JPH11162029A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH11162029A JPH11162029A JP33068597A JP33068597A JPH11162029A JP H11162029 A JPH11162029 A JP H11162029A JP 33068597 A JP33068597 A JP 33068597A JP 33068597 A JP33068597 A JP 33068597A JP H11162029 A JPH11162029 A JP H11162029A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】複数の記録マークが再生されることによる信号
の干渉を防ぎ、再生時のＣ／Ｎ比等を向上させること。 【解決手段】室温で面内磁化状態で所定温度以上で垂直
磁化状態に変化し得る磁区拡大層１と、前記磁区拡大層
１よりも保磁力が大きい記録層４とを有する光磁気記録
媒体ｍ1 であって、前記磁区拡大層１と記録層４との間
に、室温で面内磁化状態であり、かつ前記磁区拡大層１
と記録層４よりもキュリー温度が低いゲート層３が設け
られている。
の干渉を防ぎ、再生時のＣ／Ｎ比等を向上させること。 【解決手段】室温で面内磁化状態で所定温度以上で垂直
磁化状態に変化し得る磁区拡大層１と、前記磁区拡大層
１よりも保磁力が大きい記録層４とを有する光磁気記録
媒体ｍ1 であって、前記磁区拡大層１と記録層４との間
に、室温で面内磁化状態であり、かつ前記磁区拡大層１
と記録層４よりもキュリー温度が低いゲート層３が設け
られている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ光等の照射
により２値情報を記録し、カー効果等の磁気光学効果で
情報を再生する光磁気記録媒体であって、磁区拡大再生
が可能なものに関する。
により２値情報を記録し、カー効果等の磁気光学効果で
情報を再生する光磁気記録媒体であって、磁区拡大再生
が可能なものに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の磁区拡大再生が可能な光磁気記録
媒体（以下、媒体という）を図２に示す。同図は、従来
の媒体ｍ2 の部分断面図であり、再生時の磁化方向の状
態を説明するものである。
媒体（以下、媒体という）を図２に示す。同図は、従来
の媒体ｍ2 の部分断面図であり、再生時の磁化方向の状
態を説明するものである。
【０００３】同図において、１１はＧｄＦｅＣｏ等から
成る磁区拡大層、１２はＡｌ合金等から成る反射層、１
３はＴｂＦｅＣｏ等から成る記録層、１４は対物レン
ズ、１５はレーザ光である。この構成において、再生時
に磁区拡大層１１に対してレーザ１５を照射し、ビーム
スポット付近の温度を１２０℃程度に昇温すると、磁区
拡大層１１の面内磁化が垂直磁化に変化し、垂直磁化の
外部磁界によって磁化され易くなる。また、記録層１３
の漏洩磁界も増大する結果、その磁化方向が磁区拡大層
１１に転写される。
成る磁区拡大層、１２はＡｌ合金等から成る反射層、１
３はＴｂＦｅＣｏ等から成る記録層、１４は対物レン
ズ、１５はレーザ光である。この構成において、再生時
に磁区拡大層１１に対してレーザ１５を照射し、ビーム
スポット付近の温度を１２０℃程度に昇温すると、磁区
拡大層１１の面内磁化が垂直磁化に変化し、垂直磁化の
外部磁界によって磁化され易くなる。また、記録層１３
の漏洩磁界も増大する結果、その磁化方向が磁区拡大層
１１に転写される。
【０００４】そして、磁区拡大層１１に転写された磁化
方向と同じ方向に２６０Ｏｅ程度の外部磁界を印加する
と、磁区拡大層１１の転写磁区がビームスポットとほぼ
同じ大きさまで拡大する。このとき、記録層１３の磁性
材料は保磁力が高いので、熱や外部磁界の影響で磁化方
向が影響されることはない（日経エレクトロニクス１９
９７．６．１６（ｎｏ．６９１）、特開平１−１４３０
４１号公報参照）。
方向と同じ方向に２６０Ｏｅ程度の外部磁界を印加する
と、磁区拡大層１１の転写磁区がビームスポットとほぼ
同じ大きさまで拡大する。このとき、記録層１３の磁性
材料は保磁力が高いので、熱や外部磁界の影響で磁化方
向が影響されることはない（日経エレクトロニクス１９
９７．６．１６（ｎｏ．６９１）、特開平１−１４３０
４１号公報参照）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図２の
ように、記録層１３の記録マークを小さくして線記録密
度を高くしようとすると、ビームスポットの中心付近の
複数の記録マークが磁区拡大層１１に転写され、信号が
干渉してＣ／Ｎ比が低下するという問題点があった。
ように、記録層１３の記録マークを小さくして線記録密
度を高くしようとすると、ビームスポットの中心付近の
複数の記録マークが磁区拡大層１１に転写され、信号が
干渉してＣ／Ｎ比が低下するという問題点があった。
【０００６】また、上記問題点を解消するために、磁区
拡大層１１と記録層１３との間にゲート層と呼ばれる磁
性層を設け、ゲート層により最も高温の１個の記録マー
クだけを抽出し、磁区拡大層１１に転写する構成も提案
されている（日経エレクトロニクス １９９７．６．１
６（ｎｏ．６９１）参照）。しかし、従来、このゲート
層の磁気的特性等について詳しく言及した例はなかっ
た。
拡大層１１と記録層１３との間にゲート層と呼ばれる磁
性層を設け、ゲート層により最も高温の１個の記録マー
クだけを抽出し、磁区拡大層１１に転写する構成も提案
されている（日経エレクトロニクス １９９７．６．１
６（ｎｏ．６９１）参照）。しかし、従来、このゲート
層の磁気的特性等について詳しく言及した例はなかっ
た。
【０００７】従って、本発明は上記事情に鑑みて完成さ
れたものであり、その目的は、磁区拡大再生が可能な媒
体において、磁区拡大層と記録層との間に設けられるゲ
ート層を特定の磁気的特性となるようにし、その結果再
生時の分解能、即ちＣ／Ｎ比等を向上させることにあ
る。
れたものであり、その目的は、磁区拡大再生が可能な媒
体において、磁区拡大層と記録層との間に設けられるゲ
ート層を特定の磁気的特性となるようにし、その結果再
生時の分解能、即ちＣ／Ｎ比等を向上させることにあ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の光磁気記録媒体
は、室温で面内磁化状態で所定温度以上で垂直磁化状態
に変化し得る磁区拡大層と、前記磁区拡大層よりも保磁
力が大きい記録層とを有する光磁気記録媒体であって、
前記磁区拡大層と記録層との間に、室温で面内磁化状態
であり、かつ前記磁区拡大層及び記録層よりもキュリー
温度が低いゲート層を設けたことを特徴とし、上記構成
により、記録層の記録マークの１個のみを抽出して拡大
再生できるようにし、その結果再生時の分解能、Ｃ／Ｎ
比等を向上し得る。
は、室温で面内磁化状態で所定温度以上で垂直磁化状態
に変化し得る磁区拡大層と、前記磁区拡大層よりも保磁
力が大きい記録層とを有する光磁気記録媒体であって、
前記磁区拡大層と記録層との間に、室温で面内磁化状態
であり、かつ前記磁区拡大層及び記録層よりもキュリー
温度が低いゲート層を設けたことを特徴とし、上記構成
により、記録層の記録マークの１個のみを抽出して拡大
再生できるようにし、その結果再生時の分解能、Ｃ／Ｎ
比等を向上し得る。
【０００９】本発明において、好ましくは、前記磁区拡
大層と前記ゲート層との間に、これらの交換結合を遮断
する中間層を設ける。
大層と前記ゲート層との間に、これらの交換結合を遮断
する中間層を設ける。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の媒体ｍ1 を図１に示す。
同図は媒体ｍ1 の部分断面図であり、温度による磁化状
態の変化を説明するためのものである。
同図は媒体ｍ1 の部分断面図であり、温度による磁化状
態の変化を説明するためのものである。
【００１１】同図において、１はＧｄＦｅＣｏ等から成
る磁区拡大層、２はＡｌ合金等から成る反射層を兼ねた
中間層、３はゲート層、４はＴｂＦｅＣｏ等から成る記
録層、５は対物レンズ、６は再生用のレーザ光である。
これらの層は、ポリカーボネート等のプラスチック，ガ
ラス等の透明材料からなるディスク状等の透明基板（図
示せず）上に、磁区拡大層１から順次積層される。ま
た、サイアロン（Ｓｉ，Ａｌ，Ｏ，Ｎの非晶質膜），イ
ットリウムサイアロン（Ｙ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｏ，Ｎの非晶
質膜），Ｓｉ3 Ｎ4 ，ＳｉＯ2 ，ＡｌＮ等から成る透明
誘電体層を、磁性層の酸化防止や損傷防止のために、透
明基板と磁区拡大層１との間、各層間、最外磁性層上な
どに設けてもよい。
る磁区拡大層、２はＡｌ合金等から成る反射層を兼ねた
中間層、３はゲート層、４はＴｂＦｅＣｏ等から成る記
録層、５は対物レンズ、６は再生用のレーザ光である。
これらの層は、ポリカーボネート等のプラスチック，ガ
ラス等の透明材料からなるディスク状等の透明基板（図
示せず）上に、磁区拡大層１から順次積層される。ま
た、サイアロン（Ｓｉ，Ａｌ，Ｏ，Ｎの非晶質膜），イ
ットリウムサイアロン（Ｙ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｏ，Ｎの非晶
質膜），Ｓｉ3 Ｎ4 ，ＳｉＯ2 ，ＡｌＮ等から成る透明
誘電体層を、磁性層の酸化防止や損傷防止のために、透
明基板と磁区拡大層１との間、各層間、最外磁性層上な
どに設けてもよい。
【００１２】同図に示すように、レーザ光６のビームス
ポットが照射された媒体ｍ1 の部分は温度が上昇し、１
２０℃程度でゲート層３の磁化が弱まるか消失して、漏
洩磁場（白矢印）による静磁結合でもって、記録層４の
磁化方向と同方向の磁化が磁区拡大層１に生じる。
ポットが照射された媒体ｍ1 の部分は温度が上昇し、１
２０℃程度でゲート層３の磁化が弱まるか消失して、漏
洩磁場（白矢印）による静磁結合でもって、記録層４の
磁化方向と同方向の磁化が磁区拡大層１に生じる。
【００１３】上記各磁性層は、基本的にＣｒ，Ｆｅ，Ｃ
ｏ，Ｎｉ，Ｃｕ等の遷移金属元素（Transition Metal e
lementで、以下、ＴＭという）と、Ｎｄ，Ｓｍ，Ｇｄ，
Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ等の希土類元素（Rare Earth element
で、以下、ＲＥという）との非晶質合金から成る。例え
ば、各磁性層はＴｂＦｅ，ＴｂＦｅＣｏ，ＧｄＦｅＣ
ｏ，ＧｄＴｂＦｅＣｏ等から成る。
ｏ，Ｎｉ，Ｃｕ等の遷移金属元素（Transition Metal e
lementで、以下、ＴＭという）と、Ｎｄ，Ｓｍ，Ｇｄ，
Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ等の希土類元素（Rare Earth element
で、以下、ＲＥという）との非晶質合金から成る。例え
ば、各磁性層はＴｂＦｅ，ＴｂＦｅＣｏ，ＧｄＦｅＣ
ｏ，ＧｄＴｂＦｅＣｏ等から成る。
【００１４】本発明のゲート層３は、室温で面内磁化状
態であり、上記磁区拡大層１及び記録層４よりもキュリ
ー温度が低い。つまり、前記磁区拡大層１はキュリー温
度が３２０℃程度で、１２０℃以上では面内磁化が垂直
磁化に変化し、その際記録層４の漏洩磁場により磁化方
向が転写され、また記録層４は室温から再生時の最高温
度までの範囲（室温〜１５０℃程度）内でその垂直磁化
を保持する必要があるため、キュリー温度は２７０℃程
度と高い。従って、ゲート層３のキュリー温度は１００
〜１４０℃程度（１２０℃前後）が好ましく、１００℃
未満では再生時の温度（１２０℃程度）で図１の漏洩磁
場が広くなりすぎ、即ちゲートが広くなりすぎて周囲の
記録層４の磁化方向が転写されるため、分解能が劣化す
る。一方、ゲート層３のキュリー温度が１４０℃を超え
ると、逆にゲートが狭くなり、磁化方向の転写速度が遅
くなる。より好ましくは、１１０〜１３０℃である。
態であり、上記磁区拡大層１及び記録層４よりもキュリ
ー温度が低い。つまり、前記磁区拡大層１はキュリー温
度が３２０℃程度で、１２０℃以上では面内磁化が垂直
磁化に変化し、その際記録層４の漏洩磁場により磁化方
向が転写され、また記録層４は室温から再生時の最高温
度までの範囲（室温〜１５０℃程度）内でその垂直磁化
を保持する必要があるため、キュリー温度は２７０℃程
度と高い。従って、ゲート層３のキュリー温度は１００
〜１４０℃程度（１２０℃前後）が好ましく、１００℃
未満では再生時の温度（１２０℃程度）で図１の漏洩磁
場が広くなりすぎ、即ちゲートが広くなりすぎて周囲の
記録層４の磁化方向が転写されるため、分解能が劣化す
る。一方、ゲート層３のキュリー温度が１４０℃を超え
ると、逆にゲートが狭くなり、磁化方向の転写速度が遅
くなる。より好ましくは、１１０〜１３０℃である。
【００１５】上記の磁気的特性を得るためには、ゲート
層３の組成はＧｄＦｅ，ＧｄＦｅＣｏ等が好ましい。Ｇ
ｄＦｅの場合、その組成比は、２８ａｔ（原子）％≦Ｇ
ｄ≦３４ａｔ％，６６ａｔ％≦Ｆｅ≦７２ａｔ％が良
く、Ｇｄが３４ａｔ％を超えるとキュリー温度が１００
℃未満となり、また全動作温度範囲で垂直磁化にならな
い。一方、Ｇｄが２８ａｔ％未満の場合、キュリー温度
が１５０℃以上となり、また室温で垂直磁化状態にな
る。
層３の組成はＧｄＦｅ，ＧｄＦｅＣｏ等が好ましい。Ｇ
ｄＦｅの場合、その組成比は、２８ａｔ（原子）％≦Ｇ
ｄ≦３４ａｔ％，６６ａｔ％≦Ｆｅ≦７２ａｔ％が良
く、Ｇｄが３４ａｔ％を超えるとキュリー温度が１００
℃未満となり、また全動作温度範囲で垂直磁化にならな
い。一方、Ｇｄが２８ａｔ％未満の場合、キュリー温度
が１５０℃以上となり、また室温で垂直磁化状態にな
る。
【００１６】このゲート層３の厚みは５０〜２００Åが
よく、５０Å未満では、面内磁化のマスク層として作用
するには、飽和磁化と膜厚の積で決定される磁化が小さ
すぎる。また、２００Åを超えると、記録層４からの漏
洩磁場が弱くなり、記録層４から磁区拡大層１への磁化
方向の転写が不十分となる。
よく、５０Å未満では、面内磁化のマスク層として作用
するには、飽和磁化と膜厚の積で決定される磁化が小さ
すぎる。また、２００Åを超えると、記録層４からの漏
洩磁場が弱くなり、記録層４から磁区拡大層１への磁化
方向の転写が不十分となる。
【００１７】本発明において、前記磁区拡大層１と前記
ゲート層３との間に、これらの交換結合を遮断する中間
層を設けるのが好ましく、この中間層により、記録層４
から磁区拡大層１に磁化方向を転写し磁区拡大する際
に、ゲート層３の交換結合力の影響を受けない。即ち、
ゲート層３及び記録層４に含まれるＴＭとＲＥの各々の
磁化方向の作用を、磁区拡大層１に含まれるＴＭとＲＥ
が受けることがなく、これらの磁性層は静磁結合するも
のであればよいことになる。従って、これらの磁性層の
組成の選択度（自由度）が飛躍的に増すことになる。ま
た、中間層により記録層４から磁区拡大層１に作用する
静磁結合の強さを調整することができる。
ゲート層３との間に、これらの交換結合を遮断する中間
層を設けるのが好ましく、この中間層により、記録層４
から磁区拡大層１に磁化方向を転写し磁区拡大する際
に、ゲート層３の交換結合力の影響を受けない。即ち、
ゲート層３及び記録層４に含まれるＴＭとＲＥの各々の
磁化方向の作用を、磁区拡大層１に含まれるＴＭとＲＥ
が受けることがなく、これらの磁性層は静磁結合するも
のであればよいことになる。従って、これらの磁性層の
組成の選択度（自由度）が飛躍的に増すことになる。ま
た、中間層により記録層４から磁区拡大層１に作用する
静磁結合の強さを調整することができる。
【００１８】このような特性を有する中間層の組成は、
アモルファスＡｌＮ（ａ−ＡｌＮと表記），ａ−Ｓｉ
Ｎ，ａ−ＳｉＯ，ａ−ＴｉＮ，ａ−ＴｉＯ，ａ−Ｔａ
Ｏ，サイアロン，イットリウムサイアロン等がよく、こ
れらは非磁性材料でありスパッタリング法等で容易に成
膜できる。また、中間層の厚さは１０〜２００Åが好ま
しく、１０Å未満では、光磁気ディスク等のディスク状
の媒体において、ディスクの周方向の転写特性の分布が
大きくなる。また、２００Åを超えると磁区拡大層１と
記録層４との間の静磁結合が弱くなり、磁化方向の転写
が不十分となる。
アモルファスＡｌＮ（ａ−ＡｌＮと表記），ａ−Ｓｉ
Ｎ，ａ−ＳｉＯ，ａ−ＴｉＮ，ａ−ＴｉＯ，ａ−Ｔａ
Ｏ，サイアロン，イットリウムサイアロン等がよく、こ
れらは非磁性材料でありスパッタリング法等で容易に成
膜できる。また、中間層の厚さは１０〜２００Åが好ま
しく、１０Å未満では、光磁気ディスク等のディスク状
の媒体において、ディスクの周方向の転写特性の分布が
大きくなる。また、２００Åを超えると磁区拡大層１と
記録層４との間の静磁結合が弱くなり、磁化方向の転写
が不十分となる。
【００１９】上記磁区拡大層１は、室温で面内磁化状態
で所定温度（１２０℃程度）以上で垂直磁化状態に変化
するという特性を得るには、その組成はＧｄＦｅＣｏ，
ＧｄＴｂＦｅ，ＧｄＴｂＦｅＣｏ，ＧｄＤｙＦｅＣｏ，
ＧｄＤｙＦｅ等からなるのがよい。また、磁区拡大層１
の厚さは１００〜３００Åがよく、１００Å未満ではレ
ーザ光が透過し易くなり、反射されないためＣ／Ｎ比が
低下する。また、３００Åを超えると、磁区の拡大及び
収縮の速度が低下して分解能が劣化する。
で所定温度（１２０℃程度）以上で垂直磁化状態に変化
するという特性を得るには、その組成はＧｄＦｅＣｏ，
ＧｄＴｂＦｅ，ＧｄＴｂＦｅＣｏ，ＧｄＤｙＦｅＣｏ，
ＧｄＤｙＦｅ等からなるのがよい。また、磁区拡大層１
の厚さは１００〜３００Åがよく、１００Å未満ではレ
ーザ光が透過し易くなり、反射されないためＣ／Ｎ比が
低下する。また、３００Åを超えると、磁区の拡大及び
収縮の速度が低下して分解能が劣化する。
【００２０】記録層４については、磁区拡大層１よりも
保磁力が大きいという特性を有するためには、室温付近
に補償温度を有し、キュリー温度が約１８０℃〜２８０
℃が好適である。１８０℃未満ではＣ／Ｎ比が低下し、
２８０℃超では記録補助層がある場合にそのキュリー温
度と同等以上となるため、記録補助層から記録層４へ転
写する際の転写可能な温度幅が狭くなり、記録パワーの
設定が困難になる。
保磁力が大きいという特性を有するためには、室温付近
に補償温度を有し、キュリー温度が約１８０℃〜２８０
℃が好適である。１８０℃未満ではＣ／Ｎ比が低下し、
２８０℃超では記録補助層がある場合にそのキュリー温
度と同等以上となるため、記録補助層から記録層４へ転
写する際の転写可能な温度幅が狭くなり、記録パワーの
設定が困難になる。
【００２１】また、上記特性を得るための記録層４の組
成は、ＴｂＦｅＣｏ，ＴｂＤｙＦｅＣｏ，ＴｂＧｄＦｅ
Ｃｏ，ＴｂＧｄＤｙＦｅＣｏ等が良い。
成は、ＴｂＦｅＣｏ，ＴｂＤｙＦｅＣｏ，ＴｂＧｄＦｅ
Ｃｏ，ＴｂＧｄＤｙＦｅＣｏ等が良い。
【００２２】そして、記録層４の組成比は、ＴｂＦｅＣ
ｏの場合、２０ａｔ（原子）％＜Ｔｂ＜２８ａｔ％，６
６ａｔ％＜Ｆｅ＜７２ａｔ％，８ａｔ％＜Ｃｏ＜１４ａ
ｔ％、ＴｂＤｙＦｅＣｏの場合、１８ａｔ％＜Ｔｂ＜２
６ａｔ％，１ａｔ％＜Ｄｙ＜４ａｔ％，６６ａｔ％＜Ｆ
ｅ＜７２ａｔ％，９ａｔ％＜Ｃｏ＜１５ａｔ％が好まし
い。また、ＴｂＧｄＦｅＣｏの場合、１８ａｔ％＜Ｔｂ
＜２６ａｔ％，１ａｔ％＜Ｇｄ＜４ａｔ％，６６ａｔ％
＜Ｆｅ＜７４ａｔ％，７ａｔ％＜Ｃｏ＜１３ａｔ％、Ｔ
ｂＧｄＤｙＦｅＣｏの場合、１６ａｔ％＜Ｔｂ＜２４ａ
ｔ％，１ａｔ％＜Ｇｄ＜４ａｔ％，１ａｔ％＜Ｄｙ＜４
ａｔ％，６６ａｔ％＜Ｆｅ＜７４ａｔ％，８ａｔ％＜Ｃ
ｏ＜１４ａｔ％が好適である。
ｏの場合、２０ａｔ（原子）％＜Ｔｂ＜２８ａｔ％，６
６ａｔ％＜Ｆｅ＜７２ａｔ％，８ａｔ％＜Ｃｏ＜１４ａ
ｔ％、ＴｂＤｙＦｅＣｏの場合、１８ａｔ％＜Ｔｂ＜２
６ａｔ％，１ａｔ％＜Ｄｙ＜４ａｔ％，６６ａｔ％＜Ｆ
ｅ＜７２ａｔ％，９ａｔ％＜Ｃｏ＜１５ａｔ％が好まし
い。また、ＴｂＧｄＦｅＣｏの場合、１８ａｔ％＜Ｔｂ
＜２６ａｔ％，１ａｔ％＜Ｇｄ＜４ａｔ％，６６ａｔ％
＜Ｆｅ＜７４ａｔ％，７ａｔ％＜Ｃｏ＜１３ａｔ％、Ｔ
ｂＧｄＤｙＦｅＣｏの場合、１６ａｔ％＜Ｔｂ＜２４ａ
ｔ％，１ａｔ％＜Ｇｄ＜４ａｔ％，１ａｔ％＜Ｄｙ＜４
ａｔ％，６６ａｔ％＜Ｆｅ＜７４ａｔ％，８ａｔ％＜Ｃ
ｏ＜１４ａｔ％が好適である。
【００２３】記録層４の厚みは２００〜６００Åが良
く、２００Å未満では記録層４から磁区拡大層１への静
磁結合が弱まるため磁化の転写が困難になり、６００Å
超では、記録補助層が存在する場合、記録補助層から記
録層４への交換結合力による磁化の転写が困難になる。
く、２００Å未満では記録層４から磁区拡大層１への静
磁結合が弱まるため磁化の転写が困難になり、６００Å
超では、記録補助層が存在する場合、記録補助層から記
録層４への交換結合力による磁化の転写が困難になる。
【００２４】更に、記録層４上に記録補助層，制御層，
初期化層等を設けて、オーバーライト可能なものとして
もよい。また、記録層４と記録補助層との間に、これら
の交換結合力を調整するための交換結合力調整層を設け
てもよい。
初期化層等を設けて、オーバーライト可能なものとして
もよい。また、記録層４と記録補助層との間に、これら
の交換結合力を調整するための交換結合力調整層を設け
てもよい。
【００２５】かくして、本発明は、記録層の記録マーク
の１個のみを抽出して拡大再生できるようにし、複数の
記録マークが再生されることによる複数の信号の干渉を
防ぎ、その結果再生時の分解能、Ｃ／Ｎ比等を向上し得
るという作用効果を有する。
の１個のみを抽出して拡大再生できるようにし、複数の
記録マークが再生されることによる複数の信号の干渉を
防ぎ、その結果再生時の分解能、Ｃ／Ｎ比等を向上し得
るという作用効果を有する。
【００２６】また、本発明において、各磁性層を基板の
両面に積層するか、片面に各磁性層を積層した２枚の基
板を貼り付けることにより、２倍の記録密度としてもよ
い。
両面に積層するか、片面に各磁性層を積層した２枚の基
板を貼り付けることにより、２倍の記録密度としてもよ
い。
【００２７】尚、本発明は上記の実施形態に限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々
の変更は何等差し支えない。
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々
の変更は何等差し支えない。
【００２８】
【実施例】本発明の実施例を以下に説明する。図１の媒
体ｍ1 を以下のように構成した。ポリカーボネートから
成るディスク状の透明基板（図示せず）上に、アモルフ
ァスＳｉＮ（８００Å）から成る透明誘電体層（図示せ
ず）をスパッタリング法により成膜した。
体ｍ1 を以下のように構成した。ポリカーボネートから
成るディスク状の透明基板（図示せず）上に、アモルフ
ァスＳｉＮ（８００Å）から成る透明誘電体層（図示せ
ず）をスパッタリング法により成膜した。
【００２９】次いで、ＲＥリッチ，膜厚約２００Å，キ
ュリー温度約３２０℃のＧｄ30Ｆｅ45Ｃｏ25から成る磁
区拡大層１、膜厚約１００Åのａ−ＡｌＮから成る反射
層（中間層）２、ＲＥリッチ，膜厚約１００Å，キュリ
ー温度約１２０℃のＧｄ30Ｆｅ70から成るゲート層３、
室温で補償組成，膜厚約４００Å，キュリー温度約２７
０℃のＴｂ25Ｆｅ65Ｃｏ10から成る記録層４、ａ−Ｓｉ
Ｎ（８００Å）から成る透明誘電体層（図示せず）を順
次スパッタリング法により成膜し、さらにその上に紫外
線防止用の樹脂保護層（図示せず）をコートして光磁気
ディスクを作製した。
ュリー温度約３２０℃のＧｄ30Ｆｅ45Ｃｏ25から成る磁
区拡大層１、膜厚約１００Åのａ−ＡｌＮから成る反射
層（中間層）２、ＲＥリッチ，膜厚約１００Å，キュリ
ー温度約１２０℃のＧｄ30Ｆｅ70から成るゲート層３、
室温で補償組成，膜厚約４００Å，キュリー温度約２７
０℃のＴｂ25Ｆｅ65Ｃｏ10から成る記録層４、ａ−Ｓｉ
Ｎ（８００Å）から成る透明誘電体層（図示せず）を順
次スパッタリング法により成膜し、さらにその上に紫外
線防止用の樹脂保護層（図示せず）をコートして光磁気
ディスクを作製した。
【００３０】そして、図３は記録層４の記録マーク長
（μｍ）を変化させたときの再生時のＣ／Ｎ比特性のグ
ラフであり、丸印のデータａは本実施例のもの、三角印
のデータｂは図２の従来例、四角印のデータｃは比較例
を示しゲート層３を変えた以外は図１の本実施例と同様
のものである。データｂの場合、媒体ｍ2 はゲート層が
なく、反射層１２を膜厚約２００Åのａ−ＡｌＮから構
成した以外は本実施例と同様である。また、データｃの
場合、ゲート層３をＲＥリッチ，膜厚約１００Å，キュ
リー温度約３００℃のＧｄ30Ｆｅ50Ｃｏ30で構成したも
のである。
（μｍ）を変化させたときの再生時のＣ／Ｎ比特性のグ
ラフであり、丸印のデータａは本実施例のもの、三角印
のデータｂは図２の従来例、四角印のデータｃは比較例
を示しゲート層３を変えた以外は図１の本実施例と同様
のものである。データｂの場合、媒体ｍ2 はゲート層が
なく、反射層１２を膜厚約２００Åのａ−ＡｌＮから構
成した以外は本実施例と同様である。また、データｃの
場合、ゲート層３をＲＥリッチ，膜厚約１００Å，キュ
リー温度約３００℃のＧｄ30Ｆｅ50Ｃｏ30で構成したも
のである。
【００３１】同図のグラフに示すように、Ｃ／Ｎ比は実
用上４５ｄＢ程度以上が必要なのに対し、本実施例（デ
ータａ）では記録マーク長が０．０５０μｍでも４５ｄ
Ｂを超えている。従来例（データｃ）では、記録マーク
長が０．１５０μｍ以上でＣ／Ｎ比が４５ｄＢ以上とな
っており、本実施例と比較してＣ／Ｎ比が劣化した。ま
た、比較例（データｂ）では、記録マーク長が０．１２
５μｍ以上でＣ／Ｎ比が４５ｄＢ以上となった。
用上４５ｄＢ程度以上が必要なのに対し、本実施例（デ
ータａ）では記録マーク長が０．０５０μｍでも４５ｄ
Ｂを超えている。従来例（データｃ）では、記録マーク
長が０．１５０μｍ以上でＣ／Ｎ比が４５ｄＢ以上とな
っており、本実施例と比較してＣ／Ｎ比が劣化した。ま
た、比較例（データｂ）では、記録マーク長が０．１２
５μｍ以上でＣ／Ｎ比が４５ｄＢ以上となった。
【００３２】比較例（データｂ）の場合、ゲート層３の
ビームスポット中心付近で垂直磁化になっている領域が
本実施例に比較して広がっており（図１のゲート層３の
一点鎖線部）、これは周囲の記録マークの影響を受けて
いるためと考えられ、従ってゲート層３が完全に機能し
ておらず、その結果Ｃ／Ｎ比が劣化したものと推定され
る。
ビームスポット中心付近で垂直磁化になっている領域が
本実施例に比較して広がっており（図１のゲート層３の
一点鎖線部）、これは周囲の記録マークの影響を受けて
いるためと考えられ、従ってゲート層３が完全に機能し
ておらず、その結果Ｃ／Ｎ比が劣化したものと推定され
る。
【００３３】
【発明の効果】本発明は、磁区拡大層と記録層との間
に、室温で面内磁化状態であり、前記磁区拡大層と記録
層よりもキュリー温度が低いゲート層が設けられている
ことにより、記録層の記録マークの１個のみを抽出して
拡大再生できるようにし、複数の記録マークが再生され
ることによる信号の干渉を防ぎ、その結果再生時のＣ／
Ｎ比等が向上するという作用効果を有する。
に、室温で面内磁化状態であり、前記磁区拡大層と記録
層よりもキュリー温度が低いゲート層が設けられている
ことにより、記録層の記録マークの１個のみを抽出して
拡大再生できるようにし、複数の記録マークが再生され
ることによる信号の干渉を防ぎ、その結果再生時のＣ／
Ｎ比等が向上するという作用効果を有する。
【００３４】また、本発明の光磁気記録媒体は磁区拡大
再生が可能なものであればよく、光磁気ディスク、光磁
気カード、光磁気テープ等に応用可能なものである。
再生が可能なものであればよく、光磁気ディスク、光磁
気カード、光磁気テープ等に応用可能なものである。
【図１】本発明の光磁気記録媒体の再生時の磁化状態を
説明するもので、媒体ｍ1 の部分断面図である。
説明するもので、媒体ｍ1 の部分断面図である。
【図２】従来の光磁気記録媒体の再生時の磁化状態を説
明するもので、媒体ｍ2 の部分断面図である。
明するもので、媒体ｍ2 の部分断面図である。
【図３】本発明の光磁気記録媒体の記録マーク長とＣ／
Ｎ比の相関を示すグラフである。
Ｎ比の相関を示すグラフである。
１：磁区拡大層 ２：反射層（中間層） ３：ゲート層 ４：記録層 ５：対物レンズ ６：レーザ光
Claims (2)
- 【請求項１】室温で面内磁化状態で所定温度以上で垂直
磁化状態に変化し得る磁区拡大層と、前記磁区拡大層よ
りも保磁力が大きい記録層とを有する光磁気記録媒体で
あって、前記磁区拡大層と記録層との間に、室温で面内
磁化状態であり、かつ前記磁区拡大層及び記録層よりも
キュリー温度が低いゲート層を設けたことを特徴とする
光磁気記録媒体。 - 【請求項２】前記磁区拡大層と前記ゲート層との間に、
これらの交換結合を遮断する中間層を設けた請求項１記
載の光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33068597A JPH11162029A (ja) | 1997-12-01 | 1997-12-01 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33068597A JPH11162029A (ja) | 1997-12-01 | 1997-12-01 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11162029A true JPH11162029A (ja) | 1999-06-18 |
Family
ID=18235440
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33068597A Pending JPH11162029A (ja) | 1997-12-01 | 1997-12-01 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11162029A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6477120B1 (en) | 1998-11-30 | 2002-11-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magneto-optical recording medium |
-
1997
- 1997-12-01 JP JP33068597A patent/JPH11162029A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6477120B1 (en) | 1998-11-30 | 2002-11-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magneto-optical recording medium |
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