JPH1116211A

JPH1116211A - 情報記録媒体及びその製造方法

Info

Publication number: JPH1116211A
Application number: JP9171693A
Authority: JP
Inventors: Hitoshi Watanabe; 均渡辺; Yoshitane Tsuburaya; 欣胤円谷; Katsusuke Shimazaki; 勝輔島崎; Satoru Onuki; 悟大貫; Norio Ota; 憲雄太田
Original assignee: Hitachi Maxell Ltd
Current assignee: Maxell Ltd
Priority date: 1997-06-27
Filing date: 1997-06-27
Publication date: 1999-01-22

Abstract

(57)【要約】【課題】直径がより小さく、厚みがより薄く、より軽
量で且つ割れにくく、より一層高密度記録のできるディ
スク記録媒体を、高速回転で使うための厚みの薄い記録
媒体では基板の肉厚を薄くしなければならないが、樹脂
基板の肉厚を０．８ｍｍ以下、特に０．６ｍｍ以下にす
ると、記録媒体に反り変形が発生する。【解決手段】記録媒体の基板の大気側面に、記録膜層
と保護層の積層、或いは基板の剛性よりも大きな剛性、
及び記録膜層と保護層の積層、或いは基板の線膨張率よ
りも小さな線膨張率の少なくとも片方の物性を備える材
料の基板保護膜を形成し、基板保護膜の厚みは記録媒体
の種類によって異なり、６０℃、９０％ＲＨの環境の保
存で変形しない範囲で用いる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は樹脂、或いはプラス
チック製基板等を用いる記録媒及びその製造方法に関す
る。さらに詳しくは上記記録媒体の物理特質を高める基
板を用いることによって得られる、光記録媒体、磁気記
録媒体等の記録媒体とその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、ガラス基板を用いた光デイスク等
の記録媒体は情報の記録や再生において高い信頼性が得
られていたが、記録媒体が重くて、取扱いが不便である
こと、また、運搬時や使用時に基板が割れて破損してし
まう危険性が大きい等の欠点があった。

【０００３】このガラス性基板の代わりに合成樹脂、プ
ラスチック等の基板が用いられてきた。しかし、樹脂、
プラスチック等の基板は耐熱性に劣るために、熱変形或
いは反り等が発生しやすいこと、また合成樹脂中の未反
応残存化合物等を放出してピンホ−ルを生ずること、さ
らに樹脂、プラスチック等の基板は耐摩耗性に劣るため
に基板面に傷が付きやすいこと、等の問題を有する。

【０００４】光記録媒体の基板について、上記問題を解
決するために、ガラス基板を用いる場合には、ガラス基
板の表面に樹脂板を貼付ること（特開平０６−２０３４
０９）、ガラス基板の表面に０．１μｍ未満の表面粗さ
を有する透光性樹脂薄層で被覆すること（特開昭６２−
２８１１３１）等の技術が提案されている。

【０００５】プラスチック材料、樹脂材料等を基板材料
に用いる場合には、プラスチックの基板の片面、或いは
両面にガラス質の薄膜を形成した記録媒体（実開昭５５
−１５６４７）、基板がアクリル樹脂層と塩化ビニル層
の積層からなる光記録媒体（特開昭５７−４４２４
０）、外表面にフォスフォシリケ−トガラス層を形成し
たプラスチック基板層を用いるもの（特開昭５８−１３
３６５０）、樹脂基板の両表面に基板と異種の樹脂層を
形成したデイスク基板を用いるもの（特開昭５９−１１
５５３）、合成樹脂からなるデイスク基板の両面にＳｉ
Ｏ₂，Ａｌ₂Ｏ₃等の薄膜を形成したもの（特開昭６０−
１２９９４６）、基板にＳｉＯ₂、ＳｉＯ，ＡｌＮ，Ｓ
ｉ₃Ｎ₄等の膜を形成したもの（特開昭６０−１９７９６
４）、非接着性の熱可塑性樹脂で両面が被覆された基板
を用いる（特開昭６０−２１９０２８）、光デイスクの
基板の表面、裏面にダイヤモンド構造を含むカ−ボンの
薄膜を形成したもの（実開昭６２−２０２６２９）、基
板面全面にＹＳｉＯＮの保護膜を形成するもの（特開平
０１−２９２６３９）、光デイスク媒体全体を透明板で
覆うもの（特公平０５−５３０２３）、樹脂基板の表面
をエポッキシ樹脂の保護コ−ト層を形成する（特公平５
−８００５８）、記録媒体全面にＬＰＤ法（析出法：工
業材料、１９８７年、Ｖｏｌ．３５（９）Ｐ５４）でＳ
ｉＯ₂保護膜形成（特開平２−１８７２９）、二種類以
上の樹脂層を積層して用いること（特開平０２−２３６
８３４、特開平０２−１２２４４３、特開平０２−１２
２４４２）、ポリエ−テルイミド樹脂層とポリエ−テル
スルホン樹脂とを積層して用いること（特開平０２−２
５２１２０）、記録媒体面にネオフロンＦＥＰコ−テン
グし、基板面にＬＰＤ−ＳｉＯ₂の保護膜を形成したも
の（特開平０４−２１９３９）、基板面にＬＰＤ−Ｓｉ
Ｏ₂の保護膜を形成したもの（特開平０４−２６９３
５）、基板の両面にプラズマエッチング後窒化珪素（Ｓ
ｉＮ）膜を形成したもの（特開平４−１７７６３５、特
開平４−１９５７４５）、樹脂基板の表面を基板樹脂の
酸化物に形成することによって硬質化を行って用いるこ
と（特開平０４−２４５０４１）、表面に導電性膜を形
成し、さらにその導電性膜表面をカップリング処理を行
うこと（特開平０６−２２３４０６）、等の提案があ
る。上記の各提案は上記の各発明に特定する目的に適合
する技術であるにも関わらず、他の発明の技術課題や目
的にも適用することは非常に困難である。特にＬＰＤ法
によってＳｉＯ₂の保護膜を形成する法等は、珪フッ化
水素酸の水溶液からＳｉＯ₂を析出させる方法であり、
記録媒体の他の材料等に対する腐食溶解等、副反応によ
る傷害の問題がある。

【０００６】特に従来用いられていなかった条件のデイ
スク記録媒体としては、媒体の厚み、或いは基板の厚み
を極く薄くしてもちいるもの、直径の小さい軽量な光デ
イスクを高速で回転して用いるもの、或いは従来よりも
厚みの薄い記録媒体に、極めて高い記録密度の情報を高
速で記録再生を行うもの等である。これらの記録媒体
は、記録面から高密度で超微小な記録素子或いはピット
を強いレ−ザビ−ムの連続照射で記録再生を行うことに
耐えることと、極めて高い記録密度の情報を長期間保存
後でも安定して繰り返し再生ができるためには、長期間
保存後の記録媒体の反り、変形を、従来より極端に小さ
く維持することができなければならない。このために、
記録媒体に用いる基板及び積層される材料としては、高
速回転に耐える機械的強度、耐回転振れ、耐熱変形、耐
熱劣化、記録再生用レ−ザ光に対する吸収性、及び反射
性等の全体について総合的に満足するものでなければな
らない。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】従来の、ポリカ−ボネ
イト、ポリメチルメタクリレ−ト等の樹脂基板の片面
に、少なくとも情報の記録膜層と保護膜層とが形成され
る直径の大きいデイスク記録媒体等では、充分厚みの厚
い樹脂基板用いることができた。例えば、一般的な１．
０〜２．０ｍｍの厚みの基板を用いた記録媒体では、記
録膜層と保護膜層の厚みに比較して基板が充分厚いの
で、記録媒体に環境温度の変化によって反り変形が起き
る場合には、厚みの厚い基板を用いること、或いは、内
周側が肉厚で外周側が肉薄の基板を用いる等の方法で対
処されてきた。

【０００８】しかるに、市場には、直径がより小さく、
厚みがより薄く、より軽量で且つ割れにくく、より一層
高速回転で高密度記録のできるディスク記録媒体の要求
がある。この要求に応えて、例えばポリカ−ボネイト、
ポリメチルメタクリレ−ト等のプラスチック基板に、例
えば光磁気記録膜を含む積層膜を形成するような構成の
光記録媒体等では、記録媒体の肉厚を１．０ｍｍ以下、
特に０．８ｍｍ以下に薄くして、重さの軽いものを作製
する必要がある。このような条件の記録媒体では、長期
間の保存の間に、記録媒体に発生する反り、変形の大き
さが問題になることが予測される。この記録媒体に発生
する反り、変形の大きさは、従来の許容値よりもはるか
に小さく維持するものでなければならないと予想され
る。ところで、光デイスク記録媒体、及び磁気デイスク
記録媒体等では、記録媒体の肉厚を薄くする場合は、基
板以外の層の厚みをほとんど変えることができないの
で、基板の肉厚を薄くせざるおえない。上記肉薄の光磁
気記録媒体の場合では、樹脂基板の肉厚を０．８ｍｍ以
下、特に０．６ｍｍ以下の、厚みの薄い基板を用いねば
ならない。しかるに、実際に上記肉薄の記録媒体を製造
してみると、製造後の大気環境保存において、或いは自
然環境で使用している内に、記録媒体、特にディスク状
の記録媒体に、図５（ｂ）に示すような、反りが発生す
る問題のあることが判った。

【０００９】単純に公知の技術を用いて、記録媒体の樹
脂基板表面に、ＳｉＯ₂、窒化珪素、Ａｌ₂Ｏ₃、或いは
フォスフォシリケ−トガラス等の薄い保護膜を形成して
ものを、図６に（ａ）、（ｂ）に示す。肉厚の樹脂基板
では反り変形が起こらないが、肉薄の基板では、高温、
高湿の環境になると図６（ｂ）のような反り変形が発生
する。単に、基板に保護膜を用いただけでは、肉薄の基
板を用いた肉薄の光磁気ディスク記録媒体等においては
反りが発生する問題がある。

【００１０】一般に、上記記録媒体の反りは、記録媒体
製造時の温度及び湿度環境と異なる環境で保存を行った
り、使用したりした場合に発生するものであり、上記肉
薄の光磁気ディスク記録媒体の製造後に発生する反りの
大きさは、光磁気ディスク記録媒体の製造時に比べて、
該光磁気ディスク記録媒体を保存する、或いは使用する
温度及び湿度環境が異なる程大きくなる。

【００１１】さらに、プラスチック基板の片面或いは両
面に、ＳｉＯ₂、窒化珪素、Ａｌ₂Ｏ₃、或いはフォスフ
ォシリケ−トガラス等の薄い単独膜を具備した基板の厚
みと光デイスク記録膜を含む膜積層の厚みとの相対関係
が変わるとそれに伴って反りの大きさも変わり、光磁気
記録膜を含む積層膜の厚みと基板の厚みの比率にも関係
がある。

【００１２】さらに、基板のプラスチック材料の種類が
異なれば反りの大きさも異なる。

【００１３】さらにまた、基板のプラスチック材料の種
類と基板を被覆して保護膜する材料の種類の組合せが異
なったり、基板と保護膜との厚みの比率が異なると反
り、変形の大きさ、及び反り、変形の向きが異なること
も判った。

【００１４】さらに、ディスク記録媒体は高密度記録な
もの程、より微小な反り、変形によって情報の記録再生
が困難になる等の問題がある。

【００１５】さらに、ディスク記録媒体は大きさが小さ
くなるほど高密度記録になり、且つ、熱吸収の容積が小
さくなるので、高密度記録のディスク記録媒体程、記録
再生のレ−ザ光照射によって媒体の温度上昇速度は高く
なり、そしてより小さいディスク記録媒体程より高い温
度になる。従って、より小さいディスク記録媒体程発生
熱によるデイスクの反り、変形等熱変形の問題が大きく
なる。

【００１６】さらにまた、直径が小さく、厚みの薄い軽
量な高記録密度のディスク記録媒体程、極めて高い回転
速度で記録再生が行われる。このために、ディスク記録
媒体の微小なインバランス、或いは回転ディスク表面の
対流する空気の力学によって、ディスク記録媒体の面振
れが発生する。このために、ディスク記録媒体は光ヘッ
ド、及び／或いは磁気ヘッドとの衝突が起こり、また、
ディスク記録媒体が挿入されているカ−トリッジケ−ス
とディスク記録媒体との衝突が起こり、ヘッドクラッシ
ュ、或いはディスク破壊等が生ずる。

【００１７】

【課題を解決するための手段】本発明は、ポリカ−ボネ
イト、ポリメチルメタクリレ−ト等の樹脂からなる基板
の片面に、少なくとも情報の記録再生に使われる膜層と
保護膜層とが形成された記録媒体において、該記録媒体
の基板の大気露出面に基板調整膜を形成すること、さら
に必要ならば記録媒体の上記保護膜の大気露出面に保護
調整膜を被覆形成することによって、ユ−ザが使用する
温度と湿度の環境範囲、特に−１０℃〜８０℃の温度範
囲において、６０℃、９０％ＲＨ、或いは８０℃、９０
％ＲＨの環境条件下において、僅かな反り、変形及び回
転振れ等をも生じないような記録媒体を提供するもので
ある。

【００１８】本発明を実施することによって得られる、
反り、変形の防止等の効果は、通常の環境条件、例えば
２５℃、６０％ＲＨ等では顕著に識別することが困難で
あるが、本発明を実施しない製品では大きな反り、変形
が発生する環境、例えば、包装してコンテナに詰めて輸
送する際の輸送貯蔵環境が、４５℃〜８０℃、９０％Ｒ
Ｈになった場合、或いは、空輸において、温度が−１０
℃で、気圧が０．６パスカル等になった場合等において
も、本発明を実施した製品では反り、変形が起こらない
とゆう顕著な結果が得られるものである。

【００１９】本発明は、記録媒体の厚みを薄く軽量にし
て、高密度記録の記録媒体を実用可能にすると共に、高
密度記録のできる高い技術の記録媒体を製造するコスト
を下げ、安価な商品を提供するものである。

【００２０】本発明の第１は、基板の片面に、少なくと
も記録再生に関係のある膜層と媒体を保護する媒体保護
膜層とが積層される記録媒体において、前記記録媒体の
外表面の内、少なくとも前記基板の外表面側に基板保護
層が形成されると共に、前記基板保護層に前記記録媒体
の少なくとも記録再生に関係のある膜積層の厚みと同等
か、それよりも厚みの薄い層を用いることに特徴があ
る。

【００２１】前記基板と前記基板保護層とを合わせた厚
みが０．８ｍｍ以下であってもよい。特に、前記基板の
厚みを０．６ｍｍ以下の厚みで用いた記録媒体において
顕著な効果が得られる。

【００２２】本発明第２は、基板の片面に、少なくとも
記録再生に関係のある膜層と媒体を保護する媒体保護膜
層とが積層される記録媒体において、前記記録媒体外表
面の内、少なくとも前記基板の外表面側に基板保護層が
形成されると共に、前記基板保護層は前記記録媒体の記
録再生に関係のある膜積層の厚みと同等か、それよりも
厚みの薄い膜層と、前記記録媒体の前記媒体保護膜層と
の積層であることに特徴がある。

【００２３】前記基板と前記基板保護層とを合わせた厚
みが０．８ｍｍ以下であってもよい。特に、前記基板の
厚みを０．６ｍｍ以下の厚みで用いた記録媒体において
顕著な効果が得られる。

【００２４】本発明の第３は、まず、上記記録媒体を一
定の温度湿度環境で製造した後、該記録媒体を−１０℃
〜６０℃の環境下に曝して生ずる反りの大きさを測定
し、次に、一定の温度湿度環境で製造した後、該記録媒
体を６０℃、９０ＲＨの環境下に曝したもの、及び８０
℃、９０ＲＨの環境下に曝したもの、等の各々について
反りの大きさを測定し、上記−１０℃〜６０℃の環境
下、６０℃、９０ＲＨの環境下、及び８０℃、９０ＲＨ
の環境下、等での各反りを防ぐことのできる基板保護膜
の材質と厚みを、上記記録媒体の大気露出面全面、或い
は少なくとも基板の大気露出面に形成することによって
−１０℃〜６０℃の環境範囲で反りの大きさが、チルト
換算で、±０．６ｄｅｇｒｅｅ（角度）以下の許容範囲
にある記録媒体、及びその製造方法に特徴がある。

【００２５】本発明の第４は、基板の片面に、少なくと
も記録再生に関係のある膜層と媒体を保護する媒体保護
膜層とが積層される記録媒体において、前記記録媒体の
外表面に基板保護層が形成されると共に、前記基板保護
層に前記記録媒体の少なくとも記録再生に関係のある膜
層の厚みより厚い膜層を用いることに特徴がある。

【００２６】本発明の第５は、基板の片面に、少なくと
も記録再生に関係のある膜層と媒体を保護する媒体保護
膜層とが積層される記録媒体において、前記記録媒体外
表面に基板保護層が形成されると共に、前記基板保護層
は前記記録媒体の記録再生に関係のある膜積層の厚みと
同等か、それよりも厚みの厚い膜層と、前記記録媒体の
前記媒体保護膜層との積層であることに特徴がある。

【００２７】本発明の第６は、情報記録密度が３ギガバ
イト／平方インチ以上の記録媒体において、該記録媒体
を６０℃、９０％ＲＨの環境に２４時間以上保存した場
合、記録媒体のチルトの値が±０．６ｄｅｇｒｅｅ以下
の反り、変形になるように、該記録媒体の基板の大気露
出面、該記録媒体の基板と該記録媒体の保護膜層の大気
露出面、及び該記録媒体全体の大気露出面から選択され
る大気露出面に基板保護膜が形成されることに特徴があ
る。

【００２８】本発明の第７は、情報記録密度が３ギガバ
イト／平方インチ以上の記録媒体において、該記録媒体
を２０００ｒｐｍ以上で回転をさせた場合の情報記録媒
体に回転振れが±５０μｍ以下であるように、該記録媒
体の基板の大気露出面、該記録媒体の基板と該記録媒体
の保護膜層の大気露出面、及び該記録媒体全体の大気露
出面等から選択される大気露出面に基板保護膜が形成さ
れていることに特徴がある。

【００２９】本発明の第８は、厚みが０．８ｍｍ以下の
基板の片面に、少なくとも記録再生に関係のある膜層と
媒体を保護する媒体保護膜層とが積層され、記録媒体外
表面の内、少なくとも前記基板の外表面に形成する基板
保護層の材質と厚みが、記録媒体を６０℃ ９０％ＲＨ
及び８０℃ ９０％ＲＨから選択される環境条件下に２
４時間以上貯蔵する試験方法によって、記録媒体のチル
トの値が±０．６ｄｅｇｒｅｅ以下の反り、変形になる
ように形成されることに特徴がある。

【００３０】上記基板保護層の厚みは、前記記録媒体
を、６０℃ ９０％ＲＨ及び８０℃９０％ＲＨから選択
される環境条件下に貯蔵する試験方法によって記録媒体
の反りがチルト値で±０．６degree以下に治まる範囲の
厚みであることに特徴がある。

【００３１】基板保護層の材料としては、吸湿及び透湿
がより小さく、線膨張率が小さく、剛性が大きく、且つ
高い硬度の材質を選択して用いることが好ましい。

【００３２】本発明の第９は、記録媒体基板の片面に形
成される、前記少なくとも記録再生に関係のある膜層と
媒体を保護する媒体保護膜層との積層に用いられている
膜の中で、最も小さい線膨張率を示すものと同等かそれ
以下の線膨張率を示し、且つ、吸湿性及び透湿性がより
小さく、高い硬度と大きな剛性を示すを材料を用いて、
前記記録媒体の記録再生に関係のある膜層の厚みと同等
かそれより厚みの薄い基板保護膜を、記録媒体の外表面
の内少なくとも基板の外表面に形成することに特徴があ
る。

【００３３】上記基板保護膜の製膜は製膜コストが最も
安価な被覆形成方法、例えば、プラズマＣＶＤによって
行うことに特徴がある。

【００３４】本発明の第１０は、記録媒体の基板の片面
に、少なくとも記録再生に関係のある膜層と媒体を保護
する媒体保護膜層とが積層される記録媒体であって、且
つ記録媒体の基板に厚みが０．８ｍｍ以下、特に０．６
ｍｍ以下のものを用いると共に、記録媒体の外表面全面
に、或いは少なくとも記録媒体基板の外表面に限定し
て、予め基板保護層が形成されているものにおいて、前
記記録媒体基板の片面に形成される、前記少なくとも記
録再生に関係のある膜層と媒体を保護する媒体保護膜層
との積層に用いられている膜の中で、最も小さい線膨張
率を示すものと同等かそれ以下の線膨張率を示す材料か
らなり、厚みが前記記録媒体の記録再生に関係のある膜
層の厚みと同等かそれより厚みの薄い基板保護膜を、記
録媒体の外表面の内少なくとも基板の外表面に形成する
ことに特徴がある。

【００３５】上記基板保護膜の吸湿性及び透湿性は、記
録媒体の記録再生膜層と媒体保護膜層よりもより小さい
ことが好ましい。

【００３６】本発明の第１１は、記録媒体の基板の片面
に、少なくとも記録再生に関係のある膜層と媒体を保護
する媒体保護膜層とが積層される記録媒体において、記
録媒体の基板に厚みが０．８ｍｍ以下、特に０．６ｍｍ
以下のものを用いると共に、記録媒体の外表面全面に、
或いは少なくとも記録媒体基板の外表面に限定して、予
め基板保護層が形成されているものに対して、さらに、
前記基板保護層の上に、前記記録媒体の記録再生膜層と
記録媒体保護膜層の線膨張率よりも小さく、或いは前記
記録媒体の記録再生膜層と記録媒体保護膜層の線膨張率
よりも小さく且つ前記記録媒体の記録再生膜層と記録媒
体保護膜層の剛性より大きな材料、或いはまた、前記記
録媒体の記録再生膜層と記録媒体保護膜層の線膨張率よ
りも小さく、前記記録媒体の記録再生膜層と記録媒体保
護膜層の剛性より大きく、且つ前記記録媒体の記録再生
膜層と記録媒体保護膜層の硬度よりも高い硬度の材料、
等から選択して用いることに特徴がある。この選択され
た材料の吸湿性及び透湿性は、ディスク媒体の記録再生
膜層と媒体保護膜層よりもより小さいことが好ましい。

【００３７】上記選択された材料を用いて、記録媒体基
板の大気露出面を被覆するのみならず、必要ならば記録
媒体保護層の大気露出全面を、或いは記録媒体全体の大
気露出全面を被覆形成することが好ましい。

【００３８】本発明の第１２は、記録媒体基板に、該基
板の片面、必要ならば該基板の両面に、無機化合物の材
料、無機高分子化合物、或るいは有機高重合化合物等の
材料の保護皮膜が、予め形成されている樹脂またはプラ
スチック製の基板を用いて、該基板の片面に少なくとも
情報の記録再生に使われる膜層と保護膜層とを形成して
記録媒体を作製した後に、該記録媒体を−１０℃〜６０
℃の範囲の環境、或いは、６０℃、９０％ＲＨ、または
８０℃、９０％ＲＨの環境で貯蔵した際に、記録媒体に
反りが発生したり、或るいは２０００ｒｐｍ以上で回転
を行った際に、回転振れを発生をする構成の媒体におい
て、記録媒体の全外表面に、或いは少なくとも前記記録
媒体基板の外表面に限定して、上記該記録媒体を−１０
℃〜６０℃の範囲の環境、或いは、６０℃、９０％ＲＨ
の環境で貯蔵した際に、記録媒体のチルト値が±０．６
degree以下の反り、変形になるような材料と厚みを用い
て基板保護層を積層形成することに特徴がある。

【００３９】上記材料は記録媒体を２０００ｒｐｍ以上
で回転を行った際に、回転振れを発生させない硬度の高
い材料であることが好ましい。

【００４０】さらに、本発明の第１２で用いる基板保護
層材料には、前記記録媒体の少なくとも記録再生に関係
のある膜層と記録媒体を保護する記録媒体保護膜層との
積層の厚みよりも厚みの薄い層を用いることが好まし
い。

【００４１】またさらに、本発明の第１２で用いる基板
保護層材料には、前記記録媒体基板の片面に形成され
る、前記少なくとも記録再生に関係のある膜層と媒体を
保護する媒体保護膜層との積層で用いられている膜材料
の中で、最も小さな線膨張係数を持つ材料、記録膜積層
の平均の線膨張係数を持つ材料、等から選択される材料
と同等かそれ以下の線膨張係数を持つ材料の膜を用いる
ことが好ましい。

【００４２】本発明の第１３は、樹脂またはプラスチッ
ク製基板の片面に、少なくとも情報の記録再生に使われ
る膜層と保護膜層とが形成された記録媒体において、上
記基板よりもはるかに線膨張率が小さく、かつ該基板よ
りもはるかに吸湿性及び透湿性の小さな材質によって、
前記記録媒体の全外表面に、或いは前記記録媒体の基板
の外表面に基板保護皮膜を形成すると共に、必要ならば
さらに前記基板保護膜の上に、前記基板保護膜よりもは
るかに剛性が大きく且つ線膨張率が小さく、吸湿性及び
透湿性が、前記基板保護膜よりも小さいか、或いは同等
な材料によって、二重に皮膜を形成することに特徴があ
る。

【００４３】本発明の第１４は、樹脂またはプラスチッ
ク製基板の片面に、少なくとも情報の記録再生に使われ
る膜層と保護膜層とが形成された記録媒体において、前
記記録媒体の記録層及び保護層の積層よりも線膨張率が
小さく、前記基板よりも剛性及び硬さが大きく、前記記
録媒体の記録層及び保護層の積層よりも吸湿性及び透湿
性が小さい、等の条件を備えた材質によって上記基板を
被覆形成することによって、ユ−ザの使用する温度と湿
度の環境において記録媒体のチルト値が±０．６degree
以下の反り、変形になることに特徴がある。

【００４４】本発明の第１５は、樹脂またはプラスチッ
ク製基板の片面に、少なくとも情報の記録再生に使われ
る膜層と保護膜層とが形成された記録媒体において、前
記樹脂またはプラスチック製基板の厚みと、該記録媒体
から基板の厚みを除いて残る層の厚との比が３０００：
１相当、及びそれ以下であり、前記基板の少なくとも大
気露出面に形成する、該基板よりも線膨張率が小さく、
剛性が大きく、該基板よりも吸湿性及び透湿性の小さ
い、基板保護皮膜材料はＳｉＯ₂化合物であり、前記基
板保護皮膜の厚みが５０〜５００ｎｍであることに特徴
がある。

【００４５】本発明の第１６は、上記基板保護皮膜材料
としてＳｉＯ₂化合物を、基板の大気露出面、記録媒体
の保護膜の大気露出面、或いは記録媒体全体の大気露出
面から選択される何れかの面に被覆形成すると共に、該
ＳｉＯ₂化合物皮膜層の大気露出面に紫外線硬化性化合
物の膜で被覆形成することに特徴がある。

【００４６】本発明の第１７は、本発明の上記第１５及
び第１６における基板保護皮膜材料としてのＳｉＯ₂化
合物を、プラズマＣＶＤ等の方法によって皮膜形成を行
う、基板保護皮膜製造方法に特徴がある。

【００４７】本発明の第１８は、厚みが０．８ｍｍ以
下、特に０．６ｍｍ以下の基板の片面に、少なくとも記
録再生に関係のある膜層と媒体を保護する媒体保護膜層
とが積層され、しかる後、少なくとも前記基板の他面が
含まれる媒体外表面に基板保護層が形成される記録媒体
において、前記記録媒体を、６０℃、９０％ＲＨ及び８
０℃、９０％ＲＨから選択される環境条件下に貯蔵する
試験方法によって記録媒体のチルト値が±０．６degree
以下の反り、変形になる膜構成であることに特徴があ
る。

【００４８】本発明の第１９は、基板の片面に、少なく
とも記録再生に関係のある膜層と媒体を保護する媒体保
護膜層とが積層される記録媒体において、前記基板に厚
みが０．８ｍｍ以下のものを用いると共に、記録媒体の
全外表面に、或いは記録媒体の全外表面の内の少なくと
も基板の外表面に、記録媒体の記録膜積層側のおおきな
剛性を持つ膜材と同等以上の剛性を持つ透明な材料、記
録媒体の記録膜積層側の最も小さい線膨張率を持つ膜材
と同等以下の線膨張率を持つ透明な材料、及び基板より
も大きい剛性と基板よりも小さい線膨張率と基板よりも
小さい吸湿性と透湿性とを備える透明な材料等から選択
される少なくとも一種類の材料を用いて基板保護層を形
成することに特徴がある。前記基板保護層の厚みは、前
記記録媒体を、６０℃ ９０％ＲＨ及び８０℃ ９０％
ＲＨから選択される環境条件下に貯蔵する試験方法によ
って記録媒体のチルト値が±０．６degree以下の反り、
変形になる厚みでなければならない。

【００４９】本発明の第２０は、厚みが０．８ｍｍ以下
の基板の片面に、少なくとも記録再生に関係のある膜層
と媒体を保護する媒体保護膜層とを積層形成する工程
と、少なくとも前記基板の他面だけを媒体外表面と限定
することを含めて、媒体外面に基板保護層を形成する工
程とを含む記録媒体の製造方法において、前記製造した
記録媒体を６０℃ ９０％ＲＨ、及び８０℃ ９０％Ｒ
Ｈから選択される環境条件で貯蔵する工程によって記録
媒体のチルト値が±０．６degree以下の反り、変形にな
ることを確認する製造方法に特徴がある。

【００５０】本発明の上記第１〜２０に記載される記録
媒体、特にディスク記録媒体の基板側の少なくとも大気
に露出する側の片面、必要ならば基板の両面に、高い剛
性を示す材料、例えばＳｉＯ₂（二酸化珪素）、ＳｉＯ
（一酸化珪素）、Ａｌ₂Ｏ₃（酸化アルミニウム）ＳｉＣ
（炭化珪素）、Ｓｉ₃Ｎ₄（窒化珪素）、ＣＮ（窒化炭
素）、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）、ＡｌＣ（炭化アル
ミニウム）、Ｃ（ダイヤモンド結晶状炭素）、フォスホ
シリケ−トガラス、水ガラス、ＺｎＳ等の膜で被覆形成
して用いるものである。特に光記録ディスクでは、基板
の記録再生光が照射される側に形成される材料、上記材
料について、透明で、且つ光学的特性に優れるように加
工、製造する方法、及び適した材料から選択して用いら
れる。樹脂或いはプラスチック基板等を射出成形によっ
て造る場合、及び該樹脂基板を高い剛性の膜材料で被覆
する場合等では、リタ−デ−ションが小さい等、光学特
性について優れた特性が得られる材料と製造方法を選択
して製造される。

【００５１】基板の大気に露出する側の片面に形成され
る皮膜の厚みは、ディスク記録媒体の反りの大きさが大
きい程厚くしなければならない。ディスク記録媒体が保
存される環境温度が高くなると反りは大きくなるため
に、基板の大気に露出する側の片面に形成される皮膜の
厚みは大きくしなければならない。ディスク記録媒体が
保存される環境温度が記録媒体の製造時の温度、湿度環
境よりも低い場合、記録媒体の反り方向が、温度が高い
場合と反対の方向に反るので、この場合に備えて、必要
ならば、記録媒体基板と反対側の保護膜側の大気露出面
にも、上記基板に形成したものと同じ、或いはそれと同
等の作用効果の得られる材料の皮膜を形成する。

【００５２】本発明の上記第１〜２０に記載された記録
媒体、特にディスク記録媒体が、製造され、そして保存
される環境温度の範囲に対応させて、記録媒体の大気に
露出する面に形成される皮膜の材料と厚みは予め決定し
て用いられる。

【００５３】さらにディスク記録媒体が保存される湿度
環境が変わることによって反りの大きさが変化する。従
って、皮膜形成に用いられる材質としては、大気湿分を
通さない材質の膜、或いは大気湿分を通さない厚さの膜
で、且つ大気湿分を吸収しない材質の膜を形成すること
が好ましい。

【００５４】本発明の上記第１〜２０に使用される基板
の材質はポリカ−ボネイト、ポリメチルメタクリレ−
ト、ポリプロピレン等の透明で光学特性の良好なプラス
チック、或いは樹脂からなるものである。上記基板に
は、必要ならば片面に少なくとも凹または凸のプリピッ
ト及び／或いは凹または凸のトラック等が予め形成され
たものを用いる。

【００５５】本発明の上記第１〜２０に記載される記録
媒体は平板形状の角形、或いはディスク方式の記録媒体
であり、光磁気記録媒体、相変化型光記録媒体、追記型
光記録媒体（ＷＲＩＴＥＯＮＣＥ型、ＣＤ−Ｒ型）、
再生専用型光記録媒体（ＣＤ−ＲＯＭ，ＤＶＤ−ＲＯＭ
等）、書き換え型ＣＤ（ＣＤ−ＲＷ型）、リム−バブル
ハ−ドディスク、ハ−ドディスク、光トラッキング磁気
ディスク等が含まれる。

【００５６】また、本発明の上記第１〜１５に記載され
る記録媒体は、（１）基板、誘電膜或いは断熱膜層、記
録層、誘電膜或いは断熱膜層、反射膜層、保護膜層等の
積層からなるもの、（２）基板、誘電膜或いは断熱膜
層、記録層、保護膜層等の積層からなるもの、（３）基
板、記録層、反射膜層、保護膜層等の積層からなるも
の、（４）基板、誘電膜或いは断熱膜層、磁気記録層、
誘電膜或いは断熱膜層、反射膜層、保護膜層等の積層か
らなるもの、（５）基板、誘電膜或いは断熱膜層、磁気
再生層、中間層（磁性層、或いは非磁性層）、磁気記録
層、誘電膜或いは断熱膜層、反射膜層、保護膜層等の積
層からなるもの、（６）基板、誘電膜或いは断熱膜層、
磁気再生層、中間層（非磁性層）、磁性層、磁気記録
層、誘電膜或いは断熱膜層、反射膜層、保護膜層等の積
層からなるもの、（７）基板、磁気記録再生層、保護膜
層等からなるもの、（８）基板、磁気記録再生層、保護
膜層、潤滑剤層、からなるもの等である。

【００５７】本発明が適用されるディスク記録媒体は、
特に、外径が、５．２５インチ以下、好ましくは３．５
インチ以下で、ディスク記録媒体の総厚みが１．２ｍｍ
以下で、特に記録媒体の基板が樹脂またはプラスチック
を主成分とする厚みが０．８ｍｍ以下で用いることに特
徴がある。さらに記録媒体の記録再生時に回転速度が２
０００ｒｐｍ以上で使用される光ディスク、磁気ディス
ク等が主要な対象である。

【００５８】

【発明の実施の形態】本発明は、直径が５．２５イン
チ、３．５インチ、２．５インチ、１．８インチ等以下
の媒体で、媒体基板を０．８ｍｍ、０．６ｍｍ、０．５
ｍｍ等以下の厚みに限定して構成し、記録再生時に回転
速度が２０００ｒｐｍ以上の高速で使用すると共に、−
１０℃〜６０℃の範囲、６０℃ ９０％ＲＨ、８０℃
９０％ＲＨ等の過激な環境において保存する際に発生す
る、媒体の反り、及び高速回転によって起こる回転振れ
を防止するための手段を提供する。

【００５９】本発明の記録媒体に用いられる、ポリカ−
ボネイト、ポリメチルメタクリレ−ト等の樹脂からなる
基板、紫外線硬化樹脂等からなる記録層保護膜、等と誘
電膜或いは断熱膜、記録再生膜、反射膜、等とでは、そ
れぞれの線膨張率、或いは体膨張率に依存する熱膨張の
大きさが大きく異なる。さらに、記録媒体の厚みの大部
分は樹脂基板の厚みである。このため、記録媒体の保存
環境における温度及び湿度の変化に伴う反り、変形は、
大部分が樹脂基板の反り、変形の現われである。

【００６０】記録媒体の基板の片面側に形成される記録
層は、誘電膜或いは断熱膜、記録再生膜、反射膜、等無
機材料からなる積層体等で、一般に熱膨張、吸湿膨張が
小さい。その上、記録層は厚みは、記録媒体の厚み全体
の中では極めて小さい。従って記録媒体の熱膨張に伴う
反り、変形は、一般に記録層側え変形する。一方大気の
高い湿度環境において、樹脂基板は記録層が形成されて
いない、大気露出面で吸湿膨張する反り、変形も伴う。

【００６１】本発明の上記の反り、変形を防止する方法
の第１は、作製した記録媒体を実用上必要な保存温度環
境、即ち−１０℃から６０℃の範囲で、及び６０℃、９
０％ＲＨで保存した場合に起こる変形の最大値を防止し
たものである。即ち、高温での熱膨張による反り、変形
に対しては基板の大気露出面に、記録層の線膨張率、吸
湿性、及び膜剛性、等に匹敵する物性の材料からなる基
板保護膜を形成する方法である。さらに大気の湿度環境
における吸湿、放湿に伴う記録媒体の反り、変形分は、
記録媒体の記録膜の保護膜層の影響を、樹脂基板の両面
に対称的に加えることによって、樹脂基板の両側でキャ
セルさせるために、基板の上記基板保護膜の上に、上記
記録膜の保護膜層材料を保護調整膜として被覆形成する
ものである。

【００６２】上記、基板保護膜の材料としては、例えば
ＳｉＯ₂（二酸化珪素）、ＳｉＯ（一酸化珪素）、Ａｌ₂
Ｏ₃（酸化アルミニウム）、ＳｉＣ（炭化珪素）、Ｓｉ₃
Ｎ₄（窒化珪素）、ＣＮ（窒化炭素）、ＡｌＮ（窒化ア
ルミニウム）、ＡｌＣ（炭化アルミニウム）、Ｃ（ダイ
ヤモンド結晶状炭素）、フォスホシリケ−トガラス、水
ガラス、ＺｎＳ等から選択して用いる。

【００６３】さらに、上記記録媒体の基板に予め基板保
護膜が形成されている場合においても、記録媒体の肉厚
が１．０ｍｍ以下で−１０℃から６０℃の範囲、及び６
０℃、９０％ＲＨの環境で保存した場合に熱変形の反り
が起こる場合には、基板の大気露出面側及び記録媒体保
護膜の大気露出面側に、熱膨張率（特に線膨張率）が小
さく、吸湿性及び透湿性の小さい材料であって、且つ高
い剛性を示すと共に、基板或いは基板に形成されている
基板保護膜、記録媒体の記録膜層の保護膜、等に固着力
のある材料を選択して用い、上記−１０℃及び６０℃で
記録媒体に反り変形が起こらない膜厚で形成する。

【００６４】本発明の実施例では、特にディスク記録媒
体の反り、変形に対する許容値は、エラ−レ−トを小さ
くして、実用可能にするに必要な値であり、反り、変形
についての上記許容値は、例えば、同じ直径のディスク
記録媒体の場合情報の記録密度が大きくなる程小さい値
が要求される。本実施例では２ギガバイト／平方インチ
以上の記録媒体では、反り、変形の許容値がチルト値と
して±０．６degree以下である。

【００６５】

【実施例１】本実施例では、図１に示す構成で、約２ギ
ガバイト／平方インチ程度の光磁気記録媒体を用いる。
図１（ａ）の記録媒体１０は、ディスク基板２０に線膨
張率が７×（１０の−１５乗）で、厚みが０．６８±
０．０５ｍｍのポリカ−ボネイト樹脂を用いた。該基板
２０の記録側面にはプリフォマットの凹凸パタ−ンがス
タンパから転写され形成されている。基板２０の凹凸パ
タ−ン形成面上に、厚みが８０ｎｍ窒化珪素（Ｓｉ
₃Ｎ₄）の誘電膜或いは断熱膜層３０、厚みが２５ｎｍの
光磁気記録膜４０、厚みが２０ｎｍの窒化珪素（Ｓｉ₃
Ｎ₄）の誘電膜或いは断熱膜層５０、厚みが５０ｎｍの
光反射膜層６０、及び厚みが０．５μｍ〜１０μｍの紫
外線硬化樹脂製保護膜層７０、等からなり、厚み合計が
１７５ｎｍの積層膜１を形成する。

【００６６】図１の媒体の直径は１２０ｍｍであり、室
温約２５±２℃で作製した。これらの光磁気記録媒体１
０を−１０℃、０℃、４５℃、６０℃の温度環境に保存
した結果、それぞれの保存温度で、チルト値で０．８de
gree以上の反りが発生し、６０℃における反りが最大あ
った。この保存試験で反りを測定し、そのデ−タ値にも
とずいて、図１（ａ）の各光磁気記録媒体１０の透明基
板２０の大気露出面側にＳｉＯ₂の保護膜２０Ａを形成
したものを図１（ｂ）に示した。

【００６７】図１（ｂ）の光磁気ディスクでは、線膨張
率が０．３×（１０の−６乗）から０．８×（１０の−
６乗）のＳｉＯ₂の透明なの保護膜２０Ａについて、厚
みが５０ｎｍ、７０ｎｍ、１００ｎｍ、１５０ｎｍ、１
７０ｎｍ、２００ｎｍ、３００ｎｍ、５００ｎｍ、等の
種類について±２０ｎｍのバラツキ範囲で、プラズマＣ
ＶＤ（プラズマ化学蒸着）法によって形成した。このよ
うにして作製した８種の光磁気記録媒体１００を−１０
℃及び６０℃の環境温度に保存したところ、１００ｎｍ
〜１７０ｎｍの範囲では反りが、チルト値で±０．５de
gree以下であった。しかし、５０ｎｍ、７０ｎｍでは、
チルト値で−０．７degree以上であった。２００ｎｍ、
３００ｎｍ、５００ｎｍでは記録媒体の反り、変形が反
対方向（基板の大気露出側）で＋０．７degree以上であ
った。

【００６８】次に、上記膜構成の、図１（ａ）の光磁気
記録媒体１０の透明基板２０の大気露出平面と外周端
面、及び記録媒体積層膜（記録層保護膜を含む）１の大
気露出平面と外周端面を含む、いわゆる光磁気記録媒体
１０の大気露出面の全面に、図３（ｂ）に示すように、
厚みが５０ｎｍ、７０ｎｍ、１００ｎｍ、１５０ｎｍ、
１７０ｎｍ、２００ｎｍ、３００ｎｍ、５００ｎｍ、等
の種類について±２０ｎｍのバラツキ範囲で、ＳｉＯ₂
の透明な膜２０ＢをプラズマＣＶＤ（プラズマ化学蒸
着）法にて形成した。このように作製した光磁気ディス
ク１０１を−１０℃、０℃、４５℃、６０℃の温度環境
で保存試験を行ったところ、１５０ｎｍ〜５００ｎｍの
範囲では反りが、チルト値で±０．５degree以下であっ
た。しかし、それ以外では０．７degree以上の反り、変
形があった。

【００６９】

【実施例２】本実施例では、図２に示す構成の、約３ギ
ガバイト／平方インチの光磁気記録媒体を用いる。光磁
気記録媒体を用いる。

【００７０】図２の記録媒体１１は、ディスク基板２１
に線膨張率が７×（１０の−１５乗）で、０．６０±
０．０５ｍｍ厚のポリカ−ボネイト樹脂を用いた。該基
板のプリフオマットの凹凸パタ−ン上に、厚みが８０ｎ
ｍ窒化珪素（Ｓｉ₃Ｎ₄）の誘電膜或いは断熱膜層３１、
厚みが３０ｎｍの光磁気再生膜層４１、厚みが２０ｎｍ
の窒化珪素（Ｓｉ₃Ｎ₄）の非磁性膜層８１、厚みが４０
ｎｍの光磁気記録膜９１、厚みが２０ｎｍの窒化珪素
（Ｓｉ₃Ｎ₄）誘電膜或いは断熱膜層５１、厚みが２０ｎ
ｍの光反射膜層６０、及び厚みが０．５μｍ〜１０μｍ
の紫外線硬化樹脂製保護膜層７１、等からなり、厚み合
計が２１０ｎｍの積層膜２を形成する。

【００７１】図２の媒体の直径は１３０ｍｍであり、室
温約２５±２℃で作製した。これらの光磁気記録媒体１
１を−１０℃、０℃、４５℃、６０℃の温度環境に保存
した結果、それぞれの保存温度で、チルト値で０．８de
gree以上の反りが発生し、６０℃における反りが最大あ
った。この保存試験で反りを測定し、そのデ−タ値にも
とずいて、図２（ａ）の各光磁気記録媒体１１の透明基
板２１の大気露出面側にＳｉＯ₂の保護膜２１Ａを形成
したものを図２（ｂ）に示した。

【００７２】図２（ｂ）の光磁気ディスクでは、線膨張
率が０．３×（１０の−６乗）から０．８×（１０の−
６乗）の透明なＳｉＯ₂保護膜を、厚みが５０ｎｍ、７
０ｎｍ、１００ｎｍ、１５０ｎｍ、１７０ｎｍ、２００
ｎｍ、３００ｎｍ、５００ｎｍ、等の種類について±２
０ｎｍのバラツキ範囲で、保護膜２０ＡをプラズマＣＶ
Ｄ（プラズマ化学蒸着）法にて形成した。このようにし
て作製した光磁気記録媒体１１０を−１０℃、０℃、４
５℃、６０℃の環境温度に保存したところ、１００ｎｍ
〜２００ｎｍの範囲では反りが、チルト値で±０．５de
gree以下であった。しかし、５０ｎｍ、７０ｎｍでは、
チルト値で−０．７degree以上であった。３００ｎｍ、
５００ｎｍでは記録媒体の反り、変形が反対方向（基板
の大気露出側）で＋０．７degree以上であった。

【００７３】次に、上記膜構成の図２（ａ）の光磁気記
録媒体１１の透明基板２１の大気露出平面と外周端面、
及び記録媒体積層膜（記録層保護膜を含む）２の大気露
出平面と外周端面を含む、いわゆる光磁気記録媒体１１
の大気露出面の全面に、図４（ｂ）に示すように、厚み
が５０ｎｍ、７０ｎｍ、１００ｎｍ、１５０ｎｍ、１７
０ｎｍ、２００ｎｍ、３００ｎｍ、５００ｎｍ、等の種
類について±２０ｎｍのバラツキ範囲で、ＳｉＯ₂の透
明な膜２１ＢをプラズマＣＶＤ法にて形成した。このよ
うに作製した光磁気ディスク１１１を−１０℃、０℃、
４５℃、６０℃の温度環境で保存試験を行ったところ、
１７０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲では反りが、チルト値で
±０．５degree以下であった。しかし、それ以外では
０．７degree以上の反り、変形があった。

【００７４】

【実施例３】前記実施例１におけるＳｉＯ₂の透明な基
板保護膜２０Ａの厚みを１５０±５０ｎｍに形成した
後、さらに基板だけに、ＳｉＯ₂膜の上に、線膨張率が
約１×（１０の−５乗）の紫外線硬化樹脂の保護膜を
０．５〜２０．０μｍの厚にコ−トしたものを作製し
た。

【００７５】次に、基板を含む記録媒体の大気露出面全
面に厚みが２００±５０ｎｍのＳｉＯ₂膜を形成して、
さらにその上に、紫外線硬化樹脂の保護膜を０．５〜２
０．０μｍ厚で塗布コ−トした光磁気ディスクを作製し
た。

【００７６】上記２種の光磁気ディスクを６０℃、９０
％ＲＨの環境で保存試験を行ったところ、±０．６degr
ee以下の反りであった。この値は、許容範囲であり、実
用可能であった。

【００７７】

【実施例４】前記実施例２におけるＳｉＯ₂の透明な保
護膜２１Ａの厚みを２００±５０ｎｍに形成した後、さ
らに基板だけに、ＳｉＯ₂膜の上に、線膨張率が約１×
（１０の−５乗）の紫外線硬化樹脂の保護膜を０．５〜
２０．０μｍの厚にコ−トしたものを作製した。

【００７８】次に、基板を含む記録媒体の大気露出面全
面に厚みが２００±５０ｎｍのＳｉＯ₂膜を形成して、
さらにその上に、紫外線硬化樹脂の保護膜を０．５〜２
０．０μｍ厚で塗布コ−トした光磁気ディスクを作製し
た。

【００７９】上記２種の光磁気ディスクを６０℃、９０
％ＲＨの環境で保存試験を行ったところ、±０．６degr
ee以下の反りであった。この値は、許容範囲であり、実
用可能であった。

【００８０】

【実施例５】本実施例の光磁気記録媒体は、膜構成は膜
構成は実施例１と同じであるが、ただし、光磁気記録媒
体のポリカ−ボネイト樹脂製透明基板には、予め透明な
基板保護膜が形成された樹脂基板を用いた。線膨張率が
７×（１０の−５乗）のポリカ−ボネイト樹脂製透明基
板の大気露出平面に、予め厚みが不明のＳｉＯ₂の透明
膜を形成した、厚みが０．６９±０．０５ｍｍの透明基
板を用い、その他は該基板の記録側面のプリフォマット
の凹凸パタ−ン形成面上に、窒化珪素（Ｓｉ₃Ｎ₄）の誘
電膜或いは断熱膜層、光磁気記録膜、窒化珪素（Ｓｉ₃
Ｎ₄）の誘電膜或いは断熱膜層、Ｔｉ−Ａｌ合金の光反
射膜層、紫外線硬化樹脂製保護膜層等からなる積層膜が
形成されている。

【００８１】上記光磁気記録媒体の直径は３．５インチ
であり、室温約２５±２℃で作製した。これらの光磁気
記録媒体を−１０℃、０℃、４５℃、６０℃、９０％Ｒ
Ｈの温度環境に保存した結果、それぞれの保存温度で、
チルト値で、±０．７degree以上の反りが発生し、６０
℃、９０％ＲＨにおける反りが最大であった。

【００８２】この保存試験で反りを測定し、そのデ−タ
値にもとずいて、光磁気記録媒体の透明基板の大気露出
面側に、線膨張率が０．３×（１０の−６乗）から０．
４×（１０の−６乗）で、厚みが５０ｎｍ、７０ｎｍ、
１００ｎｍ、１５０ｎｍ、１７０ｎｍ、２００ｎｍ、３
００ｎｍ、５００ｎｍ、等の種類について±２０ｎｍの
バラツキ範囲で、ＳｉＯ₂の透明な膜をスパッタ法で形
成した。このようにして作製した光磁気記録媒体を６０
℃、９０％ＲＨの環境に保存したところ、ＳｉＯ₂の透
明な基板保護膜の厚みを、７０ｎｍ、１００ｎｍ、１５
０ｎｍ、１７０ｎｍ、等に形成したものの反りは、±
０．６degree以下であり、許容値範囲であった。

【００８３】次に、上記膜構成の光磁気記録媒体の透明
基板の大気露出平面に線膨張率が３×（１０の−６乗）
から４×（１０の−６乗）で、厚みが１５０±５０ｎｍ
の窒化珪素（Ｓｉ₃Ｎ₄）化合物の膜をスパッタで形成し
た。このようにして作製した光磁気記録媒体を６０℃，
９０％ＲＨの環境温度に保存したところ、記録媒体の反
りは、±０．６degree以下で、許容範囲であった。

【００８４】また、上記膜構成の光磁気記録媒体と透明
基板の大気露出面全面に厚みが３００±１０ｎｍの窒化
珪素（Ｓｉ₃Ｎ₄）化合物の膜をスパッタで形成した。こ
のようにして作製した光磁気記録媒体を６０℃、９０％
ＲＨの環境に保存したところ、反りは±０．６degree以
下で、許容範囲であった。

【００８５】また、上記膜構成の光磁気記録媒体と透明
基板の大気露出面全面に厚みが２５０±１０ｎｍの炭化
珪素（ＳｉＣ）化合物の膜をスパッタで形成した。この
ようにして作製した光磁気記録媒体を６０℃、９０％Ｒ
Ｈの環境温度に保存したところ、、反りは±０．６degr
ee以下で、許容範囲であった。

【００８６】

【実施例６】本実施例の光磁気記録媒体は、膜構成は実
施例２と同じで、記録密度が３Ｇｉｇａｂｉｔ／平方イ
ンチである。

【００８７】光磁気記録媒体は、線膨張率が７×（１０
の−５乗）のポリカ−ボネイト樹脂製のディスク基板の
全表面に、予め、厚みが不明のＳｉＯ₂の透明膜で被覆
したものを用いた。該基板の厚みは０．６０±０．０５
ｍｍ厚である。該基板のプリフオマットの凹凸パタ−ン
上に、誘電膜或いは断熱膜層、光磁気再生膜層（ＧｄＴ
ｂＦｅＣｏ合金）、非磁性膜層（ＡｌＮ）、面内磁化
膜、（ＴｂＦｅＣｏ合金）の光磁気記録膜、誘電膜或い
は断熱膜層、Ｔｉ−Ａｌ合金の光反射膜層、紫外線硬化
保護膜層、等の積層膜を形成した。

【００８８】上記光磁気記録媒体の直径は５．２５イン
チであり、室温約２５±２℃で作製した。これらの光磁
気記録媒体を６０℃、９０％ＲＨの温度環境に保存した
結果、±０．８degree以上の反りが発生した。

【００８９】この保存試験で反りを測定し、そのデ−タ
値にもとずいて、光磁気記録媒体の透明基板の大気露出
面側に、線膨張率が０．３×（１０の−６乗）から０．
４×（１０の−６乗）で、５０ｎｍ、７０ｎｍ、１００
ｎｍ、１５０ｎｍ、１７０ｎｍ、２００ｎｍ、３００ｎ
ｍ、５００ｎｍ、等の種類について±５０ｎｍのバラツ
キ範囲で、ＳｉＯ₂の透明な膜をプラズマＣＶＤ法で形
成した。このようにして作製した光磁気記録媒体を６０
℃、９０％ＲＨの環境に保存したところ、±０．５degr
ee以下の許容範囲のものは、１００ｎｍ、１５０ｎｍ、
１７０ｎｍ、２００ｎｍの厚みで形成したものであっ
た。その他は許容値を越えた反りを発生した。

【００９０】次に、上記膜構成の光磁気記録媒体の透明
基板の大気露出平面に線膨張率が３×（１０の−６乗）
から４×（１０の−６乗）で、厚みが１５０±３０ｎｍ
の窒化珪素（Ｓｉ₃Ｎ₄）化合物の膜をスパッタで形成し
た。このようにして作製した光磁気記録媒体を６０℃，
９０％ＲＨの環境温度に保存したところ、反りは±０．
５degree以下の許容範囲であった。

【００９１】また、上記膜構成の光磁気記録媒体と透明
基板の大気露出面全面に厚みが３００±１０ｎｍの窒化
珪素（Ｓｉ₃Ｎ₄）化合物の膜をスパッタで形成した。こ
のようにして作製した光磁気記録媒体を６０℃、９０％
ＲＨの環境に保存したところ、反りは反りは±０．５de
gree以下の許容範囲であった。

【００９２】さらに、光磁気記録媒体の透明基板の大気
露出平面に、線膨張率が４×（１０の−６乗）で、厚み
が２００±１０ｎｍの炭化珪素（ＳｉＣ）化合物の膜を
スパッタ法で形成した。このようにして作製した光磁気
記録媒体を６０℃，９０％ＲＨの環境に２４時間保存し
たところ、反りは±０．５degree以下の許容範囲であっ
た。

【００９３】また、上記膜構成の光磁気記録媒体と透明
基板の大気露出面全面に厚みが３００±１０ｎｍの炭化
珪素（ＳｉＣ）化合物の膜をスパッタで形成した。この
ようにして作製した光磁気記録媒体を６０℃、９０％Ｒ
Ｈの環境温度に保存したところ、反りは±０．５degree
以下の許容範囲であった。

【００９４】

【実施例７】基板に、厚みが０．６０ｍｍの透明な、光
学特性の良好なポリカ−ボネイト樹脂、及びポリメチル
メタクリレ−ト樹脂から選択された樹脂基板で、該樹脂
基板の片面に少なくとも凹または凸のプリフオマットが
形成されたものを用いる。該基板の凹凸形成面とは反対
の面に、前記樹脂基板に比較して、剛性が大きく、線膨
張率が小さく、かつ吸湿性及び透湿性が小さい、ＳｉＯ
₂の基板保護膜を形成する。しかる後に該基板の凹また
は凸のプリフオマットが形成された面上に、厚みが１０
０ｎｍの（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀の組成の混合材料
からなる断熱膜或いは誘電膜、厚みが２０ｎｍのＡｇＩ
ｎＳｂＴｅ合金或いはＧｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅等の合金から選
択される金属相変化膜の記録膜、厚みが２０ｎｍの（Ｚ
ｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀の組成の混合材料からなる断熱
膜或いは誘電膜、厚みが１００ｎｍの、Ａｌ９７Ｔｉ３
の組成の合金、Ａｕ金属，Ａｇ金属，Ａｌ金属等から選
択される光反射膜、紫外線硬化樹脂からなる保護膜、等
をこの順に積層形成して、直径が１２０ｍｍの相変化型
光ディスクを作製した。上記相変化型光ディスクの基板
及び紫外線硬化樹脂からなる保護膜を除いた積層体の厚
みは、２４０ｎｍである。

【００９５】上記、基板保護膜の厚みとして、２５ｎ
ｍ、５０ｎｍ、７０ｎｍ、１００ｎｍ、１５０ｎｍ、２
００ｎｍ、３００ｎｍの７種の記録媒体を６０℃、９０
％ＲＨの環境で５日間保存した。この結果、基板保護膜
の厚みが５０ｎｍ、７０ｎｍ、１００ｎｍ、１５０ｎ
ｍ、のものは、反りが±０．６degree以下の許容範囲で
あった。その他は、±０．８degree以上であった。

【００９６】

【実施例８】基板に、厚みが０．４０ｍｍの透明な、光
学特性の良好なポリカ−ボネイト樹脂からなり、片面に
少なくとも凹または凸のプリフオマットが形成されたも
のを用いる。該基板の凹または凸のプリフオマットが形
成された面上に、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＡｌＣ（炭化アルミニウ
ム）、ＳｉＯ₂、ＳｉＣ（炭化珪素）等から選択される
第１の誘電膜或いは断熱膜と、ＡｇＩｎＳｂＴｅ合金、
及びＧｅＴｅＳｂ合金から選択して金属相変化膜の記録
膜と、第２の誘電膜或いは断熱膜と、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ
金属から選択して用いた光反射膜と、紫外線樹脂保護コ
−ト層とをこの順に形成して、基板上に積層膜全体の層
厚みが２８０ｎｍの範囲で積層体を形成し、直径が３．
５インチの相変化型光記録媒体を作製した。

【００９７】上記相変化型光ディスクの基板の凹凸形成
面とは反対の面に、ポリカ−ボネイト樹脂基板よりも、
線膨張率が小さく、吸湿性及び透湿性が小さく、かつ剛
性が大きい基板保護膜の材料として、ＳｉＯ₂，Ａｌ２
Ｏ３（酸化アルミニウム）、ＣＮ（窒化炭素）、ＡｌＮ
（窒化アルミニウム）、フォスホシリケ−トガラス、等
の材質から選択して、厚さを５０〜５００ｎｍの範囲
で、形成した５種の相変化型光ディスクについて、６０
℃、９０％ＲＨの環境に２４時間、２日間、３日間、５
日間保存試験を行った。この結果、基板保護膜の材料と
して用いた、ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃（酸化アルミニウ
ム）、ＣＮ（窒化炭素）、ＡｌＮ（窒化アルミニウ
ム）、フォスホシリケ−トガラス、等の全ての材料が、
±０．６degree以下の許容範囲に入るものが存在した
が、その厚みは一定せず、まちまちであった。即ち基板
保護膜の厚みは、光記録媒体を６０℃、９０％ＲＨの環
境に２４時間以上保存して、反り、変形の許容範囲にあ
るものを調べる方法で決定することが好ましい。尚、６
０℃、９０％ＲＨの環境で保存する必要な時間は、基板
保護膜材料によって異なり、２４時間以上必要である。

【００９８】

【実施例９】本実施例の光磁気記録媒体は、厚みが０．
８０±０．０５ｍｍのポリカ−ボネイト樹脂製透明基板
に、８２ｎｍ厚の窒化珪素化合物誘電体層、１０ｎｍ厚
の第１磁気記録層、２２ｎｍ厚の第２磁気記録層、９ｎ
ｍ厚の第３磁気記録層、２３ｎｍ厚の第４磁気記録層、
１２．５ｎｍ厚の第５磁気記録層、２８．５ｎｍ厚の第
６磁気記録層、３０ｎｍ厚の窒化珪素化合物誘電体層、
２０ｎｍ厚のＡｌＴｉ合金光反射層、等が合計２３７ｎ
ｍ厚の積層膜を構成しており、最外層に紫外線硬化の保
護膜を形成した。

【００９９】上記構成の外径が１２０ｍｍの光磁気記録
ディスクを６０℃、９０％ＲＨの環境に保存した場合
に、発生する反り、変形を防ぐには、光磁気記録ディス
クの基板の大気露出面に、厚みが１２０ｎｍ以上のＳｉ
Ｏ₂膜を形成する必要のあることが判った。

【０１００】上記光磁気記録ディスクの基板の保護膜材
料として用いた場合に、光磁気記録ディスクの反り、変
形を防止する効果が得られた材料としては、ＳｉＯ₂の
他に、窒化珪素（Ｓｉ₃Ｎ₄）、窒化アルミニウム（Ａｌ
Ｎ）、ＺｎＳ等であった。窒化珪素、及び窒化アルミニ
ウムの場合は効果の得られる厚みが９０ｎｍ以上であっ
た。ＺｎＳの場合は効果の得られる厚みが１５０ｎｍ以
上であった。

【０１０１】

【実施例１０】本実施例の光磁気記録媒体は、直径が
８．９ｃｍで、厚みが０．５５±０．０５ｍｍのポリカ
−ボネイト樹脂製透明基板を用い、該透明基板のプリフ
ォマットパタ−ンが形成された片面に、窒化珪素（Ｓｉ
₃Ｎ₄）の誘電膜或いは断熱膜層と、Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−
Ｃｏの合金からなる光磁気再生膜と、Ｓｉ₃Ｎ₄からなる
非磁性膜と、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｂの合金からなる光
磁気記録膜と、第２の窒化珪素（Ｓｉ₃Ｎ₄）誘電膜或い
は断熱膜層と、Ｔｉ−Ａｌ合金からなる光反射膜と、紫
外線硬化樹脂製保護膜層とをこの順に積層形成したもの
である。

【０１０２】次に、上記光磁気記録媒体の透明な樹脂基
板の大気側面に、上記光磁気記録媒体の樹脂基板と紫外
線硬化樹脂製保護膜層とを除いた、記録層積層体の線膨
張率とほぼ同じかそれ以上の線膨張率を有し、剛性が大
きく、且つ吸湿性及び透湿性が樹脂基板よりはるかに小
さい材料からなる基板保護膜を形成した。基板保護膜材
料は、ＳｉＯ₂（二酸化珪素）、ＳｉＯ（一酸化珪
素）、Ａｌ₂Ｏ₃（酸化アルミニウム）、ＳｉＣ（炭化珪
素）、Ｓｉ₃Ｎ₄（窒化珪素）、ＣＮ（窒化炭素）、Ａｌ
Ｎ（窒化アルミニウム）、ＡｌＣ（炭化アルミニウ
ム）、Ｃ（ダイヤモンド結晶状炭素）、フォスホシリケ
−トガラス、水ガラス、ＺｎＳ等から選択して、厚みを
１５０〜２００ｎｍの範囲で用いた。

【０１０３】上記のように作製した光磁気記録媒体の試
験資料を６０℃、９０％ＲＨの環境で保存試験を行った
が、各試験では何れにも、チルト値で、±０．６degree
以上の反りの発生は起こらなかった。また３６００ｒｐ
ｓで回転させても回転振れは生じなかった。

【０１０４】

【発明の効果】本発明は、記録媒体の樹脂基板等に厚み
が０．８ｍｍ以下、特に０．６ｍｍ以下で用いると−１
０〜６０℃の環境下、或いは６０℃ ９０％ＲＨ、また
は８０℃ ９０％ＲＨ等の保存環境において発生する、
反り変形を防止する手段を提供する。この手段の基本
は、媒体基板の大気露出側に、媒体の記録層積層側の平
均の線膨張率を持つ膜と同程度または、それ以下の線膨
張率を持つ、光学的に好ましい、透明な材料の保護膜層
を形成し、またその膜の厚みは、記録層の積層の厚み及
び基板の厚みに相対して設定して用いる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）は従来の光磁気記録媒体の断面図。
（ｂ）は本発明の光磁気記録媒体実施例の断面図。

【図２】（ａ）は従来の光磁気記録媒体の断面図。
（ｂ）は本発明の光磁気記録媒体実施例の断面図。

【図３】（ａ）は従来の光磁気記録媒体の断面図。
（ｂ）は本発明の光磁気記録媒体実施例の断面図。

【図４】（ａ）は従来の光磁気記録媒体の断面図。
（ｂ）は本発明の光磁気記録媒体実施例の断面図。

【図５】（ａ）は基板厚みの大きい記録媒体の断面図。
（ｂ）基板厚みが小さく、変形反りの発生した記録媒体
の断面図。

【図６】（ａ）は基板保護層を持つ基板厚みの大きい記
録媒体の断面図。（ｂ）は基板保護層を持つ基板厚みの
小さい、変形反りの発生した記録媒体の断面図。

【符号の説明】

１記録層と保護層の積層２０、２１透明基板２０Ａ、２０Ｂ、２１Ａ、２１Ｂ基板保護膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者大貫悟大阪府茨木市丑寅一丁目１番88号日立マクセル株式会社内 (72)発明者太田憲雄大阪府茨木市丑寅一丁目１番88号日立マクセル株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板の片面に、少なくとも記録再生に関
係のある膜層と媒体を保護する媒体保護膜層とが積層さ
れる記録媒体において、前記記録媒体の外表面の内、少
なくとも前記基板の外表面側に基板保護層が形成される
と共に、前記基板保護層に前記記録媒体の少なくとも記
録再生に関係のある膜層の厚みと同等か、それよりも厚
みの薄い層を用いることを特徴とする情報記録媒体。
【請求項２】基板の片面に、少なくとも記録再生に関
係のある膜層と媒体を保護する媒体保護膜層とが積層さ
れる記録媒体において、前記記録媒体外表面の内、少な
くとも前記基板の外表面側に基板保護層が形成されると
共に、前記基板保護層は前記記録媒体の記録再生に関係
のある膜積層の厚みと同等か、それよりも厚みの薄い膜
層と、前記記録媒体の前記媒体保護膜層との積層である
ことを特徴とする情報記録媒体。
【請求項３】請求項１及び２において、前記基板の厚
みは０．８ｍｍ以下のものであることを特徴とする情報
記録媒体。
【請求項４】請求項３において、前記基板の厚みが
０．６ｍｍ以下であることを特徴とする情報記録媒体。
【請求項５】請求項３において、前記基板と前記基板
保護層とを合わせた厚みが０．８ｍｍ以下であることを
特徴とする情報記録媒体。
【請求項６】請求項１及び２において、前記基板保護
層の材料は、線膨張率が前記記録媒体の少なくとも記録
再生に関係のある膜層の平均線膨張率と同等かそれ以下
の材料から構成されていることを特徴とする情報記録媒
体。
【請求項７】請求項２において、前記基板保護層は線
膨張率が前記記録媒体の少なくとも記録再生に関係のあ
る膜層の線膨張率と媒体を保護する媒体保護膜層との積
層に用いられている膜の線膨張率との平均線膨張率と同
等かそれ以下の材料からなる基板保護層であることを特
徴とする情報記録媒体。
【請求項８】基板の片面に、少なくとも記録再生に関
係のある膜層と媒体を保護する媒体保護膜層とが積層さ
れる記録媒体において、前記記録媒体の外表面に基板保
護層が形成されると共に、前記基板保護層に前記記録媒
体の少なくとも記録再生に関係のある膜層の厚みと同等
か、それより厚い膜層を用いることを特徴とする情報記
録媒体。
【請求項９】基板の片面に、少なくとも記録再生に関
係のある膜層と媒体を保護する媒体保護膜層とが積層さ
れる記録媒体において、前記記録媒体外表面に基板保護
層が形成されると共に、前記基板保護層は前記記録媒体
の記録再生に関係のある膜積層の厚みと同等か、それよ
りも厚みの厚い膜層と、前記記録媒体の前記媒体保護膜
層との積層であることを特徴とする情報記録媒体。
【請求項１０】情報記録密度がギガバイト／平方イン
チ以上の記録媒体において、該記録媒体を６０℃、９０
％ＲＨの環境に２４時間以上保存した場合、記録媒体の
チルトの値が±０．６ｄｅｇｒｅｅ以下の反り、変形に
なるように、該記録媒体の基板の大気露出面、該記録媒
体の基板と該記録媒体の保護膜層の大気露出面、及び該
記録媒体全体の大気露出面から選択される大気露出面に
基板保護膜が形成されることを特徴とする情報記録媒
体。
【請求項１１】情報記録密度が３ギガバイト／平方イ
ンチ以上の記録媒体において、該記録媒体を２０００ｒ
ｐｍ以上で回転をさせた場合の情報記録媒体に回転振れ
が±５０μｍ以下であるように、該記録媒体の基板の大
気露出面、該記録媒体の基板と該記録媒体の保護膜層の
大気露出面、及び該記録媒体全体の大気露出面等から選
択される大気露出面に基板保護膜が形成されていること
を特徴とする情報記録媒体。
【請求項１２】厚みが０．８ｍｍ以下の基板の片面
に、少なくとも記録再生に関係のある膜層と媒体を保護
する媒体保護膜層とが積層され、しかる後、記録媒体外
表面の内、少なくとも前記基板の外表面に形成する基板
保護層の材質と厚みが、記録媒体を６０℃ ９０％ＲＨ
及び８０℃ ９０％ＲＨから選択される環境条件下に２
４時間以上貯蔵する試験方法によって記録媒体に発生す
るチルトの値が±０．６ｄｅｇｒｅｅ以下の反り、変形
になるような構成であることを特徴とする情報記録媒
体。
【請求項１３】請求項８、９、１０、１１、及び１２
において、前記基板の厚みが０．６ｍｍ以下であること
を特徴とする情報記録媒体。
【請求項１４】基板の片面に、少なくとも記録再生に
関係のある膜層と媒体を保護する媒体保護膜層とが積層
される記録媒体において、前記基板に厚みが０．８ｍｍ
以下のものを用いると共に、記録媒体外表面の内、少な
くとも前記基板の外表面側に、記録媒体の記録膜積層側
のおおきな剛性を持つ膜材と同等以上の剛性を持つ透明
な材料、記録媒体の記録膜積層側の最も小さい線膨張率
を持つ膜材と同等以下の線膨張率を持つ透明な材料、及
び基板よりも大きい剛性と基板よりも小さい線膨張率と
基板よりも小さい吸湿性と透湿性とを備える透明な材料
等から選択される少なくとも一種類の材料を用いて基板
保護層が形成されることを特徴とする情報記録媒体。
【請求項１５】請求項１４において、前記基板保護層
の厚みは、前記記録媒体を、６０℃ ９０％ＲＨ及び８
０℃ ９０％ＲＨから選択される環境条件下に貯蔵する
試験方法によって、記録媒体に発生するチルトの値が±
０．６ｄｅｇｒｅｅ以下の反り、変形にるような厚みで
あることを特徴とする情報記録媒体。
【請求項１６】請求項１、２、８、９、１０、１１、
１２、及び１４において、前記基板保護膜の保護膜材料
はＳｉＯ₂であることを特徴とする情報記録媒体。
【請求項１７】請求項２及び９において、前記基板保
護膜の保護膜材料はＳｉＯ₂であると共に、前記基板保
護膜を被覆する記録媒体保護膜層の材料は紫外線硬化性
樹脂であることを特徴とする情報記録媒体。
【請求項１８】請求項１、８、１０、１１、１２、及
び１４において、前記記録媒体保護膜層の材料は紫外線
硬化性樹脂であり、前記基板保護膜の材料はＳｉＯ₂で
あると共に、該ＳｉＯ₂からなる基板保護膜上に前記記
録媒体保護膜層に用いられる紫外線硬化性樹脂層を形成
することを特徴とする情報記録媒体。
【請求項１９】厚みが０．８ｍｍ以下の基板の片面
に、少なくとも記録再生に関係のある膜層と媒体を保護
する媒体保護膜層とを積層形成する工程と、記録媒体の
外表面の内、少なくとも前記基板の外表面に基板保護層
を形成する工程とを含む記録媒体の製造方法において、
前記製造した記録媒体を６０℃ ９０％ＲＨ、及び８０
℃ ９０％ＲＨから選択される環境条件で２４時間以上
貯蔵することによって、記録媒体に発生するチルトの値
が±０．６ｄｅｇｒｅｅ以下の反り、変形であることを
確認する工程とからなることを特徴とする情報記録媒体
の製造方法。
【請求項２０】基板の片面に、少なくとも記録再生に
関係のある膜層と媒体を保護する媒体保護膜層とを積層
形成する工程と、記録媒体の外表面の内、少なくとも前
記基板の外表面に基板保護層を形成する工程とを含む記
録媒体の製造方法において、前記基板の外表面の基板保
護層をプラズマＣＶＤ法によって形成することを特徴と
する情報記録媒体の製造方法。