃ／Ｎ比等が劣化する。また、そのキュ
リー温度は約３００℃〜４００℃が好適であり、３００
℃未満ではカー回転角不足でＣ／Ｎ比が低下し、４００
℃超では垂直磁化が困難になる。
【００２２】上記のような特性のＲ層１３とするには、
ＧｄＦｅＣｏ，ＧｄＴｂＦｅＣｏ，ＧｄＤｙＦｅＣｏと
いった組成の磁性層が良く、その組成比は５０ａｔ％≦
Ｇｄ≦８０ａｔ％，０ａｔ％≦Ｔｂ≦２０ａｔ％，０ａ
ｔ％≦Ｄｙ≦２０ａｔ％，２０ａｔ％≦Ｆｅ≦４０ａｔ
％，５０ａｔ％≦Ｃｏ≦８０ａｔ％の範囲内とするの
が、上記のような磁気的特性を実現でき好ましい。
ＧｄＦｅＣｏ，ＧｄＴｂＦｅＣｏ，ＧｄＤｙＦｅＣｏと
いった組成の磁性層が良く、その組成比は５０ａｔ％≦
Ｇｄ≦８０ａｔ％，０ａｔ％≦Ｔｂ≦２０ａｔ％，０ａ
ｔ％≦Ｄｙ≦２０ａｔ％，２０ａｔ％≦Ｆｅ≦４０ａｔ
％，５０ａｔ％≦Ｃｏ≦８０ａｔ％の範囲内とするの
が、上記のような磁気的特性を実現でき好ましい。
【００２３】また、Ｒ層１３の厚みは１００〜４００Å
が好ましく、１００Å未満ではＣ／Ｎ比が低下し、４０
０Å超ではＭＳＲ動作が困難になる。
が好ましく、１００Å未満ではＣ／Ｎ比が低下し、４０
０Å超ではＭＳＲ動作が困難になる。
【００２４】一方、Ｍ層１６については、室温付近に補
償温度を有し、キュリー温度が約１８０℃〜２４０℃が
好適であり、１８０℃未満ではＣ／Ｎ比が低下し、２４
０℃超ではＷ層（Writing layer ：書込み層又は記録補
助層）がある場合にそのキュリー温度と同等以上となる
ため、Ｗ層からＭ層１６へ転写する際の転写可能な温度
幅が狭くなり、記録パワーの設定が困難になる。
償温度を有し、キュリー温度が約１８０℃〜２４０℃が
好適であり、１８０℃未満ではＣ／Ｎ比が低下し、２４
０℃超ではＷ層（Writing layer ：書込み層又は記録補
助層）がある場合にそのキュリー温度と同等以上となる
ため、Ｗ層からＭ層１６へ転写する際の転写可能な温度
幅が狭くなり、記録パワーの設定が困難になる。
【００２５】また、Ｍ層１６の組成はＴｂＦｅＣｏ，Ｔ
ｂＤｙＦｅＣｏ等が良く、その組成比は１０ａｔ％≦Ｔ
ｂ≦４０ａｔ％，１０ａｔ％≦Ｄｙ≦３０ａｔ％（Ｄｙ
がある場合），５０ａｔ％≦Ｆｅ≦７５ａｔ％，５ａｔ
％≦Ｃｏ≦２０ａｔ％が、上記のような磁気的特性を実
現でき好ましい。
ｂＤｙＦｅＣｏ等が良く、その組成比は１０ａｔ％≦Ｔ
ｂ≦４０ａｔ％，１０ａｔ％≦Ｄｙ≦３０ａｔ％（Ｄｙ
がある場合），５０ａｔ％≦Ｆｅ≦７５ａｔ％，５ａｔ
％≦Ｃｏ≦２０ａｔ％が、上記のような磁気的特性を実
現でき好ましい。
【００２６】Ｍ層１６の厚みは１００〜３００Åが良
く、１００Å未満ではＭ層１６からＲ層１３への静磁結
合が弱まるため磁化の転写が困難になり、３００Å超で
はＷ層が存在する場合にＷ層からＭ層１６への交換結合
力による磁化の転写が困難になる。
く、１００Å未満ではＭ層１６からＲ層１３への静磁結
合が弱まるため磁化の転写が困難になり、３００Å超で
はＷ層が存在する場合にＷ層からＭ層１６への交換結合
力による磁化の転写が困難になる。
【００２７】そして、Ｒ層１３とＭ層１６の保磁力の関
係は、室温ではＲ層１３は面内磁化状態でＭ層１６は補
償組成であるため、これらの保磁力の大小関係は静磁結
合に全く影響なく、情報の転写温度付近（１２０℃程
度）ではＭ層１６の垂直磁化の保磁力がＲ層１３の垂直
磁化の保磁力よりも大きい。
係は、室温ではＲ層１３は面内磁化状態でＭ層１６は補
償組成であるため、これらの保磁力の大小関係は静磁結
合に全く影響なく、情報の転写温度付近（１２０℃程
度）ではＭ層１６の垂直磁化の保磁力がＲ層１３の垂直
磁化の保磁力よりも大きい。
【００２８】更に、Ｍ層１６上にＷ層，Ｓ層（Switting
layer：制御層），Ｉ層（Initializing layer：初期化
層）等を設けて、オーバーライト可能なものとしてもよ
い。また、Ｍ層１６とＷ層との間に、これらの交換結合
力を調整するためのｉｎｔ層を設けてもよい。
layer：制御層），Ｉ層（Initializing layer：初期化
層）等を設けて、オーバーライト可能なものとしてもよ
い。また、Ｍ層１６とＷ層との間に、これらの交換結合
力を調整するためのｉｎｔ層を設けてもよい。
【００２９】本発明の反射層１５は、Ａｌ，Ａｇ，Ａｕ
又はＰｔ等の高反射率の金属からなる金属層、又は前記
金属を含む合金層が好ましく、より好ましくはＡｌ，Ａ
ｇがよく、これらは可視光領域のほぼ全域で反射率が高
い。Ａｕ，Ｐｔは可視光領域の短波長側では反射率が低
下するが、それ以外では十分に使用できる。これらの金
属、特にＡｌ，Ａｇの光の反射率は光の波長４００〜７
００ｎｍ程度に対して約９０％以上であり好ましく、９
０％未満では再生時のエンハンスメント効果が不十分と
なる。
又はＰｔ等の高反射率の金属からなる金属層、又は前記
金属を含む合金層が好ましく、より好ましくはＡｌ，Ａ
ｇがよく、これらは可視光領域のほぼ全域で反射率が高
い。Ａｕ，Ｐｔは可視光領域の短波長側では反射率が低
下するが、それ以外では十分に使用できる。これらの金
属、特にＡｌ，Ａｇの光の反射率は光の波長４００〜７
００ｎｍ程度に対して約９０％以上であり好ましく、９
０％未満では再生時のエンハンスメント効果が不十分と
なる。
【００３０】また、反射層１５の厚みは１００〜４００
Åであり、１００Å未満ではレーザ光が透過し易くなり
反射層として機能し難く、４００Åを超えるとＲ層１３
とＭ層１６との間の静磁結合が弱くなり、Ｍ層１６から
Ｒ層１３への磁化方向の転写が不十分となり、その結果
記録感度が劣化する。好ましくは、１００〜３００Åで
ある。
Åであり、１００Å未満ではレーザ光が透過し易くなり
反射層として機能し難く、４００Åを超えるとＲ層１３
とＭ層１６との間の静磁結合が弱くなり、Ｍ層１６から
Ｒ層１３への磁化方向の転写が不十分となり、その結果
記録感度が劣化する。好ましくは、１００〜３００Åで
ある。
【００３１】本発明の透明誘電体層１４は、その中で反
射光を多重反射させるための透明媒体であると当時に、
Ｒ層１３とＭ層１６との間の静磁結合を調整するという
作用を有する。その材質は、サイアロン，イットリウム
サイアロン，アモルファスＡｌＮ（ａ−ＡｌＮと表
記），ａ−ＳｉＮ，ａ−ＳｉＯ，ａ−ＴｉＯ，ａ−Ｔｉ
Ｎ，ａ−ＴｉＯ，ａ−ＴａＯ等が好ましく、これらは透
明な非磁性材料であり、スパッタリング法等で容易に成
膜できる。
射光を多重反射させるための透明媒体であると当時に、
Ｒ層１３とＭ層１６との間の静磁結合を調整するという
作用を有する。その材質は、サイアロン，イットリウム
サイアロン，アモルファスＡｌＮ（ａ−ＡｌＮと表
記），ａ−ＳｉＮ，ａ−ＳｉＯ，ａ−ＴｉＯ，ａ−Ｔｉ
Ｎ，ａ−ＴｉＯ，ａ−ＴａＯ等が好ましく、これらは透
明な非磁性材料であり、スパッタリング法等で容易に成
膜できる。
【００３２】また、透明誘電体層１４の厚みは５０〜２
５０Åが好ましく、５０Å未満では光学的なエンハンス
メント効果を発生させるのが難しく、そのためＣ／Ｎ比
が劣化する。２５０Åを超えると、Ｒ層１３とＭ層１６
との間の静磁結合が弱くなり、Ｍ層１６からＲ層１３へ
の磁化方向の転写が不十分となり、その結果記録感度が
低下する。
５０Åが好ましく、５０Å未満では光学的なエンハンス
メント効果を発生させるのが難しく、そのためＣ／Ｎ比
が劣化する。２５０Åを超えると、Ｒ層１３とＭ層１６
との間の静磁結合が弱くなり、Ｍ層１６からＲ層１３へ
の磁化方向の転写が不十分となり、その結果記録感度が
低下する。
【００３３】そして、反射層１５の厚みをＬ1 、透明誘
電体層１４の厚みをＬ2 とすると、その膜厚比Ｌ2 ／Ｌ
1 は１／５（例えば５０Å／２５０Å）〜１（例えば２
５０Å／２５０Å）とするのがよく、１／５未満では透
明誘電体層１４が薄くなりエンハンスメント効果が生じ
ず、Ｃ／Ｎ比が劣化する。また、１を超えるとエンハン
スメント効果は有るが、Ｒ層１３とＭ層１６との間の静
磁結合が弱くなり磁化方向の転写が不十分となる。
電体層１４の厚みをＬ2 とすると、その膜厚比Ｌ2 ／Ｌ
1 は１／５（例えば５０Å／２５０Å）〜１（例えば２
５０Å／２５０Å）とするのがよく、１／５未満では透
明誘電体層１４が薄くなりエンハンスメント効果が生じ
ず、Ｃ／Ｎ比が劣化する。また、１を超えるとエンハン
スメント効果は有るが、Ｒ層１３とＭ層１６との間の静
磁結合が弱くなり磁化方向の転写が不十分となる。
【００３４】かくして、本発明の光磁気記録媒体は、媒
体において再生時の反射光のエンハンスメント効果を高
め、Ｃ／Ｎ比等の記録再生感度が向上するという作用効
果を有する。
体において再生時の反射光のエンハンスメント効果を高
め、Ｃ／Ｎ比等の記録再生感度が向上するという作用効
果を有する。
【００３５】本発明において、各磁性層を基板の両面に
積層するか、片面に各磁性層を積層した２枚の基板を貼
り付けることにより、２倍の記録密度としてもよい。
積層するか、片面に各磁性層を積層した２枚の基板を貼
り付けることにより、２倍の記録密度としてもよい。
【００３６】尚、本発明は上記の実施形態に限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々
の変更は何等差し支えない。
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々
の変更は何等差し支えない。
【００３７】
【実施例】本発明の実施例を以下に説明する。図１の媒
体ｍａを以下のように構成した。ポリカーボネートから
成るディスク状の透明基板１１上に、ａ−ＡｌＮ（８０
０Å）から成る誘電体層１２をスパッタリング法により
成膜した。次いで、ＲＥリッチ，膜厚約３００Å，キュ
リー温度約３２０℃のＧｄ35Ｆｅ50Ｃｏ15からなるＲ層
１３、ａ−ＡｌＮ（１００Å）から成る透明誘電体層１
４、Ａｌ（１００Å）から成る反射層１５、室温で補償
組成，膜厚約４００Å，キュリー温度約２４０℃のＴｂ
30Ｆｅ58Ｃｏ12からなるＭ層１６をスパッタリング法に
より順次成膜し、光磁気ディスクを作製した。
体ｍａを以下のように構成した。ポリカーボネートから
成るディスク状の透明基板１１上に、ａ−ＡｌＮ（８０
０Å）から成る誘電体層１２をスパッタリング法により
成膜した。次いで、ＲＥリッチ，膜厚約３００Å，キュ
リー温度約３２０℃のＧｄ35Ｆｅ50Ｃｏ15からなるＲ層
１３、ａ−ＡｌＮ（１００Å）から成る透明誘電体層１
４、Ａｌ（１００Å）から成る反射層１５、室温で補償
組成，膜厚約４００Å，キュリー温度約２４０℃のＴｂ
30Ｆｅ58Ｃｏ12からなるＭ層１６をスパッタリング法に
より順次成膜し、光磁気ディスクを作製した。
【００３８】また、図２の媒体ｍｂ及び図３の媒体ｍｃ
は比較例を示し、媒体ｍｂは反射層１５がなく、透明誘
電体層１４をａ−ＡｌＮ（２００Å）とした以外は媒体
ｍａと同様である。媒体ｍｃは、反射層１５がなく、透
明誘電体層１４をａ−ＡｌＮ（３０Å）とし、Ｒ層１３
と透明誘電体層１４との間にＧｄ22Ｆｅ78のマスク層１
７を設けた以外は媒体ｍａと同様である。
は比較例を示し、媒体ｍｂは反射層１５がなく、透明誘
電体層１４をａ−ＡｌＮ（２００Å）とした以外は媒体
ｍａと同様である。媒体ｍｃは、反射層１５がなく、透
明誘電体層１４をａ−ＡｌＮ（３０Å）とし、Ｒ層１３
と透明誘電体層１４との間にＧｄ22Ｆｅ78のマスク層１
７を設けた以外は媒体ｍａと同様である。
【００３９】そして、媒体ｍａ，媒体ｍｂ，媒体ｍｃに
ついて、マーク長（１ピットの長さ）と再生時のマーク
中央でのＣ／Ｎ比を表１に示す。
ついて、マーク長（１ピットの長さ）と再生時のマーク
中央でのＣ／Ｎ比を表１に示す。
【００４０】
【表１】
【００４１】表１に示すように、本発明の媒体ｍａは、
いずれのマーク長に対してもマーク中央でのＣ／Ｎ比が
最も高い値を示した。また、媒体ｍｃはマスク層１７を
設けることにより再生時の分解能が向上したため、媒体
ｍｂよりは高いＣ／Ｎ比を示しているが、反射層１５に
よるエンハンスメント効果がなく、またマスク層１７自
体でエンハンスメント効果が阻害されていると考えら
れ、その結果媒体ｍａよりはＣ／Ｎ比が劣化した。
いずれのマーク長に対してもマーク中央でのＣ／Ｎ比が
最も高い値を示した。また、媒体ｍｃはマスク層１７を
設けることにより再生時の分解能が向上したため、媒体
ｍｂよりは高いＣ／Ｎ比を示しているが、反射層１５に
よるエンハンスメント効果がなく、またマスク層１７自
体でエンハンスメント効果が阻害されていると考えら
れ、その結果媒体ｍａよりはＣ／Ｎ比が劣化した。
【００４２】更に、媒体ｍａにおいて、反射層１５をＡ
ｌとしてその厚さを５０〜４５０Åの種々の値にした場
合の、マーク長と再生時のマーク中央でのＣ／Ｎ比を表
２に、同様に反射層１５をＡｇとした場合のＣ／Ｎ比を
表３に示す。
ｌとしてその厚さを５０〜４５０Åの種々の値にした場
合の、マーク長と再生時のマーク中央でのＣ／Ｎ比を表
２に、同様に反射層１５をＡｇとした場合のＣ／Ｎ比を
表３に示す。
【００４３】
【表２】
【００４４】
【表３】
【００４５】表２，表３から判るように、反射層１５の
厚さが１００Å未満、４００Å超の場合、Ｃ／Ｎ比が４
５ｄＢ以下と劣化した。
厚さが１００Å未満、４００Å超の場合、Ｃ／Ｎ比が４
５ｄＢ以下と劣化した。
【００４６】因みに、ＭＳＲによる再生条件は以下のよ
うなものであった。トラックピッチ０．７μｍの透明基
板１１上に、レーザ波長６８０ｎｍ，ＮＡ（Numerieal
Aperture：対物レンズの開口数）＝０．５５で記録を行
い、このときビームスポット径≒０．８×６８０／０．
５５＝９８９ｎｍとなり、再生時の読出パワーは２．５
ｍＷであった。
うなものであった。トラックピッチ０．７μｍの透明基
板１１上に、レーザ波長６８０ｎｍ，ＮＡ（Numerieal
Aperture：対物レンズの開口数）＝０．５５で記録を行
い、このときビームスポット径≒０．８×６８０／０．
５５＝９８９ｎｍとなり、再生時の読出パワーは２．５
ｍＷであった。
【００４７】
【発明の効果】本発明の光磁気記録媒体は、Ｒ層とＭ層
との間に反射層を設けることにより、再生時の反射光の
エンハンスメント効果を高め、Ｃ／Ｎ比等の記録再生感
度が向上するという効果を有する。
との間に反射層を設けることにより、再生時の反射光の
エンハンスメント効果を高め、Ｃ／Ｎ比等の記録再生感
度が向上するという効果を有する。
【００４８】また、本発明の光磁気記録媒体はＭＳＲ再
生が可能な媒体であればよく、光磁気ディスク、光磁気
カード、光磁気テープ等に応用可能なものである。
生が可能な媒体であればよく、光磁気ディスク、光磁気
カード、光磁気テープ等に応用可能なものである。
【図１】本発明のＭＳＲ型の媒体ｍａの磁性層構成の部
分断面図である。
分断面図である。
【図２】比較例の媒体ｍｂの磁性層構成の部分断面図で
ある。
ある。
【図３】比較例の媒体ｍｃの磁性層構成の部分断面図で
ある。
ある。
【図４】従来のＭＳＲ型の媒体を示し、（ａ）は媒体ｍ
1 の磁性層構成の部分断面図、（ｂ）は媒体ｍ2 の磁性
層構成の部分断面図である。
1 の磁性層構成の部分断面図、（ｂ）は媒体ｍ2 の磁性
層構成の部分断面図である。
１１：透明基板 １２：誘電体層 １３：Ｒ層 １４：透明誘電体層 １５：反射層 １６：Ｍ層
Claims (3)
- 【請求項１】透明基板上に、室温で面内磁化状態であり
所定温度以上で垂直磁化状態に変態する再生層と、前記
所定温度以上で静磁結合により前記再生層に垂直磁化を
転写する記録層とを積層して成る光磁気記録媒体であっ
て、前記再生層と前記記録層との間に厚さ１００〜４０
０Åの反射層を設けたことを特徴とする光磁気記録媒
体。 - 【請求項２】前記反射層がＡｌ，Ａｇ，Ａｕ又はＰｔか
らなる金属層である請求項１記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項３】前記再生層と反射層との間に透明誘電体層
が介在されて成り、前記反射層の厚みをＬ1 、前記透明
誘電体層の厚みをＬ2 とすると、その膜厚比Ｌ2 ／Ｌ1
が１／５〜１である請求項１又は２記載の光磁気記録媒
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9330684A JPH11162028A (ja) | 1997-12-01 | 1997-12-01 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9330684A JPH11162028A (ja) | 1997-12-01 | 1997-12-01 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11162028A true JPH11162028A (ja) | 1999-06-18 |
Family
ID=18235429
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9330684A Pending JPH11162028A (ja) | 1997-12-01 | 1997-12-01 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11162028A (ja) |
-
1997
- 1997-12-01 JP JP9330684A patent/JPH11162028A/ja active Pending
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